KR101816180B1 - 태양 전지 모듈 - Google Patents

Abstract

본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다.
본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 제1 방향으로 배열되어 서로 직렬 연결되고, 각각이 반도체 기판, 반도체 기판의 후면에 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 길게 배치되는 복수의 제1, 2 전극을 구비하는 복수의 태양 전지; 및 복수의 태양 전지 각각의 반도체 기판의 후면 위에 제1 방향으로 길게 배치되어, 복수의 제1 전극에 접속되는 복수의 제1 도전성 배선과 복수의 제2 전극에 접속되는 복수의 제2 도전성 배선; 복수의 태양 전지 중 서로 인접하여 배치되는 제1, 2 태양 전지 사이에 제2 방향으로 길게 배치되어, 제1 태양 전지에 접속된 복수의 제1 도전성 배선과 제2 태양 전지에 접속된 복수의 제2 도전성 배선이 공통으로 접속되는 셀간 커넥터;을 포함하고, 복수의 제1, 2 도전성 배선 각각은 도전성 코어와 제1, 2 전극에 접속되는 제1 코팅층과 셀간 커넥터에 접속되는 제2 코팅층을 포함하고, 제1 코팅층의 용융점과 제2 코팅층의 용융점은 서로 다르다.

Description

태양 전지 모듈{SOLAR CELL MODULE}

본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다.

최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고, 이에 따라 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생산하는 태양 전지가 주목 받고 있다.

일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)에 의해 p-n 접합을 형성하는 반도체부, 그리고 서로 다른 도전성 타입의 반도체부에 각각 연결된 전극을 구비한다.

이러한 태양 전지에 빛이 입사되면 반도체부에서 복수의 전자-정공 쌍이 생성되고, 생성된 전자-정공 쌍은 전하인 전자와 정공으로 각각 분리되어, 전자는 n형의 반도체부 쪽으로 이동하고 정공은 p형의 반도체부 쪽으로 이동한다. 이동한 전자와 정공은 각각 n형의 반도체부와 p형의 반도체부에 연결된 서로 다른 전극에 의해 수집되고 이 전극들을 전선으로 연결함으로써 전력을 얻는다.

이와 같은 태양 전지는 복수 개가 셀간 커넥터에 의해 서로 연결되어 모듈로 형성될 수 있다.

한편, 이와 같은 태양 전지 중 전극이 모두 후면에 접속되는 후면 컨텍 태양 전지는 반도체 기판의 후면에 위치한 전극에 금속 배선이 도전성 접착제를 통해 접속되고, 금속 배선은 태양 전지 사이에 위치하는 셀간 커넥터에 접속될 수 있다.

여기서, 금속 배선을 셀간 커넥터에 접속시키는 열처리 공정 중 금속 배선을 길이 팽창을 할 수 있고, 이로 인하여, 금속 배선과 셀간 커넥터 사이의 물리적 접착력이 약화되어, 단선되는 문제점이 있다.

본 발명은 금속 배선과 셀간 커넥터 사이의 물리적 접착력을 향상시켜, 신뢰성이 보다 향상된 태양 전지 모듈을 제공하는데 목적이 있다.

본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 제1 방향으로 배열되어 서로 직렬 연결되고, 각각이 반도체 기판, 반도체 기판의 후면에 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 길게 배치되는 복수의 제1, 2 전극을 구비하는 복수의 태양 전지; 및 복수의 태양 전지 각각의 반도체 기판의 후면 위에 제1 방향으로 길게 배치되어, 복수의 제1 전극에 접속되는 복수의 제1 도전성 배선과 복수의 제2 전극에 접속되는 복수의 제2 도전성 배선; 복수의 태양 전지 중 서로 인접하여 배치되는 제1, 2 태양 전지 사이에 제2 방향으로 길게 배치되어, 제1 태양 전지에 접속된 복수의 제1 도전성 배선과 제2 태양 전지에 접속된 복수의 제2 도전성 배선이 공통으로 접속되는 셀간 커넥터;을 포함하고, 복수의 제1, 2 도전성 배선 각각은 도전성 코어와 코어의 표면을 코팅하는 도전성 코팅층을 포함하고, 도전성 코팅층은 제1, 2 전극에 접속되는 제1 코팅층과 셀간 커넥터에 접속되는 제2 코팅층을 포함하고, 제1 코팅층의 용융점과 제2 코팅층의 용융점은 서로 다르다.

일례로, 제1 코팅층의 용융점은 제2 코팅층의 용융점보다 높을 수 있다.

여기서, 제1 코팅층은 복수의 제1, 2 도전성 배선 각각의 끝단에 위치하고, 제2 코팅층은 복수의 제1, 2 도전성 배선 각각의 끝단을 제외한 나머지 부분에 위치할 수 있다.

보다 구체적으로, 복수의 제1, 2 도전성 배선 각각은 제1, 2 도전성 배선 중 반도체 기판의 후면과 중첩되는 셀 부분과 제2 방향과 나란한 반도체 기판의 측면 밖으로 돌출되어 셀간 커넥터에 접속되는 돌출 부분을 포함하고, 제1 코팅층은 돌출 부분에 위치하고, 제2 코팅층은 셀 부분에 위치할 수 있다.

여기서, 제1 코팅층의 용융점은 160℃ ~ 170℃ 사이의 어느 한 제1 온도보다 높고, 제2 코팅층의 용융점은 제1 온도보다 낮을 수 있다.

보다 구체적으로, 제1 코팅층의 용융점은 제1 온도보다 높고 350℃ 이하일 수 있고, 제2 코팅층의 용융점은 110℃ 이상 제1 온도 이하일 수 있다.

아울러, 제2 코팅층은 SnBiAg를 포함하고, 제1 코팅층은 SnPb, Sn 또는 Ag 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.

또한, 제1 코팅층 및 제2 코팅층의 두께는 서로 동일할 수 있다.

또한, 코어는 금(Au), 은(Ag) 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.

여기서, 제1 도전성 배선은 제1 전극과 교차되는 부분에서 제1 도전성 접착제에 의해 제1 전극에 접속되고, 제2 전극과 교차되는 부분에서 절연층에 의해 제2 전극과 절연되고, 제2 도전성 배선은 제2 전극과 교차되는 부분에서 제1 도전성 접착제에 의해 제2 전극에 접속되고, 제1 전극과 교차되는 절연층에 의해 제1 전극과 절연될 수 있다.

여기서, 제1, 2 도전성 배선 각각에서 셀 부분에 위치하는 제2 코팅층이 제1 전극 또는 제2 전극에 접속할 수 있다.

