KR101743493B1

KR101743493B1 - Apparatus for generating plasma, apparatus for treating substrate comprising the same, and method of controlling the same

Info

Publication number: KR101743493B1
Application number: KR1020150139247A
Authority: KR
Inventors: 손덕현; 이정환
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2015-10-02
Filing date: 2015-10-02
Publication date: 2017-06-05
Anticipated expiration: 2035-10-02
Also published as: KR20170039978A

Abstract

본 발명은 필터의 특성을 조절하여 플라즈마 공정을 용이하게 제어할 수 있는 플라즈마 발생 장치, 기판 처리 장치, 및 그 제어 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 발생 장치는, 기판을 지지하는 지지 유닛; 및 고주파 전력을 인가하는 고주파 전원을 포함하고, 상기 고주파 전력을 이용하여 플라즈마를 생성하여 상기 기판상에 플라즈마 공정을 수행하며, 상기 지지 유닛은, 기판을 지지하는 지지판; 및 상기 기판의 온도를 제어하는 가열 유닛을 포함하며, 상기 가열 유닛은, 가열부; 상기 가열부로 전력을 인가하는 제어부; 및 상기 가열부와 상기 고주파 전원의 커플링을 방지하는 필터를 포함하며, 상기 필터는 가변 소자를 포함할 수 있다.The present invention relates to a plasma generating apparatus, a substrate processing apparatus, and a control method thereof, which can easily control a plasma process by adjusting characteristics of a filter. A plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a support unit for supporting a substrate; And a high-frequency power source for applying a high-frequency power, wherein plasma is generated using the high-frequency power to perform a plasma process on the substrate, the supporting unit comprising: a supporting plate for supporting the substrate; And a heating unit for controlling a temperature of the substrate, wherein the heating unit comprises: a heating unit; A controller for applying electric power to the heating unit; And a filter for preventing coupling of the heating unit and the high frequency power source, and the filter may include a variable element.

Description

BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention [0001] The present invention relates to a plasma generating apparatus, a substrate processing apparatus including the same, and a control method therefor.

본 발명은 플라즈마 발생 장치, 그를 포함하는 기판 처리 장치, 및 그 제어 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 필터를 조절하여 플라즈마 공정을 제어하기 위한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma generating apparatus, a substrate processing apparatus including the same, and a control method thereof, and more particularly to a plasma processing apparatus for controlling a plasma process.

반도체 소자를 제조하기 위해서, 기판 상에 포토리소그래피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착, 그리고 세정 등 다양한 공정을 수행하여 기판에 원하는 패턴을 형성한다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 막 중 선택된 가열 영역을 제거하는 공정으로 습식 식각과 건식 식각이 사용된다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning are performed on a substrate to form a desired pattern on the substrate. Among them, the wet etching and the dry etching are used for removing the selected heating region from the film formed on the substrate.

이 중 건식 식각을 위해 플라즈마를 이용한 식각 장치가 사용된다. 일반적으로 플라즈마를 형성하기 위해서는 챔버의 내부 공간에 전자기장을 형성하고, 전자기장은 챔버 내에 제공된 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다.Among them, an etching apparatus using a plasma is used for dry etching. Generally, in order to form a plasma, an electromagnetic field is formed in an inner space of a chamber, and an electromagnetic field excites the process gas provided in the chamber into a plasma state.

플라즈마는 이온이나 전자, 라디칼 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마를 사용하여 식각 공정을 수행한다. 식각 공정은 플라즈마에 함유된 이온 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다. 이 때, 플라즈마를 발생시키기 위한 고주파 전원들과 기판을 가열하는 가열 부재 사이에서 커플링이 발생할 수 있다. 이러한 커플링을 방지하기 위해 차단 필터가 사용되고 있다.Plasma refers to an ionized gas state composed of ions, electrons, radicals, and the like. Plasma is generated by very high temperatures, strong electric fields, or RF electromagnetic fields. The semiconductor device fabrication process employs a plasma to perform an etching process. The etching process is performed by colliding the ion particles contained in the plasma with the substrate. At this time, coupling may occur between the high-frequency power supplies for generating the plasma and the heating member for heating the substrate. A cut-off filter is used to prevent such coupling.

본 발명은 플라즈마 발생 장치에 사용되는 필터의 특성을 조절하여 플라즈마 공정을 제어하기 위한 것이다.The present invention is for controlling the plasma process by adjusting the characteristics of the filter used in the plasma generating apparatus.

또한, 본 발명은 플라즈마 공정시 발생하는 공정 비대칭을 용이하게 개선하기 위한 것이다.Further, the present invention is intended to easily improve the process asymmetry occurring in the plasma process.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the matters not mentioned above can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and the accompanying drawings .

본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 발생 장치는, 기판을 지지하는 지지 유닛; 및 고주파 전력을 인가하는 고주파 전원을 포함하고, 상기 고주파 전력을 이용하여 플라즈마를 생성하여 상기 기판상에 플라즈마 공정을 수행할 수 있다.A plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a support unit for supporting a substrate; And a high frequency power source for applying a high frequency power, and the plasma process can be performed on the substrate by generating a plasma using the high frequency power.

