KR101622530B1

KR101622530B1 - 산화물 소결체 및 스퍼터링 타깃, 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR101622530B1
Application number: KR1020157033548A
Authority: KR
Inventors: 유키 다오; 겐타 히로세; 노리히로 지코; 모토타카 오치
Original assignee: 가부시키가이샤 코베루코 카겐; 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
Priority date: 2013-11-29
Filing date: 2014-11-28
Publication date: 2016-05-18
Anticipated expiration: 2034-11-28
Also published as: CN105246855B; US10515787B2; CN105246855A; TW201538431A; JP2015127293A; TWI515167B; US20160111264A1; KR20150136552A; WO2015080271A1; JP5796812B2

Abstract

본딩 공정에서의 깨짐의 발생을 억제시킬 수 있는 산화물 소결체, 및 상기 산화물 소결체를 사용한 스퍼터링 타깃, 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 산화물 소결체는, 산화인듐과, 산화갈륨과, 산화주석을 소결하여 얻어지는 산화물 소결체이며, 산화물 소결체의 상대 밀도가 90％ 이상, 산화물 소결체의 평균 결정립경이 10㎛ 이하이고, 산화물 소결체에 포함되는 전체 금속 원소에 대한, 인듐, 갈륨, 주석의 함유량의 비율(원자％)을 각각, [In], [Ga], [Sn]으로 하였을 때, 30원자％≤[In]≤50원자％, 20원자％≤[Ga]≤30원자％, 25원자％≤[Sn]≤45원자％를 만족시킴과 함께, InGaO₃상은 [InGaO₃]≥0.05를 만족시킨다.

Description

산화물 소결체 및 스퍼터링 타깃, 및 그 제조 방법{SINTERED OXIDE AND SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING SAME}

본 발명은, 액정 디스플레이나 유기 EL 디스플레이 등의 표시 장치에 사용되는 박막 트랜지스터(TFT, Thin Film Transistor)의 산화물 반도체 박막을 스퍼터링 법으로 성막할 때에 사용되는 산화물 소결체, 및 스퍼터링 타깃, 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

TFT에 사용되는 아몰퍼스(비정질) 산화물 반도체는, 범용의 아몰퍼스 실리콘(a-Si)에 비해 높은 캐리어 이동도를 갖고, 광학 밴드 갭이 크고, 저온에서 성막할 수 있다. 그로 인해, 대형·고해상도·고속 구동이 요구되는 차세대 디스플레이나, 내열성이 낮은 수지 기판 등에의 적용이 기대되고 있다. 이들 용도에 적합한 산화물 반도체의 조성으로서, In 함유의 비정질 산화물 반도체가 제안되어 있다. 예를 들어, In-Ga-Zn계 산화물 반도체, In-Ga-Zn-Sn계 산화물 반도체, In-Ga-Sn계 산화물 반도체 등이 주목받고 있다.

상기 산화물 반도체 박막의 형성에 있어서, 당해 박막과 동일한 재료의 스퍼터링 타깃(이하, 「타깃재」라 하는 경우가 있음)을 스퍼터링하는 스퍼터링법이 적절하게 사용되고 있다. 스퍼터링 타깃은 산화물 소결체를 백킹 플레이트에 본딩된 상태에서 사용되고 있지만, 산화물 소결체를 백킹 플레이트에 본딩하는 공정에 있어서, 산화물 소결체가 깨져 버리는 경우가 있었다.

예를 들어 특허문헌 1에는, 반도체 소자의 제작시의 패터닝 공정에 적합한 산화물 반도체막, 및 상기 반도체막을 성막할 수 있는 산화물 소결체로서, 인듐 원소(In), 갈륨 원소(Ga) 및 주석 원소(Sn)를, 0.10≤In/(In＋Ga＋Sn)≤0.60, 0.10≤Ga/(In＋Ga＋Sn)≤0.55, 0.0001<Sn/(In＋Ga＋Sn)≤0.60의 원자비로 포함하는 산화물 소결체가 개시되어 있다.

특허문헌 2에는, 스퍼터링시의 이상 방전을 저감시키는 기술로서, 인듐 원소(In), 갈륨 원소(Ga), 아연 원소(Zn) 및 주석 원소(Sn)를 포함하고, Ga₂In₆Sn₂O₁₆ 또는 (Ga, In)₂O₃으로 표현되는 화합물을 포함하는 산화물 소결체가 개시되어 있다.

또한 특허문헌 3에는, 스퍼터 레이트의 증대, 노듈의 발생 방지, 깨짐의 방지 등의 스퍼터 조작성이 우수하고, 또한 저온 기판에 있어서 특히 저저항인 투명 도전막을 형성 가능한 스퍼터링 타깃 및 타깃 재료에 사용되는 ITO 소결체로서, 소결 밀도 90％ 이상 100％ 이하, 소결 입경 1㎛ 이상 20㎛ 이하인 고밀도 ITO 소결체가 개시되어 있다.

일본 특허 공개 제2011-174134호 공보 일본 특허 공개 제2008-280216호 공보 일본 특허 공개 평05-311428호 공보

최근의 표시 장치의 고성능화에 수반하여, 산화물 반도체 박막의 특성의 향상이나 특성의 안정화가 요구되고 있음과 함께, 표시 장치의 생산을 한층 더 효율화하는 것이 요구되고 있다. 또한 생산성이나 제조 비용 등을 고려하면, 표시 장치용의 산화물 반도체 박막의 제조에 사용되는 스퍼터링 타깃 및 그 소재인 산화물 소결체에는, 스퍼터링 공정에서의 스퍼터링 타깃의 깨짐을 억제하는 것은 물론, 본딩 공정에서의 산화물 소결체의 깨짐을 억제하는 것이 한층 더 요구되고 있다.

본 발명은 상기 사정에 비추어 이루어진 것이며, 그 목적은, 표시 장치용 산화물 반도체 박막의 제조에 적절하게 사용되는 산화물 소결체, 및 스퍼터링 타깃이며, 본딩 공정에서의 깨짐의 발생을 억제시킬 수 있는 산화물 소결체, 및 상기 산화물 소결체를 사용한 스퍼터링 타깃, 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.