또한, 제1 코팅층은 제1, 2 도전성 배선 각각의 돌출 부분에 위치하되, 돌출 부분에 위치한 코어의 표면 중 적어도 셀간 커넥터와 마주보는 일면에 위치할 수 있다.

여기서, 제1, 2 도전성 배선 각각의 돌출 부분에 위치한 제1 코팅층의 제1 방향 길이는 적어도 셀간 커넥터의 폭보다 클 수 있다.

또한, 제1 코팅층은 제1, 2 도전성 배선 각각의 돌출 부분에 위치하되, 돌출 부분에 위치한 코어의 표면 중 셀간 커넥터와 마주보는 일면에 위에는 위치하고, 코어의 일면과 반대면이 위에는 제2 코팅층이 위치할 수 있다.

본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 제1, 2 도전성 배선 각각에서 셀 전극에 접속되는 제1 코팅층과 셀간 커넥터에 접속되는 제2 코팅층의 용융점을 서로 다르게 하여, 제1, 2 도전성 배선과 셀간 커넥터의 물리적 접착력을 보다 향상시킬 수 있다.

도 1는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈의 전면 전체 평면 모습을 설명하기 위한 도이다.
도 2은 도 1에서 제1 방향(x)으로 서로 인접하여, 셀간 커넥터(300)에 의해 연결된 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 단면을 개략적으로 도시한 일례이다.
도 3 내지 도 5는 도 1에 도시된 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 직렬 연결 구조를 구체적으로 설명하기 위한 도이다.
도 6 내지 도 8은 본 발명에 적용되는 태양 전지의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 9는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서 제1, 2 도전성 배선의 구조를 보다 구체적으로 설명하기 위한 도이다.
도 10 및 도 11은 도 9에 도시된 도전성 배선(200)이 본 발명의 태양 전지 모듈에 적용된 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 12는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서 도전성 배선(200)의 다른 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 13 및 도 14는 본 발명의 일례에 따른 도전성 배선(200)을 형성하는 방법의 일례를 설명하기 위한 도이다.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한 어떤 부분이 다른 부분 위에 “전체적”으로 형성되어 있다고 할 때에는 다른 부분의 전체 면에 형성되어 있는 것뿐만 아니라 가장 자리 일부에는 형성되지 않은 것을 뜻한다.

이하에서, 어떤 구성의 전면이라 함은 직사광이 입사되는 반도체 기판의 일면 쪽으로 향하는 방향일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 반도체 기판의 반대면 쪽으로 향하는 방향일 수 있다.

아울러, 이하에서 셀 스트링이라 함은 복수의 태양 전지가 서로 직렬 연결된 구조나 형태를 의미한다.

또한, 어떤 구성 부분의 두께나 폭이 다른 구성 부분의 두께나 폭과 동일하다는 의미는 공정 오차를 포함하여, 10%의 범위 내에서 동일함을 의미한다.

도 1는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈의 전면 전체 평면 모습을 설명하기 위한 도이고, 도 2은 도 1에서 제1 방향(x)으로 서로 인접하여, 셀간 커넥터(300)에 의해 연결된 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 단면을 개략적으로 도시한 일례이다.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 복수의 태양 전지 및 복수의 제1, 2 도전성 배선(200)을 포함한다.

아울러, 이에 더하여, 복수의 태양 전지를 제1 방향(x)으로 서로 직렬 연결하는 셀간 커넥터(300), 복수의 태양 전지가 서로 직렬 연결된 셀 스트링을 캡슐화하는 전면 투명 기판(10), 충진재(20, 30), 후면 시트(40) 및 프레임(50)을 더 구비할 수 있다.

여기서, 복수의 태양 전지는 반도체 기판(110)과 반도체 기판(110)의 후면에 복수의 제1 전극(141)과 제2 전극(142)을 구비할 수 있다. 이와 같은 복수의 태양 전지에 대해서는 도 6 이하에서 보다 구체적으로 설명한다.

복수의 제1, 2 도전성 배선(200)은 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 복수의 태양 전지 각각의 후면에 접속될 수 있다.

이와 같이, 복수의 제1, 2 도전성 배선(200)이 접속된 복수의 태양 전지는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 셀간 커넥터(300)에 의해 제1 방향(x)으로 직렬 연결될 수 있다.

일례로, 셀간 커넥터(300)는 복수의 태양 전지 중 제1 방향(x)으로 서로 인접하여 배치되는 제1 태양 전지(C1)와 제2 태양 전지(C2)를 서로 직렬 연결할 수 있다.

이때, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(C1)에 접속된 복수의 제1 도전성 배선(210)의 전면과 제2 태양 전지(C2)에 접속된 복수의 제2 도전성 배선(220)의 전면이 셀간 커넥터(300)의 후면에 접속될 수 있고, 이에 따라, 복수의 태양 전지가 직렬 연결되는 셀 스트링이 형성될 수 있다.

이와 같은 셀 스트링은 도 2에 도시된 바와 같이, 전면 투명 기판(10)과 후면 시트(40) 사이에 배치된 상태에서 열압착되어 라미네이팅될 수 있다.

일례로, 복수의 태양 전지는 전면 투명 기판(10)과 후면 시트(40) 사이에 배치되고, EVA 시트와 같이 투명한 충진재(20, 30)가 복수의 태양 전지 전체의 전면 및 후면에 배치된 상태에서, 열과 압력이 동시에 가해지는 라미네이션 공정에 의해 일체화되어 캡슐화될 수 있다.

아울러, 도 1에 도시된 바와 같이, 라미네이션 공정으로 캡슐화된 전면 투명 기판(10), 후면 시트(40) 및 충진재(20, 30)는 프레임(50)에 의해 가장 자리가 고정되어 보호될 수 있다.

따라서, 도 1에 도시된 바와 같이, 태양 전지 모듈의 전면에는 전면 투명 기판(10)과 충진재(20, 30)를 투과하여, 복수의 태양 전지와 복수의 제1, 2 도전성 배선(200), 셀간 커넥터(300), 후면 시트(40) 및 프레임(50)이 보여질 수 있다.

더불어, 셀 스트링 각각은 제1 방향(x)으로 길게 위치하고, 제2 방향(y)으로 이격되어 배열될 수 있고, 이와 같은 복수의 셀 스트링은 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 있는 버싱바(310)에 의해 제2 방향(y)으로 직렬 연결 될 수 있다.

여기서, 전면 투명 기판(10)은 투과율이 높고 파손 방지 기능이 우수한 강화 유리 등으로 형성될 수 있다.

후면 시트(40)는 태양 전지들(C1, C2)의 후면에서 습기가 침투하는 것을 방지하여 태양 전지를 외부 환경으로부터 보호할 수 있다. 이러한 후면 시트(40)는 수분과 산소 침투를 방지하는 층, 화학적 부식을 방지하는 층과 같은 다층 구조를 가질 수 있다.

