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KR101652680B1 - 광경화성 조성물 및 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법 - Google Patents

광경화성 조성물 및 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법 Download PDF

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KR101652680B1
KR101652680B1 KR1020107022546A KR20107022546A KR101652680B1 KR 101652680 B1 KR101652680 B1 KR 101652680B1 KR 1020107022546 A KR1020107022546 A KR 1020107022546A KR 20107022546 A KR20107022546 A KR 20107022546A KR 101652680 B1 KR101652680 B1 KR 101652680B1
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아사히 가라스 가부시키가이샤
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Abstract

이형성 및 고굴절률의 양방을 겸비한 경화물을 얻을 수 있는 광경화성 조성물, 및 몰드의 반전 패턴이 정밀하게 전사된 미세 패턴을 표면에 갖는 고굴절률의 성형체를 제조할 수 있는 방법을 제공한다. 경화 전의 파장 589 ㎚ 에 있어서의 굴절률이 1.55 이상인 화합물이고, 또한 (메트)아크릴로일옥시기를 2 개 이상 갖는 화합물 (A) 61 ∼ 90 질량％ 와, 불소 원자를 갖고, 또한 탄소-탄소 불포화 이중 결합을 1 개 이상 갖는 화합물 (B) (단, 화합물 (A) 를 제외한다) 2 ∼ 15 질량％ 와, (메트)아크릴로일옥시기를 1 개 갖는 화합물 (C) (단, 화합물 (B) 를 제외한다) 5 ∼ 35 질량％ 와, 광중합 개시제 (D) 1 ∼ 12 질량％ 를 함유하는 (단, (A) ＋ (B) ＋ (C) ＋ (D) = 100 질량％ 이다) 광경화성 조성물.

Description

광경화성 조성물 및 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법{PHOTOCURABLE COMPOSITION AND MANUFACTURING METHOD FOR A MOLDED BODY HAVING A FINE PATTERN ON THE SURFACE}
본 발명은 광경화성 조성물 및 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법에 관한 것이다.
광학 부재, 기록 미디어, 반도체 장치 등의 제조에 있어서 미세 패턴을 단시간에 형성하는 방법으로서, 그 미세 패턴의 반전 패턴을 표면에 갖는 몰드를, 기판의 표면에 배치된 광경화성 조성물에 압착시키고, 그 광경화성 조성물에 광을 조사하여, 그 광경화성 조성물을 경화시켜 기판의 표면에 미세 패턴을 형성하는 방법 (나노 임프린트법) 이 알려져 있다 (특허문헌 1 및 특허문헌 2 참조).
그러나, 그 방법에서는 광경화성 조성물의 경화물이 몰드에 밀착되기 때문에, 경화물과 몰드를 분리시키기 어렵다. 이 때문에, 몰드의 표면에 이형제를 도포할 필요가 있다. 그러나, 이형제 자체의 막두께, 이형제의 도포 불균일 등에 인해 몰드의 반전 패턴을 정밀하게 전사하기 곤란해진다.
이형성이 양호한 경화물을 형성할 수 있는 광경화성 조성물로는, 하기의 것이 제안되어 있다.
(1) 함(含)불소 모노머와, 불소를 함유하지 않는 모노머와, 함불소 계면 활성제 또는 함불소 폴리머와, 중합 개시제를 함유하는 광경화성 조성물 (특허문헌 3 참조).
그런데, 광학 부재 (렌즈 어레이, 포토닉 결정 등) 의 용도에서는, 굴절률이 1.54 이상일 필요가 있는 경우가 있다. 그러나, (1) 의 광경화성 조성물에서는 굴절률이 낮은 함불소 모노머를 함유하기 때문에, 고굴절률이고 또한 이형성이 양호한 경화물을 얻기 곤란하다.
미국 특허 제6696220호 명세서 일본 공개특허공보 2004-071934호 국제 공개 제2006/114958호 팜플렛
본 발명은 이형성 및 고굴절률의 양방을 겸비한 경화물을 얻을 수 있는 광경화성 조성물, 및 몰드의 반전 패턴이 정밀하게 전사된 미세 패턴을 표면에 갖는, 고굴절률의 성형체를 제조할 수 있는 방법을 제공한다.
본 발명의 광경화성 조성물은, 경화 전의 파장 589 ㎚ 에 있어서의 굴절률이 1.55 이상인 화합물이고, 또한 (메트)아크릴로일옥시기를 2 개 이상 갖는 화합물 (A) 와, 불소 원자를 갖고, 또한 탄소-탄소 불포화 이중 결합을 1 개 이상 갖는 화합물 (B) (단, 화합물 (A) 를 제외한다) 와, (메트)아크릴로일옥시기를 1 개 갖는 화합물 (C) (단, 화합물 (B) 를 제외한다) 와, 광중합 개시제 (D) 를 함유하고, 화합물 (A), 화합물 (B), 화합물 (C) 및 광중합 개시제 (D) 의 합계 (100 질량％) 중, 화합물 (A) 가 61 ∼ 90 질량％ 이고, 화합물 (B) 가 2 ∼ 15 질량％ 이고, 화합물 (C) 가 5 ∼ 35 질량％ 이며, 광중합 개시제 (D) 가 1 ∼ 12 질량％ 인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 광경화성 조성물은, 상기 화합물 (A) ∼ (C) 및 광중합 개시제 (D) 이외에, 추가로 함불소 계면 활성제 (E) 를 함유하고 있어도 된다.
본 발명의 광경화성 조성물은, 실질적으로 용제를 함유하지 않는 것이 바람직하다.
본 발명의 광경화성 조성물은, 경화 후의 파장 589 ㎚ 에 있어서의 굴절률이 1.54 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의, 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법은, 본 발명의 광경화성 조성물을, 상기 미세 패턴의 반전 패턴을 표면에 갖는 몰드의 그 반전 패턴을 갖는 표면에 접촉시키는 공정과, 상기 몰드의 표면에 상기 광경화성 조성물을 접촉시킨 상태에서, 상기 광경화성 조성물에 광을 조사하여, 상기 광경화성 조성물을 경화시켜 경화물로 하는 공정과, 상기 경화물로부터 상기 몰드를 분리시켜 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체를 얻는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의, 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법은, 본 발명의 광경화성 조성물을 기판의 표면에 배치하는 공정과, 상기 미세 패턴의 반전 패턴을 표면에 갖는 몰드를, 그 몰드의 반전 패턴이 상기 광경화성 조성물에 접하도록, 상기 광경화성 조성물에 압착시키는 공정과, 상기 몰드를 상기 광경화성 조성물에 압착시킨 상태에서, 상기 광경화성 조성물에 광을 조사하여, 상기 광경화성 조성물을 경화시켜 경화물로 하는 공정과, 상기 경화물로부터 상기 몰드, 또는 상기 기판 및 상기 몰드를 분리시켜 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체를 얻는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의, 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법은, 본 발명의 광경화성 조성물을, 상기 미세 패턴의 반전 패턴을 표면에 갖는 몰드의 그 반전 패턴을 갖는 표면에 배치하는 공정과, 기판을 상기 광경화성 조성물에 압착시키는 공정과, 상기 기판을 상기 광경화성 조성물에 압착시킨 상태에서, 상기 광경화성 조성물에 광을 조사하여, 상기 광경화성 조성물을 경화시켜 경화물로 하는 공정과, 상기 경화물로부터 상기 몰드, 또는 상기 기판 및 상기 몰드를 분리시켜 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체를 얻는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의, 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법은, 기판과, 상기 미세 패턴의 반전 패턴을 표면에 갖는 몰드를, 그 몰드의 반전 패턴이 상기 기판측이 되도록 접근 또는 접촉시키는 공정과, 본 발명의 광경화성 조성물을 상기 기판과 상기 몰드 사이에 충전시키는 공정과, 상기 기판과 상기 몰드가 접근 또는 접촉한 상태에서, 상기 광경화성 조성물에 광을 조사하여, 상기 광경화성 조성물을 경화시켜 경화물로 하는 공정과, 상기 경화물로부터 상기 몰드, 또는 상기 기판 및 상기 몰드를 분리시켜 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체를 얻는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명의, 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법에 있어서, 광경화성 조성물을 경화시키기 위해 사용하는 광의 파장은 200 ∼ 500 ㎚ 인 것이 바람직하다.
본 발명의 광경화성 조성물에 의하면, 이형성 및 고굴절률의 양방을 겸비한 경화물을 얻을 수 있다.
본 발명의, 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법에 의하면, 몰드의 반전 패턴이 정밀하게 전사된 미세 패턴을 표면에 갖는 고굴절률의 성형체를 제조할 수 있다.
