KR101922603B1 - 발광 장치, 조명 장치, 기판, 기판의 제작 방법 - Google Patents
발광 장치, 조명 장치, 기판, 기판의 제작 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101922603B1 KR101922603B1 KR1020120017941A KR20120017941A KR101922603B1 KR 101922603 B1 KR101922603 B1 KR 101922603B1 KR 1020120017941 A KR1020120017941 A KR 1020120017941A KR 20120017941 A KR20120017941 A KR 20120017941A KR 101922603 B1 KR101922603 B1 KR 101922603B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- resin layer
- layer
- emitting region
- concavo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 120
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 29
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 352
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 205
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 205
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 99
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 23
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 19
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 14
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims 7
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 abstract description 35
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 101
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 94
- -1 so that moisture Substances 0.000 description 41
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 23
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 19
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 18
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 18
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 18
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 17
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 10
- AZFHXIBNMPIGOD-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxypent-3-en-2-one iridium Chemical compound [Ir].CC(O)=CC(C)=O.CC(O)=CC(C)=O.CC(O)=CC(C)=O AZFHXIBNMPIGOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 9
- MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N iridium(3+) Chemical compound [Ir+3] MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 7
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 7
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 7
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 7
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 7
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 7
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 7
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 7
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 7
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 6
- 241001649081 Dina Species 0.000 description 5
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 5
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 5
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 5
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 5
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 4
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 4
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 4
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 3
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 3
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 1-n-[4-[4-(n-[4-(3-methyl-n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-4-n,4-n-bis(3-methylphenyl)-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001255 4-fluorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1F 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 2
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- KZPXREABEBSAQM-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene;nickel(2+) Chemical compound [Ni+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KZPXREABEBSAQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 2
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 2
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N naphthalenetetracarboxylic dianhydride Chemical compound C1=CC(C(=O)OC2=O)=C3C2=CC=C2C(=O)OC(=O)C1=C32 YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FPOBXNYAWLLCGZ-UHFFFAOYSA-N nickel(2+);1,2,3,4,5-pentamethylcyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Ni+2].CC=1C(C)=C(C)[C-](C)C=1C.CC=1C(C)=C(C)[C-](C)C=1C FPOBXNYAWLLCGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N oxorhenium Chemical compound [Re]=O DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N oxyvanadium phthalocyanine Chemical compound [V+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N pigment red 224 Chemical compound C=12C3=CC=C(C(OC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C4=CC=C3C1=C42 CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- LYKXFSYCKWNWEZ-UHFFFAOYSA-N pyrazino[2,3-f][1,10]phenanthroline-2,3-dicarbonitrile Chemical compound N1=CC=CC2=C(N=C(C(C#N)=N3)C#N)C3=C(C=CC=N3)C3=C21 LYKXFSYCKWNWEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910003449 rhenium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C\C(O)=C\C(C)=O.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N 0.000 description 1
- ZLGVZKQXZYQJSM-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 ZLGVZKQXZYQJSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YQDSXDPQYUXRDP-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triphenylpyrazole Chemical compound C=1C(C=2C=CC=CC=2)=NN(C=2C=CC=CC=2)C=1C1=CC=CC=C1 YQDSXDPQYUXRDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDMYKJVSQIHZLM-UHFFFAOYSA-N 1-[3,5-di(pyren-1-yl)phenyl]pyrene Chemical compound C1=CC(C=2C=C(C=C(C=2)C=2C3=CC=C4C=CC=C5C=CC(C3=C54)=CC=2)C=2C3=CC=C4C=CC=C5C=CC(C3=C54)=CC=2)=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 HDMYKJVSQIHZLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOYZGLGJSAZOAG-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,4-n-triphenyl-4-n-[4-[4-(n-[4-(n-phenylanilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 XOYZGLGJSAZOAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCQFHFNWMCLWKC-UHFFFAOYSA-N 1-n,4-n,4-n-triphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C=1C=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 OCQFHFNWMCLWKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPCWDYWZIWDTCV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylisoquinoline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 LPCWDYWZIWDTCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UVAMFBJPMUMURT-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,5,6-pentafluorobenzenethiol Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(S)C(F)=C1F UVAMFBJPMUMURT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNMOGRHKHSTXNF-UHFFFAOYSA-N 2,3,5-triphenyl-1H-pyrazine-2-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=C(C=C1)C2=CNC(C(=N2)C3=CC=CC=C3)(C4=CC=CC=C4)C(=O)O DNMOGRHKHSTXNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOWLPGTVRWFLCX-UHFFFAOYSA-N 2,3,6,7-tetramethyl-9,10-dinaphthalen-1-ylanthracene Chemical compound C1=CC=C2C(C=3C4=CC(C)=C(C)C=C4C(C=4C5=CC=CC=C5C=CC=4)=C4C=C(C(=CC4=3)C)C)=CC=CC2=C1 OOWLPGTVRWFLCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEBPFDQAOYARIB-UHFFFAOYSA-N 2,3,6,7-tetramethyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C=3C4=CC(C)=C(C)C=C4C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)=C4C=C(C(=CC4=3)C)C)=CC=C21 JEBPFDQAOYARIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTOCEJPHYKUUAZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-bis(4-fluorophenyl)pyrido[2,3-b]pyrazine Chemical compound C1=CC(F)=CC=C1C1=NC2=CC=CN=C2N=C1C1=CC=C(F)C=C1 NTOCEJPHYKUUAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBAXWBRRSJYIIW-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylpyrido[2,3-b]pyrazine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CN=C2N=C1C1=CC=CC=C1 RBAXWBRRSJYIIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11-tetratert-butylperylene Chemical group CC(C)(C)C1=CC(C2=CC(C(C)(C)C)=CC=3C2=C2C=C(C=3)C(C)(C)C)=C3C2=CC(C(C)(C)C)=CC3=C1 BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-5-[3-[5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]phenyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)O1 FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 2-cyanoethenylideneazanide Chemical group [N-]=C=[C+]C#N POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHNCJLKIQIKFU-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-bis(2-naphthalen-1-ylphenyl)anthracene Chemical compound C1=CC=C2C(C3=CC=CC=C3C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C(=CC=CC=4)C=4C5=CC=CC=C5C=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=CC2=C1 IBHNCJLKIQIKFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONMVVYFKZFORGI-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-dinaphthalen-1-ylanthracene Chemical compound C1=CC=C2C(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C5=CC=CC=C5C=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=CC2=C1 ONMVVYFKZFORGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=C21 OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULPMPUPEFBDQQA-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethyl-1-phenylpyrazole Chemical compound N1=C(C)C=C(C)N1C1=CC=CC=C1 ULPMPUPEFBDQQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRTDQSRHHHDWSQ-UHFFFAOYSA-N 3,6-diphenyl-9-[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=2C3=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C3=C1 GRTDQSRHHHDWSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVMBOHMLKCZFFW-UHFFFAOYSA-N 3-N,6-N,9-triphenyl-3-N,6-N-bis(9-phenylcarbazol-3-yl)carbazole-3,6-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3=CC(=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=2)C3=C1 TVMBOHMLKCZFFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KROKPRXHVSGBQB-UHFFFAOYSA-N 3-phenyl-9-[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=2C3=CC=CC=2)C3=C1 KROKPRXHVSGBQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGDCSNDMFFFSHY-UHFFFAOYSA-N 4-butyl-n,n-diphenylaniline Polymers C1=CC(CCCC)=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 LGDCSNDMFFFSHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004172 4-methoxyphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(OC([H])([H])[H])=C([H])C([H])=C1* 0.000 description 1
- KIYZNTXHGDXHQH-UHFFFAOYSA-N 5,12-diphenyl-6,11-bis(4-phenylphenyl)tetracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C3=C(C=4C=CC=CC=4)C4=CC=CC=C4C(C=4C=CC=CC=4)=C3C(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=C1 KIYZNTXHGDXHQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DYJYYNRBFJZNEO-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-1-phenyl-3-propan-2-ylpyrazole Chemical compound N1=C(C(C)C)C=C(C)N1C1=CC=CC=C1 DYJYYNRBFJZNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYGSHIPXFUQBJO-UHFFFAOYSA-N 5-n,5-n,11-n,11-n-tetrakis(4-methylphenyl)tetracene-5,11-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C2=CC3=CC=CC=C3C(N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=C2C=C2C=CC=CC2=1)C1=CC=C(C)C=C1 TYGSHIPXFUQBJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQNMSKCVXVXEJT-UHFFFAOYSA-N 7,14,25,32-tetrazaundecacyclo[21.13.2.22,5.03,19.04,16.06,14.08,13.020,37.024,32.026,31.034,38]tetraconta-1(36),2,4,6,8,10,12,16,18,20(37),21,23(38),24,26,28,30,34,39-octadecaene-15,33-dione 7,14,25,32-tetrazaundecacyclo[21.13.2.22,5.03,19.04,16.06,14.08,13.020,37.025,33.026,31.034,38]tetraconta-1(37),2,4,6,8,10,12,16,18,20,22,26,28,30,32,34(38),35,39-octadecaene-15,24-dione Chemical compound O=c1c2ccc3c4ccc5c6nc7ccccc7n6c(=O)c6ccc(c7ccc(c8nc9ccccc9n18)c2c37)c4c56.O=c1c2ccc3c4ccc5c6c(ccc(c7ccc(c8nc9ccccc9n18)c2c37)c46)c1nc2ccccc2n1c5=O XQNMSKCVXVXEJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKEZXXDRXPPROK-UHFFFAOYSA-N 9,10-bis(2-naphthalen-1-ylphenyl)anthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC=CC=C2C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 NKEZXXDRXPPROK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USIXUMGAHVBSHQ-UHFFFAOYSA-N 9,10-bis(3,5-diphenylphenyl)anthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC(C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=C(C=C(C=3)C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)=C1 USIXUMGAHVBSHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULYOATJQTYIRQV-UHFFFAOYSA-N 9,10-bis(octylcarbamoyl)perylene-3,4-dicarboxylic acid Chemical compound C=12C3=CC=C(C(O)=O)C2=C(C(O)=O)C=CC=1C1=CC=C(C(=O)NCCCCCCCC)C2=C1C3=CC=C2C(=O)NCCCCCCCC ULYOATJQTYIRQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BITWULPDIGXQDL-UHFFFAOYSA-N 9,10-bis[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]anthracene Chemical compound C=1C=C(C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=CC(C=C(C=4C=CC=CC=4)C=4C=CC=CC=4)=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 BITWULPDIGXQDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXACYPFGPNTUNV-UHFFFAOYSA-N 9,9-dioctylfluorene Chemical compound C1=CC=C2C(CCCCCCCC)(CCCCCCCC)C3=CC=CC=C3C2=C1 RXACYPFGPNTUNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMFWPCTUTSVMLQ-UHFFFAOYSA-N 9-N,9-N,21-N,21-N-tetrakis(4-methylphenyl)-4,15-diphenylheptacyclo[12.10.1.13,7.02,12.018,25.019,24.011,26]hexacosa-1,3,5,7,9,11(26),12,14,16,18(25),19(24),20,22-tridecaene-9,21-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=C2C(C=3[C]4C5=C(C=6C=CC=CC=6)C=CC6=CC(=CC([C]56)=C4C=C4C(C=5C=CC=CC=5)=CC=C2C=34)N(C=2C=CC(C)=CC=2)C=2C=CC(C)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 SMFWPCTUTSVMLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQVFZEYHQJJGPD-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 UQVFZEYHQJJGPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HOGUGXVETSOMRE-UHFFFAOYSA-N 9-[4-[2-(4-phenanthren-9-ylphenyl)ethenyl]phenyl]phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C(C3=CC=C(C=C3)C=CC=3C=CC(=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C4C=3)=CC3=CC=CC=C3C2=C1 HOGUGXVETSOMRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWSVEGKGLOHGIQ-UHFFFAOYSA-N 9-[4-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)-2,3,5,6-tetraphenylphenyl]phenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C(=C(C=1C=CC=CC=1)C(C=1C=CC=CC=1)=C1C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=C1C1=CC=CC=C1 ZWSVEGKGLOHGIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXGIRTCIFPJUEQ-UHFFFAOYSA-N 9-anthracen-9-ylanthracene Chemical group C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C(C=3C4=CC=CC=C4C=C4C=CC=CC4=3)=C21 SXGIRTCIFPJUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPXHQNDSEJKZDH-UHFFFAOYSA-N C(=C)=C1C(=CC=CC1)C1=CC=CC=C1 Chemical group C(=C)=C1C(=CC=CC1)C1=CC=CC=C1 BPXHQNDSEJKZDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAKZVHCZSOLJMT-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)(C)C1(C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC12)(C1=CC=C(C=C1)C1=CC=CC=C1)C(C)(C)C)C1=CC=C(C=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C(C)(C)(C)C1(C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC12)(C1=CC=C(C=C1)C1=CC=CC=C1)C(C)(C)C)C1=CC=C(C=C1)C1=CC=CC=C1 ZAKZVHCZSOLJMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZKHISQHQYQCSJE-UHFFFAOYSA-N C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C(C=C(C=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C(C=C(C=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ZKHISQHQYQCSJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRMIRXFSFLLWLO-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C)C(C1=C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)C2=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C1C=C1)=C1C1=CC2=CC=CC=C2C=C1 Chemical compound CC(C)(C)C(C1=C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)C2=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C1C=C1)=C1C1=CC2=CC=CC=C2C=C1 QRMIRXFSFLLWLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBESAWXVFSVQEH-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C)C(C=CC=C1)=C1C(C=C1)=C(C2=NC(C=CC=C3)=C3N2C2=CC=CC=C2)C(C2=NC(C=CC=C3)=C3N2C2=CC=CC=C2)=C1C1=NC(C=CC=C2)=C2N1C1=CC=CC=C1 Chemical compound CC(C)(C)C(C=CC=C1)=C1C(C=C1)=C(C2=NC(C=CC=C3)=C3N2C2=CC=CC=C2)C(C2=NC(C=CC=C3)=C3N2C2=CC=CC=C2)=C1C1=NC(C=CC=C2)=C2N1C1=CC=CC=C1 YBESAWXVFSVQEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKVRKPPHKUKZJA-UHFFFAOYSA-N N-phenyl-3-(N-(9-phenylcarbazol-3-yl)anilino)carbazole-9-carboxamide Chemical compound C1(=CC=CC=C1)NC(=O)N1C2=CC=CC=C2C=2C=C(C=CC12)N(C1=CC=CC=C1)C=1C=CC=2N(C3=CC=CC=C3C2C1)C1=CC=CC=C1 JKVRKPPHKUKZJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBKYFASVJPZWLI-UHFFFAOYSA-N [Pt+2].N1C(C=C2C(=C(CC)C(C=C3C(=C(CC)C(=C4)N3)CC)=N2)CC)=C(CC)C(CC)=C1C=C1C(CC)=C(CC)C4=N1 Chemical compound [Pt+2].N1C(C=C2C(=C(CC)C(C=C3C(=C(CC)C(=C4)N3)CC)=N2)CC)=C(CC)C(CC)=C1C=C1C(CC)=C(CC)C4=N1 GBKYFASVJPZWLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUFKFXIFMLKZTD-UHFFFAOYSA-N [Tb+3].N1=CC=CC2=CC=C3C=CC=NC3=C12 Chemical compound [Tb+3].N1=CC=CC2=CC=C3C=CC=NC3=C12 SUFKFXIFMLKZTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SORGEQQSQGNZFI-UHFFFAOYSA-N [azido(phenoxy)phosphoryl]oxybenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1OP(=O)(N=[N+]=[N-])OC1=CC=CC=C1 SORGEQQSQGNZFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical group C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005872 benzooxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- MPMSMUBQXQALQI-UHFFFAOYSA-N cobalt phthalocyanine Chemical compound [Co+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 MPMSMUBQXQALQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNDJVIYUJOJFSO-UHFFFAOYSA-N cyanoacetylene Chemical group C#CC#N LNDJVIYUJOJFSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- NZZFYRREKKOMAT-UHFFFAOYSA-N diiodomethane Chemical compound ICI NZZFYRREKKOMAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- RRXYBJYIUHTJTO-UHFFFAOYSA-N europium;1,10-phenanthroline Chemical compound [Eu].C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 RRXYBJYIUHTJTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K iridium(3+) pyridine-2-carboxylate Chemical compound [Ir+3].[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1 AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N methacrylamide Chemical compound CC(=C)C(N)=O FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- BBNZOXKLBAWRSH-UHFFFAOYSA-N n,9-diphenyl-n-[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]carbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=C1 BBNZOXKLBAWRSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NCCYEOZLSGJEDF-UHFFFAOYSA-N n,n,9-triphenyl-10h-anthracen-9-amine Chemical compound C12=CC=CC=C2CC2=CC=CC=C2C1(C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NCCYEOZLSGJEDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAWQWMLNBYNXJX-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-9-[4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl]carbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C(C=4C=CC=CC=4)=C4C=CC=CC4=3)C2=CC=1)C1=CC=CC=C1 XAWQWMLNBYNXJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJNJGJDDJIBTBP-UHFFFAOYSA-N n-(9,10-diphenylanthracen-2-yl)-n,9-diphenylcarbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=2)C3=C1 AJNJGJDDJIBTBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMFJAHHVKNCGLG-UHFFFAOYSA-N n-Nitrosodimethylamine Chemical compound CN(C)N=O UMFJAHHVKNCGLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZYZZKOUCVXTOJ-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-(9,9-dimethylfluoren-2-yl)anilino)phenyl]phenyl]-9,9-dimethyl-n-phenylfluoren-2-amine Chemical group C1=C2C(C)(C)C3=CC=CC=C3C2=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C(C)(C)C3=CC=CC=C3C2=CC=1)C1=CC=CC=C1 VZYZZKOUCVXTOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUGSVDXBPQUXKX-UHFFFAOYSA-N n-[9,10-bis(2-phenylphenyl)anthracen-2-yl]-n,9-diphenylcarbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=C(C=3C(=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=2)C3=C1 KUGSVDXBPQUXKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COVCYOMDZRYBNM-UHFFFAOYSA-N n-naphthalen-1-yl-9-phenyl-n-(9-phenylcarbazol-3-yl)carbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=C(N(C=3C=C4C5=CC=CC=C5N(C=5C=CC=CC=5)C4=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C=C2C2=CC=CC=C21 COVCYOMDZRYBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- NGSMDHYQABJENH-UHFFFAOYSA-N oxovanadium(2+) 6,15,24,33-tetraphenoxy-2,11,20,29,37,39-hexaza-38,40-diazanidanonacyclo[28.6.1.13,10.112,19.121,28.04,9.013,18.022,27.031,36]tetraconta-1,3,5,7,9,11,13(18),14,16,19(39),20,22(27),23,25,28,30(37),31(36),32,34-nonadecaene Chemical compound [V+2]=O.C=1C=C2C(N=C3[N-]C(C4=CC=C(OC=5C=CC=CC=5)C=C43)=NC3=NC(C4=CC=C(OC=5C=CC=CC=5)C=C43)=NC=3[N-]C(=C4C=CC(OC=5C=CC=CC=5)=CC4=3)N=3)=NC=3C2=CC=1OC1=CC=CC=C1 NGSMDHYQABJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZVQGIPHTOBHAF-UHFFFAOYSA-N perfluoropentacene Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(F)C2=C(F)C3=C(F)C4=C(F)C5=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C5C(F)=C4C(F)=C3C(F)=C21 AZVQGIPHTOBHAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000078 poly(4-vinyltriphenylamine) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- VLRICFVOGGIMKK-UHFFFAOYSA-N pyrazol-1-yloxyboronic acid Chemical compound OB(O)ON1C=CC=N1 VLRICFVOGGIMKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 150000002909 rare earth metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000000000 tetracarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N tetrachloro-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(Cl)=C(Cl)C1=O UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000003553 thiiranes Chemical class 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- LLVONELOQJAYBZ-UHFFFAOYSA-N tin(ii) phthalocyanine Chemical compound N1=C(C2=CC=CC=C2C2=NC=3C4=CC=CC=C4C(=N4)N=3)N2[Sn]N2C4=C(C=CC=C3)C3=C2N=C2C3=CC=CC=C3C1=N2 LLVONELOQJAYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- QGJSAGBHFTXOTM-UHFFFAOYSA-K trifluoroerbium Chemical compound F[Er](F)F QGJSAGBHFTXOTM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
- B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
- B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/7684—Smoothing; Planarisation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24273—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including aperture
- Y10T428/24322—Composite web or sheet
- Y10T428/24331—Composite web or sheet including nonapertured component
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은, 유기 EL 소자로부터의 광 추출 효율이 높고 경량이며 신뢰성이 높은 기판을 제공한다.
