KR101735885B1 - 발광 소자, 표시 장치 및 조명 장치 - Google Patents
발광 소자, 표시 장치 및 조명 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101735885B1 KR101735885B1 KR1020140059699A KR20140059699A KR101735885B1 KR 101735885 B1 KR101735885 B1 KR 101735885B1 KR 1020140059699 A KR1020140059699 A KR 1020140059699A KR 20140059699 A KR20140059699 A KR 20140059699A KR 101735885 B1 KR101735885 B1 KR 101735885B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light
- layer
- interface
- light emitting
- reflection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
- H10K50/131—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit with spacer layers between the electroluminescent layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
도 2는, 실시례 1의 표시 장치의 모식적인 일부 단면도.
도 3의 A 및 도 3의 B는, 각각, 실시례 1의 발광 소자 및 비교례 1의 발광 소자에서의 간섭 필터의 광투과율을 계산한 결과를 도시하는 그래프.
도 4의 A 및 도 4의 B는, 각각, 실시례 1의 표시 장치 및 비교례 1의 표시 장치에서, 제2 광투명층의 두께를 변화시킨 때의, 시야각을 파라미터로 한 휘도 변화(Y/Y0)의 시뮬레이션 결과를 도시하는 그래프.
도 5의 A 및 도 5의 B는, 각각, 실시례 1의 표시 장치 및 비교례 1의 표시 장치에서, 시야각을 파라미터로 한 색도 변화(Δuv)의 시뮬레이션 결과를 도시하는 그래프.
도 6의 A 및 도 6의 B는, 각각, 실시례 2 및 참고례의 발광 소자에서의 간섭 필터의 광투과율을 계산한 결과를 도시하는 그래프.
도 7의 A 및 도 7의 B는, 각각, 실시례 2의 표시 장치에서, 시야각을 파라미터로 한 휘도 변화(Y/Y0)의 시뮬레이션 결과를 도시하는 그래프, 및, 시야각을 파라미터로 한 색도 변화(Δuv)의 시뮬레이션 결과를 도시하는 그래프.
도 8은, 실시례 2의 발광 소자를 구성하는 각 층의 구성도.
도 9는, 실시례 3의 표시 장치의 모식적인 일부 단면도.
도 10은, 실시례 4의 조명 장치의 모식적인 일부 단면도.
여기서, 상기한 λ22≤λ2-15 또는 λ23 ≥λ2+15의 식에서, "λ22≤λ2-15"를 채용하면, 제2 반사 계면부터 제2 발광층의 발광 중심까지의 광학 거리(L22)를 규정함으로써, 간섭 필터의 광투과율 곡선의 평탄화를 도모할 수 있고, "λ23 ≥λ2+15"를 채용하면, 제3 반사 계면부터 제2 발광층의 발광 중심까지의 광학 거리(L23)를 규정함으로써, 간섭 필터의 광투과율 곡선의 평탄화를 도모할 수 있다. 또한, "λ22≤λ2-15"를 채용하는지, "λ23 ≥λ2+15"를 채용하는지는, 설계 사항(事項)이다. 마찬가지로, λ23≤λ2-15 또는 λ22 ≥λ2+15의 식에서, "λ23≤λ2-15"를 채용하면, 제3 반사 계면부터 제2 발광층의 발광 중심까지의 광학 거리(L23)를 규정함으로써, 간섭 필터의 광투과율 곡선의 평탄화를 도모할 수 있고, "λ22 ≥λ2+15"를 채용하면, 제2 반사 계면부터 제2 발광층의 발광 중심까지의 광학 거리(L22)를 규정함으로써, 간섭 필터의 광투과율 곡선의 평탄화를 도모할 수 있다. 또한, "λ23≤λ2-15"를 채용하는지, "λ22 ≥λ2+15"를 채용하는지도, 설계 사항이다. 나아가서는, "λ22≤λ2-15 또는 λ23 ≥λ2+15"를 채용하는지, "λ23≤λ2-15 또는 λ22 ≥λ2+15"를 채용하는지도, 설계 사항이다. 여기서, 광학 거리(L)는, 광이 통과한 매질의 굴절률의 파장 의존성을 고려한 값이다.
