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KR101672076B1 - Method for chamfering wafer, apparatus for chamfering wafer, and jig for adjusting angle of grindstone - Google Patents

Method for chamfering wafer, apparatus for chamfering wafer, and jig for adjusting angle of grindstone Download PDF

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KR101672076B1
KR101672076B1 KR1020130094874A KR20130094874A KR101672076B1 KR 101672076 B1 KR101672076 B1 KR 101672076B1 KR 1020130094874 A KR1020130094874 A KR 1020130094874A KR 20130094874 A KR20130094874 A KR 20130094874A KR 101672076 B1 KR101672076 B1 KR 101672076B1
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wafer
grindstones
disk
cup
grooved
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이치로 가타야마
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다이토 일렉트론 가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 2개의 홈없는 숫돌을 사용하는 웨이퍼의 면취 가공 방법에 있어서, 홈없는 숫돌의 정형(트루잉)에 걸리는 시간을 단축한다. 또한, 홈없는 숫돌과 웨이퍼의 접촉 길이를 크게 하여, 웨이퍼의 축경 가공과 웨이퍼를 원하는 단면 형상으로 가공하는 컨터링 가공에 필요로 하는 시간을 단축한다.
[해결수단] 회전 테이블상에 웨이퍼(1)를 심출하여 재치하고, 회전시키며, 이 회전하는 웨이퍼(1)를 가공하는 2개의 홈없는 숫돌(3,3)을 웨이퍼 주단부(1a)에 접촉시켜 웨이퍼(1)의 직경 또는 단면 형상을 면취하는 면취 가공 방법으로서, 상기 2개의 홈없는 숫돌(3,3)의 폭방향의 중심선(L,L)을, 상기 회전 테이블상에 재치된 상기 웨이퍼(1)의 회전축(S)측을 향하여 서로 근접시켜 배치하고, 상기 웨이퍼(1)에 접촉시키는 것을 특징으로 한다.[PROBLEMS] To shorten the time required for shaping (truing) of a groove-less grinding wheel in a chamfering method of a wafer using two grooved grinding wheels. In addition, the contact length between the groove-free grindstone and the wafer is increased, thereby shortening the time required for the diameter reduction of the wafer and the contouring processing for processing the wafer into a desired cross-sectional shape.
The present invention relates to a polishing apparatus for polishing a wafer 1 on a rotating table by placing the wafer 1 on a rotating table and placing the wafer 1 on a rotating table, Wherein the center lines (L, L) in the width direction of the two groove-less grinding wheels (3, 3) are set so that the width of the wafer (1) placed on the rotary table (S) side of the wafer (1) and are brought into contact with the wafer (1).

Description

웨이퍼의 면취 가공 방법, 웨이퍼의 면취 가공 장치 및 숫돌 각도 조정용 지그{METHOD FOR CHAMFERING WAFER, APPARATUS FOR CHAMFERING WAFER, AND JIG FOR ADJUSTING ANGLE OF GRINDSTONE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a method of chamfering a wafer, a method of chamfering a wafer, and a jig for adjusting an angle of a grinding wheel,

본 발명은, 반도체 디바이스의 재료로 되는 웨이퍼나, 반도체 디바이스를 부착한 웨이퍼의 주단부(周端部)를 가공하는 방법이나 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer as a material of a semiconductor device and a method and apparatus for processing a peripheral end portion of a wafer to which a semiconductor device is attached.

각종 결정 웨이퍼 그 외의 반도체 디바이스 웨이퍼 등의 집적회로용 기판으로서 이용되는 원반 형상 박판재, 그 외 금속재료를 포함한 단단한 재료로 이루어지는 원반 형상 박판재, 예를 들면 실리콘(Si) 단결정, 갈륨 비소(GaAs), 수정, 석영, 사파이어, 페라이트, 탄화규소(SiC) 등으로 이루어지는 것(이들을 총칭하여 간단히 웨이퍼라고 한다)의 면취 가공에서는, 단면 형상이나 단면 형상 정밀도를 얻기 때문에, 가공해야 할 웨이퍼 주단부의 외부 형상을 형성한 홈을 갖는 홈 형성 총형(總形) 숫돌을 이용하여 가공하는 것이 있다(특허문헌 1, 2).(Si) monocrystal, gallium arsenide (GaAs), or the like, which is made of a hard material including other metal materials, for example, a silicon wafer, In the chamfering of quartz, sapphire, ferrite, silicon carbide (SiC) or the like (collectively referred to simply as a wafer), the cross-sectional shape and the cross-sectional shape accuracy are obtained. Shaped grooves having grooves formed thereon (Patent Documents 1 and 2).

그러나, 총형 숫돌을 이용한 경우에는, 숫돌의 홈의 최심부에는 냉각제가 들어가기 어렵기 때문에, 숫돌이 손상되기 쉽고, 또한 에지의 원주 방향으로 조흔(條痕)이 남아 면조도(面粗度)가 커지기 쉽다고 하는 문제점이 있었다.However, in the case of using the grinding wheel, since the coolant hardly enters the deepest portion of the groove of the grinding wheel, the grinding wheel is liable to be damaged, and streaks remain in the circumferential direction of the edge to increase the surface roughness There was a problem that it was easy.

따라서, 웨이퍼의 면취에 연마재를 포함한 고무 휠을 숫돌로서 이용한 연마 방법 및 장치를 제안하고, 특히 큰 직경의 고무 휠을 사용함에 의해, 더욱더 조흔의 미세화를 행할 수 있게 되었다(특허문헌 3).Accordingly, a polishing method and apparatus using a rubber wheel including an abrasive material as a grindstone on a beveled surface of a wafer have been proposed. In particular, by using a rubber wheel having a large diameter, it is possible to further miniaturize the scratches (Patent Document 3).

또한, 2개의 원반 형상의 홈없는 숫돌을 웨이퍼 주단부의 동일 개소에 근접시켜 배치하고, 회전하는 웨이퍼와 상대적으로 접근 이격시킴으로써, 회전하는 양 홈없는 숫돌의 가공면에 의해 웨이퍼 주단부의 동일 개소에 근접한 위치를 동시에 가공하여 성형하는 가공 방법이 있다(특허문헌 4).In addition, two disk-like grooved grindstones are disposed close to the same portion of the wafer distal end portion, and relatively spaced apart from the rotating wafer, (See Patent Document 4).

또한, 디바이스화한 웨이퍼를 박화했을 때 주단부의 이빠짐이 일어나기 쉬운 형상으로 되지 않도록, 미리 가공하는 경우가 있었다.In addition, when the wafer made into a device is thinned, there is a case where the wafer is processed in advance so that the shape of the main end portion does not easily become liable to occur.

그 외에, TSV 관통 전극 웨이퍼 등의 웨이퍼를 복수매 포개어 디바이스화한 것의 직경을 축소 가공하기도 했다.In addition, a plurality of wafers such as TSV penetrating electrode wafers were superimposed to reduce the diameter of a device.

일본 공개특허 평06-262505호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 06-262505 일본 공개특허 평11-207584호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 11-207584 일본 공개특허 2000-052210호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-052210 일본 공개특허 2008-177348호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-177348 특허문헌 4에 기재된 종래의 웨이퍼의 면취 가공 장치에서는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 도시하지 않은 회전 테이블에 심출(芯出)하여 재치(載置)된 웨이퍼(1)의 에지(주단부)(1a)의 면취 가공을 행하기 위해서, 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)이 서로 평행하게 근접해서 배치되어 있다.In the conventional chamfering apparatus for a wafer described in Patent Document 4, as shown in Fig. 1, an edge (main end portion) of the wafer 1, which is centered on a rotation table (not shown) 1a, the two disk-shaped grooves 3, 3 are arranged in parallel close to each other. 웨이퍼(1)에는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 둘레방향의 기준 위치를 나타내기 위한 V자형 또는 U자형의 노치(1n)를 새겨 형성한다.As shown in Fig. 1, a V-shaped or U-shaped notch 1n for indicating a reference position in the circumferential direction is formed on the wafer 1 by engraving. 웨이퍼(1)는 회전 테이블에 의해서 θ방향으로 회전되는 동시에, 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)은, 도 1에 화살표로 나타내는 바와 같이 서로 역방향으로 회전되어 웨이퍼(1)의 에지(1a)에 접촉하여 면취 가공을 행한다.The wafer 1 is rotated in the direction of θ by the rotary table and the two disc-shaped grooves 3 and 3 are rotated in the directions opposite to each other as indicated by arrows in FIG. 1, To perform chamfering. 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)과 회전되는 웨이퍼(1)는 서로 근접 및 이격되도록, Y방향의 위치를 상대적으로 조정한다.The two disk-like grooves 3 and 3 and the wafer 1 to be rotated relatively adjust the position in the Y direction so as to be close to and spaced from each other. 여기서, 도 20(a)에 나타내는 바와 같이, 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)은 서로 근방에 배치되는 동시에, 각각의 폭방향의 중심선(L,L)이 서로 평행하게 되도록 배치되어, 웨이퍼의 면취 가공에 이용된다.Here, as shown in Fig. 20 (a), the two disk-shaped grooves without grooves 3, 3 are arranged in the vicinity of each other, and arranged such that the center lines L, L in the respective width directions are parallel to each other, It is used for chamfering of wafers. 신규한 원반형 홈없는 숫돌(3)을 이용하여 웨이퍼(1)를 가공할 때에는, 가공 전에, 웨이퍼(1)와 같은 두께, 같은 직경의 얇은 원반형 숫돌(트루어(truer)(51))에 의해, 초기의 원반형 홈없는 숫돌(3)의 선단면의 직선부를 연마하여 웨이퍼(1)와 같은 직경의 원호형상을 전사하는 정형(트루잉(truing))을 행하였다.When machining the wafer 1 using the new disk-like groove-free grinding wheel 3, the disk-shaped grinding wheel (truer 51) of the same thickness and the same diameter as the wafer 1 (Truing) of transferring an arc shape having the same diameter as that of the wafer 1 was performed by grinding the linear portion of the front end face of the initial disk-like groove-free grinding wheel 3. 그러나, 이와 같이 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)을 서로 평행하게 배치하기 때문에, 정형(트루잉)에 있어서, 도 20(b)의 형상과 같이 숫돌(3)을 두께 방향으로 깊게 연마하는데 시간이 걸렸다.However, since the two disk-like grooves 3 and 3 having no disk-like grooves are arranged in parallel with each other, the grindstone 3 is polished deeply in the thickness direction as in the case of Fig. 20 (b) It took time. 예를 들어, 도 21(a) 및 도 21(b)와 같이, 종래의 면취 가공 장치로 폭 5㎜의 원반형 홈없는 숫돌(3)을 2개 사용하여 φ450㎜의 웨이퍼(1)를 가공하기 위해서 그 숫돌(3)을 트루잉하는 경우, 원반형 홈없는 숫돌(3)의 선단을 웨이퍼(1)와 같은 형상의 트루어(51)에 접촉시켰을 때, 초기 상태의 원반형 홈없는 숫돌(3)과 트루어(51)와의 폭방향 외측에 있어서의 최대 간극은 약 61㎛(0.061㎜)로도 되어 버렸다.For example, as shown in Figs. 21 (a) and 21 (b), a wafer 1 having a diameter of 450 mm is machined by using two disk-shaped grooves 3 having a width of 5 mm When the leading end of the disk-like groove 3 is brought into contact with the truer 51 having the same shape as the wafer 1 when the grindstone 3 is trued, the disk- And the maximum clearance outside the width direction of the truer 51 is about 61 mu m (0.061 mm). 또한, 도 21(c) 및 도 21(d)와 같이, 종래의 면취 가공 장치로 폭 7.5㎜의 원반형 홈없는 숫돌(3)을 2개 사용하여 φ450㎜의 웨이퍼(1)를 가공하기 위해서 그 숫돌(3)을 트루잉하는 경우, 원반형 홈없는 숫돌(3)의 선단을 웨이퍼(1)와 같은 형상의 트루어(51)에 접촉시켰을 때, 초기 상태의 원반형 홈없는 숫돌(3)과 트루어(51)의 폭방향 외측에 있어서의 최대 간극은 약 134㎛(0.134㎜)로도 되어 버렸다.21 (c) and 21 (d), in order to process a wafer 1 having a diameter of 450 mm by using two disc-shaped grindstones 3 each having a width of 7.5 mm with a conventional chamfering machine, When the tip of the disk-like groove 3 is brought into contact with the truer 51 having the same shape as the wafer 1 when the grindstone 3 is trued, the disk- The maximum gap on the outer side in the width direction of the fish 51 is about 134 mu m (0.134 mm). 아울러, 도 21에 있어서의 트루어(51)는 웨이퍼(1)와 같은 형상이므로, 초기 상태의 원반형 홈없는 숫돌(3)을 정형(트루잉)하지 않고 웨이퍼(1)의 가공을 개시하는 경우에는, 도 21(b) 및 도 21(d)에 나타나는 최대 간극은, 초기 상태의 원반형 홈없는 숫돌(3)과 웨이퍼(1)의 최대 간극으로 된다.The truer 51 shown in Fig. 21 has the same shape as the wafer 1, and therefore, when machining of the wafer 1 is started without shaping (truing) the disk-shaped groove 3 without groove in the initial state , The maximum gap shown in Figs. 21 (b) and 21 (d) is the maximum gap between the disk-shaped groove-less grinding wheel 3 and the wafer 1 in the initial state. 그리고, 웨이퍼(1)의 에지(주단부)(1a)의 가공에 대해서는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(1)의 에지(1a)를, 상부 평면(1su)에 대해서 각도 α1(약 22˚)만큼 경사진 상부 경사면(1au)과, 하부 평면(1sd)에 대해 각도 α1(약 22˚)만큼 경사진 하부 경사면(1ad)과, 이들 사이를 단일의 반경(R1)의 원호(1c)에 의해 매끄럽게 연결된 단면 형상(전체적으로 거의 삼각형 형상)으로 가공하는 경우가 있다.2, the edge 1a of the wafer 1 is inclined at an angle? 1 (about 22 degrees with respect to the upper plane 1su) And a lower inclined face 1ad inclined at an angle? 1 (about 22 占 with respect to the lower plane 1sd) and a circular arc 1c having a single radius R1 between them, (Generally triangular shape as a whole). 이 경우, 상부 경사면(1au)의 수평 길이를 「면취폭 X1」이라 하고, 하부 경사면(1ad)의 수평 길이를 「면취폭 X2」이라 한다.In this case, the horizontal length of the upper inclined face 1au is referred to as " chamfer width X1 ", and the horizontal length of the lower inclined face 1ad is referred to as " chamfered width X2 ". 또한, 도 3에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(1)의 에지(1a)를, 상부 평면(1su)에 대해서 각도 α2만큼 경사진 상부 경사면(1au)과, 하부 평면(1sd)에 대해서 각도 α2만큼 경사진 하부 경사면(1ad)과, 에지(1a)의 단면을 형성하는 주단(周端,1b)과의 사이에서 2개의 원호, 즉 같은 반경(R2)을 갖는 원호(1c,1c)에 의해 매끄럽게 연결되는 단면 형상(사다리꼴 형상)으로 가공하는 경우가 있다.3, the edge 1a of the wafer 1 is divided into an upper inclined plane 1au inclined at an angle? 2 with respect to the upper plane 1su and a lower inclined plane 1au inclined at an angle? 2 with respect to the lower plane 1sd, A circular arc 1c and a circular arc 1c having the same radius R2 are formed between the photograph lower inclined face 1ad and the peripheral end 1b forming the end face of the edge 1a Sectional shape (trapezoidal shape). 이 경우도, 상부 경사면(1au)의 수평 길이를 「면취폭 X1」, 하부 경사면(1ad)의 수평 길이를 「면취폭 X2」, 주단(1b)의 면폭의 길이를 「면취폭 X3」으로 각각 한다.In this case also, the horizontal length of the upper inclined plane 1au is set to be "chamfering width X1", the horizontal length of the lower inclined plane 1ad to be "chamfering width X2", and the length of the face width of the main end 1b to be "chamfering width X3" do. 도 12 및 도 13은, 웨이퍼(1)의 주단부 상측 및 하측을 동시에 컨터링(contouring) 가공하기 위한 원반형 홈없는 숫돌(3)의 이동 궤적을 나타낸다. 웨이퍼(1)의 상면측의 가공에서는, 도 12에 나타내는 바와 같이, 주단(1b)의 곡면 개시 위치(U1)로부터, 우선 O1을 중심으로 R2+r1의 반경으로 원반형 홈없는 숫돌(3)을 원호 형상으로 동작시킨다. 상부 경사면의 개시 위치 U1'까지 도달하면, 다음으로 비스듬하게 U1''까지 평행이동시켜 상부 경사면(1au)을 형성한다. 도 13에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(1)의 하면측도 마찬가지로 주단(1b)의 곡면 개시 위치(L1)로부터, 우선 O2를 중심으로 R2+r2의 반경으로 원반형 홈없는 숫돌(3)을 원호 형상으로 동작시킨다. 상부 경사면의 개시 위치 L1'까지 도달하면, 다음으로 비스듬하게 L1''까지 평행이동시켜 하부 경사면(1ad)을 형성한다. 도 2의 컨터링 가공시도 거의 같은 동작으로 된다.12 and 13 show movement trajectories of a disk-like groove-like grinding wheel 3 for simultaneously contouring the upper side and the lower side of the main end of the wafer 1. As shown in FIG. 12, the grindstone 3 without a disk-like groove is first formed at a radius of R2 + r1 around O1 from the curved surface starting position U1 of the main end 1b, And operates in an arc shape. When reaching the starting position U1 'of the upper inclined plane, the upper inclined plane 1au is formed by moving parallel to U1' 'at an angle. As shown in Fig. 13, similarly to the bottom surface of the wafer 1, the grindstone 3 without the disk-like grooves is formed into a circular arc from the curved surface starting position L1 of the distal end 1b at a radius of R2 + . When it reaches the starting position L1 'of the upper inclined plane, the lower inclined face 1ad is formed by moving it to the next inclined position L1 ". The operation for contouring processing in Fig. 2 is almost the same. 이와 같이 웨이퍼의 단면 형상을 가공하여 상부 경사면(1au), 하부 경사면(1ad), 원호(1c)를 형성하는 컨터링 가공으로도, 2개의 숫돌(3,3)을 평행하게 배치하기 때문에 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 선단면의 곡률이 급하게 되어(도 20(b)), 숫돌폭을 크게 해도 그 숫돌(3)과 상부 경사면(1au), 하부 평면(1sd), 원호(1c)와의 접촉 길이는 커지지 않고, 웨이퍼를 원하는 단면 형상으로 컨터링 가공하는데 시간이 걸렸다.Since the two grindstones 3 and 3 are arranged in parallel even in the contouring process in which the cross-sectional shape of the wafer is processed to form the upper inclined surface 1au, the lower inclined surface 1ad, and the arc 1c, The grinding wheel 3 and the upper inclined surface 1au, the lower surface 1sd, the arc 1c, and the curved surface of the grindstone 3, The contact length with the wafer is not increased, and it takes time to contour the wafer to a desired cross-sectional shape. 또한, 웨이퍼(1)의 축경(縮徑) 가공시와 웨이퍼를 원하는 단면 형상으로 가공하는 컨터링 가공시에 있어서, 원반형 홈없는 숫돌의 폭내에 있어서의 웨이퍼가 접촉하는 위치의 어긋남이 크기 때문에, 숫돌의 폭을 크게 해도 웨이퍼와의 접촉 길이가 커지지 않아, 가공에 시간이 결렸다.Further, at the time of the diameter reduction of the wafer 1 and the contouring processing for processing the wafer into a desired cross-sectional shape, the position of contact of the wafer within the width of the disc-like groove is large, Even if the width of the grindstone is increased, the contact length with the wafer is not increased, and the machining time is short. 아울러, 종래, 웨이퍼(1)의 축경 가공시에는, 웨이퍼(1)에 대한 원반형 홈없는 숫돌(3)의 상대적인 상하 위치는 도 2 및 도 3과 같이 고정되어 있었다.Further, at the time of diametral reduction of the wafer 1, the upper and lower positions of the grinding wheel 3 without a disk-like groove with respect to the wafer 1 are fixed as shown in Figs. 2 and 3. 또한, 직경이 비교적 작은 웨이퍼를 가공하는 경우에는, 웨이퍼의 원주의 곡률이 크기 때문에, 원반형 홈없는 숫돌(3)을 정형(트루잉)하면, 각 숫돌이 도 20(b)에 나타내는 바와 같이 폭방향으로 치우친 형상으로 되어, 웨이퍼의 중심에 가까운 부위에서는 마모가 크고, 웨이퍼의 중심으로부터 먼 부위에서는 마모가 작은 급한 곡면이 형성되어 버린다. 그 결과, 숫돌의 수명이 짧아져 버리는 동시에, 웨이퍼의 면취 형상의 정밀도도 저하되었다.Further, when a wafer having a relatively small diameter is processed, since the curvature of the circumference of the wafer is large, if the grindstone 3 without a disk-like groove is shaped (truing) So that the abrasion is large at a portion close to the center of the wafer and the abrupt curved surface having a small abrasion at a portion far from the center of the wafer is formed. As a result, the service life of the grindstone was shortened, and the precision of the chamfered shape of the wafer was lowered. 특히, 가공시에 웨이퍼와 원반형 홈없는 숫돌의 좌우 방향의 상대 위치 맞춤이 조금이라도 어긋난 경우, 상기의 문제는 매우 큰 것으로 되었다.Particularly, in the case where the relative positioning of the wafer and the disk-shaped groove-like grindstone in the left-right direction at the time of machining is slightly deviated, the above problem has become extremely large. 또한, 종래의 웨이퍼의 면취 가공 방법에서는, 도 16에 나타내는 바와 같이, 2개의 컵형 홈없는 숫돌(4,4)을 이용하여 웨이퍼(1)를 면취 가공할 때에도, 2개의 컵형 홈없는 숫돌(4,4)이 서로 평행하게 근접해서 배치되었다.16, even when chamfering the wafer 1 using the two cup-type groove-less grindstones 4, 4, the two cup-shaped grooves without grooves 4 , 4) are arranged in parallel close to each other. 웨이퍼(1)는 회전 테이블에 의해서 θ방향으로 회전되는 동시에, 2개의 컵형 홈없는 숫돌(4,4)은, 도 16에 화살표로 나타내는 바와 같이 서로 같은 방향으로 회전되어 웨이퍼(1)의 에지(1a)에 접촉하여 면취 가공을 행한다. 2개의 컵형 홈없는 숫돌(4,4)과 회전되는 웨이퍼(1)는 서로 접근 및 이격되도록, Y방향의 위치가 상대적으로 조정된다.The wafer 1 is rotated in the? Direction by the rotary table and the two grinding wheels 4 and 4 without the cup-shaped grooves are rotated in the same direction as shown by arrows in Fig. 16, 1a and chamfering is performed. The position in the Y direction is relatively adjusted so that the two cup-shaped grooveless grindstones 4, 4 and the wafer 1 to be rotated are moved toward and away from each other. 여기서, 도 22에 나타내는 바와 같이, 2개의 컵형 홈없는 숫돌(4,4)의 원통의 접촉 단면(4a,4a)의 폭방향의 중심선(L,L)이 평행하게 되도록 배치되어 있기 때문에, 웨이퍼(1)와의 접촉 길이가 짧아져, 면취 가공에 시간이 걸려 버리는 동시에, 숫돌의 마모에 편향이 생긴다고 하는 문제가 있었다.22, since the center lines L and L in the width direction of the contact faces 4a and 4a of the cylinders of the two cup-shaped grooveless grindstones 4 and 4 are arranged to be parallel to each other, The contact length with the tool 1 is shortened, so that it takes time to chamfer machining, and there is a problem that a bias is caused in abrasion of the grindstone.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 2개의 홈없는 숫돌을 사용하는 웨이퍼의 면취 가공 방법에 있어서, 홈없는 숫돌의 정형(트루잉)에 걸리는 시간을 단축하는 것을 과제로 한다. 또한, 홈없는 숫돌과 웨이퍼와의 접촉 길이를 크게 하여, 웨이퍼의 축경 가공과 웨이퍼를 원하는 단면 형상으로 가공하는 컨터링 가공에 필요로 하는 시간을 단축하는 것을 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been devised to solve the problems described above, and it is an object of the present invention to shorten the time required for shaping (truing) of a groove-less grinding wheel in a chamfering method of a wafer using two grooveless grinding wheels. It is another object of the present invention to shorten the time required for contouring the wafer and contouring the wafer into a desired cross-sectional shape by increasing the contact length between the grooved wheel and the wafer.

