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KR101929790B1 - Measuring method of transistor characteristics of Organic light-emitting display device - Google Patents

Measuring method of transistor characteristics of Organic light-emitting display device Download PDF

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KR101929790B1 KR1020110100873A KR20110100873A KR101929790B1 KR 101929790 B1 KR101929790 B1 KR 101929790B1 KR 1020110100873 A KR1020110100873 A KR 1020110100873A KR 20110100873 A KR20110100873 A KR 20110100873A KR 101929790 B1 KR101929790 B1 KR 101929790B1
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Abstract

실시 예에 따른 유기발광 표시장치의 트랜지스터 특성 측정방법은, 화소 영역의 데이터 라인을 통해 부하 캐패시터에 프리차지 데이터 전압을 인가하는 단계; 상기 부하 캐패시터에 인가된 프리차지 데이터 전압을 트랜지스터로 방전하는 단계; 상기 방전되는 전압값을 측정하는 단계; 상기 측정된 전압값으로 상기 트랜지스터의 특성을 계산하는 단계를 포함한다.A method of measuring transistor characteristics of an organic light emitting diode display according to an embodiment includes: applying a precharge data voltage to a load capacitor through a data line of a pixel region; Discharging a precharge data voltage applied to the load capacitor to a transistor; Measuring a voltage value to be discharged; And calculating a characteristic of the transistor with the measured voltage value.

Description

유기발광 표시장치의 트랜지스터 특성 측정방법{Measuring method of transistor characteristics of Organic light-emitting display device}[0001] The present invention relates to a method for measuring transistor characteristics of an organic light emitting display,

실시 예는 유기발광 표시장치의 트랜지스터 특성 측정방법에 관한 것이다.The embodiment relates to a method of measuring transistor characteristics of an organic light emitting display.

정보를 표시하기 위한 표시장치가 널리 개발되고 있다.Display devices for displaying information are widely developed.

표시장치는 액정표시장치, 유기발광 표시장치, 전기영동 표시장치, 전계방출 표시장치, 플라즈마 표시장치를 포함한다.The display device includes a liquid crystal display device, an organic light emitting display device, an electrophoretic display device, a field emission display device, and a plasma display device.

이 중에서, 유기발광 표시장치는 액정표시장치에 비해, 소비 전력이 낮고, 시야각이 넓으며, 더욱 가볍고, 휘도가 높아, 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.Among them, the organic light emitting display device is lower in power consumption, wider in viewing angle, lighter in weight, and higher in brightness than the liquid crystal display device, and has attracted attention as a next generation display device.

유기발광 표시장치에 사용되는 박막 트랜지스터는 아몰포스 실리콘을 결정화를 통해 폴리실리콘으로 형성한 반도체층에 의해 이동도를 증가시켜 고속 구동이 가능하게 되었다.The thin film transistor used in the organic light emitting diode display has increased the mobility by the semiconductor layer formed of polysilicon through the crystallization of amorphous silicon, thereby enabling high speed driving.

결정화는 레이저를 이용한 스캔 방식이 널리 이용되고 있다. 이러한 결정화 공정시, 레이저의 파워 불안정으로 인해, 스캔이 지나간 자리를 의미하는 스캔 라인에 형성된 박막 트랜지스터의 문턱 전압이 서로 상이해지게 되어, 각 화소 영역에서의 화질 불균일이 초래되는 문제가 있다.A laser scanning method is widely used for crystallization. In such a crystallization process, the threshold voltages of the thin film transistors formed on the scan lines, which means the scan passes, are different from each other due to the unstable power of the laser, resulting in a problem of uneven image quality in each pixel area.

이러한 문제를 해결하기 위해, 화소 영역에 문턱 전압을 검출하여 박막 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하여 주는 기술이 제안되었다.In order to solve such a problem, a technique has been proposed in which a threshold voltage is detected in a pixel region to compensate a threshold voltage of the thin film transistor.

이러한 기술을 달성하기 위해서는 화소 영역에 문턱 전압을 검출하기 위한 박막 트랜지스터가 추가되어야 하고, 상기 박막 트랜지스터를 제어하기 위한 신호라인들이 추가되어야 하므로, 화소 영역이 복잡해지어 결국 개구율이 저하되는 문제가 있다.In order to achieve such a technique, a thin film transistor for detecting a threshold voltage needs to be added to the pixel region, and signal lines for controlling the thin film transistor have to be added, so that the pixel region is complicated and the aperture ratio is lowered.

또한, I-V곡선에서의 문턱 전압과 이동도를 측정하기 위해 서로 다른 전압값을 두 번 이상 인가해주어야 하고, 이로써 측정방법이 복잡해지고 회로도 복잡해지는 문제가 있다.Further, in order to measure the threshold voltage and the mobility in the I-V curve, different voltage values must be applied twice or more, thereby complicating the measuring method and complicating the circuit.

실시 예는 간이한 회로로 단시간에 트랜지스터의 특성을 측정할 수 있는 방법을 제공한다.The embodiment provides a method for measuring the characteristics of a transistor in a short time with a simple circuit.

실시 예에 따른 유기발광 표시장치의 트랜지스터 특성 측정방법은, 화소 영역의 데이터 라인을 통해 부하 캐패시터에 프리차지 데이터 전압을 인가하는 단계; 상기 부하 캐패시터에 인가된 프리차지 데이터 전압을 트랜지스터로 방전하는 단계; 상기 방전되는 전압값을 측정하는 단계; 상기 측정된 전압값으로 상기 트랜지스터의 특성을 계산하는 단계를 포함한다.A method of measuring transistor characteristics of an organic light emitting diode display according to an embodiment includes: applying a precharge data voltage to a load capacitor through a data line of a pixel region; Discharging a precharge data voltage applied to the load capacitor to a transistor; Measuring a voltage value to be discharged; And calculating a characteristic of the transistor with the measured voltage value.

