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KR101816861B1 - 플라즈마 표면 처리장치 - Google Patents

플라즈마 표면 처리장치 Download PDF

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KR101816861B1
KR101816861B1 KR1020160137499A KR20160137499A KR101816861B1 KR 101816861 B1 KR101816861 B1 KR 101816861B1 KR 1020160137499 A KR1020160137499 A KR 1020160137499A KR 20160137499 A KR20160137499 A KR 20160137499A KR 101816861 B1 KR101816861 B1 KR 101816861B1
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neutral
plasma
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김홍습
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(주)제이하라
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Abstract

본 발명은 플라즈마 이온을 중성빔으로 변환하여 TEM 샘플(기판) 표면을 세정하거나 표면처리(미세 식각 등)하기 위한 표면 처리장치에 관한 것으로, 이종 이상의 공정가스를 단독 또는 혼합하여 공급 가능한 공정가스 공급부(101)와; 상기 공정가스 공급부(101)로부터 공급가스가 주입되어 플라즈마가 발생되는 플라즈마 발생챔버(100)와; 공정가스가 주입되어 플라즈마가 발생되는 플라즈마 발생챔버(100)와; 진공펌프(410)(420)가 구비되어 진공분위기에서 중성빔에 의한 샘플(S)의 표면 처리가 이루어지는 뉴트럴챔버(200)와; 상기 플라즈마 발생챔버(100)와 상기 뉴트럴챔버(200) 사이에 구비되어 상기 플라즈마 발생챔버(100)에서 발생된 이온을 중성빔으로 변환하여 상기 뉴트럴챔버(200)에 전달하게 되는 세퍼레이터(300);를 포함하며, 상기 세퍼레이터(300)는, 복수의 제1가스홀(312)이 형성된 판상으로서, RF공급부(301)와 연결되어 셀프바이어스에 의해 이온을 가속시키는 RF캐소드(310)와; 상기 제1가스홀(312)과 연통되는 복수의 제2가스홀(322)이 형성되어 상기 RF캐소드(310) 하부에 적층되는 절연체(320)와; 상기 제2가스홀(322)과 연통되는 복수의 제3가스홀(332)이 형성되어 상기 절연체(320) 하부에 적층되어 이온을 중성빔으로 변환하게 되는 뉴트럴라이저(330);를 포함한다.

Description

플라즈마 표면 처리장치{Surface treatment apparatus using plasma}
본 발명은 플라즈마를 사용하여 TEM(Transmission Electron Microscopy) 샘플(기판) 표면을 세정하거나 표면처리(미세 식각 등)하기 위한 표면 처리장치에 관한 것이다.
TEM 은 시료의 원자층의 구조를 관찰할 수 있는 초정밀 전자현미경이다. TEM 으로 원자층을 관찰하기 위해서는 전자가 시료의 단면을 투과할수 있도록 수 nm 두께로 얇게 시편을 제작하여야한다. 이러한 시편 제작방법으로 기존에 이온 밀링법(Ion Milling)을 주로 사용해 왔으나, 고가의 가격 및 시료에 주는 데미지(Damage)로 인해서 많은 어려움이 있다. 시료에 데미지를 주지 않고 이온 밀링을 위해서는 이온 에너지를 낮추어야 하는 어려움과, 아주 작은 샘플에 이온빔(Ion Beam)을 포커싱(Focusing) 하여야하는 어려움이 있다.
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공개특허공보 특2003-0042958호(공개일자: 2003.06.02) 등록특허공보 제10-0559245호(공고일자: 2006.03.15)
이러한 문제점을 개선하기 위하여 본 발명은 플라즈마 이온을 효과적으로 중성빔(neutral beam)으로 변환하여 TEM 샘플의 표면 처리 장치를 제공하고자 하는 것으로, 낮은 에너지의 중성빔으로 표면을 식각하기 때문에 예민한 샘플에 주는 데미지를 최소화할 수 있다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 표면 처리장치는, 이종 이상의 공정가스를 단독 또는 혼합하여 공급 가능한 공정가스 공급부와; 상기 공정가스 공급부로부터 공급가스가 주입되어 플라즈마가 발생되는 플라즈마 발생챔버와; 진공펌프가 구비되어 진공분위기에서 중성빔에 의한 샘플의 표면 처리가 이루어지는 뉴트럴챔버와; 상기 플라즈마 발생챔버와 상기 뉴트럴챔버 사이에 구비되어 상기 플라즈마 발생챔버에서 발생된 이온을 중성빔으로 변환하여 상기 뉴트럴챔버에 전달하게 되는 세퍼레이터;를 포함하며, 상기 세퍼레이터는, 복수의 제1가스홀이 형성된 판상으로서, RF공급부와 연결되어 셀프바이어스에 의해 이온을 가속시키는 RF캐소드와; 상기 제1가스홀과 연통되는 복수의 제2가스홀이 형성되어 상기 RF캐소드 하부에 적층되는 절연체와; 상기 제2가스홀과 연통되는 복수의 제3가스홀이 형성되어 상기 절연체 하부에 적층되어 이온을 중성빔으로 변환하게 되는 뉴트럴라이저;를 포함한다.
