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KR102101734B1 - 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 Download PDF

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KR102101734B1
KR102101734B1 KR1020130155211A KR20130155211A KR102101734B1 KR 102101734 B1 KR102101734 B1 KR 102101734B1 KR 1020130155211 A KR1020130155211 A KR 1020130155211A KR 20130155211 A KR20130155211 A KR 20130155211A KR 102101734 B1 KR102101734 B1 KR 102101734B1
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Abstract

액정 표시 장치는 제1 기판, 제2 기판, 박막 트랜지스터, 컬러 필터, 화소 전극, 평탄화 층 및 제1 컬럼 스페이서를 포함한다. 상기 제2 기판은 상기 제1 기판에 대향한다. 상기 박막 트랜지스터는 상기 제1 기판 상에 배치된다. 상기 컬러 필터는 상기 박막 트랜지스터 상에 배치된다. 상기 화소 전극은 상기 컬러 필터 상에 배치된다. 상기 평탄화 층은 상기 컬러 필터 및 상기 화소 전극을 커버하며, 실란계 하이브리드 수지를 포함한다. 상기 제1 컬럼 스페이서는 상기 평탄화 층의 상부면에 돌출되어 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이의 셀갭을 유지하며, 상기 박막 트랜지스터 상에 배치되며, 상기 평탄화 층과 동일한 물질을 포함한다. 따라서, 액정 표시 장치의 얼룩을 감소시켜 투과율을 향상시킬 수 있으며, 컬럼 스페이서를 형성하기 위한 마스크 공정 등의 추가 공정을 요구하지 않아, 비용을 감소시킬 수 있다. 또한, 상기 액정 표시 장치에 가하여지는 압력에 의한 응력을 효율적으로 분산시킬 수 있다.

Description

액정 표시 장치 및 이의 제조 방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법 에 관한 것으로, 보다 상세하게는 투과율 및 액정 마진이 향상된 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법 에 관한 것이다.
최근, 대면적이 용이하고 박형 및 경량화가 가능한 평판 디스플레이(flat panel display, FPD)가 표시 장치로서 널리 이용되고 있으며, 이러한 평판 디스플레이로는 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD), 플라스마 디스플레이 패널(plasma display panel, PDP), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display, OLED) 등이 사용되고 있다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 액정의 특정한 분자 배열에 전압을 인가하여 분자 배열을 변환시키고, 이러한 분자 배열의 변환에 의해 발광하는 액정 셀의 복굴절성, 선광성, 2 색성 및 광 산란 특성 등의 광학적 성질의 변화를 시각 변화로 변환하여 영상을 표시하는 디스플레이 장치이다.
상기 표시 장치들 중 하나인 액정 표시 장치(liquid crystal display)는 액정(liquid crystal)을 이용하여 영상을 표시한다. 상기 액정 표시 장치는 다른 표시 장치에 비해 두께가 얇고 무게가 가벼우며, 소비전력이 적고, 낮은 구동전압을 갖는 장점을 갖는다.
일반적으로 상기 액정 표시 장치는 상부 및 하부에 2개의 기판을 포함하는데, 상기 기판 상에 박막 트랜지스터가 형성된 영역 및 컬러 필터가 중첩된 영역에 단차가 발생하여 액정 표시 장치의 투과율이 감소하는 문제점이 있다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 평탄화 층을 형성하며, 상기 평탄화 층과 동시에 컬럼 스페이서를 형성하고, 상기 컬럼 스페이서에 대향하여 이중 단차를 갖는 블랙 컬럼 스페이서를 형성하여 셀 갭을 유지하는 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기한 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 기판, 제2 기판, 박막 트랜지스터, 컬러 필터, 화소 전극, 평탄화 층 및 제1 컬럼 스페이서를 포함한다.
상기 제2 기판은 상기 제1 기판에 대향한다. 상기 박막 트랜지스터는 상기 제1 기판 상에 배치된다. 상기 컬러 필터는 상기 박막 트랜지스터 상에 배치된다. 상기 화소 전극은 상기 컬러 필터 상에 배치된다. 상기 평탄화 층은 상기 컬러 필터 및 상기 화소 전극을 커버하며, 실란계 하이브리드 수지를 포함한다. 상기 제1 컬럼 스페이서는 상기 평탄화 층의 상부면에 돌출되어 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이의 셀갭을 유지하며, 상기 박막 트랜지스터 상에 배치되며, 상기 평탄화 층과 동일한 물질을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 평탄화 층의 두께는 0.5㎛ 내지 2.0㎛일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 컬럼 스페이서의 높이는 0.5㎛ 내지 3.0㎛일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 기판 상에 배치되며, 블랙 매트릭스 및 상기 블랙 매트릭스 상에 배치되는 제2 컬럼 스페이서를 포함하는 블랙 컬럼 스페이서를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 블랙 매트릭스 및 상기 제2 컬럼 스페이서는 동일한 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 컬럼 스페이서는 상기 제1 컬럼 스페이서와 마주할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 컬럼 스페이서는 상기 제2 컬럼 스페이서와 마주하도록 배치되는 메인 컬럼 스페이서 및 상기 메인 컬럼 스페이서에 인접하여 상기 블랙 매트릭스와 마주하도록 배치되는 서브 컬럼 스페이서를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 메인 컬럼 스페이서 및 상기 서브 컬럼 스페이서의 높이는 동일할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 메인 컬럼 스페이서 및 상기 서브 컬럼 스페이서의 간격은 2.0㎛ 내지 3.0㎛일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 컬럼 스페이서의 높이는 0.5㎛ 내지 2.0㎛일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 블랙 컬럼 스페이서 상에 배치된 오버 코팅층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되는 액정층을 더 포함할 수 있다.
