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KR101633761B1 - 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 Download PDF

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KR101633761B1
KR101633761B1 KR1020147019408A KR20147019408A KR101633761B1 KR 101633761 B1 KR101633761 B1 KR 101633761B1 KR 1020147019408 A KR1020147019408 A KR 1020147019408A KR 20147019408 A KR20147019408 A KR 20147019408A KR 101633761 B1 KR101633761 B1 KR 101633761B1
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패트리시우스 티네만스
아르노 블리커
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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

리소그래피 또는 노광 장치는 투영 시스템 및 콘트롤러를 가진다. 투영 시스템은 고정부 및 이동부를 포함한다. 투영 시스템은 복수의 방사선 빔을 타겟 상에 위치에 투영하도록 구성된다. 위치는 패턴에 기초하여 생성된다. 콘트롤러는 장치가 제1 모드에서 또는 제2 모드에서 동작하게 제어하도록 구성된다. 제1 모드에서 투영 시스템은 에너지의 제1 양을 선택된 위치로 전달한다. 제2 모드에서 투영 시스템은 에너지의 제2 양을 선택된 위치로 전달한다. 에너지의 제2 양은 에너지의 제1 양보다 더 크다.

Description

리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법{LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 출원은 2012 년 1 월 17 일 출원된 미국 가특허 출원 번호 61/587,357 호에 대한 우선권을 주장하며, 상기 특허 출원은 그 전체 내용이 본 명세서에 원용되어 있다.
분야
본 발명은 리소그래피 또는 노광 장치, 및 디바이스를 제조하는 방법에 관련된다.
리소그래피 또는 노광 장치는 원하는 패턴을 기판 또는 기판의 부분 상에 적용하는 기계이다. 이 장치는, 예를 들어 집적 회로(ICs), 평판 패널 디스플레이 및 미세 피처를 가지는 다른 디바이스 또는 구조체의 제조에 사용될 수 있다. 기존의 리소그래피 또는 노광 장치에서는, 마스크 또는 레티클로 지칭될 수 있는 패터닝 디바이스가 IC, 평판 패널 디스플레이, 또는 다른 디바이스의 개별 층에 대응하는 회로 패턴을 생성하기 위해 이용될 수 있다. 이 패턴은 예컨대 기판 상에 제공된 방사선 감응성 재료(레지스트)의 층 상에의 이미징을 통해 기판(예컨대 실리콘 웨이퍼 또는 유리 플레이트)(또는 기판의 일부분)에 전사될 수 있다. 유사한 관점에서, 노광 장치는 원하는 패턴을 기판(또는 그 일부) 상에 또는 내에 형성하는 데에 방사선 빔을 사용하는 기계이다.
회로 패턴 대신에, 패터닝 디바이스는 다른 패턴, 예를 들어 컬러 필터 패턴, 또는 도트의 매트릭스를 생성하는데 사용될 수 있다. 기존 마스크 대신에, 패터닝 디바이스는 회로 또는 다른 도포가능한 패턴을 생성하는 개별적으로 제어가능한 요소의 어레이를 포함하는 패터닝 어레이를 포함할 수 있다. 기존 마스크 기반 시스템에 비하여 이러한 "마스크 없는" 시스템의 장점은, 패턴이 보다 신속하고 적은 비용으로 제공 및/또는 변화될 수 있다는 점이다.
따라서, 마스크 없는 시스템은 프로그램가능 패터닝 디바이스(예를 들어, 공간 광 변조기, 콘트라스트 디바이스 등)를 포함한다. 이러한 프로그램가능한 패터닝 디바이스는, 개별적으로 제어가능한 요소의 어레이를 이용하여 요구되는 패터닝된 빔을 형성하도록 프로그램(예를 들어, 전자적으로 또는 광학적으로)된다. 프로그램가능한 패터닝 디바이스의 유형은, 마이크로 미러 어레이, 액정 디스플레이(LCD) 어레이, 격자 광 밸브 어레이, 자기 발광 콘트라스트 디바이스의 어레이, 등을 포함한다. 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 또한, 예를 들어 기판 상에 투영된 방사선의 스팟을 이동시키거나 또는 간헐적으로 방사선 빔을 기판으로부터, 예를 들어 방사선 빔 흡수체로 디렉팅하도록 구성되는 전기 광학 편향기로부터 형성될 수 있다. 이러한 배치구성물 모두에서, 방사선 빔은 연속적일 수도 있다.
마스크 없는 리소그래피 장치에는, 상기 기판의 타겟부에 패턴을 생성하도록, 예를 들어, 광학 컬럼이 제공될 수 있다. 이러한 광 컬럼에는, 빔을 방출하도록 구성되는 자기 발광 콘트라스트 디바이스, 및 타겟부 상에 적어도 빔의 일부를 투영하도록 구성되는 투영 시스템이 구비될 수 있다. 이러한 장치에는 광 컬럼 또는 그 일부를 기판에 대해 이동시키기 위한 액추에이터가 제공될 수 있다. 이에 의하여, 빔 및 기판 간에 상대 운동이 존재할 수도 있다. 자기 발광 콘트라스트 디바이스를 이동 동안에 스위치 "온" 또는 "오프"함으로써, 기판 상에 패턴이 생성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 리소그래피 장치로서, 고정부 및 이동부를 포함하고, 복수의 방사선 빔을 패턴에 기초하여 선택된 타겟 상의 위치 상에 투영하도록 구성되는 투영 시스템; 및 상기 리소그래피 장치가 제1 모드 또는 제2 모드에서 동작하게 제어하도록 구성되는 콘트롤러를 포함하고, 상기 제1 모드에서 상기 투영 시스템이 에너지의 제1 양을 선택된 위치로 전달하고, 제2 모드에서 상기 투영 시스템이 에너지의 상기 제1 양보다 더 큰 에너지의 제2 양을 선택된 위치로 전달하는, 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 디바이스 제조 방법으로서, 고정부 및 이동부를 포함하는 투영 시스템을 사용하여 복수의 방사선 빔을 패턴에 기초하여 선택된 타겟 상의 위치 상에 투영하는 단계; 및 상기 리소그래피 장치를 제1 모드 또는 제2 모드에서 동작하도록 제어하는 단계를 포함하고, 상기 제1 모드에서 상기 투영 시스템은 에너지의 제1 양을 선택된 위치로 전달하고, 제2 모드에서 상기 투영 시스템은 에너지의 상기 제1 양보다 더 큰 에너지의 제2 양을 선택된 위치로 전달하는, 디바이스 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 실시예가 오직 예시를 통하여, 대응하는 참조 심벌들이 대응하는 부분을 표시하는 첨부된 개략도를 참조하여 이제 설명될 것이다.
- 도 1 은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 부분을 묘사한다;
- 도 2 는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1 의 리소그래피 장치의 부분의 평면도를 묘사한다;
- 도 3 은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 부분의 고도로 개략적인 사시도를 묘사한다;
- 도 4 는 본 발명의 일 실시예에 따르는, 도 3 에 따른 리소그래피 장치에 의한 기판 상으로의 투영의 개략적인 평면도를 묘사한다;
- 도 5 는 본 발명의 일 실시예의 부분을 단면도에서 묘사한다;
- 도 6 은 본 발명의 일 실시예에 따르는, 리소그래피 장치에 의한 기판의 부분 상으로의 투영의 개략적인 평면도를 묘사한다;
- 도 7 은 본 발명의 일 실시예에 따르는, 리소그래피 장치에 의한 기판의 부분 상으로의 투영의 개략적인 평면도를 묘사한다; 그리고
- 도 8 은 본 발명의 일 실시예에 따르는, 리소그래피 장치에 의한 기판의 부분 상으로의 투영의 개략적인 평면도를 묘사한다.
본 발명의 일 실시예는 예를 들어 자기-발광 콘트라스트 디바이스의 어레이 또는 어레이들로 구성될 수도 있는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 포함할 수도 있는 장치에 관한 것이다. 이러한 장치에 관련된 다른 정보는 PCT 특허 출원 공개 번호 제 WO 2010/032224 A2 호, 미국 특허 출원 공개 번호 제 US 2011-0188016 호, 미국 특허 출원 번호 제 US 61/473636 호 및 미국 특허 출원 번호 제 61/524190 호에서 발견될 수도 있는데, 이들은 그 전체로서 원용에 의하여 본 명세서에 통합된다. 그러나, 본 발명의 일 실시예는, 예를 들어 위에 논의된 것들을 포함하는 임의의 형태의 프로그램가능한 패터닝 디바이스와 함께 사용될 수도 있다.
도 1 은 리소그래피 또는 노광 장치의 부분의 개략적인 측단면도를 개략적으로 묘사한다. 이러한 실시예에서, 이 장치는 아래에서 더 상세히 논의되는, X-Y 평면에서 실질적으로 고정된 개별적으로 제어가능한 요소를 가지는데, 반드시 그래야 하는 것은 아니다. 이 장치(1)는 기판을 홀딩하기 위한 기판 테이블(2), 및 기판 테이블(2)을 6 까지의 자유도로 이동시키기 위한 위치 설정기(3)를 포함한다. 기판은 레지스트코팅된 기판일 수 있다. 일 실시예에서, 기판은 웨이퍼이다. 일 실시예에서, 기판은 다각형(예를 들어 사각형) 기판이다. 일 실시예에서, 기판은 유리 플레이트이다. 일 실시예에서, 기판은 플라스틱 기판이다. 일 실시예에서, 기판은 호일이다. 일 실시예에서, 장치는 롤-투-롤 제조에 적합하다.
