[go: up one dir, main page]

KR101866869B1 - SiC 소재 및 SiC 복합 소재 - Google Patents

SiC 소재 및 SiC 복합 소재 Download PDF

Info

Publication number
KR101866869B1
KR101866869B1 KR1020160104726A KR20160104726A KR101866869B1 KR 101866869 B1 KR101866869 B1 KR 101866869B1 KR 1020160104726 A KR1020160104726 A KR 1020160104726A KR 20160104726 A KR20160104726 A KR 20160104726A KR 101866869 B1 KR101866869 B1 KR 101866869B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sic
plane
present
peak
coating film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
KR1020160104726A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101866869B9 (ko
KR20180020442A (ko
Inventor
김정일
Original Assignee
주식회사 티씨케이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=61196745&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR101866869(B1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 주식회사 티씨케이 filed Critical 주식회사 티씨케이
Priority to KR1020160104726A priority Critical patent/KR101866869B1/ko
Priority to US16/325,983 priority patent/US11591227B2/en
Priority to SG11201901230VA priority patent/SG11201901230VA/en
Priority to TW106128050A priority patent/TWI646229B/zh
Priority to JP2019530632A priority patent/JP6831916B2/ja
Priority to PCT/KR2017/009002 priority patent/WO2018034532A1/ko
Priority to CN201780049770.7A priority patent/CN109562948B/zh
Publication of KR20180020442A publication Critical patent/KR20180020442A/ko
Publication of KR101866869B1 publication Critical patent/KR101866869B1/ko
Application granted granted Critical
Priority to JP2021012846A priority patent/JP2021066657A/ja
Publication of KR101866869B9 publication Critical patent/KR101866869B9/ko
Ceased legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90—Carbides
    • C01B32/914—Carbides of single elements
    • C01B32/956—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90—Carbides
    • C01B32/914—Carbides of single elements
    • C01B32/956—Silicon carbide
    • C01B32/963—Preparation from compounds containing silicon
    • C01B32/984—Preparation from elemental silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/32—Carbides
    • C23C16/325—Silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C30B25/20—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate the substrate being of the same materials as the epitaxial layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/74—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by peak-intensities or a ratio thereof only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/80—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases
    • C01P2004/82—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases two phases having the same anion, e.g. both oxidic phases
    • C01P2004/84—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases two phases having the same anion, e.g. both oxidic phases one phase coated with the other

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

본 발명은, SiC 소재 및 SiC 복합 소재에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 하기의 식 1에 따라 계산되는 X-회절 피크의 회절 강도비(I)가 1.5 미만인 SiC 소재 및 SiC 복합 소재에 관한 것이다. 본 발명은, 플라즈마에 노출 시 균일하게 식각되어 크랙, 홀 등의 발생을 낮출 수 있는 SiC 소재 및 SiC 복합 소재를 제공할 수 있다.
[식 1]
회절 강도비(I)=((200)면 피크 강도 + (220)면의 피크 강도)/(111)면의 피크 강도