상기한 목적을 실현하기 위한 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 제1 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 박막 트랜지스터 상에 컬러 필터 포토 레지스트를 도포하여 컬러 필터를 형성하는 단계, 상기 컬러 필터 상에 화소 전극을 형성하는 단계, 상기 컬러 필터 및 상기 화소 전극 상에 실란계 하이브리드 수지를 도포하여, 실란 층을 형성하는 단계, 상기 실란 층 위에, 상기 박막 트랜지스터와 중첩하는 포토 레지스트 마스크를 형성하는 단계, 상기 실란 층을 건조하여, 상기 컬러 필터 및 상기 화소 전극을 커버하는 평탄화 층 및 상기 평탄화 층의 상부면에 돌출되어 상기 박막 트랜지스터 상에 형성되며, 상기 평탄화 층과 동일한 물질을 포함하는 제1 컬럼 스페이서를 동시에 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 실란계 하이브리드 수지는 3-메타크릴옥시프로필디클로로실란, 3-메타크릴옥시프로필트리클로로실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, (메타크릴옥시메틸)메틸디메톡시실란, (메타크릴옥시메틸)트리메톡시실란, (메타크릴옥시메틸)메틸디에톡시실란, 메타크릴옥시메틸트리에톡시실란, 메타크릴옥시프로필트리이소프로폭시실란, 3-아크릴옥시프로필디클로로실란, 3-아크릴옥시프로필트리클로로실란, 3-아크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 제2 기판 상에 블랙 매트릭스 및 상기 블랙 매트릭스 상에 배치되는 제2 컬럼 스페이서를 포함하는 블랙 컬럼 스페이서를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 블랙 매트릭스 및 상기 제2 컬럼 스페이서는 일체로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 블랙 컬럼 스페이서를 형성하는 단계는, 상기 제2 기판 상에 블랙 포토 레지스트를 도포하는 단계, 상기 블랙 포토 레지스트에 제1 광을 노광한 후 현상하는 단계, 상기 블랙 포토 레지스트에 상기 제1 광의 광량보다 작은 제2 광을 노광하는 단계 및 상기 블랙 포토 레지스트를 가열 건조하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 블랙 포토 레지스트는 네거티브형 포토 레지스트일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 블랙 포토 레지스트는 서로 다른 최대 에너지 흡수 파장을 갖는 2 이상의 개시제를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 블랙 포토 레지스트는, 상기 제1 광에 반응하도록, 상기 제1 광의 파장에 대응하는 최대 에너지 흡수 파장을 갖는 제1 개시제 및 상기 제2 광에 반응하도록, 상기 제2 광의 파장에 대응하는 최대 에너지 흡수 파장을 갖는 제2 개시제를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 컬러 필터 및 화소 전극 상에 평탄화 층을 형성하여 액정 표시 장치의 얼룩을 감소시켜 투과율을 향상시킬 수 있다. 상기 평탄화 층 및 컬럼 스페이서를 동시에 형성하여, 별도로 컬럼 스페이서를 형성하기 위한 마스크 공정 등의 추가 공정을 요구하지 않아, 비용을 감소시킬 수 있다.
또한, 상기 컬럼 스페이서에 대향하여 이중 단차를 가지도록 블랙 컬럼 스페이서가 형성된다. 따라서, 상기 컬럼 스페이서가 기판과 이격되어 있는 간격이 서로 다른 메인 컬럼 스페이서 및 서브 컬럼 스페이서를 포함하여, 액정 표시 장치에 가하여지는 압력에 의한 응력을 효율적으로 분산시킬 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 제1 화소의 평면도이다.
도 3은 도 2의 I-I' 선을 따라 절단한 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도이다.
도 4는 도 2의 II-II' 선을 따라 절단한 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 액정 표시 장치를 제조하는 방법을 나타낸 순서도이다.
도 6 내지 도 8은 일 실시예에 따른 액정 표시 장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
본 명세서에 있어서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것이며, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접촉되어"있다고 기재된 경우, 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접촉되어 있을 수도 있지만, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 또한, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접촉되어"있다고 기재된 경우에는, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해될 수 있다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 예를 들면, "~사이에"와 "직접 ~사이에" 또는 "~에 인접하는"과 "~에 직접 인접하는" 등도 마찬가지로 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 용어는 단지 예시적인 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도는 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다", "구비하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 실시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지는 않는다.
제1, 제2 및 제3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들면, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제1 구성 요소가 제2 또는 제3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제2 또는 제3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 평면도이다. 도 2는 도 1의 제1 화소의 평면도이다. 도 3은 도 2의 I-I' 선을 따라 절단한 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도이다. 도 4는 도 2의 II-II' 선을 따라 절단한 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 액정 표시 장치는 복수의 스토리지 라인들(STLn), 복수의 게이트 라인들(GLn), 복수의 데이터 라인들(DLn) 및 복수의 화소들을 포함한다.
상기 게이트 라인(GLn)은 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다. 상기 데이터 라인(DLn)은 상기 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연장될 수 있다. 이와는 달리, 상기 게이트 라인(GLn)은 상기 제2 방향(D2)으로 연장될 수 있고, 상기 데이터 라인(DLn)은 상기 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다.
상기 스토리지 라인(STLn)은 상기 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다. 상기 스토리지 라인들(STLn, STLn+1) 사이에 상기 게이트 라인들(GLn, GLn+1)이 배치될 수 있다.
