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KR102022867B1 - Ｎｆｃ 회로 및 이의 동작 방법 - Google Patents

Ｎｆｃ 회로 및 이의 동작 방법 Download PDF

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KR102022867B1
KR102022867B1 KR1020120086416A KR20120086416A KR102022867B1 KR 102022867 B1 KR102022867 B1 KR 102022867B1 KR 1020120086416 A KR1020120086416 A KR 1020120086416A KR 20120086416 A KR20120086416 A KR 20120086416A KR 102022867 B1 KR102022867 B1 KR 102022867B1
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South Korea
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circuit
nfc
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response
antenna
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노형환
송일종
윤철수
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삼성전자 주식회사
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Abstract

NFC(near field communication) 회로와 이의 동작 방법이 개시된다. 상기 NFC 회로는 안테나를 통하여 외부와 통신하는 NFC 리더 회로, 상기 NFC 리더 회로와 상기 안테나 사이에 접속된 공진 및 매칭 회로, 상기 공진 및 매칭 회로와 상기 안테나 사이의 노드들 사이에 접속되고, 상기 안테나를 통하여 상기 외부와 통신하는 NFC 카드 회로, 및 상기 NFC 리더 회로가 인에이블(enable)될 때 복수의 제어 신호들을 출력하는 프로세서를 포함하며, 상기 NFC 카드 회로는 상기 복수의 제어 신호들에 응답하여 상기 안테나의 공진 주파수를 조절할 수 있다.

Description

ＮＦＣ 회로 및 이의 동작 방법{NEAR FIELD COMMUNICATION CIRCUIT AND OPERATING METHOD OF THE SAME}
본 발명의 개념에 따른 실시 예는 NFC(near field communication)에 관한 것으로, 특히 NFC 리더 회로와 NFC 카드 회로를 동시에 포함하는 NFC 회로 및 이의 동작 방법에 관한 것이다.
NFC(near field communication)는 RFID(radio frequency identification) 기술 중 하나로서, 일반적으로 13.56㎒의 주파수 대역을 사용하는 비접촉식 통신 기술이다. 상기 NFC는 구현 비용이 저렴하고, 통신 거리가 짧기 때문에 상대적으로 우수한 보안성을 갖는다.
오늘날의 일반적인 NFC 회로는 NFC 리더 회로와 NFC 카드 회로를 함께 포함한다. 상기 NFC 리더 회로는 NFC 리더로서 외부와 통신하기 위한 회로이고, 상기 NFC 카드 회로는 NFC 카드(또는 태그)로서 외부와 통신하기 위한 회로이다.
상기 일반적인 NFC 회로가 상기 NFC 리더로서 동작할 때, 즉, 상기 NFC 리더 회로는 인에이블(enable)되고 상기 NFC 카드 회로는 디스에이블(disable)될 때 상기 NFC 리더 회로로부터 출력된 누설 전류가 상기 NFC 카드 회로로 인가(apply)될 수 있다. 상기 누설 전류는 상기 NFC 카드 회로에 손상을 입힐 수 있다.
또한, 상기 일반적인 NFC 회로에서는 데이터를 전송할 때의 공진 주파수가 데이터를 수신할 때의 공진 주파수가 동일하다. 이때, 외부, 예컨대, 다른 NFC 회로와의 결합 계수(coupling factor)가 크면, 안테나의 임피던스가 감소하여 통신 효율이 감소할 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적인 과제는 NFC(near field communication) 카드 회로에 포함된 부하 변조 회로를 이용해 NFC 회로의 공진 주파수를 조절할 수 있는 NFC 회로 및 이의 동작 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 NFC(near field communication) 회로는 안테나를 통하여 외부와 통신하는 NFC 리더 회로, 상기 NFC 리더 회로와 상기 안테나의 노드들 사이에 접속된 공진 및 매칭 회로, 상기 노드들에 접속되고, 상기 안테나를 통하여 상기 외부와 통신하는 NFC 카드 회로, 및 상기 NFC 리더 회로가 인에이블(enable)될 때 복수의 제어 신호들을 출력하는 프로세서를 포함하며, 상기 NFC 카드 회로는 상기 복수의 제어 신호들에 응답하여 상기 안테나의 공진 주파수를 조절한다.
상기 NFC 카드 회로는 상기 안테나를 통해 수신된 수신 신호를 정류하고, 정류된 수신 신호를 복조하는 신호 처리 회로, 및 상기 NFC 리더 회로가 인에이블(enable)될 때 상기 복수의 제어 신호들에 응답하여 저항 값을 조절하는 부하 변조 회로를 포함할 수 있다.
상기 복수의 제어 신호들에 응답하여, 상기 부하 변조 회로는 상기 NFC 리더 회로가 상기 외부로 전송 데이터를 전송할 때 상기 신호 처리 회로와 상기 노드들사이의 접속을 차단하고, 상기 NFC 리더 회로가 상기 외부로부터 수신 데이터를 수신할 때 상기 신호 처리 회로와 상기 노드들을 접속할 수 있다.
상기 부하 변조 회로는 각각이 상기 복수의 제어 신호들에 응답하여 저항 값을 조절하는 복수의 저항 조절 회로들을 포함할 수 있다.
상기 복수의 저항 조절 회로들 각각은 상기 노드들 중에서 대응되는 노드와 접지 사이에서 서로 병렬로 접속되고, 각각이 상기 복수의 제어 신호들 중에서 대응되는 제어 신호에 응답하여 스위칭되는 복수의 저항 회로들을 포함할 수 있다.
상기 복수의 저항 회로들은 상기 복수의 제어 신호들 중의 어느 하나에 응답하여 스위칭되는 제1저항 회로, 및 각각이 저항을 포함하고, 상기 복수의 제어 신호들 중의 나머지에 응답하여 스위칭되는 복수의 제2저항 회로들을 포함할 수 있다.