또한, 이러한 웨이퍼의 면취 가공 방법을 가능하게 하는 웨이퍼의 면취 가공 장치와, 이 면취 가공 장치에 이용하는 숫돌 각도 조정용 지그(治具)를 제공하는 것을 과제로 한다.It is another object of the present invention to provide a chamfering apparatus for a wafer enabling a chamfering method of such a wafer and a jig for adjusting the angle of the grinding wheel used in the chamfering apparatus.

본 발명에 있어서, 상기 과제가 해결되는 수단은 이하와 같다.Means for solving the above problems in the present invention are as follows.

제 1 발명은, 회전 테이블상에 웨이퍼를 심출하여 재치하고, 회전시키며, 이 회전하는 웨이퍼를 가공하는 2개의 홈없는 숫돌을 웨이퍼 주단부에 접촉시켜 웨이퍼의 직경 또는 단면 형상을 면취하는 면취 가공 방법으로서, 상기 2개의 홈없는 숫돌의 폭방향의 중심선을, 상기 회전 테이블상에 재치된 상기 웨이퍼의 회전축측을 향하도록 서로 근접시켜 배치하여, 상기 웨이퍼에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 것이다.The first invention relates to a chamfering method in which a wafer is placed on a rotary table to be mounted and rotated, and two groove-free grindstones for processing the rotating wafer are brought into contact with the wafer main end portion to obtain a diameter or cross- Wherein the center line in the width direction of the two groove-less grinding wheels is arranged close to each other so as to face the rotation axis side of the wafer placed on the rotary table, and brought into contact with the wafer.

제 2 발명은, 제 1 발명에 있어서, 상기 2개의 홈없는 숫돌을, 각각의 폭방향의 중심선이 상기 웨이퍼의 회전축상에서 서로 교차되도록 더 배치하는 것을 특징으로 하는 것이다.The second invention is characterized in that, in the first invention, the two grooved grindstones are further arranged so that the center line in the width direction intersects each other on the rotation axis of the wafer.

제 3 발명은, 제 1 발명에 있어서, 상기 2개의 홈없는 숫돌이, 각각, 원반형으로 형성되어 원심의 축둘레로 회전되는 동시에 외주면에서 상기 웨이퍼에 접촉되는 원반형 홈없는 숫돌인 것을 특징으로 하는 것이다.The third invention is characterized in that, in the first invention, each of the two groove-free grindstones is a disc-shaped grindstone which is rotated around an axis of the centrifugal shaft and contacts the wafer on the outer circumferential surface thereof .

제 4 발명은, 제 3 발명에 있어서, 또한 상기 2개의 원반형 홈없는 숫돌의 반경 방향의 두께의 마모 가능 범위의 평균치를 기준 반경으로 하여, 가공되는 웨이퍼의 직경, 2개의 원반형 홈없는 숫돌의 상기 기준 반경, 2개의 원반형 홈없는 숫돌의 초기 반경, 2개의 원반형 홈없는 숫돌의 폭, 및 2개의 원반형 홈없는 숫돌 간의 최소 간극에 기초하여, 2개의 원반형 홈없는 숫돌의 방향을 결정하는 것을 특징으로 하는 것이다.A fourth aspect of the present invention is characterized in that, in the third aspect of the present invention, in the third aspect of the present invention, the average value of the abradable range of the thickness in the radial direction of the two disk- Characterized in that the direction of the two disk-like grooved grindstones is determined on the basis of the reference radius, the initial radius of the two disk-like grooved grindstones, the width of the two disk-shaped grooved grindstones, and the minimum gap between the two disk- .

제 5 발명은, 제 1 발명에 있어서, 또한, 상기 2개의 홈없는 숫돌이, 각각, 컵형으로 형성되어 축둘레로 회전되는 동시에 컵형의 원통의 단면에서 상기 웨이퍼에 접촉되는 컵형 홈없는 숫돌인 것을 특징으로 하는 것이다.The fifth invention is characterized in that, in the first invention, the two grooved grindstones are cup-shaped grindstones, each of which is formed in a cup shape and is rotated about an axis and contacted with the wafer at an end face of a cup- It is characterized by.

제 6 발명은, 제 5 발명에 있어서, 상기 2개의 컵형 홈없는 숫돌에 있어서의 원통의 높이 방향의 마모 가능 범위의 평균치를 기준 높이로 하여, 가공되는 웨이퍼의 직경, 2개의 컵형 홈없는 숫돌의 상기 기준 높이, 2개의 컵형 홈없는 숫돌의 초기 높이, 2개의 컵형 홈없는 숫돌의 원통 폭, 및 2개의 컵형 홈없는 숫돌 간의 최소 간극에 기초하여, 2개의 컵형 홈없는 숫돌의 방향을 결정하는 것을 특징으로 하는 것이다.A sixth aspect of the present invention is the manufacturing method according to the fifth aspect of the present invention, wherein, in the two cup-shaped grooved grindstones, the average value of the abradable range in the height direction of the cylinder is set as a reference height, The determination of the orientation of the two cup-shaped grooves without cups, based on the reference height, the initial height of the two cup-shaped grooves without cup-shaped grooves, the cylindrical width of the two cup-shaped grooves without cup-like grooves, It is characterized by.

제 7 발명은, 웨이퍼의 면취 장치에 있어서, 심출하여 재치된 웨이퍼를 회전시키는 회전 테이블과, 상기 회전 테이블에 재치되어 회전되는 상기 웨이퍼의 주연부를 면취하기 위해서, 폭방향의 중심선을 상기 회전 테이블상에 재치된 상기 웨이퍼의 회전축측을 향하도록 서로 근접해서 배치된 2개의 홈없는 숫돌과, 상기 회전 테이블상에 재치되어 회전되는 웨이퍼와 상기 2개의 홈없는 숫돌을 상대적으로 접근 이격시키는 이동 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a chamfering apparatus for a wafer, comprising: a rotary table for rotating a wafer mounted on the rotary table; and a center line in the width direction for guiding the periphery of the wafer, And a moving device for relatively spacing the two grooved grindstones with respect to the wafer, the wafer being rotated on the rotary table and having a plurality of grooved grindstones arranged close to each other so as to face the rotation axis side of the wafer .

제 8 발명은, 제 7 발명에 있어서, 상기 2개의 홈없는 숫돌의 수평면내의 유지 각도를 조정 가능한 각도 조정 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.An eighth invention is characterized in that, in the seventh invention, an angle adjusting device capable of adjusting the holding angle in the horizontal plane of the two groove-less grinding wheels is provided.

제 9 발명은, 제 8 발명에 있어서의 웨이퍼의 면취 가공 장치의 상기 2개의 홈없는 숫돌을 부착해야 할 부위에 착탈 가능하게 형성되고, 상기 2개의 홈없는 숫돌의 유지 각도의 기준으로 되는 소정의 테이퍼면을 형성한 것을 특징으로 하는 숫돌 각도 조정용 지그를 특징으로 하는 것이다.A ninth aspect of the present invention is a method of manufacturing a wafer chamfering apparatus according to the eighth aspect of the present invention for detachably attaching the two grooved grindstones of a wafer, And a tapered surface is formed on the tapered surface of the grinding wheel.

제 1 발명에 의하면, 상기 2개의 홈없는 숫돌의 폭방향의 중심선을, 상기 회전 테이블상에 재치된 상기 웨이퍼의 회전축측을 향하여 서로 근접시켜 배치하고, 상기 웨이퍼에 접촉시킴에 의해, 홈없는 숫돌의 정형(트루잉)에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다. 또한, 웨이퍼의 컨터링 가공에 있어서, 홈없는 숫돌의 폭내에서 웨이퍼가 접촉하는 위치 어긋남을 작게 할 수 있으므로, 웨이퍼와 홈없는 숫돌과의 접촉 길이를 길게 함에 의해 컨터링 가공에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다.According to the first invention, by arranging the center line in the width direction of the two groove-less grinding wheels close to each other toward the rotation axis side of the wafer placed on the rotary table and making contact with the wafer, It is possible to shorten the time required for the shaping (truing). Further, in the contouring process of the wafer, since the positional shift of the wafer in contact with the wafer in the width of the grooved grindstone can be reduced, the contact length between the wafer and the grooved grindstone is lengthened, Can be shortened.

또한, 정형(트루잉)된 홈없는 숫돌의 마모가 대략 좌우 대칭이고, 또한, 마모의 편향도 작은 것으로 되기 때문에, 웨이퍼 주단의 단면 형상의 가공에 있어서도, 상부 경사면, 하부 평면, 원호와 홈없는 숫돌과의 곡률의 차이가 작아져, 홈없는 숫돌과 웨이퍼의 접촉 길이를 길게 할 수 있어, 단시간에 웨이퍼를 컨터링 가공할 수 있어, 스루풋(throughput)이 향상된다.Further, since the abrasion of the grooved grindstone which is trued is approximately symmetrical to the left and right, and the deviation of the abrasion is small, also in the machining of the cross-sectional shape of the peripheral end of the wafer, the upper inclined surface, The difference in curvature between the grindstone and the grindstone is reduced, so that the contact length between the groove-free grindstone and the wafer can be prolonged, and the wafer can be contoured in a short time, thereby improving throughput.

제 2 발명에 의하면, 상기 2개의 홈없는 숫돌을, 각각의 폭방향의 중심선이 상기 웨이퍼의 회전축상에서 서로 교차되도록 배치함에 의해, 홈없는 숫돌과 웨이퍼의 접촉 길이를 가장 길게 할 수 있는 동시에, 홈없는 숫돌의 마모의 편향을 가장 작게 할 수 있어, 단시간에 웨이퍼의 축경 가공 및 컨터링 가공을 행할 수 있다. 또한, 홈없는 숫돌의 정형(트루잉)에 필요로 하는 시간도, 가장 짧게 할 수 있다.According to the second invention, by arranging the two groove-free grindstones so that the center line of each of the two grooveless grindstones cross each other on the rotation axis of the wafer, the contact length between the grooved grindstone and the wafer can be made longest, It is possible to minimize the deflection of the abrasion of the grinding wheel without the abrasion, and to perform the diameter reduction and contouring of the wafer in a short time. In addition, the time required for shaping (truing) of the groove-less grinding wheel can be shortest.

제 3 발명에 의하면, 상기 2개의 홈없는 숫돌이, 각각, 원반형으로 형성되어 원심의 축둘레로 회전되는 동시에, 외주면에서 상기 웨이퍼에 접촉되는 원반형 홈없는 숫돌인 것에 의해, 2개의 원반형 홈없는 숫돌을 이용하여, 웨이퍼의 축경 가공 및 컨터링 가공에 필요로 하는 시간을 단축화하여, 스루풋을 향상시키는 동시에, 원반형 홈없는 숫돌의 수명을 장기화할 수 있다.According to the third invention, since the two grooveless grindstones are each formed in a disc shape and are rotated about the axis of the centrifugal shaft, and are in contact with the wafer on the outer circumferential surface, the two disc- It is possible to shorten the time required for the diametral reduction and contouring processing of wafers, thereby improving the throughput and prolonging the service life of the disc-free groove.

제 4 발명에 의하면, 상기 2개의 원반형 홈없는 숫돌의 반경 방향의 두께의 마모 가능 범위의 평균치를 기준 반경으로 하여, 가공되는 웨이퍼의 직경, 2개의 원반형 홈없는 숫돌의 상기 기준 반경, 2개의 원반형 홈없는 숫돌의 초기 반경, 2개의 원반형 홈없는 숫돌의 폭, 및 2개의 원반형 홈없는 숫돌 간의 최소 간극에 기초하여, 2개의 원반형 홈없는 숫돌의 방향을 결정함에 의해, 원반형 홈없는 숫돌의 형상 및 웨이퍼의 형상에 따라서, 2개의 원반형 홈없는 숫돌의 배치(서로 평행한 상태로부터의 경사각도)를 적절히 설정할 수 있다.According to the fourth invention, the average value of the abradable range of the radial thickness of the two disk-shaped grooved grindstones is set as a reference radius, and the diameter of the processed wafer, the reference radius of the two disk- By determining the directions of the two disk-shaped grooves without grooves, based on the initial radius of the grooves without grooves, the width of the two disk-shaped grooves without groove, and the minimum gap between two disk-shaped grooves without grooves, It is possible to appropriately set the arrangement of the two disk-shaped grooves without grooves (the inclination angle from the parallel state) according to the shape of the wafer.

제 5 발명에 의하면, 상기 2개의 홈없는 숫돌이, 각각, 컵형으로 형성되어 축둘레로 회전되는 동시에, 컵형의 원통의 단면(端面)에서 상기 웨이퍼에 접촉되는 컵형 홈없는 숫돌임에 의해, 2개의 컵형 홈없는 숫돌을 이용하여, 웨이퍼의 축경 가공 및 컨터링 가공에 필요로 하는 시간을 단축화하여, 스루풋을 향상시키는 동시에, 컵형 홈없는 숫돌의 수명을 장기화할 수 있다.According to the fifth invention, since the two grooved grindstones are each formed into a cup shape and rotated around the shaft, and the grindstone having no cup-like groove contacting the wafer at the end face of the cup-shaped cylinder, It is possible to shorten the time required for the diametral reduction and contouring processing of the wafer by using the cup-shaped groove-less grindstones, thereby improving the throughput and prolonging the service life of the grindstone without the cup-shaped groove.

