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KR101743717B1 - Solar cell module and manufacturing method of a wire for solar cell module - Google Patents

Solar cell module and manufacturing method of a wire for solar cell module Download PDF

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KR101743717B1
KR101743717B1 KR1020150187558A KR20150187558A KR101743717B1 KR 101743717 B1 KR101743717 B1 KR 101743717B1 KR 1020150187558 A KR1020150187558 A KR 1020150187558A KR 20150187558 A KR20150187558 A KR 20150187558A KR 101743717 B1 KR101743717 B1 KR 101743717B1
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KR
South Korea
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wiring
core
portions
irregularities
width
Prior art date
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KR1020150187558A
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Korean (ko)
Inventor
김정식
이승윤
우태기
이헌민
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Abstract

본 발명은 태양 전지 모듈 및 이에 사용되는 배선의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례는 복수의 태양 전지 및 복수의 태양 전지 각각에 구비된 전극에 도전성 접착제를 통해 접속되는 복수의 배선을 포함하고, 복수의 배선 각각은 전극과 접속되는 제1 부분 표면에 복수의 요철을 구비하고, 배선의 중심을 기준으로 제1 부분의 반대쪽인 제2 부분 표면에 복수의 요철을 구비한다.
아울러, 태양 전지 모듈에 사용되는 배선의 제조 방법은 태양 전지 배선용 코어에서 제1 부분 및 제2 부분에 복수의 요철을 형성하는 압연 단계와 복수의 요철이 형성된 코어의 표면에 코팅층을 형성하는 코팅 단계를 포함한다.
The present invention relates to a solar cell module and a method of manufacturing a wiring used therein.
An example of a solar cell module according to the present invention includes a plurality of wirings connected to electrodes provided in each of a plurality of solar cells and a plurality of solar cells through a conductive adhesive agent, A plurality of irregularities are provided on the surface of the second portion opposite to the first portion with respect to the center of the wiring.
In addition, a method of manufacturing a wiring used in a solar cell module includes a rolling step of forming a plurality of projections and depressions in a first portion and a second portion in a solar cell wiring core, and a coating step of forming a coating layer on a surface of a core .

Description

태양 전지 모듈 및 이에 사용되는 배선의 제조 방법{SOLAR CELL MODULE AND MANUFACTURING METHOD OF A WIRE FOR SOLAR CELL MODULE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a solar cell module,

본 발명은 태양 전지 모듈 및 이에 사용되는 배선의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a solar cell module and a method of manufacturing a wiring used therein.

최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고, 이에 따라 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생산하는 태양 전지가 주목 받고 있다.Recently, as energy resources such as oil and coal are expected to be depleted, interest in alternative energy to replace them is increasing, and solar cells that produce electric energy from solar energy are attracting attention.

일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)에 의해 p-n 접합을 형성하는 반도체부, 그리고 서로 다른 도전성 타입의 반도체부에 각각 연결된 전극을 구비한다. Typical solar cells have a semiconductor portion that forms a p-n junction by different conductive types, such as p-type and n-type, and electrodes connected to semiconductor portions of different conductivity types, respectively.

이러한 태양 전지에 빛이 입사되면 반도체부에서 복수의 전자-정공 쌍이 생성되고, 생성된 전자-정공 쌍은 전하인 전자와 정공으로 각각 분리되어, 전자는 n형의 반도체부 쪽으로 이동하고 정공은 p형의 반도체부 쪽으로 이동한다. 이동한 전자와 정공은 각각 n형의 반도체부와 p형의 반도체부에 연결된 서로 다른 전극에 의해 수집되고 이 전극들을 전선으로 연결함으로써 전력을 얻는다.When light is incident on such a solar cell, a plurality of electron-hole pairs are generated in the semiconductor portion, and the generated electron-hole pairs are separated into electrons and holes, respectively, so that the electrons move toward the n- Type semiconductor portion. The transferred electrons and holes are collected by different electrodes connected to the n-type semiconductor portion and the p-type semiconductor portion, respectively, and electric power is obtained by connecting these electrodes with electric wires.

이와 같은 태양 전지는 배선에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.Such solar cells can be electrically connected to each other by wiring.

종래의 특허 공개번호 US 2006/0272844에 따르면, 복수의 태양 전지를 직렬 연결하는 인터커넥터 배선으로, 단면 형상이 원형인 코어의 전체면 또는 단면이 직사각형인 코어의 전면 또는 전후면에 요철을 형성한 상태에서 코어 표면에 땜납층을 두껍게 코팅한 경우가 있다. According to the conventional patent publication No. US 2006/0272844, an interconnection line connecting a plurality of solar cells in series has a structure in which irregularities are formed on a front surface or a front surface or a front surface of a core in which a whole surface or a cross- The core surface may be coated with a thick solder layer in some cases.

그러나, 원형 코어의 전체면에 요철을 형성한 상태에서 땜납층을 두껍게 코팅하여 코어의 요철이 땜납층의 표면으로 현출되지 않은 경우, 땜납층의 외면에 요철이 없어, 셀 전극과의 접속이 용이하지 않은 문제점이 있다.However, in the case where the solder layer is thickly coated with the irregularities formed on the entire surface of the round core, if the irregularities of the core do not protrude to the surface of the solder layer, there is no unevenness on the outer surface of the solder layer, .

더불어, 직사각형인 코어의 전면이나 전후면에 요철을 형성한 상태에서 땜납층을 두껍게 형성하여, 땜납층의 외면에 요철이 형성되지 않은 경우, 땜납층의 표면이 평탄하여 배선에 반사된 빛이 산란되지 않아, 다시 태양 전지 모듈로 재입사되는 광경로를 제공하기 어렵고, 직사각형 구조의 코어로 인하여 빛이 입사되는 태양 전지의 전면에서 쉐이딩 영역이 상대적으로 증가하는 문제점이 있다.In addition, when the concave and convex portions are formed on the front surface and the front and rear surfaces of the rectangular core and the solder layer is formed thick and no irregularities are formed on the outer surface of the solder layer, the surface of the solder layer is flat, It is difficult to provide an optical path for re-entering into the solar cell module, and the shading area is relatively increased at the front surface of the solar cell in which the light is incident due to the rectangular core.

본 발명은 태양 전지 모듈 및 이에 사용되는 배선의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a solar cell module and a method of manufacturing a wiring used therein.

본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례는 각각이 반도체 기판 및 반도체 기판의 표면에 형성된 전극을 구비하는 복수의 태양 전지; 및 복수의 태양 전지 중 서로 인접한 복수의 태양 전지를 서로 전기적으로 연결하기 위하여 복수의 태양 전지 각각에 구비된 전극에 도전성 접착제를 통해 접속되는 복수의 배선;을 포함하고, 복수의 배선 각각은 전극과 접속되는 제1 부분 표면에 복수의 요철을 구비하고, 배선의 중심을 기준으로 제1 부분의 반대쪽인 제2 부분 표면에 복수의 요철을 구비한다.An example of a solar cell module according to the present invention includes a plurality of solar cells each having an electrode formed on a surface of a semiconductor substrate and a semiconductor substrate; And a plurality of wires connected to electrodes provided in each of the plurality of solar cells via a conductive adhesive in order to electrically connect a plurality of adjacent solar cells among the plurality of solar cells, A plurality of irregularities are provided on the surface of the first part to be connected and a plurality of irregularities are provided on the surface of the second part opposite to the first part with respect to the center of the wiring.

여기서, 배선의 단면은 전체적으로 원형 또는 타원형 형상을 가지며, 배선에서 제1 부분과 제2 부분 사이의 표면에는 요철이 형성되지 않을 수 있다.Here, the cross section of the wiring has a circular or oval shape as a whole, and irregularities may not be formed on the surface between the first and second portions in the wiring.

아울러, 배선은 코어와 코어의 표면을 코팅하는 코팅층을 포함하고, 코어는 구리(cu), 은(Ag), 금(Au), 또는 알루미늄(Al) 중 어느 하나로 형성되고, 코팅층은 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금으로 형성되고, 코팅층의 두께는 제1, 2 부분에 형성되는 요철의 폭 또는 높이보다 작을 수 있다.In addition, the wiring includes a coating layer coating the surface of the core and the core, and the core is formed of any one of copper (cu), silver (Ag), gold (Au), and aluminum ) Or tin (Sn), and the thickness of the coating layer may be smaller than the width or height of the concavities and convexities formed in the first and second portions.

여기서, 코어의 최대 직경은 200um ~ 500um 사이이고, 코팅층의 두께는 1um ~ 5um 사이일 수 있다.Here, the maximum diameter of the core is between 200 [mu] m and 500 [mu] m, and the thickness of the coating layer may be between 1 [mu] m and 5 [mu] m.

아울러, 제1, 2 부분에 형성되는 복수의 요철 각각의 폭 또는 높이는 코팅층의 두께보다 크되, 제1, 2 부분에 형성되는 복수의 요철 각각의 폭은 20um ~ 25um 사이이고, 제1, 2 부분에 형성되는 복수의 요철 각각의 높이는 20um ~ 30um 사이일 수 있다.In addition, the width or height of each of the plurality of irregularities formed in the first and second portions is larger than the thickness of the coating layer, the width of each of the plurality of irregularities formed in the first and second portions is between 20um and 25um, The height of each of the plurality of concavities and convexities formed on the substrate may be between 20 um and 30 um.

또한, 제1, 2 부분 각각에서 제1, 2 부분 각각의 최외곽에 위치하는 요철의 폭이나 높이는 제1, 2 부분 각각의 가운데 부분에 위치하는 요철의 폭이나 높이보다 작을 수 있다.The width and height of the irregularities located at the outermost portions of the first and second portions in each of the first and second portions may be smaller than the width and height of the irregularities located in the middle portions of the first and second portions.

또한, 제1, 2 부분에 형성되는 복수의 요철 각각은 배선의 길이 방향, 폭 방향 또는 사선 방향을 따라 길게 뻗어 있는 그루브(groove) 형상을 갖거나, 피라미드 형상을 가질 수 있다.Each of the plurality of irregularities formed in the first and second portions may have a groove shape extending long in the longitudinal direction, the width direction, or the oblique direction of the wiring, or may have a pyramid shape.

여기서, 배선에서 복수의 요철이 형성되는 제1, 2 부분의 폭은 100um ~ 150um 사이일 수 있다.Here, the width of the first and second portions in which a plurality of irregularities are formed in the wiring may be between 100 μm and 150 μm.

또한, 도전성 접착제의 폭은 도전성 접착제와 접속되는 제1 부분 또는 제2 부분의 폭보다 크고, 배선의 최대 선폭보다 작을 수 있다. 일례로, 도전성 접착제의 폭은 320um ~ 380um 사이일 수 있다.The width of the conductive adhesive may be larger than the width of the first portion or second portion connected to the conductive adhesive and may be smaller than the maximum line width of the wiring. As an example, the width of the conductive adhesive may be between 320 and 380 um.

또한, 도전성 접착제는 주석(Sn)을 포함하는 솔더 페이스트 형태이거나 접착성 수지 내에 복수의 도전성 입자가 분포되는 도전성 접착 페이스트 형태일 수 있다.The conductive adhesive may be in the form of a solder paste containing tin (Sn) or may be in the form of a conductive adhesive paste in which a plurality of conductive particles are distributed in the adhesive resin.

일례로, 도전성 접착제가 접착성 수지 내에 분포하는 복수의 도전성 입자를 포함하는 경우, 접착성 수지는 에폭시 계열의 수지, 실리콘 계열의 수지 또는 아크릴 계열의 수지 중 적어도 어느 하나의 수지로 형성되고, 도전성 입자는 Ni, Ag 또는 SnBi 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다.For example, when the conductive adhesive contains a plurality of conductive particles distributed in the adhesive resin, the adhesive resin is formed of at least one of an epoxy-based resin, a silicone-based resin, and an acrylic-based resin, The particles may be formed to include at least one of Ni, Ag, or SnBi.

여기서, 도전성 입자의 크기는 복수의 요철의 폭 또는 높이보다 작을 수 있다. 일례로, 도전성 입자의 크기는 1um ~ 10um 사이일 수 있다.Here, the size of the conductive particles may be smaller than the width or height of the plurality of irregularities. As an example, the size of the conductive particles may be between 1 um and 10 um.

아울러, 도전성 접착제에 포함되는 접착성 수지의 녹는점은 배선에 포함된 코팅층의 녹는점보다 낮을 수 있다. 일례로, 접착성 수지의 경화 온도는 155℃ ~ 185℃ 사이일 수 있다.In addition, the melting point of the adhesive resin included in the conductive adhesive agent may be lower than the melting point of the coating layer included in the wiring. For example, the curing temperature of the adhesive resin may be between 155 ° C and 185 ° C.

또한, 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에 사용되는 배선의 제조 방법은 복수의 요철이 형성된 압연기의 제1 롤러와 제2 롤러를 회전시켜 태양 전지 배선용 코어를 제1, 2 롤러 사이로 인입하여, 코어에서 태양 전지의 전극과 접속될 제1 부분 및 코어의 중심을 기준으로 제1 부분의 반대면인 제2 부분에 복수의 요철을 형성하는 압연 단계; 및 복수의 요철이 형성된 코어의 표면에 코팅층을 형성하는 코팅 단계;를 포함한다.A method for manufacturing a wiring used in a solar cell module according to an example of the present invention includes rotating a first roller and a second roller of a rolling machine in which a plurality of projections and depressions are formed to draw the solar cell wiring core between the first and second rollers, A step of forming a plurality of irregularities on a first portion to be connected to the electrode of the solar cell in the core and a second portion to be opposite to the first portion with respect to the center of the core; And a coating step of forming a coating layer on a surface of the core having a plurality of unevenness formed thereon.

여기서, 코팅 단계는 전기 도금 방식에 의해 수행될 수 있다.Here, the coating step may be performed by an electroplating method.

아울러, 압연 단계에 의해 코어에서 복수의 요철이 형성되는 제1, 2 부분 각각의 폭은 100um ~ 150um 사이일 수 있다.In addition, the width of each of the first and second portions in which a plurality of irregularities are formed in the core by the rolling step may be between 100 [mu] m and 150 [mu] m.