상기 지지 유닛은, 기판을 지지하는 지지판; 및 상기 기판의 온도를 제어하는 가열 유닛을 포함할 수 있다.The supporting unit includes: a supporting plate for supporting the substrate; And a heating unit for controlling the temperature of the substrate.

상기 가열 유닛은, 가열부; 상기 가열부로 전력을 인가하는 제어부; 및 상기 가열부와 상기 고주파 전원의 커플링을 방지하는 필터를 포함하며, 상기 필터는 가변 소자를 포함할 수 있다.The heating unit includes a heating unit; A controller for applying electric power to the heating unit; And a filter for preventing coupling of the heating unit and the high frequency power source, and the filter may include a variable element.

상기 제어부는, 상기 플라즈마 공정에 대한 데이터를 기반으로 상기 가변 소자를 제어하며, 상기 플라즈마 공정에 대한 데이터는 플라즈마 공정 온도, 생성된 플라즈마 밀도, 생성된 플라즈마 분포의 균일성, 및 플라즈마 공정으로 인해 식각된 기판의 식각 균일성 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The control unit controls the variable device based on the data for the plasma process, and the data for the plasma process includes at least one of a plasma process temperature, a generated plasma density, uniformity of the generated plasma distribution, Etched uniformity of the etched substrate.

상기 지지판은 복수 개의 영역으로 구분되고, 상기 가열 유닛은, 상기 지지판의 복수 개의 영역에 각각 대응되도록 복수 개의 가열부 및 복수 개의 필터를 포함할 수 있다.The support plate may be divided into a plurality of regions, and the heating unit may include a plurality of heating portions and a plurality of filters to correspond to a plurality of regions of the support plate.

상기 제어부는, 상기 플라즈마 발생 장치의 사용자에 의해 수동으로 제어될 수 있다.The control unit may be manually controlled by a user of the plasma generating apparatus.

상기 제어부는, 상기 플라즈마 공정에 대한 데이터를 기반으로 자동으로 제어될 수 있다.The controller may be automatically controlled based on the data of the plasma process.

상기 지지판은 상기 기판을 정전 척에 흡착시키는 전극을 갖는 정전 척을 포함하고, 상기 고주파 전원은 상기 전극과 연결될 수 있다.The supporting plate may include an electrostatic chuck having an electrode for attracting the substrate to the electrostatic chuck, and the high frequency power source may be connected to the electrode.

본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 기판상에 플라즈마 공정을 수행하는 공간을 갖는 챔버; 상기 챔버 내에 위치하며, 상기 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 챔버 내부로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및 상기 챔버 내의 가스가 플라즈마 상태로 여기되도록 고주파 전력을 인가하는 고주파 전원을 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a chamber having a space for performing a plasma process on a substrate; A support unit positioned within the chamber and supporting the substrate; A gas supply unit for supplying gas into the chamber; And a high frequency power source for applying a high frequency power such that gas in the chamber is excited into a plasma state.

상기 제어부는, 상기 기판 처리 장치의 사용자에 의해 수동으로 제어될 수 있다.The control unit may be manually controlled by a user of the substrate processing apparatus.

본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 발생 장치 제어 방법은, 제어부가 상기 플라즈마 공정에 대한 데이터를 입력받는 단계; 및 제어부가 상기 데이터에 기반하여 상기 가변 소자의 소자값을 조절하는 단계를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of controlling a plasma generator, including: receiving data on a plasma process by a controller; And controlling the element value of the variable element based on the data.

상기 플라즈마 공정에 대한 데이터를 입력받는 단계는, 상기 복수 개의 영역 각각에 대한 데이터를 입력받는 단계를 포함할 수 있다.The step of receiving data for the plasma process may include receiving data for each of the plurality of regions.

상기 플라즈마 발생 장치 제어 방법은, 제어부가 상기 복수 개의 영역 각각에 대한 데이터를 기반으로 플라즈마 공정의 비대칭 정도를 판단하는 단계를 더 포함할 수 있다.The plasma generator control method may further include a step of the controller determining an asymmetry degree of the plasma process based on the data of each of the plurality of areas.

상기 가변 소자의 소자값을 조절하는 단계는, 상기 비대칭 정도에 따라 비대칭이 개선되도록 각 필터의 가변 소자값을 조절하는 단계를 포함할 수 있다.The step of adjusting the element value of the variable element may include adjusting the variable element value of each filter so as to improve the asymmetry according to the degree of asymmetry.