상기 과제를 해결할 수 있었던 본 발명의 산화물 소결체는, 산화인듐과, 산화갈륨과, 산화주석을 소결하여 얻어지는 산화물 소결체이며, 상기 산화물 소결체의 상대 밀도가 90％ 이상, 상기 산화물 소결체의 평균 결정립경이 10㎛ 이하이고, 상기 산화물 소결체에 포함되는 산소를 제외하는 전체 금속 원소에 대한, 인듐, 갈륨, 주석의 함유량의 비율(원자％)을 각각, [In], [Ga], [Sn]으로 하였을 때, 하기 식 (1)∼(3)을 만족시킴과 함께, 상기 산화물 소결체를 X선 회절하였을 때, InGaO₃상은 하기 식 (4)를 만족시키는 것에 요지를 갖는다.

30원자％≤[In]≤50원자％…(1)

20원자％≤[Ga]≤30원자％…(2)

25원자％≤[Sn]≤45원자％…(3)

[InGaO₃]≥0.05…(4)

단, [InGaO₃]=(I(InGaO₃)/(I(InGaO₃)＋I(In₂O₃)＋I(SnO₂))

식 중, I(InGaO₃), I(In₂O₃), 및 I(SnO₂)는 각각, X선 회절에서 특정된 InGaO₃상, In₂O₃상, SnO₂상의 회절 강도의 측정값이다.

본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 산화물 소결체의 결정립경이 15㎛를 초과하는 조대 결정립의 비율은 10％ 이하이다.

본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 산화물 소결체를 X선 회절하였을 때, Ga_3-xln_5＋xSn₂O₁₆상은 포함되지 않는 것이다.ln

본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 산화물 소결체를 X선 회절하였을 때, (Ga, In)₂O₃상은 포함되지 않는 것이다.

또한, 상기 과제를 해결할 수 있었던 본 발명의 스퍼터링 타깃은, 상기 어느 하나에 기재된 산화물 소결체를 사용하여 얻어지는 스퍼터링 타깃이며, 비저항이 1Ω·㎝ 이하이다.

본 발명의 상기 산화물 소결체의 바람직한 제조 방법은, 산화인듐과, 산화갈륨과, 산화주석을 혼합하여, 성형형에 세트한 후, 소결 온도 850∼1250℃까지 승온시킨 후, 상기 온도 영역에서의 유지 시간 0.1∼5시간, 가압 압력 59㎫ 이하에서 소결하는 것에 요지를 갖는다.

본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 소결 온도까지의 평균 승온 속도가 600℃/hr 이하이다.

본 발명에 따르면, 본딩 작업시의 깨짐의 발생을 억제시킬 수 있는 산화물 소결체, 및 상기 산화물 소결체를 사용한 스퍼터링 타깃, 및 그 제조 방법을 제공하는 것이 가능하다.

도 1은 실시예 2의 No.1과 No.2에 있어서의, 흑색 퇴적물의 유무를 나타내는 사진이다.

본 발명자들은, 종래의 In-Ga-Zn계 산화물 반도체 박막(IGZO)과 비교하여, 캐리어 이동도가 높은 것에 의해 평가되는 TFT의 이동도가 우수한 산화물 반도체 박막으로서, 후기하는 특정한 비율의 금속 원소를 갖는 In-Ga-Sn계 산화물 반도체 박막(IGTO)을 발명하고, 이전에 출원을 하였다.

그렇지만, In-Ga-Sn계 산화물 반도체 박막(IGTO)의 제조에 사용되는 스퍼터링 타깃의 소재인 산화물 소결체는, 생산성이나 제조 비용 등을 고려하면, 본딩 공정에서의 산화물 소결체의 깨짐을 한층 더 억제하는 것도 중요하며, 그를 위해서는 산화물 소결체의 개선이 필요해진다.

따라서 본 발명자들은, 상기 산화물 반도체 박막을 성막하는 데에 적합한 In-Ga-Sn계 스퍼터링 타깃의 소재인 산화물 소결체에 대해, 본딩시의 깨짐을 억제하기 위해, 검토를 거듭해 왔다.

그 결과, 후기 식 (1)∼(3)을 만족시키는 특정한 금속 원소의 비율을 갖는 산화인듐과, 산화갈륨과, 산화주석을 혼합 및 소결하여 얻어지는 산화물 소결체이며, (가) 산화물 소결체를 X선 회절하였을 때, InGaO₃상의 비율을 제어함으로써, 본딩시의 산화물 소결체의 깨짐을 억제하는 효과가 있는 것, (나) 상대 밀도를 높임으로써, 본딩시의 산화물 소결체의 깨짐의 억제 효과를 한층 향상시킬 수 있는 것, (다) 산화물 소결체의 평균 결정립경을 미세화하면 산화물 소결체의 깨짐의 억제 효과를 한층 더 향상시킬 수 있는 것을 밝혀 내고, 본 발명에 이르렀다.

또한, (라) 상기 산화물 소결체를 얻기 위해서는, 소정의 소결 조건에서 소결을 행하면 되는 것을 발견하였다.

우선, 본 발명에 관한 산화물 소결체의 구성에 대해, 상세하게 설명한다.

TFT 특성이 우수한 효과를 갖는 산화물 반도체 박막을 형성하기 위해서는, 산화물 소결체에 포함되는 금속 원소의 함유량을 각각 적절히 제어할 필요가 있다.

구체적으로는 산화물 소결체에 포함되는 산소를 제외하는 전체 금속 원소에 대한 각 금속 원소(인듐, 갈륨, 주석)의 함유량(원자％)의 비율을 각각, [In], [Ga], [Sn]으로 하였을 때, 하기 식 (1)∼(3)을 만족시키도록 제어한다.

30원자％≤[In]≤50원자％…(1)

20원자％≤[Ga]≤30원자％…(2)

25원자％≤[Sn]≤45원자％…(3)

상기 식 (1)은, 전체 금속 원소 중의 In비([In]=In/(In＋Ga＋Sn))를 규정한 것이다. [In]이 지나치게 낮으면 산화물 소결체의 상대 밀도 향상 효과나 스퍼터링 타깃의 비저항의 저감을 달성할 수 없고, 또한 성막 후의 산화물 반도체 박막의 캐리어 이동도도 낮아진다. 한편, [In]이 지나치게 높으면, 캐리어가 지나치게 많아져 도체화되는 것 외에, 스트레스에 대한 안정성이 저하된다. 따라서 [In]은, 30원자％ 이상, 바람직하게는 35원자％ 이상, 보다 바람직하게는 40원자％ 이상이며, 50원자％ 이하, 바람직하게는 47원자％ 이하, 보다 바람직하게는 45원자％ 이하이다.