또한, 압연기의 제1, 2 롤러 표면에 형성된 복수의 요철 각각의 폭은 20um ~ 25um 사이이고, 각각의 돌출 높이는 20um ~ 30um일 수 있다.The width of each of the plurality of irregularities formed on the surface of the first and second rollers of the rolling mill may be between 20um and 25um, and the height of each protrusion may be between 20um and 30um.

또한, 코어의 최대 직경은 200um ~ 500um 사이이고, 코팅 단계에서 형성되는 코팅층의 두께는 1um ~ 5um 사이일 수 있다.In addition, the maximum diameter of the core is between 200 탆 and 500 탆, and the thickness of the coating layer formed in the coating step may be between 1 탆 and 5 탆.

또한, 압연 단계 이전에, 단면이 원형인 코어의 제1 부분 및 제2 부분을 커팅하는 커팅 단계;를 더 포함할 수 있다. 이때, 커팅 단계에서 커팅되는 제1 부분 및 제2 부분 각각의 폭은 100um ~ 150um 사이일 수 있다.Further, before the rolling step, a cutting step of cutting the first portion and the second portion of the core having a circular cross section may be further included. At this time, the width of each of the first portion and the second portion cut at the cutting step may be between 100um and 150um.

또한, 본 발명의 다른 일례에 따른 태양 전지 모듈에 사용되는 배선의 제조 방법은 태양 전지 배선용 코어의 표면을 코팅하여 코팅층을 형성하는 코팅 단계; 및 복수의 요철이 형성된 압연기의 제1 롤러와 제2 롤러를 회전시켜 코팅층이 형성된 코어를 제1, 2 롤러 사이로 인입하여, 코팅층이 형성된 코어에서 태양 전지의 전극과 접속될 제1 부분 및 코어의 중심을 기준으로 제1 부분의 반대면인 제2 부분에 복수의 요철을 형성하는 압연 단계;를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a wiring for use in a solar cell module, comprising: a coating step of coating a surface of a solar cell wiring core to form a coating layer; And rotating the first roller and the second roller of the rolling machine in which the plurality of projections and depressions are formed to draw the core having the coating layer between the first and second rollers to form a first portion to be connected to the electrode of the solar cell in the core in which the coating layer is formed, And a rolling step of forming a plurality of concavities and convexities on a second portion which is an opposite surface of the first portion with respect to the center.

또한, 코팅 단계 이전에, 단면이 원형인 코어의 제1 부분 및 제2 부분을 커팅하는 단계;를 더 포함할 수 있다.Also, prior to the coating step, cutting the first and second portions of the core having a circular cross-section may be further included.

본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 서로 인접한 복수의 태양 전지를 서로 전기적으로 연결하는 복수의 배선으로, 전극과 접속되는 부분에 복수의 요철이 형성된 배선을 사용함으로써, (1) 배선과 전극 사이의 접착력을 보다 향상시킬 수 있으며, (2) 배선과 전극 사이를 접착할 때, 솔더가 없는 도전성 접착제를 사용할 수 있어 제조 비용을 보다 절감할 수 있으며, (3) 아울러, 도전성 접착제로 저온에서 경화되는 도전성 접착 패이스트를 사용할 수 있어, 배선과 전극을 서로 접속시키는 태빙(tabbing) 공정의 온도를 155℃ ~ 185℃ 사이의 저온에서 수행할 수 있어, 태빙 공정에서 열팽창 스트레스에 의해 반도체 기판이 휘어지는 좌굴 현상을 최소화할 수 있다.A solar cell module according to the present invention includes a plurality of interconnections for electrically connecting a plurality of adjacent solar cells to each other and a plurality of projections and depressions formed on a portion connected to the electrodes are used to (1) (2) a conductive adhesive without solder can be used to bond the wiring and the electrode, thereby further reducing the manufacturing cost, and (3) the conductive adhesive which is cured at a low temperature with the conductive adhesive The temperature of the tabbing process for connecting the wires and the electrodes to each other can be performed at a low temperature between 155 ° C. and 185 ° C. and the buckling phenomenon in which the semiconductor substrate is bent due to the thermal expansion stress in the tabbing process Can be minimized.

더불어, 본 발명의 배선은 복수의 요철이 전극과 접속되는 부분의 반대쪽에도 형성되어, 배선으로 입사되는 빛을 반도체 기판으로 재입사되도록 난반사시킬 수 있고, 이에 따라 태양 전지 모듈의 출력을 보다 향상시킬 수 있다.In addition, the wiring of the present invention is also formed on a side opposite to a portion where a plurality of projections and depressions are connected to the electrode, so that light incident on the wiring can be diffusedly reflected so as to enter the semiconductor substrate again, .

아울러, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에 사용되는 배선의 제조 방법은 제조 공정을 단순화시킬 수 있다.In addition, the manufacturing method of the wiring used in the solar cell module according to the present invention can simplify the manufacturing process.

도 1 내지 도 3은 본 발명에 따른 태양 전지가 적용된 태양 전지 모듈의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 4는 도 1의 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 일례를 설명하기 위한 일부 사시도이다.
도 5는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례에 적용되는 배선의 일례에 대해 설명하기 위한 도이다.
도 6은 본 발명에 따른 배선의 제1, 2 부분에 형성되는 요철의 다양한 패턴을 설명하기 위한 도이다.
도 7은 본 발명에 따른 배선이 도전성 접착제를 통해 태양 전지의 전극에 접속되는 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 8은 본 발명에 따른 배선이 도전성 접착제를 통해 태양 전지의 전극에 접속되는 다른 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 9는 본 발명의 제1 실시에에 따른 배선의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 10은 도 9의 순서에 따라 배선을 제조하는 압연기와 제조되는 배선의 형태를 설명하기 위한 도이다.
도 11은 본 발명의 제1 실시에에 따른 배선의 제조 방법의 변경예를 설명하기 위한 순서도이다.
도 12는 도 11의 순서도에 따른 배선의 형태를 설명하기 위한 도이다.
도 13은 본 발명의 제2 실시에에 따른 배선의 제조 방법에 대해 설명하기 위한 순서도이다.
도 14는 도 13에 도시된 순서도에 따른 배선의 형태를 설명하기 위한 도이다.
도 15는 본 발명의 제2 실시에에 따른 배선의 제조 방법의 변경예를 설명하기 위한 순서도이다.
도 16은 도 15에 도시된 순서도에 따른 배선의 형태를 설명하기 위한 도이다.
1 to 3 are views for explaining an example of a solar cell module to which a solar cell according to the present invention is applied.
4 is a partial perspective view for explaining an example of a solar cell applied to the solar cell module of FIG.
5 is a view for explaining an example of wiring applied to an example of a solar cell module according to the present invention.
6 is a view for explaining various patterns of irregularities formed on the first and second portions of the wiring according to the present invention.
7 is a view for explaining an example in which the wiring according to the present invention is connected to the electrode of a solar cell through a conductive adhesive.
8 is a view for explaining another example in which the wiring according to the present invention is connected to the electrode of the solar cell through the conductive adhesive.
9 is a flowchart for explaining a method of manufacturing a wiring according to the first embodiment of the present invention.
Fig. 10 is a view for explaining the shape of a rolling mill and a wire to be manufactured in accordance with the procedure of Fig. 9; Fig.
11 is a flowchart for explaining a modification of the method of manufacturing a wiring according to the first embodiment of the present invention.
12 is a diagram for explaining the form of wiring according to the flow chart of FIG.
13 is a flowchart for explaining a method of manufacturing a wiring according to the second embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a view for explaining the form of wiring according to the flowchart shown in FIG. 13; FIG.
15 is a flowchart for explaining a modification of the method of manufacturing a wiring according to the second embodiment of the present invention.
FIG. 16 is a view for explaining the form of wiring according to the flowchart shown in FIG. 15. FIG.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and similar parts are denoted by like reference characters throughout the specification.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한 어떤 부분이 다른 부분 위에 “전체적”으로 형성되어 있다고 할 때에는 다른 부분의 전체 면에 형성되어 있는 것뿐만 아니라 가장 자리 일부에는 형성되지 않은 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. When a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the case directly above another portion but also the case where there is another portion in between. Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle. Further, when a certain portion is formed as "whole" on another portion, it means not only that it is formed on the entire surface of the other portion but also that it is not formed on the edge portion.

이하에서, 전면이라 함은 직사광이 입사되는 반도체 기판의 일면일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 반도체 기판의 반대면일 수 있다.Hereinafter, the front surface may be one surface of the semiconductor substrate to which the direct light is incident, and the rear surface may be the opposite surface of the semiconductor substrate in which direct light is not incident, or reflected light other than direct light may be incident.

아울러, 이하의 설명에서, 서로 다른 두 구성 요소의 길이나 폭이 동일하다는 의미는 10%의 오차 범위 이내에서 서로 동일한 것을 의미한다.In the following description, the meaning of two different components having the same length or width means that they are equal to each other within an error range of 10%.

그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 대하여 설명한다.Hereinafter, a solar cell module according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1 내지 도 3은 본 발명에 따른 태양 전지가 적용된 태양 전지 모듈의 일례를 설명하기 위한 도이고, 여기서, 도 1은 태양 전지 모듈을 전면에서 바라본 형상이고, 도 2는 도 1에서 CS1-CS1 라인에 따른 단면을 도시한 것이고, 도 3는 도 1에서 CS2-CS2 라인에 따른 단면을 도시한 것이다. 아울러, 도 4는 도 1에 적용되는 본 발명에 따른 태양 전지의 일례를 설명하기 위한 일부 사시도이다.1 to 3 are views for explaining an example of a solar cell module to which a solar cell according to the present invention is applied. Here, FIG. 1 shows a solar cell module viewed from the front, FIG. 2 is a cross- Fig. 3 is a cross-sectional view taken along line CS2-CS2 in Fig. 1. Fig. 4 is a partial perspective view for explaining an example of a solar cell according to the present invention applied to FIG.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 복수의 태양 전지(C1, C2)와 각각의 태양 전지(C1, C2)에 접속되는 복수의 배선(300)를 포함한다.1 to 3, a solar cell module according to the present invention includes a plurality of solar cells C1 and C2 and a plurality of wirings 300 connected to the respective solar cells C1 and C2 .

여기서, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 반도체 기판(110)의 전면에 제1 전극(140)과 후면에 제2 전극(150)을 구비할 수 있다. The first and second solar cells C1 and C2 may include a first electrode 140 on the front surface of the semiconductor substrate 110 and a second electrode 150 on the rear surface thereof.

여기서, 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각의 제1, 2 전극(140, 150)은 제1 방향(x)으로 스트라이프 형태로 가늘고 길게 뻗어 있을 수 있다. Here, the first and second electrodes 140 and 150 of each of the first and second solar cells C1 and C2 may be elongated in a stripe shape in the first direction x.

이와 같은 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 배열되며, 제2 방향(y)으로 길게 뻗은 복수의 배선(300)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.The first and second solar cells C1 and C2 are arranged in a second direction y intersecting with the first direction x and are electrically connected by a plurality of wirings 300 extending long in the second direction y They can be electrically connected to each other.

일례로, 복수의 배선(300) 각각은 제1 태양 전지(C1)의 제1 전극(140) 및 제2 태양 전지(C2)의 제2 전극(150)에 접속되어, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)를 서로 직렬 연결하는 인터커넥터 역할을 할 수 있다.For example, each of the plurality of wirings 300 is connected to the first electrode 140 of the first solar cell C1 and the second electrode 150 of the second solar cell C2, (C1, C2) connected in series to each other.

여기서, 도 1 및 도 2에 도시되지는 않았지만, 복수의 배선(300)이 각 태양 전지의 제1 전극(140) 및 제2 전극(150)에 접속될 때, 도전성 접착제(미도시)를 통하여 접속될 수 있다. 이와 같이, 복수의 배선(300)이 도전성 접착제를 통하여 각 태양 전지의 전극에 접속되는 구성에 대해서는 도 7 및 도 8을 통하여 보다 구체적으로 설명한다.Here, although not shown in FIGS. 1 and 2, when a plurality of wirings 300 are connected to the first electrode 140 and the second electrode 150 of each solar cell, a conductive adhesive (not shown) Can be connected. The configuration in which the plurality of wirings 300 are connected to the electrodes of the respective solar cells through the conductive adhesive is described in more detail with reference to Figs. 7 and 8. Fig.

이때, 복수의 배선(300)의 개수는 태양 전지의 일면을 기준으로 6개 내지 33개일 수 있다. 아울러, 복수의 배선(300) 각각의 폭은 200um 내지 500um 사이일 수 있다.At this time, the number of the plurality of wirings 300 may be 6 to 33 based on one surface of the solar cell. In addition, the width of each of the plurality of wirings 300 may be between 200 [mu] m and 500 [mu] m.

일례로, 배선(300)의 선폭이 200um 이상, 300um 미만일 때, 배선(300)의 개수가 15개 내지 33개일 수 있다. 아울러, 배선(300)의 선폭이 300um 이상, 350um 미만일 때, 배선(300)의 개수가 10개 내지 15개일 수 있고, 배선(300)의 선폭이 350um 이상, 400um 미만일 때, 배선(300)의 개수가 8개 내지 10개일 수 있고, 배선(300)의 선폭이 400um 내지 500um일 때, 배선(300)의 개수가 6개 내지 8개일 수 있다. For example, when the line width of the wiring 300 is 200um or more and less than 300um, the number of the wirings 300 may be 15 to 33. When the line width of the wiring 300 is more than 300um and less than 350um, the number of the wirings 300 may be 10 to 15. When the line width of the wiring 300 is more than 350um and less than 400um, The number of wirings 300 may be 6 to 8 when the line width of the wiring 300 is 400 to 500 mu m.

아와 같이, 배선(300)의 선폭에 따라 배선(300)의 개수를 다르게 배치함으로써, 태양 전지의 수광면에서 배선(300)에 의해 가려지는 총 쉐이딩(shading) 면적이 증가하지 않도록 하면서, 배선(300)의 자체 저항을 적절하게 조절할 수 있고, 이로 인하여, 배선(300)에 의해 감소되는 출력을 최소화할 수 있고, 태양 전지 모듈의 출력을 보다 향상시킬 수 있다.The number of wirings 300 is arranged differently according to the line width of the wiring 300 so that the total shading area covered by the wiring 300 on the light receiving surface of the solar cell is not increased, It is possible to appropriately adjust the self-resistance of the solar cell module 300, thereby minimizing the output reduced by the wiring 300 and further improving the output of the solar cell module.