제 6 발명에 의하면, 상기 2개의 컵형 홈없는 숫돌에 있어서의 원통의 높이 방향의 마모 가능 범위의 평균치를 기준 높이로 하여, 가공되는 웨이퍼의 직경, 2개의 컵형 홈없는 숫돌의 상기 기준 높이, 2개의 컵형 홈없는 숫돌의 초기 높이, 2개의 컵형 홈없는 숫돌의 원통 폭, 및 2개의 컵형 홈없는 숫돌 간의 최소 간극에 기초하여, 2개의 컵형 홈없는 숫돌의 방향을 결정함에 의해, 컵형 홈없는 숫돌의 형상 및 웨이퍼의 형상에 따라서, 2개의 컵형 홈없는 숫돌의 배치(서로 평행한 상태로부터의 경사각도)를 적절히 설정할 수 있다.According to the sixth aspect of the present invention, the average height of the abradable range of the cylindrical cup in the height direction of the cup is set as the reference height, the diameter of the wafer to be processed, the reference height of the two cup- By determining the direction of the two cup-shaped grooves without a cup, based on the initial height of the cup-shaped grooves without cup-like grooves, the cylinder width of the two cup-shaped grooves without grooves and the minimum gap between the two cup- It is possible to appropriately set the arrangement of the two cup-shaped grooves without cup-shaped grooves (the inclination angle from the parallel state) according to the shape of the wafer and the shape of the wafer.

제 7 발명에 의하면, 웨이퍼의 면취 가공 장치가, 심출하여 재치된 웨이퍼를 회전시키는 회전 테이블과, 상기 회전 테이블에 재치되어 회전되는 상기 웨이퍼의 주연부를 면취하기 위해서, 폭방향의 중심선을 상기 회전 테이블상에 재치된 상기 웨이퍼의 회전축측을 향하도록 서로 근접해서 배치된 2개의 홈없는 숫돌과, 상기 회전 테이블상에 재치되어 회전되는 웨이퍼 및 상기 2개의 홈없는 숫돌을 상대적으로 접근 이격시키는 이동 장치를 가짐에 의해, 웨이퍼의 축경 가공 및 컨터링 가공에 있어서, 홈없는 숫돌과 웨이퍼의 접촉 길이를 길게 할 수 있어, 단시간에 웨이퍼의 축경 가공 및 컨터링 가공을 행할 수 있고, 스루풋을 향상시킬 수 있다.According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a chamfering apparatus for a wafer, comprising: a rotary table for rotating a wafer mounted on the rotary table; and a center line in the width direction for guiding the periphery of the wafer, Wherein the wafer is placed on the rotary table, and a moving device for relatively spacing the two grooved wheels with respect to the wafer, The contact length between the grooved wheel and the wafer can be lengthened in the shaft diameter machining and the contouring machining of the wafer so that the shaft diameter machining and the contouring machining of the wafer can be performed in a short time and the throughput can be improved .

홈없는 숫돌의 폭을 크게 한 경우에는, 웨이퍼와의 접촉 길이를 더 길게 할 수 있고, 또한 단시간에 웨이퍼의 축경 가공 및 컨터링 가공을 행할 수 있으며, 스루풋을 향상시킬 수 있다.If the width of the groove without groove is increased, the contact length with the wafer can be made longer, and the diameter and contouring of the wafer can be performed in a short time, thereby improving the throughput.

또한, 웨이퍼의 면취 가공에 수반하는 각 홈없는 숫돌의 마모가 대략 좌우 대칭이고, 또한, 마모의 편향도 작은 것으로 되기 때문에, 웨이퍼 주단의 단면 형상의 가공에 있어서도, 상부 경사면, 하부 평면, 원호와 홈없는 숫돌의 곡률 차이가 작아져, 홈없는 숫돌과 웨이퍼의 접촉 길이를 길게 할 수 있어, 단시간에 웨이퍼를 가공할 수 있고, 스루풋이 향상된다.Further, since the abrasion of each groove-free grinding wheel accompanied with chamfering of the wafer is substantially symmetrical and the deflection of abrasion is small, even in the machining of the cross-sectional shape of the peripheral end of the wafer, the upper inclined surface, The difference in curvature of the grooved grindstone becomes smaller, the contact length between the grooved grindstone and the wafer can be lengthened, the wafer can be machined in a short time, and the throughput is improved.

또한, 원반형 홈없는 숫돌을 이용하는 종래의 면취 가공 장치에 있어서, 숫돌의 마모를 늦추어 그 수명을 늘리기 위해서는, 숫돌의 반경을 크게 할 수 밖에 없었지만, 원반형 홈없는 숫돌의 반경을 크게 하면 숫돌을 수용하는 거대한 공간이 필요하게 되었다. 이에 대해, 홈없는 숫돌을 경사지게 하여 배치함에 의해, 홈없는 숫돌의 폭을 크게 하여, 원반형 홈없는 숫돌의 반경을 크게 하지 않고 그 수명을 늘려, 숫돌 교환의 공정수를 삭감할 수 있는 동시에, 웨이퍼의 가공 시간을 단축할 수도 있다.Further, in a conventional chamfering machine using a disc-shaped groove-free grinding wheel, in order to slow the wear of the grinding wheel and increase its service life, the radius of the grinding wheel must be increased. However, if the radius of the grinding wheel without the disc- A huge space became necessary. On the other hand, by arranging the grooved grindstone so as to be inclined, the width of the grooved grindstone can be increased to increase the service life without increasing the radius of the grindstone without the grooved grooves, It is also possible to shorten the machining time.

제 8 발명에 의하면, 상기 2개의 홈없는 숫돌의 수평면내의 유지 각도를 조정 가능한 각도 조정 장치를 가짐에 의해, 상기 홈없는 숫돌의 폭방향의 유지 각도를 임의로 조정할 수 있다.According to the eighth aspect of the present invention, it is possible to arbitrarily adjust the holding angle in the width direction of the groove-less grinding wheel by having the angle adjusting device capable of adjusting the holding angle in the horizontal plane of the two grooveless grinding wheels.

그 때문에, 2개의 홈없는 숫돌의 형상이나 웨이퍼의 형상에 변경이 있어도, 2개의 홈없는 숫돌을, 서로 근방이고 각각의 폭방향의 중심선을 상기 회전 테이블상에 재치된 상기 웨이퍼의 회전축측을 향하도록 배치하여, 웨이퍼에 접촉시킬 수 있다.Therefore, even when the shape of the two grooved grindstones and the shape of the wafer are changed, the two grooved grindstones are arranged in the vicinity of each other and the respective center lines in the width direction are directed toward the rotation axis side of the wafer placed on the rotary table And can be brought into contact with the wafer.

제 9 발명에 의하면, 웨이퍼의 면취 가공 장치의 상기 2개의 홈없는 숫돌을 부착해야 할 부위에 착탈 가능하게 형성되어, 상기 2개의 홈없는 숫돌의 유지 각도의 기준으로 되는 소정의 테이퍼면을 형성한 숫돌 각도 조정용 지그로 함에 의해, 웨이퍼의 형상 또는 홈없는 숫돌의 형상을 변경할 때에도, 단시간에 용이하게 숫돌의 유지 각도를 조정할 수 있다.According to the ninth aspect of the present invention, a predetermined tapered surface, which is a reference for the holding angles of the two groove-free grindstones, is formed in a detachable portion of the chamfering device of the wafer where the two grooveless grindstones should be attached The holding angle of the grindstone can be easily adjusted in a short time even when the shape of the wafer or the shape of the grindstone without grooves is changed by the grindstone angle adjusting jig.

도 1은 원반형 홈없는 숫돌을 이용한 종래의 웨이퍼의 면취 가공 장치에 있어서의 웨이퍼 주단의 가공 상태를 나타내는 사시 설명도이다.
도 2는 웨이퍼 주단과 원반형 홈없는 숫돌과의 접촉 상태를 나타내는 확대 부분 단면 설명도이다.
도 3은 도 2와 형상이 다른 웨이퍼 주단과 원반형 홈없는 숫돌과의 접촉 상태를 나타내는 확대 부분 단면 설명도이다.
도 4는 본 발명의 가공 방법의 실시 형태에 있어서의 컨터링 가공시의 원반형 홈없는 숫돌의 접촉 상태를 나타내는 확대 부분 단면 설명도이다.
도 5는 도 4의 실시 형태에 있어서의 컨터링 가공시의 웨이퍼 위치 어긋남에 따라 위치를 변화시키는 원반형 홈없는 숫돌 상태를 나타내는 확대 부분 단면 설명도이다.
도 6은 도 4의 실시 형태에 있어서의 원반형 홈없는 숫돌이 형성하는 경사 조흔을 나타내는 가공 설명도이다.
도 7은 본 발명에 관한 웨이퍼의 면취 가공 장치를 나타내는 정면도이다.
도 8은 도 7의 면취 가공 장치를 나타내는 측면도이다.
도 9는 도 7의 면취 가공 장치를 나타내는 평면도이다.
도 10은 도 7의 면취 가공 장치의 제어 계통도이다.
도 11은 도 7의 면취 가공 장치의 제어계의 일부를 나타내는 블록도이다.
도 12는 웨이퍼 주단의 상면측을 가공할 때의 숫돌의 궤적을 나타내는 가공 설명도이다.
도 13은 웨이퍼 주단의 하면측을 가공할 때의 숫돌의 궤적을 나타내는 가공 설명도이다.
도 14 중, (a)는 본 발명의 면취 가공 방법의 실시 형태에 있어서의 2개의 원반형 홈없는 숫돌의 배치를 나타내는 평면 설명도이고, (b)는 상기 숫돌의 마모를 나타내는 설명도이다.
도 15 중, (a)는 폭 7.5㎜의 2개의 원반형 홈없는 숫돌을 이용한 본 발명의 실시예를 나타내는 설명도이고, (b)는 (a)중 M1부의 확대도이며, (c)는 폭 10㎜의 2개의 원반형 홈없는 숫돌을 이용한 본 발명의 실시예를 나타내는 설명도이고, (d)는 (c)중 M2부의 확대도이다.
도 16은 컵형 홈없는 숫돌을 이용한 종래의 면취 가공 장치에 있어서의 웨이퍼 주단의 가공 상태를 나타내는 사시 설명도이다.
도 17은 2개의 컵형 홈없는 숫돌을 이용하는 본 발명의 다른 실시 형태에 있어서의, 2개의 컵형 홈없는 숫돌의 배치를 나타내는 평면 설명도이다.
도 18은 본 발명에 관한 웨이퍼의 면취 가공 장치의 각도 조정 장치를 나타내는 사시 설명도 및 부분 단면도이다.
도 19는 본 발명에 관한 숫돌 각도 조정용 지그의 사용 형태를 나타내는 설명도이다.
도 20 중, (a)는 종래의 가공 방법의 실시 형태에 있어서의 2개의 원반형 홈없는 숫돌의 배치를 나타내는 평면 설명도이고, (b)는 상기 숫돌의 마모를 나타내는 설명도이다.
도 21 중, (a)는 폭 5㎜의 원반형 홈없는 숫돌을 이용한 종래의 예를 나타내는 설명도이고, (b)는 (a)중 M3부의 확대도이며, (c)는 폭 7.5㎜의 원반형 홈없는 숫돌을 이용한 종래의 예를 나타내는 설명도이고, (d)는 (c)중 M4부의 확대도이다.
도 22는 2개의 컵형 홈없는 숫돌을 이용한 종래의 가공 방법의 실시 형태에 있어서의 숫돌의 배치를 나타내는 평면 설명도이다.
도 23은 본 발명의 면취 가공 방법의 실시 형태에 있어서, 원반형 홈없는 숫돌의 배치(서로 평행한 상태로부터의 경사각도)를 구하기 위한 설명도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is an explanatory view showing a processing state of a peripheral edge of a wafer in a conventional chamfering device for a wafer using a disk-like groove-less grinding wheel. FIG.
Fig. 2 is an enlarged partial cross-sectional explanatory view showing the state of contact between the circumferential edge of the wafer and the disk-shaped groove-free grindstone.
FIG. 3 is an enlarged partial cross-sectional explanatory view showing a contact state between a wafer circumferential end having a shape different from that of FIG. 2 and a disk-shaped groove-free grindstone.
4 is an enlarged partial cross-sectional explanatory view showing the contact state of a disk-like groove-like grinding wheel in the contouring process in the embodiment of the processing method of the present invention.
Fig. 5 is an enlarged partial cross-sectional explanatory view showing a state of a disk-like groove in which the position is changed in accordance with the deviation of the wafer position during the contouring process in the embodiment of Fig. 4;
Fig. 6 is a process explanatory view showing an inclined streak formed by a disk-like groove-like grinding wheel in the embodiment of Fig. 4;
7 is a front view showing a chamfering device for a wafer according to the present invention.
8 is a side view showing the chamfering apparatus of Fig.
Fig. 9 is a plan view showing the chamfering apparatus of Fig. 7; Fig.
10 is a control system diagram of the chamfering apparatus of Fig.
Fig. 11 is a block diagram showing a part of the control system of the chamfering device of Fig. 7; Fig.
12 is a process explanatory view showing the locus of the grinding wheel when the upper surface side of the wafer peripheral edge is machined.
13 is a process explanatory view showing the locus of the grinding wheel when machining the bottom side of the wafer peripheral edge.
14 (a) is a plan explanatory view showing the arrangement of two disk-like grooved grindstones in the embodiment of the chamfering method of the present invention, and (b) is an explanatory view showing abrasion of the grindstone.
15 (a) is an explanatory view showing an embodiment of the present invention using two disk-like grooved grindstones having a width of 7.5 mm, (b) is an enlarged view of M1 part in (a) (D) is an enlarged view of part (M2) of part (c) of the present invention.
16 is an explanatory view showing a processing state of the peripheral edge of the wafer in a conventional chamfering machine using a cup-shaped grooveless wheel.
17 is a plan explanatory view showing the arrangement of two cup-shaped grooves without cup-shaped grooves in another embodiment of the present invention using two cup-shaped grooveless grindstones.
18 is a perspective explanatory view and a partial cross-sectional view showing an angle adjusting device of a chamfering device for a wafer according to the present invention.
Fig. 19 is an explanatory view showing a use form of a grindstone angle adjusting jig according to the present invention. Fig.
20 (a) is a plan explanatory view showing the arrangement of two disk-like grooved grindstones in the embodiment of the conventional machining method, and (b) is an explanatory view showing the abrasion of the grindstone.
21 (a) is an explanatory view showing a conventional example using a disk-shaped groove-free grinding wheel having a width of 5 mm, (b) is an enlarged view of part (M3) (D) is an enlarged view of a portion M4 in (c). Fig.
Fig. 22 is a plan explanatory view showing the arrangement of the grindstones in the embodiment of the conventional machining method using two cup-type grooved grindstones. Fig.
Fig. 23 is an explanatory diagram for obtaining the arrangement (the inclination angle from the parallel state) of the disk-shaped groove-free grinding wheels in the embodiment of the chamfering method of the present invention.

＜웨이퍼의 면취 가공 방법＞≪ Method of chamfering a wafer &

이하, 본 발명의 실시 형태에 관한 웨이퍼의 면취 가공 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of chamfering a wafer according to an embodiment of the present invention will be described.

웨이퍼의 면취 가공 방법은, 일례로서 도 1 내지 도 6에 나타내는 바와 같이, 원반 형상으로 형성된 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 외주면을 웨이퍼(1)와 접촉시키고, 1개의 웨이퍼(1)에는 동시에 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)을 접촉시켜 면취 가공한다.1 to 6, an outer circumferential surface of a disc-shaped groove-like grindstone 3, 3, which is formed in a disc shape, is brought into contact with the wafer 1, and one wafer 1 At the same time, two disk-like grooved grindstones (3, 3) are brought into contact with each other and chamfered.

본 발명의 실시 형태에서는, 워크 부착대(2)에 설치된 회전 테이블(2a)(도 4 참조)에 웨이퍼(1)를 동심(同心)적으로 재치하고, 회전 테이블(2a)과 함께 회전하는 웨이퍼(1)를 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)에 의해 동시에 면취 가공한다.In the embodiment of the present invention, the wafer 1 is concentrically placed on the rotary table 2a (see FIG. 4) provided on the workpiece mounting table 2 and the wafer 1 rotated together with the rotary table 2a (1) is chamfered simultaneously by two disk-like grooved grindstones (3, 3).

2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)은, 주단(1b)의 동일 개소에 근접하여, 서로의 대향하는 측면을 근접시켜 배치하고, 회전하는 양 홈없는 숫돌(3,3)의 둘레면을 가공면으로 하여 웨이퍼(1)에 동시에 맞닿게 하며, 에지(웨이퍼(1)의 주단부)(1a)의 근접한 위치를 동시에 가공하여 성형한다(도 1, 도 2 및 도 4 참조).The two disk-like grooved grindstones 3 and 3 are arranged close to the same position of the main end 1b and close to each other, and the circumferential surfaces of the rotating grindstones 3 and 3 (The main end 1a of the wafer 1) are machined at the same time (see Figs. 1, 2, and 4).

여기서, 2개의 홈없는 숫돌(3,3)은, 도 1, 도 4에 화살표로 나타나는 바와 같이, 웨이퍼(1)와의 접촉점에 있어서의 가공 방향이 서로 반대 방향으로 되도록, 서로 반대 방향으로 회전되면서 웨이퍼(1)에 접촉된다.Here, as shown by the arrows in Figs. 1 and 4, the two grooved grindstones 3 and 3 are rotated in opposite directions so that the processing directions at the points of contact with the wafer 1 are opposite to each other And is brought into contact with the wafer 1.

아울러, 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)은, 면취 가공의 종류에 따라서, 또는 면취 가공하는 웨이퍼(1)의 단부의 형상에 따라서, 동시에 동일 방향으로 회전되는 경우와, 도 4와 같이 반대 방향으로 회전되는 경우가 있다.In addition, the two disk-like grooved grindstones 3 and 3 are rotated in the same direction at the same time depending on the type of chamfering or the shape of the end portion of the wafer 1 to be chamfered, It may be rotated in the opposite direction.

또한, 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)은, 면취 가공의 종류에 따라서, 또는 면취 가공하는 웨이퍼(1)의 단부의 형상에 따라서, 동시에 동일 방향으로 이동하는 경우(도 1)와, 각기 별도로 다른 방향으로 이동하는 경우(도 4)가 있다.In addition, the two disk-like grooved grindstones 3 and 3 can be moved in the same direction at the same time (FIG. 1) according to the type of chamfering or according to the shape of the end portion of the wafer 1 to be chamfered, (Fig. 4) when they move in different directions separately.

노치(1n)를 갖는 웨이퍼(1)를 가공하는 경우(도 1 참조), 웨이퍼(1)의 외경을 연삭하여 축경하는 주단 축경 가공에서는, 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)을 각각 일정한 높이로 유지한 채로 웨이퍼(1)에 접촉시켜 가공한다(도 2 및 도 3 참조).In the case of machining the wafer 1 having the notches 1n (see Fig. 1), in the circumferential diameter machining of the circumference of the wafer 1 by grinding the outer diameter of the wafer 1, the two disk- (See Fig. 2 and Fig. 3).