상기 식 (2)는 전체 금속 원소 중의 Ga비([Ga]=Ga/(In＋Ga＋Sn))를 규정한 것이다. [Ga]는, 산소 결손을 저감시켜, 산화물 반도체 박막의 아몰퍼스 구조를 안정화시키는 것 외에, 스트레스 내성(특히 광＋부 바이어스 스트레스에 대한 내성)을 향상시키는 작용을 갖는다. 단, [Ga]가 지나치게 높으면, 이동도가 저하된다. 따라서 [Ga]는, 20원자％ 이상, 바람직하게는 22원자％ 이상, 보다 바람직하게는 24원자％ 이상이며, 30원자％ 이하, 바람직하게는 29원자％ 이하, 보다 바람직하게는 28원자％ 이하이다.

상기 식 (3)은 전체 금속 원소 중의 Sn비([Sn]=Sn/(In＋Ga＋Sn))를 규정한 것이다. [Sn]은, 웨트 에칭성 등, 산화물 반도체 박막의 약액 내성을 향상시키는 작용을 갖는다. 단, 약액 내성의 향상에 수반하여 에칭 레이트는 느려지므로, [Sn]이 지나치게 높으면, 에칭 가공성이 저하된다. 따라서 [Sn]은, 25원자％ 이상, 바람직하게는 26원자％ 이상, 보다 바람직하게는 27원자％ 이상이며, 45원자％ 이하, 바람직하게는 40원자％ 이하, 보다 바람직하게는 35원자％ 이하이다.

본 발명의 산화물 소결체에서는, 금속 원소가 상기 비율의 In과 Ga와 Sn으로 구성되고, Zn을 포함하지 않는다. 후기하는 실시예에 나타내는 바와 같이, In과 Ga와 Zn을 포함하는 종래의 IGZO 타깃을 사용하여 박막을 성막하면, IGZO 타깃과 IGZO막 사이에서 조성 편차가 커짐과 함께, IGZO 타깃의 표면에, Zn과 O를 포함하는 흑색의 퇴적물이 생성되는 것이 판명되었기 때문이다. 상기 흑색 퇴적물은, 스퍼터 중에 타깃 표면으로부터 박리되어 파티클로 되어, 아킹의 원인으로 되는 등, 성막 상, 큰 문제를 초래한다.

여기서, IGZO의 타깃을 사용하였을 때에 상기한 문제가 발생하는 주된 이유는, Zn의 증기압이, Ga 및 In에 비해 높은 것에 기인한다고 생각된다. 예를 들어 타깃을 사용하여 박막을 성막하는 경우, 비용을 고려하면, 산소를 포함하지 않고 아르곤 등의 불활성 가스만으로 프리 스퍼터한 후, 소정 분압의 산소 함유 불활성 분위기에서 스퍼터하는 것이 권장된다. 그러나, 상기 프리 스퍼터 중에 Zn이 환원되면, Zn의 증기압이 높기 때문에 증발하기 쉬워져 타깃 표면에 부착되어, 흑색 퇴적물이 생성된다. 그 결과, 타깃과 막의 조성 어긋남을 초래하고, 타깃에 비해 막 중의 Zn의 원자비가 대폭으로 저하된다.

본 발명의 산화물 소결체는, 바람직하게는 상기 소정의 금속 원소 함유량을 만족시키는 산화인듐과, 산화갈륨과, 산화주석으로 구성되어 있고, 잔량부는, 제조 상 불가피적으로 생성되는 산화물 등의 불순물이다.

다음으로 상기 산화물 소결체를 X선 회절하였을 때에 검출되는 InGaO₃상에 대해 설명한다. InGaO₃상은, 본 발명의 산화물 소결체를 구성하는 In과 Ga가 결합하여 형성되는 산화물이다. InGaO₃상은, 본 발명의 산화물 소결체에 있어서, 본딩시의 응력에 의한 깨짐을 억제하는 효과를 갖는다.

이러한 효과를 갖는 산화물 소결체로 하기 위해서는, X선 회절에서 특정한 InGaO₃상의 피크 강도가 하기 식 (4)를 만족시킬 필요가 있다.

[InGaO₃]≥0.05…(4)

단, [InGaO₃]=(I(InGaO₃)/(I(InGaO₃)＋I(In₂O₃)＋I(SnO₂))

식 중, I(InGaO₃), I(In₂O₃), 및 I(SnO₂)는 각각, X선 회절에서 특정된 InGaO₃상, In₂O₃상, SnO₂상의 회절 강도의 측정값을 의미한다.

이들 화합물상은, 산화물 소결체를 X선 회절하여 얻어진 회절 피크에 대해, ICDD(International Center for Diffraction Data) 카드의 21-0334, 71-2194, 77-0447에 기재되어 있는 결정 구조(각각, InGaO₃상, In₂O₃상, SnO₂상에 대응)를 갖는 것이다.

본 발명은 상기 산화물 소결체를 X선 회절하였을 때, InGaO₃상을 소정의 비율로 포함하는 것에 특징이 있다. InGaO₃상의 피크 강도비([InGaO₃])가 작아지면 본딩시의 산화물 소결체의 깨짐이 발생하기 쉬워지기 때문에, 0.05 이상으로 할 필요가 있다. 바람직하게는 0.06 이상, 보다 바람직하게는 0.07 이상, 더욱 바람직하게는 0.1 이상이다. 한편, 상한에 대해서는, 상기 관점에서는 높을수록 좋고, 예를 들어 1이어도 되지만, 열평형 상태를 고려하면, 바람직하게는 0.84 이하, 보다 바람직하게는 0.67 이하, 더욱 바람직하게는 0.5 이하이다.

또한, InGaO₃상은, 금속 원소의 함유량이 상기 범위 내로 제어되어 있음과 함께, 후기하는 소정의 소결 조건에서 제조함으로써 생성되는 특이한 상이다. 산화물 소결체를 구성하는 금속 원소의 종류가 동일해도 금속 원소의 함유량이나 제조 조건이 다른 경우, 얻어지는 결정상이 상이하다. 예를 들어 특허문헌 1(In-Ga-Sn계 산화물 소결체)에서 형성되어 있는 Ga_3-xln_5＋xSn₂O₁₆상은 본 발명에서는 형성되어 있지 않다.