11, 111 : 제1 기판
12, 112 : 제2 기판
113 : 밀봉 부재
21 : 게이트 전극
22 : 게이트 절연막
23 : 소스/드레인 영역
24 : 채널 형성 영역
25, 25A, 25B : 층간 절연층
26 : 배선
26A : 콘택트 플러그
27 : 콘택트 플러그
28 : 절연층
29 : 접착층
31 : 제1 전극
32 : 제2 전극
33 : 유기층
34 : 제1 발광층
35 : 제2 발광층
41 : 제1 광투명층
42 : 제2 광투명층
42A : 제2 광투명층(제4 광투명층)
42B : 제2 광투명층
43 : 제3 광투명층
RF1 : 제1 반사 계면
RF2 : 제2 반사 계면
RF3 : 제3 반사 계면
RF4 : 제4 반사 계면
RF5 : 제5 반사 계면
Claims (18)
- 제1 전극,
제2 전극, 및,
제1 전극과 제2 전극의 사이에 마련되고, 제1 전극측부터 제1 발광층 및 제2 발광층이 적층되어 이루어지는 유기층을 구비하고 있고,
유기층으로부터의 광이, 제1 발광층과 제1 전극과의 계면에서 반사되고, 제2 전극을 통과하여, 외부에 출사되는 발광 소자로서,
제2 발광층의 제1 발광층과는 반대측에는, 제2 발광층측부터, 제1 광투명층, 제2 광투명층 및 제3 광투명층이 마련되어 있고,
이하의 식(1) 및 식(2)을 만족하고,
식(3-A), 식(3-B), 식(3-C) 및 식(3-D)의 어느 하나의 식을 만족하고, 또한,
식(4-A), 식(4-B), 식(4-C), 식(4-D), 식(4-E) 및 식(4-F)의 어느 하나의 식을 만족하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
단,
λ1 : 제1 발광층에서의 발광의 파장역의 중심 파장(단위 : ㎚)
λ2 : 제2 발광층에서의 발광의 파장역의 중심 파장(단위 : ㎚)
L11 : 제1 발광층과 제1 전극과의 계면인 제1 반사 계면부터, 제1 발광층의 발광 중심까지의 광학 거리(단위 : ㎚)
L12 : 제2 발광층과 제1 광투명층과의 계면인 제2 반사 계면부터, 제1 발광층의 발광 중심까지의 광학 거리(단위 : ㎚)
L13 : 제1 광투명층과 제2 광투명층과의 계면인 제3 반사 계면부터, 제1 발광층의 발광 중심까지의 광학 거리(단위 : ㎚)
L14 : 제2 광투명층과 제3 광투명층과의 계면인 제4 반사 계면부터, 제1 발광층의 발광 중심까지의 광학 거리(단위 : ㎚)
L21 : 제1 반사 계면부터 제2 발광층의 발광 중심까지의 광학 거리(단위 : ㎚)
L22 : 제2 반사 계면부터 제2 발광층의 발광 중심까지의 광학 거리(단위 : ㎚)
L23 : 제3 반사 계면부터 제2 발광층의 발광 중심까지의 광학 거리(단위 : ㎚)
φ1 : 제1 반사 계면에서 반사될 때의 광의 위상 변화(단위 : 라디안)
φ2 : 제2 반사 계면에서 반사될 때의 광의 위상 변화(단위 : 라디안)
φ3 : 제3 반사 계면에서 반사될 때의 광의 위상 변화(단위 : 라디안)
φ4 : 제4 반사 계면에서 반사될 때의 광의 위상 변화(단위 : 라디안)이고,
m1은 0 이상의 정수,
n1은 0 이상의 정수,
m2, m3, n2 및 n3은 정수이고,
m4=m3 또는 m4=m3+1 또는 m4=m3-1이다. - 제1항에 있어서,
제1 반사 계면, 제2 반사 계면, 제3 반사 계면 및 제4 반사 계면에 의해 간섭 필터가 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 제1항에 있어서,
제2 광투명층의 광학적 두께(t2)는,
0.2*λ1≤t2≤0.34*λ1를 만족하는 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 제1항에 있어서,
시야각이 45도일 때의 휘도의 저하가, 시야각이 0도일 때의 휘도에 대해 30% 이하인 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 제1항에 있어서,
시야각이 45도일 때의 색도 어긋남(Δuv)의 값은 0.015 이하인 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 제1항에 있어서,