상기 NFC 카드 회로, 상기 NFC 리더 회로, 및 상기 프로세서는 하나의 칩(chip)에 구현될 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 전자 장치는 상기 NFC 회로, 및 상기 NFC 회로의 동작을 제어하는 CPU(central processing unit)를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 NFC 회로의 동작 방법은 상기 NFC 리더 회로가 인에이블(enable)되는 동안, 복수의 제어 신호들을 생성하는 단계, 및 상기 복수의 제어 신호들에 응답하여 안테나의 공진 주파수를 조절하는 단계를 포함한다.
상기 공진 주파수를 조절하는 단계는 상기 복수의 제어 신호들에 응답하여, 상기 NFC 리더 회로가 전송 데이터를 외부로 전송할 때의 상기 공진 주파수와 상기 NFC 리더 회로가 상기 외부로부터 수신 데이터를 수신할 때의 상기 공진 주파수를 서로 다르게 조절하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 공진 주파수를 조절하는 단계는 상기 복수의 제어 신호들에 응답하여, 상기 NFC 리더 회로가 전송 데이터를 전송할 때 상기 안테나와 상기 NFC 카드 회로 사이의 접속을 차단하고, 상기 NFC 리더 회로가 수신 데이터를 수신할 때 상기 안테나와 상기 NFC 카드 회로를 접속하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 공진 주파수를 조절하는 단계는 상기 복수의 제어 신호들에 응답하여, 상기 NFC 카드 회로의 저항 값을 조절하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 NFC 회로 및 이의 동작 방법은 NFC(near field communication) 카드 회로에 포함된 부하 변조 회로를 이용해 NFC 회로의 공진 주파수를 조절할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 NFC 회로 및 이의 동작 방법은 NFC 리더 회로로부터 출력된 누설 전류를 NFC 카드 회로에 포함된 부하 변조 회로를 이용해 차단함으로써 NFC 카드 회로를 보호할 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 상세한 설명에서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 각 도면의 상세한 설명이 제공된다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 NFC(near field communication) 회로의 개략적인 블럭도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 부하 변조 회로의 회로도의 일 실시 예를 나타낸다.
도 3은 도 1에 도시된 부하 변조 회로의 회로도의 다른 실시 예를 나타낸다.
도 4는 도 1에 도시된 NFC 회로를 포함하는 전자 장치의 개략적인 블럭도를 나타낸다.
도 5는 도 1에 도시된 NFC 회로를 포함하는 전자 시스템 및 인터페이스의 개략적인 블럭도를 나타낸다.
도 6은 도 1에 도시된 NFC 회로의 동작 방법을 설명하기 위한 플로우차트(flowchart)를 나타낸다.
본 명세서에 개시되어 있는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들에 대해서 특정한 구조적 또는 기능적 설명은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로서, 본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 형태들로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시 예들에 한정되지 않는다.
본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 변경들을 가할 수 있고 여러 가지 형태들을 가질 수 있으므로 실시 예들을 도면에 예시하고 본 명세서에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 특정한 개시 형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.
제1 또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 벗어나지 않은 채, 제1구성 요소는 제2구성 요소로 명명될 수 있고 유사하게 제2구성 요소는 제1구성 요소로도 명명될 수 있다.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 본 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 나타낸다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 본 명세서에 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 NFC(near field communication) 회로의 개략적인 블럭도를 나타낸다.
도 1을 참조하면, NFC 회로(10)는 안테나(100), 공진 및 매칭 회로(200), NFC 리더 회로(300), NFC 카드 회로(400), 및 프로세서(500)를 포함할 수 있다.
안테나(100)는 외부로부터 수신된 무선 신호를 전기적인 신호로 변환하고, 변환된 전기적인 신호를 NFC 리더 회로(300) 또는 NFC 카드 회로(400)로 출력할 수 있다. 안테나(100)는 NFC 리더 회로(300) 또는 NFC 카드 회로(400)로부터 출력된 전기적인 신호를 무선 신호로 변환하여 외부로 출력할 수 있다.
공진 및 매칭 회로(200)는 안테나(100)의 공진 주파수를 조절하고 NFC 리더 회로(300) 쪽의 임피던스(impedance)와 안테나(100) 쪽의 임피던스를 매칭(matching)하여 NFC 회로(10)의 통신 효율을 증가시킬 수 있다.
공진 및 매칭 회로(200)는 공진 회로(210)와 매칭 회로(230)를 포함할 수 있다. 공진 회로(210)는 안테나(100)의 공진 주파수를 조절할 수 있다. 예컨대, 공진 회로(210)는 커패시터를 포함할 수 있다. 매칭 회로(230)는 NFC 리더 회로(300) 쪽의 임피던스(impedance)와 안테나(100) 쪽의 임피던스를 매칭할 수 있다.
NFC 리더 회로(300)는 프로세서(500)로부터 리더 인에이블 신호(RES)를 수신하는 동안 안테나(100)를 통해 NFC 리더로서 외부, 예컨대, 외부의 NFC 리더 또는 NFC 태그와 통신할 수 있다. NFC 리더 회로(300)는 NFC 전송기(310)와 NFC 수신기(330)를 포함할 수 있다.
NFC 전송기(310)는 프로세서(500)로부터 출력된 전송 데이터(TDATA1)를 변조하고, 변조된 전송 데이터(TDATA1)를 안테나(100)를 통해 무선 신호로서 출력할 수 있다. NFC 수신기(330)는 안테나(100)를 통해 수신된 무선 신호를 복조하고, 복조된 무선 신호를 수신 데이터(RDATA1)로서 신호 처리 회로(500)로 출력할 수 있다.