또한, 산화물 소결체를 구성하는 금속 원소의 종류가 상이한 경우에도 얻어지는 결정상은 상이하다. 예를 들어 특허문헌 2(In-Ga-Zn-Sn-O계 산화물 소결체)에서 형성되는 (Ga, In)₂O₃상은, 본 발명과 표기가 유사하지만 ICDD 카드가 다르고, 결정 구조가 다른 상이다. 또한 본 발명에서는 (Ga, In)₂O₃상은 형성되어 있지 않다.

본 발명의 산화물 소결체의 상대 밀도는 90％ 이상이다. 산화물 소결체의 상대 밀도를 높임으로써 본딩시의 깨짐의 억제 효과를 한층 더 향상시킬 수 있다. 이러한 효과를 얻기 위해 본 발명의 산화물 소결체는 상대 밀도를 적어도 90％ 이상으로 할 필요가 있고, 바람직하게는 95％ 이상이며, 보다 바람직하게는 98％ 이상이다. 상한은 특별히 한정되지 않고 100％여도 되지만, 제조 비용을 고려하여, 99％가 바람직하다.

또한, 본딩시의 깨짐의 억제 효과를 한층 더 높이기 위해서는, 산화물 소결체의 결정립의 평균 결정립경을 미세화할 필요가 있다. 구체적으로는 산화물 소결체의 파단면(산화물 소결체를 임의의 위치에서 두께 방향으로 절단하고, 그 절단면 표면의 임의의 위치)에 있어서 주사형 전자 현미경(SEM, Scanning Electron Microscope)에 의해 관찰되는 결정립의 평균 결정립경을 10㎛ 이하로 함으로써, 산화물 소결체의 깨짐을 한층 더 억제시킬 수 있다. 바람직한 평균 결정립경은 8㎛ 이하, 보다 바람직하게는 6㎛ 이하이다. 한편, 평균 결정립경의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 평균 결정립경의 미세화와 제조 비용의 밸런스로부터, 평균 결정립경의 바람직한 하한은 0.05㎛ 정도이다.

또한, 본 발명에서는 산화물 소결체의 평균 결정립경뿐만 아니라, 입도 분포를 적절하게 제어하는 것이 바람직하다. 구체적으로는 결정립경이 15㎛를 초과하는 조대 결정립은, 본딩시의 산화물 소결체의 깨짐의 원인으로 되기 때문에, 가능한 한 적은 쪽이 좋고, 조대 결정립은 바람직하게는 10％ 이하, 보다 바람직하게는 8％ 이하, 더욱 바람직하게는 6％ 이하, 보다 더 바람직하게는 4％ 이하, 가장 바람직하게는 0％이다.

다음으로, 본 발명의 산화물 소결체를 제조하는 방법에 대해 설명한다.

본 발명의 산화물 소결체는, 산화인듐과, 산화갈륨과, 산화주석을 혼합 및 소결하여 얻어지는 것이다. 또한, 본 발명의 스퍼터링 타깃은 상기 산화물 소결체를 가공함으로써 제조할 수 있다. 구체적으로는, 산화물의 분말을 (a) 혼합·분쇄→(b) 건조·조립(造粒)→(c) 예비 성형→(d) 탈지→(e) 핫 프레스에 의해 소결하여 얻어진 산화물 소결체를, (f) 가공→(g) 본딩하여 스퍼터링 타깃을 얻을 수 있다. 상기 공정 중 본 발명에서는, 이하에 상세하게 설명하는 바와 같이 (e) 핫 프레스의 소결 조건을 적절하게 제어한 것에 특징이 있고, 그 이외의 공정은 특별히 한정되지 않고, 통상 이용되는 공정을 적절히 선택할 수 있다. 이하, 각 공정을 설명하지만, 본 발명은 이것에 한정하는 취지는 아니다.

우선, 산화인듐 분말과, 산화갈륨 분말과, 산화주석 분말을 소정의 비율로 배합하고, 혼합·분쇄한다. 사용되는 각 원료 분말의 순도는 각각, 약 99.99％ 이상이 바람직하다. 미량의 불순물 원소가 존재하면, 산화물 반도체 박막의 반도체 특성을 손상시킬 우려가 있기 때문이다. 각 원료 분말의 배합 비율은, 상기 범위 내로 되도록 제어하는 것이 바람직하다.

(a) 혼합·분쇄는, 볼 밀 또는 비즈 밀을 사용하고, 원료 분말을 물과 함께 투입하여 행하는 것이 바람직하다. 이들 공정에 사용되는 볼이나 비즈는, 예를 들어 나일론, 알루미나, 지르코니아 등의 재질의 것이 바람직하게 사용된다. 이때, 균일하게 혼합하는 목적으로 분산재나, 이후의 성형 공정의 용이성을 확보하기 위해 바인더를 혼합해도 된다. 혼합 시간은 2시간 이상으로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10시간 이상이며, 더욱 바람직하게는 20시간 이상이다.

다음으로, 상기 공정에서 얻어진 혼합 분말에 대해 예를 들어 스프레이 드라이어 등으로 (b) 건조·조립을 행하는 것이 바람직하다.

건조·조립 후, (c) 예비 성형을 한다. 성형에 있어서는, 건조·조립 후의 분말을 소정 치수의 금형에 충전하고, 금형 프레스로 예비 성형한다. 이 예비 성형은, 핫 프레스 공정에서 소정의 형에 세트할 때의 핸들링성을 향상시키는 목적으로 행해지기 때문에, 49∼98㎫ 정도의 가압력을 가하여 성형체로 하면 된다. 본 발명에서는 금형 프레스에서의 예비 성형을 행하지 않고, 직접 성형형 내에 분말을 장전하여 가압 소결해도 된다.

또한, 혼합 분말에 분산재나 바인더를 첨가한 경우에는, 분산재나 바인더를 제거하기 위해 성형체를 가열하여 (d) 탈지를 행하는 것이 바람직하다. 가열 조건은 탈지 목적을 달성할 수 있으면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 대기 중, 대략 500℃ 정도에서, 5시간 정도 유지하면 된다.