이 장치(1)는 또한 복수의 빔을 방출하도록 구성되는 복수의 개별적으로 제어가능한 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)를 포함한다. 일 실시예에서, 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)는 발광 다이오드(LED), 유기 LED(OLED), 폴리머 LED(PLED), 또는 레이저 다이오드(예컨대, 솔리드 스테이트 레이저 다이오드)와 같은 방사선 방출 다이오드이다. 일 실시예에서, 개별적으로 제어가능한 요소(4)의 각각은 청자색 레이저 다이오드(예를 들어, Sanyo 모델 번호 DL-3146-151)이다. 이러한 다이오드는 Sanyo, Nichia, Osram, 및 Nitride와 같은 회사에 의해 공급될 수 있다. 일 실시예에서, 다이오드는, 예를 들어 약 365 nm 또는 약 405 nm의 파장을 갖는 UV 방사선 빔을 방출한다. 일 실시예에서, 다이오드는 0.5 - 200 mW 범위에서 선택된 출력 파워를 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 레이저 다이오드(순수한(naked) 다이)의 크기는 100 내지 800 마이크로미터의 범위로부터 선택된다. 일 실시예에서, 레이저 다이오드는 0.5 - 5 마이크로미터2에서 선택된 발광 면적을 갖는다. 일 실시예에서, 레이저 다이오드는 5 - 44 도의 범위에서 선택된 발산각을 갖는다. 일 실시예에서, 다이오드는 약 6.4 x 108 W/(m2·sr)보다 크거나 동일한 전체 휘도를 제공하기 위한 구성(예컨대, 발광 면적, 발산각, 출력 파워 등)을 갖는다.
자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)는 프레임(5) 상에 배치되고 Y-방향 및/또는 X-방향을 따라 연장할 수 있다. 하나의 프레임(5)만 도시되어 있지만, 이 장치는 도 2 에 도시된 바와 같이 복수의 프레임(5)을 가질 수도 있다. 더 나아가, 렌즈(12)가 프레임(5) 상에 배치된다. 프레임(5) 및 그에 따른 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)와 렌즈(12)는 X-Y 평면에서 실질적으로 정지 상태이다. 프레임(5), 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4) 및 렌즈(12)는 액추에이터(7)에 의해 Z-방향으로 이동될 수 있다. 이와 달리 또는 이에 추가하여, 렌즈(12)는 특정한 렌즈에 관련된 액추에이터에 의해 Z-방향으로 이동될 수 있다. 필요한 경우, 각각의 렌즈(12)에는 액추에이터가 제공될 수 있다.
자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)는 빔을 방출하도록 구성될 수 있으며, 투영 시스템(12, 14, 18)은 빔을 기판의 타겟부 상으로 투영하도록 구성될 수 있다. 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4) 및 투영 시스템은 광 컬럼을 형성한다. 리소그래피 장치(1)는 광 컬럼 또는 그 일부를 타겟에 대해 이동시키기 위한 액추에이터(11)(예컨대, 모터)를 포함할 수 있다. 필드 렌즈(14) 및 이미징 렌즈(18)가 위에 배치된 프레임(8)은 액추에이터로써 회전가능하게 될 수 있다. 필드 렌즈(14)와 이미징 렌즈(18)의 조합은 이동 가능한 광학장치(9)를 형성한다. 사용 시에, 프레임(8)은 자신의 축(10) 주위에서, 예를 들어 도 2 의 화살표에 의하여 표시된 방향으로 회전한다. 프레임(8)은 액추에이터(11), 예컨대 모터를 이용하여 축(10) 주위에서 회전된다. 또한, 프레임(8)은 이동 가능한 광학장치(9)가 기판 테이블(2)에 관하여 변위될 수 있도록 모터(7)에 의해 Z-방향으로 이동될 수 있다.
안에 개구부를 갖는 개구부 구조체(13)가 렌즈(12) 위에서 렌즈(12) 및 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4) 사이에 위치될 수 있다. 개구부 구조체(13)는 렌즈(12), 연관된 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4), 및/또는 인접한 렌즈(12)/자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 회절 효과를 제한할 수 있다.
도시된 장치는 프레임(8)을 회전시키고 동시에 광 컬럼 아래의 기판 테이블(2) 상의 기판을 이동시킴으로써 사용될 수 있다. 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)는 렌즈(12, 14, 18)가 서로 실질적으로 정렬되면 이러한 렌즈를 통과하여 빔을 방출할 수 있다. 렌즈(14 및 18)를 이동시킴으로써, 기판 상의 빔의 이미지가 기판의 부분 상에서 스캔된다. 광 컬럼 아래의 기판 테이블(2) 상에서 기판을 동시에 이동시킴으로써, 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 이미지에 노출되는 기판의 부분도 역시 이동한다. 컨트롤러의 제어 하에 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)를 고속으로 "온" 및 "오프"로 스위칭함으로써(예컨대, 이것이 "오프"일 때에는 출력이 없거나 임계치 아래의 출력을 갖고, 이것이 "온"일 때에는 임계치 위의 출력을 가짐), 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 세기를 제어함으로써, 그리고 기판의 속도를 제어함으로써, 요구된 패턴이 기판 상의 레지스트층 내에 이미징될 수 있다.
도 1 에서 도시되는 콘트롤러(500)는 리소그래피 또는 노광 장치의 전체 동작을 제어하고 더 나아가 아래에서 설명되는 공정을 특히 수행한다. 콘트롤러(500)는 중앙 처리 유닛, 및 휘발성 및 비-휘발성 스토리지 수단을 포함하는 적절하게-프로그래밍된 범용 컴퓨터로서 구현될 수 있다. 콘트롤러는 선택적으로 하나 이상의 입력 및 출력 디바이스, 예컨대 키보드 및 스크린, 및 장치의 다양한 부분으로의 하나 이상의 네트워크 접속 및 하나 이상의 인터페이스를 더 포함할 수도 있다. 제어 컴퓨터 및 리소그래피 또는 노광 장치 사이의 일-대-일 관련성은 필요하지 않다. 일 실시예에서, 하나의 컴퓨터가 다중 리소그래피 또는 노광 장치를 제어할 수 있다. 일 실시예에서, 다중 네트워크형 컴퓨터가 하나의 리소그래피 또는 노광 장치를 제어하기 위하여 사용될 수 있다. 콘트롤러(500)는 리소그래피 또는 노광 장치가 그의 일부를 형성하는 리토셀(lithocell) 또는 클러스터 내의 하나 이상의 연관된 처리 디바이스 및 기판 처리 디바이스를 제어하도록 구성될 수도 있다. 콘트롤러(500)는 리토셀 또는 클러스터 및/또는 팹(fab)의 전체 제어 시스템에 종속이 되도록 구성될 수 있다.
도 2 는 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)를 가지는 도 1 의 장치의 개략적 평면도를 묘사한다. 도 1 에 도시된 장치(1)와 마찬가지로, 이 장치(1)는 기판(17)을 홀딩하기 위한 기판 테이블(2), 기판 테이블(2)을 6 자유도로까지 이동시키기 위한 위치 설정기(3), 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)와 기판(17) 간의 정렬을 판정하고 그리고 기판(17)이 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 투영에 대하여 레벨(level) 상태인지 여부를 판정하기 위한 정렬/레벨 센서(19)를 포함한다. 묘사된 바와 같이, 기판(17)은 사각형 형상을 가지는데, 하지만 이에 추가하거나 이를 대체하여 원형의 기판이 처리될 수 있다.
자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)는 프레임(15) 상에 배치된다. 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)는 방사선 방출 다이오드, 예를 들어, 레이저 다이오드, 예컨대 청자색 레이저 다이오드이다. 도 2 에 도시된 바와 같이, 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)는 X-Y 평면에서 연장하는 개별적으로 어레이(21)로 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 이러한 어레이(21)는 기다란 라인일 수 있다. 일 실시예에서, 어레이(21)는 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 단일 차원 어레이일 수 있다. 일 실시예에서, 어레이(21)는 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 이차원 어레이일 수 있다.
화살표에 표시된 방향으로 회전할 수 있는 회전하는 프레임(8)이 제공될 수 있다. 회전하는 프레임에는 각각의 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 이미지를 제공하기 위한 렌즈(14, 18)(도 1 에 도시함)가 제공될 수 있다. 장치에는 프레임(8) 및 렌즈(14, 18)를 포함하는 광 컬럼을 기판에 대하여 회전시키기 위한 액추에이터가 제공될 수 있다.