이 경우에, 에지(1a)의 단면 형상이 상하의 경사면(1au,1ad)과, 주단(1b)에 단일 반경(R1)의 원호(1c)에 의해 형성되는 웨이퍼(1)(단면 삼각형상)를 가공할 때에는, 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)을 같은 높이로 유지하여 가공한다(도 2 참조).In this case, the wafer 1 (triangular cross section) formed by the upper and lower inclined surfaces 1au, 1ad having the cross-sectional shape of the edge 1a and the arc 1c of the single radius R1 at the main end 1b At the time of machining, two disk-like grooved grindstones 3, 3 are machined while being maintained at the same height (see Fig. 2).

또한, 에지(1a)의 단면 형상이 상하의 경사면(1au,1ad)과, 수직면으로 되는 주단(1b)과, 이들 사이에 같은 반경(R2)을 갖는 상하 각 각부(角部)에 각각 접속해서 이루어지는 원호(1c,1c)에 의해 형성되는 웨이퍼(1)(단면 사다리꼴 형상)를 가공하는 컨터링 가공시에는, 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 각각의 높이를 다르게 하여, 주단(1b)이 대략 수직인 면으로서 가공되는 위치에 배치하고, 각각 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 위치를 유지한 채로 웨이퍼(1)를 회전시켜 주단을 가공한다(도 3 참조).The sectional shape of the edge 1a is connected to upper and lower inclined surfaces 1au and 1ad and a vertical end surface 1b and upper and lower corner portions having the same radius R2 therebetween In the contouring processing for machining the wafers 1 (trapezoidal cross section) formed by the arcs 1c and 1c, the height of each of the two disk-like grooves 3 and 3 is made different, ) Are arranged at positions to be machined as roughly vertical surfaces, and the peripheral edge is machined by rotating the wafer 1 while maintaining the position of the disk-shaped grooves 3, 3, respectively (see Fig. 3).

에지(1a)의 단면을 원하는 형상으로 형성하는 컨터링 가공에서는, 에지(1a)의 각 면에 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 각각을 각기 별도로 이동시켜, 에지(1a)의 직경 방향의 동일 개소를 각 원반형 홈없는 숫돌(3,3)에 의해 상하로부터 끼워 넣고, 각각의 면을 동시에 가공한다(도 4 및 도 5 참조).In the contouring process in which the edge 1a is formed in a desired shape, each of the two disc-shaped grindstones 3, 3 is separately moved on each side of the edge 1a so that the diameter of the edge 1a (See Figs. 4 and 5), and the respective faces are simultaneously machined.

컨터링 가공의 경우에, 에지(1a)의 단면 형상이 상하 대칭형인 경우에는, 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)을 각기 별도로 동작시켜, 한쪽이 웨이퍼(1)의 상측을 가공할 때에는 다른쪽은 웨이퍼(1)의 하측을 가공하고, 웨이퍼(1)의 플래핑(flapping) 혹은 상하이동을 억제하면서 에지(1a)의 단면 형상을 가공한다(도 4, 도 5 참조).In the case of the contouring process, when the cross-sectional shape of the edge 1a is vertically symmetrical, when the two disc-shaped grooves 3 and 3 without the grooves are separately operated and one side is to process the upper side of the wafer 1 The other side processes the lower side of the wafer 1 and processes the cross-sectional shape of the edge 1a while suppressing flapping or vertical movement of the wafer 1 (see FIGS. 4 and 5).

아울러, 웨이퍼(1)와의 접촉점에서 동시에 맞닿는 2개의 홈없는 숫돌(3,3)의 회전 방향을 서로 반대로 함으로써, 웨이퍼(1)의 플래핑을 억제할 수 있고, 또한 가공의 경사 조흔(1d,1e)이 서로 교차하여 가공면의 표면 거칠기를 작게 하여 세밀한 것으로 할 수 있어, 단면 형상의 가공 정밀도를 높일 수 있다(도 6).In addition, flapping of the wafer 1 can be suppressed by reversing the directions of rotation of the two groove-free grindstones 3, 3 simultaneously contacting at the contact point with the wafer 1, 1e intersect with each other to reduce the surface roughness of the machined surface, thereby making it possible to increase the machining accuracy of the cross sectional shape (Fig. 6).

또한, 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)을 웨이퍼(1)에 접촉시킬 때는, 도 14(a)에 나타내는 바와 같이, 2개의 홈없는 숫돌(3,3)의 각각의 폭방향의 중심선(L,L)이, 회전하는 웨이퍼(1)의 회전축(S)상에서 서로 교차하도록 경사지게 하여 배치한다.14 (a), when the two disk-like grooved grindstones 3, 3 are brought into contact with the wafer 1, the width of each of the two grooved grindstones 3, (L, L) are arranged so as to be inclined so as to intersect each other on the rotation axis (S) of the rotating wafer (1).

아울러, 원반형 홈없는 숫돌(3,3)에 있어서의 반경 방향이면서 수평인 방향, 즉, 웨이퍼(1)와 접촉하여 마모되는 것이 예정되어 있는 방향을 두께 방향이라 하고, 이 두께 방향과 수직으로 교차하는 수평 방향을 폭방향이라 한다.In addition, the radial direction and horizontal direction of the disk-like groove-like grind stone 3, 3, that is, the direction in which the abrasive is expected to come into contact with the wafer 1 is referred to as a thickness direction, Is referred to as a width direction.

본 실시 형태에서는, 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)을, 각각 폭방향의 중심선(L,L)이, 회전하는 웨이퍼(1)의 회전축(S)상에서 서로 교차하도록 경사져 있지만, 상기 2개의 중심선(L,L)이 정확하게 웨이퍼(1)의 회전축(S)상에서 교차할 필요는 없고, 2개의 홈없는 숫돌(3,3)의 폭방향의 중심선(L,L)이, 서로 평행하게 되도록 배치한 상태(도 1, 도 20 참조)보다 웨이퍼(1)의 회전축(S)측으로 경사져 있으면 좋다.In this embodiment, the two center-line grinding wheels 3 and 3 are inclined such that the center lines L and L in the width direction cross each other on the rotation axis S of the rotating wafer 1. However, The center lines L and L of the two grooved grindstones 3 and 3 do not need to intersect accurately on the rotation axis S of the wafer 1 and the center lines L and L in the width direction of the two grooved grindstones 3 and 3 are parallel to each other (Refer to Figs. 1 and 20).

2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 폭방향의 중심선(L,L)을 웨이퍼(1)의 회전축(S)을 향하기 위한 경사각도(서로 평행한 위치로부터의 경사) P°를 결정하기 위해서는, 우선, 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 기준 반경(rg) 및 그 초기 반경(r0), 가공되는 웨이퍼(1)의 직경(D), 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 폭(b), 및 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3) 간의 최소 간극(a)을 이용한다(도 23 참조).An inclination angle P (inclination from a position parallel to each other) for directing the widthwise center lines L and L of the two disk-like grooved grindstones 3 and 3 to the rotation axis S of the wafer 1 is determined The reference radius rg and the initial radius r0 of the two disk-like grooved grindstones 3 and 3, the diameter D of the wafer 1 to be processed and the two disk-like grooved grindstones 3, 3) and the minimum clearance a between the two disk-like grooved grindstones 3, 3 (refer to FIG. 23).

여기서, 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 기준 반경(rg)이란, 원반형 홈없는 숫돌(3)의 반경 방향(두께 방향)의 마모 범위의 평균치(중앙치)를 말한다.Here, the reference radius rg of the two disc-shaped grooves 3, 3 refers to the average value (median value) of the wear range in the radial direction (thickness direction) of the disc-shaped grindstone 3 without disc grooves.

마모 범위의 평균치로서는, 숫돌(3)의 초기의 최대 반경(r0)과 마모에 의한 교환 직전의 최소 반경과의 평균 길이를 이용할 수 있다. 또한, 마모 범위의 평균치로서 원반형 홈없는 숫돌(3)을 소용돌이 형상으로 감겨진 웨이퍼(1)를 연마하는 얇은 층의 집합으로 간주하고, 이 층을 직선 형상으로 전개했을 때의 중앙에 해당하는 위치를 계산하여, 해당 위치까지의 반경을 이용할 수도 있다.The average value of the initial maximum radius r0 of the grindstone 3 and the minimum radius immediately before replacement due to abrasion can be used as an average value of the wear range. Further, as the average value of the abrasion range, the disk-like groove-like grinding wheel 3 is regarded as a group of thin layers for polishing the wafer 1 wound in a spiral shape, and a position corresponding to the center when the layer is linearly developed And the radius up to that position may be used.

웨이퍼(1)의 직경(D)은, 가공 전의 직경과 가공 후의 원하는 직경의 어느 것을 이용해도 좋다. 본 실시 형태에서는, 가공 후의 원하는 직경을 이용한다.The diameter D of the wafer 1 may be any of the diameter before machining and the desired diameter after machining. In the present embodiment, a desired diameter after machining is used.

원반형 홈없는 숫돌(3)의 폭(b)이란, 원반형 홈없는 숫돌(3)의 폭방향 길이를 말한다.The width (b) of the disk-like groove-like grinding wheel (3) refers to the widthwise length of the disk-shaped disk-shaped grinding wheel (3).

2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3) 간의 최소 간극(a)이란, 홈없는 숫돌(3)의 초기의 최대 반경일 때에 있어서의, 웨이퍼(1)에 가까운 쪽의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)간의 최소 거리이며, 본 실시 형태에서는 길이는 대략 0.5㎜로 된다.The minimum clearance a between the two disk-like grooved grindstones 3 and 3 is a value obtained by dividing the disk-shaped grooved grindstone 3, which is closer to the wafer 1 when the grooved grindstone 3 has an initial maximum radius, 3). In this embodiment, the length is approximately 0.5 mm.

원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 기준 반경(rg)(㎜), 그 초기 반경(r0)(㎜), 웨이퍼(1)의 직경(D)(㎜), 원반형 홈없는 숫돌(3)의 폭(b)(㎜), 및 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3) 간의 최소 간극(a)(㎜)을 이용하여, 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 경사각도(서로 평행한 위치로부터의 경사) P°는, 이하와 같이 구할 수 있다.The reference radius rg (mm) of the disk-like grooved grindstone 3, 3, the initial radius r0 (mm) thereof, the diameter D (mm) of the wafer 1, The inclination angles of the two disk-like grooved grindstones 3 and 3 (parallel to each other) are obtained by using the minimum gap a (mm) between the width b (mm) and the two disk- The inclination from one position) P ° can be obtained as follows.

도 23에 나타내는 바와 같이, 원반형 홈없는 숫돌(3)이 초기 반경(r0)으로부터 기준 반경(rg)까지 마모되었을 때에 있어서,As shown in Fig. 23, when the disk-like groove-like grinding wheel 3 is worn from the initial radius r0 to the reference radius rg,

D/2tanP°=b/2 + (ro - rg)tanP°+ a/2cosP°로 된다. 이를 정리하면, P°는 다음 식에 의해서 결정된다.D / 2 tan P ° = b / 2 + (ro - rg) tanP ° + a / 2 cos P °. In summary, P ° is determined by the following equation.

P°= sin-1((-B + (B2 - 4AC)1/2)/2A)P ° = sin -1 ((-B + (B 2 - 4AC) 1/2 ) / 2A)

다만, 여기서,However,

A = (D - 2r0 + 2rg)2 + b2 A = (D - 2r0 + 2rg ) 2 + b 2

B = -2a(D - 2r0 + 2rg)B = -2a (D - 2r0 + 2rg)

C = a2 - b2 C = a 2 - b 2

이다.to be.

본 실시 형태에 관한 웨이퍼의 면취 가공 방법에서는, 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)을, 서로 근방에, 또한, 각각의 폭방향의 중심선(L,L)을 평행하게 배치한 위치보다, 회전 테이블(2a)상에 재치된 웨이퍼(1)의 회전축(S)측을 향하도록 서로 경사지게 하여 웨이퍼(1)에 접촉시킨다. 이에 의해, 원반형 홈없는 숫돌(3)의 정형(트루잉) 후의 형상이, 도 14(b)와 같이 좌우(폭방향) 대칭으로 연마량이 작은 것으로 된다. 그 때문에, 웨이퍼(1)의 가공 전에, 초기의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 선단면을 웨이퍼(1)와 같은 직경의 원호 형상으로 정형(트루잉)하는 시간을 단축할 수 있다.In the chamfering method of the wafer according to the present embodiment, the two disk-like grooves 3, 3 are arranged in the vicinity of each other and at a position where the center lines L, L in the respective width directions are arranged in parallel, Are brought into contact with the wafer (1) while being inclined toward the rotation axis (S) side of the wafer (1) placed on the rotary table (2a). As a result, the shape of the disk-shaped groove-like grinding wheel 3 after the shaping (truing) becomes symmetrical in the lateral direction (width direction) as shown in Fig. 14 (b). Therefore, before machining the wafer 1, it is possible to shorten the time for forming the initial end face of the initial disk-shaped groove-free grindstone 3, 3 to an arc shape having the same diameter as that of the wafer 1.

예를 들어, 도 15(a) 및 도 15(b)와 같이, 본 실시 형태의 면취 가공 방법으로 폭 7.5㎜의 원반형 홈없는 숫돌(3)을 2개 사용하여, 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 폭방향의 중심선(L)을 평행한 상태로부터 각각 1.018°씩 회전축(S)측으로 경사지게 하고, φ450㎜의 웨이퍼(1)를 가공하기 위해서 원반형 홈없는 숫돌(3)을 트루잉하는 경우, 원반형 홈없는 숫돌(3)의 선단을 웨이퍼(1)와 같은 형상의 트루어(51)에 접촉시켰을 때에 초기 상태의 원반형 홈없는 숫돌(3)과 트루어(51)와의 폭방향 양단에 있어서의 최대 간극을 약 31㎛(0.031㎜)까지 저감할 수 있었다.For example, as shown in Figs. 15 (a) and 15 (b), two disk-shaped grooves 3 having a width of 7.5 mm are used in the chamfering method of the present embodiment, 3 is tilted toward the rotary shaft S by 1.018 degrees from the parallel state in the widthwise direction of the wafer 1 and the tongue 3 is trued in order to machine the wafer 1 of 450 mm in diameter And when the leading end of the disc-like groove-like grinding wheel 3 is brought into contact with the truer 51 having the same shape as the wafer 1, the both ends of the truant 51 and the disk- Can be reduced to about 31 mu m (0.031 mm).

또한, 도 15(c) 및 도 15(d)와 같이, 본 실시 형태의 면취 가공 방법으로 폭 10㎜의 원반형 홈없는 숫돌을 2개 사용하여, 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 폭방향의 중심선(L)을 평행한 상태로부터 각각 1.337°씩 회전축(S)측으로 경사지게 하여, φ450㎜의 웨이퍼(1)를 가공하기 위해서 원반형 홈없는 숫돌(3)을 트루잉하는 경우, 원반형 홈없는 숫돌(3)의 선단을 웨이퍼(1)와 같은 형상의 트루어(51)에 접촉시켰을 때에 초기 상태의 원반형 홈없는 숫돌(3)과 트루어(51)와의 폭방향 양단에 있어서의 최대 간극을 약 56㎛(0.056㎜)까지 저감할 수 있었다.As shown in Figs. 15 (c) and 15 (d), two chamfered grindstones having a width of 10 mm are used in the chamfering method of the present embodiment, and the grindstones 3, In the case of truing the disk-shaped groove-like grinding wheel 3 in order to machine the wafer 1 having a diameter of 450 mm by inclining the center line L of the disk-shaped grooves 3 toward the rotary shaft S by 1.337 degrees from the parallel state, When the tip of the tongue 3 is brought into contact with the trower 51 having the same shape as the wafer 1, the maximum clearance at both ends in the width direction between the disk- (0.056 mm).

아울러, 도 15에 있어서의 트루어(51)는 웨이퍼(1)와 같은 형상이므로, 초기 상태의 원반형 홈없는 숫돌(3)을 정형(트루잉)하지 않고 웨이퍼(1)의 가공을 개시하는 경우에는, 도 15(b) 및 도 15(d)에 나타나는 최대 간극은, 초기 상태의 원반형 홈없는 숫돌(3)과 웨이퍼(1)와의 최대 간극으로 된다.Since the truer 51 shown in Fig. 15 has the same shape as the wafer 1, when the machining of the wafer 1 is started without shaping (truing) the disk-shaped groove 3 without groove in the initial state , The maximum gap shown in Figs. 15 (b) and 15 (d) is the maximum gap between the wafer 1 and the disk-shaped groove-less grinding wheel 3 in the initial state.

또한, 웨이퍼(1)의 축경 가공 및 컨터링 가공으로, 원반형 홈없는 숫돌(3,3)과 웨이퍼(1)와의 접촉 길이를, 숫돌을 서로 평행하게 배치한 경우보다 길게 할 수 있으므로, 단시간에 웨이퍼(1)의 축경 가공 및 컨터링 가공을 행할 수 있어, 스루풋을 향상시킬 수 있다.The contact length between the grinding wheel 3 and the wafer 1 without the disk-like grooves can be longer than that in the case where the grindstones are arranged parallel to each other by the diametral reduction and contraction processing of the wafer 1, Diameter processing and contouring processing of the wafer 1 can be performed, and the throughput can be improved.

2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 폭을 크게 한 경우에는, 웨이퍼(1)와의 접촉 길이를 더 길게 할 수 있어, 단시간에 웨이퍼(1)의 축경 가공 및 컨터링 가공을 더 행할 수 있고, 스루풋을 향상시킬 수 있다.When the widths of the two disk-like grooves 3 and 3 are increased, the contact length with the wafer 1 can be made longer, and the diameter and contouring of the wafer 1 can be further performed in a short time And the throughput can be improved.

또한, 본 실시 형태와 같이, 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)을 평행한 상태에 대해 경사지게 배치함에 의해, 각 원반형 홈없는 숫돌(3)의 회전 중심으로부터의 반경을 크게 하지 않고 원반형 홈없는 숫돌(3)의 폭을 크게 할 수 있고, 원반형 홈없는 숫돌(3)의 회전 중심으로부터의 반경을 크게 하는 경우와 비교하여, 2개의 원반형 홈없는 숫돌이 차지하는 공간을 크게 하지 않고 면취되는 웨이퍼의 하측으로 충분히 둘러 들어갈 수 있다.Further, by disposing the two disk-shaped grooves without grooves 3, 3 obliquely with respect to the parallel state as in the present embodiment, the radius of the disk-shaped grooves 3 without increasing the radius from the center of rotation of each disk- It is possible to increase the width of the grinding wheel 3 that is not chamfered without increasing the space occupied by the two disc-shaped grooves without increasing the radius of the grinding wheel 3, As shown in FIG.

또한, 종래의 방법에 있어서, 원반형 홈없는 숫돌의 마모를 늦추어 그 수명을 늘리기 위해서는 숫돌의 반경을 크게 할 수밖에 없었지만, 원반형 홈없는 숫돌의 반경을 크게 하면 거대한 공간이 필요하게 되었다. 이에 대해, 본 실시 형태에서는, 원반형 홈없는 숫돌(3)을 경사지게 하여 배치함에 의해, 원반형 홈없는 숫돌(3)의 폭을 크게 하여, 원반형 홈없는 숫돌의 반경을 크게 하지 않고 그 수명을 늘릴 수 있는 동시에, 웨이퍼의 가공 시간을 단축할 수도 있다.Further, in the conventional method, the radius of the grindstone has to be increased in order to slow the wear of the grindstone without disc-shaped groove and increase its service life. However, if the radius of the grindstone without disc-shaped grooves is increased, a large space is required. On the other hand, in the present embodiment, by disposing the disk-shaped groove-less grinding wheel 3 at an inclined position, it is possible to increase the width of the disk-shaped groove 3 without increasing the radius of the disk- At the same time, the processing time of the wafer can be shortened.