바람직하게는, 상기 뉴트럴챔버 및/또는 상기 플라즈마 발생챔버는, 샘플을 고정 지지하게 되는 하나 이상의 샘플 홀딩부를 더 포함한다.
보다 바람직하게는, 상기 샘플 홀딩부는, 샘플이 안착 위치하게 되는 샘플 고정부와; 상기 샘플 고정부를 전후 이동 및 회전 가능하게 지지하는 홀더브라켓과; 상기 샘플 고정부를 전후 조작하기 위한 조작부와; 상기 샘플 고정부를 회전 구동하기 위한 회전 조작부;를 포함한다.
바람직하게는, 상기 공정가스는 유기물 오염을 제거하기 위한 Ar, O2, N2, 또는 H2, 또는 이들의 혼합가스일 수 있으며, 또는 상기 공정가스는 금속 또는 무기 오염물질을 제거하기 위하여 CF4, SF6, Cl2, 또는 CHF3의 반응가스, 또는 이들의 혼합가스이다.
바람직하게는, 상기 뉴트럴라이저는 Al, 또는 금(Au)이 코팅된 Al 등의 금속 재료, 또는 카본 등의 비금속성의 도전성 재료인 것이다.
바람직하게는, 상기 진공펌프에 연결되어 배기가스 중의 유해가스를 처리하기 위한 배기가스 처리부를 더 포함하며, 보다 바람직하게는, 상기 배기가스 처리부는, 배기된 유해가스를 포획하기 위한 포획부와; 상기 포획부의 배기라인에 구비되어 유해가스의 농도를 검출하기 위한 가스검출센서;를 포함한다.
바람직하게는, 상기 제3가스홀은, 상단에 역원추 형상을 갖는 저항구간과; 상기 저항구간의 하단에서 연장되는 원기동 형상의 벤트구간으로 구성될 수 있다.
보다 바람직하게는, 상기 저항구간의 높이는 상기 벤트구간 보다 더 길 수 있으며, 또는, 상기 저항구간의 높이는 상기 벤트구간 보다 더 짧거나 같을 수 있다.
본 발명의 플라즈마 발생장치는, RF공급부와 연결되어 셀프바이어스에 의해 이온을 가속시키는 RF캐소드를 포함한 세퍼레이터를 플라즈마 발생챔버와 뉴트럴챔버 사이에 배치하며, 세퍼레이터를 통해 플라즈마 발생챔버에서 발생된 이온을 중성빔으로 변환하여 뉴트럴챔버에 가속 조사함으로써 샘플에 손상을 주지 않으면서 표면 처리가 가능한 효과가 있다.
또한 본 발명의 플라즈마 표면 처리장치는, CF4, Cl2와 같은 가스를 사용하여 중성 라디칼(radical)을 사용하게 되면 시료에 오염되어 있는 금속성 또는 무기 오염 물질을 제거할 수 있으며, O2, H2, Ar 라디칼을 사용하게 되면 샘플 표면에 오염되어 있는 다양한 카본(Carbon) 계열의 유기 오염물질을 효과적으로 제거할 수 있는 장점이 있다.
또한 본발명에서 사용하는 플라즈마 기술은 이온 밀링에서 사용하는 포커싱된(Focused) 빔이 아니고 확산 빔을 사용할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 표면 처리장치의 전체 구성도,
도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 표면 처리장치의 외관을 보여주는 도면,
도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 표면 처리장치의 요부 구성인 세퍼레이터의 분해 사시도,
도 4의 (a)(b)는 각각 본 발명에 따른 플라즈마 표면 처리장치의 개략 구성도 및 수직방향의 포텐셜 분포를 보여주는 그래프.
본 발명의 실시예에서 제시되는 특정한 구조 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 개념에 따른 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있다. 또한 본 명세서에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니 되며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경물, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
한편, 본 발명에서 제1 및/또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소들과 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 제1구성요소는 제2구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2구성요소는 제1구성요소로도 명명될 수 있다.