본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 발생 장치 제어 방법은 컴퓨터로 실행될 수 있는 프로그램으로 구현되어, 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 기록될 수 있다.The method of controlling a plasma generator according to an embodiment of the present invention may be implemented as a program that can be executed by a computer, and may be recorded in a computer-readable recording medium.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 플라즈마 발생 장치에 사용되는 필터의 특성을 조절하여 플라즈마 공정을 제어할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the plasma process can be controlled by controlling the characteristics of the filter used in the plasma generating apparatus.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 플라즈마 공정시 발생하는 공정 비대칭을 용이하게 개선할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, a process asymmetry occurring in a plasma process can be easily improved.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 구체적으로 설명하기 위한 확대도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따라 복수 개의 필터 및 가열부를 포함하는 지지 유닛을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 가열 유닛에 포함되는 필터를 예시적으로 나타내는 회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 발생 장치 제어 방법의 예시적인 흐름도이다.1 is a sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is an enlarged view for specifically explaining the substrate processing apparatus of FIG.
3 is a view for explaining a support unit including a plurality of filters and a heating unit according to an embodiment of the present invention.
4 is a circuit diagram exemplarily showing a filter included in the heating unit.
5 is an exemplary flowchart of a plasma generator control method according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술 되는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Other advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적인 사전들에 의해 정의된 용어들은 관련된 기술 그리고/혹은 본 출원의 본문에 의미하는 것과 동일한 의미를 갖는 것으로 해석될 수 있고, 그리고 여기서 명확하게 정의된 표현이 아니더라도 개념화되거나 혹은 과도하게 형식적으로 해석되지 않을 것이다.Unless defined otherwise, all terms (including technical or scientific terms) used herein have the same meaning as commonly accepted by the generic art in the prior art to which this invention belongs. Terms defined by generic dictionaries may be interpreted to have the same meaning as in the related art and / or in the text of this application, and may be conceptualized or overly formalized, even if not expressly defined herein I will not.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다' 및/또는 이 동사의 다양한 활용형들 예를 들어, '포함', '포함하는', '포함하고', '포함하며' 등은 언급된 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 본 명세서에서 '및/또는' 이라는 용어는 나열된 구성들 각각 또는 이들의 다양한 조합을 가리킨다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. As used herein, the terms' comprise 'and / or various forms of use of the verb include, for example,' including, '' including, '' including, '' including, Steps, operations, and / or elements do not preclude the presence or addition of one or more other compositions, components, components, steps, operations, and / or components. The term 'and / or' as used herein refers to each of the listed configurations or various combinations thereof.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)를 나타내는 단면도이다.1 is a sectional view showing a substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 그리고 플라즈마 생성 유닛(400)을 포함한다.Referring to FIG. 1, a substrate processing apparatus 10 includes a chamber 100, a support unit 200, a gas supply unit 300, and a plasma generation unit 400.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 지지 유닛(200), 샤워 헤드(300), 가스 공급 유닛(400), 플라즈마 소스, 그리고 배플 유닛(500)을 포함할 수 있다.Referring to Fig. 1, a substrate processing apparatus 10 processes a substrate W using a plasma. For example, the substrate processing apparatus 10 may perform an etching process on the substrate W. [ The substrate processing apparatus 10 may include a chamber 100, a support unit 200, a showerhead 300, a gas supply unit 400, a plasma source, and a baffle unit 500.

챔버(100)는 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간을 제공할 수 있다. 챔버(100)는 내부에 처리 공간을 가지며, 밀폐된 형상으로 제공될 수 있다. 챔버(100)는 금속 재질로 제공될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)는 접지될 수 있다. 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성될 수 있다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결될 수 있다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 챔버의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 챔버(100)의 내부는 소정 압력으로 감압될 수 있다. The chamber 100 may provide a processing space in which a substrate processing process is performed. The chamber 100 has a processing space therein and can be provided in a closed configuration. The chamber 100 may be made of a metal material. According to one embodiment, the chamber 100 may be provided with an aluminum material. The chamber 100 may be grounded. An exhaust hole 102 may be formed in the bottom surface of the chamber 100. The exhaust hole 102 may be connected to the exhaust line 151. The reaction byproducts generated in the process and the gas staying in the inner space of the chamber can be discharged to the outside through the exhaust line 151. The interior of the chamber 100 may be depressurized to a predetermined pressure by an evacuation process.

일 예에 의하면, 챔버(100) 내부에는 라이너(130)가 제공될 수 있다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 라이너(130)는 챔버(100)의 내측면과 접촉하도록 제공될 수 있다. 라이너(130)는 챔버(100)의 내측벽을 보호하여 챔버(100)의 내측벽이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 불순물이 챔버(100)의 내측벽에 증착되는 것을 방지할 수 있다. 선택적으로, 라이너(130)는 제공되지 않을 수도 있다.According to one example, a liner 130 may be provided within the chamber 100. The liner 130 may have a cylindrical shape with open top and bottom surfaces. The liner 130 may be provided to contact the inner surface of the chamber 100. The liner 130 protects the inner wall of the chamber 100 to prevent the inner wall of the chamber 100 from being damaged by the arc discharge. It is also possible to prevent impurities generated during the substrate processing step from being deposited on the inner wall of the chamber 100. Optionally, the liner 130 may not be provided.

챔버(100)의 내부에는 지지 유닛(200)이 위치할 수 있다. 지지 유닛(200)은 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전척(210)을 포함할 수 있다. 이와 달리, 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 정전척(210)을 포함하는 지지 유닛(200)에 대하여 설명한다.The support unit 200 may be located inside the chamber 100. The support unit 200 can support the substrate W. [ The support unit 200 may include an electrostatic chuck 210 for attracting the substrate W using an electrostatic force. Alternatively, the support unit 200 may support the substrate W in various manners, such as mechanical clamping. Hereinafter, the supporting unit 200 including the electrostatic chuck 210 will be described.