또한, 도 14(b)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(1)의 면취 가공에 수반하는 양 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 마모가 좌우(폭방향) 대칭이고, 또한, 마모의 편향도 작은 것으로 되기 때문에, 웨이퍼 에지(1a)의 컨터링 가공에서도, 상부 경사면(1au), 하부 평면(1sd), 원호(1c)와 홈없는 숫돌(3,3)과의 곡률의 차이를 작게 할 수 있다. 따라서, 원반형 홈없는 숫돌(3,3)과 웨이퍼(1)와의 접촉 길이를 길게 할 수 있어, 단시간에 웨이퍼(1)를 가공할 수 있고, 스루풋을 향상시킬 수 있다.14 (b), the abrasion of the grindstones 3, 3 having no disk-like grooves accompanied with chamfering of the wafer 1 is symmetrical in the left and right (widthwise direction) and the abrasion deflection is small The difference in curvature between the upper inclined surface 1au, the lower surface 1sd, the arc 1c and the grooved grindstone 3, 3 can be reduced in the contouring of the wafer edge 1a as well . Therefore, the contact length between the disk-shaped grooves 3 and 3 and the wafer 1 can be made long, the wafer 1 can be processed in a short time, and the throughput can be improved.

또한, 종래의 방법에 있어서, 원반형 홈없는 숫돌을 이용하는 경우에는, 숫돌의 마모를 늦추고 그 수명을 늘리기 위해서는 숫돌의 반경을 크게 할 수밖에 없었지만, 원반형 홈없는 숫돌의 반경을 크게 하면 거대한 공간이 필요했었다. 이에 대해, 홈없는 숫돌(3)을 경사지게 하여 배치함에 의해, 홈없는 숫돌의 폭을 크게 하고 그 수명을 늘려 숫돌 교환의 공정수를 삭감할 수 있는 동시에, 웨이퍼의 가공 시간을 단축할 수도 있다.Further, in the case of using the disc-shaped groove-free grindstone in the conventional method, the radius of the grindstone has to be increased in order to slow the wear of the grindstone and increase the service life thereof. However, if the radius of the grindstone without the disc- . On the other hand, by arranging the grooved grindstone 3 in an inclined manner, it is possible to increase the width of the grooved grindstone and increase the service life thereof, thereby reducing the number of grindstone replacement steps and shortening the processing time of the wafer.

＜다른 실시 형태＞<Other Embodiments>

상기의 실시 형태에서는, 2개의 원반형의 홈없는 숫돌(3,3)을 이용하여 웨이퍼(1)를 면취했지만, 이를 대신하여, 도 16에 나타내는 2개의 컵형 홈없는 숫돌(4,4)을 이용해도 좋다.In the above-described embodiment, the wafer 1 is chamfered using two disc-shaped grooved grindstones 3 and 3. However, instead of this, by using the two cup-shaped grooved grindstones 4 and 4 shown in Fig. 16 It is also good.

컵형 홈없는 숫돌(4,4)은, 도 16, 도 17에 나타내는 바와 같이, 원통 형상으로 형성되어, 축둘레로 회전되면서 원통의 단면(4a,4a)에서, 웨이퍼(1)에 접촉하여, 웨이퍼(1)를 연마한다.As shown in Figs. 16 and 17, the cup-shaped groove-less grinding wheels 4 and 4 are formed into a cylindrical shape and contact with the wafer 1 at the end faces 4a and 4a of the cylinder while being rotated about the axis, The wafer 1 is polished.

웨이퍼(1)와의 접촉점에 있어서의 가공 방향이 서로 반대 방향으로 되도록, 2개의 컵형 홈없는 숫돌(4,4)을 같은 방향으로 회전시키는 것이 바람직하다.It is preferable to rotate the two grinding wheels 4,4 without cup-shaped groove in the same direction so that the processing directions at the contact points with the wafer 1 are opposite to each other.

컵형 홈없는 숫돌(4,4)을 이용하는 경우에도, 웨이퍼(1)의 외경을 연삭하여 축경하는 주단 축경 가공에서는, 2개의 컵형 홈없는 숫돌(4,4)을 각각 일정한 높이로 유지한 채로 웨이퍼(1)에 접촉시켜 가공한다.In the case of using the cup-type groove-less grindstones 4 and 4, in the main-end shaft-diameter machining in which the outer diameter of the wafer 1 is ground and reduced in diameter, the two grindstones 4, (1).

또한, 단면 형상을 형성하는 컨터링 가공이나 노치(1n)의 가공시에는, 필요에 따라서, 2개의 컵형 홈없는 숫돌(4,4)을 같은 방향으로 이동시켜 웨이퍼(1)에 접촉시키거나, 혹은, 2개의 컵형 홈없는 숫돌(4,4)을 각기 별도로 이동시켜 웨이퍼(1)를 상하에서 끼워 넣고, 각각의 면을 동시에 가공한다.In the case of contouring forming the cross-sectional shape or machining of the notch 1n, two grinding wheels 4,4 without cup-shaped grooves may be moved in the same direction to contact the wafer 1, Alternatively, the two cup-shaped grooves without grooves 4, 4 are separately moved to sandwich the wafer 1 from above and below, and the respective surfaces are simultaneously processed.

이 컨터링 가공시에 웨이퍼(1) 상부 경사면(1au), 하부 경사면(1ad)에 2개의 컵형 홈없는 숫돌(4,4)의 접촉 단면(4a,4a)이 접촉되도록, 컵형 홈없는 숫돌(4,4)을 이용한 면취 가공 장치에는, 컵형 홈없는 숫돌(4,4)을 폭방향 축의 축둘레로 회전시켜 상하 방향의 각도를 조정하는 상하 방향 변경 장치(42,42)가 설치된다(도 16에 나타내는 종래 장치와 같음).So that the contact faces 4a and 4a of the two cup-shaped groove-like grindstones 4 and 4 are brought into contact with the upper inclined face 1au and the lower inclined face 1ad of the wafer 1 during the contouring process, 4, 4) are provided with vertically changing devices 42, 42 for adjusting the angle in the vertical direction by rotating the grinding wheels 4, 4 without the cup-shaped grooves about the axis of the width direction axis 16).

또한, 2개의 컵형 홈없는 숫돌(4,4)을 웨이퍼(1)에 접촉시킬 때는, 도 17에 나타내는 바와 같이, 2개의 홈없는 숫돌(4,4)을, 각각의 폭방향의 중심선(L,L)이, 회전하는 웨이퍼(1)의 회전축상에서 서로 교차하도록 경사지게 하여 배치한다.17, the two groove-free grindstones 4, 4 are brought into contact with the respective center lines L in the width direction of the wafer 1 And L are inclined so as to intersect with each other on the rotation axis of the rotating wafer 1. [

아울러, 컵형 홈없는 숫돌(4,4)에 있어서의 축심의 방향, 즉, 웨이퍼(1)와 접촉하여 마모되는 것이 예정되어 있는 방향을 두께 방향이라 하고, 이 두께 방향과 수직으로 교차하는 수평인 방향을 폭방향이라 한다.In addition, the direction of the axis of the grinding wheels 4 and 4 without the cup-shaped groove, that is, the direction in which the abrasion is expected to come into contact with the wafer 1 is referred to as the thickness direction, The direction is referred to as the width direction.

이 다른 실시 형태에서도, 2개의 홈없는 숫돌(4,4)을, 각각의 폭방향의 중심선(L,L)이 회전하는 웨이퍼(1)의 회전축(S)상에서 서로 교차하도록 경사지게 하고 있지만, 상기 2개의 중심선(L,L)이 정확하게 웨이퍼(1)의 회전축(S)상에서 교차할 필요는 없고, 2개의 홈없는 숫돌(4,4)의 폭방향의 중심선(L,L)이 평행하게 되도록 배치한 상태보다 웨이퍼(1)의 회전축(S)측으로 경사져 있으면 좋다.In this alternative embodiment, the two grooveless grindstones 4, 4 are inclined so as to cross each other on the rotation axis S of the wafer 1 in which the center lines L, L in the width direction are rotated. However, It is not necessary for the two center lines L and L to intersect accurately on the rotation axis S of the wafer 1 so that the center lines L and L in the width direction of the two grooveless grinding wheels 4 and 4 are parallel It may be inclined to the side of the rotation axis S of the wafer 1 rather than the arrangement state.

아울러, 컵형 홈없는 숫돌(4,4)의 폭방향의 중심선(L,L)이란, 원통의 축심과 일치하는 선이 아니라, 컵형 홈없는 숫돌(4) 중 웨이퍼(1)와 한 번에 접촉할 수 있는 부분의 폭방향 중앙을 통과하는 선이고, 또한, 컵형 홈없는 숫돌(4)의 각각의 원통의 축심과 평행한 선을 말한다(도 17 참조).The center lines L and L in the width direction of the cup-shaped groove-less grindstones 4 and 4 are not a line coinciding with the central axis of the cylinder but are in contact with the wafer 1 in the cup- And a line parallel to the central axis of each cylinder of the grinding wheel 4 without a cup-like groove (see Fig. 17).

2개의 컵형 홈없는 숫돌(4,4)의 폭방향의 중심선(L,L)을 웨이퍼(1)의 회전축(S)을 향하기 위한 경사각도 Q°를 결정하기 위해서는, 우선, 2개의 컵형 홈없는 숫돌(4,4)의 기준 높이(hg) 및 초기 높이(h0), 가공되는 웨이퍼(1)의 직경(D), 2개의 컵형 홈없는 숫돌(4,4)의 폭(b), 및 2개의 컵형 홈없는 숫돌(4,4) 간의 최소 간극(a)을 이용한다.In order to determine the inclination angle Q ° for directing the widthwise center lines L and L of the two cup-shaped grooveless grindstones 4 and 4 to the rotation axis S of the wafer 1, The reference height hg and the initial height h0 of the grindstones 4 and 4, the diameter D of the wafer 1 to be processed, the width b of the two cup-shaped grooveless grindstones 4 and 4, (A) between the cup-shaped grooveless grindstones 4, 4 is used.

2개의 컵형 홈없는 숫돌(4,4)의 기준 높이(hg)로서는, 컵형 홈없는 숫돌(4)의 두께 방향의 마모 범위의 평균치(중앙치), 즉, 숫돌(4)의 초기의 최대 높이(h0)와 마모에 의한 교환 직전의 최소 높이와의 평균 길이를 이용할 수 있다.The reference height hg of the two cup-type groove-less grindstones 4 and 4 is preferably the average value (median value) of the abrasion range in the thickness direction of the grindstone 4 without the cup-shaped groove, h0) and the minimum height immediately before replacement by abrasion can be used.

웨이퍼(1)의 직경(D)은, 가공 전의 직경과 가공 후의 원하는 직경의 어느 것을 이용해도 좋다. 본 실시 형태에서는, 가공 후의 원하는 직경을 이용한다.The diameter D of the wafer 1 may be any of the diameter before machining and the desired diameter after machining. In the present embodiment, a desired diameter after machining is used.

컵형 홈없는 숫돌(4,4)의 폭(b)이란, 컵형 홈없는 숫돌(4,4)이 한 번에 웨이퍼(1)에 접촉할 수 있는 부분의 폭방향 길이이고, 근사치로서 컵형 홈없는 숫돌(4,4)의 원통 둘레벽의 판두께를 이용해도 좋다.The width b of the cup-shaped groove-free grindstones 4, 4 is the widthwise length of the portion where the cup-shaped groove-less grindstones 4, 4 can contact the wafer 1 at one time, The thickness of the cylindrical peripheral wall of the grindstone 4, 4 may be used.

2개의 컵형 홈없는 숫돌(4,4) 간의 최소 간극(a)이란, 초기의 최대 높이일 때에 있어서의, 웨이퍼(1)에 가까운 측에 있어서의 숫돌(4,4)간의 최소 거리로서, 본 실시 형태에서는 길이는 대략 0.5㎜로 되어 있다.The minimum gap a between the two cup-shaped groove-free grindstones 4 and 4 is the minimum distance between the grindstones 4 and 4 at the initial maximum height near the wafer 1, In the embodiment, the length is approximately 0.5 mm.

컵형 홈없는 숫돌(4,4)의 원통의 기준 높이(hg)(㎜), 그 초기 높이(h0)(㎜), 웨이퍼(1)의 직경(D)(㎜), 컵형 홈없는 숫돌(4)의 원통의 폭(b)(㎜), 및 2개의 컵형 홈없는 숫돌(4,4) 간의 최소 간극(a)(㎜)을 이용하여, 2개의 컵형 홈없는 숫돌(4,4)의 경사각도(서로 평행한 위치로부터의 경사) Q°는, 원반형 홈없는 숫돌의 경우(도 23)와 같이, 다음 식에 의해서 결정된다.The reference height hg (mm) of the cylinder of the cup-shaped groove-free grindstone 4, 4, the initial height h0 (mm) thereof, the diameter D of the wafer 1 (mm) And the minimum gap a (mm) between the two cup-type groove-less grindstones 4 and 4 is used to determine the inclination angle of the two cup-type groove-less grindstones 4 and 4 (Inclination from a position parallel to each other) Q ° is determined by the following equation as in the case of a disk-like groove-free grinding wheel (Fig. 23).

Q°= sin-1((-B + (B2 - 4AC)1/2) / 2A)Q ° = sin -1 ((-B + (B 2 - 4AC) 1/2 ) / 2A)

다만, 여기서,However,

A = (D - 2h0 + 2hg)2 + b2 A = (D - 2h0 + 2hg ) 2 + b 2

B = -2a(D - 2h0 + 2hg)B = -2a (D - 2h0 + 2hg)

C = a2 - b2 C = a 2 - b 2

이다.to be.

이 다른 실시 형태에 관한 웨이퍼(1)의 면취 가공 방법에서는, 2개의 컵형 홈없는 숫돌(4,4)을, 서로 근방에, 또한, 각각의 폭방향의 중심선(L,L)을 평행하게 배치한 위치보다 회전 테이블(2a)상에 재치된 웨이퍼(1)의 회전축(S)측을 향하도록 서로 경사지게 하여 배치하여 웨이퍼(1)에 접촉시킨다. 이것에 의해, 컵형 홈없는 숫돌(4,4)과 웨이퍼(1)와의 접촉 길이를, 숫돌을 서로 평행하게 배치한 경우보다 길게 할 수 있으므로, 단시간에 웨이퍼(1)의 축경 가공 및 컨터링 가공을 행할 수 있고, 스루풋을 향상시킬 수 있다.In the chamfering method of the wafer 1 according to this other embodiment, the two cup-shaped grooveless grindstones 4, 4 are arranged in the vicinity of each other and the center lines L, L in the respective width directions are arranged in parallel The wafer 1 is placed so as to be inclined to the rotation axis S side of the wafer 1 placed on the rotary table 2a rather than one position and brought into contact with the wafer 1. [ As a result, the contact length between the grinding wheels 4 and 4 without the cup-shaped grooves and the wafer 1 can be made longer than that in the case where the grindstones are arranged in parallel with each other. Therefore, Can be performed, and the throughput can be improved.

또한, 컵형 홈없는 숫돌(4)의 정형(트루잉) 후의 형상이, 도 17과 같이 좌우(폭방향) 대칭으로 연마량이 작은 것이 된다. 그 때문에, 숫돌(4)의 정형(트루잉)에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다.Further, the shape of the grinding wheel 4 without the cup-shaped groove after the shaping (truing) becomes symmetrical in the left and right (width direction) as shown in Fig. Therefore, the time required for the shaping (truing) of the grindstone 4 can be shortened.

2개의 컵형 홈없는 숫돌(4,4)의 폭을 크게 한 경우에는, 웨이퍼(1)와의 접촉 길이를 더 길게 할 수 있어, 단시간에 웨이퍼(1)의 축경 가공 및 컨터링 가공을 더 행할 수 있고, 스루풋을 더 향상시킬 수 있다.In the case where the widths of the two cup-type groove-less grindstones 4 and 4 are increased, the contact length with the wafer 1 can be made longer, and the diameter and contouring of the wafer 1 can be further shortened And the throughput can be further improved.

또한, 컵형 홈없는 숫돌(4,4)을 이용하는 경우에는, 숫돌의 마모를 늦추고 그 수명을 늘리기 위해서는 숫돌(4,4)의 높이를 크게 할 수밖에 없었지만, 컵형 홈없는 숫돌(4,4)의 높이를 크게 하면 거대한 공간이 필요하게 되었다. 이에 대해, 컵형 홈없는 숫돌(4)을 경사지게 하여 배치함에 의해, 컵형 홈없는 숫돌(4)의 폭(컵형 홈없는 숫돌(4,4)의 원통의 판두께)을 크게 하여 그 수명을 늘려 숫돌 교환의 공정수를 삭감할 수 있는 동시에, 웨이퍼의 가공 시간을 단축할 수도 있다.Further, in the case of using the cup-shaped grooveless grindstones 4, 4, the height of the grindstone 4, 4 has to be increased in order to slow the abrasion of the grindstone and increase its service life. However, When the height is increased, a huge space is required. On the other hand, by making the cup-shaped groove-less grindstone 4 obliquely arranged, the width of the cup-shaped groove-less grindstone 4 (plate thickness of the cylinder of the cup-shaped grooves 4 and 4) The number of process steps for replacement can be reduced, and the processing time of the wafer can be shortened.

＜웨이퍼의 면취 가공 장치＞<Chamfering device of wafer>

다음으로, 본 발명의 면취 가공 방법에 사용할 수 있는 면취 가공 장치의 일례로서, 도 7 내지 도 11, 및 도 18에 나타내는 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)을 이용한 면취 가공 장치(10)를 설명한다.Next, as one example of a chamfering apparatus that can be used in the chamfering method of the present invention, a chamfering apparatus 10 using two disk-like grooves 3, 3 shown in Figs. 7 to 11 and 18, .

이 면취 가공 장치(10)는, 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)을, 서로 대향하는 측면을 근접해서 배치하는 동시에 둘레면을 가공면으로서 사용한다. 웨이퍼(1)를 가공할 때에는, 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 폭방향의 중심선(L,L)이 웨이퍼(1)의 회전축(S)상에서 서로 교차하도록 경사지게 배치해서(도 14 참조), 연삭, 연마를 좌우 균등하게 할 수 있다.In this chamfering apparatus 10, two disk-shaped grooves without grooves 3, 3 are arranged close to each other and the circumferential surface is used as a machined surface. When the wafer 1 is machined, the center lines L and L in the width direction of the two disk-shaped grooves 3 and 3 are inclined so as to cross each other on the rotation axis S of the wafer 1 ), Grinding and polishing can be made to be left to right.