어떠한 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어"있다거나 "접속되어"있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떠한 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어"있다거나 또는 "직접 접촉되어"있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하기 위한 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 인접하는"과 "~에 직접 인접하는"등의 표현도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 명세서에서 사용하는 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서 "포함한다" 또는 "가지다"등의 용어는 실시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대해 구체적인 실시예를 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 표면 처리장치의 전체 구성도이다.
도 1을 참고하면, 본 발명에 따른 플라즈마 표면 처리장치는, 플라즈마 발생챔버(100)와, 플라즈마 발생챔버(100)의 하부에 배치되는 뉴트럴챔버(200)와, 플라즈마 발생챔버(100)와 뉴트럴챔버(200) 사이에 배치되는 세퍼레이터(300)를 포함하며, 뉴트럴챔버(200)에 연결되어 진공을 발생시키기 위한 진공펌프(410)(420)에 연결되어 배기가스 중에 유해가스를 처리하기 위한 배기가스 처리부(500)를 더 포함할 수 있다.
플라즈마 발생챔버(100)는 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부(101)가 구비되어 플라즈마가 발생되며, 미도시된 MFC(Mass Flow Controller)가 구비되어 정량의 공정가스의 공급이 이루어질 수 있다. 공정가스로는 주지의 Ar, O2, N2, H2가 사용될 수 있으며, 또는 시료의 금속 또는 무기 오염물질을 제거하기 위하여 CF4, SF6, Cl2, CHF3 등의 반응가스 또는 이들의 혼합가스가 사용될 수 있다.
도면부호 102는 진공도를 표시할 수 있는 진공게이지이다.
뉴트럴챔버(200)는 샘플(기판)(S)의 표면 처리가 이루어지게 되며, 바람직하게는, 샘플(S)을 고정하여 지지하게 되는 제1샘플 홀딩부(210)를 더 포함한다.
제1샘플 홀딩부(210)는 샘플(S)이 안착 위치하게 되는 샘플 고정부(211)와, 뉴트럴챔버(200)에 샘플 고정부(211)를 전후 이동 및 회전 가능하게 지지하는 홀더브라켓(212)과, 샘플 고정부(211)를 전후 조작하기 위한 조작부(213)와, 샘플 고정부(211)를 회전 구동하기 위한 회전 조작부(214)를 포함하며, 회전 조작부(214)는 전동모터(214a)가 구비되어 전동 방식으로 구동이 이루어질 수 있다.
도시되지 않았으나, 샘플 고정부(211)는 샘플(S)이 안착 위치하게 되는 고정부에 기구적인 클램프 또는 진공척이 구비되어 샘플(S)을 고정할 수 있다.
본 실시예에서 플라즈마 발생챔버(100) 내에 제2샘플 홀딩부(110)가 구비됨을 보여주고 있으며, 따라서 플라즈마 발생챔버(100) 내에서 발생된 플라즈마에 의해 샘플의 표면 처리도 이루어질 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 표면 처리장치의 외관을 보여주는 도면이다.
도 2를 참고하면, 뉴트럴챔버(200)와 플라즈마 발생챔버(100)각각에 제1샘플 홀딩부(210)와 제2샘플 홀딩부(110)가 구비됨을 보여주고 있으며, 이때, 각 챔버에 구비되는 샘플 홀딩부는 2개로 구성되어 복수의 샘플에 대한 표면 처리가 이루어질 수 있다. 각 챔버에 구비되는 샘플 홀딩부는 챔버의 크기 또는 형태에 따라서 2개 이상 마련될 수 있다.
다시 도 1을 참고하면, 뉴트럴챔버(200) 하단에는 진공펌프(410)(420)가 마련되며, 본 실시예에서 진공펌프(410)(420)는 고진공을 위한 고진공 펌프(410)와, 저진공을 위한 저진공 펌프(420)로 구성됨을 보여주고 있다. 뉴트럴챔버(200)의 진공 과정은 초기에 저진공 펌프(420)에 의해 일정 수준까지 진공을 생성하고 이후 고진공 펌프(410)에 의해 고진공 상태를 생성하여 진공 상태를 유지하게 된다.
배기가스 처리부(500)는 진공펌프(410)(420)의 배출단에 마련되어 반응한 유해 공정가스를 포획 처리한다.
구체적으로 배기가스 처리부(500)는 유해가스를 포획하기 위한 유해가스 포획부(510)와, 유해가스 포획부(510)의 배기라인(501)에 구비되어 유해가스 농도를 검출하기 위한 가스검출센서(520)를 포함할 수 있다. 유해가스 포획부(510)는 발생된 유해가스를 집진할 수 있는 주지의 필터일 수 있으며, 예를 들어, 유해가스를 포획하기 위하여 레진이 충전된 필터카트리지일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
세퍼레이터(300)는 플라즈마 발생챔버(100)와 뉴트럴챔버(200) 사이에 배치되며, 플라즈마 발생챔버(100)에서 발생된 이온을 중성빔(NB)으로 변환하여 뉴트럴챔버(200)에 전달한다.
