KR101739975B1 - 웨이퍼 지지 플레이트 및 웨이퍼 지지 플레이트의 사용 방법 - Google Patents

Abstract

(과제) 다이싱 테이프를 사용하지 않고 웨이퍼를 하프커트 가능한 웨이퍼 지지 플레이트를 제공하는 것이다.
(해결수단) 웨이퍼를 지지하여 반송하기 위한 웨이퍼 지지 플레이트로서, 원형 오목부로 형성되며 웨이퍼를 수용하여 지지하는 웨이퍼 지지부와, 상기 원형 오목부의 바닥에 형성된 복수의 관통 구멍과, 상기 웨이퍼 지지부를 둘러싸고 가공 장치의 반송 수단이 작용되는 프레임부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

웨이퍼 지지 플레이트 및 웨이퍼 지지 플레이트의 사용 방법{WAFER SUPPORTING PLATE AND METHOD FOR USING WAFER SUPPORTING PLATE}

본 발명은, 웨이퍼를 지지하여 반송하기 위한 웨이퍼 지지 플레이트 및 그 사용 방법에 관한 것이다.

예를 들어, 반도체 디바이스 제조 프로세스에서는, 대략 원판형상인 반도체 웨이퍼의 표면에 격자형으로 형성된 스트리트(분할 예정 라인)에 의해 구획된 각 영역에 각각 IC, LSI 등의 디바이스를 형성하고, 상기 디바이스가 형성된 각 영역을 분할 예정 라인을 따라서 분할함으로써 개개의 디바이스를 제조하고 있다.

반도체 웨이퍼를 개개의 디바이스로 분할하는 분할 장치로는, 일반적으로 다이싱 장치라고 불리는 절삭 장치가 이용되고 있고, 이 절삭 장치는 매우 얇은 절삭 날을 갖는 절삭 블레이드에 의해 반도체 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라서 절삭하여, 웨이퍼를 개개의 디바이스로 분할한다. 이와 같이 하여 분할된 디바이스는, 패키징되어 휴대 전화나 PC 등의 전기 기기에 널리 이용되고 있다.

최근, 휴대 전화나 PC 등의 전기 기기는 보다 경량화, 소형화가 요구되고 있어, 보다 얇은 디바이스가 요구되고 있다. 웨이퍼를 보다 얇은 디바이스로 분할하는 기술로서, 소위 선(先)다이싱법이라고 칭하는 분할 기술이 개발되어 실용화되고 있다(예를 들어, 일본 특허 공개 평 11-40520호 공보 참조).

이 선다이싱법은, 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 분할 예정 라인을 따라서 정해진 깊이(디바이스의 마무리 두께에 해당하는 깊이)의 분할 홈을 형성하고, 그 후, 표면에 분할 홈이 형성된 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여 상기 이면에 분할 홈을 표출시켜 웨이퍼를 개개의 디바이스로 분할하는 기술이며, 디바이스의 두께를 50 ㎛ 이하로 가공하는 것이 가능하다.

선다이싱법에서는, 웨이퍼를 완전히 절단하지 않고 하프커트하기 때문에 풀커트시에 사용하는 다이싱 테이프를 사용할 필요가 없고, 다이싱 테이프를 절약하기 위해 하프커트를 실시하기 위한 전용 절삭 장치가 본 출원인에 의해 개발되어 있다(일본 특허 공개 제2004-235622호 공보 참조).

특허문헌 1: 일본 특허 공개 평11-40520호 공보 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2004-235622호 공보 특허문헌 3: 일본 특허 공개 제2005-166969호 공보

그러나, 특허문헌 2에 개시된 하프커트 전용 절삭 장치는 범용성이 없고, 하프커트를 실시하지 않는 경우는 가동이 중단되어 생산성이 나쁘다고 하는 문제가 있다. 한편, 다이싱 테이프를 개재하여 환상 프레임으로 웨이퍼를 지지하면, 일반적인 다이싱 테이프를 사용하여 하프커트를 실시할 수 있지만, 다이싱 테이프의 사용이 필요해져, 비경제적이라고 하는 문제가 있다.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적이라고 하는 바는, 웨이퍼를 하프커트할 때 다이싱 테이프를 사용할 필요가 없는 웨이퍼 지지 플레이트 및 그 사용 방법을 제공하는 것이다.