도 3 은 그 둘레에 렌즈(14, 18)가 제공된 회전하는 프레임(8)의 매우 개략적인 사시도를 묘사한다. 복수의 빔, 이 예에서는 10 개의 빔이 렌즈 중 하나 상에 입사하고, 기판 테이블(2)에 의하여 홀딩되는 기판(17)의 타겟부 상에 투영된다. 일 실시예에서, 복수의 빔은 직선으로 배치된다. 회전 가능한 프레임은 액추에이터(미도시)를 사용하여 축(10) 주위에서 회전 가능하다. 회전 가능한 프레임(8)의 회전의 결과로서, 빔은 연속 렌즈(14, 18)(필드 렌즈(14) 및 이미징 렌즈(18)) 상에 입사할 것이고, 각각의 연속 렌즈 상에 입사하면, 그에 의하여 편향되어 기판(17)의 표면의 부분을 따라 이동할 것인데, 이는 도 4 를 참조하여 더 상세하게 설명되는 바와 같다. 일 실시예에서, 각각의 빔은 개별적인 소스, 즉 자기 발광 콘트라스트 디바이스, 예를 들어 레이저 다이오드(도 3 에는 미도시)에 의하여 발생된다. 도 3 에서 묘사되는 구성에서, 빔들 사이의 거리를 감소시키기 위하여 세그먼트화된 미러(30)에 의하여 편향되고 함께 모아져서, 이를 통하여 많은 수의 빔이 동일한 렌즈를 통하여 투영되게 하고 아래에서 논의될 분해능 요구사항을 달성한다.
회전 가능한 프레임이 회전함에 따라, 빔은 연속하는 렌즈 상에 입사하고, 렌즈에 빔이 조사될 때마다 빔이 렌즈 표면 상에 입사하는 지점이 이동한다. 빔이 렌즈에의 빔의 입사 지점에 따라 상이하게(예컨대, 상이한 편향으로) 기판 상에 투영되므로, 빔(기판에 도달할 때의)은 후속 렌즈의 각각의 통과로 스캐닝 이동을 만들게 될 것이다. 이러한 원리는 도 4 를 참조하여 더 설명된다. 도 4 는 회전 가능한 프레임(8)의 부분의 매우 개략적인 상면도를 묘사한다. 빔의 제1 세트는 B1 으로 표시되고, 빔의 제2 세트는 B2 로 표시되며, 빔의 제3 세트는 B3 으로 표시된다. 빔의 각 세트는 회전 가능한 프레임(8)의 각 렌즈 세트(14, 18)를 통해 투영된다. 회전 가능한 프레임(8)이 회전함에 따라, 빔(B1)은 스캐닝 이동 시에 기판(17) 상으로 투영되고, 이에 의해 영역(A14)을 스캐닝하게 된다. 유사하게, 빔(B2)은 영역(A24)을 스캐닝하고 빔(B3)은 영역(A34)을 스캐닝 한다. 대응하는 액추에이터에 의해 회전 가능한 프레임(8)이 회전되는 것과 동시에, 기판(17) 및 기판 테이블은 방향(D)으로 이동되고, 이러한 방향은 도 2 에 도시된 것처럼 X 축과 나란할 수 있으며, 따라서 영역(A14, A24, A34) 내의 빔의 스캐닝 방향에 실질적으로 수직하다. 제2 액추에이터에 의한 방향(D)으로의 이동의 결과로서(예를 들면, 대응하는 기판 테이블 모터에 의한 기판 테이블의 이동), 회전 가능한 프레임(8)의 연속되는 렌즈에 의해 투영될 때의 빔의 연속되는 스캔은 서로 실질적으로 인접하도록 투영되고, 그 결과 빔(B1)의 각각의 연속되는 스캔에 대한 실질적으로 인접한 영역(A11, A12, A13, A14)(도 4 에 도시된 것처럼 영역(A11, A12, A13)은 이전에 스캐닝되고 영역(A14)은 현재 스캐닝되는 중), 빔(B2)에 대한 영역(A21, A22, A23 및 A24)(도 4 에 도시된 것처럼 영역(A21, A22, A23)은 이전에 스캐닝되고 영역(A24)은 현재 스캐닝되는 중), 및 빔(B3)에 대한 영역(A31, A32, A33 및 A34)(도 4 에 도시된 것처럼 영역(A31, A32, A33)은 이전에 스캐닝되고 영역(A34)은 현재 스캐닝되는 중)이 얻어진다. 이에 의해, 기판 표면의 영역(A1, A2 및 A3)은 회전 가능한 프레임(8)을 회전시키는 동안 방향(D)으로의 기판의 이동으로써 커버될 수 있다. 동일한 렌즈를 통해 다수의 빔이 투영되면, 렌즈의 각각의 통과에 대하여, 복수의 빔이 각 렌즈로 기판을 스캔하여, 연속되는 스캔 동안 방향(D)으로의 변위가 증가될 수 있기 때문에, 보다 짧은 시간프레임 내에(회전 가능한 프레임(8)과 동일한 회전 속도로) 전체 기판을 처리할 수 있게 된다. 달리 말하면, 주어진 처리 시간 동안, 회전 가능한 프레임의 회전 속도는 다수의 빔이 동일한 렌즈를 통해 기판 상으로 투영될 때 감소될 수 있고, 따라서 높은 회전 속도에 기인하는 회전 가능한 프레임의 변형, 마모, 진동, 난류 등과 같은 영향을 줄이는 것이 가능해진다. 일 실시예에서, 복수의 빔은 도 4 에 도시된 것처럼, 렌즈(14, 18)의 회전에 대한 접선에 대하여 일정 각도로 배열된다. 일 실시예에서, 복수의 빔은 각 빔이 인접하는 빔의 스캐닝 경로와 중첩되거나 인접하도록 배열된다.
다수의 빔이 동일한 렌즈에 의해 한번에 투영되는 양상의 추가적인 효과는, 공차의 완화에서 찾을 수 있다. 렌즈의 공차에 기인하여(포지셔닝, 광학적 투영 등), 연속되는 영역(A11, A12, A13, A14)(및/또는 영역(A21, A22, A23, A24) 및/또는 영역(A31, A32, A33, A34))의 위치는 서로에 대하여 약간의 부정확한 포지셔닝을 보일 수 있다. 그러므로, 연속되는 영역(A11, A12, A13, A14) 사이에 약간의 중첩이 요구될 수 있다. 예를 들면, 하나의 빔 중 10%가 중첩되는 경우, 이에 의해 처리 속도는, 동일한 렌즈를 통해 한번에 하나의 빔이 통과하는 경우에 동일한 인자 10%만큼 감소할 것이다. 한번에 동일한 렌즈를 통하여 5개 이상의 빔이 투영되는 상황에서는, 5개 이상의 투영된 라인마다 동일한 10%의 중첩(유사하게도 상기 하나의 빔의 예를 참조)이 제공될 것이고, 따라서 전체 중첩을 대략적으로 5 이상의 인자를 2% 이하로 감소시켜, 전체 처리 속도에 대한 효과가 상당히 낮아질 것이다. 유사하게도, 적어도 10 개의 빔을 투영하게 되면, 대략 10 의 인자만큼 전체 중첩을 줄일 수 있다. 따라서, 기판의 처리 시간에 대한 공차의 영향은 동일한 렌즈에 의해 한번에 다수의 빔이 투영되는 특징에 의해 감소될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 보다 많은 중첩(따라서 보다 큰 공차 대역)이 허용될 수 있고, 이는 다수의 빔이 동일한 렌즈를 통해 한번에 투영되는 경우 처리에 대한 공차의 영향이 낮기 때문이다.
한번에 동일한 렌즈를 통해 다수의 빔을 투영하는 것에 대한 대안으로서 또는 이에 부가하여, 인터레이싱(interlacing) 기술이 이용될 수 있지만, 이는 렌즈 사이에 비교적 더 엄격한 매칭을 요할 수 있다. 따라서, 렌즈 중 동일한 하나의 렌즈를 통해 한번에 기판 상으로 투영되는 적어도 2개의 빔은 상호 간격을 가지고, 리소그래피 또는 노광 장치는 빔의 다음 투영이 간격에 투영되도록 하기 위해 제2 액추에이터를 동작시켜 광 컬럼에 대하여 기판을 이동시키도록 구성될 수 있다.
방향(D)으로 그룹 내의 연속되는 빔들 사이의 거리를 줄이기 위해서(이에 의해, 방향(D)으로 더 높은 분해능을 달성하기 위해서), 빔은 방향(D)에 대하여, 서로에 대해 사선으로 배열될 수 있다. 간격은 광 경로 상에 세그먼트화된 미러(30)를 제공함으로써 더 감소될 수 있고, 각 세그먼트는 각각의 빔을 반사시키며, 이러한 세그먼트는 미러 상에 입사될 때의 빔들 사이의 간격에 비해 미러에 의해 반사될 때의 빔들 사이의 간격을 감소시키도록 구성된다. 이러한 효과는 또한 복수의 광섬유에 의해 달성될 수 있고, 각각의 빔은 각각의 광섬유 상에 입사되며, 이러한 광섬유는 광섬유의 상류에서의 빔들 사이의 간격에 비하여 상기 광섬유의 하류에서의 빔들 사이의 간격을 광 경로에 따라 줄이도록 구성된다.