실시 예는 부하 캐패시터에 충전 후 방전중의 전압을 측정하여 한 번의 전압인가로 트랜지스터의 이동도 및 문턱 전압을 측정하여 간이한 회로로 단시간에 트랜지스터의 특성을 측정할 수 있다.The embodiment can measure the mobility and the threshold voltage of the transistor by measuring the voltage during discharging and discharging after charging the load capacitor, and measure the transistor characteristics in a short time with a simple circuit.

도 1은 실시 예에 따른 유기발광 표시장치를 도시한 블록도이다.
도 2는 도 1의 유기발광 패널을 도시한 회로도이다.
도 3은 실시 예에 따른 유기발광 표시장치의 화소 영역과 데이터 드라이버를 나타낸 도면이다.
도 4는 실시 예에 따른 유기발광 표시장치의 구동 파형을 나타낸 도면이다.
도 5는 실시 예에 따른 화소 영역의 각 구간별 동작을 나타낸 도면이다.
도 6은 제2 구간에서의 파형에 의한 문턱전압과 이동도를 측정하기 위한 방법을 나타낸 도면이다.
1 is a block diagram illustrating an organic light emitting display according to an embodiment.
2 is a circuit diagram showing the organic luminescent panel of FIG.
3 is a view illustrating a pixel region and a data driver of the OLED display according to the embodiment.
4 is a diagram illustrating driving waveforms of an OLED display according to an embodiment of the present invention.
5 is a diagram illustrating the operation of each section of the pixel region according to the embodiment.
6 is a diagram illustrating a method for measuring a threshold voltage and a mobility by a waveform in a second section.

발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)는 두 개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되거나 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 배치되어 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)"으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In describing an embodiment according to the invention, in the case of being described as being formed "above" or "below" each element, the upper (upper) or lower (lower) Directly contacted or formed such that one or more other components are disposed between the two components. Also, in the case of "upper (upper) or lower (lower)", it may include not only an upward direction but also a downward direction based on one component.

도 1은 실시 예에 따른 유기발광 표시장치를 도시한 블록도이다.1 is a block diagram illustrating an organic light emitting display according to an embodiment.

도 1을 참조하면 실시 예에 따른 유기발광 표시장치는 유기발광패널(10), 제어부(30), 스캔 드라이버(40) 및 데이터 드라이버(50)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, an organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention may include an OLED panel 10, a controller 30, a scan driver 40, and a data driver 50.

상기 스캔 드라이버(40)는 제1 및 제1 스캔 신호(S1, S2)를 상기 유기발광 패널(10)로 공급할 수 있다.The scan driver 40 may supply the first and the first scan signals S1 and S2 to the organic light emitting panel 10.

상기 데이터 드라이버(50)는 데이터 전압(Vdata)을 상기 유기발광 패널(10)로 공급할 수 있다.The data driver 50 may supply the data voltage Vdata to the OLED panel 10.

상기 유기발광 패널(10)은 도 2에 도시한 바와 같이, 다수의 스캔라인(GL1 내지 GLn, GL'1 내지 GL'n), 다수의 데이터 라인(DL1 내지 DLm), 다수의 제1 전원전압 라인(PL1 내지 PLm) 및 다수의 제2 전원 전압 라인(PL'1 내지 PL'm)을 포함할 수 있다.2, the organic light emitting panel 10 includes a plurality of scan lines GL1 to GLn and GL'1 to GL'n, a plurality of data lines DL1 to DLm, Lines PL1 to PLm and a plurality of second power supply voltage lines PL'1 to PL'm.

도시하지 않았지만, 상기 유기발광 패널(10)은 상기한 이외에 필요에 따라 다수의 신호라인들을 더 포함할 수 있다.Although not shown, the organic luminescent panel 10 may further include a plurality of signal lines as needed in addition to the above.

상기 스캔 라인(GL1 내지 GLn)과 상기 데이터 라인(DL1 내지 DLm)의 교차에 의해 다수의 화소 영역(P)이 정의될 수 있다.A plurality of pixel regions P can be defined by intersection of the scan lines GL1 to GLn and the data lines DL1 to DLm.

상기 각 화소 영역(P)은 제1 및 제2 스캔 라인(GL1 내지 GLn, GL'1 내지 GL'n), 데이터 라인(DL1 내지 DLm) 및 제1 및 제2 전원 전압 라인(PL1 내지 PLm, PL'1 내지 PL'm)에 전기적으로 연결될 수 있다.Each pixel region P includes first and second scan lines GL1 to GLn and GL'1 to GL'n and data lines DL1 to DLm and first and second power source voltage lines PL1 to PLm, PL'1 to PL'm).

예컨대, 상기 제1 및 제2 스캔 라인(GL1 내지 GLn, GL'1 내지GL'n)은 수평 방향으로 배열된 다수의 화소 영역(P)들에 전기적으로 연결되고, 상기 데이터 라인(DL1 내지 DLm)은 수직 방향으로 배열된 다수의 화소 영역(P)들에 전기적으로 연결될 수 있다.  For example, the first and second scan lines GL1 to GLn and GL'1 to GL'n are electrically connected to a plurality of pixel regions P arranged in the horizontal direction, and the data lines DL1 to DLm May be electrically connected to a plurality of pixel regions P arranged in the vertical direction.