NFC 카드 회로(400)는 안테나(100)의 노드들에 접속될 수 있다. 상기 노드들과 NFC 카드 회로(400) 사이에는 커패시터들(C)이 구비될 수 있다.
NFC 카드 회로(400)는 프로세서(500)로부터 카드 인에이블 신호(CES)를 수신하는 동안 안테나(100)를 통해 NFC 카드, 즉, NFC 태그로서 외부, 예컨대, 외부의 NFC 리더와 통신할 수 있다.
NFC 카드 회로(400)는 NFC 리더 회로(300)가 인에이블되는 동안 프로세서(500)로부터 출력된 복수의 제어 신호들(CTRL)에 응답하여 NFC 회로(10)의 공진 주파수, 즉, 안테나(100)의 공진 주파수를 조절할 수 있다.
NFC 카드 회로(400)는 복수의 제어 신호들(CTRL)에 응답하여 라인들(L1 및 L2)와 신호 처리 회로(430)을 연결하거나 차단함으로써 안테나(100)의 공진 주파수를 조절할 수 있다. 예컨대, NFC 카드 회로(400)는 복수의 제어 신호들(CTRL)에 응답하여 저항 값을 조절함으로써 안테나(100)의 공진 주파수를 조절할 수 있다.
NFC 카드 회로(400)는 부하 변조 회로(410)와 신호 처리 회로(430)를 포함할 수 있다.
부하 변조 회로(410)는 NFC 카드 회로(400)가 인에이블되는 동안 프로세서(500)로부터 출력된 복수의 제어 신호들(CTRL)에 응답하여 안테나(100)를 통해 외부로 전송될 데이터를 변조할 수 있다.
부하 변조 회로(410)는 NFC 리더 회로(300)가 인에이블되는 동안 프로세서(500)로부터 출력된 복수의 제어 신호들(CTRL)에 응답하여 저항 값을 조절함으로써 안테나(100)의 공진 주파수를 조절할 수 있다.
부하 변조 회로(410)의 저항 값이 조절됨에 따라 NFC 카드 회로(400)가 인에이블되는 동안의 안테나(100)의 공진 주파수와 NFC 리더 회로(300)가 인에이블되는 동안의 안테나(100)의 공진 주파수는 서로 다르게 조절할 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 부하 변조 회로의 회로도의 일 실시 예를 나타낸다. 도 1과 도 2를 참조하면, 부하 변조 회로(510A)는 제1저항 조절 회로(511A)와 제2저항 조절 회로(515A)를 포함할 수 있다.
제1저항 조절 회로(511A)는 라인(L1)과 연결될 수 있다. 제1저항 조절 회로(511A)는 프로세서(500)로부터 출력된 복수의 제어 신호들(CTRL)에 응답하여 저항 값을 조절할 수 있다.
제1저항 조절 회로(511A)는 라인(L1)과 접지 사이에 서로 병렬로 연결된 복수의 저항 회로들, 예컨대 복수의 제2저항 회로들(513-1~513-n)을 포함할 수 있다. 복수의 제2저항 회로들(513-1~513-n) 각각은 프로세서(500)로부터 출력된 복수의 제어 신호들(CTRL) 중에서 대응되는 제어 신호에 응답하여 스위칭될 수 있다.
복수의 제2저항 회로들(513-1~513-n) 각각은 라인(L1)과 접지 사이에 직렬로 접속된 저항(R1-1~Rn-1)과 스위치(SW1-1~SWn-1)를 포함할 수 있다. 스위치(SW1-1~SWn-1)는 프로세서(500)로부터 출력된 복수의 제어 신호들(CTRL) 중에서 대응되는 제어 신호에 응답하여 스위칭될 수 있다.
제2저항 회로(513-1)는 라인(L1)과 접지 사이에 직렬로 접속된 저항(R1-1)과 스위치(SW1-1)를 포함할 수 있다. 스위치(SW1-1)는 프로세서(500)로부터 출력된 복수의 제어 신호들(CTRL) 중에서 대응되는 제어 신호(CTRL1)에 응답하여 스위칭될 수 있다.
제2저항 회로(513-2)는 라인(L1)과 접지 사이에 직렬로 접속된 저항(R2-1)과 스위치(SW2-1)를 포함할 수 있다. 스위치(SW2-1)는 프로세서(500)로부터 출력된 복수의 제어 신호들(CTRL) 중에서 대응되는 제어 신호(CTRL2)에 응답하여 스위칭될 수 있다.
제2저항 회로(513-n)는 라인(L1)과 접지 사이에 직렬로 접속된 저항(Rn-1)과 스위치(SWn-1)를 포함할 수 있다. 스위치(SWn-1)는 프로세서(500)로부터 출력된 복수의 제어 신호들(CTRL) 중에서 대응되는 제어 신호(CTRLn)에 응답하여 스위칭될 수 있다.
실시 예에 따라, 복수의 제2저항 회로들(513-1~513-n) 각각에 포함된 저항들(R1-1~Rn-1)은 서로 동일할 수 있다. 다른 실시 예에 따라, 복수의 제2저항 회로들(513-1~513-n) 각각에 포함된 저항들(R1-1~Rn-1)은 서로 다른 값으로 웨이티드(weighted)될 수 있다.
제2저항 조절 회로(515A)는 라인(L2)과 연결될 수 있다. 제2저항 조절 회로(515A)는 프로세서(500)로부터 출력된 복수의 제어 신호들(CTRL)에 응답하여 저항 값을 조절할 수 있다.