Description

SiC 소재 및 SiC 복합 소재{SILICON CARBIDE MATERIAL AND SILICON CARBIDE COMPOSITE}
본 발명은, SiC 소재 및 이를 이용한 SiC 복합 소재에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조장비에 사용되는 서셉터나 포커스 링, 전극 등은 기존의 반도체 공정에서 사용하던 탄소 소재를 그대로 사용하게 되면, 탄소 소재에서 이물이 발생하게 되는 문제점이 있다.
이와 같은 문제점을 고려하여 탄소 소재의 구조물의 표면에 SiC나 TaC를 코팅하여 사용하는 방법이 이용되고 있다.
SiC는 내열성 및 내화학성이 강하고, 물리적인 강도가 높아 이용 가능성이 높지만, 반도체 분야에서 사용하는 SiC는 플라즈마 환경에서 표면의 식각이 발생하며, 이러한 플라즈마에 의한 식각은 SiC의 결정방향에 따라 다른 식각량을 나타낸다. 이러한 서로 다른 식각량에 의해서 SiC 소재의 제품 안정성이 낮아지고, SiC 소재의 빈번한 교체는 반도체의 제조 비용 등이 증가되는 원인이 된다.
본 발명은, 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 플라즈마 환경에서 안정적이고, 균일하게 식각되는 SiC 소재 및 SiC 복합 소재를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명은, SiC 다중층 복합 소재를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 하나의 양상은,
하기의 식 1에 따라 계산되는 X-회절 피크의 회절 강도비(I)가 1.5 미만인 SiC 소재에 관한 것이다.
[식 1]
회절 강도비(I)=((200)면 피크 강도 + (220)면의 피크 강도)/(111)면의 피크 강도
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 회절 강도비(I)는, 1.21 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 회절 강도비(I)는, 1.0 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 회절 강도비(I)는, 0.9 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 회절 강도비(I)는, 0.8 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 (111)면의 피크의 2θ 값은, 상기 (111)면의 피크의 2θ 값은, 35°내지 36°이며, 상기 (200)면 피크의 2θ 값은, 41°내지 42°이고, 상기 (220)면의 피크의 2θ 값은, 60°내지 61°일 수 있다.
본 발명의 다른 양상은,
베이스; 상기 베이스 상의 적어도 일면에 형성된 SiC 코팅막; 을 포함하고, 상기 SiC 코팅막은 상기 회절 강도비(I)가 1.5 미만인 것인, SiC 복합 소재에 관한 것이다.
본 발명의 또 다른 양상은,
베이스; 상기 베이스 상의 적어도 일면에 형성된 제1 SiC 코팅막; 상기 제1 SiC 코팅막 상에 형성된 제2 SiC 코팅막; 을 포함하고, 상기 제1 SiC 코팅막 및 제2 SiC 코팅막은, 하기의 식 1에 따라 계산되는 X-회절 피크의 회절 강도비(I)가 서로 상이한 것인, SiC 다중층 복합 소재에 관한 것이다.
[식 1]
회절 강도비(I)=((200)면 피크 강도 + (220)면의 피크 강도)/(111)면의 피크 강도
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 제1 SiC 코팅막의 회절 강도비(I)는, 1.21 초과일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 제1 SiC 코팅막의 회절 강도비(I)는, 1.21 초과 및 1.5 미만일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 제1 SiC 코팅막의 회절 강도비(I)는, 1.5 이상일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 제2 SiC 코팅막의 회절 강도비(I)는, 1.5 미만일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 제1 SiC 코팅막 대 제2 SiC 코팅막의 두께비는, 1:0.1 내지 1:0.95일 수 있다.
본 발명은, 플라즈마에 노출되는 부분에 플라즈마에 의해 낮은 식각량을 갖는 (111)면을 우선성장 결정방향으로 형성하여 플라즈마 환경에서 안정적이고, 균일한 식각량을 갖는 SiC 소재 및 SiC 복합 소재를 제공할 수 있다.
본 발명에 의한 SiC 소재 및 SiC 복합 소재는, 플라즈마 환경에서 크랙, 홀 등의 발생 빈도를 낮추어 소재의 수명을 증가시킬 수 있다.
본 발명은, 소스 가스의 공급 속도, 성장 속도 등과 같은 공정조건을 변경하여 우선 성장 결정방향을 (111)면으로 전환시키므로, (111)면을 우선성장 결정방향을 갖는 SiC 소재 및 SiC 복합 소재의 제조에 대한 경제성 및 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른, 본 발명의 SiC 소재(a), SiC 복합 소재(b) 및 SiC 다중층 복합 소재(c)의 단면을 예시적으로 나타낸 것이다.
도 2(a) 및 도2(b)는, 본 발명의 일 실시예에 따른, 본 발명의 SiC 소재의 X-선 회절패턴을 예시적으로 나타낸 것이다.
도 3은, 본 발명의 일 실시예에 따른, 본 발명의 SiC 다중층 복합 소재의 X-선 회절패턴을 예시적으로 나타낸 것이다.
이하 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어들은 본 발명의 바람직한 실시예를 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 본 명세서에서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