이와 같은 후면 시트(40)는 FP (fluoropolymer) / PE (polyeaster) / FP (fluoropolymer)와 같은 절연 물질로 이루어진 얇은 시트로 이루어지지만, 다른 절연 물질로 이루어진 절연 시트일 수 있다.

이와 같은 라미네이션 공정은 전면 투명 기판(10)과 태양 전지 사이 및 태양 전지와 후면 기판 사이에 면 형상의 충진재(20, 30)가 배치된 상태에서 진행될 수 있다.

여기서, 충진재(20, 30)의 재질은 절연층(252)의 재질과 다른 재질로 형성될 수 있으며, 습기 침투로 인한 부식을 방지하고 태양 전지 (C1, C2)를 충격으로부터 보호하고, 이를 위해 충격을 흡수할 수 있는 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA, ethylene vinyl acetate)와 같은 물질로 형성될 수 있다.

따라서, 전면 투명 기판(10)과 태양 전지 사이 및 태양 전지와 후면 기판 사이에 배치된 면 형상의 충진재(20, 30)는 라미네이션 공정 중에 열과 압력에 의해 연화 및 경화될 수 있다.

이하에서는 도 1, 2 에 도시된 태양 전지 모듈에서, 복수의 태양 전지가 제1, 2 도전성 배선(200) 및 셀간 커넥터(300)에 의해 직렬 연결되는 구조를 보다 구체적으로 설명한다.

도 3 내지 도 5는 도 1에 도시된 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 직렬 연결 구조를 구체적으로 설명하기 위한 도이다.

여기서, 도 3은 도 1에서 제1 방향(x)으로 서로 인접하여, 셀간 커넥터(300)에 의해 연결된 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 전면을 도시한 일례이고, 도 4는 도 3에 도시된 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 후면을 도시한 일례이고, 도 5는 도 3 및 도 4 에서 X1-X1 라인에 따른 단면을 도시한 것이다.

도 3 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서, 제1, 2 도전성 배선(200)은 제1, 2 태양 전지(C1, C2)에 구비된 반도체 기판(110)의 후면에 접속될 수 있다.

여기서, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 제1 방향(x)으로 이격되어 배열될 수 있으며, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각은 적어도 반도체 기판(110) 및 반도체 기판(110)의 후면에 서로 이격되어 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 형성되는 복수의 제1 전극(141)과 복수의 제2 전극(142)을 구비할 수 있다.

아울러, 복수의 제1, 2 도전성 배선(200)은 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 배열 방향인 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 배치되고, 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각에 접속될 수 있다.

이와 같은, 복수의 제1, 2 도전성 배선(200)은 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 복수의 제1 전극(141)에 교차 및 중첩되어 접속되는 복수의 제1 도전성 배선(210)과 복수의 제2 전극(142)에 교차 및 중첩되어 접속되는 복수의 제2 도전성 배선(220)을 포함할 수 있다.

보다 구체적으로, 제1 도전성 배선(210)은 복수의 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 제1 전극(141)에 도전성 재질의 제1 도전성 접착제(251)를 통하여 접속되고, 절연성 재질의 절연층(252)에 의해 제2 전극(142)과 절연될 수 있다.

아울러, 제2 도전성 배선(220)은 복수의 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 제2 전극(142)에 제1 도전성 접착제(251)를 통하여 접속되고, 절연층(252)에 의해 제1 전극(141)과 절연될 수 있다.

이와 같은 제1, 2 도전성 배선(200)은 도전성 금속 재질로 형성되되, 금(Au), 도전성 코어와, 코어(CR)의 표면을 코팅하는 도전성 코팅층을 포함할 수 있다.

여기서, 코팅층은 코어의 길이 방향인 제1 방향을 따라 용융점이 서로 다른 제1 코팅층과 제2 코팅층을 포함할 수 있다. 이에 대해서는 도 9 이하에서 보다 구체적으로 설명한다.

이와 같은 제1 도전성 배선(210)의 양단 중 셀간 커넥터(300)와 접속하는 일단은 반도체 기판(110)의 제1 측면 밖으로 돌출된 돌출 부분을 포함하고, 제2 도전성 배선(220)의 양단 중 셀간 커넥터(300)와 접속하는 일단은 반도체 기판(110)의 제2 측면 밖으로 돌출된 돌출 부분을 포함할 수 있다.

여기서, 반도체 기판의 제1 측면과 제2 측면은 반도체 기판을 중심으로 서로 마주보는 반대쪽에 위치하고, 제1, 2 측면은 반도체 기판의 4 측면 중에서 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 길이 방향과 교차하는 제2 방향과 나란한 방향의 측면을 의미한다.

이에 따라, 제1 도전성 배선(210) 및 제2 도전성 배선(220)은 반도체 기판의 투영 영역 밖으로 돌출된 돌출 부분의 끝단이 셀간 커넥터(300)에 접속될 수 있으며, 제1, 2 도전성 배선(210)의 돌출 부분 반대쪽 타단은 반도체 기판의 투영 영역 내에 위치할 수 있다.

여기서, 복수의 제1, 2 도전성 배선(200)은 단면이 원형을 갖는 도전성 와이어 형태이거나 폭이 두께보다 큰 리본 형태를 가질 수 있다.

여기서, 도 4및 도 5에 도시된 제1, 2 도전성 배선(200) 각각의 선폭은 도전성 배선의 선저항을 충분히 낮게 유지하면서, 제조 비용이 최소가 되도록 고려하여, 0.5mm ~ 2.5mm 사이로 형성될 수 있으며, 제1 도전성 배선(210)과 제2 도전성 배선(220) 사이의 간격은 제1, 2 도전성 배선(200)의 총 개수를 고려하여, 태양 전지 모듈의 단락 전류가 훼손되지 않도록 4mm ~ 6.5mm 사이로 형성될 수 있다.

이와 같이 제1, 2 도전성 배선(200) 각각이 하나의 태양 전지에 접속되는 개수는 10개 ~ 20개일 수 있다. 따라서, 제1, 2 도전성 배선(200)이 하나의 태양 전지에 접속되는 총 개수의 합은 20개 ~ 40개일 수 있다.

여기서, 제1 도전성 접착제(251)는 도전성 금속 재질로 형성될 수 있으며, 보다 구체적으로, 제1 도전성 접착제(251)는 제1, 2 전극(141, 142) 각각에 포함되는 일부 금속 물질이 혼합된 혼합층으로 형성되거나, 솔더 페이스트층 또는 에폭시 솔더 페이스트층 중 어느 하나의 층과 혼합층이 함께 포함되어 형성될 수 있다.

