KR101982603B1 - 불소음이온의 함유량이 저감된 비스(플루오로설포닐)이미드 리튬염(LiFSI)의 제조 방법 (2) - Google Patents
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- -1 bis (fluorosulfonyl) imide lithium salt Chemical class 0.000 title claims abstract description 55
- 229910003002 lithium salt Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 41
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 13
- VDVLPSWVDYJFRW-UHFFFAOYSA-N lithium;bis(fluorosulfonyl)azanide Chemical compound [Li+].FS(=O)(=O)[N-]S(F)(=O)=O VDVLPSWVDYJFRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 6
- 229910010941 LiFSI Inorganic materials 0.000 title description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims abstract description 11
- KTQDYGVEEFGIIL-UHFFFAOYSA-N n-fluorosulfonylsulfamoyl fluoride Chemical compound FS(=O)(=O)NS(F)(=O)=O KTQDYGVEEFGIIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 14
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- GLXDVVHUTZTUQK-UHFFFAOYSA-M lithium;hydroxide;hydrate Chemical compound [Li+].O.[OH-] GLXDVVHUTZTUQK-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- PVMUVDSEICYOMA-UHFFFAOYSA-N n-chlorosulfonylsulfamoyl chloride Chemical compound ClS(=O)(=O)NS(Cl)(=O)=O PVMUVDSEICYOMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 6
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 5
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N Methyl tert-butyl ether Chemical compound COC(C)(C)C BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YNQRWVCLAIUHHI-UHFFFAOYSA-L dilithium;oxalate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C(=O)C([O-])=O YNQRWVCLAIUHHI-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 claims 1
- 229910000032 lithium hydrogen carbonate Inorganic materials 0.000 claims 1
- HQRPHMAXFVUBJX-UHFFFAOYSA-M lithium;hydrogen carbonate Chemical compound [Li+].OC([O-])=O HQRPHMAXFVUBJX-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 9
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 6
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- BHHYHSUAOQUXJK-UHFFFAOYSA-L zinc fluoride Chemical compound F[Zn]F BHHYHSUAOQUXJK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 3
- 229910003473 lithium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide Inorganic materials 0.000 description 3
- 159000000002 lithium salts Chemical class 0.000 description 3
- QSZMZKBZAYQGRS-UHFFFAOYSA-N lithium;bis(trifluoromethylsulfonyl)azanide Chemical compound [Li+].FC(F)(F)S(=O)(=O)[N-]S(=O)(=O)C(F)(F)F QSZMZKBZAYQGRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910013870 LiPF 6 Inorganic materials 0.000 description 2
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N n-Propyl acetate Natural products CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 229940090181 propyl acetate Drugs 0.000 description 2
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 2
- YBBRCQOCSYXUOC-UHFFFAOYSA-N sulfuryl dichloride Chemical group ClS(Cl)(=O)=O YBBRCQOCSYXUOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M Bicarbonate Chemical compound OC([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- PQVSTLUFSYVLTO-UHFFFAOYSA-N ethyl n-ethoxycarbonylcarbamate Chemical compound CCOC(=O)NC(=O)OCC PQVSTLUFSYVLTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003546 flue gas Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229940040692 lithium hydroxide monohydrate Drugs 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000005677 organic carbonates Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
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- C01B21/087—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals containing one or more hydrogen atoms
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01D—COMPOUNDS OF ALKALI METALS, i.e. LITHIUM, SODIUM, POTASSIUM, RUBIDIUM, CAESIUM, OR FRANCIUM
- C01D15/00—Lithium compounds
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Abstract
본 발명은
(a) 비스(클로로술포닐)이미드를 NH4F(HF)n(n=0~10)와 반응시켜서 암모늄 비스(플루오르술포닐)이미드를 제조하는 단계;
(b) 상기 암모늄 비스(플루오르술포닐)이미드를 리튬 염기와 반응시키는 단계;를 포함하며,
상기 (a)단계 및 (b)단계 중의 어느 한 단계 이상에서, 반응 후 반응용액에 테트라알킬오소실리케이트(Tetra alkyl orthosilicate)를 첨가하여 불소음이온을 제거하는 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염의 제조방법을 제공한다.