수지층 내부에 보호층을 갖고, 광 입사면에 요철 구조를 갖고, 상기 요철 구조를 둘러싸며 보호층이 노출된 개구부가 제공된 기판을 제공한다. 또한, 광 입사면에 요철 구조를 구비한 수지층을 보호층 위에 갖고, 보호층과 대향 기판이 씰재로 접합된 내부에 발광 소자를 갖고, 보호층 및 수지층은 가시광에 대한 투광성을 갖고, 발광 소자는 수지층 위에 제공되며 투광성을 갖는 제 1 전극과, 제 1 전극 위에 제공되며 발광성 유기 화합물을 함유한 층과, 발광성 유기 화합물을 함유한 층 위에 제공된 제 2 전극을 갖는, 발광 장치를 제공한다.
수지층 내부에 보호층을 갖고, 광 입사면에 요철 구조를 갖고, 상기 요철 구조를 둘러싸며 보호층이 노출된 개구부가 제공된 기판을 제공한다. 또한, 광 입사면에 요철 구조를 구비한 수지층을 보호층 위에 갖고, 보호층과 대향 기판이 씰재로 접합된 내부에 발광 소자를 갖고, 보호층 및 수지층은 가시광에 대한 투광성을 갖고, 발광 소자는 수지층 위에 제공되며 투광성을 갖는 제 1 전극과, 제 1 전극 위에 제공되며 발광성 유기 화합물을 함유한 층과, 발광성 유기 화합물을 함유한 층 위에 제공된 제 2 전극을 갖는, 발광 장치를 제공한다.
Description
본 발명은 유기 일렉트로루미네선스(EL: Electro Luminescence) 현상을 이용한 발광 소자(이하, 유기 EL 소자라고도 기재함)을 구비한 발광 장치에 관한 것이다. 또한, 상기 발광 장치에 사용하는 기판에 관한 것이다.
유기 EL 소자의 연구 개발이 활발히 진행되고 있다. 유기 EL 소자의 기본적인 구성은 한 쌍의 전극 간에 발광성 유기 화합물을 함유한 층(이하, 발광층이라고도 함)이 끼워진 것이다. 이 소자에 전압을 인가함으로써 발광성 유기 화합물로부터의 발광을 얻을 수 있다.
유기 EL 소자는 막 형상으로 형성할 수 있으므로 대면적화가 용이하며 조명 등에 응용할 수 있는 면 광원으로서의 이용 가치도 높다.
유기 EL 소자는 대기보다 굴절률이 높은 영역에서 발광하기 때문에, 광을 대기 중으로 추출할 때에 소자 내, 또는 소자와 대기의 경계 면에서 전반사가 일어날 조건이 있으며 소자의 광 추출 효율은 100%보다 작다는 문제가 있다. 일반적으로는, 소자의 광 추출 효율은 20% 내지 30% 정도라고 한다.
특허문헌 1에는 투명 전극과 투명 기판 사이에 발광층으로부터 방출된 광을 굴절시키기 위한 렌즈가 매설된 광 추출층을 배치한 EL 디바이스의 구성이 개시되어 있다. 이러한 구성으로 함으로써 투명 전극과 투명 기판의 계면에서의 전반사로 인한 광 추출 효율의 저하를 억제할 수 있다.
또한, 비특허문헌 1에는 플라스틱 기판 위에 유기 EL 소자를 제공한 발광 장치가 개시되어 있다. 기판에 플라스틱을 사용하면, 유리 등을 사용한 경우와 비교하여 발광 장치를 경량화할 수 있다.
Gi Heon Kim 외, "THIN FILM PASSIVATION FOR LONGEVITY OF ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICES AND ORGANIC", IDW'03, 2003년, p. 387-390
유기 EL 소자는 침입한 불순물로 인하여 신뢰성이 손상(예를 들어, 발광 효율의 저하 등)된다는 과제가 있다.
수분 또는 불순물이 유기 EL 소자의 외부로부터 유기 EL 소자에 함유된 유기 화합물이나 금속 재료에 침입함으로써 유기 EL 소자의 수명은 대폭으로 저하될 경우가 있다. 이것은 유기 EL 소자에 사용하는 유기 화합물, 금속 재료가 수분이나 불순물과 반응하여 열화되기 때문이다.
비특허문헌 1에서 사용된 것과 같은 플라스틱 기판은 수분이나 불순물을 투과시키기 쉽다. 따라서, 플라스틱 기판이 사용된 측으로부터의 외계의 수분이나 산소, 불순물 등의 침입이 유기 EL 소자나 발광 장치의 수명에 악영향을 미칠 수 있다.
그러므로, 본 발명의 일 형태는 유기 EL 소자로부터의 광 추출 효율이 높고 경량이며 신뢰성이 높은 기판을 제공하는 것을 목적 중 하나로 한다. 또한, 상기 기판의 제작 방법을 제공하는 것을 목적 중 하나로 한다.
또한, 유기 EL 소자로부터의 광 추출 효율이 높고 경량이며 신뢰성이 높은 발광 장치, 또는 조명 장치를 제공하는 것을 목적 중 하나로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 형태에서는 수지와 배리어성이 높은 재료를 조합한 기판을 발광 장치에 사용한다.
구체적으로는, 본 발명의 일 형태는 광 입사면에 요철 구조를 구비한 수지층을 보호층 위에 갖고, 보호층과 대향 기판이 씰재로 접합된 내부에 발광 소자를 갖고, 보호층 및 수지층은 가시광에 대한 투광성(이하, 단순히 투광성이라고 기재함)을 갖고, 발광 소자는 수지층 위에 제공되며 투광성을 갖는 제 1 전극과, 제 1 전극 위에 제공되며 발광성 유기 화합물을 함유한 층(발광층이라고도 기재함)과, 발광성 유기 화합물을 함유한 층 위에 제공된 제 2 전극을 갖는, 발광 장치이다.
본 발명의 일 형태에서는 기판(수지층 및 보호층을 포함함)에 수지 재료를 사용하므로, 같은 크기와 두께의 기판에 유리만을 사용한 경우와 비교하여 발광 장치를 경량화할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 형태에 의하여 가요성을 갖는 발광 장치를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 일 형태에서는 유기 EL 소자(제 1 전극)와 수지층 사이에 요철 구조를 갖는다. 이러한 구성으로 함으로써 제 1 전극과 수지층의 계면에서의 전반사로 인한 광 추출 효율의 저하를 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 형태에서는 보호층을 가지므로, 수분 또는 불순물 등이 발광 장치의 외부로부터 발광 소자에 함유된 유기 화합물이나 금속 재료에 침입하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 형태의 발광 장치는 보호층과, 대향 기판과, 씰재에 의하여 발광 소자를 밀폐하기 때문에, 발광 소자의 광 사출면 뿐만 아니라 측면에 있어서도 수분 또는 불순물 등이 발광 소자에 함유된 유기 화합물이나 금속 재료에 침입하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 신뢰성이 높은 발광 장치를 얻을 수 있다.
또한, 본 명세서 중에 있어서 어느 층의 광 입사면 또는 광 사출면이란, 본 발명의 일 형태의 발광 장치가 구비하는 발광 소자가 발하는 광의 입사면 또는 사출면을 가리킨다.
본 발명의 다른 형태는, 제 1 수지층과, 제 1 수지층 위에 제공된 보호층과, 보호층 위에 제공된 제 2 수지층과, 보호층과 대향 기판이 씰재로 접합된 내부에 발광 소자를 갖고, 제 1 수지층, 보호층, 및 제 2 수지층은 투광성을 갖고, 제 1 수지층은 광 사출면에 제 1 요철 구조를 갖고, 제 2 수지층은 광 입사면에 제 2 요철 구조를 갖고, 발광 소자는 제 2 수지층 위에 제공되며 투광성을 갖는 제 1 전극과, 제 1 전극 위에 제공되며 발광성 유기 화합물을 함유한 층과, 발광성 유기 화합물을 함유한 층 위에 제공된 제 2 전극을 갖는, 발광 장치이다.
본 발명의 일 형태에서는 기판에 수지 재료를 사용하므로, 유리 기판을 사용한 경우와 비교하여 발광 장치를 경량화할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 형태에서는 유기 EL 소자(제 1 전극)와 제 2 수지층 사이에 요철 구조를 갖는다. 또한, 본 발명의 일 형태에서는 제 1 수지층과 대기의 계면에 요철 구조를 갖는다. 이러한 구성으로 함으로써 제 1 전극과 제 2 수지층의 계면, 및 제 1 수지층과 대기의 계면에서의 전반사로 인한 광 추출 효율의 저하를 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 형태에서는 보호층을 가지므로, 수분 또는 불순물 등이 발광 장치의 외부로부터 발광 소자에 함유된 유기 화합물이나 금속 재료에 침입하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 형태의 발광 장치는 보호층과, 대향 기판과, 씰재에 의하여 발광 소자를 밀폐하기 때문에, 발광 장치의 광 사출면 뿐만 아니라 측면에 있어서도 수분 또는 불순물 등이 발광 소자에 함유된 유기 화합물이나 금속 재료에 침입하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 신뢰성이 높은 발광 장치를 얻을 수 있다.
상기 발광 장치에 사용하는 유기 EL 소자에 있어서 제 1 전극이 요철을 가지면, 제 1 전극 위에 형성될 발광층 등에서 누설 전류가 발생될 우려가 있다. 따라서, 본 발명의 일 형태의 발광 장치는 수지층(또는 제 2 수지층) 위에 평탄화층을 제공하고, 상기 평탄화층 위에 발광 소자를 제공한다. 평탄화층의 굴절률은 1.6 이상으로 한다. 바람직하게는, 유기 EL 소자가 갖는 EL층(적어도 발광층을 포함함)의 굴절률 이상이다. 이러한 구성으로 함으로써 수지층(또는 제 2 수지층)이 구비하는 요철 구조에 의하여 제 1 전극 위에 요철이 형성되는 것을 억제할 수 있으며 발광층 등에서 누설 전류가 발생되는 것을 방지할 수도 있다.
또한, 유기 EL 소자와 평탄화층은 굴절률의 차이가 작으므로, 전반사가 일어나기 어렵다. 또한, 수지층(제 2 수지층)과 평탄화층의 계면에 요철 구조를 갖기 때문에, 수지층(제 2 수지층)과 평탄화층은 굴절률에 차이가 있어도 계면에서의 전반사로 인한 광 추출 효율의 저하를 억제할 수 있다.
상술한 바와 같은 수지와 배리어성이 높은 재료를 조합한 기판(수지층과 보호층을 구비한 기판)을 적용한 발광 장치의 일 형태에서는, 수지층에 사용하는 수지와 보호층에 사용하는 재료(예를 들어, 유리)의 밀착성이 낮은 경우가 예상된다.
따라서, 본 발명의 일 형태는 수지층 내부에 보호층을 갖고, 광 입사면에 요철 구조를 갖고, 상기 요철 구조를 둘러싸며 보호층이 노출된 개구부가 제공된 기판이다.
또한, 본 발명의 일 형태는 수지층 내부에 보호층을 갖고, 광 입사면에 제 1 요철 구조를 갖고, 광 입사면에 제 2 요철 구조를 갖고, 상기 제 2 요철 구조를 둘러싸며 보호층이 노출된 개구부가 제공된 기판이다.
상기 구성에서는 보호층이 수지층으로 덮이므로, 보호층과 수지층이 박리되기 어렵게 된다. 또한, 기판의 기계적 강도를 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 형태는 상기 기판과 유기 EL 소자를 갖는 발광 장치이며, 보호층과 대향 기판이 씰재로 접합된 내부에 발광 소자를 갖고, 발광 소자는 수지층 위에 제공되며 투광성을 갖는 제 1 전극과, 제 1 전극 위에 제공되며 발광성 유기 화합물을 함유한 층과, 발광성 유기 화합물을 함유한 층 위에 제공된 제 2 전극을 갖는 발광 장치이다.
본 발명의 일 형태에서는 수지층 내부에 보호층을 가지므로, 수분 또는 불순물 등이 발광 장치의 외부로부터 발광 소자에 함유된 유기 화합물이나 금속 재료에 침입하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 요철 구조를 둘러싸며 보호층이 노출된 개구부가 제공된다. 상기 개구부에 있어서 보호층과 대향 기판이 씰재에 의하여 접합됨으로써 발광 장치의 광 사출면 뿐만 아니라, 측면에 있어서도 수분 또는 불순물 등이 발광 소자에 함유된 유기 화합물이나 금속 재료에 침입하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 개구부 이외는 수지층이 보호층을 덮으므로, 보호층과 수지층의 밀착성이 높아 보호층에 사용하는 재료와의 밀착성이 낮은 수지를 적용할 수도 있게 된다. 또한, 이하에 나타내는 본 발명의 일 형태의 기판의 제작 방법을 적용함으로써 보호층과 수지층의 밀착성이 높은 기판을 간편하게 제작할 수 있다. 또한, 접착제 등을 적절히 사용하여도 좋다.
