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KR101669929B1 - 노광 마스크 및 이를 이용하여 패터닝되어 제조된 내로우 베젤의 씨오지 타입 액정표시장치 - Google Patents

노광 마스크 및 이를 이용하여 패터닝되어 제조된 내로우 베젤의 씨오지 타입 액정표시장치 Download PDF

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KR101669929B1
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Abstract

본 발명은, 빛의 투과부와 차단부로 이루어진 노광 마스크에 있어서, 상기 투과부는 서로 마주하는 2쌍의 양측면 중 어느 한 쌍의 양측면에 삼각형 형태의 다수의 요철이 서로 마주하도록 형성되며, 나머지 한쌍의 양측면은 직선 형태를 이루는 것이 특징인 노광 마스크 및 이를 이용하여 제조된 내로우 베젤이 구현된 COG 타입 액정표시장치를 제공한다.

Description

노광 마스크 및 이를 이용하여 패터닝되어 제조된 내로우 베젤의 씨오지 타입 액정표시장치{Mask for exposure and chip on glass type liquid crystal display device with narrow bezel manufactured by using the same}
본 발명은 노광 마스크 및 이를 이용하여 제조된 액정표시장치에 관한 것으로, 특히, 서로 마주하는 양측면에 다수의 요철이 형성된 것을 특징으로 하는 노광 마스크를 이용하여 패터닝됨으로써 내로우 베젤 구현이 가능한 COG(chip on glass) 타입 액정표시장치에 관한 것이다.
최근 정보화 사회로 시대가 급발전함에 따라 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 디스플레이 장치의 필요성이 대두되었고, 이에 따라 평판표시장치(flat panel display)에 대한 개발이 활발히 이루어지고 있으며, 특히 액정표시장치(liquid crystal display)가 해상도, 컬러표시, 화질 등에서 우수하여 노트북이나 데스크탑 컴퓨터의 모니터에 활발하게 적용되고 있다.
일반적으로 액정표시장치는 전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을 두 전극이 형성되어 있는 면이 마주 대하도록 배치하고 두 기판 사이에 액정 물질을 주입한 다음, 두 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 액정 분자를 움직이게 함으로써, 이에 따라 달라지는 빛의 투과율에 의해 화상을 표현하는 장치이다.
좀 더 자세히, 일반적인 액정표시장치의 분해사시도인 도 1을 참조하여 그 구조에 대해 설명하면, 도시한 바와 같이, 액정표시장치는 액정층(30)을 사이에 두고 어레이 기판(10)과 컬러필터 기판(20)이 대면 합착된 구성을 갖는데, 이중 하부의 어레이 기판(10)은 투명한 기판(12)의 상면으로 종횡 교차 배열되어 다수의 화소영역(P)을 정의하는 복수개의 게이트 배선(14)과 데이터 배선(16)을 포함하며, 이들 두 배선(14, 16)의 교차지점에는 박막트랜지스터(T)가 구비되어 각 화소영역(P)에 마련된 화소전극(18)과 일대일 대응 접속되어 있다.
또한, 상기 어레이 기판(10)과 마주보는 상부의 컬러필터 기판(20)은 투명기판(22)의 배면으로 상기 게이트 배선(14)과 데이터 배선(16) 그리고 박막트랜지스터(T) 등의 비표시영역을 가리도록 각 화소영역(P)을 테두리하는 격자 형상의 블랙매트릭스(25)가 형성되어 있으며, 이들 격자 내부에서 각 화소영역(P)에 대응되게 순차적으로 반복 배열된 적(R), 녹(G), 청(B)색의 컬러필터 패턴(26a, 26b, 26c)을 포함하는 컬러필터층(26)이 형성되어 있으며, 상기 블랙매트릭스(25)와 컬러필터층(26)의 전면에 걸쳐 투명한 공통전극(28)이 구비되어 있다.
그리고, 도면상에 도시되지는 않았지만, 이들 두 기판(10, 20)은 그 사이로 개재된 액정층(30)의 누설을 방지하기 위하여 가장자리 따라 실링제(sealant) 등으로 봉함된 상태에서 각 기판(10, 20)과 액정층(30)의 경계부분에는 액정의 분자배열 방향에 신뢰성을 부여하는 상, 하부 배향막이 개재되며, 각 기판(10, 20)의 적어도 하나의 외측면에는 편광판이 구비되어 있다.