특히 본 발명에서 세퍼레이터(300)는, 복수의 제1가스홀이 형성된 판상으로서, RF공급부(301)와 연결되어 셀프바이어스에 의해 전원이 인가되는 RF캐소드(310)와; 제1가스홀과 연통되는 복수의 제2가스홀이 형성되어 RF캐소드(310) 하부에 적층되는 절연체(320)와; 제2가스홀과 연통되는 복수의 제3가스홀이 형성되어 절연체(320) 하부에 적층되어 이온을 중성빔으로 변환하게 되는 뉴트럴라이저(330)를 포함한다.
도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 표면 처리장치의 요부 구성인 세퍼레이터의 분해 사시도로서, 일부 확대된 도면은 절연막(311a) 일부를 절개한 상태를 보여준다.
도 3을 참고하면, RF캐소드(310)는 복수의 제1가스홀(312)이 수직으로 관통하여 형성된 도체의 디스크 형상의 캐소드몸체(311)를 포함하며, 바람직하게는, 디스크 몸체(311)의 표면에 아노다이징 등의 절연막(311a)이 코팅된다.
RF캐소드(310)는 RF공급부(301)와 연결되며 셀프바이어에 의해 이온의 가속이 이루어진다.
절연체(320)는 복수의 제2가스홀(322)이 관통 형성된 디스크 형상의 절연몸체(321)를 포함하며, 이때 제2가스홀(322)은 제1가스홀(312)과 대응되는 위치에 형성된다.
뉴트럴라이저(330)는 Al, 또는 금(Au)이 코팅된 Al 등의 금속 재료 또는 카본 등의 비금속성의 도전성 재료가 사용될 수 있으며, 복수의 제3가스홀(332)이 디스크 형상의 뉴트럴라이저 몸체(331)를 포함한다. 제3가스홀(332)은 제2가스홀(322)과 대응되는 위치에 형성된다.
바람직하게는, 제3가스홀(322)은 상단에 역원추 형상의 경사면을 갖는 저항구간(332a)과, 저항구간(332a)의 하단에서 연장되는 원기둥 형상의 벤트구간(332b)으로 구성될 수 있으며, 따라서 제3가스홀(322)을 통과하는 이온은 저항구간(332a)에서 경사면과 충돌하는 확률이 증가하고 그 결과 더 많은 중성빔을 얻을 수 있다.
한편, 제3가스홀(322)을 구성하는 저항구간(322a)의 높이(d1)는 벤트구간(332b)의 높이(d2) 보다는 긴 경우(d1>d2)에는 제3가스홀(322)을 따라서 배기되는 중성빔은 확산빔을 가지며, 벤트구간(322b)이 저항구간(322a) 보다 더 길거나(d1<d2) 두 구간의 길이가 대략 같은 경우(d1≒d2)에 제3가스홀(322)을 따라서 배기되는 중성빔은 직진(direct) 방향으로 배기되어 뉴트럴챔버 내의 국소적인 공간에만 중성빔 조사가 이루어질 수 있다.
따라서 저항구간(322a)과 벤트구간(332b)의 길이의 비(d1:d2)를 적절히 조정하여 시편 처리에 적정한 확산 중성빔을 얻을 수 있다.
이와 같이 구성된 세퍼레이터는 제1가스홀(312), 제2가스홀(322) 및 제3가스홀(332)이 하나로 연결된 홀을 형성하며, RF공급부(301)에 의해 RF캐소드(310)에 인가된 셀프바이어스에 의해 플라즈마 발생챔버 내의 이온들은 세퍼레이터로 이동하여 홀을 통과하면서 중성화되어 뉴트럴챔버(200)로 이송된다.
도 4의 (a)(b)는 각각 본 발명에 따른 플라즈마 표면 처리장치의 개략 구성도 및 수직방향의 포텐셜 분포를 보여주는 그래프로서, RF캐소드(310), 절연체(320) 및 뉴트럴라이저(330)를 관통하는 각 가스홀은 별도의 구분 없이 홀(h)로 지칭하여 설명한다.
도 4를 참고하면, 플라즈마 발생챔버(100)에서 발생된 플라즈마는 양(+)의 포텐션을 갖는 반면에, RF캐소드(310)의 표면에는 RF공급부(301)의 셀프바이어스(-VB)에 의해 음(-)의 포텐셜을 갖는다.