앞에서 설명한 배선(300)의 선폭에 따른 개수의 관계는 최적화된 하나의 일례이고, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The relationship between the number of wires 300 according to the line widths described above is only one example optimized, and the present invention is not necessarily limited thereto.

아울러, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 전극(140) 또는 제2 전극(150) 각각에 공통으로 접속되고, 서로 인접한 두 개의 배선(300) 사이의 피치(300P)는 배선(300)의 선폭과 개수 및 배선(300)의 쉐이딩 면적을 고려하여 4.75mm ~ 25.13mm 사이로 형성될 수 있다. 3, the pitch 300P between two wirings 300 that are connected to the first electrode 140 or the second electrode 150 and are adjacent to each other, And may be formed to be between 4.75 mm and 25.13 mm in consideration of the line width, the number, and the shading area of the wiring 300.

아울러, 도 1 및 도 2에서는 제1 태양 전지(C1)의 제1 전극(140)에 도전성 접착제를 통해 접속된 배선(300)이 직접 제2 태양 전지의 제2 전극(150)에 도전성 접착제를 통해 접속된 경우를 일례로 설명하였지만, 이와 다르게, 제1 태양 전지와 제2 태양 전지 사이에는 제1 방향(x)으로 길게 뻗는 또 다른 별도의 배선(300)이 구비되고, 제1 태양 전지(C1)의 제1 전극(140)에 도전성 접착제를 통해 접속된 배선(300)과 제2 태양 전지의 제2 전극(150)에 도전성 접착제를 통해 접속된 배선(300)은 별도의 배선(300)에 공통으로 접속되어, 제1 태양 전지와 제2 태양 전지가 직렬 연결될 수도 있다. 1 and 2, the wiring 300 connected to the first electrode 140 of the first solar cell C1 through the conductive adhesive directly contacts the second electrode 150 of the second solar cell with a conductive adhesive Another separate wiring 300 extending long in the first direction x is provided between the first solar cell and the second solar cell, and the first solar cell The wiring 300 connected to the first electrode 140 of the first solar cell C1 through the conductive adhesive and the wiring 300 connected to the second electrode 150 of the second solar cell through the conductive adhesive are connected to the separate wiring 300, And the first solar cell and the second solar cell may be connected in series.

여기서, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 일례는 도 4에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110), 에미터부(120), 반사 방지막(130), 제1 전극(140), 후면 전계부(172)(172, back surface field, BSF), 후면 보호막(180) 및 제2 전극(150)을 구비할 수 있다. 4, the solar cell includes a semiconductor substrate 110, an emitter layer 120, an antireflection film 130, a first electrode 140, A back surface field (BSF) 172, a back protection layer 180, and a second electrode 150. [

반도체 기판(110)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 p형 또는 n 형 도전성 타입을 가질 수 있으며, 이와 같은 반도체 기판(110)은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘 중 어느 하나의 형태로 이루어질 수 있다. 일례로, 반도체 기판(110)은 결정질 실리콘 웨이퍼로 형성될 수 있다. 그러나, 반도체 기판(110)은 반드시 이와 같은 실리콘 웨이퍼에 한정되는 것이 아니라, GaAs 기판이 사용될 수도 있다.The semiconductor substrate 110 may have a first conductivity type, for example, a p-type or an n-type conductivity type. The semiconductor substrate 110 may be formed of any one of single crystal silicon, polycrystalline silicon, have. In one example, the semiconductor substrate 110 may be formed of a crystalline silicon wafer. However, the semiconductor substrate 110 is not necessarily limited to such a silicon wafer, but a GaAs substrate may also be used.

구체적으로, 반도체 기판(110)이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 붕소도 2, 갈륨, 인듐 등과 같은 3가 원소의 불순물이 반도체 기판(110)에 도핑(doping)된다. 하지만, 이와는 달리, 반도체 기판(110)은 n형 도전성 타입일 수 있다. 반도체 기판(110)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물이 반도체 기판(110)에 도핑될 수 있다.Specifically, when the semiconductor substrate 110 has a p-type conductivity type, impurities of boron, gallium, indium, and other trinary elements are doped in the semiconductor substrate 110. Alternatively, however, the semiconductor substrate 110 may be of the n-type conductivity type. Impurities of pentavalent elements such as phosphorus (P), arsenic (As), and antimony (Sb) may be doped into the semiconductor substrate 110 when the semiconductor substrate 110 has an n-type conductivity type.

이러한 반도체 기판(110)의 전면은 복수의 요철면을 갖는다. 편의상 도 4에서, 반도체 기판(110)의 가장자리 부분만 요철면으로 도시하였으나, 실질적으로 반도체 기판(110)의 전면 전체가 요철면을 갖고 있으며, 이로 인해 반도체 기판(110)의 전면 위에 위치한 에미터부(120) 및 반사 방지막(130) 역시 요철면을 가질 수 있다.The front surface of the semiconductor substrate 110 has a plurality of uneven surfaces. 4, only the edge portion of the semiconductor substrate 110 is shown as an uneven surface, but substantially the entire front surface of the semiconductor substrate 110 has an uneven surface, The antireflection film 120 and the antireflection film 130 may have uneven surfaces.

에미터부(120)는 도 4에 도시된 바와 같이, 제 1 도전성 타입의 반도체 기판(110)의 입사면인 전면에 형성되며, 제 1 도전성 타입과 반대인 제 2 도전성 타입, 예를 들어, n형의 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)에 도핑된 영역으로, 빛이 입사되는 면, 즉, 반도체 기판(110)의 전면 내부에 위치할 수 있다. 따라서 제2 도전성 타입의 에미터부(120)는 반도체 기판(110) 중 제1 도전성 타입 부분과 p-n 접합을 이룬다.As shown in FIG. 4, the emitter layer 120 is formed on the entire surface of the first conductive type semiconductor substrate 110, which is the incident surface, and is of a second conductive type opposite to the first conductive type, for example, n Impurity of the conductive type can be doped into the semiconductor substrate 110 and be located on the surface where the light is incident, that is, inside the front surface of the semiconductor substrate 110. Thus, the emitter portion 120 of the second conductivity type forms a p-n junction with the first conductive type portion of the semiconductor substrate 110.

이와 같은 반도체 기판(110)에 입사된 빛은 전자와 정공으로 분리되어 전자는 n형 쪽으로 이동하고 정공은 p형 쪽으로 이동할 수 있다. 따라서, 반도체 기판(110)이 p형이고 에미터부(120)가 n형일 경우, 분리된 정공은 반도체 기판(110) 후면 쪽으로 이동하고 분리된 전자는 에미터부(120) 쪽으로 이동할 수 있다.Light incident on the semiconductor substrate 110 is separated into electrons and holes, so that the electrons move toward the n-type and the holes move toward the p-type. Therefore, when the semiconductor substrate 110 is p-type and the emitter section 120 is n-type, the separated holes move toward the back surface of the semiconductor substrate 110, and the separated electrons can move toward the emitter section 120.

에미터부(120)는 반도체 기판(110), 즉, 반도체 기판(110)의 제1 도전성 부분과 p-n접합을 형성하므로, 본 실시예와 달리, 반도체 기판(110)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터부(120)는 p형의 도전성 타입을 가질 수 있다. 이 경우, 분리된 전자는 반도체 기판(110) 후면 쪽으로 이동하고 분리된 정공은 에미터부(120)쪽으로 이동할 수 있다.Since the emitter 120 forms a pn junction with the first conductive portion of the semiconductor substrate 110, that is, the first conductive portion of the semiconductor substrate 110, unlike the present embodiment, the semiconductor substrate 110 has the n- The emitter section 120 may have a p-type conductivity type. In this case, the separated electrons may move toward the back surface of the semiconductor substrate 110, and the separated holes may move toward the emitter section 120.

에미터부(120)가 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터부(120)는 5가 원소의 불순물을 반도체 기판(110)에 도핑하여 형성될 수 있고, 반대로 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 3가 원소의 불순물을 반도체 기판(110)에 도핑하여 형성될 수 있다.When the emitter section 120 has an n-type conductivity type, the emitter section 120 may be formed by doping an impurity of a pentavalent element into the semiconductor substrate 110. Conversely, when the emitter section 120 has a p-type conductivity type, And may be formed by doping an impurity of a trivalent element into the semiconductor substrate 110.

반사 방지막(130)은 반도체 기판(110)의 입사면에 상부에 위치하며, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 에미터부(120)가 반도체 기판(110)의 입사면에 위치하는 경우, 반사 방지막(130)은 에미터부(120) 상부에 위치할 수 있다. 4 and 5, when the emitter section 120 is located on the incident surface of the semiconductor substrate 110, the antireflection film 130 is disposed on the incident surface of the semiconductor substrate 110, The antireflection film 130 may be disposed on the emitter layer 120.

이와 같은 반사 방지막(130)은 수소화된 실리콘 질화막(SiNx:H), 수소화된 실리콘 산화막(SiOx:H), 수소화된 실리콘 질화산화막(SiNxOy:H), 및 수소화된 비정질실리콘(a-Si:H) 중 적어도 어느 하나가 복수의 층으로 형성될 수도 있다.The antireflection film 130 may include a hydrogenated silicon nitride film (SiNx: H), a hydrogenated silicon oxide film (SiOx: H), a hydrogenated silicon nitride oxide film (SiNxOy: H), and a hydrogenated amorphous silicon May be formed as a plurality of layers.

이와 같이 함으로써, 반사 방지막(130)의 패시베이션 기능을 보다 강화할 수 있어 태양 전지의 광전 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.By doing so, the passivation function of the antireflection film 130 can be further enhanced, and the photoelectric efficiency of the solar cell can be further improved.

복수의 제1 전극(140)은 도 4에 도시된 바와 같이 반도체 기판(110)의 전면에 위치하며, 반도체 기판(110)의 전면 위에 서로 이격되어 위치하며, 각각이 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 위치할 수 있다. 4, the plurality of first electrodes 140 are located on the front surface of the semiconductor substrate 110 and are spaced apart from each other on the front surface of the semiconductor substrate 110, You can stretch it long.

이때, 복수의 제1 전극(140)은 반사 방지막(130)을 뚫고 에미터부(120)에 전기적으로 연결될 수 있다.At this time, the plurality of first electrodes 140 may be electrically connected to the emitter section 120 through the anti-reflection film 130.

이에 따라, 복수의 제1 전극(140)은 에미터부(120) 쪽으로 이동한 전하, 예를 들면, 전자를 수집할 수 있다.Accordingly, the plurality of first electrodes 140 can collect charges, for example, electrons, which have migrated toward the emitter section 120.

후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)의 전면의 반대면인 후면에 위치할 수 있으며, 반도체 기판(110)과 동일한 제1 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 도핑된 영역, 예를 들면, P+ 영역일 수 있다. The rear electric field portion 172 may be located on the rear surface opposite to the front surface of the semiconductor substrate 110 and may include an impurity of the first conductivity type identical to that of the semiconductor substrate 110 in a region doped at a higher concentration than the semiconductor substrate 110 , For example, a P + region.

이와 같은 후면 전계부(172)는 후술할 제2 전극(150) 패턴과 중첩 접속되어 제1 방향(x)으로 길게 형성되되, 제2 방향(y)으로 이격된 복수의 라인 형태로 형성될 수 있다. 따라서, 후면 전계부(172)는 복수의 후면 전계부 라인(172)으로 구성될 수 있다.The rear electric field portion 172 may be formed in a plurality of lines spaced apart in the second direction y by forming a long line in the first direction x in a superposed connection with the second electrode 150 pattern, have. Thus, the backside electrical section 172 may be comprised of a plurality of backside electrical line sections 172.

이러한 반도체 기판(110)과 후면 전계부(172)간의 불순물 농도 차이로 인해 전위 장벽이 형성되고, 이로 인해, 정공의 이동 방향인 후면 전계부(172) 쪽으로 전자 이동을 방해하는 반면, 후면 전계부(172) 쪽으로의 정공 이동을 용이하게 할 수 있다. A potential barrier is formed due to the difference in impurity concentration between the semiconductor substrate 110 and the rear electric field portion 172, thereby hindering electron movement toward the rear electric field portion 172, which is the direction of movement of the holes, It is possible to facilitate the movement of holes toward the light emitting layer 172.

따라서, 반도체 기판(110)의 후면 및 그 부근에서 전자와 정공의 재결합으로 손실되는 전하의 양을 감소시키고 원하는 전하(예, 정공)의 이동을 가속화시켜 제2 전극(150)으로의 전하 이동량을 증가시킬 수 있다.Therefore, it is possible to reduce the amount of charge lost due to the recombination of electrons and holes at the back surface and the vicinity of the semiconductor substrate 110 and to accelerate the movement of a desired charge (e.g., a hole) .

후면 보호막(180)은 제2 전극(150)이 형성된 부분을 제외한 반도체 기판(110) 후면 전체를 덮도록 형성될 수 있고, 반도체 기판(110)의 후면에 대한 패시베이션 기능과 절연 기능을 수행할 수 있다. 이와 같은 후면 보호막(180)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 산화질화물(SiNxOy) 중 적어도 하나가 적어도 하나의 층으로 형성될 수 있다.The backside passivation layer 180 may be formed to cover the entire rear surface of the semiconductor substrate 110 except for the portion where the second electrode 150 is formed and may perform a passivation function and an insulation function for the rear surface of the semiconductor substrate 110 have. At least one of the silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), or silicon oxynitride (SiNxOy) may be formed of at least one layer.

제2 전극(150)은 반도체 기판(110)의 일면과 반대면인 후면에 제1 방향(x)으로 길게 서로 나란하게 형성되고, 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 이격되어 형성될 수 있다.The second electrode 150 is formed in parallel with the first direction x on the rear surface opposite to the first surface of the semiconductor substrate 110 and extends in the second direction y intersecting the first direction x. And can be formed spaced apart.