도 1 은 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2 는 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 3 은 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 4 는 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
발명을 실시하기 위한 형태
본 명세서에서는 식 (B1) 로 나타내는 화합물을 화합물 (B1) 로 기재한다. 다른 식으로 나타내는 화합물도 마찬가지로 기재한다. 또, 본 명세서에서는, (메트)아크릴로일옥시기는 아크릴로일옥시기 또는 메타크릴로일옥시기를 의미한다. 또, 본 명세서에서는, (메트)아크릴레이트는 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트를 의미한다.
<광경화성 조성물>
본 발명의 광경화성 조성물은, 화합물 (A) ∼ (C) 및 광중합 개시제 (D) 를 함유하고, 필요에 따라 함불소 계면 활성제 (E) 및 첨가제 (F) 를 함유하는 조성물이다.
화합물 (A) : 경화 전의 파장 589 ㎚ 에 있어서의 굴절률이 1.55 이상인 화합물이고, 또한 (메트)아크릴로일옥시기를 2 개 이상 갖는 화합물.
화합물 (B) : 불소 원자를 갖고, 또한 탄소-탄소 불포화 이중 결합을 1 개 이상 갖는 화합물 (단, 화합물 (A) 를 제외한다).
화합물 (C) : (메트)아크릴로일옥시기를 1 개 갖는 화합물 (단, 화합물 (B) 를 제외한다).
본 발명의 광경화성 조성물의 25 ℃ 에 있어서의 점도는, 200 ∼ 1000 m㎩ㆍs 가 바람직하고, 300 ∼ 600 m㎩ㆍs 가 보다 바람직하다. 광경화성 조성물의 점도가 그 범위이면, 특별한 조작 (예를 들어, 광경화성 조성물을 고온으로 가열하여 저점도로 하는 조작 등) 을 실시하지 않고, 광경화성 조성물과, 몰드의 반전 패턴을 갖는 표면과의 접촉을 용이하게 실시할 수 있다.
본 발명의 광경화성 조성물은 실질적으로 용제를 함유하지 않는 것이 바람직하다. 광경화성 조성물이 실질적으로 용제를 함유하지 않으면, 광의 조사를 제외한 특별한 조작 (예를 들어, 광경화성 조성물을 고온으로 가열하여 용매를 제거하는 조작 등) 을 실시하지 않고, 광경화성 조성물의 경화를 용이하게 실시할 수 있다.
용제란, 화합물 (A) ∼ (C), 광중합 개시제 (D), 함불소 계면 활성제 (E) 및 첨가제 (F) 중 어느 것을 용해시키는 능력을 갖는 화합물이다.
실질적으로 용제를 함유하지 않는다는 것은, 용제를 전혀 함유하지 않거나, 또는 광경화성 조성물을 조제할 때에 사용한 용제를 잔존 용제로서 함유하고 있어도 된다는 것을 의미한다. 단, 잔존 용제는 최대한 제거되어 있는 것이 바람직하고, 광경화성 조성물 (100 질량％) 중 10 질량％ 이하가 보다 바람직하다.
본 발명의 광경화성 조성물의 감도는, 두께 약 1.5 ㎛ 의 광경화성 조성물에 고압 수은등 (1.5 ∼ 2.0 ㎑ 에서 254 ㎚, 315 ㎚ 및 365 ㎚ 에 주파장을 갖는 광원) 으로부터 광을 조사하여, 광경화성 조성물이 완전히 경화될 때까지의 적산 광량으로 나타낼 수 있다. 그 적산 광량은 1000 mJ/㎠ 이하가 바람직하고, 150 mJ/㎠ ∼ 750 mJ/㎠ 가 보다 바람직하다. 그 적산 광량이 1000 mJ/㎠ 를 초과하면, 광경화성 조성물을 경화시키는 데에 20 초 이상 시간을 필요로 하여 생산 효율이 떨어진다.
본 발명의 광경화성 조성물은, 경화 후의 파장 589 ㎚ 에 있어서의 굴절률이 1.54 이상인 것이 바람직하고, 1.54 ∼ 1.62 인 것이 보다 바람직하다. 그 굴절률이 1.54 미만에서는, 대폭 초점 거리를 줄일 수 없기 때문에 마이크로렌즈 어레이 등의 광학 소자의 크기를 작게 할 수 없다.
경화 후의 광경화성 조성물의 파장 589 ㎚ 에 있어서의 굴절률은, 아베 굴절률계를 사용하여 23 ℃ 에서 측정한다.
본 발명의 광경화성 조성물의 경화 후의 물에 대한 접촉각은, 경화물의 이형성의 기준이 된다. 그 접촉각은 75 도 이상이 바람직하고, 80 ∼ 116 도가 보다 바람직하다. 그 접촉각이 75 도 미만에서는 이형되기 어려워져, 몰드에 광경화성 조성물이 부착되어 몰드를 파손할 우려가 있다. 그 접촉각은 JIS R 3257 에 따라 측정한다.
(화합물 (A))
화합물 (A) 는 경화 전의 파장 589 ㎚ 에 있어서의 굴절률이 1.55 이상인 화합물이고, 또한 (메트)아크릴로일옥시기를 2 개 이상 갖는 화합물이다.
경화 전의 화합물 (A) 의 파장 589 ㎚ 에 있어서의 굴절률은 1.55 이상이고, 1.55 ∼ 1.63 이 바람직하다. 그 굴절률이 1.55 미만에서는, 파장 589 ㎚ 에 있어서의 굴절률이 1.54 이상인 광경화성 조성물의 경화물을 얻을 수 없다.
경화 전의 화합물 (A) 의 파장 589 ㎚ 에 있어서의 굴절률은, 아베 굴절률계를 사용하여 23 ℃ 에서 측정한다.
화합물 (A) 는 액체인 것이 바람직하고, 화합물 (A) 의 25 ℃ 에 있어서의 점도는 10 ㎩ㆍS 이하가 바람직하고, 1 ㎩ㆍS 이하가 특히 바람직하다. 점도가 10 ㎩ㆍS 초과이면, 화합물 (B) 및 화합물 (C) 와 균일하게 혼합할 수 없게 될 우려가 있고, 투명성이 저하되어 광학 용도에 사용할 수 없게 될 우려가 있다. 또한, 본 명세서에서는, 표준액 (JS50 (25 ℃ 에서 33.17 m㎩ㆍS)) 으로 교정이 끝난 점도계 (도키 산업사 제조, TV-20) 를 사용하여 측정하는 것이 바람직하다.
화합물 (A) 로는 벤젠 고리를 2 개 이상 갖는 방향족 화합물이고, 또한 (메트)아크릴로일옥시기를 2 개 이상 갖는 화합물을 들 수 있다. 2 개 이상의 벤젠 고리는, 축합 고리 (나프탈렌 고리, 안트라센 고리, 플루오렌 고리 등) 를 형성하고 있어도 된다.
벤젠 고리를 2 개 이상 갖는 방향족 화합물로는, 하기 식 (A1) ∼ (A7) 로 나타내는, 비스페놀 골격을 갖는 화합물, 나프탈렌 골격을 갖는 화합물, 안트라센 골격을 갖는 화합물, 플루오렌 골격을 갖는 화합물 등을 들 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112010065086909-pct00001
단, R1 은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R0 은 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타내고, R7 은 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, (CH2CH2O)p 또는 (CH2CH2CH2O)q 를 나타내고, p 는 1 ∼ 4 의 정수를 나타내며, q 는 1 ∼ 4 의 정수를 나타낸다.
화합물 (A) 로는 굴절률이 높은 점 및 상용성의 면에서 플루오렌 골격을 갖는 화합물이 특히 바람직하다.
플루오렌 골격을 갖는 화합물로는, 식 (A5) ∼ (A7) 로 나타내는 플루오렌 골격의 디(메트)아크릴레이트 화합물을 들 수 있다. 플루오렌 골격을 갖는 화합물의 시판품으로는, 오그솔 EA-F5003 (오사카 가스 케미컬사 제조), NK 에스테르 A-BPEF (신나카무라 화학 공업사 제조) 등을 들 수 있다.
화합물 (A) 는 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
화합물 (A) 의 함유량은, 화합물 (A), 화합물 (B), 화합물 (C) 및 광중합 개시제 (D) 의 합계 (100 질량％) 중 61 ∼ 90 질량％ 이고, 63 ∼ 80 질량％ 가 바람직하다. 화합물 (A) 의 함유량이 61 질량％ 이상이면, 파장 589 ㎚ 에 있어서의 굴절률이 1.54 이상인 광경화성 조성물의 경화물을 얻을 수 있다. 화합물 (A) 의 함유량이 90 질량％ 이하이면, 경화물이 층 분리되는 경우는 없다.