제2저항 조절 회로(515A)는 라인(L2)과 접지 사이에 서로 병렬로 연결된 복수의 저항 회로들, 예컨대 복수의 제2저항 회로들(517-1~517-n)을 포함할 수 있다. 복수의 제2저항 회로들(517-1~517-n) 각각은 프로세서(500)로부터 출력된 복수의 제어 신호들(CTRL) 중에서 대응되는 제어 신호에 응답하여 스위칭될 수 있다.
복수의 제2저항 회로들(517-1~517-n) 각각은 라인(L2)과 접지 사이에 직렬로 접속된 저항(R1-1~Rn-1)과 스위치(SW1-1~SWn-1)를 포함할 수 있다. 스위치(SW1-1~SWn-1)는 프로세서(500)로부터 출력된 복수의 제어 신호들(CTRL) 중에서 대응되는 제어 신호에 응답하여 스위칭될 수 있다.
제2저항 회로(517-1)는 라인(L2)과 접지 사이에 직렬로 접속된 저항(R1-1)과 스위치(SW1-1)를 포함할 수 있다. 스위치(SW1-1)는 프로세서(500)로부터 출력된 복수의 제어 신호들(CTRL) 중에서 대응되는 제어 신호(CTRL1)에 응답하여 스위칭될 수 있다.
제2저항 회로(517-2)는 라인(L2)과 접지 사이에 직렬로 접속된 저항(R2-1)과 스위치(SW2-1)를 포함할 수 있다. 스위치(SW2-1)는 프로세서(500)로부터 출력된 복수의 제어 신호들(CTRL) 중에서 대응되는 제어 신호(CTRL2)에 응답하여 스위칭될 수 있다.
제2저항 회로(517-n)는 라인(L1)과 접지 사이에 직렬로 접속된 저항(Rn-1)과 스위치(SWn-1)를 포함할 수 있다. 스위치(SWn-1)는 프로세서(500)로부터 출력된 복수의 제어 신호들(CTRL) 중에서 대응되는 제어 신호(CTRLn)에 응답하여 스위칭될 수 있다.
제1저항 조절 회로(511A)의 복수의 제2저항 회로들(513-1~513-n)에 포함된 저항들(R1-1~Rn-1)과 제2저항 조절 회로(515A)의 복수의 제2저항 회로들(513-1~513-n)에 포함된 저항들(R1-1~Rn-1)은 서로 동일할 수 있다. 예컨대, 제1저항 조절 회로(511A)의 저항(R1-1)과 제2저항 조절 회로(515A)의 저항(R1-1)은 서로 동일할 수 있다.
제1저항 조절 회로(511A)의 복수의 제2저항 회로들(513-1~513-n)에 포함된 스위치들(SW1-1~SWn-1)과 제2저항 조절 회로(515A)의 제2저항 회로들(513-1~513-n)에 포함된 스위치들(SW1-1~SWn-1)은 서로 동일한 제어 신호에 응답하여 스위칭될 수 있다. 예컨대, 제1저항 조절 회로(511A)의 스위치(SW1-1)와 제2저항 조절 회로(515A)의 스위치(SW1-1)는 동일한 제어 신호(CTRL1)에 응답하여 스위칭될 수 있다.
도 3은 도 1에 도시된 부하 변조 회로의 회로도의 다른 실시 예를 나타낸다.
도 1과 도 3을 참조하면, 부하 변조 회로(510B)는 제1저항 조절 회로(511B)와 제2저항 조절 회로(515B)를 포함할 수 있다.
제1저항 조절 회로(511B)는 라인(L1)과 연결될 수 있다. 제1저항 조절 회로(511B)는 프로세서(500)로부터 출력된 복수의 제어 신호들(CTRL)에 응답하여 저항 값을 조절할 수 있다.
제1저항 조절 회로(511B)는 라인(L1)과 접지 사이에 서로 병렬로 연결된 복수의 저항 회로들, 예컨대, 제1저항 회로(512)와 복수의 제2저항 회로들(513-1~513-n)을 포함할 수 있다.
제1저항 회로(512)와 복수의 제2저항 회로들(513-1~513-n) 각각은 프로세서(500)로부터 출력된 복수의 제어 신호들(CTRL) 중에서 대응되는 제어 신호에 응답하여 스위칭될 수 있다.
제1저항 회로(512)는 라인(L1)과 접지 사이에 접속된 스위치(SW0-1)를 포함할 수 있다. 스위치(SW0-1)는 프로세서(500)로부터 출력된 복수의 제어 신호들(CTRL) 중에서 대응되는 제어 신호(CTRL0)에 응답하여 스위칭될 수 있다.
도 3에 도시된 제2저항 회로들(513-1~513-n)의 구조 및 동작과 도 2에 도시된 제2저항 회로들(513-1~513-n)의 구조 및 동작은 서로 동일하므로, 동일한 부분의 설명은 생략한다.
제2저항 조절 회로(515B)는 라인(L2)과 연결될 수 있다. 제2저항 조절 회로(515B)는 프로세서(500)로부터 출력된 복수의 제어 신호들(CTRL)에 응답하여 저항 값을 조절할 수 있다.
제2저항 조절 회로(515B)는 라인(L2)과 접지 사이에 서로 병렬로 연결된 복수의 저항 회로들, 예컨대, 제1저항 회로(512)와 복수의 제2저항 회로들(513-1~513-n)을 포함할 수 있다.
제1저항 회로(516)와 복수의 제2저항 회로들(517-1~517-n) 각각은 프로세서(500)로부터 출력된 복수의 제어 신호들(CTRL) 중에서 대응되는 제어 신호에 응답하여 스위칭될 수 있다.
제1저항 회로(516)는 라인(L1)과 접지 사이에 접속된 스위치(SW0-1)를 포함할 수 있다. 스위치(SW0-1)는 프로세서(500)로부터 출력된 복수의 제어 신호들(CTRL) 중에서 대응되는 제어 신호(CTRL0)에 응답하여 스위칭될 수 있다.