탈지 후, 원하는 형상이 얻어지도록 성형형에 성형체를 세트하여 (e) 핫 프레스에 의해 소결을 행한다. 소결시의 성형형으로서는 소결 온도에 따라 금형, 흑연형의 어느 것도 사용할 수 있지만, 900℃ 이상의 고온에서의 내열성이 우수한 흑연형을 사용하는 것이 바람직하다.

본 발명에서는 성형체를 소결 온도:850∼1250℃까지 승온시킨 후, 상기 온도에서의 유지 시간:0.1∼5시간으로 소결을 행한다. 이들 온도 범위 및 유지 시간으로 소결함으로써, 상기 식 (4)를 만족시키는 InGaO₃상의 비율과 적절한 입경을 갖는 소결체가 얻어진다. 소결 온도가 낮으면, 상기 식 (4)를 만족시키는 InGaO₃상을 생성할 수 없다. 또한 산화물 소결체를 충분히 치밀화할 수 없어, 원하는 상대 밀도를 달성할 수 없다. 한편, 소결 온도가 지나치게 높아지면, 결정립이 조대화되어 버려, 결정립의 평균 결정립경을 소정의 범위로 제어할 수 없게 된다. 따라서 소결 온도는 850℃ 이상, 바람직하게는 875℃ 이상, 보다 바람직하게는 900℃ 이상이며, 1250℃ 이하, 바람직하게는 1200℃ 이하로 한다.

또한, 상기 소결 온도에서의 유지 시간이 지나치게 길어지면 결정립이 성장하여 조대화되기 때문에, 결정립의 평균 결정립경을 소정의 범위로 제어할 수 없게 된다. 한편, 유지 시간이 지나치게 짧으면 상기 InGaO₃상을 상기 비율 이상 형성할 수 없고, 또한 충분히 치밀화할 수 없게 된다. 따라서 유지 시간은 0.1시간 이상, 바람직하게는 0.5시간 이상이며, 5시간 이하로 하는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명에서는 예비 성형 후, 상기 소결 온도까지의 평균 승온 속도를 600℃/hr 이하로 하는 것이 바람직하다. 평균 승온 속도가 600℃/hr를 초과하면, 결정립의 이상 성장이 일어나, 조대 결정립의 비율이 높아진다. 또한 상대 밀도를 충분히 높일 수 없다. 보다 바람직한 평균 승온 속도는 500℃/hr 이하, 더욱 바람직하게는 400℃/hr 이하이다. 한편, 평균 승온 속도의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 생산성의 관점에서는 10℃/hr 이상으로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 20℃/hr 이상이다.

상기 소결 공정에 있어서 핫 프레스시의 가압 조건은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 면압(가압 압력) 59㎫ 이하의 압력을 가하는 것이 바람직하다. 압력이 지나치게 높으면 흑연형이 파손될 우려가 있고, 또한 치밀화 촉진 효과가 포화됨과 함께 프레스 설비의 대형화가 필요해진다. 한편, 압력이 지나치게 낮으면 치밀화가 충분히 진행되지 않는 경우가 있다. 바람직한 가압 조건은 10㎫ 이상, 39㎫ 이하이다.

소결 공정에서는, 성형형으로서 바람직하게 사용되는 흑연의 산화, 소실을 억제하기 위해, 소결 분위기를 불활성 가스 분위기, 진공 분위기로 하는 것이 바람직하다. 분위기 제어 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 로 내에 Ar 가스나 N₂ 가스를 도입함으로써 분위기를 조정하면 된다. 또한 분위기 가스의 압력은, 증기압이 높은 금속의 증발을 억제하기 위해 대기압으로 하는 것이 바람직하다. 상기와 같이 하여 얻어진 산화물 소결체는 상대 밀도가 90％ 이상이다.

상기와 같이 하여 산화물 소결체를 얻은 후, 통상법에 의해, (f) 가공→(g) 본딩을 행하면 본 발명의 스퍼터링 타깃이 얻어진다. 산화물 소결체의 가공 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지의 방법에 의해 각종 용도에 따른 형상으로 가공하면 된다.

가공한 산화물 소결체를 백킹 플레이트에 본딩재에 의해 접합함으로써 스퍼터링 타깃을 제조할 수 있다. 백킹 플레이트의 소재의 종류는 특별히 한정되지 않지만, 열전도성이 우수한 순구리 또는 구리 합금이 바람직하다. 본딩재의 종류도 특별히 한정되지 않고, 도전성을 갖는 각종 공지의 본딩재를 사용할 수 있으며, 예를 들어 In계 땜납재, Sn계 땜납재 등이 예시된다. 접합 방법도 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 산화물 소결체 및 백킹 플레이트를 본딩재가 용해시키는 온도, 예를 들어 140∼220℃ 정도로 가열하여 용해시키고, 백킹 플레이트의 본딩면에 용해된 본딩재를 도포하고, 각각의 본딩면을 접합하여 양자를 압착한 후, 냉각시키면 된다.

본 발명의 산화물 소결체를 사용하여 얻어지는 스퍼터링 타깃은, 본딩 작업시의 충격이나 열 이력 등에 의해 발생한 응력 등에 의한 깨짐이 없고, 또한 비저항도, 매우 양호한 것이며, 바람직하게는 1Ω·㎝ 이하, 보다 바람직하게는 10^- ¹Ω·㎝ 이하, 더욱 바람직하게는 10^- ²Ω·㎝ 이하이다. 본 발명의 스퍼터링 타깃을 사용하면, 스퍼터링 중에서의 이상 방전, 및 스퍼터링 타깃재의 깨짐을 한층 억제한 성막이 가능해지고, 스퍼터링 타깃을 사용한 물리 증착(스퍼터링법)을 표시 장치의 생산 라인에서 효율적으로 행할 수 있다. 또한 얻어진 산화물 반도체 박막도 양호한 TFT 특성을 나타낸다.

본원은, 2013년 11월 29일에 출원된 일본 특허 출원 제2013-247763호에 기초하는 우선권의 이익을 주장하는 것이다. 2013년 11월 29일에 출원된 일본 특허 출원 제2013-247763호의 명세서의 전체 내용이, 본원에 참고를 위해 원용된다.

실시예

이하, 실시예를 들어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은, 하기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 취지에 적합할 수 있는 범위에서 적절하게 변경을 가하여 실시하는 것도 가능하며, 그들은 모두 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.