이와 같이, 제1 도전성 접착제(251)가 제1, 2 전극(141, 142) 각각에 포함되는 일부 금속 물질이 혼합된 혼합층을 포함하도록 하여, 제1 도전성 접착제(251)와 제1, 2 전극(141, 142) 사이의 물리적 접착력을 보다 향상시킬 수 있고, 제1 도전성 접착제(251)와 제1, 2 전극(141, 142) 사이의 전기적 저항을 최소화할 수 있다.

여기서, 솔더 페이스트층은 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금으로 형성되고, 에폭시 솔더 페이스트층은 에폭시에 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금으로 형성될 수 있다.

여기서, 절연층(252)은 절연성 재질이면 어떠한 것이든 상관 없으며, 일례로, 에폭시 계열, 폴리이미드, 폴리에틸렌, 아크릴 계열 또는 실리콘 계열 중 어느 하나의 절연성 재질이 사용될 수 있다.

이와 같은 복수의 제1, 2 도전성 배선(200)은 각각의 일단이 셀간 커넥터(300)에 연결되어, 복수의 태양 전지를 서로 직렬 연결할 수 있다.

보다 구체적으로, 셀간 커넥터(300)는 제1 태양 전지(C1)와 제2 태양 전지(C2) 사이에 위치하고, 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 있을 수 있다.

여기서, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 태양 전지를 평면에서 봤을 때, 셀간 커넥터(300)는 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110) 및 제2 태양 전지(C2)의 반도체 기판(110)과 이격되어 배치될 수 있다.

아울러, 이와 같은 셀간 커넥터(300)에 제1 태양 전지(C1)의 제1 전극(141)에 접속된 제1 도전성 배선(210)의 일단과 제2 태양 전지(C2)의 제2 전극(142)에 접속된 제2 도전성 배선(220)의 일단이 공통으로 접속되어, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 제1 방향(x)으로 서로 직렬 연결될 수 있다.

보다 구체적으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)가 제1 방향(x)으로 배열된 상태에서, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 제1, 2 도전성 배선(200)과 셀간 커넥터(300)에 의해 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 직렬 연결되는 하나의 스트링을 형성할 수 있다.

여기서, 일례로, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선(200) 각각의 일단은 셀간 커넥터(300)와 중첩되어, 제2 도전성 접착제(350)를 통해 셀간 커넥터(300)에 접착될 수 있다.

여기서, 제1, 2 도전성 배선(200)과 셀간 커넥터(300)를 서로 접착시키는 제2 도전성 접착제(350)는 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 금속 재질로 형성될 수 있다.

보다 구체적으로, 제2 도전성 접착제(350)는 제1 도전성 접착제(251)보다 용융점이 높을 수 있으며, (1) 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 솔더 페이스트(solder paste) 형태로 형성되거나, (2) 에폭시에 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금이 포함된 에폭시 솔더 페이스트(epoxy solder paste) 또는 도전성 페이스트(Conductive psate) 형태로 형성될 수 있다.

이와 같은 구조를 갖는 태양 전지 모듈은 별도의 셀간 커넥터(300)를 구비하므로, 복수 개의 태양 전지 중 제1, 2 도전성 배선(200)과 제1, 2 전극(200) 사이에 접속 불량이 발생한 태양 전지가 있는 경우, 셀간 커넥터(300)과 복수의 제1, 2 도전성 배선(200) 사이의 접속을 해제하여, 해당 태양 전지만 보다 용이하게 교체할 수 있다.

지금까지는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서, 서로 인접한 임의의 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각의 후면에 제1, 2 도전성 배선(200)이 접속되고, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)가 셀간 커넥터(300)로 직렬 연결되는 구조를 설명하였다.

그러나, 본 발명의 태양 전지 모듈은 서로 인접한 제1, 2 태양 전지가 반드시 셀간 커넥터(300)를 통해 직렬 연결되는 구조로 한정되는 것은 아니고, 셀간 커넥터(300)가 생략된 상태에서, 제1 태양 전지의 제1 도전성 배선과 제2 태양 전지의 제2 도전성 배선이 서로 중첩되어 제2 도전성 접착제(350)를 통해 서로 접속되는 구조도 적용가능하다.

이하에서는 이와 같은 제1, 2 태양 전지(C1, C2)로 적용 가능한 태양 전지의 구체적인 구조의 일례에 대해서 설명한다.

도 6 내지 도 8은 본 발명에 적용되는 태양 전지의 일례를 설명하기 위한 도로서, 도 6은 본 발명에 적용되는 태양 전지의 일례를 나타내는 일부 사시도이고, 도 7은 도 6에 도시된 태양 전지의 제1 방향(x) 단면을 도시한 것이고, 도 8은 반도체 기판의 후면에 형성된 제1, 2 전극(200)의 패턴을 도시한 것이다.

도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반사 방지막(130), 반도체 기판(110), 터널층(180), 제1 반도체부(121), 제2 반도체부(172), 진성 반도체부(150), 패시베이션층(190), 복수의 제1 전극(141) 및 복수의 제2 전극(142)을 구비할 수 있다.

여기서, 반사 방지막(130), 터널층(180) 및 패시베이층(190)은 생략될 수도 있으나, 구비된 경우 태양 전지의 효율이 더 향상되므로, 이하에서는 구비된 경우를 일례로 설명한다.

반도체 기판(110)은 제 1 도전성 타입 또는 제2 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 일례로, 반도체 기판(110)은 단결정 실리콘 웨이퍼로 형성될 수 있다.

여기서, 반도체 기판(110)에 함유된 제 1 도전성 타입의 불순물 또는 제2 도전성 타입의 불순물은 n형 또는 p형 도전성 타입 중 어느 하나일 수 있다.

반도체 기판(110)이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 붕소(B), 갈륨, 인듐 등과 같은 3가 원소의 불순물이 반도체 기판(110)에 도핑(doping)된다. 하지만, 반도체 기판(110)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물이 반도체 기판(110)에 도핑될 수 있다.

이하에서는 이와 같은 반도체 기판(110)의 함유된 불순물이 제2 도전성 타입의 불순물이고, n형인 경우를 일례로 설명한다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.

이러한 반도체 기판(110)의 전면에 복수의 요철면을 가질 수 있다. 이로 인해 반도체 기판(110)의 전면 위에 위치한 제1 반도체부(121) 역시 요철면을 가질 수 있다.

이로 인해, 반도체 기판(110)의 전면에서 반사되는 빛의 양이 감소하여 반도체 기판(110) 내부로 입사되는 빛의 양이 증가할 수 있다.