상기 제1 방향(D1)으로 연장된 상기 스토리지 라인(STLn)은 상기 스토리지 라인(STLn)으로부터 상기 제2 방향(D2)으로 연장된 제1 및 제2 분기 전극(LSTLn, RSTLn)을 더 포함할 수 있다.
상기 화소들은 매트릭스 형태로 배치된다. 상기 화소들은 상기 스토리지 라인(STLn), 상기 게이트 라인들(GLn) 및 상기 데이터 라인들(DLn)에 의해 정의되는 영역에 배치될 수 있다.
각 화소는 인접한 게이트 라인(GL) 및 인접한 데이터 라인(DL)에 연결될 수 있다.
상기 화소는 상기 제2 방향(D2)으로 길게 연장되는 직사각형 형상을 가질 수 있다. 상기 화소 영역은 평면에서 보았을 때, 일 방향으로 길게 연장된 직사각형 형상, V 자 형상 및 Z 자 형상 등 다양할 수 있다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 기판(100), 제2 기판(200) 및 액정층(300)을 포함한다.
상기 액정 표시 장치는 상기 제1 기판(100) 상에 배치된, 박막 트랜지스터(TFT), 컬러 필터(CF), 화소 전극(PE), 평탄화 층(130) 및 제1 컬럼 스페이서(CS1)를 포함한다.
상기 제1 기판(100)은 투명한 절연기판이다. 예를 들어, 유리기판 또는 투명한 플라스틱 기판일 수 있다. 상기 제1 기판(100)은 영상을 표시하는 복수의 화소 영역을 갖는다. 상기 화소 영역은 복수의 열과 복수의 행을 가진 매트릭스 형태로 배열된다.
상기 화소는 스위칭 소자(switching element)를 더 포함한다. 예를 들어, 상기 스위칭 소자는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)일 수 있다. 상기 스위칭 소자는 인접한 게이트 라인(GL) 및 인접한 데이터 라인(DL)에 연결될 수 있다. 상기 스위칭 소자는 상기 게이트 라인(GL) 및 상기 데이터 라인(DL)이 교차하는 영역에 배치될 수 있다.
상기 제1 기판(100) 상에 게이트 전극(GE) 및 게이트 라인(GL)을 포함하는 게이트 패턴이 배치된다. 상기 게이트 라인(GL)은 상기 게이트 전극(GE)과 전기적으로 연결된다.
상기 제1 기판(100) 상에 게이트 전극(GE) 및 게이트 라인(GL)을 포함하는 게이트 패턴이 배치된다. 상기 게이트 라인(GL)은 상기 게이트 전극(GE)과 전기적으로 연결된다.
게이트 절연층(110)은 상기 게이트 패턴이 배치된 상기 제1 기판(100) 상에 배치되어, 상기 게이트 패턴을 절연한다.
상기 게이트 절연층(110) 상에 반도체 패턴(SM)을 형성한다. 상기 반도체 패턴(SM)은 상기 게이트 전극(GE)과 중첩하여 배치된다.
상기 반도체 패턴(SM)이 형성된 상기 게이트 절연층(110)상에 데이터 라인(DL), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함하는 데이터 패턴이 배치된다. 상기 소스 전극(SE)은 상기 반도체 패턴(SM)과 중첩하고, 상기 데이터 라인(DL)에 전기적으로 연결된다.
상기 드레인 전극(DE)은 상기 반도체 패턴(SM) 상에 상기 소스 전극(SE)으로부터 이격된다. 상기 반도체 패턴(SM)은 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE) 사이에서 전도 채널(conductive channel)을 이룬다.
상기 게이트 전극(GE), 상기 소스 전극(SE), 상기 드레인 전극(DE) 및 상기 반도체 패턴(SM)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 구성한다.
상기 게이트 절연층(110) 상에는 상기 게이트 라인(GL), 상기 데이터 라인(DL) 및 상기 스위칭 소자가 배치된다. 상기 스위칭 소자는 게이트 전극(GE), 게이트 절연층(100), 반도체 패턴(SM), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함한다. 상기 게이트 절연층(110)은 상기 제1 기판(100)의 전 면적에 배치될 수 있다.
상기 게이트 절연층(110)은 유기 내지 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 데이터 절연층(120)은 벤조사이클로부텐계 수지, 올레핀(olefin)계 수지, 폴리이미드(polyimide)계 수지, 아크릴계 수지, 폴리비닐(polyvinyl)계 수지, 실록산(siloxane)계 수지, 실리콘(silicon)계 수지 등을 포함할 수 있다.
데이터 절연층(120)은 상기 데이터 패턴이 배치된 상기 게이트 절연층(110) 상에 배치되어, 상기 데이터 패턴을 절연한다.
상기 데이터 절연층(120)은 상기 게이트 라인(GL), 상기 데이터 라인(DL) 및 상기 박막 트랜지스터(TFT) 상에 배치된다. 상기 데이터 절연층(120)은 상기 제1 기판(100)의 전 면적에 배치될 수 있다.
상기 데이터 절연층(120)은 유기 내지 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 데이터 절연층(120)은 벤조사이클로부텐계 수지, 올레핀(olefin)계 수지, 폴리이미드(polyimide)계 수지, 아크릴계 수지, 폴리비닐(polyvinyl)계 수지, 실록산(siloxane)계 수지, 실리콘(silicon)계 수지 등을 포함할 수 있다.
상기 컬러 필터(CF)는 상기 박막 트랜지스터 상에 배치된 상기 데이터 절연층(120) 상에 배치될 수 있다.