실시예 1

(스퍼터링 타깃의 제작)

순도 99.99％의 산화인듐 분말(In₂O₃), 순도 99.99％의 산화갈륨 분말(Ga₂O₃), 순도 99.99％의 산화주석 분말(SnO₂)을 표 1에 나타내는 질량 비율 및 원자 비율로 배합하고, 물과 분산제(폴리카르본산암모늄)를 첨가하여 나일론 볼 밀로 20시간 혼합하였다. 다음으로, 상기 공정에서 얻어진 혼합 분말을 건조하여 조립을 행하였다.

이와 같이 하여 얻어진 분말을 금형 프레스에 의해 하기 조건에서 예비 성형한 후, 상압에 의해 대기 분위기하에서 500℃로 승온시키고, 상기 온도에서 5시간 유지하여 탈지하였다.

(예비 성형의 조건)

성형 압력:1.0ton/㎠

두께를 t로 하였을 때, 성형체 사이즈:φ110㎜×t13㎜

얻어진 성형체를 흑연형에 세트하고, 표 2에 나타내는 조건 A∼F에서 핫 프레스를 행하였다. 이때, 핫 프레스로 내에는 N₂ 가스를 도입하여, N₂ 분위기하에서 소결하였다.

얻어진 산화물 소결체를 기계 가공하여 φ100㎜×t5㎜로 마무리하였다. 상기 산화물 소결체와, Cu제 백킹 플레이트를 10분에 걸쳐 180℃까지 승온시킨 후, 산화물 소결체를 백킹 플레이트에 본딩재(인듐)를 사용하여 본딩하여, 스퍼터링 타깃을 제작하였다.

(상대 밀도의 측정)

상대 밀도는, 이하와 같이 하여 측정한 기공률을 감산함으로써 구하였다. 우선, 산화물 소결체의 파단면(산화물 소결체를 임의인 위치에서 두께 방향으로 절단하고, 그 절단면 표면의 임의의 위치)을 경면 연삭한 시료를 준비하였다. 다음으로, 주사형 전자 현미경(SEM)을 사용하여 1000배로 사진 촬영하고, 50㎛×50㎛의 영역에 차지하는 기공의 면적률(％)을 측정하여 기공률로 하였다. 상기 시료에 대해, 마찬가지의 조작을 합계 20개소에 대해 행하고, 그 평균을 당해 시료의 평균 기공률(％)로 하였다. 평균 상대 밀도는, [100-평균 기공률]에 의해 산출하고, 그 결과를 표 4에 「상대 밀도(％)」로서 기재하였다. 본 실시예에서는, 이와 같이 하여 얻어진 평균 상대 밀도가 90％ 이상인 것을 합격이라고 평가하였다.

(평균 결정립경)

표 4에 기재된 「평균 결정립경(㎛)」은 이하와 같이 하여 측정하였다. 우선, 산화물 소결체의 파단면(산화물 소결체를 임의인 위치에서 두께 방향으로 절단하고, 그 절단면 표면의 임의의 위치)을 경면 연삭한 시료를 준비하였다. 다음으로, 그 조직을 주사형 전자 현미경(SEM)을 사용하여 배율 400배로 사진 촬영하고, 임의의 방향에서 100㎛의 길이의 직선을 긋고, 이 직선 내에 포함되는 결정립의 수(N)를 구하고, [100/N]으로부터 산출되는 값을 당해 「직선 상에서의 결정립경」으로 하였다. 마찬가지로 조대 결정립이 중복되지 않는 간격(적어도 20㎛ 이상의 간격)으로 직선을 20개 작성하여 각 직선 상에서의 결정립경을 산출하였다. 그리고, [각 직선 상에서의 결정립경의 합계/20]으로부터 산출되는 값을 「산화물 소결체의 평균 결정립경」으로 하였다. 본 실시예에서는, 이와 같이 하여 얻어진 산화물 소결체의 평균 결정립경이 10㎛ 이하인 것을 합격이라고 평가하였다.

(조대 결정립의 비율)

표 4에 기재된 「조대 결정립의 비율(％)」은 이하와 같이 하여 측정하였다. 우선, 상기 평균 결정립경과 마찬가지로, 산화물 소결체의 파단면을 SEM 관찰하고, 임의의 방향으로 100㎛의 길이의 직선을 긋고, 이 직선 상에서 절취되는 길이가 15㎛ 이상인 결정립을 조대한 결정립으로 하였다. 이 조대한 결정립이 직선 상에 차지하는 길이 L(복수 있는 경우에는 그 총합:㎛)을 구하고, [L/100]으로부터 산출되는 값을 당해 「직선 상에서의 조대 결정립의 비율」(％)로 하였다. 마찬가지로 조대 결정립이 중복되지 않는 간격(적어도 20㎛ 이상의 간격)으로 직선을 20개 작성하여 각 직선 상에서의 조대 결정립의 비율을 산출하였다. 그리고, [각 직선 상에서의 조대 결정립의 비율의 합계/20]으로부터 산출되는 값을 「산화물 소결체의 조대 결정립의 비율」(％)로 하였다. 본 실시예에서는, 이와 같이 하여 얻어진 산화물 소결체의 조대 결정립의 비율이 10％ 이하인 것을 합격이라고 평가하였다.

(InGaO₃상의 비율)

표 4에 기재된 「InGaO₃상(％)」은 이하와 같이 하여 측정하였다. 우선, 스퍼터링하여 얻어진 스퍼터링 타깃을 백킹 플레이트로부터 제거하여 10㎜×10㎜의 시험편을 잘라내고, 이하의 X선 회절에 의해, 결정상의 회절선의 강도(회절 피크)를 측정하여 구하였다.

분석 장치:리가꾸덴끼사제 「X선 회절 장치 RINT-1500」

분석 조건:

타깃:Cu

단색화:모노크로메이터를 사용(Kα)

타깃 출력:40㎸-200㎃

(연속 소 측정)θ/2θ 주사

슬릿:발산 1/2°, 산란 1/2°, 수광 0.15㎜

모노크로메이터 수광 슬릿:0.6㎜

주사 속도:2°/min

샘플링 폭:0.02°

측정 각도(2θ):5∼90°

이와 같이 하여 얻어진 각 결정상의 회절 피크에 대해, ICDD(International Center for Diffraction Data) 카드에 기초하여 표 3에 나타내는 각 결정상의 피크를 동정(同定)하고, 회절 피크의 높이를 측정하였다. 이들 피크는, 당해 결정상에서 회절 강도가 충분히 높고, 다른 결정상의 피크와의 중복이 가능한 한 적은 피크를 선택하였다. InGaO₃의 (h k l)=(1 1 1)의 회절 피크를 확인할 수 없는 경우에는, 중복이 없는 (h k l)=(-3 1 1)의 피크를 선택하고, (피크 높이×2.2)로부터 구해지는 피크 높이를 I(InGaO₃)로 한다. 각 결정상의 지정 피크에서의 피크 높이의 측정값을 각각 I(InGaO₃), I(In₂O₃), I(SnO₂)로 하고, 하기 식에 의해 [InGaO₃]의 피크 강도 비율을 구하였다.