청구항 1에 기재된 발명에 의하면, 웨이퍼를 지지하여 반송하기 위한 웨이퍼 지지 플레이트로서, 원형 오목부로 형성되며 웨이퍼를 수용하여 지지하는 웨이퍼 지지부와, 상기 원형 오목부의 바닥에 형성된 복수의 관통 구멍과, 상기 웨이퍼 지지부를 둘러싸고 가공 장치의 반송 수단이 작용되는 프레임부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 플레이트가 제공된다.

바람직하게는, 원형 오목부의 바닥에는 미끄럼 방지 시트가 형성되어 있다.

청구항 3에 기재된 발명에 의하면, 웨이퍼를 유지하는 흡인력이 작용하는 유지면을 포함하는 척테이블과, 상기 척테이블에 유지된 웨이퍼에 정해진 가공을 하는 가공 수단과, 상기 척테이블에 웨이퍼를 반입하는 제1 반송 수단과, 상기 척테이블로부터 웨이퍼를 반출하는 제2 반송 수단을 포함하는 가공 장치에서의 청구항 1 또는 2에 기재된 웨이퍼 지지 플레이트의 사용 방법으로서, 웨이퍼가 수용된 상기 웨이퍼 지지 플레이트의 상기 프레임부에 상기 제1 반송 수단이 작용하여 웨이퍼를 상기 척테이블의 유지면에 반입하는 웨이퍼 반입 공정과, 상기 척테이블의 유지면에 흡인력을 작용시켜 상기 원형 오목부의 바닥에 형성된 상기 복수의 관통 구멍을 통해 웨이퍼를 흡인 유지하는 유지 공정과, 상기 가공 수단에 의해 웨이퍼에 정해진 가공을 실시하는 가공 공정과, 상기 척테이블로부터 웨이퍼를 반출하는 상기 제2 반송 수단을 상기 웨이퍼 지지 플레이트의 상기 프레임부에 작용시키고, 상기 척테이블의 유지면에 작용하는 흡인력을 해제하여 상기 척테이블로부터 웨이퍼를 반출하는 웨이퍼 반출 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 플레이트의 사용 방법이 제공된다.

바람직하게는, 웨이퍼 지지 플레이트의 원형 오목부의 깊이는, 웨이퍼에 형성되는 절삭 홈의 바닥부터 웨이퍼의 이면까지의 거리보다 얕아지도록 설정되어 있다.

본 발명의 웨이퍼 지지 플레이트로 웨이퍼를 지지함으로써, 하프커트를 실시하는 전용 절삭 장치를 사용하지 않더라도, 다이싱 테이프를 사용하지 않고 일반적인 다이싱 장치를 사용하여 웨이퍼를 하프커트하는 것이 가능해져 경제적이다. 또, 본 발명의 웨이퍼 지지 플레이트는 반복 사용할 수 있어 경제적이다.

또한, 웨이퍼에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저 빔을 웨이퍼의 표면에 조사하여 어블레이션(ablation) 가공을 하여 분할 홈을 형성하는 레이저 가공 장치, 및 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔을 웨이퍼의 내부에 집광하고 조사하여 웨이퍼 내부에 개질층을 형성하는 레이저 가공 장치에서도, 본 발명의 웨이퍼 지지 플레이트를 사용하는 것이 가능하여, 다이싱 테이프의 사용을 회피할 수 있어 경제적이다.

도 1은 절삭 장치의 외관 사시도이다.
도 2는 본 발명 실시형태의 웨이퍼 지지 플레이트로 웨이퍼를 지지하는 모습을 나타내는 분해 사시도이다.
도 3은 웨이퍼 지지 플레이트로 웨이퍼를 지지한 상태의 사시도이다.
도 4는 웨이퍼 지지 플레이트의 종단면도이다.
도 5는 웨이퍼 지지 플레이트로 지지된 웨이퍼를 절삭하고 있는 모습을 나타내는 사시도이다.

이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 웨이퍼 지지 플레이트를 사용하여 웨이퍼를 하프커트할 수 있는 절삭 장치(2)의 외관 사시도가 나타나 있다.