또한, 어레이 기판(10)의 외측면으로는 백라이트(back-light)가 구비되어 빛을 공급하는 바, 게이트 배선(14)으로 박막트랜지스터(T)의 온(on)/오프(off) 신호가 순차적으로 스캔 인가되어 선택된 화소영역(P)의 화소전극(18)에 데이터배선(16)의 화상신호가 전달되면 이들 사이의 수직전계에 의해 그 사이의 액정분자가 구동되고, 이에 따른 빛의 투과율 변화로 여러 가지 화상을 표시할 수 있다
이러한 구조를 갖는 액정표시장치에서, 상기 어레이 기판 및 컬러필터 기판과, 이들 두 기판 사이에 개재된 액정층은 액정패널로 정의되며, 액정패널의 외곽에는 이를 구동하기 위한 구동부가 구성된다. 구동부는 여러 가지 제어 신호, 데이터 신호 등을 생성하는 부품들이 실장되는 인쇄회로기판(PCB : printed circuit board)과, 액정 패널 및 인쇄회로기판에 연결되고 액정 패널의 배선에 신호를 인가하기 위한 구동 집적회로(drive IC)를 포함하는데, 구동 집적회로를 상기 액정패널에 실장(packaging)시키는 방법에 따라, 칩 온 글래스(COG : chip on glass) 방식, 테이프 캐리어 패키지(TCP : tape carrier package) 방식, 칩 온 필름(COF : chip on film) 방식 등으로 나누어진다.
이중 COG 방식은, TCP 방식 및 COF 방식에 비해 구조가 간단하고 액정표시장치에서 액정패널이 차지하는 비율을 높일 수 있기 때문에 최근에 액정표시장치에 널리 적용되고 있다.
이러한 COG 방식의 액정표시장치는 구동 집적회로를 구비한 IC칩이 실장되고 있으며, 상기 어레이 기판에 구비된 게이트 및 데이터 배선과 각각 연결된 입력 패드와 다수의 출력배선과 연결된 출력 배선 패드와 상기 IC칩이 접촉하도록 형성되고 있다.
이때, 상기 IC칩과 상기 입력 패드 및 출렵 패드의 전기적 접촉 불량을 최소화하기 위해 상기 각 입력 및 출력 패드에 구비된 절연층에는 각 패드전극을 노출시키는 다수의 홀이 구비되고 있으며, 상기 각 패드에 있어 상기 각 패드전극을 노출시키며 형성된 다수의 홀을 통해 접촉하며 보조패드전극이 형성되어 있다.
도 2는 종래의 COG 타입 액정표시장치에 있어 IC칩과 접촉하는 출력패드에 대한 평면도이이며, 도 3은 도 2를 절단선 Ⅲ-Ⅲ을 따라 절단한 부분에 대한 단면도이다.
도시한 바와 같이, 각 출력패드(50)는 출력배선(52)의 폭보다 넓은 폭을 가지며, 이를 덮으며 구성된 절연층(55)에 출력패드전극(53)을 노출시키는 일정 크기 및 일정 간격 이격하는 다수의 홀(hl)이 구비되고 있음을 알 수 있다. 이때, 상기 각 홀(hl)은 그 최소 폭(w1)이 4㎛ 정도가 되며, 이격간격(d1) 또한 최소 4㎛ 정도가 되고 있다.
한편, 각 패드에 대응하여 각 패드전극을 노출시키는 다수의 홀을 형성하는 것은 노광 마스크를 이용한 노광 공정을 포함하는 마스크 공정을 통해 진행되고 있다.
도 4는 일반적인 노광 장치를 이용하여 홀을 형성하는 것을 나타낸 개략도이다.
일반적인 노광 장치를 이용한 홀 또는 패턴 형성 방법은 다음과 같은 순서로 이루어진다.
우선, 기판(3) 상에 패터닝이 요구되는 박막(4)을 증착하고, 상기 박막(4) 상에 감광막(5)을 도포한다. 연속하여, 상기 감광막(5) 상부에, UV광을 출사하는 노광기(미도시)와, 상기 노광기(미도시)로부터 UV광을 입사받아 소정의 패턴에 해당되는 상을 상기 감광막(5) 상에 투영하는 노광 마스크(7)를 배치시킨다. 여기서, 상기 노광 마스크(7)는 빛을 투과시키는 투과부(7a)와 차단하는 차광부(7b)로 이루어지며, 상기 투과부(7a)는 상기 감광막(5)에 노광이 이루어지는 부분을, 차광부(7b)는 그렇지 않은 부분을 정의한다. 예를 들어, 상기 감광막(5)이 포지티브 타입(positive type)이라면, 상기 투과부(7a)에 대응되는 감광막(5)의 부분(5a)은 노광 및 현상 후 제거되는 부분이 되며, 상기 차광부(7b)에 대응되는 감광막의 부분(5b)은 노광 및 현상 후 남아있는 부분이 된다.