상기 발광 장치에 있어서 제 2 요철 구조 위에 평탄화층을 제공하고, 상기 평탄화층 위에 발광 소자를 제공하는 것이 바람직하다. 평탄화층의 굴절률은 1.6 이상으로 한다. 바람직하게는, 유기 EL 소자가 갖는 EL층의 굴절률 이상이다. 이러한 구성으로 함으로써 제 2 요철 구조에 의하여 제 1 전극 위에 요철이 형성되는 것을 억제할 수 있으며 발광층 등에서 누설 전류가 발생되는 것을 방지할 수도 있다.
또한, 유기 EL 소자와 평탄화층은 굴절률의 차이가 작으므로, 전반사가 일어나기 어렵다. 또한, 수지층과 평탄화층의 계면에 요철 구조를 갖기 때문에, 수지층과 평탄화층은 굴절률에 차이가 있어도 계면에서의 전반사로 인한 광 추출 효율의 저하를 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 형태는 제 1 금형 위에 제 1 수지층, 보호층, 및 제 2 수지층을 기술한 순서대로 형성하고, 제 2 수지층 위에 제 2 금형을 배치하고, 제 1 금형 및 제 2 금형으로 제 1 수지층, 보호층, 및 제 2 수지층을 협지(狹持)하면서 열 및 압력을 가하는, 상기 기판의 제작 방법이다.
또한, 본 발명의 일 형태는 제 1 금형 위에 제 1 수지층, 보호층, 및 제 2 수지층을 기술한 순서대로 형성하고, 제 2 수지층 위에 제 2 금형을 배치하고, 제 1 금형 및 제 2 금형으로 제 1 수지층, 보호층, 및 제 2 수지층을 협지하면서 열 및 압력을 가함으로써 내부에 보호층을 갖고 광 입사면에 요철 구조를 갖는 성형물을 제작하고, 성형물에 레이저 광을 조사함으로써 광 입사면에 요철 구조를 둘러싸며 보호층이 노출된 개구부를 형성하는, 기판의 제작 방법이다.
또한, 본 발명의 일 형태는 제 1 금형 위에 제 1 수지층, 보호층, 및 제 2 수지층을 기술한 순서대로 형성하고, 제 2 수지층 위에 제 2 금형을 배치하고, 제 1 금형 및 제 2 금형으로 제 1 수지층, 보호층, 및 제 2 수지층을 협지하면서 열 및 압력을 가함으로써 내부에 보호층을 갖고 광 사출면에 제 1 요철 구조를 갖고, 광 입사면에 제 2 요철 구조를 갖는 성형물을 제작하고, 성형물에 레이저 광을 조사함으로써 광 입사면에 제 2 요철 구조를 둘러싸며 보호층이 노출된 개구부를 형성하는, 기판의 제작 방법이다.
또한, 상기 기판의 제작 방법에 있어서 제 1 탄성재 위에 제 1 금형을 배치한 후, 제 1 금형 위에 제 1 수지층을 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 기판의 제작 방법에 있어서 제 2 수지층 위에 제 2 금형을 배치하고, 상기 제 2 금형 위에 제 2 탄성재를 배치하는 것이 바람직하다. 탄성재를 사용함으로써 나중에 압력을 가할 때에 가압면 내에서 압력이 불균일하게 가해지는 것을 억제할 수 있다.
본 발명의 일 형태에서는 보호층이 25μm 이상 100μm 이하의 두께의 유리인 것이 바람직하다. 보호층으로서 얇은 유리를 사용함으로써 수분 또는 불순물 등이 발광 장치의 외부로부터 발광 소자에 함유된 유기 화합물이나 금속 재료에 침입하는 것을 억제할 수 있고, 경량인 발광 장치를 얻을 수 있다. 특히, 25μm 이상 75μm 이하로 함으로써 경량이고 구부림이나 깨짐에 강한 발광 장치를 실현할 수 있다.
상술한 본 발명의 일 형태의 발광 장치는 조명 장치의 발광부에 적용할 수 있다.
본 발명의 일 형태는 유기 EL 소자로부터의 광 추출 효율이 높고 경량이며 신뢰성이 높은 기판을 제공할 수 있다. 또한, 상기 기판의 제작 방법을 제공할 수 있다.
또한, 유기 EL 소자로부터의 광 추출 효율이 높고 경량이며 신뢰성이 높은 발광 장치, 또는 조명 장치를 제공할 수 있다.
도 1(A) 내지 도 1(D)는 본 발명의 일 형태의 기판 및 발광 장치를 도시한 도면.
도 2(A) 내지 도 2(C)는 본 발명의 일 형태의 기판의 제작 방법을 도시한 도면.
도 3(A) 내지 도 3(C)는 본 발명의 일 형태의 기판의 제작 방법을 도시한 도면.
도 4(A) 내지 도 4(C)는 본 발명의 일 형태의 기판의 제작 방법을 도시한 도면.
도 5(A) 내지 도 5(C)는 본 발명의 일 형태의 기판의 제작 방법을 도시한 도면.
도 6(A) 및 도 6(B)는 본 발명의 일 형태의 기판의 제작 방법을 도시한 도면.
도 7(A) 내지 도 7(D)는 본 발명의 일 형태의 기판 및 발광 장치를 도시한 도면.
도 8(A) 내지 도 8(C)는 본 발명의 일 형태에 적용할 수 있는 EL층을 도시한 도면.
도 9(A) 및 도 9(B)는 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 도시한 도면.
도 10(A) 및 도 10(B)는 본 발명의 일 형태의 조명 장치를 도시한 도면.
도 11(A) 내지 도 11(C)는 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 도시한 도면.
도 2(A) 내지 도 2(C)는 본 발명의 일 형태의 기판의 제작 방법을 도시한 도면.
도 3(A) 내지 도 3(C)는 본 발명의 일 형태의 기판의 제작 방법을 도시한 도면.
도 4(A) 내지 도 4(C)는 본 발명의 일 형태의 기판의 제작 방법을 도시한 도면.
도 5(A) 내지 도 5(C)는 본 발명의 일 형태의 기판의 제작 방법을 도시한 도면.
도 6(A) 및 도 6(B)는 본 발명의 일 형태의 기판의 제작 방법을 도시한 도면.
도 7(A) 내지 도 7(D)는 본 발명의 일 형태의 기판 및 발광 장치를 도시한 도면.
도 8(A) 내지 도 8(C)는 본 발명의 일 형태에 적용할 수 있는 EL층을 도시한 도면.
도 9(A) 및 도 9(B)는 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 도시한 도면.
도 10(A) 및 도 10(B)는 본 발명의 일 형태의 조명 장치를 도시한 도면.
도 11(A) 내지 도 11(C)는 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 도시한 도면.
실시형태에 대하여 도면을 사용하여 자세히 설명한다. 다만, 본 발명은 이하의 설명에 한정되지 않으며 본 발명의 취지 및 그 범위에서 벗어남 없이 그 형태 및 상세한 사항을 다양하게 변경할 수 있음은 당업자이면 용이하게 이해할 수 있다. 따라서, 본 발명은 이하에 나타내어지는 실시형태의 기재 내용에 한정하여 해석되는 것은 아니다. 또한, 이하에 설명하는 발명의 구성에 있어서 동일 부분 또는 같은 기능을 갖는 부분에는 동일한 부호를 상이한 도면 간에서 공통적으로 사용하며 그 반복 설명은 생략한다.
(실시형태 1)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태의 기판 및 발광 장치에 대하여 도 1(A) 내지 도 7(D)를 사용하여 설명한다. 또한, 본 실시형태에서 나타내는 발광 장치는 하면 발광(보텀 에미션) 구조이다.
<구성예 1>
도 1(A)는 본 발명의 일 형태의 발광 장치에 사용할 수 있는 기판의 평면도이고, 도 1(B)는 도 1(A)의 A-A' 간의 단면도이다. 또한, 도 1(C)는 도 1(A)에 도시된 기판(10)을 사용한 본 발명의 일 형태의 발광 장치의 단면도이다.
도 1(A) 및 도 1(B)에 도시된 바와 같이, 기판(10)은 보호층(101) 위에 요철 구조(102)를 구비한 수지층(100)을 갖는다.
기판(10)에는 수지 재료를 사용하므로, 유리 기판을 사용한 경우와 비교하여 발광 장치를 경량화할 수 있다.
도 1(C)는 기판(10)을 사용한 발광 장치를 도시한 것이다. 보호층(101)과 밀봉 기판(109)은 씰재(113)에 의하여 접합되어 있으며 그 내부에서 수지층(100) 위에 유기 EL 소자(120)를 갖는다. 또한, 상기 내부에는 공간(115)이 존재한다.
도 1(C)에 도시된 발광 장치는 유기 EL 소자와 수지층 사이에 요철 구조를 갖는다. 이러한 구성으로 함으로써 유기 EL 소자와 수지층의 계면에서의 전반사로 인한 광 추출 효율의 저하를 억제할 수 있다.
또한, 도 1(C)에 도시된 발광 장치는 보호층을 가지므로, 수분 또는 불순물 등이 발광 장치의 외부로부터 유기 EL 소자에 함유된 유기 화합물이나 금속 재료에 침입하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 보호층과, 밀봉 기판과, 씰재에 의하여 발광 소자를 밀폐하기 때문에, 발광 장치의 광 사출면 뿐만 아니라 측면에 있어서도 수분 또는 불순물 등이 유기 EL 소자에 함유된 유기 화합물이나 금속 재료에 침입하는 것을 방지할 수 있다.
그러므로, 본 발명의 일 형태인 도 1(C)에 도시된 발광 장치는 광 추출 효율이 높고 경량이며 신뢰성이 높다.
<구성예 2>
도 1(D)는 본 발명의 다른 형태의 발광 장치의 단면도이다.
도 1(D)에 도시된 발광 장치는 한 쌍의 수지층(제 1 수지층(100a) 및 제 2 수지층(100b)) 사이에 보호층(101)을 갖는다. 제 1 수지층(100a)은 제 1 요철 구조(102a)를 구비하고, 제 2 수지층(100b)은 제 2 요철 구조(102b)를 구비한다.
구성예 1과 마찬가지로 보호층(101)과 밀봉 기판(109)은 씰재(113)에 의하여 접합되어 있으며 그 내부에서 제 2 수지층(100b) 위에 유기 EL 소자(120)를 갖는다. 또한, 상기 내부에는 공간(115)이 존재한다.
도 1(D)에 도시된 발광 장치는 유기 EL 소자와 제 2 수지층 사이에 요철 구조를 갖는다. 또한, 제 1 수지층과 대기의 계면에 요철 구조를 갖는다. 이러한 구성으로 함으로써 유기 EL 소자와 제 2 수지층의 계면 및 제 1 수지층과 대기의 계면에서의 전반사로 인한 광 추출 효율의 저하를 억제할 수 있다.
이 이외의 구성은 구성예 1과 같은 구성을 적용할 수 있다.
<구성예 3>
도 7(A)는 본 발명의 다른 형태의 발광 장치에 사용할 수 있는 기판의 평면도이고, 도 7(B)는 도 7(A)의 B-B' 간의 단면도이다. 또한, 도 7(C)는 도 7(A)에 도시된 기판(20)을 사용한 본 발명의 일 형태의 발광 장치의 단면도이다.
도 7(A) 및 도 7(B)에 도시된 바와 같이, 기판(20)은 수지층(100a) 및 수지층(100b) 내부에 보호층(101)을 갖는다. 수지층(100b)은 요철 구조(102)를 구비한다. 수지층(100a) 및 수지층(100b)에는 요철 구조(102)를 둘러싸며 보호층(101)이 노출된 개구부가 제공되어 있다.
기판(20)에는 수지 재료를 사용하므로, 유리 기판을 사용한 경우와 비교하여 발광 장치를 경량화할 수 있다.
보호층(101)은 수지층(100a) 및 수지층(100b)으로 덮여 있으므로, 보호층(101)과 수지층(100a) 및 수지층(100b)은 박리되기 어렵다. 또한, 기판(20)의 기계적 강도를 높일 수 있다.
도 7(C)는 기판(20)을 사용한 발광 장치를 도시한 것이다. 보호층(101)과 밀봉 기판(109)은 씰재(113)에 의하여 접합되어 있으며 그 내부에서 수지층(100b) 위에 유기 EL 소자(120)를 갖는다. 또한, 상기 내부에는 공간(115)이 존재한다.
도 7(C)에 도시된 발광 장치는 유기 EL 소자와 수지층 사이에 요철 구조를 갖는다. 이러한 구성으로 함으로써 유기 EL 소자와 수지층의 계면에서의 전반사로 인한 광 추출 효율의 저하를 억제할 수 있다.
또한, 도 7(C)에 도시된 발광 장치는 보호층을 가지므로, 수분 또는 불순물 등이 발광 장치의 외부로부터 유기 EL 소자에 함유된 유기 화합물이나 금속 재료에 침입하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 수지층에는 요철 구조를 둘러싸며 보호층이 노출된 개구부가 제공되어 있다. 상기 개구부에 있어서 보호층과 대향 기판이 씰재에 의하여 접합됨으로써 발광 장치의 광 사출면 뿐만 아니라, 측면에 있어서도 수분 또는 불순물 등이 유기 EL 소자에 함유된 유기 화합물이나 금속 재료에 침입하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 개구부 이외는 수지층이 보호층을 덮으므로, 보호층과 수지층의 밀착성이 높아 보호층에 사용하는 재료와의 밀착성이 낮은 수지를 적용할 수도 있게 된다.
<구성예 4>
도 7(D)는 본 발명의 다른 형태의 발광 장치의 단면도이다. 도 7(D)에 도시된 발광 장치는 기판(30)을 구비한다.
도 7(D)에 도시된 발광 장치는 수지층(100a) 및 수지층(100b) 내부에 보호층(101)을 갖는다. 수지층(100a)은 광 사출면에 제 1 요철 구조(102a)를 구비하고, 수지층(100b)은 광 입사면에 제 2 요철 구조(102b)를 구비한다. 수지층(100a) 및 수지층(100b)에는 제 2 요철 구조(102b)를 둘러싸며 보호층(101)이 노출된 개구부가 제공되어 있다.
보호층(101)과 밀봉 기판(109)은 씰재(113)에 의하여 접합되어 있으며 그 내부에서 수지층(100b) 위에 평탄화층(111)을 갖고, 평탄화층(111) 위에 유기 EL 소자(가시광에 대한 투광성을 갖는 제 1 전극(103), EL층(105), 및 제 2 전극(107))를 갖는다. 또한, 유기 EL 소자는 밀봉막(119)으로 덮여 있다. 또한, 상기 내부에는 공간(115)이 존재한다.
상기 발광 장치에 사용하는 유기 EL 소자에 있어서 제 1 전극이 요철을 가지면, 제 1 전극 위에 형성될 EL층 등에서 누설 전류가 발생될 우려가 있다. 본 발명의 일 형태에서는 도 7(D)에 도시된 발광 장치와 같이, 요철 구조와 유기 EL 소자 사이에 평탄화층을 갖는 것이 바람직하다. 이러한 구성으로 함으로써 수지층이 구비하는 요철 구조에 의하여 제 1 전극 위에 요철이 형성되는 것을 억제할 수 있으며 EL층 등에서 누설 전류가 발생되는 것을 방지할 수도 있다. 또한, 평탄화층의 굴절률은 1.6 이상, 바람직하게는 EL층의 굴절률 이상으로 한다. 이러한 구성으로 함으로써 평탄화층과 제 1 전극의 계면에서 전반사가 일어나기 어렵게 되고 광 추출 효율의 저하를 억제할 수 있다.
도 7(D)에 도시된 발광 장치는 평탄화층(111)과 제 2 수지층(100b) 사이에 요철 구조를 갖는다. 또한, 제 1 수지층(100a)과 대기의 계면에 요철 구조를 갖는다. 이러한 구성으로 함으로써 평탄화층(111)과 제 2 수지층(100b)의 계면 및 제 1 수지층(100a)과 대기의 계면에서의 전반사로 인한 광 추출 효율의 저하를 억제할 수 있다.