반사 방지막(130)은 외부로부터 반도체 기판(110)의 전면으로 입사되는 빛의 반사를 최소화하기 위하여, 반도체 기판(110)의 전면 위에 위치하며, 알루미늄 산화막(AlOx), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx) 및 실리콘 산화질화막(SiOxNy) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.

터널층(180)은 반도체 기판(110)의 후면 전체에 직접 접촉하여 배치되며, 유전체 재질을 포함할 수 있다. 따라서, 터널층(180)은 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)에서 생성되는 캐리어를 통과시킬 수 있다.

이와 같은 터널층(180)은 반도체 기판(110)에서 생성된 캐리어를 통과시키며, 반도체 기판(110)의 후면에 대한 패시베이션 기능을 수행할 수 있다.

아울러, 터널층(180)은 600℃ 이상의 고온 공정에도 내구성이 강한 SiCx 또는 SiOx로 형성되는 유전체 재질로 형성될 수 있다.

제1 반도체부(121)는 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에 배치되되, 일례로, 터널층(180)의 후면의 일부에 직접 접촉하여 배치될 수 있다.

아울러, 이와 같은 제1 반도체부(121)는 반도체 기판(110)의 후면에 제2 방향(y)으로 길게 배치되며, 제2 도전성 타입과 반대인 제1 도전성 타입을 갖는 다결정 실리콘 재질로 형성될 수 있다.

여기서, 제1 반도체부(121)는 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑될 수 있으며, 반도체 기판(110)에 함유된 불순물이 제2 도전성 타입의 불순물인 경우, 제1 반도체부(121)는 터널층(180)을 사이에 두고 반도체 기판(110)과 p-n 접합을 형성할 수 있다.

각 제1 반도체부(121)는 반도체 기판(110)과 p-n접합을 형성하므로, 제1 반도체부(121)는 p형의 도전성 타입을 가질 수 있으며, 복수의 제1 반도체부(121)가 p형의 도전성 타입을 가질 경우 제1 반도체부(121)에는 3가 원소의 불순물이 도핑될 수 있다.

제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)의 후면에 제1 반도체부(121)와 나란한 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 배치되며, 일례로 터널층(180)의 후면 중에서 전술한 제1 반도체부(121) 각각과 이격된 일부 영역에 직접 접촉하여 형성될 수 있다.

이와 같은 제2 반도체부(172)는 제2 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 도핑되는 다결정 실리콘 재질로 형성될 수 있다. 따라서, 예를 들어, 반도체 기판(110)이 제2 도전성 타입의 불순물인 n형 타입의 불순물로 도핑되는 경우, 복수의 제2 반도체부(172)는 n+의 불순물 영역일 수 있다.

이러한 제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)과 제2 반도체부(172)와의 불순물 농도 차이로 인한 전위 장벽에 의해 전자의 이동 방향인 제2 반도체부(172) 쪽으로의 정공 이동을 방해하는 반면, 제2 반도체부(172) 쪽으로의 캐리어(예, 전자) 이동을 용이하게 할 수 있다.

따라서, 제2 반도체부(172) 및 그 부근 또는 제1, 2 전극(200)에서 전자와 정공의 재결합으로 손실되는 전하의 양을 감소시키고 전자 이동을 가속화시켜 제2 반도체부(172)로의 전자 이동량을 증가시킬 수 있다.

지금까지의 도 6 내지 도 7에서는 반도체 기판(110)이 제2 도전성 타입의 불순물인 경우를 일례로 설명하면서, 제1 반도체부(121)가 에미터부로서 역할을 하고, 제2 반도체부(172)가 후면 전계부로서 역할을 하는 경우를 일례로 설명하였다.

그러나, 이와 다르게, 반도체 기판(110)이 제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 경우, 제1 반도체부(121)가 후면 전계부로서 역할을 하고, 제2 반도체부(172)가 에미터부로서 역할을 할 수도 있다.

아울러, 여기의 도 6 및 도 7에서는 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172)가 터널층(180)의 후면에 다결정 실리콘 재질로 형성된 경우를 일례로 설명하였다.

그러나, 이와 다르게, 터널층(180)이 생략된 경우, 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)의 후면 내에 불순물이 확산되어 도핑될 수 있고, 이와 같은 경우, 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)과 동일한 단결정 실리콘 재질로 형성될 수 있다.

진성 반도체부(150)은 도 6 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172) 사이에 노출된 터널층(180)의 후면에 형성될 수 있고, 이와 같은 진성 반도체부(150)은 제1 반도체부(121) 및 제2 반도체부(172)와 다르게 제1 도전성 타입의 불순물 또는 제2 도전성 타입의 불순물이 도핑되지 않은 진성 다결정 실리콘층으로 형성될 수 있다.

아울러, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 진성 반도체부(150)의 양측면 각각은 제1 반도체부(121)의 측면 및 제2 반도체부(172)의 측면에 직접 접촉되는 구조를 가질 수 있다.

패시베이션층(190)은 제1 반도체부(121), 제2 반도체부(172) 및 진성 반도체부(150)에 형성되는 다결정 실리콘 재질의 층의 후면에 형성된 뎅글링 본드(dangling bond)에 의한 결함을 제거하여, 반도체 기판(110)으로부터 생성된 캐리어가 뎅글링 본드(dangling bond)에 의해 재결합되어 소멸되는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.

복수의 제1 전극(141)은 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 반도체부(121)에 접속하고, 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 형성될 수 있다. 이와 같은, 제1 전극(141)은 제1 반도체부(121) 쪽으로 이동한 캐리어, 예를 들어 정공을 수집할 수 있다.

복수의 제2 전극(142)은 제2 반도체부(172)에 접속하고, 제1 전극(141)과 나란하게 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 형성될 수 있다. 이와 같은, 제2 전극(142)은 제2 반도체부(172) 쪽으로 이동한 캐리어, 예를 들어, 전자를 수집할 수 있다.

이와 같은 제1 전극(141)과 제2 전극(142)은 제2 방향(y)으로 길게 형성되며, 제1 방향(x)으로 이격될 수 있다. 아울러, 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 전극(141)과 제2 전극(142)은 제1 방향(x)으로 교번하여 배치될 수 있다.

이와 같은 구조로 제조된 본 발명에 따른 태양 전지에서 제1 전극(141)을 통하여 수집된 정공과 제2 전극(142)을 통하여 수집된 전자는 외부의 회로 장치를 통하여 외부 장치의 전력으로 이용될 수 있다.