제2 전극은 두께가 5㎚ 이하인 금속층이 마련되어있는 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 제1항에 있어서,
제1 광투명층, 제2 광투명층, 및 상기 제3 광투명층 중의 적어도 하나는 복수의 서브층(sublayer)을 포함하고, 제1의 서브층과 제2의 서브층의 서브층 계면이 존재하는 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 제1항에 있어서,
제1의 발광층 및 제2의 발광층 중의 적어도 한쪽의 발광층은, 2색 이상의 다른 색의 광을 발광하는 이색 발광층으로 이루어지고,
이색 발광층의 발광 중심이 1수준에 있다고 간주할 수가 없는 경우에 제4 광투명층을 더 포함하고,
1수준으로 간주되지 않는 이색 발광층의 발광 중심은, 이색 발광층의 제1색의 발광 중심이 이색 발광층의 제2색의 발광 중심으로부터 떨어져 있다는 것을 나타내는 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 제8항에 있어서,
제1 발광층과 제1 전극과의 계면인 제1 반사 계면, 및, 제2 발광층, 제1 광투명층, 제2 광투명층, 제3 광투명층 및 제4 광투명층에 의해 구성되는 제2 반사 계면, 제3 반사 계면, 제4 반사 계면 및 제5 반사 계면에 의해 간섭 필터가 구성되어 있고,
이색 발광층부터 출사되고, 계외에 출사되는 일방의 광에 대한 간섭 필터의 광투과율 곡선의 파장을 변수로 한 변화와, 이색 발광층부터 출사되고, 계외에 출사되는 타방의 광에 대한 간섭 필터의 광투과율 곡선의 파장을 변수로 한 변화는, 같은 경향을 나타내는 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 제1항에 있어서,
기판상에, 제1 전극, 유기층 및 제2 전극이, 이 순서로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 제10항에 있어서,
제3 광투명층의 제2 광투명층과는 반대측의 면에는, 또한, 두께가 0.5㎛ 이상의 투명 도전 재료층, 투명 절연층, 수지층, 유리층 또는 공기층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 제1항에 있어서,
기판상에, 제2 전극, 유기층 및 제1 전극이, 이 순서로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 제12항에 있어서,
제3 광투명층의 제2 광투명층과는 반대측의 면에는, 두께가 1㎛ 이상의 투명 도전 재료층, 투명 절연층, 수지층, 유리층 또는 공기층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 제1 전극,
제2 전극, 및,
제1 전극과 제2 전극의 사이에 마련되고, 제1 전극측부터 제1 발광층 및 제2 발광층이 마련된 유기층을 구비하고,
유기층으로부터의 광이, 제1 발광층과 제1 전극을 포함하는 제1 반사 계면에서 반사되고, 제2 전극을 통과하여, 외부에 출사되는 발광 소자로서,
제1 광투명층, 제2 광투명층, 및 제3 광투명층이, 제2 발광층의 한쪽 측에서, 제2 발광층측부터 마련되고,
제1 발광층의 반대측, 제2 발광층측상의 제1 광투명층은 제2 반사 계면을 형성하고,
제1 광투명층과 제2 광투명층은 제3 반사 계면을 구성하고,
제2 광투명층과 제3 광투명층은 제4 반사 계면을 구성하고,
제1 반사 계면, 제2 반사 계면, 제3 반사 계면, 및 제4 반사 계면은 간섭 필터를 구성하고,
제1 반사 계면은, 이하의 (조건-1)을 만족하도록, 배치되고,
제2 반사 계면, 제3 반사 계면, 및 제4 반사 계면은, 이하의 (조건-2A) 및 (조건-2B) 중의 한쪽을 만족하고, 또한, 제2 반사 계면 및 제3 반사 계면은, 이하의 (조건-3A), (조건-3B) 및 (조건-3C) 중의 어느 하나의 조건을 만족하도록, 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
(조건-1)
제1 발광층부터의 광의 제1 반사 계면에서의 반사가 강해지고, 또한, 제2 발광층부터의 광의 제1 반사 계면에서의 반사가 강해진다.