또한, 유기 EL 소자를 덮는 밀봉막을 제공함으로써 수분 또는 불순물 등이 유기 EL 소자의 외부로부터 유기 EL 소자에 함유된 유기 화합물이나 금속 재료에 침입하는 것을 더욱 억제할 수 있다. 따라서, 밀봉막을 제공하는 것이 바람직하다.
이 이외의 구성은 구성예 3과 같은 구성을 적용할 수 있다.
이하에서는 각각 층에 사용할 수 있는 재료의 일례를 기재한다.
≪기판(10, 20, 30)≫
기판은 가시광에 대한 투광성(이하, 단순히 투광성이라고 기재함)이 높은 것이 바람직하다. 구체적으로는, 가시광 투과율이 85% 이상이면, 높은 광 추출 효율을 실현할 수 있어 바람직하다.
[수지층(100, 100a, 100b)]
기판을 형성하는 수지로서는 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스테르 수지, 폴리아크릴로니트릴 수지, 폴리이미드 수지, 아크릴(폴리메틸메타크릴레이트) 수지, 폴리카보네이트(PC) 수지, 폴리에테르설폰(PES) 수지, 폴리아미드 수지, 환상 올레핀계 수지, 시클로올레핀 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리아미드이미드 수지, 또는 폴리 염화비닐 수지 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들을 2종류 이상 조합한 것을 사용하여도 좋다. 아크릴 수지는 가시광 투과율이 높으므로, 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 환상 올레핀계 수지, 및 시클로 올레핀 수지는 가시광 투과율이 높고, 또 내열성이 우수하므로, 적합하게 사용할 수 있다.
[보호층(101)]
보호층(101)으로서는 25μm 이상 100μm 이하의 두께의 유리를 적합하게 사용할 수 있다. 특히, 유리의 막 두께를 25μm 이상 75μm 이하로 함으로써 경량이고 구부림이나 깨짐에 강한 기판을 실현할 수 있다. 또한, 수분이나 불순물에 대한 배리어성이 높은 필름을 사용하여도 좋다.
보호층과 수지층은 접착제 등으로 접합할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 형태의 제작 방법을 적용함으로써 구성예 3 및 구성예 4와 같이, 수지층 내부에 보호층을 구비하는 본 발명의 일 형태의 기판을 간편하게 제작할 수 있음을 실시형태 2에서 구체적으로 설명한다.
[요철 구조(102, 102a, 102b)]
~재료 · 제작 방법~
반구 렌즈, 마이크로 렌즈 어레이, 요철 구조가 제공된 필름, 광 확산 필름 등을 접착제 등을 사용하여 수지층이나 보호층에 접합함으로써 요철 구조를 형성할 수 있다. 요철 구조는 적어도 발광 영역과 중첩되는 영역에 제공되는 것이 바람직하다.
또한, 수지층에 직접 요철 구조를 형성하여도 좋다. 수지층에 직접 요철 구조를 형성하는 방법으로서는 예를 들어, 에칭법, 숫돌 입자 가공법(샌드 블라스트(sand blast)법), 마이크로 블라스트 가공법, 액적 토출법이나 인쇄법(스크린 인쇄나 오프셋 인쇄 등 패턴이 형성되는 방법), 스핀코팅법 등의 도포법, 디핑법, 디스펜서법, 나노임프린트법(nanoimprint method) 등을 적절히 사용할 수 있다.
~요철의 형상~
요철의 형상에 규칙성이 있는지 여부는 불문한다. 요철의 형상에 주기성이 있으면, 요철 크기에 따라 요철이 회절 격자와 같은 작용을 함으로써 간섭 효과가 증대되어 특정 파장의 광이 대기에 추출되기 쉽게 될 경우가 있다. 따라서, 요철의 형상은 주기성을 갖지 않는 것이 바람직하다(도 11(A)의 요철 구조(102c) 및 요철 구조(102d) 참조).
요철의 저면 형상은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 삼각형, 사각형 등의 다각형이나 원형 등으로 할 수 있다. 요철의 저면 형상이 규칙성을 갖는 경우에는 인접한 부분에서 틈이 생기지 않도록 제공되는 것이 바람직하다. 바람직한 저면 형상으로서 예를 들어, 정육각형을 들 수 있다.
요철의 형상은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 반구 형상이나, 원추형, 각추형(삼각추형, 사각추형 등), 우산 형상 등 정점을 갖는 형상으로 할 수 있다.
요철이 규칙성을 갖는 경우, 하나의 요철의 주기 길이(피치)는 기판과 발광 소자를 조합한 경우에 광 추출 효율을 높일 수 있는 길이로 하면 좋다.
수지층과 대기 사이에 제공하는 요철 구조는 0.5mm 이상 10cm 이하의 피치가 바람직하다. 또한, 1mm 이상 10mm 이하로 하면 더 바람직하며, 5mm 이상 10mm 이하로 하면 더욱 바람직하다. 이것은 제작이 용이하며 높은 광 추출 효율을 얻을 수 있기 때문이다. 또한, 요철의 PV(Peak to Valley)값이 피치의 절반 정도이면, 광 추출 효율을 높일 수 있어 바람직하다. 본 명세서에서 PV값이란, 요철의 골짜기 바닥에서 정점까지의 높이를 가리킨다.
유기 EL 소자와 수지층 사이에 제공하는 요철 구조는 1μm 이상 100μm 이하의 피치가 바람직하다. 특히, 3μm 이상 100μm 이하이면 바람직하다. 요철 구조가 지나치게 작은 경우에는 광이 반사와 굴절의 법칙을 따르지 않으므로, 본 발명의 일 형태의 특징인 효과가 손상된다. 또한, PV값이 0.1μm 이상 100μm 이하이면 바람직하다.
또한, 수지층과 대기 사이에 제공하는 요철 구조의 바람직한 예를 도 11(B) 및 도 11(C)에 도시하였다. 도 11(B) 및 도 11(C)에는 발광 장치의 평면도와 C-C' 간(또는 D-D' 간)의 단면도를 도시하였다. 도 11(B) 및 도 11(C)에 있어서 수지층과 대기 사이에 제공하는 요철 구조(102e) 및 요철 구조(102f)는 요철의 형상이 반구 형상이다. 또한, 유기 EL 소자의 발광 영역(130)의 폭이 상기 반구 형상의 볼록부의 폭보다 작고, 또 상기 반구 형상의 요철과 중첩되도록 유기 EL 소자가 제공되어 있다. 도 11(B)는 요철 구조(102e)의 저면 형상이 원형인 경우의 발광 장치의 일례이다. 도 11(C)는 요철 구조(102f)의 저면 형상이 정육각형인 경우의 발광 장치의 일례이다. 인접한 유기 EL소자끼리는 격벽(131)에 의하여 분리되어 있다.
또한, 요철이 규칙성을 갖지 않는 경우, 수지층과 대기 사이에 제공하는 요철 구조는 산술 평균 거칠기(Ra)가 50μm 이상 2cm 이하이면 바람직하다. 또한, 유기 EL 소자와 수지층 사이에 제공하는 요철 구조는 Ra가 30nm 이상 35μm 이하이면 바람직하다.
≪유기 EL 소자(120)≫
[제 1 전극(103), 제 2 전극(107)]
또한, 본 실시형태의 발광 장치는 하면 발광(보텀 에미션) 구조이다. 따라서, 제 1 전극(103)은 투광성을 갖는다. 제 2 전극(107)은 광 추출 측과 반대 측에 제공되며 반사성을 갖는다.
투광성을 갖는 재료로서는, 산화 인듐, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물, 산화 아연, 갈륨이 첨가된 산화 아연, 그래핀 등을 사용할 수 있다.
또한, 금, 백금, 니켈, 텅스텐, 크롬, 몰리브덴, 철, 코발트, 구리, 팔라듐, 또는 티타늄 등의 금속 재료를 사용할 수 있다. 또는, 이들 금속 재료의 질화물(예를 들어, 질화 티타늄) 등을 사용하여도 좋다. 또한, 금속 재료(또는 그 질화물)를 사용하는 경우에는 투광성을 가질 정도로 얇게 하면 좋다.
반사성을 갖는 재료로서는, 알루미늄, 금, 백금, 은, 니켈, 텅스텐, 크롬, 몰리브덴, 철, 코발트, 구리, 또는 팔라듐 등의 금속 재료를 사용할 수 있다. 이 외에 알루미늄과 티타늄의 합금, 알루미늄과 니켈의 합금, 알루미늄과 네오디뮴의 합금 등의 알루미늄을 함유한 합금(알루미늄 합금)이나, 은과 구리의 합금 등의 은을 함유한 합금을 사용할 수도 있다. 은과 구리의 합금은 내열성이 높아 바람직하다. 또한, 알루미늄 합금막에 접하는 금속막, 또는 금속 산화물막을 적층함으로써 알루미늄 합금막의 산화를 억제할 수 있다. 상기 금속막, 금속 산화물막의 재료로서는 티타늄, 산화 티타늄 등을 들 수 있다.
[EL층(105)]
EL층(105)은 적어도 발광성 유기 화합물을 함유한 층(발광층)을 갖는다. EL층(105)의 구체적인 구성예는 실시형태 3에서 상세하게 설명한다.
≪밀봉 기판(109)≫
밀봉 기판(109)으로서는 유리 기판이나 석영 기판, 금속 기판, 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 플라스틱을 사용함으로써 발광 장치의 경량화를 실현할 수 있어 바람직하다. 플라스틱으로서는 예를 들어, FRP(Fiberglass-Reinforced Plastics), PVF(폴리비닐플루오라이드), 폴리에스테르, 또는 아크릴 등을 사용할 수 있다. 금속으로서는 예를 들어, 알루미늄, 구리, 니켈 등의 금속, 또는 알루미늄 합금 또는 스테인리스 등의 금속의 합금 등을 적합하게 사용할 수 있다. 열 전도율이 높은 금속을 사용함으로써 방열성이 높은 발광 장치를 얻을 수 있다.
≪평탄화층(111)≫
평탄화층(111)의 재료로서는 고굴절률 액체나 수지 등을 들 수 있다. 평탄화층(111)의 굴절률은 1.6 이상인 것이 바람직하다. 평탄화층(111)은 투광성을 갖는다. 고굴절률 수지로서는 예를 들어, 브롬이 함유된 수지, 황이 함유된 수지 등을 들 수 있으며, 예를 들어 황을 함유한 폴리이미드 수지, 에피술파이드 수지, 티오우레탄 수지, 또는 브롬화 방향족 수지 등을 사용할 수 있다. 또한, PET(폴리에틸렌테레프탈레이트), TAC(트리아세틸 셀룰로오스) 등도 사용할 수 있다. 고굴절률 액체로서는 황 및 메틸렌요오드를 함유한 접촉액(굴절액) 등을 사용할 수 있다. 성막(成膜) 방법으로서는, 재료에 맞는 각종 방법을 적용하면 좋다. 예를 들어, 상술한 수지를 스핀코팅법을 사용하여 형성하고, 열 또는 광에 의하여 경화시킴으로써 형성할 수 있다. 접착 강도나 가공의 간편성 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있다.
≪씰재(113)≫
씰재(113)로서는 공지의 재료를 사용할 수 있다. 예를 들어, 열 경화형 재료, 자외선 경화형 재료를 사용하여도 좋다. 또한, 이들 재료는 가능한 한 수분이나 산소를 투과시키지 않는 재료인 것이 바람직하다.
또한, 건조제를 함유한 씰재를 사용할 수도 있다. 2종류 씰재를 사용함으로써 건조제를 함유하지 않은 씰재를 외측(대기 측)에 사용하고, 건조제를 함유한 씰재를 내측(발광 소자 측)에 사용하여 2중으로 밀봉하면, 수분이나 산소를 투과시키기 어려운 구성으로 할 수 있어 바람직하다.
≪공간(115)≫
공간(115)은 충전재로서 불활성 기체(질소, 아르곤 등)가 충전된 구성이나 점성이 낮은 재료가 충전된 구성을 적용할 수 있다. 또한, 공간(115) 내에 건조제를 넣어도 좋다. 예를 들어, 알칼리 토금속의 산화물(산화 칼슘이나 산화 바륨 등)과 같이, 화학 흡착에 의하여 수분을 흡수하는 물질을 사용할 수 있다. 이 이외의 건조제로서 제올라이트나 실리카겔 등과 같이, 물리 흡착에 의하여 수분을 흡착하는 물질을 사용하여도 좋다.
≪밀봉막(119)≫
밀봉막(119)은 배리어성이 높고, 수분이나 불순물이 들어가기 어려운 막이면 좋으며 재료로서는 예를 들어, 질화 실리콘, 산화 실리콘, 알루미나 등을 사용할 수 있다.
본 실시형태는, 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 2)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태의 기판을 제작하는 방법에 대하여 도 2(A) 내지 도 6(B)를 사용하여 설명한다. 본 실시형태에서는 실시형태 1에 나타내어진 구성예 4(도 7(D))에서 사용된 기판(30)을 제작하는 예를 나타낸다.
본 실시형태에서는 한 쌍의 스테이지(도 2(A)에 도시된 하측 스테이지(201a) 및 상측 스테이지(201b))를 구비하는 열 프레스기를 사용한다. 기판을 형성하기 위하여 사용되는 수지는 상기 한 쌍의 스테이지 위에서 금형을 개재(介在)하여 가열된다. 또한, 한 쌍의 스테이지는 적어도 한쪽이 상하로 가동(可動)이기 때문에, 한 쌍의 스테이지의 간격을 조정함으로써 상기 수지가 가압된다. 또한, 미세한 요철 구조를 구비하는 기판을 제작할 경우에는 먼지 등의 영향으로 패턴이 정확히 형성되지 않는 것을 방지하기 위하여 감압하에서 제작하여도 좋다.
<기판의 제작 방법 1>
우선, 하측 스테이지(201a)에 제 1 금형(203a)을 배치한다(도 2(A) 참조). 제 1 금형(203a)에는 제 1 요철 구조(102a)의 반전 패턴이 형성되어 있다.
또한, 이후의 가압 공정에 있어서 면 내에서의 압력이 불균일하게 되는 것을 억제하기 위하여 공지의 탄성재(쿠션재)를 하측 스테이지(201a)와 제 1 금형(203a) 사이에 배치하여도 좋다.
다음에, 제 1 금형(203a) 위에 제 1 수지층(205a)을 형성한다(도 2(B) 참조). 제 1 수지층(205a)의 형성 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 수지 펠릿을 가열 및 가압하거나, 수지 시트를 사용하거나, 또는 리퀴드 형태의 수지를 도포함으로써 형성할 수 있다.
이어서 제 1 수지층(205a) 위에 보호층(101)을 형성한다(도 2(C) 참조). 보호층(101)으로서 본 실시형태에서는 25μm 이상 100μm 이하의 두께의 유리층을 사용한다.
그 후, 보호층(101) 위에 제 2 수지층(205b)을 형성한다(도 3(A) 참조). 제 2 수지층(205b)은 제 1 수지층(205a)과 같은 방법과 재료로 형성할 수 있다.
그리고, 제 2 수지층(205b) 위에 제 2 금형(203b)을 배치한다(도 3(B) 참조). 제 2 금형(203b)에는 제 2 요철 구조(102b)의 반전 패턴이 형성되어 있다.
또한, 이후의 가압 공정에 있어서 면 내에서의 압력이 불균일하게 되는 것을 억제하기 위하여 공지의 탄성재를 하측 스테이지(201b)와 제 2 금형(203b) 사이에 배치하여도 좋다.
다음에, 하측 스테이지(201a) 및 상측 스테이지(201b)의 적어도 한쪽을 움직임으로써 상측 스테이지(201b)와 제 2 금형(203b)을 접촉시킨다(도 3(C) 참조).
여기서, 필요에 따라 제 1 수지층(205a) 및 제 2 수지층(205b)에 대하여 탈수 베이크를 행하여도 좋다. 수지 펠릿 등을 사용할 경우, 미리 수지층 내부의 수분을 제거해 둠으로써, 제작하는 기판에 금 등이 가는 것을 억제할 수 있다.
탈수 베이크의 온도나 시간은 사용하는 수지에 따라 적절히 선택하면 좋다. 예를 들어, 아크릴 수지를 사용하는 경우에는 180℃로 15분 정도 가열하는 것이 바람직하다.
그리고 가열 및 가압함으로써 성형한다(도 4(A) 참조). 또한, 본 실시형태와 같이, 보호층(101)으로서 유리층을 사용하는 경우에는 가해지는 압력에 의하여 유리가 깨지지 않도록 적절히 조정한다. 본 실시형태에서는 온도를 180℃로 하고, 3.64MPa의 압력을 10분 동안 가하였다.