(화합물 (B))
화합물 (B) 는 불소 원자를 갖고, 또한 탄소-탄소 불포화 이중 결합을 1 개 이상 갖는 화합물 (단, 화합물 (A) 를 제외한다) 이다.
화합물 (B) 로는 플루오로(메트)아크릴레이트류, 플루오로디엔류, 플루오로비닐에테르류, 플루오로 고리형 모노머류 등을 들 수 있고, 상용성의 면에서 플루오로(메트)아크릴레이트류가 바람직하다.
본 발명의 광경화성 조성물 중에 화합물 (B) 가 함유됨으로써, 몰드와 경화된 그 광경화성 조성물을 분리시킬 때의 이형을 용이하게 실시할 수 있다.
화합물 (B) 의 25 ℃ 에 있어서의 점도는 300 m㎩ㆍS 이하가 바람직하고, 150 m㎩ㆍS 이하가 특히 바람직하다. 점도가 300 m㎩ㆍS 초과이면, 화합물 (A) 및 화합물 (C) 와 균일하게 혼합할 수 없게 될 우려가 있고, 투명성이 저하되어 광학 용도에 사용할 수 없게 될 우려가 있다.
플루오로(메트)아크릴레이트류로는 화합물 (B1) 이 바람직하다.
[화학식 2]
Figure 112010065086909-pct00002
단, R1 은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2 및 R3 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R4 및 R5 는 각각 독립적으로 불소 원자, 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 퍼플루오로알킬기를 나타내고, R6 은 수소 원자 또는 불소 원자를 나타내고, m 은 1 ∼ 4 의 정수를 나타내며, n 은 1 ∼ 16 의 정수를 나타낸다. n 은 상용성의 면에서 1 ∼ 10 의 정수가 바람직하다. m 은 1 ∼ 2 의 정수가 바람직하다.
플루오로(메트)아크릴레이트류로는, 하기의 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다.
3-(퍼플루오로-3-메틸부틸)-2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트,
2,2,2-트리플루오로-1-(트리플루오로메틸)에틸(메트)아크릴레이트,
Figure 112010065086909-pct00003
플루오로(메트)아크릴레이트류로는, 상용성 및 환경 특성의 면에서 하기의 화합물이 특히 바람직하다.
Figure 112010065086909-pct00004
플루오로디엔류로는 화합물 (B2) 가 바람직하다.
[화학식 3]
Figure 112010065086909-pct00005
단, R8 및 R9 는 각각 독립적으로 수소 원자, 불소 원자, 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기, 또는 탄소수 1 ∼ 3 의 플루오로알킬기를 나타내고, Q 는 산소 원자, -NR10- (R10 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기, 알킬카르보닐기 또는 토실기를 나타낸다) 으로 나타내는 기, 또는 관능기를 갖고 있어도 되는 2 가 유기기
Figure 112010065086909-pct00006
플루오로디엔류로는, 상용성 및 환경 특성의 면에서 하기의 화합물이 특히 바람직하다.
Figure 112010065086909-pct00007
화합물 (B) 는 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
화합물 (B) 의 함유량은, 화합물 (A), 화합물 (B), 화합물 (C) 및 광중합 개시제 (D) 의 합계 (100 질량％) 중 2 ∼ 15 질량％ 이고, 4 ∼ 10 질량％ 가 바람직하다. 화합물 (B) 의 함유량이 2 질량％ 이상이면, 이형성이 우수한 경화물을 얻을 수 있고, 또한 광경화성 조성물의 기포 발생이 억제된다. 광경화성 조성물의 기포 발생을 억제할 수 있기 때문에, 조제시에 여과하기 쉬워지고, 또한 나노 임프린트할 때에 기포의 혼입에 의한 패턴 형상의 결함을 없앨 수 있다. 화합물 (B) 의 함유량이 15 질량％ 이하이면 균일하게 혼합할 수 있기 때문에, 기계적 강도가 우수한 경화물을 얻을 수 있고, 또한 광경화성 조성물의 경화물의 파장 589 ㎚ 에 있어서의 굴절률이 1.54 미만으로 저하되는 것을 억제할 수도 있다.
(화합물 (C))
화합물 (C) 는 (메트)아크릴로일옥시기를 1 개 갖는 화합물 (단, 화합물 (B) 를 제외한다) 이다.
화합물 (C) 는 다른 성분을 용해시키는 성분이고, 또한 화합물 (A) 와 화합물 (B) 의 상용성을 향상시키는 성분이다. 화합물 (A) 와 화합물 (B) 의 상용성이 양호하면, 광경화성 조성물의 조제시의 기포 발생이 억제되어 필터를 통과하기 쉬워지는 등, 광경화성 조성물의 조제가 용이해지고, 또한 균일한 광경화성 조성물이 얻어진다. 또한, 균질한 경화물이 얻어짐으로써, 이형성, 기계적 강도를 충분히 발휘할 수 있다.
화합물 (C) 의 25 ℃ 에 있어서의 점도는 300 m㎩ㆍS 이하가 바람직하고, 150 m㎩ㆍS 이하가 특히 바람직하다. 점도가 300 m㎩ㆍS 초과이면, 화합물 (A) 및 화합물 (B) 와 균일하게 혼합할 수 없게 될 우려가 있고, 투명성이 저하되어 광학 용도에 사용할 수 없게 될 우려가 있다.
화합물 (C) 로는, 하기의 화합물을 들 수 있다.
페녹시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-페녹시피로필(메트)아크릴레이트, 페녹시에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 페녹시디에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 메톡시트리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 2-(메트)아크릴로일옥시에틸헥사하이드로프탈산, 베헤닐(메트)아크릴레이트, 2-(메트)아크릴로일옥시에틸숙신산, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 이소스테아릴(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 3-(트리메톡시실릴)프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 에톡시에틸(메트)아크릴레이트, 메톡시에틸(메트)아크릴레이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 테트라하이드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트, 알릴(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, N,N-디에틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, N,N-디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, 디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, 2-메틸-2-아다만틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸-2-아다만틸(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시-1-아다만틸(메트)아크릴레이트, 1-아다만틸(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 2-나프틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-페녹시프로필(메트)아크릴레이트, 2-(4-벤조일-3-하이드록시페녹시)에틸(메트)아크릴레이트, 9-안트라세닐(메트)아크릴레이트, 플루오레세인 o-(메트)아크릴레이트, 2-(9H-카르바졸-9-일)에틸(메트)아크릴레이트, 지르코늄(메트)아크릴레이트, β-카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 옥틸(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, (2-(tert-부틸아미노)에틸(메트)아크릴레이트, 1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피페리딜(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, tert-부틸(메트)아크릴레이트, 4-tert-부틸시클로헥실(메트)아크릴레이트, o-페닐페놀글리시딜에테르(메트)아크릴레이트, 하이드록시에틸화 o-페닐페놀(메트)아크릴레이트 등.
화합물 (C) 로는, 상용성 면에서 방향 고리를 갖는 (메트)아크릴레이트 (페녹시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-페녹시피로필(메트)아크릴레이트, 페녹시에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 페녹시디에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 2-(메트)아크릴로일옥시에틸헥사하이드로프탈산 등), 또는 아다만탄 골격을 갖는 (메트)아크릴레이트 (2-메틸-2-아다만틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸-2-아다만틸(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시-1-아다만틸(메트)아크릴레이트, 1-아다만틸(메트)아크릴레이트 등) 가 바람직하다.
화합물 (C) 는 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
화합물 (C) 의 함유량은, 화합물 (A), 화합물 (B), 화합물 (C) 및 광중합 개시제 (D) 의 합계 (100 질량％) 중, 5 ∼ 35 질량％ 이고, 10 ∼ 30 질량％ 가 바람직하다. 화합물 (C) 의 함유량이 5 질량％ 이상이면, 화합물 (A) 와 화합물 (B) 의 상용성이 양호해진다. 화합물 (C) 의 함유량이 35 질량％ 이하이면, 파장 589 ㎚ 에 있어서의 굴절률이 1.54 이상인 광경화성 조성물의 경화물을 얻을 수 있다.
(광중합 개시제 (D))
광중합 개시제 (D) 로는 아세토페논계 광중합 개시제, 벤조인계 광중합 개시제, 벤조페논계 광중합 개시제, 티오크산톤계 광중합 개시제,
Figure 112010065086909-pct00008
-아미노케톤계 광중합 개시제,
Figure 112010065086909-pct00009
-하이드록시케톤계 광중합 개시제,
Figure 112010065086909-pct00010
-아실옥심에스테르, 벤질-(o-에톡시카르보닐)-
Figure 112010065086909-pct00011
-모노옥심, 아실포스핀옥사이드, 글리옥시에스테르, 3-케토쿠마린, 2-에틸안트라퀴논, 캄파퀴논, 테트라메틸티우람술파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 벤조일퍼옥사이드, 디알킬퍼옥사이드, tert-부틸퍼옥시피발레이트 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 감도 및 상용성의 면에서 아세토페논계 광중합 개시제, 벤조인계 광중합 개시제,
Figure 112010065086909-pct00012
-아미노케톤계 광중합 개시제 또는 벤조페논계 광중합 개시제가 바람직하다.