절삭 장치(2)의 전면(前面)측에는, 오퍼레이터가 가공 조건 등의 장치에 대한 지시를 입력하기 위한 조작 수단(4)이 설치되어 있다. 장치 상부에는, 오퍼레이터에 대한 안내 화면이나 후술하는 촬상 수단에 의해 촬상된 화상이 표시되는 CRT 등의 표시 수단(6)이 설치되어 있다.

도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 다이싱 대상인 디바이스 웨이퍼(W)의 표면에서는, 제1 스트리트(분할 예정 라인; S1)와 제2 스트리트(분할 예정 라인; S2)가 직교하여 형성되어 있고, 제1 스트리트(S1)와 제2 스트리트(S2)에 의해 구획되어 다수의 디바이스(D)가 웨이퍼(W) 상에 형성되어 있다. 11은 실리콘 웨이퍼(W)의 결정 방위를 나타내는 마크로서의 노치이다.

도 2를 참조하면, 웨이퍼(W)를 본 발명 실시형태의 웨이퍼 지지 플레이트(30)에 의해 지지하는 모습을 나타내는 분해 사시도가 나타나 있다. 웨이퍼 지지 플레이트(30)는, 웨이퍼(W)의 직경보다 약간 큰 직경을 갖는 원형 오목부(32)를 갖고 있고, 원형 오목부(32)의 바닥에는 복수의 관통 구멍(34)이 형성되어 있다. 또한, 원형 오목부(32)에 면하여 웨이퍼(W)의 노치(11)에 끼워 맞춰지는 돌기(31)가 형성되어 있다.

웨이퍼 지지 플레이트(30)는 원형 오목부(32)를 둘러싸는 프레임부(33)를 갖고 있고, 이 프레임부(33)에 절삭 장치(2)의 반송 수단이 작용하여 웨이퍼 지지 플레이트(30)를 반송한다. 웨이퍼 지지 플레이트(30)는 바람직하게는 수지로 형성되지만, 알루미늄 등의 금속으로 형성하도록 해도 좋다.

웨이퍼 지지 플레이트(30)는 웨이퍼(W)를 하프커트하기 위해 이용되기 때문에, 원형 오목부(32)의 깊이는 웨이퍼(W)에 형성되는 절삭 홈의 바닥부터 웨이퍼(W)의 이면까지의 거리보다 약간 얕은 깊이로 설정된다. 예를 들어, 웨이퍼(W)의 두께가 700 ㎛이고, 절삭 홈의 깊이를 100 ㎛로 하면, 원형 오목부(32)의 깊이는 600 ㎛보다 얕고, 예를 들어 500 ㎛로 설정된다.

원형 오목부(32)가 웨이퍼(W)를 지지하는 웨이퍼 지지부가 되고, 웨이퍼 지지 플레이트(30)의 돌기(31)를 웨이퍼(W)의 노치(11)에 끼워 맞춰지도록 하여, 웨이퍼(W)를 원형 오목부(32) 내에 삽입한 상태의 사시도가 도 3에 나타나 있다. 바람직하게는, 웨이퍼를 지지하는 원형 오목부(32)의 바닥에는, 도 4의 종단면도에서 나타낸 바와 같이, 미끄럼 방지 시트(36)가 형성되어 있다.

미끄럼 방지 시트(36)에도, 관통 구멍(34)에 연통하는 복수의 관통 구멍(37)이 형성되어 있다. 웨이퍼 지지부로서 작용하는 원형 오목부(32)의 바닥에 미끄럼 방지 시트(36)를 형성함으로써, 웨이퍼(W)를 웨이퍼 지지 플레이트(30)로 지지하여 반송중에 웨이퍼(W)가 원형 오목부(32)로부터 튀어나가는 것이 방지된다.

도 1을 다시 참조하면, 웨이퍼 카셋트(8) 내에 웨이퍼 지지 플레이트(30)로 지지된 웨이퍼(W)가 복수매 수용된다. 웨이퍼 카셋트(8)는 상하 이동 가능한 카세트 엘리베이터(9) 상에 배치된다.

웨이퍼 카셋트(8)의 후방에는, 웨이퍼 카셋트(8)로부터 절삭전의 웨이퍼(W)를 반출하고, 절삭후의 웨이퍼를 웨이퍼 카셋트(8)에 반입하는 반입 반출 수단(10)이 설치되어 있다.