상기 화소 영역(P)에는 제1 및 제2 스캔 신호(S1, S2), 프라 차지 데이터 전압(Vpre), 데이터 전압, 제1 및 제2 전원 전압(VDD, VSS) 등이 공급될 수 있다. 즉, 상기 제1 및 제2 스캔 신호(S1, S2)는 제1 및 제2 스캔 라인(GL1 내지 GLn, GL'1 내지GL'n)을 통해 상기 화소 영역(P)에 공급되고, 상기 프리차지 데이터 전압(Vpre)과 상기 데이터 전압은 상기 데이터 라인(DL1 내지 DLm)을 통해 상기 화소 영역(P)에 공급되며, 상기 제1 및 제2 전원 전압(VDD, VSS)은 상기 제1 및 제2 전원 전압 라인(PL1 내지 PLm, PL'1 내지 PL'm)을 통해 상기 화소 영역(P)에 공급될 수 있다.First and second scan signals S1 and S2, a precharge data voltage Vpre, a data voltage, first and second power supply voltages VDD and VSS may be supplied to the pixel region P. That is, the first and second scan signals S1 and S2 are supplied to the pixel region P through the first and second scan lines GL1 to GLn and GL'1 to GL'n, The charge data voltage Vpre and the data voltage are supplied to the pixel region P through the data lines DL1 to DLm and the first and second power supply voltages VDD and VSS are supplied to the pixel regions P, And may be supplied to the pixel region P through the two power supply voltage lines PL1 to PLm, PL'1 to PL'm.

상기 화소 영역(P)으로부터 상기 화소 영역(P)의 특정 노드에 대한 센싱전압(Vs)이 상기 데이터 라인(DL1 내지 DLm)을 통해 도 1의 데이터 드라이버(50)로 제공될 수 있다.A sensing voltage Vs for a specific node of the pixel region P from the pixel region P may be provided to the data driver 50 of FIG. 1 through the data lines DL1 to DLm.

도 3은 실시 예에 따른 유기발광 표시장치의 화소 영역과 데이터 드라이버를 나타낸 도면이다.3 is a view illustrating a pixel region and a data driver of the OLED display according to the embodiment.

도 3을 참조하면 실시 예에 따른 유기발광 표시장치의 화소 영역은 제1 내지 제3 트랜지스터(T1 내지 T3), 스토리지 캐패시터(Cst), 부하 캐패시터(Cload) 및 유기발광 소자(OLED)가 형성될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 즉, 각 화소 영역(P)에 형성된 트랜지스터의 개수와 이들 간의 연결 구조는 설계자에 의해 다양하게 변형 가능할 수 있으며, 실시 예는 설계자에 의해 변형 가능한 모든 화소 영역(P)의 회로 구조에 적용될 수 있다.Referring to FIG. 3, the pixel region of the OLED display according to the exemplary embodiment includes first through third transistors T1 through T3, a storage capacitor Cst, a load capacitor Cload, and an organic light emitting diode OLED But is not limited to this. That is, the number of transistors formed in each pixel region P and the connection structure therebetween can be variously modified by the designer, and the embodiment can be applied to the circuit structure of all the pixel regions P that can be deformed by the designer .

상기 제1 및 제2 트랜지스터(T1 및 T2)는 신호의 전달을 위한 스위칭 트랜지스터일 수 있고, 상기 제3 트랜지스터(T3)는 상기 유기발광 소자(OLED)를 구동하기 위한 구동 전류를 생성하여 주는 구동 트랜지스터일 수 있다.The first and second transistors T1 and T2 may be switching transistors for transmitting a signal and the third transistor T3 may be a driving transistor for generating a driving current for driving the organic light emitting diode OLED. Transistor.

상기 스토리지 캐패시터(Cst)는 데이터 전압(Vdata)을 한 프레임 동안 유지시켜주는 역할을 할 수 있다.The storage capacitor Cst may maintain the data voltage Vdata for one frame.

상기 부하 캐패시터(Cload)는 외부에서 제공된 프리차지 데이터 전압(Vpre)을 충전하였다가, 상기 프리차지 데이터 전압(Vpre)을 유기발광 소자(OLED)로 제공하여 줄 수 있다.The load capacitor Cload may charge the precharge data voltage Vpre provided from the outside and may provide the precharge data voltage Vpre to the organic light emitting diode OLED.

상기 유기발광 소자(OLED)는 광을 생성하는 부재로서, 구동 전류의 세기에 따라 서로 상이한 휘도를 갖는 광이 생성될 수 있다.The organic light emitting diode (OLED) is a member for generating light, and light having different brightness may be generated depending on the intensity of the driving current.

상기 유기발광 소자(OLED)는 적색 광을 생성하는 적색 유기발광 소자(OLED), 녹색 광을 생성하는 녹색 유기발광 소자(OLED) 및 청색 광을 생성하는 청색 유기발광 소자(OLED)를 포함할 수 있다. The organic light emitting diode OLED may include a red organic light emitting diode OLED for generating red light, a green organic light emitting diode OLED for generating green light, and a blue organic light emitting diode OLED for generating blue light. have.