더 나아가, 이러한 효과는 각각이 빔의 개별 하나를 수광하기 위한 복수의 입력을 가지는 집적된 광 도파관 회로를 사용하여 달성될 수 있다. 집적된 광 도파관 회로는, 광로를 따라, 집적된 광 도파관 회로의 상류에서의 빔 사이의 간격에 대하여, 집적된 광 도파관 회로의 하류에서의 빔 사이의 간격이 줄어들도록 구성된다.
기판에 투영되는 이미지의 포커스를 제어하는 시스템이 제공될 수 있다. 이러한 구성은, 위에서 논의된 바와 같은 구성에서 광학 컬럼 중 일부 또는 광학 컬럼 모두에 의해 투영되는 이미지의 포커스를 조정하도록 제공될 수 있다.
일 실시예에서 투영 시스템은 레이저 유도 재료 전사에 의하여 재료(예를 들어 금속)의 액적의 국지적 증착을 야기하기 위하여 적어도 하나의 방사선 빔을 그 위에 디바이스가 형성될 기판(17) 위의 재료층 상에 투영한다.
도 5 를 참조하면, 레이저 유도 재료 전사의 기계적 메커니즘이 묘사된다. 일 실시예에서, 방사선 빔(200)은 재료(202)의 플라즈마 브레이크다운 아래의 세기에서 실질적으로 투과성을 나타내는 재료(202)(예컨대, 유리)를 통해 포커싱된다. 재료(202) 위에 있는 도너 재료층(204)(예컨대, 금속막)으로부터 형성된 기판 상에서 표면 열 흡수가 발생한다. 열 흡수는 도너 재료(204)의 용융을 야기한다. 또한, 발열은 전방 방향으로의 유도 압력 구배를 야기하여, 도너 재료층(204)으로부터 및 그에 따라 도너 구조체(예컨대, 플레이트)(208)로부터의 도너 재료 액적(206)의 순방향 가속을 야기한다. 그러므로, 도너 재료 액적(206)은 도너 재료층(204)으로부터 해방되고, 기판(17)을 향하여 그 위에 디바이스가 형성될 기판 상으로 이동된다(중력의 도움으로 또는 중력의 도움 없이). 빔(200)을 도너 플레이트(208) 상의 적정 위치에 포인팅함으로써, 도너 재료 패턴이 기판(17) 상에 증착될 수 있다. 일 실시예에서, 빔은 도너 재료층(204) 상에 포커싱된다.
일 실시예에서, 도너 재료의 전사를 야기하기 위해 하나 이상의 짧은 펄스가 이용된다. 일 실시예에서, 펄스는 준 일차원 전방 가열(quasi one dimensional forward heat) 및 용융된 재료의 물질 이동(mass transfer)을 획득하기 위해 수 피코초(㎰) 또는 펨토초의 길이로 될 수 있다. 이러한 짧은 펄스는 재료층(204)에서의 측방향의 열 흐름을 거의 없거나 전혀 없게 하고, 그러므로 도너 구조체(208) 상에 열부하를 거의 없게 하거나 전혀 없게 한다. 짧은 펄스는 재료의 급속한 용융 및 전방 가속을 가능하게 한다(예컨대, 금속과 같은 기화된 재료가 자신의 전방 방위성을 상실하여 스플래터링 증착(splattering deposition)이 초래된다). 짧은 펄스는 가열 온도 바로 위이지만 기화 온도보다 낮은 온도로의 재료의 가열을 가능하게 한다. 예를 들어, 알루미늄에 대하여, 섭씨 약 900 내지 1000 도의 온도가 바람직하다.
일 실시예에서, 레이저 펄스의 사용을 통해, 일정한 양의 재료(예컨대, 금속)가 100-1000 nm 액적의 형태로 도너 구조체(208)로부터 기판(17)으로 전사된다. 일 실시예에서, 도너 재료는 금속을 포함하거나 근본적으로 금속으로 구성된다. 일 실시예에서, 이 금속은 알루미늄이다. 일 실시예에서, 금속층(204)은 막의 형태이다. 일 실시예에서, 막은 또 다른 몸체 또는 층에 부착된다. 전술한 바와 같이, 몸체 또는 층은 유리여도 된다.
리소그래피 또는 노광 장치는 특히 패턴이 내부에 형성되어야 하는 포토 레지스트의 특정 유형, 또는 내부에 패턴이 형성되어야 하는 도너 재료의 특정 유형과 함께 사용되도록 디자인될 수도 있다. 이 경우에, 만일 포토 레지스트 또는 도너 재료의 상이한 유형이 그 장치와 함께 사용된다면, 장치는 정확하게 기능하지 않을 수도 있다. 예를 들어, 패턴이 포토 레지스트의 층 상에 형성되는 경우, 패턴에 기초하여 선택되는 포토 레지스트의 위치로 전달되는 에너지의 양은 포토 레지스트의 하나 이상의 화학물질 성질을 적절하게 변화시키기에는 불충분할 수도 있다. 마찬가지로, 만일 도너 재료의 층이 사용된다면, 도너 재료로 전달되는 에너지의 양이 디바이스를 제조하기 위하여 도너 재료를 용융하기에 불충분한 것이 가능하다.
따라서, 다기능인 리소그래피 또는 노광 장치 및 디바이스 제조 방법을 제공하는 것이 바람직하다. 특히, 포토 레지스트 또는 도너 재료의 상이한 유형들과 함께 사용될 수 있는 장치 및 디바이스 제조 방법을 가지는 것이 바람직하다. 좀 더 자세하게 설명하면, 패턴을 형성하기 위하여 에너지의 상이한 양을 수반하는 포토 레지스트 또는 도너 재료의 상이한 유형과 함께 사용될 수 있는 장치 및 디바이스 제조 방법을 제공하는 것이 바람직하다.
도 1 은 본 발명의 일 실시예를 묘사한다. 장치(1)는 고정부 및 이동부를 포함하는 투영 시스템(50)을 포함한다. 투영 시스템은 예를 들어 도 1 에서 묘사되는 바와 같이 렌즈(12, 14 및 18)를 포함할 수도 있다. 투영 시스템(50)은 복수의 방사선 빔을 타겟의 위치 상에(예를 들어, 기판(17) 상에) 투영하도록 구성된다. 위치들은 패턴에 기초하여 선택된다. 패턴은 기판(17) 상에 형성될 것이다. 일 실시예에서 패턴은 포토레지스트 재료의 층에 형성된다. 일 실시예에서 패턴은 도너 재료의 층에 형성되는데, 이것이 후속하여 디바이스의 층 내에 대응하는 패턴을 형성한다.
장치(1)는 콘트롤러(500)를 포함한다. 콘트롤러(500)는 장치(1)가 제1 모드에서 또는 제2 모드에서 동작하게 제어하도록 구성된다. 제1 모드에서 투영 시스템(50)은 에너지의 제1 양을 타겟 상의(예를 들어 기판(17) 상의) 선택된 위치로 전달한다. 제2 모드에서 투영 시스템(50)은 에너지의 제2 양을 타겟 상의(예를 들어 기판(17) 상의) 선택된 위치로 전달한다. 에너지의 제2 양은 에너지의 제1 양보다 더 크다.
이것이 복수의 상이한 도즈 레벨에서 기판(17) 상에 패턴을 생성할 수 있다는 점에서 장치(1)는 다기능이다. 여기에서, 용어 "도즈"는 타겟(예를 들어, 기판(17)) 상의 선택된 위치로 전달된 에너지의 총량을 지칭하도록 사용된다. 따라서 장치(1)는 일정 범위의 도즈 레벨을 지원한다.
일 실시예에서, 장치(1)는 제1 모드에서 제1 기판 상에 패턴을 형성하기 위하여 사용될 수도 있다. 동일한 장치(1)가 제2 모드를 사용하여 상이한 도즈 요구 사항을 가지는 상이한 기판 상에 패턴을 형성하기 위하여 사용될 수 있다. 예를 들어, 제2 기판은 패턴이 포토레지스트 내에 형성되기 위하여 더 큰 에너지의 양을 요구하는 포토레지스트의 층을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 더 싸다면 포토레지스트의 상이한 유형을 사용하는 것이 바람직할 수도 있다. 더 저렴한 포토 레지스트 및 장치(1)를 제2 모드에서 사용함으로써, 디바이스를 생성하기 위한 제조 비용이 감소될 수도 있다.
만일 도너 재료의 층이 사용된다면, 대응하는 패턴을 디바이스 내에 형성하기 위하여 용융되기 위해서 에너지의 더 큰 양을 요구하는 도너 재료가 장치(1)를 제2 모드에서 동작시킴으로써 사용될 수 있다. 도너 재료의 상이한 유형을 사용하기 위한 동기는, 예를 들어 감소된 비용, 증가된 이용가능성 또는 안전성일 수도 있다.
장치(1)의 동작을 제1 모드 및 제2 모드 사이에서 스위칭함으로써, 패턴을 형성하기 위한 도즈 레벨이 변동될 수 있다. 일 실시예에서 타겟 상의 선택된 위치로 전달된 에너지의 양은 연속 범위 내에서 변동될 수 있다. 일 실시예에서, 콘트롤러(500)는 타겟 상의 선택된 위치로 전달되는 에너지의 양이 제1 모드에서 전달된 에너지의 양으로부터 제1 모드에서 전달된 에너지의 양의 약 10 배까지의 범위 내의 임의의 레벨이 되도록 제어할 수 있다. 선택된 위치로 전달될 수 있는 에너지의 양은 특히 제한되지 않는다.