도 3에 도시된 제2저항 회로들(517-1~517-n)의 구조 및 동작과 도 2에 도시된 제2저항 회로들(517-1~517-n)의 구조 및 동작은 서로 동일하므로, 동일한 부분의 설명은 생략한다.
신호 처리 회로(430)는 안테나(100)를 통해 수신된 수신 신호를 정류하고, 정류된 수신 신호를 복조할 수 있다. 신호 처리 회로(430)는 레귤레이터(미도시), 복조기(demodulator; 미도시)를 포함할 수 있다.
상기 레귤레이터는 안테나(100)를 통해 수신된 수신 신호를 정류할 수 있다. 실시 예에 따라, 상기 레귤레이터는 브리지 회로(bridge circuit)를 포함할 수 있다.
상기 복조기는 상기 정류된 수신 신호를 복조하고 복조된 수신 신호를 수신 데이터(RDATA2)로서 프로세서(500)로 출력할 수 있다.
프로세서(500)는 NFC 리더 회로(300) 또는 NFC 카드 회로(400)를 통해 외부의 NFC 장치, 예컨대, NFC 리더 또는 NFC 태그와 통신할 수 있다. 프로세서(500)는 NFC 리더 회로(300) 또는 NFC 카드 회로(400)로부터 수신된 수신 데이터(RDATA1 또는 RDATA2)를 호스트(미도시)로 출력할 수 있다. 프로세서(500)는 상기 호스트로부터 수신된 전송 데이터(TDATA1)를 NFC 리더 회로(300)로 출력하거나 전송 데이터(TDATA1)에 대응되는 복수의 제어 신호들(CTRL)을 상기 NFC 카드 회로로 출력할 수 있다.
프로세서(500)는 NFC 리더 회로(300)와 NFC 카드 회로(400)를 제어할 수 있다. 실시 예에 따라, 프로세서(500)는 리더 인에이블 신호(RES)를 NFC 리더 회로(300)로 출력하여 NFC 리더 회로(300)가 동작하도록 제어할 수 있다. 또한, 프로세서(500)는 카드 인에이블 신호(CES)를 NFC 리더 회로(300)로 출력하여 NFC 카드 회로(400)가 동작하도록 제어할 수 있다.
프로세서(500)는 리더 인에이블 신호(RES)와 카드 인에이블 신호(CES)를 선택적으로 출력함으로써 NFC 리더 회로(300)와 NFC 카드 회로(400)가 선택적으로 동작되도록 제어할 수 있다.
프로세서(500)는 NFC 리더 회로(300)가 인에이블되는 동안, 즉, 리더 인에이블 신호(RES)를 출력하고 있는 동안, 복수의 제어 신호들(CTRL)을 NFC 카드 회로(400)로 출력할 수 있다. 이때, NFC 카드 회로(400)는 복수의 제어 신호들(CTRL)에 응답하여 안테나(100)의 공진 주파수를 조절할 수 있다.
구체적으로, 프로세서(500)는 NFC 리더 회로(300)가 전송 데이터(TDATA1)를 외부로 전송하는 동안 부하 변조 회로(410)에 포함된 스위치의 일부 또는 전부를 단락시키도록 복수의 제어 신호들(CTRL)을 출력할 수 있다.
반대로, 프로세서(500)는 NFC 리더 회로(300)가 수신 데이터(RDATA1)를 외부로부터 수신하는 동안 부하 변조 회로(410)에 포함된 스위치의 전부를 개방하도록 복수의 제어 신호들(CTRL)을 출력할 수 있다.
부하 변조 회로(410)에 포함된 스위치들(SW0-1~SWn-1 및 SW0-2~SWn-2)이 모두 개방됐을 때, 안테나(100)의 공진 주파수(f1)는 다음의 수학식 1로 나타낼 수 있다.
[수학식 1]
Figure 112012063147839-pat00001
여기서, Ls는 안테나(100)의 인덕턴스를 나타내고, Cp는 공진 회로(210)의 커패시턴스를 나타내고, Cc는 커패시터(C)의 커패시턴스를 나타내고, Cpar는 NFC 회로(10)의 기생 커패시턴스를 나타낸다.
반면, 부하 변조 회로(410)에 포함된 스위치들(SW0-1 및 SW0-2)이 단락됐을 때, 안테나(100)의 공진 주파수(f2)는 다음의 수학식 2로 나타낼 수 있다.
[수학식 2]
Figure 112012063147839-pat00002
유사하게, 부하 변조 회로(410)에 포함된 스위치들(SW0-1~SWn-1 및 SW0-2~SWn-2) 중의 전부 또는 일부가 단락됐을 때에도 안테나(100)의 공진 주파수는 스위치들(SW0-1~SWn-1 및 SW0-2~SWn-2) 중의 전부가 개방되었을 때의 공진 주파수(f1)과 달라질 수 있다.
또한, 부하 변조 회로(410)에 포함된 스위치들(SW0-1 및 SW0-2)이 단락됐을 때, 라인들(L1 및 L2)로부터 접지로 전류 패스(current path)가 생성될 수 있다. 상기 전류 패스는 NFC 리더 회로(300)가 전송 데이터(TDATA1)를 외부로 전송할 때 발생할 수 있는 누설 전류가 NFC 카드 회로(400), 즉, 신호 처리 회로(430)로 흐르지 못하도록 차단시킬 수 있다.
즉, 부하 변조 회로(410)는 복수의 제어 신호들(CTRL)에 응답하여, 상기 NFC 리더 회로가 데이터를 전송할 때 상기 신호 처리 회로와 상기 노드들을 차단하고 상기 NFC 리더 회로가 데이터를 수신할 때 상기 신호 처리 회로와 상기 노드들의 연결할 수 있다.