이러한 일련의 노광 및 현상 공정을 진행한 후, 상기 패터닝되어야 하는 박막(4) 상에 남아있는 감광막 패턴(미도시) 외부로 노출된 박막을 식각을 진행하여 제거함으로써 상기 박막(4)에 특정 형태의 패턴 또는 홀을 형성할 수 있다.
하지만, 종래의 노광 마스크에 구비되는 투과부 또는 차단부는 박막에 홀을 형성하는 경우, 홀이 형성되어야 하는 부분에 대해서는 도 5(종래의 노광 마스크의 홀 형성을 위한 투과부를 나타낸 평면도) 일부를 에 도시한 바와 같이 사각형 모양의 투과부(7a)를 이루게 됨을 알 수 있다.
전술한 사각형 형태의 투과부를 갖는 종래의 노광 마스크를 이용하여 노광을 실시하여 상기 패드전극을 노출시키는 홀을 형성하는 경우, 상기 노광 마스크의 사각형 형태의 패턴 끝단에서 발생하는 광의 회절성에 의해 빛을 차단하는 차단부에 대응하는 부분으로 입사되는 광의 강도가 크게 되어 원하는 치수보다 큰 홀이 최종적으로 형성되며, 이러한 공정 마진을 고려하여 홀의 패터닝이 이루어져야 하므로 홀간의 이격간격의 폭 또한 커지게 되고 있다.
이러한 현상에 의해 상기 각 패드에 구비되는 다수의 홀은 그 폭이 3㎛ 이상이 되며, 홀간 이격간격 또한 3㎛ 이상이 되고 있다.
하지만, 접촉 안정성을 위해 다수의 홀이 구비되는 패드의 폭이 상대적으로 증가되어야 함으로 패드가 위치하는 비표시영역의 크기가 증가하게 되므로 최종적으로 베젤폭이 증가하여 내로우 베젤(narrow bezel)을 갖는 COG타입 액정표시장치를 구성하는데 많은 어려움이 있다.
본 발명은 홀의 최소폭과 홀간 이격간격을 4㎛이하가 되도록 할 수 있는 노광 마스크 및 노광법을 통해 패터닝함으로써 내로우 베젤(narrow bezel)을 갖는 COG타입 액정표시장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명에 따른 노광 마스크는, 빛의 투과부와 차단부로 이루어진 노광 마스크에 있어서, 상기 투과부는 서로 마주하는 2쌍의 양측면 중 어느 한 쌍의 양측면에 삼각형 형태의 다수의 요철이 서로 마주하도록 형성되며, 나머지 한쌍의 양측면은 직선 형태를 이루는 것이 특징이다.
이때, 상기 삼각형 형태의 다수의 요철은 대칭적으로 배치된 것이 특징이다.
또한, 상기 삼각형 형태의 다수의 요철은 상기 한 쌍의 양측면의 중앙부에 대해서 형성되면 상기 한 쌍의 양측면의 양 끝단은 직선 형태를 이루는 것이 특징이다.
또한, 상기 직선형태를 갖는 양측면에는 다수의 바 형태의 차단 패턴이 구비된 것이 특징이다.
본 발명에 따른 COG 타입 액정표시장치는, 표시영역과, 그 주변에 게이트 패드 및 게이트 출력패드가 형성된 제 1 비표시영역과 데이터 패드 및 데이터 출력패드가 형성된 제 2 비표시영역이 정의된 제 1 기판과; 상기 제 1 기판 상의 상기 제 1 비표시영역에 상기 게이트 패드 및 게이트 출력패드와 접촉하며 서로 이격하며 실장된 다수의 게이트 구동 IC칩과; 상기 제 1 기판 상의 상기 제 2 비표시영역에 데이터 패드 및 데이터 출력패드와 접촉하며 서로 이격하며 실장된 데이터 구동 IC칩과; 상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판과; 상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함하며, 상기 청구항 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 하나의 항에 기재된 노광 마스크를 통해 패터닝 된 상기 게이트 및 데이터 패드와 상기 게이트 및 데이터 입력패드에 최소 폭과 최소 이격간격이 2㎛인 다수의 홀이 구비된 것이 특징이다.