본 발명은, SiC(실리콘 카바이드) 소재에 관한 것으로, 상기 SiC 소재는, 플라즈마 노출 면의 우선성장 결정방향으로 (111)면을 성장시켜, 플라즈마 환경에 대한 안정성이 향상되고, 균일한 식각량을 갖는 표면을 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 도 1, 도 2(a) 및 도 2(b)를 참조하면, 도 1의 본 발명의 일 실시예에 따른, SiC 소재, SiC 복합 소재 및 SiC 다중층 복합 소재의 단면을 예시적으로 나타낸 것이며, 도 2(a) 및 도 2(b)는 본 발명의 일 실시예에 따른, SiC 소재의 X-선 회절패턴을 예시적으로 나타낸 것으로, 도 1의 (a)의 SiC 소재(1)는, 도 2(a) 및 도 2(b)에서 제시한 바와 같이, (111)면, (200)면, (220)면 및 (311)면의 X-선 회절 피크를 주피크로 가지며, 상기 피크 중 (111)면은, SiC(1)의 성장 시 우선성장 결정방향으로 성장되고, 최대 회절 강도를 갖는다.
본 발명의 일 예로, 도 2(a) 및 도2(b)의 X-선 회절 패턴은, 본 발명의 기술 분야에서 적용되는 X-선 회절 측정 방법을 이용할 수 있으며, 본 명세서에는 구체적으로 언급하지 않으나, 예를 들어, 박막 또는 분말 X-선 회절 측정 방법을 이용할 수 있으며, 바람직하게는 SiC 소재 및 복합 소재의 표면 또는 절단 면에 X-선을 조사하여 실시할 수 있다. X-선 분석 장치는 "Rigaku, Dmax 2500" 를 이용하였고, 세로축에 회절강도 및 가로축에 회절각(2θ)를 나타낸 X-선 패턴을 획득하였으며, 이는 도 3에 적용된다.
본 발명의 일 예로, X-회절 피크의 회절 강도비(I)는, 하기의 식에 따라 계산되고, X-회절 피크의 회절 강도비(I)는, 1.5 미만일 수 있으며, 바람직하게는 1.21 이하; 1.0 이하; 0.9 이하; 또는 0.8 이하; 일 수 있다. 예를 들어, 도 2(a) 및 도 2(b)를 참조하면, 도 2(a)는 회절 강도비(I)가 1.21인 SiC 소재이며, 도 2(b)는, 회절 강도비(I)가 0.7인 SiC 소재일 수 있다. 상기 회절 강도비(I)가 1.5 미만이면, 플라즈마 환경에서 표면 식각을 균일하게 하고, 기존의 (200)면 및 (220)면이 우선성장 결정방향을 갖는 SiC 소재에 비하여 식각량이 적고 크랙, 홀 등이 발생을 줄일 수 있다.
[식 1]
회절 강도비(I)=((200)면 피크 강도 + (220)면의 피크 강도)/(111)면의 피크 강도
본 발명의 일 예로, 상기 (111)면의 피크의 2θ 값은, 35°내지 36°; 바람직하게는 35.2°내지 35.8°; 또는 35.6°내지 35.8°; 일 수 있고, 상기 (111)면의 피크가 최대 회절 강도를 나타낼 수 있다.
본 발명의 일 예로, 상기 (200)면 피크의 2θ 값은, 41°내지 42°일 수 있다. 상기 (220)면의 피크의 2θ 값은, 60°내지 61°일 수 있다.
본 발명의 일 예로, SiC 소재(1)는, 50 ㎛ 이상; 바람직하게는 500 ㎛ 이상; 또는 1 mm 내지 10 mm 두께; 로 형성될 수 있으며, 상기 두께 범위 내에 포함되면, 플라즈마 환경에서 소재의 안정성이 유지되고, 수명이 연장되어 장기간 사용할 수 있다.
본 발명은, SiC 복합 소재에 관한 것으로, 플라즈마 환경에서 가장 낮게 식각되는 결정방향이 우선성장된 SiC 코팅막이 형성되므로, 복합 소재의 안정성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 도 1의 (b)를 참조하면, 본 발명의 SiC 복합 소재(2)는, 베이스(10) 및 상기 베이스 상의 일면, 양면 또는 전면에 형성된 SiC 코팅막(20); 을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 예로, SiC 복합 소재(2)는, 일면, 양면 또는 전면에 플라즈마에 노출될 수 있으며, 플라즈마에 노출되는 면에 형성된 SiC 코팅막(20)은, (111)면, (200)면, (220)면 및 (311)면의 X-선 회절 피크를 주피크로 가지며, 상기 피크 중 (111)면은, 우선성장 결정방향으로 성장되고, 최대 회절 강도를 가진다. 또한, 상기 식 1에 따라 계산된 X-회절 피크의 회절 강도비(I)가 1.5 미만일 수 있으며, 바람직하게는 1.21 이하; 1.0 이하; 0.9 이하; 또는 0.8 이하일 수 있다.
본 발명의 일 예로, 베이스(10)는, SiC 기재 또는 탄소 기재이며, 상기 탄소 기재는 반도체 공정 등에 적용되는 탄소로 이루어진 소재를 포함하고, 예를 들어, 흑연, 등방성 흑연, 그라파이트, 탄소섬유 강화 탄소복합재 등일 수 있으며, 바람직하게는 그라파이트이다.
본 발명의 일 예로, SiC 코팅막(20)은, 5 ㎛ 이상; 바람직하게는 50 ㎛ 이상; 1 mm 이상; 또는 1 mm 내지 10 mm 두께; 로 형성될 수 있으며, 상기 두께 범위 내에 포함되면, 플라즈마 환경에서 제품의 안정성이 유지되며, SiC 코팅막의 식각 불균일에 따른 베이스의 손상을 방지할 수 있고, 소재의 수명을 연장시킬 수 있다.
본 발명은, SiC 다중층 복합 소재에 관한 것으로, 베이스 상에 회절 강도비(I)를 변화시켜 다층의 SiC 코팅막이 형성되므로, 플라즈마 환경에서 식각량을 낮추면서, 제품의 생산성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 도 1의 (c)를 참조하면, 본 발명의 SiC 다중층 복합 소재(3)는, 베이스(10') 및 상기 베이스 상의 일면, 양면 또는 전면에 형성된 제1 SiC 코팅막(20a); 및 제1 SiC 코팅막(20a) 상에 형성된 제2 SiC 코팅막(20b); 을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 예로, 베이스(10')는, SiC 기재 또는 탄소 기재이며, 상기 언급한 바와 같다.
본 발명의 일 예로, 제1 SiC 코팅막(20a) 및 제2 SiC 코팅막(20b)은, 식 1에 따라 계산되는 회절 강도비(I)의 값이 서로 상이할 수 있다.