[InGaO₃]=I(InGaO₃)/(I(InGaO₃)＋I(In₂O₃)＋I(SnO₂))

본 실시예에서는, 이와 같이 하여 얻어진 [InGaO₃]이 0.05 이상인 것을 합격이라고 평가하였다.

(본딩시의 깨짐)

표 4에 기재된 「본딩시의 깨짐」의 유무는 이하와 같이 하여 측정하였다. 상기 기계 가공한 산화물 소결체를 가열하여, 백킹 플레이트에 본딩한 후, 산화물 소결체 표면에 깨짐이 발생하고 있지 않은지 눈으로 확인하였다. 산화물 소결체 표면에 1㎜를 초과하는 크랙이 확인된 경우를 「깨짐」이 있다고 판단하였다. 본딩 작업을 10회 행하여, 1회라도 깨짐이 있는 경우를 불합격이라고 평가하고, 표 4 내에 「있음」이라고 기재하였다. 한편, 10회 중, 1회도 깨짐이 없는 경우를 합격이라고 평가하고, 표 4 내에 「없음」이라고 기재하였다.

이들 결과를 표 4에 병기한다. 표 4의 최우측란에는 종합 평가의 란을 마련하고, 상기 평가 항목 중 모두가 합격인 것을 OK, 어느 하나가 불합격인 것에 NG를 부여하였다.

본 발명의 바람직한 조성. 및 제조 조건을 만족시키는 시료 No.1∼6의 스퍼터링 타깃은, 스퍼터링시는 물론, 본딩 작업시의 타깃에 깨짐이 발생하는 경우가 없었다. 또한, 이와 같이 하여 얻어진 스퍼터링 타깃의 상대 밀도 및 비저항도 양호한 결과가 얻어졌다.

한편, [Sn]이 높아, 본 발명의 조성을 만족시키지 않는 시료 No.7, 및 제조 조건을 만족시키지 않는 시료 No.8∼10은, 본딩시의 가열 조건을 고온 또한 장시간으로 하면, 표 4에 나타내는 바와 같이 본딩 작업시에 스퍼터링 타깃의 깨짐이 발생하였다. 따라서, 이들 예에서는, 스퍼터링 타깃에 깨짐이 발생하지 않도록 하는 본딩 조건에서 본딩하여 깨짐이 발생하지 않은 스퍼터링 타깃을 사용하여, 전술한 InGaO₃상(％)을 측정하였다.

구체적으로는, 시료 No.7은, 산화물 소결체의 조성에 대해 [Sn]의 비율이 높아 본 발명의 규정을 만족시키지 않는 표 1의 강종 d를 사용한 예이다. 그 결과, 표 4에 나타내는 바와 같이 평균 결정립경이 크고, 조대 결정립의 바람직한 비율이 높고, 또한 InGaO₃상의 피크 강도 비율도 낮았다. 이 예에서는 본딩 작업시에 산화물 소결체에 깨짐이 발생하였다.

시료 No.8은, 산화물 소결체의 조성은 본 발명의 규정을 만족시키는 표 1의 강종 a를 사용하였지만, 소결시의 유지 온도가 낮은 표 2의 제조 조건 D를 채용한 예이다. 그 결과, 표 4에 나타내는 바와 같이 상대 밀도가 낮아짐과 함께, InGaO₃상의 피크 강도 비율도 낮았다. 이 예에서는 본딩 작업시에 산화물 소결체에 깨짐이 발생하였다.

시료 No.9는, 산화물 소결체의 조성은 본 발명의 규정을 만족시키는 표 1의 강종 a를 사용하였지만, 소결 온도까지의 승온 속도가 빠르고, 또한, 소결시의 유지 온도가 높은 표 2의 제조 조건 E를 채용한 예이다. 그 결과, 표 4에 나타내는 바와 같이 평균 결정립경이 크고, 조대 결정립의 바람직한 비율이 높았다. 이 예에서는, 본딩 작업시에 산화물 소결체에 깨짐이 발생하였다.

시료 No.10은, 산화물 소결체의 조성은 본 발명의 규정을 만족시키는 표 1의 강종 a를 사용하였지만, 소결시의 유지 온도가 높은 표 2의 제조 조건 F를 채용한 예이다. 그 결과, 표 4에 나타내는 바와 같이 평균 결정립경이 크고, 조대 결정립의 바람직한 비율이 높았다. 이 예에서는, 본딩 작업시에 산화물 소결체에 깨짐이 발생하였다.

실시예 2

본 실시예에서는, 종래의 In-Ga-Zn 산화물 소결체(IGZO)에 비해, 본 발명에서 규정하는 In-Ga-Sn 산화물 소결체(IGTO)의 유용성을 실증하기 위해, 이하의 실험을 행하였다.

우선, 전술한 실시예 1의 표 4의 No.1의 타깃을 사용하여, 이하의 조건에서, 본 성막 전의 프리 스퍼터 및 본 성막인 스퍼터를 행하여, 글래스 기판 상에 산화물 반도체 박막을 성막하였다. 참고를 위해, 표 5의 No.1에, 상기 표 4의 No.1의 타깃의 조성(표 1의 성분 No.a와 동일함)을 병기한다.