이때, 상기 제 1 기판의 표시영역에는 상기 게이트 패드와 연결된 게이트 배선과, 상기 데이터 패드와 연결된 데이터 배선과, 상기 게이트 및 데이터 배선과 연결되며 형성된 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터와 연결된 화소전극이 더욱 구성되며, 상기 제 2 기판에는 상기 표시영역에 대응하여 컬러필터층과 공통전극이 구성된 것이 특징이다.
본 발명에 따른 COG 방식 액정표시장치는 그 측면이 요철구조를 갖는 노광마스크를 이용한 노광을 이용한 패터닝에 의해 제조됨으로써 홀의 크기 및 홀간 이격간격을 3㎛보다 작게 최소화할 수 있으므로 입력패드 및 출력패드의 크기를 줄임으로서 최종적으로 비표시영역의 면적을 줄여 내로우 베젤을 구현할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 일반적인 액정표시장치에 대한 사시도.
도 2는 종래의 COG 타입 액정표시장치에 있어 IC칩과 접촉하는 출력패드에 대한 평면도.
도 3은 도 2를 절단선 Ⅲ-Ⅲ을 따라 절단한 부분에 대한 단면도.
도 4는 일반적인 노광 장치를 이용하여 홀을 형성하는 것을 나타낸 개략도.
도 5는 종래의 노광 마스크의 홀 형성을 위한 투과부를 나타낸 평면도
도 6은 본 발명에 따른 내로우 베젤을 갖는 COG타입 액정표시장치의 제조에 이용되는 박막에 홀 형성하기 위한 노광 마스크의 일부에 대한 평면도.
도 7은 본 발명에 따른 윙 패턴을 구비한 투과부를 갖는 노광 마스크를 이용하여 감광막을 노광하는 것을 도시한 도면.
도 8은 윙 패턴을 구비한 투과부를 갖는 노광 마스크를 이용하여 감광막에 노광을 실시하고 현상한 후의 감광막 패턴을 찍은 SEM사진.
도 9는 윙 패턴 및 슬릿을 구비한 투과부를 갖는 노광 마스크를 이용하여 감광막에 노광을 실시하고 현상한 후의 감광막 패턴을 찍은 SEM사진으로서 슬릿이 위치한 측면이 나타나도록 한 사진.
도 10은 본 발명에 따른 내로우 베젤의 COG방식 액정표시장치에 대한 개략적인 평면도.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
우선, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 내로우 베젤을 갖는 COG타입 액정표시장치의 제조에 이용되는 박막에 홀 형성하기 위한 노광 마스크의 평면 형태에 대해 설명한다.
도 6은 본 발명에 따른 내로우 베젤을 갖는 COG타입 액정표시장치의 제조에 이용되는 박막에 홀 형성하기 위한 노광 마스크의 일부에 대한 평면도.
도시한 바와 같이, 본 발명의 패턴 형성 방법에 이용되는 제 1 실시예에 따른 마스크(100)는, 빛이 투과하는 투과부(TA)와 빛의 투과를 차단하는 차단부(BA)로 구성되고 있다. 이때, 가장 특징적인 것으로 상기 투과부(TA)는 서로 마주하는 2개의 양측단 중 어느 한 쌍의 서로 마주하는 양측단(이하 요철 측단(S1)이라 칭함)은 서로 마주하는 형태로 삼각형 형태의 요철(이하 윙 패턴(120)이라 칭함)이 반복되는 형상을 이루고 있으며, 또 다른 한 쌍의 서로 마주하는 양측단(이하 직선 측단(S2)이라 칭함)은 직선 형태를 이루고 있는 것이 특징이다.
이때, 상기 요철 측단(S1)에 구비된 윙 패턴(120)은 상기 요철 측단(S1)의 양 끝단을 기준으로 소정폭에 대해서는 형성되지 않음으로써 실질적으로 상기 요철 측단(S1)은 직선부(A1)와 요철부(A2)로 구성되고 있는 것이 특징이다.
한편, 상기 직선부(A1)에 대해서는 상기 직선측단(S2)과 나란하게 빛을 차단하는 바(bar) 형태의 빛 차단패턴(130)이 다수 이격하며 구비됨으로써 다수의 슬릿이 형성될 수 있다. 도면에서는 상기 직선부(A1)에 대해서 하나의 바(bar) 형태의 빛 차단패턴(130)이 구비됨을 일례로 보이고 있다.