(조건-2A)
제1 발광층부터의 광의 제2 반사 계면에서의 반사가 약해지는 경우에, 제1 발광층부터의 광의 제3 반사 계면에서의 반사가 강해지고, 또한, 상기 제1 발광층부터의 광의 제4 반사 계면에서의 반사가, 제1 발광층부터의 광의 제3 반사 계면에서 반사가 강해지는 차수와 같은 차수, 또는, 1 낮은 차수, 또는, 1 높은 차수에서 약해진다.
(조건-2B)
제1 발광층부터의 광의 제2 반사 계면에서의 반사가 강해지는 경우에, 제1 발광층부터의 광의 제3 반사 계면에서의 반사가 약해지고, 제1 발광층부터의 광의 제4 반사 계면에서의 반사가, 제1 발광층부터의 광의 제4 반사 계면에서 반사가 강해지는 차수와 같은 차수, 또는, 1 낮은 차수, 또는, 1 높은 차수에서 약해진다.
(조건-3A)
제2 발광층부터의 광의 제2 반사 계면에서의 반사가 약해지는 경우에, 제2 발광층부터의 광의 제3 반사 계면에서의 반사가 강해진다.
(조건-3B)
제2 발광층부터의 광의 제2 반사 계면에서의 반사가 강해지는 경우에, 제2 발광층부터의 광의 제3 반사 계면에서의 반사가 약해진다.
(조건-3C)
제2 발광층부터의 광의 제2 반사 계면에서의 반사가 약해지고, 또한, 제2 발광층부터의 광의 제3 반사 계면에서의 반사가 약해진다. - 제14항에 있어서,
간섭 필터의 광투과율의 피크 위치가, 제1 발광층부터의 광의 발광 스펙트럼의 피크로부터 어긋나고, 또한, 제2 발광층부터의 광의 발광 스펙트럼의 피크로부터 어긋나도록, 제2 반사 계면의 위치가 결정되고,
간섭 필터의 광투과율은 제1 발광층으로부터 발광된 광 및 제2 발광층으로부터 발광된 광에 의거하는 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 제14항에 있어서,
간섭 필터의 광투과율의 피크 위치가, 제1 발광층부터의 광의 발광 스펙트럼의 피크로부터 어긋나고, 또한, 제2 발광층부터의 광의 발광 스펙트럼의 피크로부터 어긋나도록, 제3 반사 계면의 위치가 결정되고,
간섭 필터의 광투과율은 제1 발광층으로부터 발광된 광 및 제2 발광층으로부터 발광된 광에 의거하는 것을 특징으로 하는 발광 소자. - 제1항에 기재된 발광 소자가 2차원 매트릭스형상으로 배열되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1항에 기재된 발광 소자를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 조명 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013110214A JP2014229566A (ja) | 2013-05-24 | 2013-05-24 | 発光素子、表示装置及び照明装置 |
JPJP-P-2013-110214 | 2013-05-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140138041A KR20140138041A (ko) | 2014-12-03 |
KR101735885B1 true KR101735885B1 (ko) | 2017-05-29 |
Family
ID=51934788
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140059699A Active KR101735885B1 (ko) | 2013-05-24 | 2014-05-19 | 발광 소자, 표시 장치 및 조명 장치 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140346480A1 (ko) |
JP (1) | JP2014229566A (ko) |
KR (1) | KR101735885B1 (ko) |
CN (1) | CN104185331B (ko) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015002075A (ja) | 2013-06-14 | 2015-01-05 | ソニー株式会社 | 発光素子、表示装置及び照明装置 |
JP6286941B2 (ja) | 2013-08-27 | 2018-03-07 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、電子機器 |
KR102453566B1 (ko) | 2015-06-01 | 2022-10-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
WO2017169563A1 (ja) | 2016-03-31 | 2017-10-05 | ソニー株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
CN110544707B (zh) * | 2018-05-29 | 2023-06-06 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 发光装置 |
KR20220038911A (ko) * | 2020-09-21 | 2022-03-29 | (주)피엔에이치테크 | 복합 굴절률을 갖는 광효율 개선층을 구비한 유기발광소자 |
CN115332420B (zh) * | 2022-10-13 | 2023-01-31 | 季华实验室 | 一种植入式μLED光电极 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011159432A (ja) | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Sony Corp | 発光素子、照明装置および表示装置 |
JP2011159433A (ja) | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Sony Corp | 発光装置、照明装置および表示装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7230271B2 (en) * | 2002-06-11 | 2007-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof |
JP2006244712A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
KR100813850B1 (ko) * | 2007-03-29 | 2008-03-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 장치 |
KR101434361B1 (ko) * | 2007-10-16 | 2014-08-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 백색 유기 전계 발광소자 및 이를 이용한 컬러 디스플레이장치 |
JP2010060930A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Seiko Epson Corp | 光学干渉フィルタ、表示装置および電子機器 |
KR20110057673A (ko) * | 2009-11-24 | 2011-06-01 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 조명 장치 |