따라서 플라즈마 발생챔버(100)의 양이온들은 RF캐소드(310)로 가속되며, 가속된 양이온들은 홀(h)을 통과하면서 중성화되고 할로우 캐소드(hollow cathode effect)에 의해 홀(h)에서의 플라즈마 밀도는 증가하게 된다. 홀(h)을 통과한 중성빔은 뉴트럴챔버(200)로 조사되어 샘플의 표면 처리가 이루어질 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명백할 것이다.
100 : 플라즈마 발생챔버 110 : 제2샘플 홀딩부
200 : 뉴트럴챔버 210 : 제1샘플 홀딩부
300 : 세퍼레이터 310 : RF캐소드
311 : 캐소드몸체 311a : 절연막
312 : 제1가스홀 320 : 절연체
321 : 절연몸체 322 : 제2가스홀
330 : 뉴트럴라이저 332 : 제3가스홀
410 : 고진공 펌프 420 : 저진공 펌프
500 : 배기가스 처리부 510 : 유해가스 포획부
520 : 가스검출센서

Claims (13)

  1. 이종 이상의 공정가스를 단독 또는 혼합하여 공급 가능한 공정가스 공급부와;
    상기 공정가스 공급부로부터 공급가스가 주입되어 플라즈마가 발생되는 플라즈마 발생챔버와;
    진공펌프가 구비되어 진공분위기에서 중성빔에 의한 샘플의 표면 처리가 이루어지는 뉴트럴챔버와;
    상기 플라즈마 발생챔버와 상기 뉴트럴챔버 사이에 구비되어 상기 플라즈마 발생챔버에서 발생된 이온을 중성빔으로 변환하여 상기 뉴트럴챔버에 전달하게 되는 세퍼레이터;를 포함하며,
    상기 세퍼레이터는,
    복수의 제1가스홀이 형성된 판상으로서, RF공급부와 연결되어 셀프바이어스에 의해 이온을 가속시키는 RF캐소드와;
    상기 제1가스홀과 연통되는 복수의 제2가스홀이 형성되어 상기 RF캐소드 하부에 적층되는 절연체와;
    상기 제2가스홀과 연통되는 복수의 제3가스홀이 형성되어 상기 절연체 하부에 적층되어 이온을 중성빔으로 변환하게 되는 뉴트럴라이저와;
    상기 플라즈마 발생챔버 내에서 샘플을 고정 지지하도록 구비되는 하나 이상의 샘플 홀딩부를 포함하는 플라즈마 표면 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 뉴트럴챔버는, 샘플을 고정 지지하게 되는 하나 이상의 샘플 홀딩부를 더 포함하는 플라즈마 표면 처리장치.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 샘플 홀딩부는,
    샘플이 안착 위치하게 되는 샘플 고정부와;
    상기 샘플 고정부를 전후 이동 및 회전 가능하게 지지하는 홀더브라켓과;
    상기 샘플 고정부를 전후 조작하기 위한 조작부와;
    상기 샘플 고정부를 회전 구동하기 위한 회전 조작부;를 포함하는 플라즈마 표면 처리장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 공정가스는 유기물 오염을 제거하기 위한 Ar, O2, N2, 또는 H2, 또는 이들의 혼합가스인 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면 처리장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 공정가스는 금속 또는 무기 오염물질을 제거하기 위하여 CF4, SF6, Cl2, 또는 CHF3의 반응가스, 또는 이들의 혼합가스인 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면 처리장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 뉴트럴라이저는 Al, 또는 금(Au)이 코팅된 Al 등의 금속 재료, 또는 카본 등의 비금속성의 도전성 재료인 것인 특징으로 하는 플라즈마 표면 처리장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 진공펌프에 연결되어 배기가스 중의 유해가스를 처리하기 위한 배기가스 처리부를 더 포함하는 플라즈마 표면 처리장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 배기가스 처리부는,
    배기된 유해가스를 포획하기 위한 포획부와;
    상기 포획부의 배기라인에 구비되어 유해가스의 농도를 검출하기 위한 가스검출센서;를 포함하는 플라즈마 표면 처리장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 제3가스홀은,
    상단에 역원추 형상을 갖는 저항구간과;
    상기 저항구간의 하단에서 연장되는 원기둥 형상의 벤트구간으로 구성됨을 특징으로 하는 플라즈마 표면 처리장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 저항구간의 높이는 상기 벤트구간 보다 더 긴 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면 처리장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 저항구간의 높이는 상기 벤트구간 보다 더 짧거나 같은 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면 처리장치.
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