성형이 완료되면, 도 4(B)에 도시된 기판(31)을 얻을 수 있다. 이 기판(31)에 부분적으로 레이저 광을 조사함으로써 제 2 요철 구조(102b)를 둘러싸는 개구부를 형성한다(도 4(C) 참조).
레이저로서는 예를 들어, 자외선 레이저를 사용할 수 있다. 보호층에 유리를 사용하는 경우에 자외선 레이저를 사용하면, 유리는 레이저 광의 영향을 받지 않으므로, 레이저 광에 의하여 수지만을 선택적으로 제거할 수 있다. 조사면에 있어서의 레이저 빔의 에너지 밀도는 균일한 것이 바람직하다. 이로써, 개구부 폭을 정확히 제어할 수 있다. 또한, 피코초(picosecond) 레이저나 펨토초(femtosecond) 레이저를 사용하여도 좋다. 펄스 폭이 짧은 레이저를 사용함으로써 열 전도를 억제할 수 있으므로, 개구부가 미세한 패턴을 가져도 정확히 형성할 수 있다.
이상과 같이, 기판(30)을 제작할 수 있다.
상술한 제작 방법에서는 제 2 요철 구조(102b)를 둘러싸는 개구부를 레이저 광 조사에 의하여 제공하였다. 레이저 광을 조사하는 것은 개구부를 제공하는 수단으로서 간편하다. 다만, 개구의 깊이가 깊은 경우에는 오랜 시간 동안 레이저 광을 조사하는 것이 필요하게 될 수 있다.
다음에 설명하는 제작 방법에서는 제 2 금형으로서 제 2 요철 구조(102b)를 둘러싸는 개구부를 형성하기 위한 패턴이 제공된 금형을 사용한다. 상기 금형을 사용함으로써 기판의 제작 시간을 단축할 수 있다.
<기판의 제작 방법 2>
우선, 기판의 제작 방법 1과 마찬가지로, 하측 스테이지(201a) 위에 제 1 금형(203a)을 배치하고, 제 1 금형(203a) 위에 제 1 수지층(205a)을 형성하고, 제 1 수지층(205a) 위에 보호층(101)을 형성하고, 보호층(101) 위에 제 2 수지층(205b)을 형성한다.
다음에, 제 2 수지층(205b) 위에 제 2 금형(203c)을 배치한다(도 5(A) 참조). 제 2 금형(203c)에는 제 2 요철 구조(102b)의 반전 패턴이 형성되어 있다. 또한, 제 2 요철 구조(102b)를 둘러싸는 개구부를 형성하기 위한 패턴도 형성되어 있다.
다음에, 하측 스테이지(201a) 및 상측 스테이지(201b)의 적어도 한쪽을 움직임으로써 상측 스테이지(201b)와 제 2 금형(203c)을 접촉시킨다(도 5(B) 참조).
마지막으로, 가열 및 가압함으로써 성형한다(도 5(C) 참조).
이상과 같이, 도 6(A)에 도시된 기판(30)을 제작할 수 있다.
또한, 도 6(B)에 점선부로 도시된 바와 같이, 상기 제작 방법만으로는 개구가 완전히 제공되지 않고, 보호층(101)이 노출되지 않을 수가 있다. 이 경우에는 상술한 레이저 광 조사를 행하여 불필요한 수지를 제거함으로써 도 6(A)에 도시된 기판(30)을 얻을 수 있다.
그 후의 공정에서는 기판(30) 위에 유기 EL 소자나 밀봉막을 형성한다. 그리고, 씰재로 기판(30)과 밀봉 기판을 접합함으로써 본 발명의 일 형태의 기판(30)을 사용한 발광 장치(도 7(D) 참조)를 제작할 수 있다.
본 실시형태의 제작 방법을 사용함으로써 본 발명의 일 형태의 기판을 간편하게 제작할 수 있다. 또한, 보호층과 수지층의 밀착성이 높은 기판을 제작할 수 있다.
본 실시형태는, 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 3)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태의 발광 장치에 적용할 수 있는 EL층의 구성예에 대하여 도 8(A) 내지 도 8(C)를 사용하여 설명한다.
도 8(A)에 도시된 EL층(105)은 제 1 전극(103) 측으로부터 정공 주입층(701), 정공 수송층(702), 발광층(703), 전자 수송층(704), 및 전자 주입층(705)의 차례로 적층되어 있다.
정공 주입층(701)은 정공 주입성이 높은 물질을 함유한 층이다. 정공 주입성이 높은 물질로서는 예를 들어, 몰리브덴 산화물, 티타늄 산화물, 바나듐 산화물, 레늄 산화물, 루테늄 산화물, 크롬 산화물, 지르코늄 산화물, 하프늄 산화물, 탄탈 산화물, 은 산화물, 텅스텐 산화물, 망간 산화물 등의 금속 산화물을 사용할 수 있다. 또한, 프탈로시아닌(약칭: H2Pc), 구리(II)프탈로시아닌(약칭: CuPc) 등의 프탈로시아닌계 화합물을 사용할 수 있다.
또한, 저분자 유기 화합물인 4,4',4''-트리스(N,N-디페닐아미노)트리페닐아민(약칭: TDATA), 4,4',4''-트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]트리페닐아민(약칭: MTDATA), 4,4'-비스[N-(4-디페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]비페닐(약칭: DPAB), 4,4'-비스(N-{4-[N'-(3-메틸페닐)-N'-페닐아미노]페닐}-N-페닐아미노)비페닐(약칭: DNTPD), 1,3,5-트리스[N-(4-디페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]벤젠(약칭: DPA3B), 3-[N-(9-페닐카르바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카르바졸(약칭: PCzPCA1), 3,6-비스[N-(9-페닐카르바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카르바졸(약칭: PCzPCA2), 3-[N-(1-나프틸)-N-(9-페닐카르바졸-3-일)아미노]-9-페닐카르바졸(약칭: PCzPCN1) 등의 방향족 아민 화합물 등을 사용할 수 있다.
또한, 고분자 화합물(올리고머, 덴드리머, 폴리머 등)을 사용할 수도 있다. 예를 들어, 폴리(N-비닐카르바졸)(약칭: PVK), 폴리(4-비닐트리페닐아민)(약칭: PVTPA), 폴리[N-(4-{N'－[4-(4-디페닐아미노)페닐]페닐-N'－페닐아미노}페닐)메타크릴아미드](약칭: PTPDMA), 폴리 [N, N'－비스(4-부틸페닐)-N, N'－비스(페닐)벤지딘](약칭: Poly-TPD) 등의 고분자 화합물을 들 수 있다. 또한, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(스티렌설폰산)(PEDOT/PSS), 폴리아닐린/폴리(스티렌설폰산)(PAni/PSS) 등, 산이 첨가된 고분자 화합물을 사용할 수 있다.
특히, 정공 주입층(701)으로서, 정공 수송성이 높은 유기 화합물에 억셉터성 물질을 함유시킨 복합 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 정공 수송성이 높은 물질에 억셉터성 물질을 함유시킨 복합 재료를 사용함으로써 제 1 전극(103)으로부터의 정공 주입성을 양호하게 하고, 발광 소자의 구동 전압을 저감할 수 있다. 이들 복합 재료는, 정공 수송성이 높은 물질과 억셉터 물질을 공증착함으로써 형성할 수 있다. 상기 복합 재료를 사용하여 정공 주입층(701)을 형성함으로써 제 1 전극(103)으로부터 EL층(105)에 정공을 용이하게 주입할 수 있게 된다.
복합 재료에 사용하는 유기 화합물로서는 방향족 아민 화합물, 카르바졸 유도체, 방향족 탄화 수소, 고분자 화합물(올리고머, 덴드리머, 폴리머 등) 등, 다양한 화합물을 사용할 수 있다. 또한, 복합 재료에 사용하는 유기 화합물로서는 정공 수송성이 높은 유기 화합물인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 10-6cm2/Vs 이상 정공 이동도를 갖는 물질인 것이 바람직하다. 다만, 전자보다 정공의 수송성이 높은 물질이면 이들 이외의 물질을 사용하여도 좋다. 이하에서는, 복합 재료에 사용할 수 있는 유기 화합물을 구체적으로 열거한다.
복합 재료에 사용할 수 있는 유기 화합물로서는 예를 들어, TDATA, MTDATA, DPAB, DNTPD, DPA3B, PCzPCA1, PCzPCA2, PCzPCN1, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(약칭: NPB 또는 α-NPD), N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민(약칭: TPD), 4-페닐-4'-(9-페닐플루오렌-9-일)트리페닐아민(약칭: BPAFLP) 등의 방향족 아민 화합물이나, 4,4'-디(N-카르바졸릴)비페닐(약칭: CBP), 1,3,5-트리스[4-(N-카르바졸릴)페닐]벤젠(약칭: TCPB), 9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸(약칭: CzPA), 9-페닐-3-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸(약칭: PCzPA), 1,4-비스[4-(N-카르바졸릴)페닐]-2,3,5,6-테트라페닐벤젠 등의 카르바졸 유도체를 사용할 수 있다.
또한, 2-tert-부틸-9,10-디(2-나프틸)안트라센(약칭: t-BuDNA), 2-tert-부틸-9,10-디(1-나프틸)안트라센, 9,10-비스(3,5-디페닐페닐)안트라센(약칭: DPPA), 2-tert-부틸-9,10-비스(4-페닐페닐)안트라센(약칭: t-BuDBA), 9,10-디(2-나프틸)안트라센(약칭: DNA), 9,10-디페닐안트라센(약칭: DPAnth), 2-tert-부틸안트라센(약칭: t-BuAnth), 9,10-비스(4-메틸-1-나프틸)안트라센(약칭: DMNA), 9,10-비스[2-(1-나프틸)페닐]-2-tert-부틸안트라센, 9,10-비스[2-(1-나프틸)페닐]안트라센, 2,3,6,7-테트라메틸-9,10-디(1-나프틸)안트라센 등의 방향족 탄화 수소 화합물을 사용할 수 있다.
또한, 2,3,6,7-테트라메틸-9,10-디(2-나프틸)안트라센, 9,9'-비안트릴, 10,10'-디페닐-9,9'-비안트릴, 10,10'-비스(2-페닐페닐)-9,9'-비안트릴, 10,10'-비스[(2,3,4,5,6-펜타페닐)페닐]-9,9'-비안트릴, 안트라센, 테트라센, 루브렌, 페릴렌, 2,5,8,11-테트라(tert-부틸)페릴렌, 펜타센, 코로넨, 4,4'-비스(2,2-디페닐비닐)비페닐(약칭: DPVBi), 9,10-비스[4-(2,2-디페닐비닐)페닐]안트라센(약칭: DPVPA) 등의 방향족 탄화 수소 화합물을 사용할 수 있다.
또한, 전자 수용체로서는 7,7,8,8-테트라시아노-2,3,5,6-테트라플루오르퀴노디메탄(약칭: F4-TCNQ), 클로라닐 등의 유기 화합물이나, 전이 금속 산화물을 들 수 있다. 또한, 원소 주기율표 제 4 족 내지 제 8 족에 속하는 금속의 산화물을 들 수 있다. 구체적으로는, 산화 바나듐, 산화 니오븀, 산화 탄탈, 산화 크롬, 산화 몰리브덴, 산화 텅스텐, 산화 망간, 산화 레늄은 전자 수용성이 높아 바람직하다. 그 중에서도 특히 산화몰리브덴은 대기 중에서도 안정적이며 흡습성이 낮고 취급하기 쉬워 바람직하다.
또한, 상술한 PVK, PVTPA, PTPDMA, Poly-TPD 등의 고분자 화합물과, 상술한 전자 수용체를 사용하여 복합 재료를 형성하고 정공 주입층(701)에 사용하여도 좋다.
정공 수송층(702)은 정공 수송성이 높은 물질을 함유한 층이다. 정공 수송성이 높은 물질로서는 예를 들어, NPB, TPD, BPAFLP, 4,4'-비스[N-(9,9-디메틸플루오렌-2-일)-N-페닐아미노]비페닐(약칭: DFLDPBi), 4,4'-비스[N-(스피로-9,9'-비플루오렌-2-일)-N-페닐아미노]비페닐(약칭: BSPB) 등의 방향족 아민 화합물을 사용할 수 있다. 여기서 기술한 물질은 주로 10-6cm2/Vs 이상의 정공 이동도를 갖는 물질이다. 다만, 전자보다 정공의 수송성이 높은 물질이면 이들 이외의 물질을 사용하여도 좋다. 또한, 정공 수송성이 높은 물질을 함유한 층은 단층에 한정되지 않으며 상기 물질로 이루어진 층이 2층 이상 적층된 것으로 하여도 좋다.
또한, 정공 수송층(702)에는 CBP, CzPA, PCzPA와 같은 카르바졸 유도체나 t-BuDNA, DNA, DPAnth와 같은 안트라센 유도체를 사용하여도 좋다.
또한, 정공 수송층(702)에는 PVK, PVTPA, PTPDMA, Poly-TPD 등의 고분자 화합물을 사용할 수도 있다.
발광층(703)에는 형광을 발광하는 형광성 화합물이나 인광을 발광하는 인광성 화합물을 사용할 수 있다.
발광층(703)에 사용할 수 있는 형광성 화합물로서는 예를 들어, 청색계 발광 재료로서, N,N'-비스[4-(9H-카르바졸-9-일)페닐]-N,N'-디페닐스틸벤-4,4'-디아민(약칭: YGA2S), 4-(9H-카르바졸-9-일)-4'-(10-페닐-9-안트릴)트리페닐아민(약칭: YGAPA), 4-(10-페닐-9-안트릴)-4'-(9-페닐-9H-카르바졸-3-일)트리페닐아민(약칭: PCBAPA) 등을 들 수 있다. 또한, 녹색계 발광 재료로서, N-(9,10-디페닐-2-안트릴)-N,9-디페닐-9H-카르바졸-3-아민(약칭: 2PCAPA), N-[9,10-비스(1,1'-비페닐-2-일)-2-안트릴]-N,9-디페닐-9H-카르바졸-3-아민(약칭: 2PCABPhA), N-(9,10-디페닐-2-안트릴)-N,N',N'-트리페닐-1,4-페닐렌디아민(약칭: 2DPAPA), N-[9,10-비스(1,1'-비페닐-2-일)-2-안트릴]-N,N',N'-트리페닐-1,4-페닐렌디아민(약칭: 2DPABPhA), N-[9,10-비스(1,1'-비페닐-2-일)]-N-[4-(9H-카르바졸-9-일)페닐]-N-페닐안트라센-2-아민(약칭: 2YGABPhA), N,N,9-트리페닐안트라센-9-아민(약칭: DPhAPhA) 등을 들 수 있다. 또한, 황색계 발광 재료로서, 루브렌, 5,12-비스(1,1'-비페닐-4-일)-6,11-디페닐테트라센(약칭: BPT) 등을 들 수 있다. 또한, 적색계 발광 재료로서는, N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)테트라센-5,11-디아민(약칭: p-mPhTD), 7,14-디페닐-N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)아세나프토[1,2-a]플루오란텐-3,10-디아민(약칭: p-mPhAFD) 등을 들 수 있다.