상기 제1 내지 제3 트랜지스터(T1 내지 T3)는 PMOS형 박막 트랜지스터일 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 상기 제1 내지 제3 트랜지스터(T1 내지 T3)는 로우 레벨의 신호에 의해 턴 온되고, 하이 레벨의 신호에 의해 턴 오프될 수 있다. The first to third transistors T1 to T3 may be PMOS type thin film transistors, but the present invention is not limited thereto. The first to third transistors T1 to T3 may be turned on by a low level signal and may be turned off by a high level signal.

여기서, 하이 레벨은 그라운드 전압이나 이에 근접한 전압일 수 있고, 로우 레벨은 그라운드 전압보다 낮은 전압일 수 있다. Here, the high level may be a ground voltage or a voltage close thereto, and the low level may be a voltage lower than the ground voltage.

제1 전원 전압(VDD)은 하이 레벨의 신호이고 상기 제2 전원 전압(VSS)은 로우 레벨의 신호일 수 있다. The first power supply voltage VDD may be a high level signal and the second power supply voltage VSS may be a low level signal.

상기 제1 및 제2 전원전압(VDD, VSS)은 항상 일정한 레벨을 갖는 DC 전압일 수 있다. The first and second power supply voltages VDD and VSS may be a DC voltage having a constant level.

도 3에는 제1 및 제2 스캔 라인(GL1 내지 GLn, GL'1 내지 GL'n)이 개시되고, 이들 제1 및 제2 스캔 라인들(GL1 내지 GLn, GL'1 내지 GL'n)에 개별적으로 제1 및 제2 스캔 신호(S1, S2)가 공급되는 것으로 도시되고 있다. 3, the first and second scan lines GL1 to GLn and GL'1 to GL'n are started, and the first and second scan lines GL1 to GLn and GL'1 to GL'n And the first and second scan signals S1 and S2 are separately supplied.

하지만, 제1 및 제2 스캔 신호(S1, S2)는 실질적으로 동일한 파형을 가지므로, 동일한 스캔 신호가 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)로 공급될 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 스캔 라인(GL1 내지 GLn, GL'1 내지GL'n)은 하나의 스캔 라인으로 However, since the first and second scan signals S1 and S2 have substantially the same waveform, the same scan signal can be supplied to the first and second transistors T1 and T2. Accordingly, the first and second scan lines GL1 to GLn and GL'1 to GL'n are formed as one scan line

형성하고, 이 하나의 스캔 라인에 단일 스캔 신호가 공급되도록 구성될 수도 있다.And a single scan signal may be supplied to the one scan line.

상기 부하 캐패시터(Cload)는 데이터 라인(DL1 내지 DLm)에 연결될 수 있다. 따라서, 상기 부하 캐패시터(Cload)에는 상기 데이터 라인(DL1 내지 DLm)으로 제공된 프리차지 데이터 전압(Vpre)이나 데이터 전압이 충전될 수 있다.The load capacitor Cload may be connected to the data lines DL1 to DLm. Therefore, the load capacitor Cload may be charged with the precharge data voltage Vpre or the data voltage supplied to the data lines DL1 to DLm.

상기 제1 트랜지스터(T1)에서 게이트 전극은 제1 스캔 신호(S1)가 공급되는 제1 스캔 라인(GL1 내지 GLn)에 연결되고, 소오스 전극은 상기 데이터 라인(DL1 내지 DLm)에 연결되며, 드레인 전극은 제3 트랜지스터(T3)의 소오스 전압을 형성하는 제1 노드에 연결될 수 있다. The gate electrode of the first transistor T1 is connected to the first scan lines GL1 to GLn to which the first scan signal S1 is supplied and the source electrode thereof is connected to the data lines DL1 to DLm, The electrode may be connected to the first node forming the source voltage of the third transistor T3.

상기 제1 트랜지스터(T1)는 제1 스캔 라인(GL1 내지 GLn)으로 공급된 로우 레벨의 제1 스캔 신호(S1)에 의해 턴 온되어 데이터 라인(DL1 내지 DLm)으로 공급된 프리차지 데이터 전압(Vpre)이나 영상 표시를 위한 데이터 전압이 상기 제1 노드에 충전될 수 있다. The first transistor T1 is turned on by the first scan signal S1 of a low level supplied to the first scan lines GL1 to GLn and supplies a precharge data voltage Vdd to the data lines DL1 to DLm Vpre) or a data voltage for image display may be charged to the first node.

상기 제1 노드는 제1 트랜지스터(T1)의 드레인 전극, 상기 스토리지 캐패시터(Cst), 상기 제3 트랜지스터(T3)의 소오스 전극 및 상기 제1 전원 전압 라인(PL1 내지 PLm)에 공통으로 연결될 수 있다.The first node may be commonly connected to the drain electrode of the first transistor T1, the storage capacitor Cst, the source electrode of the third transistor T3, and the first power supply voltage lines PL1 to PLm .

상기 제2 트랜지스터(T2)에서 게이트 전극은 제2 스캔 신호(S2)가 공급되는 제2 스캔 라인(GL'1 내지 GL'n)에 연결되고, 소오스 전극은 기준 전압(Vref)이 공급되는 기준 전압 라인에 연결되며, 드레인 전극은 제2 노드에 연결될 수 있다. The gate electrode of the second transistor T2 is connected to the second scan lines GL'1 to GL'n to which the second scan signal S2 is supplied and the source electrode thereof is connected to the reference voltage Vref Voltage line, and the drain electrode may be connected to the second node.