(a) 비스(클로로술포닐)이미드를 NH4F(HF)n(n=0~10)와 반응시켜서 암모늄 비스(플루오르술포닐)이미드를 제조하는 단계;
(b) 상기 암모늄 비스(플루오르술포닐)이미드를 리튬 염기와 반응시키는 단계;를 포함하며,
상기 (a)단계 및 (b)단계 중의 어느 한 단계 이상에서, 반응 후 반응용액에 테트라알킬오소실리케이트(Tetra alkyl orthosilicate)를 첨가하여 불소음이온을 제거하는 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염의 제조방법을 제공한다.
Description
본 발명은 불소음이온의 함유량이 저감된 비스(플루오로설포닐)이미드 리 튬염(LiFSI)의 제조 방법에 관한 것이다.
모바일 기기의 대중화, 전기자동차의 상용화, 및 전기저장 장치의 수요 증가에 따라 고출력, 고에너지 밀도, 고방전 전압 등의 성능을 갖춘 2차 전지가 개발되고 있다.
리튬-이온 배터리는 적어도 음극, 양극, 분리막 및 전해질을 포함한다. 상기 전해질은 일반적으로 유기 카르보네이트의 혼합물인 용매에 용해된 리튬염으로 구성된다. 가장 널리 사용되는 리튬염으로는 리튬 헥사플루오로포스페이트(LiPF6)를 들 수 있는데, 이 리튬염은 우수한 성능을 갖추고 있지만 플루오르화수소산 기체의 형태로 분해되는 단점을 갖는다.
상기 단점을 극복하기 위하여, LiTFSI(리튬 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드) 및 LiFSI (리튬 비스(플루오로술포닐)이미드) 가 개발되었다. 이러한 염들은 자발적 분해를 약간 나타내거나 나타내지 않고, LiPF6 보다 가수분해에 더 안정하다.
한편, LiTFSI는 알루미늄 집전기(current collector)에 대한 부식을 야기하는 단점을 갖는 것으로 알려진 반면, LiFSI는 상기와 같은 단점도 갖지 않기 때문에 종래의 다른 염들과 비교하여 탁월한 성능으로 주목을 받고 있다.
리튬-이온 2차 전지의 원가구조에서 리튬염의 비중이 높기 때문에 경제적으로 고순도의 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염을를 제조하는 방법에 대한 연구가 활발하게 이루어지고 있다.
종래에 알려진 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염의 제조방법은 다음과 같이 실시된다:
상기 반응식에 나타낸 바와 같이, 상기 제조방법은 (1)단계에서, 비스(클로로술포닐)이미드를 플루오라이드아연(II)(ZnF2)와 반응시켜 비스(플루오르술포닐)이미드 화합물을 제조하는 특징을 갖는다.
그러나 상기 반응은 고가의 플루오라이드아연(II)을 사용해야 하며, 난용성인 아연 성분을 제거해야 하며, 아연 성분이 함유된 폐수가 다량 발생한다는 단점이 있다. 특히, 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염을 전해액에 사용하기 위해서는 아연 금속을 PPM 단위로 조절해야 하는 단점을 갖는다.
또한, 하기와 같이 실시되는 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염의 제조방법도 알려져 있다.
상기 기술은 반응식에 나타난 바와 같이, 출발물질인 비스(클로로술포닐)이미드를 플로오르화 시약인 NH4F(HF)n (n=0~10)와 반응시켜서 중간 생성물로 암모늄비스(플루오르술포닐)이미드염을 제조하는 것을 특징으로 한다.
그러나, 상기 방법은 비스(클로로술포닐)이미드를 플로오르화 시약인 NH4F(HF)n (n=0~10)와 반응시켜 암모늄비스(플루오르술포닐)이미드염을 제조하는 과정에서 불소음이온(F-)이 발생되며, 이것이 제품의 품질을 저하시키는 원인으로 작용하게 되는 단점을 갖는다.