웨이퍼 카셋트(8)와 반입 반출 수단(10) 사이에는, 반입 반출 대상인 웨이퍼(W)가 일시적으로 배치되는 영역인 임시 배치 영역(12)이 형성되어 있고, 임시 배치 영역(12)에는, 웨이퍼(W)를 일정한 위치에 위치 맞춤하는 위치 맞춤 수단(14)이 설치되어 있다.

임시 배치 영역(12)의 근방에는, 웨이퍼(W)를 지지한 웨이퍼 지지 플레이트(30)의 프레임부(33)를 흡착하여 반송하는 선회 아암을 갖는 반송 수단(16)이 설치되어 있고, 임시 배치 영역(12)으로 반출된 웨이퍼(W)는, 반송 수단(16)에 의해 흡착되어 척테이블(18) 상으로 반송되어, 이 척테이블(18)의 유지면 상에서 흡인되고, 복수의 클램프(19)에 의해 웨이퍼 지지 플레이트(30)의 프레임부(33)가 고정됨으로써 척테이블(18) 상에 유지된다.

척테이블(18)은, 회전 가능하게 그리고 X축 방향으로 왕복 이동 가능하게 구성되어 있고, 척테이블(18)의 X축 방향의 이동 경로의 위쪽에는, 웨이퍼(W)의 절삭해야 할 스트리트를 검출하는 얼라인먼트 수단(20)이 설치되어 있다.

얼라인먼트 수단(20)은, 웨이퍼(W)의 표면을 촬상하는 촬상 수단(22)을 포함하고 있어, 촬상에 의해 취득한 화상에 기초하여, 패턴 매칭 등의 처리에 의해 절삭해야 할 스트리트를 검출할 수 있다. 촬상 수단(22)에 의해 취득된 화상은, 표시 수단(6)에 표시된다.

얼라인먼트 수단(20)의 좌측에는, 척테이블(18)에 유지된 웨이퍼(W)에 대하여 절삭 가공을 하는 절삭 수단(24)이 설치되어 있다. 절삭 수단(24)은 얼라인먼트 수단(20)과 일체적으로 구성되어 있어, 양자가 연동하여 Y축 방향 및 Z축 방향으로 이동한다.

절삭 수단(24)은, 회전 가능한 스핀들(26)의 선단에 절삭 블레이드(28)가 장착되어 구성되고, Y축 방향 및 Z축 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 절삭 블레이드(28)는 촬상 수단(22)의 X축 방향의 연장선상에 위치하고 있다.

절삭이 종료한 웨이퍼(W)는, 반송 수단(25)에 의해 척테이블(18)로부터 반출되어 스피너 세정 장치(27)에 반송되어, 스피너 세정 장치(27)에서 스핀 세정 및 스핀 건조된다.

다음으로, 이와 같이 구성된 본 발명 실시형태의 웨이퍼 지지 플레이트(30)의 사용 방법에 관해 설명한다. 웨이퍼 지지 플레이트의 사용 방법은, 웨이퍼(W)가 수용 지지된 웨이퍼 지지 플레이트(30)의 프레임부(33)에 웨이퍼(W)를 반입하는 반송 수단(16)이 작용하여, 척테이블(18)의 유지면에 웨이퍼(W)를 반입하는 웨이퍼 반입 공정과, 척테이블(18)의 유지면에 흡인력을 작용시켜 웨이퍼 유지 플레이트(30)의 원형 오목부(32)의 바닥에 형성된 복수의 관통 구멍(34)을 통해 웨이퍼(W)를 흡인 유지하는 유지 공정을 포함하고 있다.

이와 같이 웨이퍼(W)를 웨이퍼 지지 플레이트(30)를 개재하여 척테이블(18)에서 흡인 유지하고 나서, 절삭 수단(가공 수단; 24)으로 웨이퍼(W)에 절삭 가공을 하는 절삭 공정을 실시한다. 이 절삭 공정을 도 5를 참조하여 설명한다.

도 5를 참조하면, 절삭 수단(24)에 의해 웨이퍼 지지 플레이트(30)에 지지된 웨이퍼(W)를 스트리트를 따라서 절삭하는 모습의 사시도가 나타나 있다. 25는 절삭 수단(24)의 스핀들 하우징이며, 스핀들 하우징(25) 내에 도시하지 않은 서보 모터에 의해 회전 구동되는 스핀들(26)이 회전 가능하게 수용되어 있다. 절삭 블레이드(28)는 전기 주조 블레이드이며, 니켈 모재 중에 다이아몬드 지립이 분산되어 이루어진 절삭 날(28a)을 그 외측 둘레부에 갖고 있다.