상기 컬러 필터(CF)는 상기 액정층(300)을 투과하는 광에 색을 제공하기 위한 것이다. 상기 컬러 필터(CF)는 적색 컬러 필터(red), 녹색 컬러 필터(green), 및 청색 컬러 필터(blue)일 수 있다.
상기 컬러 필터(CF)는 상기 각 화소 영역에 대응하여 제공된다. 서로 인접한 화소 사이에서 서로 다른 색을 갖도록 배치될 수 있다.
상기 컬러 필터(CF)는 서로 인접한 화소 영역의 경계에서 일부가 인접한 컬러 필터(CF)에 의해 중첩될 수 있다. 이와 달리, 상기 컬러 필터(CF)는 제1 방향(D1)으로 서로 인접한 화소 영역의 경계에서 이격되어 형성될 수 있다. 즉, 상기 컬러 필터(CF)는 제1 방향(D1)으로 게이트 라인들을 경계로 하여 섬(island) 형태로 형성될 수 있다.
상기 컬러 필터(CF) 상에 화소 전극(pixel electrode; PE)을 형성할 수 있다.
상기 화소 전극(PE)은 콘택 홀(contact hole; CH)을 통하여, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된다. 상기 화소 전극(PE)은 상기 화소 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 화소 전극(PE)에는 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 통해 계조 전압이 인가된다.
예를 들어, 상기 화소 전극(PE)은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 인듐 징크 옥사이드(IZO), 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(AZO)와 같은 투명 도전체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 화소 전극(PE)은 미세 슬릿 패턴을 포함할 수 있다.
상기 평탄화 층(130)은 상기 화소 전극(PE)이 형성된 상기 컬러 필터(CF) 상에 배치된다. 상기 평탄화 층(130)은 상기 컬러 필터(CF) 및 상기 화소 전극(PE)을 커버한다.
상기 평탄화 층(130)은 상기 제1 기판(100) 상에 형성된다.
상기 평탄화 층(130)은 상기 제1 기판(100) 상에 복수의 박막을 형성함에 따른 발생되는 단차를 제거한다. 따라서, 상기 제1 기판(100) 상에 단차가 발생함에 따른 액정 표시 장치의 얼룩을 방지할 수 있다.
상기 평탄화 층(130)은 실란계 하이브리드 수지를 포함한다.
상기 실란계 하이브리드 수지는, 예를 들어, 3-메타크릴옥시프로필디클로로실란, 3-메타크릴옥시프로필트리클로로실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, (메타크릴옥시메틸)메틸디메톡시실란, (메타크릴옥시메틸)트리메톡시실란, (메타크릴옥시메틸)메틸디에톡시실란, 메타크릴옥시메틸트리에톡시실란, 메타크릴옥시프로필트리이소프로폭시실란, 3-아크릴옥시프로필디클로로실란, 3-아크릴옥시프로필트리클로로실란, 3-아크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란 및 이들의 혼합물일 수 있다.
일반적으로, 실란계 수지는 대체로 유리 전이 온도(glass temperature; Tg)가 100℃ 내지 200℃ 정도로서 매우 낮아, 상기 실란계 수지의 흐름(flow) 특성이 매우 뛰어나다. 따라서, 상기 실란계 수지를 포함하는 상기 실란계 하이브리드 수지는 흐름 특성이 매우 뛰어나다. 상기 평탄화 층이 상기 실란계 하이브리드 수지를 포함하여, 상기 평탄화 층의 상부면의 평탄도를 향상시킬 수 있다.
상기 평탄화 층의 두께(hf)는 0.5㎛ 내지 2.0㎛일 수 있다. 상기 평탄화 층의 두께(hf)가 0.5㎛ 미만인 경우, 복수의 박막을 형성함에 따른 단차를 제거하기 어려우며, 상기 평탄화 층의 두께(hf)가 2.0㎛ 초과인 경우, 액정 표시 장치가 두꺼워지는 문제점이 있다.
제1 컬럼 스페이서(CS1)는 상기 평탄화 층의 상부면에 돌출되며, 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이의 셀갭을 유지한다.
상기 제1 컬럼 스페이서(CS1)는 화소의 비표시 영역(non-display area)에 대응하여 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 컬럼 스페이서(CS1)는 상기 박막 트랜지스터(TFT) 상에 배치될 수 있다.
상기 제1 컬럼 스페이서(CS1)는 상기 평탄화 층(130)과 동일한 물질을 포함한다. 상기 제1 컬럼 스페이서(CS1)는 상기 평탄화 층(130)과 일체로 형성된다.
상기 제1 컬럼 스페이서(CS1)의 높이(h1)는 0.5㎛ 내지 3.0㎛일 수 있다. 상기 제1 컬럼 스페이서(CS1)의 높이(h1)가 0.5㎛ 미만인 경우, 액정주입 마진(margin)이 감소하여 액정 표시 장치의 표시 품질이 감소하며, 상기 제1 컬럼 스페이서(CS1)의 높이(h1)가 3.0㎛ 초과인 경우, 액정 표시 장치가 두꺼워지는 문제점이 있다.
상기 제2 기판(200)은 투명한 절연기판이다. 예를 들어, 유리기판 또는 투명한 플라스틱 기판일 수 있다.
상기 제2 기판(200) 상에는 광을 차단하는 블랙 컬럼 스페이서(black column space)를 포함할 수 있다. 상기 블랙 컬럼 스페이서는 화소의 비표시 영역(non-display area)에 형성된다.