예를 들어, 도 3을 참조하면, 도 3에서 제1 SiC 코팅막(20a)은, (111)면, (200)면, (220)면 및 (311)면의 X-선 회절 피크를 주피크로 가지며, 상기 피크 중 (200)면 및 (220)면이 우선성장 결정방향으로 성장될 수 있다. 또한, 제1 SiC 코팅막(20a)은, 상기 식에서 계산되는 회절 강도비(I)가 1.5 이상; 또는 1.54 이상일 수 있으며, 바람직하게는 도 3에 나타내 바와 같이, 회절 강도비(I)가 1.54일 수 있다. 이는 빠른 성장이 이루어진 (200)면 및 (220)면을 우서성장 결정방향으로 먼저 성장시킨 이후에 상대적으로 성장 속도가 낮은 제2 SiC 코팅막(21b)을 형성하므로, SiC 다중층 복합 소재의 생산성을 확보할 수 있다.
다른 예로, 제1 SiC 코팅막(20a)은, (111)면, (200)면, (220)면 및 (311)면의 X-선 회절 피크를 주피크로 가지며, 상기 피크 중 (111)면이 우선성장 결정방향으로 성장되고, (111)면이 최대 회절 강도를 가지며, 제2 SiC 코팅막(20b)과 상이한 회절 강도비(I)를 갖는다. 예를 들어, 회절 강도비(I)는, 1.21 초과이며, 바람직하게는 복합 소재의 생산성과 플라즈마 식각에 따른 제품의 안정성을 개선하기 위해서, 1.21 초과 및 1.5 미만; 일 수 있다.
본 발명의 일 예로, 제1 SiC 코팅막(20a)은, 5 ㎛ 이상; 바람직하게는 50 ㎛ 이상; 1 mm 이상; 또는 1 mm 내지 10 mm; 또는 5 mm 내지 7 mm 두께; 로 형성될 수 있으며, 상기 두께 범위 내에 포함되면, 플라즈마 환경에서 베이스의 손상을 방지하고, 복합 소재의 생산성 및 경제적인 제조비용을 확보할 수 있다.
본 발명의 일 예로, 제2 SiC 코팅막(20b)은, (111)면, (200)면, (220)면 및 (311)면의 X-선 회절 피크를 주피크로 가지며, 상기 피크 중 (111)면이 우선성장 결정방향으로 성장되고, 최대 회절 강도를 가질 수 있다. 또한, 상기 식 1에 따라 계산되는 X-회절 피크의 회절 강도비(I)가 1.5 미만; 바람직하게는 1.21; 1.0 이하; 0.9 이하; 또는 0.8 이하일 수 있다. 제2 SiC 코팅막(20b)이 플라즈마 노출 면에 형성되므로, (200)면, 및 (220)면에 비하여 낮은 식각량과 균일한 표면 식각을 제공할 수 있다.
본 발명의 일 예로, 제2 SiC 코팅막(20b)은, 5 ㎛ 이상; 바람직하게는 50 ㎛ 이상; 1 mm 이상; 또는 1 mm 내지 10 mm; 1 mm 내지 5 mm 두께로 형성될 수 있으며, 상기 두께 범위 내에 포함되면, 플라즈마 환경에서 안정성이 유지되고, 플라즈만 노출 면에서 균일한 식각이 이루어지므로, 복합 소재의 수명을 연장시킬 수 있다.
본 발명의 일 예로, 제1 SiC 코팅막(20a) 및 제2 SiC 코팅막(20b)의 두께는 서로 상이하고, 예를 들어, 상기 제1 SiC 코팅막(20a) 대 제2 SiC 코팅막(20b)의 두께비는, 1:0.1 내지 1:0.95; 바람직하게는 1:0.1 내지 1:0.7; 1:0.1 내지 1:0.5; 또는 1:0.1 내지 1:0.4일 수 있다. 상기 두께비에 포함되면, 상대적으로 빠른 성장 속도로 제1 SiC 코팅막(20a)을 제2 SiC 코팅막(20b)에 비하여 두껍게 형성하므로, 상대적으로 성장 속도가 낮은 제2 SiC 코팅막의 형성에 따른 생산성 저하를 방지할 수 있고, 플라즈마 환경에서 균일한 식각량을 갖는 복합 소재를 제공할 수 있다.
본 발명은, 본 발명에 의한 SiC 소재 및 SiC 복합 소재의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따라, SiC 소재(1) 및 SiC 복합 소재(2)는, 본 발명의 기술 분야에서 적용되는 방법으로 제조될 수 있고, 예를 들어, CVD를 이용하여 형성되며, Si 소스 가스, C 소스 가스, 및 수소, 질소, 헬륨, 아르곤 등과 같은 통상적인 운반가스 등을 적용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 CVD는, 본 발명의 기술 분야에 적용되는 공정 조건으로 수행될 수 있으며, 예를 들어, SiC 소재(1)는, 본 발명의 기술 분야에서 이용되는 증착 장치를 이용하여 제조될 수 있다.
본 발명은, 본 발명에 의한 SiC 다중층 복합 소재의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따라, SiC 다중층 복합 소재(3)는, 본 발명의 기술 분야에서 적용되는 방법으로 제조될 수 있고, 예를 들어, CVD를 이용하여 형성되며, Si 소스 가스, C 소스 가스, 및 수소, 질소, 헬륨, 아르곤 등과 같은 통상적인 운반가스 등을 적용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 SiC 코팅막 및 제2 SiC 코팅막의 코팅막의 형성 시 성장 속도를 조절하여 SiC 코팅막의 우선성장 결정방향을 변경하여 회절 강도비(I)를 변화시킬 수 있다. 성장 속도 조절에 의해서 주성장 결정방향을 용이하게 조절할 수 있고, 이러한 속도에 의해서 SiC 자체의 온도가 50 ℃ 이상 상승되고, 빠른 성장 속도로 베이스와 접하는 제1 SiC 코팅막을 형성한 이후 성장 속도를 낮추어 플라즈마 식각에 강한 제2 SiC 코팅막을 형성하므로, SiC 다중층 복합 소재의 생산성 저하를 방지할 수 있다.
본 발명은, 플라즈마 환경에서 식각량이 적고 균일한 식각이 이루어지는 SiC 소재, SiC 복합 소재 및 SiC 다중층 복합 소재를 제공할 수 있고, SiC 제조 시 공정조건, 예를 들어, 성장 속도를 조절하여 SiC 소재, SiC 복합 소재 및 SiC 다중층 복합 소재를 제공할 수 있다.
본 발명의 상기 실시예를 참조하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고, 하기의 특허 청구의 범위, 발명의 상세한 설명 및 첨부된 도면에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있다.