JP2012238544A (ja) * | 2011-05-13 | 2012-12-06 | Sony Corp | 表示素子および表示装置ならびに電子機器 |
KR101893355B1 (ko) * | 2011-06-30 | 2018-10-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
JP6000703B2 (ja) * | 2011-08-12 | 2016-10-05 | キヤノン株式会社 | 有機el素子、及びこれを用いた発光装置、画像形成装置、発光素子アレイ、撮像装置、表示装置 |
KR20140090346A (ko) * | 2013-01-07 | 2014-07-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 |
-
2013
- 2013-05-24 JP JP2013110214A patent/JP2014229566A/ja active Pending
-
2014
- 2014-05-15 US US14/278,757 patent/US20140346480A1/en not_active Abandoned
- 2014-05-16 CN CN201410209124.0A patent/CN104185331B/zh active Active
- 2014-05-19 KR KR1020140059699A patent/KR101735885B1/ko active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011159432A (ja) | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Sony Corp | 発光素子、照明装置および表示装置 |
JP2011159433A (ja) | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Sony Corp | 発光装置、照明装置および表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20140138041A (ko) | 2014-12-03 |
JP2014229566A (ja) | 2014-12-08 |
US20140346480A1 (en) | 2014-11-27 |
CN104185331B (zh) | 2017-06-16 |
CN104185331A (zh) | 2014-12-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10930889B2 (en) | Light-emitting device, display apparatus, and illumination apparatus | |
KR101735885B1 (ko) | 발광 소자, 표시 장치 및 조명 장치 | |
KR101894898B1 (ko) | 발광 장치 및 발광 장치를 사용한 전자 기기 | |
CN101821872B (zh) | 具有改善的光输出的led设备 | |
KR101380869B1 (ko) | 미소공진기 색변환 el소자 및 이것을 이용한 유기 el디스플레이 | |
KR101056679B1 (ko) | 유기 발광 소자 및 표시장치 | |
US8736161B2 (en) | Light-emitting device, illumination apparatus, and display apparatus | |
US8860302B2 (en) | Light-emitting apparatus, illumination apparatus, and display apparatus | |
JP4431125B2 (ja) | 平板ディスプレイ装置及びその製造方法 | |
US9111882B1 (en) | Organic light emitting device and fabricating method thereof | |
US8946684B2 (en) | Light-emitting device, illumination apparatus, and display apparatus | |
KR20190015207A (ko) | 발광 소자, 및, 발광 소자를 구비한 표시 장치 | |
JP2018067500A (ja) | 表示装置 | |
WO2013115136A1 (ja) | 表示装置 | |
KR101695376B1 (ko) | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 | |
JP2013157278A (ja) | 発光装置、画像形成装置及び撮像装置 | |
JP2013058446A (ja) | 表示装置 | |
JP6843727B2 (ja) | 発光装置 | |
KR20060050863A (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 이것을 구비한 유기 전계 발광장치 | |
KR102113609B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 | |
KR20160042361A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
KR20220096058A (ko) | 표시 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20140519 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20150915 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20140519 Comment text: Patent Application |
|
N231 | Notification of change of applicant | ||
PN2301 | Change of applicant |
Patent event date: 20150916 Comment text: Notification of Change of Applicant Patent event code: PN23011R01D |
|
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20160930 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20170420 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20170508 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20170508 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20200504 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20210430 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20220429 Start annual number: 6 End annual number: 6 |