상기 제2 트랜지스터(T2)는 제2 스캔 라인(GL'1 내지 GL'n)으로 공급된 로우 레벨의 제2 스캔 신호(S2)에 의해 턴 온되어 상기 제2 노드가 기준 전압(Vref)으로 방전될 수 있다 The second transistor T2 is turned on by the second scan signal S2 of a low level supplied to the second scan lines GL'1 to GL'n so that the second node is turned to the reference voltage Vref Can be discharged

상기 제2 노드는 제2 트랜지스터(T2)의 드레인 전극과 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극에 공통으로 연결될 수 있다. The second node may be commonly connected to the drain electrode of the second transistor T2 and the gate electrode of the third transistor T3.

상기 스토리지 캐패시터(Cst)는 제1 및 제2 노드 사이에 연결될 수 있다. The storage capacitor Cst may be coupled between the first and second nodes.

상기 제3 트랜지스터(T3)에서 게이트 전극은 제2 노드에 연결되고, 소오스 전극은 제1 노드 및 제1 전원 전압 라인(PL1 내지 PLm)에 연결될 수 있다.A gate electrode of the third transistor T3 may be connected to a second node, and a source electrode of the third transistor T3 may be coupled to a first node and a first power supply voltage line PL1 to PLm.

상기 제3 트랜지스터(T3)는 제2 노드의 전압에 따라 구동 전류를 생성하여 상기 유기발광 소자(OLED)로 공급하여 줄 수 있다. The third transistor T3 may generate a driving current according to the voltage of the second node and supply the driving current to the organic light emitting diode OLED.

상기 유기발광 소자(OLED)는 제3 트랜지스터(T3)의 구동 전류에 의해 발광 될 수 있다. The organic light emitting diode OLED may emit light by the driving current of the third transistor T3.

도 3에 도시하지 않았지만, 제1 전원 전압 라인(PL1 내지 PLm)과 제3 트랜지스터(T3) 사이에는 발광 신호에 의해 스위칭 제어되는 트랜지스터가 배치될 수 있다. Although not shown in FIG. 3, a transistor that is controlled to be switched by an emission signal may be disposed between the first power source voltage lines PL1 to PLm and the third transistor T3.

상기 데이터 라인(DL1 내지 DLn)은 데이터 드라이버와 연결되고 상기 데이터 드라이버는 DAC, ADC 및 선택수단(51)을 포함할 수 있다.The data lines DL1 to DLn may be connected to a data driver, and the data driver may include a DAC, an ADC, and a selection means 51. [

상기 DAC는 프리차지 데이터 전압(Vre) 및 데이터 전압을 생성할 수 있다. 상기 DAC는 디지털신호인 프리차지 데이터 신호(Dpre)에 응답하여 아날로그 신호인 프리차지 데이터 전압(Vpre) 및 데이터 전압으로 변환할 수 있다.The DAC may generate a precharge data voltage Vre and a data voltage. The DAC can convert a precharge data voltage Vpre and a data voltage, which are analog signals, in response to a precharge data signal Dpre, which is a digital signal.

상기 ADC는 화소 영역(P)에서 센싱된 아날로그 전압인 센싱 전압(Vs)을 디지털 신호인 센싱 신호(Sensing)로 변환할 수 있다.The ADC can convert the sensing voltage Vs, which is an analog voltage sensed in the pixel region P, into a sensing signal (Sensing), which is a digital signal.

상기 선택 수단(51)은 화소 영역(P)의 데이터 라인(DL1 내지 DLm)을 DAC 또는 ADC에 전기적으로 연결시켜 주는 역할을 할 수 있다.The selection means 51 may electrically connect the data lines DL1 to DLm of the pixel region P to the DAC or the ADC.

상기 선택수단(51)은 선택 신호(Sel)에 의해 스위칭 제어될 수 있다. 예컨대 상기 선택 수단(51)은 로우 레벨 선택신호(Sel)에 응답하여 데이터 라인(DL1 내지 DLm)이 DAC에 전기적으로 연결되도록 스위칭 제어하고, 하이 레벨의 선택신호(Sel)에 응답하여 데이터 라인(DL1 내지 DLm)이 ADC에 전기적으로 연결되도록 스위칭 제어할 수 있다.The selection means 51 can be switched and controlled by the selection signal Sel. For example, in response to the low level selection signal Sel, the selection means 51 controls the switching of the data lines DL1 to DLm to be electrically connected to the DAC, and in response to the selection signal Sel of high level, DL1 to DLm are electrically connected to the ADC.

도 4는 실시 예에 따른 유기발광 표시장치의 구동 파형을 나타낸 도면이다.4 is a diagram illustrating driving waveforms of an OLED display according to an embodiment of the present invention.

도 4에 도시한 바와 같이, 화소 영역(P)의 회로 구조는 2개의 개별 구간에 의해 구동될 수 있다.As shown in Fig. 4, the circuit structure of the pixel region P can be driven by two individual sections.

제1 구간(P1)은 부하 캐패시터(Cload)에 프리차지 데이터 전압(Vpre)을 충전하는 구간이고 제2 구간(P2)은 센싱전압(Vs)의 변화를 센싱하는 구간이다.The first period P1 is a period for charging the load capacitor Cload with the precharge data voltage Vpre and the second period P2 is a period for sensing a change in the sensing voltage Vs.

도 5는 실시 예에 따른 화소 영역의 각 구간별 동작을 나타낸 도면이다.5 is a diagram illustrating the operation of each section of the pixel region according to the embodiment.