상기와 같은 불소음이온(F-)을 제거하기 위하여 다양한 흡착제가 사용되고 있지만, 대부분은 고체 흡착제이기 때문에 실제 사용과정에서 공정을 증가시키며, 다른 불순물을 발생시키므로 비효율적이라는 단점을 갖는다.
그러므로 상기 제조과정에서 발생되는 불소음이온을 효율적으로 제거할 수 있는 방법에 대한 연구가 요구된다.
본 발명자들은, 종래기술의 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 예의 노력한 결과, 비스(플루오로설포닐)이미드 리튬염의 제조과정에서 발생되는 불소음이온(F-)을 신규한 흡착제를 사용하여 매우 효율적으로 제거할 수 있는 방법을 발견하여 본 발명을 완성하였다.
그러므로 본 발명은 비스(플루오로설포닐)이미드 리튬염의 제조과정에서 발생되는 불소음이온(F-)을 신규한 흡착제를 사용하여 매우 효율적으로 제거할 수 있는 비스(플루오로설포닐)이미드 리튬염의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 간단한 방법에 의해 불소음이온(F-)을 충분히 제거함으로써, 고품질의 비스(플루오로설포닐)이미드 리튬염을 제공할 수 있는 비스(플루오로설포닐)이미드 리튬염의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은,
(a) 비스(클로로술포닐)이미드를 NH4F(HF)n(n=0~10)와 반응시켜서 암모늄 비스(플루오르술포닐)이미드를 제조하는 단계;
(b) 상기 암모늄 비스(플루오르술포닐)이미드를 리튬 염기와 반응시키는 단계;를 포함하며,
상기 (a)단계 및 (b)단계 중의 어느 한 단계 이상에서, 반응 후 반응용액에 테트라알킬오소실리케이트(Tetra alkyl orthosilicate)를 첨가하여 불소음이온을 제거하는 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일실시형태로서 상기 제조방법은
(1) 상기 (a)단계의 반응 후, 반응용액에 테트라알킬오소실리케이트(Tetra alkyl orthosilicate)를 첨가하고 교반하는 단계를 수행하거나;
(2) 상기 (b)단계의 반응 및 수세 공정 이후, 반응용액에 테트라알킬오소실리케이트(Tetra alkyl orthosilicate)를 첨가하고 교반하는 단계를 수행하거나;
상기 (1) 및 (2)의 단계를 모두 수행하는 특징을 가질 수 있다.
본 발명의 비스(플루오로설포닐)이미드 리튬염의 제조 방법은 신규한 테트라알킬오소실리케이트 흡착제를 사용함으로써 비스(플루오로설포닐)이미드 리튬염의 제조과정에서 발생되는 불소음이온(F-)을 매우 효율적으로 제거하는 효과를 제공한다.
또한, 상기와 같이 간단한 방법으로 불소음이온(F-)을 충분히 제거함으로써 고품질의 비스(플루오로설포닐)이미드 리튬염을 제공하는 효과를 제공한다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명은,
(a) 비스(클로로술포닐)이미드를 NH4F(HF)n(n=0~10)와 반응시켜서 암모늄 비스(플루오르술포닐)이미드를 제조하는 단계;
(b) 상기 암모늄 비스(플루오르술포닐)이미드를 리튬 염기와 반응시키는 단계;를 포함하며,
상기 (a)단계 및 (b)단계 중의 어느 한 단계 이상에서, 반응 후 반응용액에 테트라알킬오소실리케이트(Tetra alkyl orthosilicate)를 첨가하여 불소음이온을 제거하는 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염의 제조방법에 관한 것이다.
비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염을 제조하는 과정에서 불소음이온(F-)을 제거하기 위하여 다양한 흡착제가 사용되고 있으며, 그들 중 대부분은 고체 형태의 흡착제이다. 그런데, 상기 고체 형태의 흡착제는 실제 사용과정에서 공정을 증가시키며, 다른 불순물을 발생시키므로 비효율적이라는 단점을 갖는다. 또한, 공지의 액체 흡착제들은 불소음이온의 제거 효과가 부족하고, 반응액으로부터 분리하는 것이 용이하지 않은 문제점들이 있었다.