스퍼터링 장치:가부시끼가이샤 알박제 「CS-200」

DC(직류) 마그네트론 스퍼터링법

기판 온도:실온

(1) 프리 스퍼터

가스압:1mTorr

산소 분압:100×O₂/(Ar＋O₂)=0체적％

성막 파워 밀도:2.5W/㎠

프리 스퍼터 시간:10분

(2) 본 성막

가스압:1mTorr

산소 분압:100×O₂/(Ar＋O₂)=4체적％

성막 파워 밀도:2.5W/㎠

막 두께:40㎚

비교를 위해, 표 5의 No.2에 기재된 IGZO 타깃을 사용하여, 상기와 동일 조건에서 산화물 반도체 박막을 성막하였다. 상기 No.2의 타깃에 있어서의 In과 Ga와 Zn의 원자비는 1:1:1이다. 상기 IGZO 타깃의 제작 방법은 이하와 같다.

(IGZO 스퍼터링 타깃의 제작)

순도 99.99％의 산화인듐 분말(In₂O₃), 순도 99.99％의 산화갈륨 분말(Ga₂O₃), 순도 99.99％의 산화아연 분말(ZnO₂)을 표 1에 나타내는 질량 비율 및 원자 비율로 배합하고, 물과 분산제(폴리카르본산암모늄)와 바인더를 첨가하여 볼 밀로 20시간 혼합하였다. 다음으로, 상기 공정에서 얻어진 혼합 분말을 건조하여 조립을 행하였다.

(예비 성형의 조건)

성형 압력:1.0ton/㎠

두께를 t로 하였을 때, 성형체 사이즈:φ110㎜×t13㎜

얻어진 성형체를 흑연형에 세트하고, 표 2에 나타내는 조건 G에서 핫 프레스를 행하였다. 이때, 핫 프레스로 내에는 N₂ 가스를 도입하여, N₂ 분위기하에서 소결하였다.

이와 같이 하여 얻어진 각 산화물 반도체 박막에 대해, 각 박막 중의 각 금속 원소의 비율(원자％)을 고주파 유도 결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma, ICP)법으로 측정하였다. 표 6에 이들의 결과를 기재한다.

표 5에 나타내는 타깃의 조성(원자％)과 표 6에 나타내는 막의 조성 원자(％)를 대비하면, 본 발명의 조성을 만족시키는 No.1의 IGTO 타깃에서는, 타깃과 막 사이의 조성 편차는 전혀 보이지 않았다.

이에 반해, 본 발명의 조성을 만족시키지 않고 Sn이 아니라 Zn을 포함하는 No.2의 IGZO 타깃에서는, 타깃과 막 사이의 조성 편차가 커졌다. 상세하게는 No.2에서는, 타깃 중의 Zn비=33.3원자％로부터, 막 중의 Zn비=26.5원자％로, 6.8 원자％나 감소하였다.

따라서, 본 발명의 타깃을 사용하면, 타깃의 조성과 조성 편차가 없는 막을 성막할 수 있는 것이 실증되었다.

또한, 상기한 각 타깃을 사용하여 각 막을 성막한 후의, 각 타깃의 표면 상태를 눈으로 관찰하여, 흑색 퇴적물의 유무를 평가하였다. 참고를 위해, 이들의 사진을 도 1에 나타낸다.

그 결과, 본 발명예의 No.1의 IGTO 타깃을 사용하였을 때는, 도 1의 좌측 도면에 나타내는 바와 같이 성막 후의 타깃 표면에 흑색의 퇴적물은 관찰되지 않은 데 반해, 종래예의 No.2의 IGZO 타깃을 사용하였을 때는, 도 1의 우측 도면에 나타내는 바와 같이 성막 후의 타깃 표면에 흑색의 퇴적물이 관찰되었다. 이와 같이 타깃의 표면에 흑색 퇴적물이 존재하면, 스퍼터 중에 타깃 표면으로부터 박리되어 파티클로 되어, 아킹을 초래할 우려가 있다. 따라서, 본 발명의 타깃을 사용하면, 조성 편차가 없는 막을 성막할 수 있을 뿐만 아니라, 스퍼터링시의 아킹을 방지할 수 있는 등, 매우 유용한 것이 실증되었다.

Claims

산화인듐과, 산화갈륨과, 산화주석을 소결하여 얻어지는 산화물 소결체이며,
상기 산화물 소결체의 상대 밀도가 90％ 이상,
상기 산화물 소결체의 평균 결정립경이 10㎛ 이하이고,
상기 산화물 소결체에 포함되는 산소를 제외하는 전체 금속 원소에 대한, 인듐, 갈륨, 주석의 함유량의 비율(원자％)을 각각, [In], [Ga], [Sn]으로 하였을 때, 하기 식 (1)∼(3)을 만족시킴과 함께,
상기 산화물 소결체를 X선 회절하였을 때, InGaO₃상은 하기 식 (4)를 만족시키는 것인 것을 특징으로 하는 산화물 소결체.
30원자％≤[In]≤50원자％…(1)
20원자％≤[Ga]≤30원자％…(2)
25원자％≤[Sn]≤45원자％…(3)
[InGaO₃]≥0.05…(4)
단, [InGaO₃]=(I(InGaO₃)/(I(InGaO₃)＋I(In₂O₃)＋I(SnO₂))
식 중, I(InGaO₃), I(In₂O₃), 및 I(SnO₂)는 각각, X선 회절에서 특정된 InGaO₃상, In₂O₃상, SnO₂상의 회절 강도의 측정값이다.
제1항에 있어서, 상기 산화물 소결체의 결정립경이 15㎛를 초과하는 조대 결정립의 비율은 10％ 이하인, 산화물 소결체.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 산화물 소결체를 X선 회절하였을 때, Ga_3-xln_5＋xSn₂O₁₆상은 포함되지 않는 것인, 산화물 소결체.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 산화물 소결체를 X선 회절하였을 때, (Ga, In)₂O₃상은 포함되지 않는 것인, 산화물 소결체.
제1항 또는 제2항에 기재된 산화물 소결체를 사용하여 얻어지는 스퍼터링 타깃이며, 비저항이 1Ω·㎝ 이하인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃.
제1항 또는 제2항에 기재된 산화물 소결체의 제조 방법이며, 산화인듐과, 산화갈륨과, 산화주석을 혼합하여, 성형형에 세트한 후, 소결 온도 850∼1250℃까지 승온시킨 후, 상기 온도 영역에서의 유지 시간 0.1∼5시간, 가압 압력 59㎫ 이하에서 소결하는 것을 특징으로 하는, 산화물 소결체의 제조 방법.
제6항에 있어서, 상기 소결 온도까지의 평균 승온 속도가 600℃/hr 이하인, 산화물 소결체의 제조 방법.