이와 같은 제2 전극(150)은 전술한 후면 전계부(172)와 중첩되어 전기적으로 연결되어, 후면 전계부(172)쪽으로부터 이동하는 전하, 예를 들어 정공을 수집할 수 있다.The second electrode 150 may be electrically connected to the rear electric unit 172 to collect electric charges, for example, holes moving from the rear electric unit 172 side.

이때, 제2 전극(150)은 반도체 기판(110)보다 높은 불순물 농도로 유지하는 후면 전계부(172)와 접촉하고 있으므로, 즉 후면 전계부(172)와 제2 전극(150) 사이의 접촉 저항이 감소하여 반도체 기판(110)으로부터 제2 전극(150)으로의 전하 전송 효율이 향상될 수 있다.Since the second electrode 150 is in contact with the rear electric part 172 which maintains the impurity concentration higher than that of the semiconductor substrate 110, the contact resistance between the rear electric part 172 and the second electrode 150 The efficiency of charge transfer from the semiconductor substrate 110 to the second electrode 150 can be improved.

이와 같은 제2 전극(150)에는 배선(300)이 접속되어, 제2 전극(150)에 수집된 전하(예, 정공)가 배선(300)를 통하여 인접한 다른 태양 전지로 전달될 수 있다.The wiring 300 is connected to the second electrode 150 and the electric charge collected in the second electrode 150 can be transmitted to another adjacent solar cell through the wiring 300.

이와 같은 제1, 2 전극(140, 150)은 양호한 전도도를 갖는 금속 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어, 은(Ag)과 같은 적어도 하나의 도전성 물질을 함유할 수 있다.The first and second electrodes 140 and 150 may include a metal material having a good conductivity and may contain at least one conductive material, for example, silver (Ag).

아울러, 도 4에서는 제1, 2 전극(140, 150)의 패턴이 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 형성되는 경우를 일례로 도시하였으나, 도 4에 도시된 바와 다르게, 제1, 2 전극(140, 150)의 패턴은 이와 다르게 구비될 수도 있다. 4, the patterns of the first and second electrodes 140 and 150 are formed to extend in the first direction x. However, as shown in FIG. 4, the first and second electrodes 140, 140, and 150 may be provided differently.

일례로, 제1, 2 전극(140, 150)은 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 있는 전극에 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 있는 다른 전극이 연결된 패턴으로 형성될 수도 있다. For example, the first and second electrodes 140 and 150 may be formed in a pattern in which other electrodes extending long in the second direction y are connected to electrodes extending in a first direction x.

이때, 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 있는 다른 전극은 배선(300)과 중첩되어 위치할 수 있다. 또는 제2 전극(150)은 전술한 바와 다르게, 반도체 기판(110)의 후면 전체를 덮는 면전극 형태로 구비될 수도 있다. 이와 같이, 제1, 2 전극(140, 150)은 다양한 패턴으로 구비될 수 있다.At this time, the other electrode extending in the second direction y may overlap with the wiring 300. Alternatively, the second electrode 150 may be provided in the form of a surface electrode covering the entire rear surface of the semiconductor substrate 110, as described above. As described above, the first and second electrodes 140 and 150 may be provided in various patterns.

이와 같은 태양 전지에 도전성 접착제를 통하여 복수의 태양 전지를 서로 직렬 연결하기 위한 복수의 배선(300) 각각이 도 4에 도시된 바와 같이, 제2 방향(y)으로 길게 접속될 수 있다. 도 4에서는 도전성 접착제에 대한 도시는 생략하였지만, 이에 대해서는 도 7 및 도 8에서 구체적으로 설명한다.Each of the plurality of wirings 300 for connecting the plurality of solar cells to each other in series through the conductive adhesive may be connected to the solar cell in the second direction y as shown in Fig. Although the illustration of the conductive adhesive agent is omitted in Fig. 4, this will be described in detail in Fig. 7 and Fig.

한편, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서 각 태양 전지의 전극(140, 150)에 도전성 접착제를 통해 접속되는 복수의 배선(300) 각각은 도 4에 도시된 바와 같이, 전극(140, 150)과 접속되는 제1 부분(300P1) 표면에 복수의 요철(300K)을 구비하고, 배선(300)의 중심(300C)을 기준으로 제1 부분(300P1)의 반대쪽인 제2 부분(300P2) 표면에 복수의 요철(300K)을 구비할 수 있다.4, each of the plurality of wirings 300 connected to the electrodes 140 and 150 of each solar cell through a conductive adhesive in the solar cell module according to the present invention includes electrodes 140 and 150, A plurality of projections and depressions 300K are provided on the surface of the first portion 300P1 to be connected and a plurality of second portions 300P2 are formed on the surface of the second portion 300P2 opposite to the first portion 300P1 with respect to the center 300C of the wiring 300 The protrusions 300K may be provided.

이와 같은 본 발명에 따른 배선(300)의 구조에 대해 보다 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.The structure of the wiring 300 according to the present invention will be described in more detail as follows.

도 5는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례에 적용되는 배선의 일례에 대해 설명하기 위한 도이다.5 is a view for explaining an example of wiring applied to an example of a solar cell module according to the present invention.

도 5의 (a)는 배선(300)의 단면을 도시한 것이고, 도 5의 (b)는 배선(300)의 일부 사시도이다.5A is a cross-sectional view of the wiring 300, and FIG. 5B is a partial perspective view of the wiring 300. FIG.

도 5의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 인터커넥터용 배선(300)은 전술한 바와 같이, 전극(140, 150)과 접속되는 제1 부분(300P1) 표면에 복수의 요철(300K)을 구비하고, 배선(300)의 중심(300C)을 기준으로 제1 부분(300P1)의 반대쪽인 제2 부분(300P2) 표면에 복수의 요철(300K)을 구비할 수 있다. As shown in FIGS. 5A and 5B, the interconnection wire 300 according to the present invention is formed on the surface of the first portion 300P1 connected to the electrodes 140 and 150, A plurality of protrusions 300K may be provided on the surface of the second portion 300P2 opposite to the first portion 300P1 with respect to the center 300C of the wiring 300 with a plurality of protrusions 300K .

여기서, 배선(300)의 제1, 2 부분(300P1, 300P2)의 구분은 태양 전지의 전극(140, 150)에 접속된 배선(300)을 기준으로 판단할 수 있다. 예를 들어, 도 1 및 도 2와 같이, 배선(300)이 배치되는 경우, 제1 태양 전지(C1)의 제1 전극(140)에는 배선(300)의 하측 부분이 접속되고, 제2 태양 전지(C2)의 제2 전극(150)에는 배선(300)의 상측 부분이 접속될 수 있다. The division of the first and second portions 300P1 and 300P2 of the wiring 300 can be determined based on the wiring 300 connected to the electrodes 140 and 150 of the solar cell. For example, when the wiring 300 is disposed as shown in FIGS. 1 and 2, the lower part of the wiring 300 is connected to the first electrode 140 of the first solar cell C1, An upper portion of the wiring 300 may be connected to the second electrode 150 of the battery C2.

따라서, 제1 태양 전지(C1)에 접속되는 배선(300)에서는 하측 부분이 배선(300)의 제1 부분으로, 상측 부분이 배선의 제2 부분으로 정의될 수 있고, 제2 태양 전지(C2)에서는 배선(300)의 상측 부분이 배선의 제1 부분으로, 하측 부분이 배선의 제2 부분으로 정의될 수 있다. Therefore, in the wiring 300 connected to the first solar cell C1, the lower portion can be defined as the first portion of the wiring 300, the upper portion can be defined as the second portion of the wiring, and the second solar cell C2 , An upper portion of the wiring 300 may be defined as a first portion of the wiring, and a lower portion thereof may be defined as a second portion of the wiring.

따라서, 본 발명에서 배선(300)의 제1, 2 부분(300P1, 300P2)은 각 태양 전지에 접속된 배선(300)으로부터 구분될 수 있다.Therefore, in the present invention, the first and second portions 300P1 and 300P2 of the wiring 300 can be distinguished from the wiring 300 connected to each solar cell.

이와 같이, 배선(300)의 제1 부분(300P1) 표면에 복수의 요철(300K)이 형성되도록 하여, 전극(140, 150)에 접속되는 제1 부분(300P1)의 표면적을 증가시켜, 배선(300)과 전극(140, 150) 사이의 접착력을 보다 향상시킬 수 있으며, 배선(300)의 제2 부분(300P2) 표면에 복수의 요철(300K)이 형성되도록 하여, 배선(300)의 제2 부분(300P2)으로 입사되는 빛을 난반사시켜, 태양 전지로 재입사되도록 할 수 있어, 태양 전지 모듈의 효율을 보다 향상시킬 수 있다.As described above, a plurality of irregularities 300K are formed on the surface of the first portion 300P1 of the wiring 300 to increase the surface area of the first portion 300P1 connected to the electrodes 140 and 150, 300 and the electrodes 140 and 150 can be further improved and a plurality of projections and depressions 300K can be formed on the surface of the second portion 300P2 of the wiring 300, The light incident on the portion 300P2 can be diffusely reflected to be re-incident on the solar cell, and the efficiency of the solar cell module can be further improved.

이와 같은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 배선(300)은 단면이 원형인 와이어를 압연기로 가압하여 배선(300)의 제1, 2 부분(300P1, 300P2) 표면에 복수의 요철(300K)을 형성하므로, 배선(300)의 단면은 전체적으로 원형 또는 타원형 형상을 가질 수 있다.The wiring 300 of the solar cell module according to the present invention is formed by pressing a wire having a circular section with a rolling mill to form a plurality of projections 300K on the surfaces of the first and second portions 300P1 and 300P2 of the wiring 300 The cross section of the wiring 300 may have a circular or elliptical shape as a whole.

따라서, 배선(300)에서 압연기에 의해 요철(300K)이 형성된 부분을 제외한 나머지 부분, 즉 제1 부분(300P1)과 제2 부분(300P2) 사이의 표면에는 요철(300K)이 형성되지 않을 수 있다.Therefore, irregularities 300K may not be formed on the surface of the wiring 300 between the first portion 300P1 and the second portion 300P2 except the portion where the unevenness 300K is formed by the rolling mill .

이와 같이, 배선(300)에서 제1, 2 부분(300P1, 300P2) 사이의 표면에는 요철(300K)이 형성되지 않도록 하여, 배선(300)의 측면으로 입사되는 빛은 바로 태양 전지 방향으로 반사시켜, 태양 전지의 효율을 보다 향상시킬 수 있다.As described above, light irregularities 300K are not formed on the surfaces between the first and second portions 300P1 and 300P2 in the wiring 300, and light incident on the side surface of the wiring 300 is directly reflected toward the solar cell , The efficiency of the solar cell can be further improved.

여기서, 제1, 2 부분(300P1, 300P2)에 형성되는 복수의 요철(300K) 각각은 일례로, 배선(300)의 길이 방향, 즉 배선(300)의 축방향(300X)을 따라 길게 뻗어 있는 그루브(groove) 형상을 가질 수 있다.Each of the plurality of protrusions 300K formed on the first and second portions 300P1 and 300P2 extends along the longitudinal direction of the wiring 300, that is, along the axial direction 300X of the wiring 300 And may have a groove shape.

이와 같은 배선(300)은 코어(300a)와 코어(300a)의 표면을 코팅하는 코팅층(300b)을 포함하여 형성될 수 있다.The wiring 300 may include a core 300a and a coating layer 300b coating the surface of the core 300a.

여기서, 코어(300a)는 구리(cu), 은(Ag), 금(Au), 또는 알루미늄(Al) 중 어느 하나로 형성되고, 코팅층(300b)은 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금으로 형성될 수 있다.Here, the core 300a is formed of any one of copper (Cu), silver (Ag), gold (Au), and aluminum (Al), and the coating layer 300b includes tin Alloy.

여기서, 코어(300a)는 각 태양 전지에서 발생된 캐리어를 인접한 태양 전지로 전달하는 기능을 하고, 코팅층(300b)은 코어(300a)의 산화를 방지하고, 배선(300)을 도전성 접착제를 통하여 태양 전지의 전극(140, 150)에 접속시킬 때, 코어(300a)와 도전성 접착제 사이의 접착력을 확보해주는 기능을 할 수 있다.Here, the core 300a functions to transfer carriers generated in each solar cell to adjacent solar cells, the coating layer 300b prevents oxidization of the core 300a, and the wiring 300 is electrically connected to the solar cell via the conductive adhesive. It is possible to secure the adhesive force between the core 300a and the conductive adhesive agent when the electrodes are connected to the electrodes 140 and 150 of the battery.

여기서, 코팅층(300b)의 두께는 제1, 2 부분(300P1, 300P2)에 형성되는 요철(300K)의 폭 또는 높이보다 작을 수 있다. 이와 같이, 코팅층(300b)의 두께를 요철(300K)의 폭 또는 높이보다 작게함으로써, 코팅층(300b)을 형성하는 비용을 최소로하면서, 코어(300a)의 제1, 2 부분(300P1, 300P2)에 형성된 요철(300K)이 코팅층(300b)의 표면에 그대로 표현되도록 할 수 있다. 이에 따라 배선(300)의 제1, 2 부분(300P1, 300P2)의 표면에 복수의 요철(300K)이 그대로 현출될 수 있다.Here, the thickness of the coating layer 300b may be smaller than the width or height of the unevenness 300K formed in the first and second portions 300P1 and 300P2. As described above, by making the thickness of the coating layer 300b smaller than the width or the height of the unevenness 300K, the first and second portions 300P1 and 300P2 of the core 300a can be formed while minimizing the cost of forming the coating layer 300b. The unevenness 300K formed on the surface of the coating layer 300b can be expressed directly on the surface of the coating layer 300b. Accordingly, a plurality of projections and depressions 300K can be directly formed on the surfaces of the first and second portions 300P1 and 300P2 of the wiring 300.