본 발명에서 사용하는 테트라알킬오소실리케이트(Tetra alkyl orthosilicate)는, 하기 반응식 1에 나타낸 바와 같이, 화학적인 측면에서 Si와 F의 흡착력이 Si와 O의 흡착력보다 훨씬 크기 때문에 치환 반응을 통하여 불소음이온과 강한 결합을 형성하며, 용이하게 제거되므로 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염의 제조 과정에서 매우 효율적으로 불소음이온을 제거할 수 있다.
구체적으로, 하기 반응식과 같이 테트라메틸오소실리케이트와 같은 시약을 사용하면 LiFSI 제조 공정에서 생성되는 불소음이온의 농도를 상당히 줄일 수 있다.
[반응식 1]
상기에서 “알킬”은 탄소수 1~5개의 알킬기일 수 있으며, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸 등일 수 있다.
본 발명에서 상기 테트라알킬오소실리케이트(Tetra alkyl orthosilicate)는 비스(클로로술포닐)이미드 1 당량 당 0.001~0.01 당량으로 첨가될 수 있으며, 바람직하게는 0.001~0.008 당량, 더욱 바람직하게는 0.001~0.005 당량으로 첨가될 수 있다. 상술한 범위로 포함되는 경우, 불소음이온을 충분히 제거할 수 있어서 바람직하다.
본 발명의 일실시형태에서, 상기 불소음이온을 제거하는 공정은
(1) 상기 (a)단계의 반응 후, 반응용액에 테트라알킬오소실리케이트(Tetra alkyl orthosilicate)를 첨가하고 교반하는 단계를 수행하거나;
(2) 상기 (b)단계의 반응 및 수세 공정 후, 반응용액에 테트라알킬오소실리케이트(Tetra alkyl orthosilicate)를 첨가하고 교반하는 단계를 수행하거나;
상기 (1) 및 (2)의 단계를 모두 수행하는 것에 의해 이루어질 수 있다.
상기 (1)단계를 수행하는 경우, 반응 종결 후, 반응물에 질소 가스를 공급하여 날라가는 가스의 pH가 6~8이 될 때까지 버블링을 실시하는 공정을 더 실시할 수도 있다.
상기 질소 가스 버블링은 반응물에 질소 가스를 공급하여 날라가는 가스의 pH가 6~8이 될 때까지 버블링을 실시하여야 목적하는 효과를 얻을 수 있다.
즉, 날라가는 가스의 pH가 6 미만인 시점에서 질소 가스 버블링을 중단할 경우, HF의 제거율이 저조한 상태가 되며, pH가 8을 초과하는 경우에는 반응물 내의 HF의 량이 오히려 질소 가스 버블링을 실시하지 않은 경우보다 더 증가할 수도 있다.
상기 pH가 6.5~7.5가 되는 시점에서 질소 가스 버블링을 중단하는 것이 더욱 바람직하며, pH가 6.8~7.2가 되는 시점에서 질소 가스 버블링을 중단하는 것이 더 더욱 바람직하다.
상기 (1)단계에서 날라가는 가스의 pH는 pH 페이퍼를 사용하여 측정할 수 있으나, 이 방법으로 한정되는 것은 아니며, 이 분야에 공지된 방법으로 수행될 수도 있다.
상기 (2)단계는 (b)단계의 반응결과물을 1차 농축한 후에 실시하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 상기 1차 농축 후에 제품 내 수분이 최저가 되며, 이 때 반응을 진행시키는 경우, Si 화합물이 수분과 결합할 확률이 가장 낮아지기 때문이다. 따라서, 이 경우 부반응이 가장 적게 진행되어 바람직한 결과를 제공한다.
상기 (2)단계의 반응 종결 후에는, 반응물을 2차 농축하는 공정을 더 실시할 수도 있다. 이때, 반응물에 질소 가스를 공급하면서 2차 농축을 실시하는 것도 가능하다.