아세토페논계 광중합 개시제로는, 하기의 화합물을 들 수 있다.
아세토페논, p-(tert-부틸)1',1',1'-트리클로로아세토페논, 클로로아세토페논, 2',2'-디에톡시아세토페논, 하이드록시아세토페논, 2,2-디메톡시-2'-페닐아세토페논, 2-아미노아세토페논, 디알킬아미노아세토페논 등.
벤조인계 광중합 개시제로는, 하기의 화합물을 들 수 있다.
벤질, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-2-메틸프로판-1-온, 1-(4-이소프로필페닐)-2-하이드록시-2-메틸프로판-1-온, 벤질디메틸케탈 등.
Figure 112010065086909-pct00013
-아미노케톤계 광중합 개시제로는, 하기의 화합물을 들 수 있다.
2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1,2-메틸-1[4-(메틸티오)페닐]-2-모리폴리노프로판-1-온 등.
벤조페논계 광중합 개시제로는, 하기의 화합물을 들 수 있다.
벤조페논, 벤조일벤조산, 벤조일벤조산메틸, 메틸-o-벤조일벤조에이트, 4-페닐벤조페논, 하이드록시벤조페논, 하이드록시프로필벤조페논, 아크릴벤조페논, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논 등.
광중합 개시제 (D) 는 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
광중합 개시제 (D) 의 함유량은, 화합물 (A), 화합물 (B), 화합물 (C) 및 광중합 개시제 (D) 의 합계 (100 질량％) 중 1 ∼ 12 질량％ 이고, 3 ∼ 10 질량％ 가 바람직하다. 광중합 개시제 (D) 의 함유량이 1 질량％ 이상이면, 가열 등의 조작을 실시하지 않고 용이하게 경화물을 얻을 수 있다. 광중합 개시제 (D) 의 함유량이 12 질량％ 이하이면 균일하게 혼합할 수 있기 때문에, 경화물에 잔존하는 광중합 개시제 (D) 가 적어져 경화물의 물성의 저하가 억제된다.
(함불소 계면 활성제 (E))
광경화성 조성물은, 화합물 (A) ∼ (C) 및 광중합 개시제 (D) 이외에, 추가로 함불소 계면 활성제 (E) 를 함유하고 있어도 된다.
함불소 계면 활성제 (E) 는 경화물의 이형성을 향상시키는 성분이다.
함불소 계면 활성제 (E) 로는 함불소 계면 활성제 (E) 의 전체 원소 중 (100 질량％), 불소 함유량이 10 ∼ 70 질량％ 인 함불소 계면 활성제가 바람직하고, 불소 함유량이 10 ∼ 40 질량％ 인 함불소 계면 활성제가 보다 바람직하다. 함불소 계면 활성제는 수용성이어도 되고 지용성이어도 되며, 광경화성 조성물에 있어서의 상용성 및 경화물에 있어서의 분산성의 면에서 지용성이 바람직하다.
함불소 계면 활성제 (E) 로는 아니온성 함불소 계면 활성제, 카티온성 함불소 계면 활성제, 양성 (兩性) 함불소 계면 활성제 또는 노니온성 함불소 계면 활성제가 바람직하고, 광경화성 조성물에 있어서의 상용성, 및 경화물에 있어서의 분산성의 면에서 노니온성 함불소 계면 활성제가 보다 바람직하다.
아니온성 함불소 계면 활성제로는 폴리플루오로알킬카르복실산염, 폴리플루오로알킬인산에스테르 또는 폴리플루오로알킬술폰산염이 바람직하다.
아니온성 함불소 계면 활성제의 구체예로는, 서프론 S-111 (상품명, AGC 세이미 케미컬사 제조), 플로라드 FC-143 (상품명, 스미토모 3M 사 제조), 메가팍 F-120 (상품명, DIC 사 제조) 등을 들 수 있다.
카티온성 함불소 계면 활성제로는, 폴리플루오로알킬카르복실산의 트리메틸암모늄염, 또는 폴리플루오로알킬술폰산아미드의 트리메틸암모늄염이 바람직하다.
카티온성 함불소 계면 활성제의 구체예로는, 서프론 S-121 (상품명, AGC 세이미 케미컬사 제조), 플로라드 FC-134 (상품명, 스미토모 3M 사 제조), 메가팍 F-150 (상품명, DIC 사 제조) 등을 들 수 있다.
양성 함불소 계면 활성제로는, 폴리플루오로알킬베타인이 바람직하다.
양성 함불소 계면 활성제의 구체예로는, 서프론 S-132 (상품명, AGC 세이미 케미컬사 제조), 플로라드 FX-172 (상품명, 스미토모 3M 사 제조), 메가팍 F-120 (상품명, DIC 사 제조) 등을 들 수 있다.
노니온성 함불소 계면 활성제로는, 폴리플루오로알킬아민옥사이드 또는 폴리플루오로알킬ㆍ알킬렌옥사이드 부가물이 바람직하다.
노니온성 함불소 계면 활성제의 구체예로는, 서프론 S-145 (상품명, AGC 세이미 케미컬사 제조), 서프론 S-393 (상품명, AGC 세이미 케미컬사 제조), 서프론 KH-20 (상품명, AGC 세이미 케미컬사 제조), 서프론 KH-40 (상품명, AGC 세이미 케미컬사 제조), 플로라드 FC-170 (상품명, 스미토모 3M 사 제조), 플로라드 FC-430 (상품명, 스미토모 3M 사 제조), 메가팍 F-141 (상품명, DIC 사 제조) 등을 들 수 있다.
함불소 계면 활성제 (E) 는 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
함불소 계면 활성제 (E) 의 함유량은, 화합물 (A), 화합물 (B), 화합물 (C) 및 광중합 개시제 (D) 의 합계 100 질량부에 대해 0.01 ∼ 3 질량부가 바람직하고, 0.1 ∼ 1 질량부가 보다 바람직하다. 함불소 계면 활성제 (E) 의 함유량이 0.01 질량부 이상이면, 이형성이 향상된다. 함불소 계면 활성제 (E) 의 함유량이 3 질량부 이하이면, 광경화성 조성물의 경화가 저해되는 것이 억제되고, 또한 경화물의 상 분리가 억제된다.
(첨가제 (F))
광경화성 조성물은, 화합물 (A) ∼ (C), 광중합 개시제 (D), 함불소 계면 활성제 (E) 를 제외한 다른 첨가제 (F) 를 함유하고 있어도 된다.
첨가제 (F) 로는 탄소-탄소 불포화 이중 결합을 갖는 화합물 (단, 화합물 (A) ∼ (C) 를 제외한다), 광증감제, 폴리머, 금속 산화물 미립자, 탄소 화합물, 금속 미립자, 다른 유기 화합물 등을 들 수 있다.
광증감제로는, n-부틸아민, 디-n-부틸아민, 트리-n-부틸포스핀, 알릴티오우레아, s-벤지스이소티우로늄-p-톨루엔술피네이트, 트리에틸아민, 디에틸아미노에틸메타크릴레이트, 트리에틸렌테트라민, 4,4'-비스(디알킬아미노)벤조페논 등의 아민 화합물을 들 수 있다.
폴리머로는, 함불소 폴리머, 폴리스티렌, 폴리티오펜, 폴리에스테르 올리고머, 폴리카보네이트, 폴리(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
금속 산화물 미립자로는, 티타니아, 실리카 피복 티타니아, 지르코니아, 산화아연, 실리카, 알루미나, 산화철 등을 들 수 있다.
탄소 화합물로는, 카본 나노튜브, 풀러렌, 다이아몬드, DLC 등을 들 수 있다.
금속 미립자로는, 구리, 백금 등을 들 수 있다.
다른 유기 화합물로는, 포르피린, 금속 내포 폴리피린 등을 들 수 있다.
첨가제 (F) 의 총량은 광경화성 조성물 (100 질량％) 중 20 질량％ 이하가 바람직하다. 첨가제 (F) 의 총량이 20 질량％ 이하이면, 광경화성 조성물을 균일하게 혼합할 수 있어, 균질한 광경화성 조성물이 얻어진다.