일 실시예에서, 콘트롤러(500)는 이산 값들의 범위로부터 선택된 에너지의 양을 선택된 위치로 전달하도록 장치(1)를 제어하도록 구성된다. 일 실시예에서, 제2 모드에서 투영 시스템(50)은 제1 모드에서 전달된 에너지의 제1 양의 정수 배인 에너지의 제2 양을 전달한다. 에너지의 제2 양에 대해 가능한 값들의 범위가 연속 또는 이산인지 여부는 아래에서 명백하게 설명될 바와 같이 어떻게 본 발명의 일 실시예가 구현되느냐에 의존한다. 일 실시예에서, 콘트롤러(500)는 에너지의 제2 양이 에너지의 제1 양보다 두 배 까지만큼, 네 배 까지만큼, 또는 8 배 까지만큼 더 크도록 장치(1)를 제어하도록 구성된다.
장치(1)의 동작의 제2 모드를 구현하는 수 개의 상이한 비한정적인 방법들이 존재한다. 이것들이 아래에서 설명된다. 이러한 방법들 중 임의의 것은 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제2 모드는, 예를 들어 기판(17)이 투영 시스템(50)에 상대적으로 스캔하는 속도를 감소시킴으로써 구현될 수도 있다. 도 1 에서 묘사되는 바와 같이, 장치(1)는 기판 지지물, 예컨대 예를 들어 기판 테이블(2)을 포함한다. 기판 테이블(2)은 기판(17)을 지지하도록 구성된다. 기판 테이블(2)은 기판을 스캔 방향에서 투영 시스템(50)에 상대적으로 이동시키도록 구성된다. 예를 들어 도 2 에서, 기판 테이블(2)은 투영 시스템(50)의 좌측으로부터 우측으로 이동할 수도 있다. 이 경우에, 스캔 방향은 +X 방향이다. 기판(17)이 스캔 방향을 따라 스캔할 때, 투영 시스템(50)은 도 4 에 도시된 바와 같이 연속적인 스캐닝 영역(A11-A14) 상에 투영할 수 있다.
제1 모드에서, 기판(17)은 투영 시스템(50)에 상대적으로 제1 속도로 이동한다. 제2 모드에서, 기판(17)은 투영 시스템(50)에 상대적으로 제2 속도로 이동한다. 일 실시예에서, 제2 속도는 제1 속도보다 더 낮다.
일 실시예에서, 제2 모드의 더 낮은 스캔 속도는 스캐닝 영역(A11-A14) 사이의 그리드 피치가 제1 모드에서보다 더 작은 결과를 초래한다. 도 6 은 제1 모드에서의 영역(A11-A14)에 상대적으로 감소된 그리드 피치를 가지는, 제2 모드에서의 스캐닝 영역(A11-A18)을 묘사한다. 도 6 내지 도 8 에서, 제1 모드는 좌측에 도시되고, 제2 모드는 우측에 도시된다.
도 6 의 예에서, 제2 속도는 제1 속도보다 두 배 더 낮다. 그 결과로서, 제2 모드에서 스캐닝 영역의 개수가 제1 모드에서의 스캐닝 영역의 개수의 두 배이다. 제2 모드에서, 투영 시스템(50)에 의하여 각각의 스캐닝 영역(A11-A14) 상으로 투영되는 방사선 빔들은 제1 모드에서보다 실효적으로 더욱 집중된다. 이것은 기판(17) 상의 선택된 위치로 전달되는 에너지의 양을 증가시키는 효과를 가진다.
방사선의 상이한 도즈 레벨을 요구하는 기들이 이러한 장치(1) 내에서 사용될 수 있다. 기판(17)의 스캔 속도를 감소시키는 것은 도즈 레벨의 연속 범위가 동일한 장치(1)에 의하여 구현되도록 한다.
콘트롤러(500)는 투영 시스템(50)이 방사선 빔을 기판(17) 상의 정확한 선택된 위치 상에 투영하도록 장치(1)를 제어한다. 이것은 언제 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)가 턴온 및 오프되는지의 계산을 수반한다. 이것은 기판(17)의 스캔 속도 및 투영 시스템(50)의 가동 부분의 이동의 속도에 의존한다.
도 6 에서 묘사되는 제2 모드에서의 감소된 그리드 피치는 패턴이 방사선 빔에 의하여 기판(17) 상에 정확하게 형성된다는 것을 보장하는 것을 돕기 위하여 더 큰 개수의 데이터 포인트들이 콘트롤러(500)에 의하여 계산되어야 할 것을 초래한다. 방사선 빔에 의하여 형성될 수 있는 스팟 포지션들 사이의 평균 거리는 제1 모드에서와 비교할 때 제2 모드에서 감소된다.
콘트롤러(500)에 의하여 수행되어야 하는 계산을 실질적으로 증가시키지 않으면서, 가변 도즈 레벨을 지원하는 장치(1) 및 디바이스 제조 방법을 제공하는 것이 바람직하다.
제1 모드에서, 투영 시스템(50)은 복수의 방사선 빔을 선택된 위치 상에 제1 레이트로 투영한다. 제2 모드에서, 투영 시스템(50)은 복수의 방사선 빔을 선택된 위치 상에 제2 레이트로 투영한다. 일 실시예에서, 제2 레이트는 제1 레이트 이하이다.
일 실시예에서 제2 모드는 제1 서브-모드를 포함한다. 제1 서브-모드에서, 제2 레이트는 제1 레이트와 실질적으로 동등하다. 이것은, 주어진 패턴에 대하여, 투영 시스템(50)에 의한 투영의 레이트가 제1 모드 및 제2 모드에 대하여 동일하다는 것을 의미한다. 일 실시예에서, 투영 시스템(50)에 의한 투영의 레이트는 투영 시스템(50)의 이동부가 이동하는 속도에 대응한다. 이동부가 회전가능한 경우에, 회전의 속도가 투영의 레이트에 대응할 수도 있다. 물론, 이동부가 변동되는 속도가 변동됨에 따라, 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)가 턴온 및 오프되는 타이밍은 이에 상응하여 변동함으로써, 타겟 상의 정확한 선택된 위치가 조사되도록 하여야 한다.
제1 서브-모드에서, 제2 속도(즉 제2 모드에서의 스캔 속도)는 제1 속도보다 정수 인자만큼 더 낮음으로써, 각각의 스캐닝 영역(A11-A14)이 정수 개수의 다른 스캐닝 영역과 부분적으로 중첩하게 한다. 타겟(예를 들어, 기판(17))으로 전달되는 에너지의 양은 투영 레이트(예를 들어 투영 시스템(50)의 이동부의 속도)를 제1 모드 및 제2 모드 사이에서 동일하게 유지하고, 타겟(예를 들어, 기판(17)) 스캔 속도를 정확한 정수 비율만큼 변동시킴으로써 전체 정수 인자(whole integer factors)만큼 변동될 수 있다. 이것은 다수의 인터레이스된 이미지를 초래한다. 이미지는 서로 부분적으로 중첩한다. 각각의 이미지는 스캐닝 영역(A11-A14)에 대응할 수도 있다.
도 7 은 제2 모드에서 제2 속도가 제1 속도보다 두 배 더 낮은 일 실시예를 묘사한다. 제2 속도는 제1 속도보다 2 의 정수 인자만큼 더 적다. 이것은 각각의 스캐닝 영역(A11-A14)이 다른 스캐닝 영역과 중첩하는 것을 초래한다. 패턴이 제공되는 타겟 상의 각각의 지역은 두 개의 상이한 스캐닝 영역에 대응한다. 이러한 중첩은 그 패턴에 대한 방사선의 도즈를 효과적으로 두 배로 만든다.
타겟(예를 들어, 기판) 스캔 속도를 정확한 정수 비율만큼 감소시킴으로써 도즈를 증가시키는 장점은, 콘트롤러(500)에 의한 계산이 실질적으로 증가되지 않는다는 것이다. 이것은 데이터 포인트의 전체 새 세트를 계산하는 것이 아니라 데이터 포인트의 계산 계획(calculation logistics)을 변경하기 위해서만 필요할 수도 있다. 이것은 방사선 빔에 의하여 생성되는 상대적인 스팟 포지션이 제1 모드에서와 같이 제2 모드에서 동일하기 때문이다. 이것은, 상대적인 스팟 포지션이 제2 모드에서 제1 모드와 상이한 도 6 에서 묘사되는 방법과의 차이점이다.
제2 모드에서의 계산이 제1 모드에서와 실질적으로 동일하다는 피쳐는 개략적으로 도 7 로부터 이해될 수 있다. 스캐닝 영역 A11'에 대응하는 이미지는 이미지의 절반을 스캐닝 영역 A12 내에 그리고 이미지의 절반을 스캐닝 영역 A11 내에 가진다. 마찬가지로, 스캐닝 영역 A12'에 대응하는 이미지는 이미지의 절반을 스캐닝 영역 A12 내에 그리고 이미지의 절반을 스캐닝 영역 A13 내에 가진다. 스캐닝 영역 A13'에 대응하는 이미지는 이미지의 절반을 스캐닝 영역 A13 내에 그리고 이미지의 절반을 스캐닝 영역 A14 내에 가진다. 그러므로, 스캐닝 영역 A11', A12', A13', A14' 등 내의 이미지에 대하여 데이터 포인트의 새 세트를 재계산하는 것이 필요하지 않을 수도 있다. 대신에, 데이터 포인트의 계산 계획을 조절하는 것만이 필요할 수도 있다.