지지 유닛(200)은 정전척(210), 하부 커버(250) 그리고 플레이트(270)를 포함할 수 있다. 지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부에서 챔버(100)의 바닥면으로부터 상부로 이격되어 위치한다. The support unit 200 may include an electrostatic chuck 210, a lower cover 250 and a plate 270. The support unit 200 is spaced upwardly from the bottom surface of the chamber 100 within the chamber 100.

정전척(210)은 유전판(220), 몸체(230), 그리고 링 어셈블리(240)을 포함할 수 있다. 정전척(210)은 기판(W)을 지지할 수 있다.The electrostatic chuck 210 may include a dielectric plate 220, a body 230, and a ring assembly 240. The electrostatic chuck 210 can support the substrate W. [

유전판(220)은 정전척(210)의 상단에 위치할 수 있다. 유전판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공될 수 있다. 유전판(220)의 상면에는 기판(W)이 놓일 수 있다. 유전판(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 기판(W) 가장자리 영역은 유전판(220)의 외측에 위치할 수 있다.The dielectric plate 220 may be positioned at the top of the electrostatic chuck 210. The dielectric plate 220 may be provided as a disk-shaped dielectric substance. The substrate W may be placed on the upper surface of the dielectric plate 220. The upper surface of the dielectric plate 220 may have a smaller radius than the substrate W. [ The edge region of the substrate W may be located outside the dielectric plate 220.

유전판(220)은 내부에 제 1 전극(223), 가열부(225) 그리고 제 1 공급 유로(221)를 포함할 수 있다. 제 1 공급 유로(221)는 유전판(210)의 상면으로부터 저면으로 제공될 수 있다. 제 1 공급 유로(221)는 서로 이격하여 복수 개 형성될 수 있으며, 기판(W)의 저면으로 열전달 매체가 공급되는 통로로 제공될 수 있다.The dielectric plate 220 may include a first electrode 223, a heating unit 225, and a first supply path 221 therein. The first supply passage 221 may be provided from the upper surface to the lower surface of the dielectric plate 210. A plurality of the first supply passages 221 may be spaced apart from each other and may be provided as a passage through which the heat transfer medium is supplied to the bottom surface of the substrate W.

제 1 전극(223)은 제 1 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제 1 전원(223a)은 직류 전원을 포함할 수 있다. 제 1 전극(223)과 제 1 전원(223a) 사이에는 스위치(223b)가 설치될 수 있다. 제 1 전극(223)은 스위치(223b)의 온/오프(ON/OFF)에 의해 제 1 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(223b)가 온(ON)되면, 제 1 전극(223)에는 직류 전류가 인가될 수 있다. 제 1 전극(223)에 인가된 전류에 의해 제 1 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 유전판(220)에 흡착될 수 있다.The first electrode 223 may be electrically connected to the first power source 223a. The first power source 223a may include a DC power source. A switch 223b may be provided between the first electrode 223 and the first power source 223a. The first electrode 223 may be electrically connected to the first power source 223a by turning on / off the switch 223b. When the switch 223b is turned on, a direct current can be applied to the first electrode 223. An electrostatic force acts between the first electrode 223 and the substrate W by the current applied to the first electrode 223 and the substrate W can be attracted to the dielectric plate 220 by the electrostatic force.

가열부(225)는 제 1 전극(223)의 하부에 위치할 수 있다. 가열부(225)는 제 2 전원(225a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 가열부(225)는 제 2 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킬 수 있다. 발생된 열은 유전판(220)을 통해 기판(W)으로 전달될 수 있다. 가열부(225)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지될 수 있다. 가열부(225)는 나선 형상의 코일을 포함할 수 있다. The heating unit 225 may be positioned below the first electrode 223. The heating unit 225 may be electrically connected to the second power source 225a. The heating unit 225 can generate heat by resisting the current applied from the second power source 225a. The generated heat can be transferred to the substrate W through the dielectric plate 220. The substrate W can be maintained at a predetermined temperature by the heat generated in the heating unit 225. The heating unit 225 may include a helical coil.

유전판(220)의 하부에는 몸체(230)가 위치할 수 있다. 유전판(220)의 저면과 몸체(230)의 상면은 본딩 유닛(236)에 의해 접착될 수 있다. 몸체(230)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 몸체(230)의 상면은 중심 영역이 가장자리 영역보다 높게 위치되도록 단차질 수 있다. 몸체(230)의 상면 중심 영역은 유전판(220)의 저면에 상응하는 면적을 가질 수 있으며, 유전판(220)의 저면과 접착될 수 있다. 몸체(230)는 내부에 제 1 순환 유로(231), 제 2 순환 유로(232) 그리고 제 2 공급 유로(233)가 형성될 수 있다.The body 230 may be positioned below the dielectric plate 220. The bottom surface of the dielectric plate 220 and the top surface of the body 230 may be bonded together by a bonding unit 236. The body 230 may be made of aluminum. The upper surface of the body 230 may be stepped so that the central region is located higher than the edge region. The top center region of the body 230 may have an area corresponding to the bottom surface of the dielectric plate 220 and be adhered to the bottom surface of the dielectric plate 220. The body 230 may have a first circulation channel 231, a second circulation channel 232, and a second supply channel 233 formed therein.