본 발명의 제조방법에서, 상기 테트라알킬오소실리케이트(Tetra alkyl orthosilicate)는 테트라메틸오소실리케이트 및 테트라에틸오소실리케이트 중에서 선택되는 1종 이상의 것일 수 있다.
본 발명에서 (a)단계 및 (b)단계의 공정은 특별히 한정되지 않으며, 이 분야에 공지된 방법들에 의해 수행될 수 있다.
상기 (a)단계는 비스(클로로술포닐)이미드를 NH4F(HF)n(n=0~10)와 반응시켜서 비스(플루오르술포닐)이미드를 제조하는 단계로서 하기 반응식 2로 표시될 수 있다:
[반응식 2]
상기 반응에서 용매로는 디에틸에테르, 디이소프로필 에테르, 메틸-t-부틸에테르, 초산메틸, 초산에틸, 초산프로필, 초산부틸 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상의 조합으로 사용될 수 있다. 이들 중에서도 초산부틸이 더욱 바람직하게 사용될 수 있다.
상기 반응은 질소분위기에서 실시될 수 있다.
상기 (a)단계에서 질소 가스 버블링을 실시한 후, 여과 및 농축하여 크루드 화합물을 얻을 수 있으며, 이 때, 크루드 화합물에 용매와 함께 메틸렌 클로라이드 등을 투입하여 재결정을 수행할 수도 있다.
상기 (b)단계는 하기 반응식 3과 같이 실시될 수 있다:
[반응식 3]
상기 (b)단계 반응에서 용매로는 디에틸에테르, 디이소프로필 에테르, 메틸-t-부틸에테르, 초산메틸, 초산에틸, 초산프로필, 초산부틸 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상의 조합으로 사용될 수 있다. 이들 중에서도 초산부틸이 더욱 바람직하게 사용될 수 있다.
상기 (b)단계에서 리튬 염기로는 수산화리튬(LiOH), 수산화리튬 수화물(LiOH·H2O), 탄산리튬(Li2CO3), 탄산수소리튬(LiHCO3), 염화리튬(LiCl), 아세트산리튬(LiCH3COO) 및 옥살산리튬(Li2C2O4) 등으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 것이 사용될 수 있다. 이들 중에서도 수산화 리튬 수화물이 바람직하게 사용될 수 있다.
상기 (b)단계에서 수득 화합물의 세척, 여과 농축, 재결정 등은 통상의 방법으로 더 실시될 수 있다.
이하 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변경 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
실시예 1: 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염의 제조
교반장치, 콘덴서 및 온도계가 부착된 반응기에 질소분위기 하에 수분을 정제한 암모늄플루오라이드 79.6 g 및 초산부틸 600 g을 상온에서 투입하였다. 상기 혼합물을 교반하면서 비스(디클로로술포닐)이미드 100 g을 천천히 투입한 후, 80℃로 승온한 뒤 2시간 동안 반응시켰다. 반응 완료 후, 10℃ 이하로 냉각한 뒤 여과를 한다.
상기에서 얻은 암모늄 비스(플루오르술포닐)에 수산화리튬 수화물 25.04 g을 반응기 2에 투입하고 교반시켰다. 반응 완료 후, DIW 74.97g, 22.49g으로 총 2번 수세 공정을 진행한 뒤 여과하고 1차 농축을 하였다.
상기 1차 농축액을 1000 mL 3-neck RBF에 넣고, TMOS(Tetramethyl orthosilicate, Qingdao사 제조) 0.75 g을 가하고 실온에서 10분 동안 교반시켰다. 상기 반응 혼합물을 내부온도 50℃로 유지하고, 감압하에서 농축하였다(2차 농축).
상기 2차 농축액에 톨루엔을 가하고, 30℃에서 10분 동안 교반하였다. 생성된 고체를 여과하고 진공 하에서 건조시켜 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염 30.05g을 수득하였다(수율: 36.7%).
실시예 2: 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염의 제조
TMOS(Tetramethyl orthosilicate) 0.75 g 대신 TMOS 0.375 g을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염 29.98_g을 수득하였다(수율: 36.6%).