본 발명에 따른 태양 전지 모듈에 적용된 태양 전지는 반드시 도 6 및 도 7에만 한정하지 않으며, 태양 전지에 구비되는 제1, 2 전극(200)이 반도체 기판(110)의 후면에만 형성되는 점을 제외하고 다른 구성 요소는 얼마든지 변경이 가능하다.

예를 들어 본 발명의 태양 전지 모듈에는 제1 전극(141)의 일부 및 제1 반도체부(121)가 반도체 기판(110)의 전면에 위치하고, 제1 전극(141)의 일부가 반도체 기판(110)에 형성된 홀을 통해 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(141)의 나머지 일부와 연결되는 MWT 타입의 태양 전지도 적용이 가능하다.

한편, 이와 같은 태양 전지 모듈에서, 복수의 제1, 2 도전성 배선 각각은 도전성 코어와 상기 코어의 표면을 코팅하는 도전성 코팅층을 포함하고, 상기 도전성 코팅층은 상기 코어의 길이 방향인 제1 방향을 따라 용융점이 서로 다른 제1 코팅층과 제2 코팅층을 포함할 수 있다.

이에 대해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.

도 9는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서 제1, 2 도전성 배선의 구조를 보다 구체적으로 설명하기 위한 도이다.

본 발명에 따른 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각은 도 9에 도시된 바와 같이, 도전성 코어(201)와 코어(201)의 표면을 코팅하는 도전성 코팅층(230)을 포함할 수 있다.

여기서, 코어(201)는 금(Au), 은(Al), 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.

아울러, 코어(201)의 단면 형상은 폭이 두께보다 클 수 있으며, 제1 방향(x)으로 길게 연장되는 금속 리본 형태일 수 있다.

여기서, 도전성 코팅층(230)은 코어(201)와 다른 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 코어(201)의 길이 방향인 제1 방향(x)을 따라 용융점이 서로 다른 제1 코팅층(231)과 제2 코팅층(232)을 포함할 수 있다.

보다 구체적으로 도전성 배선(200)에서 코어(201)의 길이 방향인 제1 방향(x)을 따라 제1 코팅층(231)이 코어(201)의 전체 표면을 덮도록 형성될 수 있고, 제2 코팅층(232)은 코어(201)의 끝단 일부에 위치하여, 도 9에 도시된 바와 같이, 코어(201)의 표면을 전체적으로 덮도록 형성될 수 있다.

이와 같이, 본 발명에 따른 도전성 배선(200)은 코어(201)의 표면에 코팅되는 도전성 코팅층(230)이 용융점이 서로 다른 제1 코팅층(231)과 제2 코팅층(232)을 포함하도록 하되, 도전성 배선(200)의 길이 방향인 제1 방향(x)을 따라 위치하는 코팅층(230)의 용융점을 서로 다르게 하여, 도전성 배선(200)에서 발생되는 열팽창 스트레스에 대해 보다 효과적으로 대응하면서, 도전성 배선(200)의 접착력을 보다 향상시킬 수 있다.

여기서, 제1 코팅층(231)의 용융점은 제2 코팅층(232)의 용융점보다 높게 하여, 셀간 커넥터(300)와 도전성 배선(200) 사이의 물리적 접착력을 보다 향상시킬 수 있다.

보다 구체적 일례로, 제1 코팅층(231)은 도전성 배선(200) 각각의 끝단에 위치하고, 제2 코팅층(232)은 도전성 배선(200) 각각의 끝단을 제외한 나머지 부분에 위치하도록 할 수 있다.

여기서, 일례로, 제1 코팅층(231)에는 셀간 커넥터(300)가 접속될 수 있고, 제2 코팅층(232)에는 복수의 제1 전극(141) 또는 복수의 제2 전극(142)이 접속될 수 있다.

도전성 배선(200)의 제1 방향(x) 끝단에는 도전성 배선(200)을 전극(140)이나 셀간 커넥터(300)에 접속시키는 열처리 공정 중 상대적으로 큰 열팽창 스트레스가 발생할 수 있다.

그런데, 본 발명은 도전성 배선(200)의 끝단에 상대적으로 용융점이 큰 제1 코팅층(231)을 사용함으로써, 상대적으로 열팽창 스트레스가 크게 작용하는 도전성 배선(200)의 끝단의 물리적 접착력을 상대적으로 열팽창 스트레스가 작게 작용하는 도전성 배선(200)의 중앙 부분의 물리적 접착력 보다 크게 향상시킬 수 있다.

이에 따라, 태양 전지 모듈의 신뢰성을 보다 향상시킬 수 있다.

여기서, 제1 코팅층(231)의 용융점은 160℃ ~ 170℃ 사이의 어느 한 제1 온도보다 높고, 제2 코팅층(232)의 용융점은 제1 온도보다 낮을 수 있다.

일례로, 제1 코팅층(231)의 용융점은 제1 온도보다 높고 350℃ 이하일 수 있고, 제2 코팅층(232)의 용융점은 110℃ 이상 제1 온도 이하일 수 있다.

여기서, 제1 온도는 태양 전지 모듈을 라미네이션하는 공정의 열처리 공정의 온도일 수 있으며, 일례로, 제1 온도는 태양 전지 모듈을 라미네이션 하는 공정의 온도인 165℃일 수 있다.

따라서, 일례로, 제1 코팅층(231)의 용점은 110℃ ~ 165℃ 사이, 제2 코팅층(232)의 용융점은 165℃ ~ 350℃ 사이일 수 있으며, 이와 같은 용융점에 해당하는 재질로 제1, 2 코팅층(230)이 형성될 수 있다.

그러나, 제1, 2 코팅층(230)의 용융점이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제1, 2 코팅층(230)의 용융점이 서로 다르면 무방하다.

여기서, 일례로, 제1 코팅층(231)은 SnPb, Sn 또는 Ag 중 적어도 어느 하나를 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 제2 코팅층(232)은 SnBiAg를 포함하여 형성될 수 있다.

여기서, 제1 코팅층(231)에 은(Ag)이 포함되는 경우, 코어(201)는 은(Ag)을 제외한 금(Au), 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al) 중 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다.

이와 같은 제1 코팅층(231) 및 제2 코팅층(232)의 두께는 서로 동일할 수 있으며, 제1 코팅층(231) 및 제2 코팅층(232)의 두께가 서로 다르더라도, 두께 차이가 10% 이내일 수 있다.

이하에서는 융융점이 서로 다른 제1, 2 코팅층(230)을 포함하는 본 발명의 도전성 배선(200)이 태양 전지 모듈에 적용된 일례를 설명한다.

도 10 및 도 11은 도 9에 도시된 도전성 배선(200)이 본 발명의 태양 전지 모듈에 적용된 일례를 설명하기 위한 도이다.