도 5a는 실시 예에 따른 화소 영역의 제1 구간의 동작을 나타낸 도면이고, 도 5b는 실시 예에 따른 화소 영역의 제2 구간의 동작을 나타낸 도면이다.FIG. 5A is a diagram illustrating an operation of a first section of a pixel region according to an embodiment, and FIG. 5B is a diagram illustrating an operation of a second section of a pixel region according to an embodiment.

도 5a에 도시한 바와 같이, 제1 구간(P1)에서 하이 레벨의 제1 및 제2 스캔 신호(S1, S2)가 제1 및 제2 스캔라인(GL1 내지 GLn, GL'1 내지 GL'n)으로 공급되고 데이터 라인(DL1 내지 DLm)은 DAC와 연결될 수 있다.The first and second scan signals S1 and S2 at the high level are applied to the first and second scan lines GL1 to GLn and GL'1 to GL'n at the first section P1 as shown in FIG. And the data lines DL1 to DLm may be connected to the DAC.

상기 제1 및 제2 스캔신호(S1, S2)가 하이레벨로 인가되어 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)가 턴 오프될 수 있다. 상기 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)가 턴 오프됨으로써 상기 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)의 소오스와 드레인은 전기적으로 개방상태가 되고 프리차징 데이터 전압(Vpre)이 부하 캐패시터(Cload)에 충전될 수 있다.The first and second scan signals S1 and S2 may be applied at a high level so that the first and second transistors T1 and T2 may be turned off. When the first and second transistors T1 and T2 are turned off, the source and drain of the first and second transistors T1 and T2 are electrically opened and the precharged data voltage Vpre is applied to the load capacitor Cload.

도 5b에 도시한 바와 같이 제2 구간(P2)에서 로우 레벨의 제1 및 제2 스캔 신호(S1, S2)가 제1 및 제2 스캔라인(GL1 내지 GLn, GL'1 내지 GL'n)으로 공급되고 데이터 라인은 ADC와 연결될 수 있다.The first and second scan signals S1 and S2 of the low level are applied to the first and second scan lines GL1 to GLn and GL'1 to GL'n in the second period P2 as shown in FIG. And the data line may be coupled to the ADC.

상기 제1 및 제2 스캔신호(S1, S2)가 로우 레벨로 인가되어 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)가 턴 온될 수 있다. 상기 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)가 턴 온됨으로써 상기 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)의 소스와 드레인은 전기적으로 단락상태가 되고, 상기 부하 캐패시터(Cload)에 충전된 프리차지 데이터 전압(Vpre)이 제1 트랜지스터(T1)를 경유하여 제1 노드에 충전되고, 기준전압(Vref)이 제2 트랜지스터(T2)를 경유하여 제2 노드에 충전될 수 있다. 이에 따라 제3 트랜지스터(T3)의 구동 전류가 유기발광 소자(OLED)로 제공될 수 있다.The first and second scan signals S1 and S2 may be applied at a low level so that the first and second transistors T1 and T2 may be turned on. The source and the drain of the first and second transistors T1 and T2 are electrically short-circuited by turning on the first and second transistors T1 and T2, The charge data voltage Vpre may be charged to the first node via the first transistor T1 and the reference voltage Vref may be charged to the second node via the second transistor T2. Accordingly, the driving current of the third transistor T3 can be supplied to the organic light emitting diode OLED.

제2 구간동안 상기 제1 노드는 제3 트랜지스터(T3)의 문턱 전압으로 방전될 수 있다. 이때 상기 제1 노드의 전압은 측정하고자 하는 센싱전압(Vs)이고, 상기 제2 구간동안 ADC가 제1 노드의 센싱전압(Vs)을 센싱하여 디지털 값으로 변환하여 제어부로 전송하게 된다.During the second period, the first node may be discharged to the threshold voltage of the third transistor T3. In this case, the voltage of the first node is the sensing voltage Vs to be measured. During the second period, the ADC senses the sensing voltage Vs of the first node, converts the sensed voltage Vs to a digital value, and transmits the digital value to the controller.

상기 ADC는 내부적으로 고저항을 가지고 제1 노드의 전압을 추출하여 디지털 값으로 변환한 후 제어부로 전송할 수 있다. 상기 제2 구간에서도 제1 노드가 방전되더라도 ADC의 부하효과는 없다.The ADC internally has a high resistance and can extract the voltage of the first node, convert it into a digital value, and transmit it to the controller. Even if the first node is discharged in the second period, there is no load effect of the ADC.

도 6은 제2 구간에서의 파형에 의한 문턱전압과 이동도를 측정하기 위한 방법을 나타낸 도면이다.6 is a diagram illustrating a method for measuring a threshold voltage and a mobility by a waveform in a second section.

도 6에서 t0는 제1 구간에서 제2 구간으로 변화하는 시점을 나타내고, t1은 제3 트랜지스터의 방전중의 임의의 시간을 나타내고 t3는 방전이 종료되었을 때의 시간을 나타낸다. 또한, Vs0은 t0에서의 센싱 전압의 크기를 나타내고, Vs1는 t1에서의 센싱 전압의 크기를 나타내고 Vs2는 t2에서의 센싱 전압의 크기를 나타낸다.In FIG. 6, t0 represents a time point from a first period to a second period, t1 represents an arbitrary time during the discharge of the third transistor, and t3 represents a time when the discharge is completed. Also, Vs0 represents the magnitude of the sensing voltage at t0, Vs1 represents the magnitude of the sensing voltage at t1, and Vs2 represents the magnitude of the sensing voltage at t2.