이상 설명한 본 발명의 광경화성 조성물에 있어서는, 화합물 (A) 를 함유하고 있기 때문에, 파장 589 ㎚ 에 있어서의 굴절률이 1.54 이상인 광경화성 조성물의 경화물을 얻을 수 있다. 또, 화합물 (B) 를 함유하고 있기 때문에, 이형성이 우수한 경화물을 얻을 수 있다.
또한, 화합물 (C) 를 함유하고 있기 때문에, 화합물 (A) 와 화합물 (B) 의 상용성이 우수하고, 그 결과, 경화물의 이형성 및 기계적 강도가 더욱 향상된다.
<표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법>
본 발명의, 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법은, 하기의 (1) ∼ (3) 의 공정을 갖는다.
(1) 본 발명의 광경화성 조성물을, 미세 패턴의 반전 패턴을 표면에 갖는 몰드의 그 반전 패턴을 갖는 표면에 접촉시키는 공정.
(2) 몰드의 표면에 광경화성 조성물을 접촉시킨 상태에서, 광경화성 조성물에 광을 조사하여, 광경화성 조성물을 경화시켜 경화물로 하는 공정.
(3) 경화물로부터 몰드를 분리시켜 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체를 얻는 공정.
본 발명의, 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법으로는, 보다 구체적으로는 하기의 (a) ∼ (c) 의 방법을 들 수 있다.
(a) 의 방법 :
하기의 공정 (a-1) ∼ (a-4) 를 갖는 방법.
(a-1) 도 1 에 나타내는 바와 같이, 광경화성 조성물 (20) 을 기판 (30) 의 표면에 배치하는 공정.
(a-2) 도 1 에 나타내는 바와 같이, 몰드 (10) 를, 그 몰드 (10) 의 반전 패턴 (12) 이 광경화성 조성물 (20) 에 접하도록 광경화성 조성물 (20) 에 압착시키는 공정.
(a-3) 몰드 (10) 를 광경화성 조성물 (20) 에 압착시킨 상태에서, 광경화성 조성물 (20) 에 광을 조사하여, 광경화성 조성물 (20) 을 경화시켜 경화물로 하는 공정.
(a-4) 경화물로부터 몰드 (10), 또는 기판 (30) 및 몰드 (10) 를 분리시켜 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체를 얻는 공정.
(b) 의 방법 :
하기의 공정 (b-1) ∼ (b-4) 를 갖는 방법.
(b-1) 도 2 에 나타내는 바와 같이, 광경화성 조성물 (20) 을 몰드 (10) 의 반전 패턴 (12) 의 표면에 배치하는 공정.
(b-2) 도 2 에 나타내는 바와 같이, 기판 (30) 을 몰드 (10) 표면의 광경화성 조성물 (20) 에 압착시키는 공정.
(b-3) 기판 (30) 을 광경화성 조성물 (20) 에 압착시킨 상태에서, 광경화성 조성물 (20) 에 광을 조사하여, 광경화성 조성물 (20) 을 경화시켜 경화물로 하는 공정.
(b-4) 경화물로부터 몰드 (10), 또는 기판 (30) 및 몰드 (10) 를 분리시켜 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체를 얻는 공정.
(c) 의 방법 :
하기의 공정 (c-1) ∼ (c-4) 를 갖는 방법.
(c-1) 도 1 에 나타내는 바와 같이, 기판 (30) 과 몰드 (10) 를, 몰드 (10) 의 반전 패턴 (12) 이 기판 (30) 측이 되도록 접근 또는 접촉시키는 공정.
(c-2) 도 1 에 나타내는 바와 같이, 광경화성 조성물 (20) 을 기판 (30) 과 몰드 (10) 사이에 충전시키는 공정.
(c-3) 기판 (30) 과 몰드 (10) 가 접근 또는 접촉한 상태에서, 광경화성 조성물 (20) 에 광을 조사하여, 광경화성 조성물 (20) 을 경화시켜 경화물로 하는 공정.
(c-4) 경화물로부터 몰드 (10), 또는 기판 (30) 및 몰드 (10) 를 분리시켜 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체를 얻는 공정.
기판으로는 무기 재료제 기판 또는 유기 재료제 기판을 들 수 있다.
무기 재료제 기판으로는, 실리콘 웨이퍼, 유리, 석영 유리, 금속 (알루미늄, 니켈, 구리 등), 금속 산화물 (알루미나 등), 질화규소, 질화알루미늄, 니오브산리튬 등을 들 수 있다.
유기 재료제 기판으로는, 불소 수지, 실리콘 수지, 아크릴 수지, 폴리카보네이트, 폴리에스테르 (폴리에틸렌테레프탈레이트 등), 폴리이미드, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 나일론 수지, 폴리페닐렌설파이드, 고리형 폴리올레핀 등을 들 수 있다.
기판으로는 광경화성 조성물과의 밀착성이 우수하다는 점에서 표면 처리된 기판을 사용해도 된다. 표면 처리로는 프라이머 도포 처리, 오존 처리, 플라즈마 에칭 처리 등을 들 수 있다. 프라이머 도포 처리에 사용되는 프라이머로는, 실란 커플링제, 실라잔 등을 들 수 있다.
몰드로는 비투광 재료제 몰드 또는 투광 재료제 몰드를 들 수 있다.
몰드용 비투광 재료로는, 실리콘 웨이퍼, 니켈, 구리, 스테인리스, 티탄, SiC, 마이카 등을 들 수 있다.
몰드용 투광 재료로는, 석영, 유리, 폴리디메틸실록산, 고리형 폴리올레핀, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 투명 불소 수지 등을 들 수 있다.
기판 및 몰드 중 적어도 일방은, 광중합 개시제 (D) 가 작용하는 파장의 광을 40 ％ 이상 투과하는 재료로 한다.
몰드는 표면에 반전 패턴을 갖는다. 반전 패턴은 성형체의 표면의 미세 패턴에 대응한 반전 패턴이다.
반전 패턴은 미세한 볼록부 및/또는 오목부를 갖는다.
볼록부로는 몰드의 표면으로 연장되는 길이가 긴 볼록조, 표면에 점재하는 돌기 등을 들 수 있다.
오목부로는 몰드의 표면으로 연장되는 길이가 긴 홈, 표면에 점재하는 구멍 등을 들 수 있다.
볼록조 또는 홈의 형상으로는, 직선, 곡선, 절곡 형상 등을 들 수 있다. 볼록조 또는 홈은 복수가 평행하게 존재하여 줄무늬 형상을 이루고 있어도 된다.
볼록조 또는 홈의, 길이 방향에 직교하는 방향의 단면 형상으로는, 직사각형, 사다리꼴, 삼각형, 반원형 등을 들 수 있다.
돌기 또는 구멍의 형상으로는, 삼각기둥, 사각기둥, 육각기둥, 원기둥, 삼각뿔, 사각뿔, 육각뿔, 원뿔, 반구, 다면체 등을 들 수 있다.
볼록조 또는 홈의 폭은, 평균으로 50 ㎚ ∼ 500 ㎛ 가 바람직하고, 70 ㎚ ∼ 300 ㎛ 가 보다 바람직하다. 볼록조의 폭이란, 길이 방향에 직교하는 방향의 단면에 있어서의 저변의 길이를 의미한다. 홈의 폭이란, 길이 방향에 직교하는 방향의 단면에 있어서의 상변의 길이를 의미한다.
돌기 또는 구멍의 폭은, 평균으로 50 ㎚ ∼ 500 ㎛ 가 바람직하고, 70 ㎚ ∼ 300 ㎛ 가 보다 바람직하다. 돌기의 폭이란, 바닥면이 가늘고 긴 경우, 길이 방향에 직교하는 방향의 단면에 있어서의 저변의 길이를 의미하고, 그렇지 않은 경우, 돌기의 바닥면에 있어서의 최대 길이를 의미한다. 구멍의 폭이란, 개구부가 가늘고 긴 경우, 길이 방향에 직교하는 방향의 단면에 있어서의 상변의 길이를 의미하고, 그렇지 않은 경우, 구멍의 개구부에 있어서의 최대 길이를 의미한다.
볼록부의 높이는, 평균으로 50 ㎚ ∼ 500 ㎛ 가 바람직하고, 70 ㎚ ∼ 300 ㎛ 가 보다 바람직하다.
오목부의 깊이는, 평균으로 50 ㎚ ∼ 500 ㎛ 가 바람직하고, 70 ㎚ ∼ 300 ㎛ 가 보다 바람직하다.