제 1 순환 유로(231)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공될 수 있다. 제 1 순환 유로(231)는 몸체(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제 1 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제 1 순환 유로(231)는 서로 연통될 수 있다. 제 1 순환 유로(231)들은 동일한 높이에 형성될 수 있다.The first circulation channel 231 may be provided as a passage through which the heat transfer medium circulates. The first circulation flow path 231 may be formed in a spiral shape inside the body 230. Alternatively, the first circulation flow path 231 may be arranged so that the ring-shaped flow paths having different radii have the same center. Each of the first circulation flow paths 231 can communicate with each other. The first circulation flow paths 231 may be formed at the same height.

제 2 순환 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공될 수 있다. 제 2 순환 유로(232)는 몸체(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제 2 순환 유로(232)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제 2 순환 유로(232)는 서로 연통될 수 있다. 제 2 순환 유로(232)는 제 1 순환 유로(231)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 제 2 순환 유로(232)들은 동일한 높이에 형성될 수 있다. 제 2 순환 유로(232)는 제 1 순환 유로(231)의 하부에 위치될 수 있다.The second circulation flow passage 232 may be provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The second circulation flow path 232 may be formed in a spiral shape inside the body 230. Alternatively, the second circulation flow path 232 may be arranged so that the ring-shaped flow paths having different radii have the same center. Each of the second circulation flow paths 232 can communicate with each other. The second circulation channel 232 may have a larger cross-sectional area than the first circulation channel 231. The second circulation flow paths 232 may be formed at the same height. The second circulation flow passage 232 may be positioned below the first circulation flow passage 231.

제 2 공급 유로(233)는 제 1 순환 유로(231)부터 상부로 연장될 수 있으며, 몸체(230)의 상면으로 제공될 수 있다. 제 2 공급 유로(243)는 제 1 공급 유로(221)에 대응하는 개수로 제공될 수 있으며, 제 1 순환 유로(231)와 제 1 공급 유로(221)를 연결할 수 있다.The second supply passage 233 may extend upward from the first circulation passage 231 and may be provided on the upper surface of the body 230. The second supply passage 243 may be provided in a number corresponding to the first supply passage 221 and may be connected to the first circulation passage 231 and the first supply passage 221.

제 1 순환 유로(231)는 열전달 매체 공급라인(231b)을 통해 열전달 매체 저장부(231a)와 연결될 수 있다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장될 수 있다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함할 수 있다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 제 1 순환 유로(231)에 공급될 수 있으며, 제 2 공급 유로(233)와 제 1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급될 수 있다. 헬륨 가스는 플라즈마에서 기판(W)으로 전달된 열을 정전척(210)으로 전달시키는 매질 역할을 한다.The first circulation channel 231 may be connected to the heat transfer medium storage unit 231a through the heat transfer medium supply line 231b. The heat transfer medium storage unit 231a may store the heat transfer medium. The heat transfer medium may include an inert gas. According to one embodiment, the heat transfer medium may comprise helium (He) gas. Helium gas can be supplied to the first circulation channel 231 through the supply line 231b and supplied to the bottom surface of the substrate W through the second supply channel 233 and the first supply channel 221 in order . The helium gas serves as a medium for transferring the heat transferred from the plasma to the substrate W to the electrostatic chuck 210.

제 2 순환 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 저장부(232a)와 연결될 수 있다. 냉각 유체 저장부(232a)에는 냉각 유체가 저장될 수 있다. 냉각 유체 저장부(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킬 수 있다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 제 2 순환 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 제 2 순환 유로(232)를 따라 순환하며 몸체(230)를 냉각할 수 있다. 몸체(230)는 냉각되면서 유전판(220)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킬 수 있다.The second circulation channel 232 may be connected to the cooling fluid storage 232a through the cooling fluid supply line 232c. The cooling fluid may be stored in the cooling fluid storage portion 232a. A cooler 232b may be provided in the cooling fluid storage portion 232a. The cooler 232b may cool the cooling fluid to a predetermined temperature. Alternatively, the cooler 232b may be installed on the cooling fluid supply line 232c. The cooling fluid supplied to the second circulation channel 232 through the cooling fluid supply line 232c circulates along the second circulation channel 232 and can cool the body 230. [ The body 230 is cooled and the dielectric plate 220 and the substrate W are cooled together to maintain the substrate W at a predetermined temperature.

몸체(230)는 금속판을 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 몸체(230) 전체가 금속판으로 제공될 수 있다. 몸체(230)는 제 3 전원(235a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 전원(235a)은 고주파 전력을 발생시키는 고주파 전원으로 제공될 수 있다. 고주파 전원은 RF 전원으로 제공될 수 있다. 몸체(230)는 제 3 전원(235a)으로부터 고주파 전력을 인가받을 수 있다. 이로 인하여 몸체(230)는 전극으로서 기능할 수 있다.The body 230 may include a metal plate. According to one example, the entire body 230 may be provided as a metal plate. The body 230 may be electrically connected to the third power source 235a. The third power source 235a may be provided as a high frequency power source for generating high frequency power. The high frequency power source can be provided by an RF power source. The body 230 can receive high frequency power from the third power source 235a. This allows the body 230 to function as an electrode.