도 8 은 제2 속도가 제1 속도보다 3 의 인자만큼 더 낮은 일 예를 묘사한다. 이 경우에, 패턴이 형성되는 기판 상의 각각의 지역은 3 개의 상이한 스캐닝 영역에 대응한다. 이것은 패턴의 실효 도즈(effective dose)가 계산을 실질적으로 증가시키지 않으면서 3 의 인자만큼 증가되도록 한다.
스캐닝 영역 A11'에 대응하는 이미지는 이미지의 2/3를 스캐닝 영역 A11 내에 그리고 이미지의 1/3을 스캐닝 영역 A12 내에 가진다. 스캐닝 영역 A11"에 대응하는 이미지는 이미지의 2/3를 스캐닝 영역 A12 내에 그리고 이미지의 1/3을 스캐닝 영역 A11 내에 가진다. 스캐닝 영역 A12'에 대응하는 이미지는 이미지의 2/3를 스캐닝 영역 A12 내에 그리고 이미지의 1/3을 스캐닝 영역 A13 내에 가진다. 스캐닝 영역 A12"에 대응하는 이미지는 이미지의 2/3를 스캐닝 영역 A13 내에 그리고 이미지의 1/3을 스캐닝 영역 A12 내에 가진다. 스캐닝 영역 A13'에 대응하는 이미지는 이미지의 2/3를 스캐닝 영역 A13 내에 그리고 이미지의 1/3을 스캐닝 영역 A14 내에 가진다. 스캐닝 영역 A13"에 대응하는 이미지는 이미지의 2/3를 스캐닝 영역 A14 내에 그리고 이미지의 1/3을 스캐닝 영역 A13 내에 가진다.
일 실시예에서 제2 모드는 제2 서브-모드를 포함한다. 제2 서브-모드에서, 제2 레이트는 제1 레이트보다 감속 인자(slow-down factor)만큼 더 낮다. 제2 서브-모드에서, 제2 속도는 제1 속도보다 감속 인자만큼 더 낮다. 제2 서브-모드에서, 장치(1)의 모든 기계적 이동은 감속 인자만큼 효과적으로 감속된다. 기판으로 전달되는 단위 시간당 방사선은 제1 모드 및 제2 서브-모드에 대하여 실질적으로 동등하게 유지된다. 이것은 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)에 의하여 방출되는 방사선의 세기가 제2 모드에서와 같이 제1 모드에서 실질적으로 동일하기 때문이다.
제2 서브-모드에서, 제1 모드에서보다 더 많은 방사선이 타겟 상의 선택된 위치로 전달된다. 패턴을 형성하기 위한 스팟 포지션은 제1 모드에서 및 제2 모드의 제2 서브-모드에서 동일하다. 이것은 제2 서브-모드에 대한 계산이 제1 모드에 대한 것과 정확하게 동일하다는 것을 의미한다. 제1 모드와 비교할 때 제2 서브-모드에서 수행될 계산의 증가가 없다.
일 실시예에서, 제2 서브-모드에서 투영 시스템(50)의 이동부의 속도는 제1 모드에서 보다 감속 인자만큼 더 낮다. 일 실시예에서, 제2 서브-모드에서 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)에 대한 소성(firing) 레이트는 제1 모드에서보다 감속 인자만큼 더 낮으며, 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 듀티비를 유지한다. 이것은 제2 레이트가 제1 레이트보다 감속 인자만큼 더 낮게 하는 한 가지 방법이다.
일 실시예에서 제2 모드는 제3 서브-모드를 포함한다. 제3 서브-모드에서, 제2 레이트는 제1 레이트보다 감속 인자(slow-down factor)만큼 더 낮다. 제3 서브-모드에 대한 투영 레이트는 제2 서브-모드에 대한 투영 레이트와 동일한 방법으로 구현될 수도 있으며, 예를 들어 투영 시스템(50)의 이동부의 더 낮은 속도 및 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 더 낮은 소성 레이트를 가짐으로써 구현될 수도 있다.
제3 서브-모드에서, 제2 속도는 제1 속도보다 감속 인자 및 정수 인자의 곱만큼 더 낮은데, 이에 의하여 각각의 스캐닝 영역은 정수 개수의 다른 스캐닝 영역(A11-A14)과 부분적으로 중첩한다.
제3 서브-모드는 위에서 설명된 제1 서브-모드 및 제2 서브-모드의 하이브리드 조합으로서 간주될 수도 있다. 어떻게 제1 서브-모드, 제2 서브-모드 및 제3 서브-모드가 사용될 수도 있는지의 예들이 아래에서 개략화된다.
만일 제2 모드에서의 도즈 레벨이 제1 모드에서의 도즈 레벨보다 정수 인자만큼 더 큰 것이 소망된다면, 이것은 제1 서브-모드에 의하여 구현될 수도 있다. 예를 들어, 만일 제2 모드가 제1 모드에 의하여 제공되는 도즈 레벨보다 n 배 더 큰 도즈 레벨을 제공하여야 한다면, 타겟(예를 들어, 기판) 스캔 속도는 제1 모드에서보다 제2 모드에서 n 배 더 낮을 수도 있고, 여기에서 n은 양의 비-제로 정수이다.
제2 서브-모드는 제1 모드에서의 도즈 레벨보다 임의의 인자만큼 더 큰 제2 모드에서의 도즈 레벨에 영향을 미치도록 사용될 수 있다. 제2 모드의 도즈 레벨 및 제1 모드의 도즈 레벨 사이의 비율은 제2 서브-모드를 사용할 경우에는 정수일 필요가 없다. 예를 들어, 만일 도즈 레벨이 제1 모드에서보다 제2 모드에서 1.25 배 더 크다면, 콘트롤러(500)는 제2 레이트가 제1 레이트보다 1.25 의 감속 인자만큼 더 낮게 되도록 장치(1)를 제어할 수 있고, 제2 속도가 제1 속도보다 1.25 의 감속 인자만큼 더 낮도록 장치(1)를 제어할 수 있다.
제2 모드의 제2 서브-모드를 사용할 경우, 감속 인자는 1 보다 더 큰 임의의 값을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 감속 인자는 그 범위의 하한에서 1 을 가지는 범위 내의 임의의 값을 가질 수도 있다. 범위의 상한을 구현하기 위하여, 장치(1)는 가능한 투영 레이트의 대응하도록 더 큰 비율을 지원할 수 있어야 한다. 가능한 투영 레이트의 매우 높은 비율을 지원하는 것은 기계적으로 난해할 수도 있다. 일 실시예에서, 감속 인자는 1 로부터 2 까지의 범위 내의 임의의 값을 가진다. 이 경우에, 제2 모드에서의 도즈 레벨이 제1 모드에서 제공되는 도즈 레벨의 두 배 보다 더 커야 한다면, 제3 서브-모드가 사용될 수도 있다.
예를 들어, 만일 제2 모드가 제1 모드에서 제공된 도즈 레벨보다 2.5 배 더 큰 도즈 레벨을 제공해야 한다면, 제2 레이트는 제1 레이트보다 1.25 의 감속 인자만큼 더 낮을 수도 있고 제2 속도는 제1 속도보다 2.5 의 인자(이것은 1.25 의 감속 인자 및 2 의 정수 인자의 곱임)만큼 더 낮을 수도 있다.
제1 모드 및 제2 모드 사이의 몇몇 도즈 레벨 차분에 대하여, 그 인자를 구현하기 위한 두 개 이상의 방법이 존재할 수도 있다. 예를 들어, 제2 모드는 제1 모드에서 제공된 도즈 레벨보다 3.6 배의 인자만큼 더 큰 도즈 레벨을 제공할 수도 있다. 이 경우에, 제2 서브-모드는 이론 상 사용될 수도 있다. 그러면, 장치(1)는 적어도 3.6 의 투영 레이트 비율을 지원해야 한다.
3.6 의 인자는 제3 서브-모드를 사용하여 구현될 수도 있다. 제3 서브-모드 내에서, 3.6 의 인자를 구현하는 두 개 이상의 방법이 존재한다. 예를 들어, 제2 레이트는 제1 레이트보다 1.8 의 감속 인자만큼 더 낮을 수도 있고 제2 속도는 제1 속도보다 3.6 의 인자(이것은 1.8 의 감속 인자 및 2 의 정수 인자의 곱임)만큼 더 낮을 수도 있다. 대체예로서, 제2 레이트는 제1 레이트보다 1.2 의 감속 인자만큼 더 낮을 수도 있고 제2 속도는 제1 속도보다 3.6 의 인자(이것은 1.2 의 감속 인자 및 3 의 정수 인자의 곱임)만큼 더 낮을 수도 있다.