Claims (13)

  1. 하기의 식 1에 따라 계산되는 X-회절 피크의 회절 강도비(I)가 1.0 이하이고,
    상기 X-회절 피크에서 (111)면이 우선성장 결정방향이며,
    CVD 증착층인 SiC 소재.
    [식 1]
    회절 강도비(I)=((200)면 피크 강도 + (220)면의 피크 강도)/(111)면의 피크 강도
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 회절 강도비(I)는, 0.9 이하인 것인, SiC 소재.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 회절 강도비(I)는, 0.8 이하인 것인, SiC 소재.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 (111)면의 피크의 2θ 값은, 35°내지 36°이며
    상기 (200)면 피크의 2θ 값은, 41°내지 42°이고,
    상기 (220)면의 피크의 2θ 값은, 60°내지 61°인 것인, SiC 소재.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
KR1020160104726A 2016-08-18 2016-08-18 SiC 소재 및 SiC 복합 소재 Ceased KR101866869B1 (ko)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160104726A KR101866869B1 (ko) 2016-08-18 2016-08-18 SiC 소재 및 SiC 복합 소재
CN201780049770.7A CN109562948B (zh) 2016-08-18 2017-08-18 SiC材料及SiC复合材料
SG11201901230VA SG11201901230VA (en) 2016-08-18 2017-08-18 Sic material and sic composite material
TW106128050A TWI646229B (zh) 2016-08-18 2017-08-18 碳化矽材料及碳化矽複合材料
JP2019530632A JP6831916B2 (ja) 2016-08-18 2017-08-18 ＳｉＣ素材及びＳｉＣ複合素材
PCT/KR2017/009002 WO2018034532A1 (ko) 2016-08-18 2017-08-18 Sic 소재 및 sic 복합 소재
US16/325,983 US11591227B2 (en) 2016-08-18 2017-08-18 SiC material and SiC composite material
JP2021012846A JP2021066657A (ja) 2016-08-18 2021-01-29 ＳｉＣ素材及びＳｉＣ複合素材