상기 블랙 컬럼 스페이서는 상기 제1 기판(100) 상에 배치된 상기 게이트 라인(GL), 상기 데이터 라인(DL) 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)가 배치되는 영역과 중첩하도록 형성된다.
상기 박막 트랜지스터(TFT)가 배치되는 영역에 배치되는 상기 블랙 컬럼 스페이서는 블랙 매트릭스(BM) 및 제2 컬럼 스페이서(CS2)를 포함한다.
상기 제2 컬럼 스페이서(CS2)는 상기 블랙 매트릭스(BM) 상에 배치된다. 상기 블랙 매트릭스(BM) 및 상기 제2 컬럼 스페이서(CS2)는 일체로 형성된다.
상기 블랙 매트릭스(BM) 및 상기 제2 컬럼 스페이서(CS2)는 동일한 물질을 포함한다.
상기 블랙 매트릭스(BM) 및 상기 제2 컬럼 스페이서(CS2)는 감광성 유기 물질을 포함하는 블랙 물질로 형성될 수있다. 상기 블랙 물질은, 예를 들어, 카본 블랙, 유/무기 안료, 또는 유색(R, G, B) 혼합 안료 등의 착색제를 포함함으로써 블랙을 나타낼 수 있다.
상기 제1 컬럼 스페이서(CS1)는 메인 컬럼 스페이서(CS1main) 및 서브 컬럼 스페이서(CS1sub)를 포함한다. 상기 메인 컬럼 스페이서(CS1main) 및 상기 서브 컬럼 스페이서(CS1sub)의 높이(h1)는 동일하다.
상기 제2 컬럼 스페이서(CS2)는 상기 제1 컬럼 스페이서(CS1)와 마주하도록 배치된다. 예를 들어, 상기 메인 컬럼 스페이서(CS1main)는 상기 제2 컬럼 스페이서(CS2)와 마주하도록 배치된다. 상기 서브 컬럼 스페이서(CS1sub)는 상기 메인 컬럼 스페이서(CS1main)에 인접하여 상기 블랙 매트릭스(BM)와 마주하도록 배치된다.
따라서, 상기 메인 컬럼 스페이서(CS1main) 및 상기 제2 기판(200) 사이의 간격이 상기 서브 컬럼 스페이서(CS1sub) 및 상기 제2 기판(200) 사이의 간격보다 작다.
액정 표시 장치에 외부로부터 압력이 가하여 지면, 상기 서브 컬럼 스페이서(CS1sub)의 일단이 상기 제2 기판(200)의 상기 블랙 매트릭스(BM)와 접촉하게 된다. 따라서, 상기 메인 컬럼 스페이서(CS1main)뿐만 아니라 상기 서브 컬럼 스페이서(CS1sub)도 액정 표시 패널에 가하여지는 압력을 전달 받아, 각각의 제1 컬럼 스페이서(CS1)에 가하여 지는 응력을 분산시킬 수 있다.
상기 메인 컬럼 스페이서(CS1main) 및 상기 서브 컬럼 스페이서(CS1sub)의 간격(g1)은 2.0㎛ 내지 3.0㎛일 수 있다. 상기 간격(g1)이 2.0㎛ 미만인 경우, 상기 메인 컬럼 스페이서(CS1main) 및 상기 서브 컬럼 스페이서(CS1sub)가 모두 상기 블랙 매트릭스(BM) 또는 상기 제2 컬럼 스페이서(CS2)와 접촉하게 되며, 상기 간격(g1)이 3.0㎛ 초과인 경우, 상기 서브 컬럼 스페이서(CS1sub)가 상기 블랙 매트릭스(BM)가 배치된 영역을 벗어나게 되는 문제점이 있다.
상기 제2 컬럼 스페이서(CS2)의 높이(h2)는 0.5㎛ 내지 2.0㎛일 수 있다. 상기 제2 컬럼 스페이서(CS2)의 높이(h2)가 0.5㎛ 미만인 경우, 액정주입 마진(margin)이 감소하여 액정 표시 장치의 표시 품질이 감소하며, 상기 제2 컬럼 스페이서(CS2)의 높이(h2)가 2.0㎛ 초과인 경우, 액정 표시 장치가 두꺼워지는 문제점이 있다.
오버 코팅층(210)은 상기 블랙 컬럼 스페이서가 형성된 상기 제2 기판(200) 상에 배치될 수 있다.
상기 오버 코팅층(210)은 상기 블랙 컬럼 스페이서가 형성된 상기 제2 기판(200) 상에 형성되어 상기 제2 기판(200)의 표면을 평탄화할 수 있다.
상기 오버 코팅층(210)은 유기 내지 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 오버 코팅층(210)은 벤조사이클로부텐계 수지, 올레핀(olefin)계 수지, 폴리이미드(polyimide)계 수지, 아크릴계 수지, 폴리비닐(polyvinyl)계 수지, 실록산(siloxane)계 수지, 실리콘(silicon)계 수지 등을 포함할 수 있다.
상기 오버 코팅층(210) 상에 공통 전극(CE)을 형성할 수 있다.
상기 화소 전극(PE) 및 상기 공통 전극(CE)에 계조 전압이 안가되어 전계를 형성한다. 예를 들어, 상기 공통 전극(CE)은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 인듐 징크 옥사이드(IZO), 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(AZO)와 같은 투명 도전체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 공통 전극(CE)은 슬릿 패턴을 포함할 수 있다.
상기 액정층(300)은 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 배치된다.