도 12는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서 도전성 배선(200)의 다른 일례를 설명하기 위한 도이다.

여기서, 도 10은 본 발명의 도전성 배선(200)이 적용된 태양 전지 모듈의 평면 일부를 도시한 것이고, 도 11은 본 발명의 도전성 배선(200)이 적용된 태양 전지 모듈의 단면 일부를 도시한 것이다.

복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각은 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 셀 부분(210A, 220A)과 돌출 부분(210B, 220B)을 포함할 수 있다.

여기서, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 돌출 부분(210B, 220B)은 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각이 반도체 기판(110)의 제1, 2 측면 밖으로 돌출된 부분을 의미하고, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 셀 부분(210A, 220A)은 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 반도체 기판(110)이 서로 중첩되는 부분을 의미한다.

여기서, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 돌출 부분(210B, 220B)의 끝단이 셀간 커넥터(300)에 접속될 수 있다.

여기서, 일례로, 제1 코팅층(231)은 돌출 부분(210B, 220B)에 위치하고, 제2 코팅층(232)은 셀 부분(210A, 220A)에 위치할 수 있다.

보다 구체적 일례로, 제1 코팅층(231)은 돌출 부분(210B, 220B)의 끝단에 위치하고, 제2 코팅층(232)은 셀 부분(210A, 220A) 전체에 대부분이 위치하되, 일부가 돌출 부분(210B, 220B)의 끝단을 제외한 나머지 일부분에 위치할 수 있다.

따라서, 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각에서 셀 부분(210A, 220A)에 위치하는 제2 코팅층(232)이 제1 전극(141) 또는 제2 전극(142)에 접속할 수 있고, 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각의 돌출 부분(210B, 220B)의 끝단에 위치한 제1 코팅층(231)이 셀간 커넥터(300)에 접속할 수 있다.

여기서, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 반도체 기판(110)의 후면에 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 부착되는 절연성 재질의 고정 테이프(미도시)에 의해 반도체 기판(110)의 후면에 고정될 수 있다.

이와 같이, 고정 테이프에 의해 제1, 2 도전성 배선(210, 220)이 반도체 기판(110)의 후면에 고정된 상태에서, 열처리 공정에 의해 각 태양 전지에 고정된 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 셀간 커넥터(300)가 먼저 접속될 수 있다.

이와 같은 열처리 공정 중 제2 도전성 접착제(350)와 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 제1 코팅층(231)이 용융되어, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 셀간 커넥터(300)가 접속될 수 있다.

이후, 라미네이션 공정 중의 열처리 공정에 의해 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 제2 코팅층(232)과 제1, 2 전극(141, 142)이 제1 도전성 접착제(251)에 의해 서로 전기적으로 접속될 수 있다.

여기서, 제1 코팅층(231)의 용융점은 전술한 바와 같이, 라미네이션 공정의 열처리 공정 온도인 제1 온도보다 높을 수 있으며, 제2 코팅층(232)의 용융점은 라미네이션 공정의 열처리 공정 온도인 제1 온도보다 낮을 수 있다.

이에 따라, 라미네이션 공정 중 제1 코팅층(231)은 용융되지 않아, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 셀간 커넥터(300)가 서로 전기적으로 접속된 상태를 유지할 수 있으며, 라미네이션 공정 중 제2 코팅층(232)과 제1 도전성 접착제(251)만 용융되어, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 제1, 2 전극(141, 142)이 제1 도전성 접착제(251)에 의해 서로 전기적으로 접속될 수 있다.

여기서, 제1 코팅층(231)의 제1 방향 길이(L231)는 적어도 셀간 커넥터(300)의 폭보다 클 수 있고, 돌출 부분(210B, 220B)의 제1 방향(x) 길이보다 작을 수 있다.

여기서, 제1 코팅층(231)은 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각의 돌출 부분(210B, 220B)에 위치하되, 돌출 부분(210B, 220B)에 위치한 코어(201)의 표면 중 적어도 셀간 커넥터(300)와 마주보는 일면에 위치할 수 있다.

일례로, 도 11에 도시된 바와 같이, 제1 코팅층(231)은 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각의 돌출 부분(210B, 220B)에 위치하되, 돌출 부분(210B, 220B)에 위치한 코어(201)의 표면 중 셀간 커넥터(300)와 마주보는 전면뿐만 아니라 코어(201)의 후면에도 위치할 수 있다.

그러나, 반드시 이에 한정된 것은 아니고, 제1 코팅층(231)은 돌출 부분(210B, 220B)에 위치한 코어(201)의 표면 중 셀간 커넥터(300)와 마주보는 일면에만 위치하는 것도 가능하다.

일례로, 도 12에 도시된 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각의 돌출 부분(210B, 220B)에서 제1 코팅층(231)은 돌출 부분(210B, 220B)에 위치한 코어(201)의 표면 중 셀간 커넥터(300)와 마주보는 일면인 전면에 위에 위치하고, 돌출 부분(210B, 220B)에 위치한 코어(201)의 전면과 반대면인 후면 위에는 제2 코팅층(232)이 위치할 수도 있다.

이와 같이, 본원 발명은 상대적으로 용융점이 높은 제1 코팅층(231)을 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 돌출 부분(210B, 220B)에 위치시킴으로써, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 셀간 커넥터(300) 사이의 물리적 접착력을 보다 향상시키고, 모듈 공정 중이나 모듈 제조가 완료된 이후에, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)이 열이 가해지더라도, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 열팽창 스트레스로 인하여, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 셀간 커넥터(300) 사이가 단선되는 것을 방지할 수 있다.

이하에서는 이와 같이, 코어(201)의 표면에 제1, 2 코팅층(230)을 구비하는 도전성 배선(200)을 제조하는 방법의 일례에 대해 설명한다.

도 13 및 도 14는 본 발명의 일례에 따른 도전성 배선(200)을 형성하는 방법의 일례를 설명하기 위한 도이다.

본 발명에 따른 도전성 배선(200)을 제조하는 방법은 다양할 수 있다.

일례로, 도전성 배선(200)을 형성하기 위하여, 도 13의 (a)에 도시된 바와 같이, 금속 코어(201)의 표면에 제2 코팅층(232)을 코팅할 수 있다.

이후, 도 13의 (b)에 도시된 바와 같이, 도전성 배선(200)의 끝단에 위치한 제1 영역(S1)의 일면을 제거할 수 있다. 여기서, 제1 영역(S1)의 일면에 위치한 제2 코팅층(232)은 물리적 식각 또는 화학적 시각 방법을 통해 제거될 수 있다.