Figure 112011077428891-pat00001
Figure 112011077428891-pat00001

Figure 112011077428891-pat00002
Figure 112011077428891-pat00002

상기 수학식 1 및 수학식 2는 상기 제3 트랜지스터에 흐르는 전류에 관계된 식이다. 상기 수학식 1 및 수학식 2를 정리하면Equations (1) and (2) relate to the current flowing in the third transistor. The above equations (1) and (2) are summarized

Figure 112011077428891-pat00003
Figure 112011077428891-pat00003

상기 수학식 3을 시간에 대하여 적분하면When the above equation (3) is integrated with respect to time

Figure 112011077428891-pat00004
Figure 112011077428891-pat00004

상기 수학식 4를 계산하고 정리하면, By calculating and summarizing Equation (4) above,

Figure 112011077428891-pat00005
Figure 112011077428891-pat00005

상기 수학식 5에서 Vg=Vref이다. 여기서 VPRE는 데이터 라인에 인가되는 프리차지 데이터 전압이고, C는 전하량, T는 검출 시간이 될 수 있다. C과 T는 전류 검출식에서 유도될 수 있다. In Equation (5), Vg = Vref. Where V PRE is the precharge data voltage applied to the data line, C is the amount of charge, and T is the detection time. C and T can be derived from the current detection equation.

Figure 112011077428891-pat00006
Figure 112011077428891-pat00006

상기 수학식 6이 최종적으로 유도된다.(6) is finally derived.

상기 도 6에서 t1에서의 센싱전압은 Vt1이고, t0에서의 센싱전압은 Vpre이며, t2에서의 센싱전압은 Vref와 Vth의 합으로 나타나고 따라서 Vth=Vs2-Vref를 만족한다.In FIG. 6, the sensing voltage at t1 is Vt1, the sensing voltage at t0 is Vpre, and the sensing voltage at t2 is the sum of Vref and Vth, thus satisfying Vth = Vs2-Vref.

상기의 값을 상기 수학식 6에 대입하면,Substituting the above values into Equation (6)

Figure 112011077428891-pat00007
Figure 112011077428891-pat00007

상기 수학식 7로 정리되며, 상기 t2에서의 센싱전압(Vs2) 및 기준전압(Vref)을 통해 문턱전압(Vth)를 측정할 수 있다.(7), and the threshold voltage (Vth) can be measured through the sensing voltage (Vs2) and the reference voltage (Vref) at the time t2.

상기 수학식 7로부터 K' 및 C는 소자수치에 해당하므로 t1에서의 센싱전압(Vs1) 및 t2에서의 센싱전압(Vs2)을 알면 이동도(μ)를 구할 수 있다.From Equation (7), K 'and C correspond to the device values, so that the mobility (μ) can be obtained by knowing the sensing voltage (Vs1) at t1 and the sensing voltage (Vs2) at t2.

상기한 방법으로 문턱 전압(Vth) 및 이동도(μ)를 측정할 수 있어, 화소 영역의 회로구조가 간소화되고, 측정방법이 간소화되고 측정시간이 단축됨으로써 측정된 값으로 문턱전압(Vth) 및 이동도(μ)를 보상할 수 있어 균일한 휘도를 확보하여 화상품질을 향상시키는 효과가 있다.The threshold voltage Vth and the mobility can be measured by the above-described method, the circuit structure of the pixel region is simplified, the measuring method is simplified, and the measuring time is shortened, It is possible to compensate the mobility μ, thereby ensuring a uniform luminance and improving the image quality.

다시 말해, 한 번의 전압인가 및 방전으로 상기 문턱 전압(Vth) 및 이동도(μ)의 측정이 가능하여 화상품질 향상의 효과가 있다.
In other words, it is possible to measure the threshold voltage (Vth) and the mobility (μ) by one voltage application and discharge, thereby improving the image quality.

10: 유기발광 패널 30: 제어부
40: 스캔드라이버 50: 데이터 드라이버
51: 선택수단 VDD,VSS: 전원전압
S1,S2: 스캔신호 Vpre: 프리차지 데이터 전압
Dpre: 프리차지 데이터 신호 T1 내지 T3: 트랜지스터
OLED: 유기발광소자 Vref: 기준전압
Vs: 센싱 전압 Vth: 문턱전압(threshold voltage) μ: 이동도(mobility) Vsync: 수직동기신호
Hsync: 수평동기신호 Enable: 이네이블 신호
RGB: 제1 영상 신호 R'G'B': 제2 영상 신호
SCS: 스캔 제어신호 DCS: 데이터 제어신호
Sel: 선택 신호 Sensing: 센싱 신호
P1 내지 P3: 시간 구간
10: organic light emitting panel 30:
40: scan driver 50: data driver
51: selection means VDD, VSS: power supply voltage
S1, S2: scan signal Vpre: precharge data voltage
Dpre: precharge data signal T1 to T3: transistor
OLED: organic light emitting element Vref: reference voltage
Vs: sensing voltage Vth: threshold voltage μ: mobility Vsync: vertical synchronization signal
Hsync: Horizontal sync signal Enable: Enable signal
RGB: first video signal R'G'B ': second video signal
SCS: scan control signal DCS: data control signal
Sel: Selection signal Sensing: Sensing signal
P1 to P3: time interval

Claims (11)