상기 액정층(300)은 액정 분자(liquid crystal molecule)를 포함할 수 있다. 상기 액정층은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 인가되는 전계에 의하여 액정 분자의 배열을 조절하여 상기 화소의 광 투과율이 조절된다. 이와 달리 액정층(300)은 전기 영동층(electrophoresis layer)일 수 있다.
도시 하지는 않았으나, 상기 액정 표시 장치는 상기 액정층(300)의 상기 액정 분자들을 배향하기 위한 배향막(미도시)을 포함할 수 있다.
상기 배향막(미도시)은 상기 액정층(300)과 상기 평탄화 층(130) 및 상기 액정층(300)과 오버 코팅층(210) 사이에 배치될 수 있다.
상기 배향막은 상기 액정층(300)의 상기 액정 분자들을 프리 틸트(pre-tilt)시키기 위한 것이다. 상기 배향막은 배향액을 이용하여 형성된다. 배향액을 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 상에 도포한 뒤, 상기 배향액을 제거한다. 상기 배향액은 슬릿 코팅, 스핀 코팅 등 다양한 방법으로 도포될 수 있다. 상기 배향액을 제거하기 위해서 상기 기판(100)을 실온에 두거나 열을 가할 수 있다. 상기 배향액은 폴리이미드(polyimide; PI)와 같은 배향 물질을 적절한 용매에 혼합한 것이다.
이와 달리, 상기 배향막은 상기 액정층(300)의 종류에 따라, 또는 상기 화소전극(PE) 및 상기 공통 전극(CE)의 구조에 따라 생략될 수 있다. 예를 들어, 상기 화소 전극(PE)이 마이크로 슬릿을 가지고 있어 별도의 배향막 없이 상기 액정의 초기 배향이 가능한 경우에, 상기 배향막이 생략될 수 있다. 또는, 상기 액정층 (300)의 초기 배향용 반응성 메조겐 층이 형성되는 경우에도 상기 배향막이 생략될 수 있다.
도 5는 일 실시예에 따른 액정 표시 장치를 제조하는 방법을 나타낸 순서도이다. 도 6 내지 도 8은 일 실시예에 따른 액정 표시 장치를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5 내지 도8을 참조하여, 액정 표시 장치를 제조 하는 방법에 대하여 설명하도록 한다.
도 5를 참조하면, 액정 표시 패널은 아래와 같이 제조된다. 제1 기판(100)을 형성한 후, 상기 제1 기판(100) 상에 평탄화 층 및 컬럼 스페이서(CS1)를 형성한다. 제2 기판(200)을 형성한 후, 상기 제2 기판(200) 상에 블랙 컬럼 스페이서를 형성한다. 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200)이 서로 대향하도록 배치한 뒤, 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 액정층(300)을 주입하여 형성한다.
도 6 내지 도 8을 참조하면, 상기 제1 기판(100) 상에 실란계 하이브리드 수지를 도포하여 실란 층(silane layer; SL)을 형성한다.
상기 실란계 하이브리드 수지는, 예를 들어, 3-메타크릴옥시프로필디클로로실란, 3-메타크릴옥시프로필트리클로로실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, (메타크릴옥시메틸)메틸디메톡시실란, (메타크릴옥시메틸)트리메톡시실란, (메타크릴옥시메틸)메틸디에톡시실란, 메타크릴옥시메틸트리에톡시실란, 메타크릴옥시프로필트리이소프로폭시실란, 3-아크릴옥시프로필디클로로실란, 3-아크릴옥시프로필트리클로로실란, 3-아크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란 및 이들의 혼합물일 수 있다.
상기 실란계 하이브리드 수지는 아크릴레이트를 포함하는 제1 모노머 및 실란을 포함하는 제2 모노머의 공중합을 통하여 제조될 수 있다.
일반적으로, 실란계 수지는 대체로 유리 전이 온도(glass temperature; Tg)가 100℃ 내지 200℃ 정도로서 매우 낮아, 상기 실란계 수지의 흐름(flow) 특성이 매우 뛰어나다. 따라서, 상기 실란계 수지를 포함하는 상기 실란계 하이브리드 수지는 흐름 특성이 매우 뛰어나다. 상기 평탄화 층이 상기 실란계 하이브리드 수지를 포함하여, 상기 평탄화 층의 상부면의 평탄도를 향상시킬 수 있다.
상기 실란계 하이브리드 수지는 점도를 제어하고 수지의 안정성을 부가하기 위하여 용매를 더 포함할 수 있다.
상기 용매는 지방족 탄화수소 용매, 방향족 탄화수소 용매, 케톤계 용매, 에테르계 용매, 아세테이트계 용매, 알코올계 용매, 아미드계 용매, 실리콘계 용매 또는 이들의 혼합물이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 지방족 탄화수소 용매는 헥산, 헵탄일 수 있다. 예를 들어 상기 방향족 탄화수소 용매는 벤젠, 톨루엔, 자일렌일 수 있다. 예를 들어, 상기 케톤계 용매는 메틸 이소부틸 케톤, 1-메틸-2-피롤리디논, 시클로헥산온, 아세톤일 수 있다. 예를 들어, 상기 에테르계 용매는 테트라히드로퓨란, 이소프로필 에테르, 프로필렌 글리콜 프로필 에테르일 수 있다. 예를 들어, 상기 아세테이트계 용매는 에틸 아세테이트, 부틸 아세테이트, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트일 수 있다. 예를 들어, 상기 아미드계 용매이소프로필 알코올, 부틸 알코올 등의 알코올계 용매, 디메틸아세트아미드, 디메틸포름아미드일 수 있다.