각 원반형 홈없는 숫돌(3,3)은, 숫돌 구동장치(11a,11a)를 구비한 숫돌 지지장치(11,11)에 의해 각기 별도로 지지되어 있다. 이 숫돌 지지장치(11,11)는 각기 별도로 상하(Z) 방향으로 승강 가능해지도록, 각기 별도로(정밀연삭용 Z축 모터 부착) 숫돌 승강장치(12,12)에 의해 지지되어 있다. 또한, 각 숫돌 승강장치(12,12)는, 고정측 부재를 기대(基臺,13)에 기준이 흔들리지 않게 확실히 고정되어 있고, 이동측 부재를 상하(Z) 방향으로 승강 가능하게 지지하는 것이다(도 7, 도 10).The respective disk-like grooved grindstones 3, 3 are separately supported by the grindstone supporting devices 11, 11 provided with the grindstone driving devices 11a, 11a. These grindstone support devices 11 and 11 are supported by grindstone elevating devices 12 and 12 separately (with a Z-axis motor for precision grinding) so that they can be raised and lowered separately in the vertical (Z) direction. Each of the grinding machine elevating and lowering devices 12 and 12 is fixed firmly to the base 13 so as to prevent the reference side from swinging, and supports the moving side member so as to be movable up and down (Z) (Figs. 7 and 10).

또한, 도 18에 나타내는 바와 같이, 이 면취 가공 장치(10)는, 각 숫돌 지지장치(11,11)에, 각 원반형 홈없는 숫돌(3,3)을 좌우 대칭으로 또는 각기 별도로 수평 방향으로 회동 가능한 각도 조정장치(35,35)를 구비한다.18, the chamfering apparatus 10 is configured such that the grindstones 3, 3 each having a disk-like groove are horizontally symmetrically or separately rotated on the respective grindstone support devices 11, And possible angle adjusting devices 35 and 35 are provided.

이 각도 조정장치(35)는, 숫돌 지지장치(11)의 중간 높이에 형성되어, 숫돌 지지장치(11) 본체측에 고정된 상측판(35a)과, 원반형 홈없는 숫돌(3)측에 고정된 하측판(35b)을, 수직 방향으로 뻗는 회동축부재(35c)를 사이에 두고 연결한 것으로 이루어진다.The angle adjusting device 35 is provided at an intermediate height of the grindstone supporting device 11 and includes an upper side plate 35a fixed to the main body side of the grindstone supporting device 11 and a lower side plate 35b fixed to the side of the grindstone 3 And the lower side plate 35b is connected with a pivot shaft member 35c extending in the vertical direction therebetween.

하측판(35b)은, 상측판(35a)에 대해서, 회동축부재(35c)의 축둘레로 회동 가능하고, 이에 의해 원반형 홈없는 숫돌(3)의 수평면내에서의 유지 각도를 자유롭게 조정할 수 있다. 즉, 숫돌 지지장치(11)의 본체측에 고정된 상측판(35a)에 대해서, 원반형 홈없는 숫돌(3)측에 고정된 하측판(35b)을 회전축 부재(35c)의 축둘레로 회동시켜서, 원반형 홈없는 숫돌(3)의 수평면내의 유지 각도를 수동으로 조정할 수 있다.The lower side plate 35b is rotatable about the axis of the rotating shaft member 35c with respect to the upper side plate 35a so that the holding angle in the horizontal plane of the disk 3 without disk groove can be freely adjusted . That is to say, the lower plate 35b fixed to the side of the grindstone 3 without disc groove is rotated around the axis of the rotary shaft member 35c with respect to the upper side plate 35a fixed to the main body side of the grindstone support device 11 , It is possible to manually adjust the holding angle in the horizontal plane of the disc-shaped groove-less grinding wheel 3.

아울러, 원반형 홈없는 숫돌(3)의 「수평면내에서의 유지 각도를 조정한다」란, 원반형 홈없는 숫돌(3)의 중심선(L)을 웨이퍼(1)의 회전축(S)측으로 회전되면 좋고, 회동축부재(35c)와 같이 정확하게 상하 방향으로 뻗은 축의 축둘레로 회전시키는 것일 필요는 없다. 즉, 원반형 홈없는 숫돌(3)을 두께 방향으로 뻗은 축의 축둘레로 회전시키는 장치나, 폭방향으로 뻗은 축의 축둘레로 회전시키는 장치는, 각도 조정장치(35)에 포함되지 않지만, 경사진 축의 축둘레로 회전시키는 장치는 각도 조정장치(35)에 포함된다.The term "adjusting the holding angle in the horizontal plane" of the disk-like groove-like grinding wheel 3 means that the center line L of the disk-shaped disk-shaped grinding wheel 3 may be rotated toward the rotational axis S of the wafer 1, It is not necessary to rotate about the axis of the shaft extending in the vertical direction exactly like the rotating shaft member 35c. That is, a device for rotating the disk-like groove-less grinding wheel 3 about the axis of the shaft extending in the thickness direction and a device for rotating the shaft about the axis of the shaft extending in the width direction are not included in the angle adjusting device 35, An apparatus for rotating the spindle around the axis is included in the angle adjusting device 35.

도 18에 나타내는 바와 같이, 면취 가공 장치(10)는, 원반형 홈없는 숫돌(3)을 폭방향으로 뻗은 축의 축둘레로 회전시키는 숫돌 구동장치(11a)를 갖고 있지만, 이는 각도 조정 장치가 아니라, 에지(1a) 가공시에 원반형 홈없는 숫돌(3)을 회전시키는 것이다.18, the chamfering apparatus 10 has a grindstone driving device 11a for rotating a grindstone 3 without a disk-like groove around an axis extending in a width direction. This is not an angle adjusting device, So that the grinding wheel 3 without the disk-like groove is rotated when the edge 1a is machined.

또한, 도 16에 나타내는 컵형 홈없는 숫돌(4)을 이용한 면취 가공 장치에서는, 컵형 홈없는 숫돌(4)을 회전시키는 두께 방향으로 뻗은 축의 축둘레로 회전시키는 숫돌 구동장치(11a)를 갖고 있지만, 이는 각도 조정 장치가 아니라, 에지(1a) 가공시에 컵형 홈없는 숫돌(4)을 회전시키는 것이다. 또한, 컵형 홈없는 숫돌(4)을 폭방향으로 뻗은 축의 축둘레로 회전시키는 상하 방향 변경 장치(42)도, 각도 조정 장치가 아니라, 컨터링 가공시에 컵형 홈없는 숫돌(4)을 상부 경사면(1au), 하부 경사면(1ad)에 접촉되도록 상하 방향의 각도를 조정하기 위한 것이다.The chamfering apparatus using the cup-shaped groove-less grinding wheel 4 shown in Fig. 16 has a grinding wheel driving apparatus 11a that rotates around a shaft axis extending in the thickness direction for rotating the grinding wheel 4 without the cup- This is not an angle adjusting device, but rotates the grinding wheel 4 without the cup-shaped groove at the time of processing the edge 1a. The up-and-down direction changing device 42 for rotating the cup-shaped groove-less grinding wheel 4 about the axis of the shaft extending in the width direction is not an angle adjusting device but also a grinding wheel 4 having no cup- To adjust the angle in the vertical direction so as to contact the lower inclined surface 1ad and the lower inclined surface 1ad.

웨이퍼(1)를 면취 가공할 때에는, 각도 조정장치(35,35)에 의해서, 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)을, 각각의 폭방향의 중심선(L,L)을 평행 위치보다 회전 테이블(2a)상에 재치된 웨이퍼(1)의 회전축(S)측을 향하도록 서로 경사지게 하여, 웨이퍼(1)에 접촉시킨다.When chamfering the wafer 1, the angle adjusting devices 35 and 35 rotate the center lines L and L in the width direction of each of the two disk-shaped groove-less grindstones 3 and 3 from the parallel position The wafer 1 is brought into contact with the wafer 1 while being inclined toward the rotation axis S side of the wafer 1 placed on the table 2a.

도 7에 있어서, 면취 가공되는 웨이퍼(1)는 심출하여 회전 테이블(2a)상에 재치된다. 회전 테이블(2a)은, (θ축 모터 부착) 워크 재치 테이블 회전장치(2b)를 내장한 워크 부착대(2)에 부착되어 있다. 그리고, 워크 부착대(2)는 대좌(臺座)(16)상에 회전 가능하게 설치되어 있다. 따라서, 회전 테이블(2a)상에 심출하여 재치된 웨이퍼(1)는, 워크 부착대(2)에 내장된 테이블 회전장치(2b)에 의해서, 대좌(16)에 대해서 회전된다.In Fig. 7, the wafer 1 to be chamfered is superimposed and placed on the rotary table 2a. The rotary table 2a is rotatably supported by a work mount table And is attached to a work mounting table 2 incorporating a rotating device 2b. The workpiece mounting table 2 is rotatably mounted on a pedestal 16. The wafer 1 mounted on the rotary table 2a is rotated with respect to the pedestal 16 by the table rotating device 2b incorporated in the work mounting table 2. [

대좌(16)는 가대(架臺)(17)에 지지되어 있다. 가대(17)는, 안길이(Y) 방향(도 7에서는 지면에 수직인 방향)으로 연장 설치된 한 쌍의 레일(17a,17a)에 안내되어 안길이방향으로 직선 이동 가능한 한 쌍의 안길이방향 이동체(17b,17b)상에 지지되어 있다. 그리고, (Y축 모터 부착) 안길이방향 이동장치(17c)(도 9 도시)가 한 쌍의 레일(17a,17a)상에 설치되어 있고, 이(Y축 모터 부착) 안길이방향 이동장치(17c)에 의해서, 가대(17)는 안길이방향(도 7에서는 지면에 수직인 방향)으로 직선 이동된다.The pedestal (16) is supported by a pedestal (17). The pedestal 17 is guided by a pair of rails 17a and 17a extending in the Y-direction (direction perpendicular to the paper in Fig. 7), and a pair of rollers, And are supported on the moving bodies 17b and 17b. 9) is provided on the pair of rails 17a, 17a, and the bearing (with the Y axis motor) is moved in the direction moving device 17c, the table 17 is linearly moved in the direction of the seat back (the direction perpendicular to the paper surface in Fig. 7).

또한, 상기 안길이(Y) 방향과 직교하는 좌우(X) 방향에는, 한 쌍의 레일(17d,17d)이 연장 설치되어 있다. 이 한 쌍의 레일(17d,17d)에는, 한 쌍의 좌우 방향 이동체(17e,17e)가 안내 가능하게 지지되어 있다. 가대(17)를 안길이방향으로 이동시키기 위한 한 쌍의 레일(17a,17a), 안길이방향 이동체(17b,17b) 및 안길이방향 이동장치(17c)는, 모두 같이 한 쌍의 좌우 방향 이동체(17e,17e)상에 재치되어 있다. 그리고, (X축 모터 부착) 좌우방향 이동장치(17f)가 한 쌍의 레일(17d,17d)상에 설치되어 있고, 이 (X축 모터 부착) 좌우방향 이동장치(17f)에 의해서 가대(17)는, 좌우(X) 방향으로 직선이동된다. 한 쌍의 레일(17d,17d)은 웨이퍼측 승강장치 지지부재(33)에 지지되어 있다.In addition, a pair of rails 17d and 17d are extended in the right and left (X) directions orthogonal to the Y direction. A pair of laterally moving bodies 17e and 17e are movably supported on the pair of rails 17d and 17d. The pair of rails 17a and 17a for moving the platform 17 in this direction and the backward direction moving bodies 17b and 17b and the backward direction moving apparatus 17c, (17e, 17e). The left and right direction moving device 17f (with the X axis motor) is provided on the pair of rails 17d and 17d. The left and right direction moving device 17f (with the X axis motor) Is linearly moved in the left and right (X) directions. The pair of rails 17d and 17d are supported by the wafer side elevating device supporting member 33. [

워크 지지 장치(15)는, 대좌(16)와, 가대(17)와, 안길이방향 이동장치(17c)와, 좌우방향 이동장치(17f)를 하나로 한 것을 가리킨다.The work supporting device 15 indicates that the pedestal 16, the pedestal 17, the pedestrian-direction moving device 17c, and the left-right moving device 17f are united.

이러한 구성에 의해, 본 실시 형태에 의하면, 면취 가공되어야 할 웨이퍼(1)를 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)이 설치되어 있는 위치까지 이동하는 동시에, 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)에 대해서 웨이퍼(1)를 접근 이격시키면서 웨이퍼(1)의 면취 가공을 행할 수 있다.With this configuration, according to the present embodiment, the wafer 1 to be chamfered is moved to the position where the two disc-shaped grooves 3, 3 are provided, and the two disc-shaped grooves 3, 3, the wafer 1 can be chamfered while keeping the wafer 1 close to the wafer 1.

웨이퍼(1)와 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)이란, Y방향으로 상대적으로 접근 이격할 수 있으면 좋기 때문에, 본 실시 형태와는 반대로, 숫돌 지지장치(11,11) 등을 Y방향으로 이동 가능하게 하고, 웨이퍼(1)를 재치한 회전 테이블(2a)에 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)을 접근 이격시키도록 해도 좋다.The wafer 1 and the two disk-like grooved grindstones 3 and 3 need to be relatively spaced apart in the Y direction. Therefore, contrary to the present embodiment, the grindstone holding devices 11 and 11 and the like And the two disk-shaped grooved grindstones 3 and 3 may be spaced closer to the rotary table 2a on which the wafer 1 is mounted.

아울러, 면취 가공 장치(10)에 의한 면취 가공시에 웨이퍼(1)에 상하 방향의 변형, 진동, 플래핑 등에 의한 변위를 일으켰다고 해도, 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)과 웨이퍼(1)와의 상대적인 상하 방향의 위치 어긋남이 생기지 않도록 하기 위해, 도 8에 나타나는 바와 같이, 각 레일(17a,17a)이 각 레일(17d,17d)의 중간 위치로부터 대좌(16)의 하단면과 웨이퍼측 승강장치 지지부재(33)와의 사이에는, 복수개의(웨이퍼측 승강용 Z축) 압전 엑츄에이터(34a,…34a)로 이루어지는 웨이퍼측 승강장치(34)가 설치되어 있다. 따라서, 웨이퍼측 승강장치 지지부재(33)를 기준으로 하여 대좌(16)채로 웨이퍼(1)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있도록 구성되어 있다.Even when the wafer 1 is displaced in the vertical direction due to deformation, vibration, flapping or the like during chamfering by the chamfering apparatus 10, the two disc-shaped grooves 3, The respective rails 17a and 17a move from the intermediate positions of the rails 17d and 17d to the lower end face of the pedestal 16 and the lower end face of the wafer 16 from the intermediate positions of the rails 17d and 17d, Side elevating device 34 composed of a plurality of (wafer-side elevating and lowering Z-axis) piezoelectric actuators 34a, ..., 34a is provided between the wafer side elevating device supporting member 33 and the side elevating device supporting member 33. [ Therefore, the wafer 1 can be moved up and down with the pedestal 16 on the basis of the wafer-side elevating device support member 33. [

이들 각 숫돌(3,3), 각 숫돌 구동장치(11a,11a), 각 승강장치(12,12,34), 각 이동장치(17c,17f) 등의 가공시에 있어서의 동작을 제어하기 위한 제어장치는, 도 10의 제어 계통도에 나타나 있다. 도 10에 있어서, 컨트롤 박스(19)는, 입력부로부터 각 제어장치의 동작에 필요한 초기조건의 설정을 행하여, 필요한 제어 순서에 따라서 행하는 가공 동작의 지시를 내리는 것이며, 조작 패널(19a), 제어부(19b), 및 제어신호 출력부(19c)를 구비한다.And a control device for controlling operations of the grinding wheels 3 and 3, the grinding wheel driving devices 11a and 11a, the elevating devices 12 and 12, and the moving devices 17c and 17f, The control device is shown in the control flow diagram of Fig. 10, the control box 19 is used to set an initial condition necessary for the operation of each control device from an input section, and to give an instruction of a machining operation to be carried out in accordance with a necessary control sequence. The control box 19 includes an operation panel 19a, 19b, and a control signal output section 19c.

조작 패널(19a)은, 액정 모니터(LCD 모니터), 키보드, 푸쉬 버튼 스위치(PBS) 등을 구비하고, 입력부로부터 각 제어장치의 동작에 필요한 초기조건의 설정을 행하여, 필요한 제어 순서에 따라서 행하는 가공 동작의 지시를 내리는 동시에, 그 설정 조건, 가공 조건, 초기 상태나 동작 상황 등의 면취 가공에 필요한 조건이나 각 장치 상태를 모니터링할 수 있도록 구성되어 있다. 제어부(19b)는, 조작 패널(19a)에 의해서 지정된 설정 조건에 따라서, 각 원반형 홈없는 숫돌(3,3)을 회전시키는 숫돌 구동장치(11a,11a) 및 숫돌 승강장치(12,12), 웨이퍼측 승강장치(34), 워크 재치 테이블 회전장치(2b)를 내장한 워크 부착대(2), 안길이방향 이동장치(17c)나 좌우방향 이동장치(17f)를 설치한 가대(17)등의 동작 조건을 설정하여 송출해야 할 제어 신호를 정한다. 제어신호 출력부(19c)는, 제어부(19b)로부터 출력된 신호를 받고, 지시된 동작을 행하게 하기 위해서 필요한 제어 신호를 면취 가공 장치(10)의 본체측의 제어장치에 송출한다.The operation panel 19a includes a liquid crystal monitor (LCD monitor), a keyboard, a push button switch (PBS), and the like. The control panel 19a sets an initial condition necessary for operation of each control apparatus from an input section, And is configured to be able to monitor conditions required for chamfering such as the setting condition, processing condition, initial state, operation condition, and the state of each device. The control unit 19b includes grinding wheels driving devices 11a and 11a and grindstone elevating devices 12 and 12 for rotating the grindstones 3 and 3 without disc grooves in accordance with the setting conditions specified by the operation panel 19a, The workpiece attaching table 2 in which the wafer side elevating device 34, the work table table rotating device 2b are incorporated, the mount table 17 provided with the seat back direction moving device 17c and the left and right direction moving device 17f And sets the control signal to be transmitted. The control signal output unit 19c receives the signal output from the control unit 19b and sends a control signal necessary for causing the controller 19b to perform the indicated operation to the control unit of the main body of the chamfering machine 10.