실시예 3: 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염의 제조
TMOS(Tetramethyl orthosilicate) 0.75 g 대신 TMOS 0.15 g을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염 31.05_g을 수득하였다(수율: 37.9%).
실시예 4: 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염의 제조
교반장치, 콘덴서 및 온도계가 부착된 반응기에 질소분위기 하에 수분을 정제한 암모늄플루오라이드 79.6 g 및 초산부틸 600 g을 상온에서 투입하였다. 상기 혼합물을 교반하면서 비스(디클로로술포닐)이미드 100 g을 천천히 투입한 후, 80℃로 승온한 뒤 2시간 동안 반응시켰다. 반응 종결 후, 60℃로 냉각한 다음 TMOS(Tetramethyl orthosilicate, Qingdao사 제조) 3.63g을 가하고 10분 동안 교반시켰다.
상기 반응액에 질소 가스를 공급하여 버블링을 30분 동안 실시하였다. 다음으로 반응물의 온도를 10℃ 이하로 냉각시키고, 여과하여 여과액을 얻었다.
상기에서 얻은 암모늄 비스(플루오르술포닐)이미드 여과액과 수산화리튬 수화물 25.04 g을 반응기 2 투입하고 교반시켰다. 다음에 질소 가스 버블링을 실시하고, 5℃ 미만에서 진공반응을 4시간 진행한 후 반응을 종결시켰다.
증류수 74.97g을 넣고 교반한 후, 층을 분리하여 증류수층을 제거하였다. 다시 증류수 22.49g을 넣고 교반한 후, 층을 분리하여 증류수층을 제거하였다. 얻어진 유기층을 여과하고 농축하여 크루드 화합물을 얻었다. 질소 가스 버블링을 실시하고, 50~55℃의 진공 조건에서 결정이 석출될 때까지 교반시켰다.
다음으로 톨루엔 309.96g을 투입하고, 여과하여 얻어진 고체를 수득하고, 진공건조하여 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염 31.78 g을 수득하였다(수율: 38.8%).
실시예 5: 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염의 제조
TMOS(Tetramethyl orthosilicate) 3.63g 대신 TMOS 7.25g를 사용한 것을 제외하고는 실시예 4와 동일한 방법으로 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염 30.32 g을 수득하였다(수율: 37.0%).
비교예 1: 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염의 제조
TMOS(Tetramethyl orthosilicate)를 사용하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염 31.87 g을 수득하였다(수율: 39.0%).
시험예 1: 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염에 포함된 불소음이온(F-)의 농도 측정
상기 실시예 1 내지 5 및 비교예 1에서 제조된 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염으로부터 불소음이온(F-)의 농도를 Metrohm사의 F ion meter를 사용하여 측정하였다. 상기 불소음이온(F-) 농도 측정 결과는 하기 표 1에 나타냈다.
| 측정 시료 | TMOS의 사용 여부 및 사용량 | 불소음이온(F-) 농도(ppm) |
| 비교예 1 | TMOS를 사용 안함 | 221.9 |
| 실시예 1 | (b)단계에서 TMOS 0.75 g 사용 | 9.9 |
| 실시예 2 | (b)단계에서 TMOS 0.375 g 사용 | 20.6 |
| 실시예 3 | (b)단계에서 TMOS 0.15 g 사용 | 194.9 |
| 실시예 4 | (a)단계에서 TMOS 3.63 g 사용 | 130.7 |
| 실시예 5 | (a)단계에서 TMOS 7.25 g 사용 | 16.6 |
상기 표 1에 나타난 바와 같이, TMOS를 사용하여 불소음이온을 제거한 실시에 1 내지 5의 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염의 경우, TMOS 처리를 실시하지 않은 비교예 1과 비교하여 현저하게 저감된 불소음이온 농도를 나타냈다.
특히, TMOS를 처리를 실시한 (a)단계 및 (b)단계 모두에서 불소음이온의 함량은 사용된 TMOS의 양에 반비례하는 것으로 확인되었다.