도즈 레벨은 타겟 상에 투영되는 방사선 빔의 세기를 변동함으로써 변경될 수도 있다. 예를 들어, 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 듀티비는 변경될 수도 있다. 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)가 자신의 최대 출력 세기에서 동작하는 것이 흔히 바람직하다. 이것의 장점은, 이것이 장치의 쓰루풋을 개선한다는 것이다. 일 실시예에서, 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)는, 장치가 제2 모드에서 동작하여 제1 모드에서보다 더 높은 도즈 레벨을 제공하고 있는 경우에는 최대 출력 세기 보다 더 낮은 세기 출력에서 사용될 수도 있다.
일 실시예에서 제2 모드는 제4 서브-모드를 포함한다. 제4 서브-모드에서, 제2 속도는 제1 속도보다 정수 인자만큼 더 낮고, 방사선의 제2 세기는 방사선의 제1 세기 보다 더 낮다. 방사선의 제1 세기는 제1 모드에서 타겟 상에 투영되는 방사선 빔의 세기이다. 방사선의 제2 세기는 제2 모드의 제4 서브-모드에서 타겟 상에 투영되는 방사선 빔의 세기이다.
제2 모드의 제4 서브-모드의 일 예가 이제 주어질 것이다. 이 예에서, 제2 모드에서의 도즈 레벨은 제1 모드에서의 도즈 레벨의 1.4 배가 되는 것이 바람직하다. 이 경우에, 제2 속도는 제1 속도 보다 정수 인자 2 만큼 더 느릴 수도 있다. 달리 말하면, 제2 속도는 제1 속도의 절반이다. 방사선의 제2 세기는 방사선의 제1 세기의 0.7 배일 수도 있다. 이것은 제2 모드에서의 도즈 레벨이 제1 모드에서의 도즈 레벨의 1.4 배가 되는 결과를 초래한다. 타겟 상의 패턴은 두 개의 인터레이싱 이미지에 의하여 형성되는데, 각각의 이미지는 결합된 세기가 1.4 가 되도록 0.7 의 세기를 가진다.
제4 서브-모드에서, 투영의 레이트는 제1 모드에서의 그것과 동일할 수도 있다. 그러므로 장치가 변동하는 투영 레이트를 지원할 수 있는 것이 필요하지 않을 수도 있다.
일 실시예에서 제2 모드는 제5 서브-모드를 포함한다. 제5 서브-모드에서, 콘트롤러(500)는, 예를 들어 각각의 스캐닝 영역(A11-A14)이 투영 시스템(50)에 의하여 조사되는 횟수를 제어하기 위하여, 투영 시스템(50)에 상대적인 기판 이동을 반복하게 기판 지지물을 제어하도록 구성된다. 제2 모드의 제5 서브-모드에서, 투영된 방사선 빔의 방사선의 세기는 스캔들 사이에서 변동된다.
예를 들어, 제2 모드에서 제5 서브-모드 도즈 레벨을 사용하는 것은 제1 서브-모드에서의 도즈 레벨의 1.4 배가 되도록 제공될 수 있다. 제1 스캔, 즉 투영 시스템(50)에 상대적인 타겟의 제1 이동에서, 투영된 방사선 빔의 방사선의 세기는 자신의 최대 레벨에 있을 수도 있다. 투영 시스템(50)에 상대적인 타겟의 반복 이동에서, 투영된 방사선 빔의 방사선의 세기는 자신의 최대 레벨의 40% 일 수도 있다. 달리 말하면, 1.0 의 그리고 0.4 의 도즈가 장치에 의하여 타겟으로 전달된다. 이것은 1.4 의 결합된 패턴 세기가 타겟에 적용되도록 초래한다.
일 실시예에서 콘트롤러(500)는 투영 시스템(50)에 상대적인 기판 이동을 반복하도록 기판 지지물(2)을 제어하도록 구성된다. 이것은 각각의 스캐닝 영역(A11-A14)이 투영 시스템(50)에 의하여 조사되는 횟수를 제어하는 것이다.
스캐닝 모션을 반복함으로써, 타겟 상의 패턴의 실효 도즈 레벨은 스캔이 반복되는 횟수와 동일한 정수 인자만큼 증가될 수 있다. 이것은 제1 모드에서보다 제2 모드에서 더 큰 도즈 레벨을 제공하는 다른 방법이다. 제1 모드에서 제공되는 도즈 레벨 보다 정수 배 더 큰 도즈 레벨을 제공하는 제2 모드에 영향을 주기 위하여, 스캔의 반복은 위에서 설명된 서브-모드와 독립적으로 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 스캔의 반복은 제2 모드에서의 도즈 레벨을 제공하기 위하여 제1 서브-모드, 제2 서브-모드 및/또는 제3 서브-모드 중 임의의 것과 조합되어 사용된다.
스캔을 반복하는 것의 한 장점은 장치(1)가 광범위한 타겟 스캔 속도를 지원할 필요가 없을 수도 있다는 것이다. 예를 들어, 제1 속도보다 3.6 의 인자만큼 더 낮은 제2 속도를 가지는 대신에, 제2 모드에서의 제2 속도는 제1 속도보다 오직 1.2 의 인자만큼 더 낮을 수 있고, 스캔은 도즈 레벨을 획득하기 위하여 세 번 수행될 수 있다.
스캔이 반복되는 실시예에서, 방사선 빔은 역방향 스캐닝 모션 도중에, 또는 순방향 스캐닝 모션 도중에 타겟 상에 투영될 수도 있다(이전에 투영된 빔을 오버라이하기 위함).
일 실시예에서, 스캐닝 영역(A11-A14)들 사이의 중첩의 각각의 지역 내에서, 선택된 위치들 모두는 정수 횟수만큼 조사된다. 이것은 패턴의 모든 부분에서의 도즈 레벨의 일관성을 제공한다.
일 실시예에서, 각각의 스캐닝 영역(A11-A14)은 적어도 하나의 다른 스캐닝 영역(A11-A14)과 스캔 방향에서 실질적으로 인접한다. 이것은 형성된 패턴 내에 갭이 존재하지 않는다는 것을 보장하도록 돕는다.
일 실시예에서 각각의 스캐닝 영역(A11-A14)은 스캔 방향에서 실질적으로 동일한 길이를 가진다.
일 실시예에서, 제1 모드에서 스캐닝 영역들 중 임의의 것 사이에 실질적으로 중첩이 존재하지 않는다. 매우 적은, 즉 무시될만한 중첩의 영역이 존재할 수도 있다. 위에서 언급된 바와 같은 예에 대하여, 하나의 방사 빔의 너비의 대략 10%의 중첩이 존재할 수도 있다. 그러나, 제1 모드에서의 중첩의 영역은 하나의 방사 빔의 너비보다 더 적고, 따라서 이것은 무시될 수 있다.
일 실시예에서, 콘트롤러(500)는 예를 들어, 기판이 스캐닝 영역(A11-A14) 중 실질적으로 모든 것의 조사 도중에 실질적으로 상수 속도로 투영 시스템(50)에 상대적으로 이동하도록 기판 지지물을 제어하도록 구성된다. 기판 스캔 속도는 단일 스캔 전체에서 실질적으로 일정하다. 이것이 방사선 빔의 각각이 패턴을 형성하기 위하여 타겟 상의 정확한 포지션에 입사하는 것을 보장하게 돕기 위하여 콘트롤러(500)에 의하여 수행될 계산을 단순화한다.
일 실시예에서, 콘트롤러(500)는 투영 시스템(50)이 각각의 복수의 방사선 빔을 각각의 스캐닝 영역(A11-A14) 내의 임의의 이전에 조사된 선택된 위치 상에 투영하도록 장치(1)를 제어하도록 구성된다. 두 개의 스캐닝 영역(A11-A14) 사이의 중첩의 각각의 지역에서, 투영 시스템(50)은 방사선 빔을 이미 조사된 바 있는 중첩의 지역의 그러한 섹션 상에만 투영한다. 이것은 도즈 레벨이 전체 패턴에 걸쳐 일관적이라는 것을 보장하게 돕는다. 만일 전체 스캔이 반복되는 중이라면, 투영 시스템(50)은 방사선 빔을 이미 조사된 선택된 위치 상에 투영한다.
이전에 조사된 위치 위에 재기록하는 것의 장점은 패턴의 일부로서 형성될 수도 있는 라인의 폭에서의 감소이다. 이것은 형성된 라인의 실제 포지션이 타겟 포지션과 비교하여 상이할 수도 있기 때문이다. 만일 라인이 두 번 기록되고 각각의 기록 모두에 대한 포지셔닝 오류가 서로 의존한다면, 라인의 외부로 전달되는 에너지에 감소가 있을 것이다. 이것은, 만일 라인의 외부가 패턴을 형성하기 위하여 요구되는 임계보다 더 적은 레벨에서 조사된다면, 감소된 폭을 실효적으로 가지는 라인을 결과적으로 초래한다.
일 실시예에서 콘트롤러(500)는 제1 모드 및 제2 모드 인라인(inline) 사이에서 스위칭할 수 있다. 일 실시예에서 콘트롤러(500)는 제2 모드의 서브-모드들 사이에서 스위칭할 수 있다. 이것은 계산 오버헤드가 모드들 간의 스위칭의 경우 실질적으로 증가되지 않는다는 피쳐에 의하여 용이하게 된다.