상기 실란 층(SL) 위에 포토 레지스트 마스크(PR1, PR2)를 형성한다. 상기 포토 레지스트 마스크(PR1, PR2)는 상기 박막 트랜지스터(TFT)중첩한다.
상기 실란 층(SL)을 건조한다. 상기 실란 층(SL)은 건조되어 평탄화 층(130)을 형성한다.
상기 제1 기판(100)은 상온에서 건조되거나, 오븐에서 가열하여 건조될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 기판(100)은 50℃ 내지 200℃의 온도에서 건조될 수 있다.
상기 실란 층(SL) 상에 상기 포토 레지스트 마스크(PR1, PR2)가 도포된 영역은 건조되는 속도가 느리다. 따라서, 상기 실란 층(SL) 상에 상기 포토 레지스트 마스크(PR1, PR2)가 도포되지 않은 영역은 건조되어, 상기 평탄화 층(130)의 상부면에 돌출되어 제1 컬럼 스페이서(CS1)를 형성한다.
상기 실란 층(SL)을 건조하여, 상기 평탄화 층(130) 및 상기 제1 컬럼 스페이서(CS1)을 동시에 형성할 수 있다. 따라서, 상기 평탄화 층(130) 및 상기 제1 컬럼 스페이서(CS1)는 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 컬럼 스페이서(CS1)는 상기 포토 레지스트 마스크(PR1, PR2)의 하부에 형성될 수 있다. 상기 제1 컬럼 스페이서(CS1)는 상기 박막 트랜지스터(TFT) 상에 형성될 수 있다.
상기 제1 기판(100)을 현상하여 상기 포토 레지스트 마스크(PR1, PR2)를 제거하여, 상기 제1 컬럼 스페이서(CS1)를 형성한다.
도 3 및 도 5를 참조하면, 상기 제2 기판(200) 상에 블랙 컬럼 스페이서를 형성한다.
상기 제2 기판(200) 상에 블랙 포토 레지스트를 도포한다.
상기 블랙 포토 레지스트는 감광성 유기 물질, 착색제 및개시제를 포함하는 블랙 물질일 수 있다. 상기 감광성 유기 물질은 특정 파장의 광에 노광되었을 때 중합 반응 또는 분해 반응이 일어나는 물질이다. 상기 블랙 물질은, 예를 들어, 카본 블랙, 유/무기 안료, 또는 유색 혼합 안료 등의 착색제를 포함함으로써 블랙을 나타낼 수 있다.
상기 블랙 포토 레지스트는 서로 다른 최대 에너지 흡수 파장을 갖는 2 이상의 개시제를 포함할 수 있다.
상기 블랙 포토 레지스트는 제1 개시제 및 제2 개시제를 포함할 수 있다.
상기 제1 개시제는 상기 제1 광에 반응하도록, 상기 제1 광의 파장에 대응하는 최대 에너지 흡수 파장을 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 개시제는 300nm 내지600nm의 최대 에너지 흡수 파장을 가질 수 있다. 상기 제1 개시제는, 예를 들어, 티타노센(Titanocene)계 개시제 또는 아세토페논(acetophenone)계 개시제일 수 있다.
상기 제2 개시제는 상기 제2 광에 반응하도록, 상기 제2 광의 파장에 대응하는 최대 에너지 흡수 파장을 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 제2 개시제는 200nm 내지 300nm의 최대 에너지 흡수 파장을 가질 수 있다. 상기 제2 개시제는, 예를 들어, 에스테르계 개시제, 옥심-에스테르계 개시세, 이미다졸계 개시제 또는 머캡탄계 개시제일 수 있다.
상기 블랙 포토 레지스트는 네거티브형 포토 레지스트일 수 있다.
상기 블랙 포토 레지스트에 상기 제1 광을 노광한 후, 현상한다. 상기 블랙 포토 레지스트 상부에 제2 컬럼 스페이서(CS2)가 형성되는 영역에 투과 영역을 가지는 마스크를 배치한다. 상기 제1 광을 노광하여, 상기 노광된 부분의 상기 블랙 포토 레지스트를 중합 반응을 일으켜, 경화시킨다.상기 블랙 포토 레지스트는 네거티브형 포토 레지스트이므로, 노광되지 않은 부분은 현상하여 제거된다.
상기 블랙 포토 레지스트에 상기 제2 광을 노광한다. 상기 제2 광은 상기 제1 광의 광량보다 작다. 상기 제2 컬럼 스페이서(CS2)의 측면 및 상기 블랙 매트릭스(BM)의 각은 테이퍼 각이며, 제2 광의 노광 량에 따라 상기 테이퍼 각을 조절할 수 있다.
상기 블랙 포토 레지스트를 가열 건조하여, 상기 블랙 컬럼 스페이서를 형성한다. 상기 블랙 포토 레지스트가 제2 광을 노광하지 않고 가열 건조하는 경우, 상기 블랙 포토 레지스트가 가열에 의하여 리플로우(reflow)가 발생한다. 따라서, 상기 블랙 포토 레지스트가 흘러내려, 상기 제2 컬럼 스페이서(CS2)의 상기 블랙 매트릭스(BM)와의 경계가 명확하지 않으며, 이중 단차를 가지기 어렵다.
이와 달리, 이중 단차를 가지는 블랙 컬럼 스페이서는 컬러 필터(CF) 상에 블랙 포토 레지스트를 도포한 후에 별도의 마스크를 이용하여 한번의 노광 후, 현상 및 경화를 거쳐 형성될 수 있다. 이 경우 상기 마스크는 광이 그대로 투과하는 제1 영역, 노광기에서 발생한 여러 파장대의 광 중 특정 파장대의 광을 통과시키고 나머지 파장대의 광은 차단하는 차광 필터부 및 모든 광을 차단하는 차단부를 포함할 수 있다.