면취 가공 장치(10)의 본체측의 제어장치는 도 11에 나타난다. 제어장치는, 웨이퍼 세트용 제어장치(9a), 웨이퍼 가공용 제어장치(9b), 웨이퍼 거친 가공용 제어장치(9c), 및 노치 정밀 가공용 제어장치(9d)로 이루어진다. 웨이퍼 세트용 제어장치(9a)는, 로봇 Z축 모터, 흡착 아암 R축 모터 또는 로더용 엑츄에이터를 기동하여 웨이퍼(1)를 대기 장소로부터 회전 테이블(2a)까지 이송하고, 얼라이먼트(θ축, Y축) 모터를 작동하여 편심도를 분명히 하여, 그 편심도를 수정함에 의해 축심을 맞추는 것이다. 또한, 웨이퍼 세트용 제어장치(9a)는, 웨이퍼(1)를 회전 테이블(2a)채로 가공 위치로 이동하여 위치 맞춤하여, 노치(1n)의 위치로부터 가공 초기의 위치를 정하여, 필요에 따라서 외주 끝단의 마무리 가공용으로 고속 회전하는 동시에, 가공 후에 표면을 세정하고 나서, 완성한 웨이퍼(1)를 가공이 끝난 웨이퍼(1)의 집적 위치로 바꿔 옮기는 동작을 제어한다. 웨이퍼 가공용 제어장치(9b)는, 웨이퍼 회전 방향, 좌우 방향(X축방향), 안길이방향(Y축방향), 마무리용 상하 방향(Z축방향) 등의 동작 방향을 개별적으로 제어하는 제어장치를 하나로 한 것이다. 웨이퍼 거친 가공용 제어장치(9c)는, 웨이퍼(1)의 정밀 가공 전에 행하는 거친 가공용으로 추가된(조연삭(粗硏削)용 Z축 모터 부착) 숫돌 상하방향 이동장치(8)(도 8 참조)에 배치된 제어 대상의 장치(총형 숫돌 조연삭용 모터(6a), 봉형상 숫돌 조연삭용 모터(7a) 등)를 하나로 한 것이다. 노치 정밀 가공용 제어장치(9d)는, 웨이퍼(1)의 둘레상의 기준 위치를 결정하는 노치(1n)를 정밀 가공하기 위한 각 구동장치의 제어장치를 하나로 한 것이다.The control device on the main body side of the chamfering machine 10 is shown in Fig. The control device includes a wafer set control device 9a, a wafer processing control device 9b, a wafer roughing control device 9c, and a notch precision processing control device 9d. The control device 9a for wafer set activates the robot Z-axis motor, the suction arm R-axis motor or the loader actuator to transfer the wafer 1 from the waiting place to the rotary table 2a, Shaft) motor is operated to clarify the eccentricity, and the eccentricity is corrected by adjusting the axis. The control device 9a for a wafer set moves the wafer 1 to the machining position while positioning the wafer 1 and aligns the position of the notch 1n from the position of the notch 1n, The wafer 1 is rotated at a high speed for finish machining at the end, and the surface is cleaned after the machining, and the operation of transferring the completed wafer 1 to the integrated position of the machined wafer 1 is controlled. The wafer processing control device 9b is a control device for controlling individually the operation directions such as the wafer rotation direction, the lateral direction (X axis direction), the longitudinal direction (Y axis direction), the finishing vertical direction (Z axis direction) . The wafer roughing control device 9c is provided with a grinding wheel vertical moving device 8 (with a Z-axis motor for rough grinding) added for coarse machining performed before precision processing of the wafer 1 (The grinding wheel 6a for the grinding wheel, the grinding wheel 7a for the grinding wheel, and the like) disposed in the main body 1b. The control device 9d for notch precision machining has one control device for each driving device for precisely machining the notch 1n for determining the reference position on the periphery of the wafer 1. [

이들의 각 제어장치(9a∼9d)를 제어신호 출력부(19c)로부터 출력된 제어 신호에 기초하여 제어하고, 필요한 구동장치(W)를 기동하여, 각각이 다른 구동장치와 조화를 이루어 동작하도록 제어한다.These control devices 9a to 9d are controlled on the basis of the control signal outputted from the control signal output section 19c to activate the required drive devices W so that they operate in harmony with other drive devices .

이 면취 가공 장치(10)를 사용하여 웨이퍼(1)의 면취 가공할 때에는, 우선, 제어부(19b)로부터 제어신호 출력부(19c)를 통하여 웨이퍼 세트용 제어장치(9a)를 구동하여, 각각에 쌓여진 웨이퍼(1) 또는 카세트에 수납된 웨이퍼(1,…,1)로부터 1매의 웨이퍼(1)를 꺼내 회전 테이블(2a)상으로 옮기고, 또한 제어부(19b)로부터의 지시에 따라 제어신호 출력부(19c)로부터 출력되는 제어 신호에 의해 안길이방향 이동장치(Y축 모터)(17c)를 구동하여, 웨이퍼(1)를 얹은 회전 테이블(2a)을 도 8, 도 9에 나타내는 웨이퍼 준비 위치로부터 도 7에 나타내는 웨이퍼 가공 위치까지 이동하여, 이동 후에 주단의 축경 가공을 행한다.When chamfering the wafer 1 using the chamfering apparatus 10, first, the controller 9a is driven from the control section 19b through the control signal output section 19c, One wafer 1 is taken out from the stacked wafers 1 or the wafers 1 contained in the cassette and transferred onto the rotary table 2a and the control signal 19b is output in accordance with an instruction from the control unit 19b (Y-axis motor) 17c by the control signal outputted from the control section 19c and the rotation table 2a on which the wafer 1 is placed is placed at the wafer preparation position shown in Figs. 8 and 9 To the wafer processing position shown in Fig. 7, and carries out the diametral reduction of the peripheral edge after the movement.

주단 축경 가공시에는, 제어부(19b)로부터의 지시에 따라 제어신호 출력부(19c)로부터 출력되는 제어 신호에 의해, 2개의(정밀연삭용 Z축 모터 부착) 숫돌 승강장치(12,12)를 구동하여, 목표로 하는 주단의 형상에 의해 도 2 또는 도 3에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(1)에 대한 각 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 위치를 정해 배치하고, 웨이퍼 가공용 제어장치(9b)의 (θ축 모터 부착) 워크 재치 테이블 회전장치(2b) 및 각 원반형 홈없는 숫돌(3)의 (정밀연삭용 스핀들 모터 부착) 숫돌 구동장치(11a,11a)를 모두 기동하고, 그리고 각 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 회전을 주단 축경 가공시의 회전수로 조절하여, 웨이퍼(1)의 회전과 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 회전을 적절히 제어해서, 정밀하게 연삭하고, 필요한 직경에 가까워지고 나서 정밀한 연마 작업(스파크 아웃)으로 전환하여 웨이퍼(1)의 에지(1a)에 있어서의 웨이퍼직경을 목표로 하는 형상에 맞추도록 가공한다.The two grindstone elevating devices 12 and 12 (with a Z-axis motor for precision grinding) are controlled by the control signal outputted from the control signal output section 19c in accordance with an instruction from the control section 19b 2 and 3, the positions of the disk-shaped grindstones 3 and 3 without the disk-like grooves relative to the wafer 1 are determined and arranged in accordance with the shape of the target peripheral edge, and the wafer-processing control device 9b, The workpiece table rotating device 2b and the grinding wheel driving devices 11a and 11a (with the spindle motor for precise grinding) of each disk-like grinding wheel 3 are driven, The rotation of the wafer 1 and the rotation of the grindstones 3 and 3 without the disk-like grooves are appropriately controlled and finely grinded to adjust the rotation of the grindstones 3, After approaching the diameter, switch to precise grinding (sparking). The process to match the shape of the wafer to the target diameter in the edge (1a) of the wafer (1).

이어서, 컨터링 가공을 행한다.Then, contouring is performed.

컨터링 가공시에는, 도 4, 도 5에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(1)의 상하 각 면을 각 원반형 홈없는 숫돌(3,3)에 의해 각각 끼우는 동시에, 상하에 위치한 각 원반형 홈없는 숫돌(3,3)을 각 독립하여 상대 위치를 조절하면서 가공한다.4 and 5, the upper and lower surfaces of the wafer 1 are sandwiched by respective disk-shaped grindstones 3 and 3, and at the same time, 3, 3) are adjusted independently of each other while adjusting their relative positions.

상대적인 위치의 조절에는, 제어신호 출력부(19c)로부터 출력되는 정밀 가공용 상측 숫돌의 Z축제어 신호에 의해 정밀 가공용 상측 숫돌의 숫돌 승강 장치(정밀연삭용 상측 숫돌 Z축 모터)(12)의 동작을 조절하고, 동시에, 제어신호 출력부(19c)로부터 출력되는 정밀 가공용 하측 숫돌의 Z축제어 신호에 의해 정밀 가공용 하측 숫돌의 숫돌 승강 장치(정밀연삭용 하측 숫돌 Z축 모터)(12)의 동작을 조절하여, 웨이퍼(1)의 변형, 진동, 플래핑 등에 의한 위치 어긋남을 각 원반형 홈없는 숫돌(3,3)에 의해 억제하는 동시에 각 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 Z축방향의 위치 조절에 의해, 상하 양면을 각기 별도로 위치 보정하면서 컨터링 가공을 진행시키고, 또한 동시에, 제어신호 출력부(19c)로부터 출력되는 웨이퍼측 승강용 Z축의 제어 신호에 의해 웨이퍼측 승강장치(34)에 의한 승강 동작을 조절하여, 상하 양 원반형 홈없는 숫돌(3,3)과 웨이퍼(1)와의 상하 방향의 상대적인 위치를 일정하게 유지하고, 또한, 가공시에 있어서의 각 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 회전을 컨터링 가공시의 회전수로 조절하여, 웨이퍼(1)의 회전과 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 회전을 적절히 제어하여, 에지 형상을 정밀하게 연삭하고, 필요한 형상에 가까워지고 나서 정밀한 연마 작업(스파크 아웃)으로 전환하여, 웨이퍼(1)의 에지(1a)의 형상을 목적으로 하는 형상의 치수에 맞춰지도록 연마하여, 가공 형상의 정밀도를 향상시킨다.In order to control the relative position, the operation of the grindstone elevating apparatus (the upper grindstone Z-axis motor for precision grinding) of the upper grindstone for precision machining is controlled by the Z-axis control signal of the upper grindstone for precision machining output from the control signal output section 19c (The lower grindstone Z-axis motor for precision grinding) 12 of the lower grindstone for precision machining is controlled by the Z-axis control signal of the lower grindstone for precision machining output from the control signal output section 19c The positional deviation caused by the deformation, vibration, flapping, etc. of the wafer 1 is suppressed by the disk-shaped grindstones 3, 3 without the disk-shaped grooves 3, Side elevating device 34 is controlled by the wafer-side elevating and lowering Z-axis control signal outputted from the control signal outputting section 19c simultaneously with the contouring processing while adjusting the position of the upper and lower sides separately, So that the relative positions of the upper and lower disk-shaped grooves 3 and 3 and the wafer 1 in the up-and-down direction can be kept constant and the disk-like grooves 3, 3 are controlled by the number of rotations during the contouring process so that the rotation of the wafer 1 and the rotation of the grindstones 3 and 3 without grooves are appropriately controlled to grind the edge shape precisely, The wafer 1 is turned to a precise polishing operation (spark-out) so that the shape of the edge 1a of the wafer 1 is polished so as to match the dimension of the desired shape, thereby improving the accuracy of the processed shape.

이와 같이 웨이퍼(1)의 에지(1a)를 고속으로 정밀하게 가공하는 것이 가능하게 됨에 의해, 가공 시간을 단축할 수 있어, 작업 효율을 향상시키는 동시에 각 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 마모를 줄일 수 있어, 숫돌 수명을 길게 할 수 있다.Since the edge 1a of the wafer 1 can be precisely machined at high speed in this manner, the machining time can be shortened, and the working efficiency can be improved, and the wear of the grinding wheels 3 and 3 without grooves Can be reduced, and the service life of the wheel can be prolonged.

또한, 각 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 웨이퍼(1)로의 접촉점에 있어서의 가공 방향이 서로 반대 방향으로 되도록 각 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 회전 방향을 정하면, 에지(1a)의 주변부에 생기기 쉬운 플래핑을 억제하여 연삭, 연마시에 경사 방향에 새겨 형성되는 조흔이 한쪽의 숫돌에 의해 새겨 형성된 후에, 중복되어, 다른쪽의 숫돌에 의한 역방향의 경사 조흔이 새겨 형성되고, 가공 개소가 조흔이 교차한 면으로 되어, 가공면의 표면 거칠기를 더 세밀한 것으로 하고, 표면 거칠기를 향상할 수 있어, 두께가 얇은 웨이퍼(1)이나 에지(1a)에 있어서의 단면이 경사면인 각도가 작은 형상이라도 요구된 단면 형상을 정밀하게 가공할 수 있다.If the direction of rotation of the grindstones 3 and 3 without disc grooves is determined so that the processing directions at the points of contact of the grindstones 3 and 3 without grooves 3 to the wafer 1 are opposite to each other, Which is formed in the oblique direction at the time of grinding and polishing, is formed by engraving by the grinding wheel of one of the grinding wheels and the rear grinding wheel, It is possible to make the surface roughness of the machined surface more finer and improve the surface roughness so that the end face of the wafer 1 or the edge 1a thinner in thickness is inclined It is possible to precisely process a desired cross-sectional shape even if the cross-sectional shape is small.

제어부(19b)로부터의 지시에 따라 제어신호 출력부(19c)로부터 출력되는 제어 신호에 의해, 웨이퍼 가공용 제어장치(9b)의 워크 재치 테이블 회전 장치(θ축 모터)(2b)의 회전 방향을, 웨이퍼(1)가 1매 가공될 때마다 역방향으로 전환하여, 새로운 웨이퍼(1)의 가공을 행하면, 각 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 마모가 균일하게 되고, 수명이 길어져, 균일하게 마모된 숫돌을 이용하여 가공하기 때문에 높은 가공 정밀도를 유지할 수 있다.The rotation direction of the work table table rotating device (the? -Axis motor) 2b of the wafer processing control device 9b is switched by the control signal outputted from the control signal output part 19c in accordance with the instruction from the control part 19b, When the wafer 1 is processed in the reverse direction every time one wafer 1 is machined and new wafers 1 are machined, the abrasion of the disk-shaped grooves 3, 3 without grooves becomes uniform, the life becomes longer, It is possible to maintain high machining precision.

제어부(19b)로부터의 지시에 따라 제어신호 출력부(19c)로부터 출력되는 제어 신호에 의해, 웨이퍼 가공용 제어장치(9b)의 각 정밀 가공용(상측 또는 하측) 숫돌의 숫돌 승강 장치(Z축 모터)(12,12)를 기동하여, 각 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 상하 위치를 조절하는 동시에, 가공측 승강 장치(가공측 승강용 Z축 모터)(14)에 의한 승강 동작을 조절하여, 상하 양 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 웨이퍼(1)에 대한 상하 방향의 상대적인 위치를 일정하게 유지함에 의해, 항상, 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)과 흔들림 혹은 위치 어긋남을 발생시킨 웨이퍼(1)의 에지(1a)와의 상대 위치가 같아지도록 제어할 수 있어, 면취 가공을 정확하게 할 수 있고, 높은 가공 정밀도로 에지(1a)의 성형을 할 수 있다.(Z-axis motor) of the grinding wheel for each precision machining (upper or lower) of the wafer processing control device 9b by the control signal outputted from the control signal output section 19c in response to an instruction from the control section 19b, Up and down movements of the machining-side elevating device (machining-side up-and-down Z-axis motor) 14 are adjusted by controlling the vertical positions of the disk- , The relative positions of the upper and lower disk-shaped grooves 3, 3 with respect to the wafer 1 in the vertical direction are kept constant, so that the swinging or positional deviation with the two disk-shaped grooves 3, It is possible to control the relative positions of the generated wafer 1 and the edge 1a so that the chamfering can be accurately performed and the edge 1a can be formed with high processing accuracy.

본 발명의 실시 형태에서는 웨이퍼(1)의 둘레방향(θ방향)의 위치의 기준으로서 노치(1n)를 형성하고 있지만, 노치(1n) 대신에, 직선 형상의 오리엔테이션 플랫을 형성하는 경우가 있다.In the embodiment of the present invention, the notch 1n is formed as a reference of the position in the circumferential direction (? Direction) of the wafer 1, but a linear orientation flat may be formed instead of the notch 1n.

이 경우에는, 제어부(19b)로부터의 지시에 따라 제어신호 출력부(19c)로부터 출력되는 제어 신호에 의해, 웨이퍼 가공용 제어장치(9b)의 좌우방향 이동장치(X축 모터)(17f)를 기동하여, 각 원반형 홈없는 숫돌(3,3)을 웨이퍼(1)의 오리엔테이션 플랫으로 되는 끝단 테두리에 맞닿아, 웨이퍼(1)를 좌우방향 이동장치(X축 모터)(17f)에 의해 구동되는 좌우 방향 이동체(17e,17e)의 동작 방향에 따라 X축방향으로 직선적으로 왕복 동작함에 의해 오리엔테이션 플랫을 소정의 형상으로 가공할 수 있어, 동일 가공 장치에 의해 에지(1a)의 성형 가공 및 마무리 가공과 오리엔테이션 플랫의 성형 가공 및 마무리 가공의 양쪽 모두 할 수 있어, 웨이퍼 가공의 작업 효율을 향상시키는 동시에 장치의 가동률을 높일 수 있다.In this case, the lateral movement device (X-axis motor) 17f of the wafer processing control device 9b is started by the control signal outputted from the control signal output section 19c in accordance with the instruction from the control section 19b And the wafer 1 is brought into contact with the edge of the wafer 1 which is the orientation flat of the wafer 1 so that the wafer 1 is moved in the right and left directions by the left and right direction moving device (X axis motor) The orientation flat can be processed into a predetermined shape by linearly reciprocating in the X-axis direction in accordance with the direction of movement of the direction moving bodies 17e and 17e, so that the shaping and finishing processing of the edge 1a Both the forming and finishing of the orientation flat can be performed, and the working efficiency of the wafer processing can be improved and the operation rate of the apparatus can be increased.

또한, 종래의 방법에 있어서, 원반형 홈없는 숫돌(3,3)을 이용하는 경우에는, 숫돌의 마모를 늦추고 그 수명을 늘리기 위해서는 숫돌의 반경을 크게 할 수밖에 없었지만, 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 반경을 크게 하면 거대한 공간이 필요하게 되었다. 이에 대해, 홈없는 숫돌(3,3)을 경사지게 하여 배치함에 의해, 홈없는 숫돌의 폭을 크게 하여 그 수명을 늘려서 숫돌 교환의 공정수를 삭감할 수 있는 동시에, 웨이퍼의 가공 시간을 단축할 수도 있다.In the case of using the disc-shaped grooves 3 and 3 in the conventional method, the radius of the grindstone has to be increased in order to slow the wear of the grindstone and increase its service life. However, A large space was required. On the other hand, by arranging the grooved grindstones 3, 3 in an oblique manner, the width of the grooved grindstone can be increased to extend the service life thereof, thereby reducing the number of steps for exchanging the grindstone, have.

＜숫돌 각도 조정용 지그＞<Abrasive angle adjusting jig>

상기의 면취 가공 장치(10)에서는, 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 기준 반경(rg)(㎜), 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 초기 반경(r0), 웨이퍼(1)의 직경(D)(㎜), 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3)의 폭(b)(㎜), 및 숫돌(3,3)간의 최소 간극(a)(㎜)로부터 결정되는 소정의 경사각도 P°에 2개의 원반형 홈없는 숫돌(3)을 경사지게 하여 유지하기 위해서, 2개의 숫돌각도 조정용 지그(36)를 이용할 수 있다.In the above chamfering machine 10, the reference radius rg (mm) of the two disk-like grooved grindstones 3, 3, the initial radius r0 of the two disk-shaped grooved grindstones 3, Which is determined from the diameter D (mm) of the disk 1, the width b (mm) of the two disk-like grooved grindstones 3 and the minimum gap a (mm) Two grindstone angle adjusting jigs 36 can be used to tilt and hold the two disk-like grooved grindstones 3 at an inclination angle P ° of the grindstone 3.