또한, 발광층(703)에 사용할 수 있는 인광성 화합물로서는 예를 들어, 청색계 발광 재료로서, 비스[2-(4',6'-디플루오르페닐)피리디나토-N,C 2' ]이리듐(III)테트라키스(1-피라졸릴)보레이트(약칭: FIr6), 비스[2-(4',6'-디플루오르페닐)피리디나토-N,C 2' ]이리듐(III)피콜리네이트(약칭: FIrpic), 비스{2-[3',5'-비스(트리플루오르메틸)페닐]피리디나토-N,C 2' }이리듐(III)피콜리네이트(약칭: Ir(CF3ppy)2(pic)), 비스[2-(4',6'-디플루오르페닐)피리디나토-N,C 2' ]이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: FIr(acac)) 등을 들 수 있다. 또한, 녹색계 발광 재료로서, 트리스(2-페닐피리디나토-N,C 2' )이리듐(III)(Ir(ppy)3), 비스(2-페닐피리디나토-N,C 2' )이리듐(III)아세틸아세토네이트(Ir(ppy)2(acac)), 비스(1,2-디페닐-1H-벤즈이미다졸라토)이리듐(III)아세틸아세토네이트(Ir(pbi)2(acac)), 비스(벤조[h]퀴놀리나토)이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(bzq)2(acac)), 트리스(벤조[h]퀴놀리나토)이리듐(III)(약칭: Ir(bzq)3) 등을 들 수 있다. 또한, 황색계 발광 재료로서, 비스(2,4-디페닐-1,3-옥사졸라토-N,C 2' )이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(dpo)2(acac)), 비스[2-(4'-퍼플루오르페닐페닐)피리디나토]이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(p-PF-ph)2(acac)), 비스(2-페닐벤조티아졸라토-N,C 2' )이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(bt)2(acac)), (아세틸아세토나토)비스[2,3-비스(4-플루오르페닐)-5-메틸피라지나토]이리듐(III)(약칭: Ir(Fdppr-Me)2(acac)), (아세틸아세토나토)비스{2-(4-메톡시페닐)-3,5-디메틸피라지나토}이리듐(III)(약칭: Ir(dmmoppr)2(acac)) 등을 들 수 있다. 또한, 주황색계 발광 재료로서, 트리스(2-페닐퀴놀리나토-N,C 2' )이리듐(III)(약칭: Ir(pq)3), 비스(2-페닐퀴놀리나토-N,C 2' )이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(pq)2(acac)), (아세틸아세토나토)비스(3,5-디메틸-2-페닐피라지나토)이리듐(III)(약칭: Ir(mppr-Me)2(acac)), (아세틸아세토나토)비스(5-이소프로필-3-메틸-2-페닐피라지나토)이리듐(III)(약칭: Ir(mppr-iPr)2(acac)) 등을 들 수 있다. 또한, 적색계 발광 재료로서, 비스[2-(2'-벤조[4,5-α-티에닐)피리디나토-N,C 3 ' ]이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(btp)2(acac)), 비스(1-페닐이소퀴놀리나토-N,C 2' )이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(piq)2(acac)), (아세틸아세토나토)비스[2,3-비스(4-플루오르페닐)퀴녹살리나토]이리듐(III)(약칭: Ir(Fdpq)2(acac)), (아세틸아세토나토)비스(2,3,5-트리페닐피라지나토)이리듐(III)(약칭: Ir(tppr)2(acac)), (디피바로일메타나토)비스(2,3,5-트리페닐피라지나토)이리듐(III)(약칭: Ir(tppr)2(dpm)), 2,3,7,8,12,13,17,18-옥타에틸-21H,23H-포르핀백금(II)(약칭: PtOEP) 등 유기 금속 착체를 들 수 있다. 또한, 트리스(아세틸아세토나토)(모노페난트롤린)테르븀(III)(약칭: Tb(acac)3(Phen)), 트리스(1,3-디페닐-1,3-프로판디오나토)(모노페난트롤린)유로퓸(III)(약칭: Eu(DBM)3(Phen)), 트리스[1-(2-테노일)-3,3,3-트리플루오르아세토나토](모노페난트롤린)유로퓸(III)(약칭: Eu(TTA)3(Phen)) 등의 희토류 금속 착체는, 희토류 금속 이온으로부터의 발광(다른 다중도 간의 전자 천이(遷移))이기 때문에, 인광성 화합물로서 사용할 수 있다.
또한, 발광층(703)으로서는 상술한 발광성 유기 화합물(게스트 재료)을 다른 물질(호스트 재료)에 분산시킨 구성으로 하여도 좋다. 호스트 재료로서는 다양한 물질을 사용할 수 있으나 발광성 물질보다 최저 공궤도 준위(LUMO 준위)가 높고, 최고 피점유 궤도 준위(HOMO 준위)가 낮은 물질을 사용하는 것이 바람직하다.
호스트 재료로서는 구체적으로, 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(III)(약칭: Alq), 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀라토)알루미늄(III)(약칭: Almq3), 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨(II)(약칭: BeBq2), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)(4-페닐페놀라토)알루미늄(III)(약칭: BAlq), 비스(8-퀴놀리놀라토)아연(II)(약칭: Znq), 비스[2-(2-벤조옥사졸일)페놀라토]아연(II)(약칭: ZnPBO), 비스[2-(2-벤조티아졸일)페놀라토]아연(II)(약칭: ZnBTZ) 등의 금속 착체, 2-(4-비페닐일)-5-(4-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸(약칭: PBD), 1,3-비스[5-(p-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸-2-일]벤젠(약칭: OXD-7), 3-(4-비페닐일)-4-페닐-5-(4-tert-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸(약칭: TAZ), 2,2',2''-(1,3,5-벤젠트리일)트리스(1-페닐-1H-벤즈이미다졸)(약칭: TPBI), 바소페난트롤린(약칭: BPhen), 바소큐프로인(약칭: BCP) 등의 복소환 화합물이나, 9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸(약칭: CzPA), 3,6-디페닐-9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸(약칭: DPCzPA), 9,10-비스(3,5-디페닐페닐)안트라센(약칭: DPPA), 9,10-디(2-나프틸)안트라센(약칭: DNA), 2-tert-부틸-9,10-디(2-나프틸)안트라센(약칭: t-BuDNA), 9,9'-비안트릴(약칭: BANT), 9,9'-(스틸벤-3,3'-디일)디페난트렌(약칭: DPNS), 9,9'-(스틸벤-4,4'-디일)디페난트렌(약칭: DPNS2), 3,3',3''-(벤젠-1,3,5-트리일)트리피렌(약칭: TPB3), 9,10-디페닐안트라센(약칭: DPAnth), 6,12-디메톡시-5,11-디페닐크리센 등의 축합 방향족 화합물, N,N-디페닐-9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸-3-아민(약칭: CzA1PA), 4-(10-페닐-9-안트릴)트리페닐아민(약칭: DPhPA), N,9-디페닐-N-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸-3-아민(약칭: PCAPA), N,9-디페닐-N-{4-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]페닐}-9H-카르바졸-3-아민(약칭: PCAPBA), N-(9,10-디페닐-2-안트릴)-N,9-디페닐-9H-카르바졸-3-아민(약칭: 2PCAPA), NPB(또는 α-NPD), TPD, DFLDPBi, BSPB 등의 방향족 아민 화합물 등을 사용할 수 있다.
또한, 호스트 재료는 복수 종류 사용할 수 있다. 예를 들어, 결정화를 억제하기 위하여 루브렌 등의 결정화를 억제하는 물질을 더 첨가하여도 좋다. 또한, 게스트 재료에 에너지를 보다 효율적으로 이동시키기 위하여 NPB 또는 Alq 등을 더 첨가하여도 좋다.
게스트 재료를 호스트 재료에 분산시킨 구성으로 함으로써 발광층(703)의 결정화를 억제할 수 있다. 또한, 게스트 재료의 농도가 높은 것으로 인한 농도 소광(消光)을 억제할 수 있다.
또한, 발광층(703)으로서 고분자 화합물을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 청색계 발광 재료로서, 폴리(9,9-디옥틸플루오렌-2,7-디일)(약칭: PFO), 폴리[(9,9-디옥틸플루오렌-2,7-디일)-co-(2,5-디메톡시벤젠-1,4-디일)](약칭: PF-DMOP), 폴리{(9,9-디옥틸플루오렌-2,7-디일)-co-[N,N'-디-(p-부틸페닐)-1,4-디아미노벤젠]}(약칭: TAB-PFH) 등을 들 수 있다. 또한, 녹색계 발광 재료로서, 폴리(p-페닐렌비닐렌)(약칭: PPV), 폴리[(9,9-디헥실플루오렌-2,7-디일)-alt-co-(벤조[2,1,3]티아디아졸-4,7-디일)](약칭: PFBT), 폴리[(9,9-디옥틸-2,7-디비닐렌플루오렌)-alt-co-(2-메톡시-5-(2-에틸헥실옥시)-1,4-페닐렌)] 등을 들 수 있다. 또한, 주황색 내지 적색계 발광 재료로서, 폴리[2-메톡시-5-(2'-에틸헥속시)-1,4-페닐렌비닐렌](약칭: MEH-PPV), 폴리(3-부틸티오펜-2,5-디일)(약칭: R4-PAT), 폴리{[9,9-디헥실-2,7-비스(1-시아노비닐렌)플루오레닐렌]-alt-co-[2,5-비스(N,N'-디페닐아미노)-1,4-페닐렌]}, 폴리{[2-메톡시-5-(2-에틸헥실옥시)-1,4-비스(1-시아노비닐렌페닐렌)]-alt-co-[2,5-비스(N,N'-디페닐아미노)-1,4-페닐렌]}(약칭: CN-PPV-DPD) 등을 들 수 있다.
또한, 발광층을 복수 제공하고, 각 층의 발광색을 상이하게 함으로써 발광 소자 전체로서 원하는 색깔의 발광을 얻을 수 있다. 예를 들어, 발광층을 2개 갖는 발광 소자에 있어서 제 1 발광층의 발광색과 제 2 발광층의 발광색이 보색 관계가 되도록 함으로써 발광 소자 전체로서 백색 발광을 하는 발광 소자를 얻을 수도 있다. 또한, 보색이란, 혼합된 경우에 무채색을 이루는 색깔 관계를 말한다. 즉, 보색 관계에 있는 색깔을 발광하는 물질로부터 얻어진 광을 혼합하면, 백색 발광을 얻을 수 있는 것이다. 또한, 이것은 발광층을 3개 이상 갖는 발광 소자의 경우도 마찬가지이다.
전자 수송층(704)은 전자 수송성이 높은 물질을 함유한 층이다. 전자 수송성이 높은 물질로서 예를 들어, Alq, Almq3, BeBq2, BAlq 등, 퀴놀린 골격 또는 벤조퀴놀린 골격을 갖는 금속 착체 등을 들 수 있다. 또한, 이 이외에 ZnPBO, ZnBTZ 등의 옥사졸계, 티아졸계 배위자를 갖는 금속 착체 등도 사용할 수 있다. 또한, 금속 착체 이외에도, PBD, OXD-7, TAZ, BPhen, BCP 등도 사용할 수 있다. 여기서 기술한 물질은 주로 10-6cm2/Vs 이상의 전자 이동도를 갖는 물질이다. 또한, 전자 수송층은 단층에 한정되지 않으며 상기 물질로 이루어진 층이 2층 이상 적층된 것으로 하여도 좋다.
전자 주입층(705)은 전자 주입성이 높은 물질을 함유한 층이다. 전자 주입층(705)에는 리튬, 세슘, 칼슘, 불화 리튬, 불화 세슘, 불화 칼슘, 리튬 산화물 등 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 또는 이들의 화합물을 사용할 수 있다. 또한, 불화 에르븀과 같은 희토류 금속 화합물을 사용할 수 있다. 또한, 상술한 전자 수송층(704)을 구성하는 물질을 사용할 수도 있다.
또한, 상술한 정공 주입층(701), 정공 수송층(702), 발광층(703), 전자 수송층(704), 전자 주입층(705) 각각은 증착법(진공 증착법을 포함함), 잉크젯법, 도포법 등의 방법으로 형성할 수 있다.
도 8(B)에 도시된 바와 같이, EL층은 제 1 전극(103)과 제 2 전극(107) 사이에 복수 적층되어 있어도 좋다. 이 경우에는 적층된 제 1 EL층(800)과 제 2 EL층(801) 사이에는 전하 발생층(803)을 제공하는 것이 바람직하다. 전하 발생층(803)은 상술한 복합 재료로 형성할 수 있다. 또한, 전하 발생층(803)은 복합 재료로 이루어진 층과 다른 재료로 이루어진 층과의 적층 구조라도 좋다. 이 경우, 다른 재료로 이루어진 층으로서는 전자 공여성 물질과, 전자 수송성이 높은 물질을 함유하는 층이나, 투명 도전막으로 이루어진 층 등을 사용할 수 있다. 이와 같은 구성을 갖는 발광 소자는 에너지의 이동이나 소광 등 문제가 쉽게 일어나지 않으며 재료의 선택 여지가 넓어짐으로써 높은 발광 효율과 긴 수명을 아울러 갖는 발광 소자로 하기 용이하다. 또한, 한쪽 EL층에서 인광 발광, 다른 쪽에서 형광 발광을 얻는 것도 용이하다. 이 구조는 상술한 EL층의 구조와 조합하여 사용할 수 있다.
또한, 각 EL층의 발광색을 상이하게 함으로써 발광 소자 전체로서 원하는 색깔의 발광을 얻을 수 있다. 예를 들어, EL층을 2개 갖는 발광 소자에 있어서 제 1 EL층의 발광색과 제 2 EL층의 발광색이 보색 관계가 되도록 함으로써 발광 소자 전체로서 백색 발광을 하는 발광 소자를 얻을 수도 있다. 즉, 보색 관계에 있는 색깔을 발광하는 물질로부터 얻어진 광을 혼합하면, 백색 발광을 얻을 수 있는 것이다. 또한, 이것은 EL층을 3개 이상 갖는 발광 소자의 경우도 마찬가지이다.
도 8(C)에 도시된 바와 같이, EL층(105)은 제 1 전극(103)과 제 2 전극(107) 사이에 정공 주입층(701), 정공 수송층(702), 발광층(703), 전자 수송층(704), 전자 주입 버퍼층(706), 전자 릴레이층(electron-relay layer)(707), 및 제 2 전극(107)과 접하는 복합 재료층(708)을 가져도 좋다.
제 2 전극(107)과 접하는 복합 재료층(708)을 제공함으로써 특히 스퍼터링법을 사용하여 제 2 전극(107)을 형성할 때에 EL층(105)이 받는 대미지를 저감할 수 있어 바람직하다. 복합 재료층(708)은 상술한 정공 수송성이 높은 유기 화합물에 억셉터성 물질을 함유시킨 복합 재료를 사용할 수 있다.
또한, 전자 주입 버퍼층(706)을 제공함으로써 복합 재료층(708)과 전자 수송층(704) 사이의 주입 장벽을 완화할 수 있으므로, 복합 재료층(708)에서 발생된 전자를 전자 수송층(704)으로 용이하게 주입할 수 있다.
전자 주입 버퍼층(706)에는 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 및 이들의 화합물(알칼리 금속 화합물(산화 리튬 등의 산화물, 할로겐화물, 탄산 리튬이나 탄산 세슘 등의 탄산염을 포함함), 알칼리 토금속 화합물(산화물, 할로겐화물, 탄산염을 포함함), 또는 희토류 금속의 화합물(산화물, 할로겐화물, 탄산염을 포함함)) 등의 전자 주입성이 높은 물질을 사용할 수 있다.
또한, 전자 주입 버퍼층(706)이 전자 수송성이 높은 물질과 도너성 물질을 함유하여 형성되는 경우에는 전자 수송성이 높은 물질에 대하여 질량 비율로 0.001 이상 0.1 이하 비율로 도너성 물질을 첨가하는 것이 바람직하다. 또한, 도너성 물질로서는, 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 및 이들의 화합물(알칼리 금속 화합물(산화 리튬 등의 산화물, 할로겐화물, 탄산 리튬이나 탄산 세슘 등의 탄산염을 포함함), 알칼리 토금속 화합물(산화물, 할로겐화물, 탄산염을 포함함), 또는 희토류 금속의 화합물(산화물, 할로겐화물, 탄산염을 포함함)) 이외에, 테트라 티아나프타센(약칭: TTN), 니켈로센, 데카메틸니켈로센 등의 유기 화합물을 사용할 수도 있다. 또한, 전자 수송성이 높은 물질로서는, 상술한 전자 수송층(704)의 재료와 같은 재료를 사용하여 형성할 수 있다.
또한, 전자 주입 버퍼층(706)과 복합 재료층(708) 사이에 전자 릴레이층(707)을 형성하는 것이 바람직하다. 전자 릴레이층(707)은 반드시 제공할 필요는 없지만, 전자 수송성이 높은 전자 릴레이층(707)을 제공함으로써 전자를 전자 주입 버퍼층(706)으로 신속하게 수송할 수 있게 된다.
복합 재료층(708)과 전자 주입 버퍼층(706) 사이에 전자 릴레이층(707)이 끼워진 구조는 복합 재료층(708)에 함유된 억셉터성 물질과, 전자 주입 버퍼층(706)에 함유된 도너성 물질이 상호 작용을 받기 어려우며 서로 기능을 저해하기 어려운 구조이다. 따라서, 구동 전압의 상승을 방지할 수 있다.
전자 릴레이층(707)은 전자 수송성이 높은 물질을 함유하고, 상기 전자 수송성이 높은 물질의 LUMO 준위는 복합 재료층(708)에 함유되는 억셉터성 물질의 LUMO 준위와 전자 수송층(704)에 함유되는 전자 수송성이 높은 물질의 LUMO 준위와의 사이에 위치하도록 형성한다. 또한, 전자 릴레이층(707)이 도너성 물질을 함유하는 경우에는 상기 도너성 물질의 도너 준위도 복합 재료층(708)에 함유되는 억셉터성 물질의 LUMO 준위와 전자 수송층(704)에 함유되는 전자 수송성이 높은 물질의 LUMO 준위와의 사이에 위치하도록 한다. 구체적인 에너지 준위의 값으로서는 전자 릴레이층(707)에 함유되는 전자 수송성이 높은 물질의 LUMO 준위를 -5.0eV 이상, 바람직하게는 -5.0eV 이상 -3.0eV 이하로 하면 좋다.