이상에서는 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 통상의 기술자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예들에 따른 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 제조 방법은 다양한 형태의 액정 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 등에 적용될 수 있다.
100: 제1 기판 110: 게이트 절연층
120: 데이터 절연층 130: 평탄화 코팅층
200: 제2 기판 210: 오버 코팅층
300: 액정층 CS1, CS2: 컬럼 스페이서

Claims (20)

  1. 제1 기판;
    상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판;
    상기 제1 기판 상에 배치되는 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터 상에 배치되는 컬러 필터;
    상기 컬러 필터 상에 배치되는 화소 전극;
    상기 컬러 필터 및 상기 화소 전극을 커버하며, 실란계 하이브리드 수지를 포함하는 평탄화 층;
    상기 평탄화 층의 상부면에 돌출되어 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이의 셀갭을 유지하며, 상기 박막 트랜지스터 상에 배치되며, 상기 평탄화 층과 동일한 물질을 포함하는 제1 컬럼 스페이서; 및
    상기 제2 기판 상에 배치되는 블랙 매트릭스 및 상기 블랙 매트릭스 상에 배치되는 제2 컬럼 스페이서를 포함하는 블랙 컬럼 스페이서를 포함하고,
    상기 제1 컬럼 스페이서는 상기 제2 컬럼 스페이서와 마주하도록 배치되는 메인 컬럼 스페이서 및 상기 메인 컬럼 스페이서에 인접하여 상기 블랙 매트릭스와 마주하도록 배치되는 서브 컬럼 스페이서를 포함하는 액정 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 평탄화 층의 두께는 0.5㎛ 내지 2.0㎛인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 컬럼 스페이서의 높이는 0.5㎛ 내지 3.0㎛인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스 및 상기 제2 컬럼 스페이서는 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 액정 표시 장치.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서, 상기 메인 컬럼 스페이서 및 상기 서브 컬럼 스페이서의 높이는 동일한 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 메인 컬럼 스페이서 및 상기 서브 컬럼 스페이서의 간격은 2.0㎛ 내지 3.0㎛인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제2 컬럼 스페이서의 높이는 0.5㎛ 내지 2.0㎛인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 블랙 컬럼 스페이서 상에 배치된 오버 코팅층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되는 액정층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  13. 제1 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 박막 트랜지스터 상에 컬러 필터 포토 레지스트를 도포하여 컬러 필터를 형성하는 단계;
    상기 컬러 필터 상에 화소 전극을 형성하는 단계;
    상기 컬러 필터 및 상기 화소 전극 상에 실란계 하이브리드 수지를 도포하여, 실란 층을 형성하는 단계;
    상기 실란 층 위에, 상기 박막 트랜지스터와 중첩하는 포토 레지스트 마스크를 형성하는 단계;
    상기 실란 층을 건조하여, 상기 컬러 필터 및상기 화소 전극을 커버하는 평탄화 층 및 상기 평탄화 층의 상부면에 돌출되어 상기 박막 트랜지스터 상에 형성되며, 상기 평탄화 층과 동일한 물질을 포함하는 제1 컬럼 스페이서를 동시에 형성하는 단계; 및
    제2 기판 상에 블랙 매트릭스 및 상기 블랙 매트릭스 상에 배치되는 제2 컬럼 스페이서를 포함하는 블랙 컬럼 스페이서를 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 컬럼 스페이서는 상기 제2 컬럼 스페이서와 마주하도록 배치되는 메인 컬럼 스페이서 및 상기 메인 컬럼 스페이서에 인접하여 상기 블랙 매트릭스와 마주하도록 배치되는 서브 컬럼 스페이서를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 실란계 하이브리드 수지는 3-메타크릴옥시프로필디클로로실란, 3-메타크릴옥시프로필트리클로로실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, (메타크릴옥시메틸)메틸디메톡시실란, (메타크릴옥시메틸)트리메톡시실란, (메타크릴옥시메틸)메틸디에톡시실란, 메타크릴옥시메틸트리에톡시실란, 메타크릴옥시프로필트리이소프로폭시실란, 3-아크릴옥시프로필디클로로실란, 3-아크릴옥시프로필트리클로로실란, 3-아크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란으로 이루어진 그룹에서 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 제13항에 있어서, 상기 블랙 컬럼 스페이서를 형성하는 단계는,
    상기 제2 기판 상에 블랙 포토 레지스트를 도포하는 단계;
    상기 블랙 포토 레지스트에 제1 광을 노광한 후현상하는 단계;
    상기 블랙 포토 레지스트에 상기 제1 광의 광량보다 작은 제2 광을 노광하는 단계; 및
    상기 블랙 포토 레지스트를 가열 건조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 블랙 포토 레지스트는 네거티브형 포토 레지스트인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제17항에 있어서, 상기 블랙 포토 레지스트는 서로 다른 최대 에너지 흡수 파장을 갖는 2 이상의 개시제를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 블랙 포토 레지스트는,
    상기 제1 광에 반응하도록, 상기 제1 광의 파장에 대응하는 최대 에너지 흡수 파장을 갖는 제1 개시제; 및
    상기 제2 광에 반응하도록, 상기 제2 광의 파장에 대응하는 최대 에너지 흡수 파장을 갖는 제2 개시제를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
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