40은 절삭 블레이드(28)를 커버하는 블레이드 커버이며, 절삭 블레이드(28)의 측면을 따라서 신장되는 도시하지 않은 절삭수 노즐 및 절삭수를 절삭 블레이드(28)의 절삭 날(28a)과 웨이퍼(W)의 접촉 영역에 분사하는 절삭수 분사 노즐(46)이 부착되어 있다.

절삭수 공급부(44)로부터의 절삭수가 파이프(42)를 통해 도시하지 않은 절삭수 노즐에 공급되고, 파이프(48)를 통해 절삭수 분사 노즐(46)에 공급된다. 절삭수는 절삭수 공급부(44)에서, 예를 들어 약 0.3 MPa로 가압되고 있고, 절삭수 분사 노즐(46)로부터는 매분 1.6∼20 리터의 유량으로 분사된다.

50은 착탈 커버이며, 나사(52)에 의해 블레이드 커버(40)에 착탈 가능하게 부착되어 있다. 착탈 커버(50)는 절삭 블레이드(28)의 측면을 따라서 신장되는 절삭수 노즐(54)을 갖고 있고, 절삭수는 파이프(56)를 통해 절삭수 노즐(54)에 공급된다.

60은 절삭 블레이드(28)의 절삭 날(28a)의 이지러짐 또는 마모를 검출하는 블레이드 센서를 내장한 블레이드 검출 블록이며, 나사(62)에 의해 블레이드 커버(40)에 착탈 가능하게 부착되어 있다. 블레이드 검출 블록(60)은, 블레이드 센서의 위치를 조정하는 조정 나사(64)를 갖고 있다.

웨이퍼 지지 플레이트(30)에 지지된 웨이퍼(W)를 스트리트(S1, S2)를 따라서 절삭하기 전에, 잘 알려져 있는 패턴 매칭 등의 방법으로, 절삭해야 할 스트리트(S1, S2)와 절삭 블레이드(28)의 얼라인먼트를 실시한다.

얼라인먼트 실시후, 제1 스트리트(S1)와 절삭 블레이드(28)의 위치 맞춤을 행하여, 척테이블(18)을 도 5에서 화살표 X로 나타내는 X축 방향으로 이동시키고, 절삭 블레이드(28)를 화살표 A의 방향으로 고속 회전(예를 들어 30000 rpm)시키면서 절삭 수단(24)을 하강시켜, 위치 맞춤된 제1 스트리트(S1)에 정해진 깊이(디바이스의 마무리 두께에 해당하는 깊이)의 분할 홈을 형성한다.

이 분할 홈의 깊이는, 웨이퍼 지지 플레이트(30)의 프레임부(33)의 상면에 닿지 않는 깊이, 예를 들어 100 ㎛로 한다. 이와 같이 절삭 블레이드(28)로 웨이퍼(W)를 하프커트함으로써, 웨이퍼 지지 플레이트(30)를 손상하지 않고 정해진 깊이의 분할 홈을 형성할 수 있다.

메모리에 기억된 스트리트 피치씩 절삭 수단(24)을 Y축 방향으로 인덱스 이송하면서 절삭을 행함으로써, 제1 스트리트(S1)가 모두 하프커트되어, 동일한 분할 홈이 형성된다. 또한, 척테이블(18)을 90도 회전시키고 나서, 상기와 동일한 절삭을 행하면, 제2 스트리트(S2)가 모두 하프커트되어 동일한 분할 홈이 형성된다.

이와 같이 모든 스트리트(S1, S2)를 하프커트하는 가공 공정 실시후, 척테이블(18)의 흡인력을 해제하고 나서, 반송 수단(25)의 흡착부를 웨이퍼 지지 플레이트(30)의 프레임부(33)에 작용시켜 웨이퍼 지지 플레이트(30)를 흡인 유지하여, 스피너 세정 장치(27)까지 반송하여, 스피너 세정 장치(27)로 웨이퍼(W)를 스핀 세정 및 스핀 건조한다.