도 2는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 일부 구성 요소의 확대도이다.2 is an enlarged view of a part of components for explaining the present invention in detail.

링 어셈블리(240)는 링 형상으로 제공된다. 링 어셈블리(240)는 유전판(220)의 둘레를 감싸도록 제공된다. 링 어셈블리(240)는 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하면, 링 어셈블리(240)는 포커스 링(240b)과 절연 링(240a)을 가진다. 포커스 링(240b)은 유전판(220)을 감싸도록 제공되며 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 절연 링(240a)은 포커스 링(240b)를 감싸도록 제공된다. 선택적으로 링 어셈블리(240)는 플라즈마에 의해 유전판(220)의 측면이 손상되는 것을 방지하도록 포커스 링(240b)의 둘레에 밀착되게 제공되는 에지링(미도시)를 포함할 수 있다. 상술한 바와 달리 링 어셈블리(240)의 구조는 다양하게 변경될 수 있다.The ring assembly 240 is provided in a ring shape. The ring assembly 240 is provided to surround the dielectric plate 220. The ring assembly 240 supports the edge region of the substrate W. [ According to one example, the ring assembly 240 has a focus ring 240b and an insulating ring 240a. The focus ring 240b is provided to surround the dielectric plate 220 and concentrates the plasma onto the substrate W. [ An insulating ring 240a is provided to surround the focus ring 240b. Optionally, the ring assembly 240 may include an edge ring (not shown) provided in close contact with the periphery of the focus ring 240b to prevent damage to the sides of the dielectric plate 220 by the plasma. Unlike the above, the structure of the ring assembly 240 can be variously changed.

도 2를 참조하면, 가열부(225)와 제 2 전원(225a) 사이에는 필터(225c)가 연결된다. 가열부(225)는 공정 진행 중 기판(W)을 공정 온도로 유지한다. 가열부(225)는 열선으로 제공될 수 있다. 제어부(미도시)가 제 2 전원(225a)으로 하여금 가열부(225)로 교류 전력을 인가하도록 할 수 있다. 일 예로, 제어부는 10A의 교류 전류를 인가하도록 할 수 있다.Referring to FIG. 2, a filter 225c is connected between the heating unit 225 and the second power source 225a. The heating unit 225 maintains the substrate W at the process temperature during the process. The heating part 225 may be provided as a hot wire. The control unit (not shown) can cause the second power source 225a to apply the AC power to the heating unit 225. [ For example, the control unit may apply an alternating current of 10A.

앞서 설명한 바와 같이, 제3 전원(235a)는 고주파 전력을 발생시키는 고주파 전원으로 제공될 수 있으며, 전극으로서 기능하는 몸체(230)와 제3 전원(235a) 사이에는 정합기(235c)가 연결될 수 있다.As described above, the third power source 235a may be provided as a high-frequency power source for generating high-frequency power, and a matching unit 235c may be connected between the body 230 functioning as an electrode and the third power source 235a. have.

필터(225c)는 가열부(282)와 고주파 전원(235a) 간의 커플링을 방지한다. 일 예로, 필터(284)는 대역 차단 필터(Band-reject filter)로 제공될 수 있다.The filter 225c prevents coupling between the heating portion 282 and the high frequency power source 235a. In one example, the filter 284 may be provided as a band-reject filter.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따라 복수 개의 필터(225c) 및 가열부(225)를 포함하는 지지 유닛을 설명하기 위한 도면이다.3 is a view for explaining a support unit including a plurality of filters 225c and a heating unit 225 according to an embodiment of the present invention.

플라즈마 공정을 효율적으로 수행하기 위해서, 유전판(220)을 복수 개의 영역으로 구분하여 각각의 영역을 개별적으로 제어할 수 있다. 복수 개의 영역으로 구분된 유전판(220)의 예시가 도 3에 도시되어 있다. 일 실시 예에 있어서, 유전판(220)은 제1 내지 제4 영역으로 구분되어 제어될 수 있다. 일 실시 예에 있어서, 유전판(220)은 원형일 수 있으며, 제1 내지 제4 영역은 동심원 형태로 구분된 영역일 수 있다. 그러나 구분되는 영역의 수 및 영역의 형태는 이에 제한되지 않으며, 공정의 효율성을 높이기 위한 어떠한 형태로도 제공될 수 있다.In order to efficiently perform the plasma process, the dielectric plate 220 can be divided into a plurality of regions, and each region can be separately controlled. An example of a dielectric plate 220 divided into a plurality of regions is shown in FIG. In one embodiment, the dielectric plate 220 can be divided into first to fourth regions and controlled. In one embodiment, the dielectric plate 220 may be circular, and the first to fourth regions may be concentric regions. However, the number of regions to be distinguished and the form of the region are not limited thereto, and can be provided in any form for increasing process efficiency.