도 4는 도 1에 도시된 NFC 회로를 포함하는 전자 장치의 개략적인 블럭도를 나타낸다.
도 4에 도시된 전자 장치(1000)는 NFC 회로(10)를 포함하는 모든 전자 장치를 포함한다. 예컨대, 전자 장치(1000)는 NFC 회로(10)를 포함하는 포터블 컴퓨터(portable computer), 태블릿 컴퓨터(tablet computer), 이동 전화기, 스마트 폰(smart phone), 또는 PDA(personal digital assistant)를 의미할 수 있다.
전자장치(100)는 NFC 회로(10)의 동작을 제어하기 위한 CPU(central processing unit; 20)를 포함할 수 있다.
전자장치(100)는 CPU(central processing unit; 20)의 제어에 따라 NFC 회로(10)로부터 수신된 데이터를 저장할 수 있는 메모리 장치(30)를 포함할 수 있다. 메모리 장치(30)는 불휘발성 메모리 장치로 구현될 수 있다. 상기 불휘발성 메모리 장치는 다수의 불휘발성 메모리 셀들을 포함할 수 있다.
상기 불휘발성 메모리 셀들 각각은 EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory), 플래시 메모리, MRAM(Magnetic RAM), 스핀전달토크 MRAM(Spin-Transfer Torque MRAM), Conductive bridging RAM(CBRAM), FeRAM(Ferroelectric RAM), OUM(Ovonic Unified Memory)라고도 불리는 PRAM(Phase change RAM), 저항 메모리(Resistive RAM: RRAM 또는 ReRAM), 나노튜브 RRAM(Nanotube RRAM), 폴리머 RAM(Polymer RAM: PoRAM), 나노 부유 게이트 메모리(Nano Floating Gate Memory: NFGM), 홀로그래픽 메모리(holographic memory), 분자 전자 메모리 소자(Molecular Electronics Memory Device), 또는 절연 저항 변화 메모리(Insulator Resistance Change Memory)로 구현될 수 있다.
도 5는 도 1에 도시된 NFC 회로를 포함하는 전자 시스템 및 인터페이스의 개략적인 블럭도를 나타낸다.
도 5를 참조하면, 전자 시스템(2000)은 MIPI 인터페이스를 사용 또는 지원할 수 있는 데이터 처리 장치, 예컨대 이동 전화기, PDA, PMP, IPTV 또는 스마트 폰으로 구현될 수 있다.
전자 시스템(2000)은 어플리케이션 프로세서(2010), 이미지 센서(2040), 및 디스플레이(2050)를 포함한다.
어플리케이션 프로세서(2010)에 구현된 CSI 호스트(2012)는 카메라 시리얼 인터페이스(camera serial interface(CSI))를 통하여 이미지 센서(2040)의 CSI 장치(2041)와 시리얼 통신할 수 있다. 이때, 예컨대, 상기 CSI 호스트(2012)에는 광 디시리얼라이저가 구현될 수 있고, CSI 장치(2041)에는 광 시리얼라이저가 구현될 수 있다.
어플리케이션 프로세서(2010)에 구현된 DSI 호스트(2011)는 디스플레이 시리얼 인터페이스(display serial interface(DSI))를 통하여 디스플레이(2050)의 DSI 장치(2051)와 시리얼 통신할 수 있다. 이때, 예컨대, DSI 호스트(2011)에는 광 시리얼라이저가 구현될 수 있고, DSI 장치(2051)에는 광 디시리얼라이저가 구현될 수 있다.
전자 시스템(2000)은 어플리케이션 프로세서(2010)와 통신할 수 있는 NFC 회로(10)를 포함할 수 있다. 전자 시스템(2000)의 PHY(2013)와 NFC 회로(10)는 MIPI DigRF에 따라 데이터를 주고받을 수 있다.
전자 시스템(2000)은 GPS(2020), 스토리지(2070), 마이크(2080), DRAM(2085) 및 스피커(2090)를 더 포함할 수 있으며, 상기 전자 시스템(2000)은 Wimax(2030), WLAN(2100) 및 UWB(2110) 등을 이용하여 통신할 수 있다.
도 6은 도 1에 도시된 NFC 회로의 동작 방법을 설명하기 위한 플로우차트(flowchart)를 나타낸다.
도 1 및 도 6을 참조하면, NFC 리더 회로(300)가 인에이블되는 동안, 프로세서(500)는 NFC 카드 회로(400)로 복수의 제어 신호들(CTRL)을 출력할 수 있다.
NFC 리더 회로(300)가 외부로 전송 데이터를 전송할 때, 프로세서(500)는 NFC 카드 회로(400), 예컨대, NFC 카드 회로(400)의 신호 처리 회로(410)와 라인들(L1 및 L2)을 차단하기 위한 복수의 제어 신호들(CTRL)을 생성할 수 있다(S110).
NFC 카드 회로(400), 예컨대, NFC 카드 회로(400)의 부하 변조 회로(410)는 복수의 제어 신호들(CTRL)에 응답하여 라인들(L1 및 L2)과 접지를 연결함으로써 신호 처리 회로(410)와 라인들(L1 및 L2)을 차단할 수 있다(S120).
NFC 리더 회로(300)가 외부로부터 수신 데이터를 수신할 때, 프로세서(500)는 NFC 카드 회로(400), 예컨대, NFC 카드 회로(400)의 신호 처리 회로(410)와 라인들(L1 및 L2)을 연결하기 위한 복수의 제어 신호들(CTRL)을 생성할 수 있다(S130).