그러나, 코팅층(300b)의 두께가 요철(300K)의 폭 또는 높이보다 과도하게 크게 형성되는 경우, 제1, 2 부분(300P1, 300P2)은 코팅층(300b)에 의해 요철(300K)의 경사각이나 형상이 완만해지거나 요철(300K)이 사라져서, 요철(300K)이 코팅층(300b)에 의해 배선(300)의 표면으로 현출되지 않을 수 있다. 이와 같은 경우, 제1 부분(300P1)의 표면적 증가가 상대적으로 줄어들 수 있고, 배선(300)과 전극(140, 150) 사이의 접착력이 원하는 수준에 미치지 못할 수 있으며, 또한, 배선(300)의 제2 부분(300P2)에 의한 광반사가 원할하게 이루어지지 않을 수 있다.However, when the thickness of the coating layer 300b is formed to be excessively larger than the width or height of the unevenness 300K, the first and second portions 300P1 and 300P2 are formed by the coating layer 300b, The unevenness 300K may disappear and the unevenness 300K may not be developed on the surface of the wiring 300 by the coating layer 300b. In this case, the increase in the surface area of the first portion 300P1 may be relatively reduced, the adhesion between the wiring 300 and the electrodes 140 and 150 may not reach a desired level, The light reflection by the second portion 300P2 may not be performed smoothly.

여기서, 코어(300a)의 최대 직경(R300)은 배선(300)의 쉐이딩 면적과 개수를 고려하여, 200um ~ 500um 사이로 형성될 수 있다.Here, the maximum diameter (R300) of the core (300a) can be set to be between 200 [mu] m and 500 [mu] m, taking into consideration the shading area and number of the wirings (300).

아울러, 코팅층(300b)의 두께는 배선(300)의 산화 방지를 위해 1um 이상으로 형성하되, 코어(300a)의 제1, 2 부분(300P1, 300P2)에 형성된 요철(300K)이 배선(300)의 제1, 2 부분(300P1, 300P2) 표면에 최대한 현출되도록 하면서, 코팅층(300b)의 형성 비용을 최소화하기 위하여, 5um 이하로 형성할 수 있다.The thickness of the coating layer 300b is preferably 1um or more to prevent oxidation of the wiring 300 so that the irregularities 300K formed on the first and second portions 300P1 and 300P2 of the core 300a are electrically connected to the wiring 300, The thickness of the first and second portions 300P1 and 300P2 may be 5 μm or less in order to minimize the formation cost of the coating layer 300b.

아울러, 제1, 2 부분(300P1, 300P2)에 형성되는 복수의 요철(300K) 각각의 폭 또는 높이는 코팅층(300b)의 두께보다 크되, 제1, 2 부분(300P1, 300P2)에 형성되는 복수의 요철(300K) 각각의 폭은 20um ~ 25um 사이, 제1, 2 부분(300P1, 300P2)에 형성되는 복수의 요철(300K) 각각의 높이는 20um ~ 30um 사이로 형성할 수 있다.The width or height of each of the plurality of protrusions 300K formed on the first and second portions 300P1 and 300P2 may be greater than the thickness of the coating layer 300b and the width or height of the plurality of protrusions 300K formed on the first and second portions 300P1 and 300P2, The width of each of the concave and convex portions 300K is between 20um and 25um and the height of each of the plurality of concave and convex portions 300K formed in the first and second portions 300P1 and 300P2 is between 20um and 30um.

아울러, 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1, 2 부분(300P1, 300P2) 각각에서 제1, 2 부분(300P1, 300P2) 각각의 최외곽에 위치하는 요철(300K)의 폭이나 높이는 제1, 2 부분(300P1, 300P2) 각각의 가운데 부분에 위치하는 요철(300K)의 폭이나 높이보다 작게 형성될 수 있다. 이는 단면이 원형인 상태의 코어(300a)를 요철(300K)이 형성된 압연기의 롤러로 압연하였을 때 나타나는 특징일 수 있다.5A, the widths of the irregularities 300K located at the outermost portions of the first and second portions 300P1 and 300P2 in the first and second portions 300P1 and 300P2, respectively, The height may be smaller than the width or height of the unevenness 300K located at the center of the first and second portions 300P1 and 300P2. This may be a characteristic when the core 300a having a circular cross section is rolled by a roller of the rolling mill in which the projections and depressions 300K are formed.

이와 같이, 단면이 원형인 상태의 코어(300a)를 요철(300K)이 형성된 압연기의 롤러로 압연하여 배선(300)의 제1, 2 부분(300P1, 300P2)에 요철(300K)을 형성시키는 경우, 공정이 단순하여 배선(300)의 제1, 2 부분(300P1, 300P2)에 요철(300K)을 형성하기 위한 비용을 최소화할 수 있다.As described above, when the core 300a having a circular section is rolled by a roller of a rolling mill in which the projections and depressions 300K are formed to form the irregularities 300K on the first and second portions 300P1 and 300P2 of the wiring 300 , The process is simple and the cost for forming the concavities and convexities 300K on the first and second portions 300P1 and 300P2 of the wiring 300 can be minimized.

아울러, 배선(300)에서 복수의 요철(300K)이 형성되는 제1, 2 부분(300P1, 300P2)의 폭(W300P)은 100um ~ 150um 사이로 형성될 수 있다. 여기서, 제1, 2 부분(300P1, 300P2) 각각의 폭(W300P)을 100um 이상이 되도록 하는 것은 전술한 바와 같이, 전극(140, 150)에 접착되는 배선(300) 부분의 표면적 증가와 광학적 효과를 최소한 확보하기 위함이다.In addition, the width W300P of the first and second portions 300P1 and 300P2 in which the plurality of irregularities 300K are formed in the wiring 300 can be formed to be between 100 μm and 150 μm. The reason why the width W300P of each of the first and second portions 300P1 and 300P2 is set to be equal to or greater than 100 μm is to increase the surface area of the portion of the wiring 300 bonded to the electrodes 140 and 150, To the minimum.

아울러, 제1, 2 부분(300P1, 300P2) 각각의 폭(W300P)을 150um 이하가 되도록 하는 것은 제1, 2 부분(300P1, 300P2) 각각의 폭(W300P)이 전술한 수치 범위 이상으로 과도하게 크게 형성된 경우, 압연기로 배선(300)을 가압하여 요철(300K)을 형성하는 특성상 압연기의 압력이 과도하게 증가하여 배선(300)의 전체적인 형상이 납작해 질 수 있고, 이에 따라 제1, 2 부분(300P1, 300P2) 사이에 요철(300K)이 형성되지 않고 곡면으로 형성된 배선(300) 표면 영역이 오히려 감소할 수 있다. The width W300P of each of the first and second portions 300P1 and 300P2 is set to 150um or less because the width W300P of each of the first and second portions 300P1 and 300P2 is excessively larger than the above- The pressure of the rolling mill excessively increases due to the characteristic of forming the irregularities 300K by pressing the wiring 300 with the rolling mill so that the overall shape of the wiring 300 can be flattened, The irregularities 300K are not formed between the surfaces 300P1 and 300P2, and the surface area of the wiring 300 formed by the curved surface may be reduced.

이와 같이, 배선(300)이 납작한 형태를 갖는 경우, 배선(300)에 의한 광학적 효과를 원하는 만큼 확보하지 못할 수 있는데, 이를 방지하기 위함이다.In this way, when the wiring 300 has a flat shape, the optical effect by the wiring 300 may not be secured as much as desired.

지금까지는 배선(300)의 제1, 2 부분(300P1, 300P2)에 형성된 요철(300K)이 배선(300)의 중심축(300X)을 따라 길게 뻗어 있는 그루브 형상을 갖는 경우를 일례로 설명하였으나, 여기서, 배선(300)의 제1, 2 부분(300P1, 300P2)에 형성된 요철(300K)의 형상은 이와 다르게 다양한 형태를 가질 수 있다. 이에 대해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.The unevenness 300K formed in the first and second portions 300P1 and 300P2 of the wiring 300 has been described as an example having a groove shape extending long along the central axis 300X of the wiring 300. However, Here, the shapes of the protrusions 300K formed in the first and second portions 300P1 and 300P2 of the wiring 300 may have various shapes. This will be described in more detail as follows.

도 6은 본 발명에 따른 배선(300)의 제1, 2 부분(300P1, 300P2)에 형성되는 요철(300K)의 다양한 패턴을 설명하기 위한 도이다.6 is a view for explaining various patterns of the irregularities 300K formed on the first and second portions 300P1 and 300P2 of the wiring 300 according to the present invention.

여기서, 도 6의 (a), (c) 및 (e)는 배선(300)의 일부 사시도이고, 도 6의 (b)는 도 6의 (a)에 도시된 배선(300)을 위에서 바라본 형상이며, 도 6의 (d)는 도 6의 (c)에 도시된 배선(300)을 위에서 바라본 형상이다.6 (a), 6 (a), 6 (c) and 6 (e) are partial perspective views of the wiring 300, And FIG. 6 (d) is a top view of the wiring 300 shown in FIG. 6 (c).

도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 배선(300)의 요철(300K)은 도 5에서와 다르게, 다양하게 형성될 수 있다.As shown in FIG. 6, the irregularities 300K of the wiring 300 according to the present invention may be formed variously, unlike in FIG.

구체적으로, 도 6의 (a) 및 (b)에 도시된 바와, 배선(300)의 제1, 2 부분(300P1, 300P2)에 형성되는 요철(300K)은 배선(300)의 중심축(300X)에 교차하는 폭 방향으로 길게 뻗어 있는 그루브(groove) 형상을 갖도록 형성될 수 있으며, 도 6의 (c) 및 (d)에 도시된 바와 같이, 배선(300)의 제1, 2 부분(300P1, 300P2)에 형성되는 요철(300K)은 배선(300)의 중심축(300X)에 사선 방향으로 길게 뻗어 있는 그루브(groove) 형상을 갖도록 형성될 수도 있다. Specifically, as shown in Figs. 6A and 6B, the unevenness 300K formed in the first and second portions 300P1 and 300P2 of the wiring 300 is the center axis 300X of the wiring 300 The first and second portions 300P1 and 300P2 of the wiring 300 may be formed so as to have a groove shape extending in the width direction crossing the wiring 300. As shown in FIGS. 6C and 6D, And 300P2 may be formed to have a groove shape extending long in an oblique direction to the central axis 300X of the wiring 300. [

또는, 배선(300)의 제1, 2 부분(300P1, 300P2)에 형성되는 요철(300K)은 도 6의 (e)와 같이, 피라미드 형상을 갖도록 형성될 수도 있으며, 또는 이와 다르게 역피라미드 형상을 갖는 것도 가능하다.Alternatively, irregularities 300K formed on the first and second portions 300P1 and 300P2 of the wiring 300 may be formed to have a pyramid shape as shown in FIG. 6E, or alternatively, an inverted pyramid shape .

이와 같이, 본 발명에 따른 배선(300)의 제1, 2 부분(300P1, 300P2)에 형성되는 요철(300K)은 다양한 패턴을 가질 수 있다.As described above, the irregularities 300K formed on the first and second portions 300P1 and 300P2 of the wiring 300 according to the present invention can have various patterns.

이와 같이, 제1, 2 부분(300P1, 300P2)에 요철(300K)을 구비한 배선(300)이 도 4에 도시된 바와 같이, 태양 전지의 전면 및 후면의 반도체 기판(110) 위에 접속될 때, 도전성 접착제를 통해 접속될 수 있는데, 이를 위해 도 3에서 A부분을 확대 도시한 도 7 및 도 8을 참조하여 설명하면 다음과 같다.As shown in FIG. 4, when the wiring 300 having the concave and convex portions 300K on the first and second portions 300P1 and 300P2 is connected to the semiconductor substrate 110 on the front and rear surfaces of the solar cell, , And may be connected through a conductive adhesive. For this, referring to FIGS. 7 and 8, which is an enlarged view of the portion A in FIG. 3, the following description will be given.

도 7은 본 발명에 따른 배선이 도전성 접착제를 통해 태양 전지의 전극에 접속되는 일례를 설명하기 위한 도이고, 도 8은 본 발명에 따른 배선이 도전성 접착제를 통해 태양 전지의 전극에 접속되는 다른 일례를 설명하기 위한 도이다.FIG. 7 is a view for explaining an example in which the wiring according to the present invention is connected to the electrode of the solar cell through the conductive adhesive, and FIG. 8 is a view for explaining another example in which the wiring according to the present invention is connected to the electrode of the solar cell through the conductive adhesive Fig.

도 7 및 도 8에서는 배선(300)이 태양 전지의 제1 전극(140)에 접속된 경우를 일례로 도시하였으나, 배선(300)이 제2 전극(150)에 접속되는 경우도 이와 동일할 수 있다.7 and 8 illustrate the case where the wiring 300 is connected to the first electrode 140 of the solar cell as an example. However, when the wiring 300 is connected to the second electrode 150, have.

아울러, 도 7 및 도 8에서는 배선(300)이 도전성 접착제(200)를 통하여 전극(140, 150)에 접속된 경우만을 일례로 도시하였으나, 배선(300)과 전극(140, 150)이 중첩되지 않는 반도체 기판(110)의 영역에서는 도전성 접착제(200)를 통하여 배선(300)과 반도체 기판(110)이 서로 접착될 수 있다.7 and 8 illustrate only the case where the wiring 300 is connected to the electrodes 140 and 150 through the conductive adhesive 200. However, the wiring 300 and the electrodes 140 and 150 do not overlap each other The wiring 300 and the semiconductor substrate 110 can be bonded to each other through the conductive adhesive 200 in the region of the semiconductor substrate 110 where the semiconductor substrate 110 is not formed.

도 7에 도시된 바와 같이, 배선(300)이 태양 전지의 전극(140, 150), 일례로 제1 전극(140)에 접속될 때, 도전성 접착제(200)를 통해 접속될 수 있다. 여기서, 도전성 접착제(200)의 재질은 일례로, 주석(Sn)이나 주석(Sn) 합금을 포함하는 솔더 페이스트 형태일 수 있다.7, when the wiring 300 is connected to the electrodes 140 and 150 of the solar cell, for example, the first electrode 140, the wiring 300 may be connected through the conductive adhesive 200. Here, the material of the conductive adhesive 200 may be, for example, in the form of a solder paste containing tin (Sn) or tin (Sn) alloy.