이렇게 박막에 홀을 형성하기 위한 투과부(TA)에 대해 요철측단(S1)에 대해 윙 패턴(120)을 적용하고, 직선부(A1)에 대해서는 슬릿을 적용한 것을 특징으로 하는 노광 마스크(100)를 이용하여 패터닝 되어야 할 박막 상에 감광막을 형성하고 상기 감광막에 대해 노광을 실시한 후 현상을 진행하게 되면 상기 윙 패턴(120) 형성에 의해 노광 장치(미도시)의 노광 해상도 이하의 미세 홀 패턴을 형성할 수 있으며, 슬릿(SL)이 형성된 부분에 대해서는 슬릿(SL)에 의해 빛의 회절이 더욱 강화되어 투과부(TA)와 차단부(BA)의 명암비가 약화되고 이러한 현상에 의해 노광된 감광막의 현상 후 최종적으로는 박막 상에 남게되는 감광막 패턴의 측면이 완만해진다.
따라서, 전술한 바와같은 형태로 형성된 감광막 패턴을 이용하여 노출된 박막을 식각함으로써 상기 윙 패턴이 구비된 투과부(TA) 측면에 대응하는 홀 측면은 매우 급한 기울기를 갖는 형태를 이루며, 슬릿(SL)이 구비된 직선부(A1)와 인접하는 직선측단(S2)에 대응하는 홀 측면은 완만한 기울기를 갖게 됨으로써 이러한 홀을 통해 노출된 패드전극 등과 접촉하는 보조패드전극이 상기 패드전극과 접촉이 원활하게 이루어지도록 할 수 있다.
도 7은 본 발명에 따른 윙 패턴을 구비한 투과부를 갖는 노광 마스크를 이용하여 감광막을 노광하는 것을 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이, 기판 상에 홀이 형성된 부분에 대응하는 노광 마스크(100)의 투과부(TA)의 서로 마주하는 요철측면(S1)에 윙 패턴(120)을 적용할 경우, 상기 노광 마스크(100)의 투과부(TA)로 입사되는 광 중 상기 투과부(TA)의 측면에서 회절 된 광의 방향이 상기 윙 패턴(120) 자체의 변을 기준으로 수직으로 발생되며, 이에 의해 광의 경로가 윙 패턴을 사이에 두고 양쪽으로 분산되기 때문에 종래의 직선형태의 측면만을 갖는 투과부(도 5의 7a)를 갖는 노광 마스크(도 5의 7)와 같이 인접한 차단부에 대응하는 부분으로 집중되어 들어가는 광의 강도를 줄일 수 있게 되어 최종적으로 감광막에 구현되는 홀 크기를 줄일 수 있게 된다.
즉, 투과부(TA)의 서로 마주하는 요철측면(S1)에 윙 패턴(120)을 적용한 노광 마스크(100)를 이용하여 감광막의 노광 시 투과부(TA)의 내측으로 입사되는 광 중 상기 투과부(TA)의 측면 외측에 위치하는 차단부로 입사되는 광의 강도 감소로 인해 종래의 직선형태의 측면을 갖는 투과부(TA)를 포함하는 노광 마스크를 이용하여 형성한 홀의 최소 폭인 4㎛보다 더욱 작은 2㎛ 정도의 폭을 갖는 홀 형성이 가능함을 알 수 있었다.
나아가 홀간 이격간격 또한 종래의 경우 최소 4㎛정도가 되었지만, 본 발명의 경우 투과부(TA)에 윙 패턴(120)이 구비되어 차단부(BA)에 대응하는 감광막(170b)으로 입사되는 빛의 강도를 줄일 수 있으므로 이러한 차단부(BA)에 대응하는 부분으로 입사되는 빛이 줄어들게 됨으로써 홀간 이격간격의 마진 또한 줄어들게 된다.
따라서, 본 발명에 따른 윙 패턴(120)을 구비한 투과부(TA)를 갖는 노광 마스크(100)를 이용하여 홀 형성 시 홀간 이격간격 또한 2㎛정도가 되어도 안정적으로 홀 형성이 가능함을 알 수 있었다.
도 8은 윙 패턴을 구비한 투과부를 갖는 노광 마스크를 이용하여 감광막에 노광을 실시하고 현상한 후의 감광막 패턴을 찍은 SEM사진이다.
도시한 바와같이, 감광막에 구비된 홀의 측면이 매우 가파른 기울기를 가지며 형성됨을 알 수 있었으며, 그 폭이 2㎛ 정도가 됨을 알 수 있었다.
종래의 직선형태의 측면을 갖는 투과부를 구비한 노광 마스크를 이용하여 감광막에 홀을 형성하는 경우, 안정적인 공정 진행을 위해서는 홀은 그 폭이 최소 4㎛정도가 되어야 했다.