반전 패턴이 밀집되어 있는 영역에 있어서, 인접하는 볼록부 (또는 오목부) 간의 간격은 평균으로 50 ㎚ ∼ 500 ㎛ 가 바람직하고, 70 ㎚ ∼ 300 ㎛ 가 보다 바람직하다. 인접하는 볼록부 간의 간격이란, 볼록부의 단면의 저변의 종단에서부터 인접하는 볼록부의 단면의 저변의 시단 (始端) 까지의 거리를 의미한다. 인접하는 오목부 사이의 간격이란, 오목부의 단면의 상변의 종단에서부터 인접하는 오목부의 단면의 상변의 시단까지의 거리를 의미한다.
볼록부의 최소 치수는 50 ㎚ ∼ 500 ㎛ 가 바람직하고, 70 ㎚ ∼ 300 ㎛ 가 보다 바람직하며, 70 ㎚ ∼ 150 ㎛ 가 특히 바람직하다. 볼록부의 최소 치수란 볼록부의 폭, 길이 및 높이 중 최소의 치수를 의미한다.
오목부의 최소 치수는 50 ㎚ ∼ 500 ㎛ 가 바람직하고, 70 ㎚ ∼ 300 ㎛ 가 보다 바람직하며, 70 ㎚ ∼ 150 ㎛ 가 특히 바람직하다. 오목부의 최소 치수란, 오목부의 폭, 길이 및 깊이 중 최소의 치수를 의미한다.
공정 (a-1) :
광경화성 조성물의 배치 방법으로는, 잉크젯법, 포팅법, 스핀 코트법, 롤 코트법, 캐스트법, 딥 코트법, 다이 코트법, 랑뮤어 블로젯법, 진공 증착법 등을 들 수 있다.
광경화성 조성물은 기판의 전체면에 배치해도 되고, 기판 표면의 일부에 배치해도 된다.
공정 (a-2) :
몰드를 광경화성 조성물에 압착시킬 때의 프레스 압력 (게이지압) 은 0 초과 ∼ 10 ㎫ 이하가 바람직하고, 0.1 ㎫ ∼ 5 ㎫ 가 보다 바람직하다. 몰드를 광경화성 조성물에 압착시킬 때의 온도는 0 ∼ 100 ℃ 가 바람직하고, 10 ∼ 60 ℃ 가 보다 바람직하다.
공정 (b-1) :
광경화성 조성물의 배치 방법으로는, 잉크젯법, 포팅법, 스핀 코트법, 롤 코트법, 캐스트법, 딥 코트법, 다이 코트법, 랑뮤어 블로젯법, 진공 증착법 등을 들 수 있다.
광경화성 조성물은 몰드의 반전 패턴의 전체면에 배치해도 되고, 반전 패턴의 일부에 배치해도 되며, 반전 패턴의 전체면에 배치하는 것이 바람직하다.
공정 (b-2) :
기판을 광경화성 조성물에 압착시킬 때의 프레스 압력 (게이지압) 은 0 초과 ∼ 10 ㎫ 이하가 바람직하고, 0.1 ㎫ ∼ 5 ㎫ 가 보다 바람직하다. 기판을 광경화성 조성물에 압착시킬 때의 온도는 0 ∼ 100 ℃ 가 바람직하고, 10 ∼ 60 ℃ 가 보다 바람직하다.
공정 (c-2) :
광경화성 조성물을 기판과 몰드 사이에 충전시키는 방법으로는, 모세관 현상에 의해 공극에 광경화성 조성물을 흡인시키는 방법을 들 수 있다.
광경화성 조성물을 충전시킬 때의 온도는 0 ∼ 100 ℃ 가 바람직하고, 10 ∼ 60 ℃ 가 보다 바람직하다.
공정 (a-3), (b-3), 및 (c-3) :
광을 조사하는 방법으로는, 투광 재료제 몰드를 사용하여 그 몰드측으로부터 광조사하는 방법, 투광 재료제 기판을 사용하여 그 기판측으로부터 광조사하는 방법 등을 들 수 있다. 광의 파장은 200 ∼ 500 ㎚ 가 바람직하고, 250 ∼ 400 ㎚ 가 보다 바람직하다. 광을 조사할 때에는, 광경화성 조성물을 가열하여 경화를 촉진시켜도 된다.
광을 조사할 때의 온도는 0 ∼ 100 ℃ 가 바람직하고, 10 ∼ 60 ℃ 가 보다 바람직하다.
공정 (a-4), (b-4) 및 (c-4) :
경화물로부터 몰드, 또는 기판 및 몰드를 분리시킬 때의 온도는 0 ∼ 100 ℃ 가 바람직하고, 10 ∼ 60 ℃ 가 보다 바람직하다.
경화물로부터 기판 및 몰드를 분리한 경우, 도 3 에 나타내는 바와 같은, 몰드의 반전 패턴이 전사된 표면을 갖는 경화물 (42) 만으로 이루어지는, 표면에 미세 패턴 (44) 을 갖는 성형체 (40) 가 얻어진다.
경화물로부터 몰드만을 분리한 경우, 도 4 에 나타내는 같은, 몰드의 반전 패턴이 전사된 표면을 갖는 경화물 (42) 과 기판 (30) 으로 이루어지는, 표면에 미세 패턴 (44) 을 갖는 성형체 (40) (적층체) 가 얻어진다.
표면에 미세 패턴을 갖는 성형체로는, 하기의 물품을 들 수 있다.
광학 소자 : 마이크로렌즈 어레이, 광도파로 소자, 광스위칭 소자 (그리드 편광 소자, 파장판 등), 프레넬 존 플레이트 소자, 바이너리 소자, 브레이즈 소자, 포토닉 결정 등.
반사 방지 부재 : AR (Anti Reflection) 코트 부재 등.
칩류 : 바이오칩, μ-TAS (Micro-Total Analysis Systems) 용 칩, 마이크로 리액터 칩 등.
기타 : 기록 미디어, 디스플레이 재료, 촉매의 담지체, 필터, 센서 부재, 반도체 장치의 제조에 사용되는 레지스트, 나노 임프린트용 도터 몰드 등.
레지스트로서 사용하는 경우, 그 미세 패턴을 갖는 성형체를 마스크로 하여 기판을 에칭함으로써 기판에 미세 패턴을 형성할 수 있다.
이상 설명한 본 발명의, 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법에서는, 이형성 및 고굴절률의 양방을 겸비한 경화물을 얻을 수 있는 본 발명의 광경화성 조성물을 사용하고 있기 때문에, 몰드의 반전 패턴이 정밀하게 전사된 미세 패턴을 표면에 갖는 고굴절률의 성형체를 제조할 수 있다.
실시예
이하에 실시예를 들어 본 발명을 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되지 않는다.
예 1 ∼ 6, 15 및 16 은 실시예이고, 예 7 ∼ 14 는 비교예이다.
(굴절률)
광경화성 조성물의 굴절률은, 하기와 같이 하여 구하였다.
광경화성 조성물에 고압 수은등 (1.5 ∼ 2.0 ㎑ 에 있어서 254 ㎚, 315 ㎚ 및 365 ㎚ 에 주파장을 갖는 광원) 으로부터의 광을 15 초간 조사하여 경화물을 얻었다.
그 경화물에 대하여 아베 굴절률 측정 장치 (ATAGO 사 제조, 2T 형) 를 사용하여 23 ℃ 에서 파장 589 ㎚ 에 있어서의 굴절률을 측정하였다.
(감도)
광경화성 조성물의 감도는, 하기와 같이 하여 구하였다.
광경화성 조성물을 스핀 코트법으로 두께 약 1.5 ㎛ 가 되도록 도막하고, 그것에 고압 수은등 (1.5 ∼ 2.0 ㎑ 에 있어서 254 ㎚, 315 ㎚ 및 365 ㎚ 에 주파장을 갖는 광원) 으로부터의 광을 조사하여 완전히 경화될 때까지의 적산 광량을 구하여 감도로 하였다.
광경화성 조성물이 완전히 경화되었는지 여부는, IR 스펙트럼을 측정하여 아크릴 부분의 올레핀의 흡수 유무에 의해 판단하였다. 적산 광량이 1000 mJ/㎠ 이하의 값일 때에 감도는 양호한 것으로 판단하였다.
(점도)
광경화성 조성물의 25 ℃ 에 있어서의 점도는, 표준액 (JS50 (25 ℃ 에서 33.17 m㎩ㆍS)) 에서 교정이 끝난 점도계 (도키 산업사 제조, TV-20) 를 사용하여 측정하였다.
(접촉각)
경화물의 물에 대한 접촉각은, 하기와 같이 하여 측정하였다.
광경화성 조성물에 고압 수은등 (1.5 ∼ 2.0 ㎑ 에 있어서 254 ㎚, 315 ㎚ 및 365 ㎚ 에 주파장을 갖는 광원) 으로부터의 광을 15 초간 조사하여 경화물을 얻었다.