도 3을 참조하면, 지지 유닛은 복수 개의 영역에 대응하는 복수 개의 가열부(225) 및 복수 개의 필터(225c)를 포함한다. 앞서 설명한 바와 같이, 몸체(230)는 고주파 전원(460)과 연결되어 전극의 기능을 할 수 있다. 필터(225c)는 가열부(225)와 고주파 전원(235a) 사이의 커플링을 방지한다. 앞서 설명한 바와 같이, 가열부(225)는 교류 전력을 인가받아 기판의 온도를 조절한다. 가열부(225)에 인가되는 교류 전력과 고주파 전원(235a)이 제공하는 고주파 전력에 의한 커플링을 방지하기 위해 필터(225c)가 제공된다.Referring to FIG. 3, the support unit includes a plurality of heating units 225 and a plurality of filters 225c corresponding to a plurality of regions. As described above, the body 230 may be connected to the high frequency power source 460 to function as an electrode. The filter 225c prevents coupling between the heating unit 225 and the high frequency power source 235a. As described above, the heating unit 225 receives the AC power and adjusts the temperature of the substrate. A filter 225c is provided to prevent coupling by AC power applied to the heating unit 225 and high frequency power provided by the RF power supply 235a.

도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 필터를 예시적으로 나타내는 회로도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 필터(225c)는 가변 소자를 포함할 수 있으며, 상기 가변 소자는 가변 커패시터 또는 가변 인덕터를 포함할 수 있다. 도 4에 도시된 필터는 가열부와 고주파 전원 사이의 커플링을 방지하기 위한 예시적인 대역 차단 필터이며, 필터의 형태는 이에 제한되지 않는다.4 is a circuit diagram exemplarily showing a filter according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4, the filter 225c may include a variable element, which may include a variable capacitor or a variable inductor. The filter shown in Fig. 4 is an exemplary band-stop filter for preventing coupling between the heating unit and the high-frequency power supply, and the form of the filter is not limited thereto.

필터 제작시 고정된 값을 갖는 소자, 즉 고정된 커패시턴스 또는 인덕턴스 값을 갖는 커패시터 또는 인덕터를 사용하는 경우, 필터를 이용한 플라즈마 공정 제어가 불가능하다. 그러나 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 발생 장치는, 필터(225c)가 가변형 소자를 포함하도록 하여 필터에 포함되는 가변형 소자의 소자값들을 공정 파라미터로 이용할 수 있으며, 필터를 이용한 플라즈마 공정 제어가 가능하다.In the case of using a device having a fixed value, that is, a capacitor or an inductor having a fixed capacitance or an inductance value, the plasma process control using the filter is impossible. However, in the plasma generating apparatus according to the embodiment of the present invention, since the filter 225c includes the variable element, the element values of the variable element included in the filter can be used as process parameters, and the plasma process control using the filter can be performed Do.

특히, 지지판을 복수 개의 영역으로 구분하여 복수 개의 가열부 및 복수 개의 필터를 이용하는 경우, 가변형 소자를 포함하는 필터를 이용하여 공정 비대칭을 용이하게 개선할 수 있다.Particularly, when the support plate is divided into a plurality of regions and a plurality of heating portions and a plurality of filters are used, the process asymmetry can be easily improved by using the filter including the variable element.

제어부는 가열부(225)로 전력을 인가하여 기판의 온도를 제어할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시 예에 있어서 제어부는 플라즈마 공정에 대한 데이터를 기반으로 필터에 포함되는 가변 소자를 제어할 수 있다. The control unit can control the temperature of the substrate by applying electric power to the heating unit 225. [ In addition, in an embodiment of the present invention, the controller may control the variable elements included in the filter based on the data of the plasma process.

도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 발생 장치 제어 방법(500)의 예시적인 흐름도이다.5 is an exemplary flowchart of a plasma generator control method 500 according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 발생 장치 제어 방법은, 플라즈마 공정에 대한 데이터를 입력받는 단계, 및 상기 데이터에 기반하여 상기 가변 소자의 소자값을 조절하는 단계를 포함할 수 있다. 구체적으로, 도 5를 참조하면, 플라즈마 공정에 대한 데이터를 입력받는 단계는, 복수 개의 공정 영역 각각에 대한 공정 데이터를 입력받는 단계(S510)를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 발생 장치 제어 방법은, 상기 복수 개의 공정 영역 각각에 대한 공정 데이터를 기반으로 플라즈마 공정 비대칭 정도를 판단하는 단계(S520)를 포함할 수 있다. 따라서, 상기 데이터에 기반하여 가변 소자의 소자값을 조절하는 단계는, 공정 비대칭이 개선되도록 가변 소자의 소자값을 각각 조절하는 단계(S530)를 포함할 수 있다.The method of controlling a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention may include receiving data for a plasma process, and adjusting an element value of the variable element based on the data. Specifically, referring to FIG. 5, the step of receiving data for the plasma process may include receiving process data for each of the plurality of process areas (S510). The method for controlling a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention may include determining a plasma process asymmetry degree based on process data for each of the plurality of process regions (S520). Therefore, adjusting the device value of the variable device based on the data may include adjusting the device value of the variable device so that the process asymmetry is improved (S530).