하지만, 본 발명에 따른 투과부의 서로 마주하는 측면에 윙패턴을 구비한 노광 마스크를 이용하는 경우, 홀의 폭은 2㎛정도가 되어도 안정적으로 공정이 진행될 수 있었다.
도 9는 윙 패턴 및 슬릿을 구비한 투과부를 갖는 노광 마스크를 이용하여 감광막에 노광을 실시하고 현상한 후의 감광막 패턴을 찍은 SEM사진으로서 슬릿이 위치한 측면이 나타나도록 한 사진이다.
투과부에 윙 패턴이 구비된 서로 마주하는 측면 이외의 서로 마주하는 측면에 구비된 슬릿에 의해 상기 투과부로 입사된 광이 상기 슬릿에 의해 더욱 많은 회절을 일으킨 상태에서 감광막에 입사됨으로써 슬릿이 형성된 부분에 대해서는 광 퍼짐에 의해 완만한 기울기를 갖는 측면이 형성됨을 알 수 있다.
한편, COG 타입 액정표시장치의 어레이 기판의 비표시영역에 구비되는 구동 IC칩이 실장될 부분에 형성되는 상기 IC칩 내의 입력범프와 접촉하게 되는 게이트 및 데이터 배선과 연결된 입력패드와 IC칩 내의 출력범프와 접촉하게 될 출력패드에 있어 각 패드전극과 보조패드전극과의 전기적 연결을 위해 이들 두 구성요소의 사이에 개재된 절연층에 다수의 홀을 형성하는 경우, 전술한 바와같은 투과부 형태를 갖는 노광 마스크를 이용하여 노광을 실시하고 패터닝을 진행하게 되면 안정적인 패터닝 공정이 진행되면서도 홀 크기를 2㎛ 정도의 폭을 갖도록 줄일 수 있다.
따라서, 각 패드 상에 패드전극과 보조패드 전극간의 전기적 접촉 안정성을 위해 필요로 되는 동일한 개수의 홀을 형성할 때, 일반적인 직선 형태의 측면을 갖는 투과부를 갖는 종래의 노광마스크를 이용하여 패터닝하는 것보다 본 발명에 따른 윙패턴이 구비된 투과부를 갖는 노광 마스크를 이용하여 패터닝하는 경우 홀의 크기 및 홀간 이격간격을 줄일 수 있으므로 윙 패턴의 형성 방향에 따라 패드 폭 또는 길이를 줄일 수 있으며, 이에 의해 비표시영역의 폭을 줄일 수 있으므로 최종적으로 내로우 베젤을 구현할 수 있다.
나아가 윙 패턴이 구비된 측면 이외의 서로 마주하는 양측면에는 다수의 슬릿을 구현함으로써 이를 이용하여 홀의 패터닝을 진행하는 경우 홀의 내측면이 완만한 기울기를 갖도록 구성됨으로써 패드전극과 보조패드전극이 측면에서 끊김 발생이 없이 안정적으로 접촉할 수 있는 장점을 갖는다.
도 10은 본 발명에 따른 내로우 베젤의 COG방식 액정표시장치에 대한 개략적인 평면도이다.
도시한 바와같이, 본 발명에 따른 내로우 베젤의 COG방식 액정표시장치(251)는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)와 이와 연결된 화소전극(261)이 각각 구비된 다수의 화소영역(P)이 구비되어 화상을 표시하는 표시영역(AA)과, 상기 표시영역(AA)의 주변부에 위치하는 제 1 및 제 2 비표시영역(NA1, NA2)이 정의된 제 1 기판(260)이 배치되어 있고, 상기 제 1 기판(260)의 표시영역(AA)과 대응되는 위치에는, 제 1 기판(260)의 제 1 및 제 2 비표시영역(NA1, NA2)을 노출시키며 제 2 기판(280)이 배치되어 있으며, 이들 두 기판(260, 280) 사이에는 액정층(미도시)이 개재되어 있다.
한편, 상기 제 1 기판(260)의 제 1 비표시영역(NA1)에는, 상기 표시영역(AA)에 구성된 다수의 게이트 배선(263)에 게이트 신호전압을 인가하는 다수의 게이트 구동 IC칩(267)이 위치하고, 상기 제 2 비표시영역(NA2)에는 상기 표시영역(AA)에 구성된 다수의 데이터 배선(265)에 데이터 신호전압을 인가하는 다수의 데이터 구동 IC칩(269)이 실장되고 있다.