그 경화물에 대하여 접촉각계 (쿄와 계면 과학사 제조, CA-X150 형) 를 사용하여 JIS R3257 에 따라 4 ㎕ 의 물을 경화물의 표면에 착적 (着滴) 시켜 측정하였다.
물에 대한 접촉각은, 경화물의 이형성의 기준이 된다. 접촉각이 75 도 이상일 때에 이형성은 양호한 것으로 판단하였다.
(화합물 (A))
화합물 (A71) : 오사카 가스 케미컬사 제조, 상품명 : 오그솔 EA-F5003, 9,9-비스(4-하이드록시페닐)플루오렌에틸렌옥사이드 변성 디아크릴레이트, 파장 589 ㎚ 에 있어서의 굴절률 : 1.583.
(화합물 (B))
화합물 (B11) : 알드리치사 제조, 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-트리데카플루오로옥틸아크릴레이트.
CH2=CHCOOCH2CH2(CF2)6F … (B11)
화합물 (B21) : 1,1,2,3,3-펜타플루오로-4-트리플루오로메틸-4-하이드록시-1,6-헵타디엔.
CF2=CFCF2C(CF3)(OH)CH2CH=CH2 … (B21)
(합성예)
화합물 (B21) 의 합성:
2 ℓ 의 유리제 반응기에 CF2ClCFClCF2C(O)CF3 108 g 및 탈수 테트라하이드로푸란 500 ㎖ 를 넣고, 0 ℃ 로 냉각시켰다. 이것에 질소 분위기하에서 2 M 의 CH2=CHCH2MgCl 의 테트라하이드로푸란 용액 200 ㎖ 를 추가로 200 ㎖ 의 탈수 테트라하이드로푸란으로 희석시킨 것을 약 5.5 시간에 걸쳐 적하하였다. 적하 종료 후, 0 ℃ 에서 30 분간 교반하고, 실온에서 17 시간 교반한 후, 2 N 염산 200 ㎖ 를 적하하였다. 또한, 물 200 ㎖ 및 디에틸에테르 300 ㎖ 를 첨가하고, 분액하여 디에틸에테르층을 유기층으로서 얻었다. 유기층을 황산마그네슘으로 건조시킨 후, 여과하여 미정제액을 얻었다. 미정제액을 이바포레이터로 농축시키고, 이어서 감압 증류하여 85 g 의 CF2ClCFClCF2C(CF3)(OH)CH2CH=CH2 (유출 (留出) 온도 ; 60 ∼ 66 ℃/0.7 ㎪) 를 얻었다.
이어서, 500 ㎖ 의 유리제 반응기에 아연 81 g 및 디옥산 170 ㎖ 를 넣고, 요오드로 아연의 활성화를 실시하였다. 그 후, 100 ℃ 로 가열하고, 상기에서 합성된 CF2ClCFClCF2C(CF3)(OH)CH2CH=CH2 84 g 을 디옥산 50 ㎖ 로 희석시킨 것을 1.5 시간에 걸쳐 적하하였다. 적하 종료 후, 100 ℃ 에서 40 시간 교반하였다. 반응액을 여과시키고, 소량의 디옥산으로 세정하였다. 여과액을 감압 증류하여 30 g 의 CF2=CFCF2C(CF3)(OH)CH2CH=CH2 (유출 온도 ; 36 ∼ 37 ℃/1 ㎪) 를 얻었다. 이하에 1H-NMR 및 19F-NMR 의 데이터를 나타낸다.
Figure 112010065086909-pct00014
(화합물 (C))
화합물 (C1) : 이데미츠 흥산사 제조, 2-메틸-2-아다만틸메타크릴레이트.
[화학식 4]
Figure 112010065086909-pct00015
화합물 (C2) : 알드리치사 제조, 벤질메타크릴레이트.
[화학식 5]
Figure 112010065086909-pct00016
(광중합 개시제 (D))
광중합 개시제 (D1) : 치바ㆍ가이기ㆍ스페셜리티사 제조, 상품명 : 이르가큐어 651.
(함불소 계면 활성제 (E))
함불소 계면 활성제 (E1) : 노니온계 함불소 계면 활성제, AGC 세이미 케미컬사 제조, 상품명 : 서프론 S-393.
(첨가제 (F))
첨가제 (F1) : 산화티탄 (알드리치사 제조, 나노 파우더).
첨가제 (F2) : 산화지르코니아 (알드리치사 제조, 나노 파우더).
〔예 1〕
바이알 용기 (내용적 6 ㎖) 에 화합물 (A71) 2.60 g, 화합물 (B11) 0.20 g 및 화합물 (C1) 1.04 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 0.16 g 을 혼합하고, 5.0 ㎛ 의 폴리테트라플루오로에틸렌 (이하, PTFE 로 기재한다) 제 필터로 여과하여 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
〔예 2〕
바이알 용기 (내용적 6 ㎖) 에 화합물 (A71) 2.60 g, 화합물 (B11) 0.20 g 및 화합물 (C2) 1.04 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 0.16 g 을 혼합하고, 5.0 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
〔예 3〕
바이알 용기 (내용적 6 ㎖) 에 화합물 (A71) 3.00 g, 화합물 (B11) 0.28 g 및 화합물 (C1) 0.60 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 0.12 g 을 혼합하고, 5.0 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
〔예 4〕
바이알 용기 (내용적 6 ㎖) 에 화합물 (A71) 2.60 g, 화합물 (B11) 0.20 g 및 화합물 (C1) 1.04 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 0.16 g 및 함불소 계면 활성제 (E1) 0.004 g 을 혼합하고, 5.0 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
〔예 5〕
바이알 용기 (내용적 6 ㎖) 에 화합물 (A71) 2.60 g, 화합물 (B11) 0.20 g 및 화합물 (C1) 1.04 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 0.16 g 및 첨가제 (F1) 0.12 g 을 첨가하여 고속 교반기로 혼합하고, 5.0 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
〔예 6〕
바이알 용기 (내용적 6 ㎖) 에 화합물 (A71) 2.60 g, 화합물 (B11) 0.20 g 및 화합물 (C1) 1.04 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 0.16 g 및 첨가제 (F2) 0.12 g 을 첨가하여 고속 교반기로 혼합하고, 5.0 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
〔예 7〕
바이알 용기 (내용적 6 ㎖) 에 화합물 (A71) 2.20 g, 화합물 (B11) 0.40 g 및 화합물 (C1) 1.24 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 0.16 g 을 혼합하고, 5.0 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
〔예 8〕
바이알 용기 (내용적 6 ㎖) 에 화합물 (A71) 3.68 g, 화합물 (B11) 0.08 g 및 화합물 (C1) 0.20 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 0.04 g 을 혼합했지만, 층 분리되어 균일한 조성물을 얻을 수 없었다.
〔예 9〕
바이알 용기 (내용적 6 ㎖) 에 화합물 (A71) 2.60 g, 화합물 (B11) 0.04 g 및 화합물 (C1) 1.20 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 0.16 g 을 혼합하고, 5.0 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
〔예 10〕
바이알 용기 (내용적 6 ㎖) 에 화합물 (A71) 2.60 g, 화합물 (B11) 0.80 g 및 화합물 (C1) 0.44 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 0.16 g 을 혼합했지만, 층 분리되어 균일한 조성물을 얻을 수 없었다.
〔예 11〕
바이알 용기 (내용적 6 ㎖) 에 화합물 (A71) 3.40 g, 화합물 (B11) 0.32 g 및 화합물 (C1) 0.08 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 0.20 g 을 혼합했지만, 층 분리되어 균일한 조성물을 얻을 수 없었다.
〔예 12〕
바이알 용기 (내용적 6 ㎖) 에 화합물 (A71) 2.44 g, 화합물 (B11) 0.08 g 및 화합물 (C1) 1.44 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 0.04 g 을 혼합하고, 5.0 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
〔예 13〕
바이알 용기 (내용적 6 ㎖) 에 화합물 (A71) 2.60 g, 화합물 (B11) 0.20 g 및 화합물 (C1) 1.18 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 0.02 g 을 혼합하고, 5.0 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
〔예 14〕
바이알 용기 (내용적 6 ㎖) 에 화합물 (A71) 2.52 g, 화합물 (B11) 0.20 g 및 화합물 (C1) 0.68 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 0.60 g 을 혼합했지만, 광중합 개시제 (D1) 가 용해되지 않아 균일한 조성물을 얻을 수 없었다.
〔예 15〕
바이알 용기 (내용적 6 ㎖) 에 화합물 (A71) 2.60 g, 화합물 (B21) 0.20 g 및 화합물 (C1) 1.04 g 을 첨가하고, 다음으로 광중합 개시제 (D1) 0.16 g 을 혼합하고, 5.0 ㎛ 의 PTFE 제 필터로 여과하여 광경화성 조성물을 얻었다. 그 조성물의 조성을 표 1 에, 평가 결과를 표 2 에 나타낸다.