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160104726A KR101866869B1 (ko) 2016-08-18 2016-08-18 SiC 소재 및 SiC 복합 소재

Publications (3)

Publication Number Publication Date
KR20180020442A KR20180020442A (ko) 2018-02-28
KR101866869B1 true KR101866869B1 (ko) 2018-06-14
KR101866869B9 KR101866869B9 (ko) 2022-05-02

Family

ID=61196745

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160104726A Ceased KR101866869B1 (ko) 2016-08-18 2016-08-18 SiC 소재 및 SiC 복합 소재

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11591227B2 (ko)
JP (2) JP6831916B2 (ko)
KR (1) KR101866869B1 (ko)
CN (1) CN109562948B (ko)
SG (1) SG11201901230VA (ko)
TW (1) TWI646229B (ko)
WO (1) WO2018034532A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020213847A1 (ko) * 2019-04-18 2020-10-22 주식회사 티씨케이 Sic 소재 및 이의 제조방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100269890B1 (ko) 1997-01-20 2000-11-01 이와나미 기요히사 경면체
JP4361177B2 (ja) * 1999-11-02 2009-11-11 東洋炭素株式会社 炭化ケイ素材料及びｒｔｐ装置用治具

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4472476A (en) * 1982-06-24 1984-09-18 United Technologies Corporation Composite silicon carbide/silicon nitride coatings for carbon-carbon materials
US4476178A (en) 1982-06-24 1984-10-09 United Technologies Corporation Composite silicon carbide coatings for carbon-carbon materials
JPH0692761A (ja) 1992-09-10 1994-04-05 Shin Etsu Chem Co Ltd ＣＶＤ−ＳｉＣコートＳｉ含浸ＳｉＣ製品およびその製造方法
JPH11157989A (ja) 1997-11-25 1999-06-15 Toyo Tanso Kk 気相成長用サセプター及びその製造方法
JPH11199323A (ja) * 1998-01-14 1999-07-27 Tokai Carbon Co Ltd ダミーウエハ
JP3857446B2 (ja) * 1998-12-01 2006-12-13 東海カーボン株式会社 ＳｉＣ成形体
JP2001048649A (ja) * 1999-07-30 2001-02-20 Asahi Glass Co Ltd 炭化ケイ素およびその製造方法
JP4786782B2 (ja) 1999-08-02 2011-10-05 東京エレクトロン株式会社 耐食性に優れたＣＶＤ−ＳｉＣおよびそれを用いた耐食性部材、ならびに処理装置
JP3557457B2 (ja) 2001-02-01 2004-08-25 東北大学長 ＳｉＣ膜の製造方法、及びＳｉＣ多層膜構造の製造方法
US20050123713A1 (en) 2003-12-05 2005-06-09 Forrest David T. Articles formed by chemical vapor deposition and methods for their manufacture
JP5087238B2 (ja) * 2006-06-22 2012-12-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 半導体製造装置の保守方法及び半導体製造方法
JP5051909B2 (ja) * 2007-03-30 2012-10-17 コバレントマテリアル株式会社 縦型ウエハボート
CA2761246A1 (en) 2009-05-11 2010-11-18 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Insulated gate bipolar transistor
US9725822B2 (en) * 2010-12-24 2017-08-08 Toyo Tanso Co., Ltd. Method for epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide using a feed material including a surface layer containing a polycrystalline silicon carbide with a 3C crystal polymorph
KR101740094B1 (ko) * 2010-12-24 2017-05-25 도요탄소 가부시키가이샤 단결정 탄화규소 액상 에피택셜 성장용 유닛 및 단결정 탄화규소의 액상 에피택셜 성장 방법
EP2657375B1 (en) 2010-12-24 2018-08-08 Toyo Tanso Co., Ltd. Seed material for liquid phase epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide, and method for liquid phase epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide
JP5724122B2 (ja) * 2010-12-24 2015-05-27 東洋炭素株式会社 単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材及び単結晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長方法
JP5896297B2 (ja) * 2012-08-01 2016-03-30 東海カーボン株式会社 ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体およびＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の製造方法
CN102874809A (zh) * 2012-10-22 2013-01-16 南京工业大学 一种碳化硅复合粉体及其制备工艺
FR3002952B1 (fr) 2013-03-08 2015-10-30 Commissariat Energie Atomique Procede de preparation d'un revetement multicouche de ceramiques carbures sur, et eventuellement dans, une piece en un materiau carbone, par une technique d'infiltration reactive a l'etat fondu rmi.
KR101631797B1 (ko) * 2015-04-13 2016-06-20 주식회사 티씨케이 건식식각장치의 SiC 구조물 및 그 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100269890B1 (ko) 1997-01-20 2000-11-01 이와나미 기요히사 경면체
JP4361177B2 (ja) * 1999-11-02 2009-11-11 東洋炭素株式会社 炭化ケイ素材料及びｒｔｐ装置用治具