일 실시예에서 콘트롤러(500)가 모드들 사이에서 스위칭 할 때 교정 데이터가 콘트롤러(500)에 의하여 획득되고 고려될 수도 있다. 이것은 방사선 빔이 타겟의 정확한 선택된 위치 상에 투영되는 것을 보장하게 돕는다.
일 실시예에서 장치(1)는 복수의 방사선 빔을 제공하도록 구성되는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 포함한다. 일 실시예에서는, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 방사선의 빔을 선택적으로 제공하기 위한 제어가능한 요소를 포함한다. 일 실시예에서 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 복수의 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)를 포함한다.
일 실시예에서 투영 시스템(50)의 이동부는 고정부에 상대적으로 회전하도록 구성된다. 이동부는 예를 들어 회전가능한 휠의 형태를 가질 수도 있다. 그러나, 이동부의 선형 이동과 같은 다른 구성도 역시 가능하다.
디바이스 제조 방법에 따르면, 디스플레이, 집적 회로 또는 임의의 다른 아이템과 같은 디바이스는 그 위에 패턴이 투영된 기판으로부터 제조될 수 있다.
비록 본문에서 IC의 제조에서 리소그래피 또는 노광 장치를 사용하는 것에 대해서 특별히 언급하였지만, 본 명세서에서 설명되는 리소그래피 또는 노광 장치는 다른 응용 분야, 예컨대 집적 광 시스템의 제조, 자기장 도메인 메모리용 유도 및 검출 패턴, 평판-패널 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드, 등을 가질 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 당업자는, 이러한 다른 응용예의 문맥에서, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"와 같은 좀더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예컨대 트랙(예를 들어, 통상적으로 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 계측 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용 가능한 범위에서, 본 명세서에서의 개시물은 이러한 기판 처리 툴 및 다른 기판 처리 툴에 적용될 수 있다. 또한, 예컨대 다층 집적회로를 생성하기 위하여 기판이 복수 회 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함한 기판을 지칭할 수 있다.
본 명세서에 사용된 "렌즈"라는 용어는, 문맥이 허용한다면, 굴절, 회절, 반사, 자기, 전자자기, 및 정전기 광 컴포넌트 또는 이들의 조합을 포함하는 다양한 타입의 광 컴포넌트 중 임의의 것을 가리킬 수 있다.
비록 본 발명의 특정한 실시예가 위에서 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 예컨대, 본 발명의 실시예는 위에서 개시된 바와 같은 방법을 기술하는 기계 판독 가능한 명령어들의 하나 이상의 시퀀스들을 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되는 데이터 저장 매체(예컨대, 반도체 메모리, 자기 디스크 또는 광 디스크)의 형태를 취할 수 있다. 또한, 이러한 기계 판독가능한 명령은 둘 이상의 컴퓨터 프로그램으로 구현될 수 있다. 두 개 이상의 컴퓨터 프로그램은 하나 이상의 상이한 메모리 및/또는 데이터 저장 미디어에 저장될 수 있다.
위의 설명은 한정적인 것이 아니라 예시적인 것이 의도된다. 따라서, 다음 진술되는 청구항의 범위로부터 벗어나지 않으면서, 설명된 바와 같은 본 발명에 변경이 이루어질 수 있다는 것이 당업자에게는 명백할 것이다.

Claims (15)

  1. 노광 장치로서,
    고정부 및 이동부를 포함하고, 복수의 방사선 빔을 패턴에 기초하여 선택된 타겟 상의 위치 상에 투영하도록 구성되는 투영 시스템;
    상기 장치가 제1 모드 또는 제2 모드에서 동작하게 제어하도록 구성되는 콘트롤러; 및
    상기 투영 시스템이 기판의 연속적인 스캐닝 영역 상에 투영할 수 있도록 상기 타겟을 가지는 기판을 지지하고 상기 기판을 스캔 방향으로 상기 투영 시스템에 상대적으로 이동시키도록 구성되는 기판 지지물을 포함하고,
    상기 제1 모드에서 상기 투영 시스템이 에너지의 제1 양을 선택된 위치로 전달하고, 제2 모드에서 상기 투영 시스템이 에너지의 상기 제1 양보다 더 큰 에너지의 제2 양을 선택된 위치로 전달하며, 상기 제2 모드는 각각의 스캐닝 영역이 정수 개수의 다른 스캐닝 영역과 부분적으로 중첩하는 하나 이상의 서브-모드를 포함하는, 노광 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 모드에서 상기 기판은 상기 투영 시스템에 상대적으로 제1 속도로 이동하고, 제2 모드에서 상기 기판은 상기 투영 시스템에 상대적으로 제1 속도보다 더 낮은 제2 속도로 이동하는, 노광 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 모드에서 상기 투영 시스템은 복수의 방사선 빔을 선택된 위치 상에 제1 레이트로 투영하고, 상기 제2 모드에서 상기 투영 시스템은 복수의 방사선 빔을 상기 선택된 위치 상에 제2 레이트로 투영하며, 상기 제2 레이트는 상기 제1 레이트 이하인, 노광 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제2 모드는, 상기 제2 레이트가 상기 제1 레이트와 동등하고 상기 제2 속도가 상기 제1 속도 보다 정수 인자(integer factor)만큼 낮음으로써, 각각의 스캐닝 영역이 정수 개수의 다른 스캐닝 영역과 부분적으로 중첩하게 하는 제1 서브-모드를 포함하는, 노광 장치.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 제2 모드는, 제2 레이트가 제1 레이트보다 감속 인자(slow-down factor)만큼 더 낮고, 제2 속도는 제1 속도보다 감속 인자만큼 더 낮은 제2 서브-모드를 포함하는, 노광 장치.
  6. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 제2 모드는, 제2 레이트가 제1 레이트보다 감속 인자만큼 더 낮고 제2 속도가 제1 속도보다 감속 인자 및 정수 인자의 곱만큼 더 낮은 제3 서브-모드를 포함하되, 각각의 스캐닝 영역은 정수 개수의 다른 스캐닝 영역들과 부분적으로 중첩하는, 노광 장치.
  7. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 제2 모드는, 제2 속도가 제1 속도보다 정수 인자만큼 더 낮고, 상기 기판 상에 투영된 방사선 빔의 방사선의 세기는 제1 모드에서보다 제4 서브-모드에서 더 낮은 제4 서브-모드를 포함하는, 노광 장치.
  8. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 제2 모드는, 각각의 스캐닝 영역이 상기 투영 시스템에 의하여 조사되는 횟수를 제어하기 위하여, 상기 콘트롤러는 상기 투영 시스템에 상대적인 기판 이동을 반복하도록 상기 기판 지지물을 제어하도록 구성되고, 상기 기판 상에 투영된 방사선 빔의 방사선의 세기는 스캔들 사이에서 변동되는 제5 서브-모드를 포함하는, 노광 장치.
  9. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    제2 모드에서, 각각의 스캐닝 영역이 상기 투영 시스템에 의하여 조사되는 횟수를 제어하기 위하여, 상기 콘트롤러는 상기 투영 시스템에 상대적인 기판 이동을 반복하도록 상기 기판 지지물을 제어하도록 구성되는, 노광 장치.
  10. 제 4 항에 있어서,
    중첩의 각 지역에서, 선택된 위치들 모두는 정수 횟수 조사되는, 노광 장치.
  11. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    각각의 스캐닝 영역은 스캔 방향에서 적어도 하나의 다른 스캐닝 영역에 인접하는, 노광 장치.
  12. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    각각의 스캐닝 영역은 스캔 방향에서 동일한 길이를 가지는, 노광 장치.
  13. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    제1 모드에서, 상기 스캐닝 영역 중 임의의 것 사이에 중첩이 실질적으로 존재하지 않는, 노광 장치.
  14. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 이동부는 상기 고정부에 상대적으로 회전하도록 구성되는, 노광 장치.
  15. 디바이스 제조 방법으로서,
    고정부 및 이동부를 포함하는 투영 시스템을 사용하여 복수의 방사선 빔을 패턴에 기초하여 선택된 타겟 상의 위치 상에 투영하는 단계;
    노광 장치를 제1 모드 또는 제2 모드에서 동작하도록 제어하는 단계; 및
    상기 투영 시스템이 기판의 연속적인 스캐닝 영역 상에 투영할 수 있도록 기판 지지물을 이용하여 상기 타겟을 가지는 기판을 지지하고 상기 기판을 스캔 방향으로 상기 투영 시스템에 상대적으로 이동시키는 단계를 포함하고,
    상기 제1 모드에서 상기 투영 시스템은 에너지의 제1 양을 선택된 위치로 전달하고, 제2 모드에서 상기 투영 시스템은 에너지의 상기 제1 양보다 더 큰 에너지의 제2 양을 선택된 위치로 전달하며, 상기 제2 모드는 각각의 스캐닝 영역이 정수 개수의 다른 스캐닝 영역과 부분적으로 중첩하는 하나 이상의 서브-모드를 포함하는, 디바이스 제조 방법.
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