2개의 숫돌각도 조정용 지그(36)는, 도 19에 나타내는 바와 같이, 대략 원반 형상으로 형성된 부재로서, 둘레면에 소정의 테이퍼면(36a)이 형성되어 있다.As shown in Fig. 19, the two grinding wheel angle adjusting jigs 36 are formed in a substantially disc shape, and a predetermined tapered surface 36a is formed on the circumferential surface.

2개의 숫돌 각도 조정용 지그(36,36)에는, 면취 가공 장치(10)의 각 숫돌 지지장치(11)의 각 원반형 홈없는 숫돌(3,3)을 부착해야 할 축지지 부분에 착탈하기 위한 구멍(36b)이 천공 형성되어 있다.The two grindstone angle adjusting jigs 36 and 36 are provided with holes for attaching and detaching the grindstones 3 and 3 of each grindstone of the grindstone supporting device 11 of the chamfering machine 10 (36b) is perforated.

2개의 숫돌 각도 조정용 지그(36,36)를 이용하여 원반형 홈없는 숫돌(3,3)의 유지 각도를 조정하기 위해서는, 우선, 각각의 숫돌 각도 조정용 지그(36,36)를 숫돌 지지장치(11,11)의 축지지 부분에 부착한다.In order to adjust the holding angles of the disc-shaped grooved wheels 3 and 3 using the two wheel-shaped angle adjusting jigs 36 and 36, the respective wheel-angle adjusting jigs 36 and 36 are first moved to the wheel holder 11 , 11).

그리고, 각도 조정장치(35,35)를 회전시켜, 2개의 숫돌 각도 조정용 지그(36,36)의 테이퍼면(36a,36a)의 가장 웨이퍼(1)측의 부분이 일직선 형상으로 나열되도록 조정한다. 이때, 2개의 숫돌 각도 조정용 지그(36,36)의 테이퍼면(36a,36a)의 가장 웨이퍼(1)측의 부분이 일직선으로 나열되어 있는지 아닌지는, 전기 마이크로 미터(37)에 의해서 측정되어 정확하게 조정된다.The angle adjusting devices 35 and 35 are then rotated so that the portions of the tapered surfaces 36a and 36a of the two grindstone angle adjusting jigs 36 and 36 closest to the wafer 1 are aligned in a straight line . Whether or not the portions of the tapered surfaces 36a and 36a of the two grinding wheel angle adjusting jigs 36 and 36 closest to the wafer 1 are aligned is determined by the electric micrometer 37 .

2개의 숫돌 각도 조정용 지그(36,36)의 테이퍼면(36a,36a)의 가장 웨이퍼(1)측의 부분이 일직선 형상으로 나열되도록 조정하고 나서, 각 숫돌 지지장치(11,11)로부터 각 숫돌 각도 조정용 지그(36,36)를 떼어내어, 각 원반 형상 홈없는 숫돌(3,3)을 각 숫돌 지지장치(11,11)에 부착하면, 2개의 원반 형상홈없는 숫돌(3,3)은, 각각의 폭방향의 중심선(L,L)이 웨이퍼(1)의 회전축(S)상에서 서로 교차하는 각도로 유지된다.The tapered surfaces 36a and 36a of the two grindstone angle adjusting jigs 36 and 36 are adjusted such that the portion closest to the wafer 1 side is aligned in a straight line, When the angle-adjusting jigs 36 and 36 are detached and the grindstones 3 and 3 without disk-shaped grooves are attached to the grindstone retainers 11 and 11, the two disk- , And the center lines L and L in the respective width directions are maintained at an angle intersecting with each other on the rotation axis S of the wafer 1. [

이러한 숫돌각도 조정용 지그(36)는, 일정한 두께 및 폭을 갖는 원반형 홈없는 숫돌(3)과, 일정한 반경의 웨이퍼(1)와의 조합에 대응하는 소정의 테이퍼면(36a)을 갖기 때문에, 홈없는 숫돌(3)과 웨이퍼(1)의 조합이 바뀌면, 그에 대응한 다른 숫돌각도 조정용 지그(36)를 준비할 필요가 있다.Since the grindstone angle adjusting jig 36 has the predetermined tapered surface 36a corresponding to the combination of the disc-shaped grindstone 3 having a constant thickness and width and the wafer 1 having a constant radius, When the combination of the grindstone 3 and the wafer 1 is changed, it is necessary to prepare another grindstone angle adjusting jig 36 corresponding thereto.

웨이퍼의 면취 가공 장치(10)를 이용한 웨이퍼(1)의 면취 가공시에 있어서, 웨이퍼(1) 또는 원반 형상 홈없는 숫돌(3)의 어느 한쪽의 형상을 변경할 때에는, 그때마다, 2개의 원반 형상 홈없는 숫돌(3,3)의 각각의 폭방향의 중심선(L,L)이 웨이퍼(1)의 회전축(S)상에서 서로 교차하도록, 숫돌(3,3)의 유지 각도를 조정할 필요가 있다.When changing the shape of either one of the wafer 1 or the disk-shaped groove-free grinding wheel 3 at the time of chamfering of the wafer 1 using the chamfering device 10 of the wafer, It is necessary to adjust the holding angles of the grindstones 3 and 3 such that the widthwise center lines L and L of the grooved grindstones 3 and 3 intersect each other on the rotational axis S of the wafer 1. [

그러나, 이 숫돌 각도 조정용 지그(36,36)를 이용함에 의해, 웨이퍼(1) 또는 원반 형상 홈없는 숫돌(3,3)을 변경할 때에도, 단시간에 용이하게 숫돌(3,3)의 유지 각도를 조정할 수 있다.However, by using the grindstone angle adjusting jigs 36 and 36, even when changing the wafer 1 or the disc-shaped grindstones 3 and 3 without disc grooves, the holding angles of the grindstones 3 and 3 can be easily Can be adjusted.

2개의 컵형 홈없는 숫돌(4,4)을 사용하는 면취 가공 장치에서도, 같은 테이퍼면을 갖는 숫돌 각도 조정용 지그를 이용함에 의해, 2개의 컵형 홈없는 숫돌(4,4)의 유지 각도를 용이하게 조정할 수 있다.Even in the chamfering apparatus using two cup-shaped grooveless grindstones 4, 4, since the grindstone angle adjusting jig having the same tapered surface is used, the holding angles of the two grindstones 4, Can be adjusted.

1 : 웨이퍼
1a : 에지, 주단부
1su : 상부 평면
1sd : 하부 평면
1au : 상부 경사면
1ad : 하부 경사면
1b : 주단
1c : 원호
1d : 경사 조흔
1e : (역방향의) 경사 조흔
1n : 노치
2 : 워크 부착대
2a : 회전 테이블
2b : (θ축 모터 부착) 워크 재치 테이블 회전 장치
3 : (원반형 홈없는) 숫돌
4 : (컵형 홈없는) 숫돌
4a : (접촉) 단면
6a : 총형 숫돌 조연삭용 모터
7a : 봉형상 숫돌 조연삭용 모터
8 : (조연삭용 Z축 모터 부착) 숫돌 상하 방향 이동 장치
9a : 웨이퍼 세트용 제어장치
9b : 웨이퍼 가공용 제어장치
9c : 웨이퍼 거친 가공용 제어장치
9d : 노치 정밀 가공용 제어장치
10 : 면취 가공 장치
11 : 숫돌 지지장치
11a : (정밀연삭용 스핀들 모터 부착) 숫돌 구동장치
12 : (정밀연삭용 Z축 모터 부착) 숫돌 승강 장치
13 : 기대
15 : 워크 지지 장치
16 : 대좌
17 : 가대
17a, 17d : 레일
17b : 안길이 Y방향 이동체
17c : (Y축 모터 부착) 안길이방향 이동장치
17e : 좌우 방향 이동체
17f : (X축 모터 부착) 좌우방향 이동장치
19 : 컨트롤 박스
19a : 조작 패널
19b : 제어부
19c : 제어신호 출력부
33 : 웨이퍼측 승강 장치 지지 부재
34 : 웨이퍼측 승강 장치
34a : (웨이퍼측 승강용 Z축) 압전 엑츄에이터
35 : 각도 조정 장치
35a : 상측판
35b : 하측판
35c : 회동축부재
36 : 숫돌 각도 조정용 지그
36a : 테이퍼면
36b : (착탈용) 구멍
37 : 마이크로 미터
42 : 상하방향 변경장치
51 : 트루어
R1, R2 : 반경
α1, α2 : 각도
X1, X2, X3 :　면취폭
X, Y, Z, θ : 이동 방향
S : (웨이퍼(1)의) 회전축
L : (숫돌의) 폭방향의 중심선
rg : 원반형 홈없는 숫돌의 기준 반경
r0 : 원반형 홈없는 숫돌의 초기 반경
hg : 컵형 홈없는 숫돌의 기준 높이
h0 : 컵형 홈없는 숫돌의 초기 높이
D : 웨이퍼의 직경
b : (원반형 또는 컵형) 홈없는 숫돌의 폭
a : (2개의 홈없는 숫돌간의) 최소 간극1: wafer
1a: edge, main end
1su: upper plane
1sd: lower plane
1au: Upper slope
1ad: lower slope
1b:
1c: arc
1d: bevel streak
1e: (reverse) slope streak
1n: Notch
2: Work attachment
2a: rotating table
2b: (with θ-axis motor) Workpiece table rotation device
3: (disc-shaped grooveless) wheel
4: (cup-shaped grooveless) wheel
4a: (contact) section
6a: Motors for grinding wheel
7a: Motor for rod-shaped wheel grinding
8: (with Z axis motor for rough grinding) Vertical grinding wheel moving device
9a: Control device for wafer set
9b: Control device for wafer processing
9c: Control device for wafer roughing
9d: Control device for notch precision machining
10: Chamfering machine
11: Wheel holding device
11a: (with a spindle motor for precision grinding)
12: (with Z axis motor for precision grinding) Wheel lifting device
13: Expectations
15: work support device
16: Base
17: Stands
17a, 17d: rail
17b: The Y-direction moving body
17c: (with Y-axis motor)
17e:
17f: (With X axis motor) Left and right moving device
19: Control box
19a: Operation panel
19b:
19c: control signal output section
33: Wafer side elevating device supporting member
34: Wafer side lifting device
34a: (Z-axis for lifting and lowering the wafer) Piezoelectric actuator
35: Angle adjusting device
35a:
35b:
35c:
36: Grinding wheel for angle adjustment
36a: Tapered surface
36b: (for attachment and detachment) hole
37: Micrometer
42: Vertical direction changing device
51: Truer
R1, R2: Radius
alpha 1, alpha 2: angle
X1, X2, X3: chamfer width
X, Y, Z, θ: direction of movement
S: (of the wafer 1)
L: center line in the width direction (of the grinding wheel)
rg: Reference radius of disc-shaped grooved wheel
r0: initial radius of disk-shaped grooveless wheel
hg: Height of cup-shaped groove-free wheel
h0: Initial height of the grinding wheel without cup-type groove
D: Diameter of the wafer
b: (disc or cup shape) width of groove without groove
a: (between two grooved wheels) Minimum clearance

Claims (9)

회전 테이블상에 웨이퍼를 심출하여 재치하고, 회전시키며, 이 회전하는 웨이퍼를 가공하는 2개의 홈없는 숫돌을 웨이퍼 주단부(周端部)에 접촉시켜 웨이퍼의 직경 또는 단면 형상을 면취하는 면취 가공 방법으로서,
상기 2개의 홈없는 숫돌을, 각각의 회전축이 상기 웨이퍼의 회전축에 대하여 수직인 평면상에 존재하도록 배치하고, 또, 상기 회전테이블 상에 재치된 상기 웨이퍼를 위쪽에서 본 평면에서 각각의 폭방향의 중심선이 서로 평행한 관계보다 상기 웨이퍼의 회전축 측에서 좁아지도록 서로 근접시켜 배치하고, 상기 2개의 홈없는 숫돌을 상기 웨이퍼에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 면취 가공 방법.A chamfering method in which two or more groove-free grinding wheels for machining a wafer to be rotated are placed on a rotary table, placed and rotated, and the diameter or sectional shape of the wafer is measured by contacting the peripheral edge of the wafer As a result,
The two grooved grindstones are arranged such that their respective rotation axes are on a plane perpendicular to the rotation axis of the wafer and the wafers placed on the rotary table are arranged in a direction Wherein the center lines are arranged closer to each other so as to become narrower at the side of the rotation axis of the wafer than in a parallel relationship, and the two grooveless wheel are brought into contact with the wafer. 제 1 항에 있어서, 상기 2개의 홈없는 숫돌을, 상기 회전테이블 상에 재치된 상기 웨이퍼를 위쪽에서 본 평면에서 각각의 폭방향의 중심선이 상기 웨이퍼의 회전축 상에서 서로 교차되도록 배치하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 면취 가공 방법.The wafer processing apparatus according to claim 1, wherein the two groove-free grindstones are arranged so that a center line of each of the two grooved grindstones in the width direction crosses each other on the rotation axis of the wafer in a plane viewed from above the wafer placed on the rotary table A method of chamfering a wafer. 제 1 항에 있어서, 상기 2개의 홈없는 숫돌이, 각각, 원반형으로 형성되어 원심의 축둘레로 회전되는 동시에, 외주면에서 상기 웨이퍼에 접촉되는 원반형 홈없는 숫돌인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 면취 가공 방법.The chamfering method for a wafer according to claim 1, wherein the two groove-less grindstones are each formed in a disc shape and are rotated about an axis of the centrifugal shaft and contacted with the wafer on the outer peripheral surface . 제 3 항에 있어서, 상기 2개의 원반형 홈없는 숫돌의 반경 방향의 두께의 마모 가능 범위의 평균치를 기준 반경으로 하고,
가공되는 웨이퍼의 직경, 2개의 원반형 홈없는 숫돌의 상기 기준 반경, 2개의 원반형 홈없는 숫돌의 초기 반경, 2개의 원반형 홈없는 숫돌의 폭, 및 2개의 원반형 홈없는 숫돌 간의 최소 간극에 기초하여, 상기 회전테이블 상에 재치된 상기 웨이퍼를 위쪽에서 본 평면에서의 2개의 원반형 홈없는 숫돌의 방향을 결정하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 면취 가공 방법.4. The method according to claim 3, wherein an average value of a wearable range of the radial thickness of the two disk-like grooved grindstones is defined as a reference radius,
Based on the diameter of the wafer to be processed, the reference radius of the two disk-like grooves, the initial radius of the two disk-shaped grooves, the width of the two disk-shaped grooves, and the minimum gap between the two disk- Wherein the direction of the two disc-shaped grooves without grooves in a plane viewed from above the wafer placed on the rotary table is determined. 제 1 항에 있어서, 상기 2개의 홈없는 숫돌이, 각각, 컵형으로 형성되어 축둘레로 회전되는 동시에, 컵형의 원통의 단면에서 상기 웨이퍼에 접촉되는 컵형 홈없는 숫돌인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 면취 가공 방법.2. The wafer holder according to claim 1, wherein the two grooved grindstones are each a cup-shaped grindstone which is formed in a cup shape and is rotated about an axis and which is in contact with the wafer at an end face of a cup- Processing method. 제 5 항에 있어서, 상기 2개의 컵형 홈없는 숫돌에 있어서의 원통의 높이 방향의 마모 가능 범위의 평균치를 기준 높이로 하고,
가공되는 웨이퍼의 직경, 2개의 컵형 홈없는 숫돌의 상기 기준 높이, 2개의 컵형 홈없는 숫돌의 초기 높이, 2개의 컵형 홈없는 숫돌의 원통의 폭, 및 2개의 컵형 홈없는 숫돌 간의 최소 간극에 기초하여, 상기 회전테이블 상에 재치된 상기 웨이퍼를 위쪽에서 본 평면에서의 2개의 컵형 홈없는 숫돌의 방향을 결정하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 면취 가공 방법.6. The method according to claim 5, wherein an average value of a wearable range of the cylindrical cup in the height direction of the two cup-
Based on the diameter of the wafer to be processed, the reference height of the two cup-shaped groove-free grinding wheels, the initial height of the two cup-shaped grooveless grinding wheels, the width of the cylinder of the two cup-shaped grooves without cup- Wherein the direction of the two cup-shaped groove-free grindstones in a plane viewed from the upper side of the wafer placed on the rotary table is determined. 심출해서 재치된 웨이퍼를 회전시키는 회전 테이블과,
상기 회전 테이블에 재치되어 회전되는 상기 웨이퍼의 주연부를 면취하기 위해서, 각각의 회전축이 상기 웨이퍼의 회전축에 대하여 수직인 평면상에 존재하도록 배치되고, 또 상기 회전테이블 상에 재치된 상기 웨이퍼를 위쪽에서 본 평면에서 각각의 폭방향의 중심선이 서로 평행한 관계보다 상기 웨이퍼의 회전축 측에서 좁아지도록 서로 근접해서 배치된 2개의 홈없는 숫돌과,
상기 회전 테이블상에 재치되어 회전되는 웨이퍼 및 상기 2개의 홈없는 숫돌을 상대적으로 접근 이격시키는 이동 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 면취 가공 장치.A rotary table for rotating the wafer mounted on the wafer,
Wherein each of the rotation shafts is disposed on a plane perpendicular to the rotation axis of the wafer so as to chamfer the peripheral portion of the wafer placed on the rotation table and rotated, Two non-grooved grindstones arranged close to each other so as to become narrower on the side of the rotation axis of the wafer than the mutually parallel relationship of the center lines in the width direction in this plane,
A wafer placed and rotated on the rotary table, and a moving device relatively spaced apart from the two grooved grindstones. 제 7 항에 있어서, 상기 2개의 홈없는 숫돌의 수평면내의 유지 각도를 조정 가능한 각도 조정 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 면취 가공 장치.The chamfering apparatus for a wafer according to claim 7, further comprising an angle adjusting device capable of adjusting a holding angle in a horizontal plane of the two groove-less grinding wheels. 제 8 항에 기재된 웨이퍼의 면취 가공 장치의 상기 2개의 홈없는 숫돌을 부착해야 할 부위에 착탈 가능하게 형성되고,
상기 2개의 홈없는 숫돌의 유지 각도의 기준으로 되는 소정의 테이퍼면을 둘레면에 형성한 원반형상 부재인 것을 특징으로 하는 숫돌 각도 조정용 지그.9. The wafer chamfering apparatus according to claim 8, wherein the two grooved grindstones are detachably attached to a portion to be attached,
Wherein the tapered surface is a disc-shaped member having a circumferential surface formed with a predetermined tapered surface which is a reference of a holding angle of the two grooveless grindstones.
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