전자 릴레이층(707)에 함유되는 전자 수송성이 높은 물질로서는 프탈로시아닌계 재료 또는 금속-산소 결합과 방향족 배위자를 갖는 금속 착체를 사용하는 것이 바람직하다.
전자 릴레이층(707)에 함유되는 프탈로시아닌계 재료로서는 구체적으로, CuPc, SnPc(Phthalocyanine tin(II) complex), ZnPc(Phthalocyanine zinc complex), CoPc(Cobalt(II)phthalocyanine, β-form), FePc(Phthalocyanine Iron), 및 PhO-VOPc(Vanadyl 2,9,16,23-tetraphenoxy-29H, 31H-phthalocyanine) 중 어느 것을 사용하는 것이 바람직하다.
전자 릴레이층(707)에 함유되는 금속-산소 결합과 방향족 배위자를 갖는 금속 착체로서는 금속-산소의 이중 결합을 갖는 금속 착체를 사용하는 것이 바람직하다. 금속-산소의 이중 결합은 억셉터성(전자를 수용하기 쉬운 성질)을 갖기 때문에, 전자의 이동(수수(授受))이 보다 용이하게 된다. 또한, 금속-산소의 이중 결합을 갖는 금속 착체는 안정적인 것으로 생각된다. 따라서, 금속-산소의 이중 결합을 갖는 금속 착체를 사용함으로써 발광 소자를 저전압으로 보다 안정적으로 구동할 수 있게 된다.
금속-산소 결합과 방향족 배위자를 갖는 금속 착체로서는 프탈로시아닌계 재료가 바람직하다. 구체적으로는, VOPc(Vanadyl phthalocyanine), SnOPc(Phthalocyanine tin(Ⅳ) oxide complex), 및 TiOPc(Phthalocyanine titanium oxide complex) 중 어느 것은 분자 구조적으로 금속-산소의 이중 결합이 다른 분자에 대하여 작용하기 쉬우며 억셉터성이 높아 바람직하다.
또한, 상술한 프탈로시아닌계 재료로서는 페녹시기를 갖는 것이 바람직하다. 구체적으로는 PhO-VOPc 등 페녹시기를 갖는 프탈로시아닌 유도체가 바람직하다. 페녹시기를 갖는 프탈로시아닌 유도체는 용매에 용해할 수 있다. 그러므로, 발광 소자를 형성하는 데 취급하기 쉽다는 이점을 갖는다. 또한, 용매에 용해할 수 있으므로 막 형성에 사용하는 장치의 메인터넌스(maintenance)가 용이해진다는 이점을 갖는다.
전자 릴레이층(707)은 도너성 물질을 함유하여도 좋다. 도너성 물질로서는 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 및 이들의 화합물(알칼리 금속 화합물(산화 리튬 등의 산화물, 할로겐화물, 탄산 리튬이나 탄산 세슘 등의 탄산염을 포함함), 알칼리 토금속 화합물(산화물, 할로겐화물, 탄산염을 포함함), 또는 희토류 금속의 화합물(산화물, 할로겐화물, 탄산염을 포함함)) 이외에, 테트라 티아나프타센(약칭: TTN), 니켈로센, 데카메틸니켈로센 등의 유기 화합물을 사용할 수 있다. 전자 릴레이층(707)에 상기 도너성 물질을 함유시킴으로써 전자의 이동이 용이해지므로, 발광 소자를 보다 저전압으로 구동할 수 있게 된다.
전자 릴레이층(707)에 도너성 물질을 함유시키는 경우에는 전자 수송성이 높은 물질로서는 상술한 재료 이외에 복합 재료층(708)에 함유되는 억셉터성 물질의 억셉터 준위보다 높은 LUMO 준위를 갖는 물질을 사용할 수 있다. 구체적인 에너지 준위로서는 -5.0eV 이상, 바람직하게는 -5.0eV 이상 -3.0eV 이하 범위에서 LUMO 준위를 갖는 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 물질로서는 예를 들어, 페릴렌 유도체나 함질소 축합 방향족 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 함질소 축합 방향족 화합물은 안정적이므로, 전자 릴레이층(707)을 형성하는 데 사용하는 재료로서 바람직한 재료이다.
페릴렌 유도체의 구체적인 예로서는 3,4,9,10-페릴렌테트라카르본산이무수물(약칭: PTCDA), 3,4,9,10-페릴렌테트라카르복실릭비스벤즈이미다졸(약칭: PTCBI), N,N'-디옥틸-3,4,9,10-페릴렌테트라카르본산디이미드(약칭: PTCDI-C8H), N,N'-디헥실-3,4,9,10-페릴렌테트라카르본산디이미드(약칭: Hex PTC) 등을 들 수 있다.
또한, 함질소 축합 방향족 화합물의 구체적인 예로서는, 피라지노[2,3-f][1,10]페난트롤린-2,3-디카르보니트릴(약칭: PPDN), 2,3,6,7,10,11-헥사시아노-1,4,5,8,9,12-헥사아자트리페닐렌(약칭: HAT(CN)6), 2,3-디페닐피리도[2,3-b]피라진(약칭: 2PYPR), 2,3-비스(4-플루오르페닐)피리도[2,3-b]피라진(약칭: F2PYPR) 등을 들 수 있다.
이 이외에도, 7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄(약칭: TCNQ), 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르본산이무수물(약칭: NTCDA), 퍼플루오르펜타센, 구리 헥사데카플루오르프탈로시아닌(약칭: F16CuPc), N,N'-비스(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-펜타데카플루오르옥틸)-1,4,5,8-나프탈렌테트라카르본산디이미드(약칭: NTCDI-C8F), 3',4'-디부틸-5,5"-비스(디시아노메틸렌)-5,5"-디하이드로-2,2':5',2"-테르티오펜(약칭: DCMT), 메타노풀러린(예를 들어, [6,6]-페닐C61부티르산메틸에스테르) 등을 사용할 수 있다.
또한, 전자 릴레이층(707)에 도너성 물질을 함유시키는 경우에는 전자 수송성이 높은 물질과 도너성 물질과의 공증착 등의 방법으로 전자 릴레이층(707)을 형성하면 좋다.
정공 주입층(701), 정공 수송층(702), 발광층(703), 및 전자 수송층(704)은 상술한 재료를 사용하여 각각 형성하면 좋다.
상술한 바와 같이, 본 실시형태의 EL층(105)을 제작할 수 있다.
본 실시형태는, 다른 실시형태와 자유로이 조합할 수 있다.
(실시형태 4)
본 실시형태에서는 본 발명의 다른 형태의 발광 장치를 도 9(A) 및 도 9(B)를 사용하여 설명한다.
본 실시형태에서는 실시형태 1에 나타내어진 본 발명의 일 형태의 기판(30)을 적용한 발광 장치에 대하여 설명한다.
도 9(A)는 전면 발광(톱 에미션) 구조의 발광 장치의 예를 도시한 것이다.
도 9(A)에 도시된 발광 장치는 지지 기판(110) 위에 유기 EL 소자(지지 기판(110) 측에서 차례로 제 2 전극(107), EL층(105), 및 제 1 전극(103))를 구비한다. 유기 EL 소자는 투광성을 갖는 밀봉막(119)으로 덮여 있다.
도 9(A)에 도시된 발광 장치에 사용하는 밀봉막(119)의 굴절률은 1.6 이상, 바람직하게는 EL층의 굴절률 이상으로 한다. 이러한 구성으로 함으로써 밀봉막과 제 1 전극의 계면에서 전반사가 일어나기 어렵게 되고 광 추출 효율의 저하를 억제할 수 있다.
보호층(101)과 지지 기판(110)은 씰재(113)에 의하여 접합되어 있으며 그 내부에서 유기 EL 소자를 갖는다. 또한, 상기 내부는 충전재(116)로 채워져 있다. 또한, 충전재(116)의 굴절률은 1.6 이상, 바람직하게는 EL층의 굴절률 이상으로 한다. 이러한 구성으로 함으로써 충전재와 밀봉막의 계면에서 전반사가 일어나기 어렵게 되고 광 추출 효율의 저하를 억제할 수 있다.
도 9(A)에 도시된 발광 장치는 충전재(116)와 기판(30) 사이에 요철 구조를 갖는다. 또한, 기판(30)과 대기의 계면에 요철 구조를 갖는다. 이러한 구성으로 함으로써 충전재(116)와 기판(30)의 계면, 및 기판(30)과 대기의 계면에서의 전반사로 인한 광 추출 효율의 저하를 억제할 수 있다.
기판(30), 유기 EL 소자, 씰재(113)는 실시형태 1에 나타내어진 재료로 제작할 수 있다.
지지 기판(110)에는 상술한 밀봉 기판(109)과 같은 재료를 사용할 수 있다. 지지 기판(110)에 열 전도성이 높은 금속 기판을 사용하면, 방열성이 높은 발광 장치를 얻을 수 있어 바람직하다. 또한, 지지 기판(110) 위에 하지막을 제공하고 나서 유기 EL 소자를 형성하여도 좋다.
충전재(116)에는 투광성을 갖고, 또 굴절률이 높은 재료를 사용한다. 예를 들어, 실시형태 1에 평탄화층(111)의 재료로서 나타내어진 고굴절률의 수지를 사용할 수 있다.
도 9(B)는 양면 발광(듀얼 에미션) 구조의 발광 장치의 예를 도시한 것이다.
도 9(B)에 도시된 발광 장치는 본 발명의 일 형태의 기판(30) 위에 유기 EL 소자(투광성을 갖는 한 쌍의 전극간에 EL층을 가짐)를 구비한다. 유기 EL 소자는 투광성을 갖는 밀봉막으로 덮여 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 형태에는 전면 발광 구조 및 양면 발광 구조의 발광 장치도 포함되는 것이다. 본 발명의 일 형태를 적용함으로써 경량이며 광 추출 효율이 높고, 신뢰성이 높은 발광 장치를 실현할 수 있다.
본 실시형태는, 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 5)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 사용하여 완성시킨 조명 장치의 일례에 대하여 도 10(A) 및 도 10(B)를 사용하여 설명한다.
본 발명의 일 형태에 의하여 발광부가 곡면을 갖는 조명 장치를 실현할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 형태에 의하여 시스루 발광부를 갖는 조명 장치를 실현할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 형태는 자동차 조명에도 적용할 수 있으며 예를 들어, 계기판이나 앞유리 위, 천장 등에 조명을 제공할 수도 있다.
도 10(A)는 본 발명의 일 형태를 적용한, 실내 조명 장치(901) 및 탁상 조명 기구(903)를 도시한 것이다. 발광 장치는 대면적화가 가능하므로, 대면적 조명 장치로서 사용할 수도 있다. 이 이외에, 롤형의 조명 장치(902)로서 사용할 수도 있다.
도 10(B)는 다른 조명 장치의 예를 도시한 것이다. 도 10(B)에 도시된 탁상 조명 장치는 조명부(9501), 지주(9503), 지지대(9505) 등을 포함한다. 조명부(9501)는 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 포함한다. 이로써, 본 발명의 일 형태에 의하여 곡면을 갖는 조명 장치, 또는 플렉시블하게 구부릴 수 있는 조명부를 갖는 조명 장치를 실현할 수 있다. 상술한 바와 같이, 플렉시블의 발광 장치를 조명 장치로서 사용함으로써 조명 장치의 디자인 자유도가 향상될 뿐만 아니라 예를 들어, 자동차의 천장, 계기판 등 곡면을 갖는 장소에도 조명 장치를 설치할 수 있게 된다.
본 실시형태는, 다른 실시형태와 자유로이 조합할 수 있다.
10: 기판 100: 수지층
100a: 수지층 100b: 수지층
101: 보호층 102: 요철 구조
102a: 제 1 요철 구조 102b: 제 2 요철 구조
109: 밀봉 기판 113: 씰재
115: 공간 120: 유기 EL 소자
100a: 수지층 100b: 수지층
101: 보호층 102: 요철 구조
102a: 제 1 요철 구조 102b: 제 2 요철 구조
109: 밀봉 기판 113: 씰재
115: 공간 120: 유기 EL 소자
Claims (23)
- 발광 장치로서,
하면에 제 1 요철 구조를 포함하는 제 1 수지층;
상기 제 1 수지층 위의 제 1 보호층;
상기 제 1 보호층 위의 발광 소자; 및
상기 발광 소자 위의 기판을 포함하고,
상기 발광 장치는 하면 발광 구조를 가지고,
상기 발광 소자는 씰재를 사이에 두고 상기 제 1 보호층과 상기 기판으로 밀폐되고,
상기 제 1 수지층과 상기 제 1 보호층은 각각 가시광 투광성을 가지고,
상기 발광 소자는 적어도 제 1 발광 영역과, 상기 제 1 발광 영역에 인접한 제 2 발광 영역을 포함하고,
상기 제 1 발광 영역과 상기 제 2 발광 영역은 격벽에 의해 서로 분리되고,
상기 제 1 요철 구조의 요철은 1μm 이상 100μm 이하의 피치로 규칙성을 가지고,
상기 제 1 요철 구조의 요철은 적어도 제 1 볼록부와, 상기 제 1 볼록부에 인접한 제 2 볼록부를 포함하고,
상기 제 1 발광 영역은 상기 제 1 볼록부와 중첩되고,
상기 제 2 발광 영역은 상기 제 2 볼록부와 중첩되고,
상기 제 1 발광 영역과 상기 제 2 발광 영역 각각의 폭은 상기 피치보다 작은, 발광 장치.
- 발광 장치로서,
하면에 제 1 요철 구조를 포함하는 제 1 수지층;
상기 제 1 수지층 위의 제 1 보호층;
상기 제 1 보호층 위에 있고, 상면에 제 2 요철 구조를 포함하는 제 2 수지층;
상기 제 2 수지층 위의 발광 소자; 및
상기 발광 소자 위의 기판을 포함하고,
상기 발광 장치는 하면 발광 구조를 가지고,
상기 발광 소자는 씰재를 사이에 두고 상기 제 1 보호층과 상기 기판으로 밀폐되고,
상기 제 1 수지층, 상기 제 1 보호층, 및 상기 제 2 수지층은 각각 가시광 투광성을 가지고,
상기 발광 소자는 적어도 제 1 발광 영역과, 상기 제 1 발광 영역에 인접한 제 2 발광 영역을 포함하고,
상기 제 1 발광 영역과 상기 제 2 발광 영역은 격벽에 의해 서로 분리되고,
상기 제 1 요철 구조의 요철은 1μm 이상 100μm 이하의 피치로 규칙성을 가지고,
상기 제 1 요철 구조의 요철은 적어도 제 1 볼록부와, 상기 제 1 볼록부에 인접한 제 2 볼록부를 포함하고,
상기 제 1 발광 영역은 상기 제 1 볼록부와 중첩되고,
상기 제 2 발광 영역은 상기 제 2 볼록부와 중첩되고,
상기 제 1 발광 영역과 상기 제 2 발광 영역 각각의 폭은 상기 피치보다 작은, 발광 장치.
- 발광 장치로서,
기판;
상기 기판 위의 발광 소자;
상기 발광 소자 위의 제 1 보호층; 및
상기 제 1 보호층 위에 있고, 상면에 제 1 요철 구조를 포함하는 제 1 수지층을 포함하고,
상기 발광 장치는 전면 발광 구조를 가지고,
상기 발광 소자는 씰재를 사이에 두고 상기 기판과 상기 제 1 보호층으로 밀폐되고,
상기 제 1 보호층과 상기 제 1 수지층은 각각 가시광 투광성을 가지고,
상기 발광 소자는 적어도 제 1 발광 영역과, 상기 제 1 발광 영역에 인접한 제 2 발광 영역을 포함하고,
상기 제 1 발광 영역과 상기 제 2 발광 영역은 격벽에 의해 서로 분리되고,
상기 제 1 요철 구조의 요철은 1μm 이상 100μm 이하의 피치로 규칙성을 가지고,
상기 제 1 요철 구조의 요철은 적어도 제 1 볼록부와, 상기 제 1 볼록부에 인접한 제 2 볼록부를 포함하고,
상기 제 1 발광 영역은 상기 제 1 볼록부와 중첩되고,
상기 제 2 발광 영역은 상기 제 2 볼록부와 중첩되고,
상기 제 1 발광 영역과 상기 제 2 발광 영역 각각의 폭은 상기 피치보다 작은, 발광 장치.