화소 영역의 데이터 라인과는 병렬 구조로 상기 데이터 라인과 접지단 사이에 접속된 부하 캐패시터에 상기 데이터 라인을 통해 프리차지 전압을 공급함으로써, 상기 부하 캐패시터에 프리차지 데이터 전압을 충전시키는 단계;
상기 부하 캐패시터에 충전된 프리차지 데이터 전압을 상기 데이터 라인 및 스위칭 트랜지스터를 통해서 구동 트랜지스터가 연결된 제1 노드로 방전시키는 단계;
상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압으로 방전되는 상기 제1 노드의 전압값을 측정하는 단계;
상기 측정된 전압값으로 상기 구동 트랜지스터의 특성을 계산하는 단계; 및
상기 제1 노드에 접속된 스토리지 캐패시터에 의해 상기 제1 노드에 공급되는 데이터 전압이 충방전되도록 하는 단계를 포함하는 유기발광 표시장치의 트랜지스터 특성 측정방법.
Charging a precharge voltage to the load capacitor by supplying a precharge voltage through the data line to a load capacitor connected between the data line and the ground in a parallel structure with the data line in the pixel region;
Discharging the precharge data voltage charged in the load capacitor to the first node through which the driving transistor is connected through the data line and the switching transistor;
Measuring a voltage value of the first node to be discharged to a threshold voltage of the driving transistor;
Calculating a characteristic of the driving transistor with the measured voltage value; And
And charging and discharging a data voltage supplied to the first node by a storage capacitor connected to the first node.
제1항에 있어서,
상기 데이터 라인은 데이터 드라이버와 연결되고,
상기 데이터 드라이버는,
상기 프리차지 데이터 전압을 인가하는 DAC;
상기 방전되는 전압값을 센싱하는 ADC; 및
상기 데이터 라인이 상기 DAC 또는 ADC에 선택적으로 연결되도록 스위칭 제어하는 선택수단을 포함하는 유기발광 표시장치의 트랜지스터 특성 측정방법.
The method according to claim 1,
The data line is connected to a data driver,
The data driver includes:
A DAC for applying the precharge data voltage;
An ADC for sensing a voltage value to be discharged; And
And selection means for switching the data line to be selectively connected to the DAC or the ADC.
제1항에 있어서,
상기 계산되는 구동 트랜지스터의 특성은 상기 문턱 전압 및 이동도인 유기발광 표시장치의 트랜지스터 특성 측정방법.
The method according to claim 1,
Wherein the characteristics of the driving transistor to be calculated are the threshold voltage and the mobility.
제1항에 있어서,
상기 구동 트랜지스터로의 방전 후 센싱되는 전압값으로 상기 문턱 전압을 계산하는 유기발광 표시장치의 트랜지스터 특성 측정방법.
The method according to claim 1,
And calculating the threshold voltage with a voltage value sensed after discharging to the driving transistor.
제1항에 있어서,
상기 방전단계에서의 두 번의 센싱을 통해 이동도를 계산하는 유기발광 표시장치의 트랜지스터 특성 측정방법.
The method according to claim 1,
Wherein the mobility is calculated through two sensing operations in the discharging step.
제5항에 있어서,
상기 방전단계에서의 센싱은 방전 중의 임의의 시점에서의 전압 값 센싱 및 방전 후의 전압 값 센싱인 유기발광 표시장치의 트랜지스터 특성측정방법.
6. The method of claim 5,
Wherein the sensing in the discharging step is voltage value sensing at an arbitrary point in time during discharge and voltage value sensing after discharging.
제4항에 있어서,
상기 문턱 전압은 방전 후의 전압과 기준전압의 차로 측정하는 유기발광 표시장치의 트랜지스터 특성 측정방법.
5. The method of claim 4,
Wherein the threshold voltage is measured by a difference between a voltage after discharge and a reference voltage.
제6항에 있어서,
상기 이동도는
Figure 112018067429012-pat00008
,
Figure 112018067429012-pat00009
, 방전중의 임의의 시점에서의 전압(Vs1) 및 방전후의 전압(Vs2)로 계산되며, 여기서 VPRE는 데이터 라인에 인가되는 프리차지 데이터 전압이고, C는 전하량, T는 검출 시간인,
유기발광 표시장치의 트랜지스터 특성 측정방법.
The method according to claim 6,
The mobility
Figure 112018067429012-pat00008
,
Figure 112018067429012-pat00009
Where V PRE is a precharge data voltage applied to a data line, C is a charge amount, T is a detection time, and V is a precharge voltage applied to the data line.
Method of measuring transistor characteristics of an organic light emitting display.
제2항에 있어서,
상기 DAC는 프리차지 데이터 신호로부터 프리차지 데이터 전압을 생성하고,
상기 ADC는 방전되는 전압을 센싱하여 센싱 신호를 생성하는 발광 표시장치의 트랜지스터 특성 측정방법.
3. The method of claim 2,
The DAC generates a precharge data voltage from the precharge data signal,
Wherein the ADC generates a sensing signal by sensing a voltage to be discharged.
제9항에 있어서,
상기 DAC 및 상기 ADC와 전기적으로 연결되어 상기 DAC를 통해서는 상기 프리차지 데이터 신호를 출력하고, 상기 ADC를 통해서는 센싱 신호를 받는 제어부를 더 포함하는 발광 표시장치의 트랜지스터 특성 측정방법.
10. The method of claim 9,
And a control unit electrically connected to the DAC and the ADC to output the precharge data signal through the DAC and receive a sensing signal through the ADC.
제10항에 있어서,
상기 제어부는 상기 센싱된 값으로부터 문턱전압 및 이동도를 계산하는 발광 표시장치의 트랜지스터 특성 측정방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the controller calculates a threshold voltage and a mobility from the sensed value.
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