그러므로, 이러한 사실은 TMOS가 매우 효과적으로 불소음이온을 제거할 수 있음을 나타낸다.
Claims (9)
- (a) 비스(클로로술포닐)이미드를 NH4F(HF)n(n=0~10)와 반응시켜서 암모늄 비스(플루오르술포닐)이미드를 제조하는 단계; 및
(b) 상기 암모늄 비스(플루오르술포닐)이미드를 리튬 염기와 반응시키는 단계;를 포함하며,
상기 (b)단계 반응 후, 반응용액에 테트라알킬오소실리케이트(Tetra alkyl orthosilicate)를 첨가하여 불소음이온을 제거하는 공정을 수행하며,
상기 테트라알킬오소실리케이트는 비스(클로로술포닐)이미드 100g 당 0.375 ~ 0.75g으로 첨가되는 것을 특징으로 하는 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염의 제조방법. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 테트라알킬오소실리케이트(Tetra alkyl orthosilicate) 첨가는 (b)단계의 반응결과물을 1차 농축한 후에 실시되는 것을 특징으로 하는 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염의 제조방법. - 제5항에 있어서,
상기 테트라알킬오소실리케이트(Tetra alkyl orthosilicate) 첨가 반응의 종결 후, 반응물을 2차 농축하는 공정을 더 실시하는 것을 특징으로 하는 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염의 제조방법. - 제1항에 있어서,
테트라알킬오소실리케이트는 테트라메틸오소실리케이트 및 테트라에틸오소실리케이트 중에서 선택되는 1종 이상의 것인 것을 특징으로 하는 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 (a)단계 및 (b)단계에서 반응은 용액 중에서 수행되며, 용매로는 각각 독립적으로 디에틸에테르, 디이소프로필 에테르, 메틸-t-부틸에테르, 초산메틸, 초산에틸, 초산프로필, 및 초산부틸으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 것인 것을 특징으로 하는 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 (b)단계의 리튬 염기는 수산화리튬(LiOH), 수산화리튬 수화물(LiOH·H2O), 탄산리튬(Li2CO3), 탄산수소리튬(LiHCO3), 염화리튬(LiCl), 아세트산리튬(LiCH3COO) 및 옥살산리튬(Li2C2O4)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 것인 것을 특징으로 하는 비스(플루오르술포닐)이미드 리튬염의 제조방법.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180108417A KR101982603B1 (ko) | 2018-09-11 | 2018-09-11 | 불소음이온의 함유량이 저감된 비스(플루오로설포닐)이미드 리튬염(LiFSI)의 제조 방법 (2) |
| PCT/KR2019/011412 WO2020055031A1 (ko) | 2018-09-11 | 2019-09-04 | 불소음이온의 함유량이 저감된 비스(플루오로설포닐)이미드 리튬염(LiFSI)의 제조 방법(2) |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180108417A KR101982603B1 (ko) | 2018-09-11 | 2018-09-11 | 불소음이온의 함유량이 저감된 비스(플루오로설포닐)이미드 리튬염(LiFSI)의 제조 방법 (2) |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101982603B1 true KR101982603B1 (ko) | 2019-05-27 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180108417A Active KR101982603B1 (ko) | 2018-09-11 | 2018-09-11 | 불소음이온의 함유량이 저감된 비스(플루오로설포닐)이미드 리튬염(LiFSI)의 제조 방법 (2) |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101982603B1 (ko) |
| WO (1) | WO2020055031A1 (ko) |
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- 2018-09-11 KR KR1020180108417A patent/KR101982603B1/ko active Active
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| WO2020055031A1 (ko) | 2020-03-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20180911 |
|
| PA0201 | Request for examination | ||
| PA0302 | Request for accelerated examination |
Patent event date: 20180912 Patent event code: PA03022R01D Comment text: Request for Accelerated Examination Patent event date: 20180911 Patent event code: PA03021R01I Comment text: Patent Application |
|
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20181010 Patent event code: PE09021S01D |
|
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20190225 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20190521 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20190521 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20220414 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20230522 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20240321 Start annual number: 6 End annual number: 6 |