- 발광 장치로서,
하면에 제 1 요철 구조를 포함하는 제 1 수지층;
상기 제 1 수지층 위의 제 1 보호층;
상기 제 1 보호층 위의 발광 소자;
상기 발광 소자 위의 제 2 보호층; 및
상기 제 2 보호층 위에 있고, 상면에 제 2 요철 구조를 포함하는 제 2 수지층을 포함하고,
상기 발광 장치는 양면 발광 구조를 가지고,
상기 발광 소자는 씰재를 사이에 두고 상기 제 1 보호층과 상기 제 2 보호층으로 밀폐되고,
상기 제 1 수지층, 상기 제 1 보호층, 상기 제 2 보호층, 및 상기 제 2 수지층은 각각 가시광 투광성을 가지는, 발광 장치.
- 제 2 항에 있어서,
상기 제 2 수지층과 상기 발광 소자 사이에 가시광 투광성을 가지는 평탄화층을 더 포함하고,
상기 평탄화층의 굴절률은 1.6 이상인, 발광 장치.
- 제 4 항에 있어서,
상기 발광 소자는 적어도 제 1 발광 영역과, 상기 제 1 발광 영역에 인접한 제 2 발광 영역을 포함하고,
상기 제 1 발광 영역과 상기 제 2 발광 영역은 격벽에 의해 서로 분리되는, 발광 장치.
- 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 요철 구조의 요철은 1μm 이상 100μm 이하의 피치로 규칙성을 가지고,
상기 제 1 요철 구조의 요철은 적어도 제 1 볼록부와, 상기 제 1 볼록부에 인접한 제 2 볼록부를 포함하고,
상기 제 1 발광 영역은 상기 제 1 볼록부와 중첩되고,
상기 제 2 발광 영역은 상기 제 2 볼록부와 중첩되고,
상기 제 1 발광 영역과 상기 제 2 발광 영역 각각의 폭은 상기 피치보다 작은, 발광 장치.
- 제 7 항에 있어서,
상기 격벽은 상기 제 1 볼록부 및 상기 제 2 볼록부의 단부가 서로 인접한 부분과 중첩되도록 제공되는, 발광 장치.
- 제 7 항에 있어서,
상기 제 1 볼록부 및 상기 제 2 볼록부는 각각 반구 형상을 가지는, 발광 장치.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 보호층은 25μm 이상 100μm 이하의 두께의 유리층인, 발광 장치.
- 발광부에 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 따른 발광 장치를 포함하는 조명 장치.
- 발광 장치의 제작 방법으로서,
제 1 금형 위에 제 1 수지층, 제 1 보호층, 및 제 2 수지층을 이 순서대로 형성하는 단계;
상기 제 2 수지층 위에 제 2 금형을 제공하는 단계;
상기 제 1 금형 및 상기 제 2 금형을 가열 및 가압하여, 상기 제 1 수지층의 하면에는 제 1 요철 구조를 형성하고, 상기 제 2 수지층의 상면에는 제 2 요철 구조를 형성하는 단계;
상기 제 1 보호층의 일부를 노출시키기 위해 상기 제 2 요철 구조를 둘러싸는 개구부를 형성하는 단계;
상기 제 2 요철 구조 위에 발광 소자를 형성하는 단계; 및
씰재를 사이에 두고 상기 제 1 보호층과 기판으로 상기 발광 소자를 밀폐하는 단계를 포함하고,
상기 씰재는 상기 개구부 위에 그리고 상기 개구부 내에 제공되고,
상기 제 1 수지층, 상기 제 1 보호층, 및 상기 제 2 수지층은 각각 가시광 투광성을 가지는, 발광 장치의 제작 방법.
- 발광 장치의 제작 방법으로서,
제 1 금형 위에 제 1 수지층, 제 1 보호층, 및 제 2 수지층을 이 순서대로 형성하는 단계;
상기 제 2 수지층 위에 제 2 금형을 제공하는 단계;
상기 제 1 금형 및 상기 제 2 금형을 가열 및 가압하여, 상기 제 1 수지층의 하면에는 제 1 요철 구조를 형성하고, 상기 제 2 수지층의 상면에는 제 2 요철 구조를 형성하며, 상기 제 2 수지층에는 상기 제 2 요철 구조를 둘러싸는 개구부를 형성하는 단계;
상기 제 2 요철 구조 위에 발광 소자를 형성하는 단계; 및
씰재를 사이에 두고 상기 제 1 보호층과 기판으로 상기 발광 소자를 밀폐하는 단계를 포함하고,
상기 제 2 금형에는 상기 개구부를 형성하기 위한 패턴이 제공되고,
상기 씰재는 상기 개구부 위에 그리고 상기 개구부 내에 제공되고,
상기 제 1 수지층, 상기 제 1 보호층, 및 상기 제 2 수지층은 각각 가시광 투광성을 가지는, 발광 장치의 제작 방법.
- 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
상기 제 1 보호층은 25μm 이상 100μm 이하의 두께의 유리층인, 발광 장치의 제작 방법.
- 제 12 항에 있어서,
상기 개구부를 형성하는 단계는 상기 제 2 수지층에 레이저 광을 조사하여 행해지는, 발광 장치의 제작 방법.
- 제 13 항에 있어서,
상기 제 1 보호층의 일부를 노출시키도록 상기 개구부가 제공되지 않는 경우에는, 상기 방법이 상기 제 2 수지층의 불필요한 수지를 제거하기 위해 레이저 광으로 상기 개구부를 조사하는 단계를 더 포함하는, 발광 장치의 제작 방법.
- 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
상기 발광 소자는 적어도 제 1 발광 영역과, 상기 제 1 발광 영역에 인접한 제 2 발광 영역을 포함하고,
상기 제 1 발광 영역과 상기 제 2 발광 영역은 격벽에 의해 서로 분리되는, 발광 장치의 제작 방법.
- 제 17 항에 있어서,
상기 제 1 요철 구조의 요철은 1μm 이상 100μm 이하의 피치로 규칙성을 가지고,
상기 제 1 요철 구조의 요철은 적어도 제 1 볼록부와, 상기 제 1 볼록부에 인접한 제 2 볼록부를 포함하고,
상기 제 1 발광 영역은 상기 제 1 볼록부와 중첩되고,
상기 제 2 발광 영역은 상기 제 2 볼록부와 중첩되고,
상기 제 1 발광 영역과 상기 제 2 발광 영역 각각의 폭은 상기 피치보다 작은, 발광 장치의 제작 방법.
- 제 18 항에 있어서,
상기 격벽은 상기 제 1 볼록부 및 상기 제 2 볼록부의 단부가 서로 인접한 부분과 중첩되도록 제공되는, 발광 장치의 제작 방법.
- 제 18 항에 있어서,
상기 제 1 볼록부 및 상기 제 2 볼록부는 각각 반구 형상을 가지는, 발광 장치의 제작 방법. - 삭제
- 삭제
- 삭제
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2011-047652 | 2011-03-04 | ||
| JP2011047652 | 2011-03-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120101995A KR20120101995A (ko) | 2012-09-17 |
| KR101922603B1 true KR101922603B1 (ko) | 2018-11-27 |
Family
ID=46752784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120017941A Expired - Fee Related KR101922603B1 (ko) | 2011-03-04 | 2012-02-22 | 발광 장치, 조명 장치, 기판, 기판의 제작 방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9401498B2 (ko) |
| JP (1) | JP6009177B2 (ko) |
| KR (1) | KR101922603B1 (ko) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20130108027A (ko) * | 2012-03-23 | 2013-10-02 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자소자용 기판의 제조방법 |
| JP6264950B2 (ja) * | 2013-05-22 | 2018-01-24 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 有機ｅｌ照明の光取り出し基板 |
| KR102133433B1 (ko) * | 2013-05-24 | 2020-07-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| JP6317565B2 (ja) * | 2013-10-24 | 2018-04-25 | リコーインダストリアルソリューションズ株式会社 | 有機ｅｌ光源及びその製造方法 |
| TWI584511B (zh) * | 2013-12-04 | 2017-05-21 | Ｌｇ化學股份有限公司 | 有機電子元件用基板及其製造方法、有機電子元件及其製造方法、用於顯示器之光源以及照明元件 |
| JPWO2015136411A1 (ja) | 2014-03-12 | 2017-04-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器 |
| EP3278378A1 (en) * | 2015-03-31 | 2018-02-07 | SABIC Global Technologies B.V. | Multi-functional substrate for oled lighting application |
| US11844236B2 (en) | 2019-07-12 | 2023-12-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Functional panel, display device, input/output device, and data processing device |
| WO2021069999A1 (ja) | 2019-10-11 | 2021-04-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 機能パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086353A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Nissan Chem Ind Ltd | 有機ｅｌ素子用透明性基板および有機ｅｌ素子 |
| JP2004022438A (ja) * | 2002-06-19 | 2004-01-22 | Sharp Corp | 表示装置 |
| JP2008112592A (ja) * | 2006-10-28 | 2008-05-15 | Aitesu:Kk | 微細構造を持つ有機ｅｌ素子 |
Family Cites Families (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2742057B2 (ja) | 1988-07-14 | 1998-04-22 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌパネル |
| US5189405A (en) | 1989-01-26 | 1993-02-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film electroluminescent panel |
| JPH0329291A (ja) | 1989-06-27 | 1991-02-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 有機分散型ｅｌランプ用捕水フィルム |
| JPH0765950A (ja) | 1993-08-31 | 1995-03-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 分散型ｅｌ発光素子 |
| JPH08248207A (ja) | 1995-03-10 | 1996-09-27 | Omron Corp | 光学素子及び光学素子の製造方法並びに画像表示装置 |
| US5771562A (en) | 1995-05-02 | 1998-06-30 | Motorola, Inc. | Passivation of organic devices |
| US5686360A (en) | 1995-11-30 | 1997-11-11 | Motorola | Passivation of organic devices |
| US5811177A (en) | 1995-11-30 | 1998-09-22 | Motorola, Inc. | Passivation of electroluminescent organic devices |
| US5693956A (en) | 1996-07-29 | 1997-12-02 | Motorola | Inverted oleds on hard plastic substrate |
| US5952778A (en) | 1997-03-18 | 1999-09-14 | International Business Machines Corporation | Encapsulated organic light emitting device |
| JP3290375B2 (ja) | 1997-05-12 | 2002-06-10 | 松下電器産業株式会社 | 有機電界発光素子 |
| US6198220B1 (en) | 1997-07-11 | 2001-03-06 | Emagin Corporation | Sealing structure for organic light emitting devices |
| KR100249784B1 (ko) | 1997-11-20 | 2000-04-01 | 정선종 | 고분자복합막을이용한유기물혹은고분자전기발광소자의패키징방법 |
| US6146225A (en) | 1998-07-30 | 2000-11-14 | Agilent Technologies, Inc. | Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices |
| US6268695B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-07-31 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
| JP3942770B2 (ja) | 1999-09-22 | 2007-07-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Ｅｌ表示装置及び電子装置 |
| US6413645B1 (en) | 2000-04-20 | 2002-07-02 | Battelle Memorial Institute | Ultrabarrier substrates |
| TW516164B (en) | 2000-04-21 | 2003-01-01 | Semiconductor Energy Lab | Self-light emitting device and electrical appliance using the same |
| KR100581850B1 (ko) * | 2002-02-27 | 2006-05-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치와 그 제조 방법 |
| US7148624B2 (en) * | 2002-05-07 | 2006-12-12 | Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd | Uniform deposition of organic layer |
| JP2003337549A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-28 | Asahi Glass Co Ltd | フラットパネルディスプレー用基板、表示装置、有機エレクトロルミネセンス素子および液晶表示素子 |
| US6771021B2 (en) | 2002-05-28 | 2004-08-03 | Eastman Kodak Company | Lighting apparatus with flexible OLED area illumination light source and fixture |
| KR100528326B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2005-11-15 | 삼성전자주식회사 | 가요성 기판 상에 보호캡을 구비하는 박막 반도체 소자 및 이를 이용하는 전자장치 및 그 제조방법 |
| US20040217702A1 (en) | 2003-05-02 | 2004-11-04 | Garner Sean M. | Light extraction designs for organic light emitting diodes |
| US20050199599A1 (en) | 2004-03-09 | 2005-09-15 | Xinghua Li | Method of fabrication of hermetically sealed glass package |
| KR100608403B1 (ko) * | 2004-03-24 | 2006-08-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
| JP2006147203A (ja) | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光デバイスおよびその製造方法 |
| US20060237735A1 (en) | 2005-04-22 | 2006-10-26 | Jean-Yves Naulin | High-efficiency light extraction structures and methods for solid-state lighting |
| JP4982976B2 (ja) * | 2005-06-29 | 2012-07-25 | 住友化学株式会社 | フレキシブル基板の製造方法及びディスプレイ素子 |
| US20070120108A1 (en) | 2005-11-30 | 2007-05-31 | Alps Electric Co., Ltd. | Light emitting device |
| US20070172971A1 (en) * | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Eastman Kodak Company | Desiccant sealing arrangement for OLED devices |
| EP1830421A3 (en) | 2006-03-03 | 2012-03-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, manufacturing method of light emitting device, and sheet-like sealing material |
| US7417370B2 (en) | 2006-03-23 | 2008-08-26 | Eastman Kodak Company | OLED device having improved light output |
| KR100736623B1 (ko) | 2006-05-08 | 2007-07-09 | 엘지전자 주식회사 | 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 |
| US7663312B2 (en) | 2006-07-24 | 2010-02-16 | Munisamy Anandan | Flexible OLED light source |
| TW200837997A (en) | 2006-11-15 | 2008-09-16 | Univ California | High light extraction efficiency sphere LED |
| WO2008096748A1 (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-14 | Kaneka Corporation | 平面発光装置 |
| TW200846596A (en) * | 2007-05-31 | 2008-12-01 | gui-fang Chen | Illumination device |
| KR100900288B1 (ko) | 2007-10-29 | 2009-05-29 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 |
| KR101318072B1 (ko) * | 2008-06-04 | 2013-10-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조 방법 |
| KR102026604B1 (ko) | 2008-07-10 | 2019-10-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 전자 기기 |
| US20100110551A1 (en) | 2008-10-31 | 2010-05-06 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film with high index backfill layer and passivation layer |
| US8450926B2 (en) | 2009-05-21 | 2013-05-28 | General Electric Company | OLED lighting devices including electrodes with magnetic material |
| JP2011002592A (ja) * | 2009-06-18 | 2011-01-06 | Casio Electronics Co Ltd | 電子写真トナー及びその製造方法 |
| JP5297991B2 (ja) | 2009-12-11 | 2013-09-25 | 株式会社日立製作所 | 有機発光ダイオード及びこれを用いた光源装置 |
| US8469551B2 (en) * | 2010-10-20 | 2013-06-25 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction films for increasing pixelated OLED output with reduced blur |
-
2012
- 2012-02-22 KR KR1020120017941A patent/KR101922603B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2012-02-29 JP JP2012042620A patent/JP6009177B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-01 US US13/409,889 patent/US9401498B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003086353A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Nissan Chem Ind Ltd | 有機ｅｌ素子用透明性基板および有機ｅｌ素子 |
| JP2004022438A (ja) * | 2002-06-19 | 2004-01-22 | Sharp Corp | 表示装置 |
| JP2008112592A (ja) * | 2006-10-28 | 2008-05-15 | Aitesu:Kk | 微細構造を持つ有機ｅｌ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9401498B2 (en) | 2016-07-26 |
| US20120223350A1 (en) | 2012-09-06 |
| JP2012199230A (ja) | 2012-10-18 |
| JP6009177B2 (ja) | 2016-10-19 |
| KR20120101995A (ko) | 2012-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7193589B2 (ja) | 発光装置 | |
| KR101920787B1 (ko) | 고체 발광 소자, 발광 장치, 및 조명 장치 | |
| KR101922603B1 (ko) | 발광 장치, 조명 장치, 기판, 기판의 제작 방법 | |
| KR101850279B1 (ko) | 조명 장치 | |
| KR101869232B1 (ko) | 조명 장치 및 조명 장치의 제작 방법 | |
| JP5827578B2 (ja) | 光学素子の作製方法 | |
| KR101872670B1 (ko) | 조명 장치 | |
| JP2016189484A (ja) | 発光装置 | |
| KR20120106568A (ko) | 발광 장치 및 발광 장치의 제작 방법 | |
| JP5877041B2 (ja) | 照明装置 | |
| JP6250019B2 (ja) | 発光装置 | |
| KR101810589B1 (ko) | 발광 장치 및 조명 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20120222 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20170216 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20120222 Comment text: Patent Application |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20180208 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20180827 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20181121 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20181121 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20211015 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20230902 |