NFC 카드 회로(400), 예컨대, NFC 카드 회로(400)의 부하 변조 회로(410)는 복수의 제어 신호들(CTRL)에 응답하여 라인들(L1 및 L2)과 접지를 차단함으로써 신호 처리 회로(410)와 라인들(L1 및 L2)을 연결할 수 있다(S140).
NFC 리더 회로(300)가 외부로 전송 데이터를 전송할 때 안테나(100)의 공진 주파수(f2)는 상기 수학식 2와 같을 수 있다. NFC 리더 회로(300)가 외부로부터 수신 데이터를 수신할 때 안테나(100)의 공진 주파수(f1)는 상기 수학식 1과 같을 수 있다. 따라서, NFC 리더 회로(300)는 서로 다른 공진 주파수를 이용해 외부와 통신할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
10; NFC(near field communication) 회로 100; 안테나
200; 공진 및 매칭 회로 210; 공진 회로
230; 매칭 회로 300; NFC 리더 회로
310; NFC 전송기 330; NFC 수신기
400; NFC 카드 회로 410; 부하 변조 회로
430; 신호 처리 회로 500; 프로세서

Claims (10)

  1. NFC(near field communication) 회로에 있어서,
    안테나를 통하여 외부와 통신하는 NFC 리더 회로;
    상기 NFC 리더 회로와 상기 안테나의 노드들 사이에 접속된 공진 및 매칭 회로;
    상기 노드들에 접속되고, 상기 안테나를 통하여 상기 외부와 통신하는 NFC 카드 회로; 및
    상기 NFC 리더 회로가 인에이블(enable)될 때 복수의 제어 신호들을 출력하는 프로세서를 포함하며,
    상기 NFC 카드 회로는 상기 복수의 제어 신호들에 응답하여 상기 안테나의 공진 주파수를 조절하되,
    상기 NFC 카드 회로는,
    상기 안테나를 통해 수신된 수신 신호를 정류하고, 정류된 수신 신호를 복조하는 신호 처리 회로, 및
    상기 NFC 리더 회로가 인에이블(enable)될 때 상기 복수의 제어 신호들에 응답하여 저항 값을 조절하는 부하 변조 회로를 포함하는 NFC 회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 제어 신호들에 응답하여, 상기 부하 변조 회로는 상기 NFC 리더 회로가 상기 외부로 전송 데이터를 전송할 때 상기 신호 처리 회로와 상기 노드들사이의 접속을 차단하고, 상기 NFC 리더 회로가 상기 외부로부터 수신 데이터를 수신할 때 상기 신호 처리 회로와 상기 노드들을 접속하는 NFC 회로.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 부하 변조 회로는.
    각각이 상기 복수의 제어 신호들에 응답하여 저항 값을 조절하는 복수의 저항 조절 회로들을 포함하는 NFC 회로.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 저항 조절 회로들 각각은,
    상기 노드들 중에서 대응되는 노드와 접지 사이에서 서로 병렬로 접속되고, 각각이 상기 복수의 제어 신호들 중에서 대응되는 제어 신호에 응답하여 스위칭되는 복수의 저항 회로들을 포함하는 NFC 회로.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 복수의 저항 회로들은,
    상기 복수의 제어 신호들 중의 어느 하나에 응답하여 스위칭되는 제1저항 회로; 및
    각각이 저항을 포함하고, 상기 복수의 제어 신호들 중의 나머지에 응답하여 스위칭되는 복수의 제2저항 회로들을 포함하는 NFC 회로.
  6. NFC(near field communication) 리더 회로와 NFC 카드 회로를 포함하는 NFC 회로의 동작 방법에 있어서,
    상기 NFC 리더 회로가 인에이블(enable)되는 동안, 복수의 제어 신호들을 생성하는 단계; 및
    상기 복수의 제어 신호들에 응답하여 안테나의 공진 주파수를 조절하는 단계를 포함하되,
    상기 공진 주파수를 조절하는 단계는,
    상기 복수의 제어 신호들에 응답하여, 상기 NFC 카드 회로의 저항 값을 조절하는 단계를 포함하는 NFC 회로의 동작 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 공진 주파수를 조절하는 단계는,
    상기 복수의 제어 신호들에 응답하여, 상기 NFC 리더 회로가 전송 데이터를 외부로 전송할 때의 상기 공진 주파수와 상기 NFC 리더 회로가 상기 외부로부터 수신 데이터를 수신할 때의 상기 공진 주파수를 서로 다르게 조절하는 단계를 포함하는 NFC 회로의 동작 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 공진 주파수를 조절하는 단계는,
    상기 복수의 제어 신호들에 응답하여, 상기 NFC 리더 회로가 전송 데이터를 전송할 때 상기 안테나와 상기 NFC 카드 회로 사이의 접속을 차단하고, 상기 NFC 리더 회로가 수신 데이터를 수신할 때 상기 안테나와 상기 NFC 카드 회로를 접속하는 단계를 포함하는 NFC 회로의 동작 방법.
  9. 삭제
  10. 삭제
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10149177B2 (en) 2006-11-18 2018-12-04 Rfmicron, Inc. Wireless sensor including an RF signal circuit
US8594566B2 (en) * 2012-01-06 2013-11-26 Blackberry Limited Mobile wireless communications device with NFC coupling circuit and related methods
KR102099705B1 (ko) * 2014-03-14 2020-04-10 삼성전자주식회사 근거리 무선 통신 장치 및 이를 포함하는 전자 시스템
SK288677B6 (sk) * 2015-06-02 2019-06-04 Logomotion, S.R.O. Spôsob spracovania signálu vysielaného z NFC analógového budiča a zapojenie na jeho vykonávanie
KR102342852B1 (ko) * 2015-06-16 2021-12-23 삼성전자주식회사 무선 통신 모듈, 이를 포함하는 휴대 단말기
TR201910904T4 (tr) * 2015-11-25 2019-08-21 Koninklijke Philips Nv Kablosuz endüktif güç aktarımı.