이상에서는, 상기 실시 예에서는 플라즈마를 이용하여 식각 공정을 수행하는 것으로 설명하였으나, 기판 처리 공정은 이에 한정되지 않으며, 플라즈마를 이용하는 다양한 기판 처리 공정, 예컨대 증착 공정, 애싱 공정, 그리고 세정 공정 등에도 적용될 수 있다. 또한, 상기 실시 예에서는 플라즈마 생성 유닛이, 용량 결합형 플라즈마(capacitive coupled plasma) 소스로 제공되는 구조로 설명하였다. 그러나, 이와 달리, 플라즈마 생성 유닛은 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma)로 제공될 수 있다. 유도 결합형 플라즈마는 안테나를 포함할 수 있다.Although the etching process is performed using the plasma in the above embodiment, the substrate process is not limited thereto, and may be applied to various substrate processing processes using plasma, such as a deposition process, an ashing process, and a cleaning process . Also, in the above embodiment, the plasma generating unit is provided as a capacitive coupled plasma source. Alternatively, however, the plasma generating unit may be provided as an inductively coupled plasma (ICP). The inductively coupled plasma may include an antenna.

이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속할 수 있음을 이해하여야 한다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에 도시된 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 반대로 여러 개로 분산된 구성 요소들은 결합 되어 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명에 대하여까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.It is to be understood that the above-described embodiments are provided to facilitate understanding of the present invention, and do not limit the scope of the present invention, and it is to be understood that various modified embodiments may be included within the scope of the present invention. For example, each component shown in the embodiment of the present invention may be distributed and implemented, and conversely, a plurality of distributed components may be combined. Therefore, the technical protection scope of the present invention should be determined by the technical idea of the claims, and the technical protection scope of the present invention is not limited to the literary description of the claims, The invention of a category.

10 : 기판 처리 장치
100 : 챔버
200 : 지지 유닛
210 : 지지판
280 : 가열 유닛
282 : 가열부
289 : 제어부
284 : 필터
300 : 가스 공급 유닛10: substrate processing apparatus
100: chamber
200: support unit
210:
280: Heating unit
282:
289:
284: Filter
300: gas supply unit

Claims

A support unit for supporting the substrate; And
A plasma generating apparatus comprising a high frequency power source for applying a high frequency power and generating or controlling plasma using the high frequency power to perform a plasma process on the substrate,
The support unit includes:
A support plate for supporting the substrate; And
And a heating unit for controlling the temperature of the substrate,
The heating unit includes:
A heating unit;
A controller for applying electric power to the heating unit; And
And a filter for preventing coupling between the heating unit and the high frequency power source, wherein the filter includes a variable element,
Wherein,
And controls the variable device based on data on the plasma process.

The method according to claim 1,
Wherein the data for the plasma process comprises at least one of a plasma process temperature, a generated plasma density, a uniformity of the generated plasma distribution, and an etch uniformity of the etched substrate due to the plasma process.

3. The method of claim 2,
The support plate is divided into a plurality of regions,
Wherein the heating unit includes a plurality of heating portions and a plurality of filters respectively corresponding to a plurality of regions of the support plate.

3. The method of claim 2,
Wherein,
Wherein the plasma generator is manually controlled by a user of the plasma generator.

3. The method of claim 2,
Wherein,
Wherein the plasma generator is automatically controlled based on data on the plasma process.

6. The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the support plate comprises an electrostatic chuck having an electrode for adsorbing the substrate by an electrostatic force.

A chamber having a space for performing a plasma process on the substrate;
A support unit positioned within the chamber and supporting the substrate;
A gas supply unit for supplying gas into the chamber; And
And a high-frequency power source for applying high-frequency power to control the plasma generated by the gas in the chamber or generated in the chamber,
The support unit includes:
A support plate for supporting the substrate; And
And a heating unit for controlling the temperature of the substrate,
The heating unit includes:
A heating unit;
A controller for applying electric power to the heating unit; And
And a filter for preventing coupling between the heating unit and the high frequency power source, wherein the filter includes a variable element,
Wherein,
And controls the variable device based on data on the plasma process.

8. The method of claim 7,
Wherein the data for the plasma process comprises at least one of a plasma process temperature, a generated plasma density, a uniformity of the generated plasma distribution, and an etch uniformity of the etched substrate due to the plasma process.

9. The method of claim 8,
The support plate is divided into a plurality of regions,
Wherein the heating unit includes a plurality of heating parts and a plurality of filters respectively corresponding to a plurality of areas of the support plate.

9. The method of claim 8,
Wherein,
And is manually controlled by a user of the substrate processing apparatus.

9. The method of claim 8,
Wherein,
Wherein the substrate processing apparatus is automatically controlled based on data on the plasma process.

12. The method according to any one of claims 7 to 11,
Wherein the support plate comprises an electrostatic chuck having an electrode for attracting the substrate to the electrostatic chuck.

A method for controlling a substrate processing apparatus according to claim 9,
The control unit receiving data for the plasma process; And
And controlling the element value of the variable element based on the data.

14. The method of claim 13,
Wherein the step of receiving data for the plasma process comprises:
And receiving data for each of the plurality of regions.

15. The method of claim 14,
The substrate processing apparatus control method includes:
Further comprising the step of the controller determining the degree of asymmetry of the plasma process based on the data for each of the plurality of regions,
The step of adjusting the element value of the variable element includes:
And adjusting a variable element value of each filter so as to improve asymmetry according to the degree of asymmetry.