그리고, 게이트 구동 IC칩(267) 또는 데이터 구동 IC칩(269)가 구성된 비표시영역(NA1, NA2) 중 상기 데이터 구동 집적회로(269)가 구성된 제 2 비표시영역(NA2)에 대해서는 상기 게이트 또는 데이트 구동 IC칩(267, 269) 각각에 입력신호를 인가하기 위한 배선 및 회로가 구성된 FPC(275 ; Flexible Printed Circuit)가 2개의 FPC 연결부(273a, 273b)를 통해 연결되어 있다.
이때, 도면에 나타내지 않았지만, 상기 게이트 구동 IC칩(267)에 의해 가려진 부분에는 상기 게이트 배선(263)과 연결되는 게이트 패드전극(미도시)과 그 폭이 2㎛ 정도가 되며 2㎛ 정도의 이격간격을 가지며 배치된 다수의 홀(미도시)을 갖는 절연층(미도시)과 상기 다수의 홀(미도시)을 통해 상기 게이트 패드전극(미도시)과 접촉하는 게이트 보조패드전극(미도시)으로 구성된 다수의 게이트 패드(미도시)가 구비되며, 이러한 게이트 패드(미도시)과 이격하며 이와 동일한 구성을 갖는 다수의 게이트 출력패드(미도시)가 구비되고 있으며, 상기 게이트 구동 IC칩(267)에 구비된 입력 및 출력범프(미도시)와 접촉하며 상기 게이트 구동 IC칩(267)이 실장되고 있다.
또한, 상기 데이터 구동 IC칩(269)에 의해 가려진 부분에는 상기 데이터 배선(265)과 연결되는 데이터 패드전극(미도시)과 그 폭이 2㎛ 정도가 되며 2㎛ 정도의 이격간격을 가지며 배치된 다수의 홀(미도시)을 갖는 절연층(미도시)과 상기 다수의 홀(미도시)을 통해 상기 데이터 패드전극(미도시)과 접촉하는 데이터 보조패드전극(미도시)으로 구성된 다수의 데이터 패드(미도시)가 구비되며, 이러한 데이터 패드(미도시)과 이격하며 이와 동일한 구성을 갖는 다수의 데이터 출력패드(미도시)가 구비되고 있다.
한편, 상기 2개의 FPC 연결부(273a, 273b) 중 상기 게이트 구동 IC칩(267)이 위치한 제 1 비표시영역(NA1)과 인접하고 있는 연결부(이하 제 1 FPC 연결부(73a)라 칭함)의 좌측으로는 상기 게이트 구동 IC칩(267)으로 여러 신호들을 전달시키기 위해 다수의 신호 연결배선(70)이 상기 제 1 FPC 연결부(273a)와 연결되며 상기 제 1 기판(260)의 테두리를 따라 최외측에 구성되어 있다. 이 경우, 상기 제 1 FPC 연결부(273a)는 이를 통해 신호를 인가받는 몇 개의 데이터 구동 IC칩(269)로의 신호 이외에 상기 게이트 구동 IC칩(267)로 전달되는 신호까지도 상기 다수의 신호 연결배선(270)을 통해 전달하는 역할을 하게 된다.
이때, 상기 신호 연결배선(270)을 제 1 기판(260)상에 구성하는 이유는, 게이트 구동 IC칩(267)에 신호인가를 위한 회로 및 배선이 형성된 게이트 PCB 또는 게이트 FPC(Flexible Printed Circuit)를 생략하고, 상기 게이트 구동 IC칩(267)에 신호인가를 위한 회로 및 배선을 데이터 구동 IC칩(269)와 연결되는 FPC(275)에 모두 형성함으로써 하나의 FPC(275)를 사용하여 구동시킴으로써 액정표시장치의 제조 비용을 절감시키기 위함이다.
이러한 구성을 갖는 본 발명에 따른 COG 타입 액정표시장치(251)의 경우, 제조 시 안정적인 공정 진행을 요구되는 홀(미도시) 크기(폭) 및 홀 간격이 2㎛정도가 되므로 2㎛ 정도의 폭과 이격간격을 갖는 홀(미도시) 형성에 의해 상기 게이트 및 데이터 구동 IC칩(267, 269)과 접촉하는 게이트 및 데이터 패드(미도시)와 게이트 및 데이터 출력패드(미도시)의 폭과 크기를 줄일 수 있으므로 최종적으로 상기 게이트 및 데이터 구동 IC칩(267, 269)이 실장되는 비표시영역의 폭을 줄일 수 있으므로 내로우 베젤(narrow bezel)을 구현한 것이 특징이다.