KR102432496B1 (ko) 2015-12-11 2022-08-12 삼성전자주식회사 반도체 장치
KR102680343B1 (ko) 2016-03-31 2024-07-02 삼성전자주식회사 멀티플 송신기들을 포함하는 집적 회로와 이를 포함하는 nfc 시스템
US9990518B2 (en) * 2016-11-04 2018-06-05 Intermec, Inc. Systems and methods for controlling radio-frequency indentification (RFID) tag communication
US10452968B2 (en) 2017-06-14 2019-10-22 Intermec, Inc. Method to increase RFID tag sensitivity
US10430622B2 (en) 2017-06-29 2019-10-01 Intermec, Inc. RFID tag with reconfigurable properties and/or reconfiguring capability
KR102594118B1 (ko) * 2019-02-22 2023-10-25 삼성전자주식회사 카드를 감지하기 위한 무선 통신 장치
WO2020206372A1 (en) 2019-04-03 2020-10-08 Pb Inc. Temperature sensor patch wirelessly connected to a smart device
TWI746963B (zh) * 2019-04-22 2021-11-21 友達光電股份有限公司 無線通訊介面及其驅動方法
CN113964551B (zh) * 2020-07-21 2025-03-04 Oppo广东移动通信有限公司 天线装置及电子设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070246546A1 (en) * 2006-04-20 2007-10-25 Yuko Yoshida Information Processing Terminal, IC Card, Portable Communication Device, Wireless Communication Method, and Program
US20090184805A1 (en) * 2008-01-22 2009-07-23 Ricoh Company, Ltd. Apparatus, Method, and Computer-Readable Recording Medium for Communication Apparatus
US20090308937A1 (en) * 2008-06-13 2009-12-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Noncontact data communications device
US20110127951A1 (en) * 2009-11-30 2011-06-02 Broadcom Corporation Device with integrated wireless power receiver

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0838780B1 (en) * 1996-05-09 2005-05-04 Citizen Watch Co., Ltd. Storage medium system using contactless memory card
FR2787655B1 (fr) 1998-12-21 2001-03-09 St Microelectronics Sa Modulation capacitive dans un transpondeur electromagnetique
JP4380239B2 (ja) * 2003-06-30 2009-12-09 パナソニック株式会社 非接触ｉｃカード読取／書込装置
JP4403372B2 (ja) * 2003-08-21 2010-01-27 ソニー株式会社 データ通信装置
JP2005071102A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Toshiba Corp 無線通信機器及び無線通信方法
EP1538557B1 (fr) 2003-12-05 2013-02-13 STMicroelectronics S.A. Modulation résistive et capacitive dans un transpondeur électromagnétique
JP4536496B2 (ja) 2003-12-19 2010-09-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
US7132946B2 (en) 2004-04-08 2006-11-07 3M Innovative Properties Company Variable frequency radio frequency identification (RFID) tags
JP4618672B2 (ja) * 2004-09-02 2011-01-26 フェリカネットワークス株式会社 半導体集積回路および無線通信装置
JP4692807B2 (ja) * 2004-12-21 2011-06-01 ソニー株式会社 接触式データ通信装置、送受信装置、および送受信方法
EP1960947B1 (en) 2005-12-07 2010-09-08 Nxp B.V. Circuit arrangement and method for operating a circuit arrangement
TWI315493B (en) 2006-08-03 2009-10-01 Holtek Semiconductor Inc Transponder for rfid
JP4977438B2 (ja) * 2006-10-25 2012-07-18 日本電気株式会社 通信装置及びそれを用いた携帯通信端末
JP5034850B2 (ja) 2007-10-05 2012-09-26 ソニー株式会社 通信システム並びに通信装置
ES2396015T3 (es) * 2008-04-01 2013-02-18 Assa Abloy Ab Método de capacidad conmutada para la detección de un dispositivo transpondedor inalámbrico utilizando una única antena y comunicación sucesiva con el mismo
JP2009290644A (ja) * 2008-05-30 2009-12-10 Sony Corp 応答器、質問器および通信装置
KR101094440B1 (ko) 2008-06-03 2011-12-15 한국전자통신연구원 Ｒｆｉｄ 태그 안테나 및 그의 임피던스 정합 방법
JP4748211B2 (ja) * 2008-12-02 2011-08-17 ソニー株式会社 通信装置、並びに適応等化装置
KR101052115B1 (ko) 2009-06-10 2011-07-26 엘지이노텍 주식회사 이중 공진을 이용한 ｎｆｃ 안테나
US8342415B2 (en) * 2010-03-17 2013-01-01 Inside Secure Method of conducting a transaction using an NFC device
KR101386839B1 (ko) 2010-05-18 2014-04-18 엘에스산전 주식회사 Ｒｆｉｄ 시스템의 송신누설신호 제거장치
JP2012043159A (ja) * 2010-08-18 2012-03-01 Fujitsu Ltd Ｒｆｉｄタグ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070246546A1 (en) * 2006-04-20 2007-10-25 Yuko Yoshida Information Processing Terminal, IC Card, Portable Communication Device, Wireless Communication Method, and Program
US20090184805A1 (en) * 2008-01-22 2009-07-23 Ricoh Company, Ltd. Apparatus, Method, and Computer-Readable Recording Medium for Communication Apparatus
US20090308937A1 (en) * 2008-06-13 2009-12-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Noncontact data communications device
US20110127951A1 (en) * 2009-11-30 2011-06-02 Broadcom Corporation Device with integrated wireless power receiver

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