여기서, 도전성 접착제(200)의 폭(W200)은 도전성 접착제(200)와 접속되는 제1 부분(300P1) 또는 제2 부분(300P2)의 폭(W300P)보다 크고, 배선(300)의 최대 선폭(R300)(또는 직경)보다 작게 형성될 수 있다. 여기서, 도전성 접착제(200)의 폭(W200)은 배선(300)의 선폭 방향, 즉 제1 방향(x)으로의 폭을 의미한다.The width W200 of the conductive adhesive 200 is larger than the width W300P of the first portion 300P1 or the second portion 300P2 connected to the conductive adhesive 200 and the maximum line width R300) (or diameter). Here, the width W200 of the conductive adhesive 200 means the width in the line width direction of the wiring 300, that is, the width in the first direction (x).

이와 같이, 본 발명은 도전성 접착제(200)의 폭(W200)을 배선(300)의 제1 부분(300P1) 또는 제2 부분(300P2)의 폭(W300P)보다 크게 형성함으로써, 배선(300)과 전극(140, 150)이 충분한 접착력과 낮은 접촉 저항을 갖도록 할 수 있으며, 아울러, 도전성 접착제(200)의 폭(W200)을 배선(300)의 최대 선폭(R300)보다 작게 형성함으로써, 도전성 접착제(200)에 의해 반도체 기판(110)이 가려지는 쉐이딩 영역을 최소화할 수 있다. 이와 같은 도전성 접착제(200)의 폭(W200)은 일례로, 320um ~ 380um 사이로 형성될 수 있다.The width W200 of the conductive adhesive 200 is formed to be larger than the width W300P of the first portion 300P1 or the second portion 300P2 of the wiring 300, The electrodes 140 and 150 can have a sufficient adhesive force and a low contact resistance and the width W200 of the conductive adhesive 200 is made smaller than the maximum line width R300 of the wiring 300, The shading area where the semiconductor substrate 110 is covered can be minimized. The width W200 of the conductive adhesive 200 may be, for example, between 320 and 380 μm.

도 7에서는 도전성 접착제(200)가 솔더 패이스트 형태를 갖는 경우를 일례로 설명하였으나, 이와 다르게 도전성 접착제(200)는 도 8에 도시된 바와 같이, 접착성 수지(200S) 내에 복수의 도전성 입자(200P)가 분포되어 형성되는 도전성 접착 페이스트 형태를 가질 수 있다. 8, the conductive adhesive 200 may include a plurality of conductive particles (not shown) in the adhesive resin 200S, as shown in FIG. 7. In the conductive adhesive 200, 200P may be distributed and formed.

여기서, 도전성 접착제(200)의 접착성 수지(200S)는 에폭시 계열의 수지, 실리콘 계열의 수지 또는 아크릴 계열의 수지 중 적어도 어느 하나의 수지로 형성될 수 있으며, 도전성 입자(200P)는 Ni, Ag 또는 SnBi 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다.Here, the adhesive resin 200S of the conductive adhesive 200 may be formed of at least one of an epoxy-based resin, a silicone-based resin, and an acrylic-based resin, and the conductive particles 200P may be at least one selected from the group consisting of Ni, Ag Or < RTI ID = 0.0 > SnBi. ≪ / RTI >

여기서, 도전성 입자(200P)의 크기는 복수의 요철(300K)의 폭 또는 높이보다 작을 수 있으며, 일례로, 도전성 입자(200P)의 크기는 1um ~ 10um 사이로 형성될 수 있다. Here, the size of the conductive particles 200P may be smaller than the width or height of the plurality of irregularities 300K. For example, the size of the conductive particles 200P may be between 1 um and 10 um.

이와 같은 도전성 접착제(200)의 접착성 수지(200S)에 의해 배선(300)과 전극(140, 150) 반도체 기판(110) 사이의 물리적 접착력이 충분히 확보될 수 있다. The adhesive resin 200S of the conductive adhesive 200 can sufficiently secure the physical adhesive force between the wiring 300 and the electrodes 140 and 150 and the semiconductor substrate 110. [

아울러, 배선(300)을 태양 전지에 접속시키는 태빙 공정 중, 배선(300)의 제1 부분(300P1)에 형성된 요철(300K)은 접착성 수지(200S) 내의 도전성 입자(200P)가 배선(300)의 외측 방향으로 이탈되지 않도록 잡아주어, 도전성 입자(200P)가 배선(300)의 요철(300K)과 전극(140, 150) 사이에 안정적으로 위치하도록 하여, 배선(300)과 전극(140, 150) 사이의 접촉 저항이 충분히 낮아지도록 할 수 있다.The unevenness 300K formed in the first portion 300P1 of the wiring 300 during the tableting process for connecting the wiring 300 to the solar cell causes the conductive particles 200P in the adhesive resin 200S to contact the wiring 300 So that the conductive particles 200P are stably positioned between the irregularities 300K of the wiring 300 and the electrodes 140 and 150 so that the wiring 300 and the electrodes 140, 150 can be sufficiently lowered.

또한, 도전성 접착제(200)에 포함되는 접착성 수지(200S)의 녹는점은 배선(300)에 포함된 코팅층(300b)의 녹는점보다 낮을 수 있다. The melting point of the adhesive resin 200S included in the conductive adhesive 200 may be lower than the melting point of the coating layer 300b included in the wiring 300. [

이와 같이, 본 발명은 접착성 수지(200S)의 경화 온도가 배선(300)의 코팅층(300b)보다 낮은 온도를 갖도록 하여, 태빙 공정 중에 배선(300)의 제1 부분(300P1) 표면에 형성된 요철(300K)이 그 형상을 유지하도록 할 수 있고, 이에 따라, 전술한 바와 같이, 태빙 공정 중 도전성 접착제(200)의 도전성 입자(200P)가 복수의 요철(300K)이 형성된 제1 부분(300P1)의 외부로 이탈되지 않도록 하여, 배선(300)과 전극(140, 150) 사이가 충분히 낮은 접촉 저항을 갖도록 할 수 있다.As described above, according to the present invention, the curing temperature of the adhesive resin 200S is set to be lower than that of the coating layer 300b of the wiring 300, so that irregularities formed on the surface of the first portion 300P1 of the wiring 300 during the tabletting process The conductive particles 200P of the conductive adhesive 200 in the tableting process can be held in the first portion 300P1 in which the plurality of irregularities 300K are formed, So that the wiring 300 and the electrodes 140 and 150 can have sufficiently low contact resistance.

이때, 접착성 수지(200S)의 경화 온도는 일례로, 155℃ ~ 185℃ 사이일 수 있다. 이와 같이, 본 발명은 도전성 접착제(200)의 접착성 수지(200S)의 경화 온도가 충분히 낮도록 하여, 태빙 공정의 온도를 낮출 수 있으며, 태빙 공정 중 배선(300) 또는 전극(140, 150)의 열팽창 스트레스에 반도체 기판(110)이 좌굴되는 현상을 방지할 수 있다.At this time, the curing temperature of the adhesive resin 200S may be, for example, between 155 ° C and 185 ° C. As described above, according to the present invention, the curing temperature of the adhesive resin 200S of the conductive adhesive 200 is made sufficiently low to lower the temperature of the tableting process, and the wiring 300 or the electrodes 140 and 150, It is possible to prevent the semiconductor substrate 110 from buckling due to the thermal expansion stress of the semiconductor substrate 110.

지금까지는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈과 이와 같은 태양 전지 모듈에 적용되는 배선(300)의 구조에 대해서 설명하였지만, 이하에서는 배선(300)의 제1, 2 부분(300P1, 300P2)에 복수의 요철(300K)을 형성시키는 방법에 대해 설명한다.The structure of the wiring 300 applied to the solar cell module according to the present invention and the solar cell module according to the present invention has been described so far. Hereinafter, the first and second portions 300P1 and 300P2 of the wiring 300 will be described. (300K) are formed.

도 9는 본 발명의 제1 실시에에 따른 배선의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 10은 도 9의 순서에 따라 배선을 제조하는 압연기와 제조되는 배선의 형태를 설명하기 위한 도이다.FIG. 9 is a flow chart for explaining a method of manufacturing a wiring according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a view for explaining a form of a wire and a wire to be manufactured, in which a wire is manufactured according to the procedure of FIG.

구체적으로 도 10의 (a)는 표면에 복수의 요철(300K)이 형성된 제1, 2 롤러(R1, R2)를 구비한 압연기(400)를 사시도로 간략하게 도시한 것이고, 도 10의 (b)는 압연기(400)를 측면에서 바라본 형상이고, (c)는 압연기(400)를 상부에서 내려다본 형상이다. 아울러, 도 10의 (d)는 압연 단계(S1) 전후 코어(300a)의 단면 형태를 도시한 것이고, 도 10의 (e)는 코팅 단계(S2)가 수행된 배선(300)의 단면을 도시한 것이다.10A is a perspective view schematically illustrating a rolling mill 400 having first and second rollers R1 and R2 having a plurality of irregularities 300K formed on its surface and FIG. (C) is a view of the rolling mill 400 viewed from the top. 10D is a sectional view of the core 300a before and after the rolling step S1 and FIG. 10E is a sectional view of the wiring 300 in which the coating step S2 is performed. It is.

도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일례에 따라 태양 전지 모듈에 사용되는 배선(300)의 제조 방법은 압연 단계(S1)와 코팅 단계(S2)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 9, a method of manufacturing the wiring 300 used in the solar cell module according to an example of the present invention may include a rolling step S1 and a coating step S2.

압연 단계(S1)에서는 도 10의 (a) 내지 (c)에 도시된 바와 같이, 제1 롤러(R1)와 제2 롤러(R2)를 구비한 압연기(400)가 사용될 수 있다.In the rolling step S1, the rolling mill 400 having the first roller R1 and the second roller R2 may be used as shown in Figs. 10 (a) to (c).

여기서, 제1, 2 롤러(R1, R2)의 표면에는 복수의 요철(RK)이 형성될 수 있다. Here, a plurality of unevenness RK can be formed on the surfaces of the first and second rollers R1 and R2.

일례로, 도 5에 도시된 바와 같이, 배선(300)축에 나란한 그루브 형태를 갖는 요철(300K) 형상을 배선(300)에 형성하고자 하는 경우, 제1, 2 롤러(R1, R2)의 표면에는 복수의 요철(RK)이 형성되되, 복수의 요철(RK) 각각은 돌출부가 제1, 2 롤러(R1, R2) 각각의 회전축(XR)에 수직한 방향으로 길게 뻗어 있는 형태일 수 있다.5, when the irregularities 300K having a groove shape in parallel with the axis of the wiring 300 are to be formed in the wiring 300, the surface of the first and second rollers R1 and R2 A plurality of protrusions RK may be formed and each of the plurality of protrusions RK may have a shape in which the protrusions are elongated in a direction perpendicular to the rotation axis XR of each of the first and second rollers R1 and R2.

그러나, 이와 다르게, 도 6의 (a)와 같이, 배선(300)축과 교차하는 그루브 형태를 갖는 요철(300K) 형상을 배선(300)에 형성하고자 하는 경우, 제1, 2 롤러(R1, R2) 각각의 회전축(XR)에 나란한 방향으로 요철(RK)의 돌출부가 길게 뻗어 있는 롤러가 이용될 수 있다.6 (a), when the irregularities 300K having a groove shape crossing the axis of the wiring 300 are to be formed on the wiring 300, the first and second rollers R1, A roller in which protrusions of protrusions and protrusions RK are elongated in a direction parallel to the rotation axis XR of each of the rollers Rl and R2 may be used.

또한, 도 6의 (c)와 같이, 배선(300)축에 사선 방향으로 그루브 형태를 갖는 요철(300K) 형상을 배선(300)에 형성하고자 하는 경우, 제1, 2 롤러(R1, R2) 각각의 회전축에 사선 방향으로 요철(RK)의 돌출부가 길게 뻗어 있는 롤러가 이용될 수 있다.6 (c), when the irregularities 300K having a groove shape in the oblique direction on the axis of the wiring 300 are to be formed in the wiring 300, the first and second rollers R1 and R2 A roller in which protrusions of protrusions and protrusions RK are elongated obliquely in each rotation axis can be used.

이와 같은 압연기(400)의 제1, 2 롤러(R1, R2) 표면에 형성된 복수의 요철(RK) 각각의 폭은 20um ~ 25um 사이이고, 각각의 돌출 높이는 20um ~ 30um일 수 있다. 그러나, 이와 다르게 요철(RK)의 폭과 돌출 높이는 이와 다른 수치 범위를 가질 수도 있다.The width of each of the plurality of irregularities RK formed on the surfaces of the first and second rollers R1 and R2 of the rolling mill 400 may be between 20 um and 25 um and the height of each protrusion may be between 20 um and 30 um. Alternatively, however, the width and protrusion height of the unevenness RK may have different numerical ranges.

이와 같이, 복수의 요철(RK)이 형성된 제1, 2 롤러(R1, R2)를 구비한 압연기(400)가 준비된 상태에서, 도 10의 (b) 및 (c)에 도시된 바와 같이, 제1 롤러(R1)와 제2 롤러(R2)를 회전시켜 태양 전지 배선용 코어(300a)를 제1, 2 롤러(R1, R2) 사이로 인입하여 압연 단계(S1)가 수행될 수 있다. 이때, 태양 전지 배선용 코어(300a)는 최대 직경이 200um ~ 500um 사이이고, 단면이 원형인 금속 와이어를 사용할 수 있다.As shown in Figs. 10 (b) and 10 (c), in the state in which the rolling mill 400 having the first and second rollers R1 and R2 provided with the plurality of protrusions RK is prepared, The rolling step S1 may be performed by rotating the first roller R1 and the second roller R2 to draw the solar cell wiring core 300a between the first and second rollers R1 and R2. At this time, the solar cell wiring core 300a may be a metal wire having a maximum diameter of 200 to 500 μm and a circular cross section.

이에 따라, 도 10의 (d)에 도시된 바와 같이, 압연 단계(S1) 이전에는 단면이 원형 형상이었던 코어(300a)가, 제1, 2 롤러(R1, R2)에 의해 가해지는 압력에 의해 압연 단계(S1) 이후, 코어(300a)의 제1 부분(300P1) 및 제2 부분(300P2)에 복수의 요철(300K)이 형성될 수 있다.10 (d), the core 300a having a circular shape in cross section before the rolling step S1 is deformed by the pressure applied by the first and second rollers R1 and R2 After the rolling step S1, a plurality of irregularities 300K may be formed in the first portion 300P1 and the second portion 300P2 of the core 300a.