이어서, 웨이퍼(W)의 표면에 보호 테이프를 점착한 후, 연삭 장치를 사용한 이면 연삭 공정에 의해, 분할 홈이 형성된 웨이퍼의 이면을 연삭하여 상기 이면에 분할 홈을 표출시킴으로써, 웨이퍼(W)를 개개의 디바이스(D)로 분할할 수 있다.

전술한 본 발명의 실시형태에 의하면, 웨이퍼 지지 플레이트(30)로 웨이퍼(W)를 지지함으로써, 하프커트를 실시하는 전용 절삭 장치를 사용하지 않더라도, 일반적인 다이싱 장치를 사용하고 또한 다이싱 테이프를 사용하지 않고 웨이퍼(W)를 하프커트하는 것이 가능해져, 매우 경제적이다. 또, 웨이퍼 지지 플레이트(30)는 반복 사용할 수 있으므로 경제적이다.

전술한 실시형태에서는 본 발명의 웨이퍼 지지 플레이트(30)를 절삭 장치(2)에 적용한 예에 관해 설명했지만, 본 발명의 웨이퍼 지지 플레이트(30)는 이 사용 방법에 한정되지 않고, 웨이퍼(W)에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저 빔을 웨이퍼(W)의 표면에 조사하여 어블레이션 가공을 하여 분할 홈을 형성하는 레이저 가공 장치 및 웨이퍼(W)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔을 웨이퍼(W)의 내부에 집광하고 조사하여 웨이퍼 내부에 개질층을 형성하는 레이저 가공 장치에도 마찬가지로 사용할 수 있다.

2 : 절삭 장치 18 : 척테이블
24 : 절삭 수단 28 : 절삭 블레이드
30 : 웨이퍼 지지 플레이트 32 : 원형 오목부(웨이퍼 지지부)
33 : 프레임부 34 : 관통 구멍

Claims (5)

1. 웨이퍼를 유지하는 흡인력이 작용하는 유지면을 포함하는 척테이블과, 상기 척테이블에 유지된 웨이퍼에 정해진 가공을 실시하는 가공 수단과, 상기 척테이블에 웨이퍼를 반입하는 제1 반송 수단과, 상기 척테이블로부터 웨이퍼를 반출하는 제2 반송 수단을 포함하는 가공 장치에서 사용되는, 웨이퍼를 지지하여 반송하기 위한 웨이퍼 지지 플레이트의 사용 방법으로서,
   상기 웨이퍼 지지 플레이트는 원형 오목부로 형성되며 웨이퍼를 수용하여 지지하는 웨이퍼 지지부와, 상기 원형 오목부의 바닥에 형성된 복수의 관통 구멍과, 상기 웨이퍼 지지부를 둘러싸고 상기 가공 장치의 상기 제1 반송 수단 및 상기 제2 반송 수단이 작용되는 프레임부를 포함하고,
   상기 가공 수단은 웨이퍼에 절삭 가공을 실시하는 절삭 블레이드를 포함하는 절삭 수단으로 구성되며,
   웨이퍼가 수용된 상기 웨이퍼 지지 플레이트의 상기 프레임부에 상기 제1 반송 수단이 작용하여, 웨이퍼를 상기 척테이블의 유지면에 반입하는 웨이퍼 반입 공정과,
   상기 척테이블의 유지면에 흡인력을 작용시켜 상기 원형 오목부의 바닥에 형성된 상기 복수의 관통 구멍을 통해 웨이퍼를 흡인 유지하는 유지 공정과,
   상기 가공 수단에 의해 상기 웨이퍼 지지 플레이트에 지지된 웨이퍼에 절삭 홈을 형성하는 가공 공정과,
   상기 척테이블로부터 웨이퍼를 반출하는 상기 제2 반송 수단을 상기 웨이퍼지지 플레이트의 상기 프레임부에 작용시키고, 상기 척테이블의 유지면에 작용하는 흡인력을 해제하여 상기 척테이블로부터 웨이퍼를 반출하는 웨이퍼 반출 공정
   을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 플레이트의 사용 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 원형 오목부의 바닥에는 미끄럼 방지 시트가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 플레이트의 사용 방법.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 웨이퍼 지지 플레이트의 상기 원형 오목부의 깊이는, 웨이퍼에 형성되는 절삭 홈의 바닥부터 웨이퍼의 이면까지의 거리보다 얕은 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 플레이트의 사용 방법.
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5. 삭제

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