이후, 도 13의 (c)에 도시된 바와 같이, 제1 코팅층(231)을 제1 영역(S1)에 형성하여, 도전성 배선(200)을 형성할 수 있다.

도 13에서는 도전성 배선(200)의 끝단에 위치한 제1 영역(S1)에서 제2 코팅층(232)을 제거한 후, 제1 코팅층(231)을 제1 영역(S1)에 코팅하는 방법을 일례로 설명하였지만, 이와 다르게 제1 영역(S1)에는 제1 코팅층(231), 제2 영역(S2)에는 제2 코팅층(232)을 선택적으로 코팅하여 본 발명의 도전성 배선(200)을 형성할 수도 있다.

아울러, 도 13에서는 금속 코어(201)가 미리 절단된 상태에서 금속 코어(201)의 끝단에 위치한 제1 영역(S1)에 제1 코팅층(231)을 형성하는 방법을 예로 설명하였지만, 이와 다르게 도 14의 (a)에 도시된 바와 같이, 금속 코어(201)가 제1 방향(x)으로 길게 배치된 상태에서 금속 코어(201)의 제2 영역(S2)에 제2 코팅층(232)을 먼저 형성하고, 이후에 도 14의 (b)에 도시된 바와 같이, 금속 코어(201)의 끝단이 아닌 중간에 위치하는 제1 영역(S1)에 제1 코팅층(231)을 형성한 상태에서, 제1 코팅층(231)과 제2 코팅층(232)의 경계선(CL)을 절단하여, 본 발명의 도전성 배선(200)을 형성하는 것도 가능하다.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (15)

1. 제1 방향으로 배열되어 서로 직렬 연결되고, 각각이 반도체 기판, 상기 반도체 기판의 후면에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 길게 배치되는 복수의 제1, 2 전극을 구비하는 복수의 태양 전지; 및
   상기 복수의 태양 전지 각각의 상기 반도체 기판의 후면 위에 상기 제1 방향으로 길게 배치되어, 상기 복수의 제1 전극에 접속되는 복수의 제1 도전성 배선과 상기 복수의 제2 전극에 접속되는 복수의 제2 도전성 배선;
   상기 복수의 태양 전지 중 서로 인접하여 배치되는 제1, 2 태양 전지 사이에 상기 제2 방향으로 길게 배치되어, 상기 제1 태양 전지에 접속된 상기 복수의 제1 도전성 배선과 상기 제2 태양 전지에 접속된 상기 복수의 제2 도전성 배선이 공통으로 접속되는 셀간 커넥터;을 포함하고,
   상기 복수의 제1, 2 도전성 배선 각각은 도전성 코어와 상기 코어의 표면을 코팅하고, 상기 셀간 커넥터에 접속되는 제1 코팅층과 상기 제1, 2 전극에 접속되는 제2 코팅층을 포함하고,
   상기 제1 코팅층의 용융점은 상기 제2 코팅층의 용융점보다 높은 태양 전지 모듈.
   
2. 삭제
3. 제1 항에 있어서,
   상기 제1 코팅층은 상기 복수의 제1, 2 도전성 배선 각각의 끝단에 위치하고,
   상기 제2 코팅층은 상기 복수의 제1, 2 도전성 배선 각각의 끝단을 제외한 나머지 부분에 위치하는 태양 전지 모듈.
4. 제1 항에 있어서,
   상기 복수의 제1, 2 도전성 배선 각각은
   상기 제1, 2 도전성 배선 중 상기 반도체 기판의 후면과 중첩되는 셀 부분과
   상기 제2 방향과 나란한 상기 반도체 기판의 측면 밖으로 돌출되어 상기 셀간 커넥터에 접속되는 돌출 부분을 포함하고,
   상기 제1 코팅층은 상기 돌출 부분에 위치하고, 상기 제2 코팅층은 상기 셀 부분에 위치하는 태양 전지 모듈.
5. 제1 항에 있어서,
   상기 제1 코팅층의 용융점은 160℃ ~ 170℃ 사이의 어느 한 제1 온도보다 높고,
   상기 제2 코팅층의 용융점은 상기 제1 온도보다 낮은 태양 전지 모듈.
6. 제5 항에 있어서,
   상기 제1 코팅층의 용융점은 상기 제1 온도보다 높고 350℃ 이하인 태양 전지 모듈.
7. 제5 항에 있어서,
   상기 제2 코팅층의 용융점은 110℃ 이상 상기 제1 온도 이하인 태양 전지 모듈.
8. 제1 항에 있어서,
   상기 제2 코팅층은 SnBiAg를 포함하고,
   상기 제1 코팅층은 SnPb, Sn 또는 Ag 중 적어도 어느 하나를 포함하는 태양 전지 모듈.
9. 제1 항에 있어서,
   상기 제1 코팅층 및 상기 제2 코팅층의 두께는 서로 동일한 태양 전지 모듈.
10. 제1 항에 있어서,
    상기 코어는 금(Au), 은(Ag) 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al) 중 어느 하나를 포함하는 태양 전지 모듈.
11. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 도전성 배선은 상기 제1 전극과 교차되는 부분에서 제1 도전성 접착제에 의해 상기 제1 전극에 접속되고, 상기 제2 전극과 교차되는 부분에서 절연층에 의해 상기 제2 전극과 절연되고,
    상기 제2 도전성 배선은 상기 제2 전극과 교차되는 부분에서 상기 제1 도전성 접착제에 의해 상기 제2 전극에 접속되고, 상기 제1 전극과 교차되는 상기 절연층에 의해 상기 제1 전극과 절연되는 태양 전지 모듈.
12. 제4 항에 있어서,
    상기 제1, 2 도전성 배선 각각에서 상기 셀 부분에 위치하는 상기 제2 코팅층이 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극에 접속하는 태양 전지 모듈.
13. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 코팅층은 상기 제1, 2 도전성 배선 각각의 돌출 부분에 위치하되, 상기 돌출 부분에 위치한 코어의 표면 중 적어도 상기 셀간 커넥터와 마주보는 일면에 위치하는 태양 전지 모듈.
14. 제12 항에 있어서,
    상기 제1, 2 도전성 배선 각각의 돌출 부분에 위치한 상기 제1 코팅층의 상기 제1 방향 길이는 적어도 상기 셀간 커넥터의 폭보다 큰 태양 전지 모듈.
15. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 코팅층은 상기 제1, 2 도전성 배선 각각의 돌출 부분에 위치하되, 상기 돌출 부분에 위치한 코어의 표면 중 상기 셀간 커넥터와 마주보는 일면에 위에는 위치하고, 상기 코어의 일면과 반대면이 위에는 상기 제2 코팅층이 위치하는 태양 전지 모듈.
    

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