이와 같은 압연 단계(S1)에서 코어(300a)의 제1, 2 부분(300P1, 300P2)에 복수의 요철(300K)이 형성되되, 제1, 2 부분(300P1, 300P2) 각각의 폭(W300P)이 100um ~ 150um 사이, 제1, 2 부분(300P1, 300P2)에 형성되는 요철(300K)의 폭이 20um ~ 25um 사이, 요철(300K)의 높이가 20um ~ 30um 사이가 되도록 제1, 2 롤러(R1, R2) 사이의 압력과 거리를 조절할 수 있다. In the rolling step S1, a plurality of irregularities 300K are formed on the first and second parts 300P1 and 300P2 of the core 300a. The width W300P of each of the first and second parts 300P1 and 300P2 The first and second rollers 300R and 300R are formed such that the width of the unevenness 300K formed in the first and second portions 300P1 and 300P2 is between 20um and 25um and the height of the unevenness 300K is between 20um and 30um, R1 and R2 can be adjusted.

이와 같은 압연 단계(S1) 이후, 도 9에 도시된 바와 같이, 복수의 요철(300K)이 형성된 코어(300a)의 표면에 코팅층(300b)을 형성하는 코팅 단계(S2)가 수행될 수 있다. After the rolling step S1, as shown in FIG. 9, a coating step S2 for forming a coating layer 300b on the surface of the core 300a having a plurality of concavities and convexities 300K may be performed.

이와 같은 코팅 단계(S2)는 일례로, 전기 도금 방식에 의해 수행되되, 코팅층(300b)의 두께가 1um ~ 5um 사이가 되도록 수행될 수 있다. Such a coating step S2 may be performed, for example, by an electroplating method, such that the thickness of the coating layer 300b is between 1 [mu] m and 5 [mu] m.

이와 같은 압연 단계(S1) 및 코팅 단계(S2)에 의해, 도 5에서 설명한 바와 같은 본 발명의 배선(300)이 완성될 수 있다.By the rolling step S1 and the coating step S2, the wiring 300 of the present invention as described in Fig. 5 can be completed.

본 발명의 제1 실시에에 따른 배선(300)의 제조 방법에서는 단면이 원형 상태인 태양 전지 배선용 코어(300a)를 직접 압연한 이후, 코팅하여 본 발명의 배선(300)을 형성하는 방법에 대해 설명하였지만, 단면이 원형 상태인 코어(300a)에서, 제1, 2 부분(300P1, 300P2)을 먼저 커팅한 다음 압연 단계(S1)와 코팅 단계(S2)를 진행할 수도 있다. 이에 대해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.In the method of manufacturing the wiring 300 according to the first embodiment of the present invention, a method of forming the wiring 300 of the present invention by directly rolling the solar cell wiring core 300a having a circular section in the form of a coating, The first and second portions 300P1 and 300P2 may be cut first and then the rolling step S1 and the coating step S2 may be performed in the core 300a having a circular shape in section. This will be described in more detail as follows.

도 11은 본 발명의 제1 실시에에 따른 배선의 제조 방법의 변경예를 설명하기 위한 순서도이고, 도 12는 도 11의 순서도에 따른 배선의 형태를 설명하기 위한 도이다.Fig. 11 is a flowchart for explaining a modification of the method of manufacturing a wiring according to the first embodiment of the present invention, and Fig. 12 is a diagram for explaining a wiring form according to the flowchart of Fig.

도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시에에 따른 배선(300)의 제조 방법의 변경예는 커팅 단계(S0), 압연 단계(S1) 및 코팅 단계(S2)를 포함할 수 있다.11, a modification of the manufacturing method of the wiring 300 according to the first embodiment of the present invention may include a cutting step S0, a rolling step S1, and a coating step S2 .

여기서, 커팅 단계(S0)는 압연 단계(S1) 이전에 수행될 수 있으며, 커팅 단계(S0)에서는 도 12의 (a)에 도시된 바와 같이, 단면이 원형인 코어(300a)에서 제1 부분(300P1) 및 제2 부분(300P2)이 커팅되어, 도 12의 (b)에 도시된 바와 같이, 코어(300a)의 제1, 2 부분(300P1, 300P2)이 커팅될 수 있다.Here, the cutting step S0 may be performed before the rolling step S1. In the cutting step S0, as shown in Fig. 12 (a), in the core 300a having a circular section, The first and second portions 300P1 and 300P2 of the core 300a can be cut so that the first and second portions 300P1 and 300P2 of the core 300a can be cut as shown in FIG.

이와 같은 커팅 단계(S0)에서 코어(300a)가 커팅되어, 제1 부분(300P1) 및 제2 부분(300P2) 각각의 폭이 100um ~ 150um 사이가 될 수 있다.In this cutting step S0, the core 300a may be cut so that the width of each of the first portion 300P1 and the second portion 300P2 may be between 100 μm and 150 μm.

이후, 압연 단계(S1)가 수행되어, 도 12의 (c)에 도시된 바와 같이, 제1, 2 부분(300P1, 300P2) 각각에 복수의 요철(300K)이 형성될 수 있으며, 코팅 단계(S2)가 수행되어, 도 12의 (d)에 도시된 바와 같이, 코어(300a)의 표면에 코팅층(300b)이 형성될 수 있다.Thereafter, the rolling step S1 is performed to form a plurality of concave and convex portions 300K on each of the first and second portions 300P1 and 300P2, as shown in Fig. 12C, S2 may be performed so that the coating layer 300b may be formed on the surface of the core 300a as shown in Figure 12 (d).

여기서, 압연 단계(S1)와 코팅 단계(S2)에 대한 설명은 앞선 본 발명의 제1 실시에에 따른 배선(300)의 제조 방법과 동일하므로 생략한다.Here, the description of the rolling step S1 and the coating step S2 is the same as the manufacturing method of the wiring 300 according to the first embodiment of the present invention, which is omitted.

지금까지는 배선(300)의 제조 방법으로, 압연 단계(S1)가 수행된 이후, 코팅 단계(S2)가 수행되는 경우를 일례로 설명하였지만, 압연 단계(S1)와 코팅 단계(S2)의 순서가 바뀌어 수행되는 것도 가능하다. 이에 대해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Although the case where the coating step S2 is performed after the rolling step S1 is performed is described as an example of the method of manufacturing the wiring 300 so far, the order of the rolling step S1 and the coating step S2 is It is also possible to carry out the change. This will be described in more detail as follows.

도 13은 본 발명의 제2 실시에에 따른 배선의 제조 방법에 대해 설명하기 위한 순서도이고, 도 14는 도 13에 도시된 순서도에 따른 배선의 형태를 설명하기 위한 도이다.FIG. 13 is a flowchart for explaining a method of manufacturing a wiring according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 14 is a view for explaining the form of wiring according to the flowchart shown in FIG.

도 13에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시에에 따른 배선(300)의 제조 방법은 코팅 단계(S1’)가 수행된 이후 압연 단계(S2’)가 수행될 수 있다.As shown in Fig. 13, in the method of manufacturing the wiring 300 according to the second embodiment of the present invention, the rolling step S2 'may be performed after the coating step S1' is performed.

코팅 단계(S1’)는 도 14의 (a)에 도시된 바와 같이, 단면이 원형인 태양 전지 배선용 코어(300a)의 표면을 코팅하여, 도 14의 (b)에 도시된 바와 같이, 코어(300a)의 표면에 코팅층(300b)을 형성할 수 있다. 이와 같은 코팅층(300b) 형성 단계에서는 앞선 제1 실시예에 따른 배선(300)의 제조 방법과 같이 전기 도금 방식이 이용될 수 있으며, 코팅층(300b)의 두께는 1um ~ 5um 사이로 형성될 수 있다.The coating step S1 'is performed by coating the surface of the solar cell wiring core 300a having a circular section as shown in Fig. 14 (a) The coating layer 300b may be formed on the surface of the substrate 300a. In the step of forming the coating layer 300b, an electroplating method may be used as in the method of manufacturing the wiring 300 according to the first embodiment, and the thickness of the coating layer 300b may be between 1 and 5 um.

이후, 복수의 요철(300K)이 형성된 압연기(400)의 제1 롤러(R1)와 제2 롤러(R2)를 회전시켜, 코팅층(300b)이 형성된 코어(300a)를 제1, 2 롤러(R1, R2) 사이로 인입하여 압연 단계(S2’)를 수행할 수 있으며, 이에 따라, 도 14의 (c)에 도시된 바와 같이, 코팅층(300b)이 형성된 코어(300a)에서 태양 전지의 전극(140, 150)과 접속될 제1 부분(300P1) 및 코어(300a)의 중심을 기준으로 제1 부분(300P1)의 반대면인 제2 부분(300P2)에 복수의 요철(300K)이 형성되어, 본 발명에 따른 배선(300)이 형성될 수 있다.The first roller R1 and the second roller R2 of the rolling mill 400 having the plurality of projections 300K are rotated to rotate the core 300a on which the coating layer 300b is formed by the first and second rollers R1 The electrode 300 of the photovoltaic cell of the present invention may be connected to the electrode of the solar cell 140 in the core 300a on which the coating layer 300b is formed, as shown in FIG. 14 (c) A plurality of protrusions 300K are formed on the first portion 300P1 to be connected to the first portion 300P1 and the second portion 300P2 that is the opposite surface of the first portion 300P1 with respect to the center of the core 300a, The wiring 300 according to the invention can be formed.

아울러, 이와 같은 본 발명의 제2 실시에에 따른 배선(300)의 제조 방법에서도 제1 실시예의 변경예와 같이, 커팅 단계가 더 수행되는 것도 가능하다. 이에 대해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.In addition, in the method of manufacturing the wiring 300 according to the second embodiment of the present invention, the cutting step may be further performed as in the modification of the first embodiment. This will be described in more detail as follows.

도 15는 본 발명의 제2 실시에에 따른 배선의 제조 방법의 변경예를 설명하기 위한 순서도이고, 도 16은 도 15에 도시된 순서도에 따른 배선의 형태를 설명하기 위한 도이다.FIG. 15 is a flowchart for explaining a modification of the method of manufacturing a wiring according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 16 is a view for explaining a wiring form according to the flowchart shown in FIG.

도 15에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시에에 따른 배선(300)의 제조 방법의 변경예는 커팅 단계(S0’), 코팅 단계(S1’) 및 압연 단계(S2’)를 포함할 수 있다.As shown in Fig. 15, a modification of the manufacturing method of the wiring 300 according to the second embodiment of the present invention includes a cutting step S0 ', a coating step S1' and a rolling step S2 ' can do.

여기서, 커팅 단계(S0’)는 코팅 단계(S1’) 이전에 수행될 수 있으며, 커팅 단계(S0’)에서는 도 16의 (a)에 도시된 바와 같이, 단면이 원형인 코어(300a)에서 제1 부분(300P1) 및 제2 부분(300P2)이 커팅되어, 도 16의 (b)에 도시된 바와 같이, 코어(300a)의 제1, 2 부분(300P1, 300P2)이 커팅될 수 있다.Here, the cutting step S0 'may be performed before the coating step S1'. In the cutting step S0 ', as shown in FIG. 16 (a), the core 300a having a circular section The first portion 300P1 and the second portion 300P2 are cut so that the first and second portions 300P1 and 300P2 of the core 300a can be cut as shown in Fig. 16B.

이후, 코팅 단계(S1’)가 수행되어, 도 16의 (c)에 도시된 바와 같이, 제1, 2 부분(300P1, 300P2)이 커팅된 코어(300a)의 표면에 코팅층(300b)이 형성될 수 있다.Thereafter, the coating step S1 'is performed to form a coating layer 300b on the surface of the core 300a having the first and second portions 300P1 and 300P2 cut, as shown in FIG. 16C. .

이후, 압연 단계(S2’)가 수행되어, 도 16의 (d)에 도시된 바와 같이, 배선(300)의 제1, 2 부분(300P1, 300P2) 각각에 복수의 요철(300K)이 형성될 수 있다. Thereafter, a rolling step S2 'is carried out to form a plurality of irregularities 300K on each of the first and second portions 300P1 and 300P2 of the wiring 300, as shown in Fig. 16D .

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, It belongs to the scope of right.