전술한 구성을 갖는 제 1 기판(260)과 대향하는 제 2 기판(280)의 내측면에는 각 화소영역(P)에 대응하여 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴(미도시)이 순차 반복하는 형태로 형성된 컬러필터층(미도시)이 구비되고 있으며, 이때 각 화소영역(P)의 경계에는 상기 컬러필터층(P)과 제 2 기판(280) 사이에 블랙매트릭스(미도시)가 구비되고 있다. 또한, 상기 컬러필터층(미도시)을 덮으며 투명 도전성 물질로 이루어진 공통전극(미도시)이 형성되어 있다.
한편, 본 발명은 상기 전술한 실시예 및 그 변형예에 한정되지 않고 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
151 : COG타입 액정표시장치 160 : 제 1 기판
161 : 화소전극 163 : 게이트 배선
165 : 데이터 배선 167 : 게이트 구동 집적회로
169 : 데이터 구동 집적회로 170 : 신호 연결배선
171a, 171b : 제 1, 2 배선 173a, 173b : 제 1, 2 FPC 연결부
175 : FPC 180 : 제 2 기판
183 : 테두리 블랙매트릭스 191 : 더미패턴
AA : 표시영역 B ,C : 더미영역
NA1, NA2 : 제 1, 2 비표시영역 P : 화소영역
Tr : 박막트랜지스터

Claims (7)

  1. 빛의 투과부와 차단부로 이루어진 노광 마스크에 있어서,
    상기 투과부는 서로 마주하는 2쌍의 양측면 중 어느 한 쌍의 양측면에 삼각형 형태의 다수의 요철이 서로 마주하도록 배치된 요철부를 갖는 요철 측단과, 나머지 한쌍의 양측면에 직선 형태를 이루는 직선 측단을 포함하고,
    상기 요철부와 상기 직선 측단 사이에 상기 직선 측단과 나란하게 소정거리 이격되어 배치된 차단패턴을 포함하는 노광 마스크.

  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 삼각형 형태의 다수의 요철은 대칭적으로 배치된 노광 마스크.

  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 요철 측단은 직선부를 더 포함하고, 상기 삼각형 형태의 다수의 요철은 직선부 사이에 위치하는 노광 마스크.

  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 차단패턴이 다수의 바 형태로 슬릿을 구성하는 노광 마스크.

  5. 표시영역과, 그 주변에 게이트 패드 및 게이트 출력패드가 구비된 제 1 비표시영역과 데이터 패드 및 데이터 출력패드가 구비된 제 2 비표시영역이 정의된 제 1 기판과;
    상기 제 1 기판 상의 상기 제 1 비표시영역에 상기 게이트 패드 및 게이트 출력패드와 접촉하며 서로 이격하며 실장된 다수의 게이트 구동 IC칩과;
    상기 제 1 기판 상의 상기 제 2 비표시영역에 데이터 패드 및 데이터 출력패드와 접촉하며 서로 이격하며 실장된 데이터 구동 IC칩과;
    상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판과;
    상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 개재된 액정층
    을 포함하며, 상기 청구항 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나의 항에 기재된 노광 마스크를 통해 패터닝 된 상기 게이트 및 데이터 패드와 상기 게이트 및 데이터 입력패드에 최소 폭과 최소 이격간격이 2㎛인 다수의 홀이 구비된 COG 타입 액정표시장치.

  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 기판의 표시영역에는 상기 게이트 패드와 연결된 게이트 배선과, 상기 데이터 패드와 연결된 데이터 배선과, 상기 게이트 및 데이터 배선과 연결된 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터와 연결된 화소전극이 구성되며,
    상기 제 2 기판에는 상기 표시영역에 대응하여 컬러필터층과 공통전극이 구성된 COG 타입 액정표시장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 다수의 홀의 각각에서, 상기 요철 측단의 상기 요철부에 대응하는 홀 측면은 제 1 기울기를 가지며, 상기 직선 측단에 대응하는 홀 측면은 상기 제 1 기울기 보다 완만한 제 2 기울기를 갖는 COG 타입 액정표시장치.

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007072452A (ja) * 2005-08-12 2007-03-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 露光マスクおよびそれを用いた半導体装置の作製方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3871724B2 (ja) * 1995-07-11 2007-01-24 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
KR20080032290A (ko) * 2006-10-09 2008-04-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 노광 마스크
KR101264723B1 (ko) * 2007-10-29 2013-05-15 엘지디스플레이 주식회사 노광 장비, 패턴 형성 방법, 채널 형성 방법, 홀 형성방법, 이를 적용한 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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