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ECS Transactions, 2006 *
Youngmin Lee 외 4명, ‘Surface coating of graphite pebbles for Korean HCCR TBM’, Fusion Engineering and Design 89, pp1734？1738 (2014) *
일본 특허공보 특허 제 4361177호(2009.11.11.) 1부. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020213847A1 (ko) * 2019-04-18 2020-10-22 주식회사 티씨케이 Sic 소재 및 이의 제조방법
US11658060B2 (en) 2019-04-18 2023-05-23 Tokai Carbon Korea Co., Ltd SiC material and method for manufacturing same

Also Published As

Publication number Publication date
CN109562948B (zh) 2022-09-30
SG11201901230VA (en) 2019-03-28
KR101866869B9 (ko) 2022-05-02
US11591227B2 (en) 2023-02-28
JP2019526525A (ja) 2019-09-19
WO2018034532A1 (ko) 2018-02-22
TWI646229B (zh) 2019-01-01
JP2021066657A (ja) 2021-04-30
CN109562948A (zh) 2019-04-02
US20190177172A1 (en) 2019-06-13
KR20180020442A (ko) 2018-02-28
JP6831916B2 (ja) 2021-02-17
TW201812123A (zh) 2018-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2024116270A (ja) 大口径炭化ケイ素ウェハ
KR102675266B1 (ko) 탄화탄탈 피복 탄소 재료 및 그 제조 방법, 반도체 단결정 제조 장치용 부재
US10119200B2 (en) Silicon carbide single crystal substrate and process for producing same
KR20160055102A (ko) 탄화규소 단결정 웨이퍼 및 탄화규소 단결정 잉곳의 제조 방법
CN103160928A (zh) 一种生长高质量SiC单晶的籽晶处理方法
KR101824883B1 (ko) 탄화탄탈 코팅 탄소 재료
JP2021138597A (ja) ウエハ、エピタキシャルウエハ及びその製造方法
KR102195325B1 (ko) 탄화규소 잉곳, 웨이퍼 및 이의 제조방법
CN113964016B (zh) 碳化硅外延晶片的制造方法
KR20180071747A (ko) 반도체 제조용 부품, 복합체 코팅층을 포함하는 반도체 제조용 부품 및 그 제조방법
JP2008110907A (ja) 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法及び炭化珪素単結晶インゴット
KR101866869B1 (ko) SiC 소재 및 SiC 복합 소재
KR20170133193A (ko) 탄화탄탈 다중코팅 재료 및 그 제조방법
JP2017011102A (ja) 炭化珪素膜の成膜装置のクリーニング方法
JP2017017084A (ja) 炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法およびエピタキシャル成長装置
KR102672791B1 (ko) 탄화규소 잉곳의 제조 방법
KR102578550B1 (ko) 반도체 제조장치용 부품 및 그의 제조방법
JP4619036B2 (ja) 炭素複合部材
TWI551717B (zh) 類鑽碳膜之製造方法
JP4774537B2 (ja) ＳｉＣエピタキシャル膜の製造方法、およびスペーサー形成方法
KR102207607B1 (ko) 다음극 직류전원 플라즈마 cvd 다이아몬드 성장 장치
KR102737202B1 (ko) 탄화규소 잉곳의 제조 방법
KR102827503B1 (ko) 반도체 제조장치용 엣지 링 및 이의 제조방법
KR102262340B1 (ko) 탄화붕소 소재
TW202403918A (zh) 半導體製造裝置用部件及其製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20160818

PA0201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
PA0302 Request for accelerated examination

Patent event date: 20161020

Patent event code: PA03022R01D

Comment text: Request for Accelerated Examination

Patent event date: 20160818

Patent event code: PA03021R01I

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20161222

Patent event code: PE09021S01D

AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20170822

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20161222

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I

AMND Amendment
PX0901 Re-examination

Patent event code: PX09011S01I

Patent event date: 20170822

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX09012R01I

Patent event date: 20170608

Comment text: Amendment to Specification, etc.