Claims (25)

각각이 반도체 기판 및 상기 반도체 기판의 표면에 형성된 전극을 구비하는 복수의 태양 전지; 및
상기 복수의 태양 전지 중 서로 인접한 복수의 태양 전지를 서로 전기적으로 연결하기 위하여 상기 복수의 태양 전지 각각에 구비된 전극에 도전성 접착제를 통해 접속되는 복수의 배선;을 포함하고,
상기 배선은 코어와 상기 코어의 표면을 코팅하는 코팅층을 포함하고,
상기 복수의 배선 각각은 상기 전극과 접속되는 제1 부분 표면에 복수의 배선 요철을 구비하고, 상기 배선의 중심을 기준으로 제1 부분의 반대쪽인 제2 부분 표면에 복수의 배선 요철을 구비하고,
상기 코어의 상기 제1, 2 부분에는 복수의 코어 요철을 구비하고,
상기 복수의 배선 요철은 상기 코어 요철 형상이 상기 코팅층의 상기 제1, 2 부분 표면에 현출된 형상을 가지고,
상기 배선의 단면은 전체적으로 원형 또는 타원형 형상을 가지며,
상기 배선에서 상기 제1 부분과 상기 제2 부분 사이의 표면에는 상기 요철이 형성되지 않고,
상기 제1, 2 부분 각각에서 상기 제1, 2 부분 각각의 최외곽에 위치하는 요철의 폭이나 높이는 상기 제1, 2 부분 각각의 가운데 부분에 위치하는 요철의 폭이나 높이보다 작고,
코팅층의 두께는 상기 코어의 제1, 2 부분에 형성되는 코어 요철의 폭 또는 높이보다 작은 태양 전지 모듈.
A plurality of solar cells each having a semiconductor substrate and electrodes formed on a surface of the semiconductor substrate; And
And a plurality of wires connected to electrodes provided in each of the plurality of solar cells via a conductive adhesive so as to electrically connect a plurality of adjacent solar cells among the plurality of solar cells,
Wherein the wiring comprises a core and a coating layer coating the surface of the core,
Wherein each of the plurality of wirings includes a plurality of wiring irregularities on a surface of a first portion connected to the electrode and a plurality of wiring irregularities on a surface of a second portion opposite to the first portion with respect to a center of the wiring,
Wherein a plurality of core irregularities are provided in the first and second portions of the core,
Wherein the plurality of wiring concavities and convexities have a shape in which the corrugated concavo-convex shape is formed on the first and second partial surfaces of the coating layer,
The cross section of the wiring has a circular or elliptical shape as a whole,
The concavities and convexities are not formed on the surface between the first portion and the second portion in the wiring,
The width and the height of the irregularities located at the outermost portions of the first and second portions of each of the first and second portions are smaller than the width and height of the irregularities located at the center portions of the first and second portions,
Wherein the thickness of the coating layer is smaller than the width or height of the core irregularities formed in the first and second portions of the core.
삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 코어는 구리(cu), 은(Ag), 금(Au), 또는 알루미늄(Al) 중 어느 하나로 형성되고, 상기 코팅층은 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금으로 형성되는 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the core is formed of any one of copper (Cu), silver (Ag), gold (Au), and aluminum (Al), and the coating layer is made of an alloy containing tin (Sn) module.
제3 항에 있어서,
상기 코어의 최대 직경은 200um ~ 500um 사이이고,
상기 코팅층의 두께는 1um ~ 5um 사이인 태양 전지 모듈.
The method of claim 3,
The maximum diameter of the core is between 200 um and 500 um,
Wherein the thickness of the coating layer is between 1 [mu] m and 5 [mu] m.
제3 항에 있어서,
상기 제1, 2 부분에 형성되는 복수의 배선 요철 각각의 폭 또는 높이는 상기 코팅층의 두께보다 크되,
상기 제1, 2 부분에 형성되는 복수의 배선 요철 각각의 폭은 20um ~ 25um 사이이고,
상기 제1, 2 부분에 형성되는 복수의 배선 요철 각각의 높이는 20um ~ 30um 사이인 태양 전지 모듈.
The method of claim 3,
Wherein a width or a height of each of the plurality of wiring irregularities formed in the first and second portions is larger than the thickness of the coating layer,
The width of each of the plurality of wiring concaves and convexes formed in the first and second portions is between 20um and 25um,
Wherein a height of each of the plurality of wiring irregularities formed in the first and second portions is between 20um and 30um.
삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 제1, 2 부분에 형성되는 복수의 배선 요철 각각은 상기 배선의 길이 방향, 폭 방향 또는 사선 방향을 따라 길게 뻗어 있는 그루브(groove) 형상을 갖거나, 피라미드 형상을 갖는 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein each of the plurality of wiring irregularities formed in the first and second portions has a groove shape extending long along the longitudinal direction, the width direction, or the oblique direction of the wiring, or has a pyramid shape.
제1 항에 있어서,
상기 배선에서 상기 복수의 배선 요철이 형성되는 상기 제1, 2 부분의 폭은 100um ~ 150um 사이인 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein a width of the first and second portions in which the plurality of wiring irregularities are formed in the wiring is between 100 mu m and 150 mu m.
제1 항에 있어서,
상기 도전성 접착제의 폭은 상기 도전성 접착제와 접속되는 상기 제1 부분 또는 상기 제2 부분의 폭보다 크고, 상기 배선의 최대 선폭보다 작은 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein a width of the conductive adhesive is larger than a width of the first portion or the second portion connected to the conductive adhesive and smaller than a maximum line width of the wiring.
제9 항에 있어서,
상기 도전성 접착제의 폭은 320um ~ 380um 사이인 태양 전지 모듈.
10. The method of claim 9,
Wherein a width of the conductive adhesive is between 320 [mu] m and 380 [mu] m.
제1 항에 있어서,
상기 도전성 접착제는 주석(Sn)을 포함하는 솔더 페이스트 형태이거나 접착성 수지 내에 복수의 도전성 입자가 분포되는 도전성 접착 페이스트 형태를 갖는 태양 전지 모듈.
The method according to claim 1,
The conductive adhesive may be in the form of a solder paste containing tin (Sn) or may be in the form of a conductive adhesive paste in which a plurality of conductive particles are distributed in the adhesive resin.
제11 항에 있어서,
상기 도전성 접착제는 접착성 수지 내에 복수의 도전성 입자가 분포되어 형성되고,
상기 접착성 수지는 에폭시 계열의 수지, 실리콘 계열의 수지 또는 아크릴 계열의 수지 중 적어도 어느 하나의 수지로 형성되고,
상기 도전성 입자는 Ni, Ag 또는 SnBi 중 적어도 하나를 포함하여 형성되는 태양 전지 모듈.
12. The method of claim 11,
Wherein the conductive adhesive is formed by distributing a plurality of conductive particles in the adhesive resin,
Wherein the adhesive resin is formed of at least one of an epoxy-based resin, a silicone-based resin, and an acrylic-based resin,
Wherein the conductive particles include at least one of Ni, Ag, and SnBi.
제12 항에 있어서,
상기 도전성 입자의 크기는 상기 복수의 배선 요철의 폭 또는 높이보다 작은 태양 전지 모듈.
13. The method of claim 12,
And the size of the conductive particles is smaller than the width or the height of the plurality of wiring irregularities.
제12 항에 있어서,
상기 도전성 입자의 크기는 1um ~ 10um 사이인 태양 전지 모듈.
13. The method of claim 12,
And the size of the conductive particles is between 1 [mu] m and 10 [mu] m.
제12 항에 있어서,
상기 도전성 접착제에 포함되는 상기 접착성 수지의 녹는점은 상기 배선에 포함된 코팅층의 녹는점보다 낮은 태양 전지 모듈.
13. The method of claim 12,
Wherein the melting point of the adhesive resin contained in the conductive adhesive agent is lower than the melting point of the coating layer included in the wiring.
제12 항에 있어서,
상기 접착성 수지의 경화 온도는 155℃ ~ 185℃ 사이인 태양 전지 모듈.
13. The method of claim 12,
Wherein the curing temperature of the adhesive resin is between 155 ° C and 185 ° C.
복수의 요철이 형성된 압연기의 제1 롤러와 제2 롤러를 회전시켜 태양 전지 배선용 코어를 제1, 2 롤러 사이로 인입하여, 상기 코어에서 태양 전지의 전극과 접속될 제1 부분 및 상기 코어의 중심을 기준으로 제1 부분의 반대면인 제2 부분에 복수의 코어 요철을 형성하는 압연 단계; 및
상기 복수의 코어 요철이 형성된 코어의 표면에 코팅층을 형성하는 코팅 단계;를 포함하고,
상기 태양 전지 배선용 코어는 단면이 전체적으로 원형 또는 타원형 형상을 가지며,
상기 압연 단계에 의해 상기 태양 전지 배선용 코어의 상기 제1 부분과 상기 제2 부분 사이의 표면에는 상기 코어 요철이 형성되지 않고,
상기 압연 단계에 의해 상기 제1, 2 부분 각각에 형성되는 복수의 코어 요철에서 상기 제1, 2 부분 각각의 최외곽에 위치하는 요철의 폭이나 높이는 상기 제1, 2 부분 각각의 가운데 부분에 위치하는 코어 요철의 폭이나 높이보다 작고,
상기 코팅 단계에서 형성되는 코팅층의 두께는 상기 코어의 제1, 2 부분에 형성되는 코어 요철의 폭 또는 높이보다 작고, 상기 코팅 단계에 의해 상기 코팅층의 상기 제1, 2 부분 표면에 상기 코어 요철 형상이 현출된 복수의 배선 요철이 형성되는 태양 전지 모듈에 사용되는 배선의 제조 방법.
The first roller and the second roller of the rolling mill in which a plurality of projections and depressions are formed are rotated to draw the solar cell wiring core between the first and second rollers to form a first portion to be connected to the electrode of the solar cell in the core, A rolling step of forming a plurality of corrugated irregularities on a second portion which is an opposite side of the first portion with respect to the reference; And
And a coating step of forming a coating layer on a surface of the core having the plurality of core irregularities formed thereon,
The solar cell wiring core has a circular or elliptical shape in cross section as a whole,
The core unevenness is not formed on the surface between the first portion and the second portion of the solar cell wiring core by the rolling step,
The width and height of the irregularities located at the outermost portions of the first and second portions in the plurality of core irregularities formed in each of the first and second portions by the rolling step are located in the middle portion of each of the first and second portions Is smaller than the width and height of the core irregularities,
Wherein the thickness of the coating layer formed in the coating step is smaller than the width or height of the core irregularities formed in the first and second portions of the core, Wherein a plurality of the projected irregularities of the wiring are formed.
제17 항에 있어서,
상기 코팅 단계는 전기 도금 방식에 의해 수행되는 태양 전지 모듈에 사용되는 배선의 제조 방법.
18. The method of claim 17,
Wherein the coating step is performed by an electroplating method.
제17 항에 있어서,
상기 압연 단계에 의해 상기 코어에서 복수의 코어 요철이 형성되는 상기 제1, 2 부분 각각의 폭은 100um ~ 150um 사이인 태양 전지 모듈에 사용되는 배선의 제조 방법.
18. The method of claim 17,
Wherein a width of each of the first and second portions in which a plurality of corrugated irregularities are formed in the core by the rolling step is in the range of 100um to 150um.
제17 항에 있어서,
상기 압연기의 제1, 2 롤러 표면에 형성된 복수의 코어 요철 각각의 폭은 20um ~ 25um 사이이고, 각각의 돌출 높이는 20um ~ 30um인 태양 전지 모듈에 사용되는 배선의 제조 방법.
18. The method of claim 17,
Wherein the width of each of the plurality of core irregularities formed on the surfaces of the first and second rollers of the rolling mill is between 20um and 25um and the height of each protrusion is between 20um and 30um.
제17 항에 있어서,
상기 코어의 최대 직경은 200um ~ 500um 사이이고,
상기 코팅 단계에서 형성되는 상기 코팅층의 두께는 1um ~ 5um 사이인 태양 전지 모듈에 사용되는 배선의 제조 방법.
18. The method of claim 17,
The maximum diameter of the core is between 200 um and 500 um,
Wherein the thickness of the coating layer formed in the coating step is between 1 [mu] m and 5 [mu] m.
제17 항에 있어서,
상기 압연 단계 이전에, 단면이 원형인 상기 코어의 제1 부분 및 상기 제2 부분을 커팅하는 커팅 단계;를 더 포함하는 태양 전지 모듈에 사용되는 배선의 제조 방법.
18. The method of claim 17,
And cutting the first portion and the second portion of the core having a circular cross section prior to the rolling step.
제22 항에 있어서,
상기 커팅 단계에서 커팅되는 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 각각의 폭은 100um ~ 150um 사이인 태양 전지 모듈에 사용되는 배선의 제조 방법.
23. The method of claim 22,
Wherein a width of each of the first portion and the second portion cut in the cutting step is between 100um and 150um.
태양 전지 배선용 코어의 표면을 코팅하여 코팅층을 형성하는 코팅 단계; 및
복수의 요철이 형성된 압연기의 제1 롤러와 제2 롤러를 회전시켜 상기 코팅층이 형성된 코어를 제1, 2 롤러 사이로 인입하여, 상기 코팅층이 형성된 코어에서 태양 전지의 전극과 접속될 제1 부분 및 상기 코어의 중심을 기준으로 제1 부분의 반대면인 제2 부분에 복수의 배선 요철을 형성하는 압연 단계;를 포함하고,
상기 태양 전지 배선용 코어는 단면이 전체적으로 원형 또는 타원형 형상을 가지며,
상기 압연 단계에 의해 상기 태양 전지 배선용 코어의 상기 제1 부분과 상기 제2 부분 사이의 표면에는 상기 배선 요철이 형성되지 않고,
상기 압연 단계에 의해 상기 코어의 제1, 2 부분에는 복수의 코어 요철이 형성되고, 상기 복수의 배선 요철은 상기 코어 요철 형상이 상기 코팅층의 상기 제1, 2 부분 표면에 현출된 형상을 가지며,
상기 압연 단계에 의해 상기 제1, 2 부분 각각에 형성되는 복수의 배선 요철에서 상기 제1, 2 부분 각각의 최외곽에 위치하는 요철의 폭이나 높이는 상기 제1, 2 부분 각각의 가운데 부분에 위치하는 요철의 폭이나 높이보다 작고,
상기 코팅 단계에서 형성되는 코팅층의 두께는 상기 코어의 제1, 2 부분에 형성되는 코어 요철의 폭 또는 높이보다 작은 태양 전지 모듈에 사용되는 배선의 제조 방법.
A coating step of coating a surface of a solar cell wiring core to form a coating layer; And
A first portion to be connected to an electrode of the solar cell in a core in which the coating layer is formed by rotating a first roller and a second roller of a rolling machine having a plurality of unevenness to draw a core having the coating layer therebetween between first and second rollers, And forming a plurality of wiring irregularities on a second portion which is an opposite surface of the first portion with respect to the center of the core,
The solar cell wiring core has a circular or elliptical shape in cross section as a whole,
The wiring step is not formed on the surface between the first portion and the second portion of the solar cell wiring core by the rolling step,
A plurality of core irregularities are formed in the first and second portions of the core by the rolling step, the core irregularities of the plurality of wiring irregularities have a shape developed on the first and second partial surfaces of the coating layer,
The width and height of the irregularities located at the outermost portions of the first and second portions in the plurality of wiring irregularities formed in the first and second portions by the rolling step are located in the middle portions of the first and second portions, Is smaller than the width or height of the concave /
Wherein the thickness of the coating layer formed in the coating step is smaller than the width or height of the core irregularities formed in the first and second portions of the core.
제24 항에 있어서,
상기 코팅 단계 이전에, 단면이 원형인 상기 코어의 제1 부분 및 상기 제2 부분을 커팅하는 단계;를 더 포함하는 태양 전지 모듈에 사용되는 배선의 제조 방법.
25. The method of claim 24,
And cutting the first portion and the second portion of the core having a circular cross section prior to the coating step.
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