단, 표 1 의 「-」는 함불소 계면 활성제 (E) 및/또는 첨가제 (F) 를 사용하지 않은 것을 의미하고, 표 2 의 「-」는 각 물성의 평가를 하지 않았거나 평가할 수 없었던 것을 의미한다.
Figure 112010065086909-pct00017
Figure 112010065086909-pct00018
〔예 16〕
25 ℃ 에서 예 1 의 광경화성 조성물 1 방울을 실리콘 웨이퍼 상에 떨어뜨려, 그 조성물이 균일하게 도포된 실리콘 웨이퍼를 얻었다. 폭 800 ㎚, 깊이 180 ㎚, 길이 10 ㎛ 의 오목부를 표면에 갖는 석영제 몰드를 실리콘 웨이퍼 상의 광경화성 조성물에 압착시키고, 그대로 0.5 ㎫ (게이지압) 로 프레스하였다.
다음으로, 25 ℃ 에서 몰드측에서부터 광경화성 조성물에 고압 수은등 (1.5 ∼ 2.0 ㎑ 에 있어서 254 ㎚, 315 ㎚ 및 365 ㎚ 에 주파장을 갖는 광원) 으로부터의 광을 15 초간 조사하여 광경화성 조성물의 경화물을 얻었다. 25 ℃ 에서 몰드를 실리콘 웨이퍼로부터 분리하여, 몰드의 오목부가 반전된 볼록부를 표면에 갖는 경화물이 실리콘 웨이퍼의 표면에 형성된 성형체를 얻었다. 그 볼록부의 바닥면에서부터 정상면까지 높이는 178 ∼ 180 ㎚ 였다.
산업상 이용가능성
본 발명의 제조 방법에 의해 얻어지는 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체는, 마이크로렌즈 어레이, 광도파로 소자, 광스위칭 소자 (그리드 편광 소자, 파장판 등), 프레넬 존 플레이트 소자, 바이너리 소자, 브레이즈 소자, 포토닉 결정 등의 광학 소자나 반사 방지 부재, 생산용 레플리카 몰드 등으로서 유용하다.
또한, 2008년 5월 29일에 출원된 일본 특허출원 2008-140764호의 명세서, 특허청구범위, 도면 및 요약서의 전체 내용을 여기에 인용하여, 본 발명의 명세서의 개시로서 도입한다.
10 : 몰드
12 : 반전 패턴
20 : 광경화성 조성물
30 : 기판
40 : 성형체
42 : 경화물
44 : 미세 패턴

Claims (10)

  1. 경화 전의 파장 589 ㎚ 에 있어서의 굴절률이 1.55 이상인 화합물이고, 또한 벤젠 고리를 2 개 이상 및 (메트)아크릴로일옥시기를 2 개 이상 갖는 화합물 (A) 로서, 상기 화합물 (A) 는 축합 방향족 고리 화합물이며, 상기 축합 방향족 고리 화합물은 2 개 이상의 벤젠 고리를 포함하는 것인 화합물 (A) 와,
    불소 원자를 갖고, 또한 탄소-탄소 불포화 이중 결합을 1 개 이상 갖는, 플루오로(메트)아크릴레이트, 플루오로디엔, 플루오로비닐에테르 또는 플루오로 고리형 모노머인 화합물 (B) 와,
    (메트)아크릴로일옥시기를 1 개 갖는 페녹시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-페녹시피로필(메트)아크릴레이트, 페녹시에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 페녹시디에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 메톡시트리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 2-(메트)아크릴로일옥시에틸헥사하이드로프탈산, 베헤닐(메트)아크릴레이트, 2-(메트)아크릴로일옥시에틸숙신산, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 이소스테아릴(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 3-(트리메톡시실릴)프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 에톡시에틸(메트)아크릴레이트, 메톡시에틸(메트)아크릴레이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 테트라하이드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트, 알릴(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, N,N-디에틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, N,N-디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, 디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, 2-메틸-2-아다만틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸-2-아다만틸(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시-1-아다만틸(메트)아크릴레이트, 1-아다만틸(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 2-나프틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-페녹시프로필(메트)아크릴레이트, 2-(4-벤조일-3-하이드록시페녹시)에틸(메트)아크릴레이트, 9-안트라세닐(메트)아크릴레이트, 플루오레세인 o-(메트)아크릴레이트, 2-(9H-카르바졸-9-일)에틸(메트)아크릴레이트, 지르코늄(메트)아크릴레이트, β-카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 옥틸(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, (2-(tert-부틸아미노)에틸(메트)아크릴레이트, 1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피페리딜(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, tert-부틸(메트)아크릴레이트, 4-tert-부틸시클로헥실(메트)아크릴레이트, o-페닐페놀글리시딜에테르(메트)아크릴레이트 또는 하이드록시에틸화 o-페닐페놀(메트)아크릴레이트인 화합물 (C) (화합물 (A) 내지 (C) 는 서로 상이하다) 와,
    광중합 개시제 (D) 를 함유하고,
    화합물 (A), 화합물 (B), 화합물 (C) 및 광중합 개시제 (D) 의 합계 (100 질량％) 중, 화합물 (A) 가 61 ∼ 90 질량％ 이고, 화합물 (B) 가 2 ∼ 15 질량％ 이고, 화합물 (C) 가 5 ∼ 35 질량％ 이며, 광중합 개시제 (D) 가 1 ∼ 12 질량％ 인 것을 특징으로 하는 광경화성 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    추가로 함(含)불소 계면 활성제 (E) 를 함유하는, 광경화성 조성물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    실질적으로 용제를 함유하지 않는, 광경화성 조성물.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    경화 후의 파장 589 ㎚ 에 있어서의 굴절률이 1.54 이상인, 광경화성 조성물.
  5. 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법으로서,
    제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 광경화성 조성물을, 상기 미세 패턴의 반전 패턴을 표면에 갖는 몰드의 그 반전 패턴을 갖는 표면에 접촉시키는 공정과,
    상기 몰드의 표면에 상기 광경화성 조성물을 접촉시킨 상태에서, 상기 광경화성 조성물에 광을 조사하여, 상기 광경화성 조성물을 경화시켜 경화물로 하는 공정과,
    상기 경화물로부터 상기 몰드를 분리시켜 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체를 얻는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법.
  6. 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법으로서,
    제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 광경화성 조성물을 기판의 표면에 배치하는 공정과,
    상기 미세 패턴의 반전 패턴을 표면에 갖는 몰드를, 그 몰드의 반전 패턴이 상기 광경화성 조성물에 접하도록, 상기 광경화성 조성물에 압착시키는 공정과,
    상기 몰드를 상기 광경화성 조성물에 압착시킨 상태에서, 상기 광경화성 조성물에 광을 조사하여, 상기 광경화성 조성물을 경화시켜 경화물로 하는 공정과,
    상기 경화물로부터 상기 몰드, 또는 상기 기판 및 상기 몰드를 분리시켜 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체를 얻는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법.
  7. 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법으로서,
    제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 광경화성 조성물을, 상기 미세 패턴의 반전 패턴을 표면에 갖는 몰드의 그 반전 패턴을 갖는 표면에 배치하는 공정과,
    기판을 상기 광경화성 조성물에 압착시키는 공정과,
    상기 기판을 상기 광경화성 조성물에 압착시킨 상태에서, 상기 광경화성 조성물에 광을 조사하여, 상기 광경화성 조성물을 경화시켜 경화물로 하는 공정과,
    상기 경화물로부터 상기 몰드, 또는 상기 기판 및 상기 몰드를 분리시켜 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체를 얻는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법.
  8. 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법으로서,
    기판과, 상기 미세 패턴의 반전 패턴을 표면에 갖는 몰드를, 그 몰드의 반전 패턴이 상기 기판측이 되도록 접근 또는 접촉시키는 공정과,
    제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 광경화성 조성물을 상기 기판과 상기 몰드 사이에 충전시키는 공정과,
    상기 기판과 상기 몰드가 접근 또는 접촉한 상태에서, 상기 광경화성 조성물에 광을 조사하여, 상기 광경화성 조성물을 경화시켜 경화물로 하는 공정과,
    상기 경화물로부터 상기 몰드, 또는 상기 기판 및 상기 몰드를 분리시켜 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체를 얻는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법.
  9. 청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    광경화성 조성물을 경화시킬 때에 사용하는 광의 파장이 200 ∼ 500 ㎚ 인, 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법.
  10. 청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 표면에 미세 패턴을 갖는 성형체의 제조 방법에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하는 성형체.
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