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20171024

Patent event code: PE09021S01D

PG1501 Laying open of application
AMND Amendment
PX0701 Decision of registration after re-examination

Patent event date: 20180515

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event code: PX07013S01D

Patent event date: 20180315

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX07012R01I

Patent event date: 20170922

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX07012R01I

Patent event date: 20170822

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX07011S01I

Patent event date: 20170608

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX07012R01I

X701 Decision to grant (after re-examination)
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20180605

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20180607

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
J204 Request for invalidation trial [patent]
PJ0204 Invalidation trial for patent

Patent event date: 20191115

Comment text: Request for Trial

Patent event code: PJ02042R01D

Patent event date: 20180605

Comment text: Registration of Establishment

Patent event code: PJ02041E01I

Appeal kind category: Invalidation

Request date: 20191115

Decision date: 20200625

Appeal identifier: 2019100003601

J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2019100003601; TRIAL DECISION FOR INVALIDATION REQUESTED 20191115

Effective date: 20200625

PJ1301 Trial decision

Patent event code: PJ13011S05D

Patent event date: 20200625

Comment text: Trial Decision on Invalidation (Patent, Utility Model, Industrial Design)

Appeal kind category: Invalidation

Request date: 20191115

Decision date: 20200625

Appeal identifier: 2019100003601

PJ2001 Appeal

Patent event date: 20200625

Comment text: Trial Decision on Invalidation (Patent, Utility Model, Industrial Design)

Patent event code: PJ20011S05I

Appeal kind category: Invalidation

Decision date: 20210902

Appeal identifier: 2020200005382

Request date: 20200807

J202 Request for trial for correction [limitation]
PJ0202 Trial for correction

Comment text: Request for Trial

Patent event date: 20200923

Patent event code: PJ02022R01D

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20180605

Patent event code: PJ02021E01I

Appeal kind category: Correction

Decision date: 20210323

Request date: 20200923

Appeal identifier: 2020105000093

J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2020105000093; TRIAL DECISION FOR CORRECTION REQUESTED 20200923

Effective date: 20210323

PJ1301 Trial decision

Patent event code: PJ13011S03D

Patent event date: 20210323

Comment text: Trial Decision on Correction (Patent, Utility Model)

Appeal kind category: Correction

Request date: 20200923

Decision date: 20210323

Appeal identifier: 2020105000093

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210405

Start annual number: 4

End annual number: 4

PJ2001 Appeal

Patent event date: 20210323

Comment text: Trial Decision on Correction (Patent, Utility Model)

Patent event code: PJ20011S03I

Patent event date: 20200625

Comment text: Trial Decision on Invalidation (Patent, Utility Model, Industrial Design)

Patent event code: PJ20011S05I

Appeal kind category: Correction

Decision date: 20210902

Appeal identifier: 2021205002540

Request date: 20210409

PJ1302 Judgment (patent court)

Patent event date: 20210907

Comment text: Written Judgment (Patent Court)

Patent event code: PJ13021S01D

Request date: 20210409

Decision date: 20210902

Appeal identifier: 2021205002540

Appeal kind category: Correction

J302 Written judgement (patent court)

Free format text: TRIAL NUMBER: 2020200005382; JUDGMENT (PATENT COURT) FOR INVALIDATION REQUESTED 20200807

Effective date: 20210902

PJ1302 Judgment (patent court)

Patent event date: 20211014

Comment text: Written Judgment (Patent Court)

Patent event code: PJ13021S01D

Request date: 20200807

Decision date: 20210902

Appeal identifier: 2020200005382

Appeal kind category: Invalidation

PJ2201 Remand (intellectual property tribunal)

Patent event code: PJ22012S01I

Comment text: Written Judgment (Patent Court)

Patent event date: 20211014

Request date: 20211014

Appeal kind category: Invalidation

Appeal identifier: 2021130000107

Decision date: 20220111

J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2021130000107; TRIAL DECISION FOR INVALIDATION REQUESTED 20211014

Effective date: 20220111

PJ1301 Trial decision

Patent event code: PJ13011S09D

Patent event date: 20220111

Comment text: Trial Decision on Final Judgment on Revocation

Appeal kind category: Invalidation

Request date: 20211014

Decision date: 20220111

Appeal identifier: 2021130000107

PC2102 Extinguishment

Termination category: Others

Termination date: 20220316

PG1701 Publication of correction

Publication date: 20220502