[go: up one dir, main page]

KR101574686B1 - 유기 발광장치와 이의 제조방법 - Google Patents

유기 발광장치와 이의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101574686B1
KR101574686B1 KR1020110055238A KR20110055238A KR101574686B1 KR 101574686 B1 KR101574686 B1 KR 101574686B1 KR 1020110055238 A KR1020110055238 A KR 1020110055238A KR 20110055238 A KR20110055238 A KR 20110055238A KR 101574686 B1 KR101574686 B1 KR 101574686B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
oled
glass substrate
light emitting
organic light
adhesive layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020110055238A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120136176A (ko
Inventor
신영훈
안병철
이재혁
탁윤흥
김명섭
경세웅
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020110055238A priority Critical patent/KR101574686B1/ko
Priority to US13/330,301 priority patent/US8592828B2/en
Priority to DE102011122253.0A priority patent/DE102011122253B4/de
Priority to GB1122499.5A priority patent/GB2491670B/en
Priority to CN201110461143.9A priority patent/CN102820432B/zh
Publication of KR20120136176A publication Critical patent/KR20120136176A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101574686B1 publication Critical patent/KR101574686B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8721Metallic sealing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8423Metallic sealing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/351Thickness

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 두께 및 무게를 줄임과 아울러, 제조비용을 절감시킬 수 있는 유기 발광장치와 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치는 글래스 기판 상에 형성된 OLED(Organic Light Emitting Diode); 상기 OLED를 덮도록 형성된 접착층; 상기 접착층 상에 형성되어 상기 OLED를 봉지함과 아울러, 상기 글래스 기판과 합착되는 금속 박판;을 포함하고, 상기 금속 박판은 철(Fe)과 니켈(Ni)의 합금(Fe-Ni alloy) 또는 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co)의 합금(KOVAR, Fe-Ni-Co alloy)으로 형성된 것을 특징으로 한다.

Description

유기 발광장치와 이의 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THE SAME}
본 발명은 유기 발광장치에 관한 것으로, 구체적으로 두께 및 무게를 줄임과 아울러, 제조비용을 절감시킬 수 있는 유기 발광장치와 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근에 들어 발광효율, 휘도, 시야각이 뛰어나며 응답속도가 빠른 발광 표시장치가 주목 받고 있다. 평판표시장치로서 현재까지는 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device)가 널리 이용되었지만, 액정표시장치는 별도의 광원으로 백라이트가 필요하고, 밝기, 명암비 및 시야각 등에서 기술적 한계가 있다.
최근 자체발광이 가능하여 별도의 광원이 필요하지 않고, 밝기, 명암비 및 시야각 등에서 상대적으로 우수한 유기 발광장치(Organic Light Emitting Device)에 대한 관심이 증대되고 있다.
이와 같은 유기 발광장치는 구동방식에 따라 수동 매트릭스(Passive Matrix) 방식과 능동 매트릭스(Active Matrix) 방식으로 나눌 수 있다.
수동 매트릭스 방식은 별도의 TFT(thin film transistor)를 구비하지 않으면서 매트릭스 형태로 화소가 배열된 구성으로서, 주사선의 순차적 구동에 의해 각각의 화소를 구동하기 때문에 라인이 많아질수록 더 높은 전압과 전류를 순간적으로 인가해주어야 한다. 따라서, 소비전력이 높아지게 되고 해상도 면에서도 한계가 있다.
반면에, 능동 매트릭스 방식은 매트릭스 형태로 배열된 화소 각각에 TFT가 형성된 구성으로서, TFT의 스위칭 구동과 스토리지 커패시터(Cst)의 전압 충전에 의해 각각의 화소를 구동한다.
능동 매트릭스 방식은 소비전력이 낮고 해상도 면에서도 수동 매트릭스 방식과 대비하여 이점이 있어, 고해상도 및 대면적을 요구하는 표시소자에는 능동 매트릭스 방식의 유기 발광소자가 적합하다.
이하에서는, 도면을 참조로 종래 기술에 따른 능동 매트릭스 방식의 유기 발광장치에 대해서 설명하기로 한다. 참고로, 이하 본 명세서에서는 능동 매트릭스 방식의 유기 발광장치를 간략하게 유기 발광장치로 칭하도록 한다.
도 1은 종래 기술에 따른 플릿 봉지 타입의 유기 발광장치를 나타내는 단면도이다. 도 1에서는 유기 발광장치의 전체 영역 중 발광 영역만을 도시하고 있으며, OLED(20, Organic Light Emitting Diode)를 구동하기 위한 스위칭 TFT 및 드라이빙 TFT가 형성된 TFT 어레이 영역의 도시는 생략하였다.
종래 기술에 다른 유기 발광장치는 베이스 기판인 글라스 기판(10); 스위칭 TFT 및 드라이빙 TFT의 구동에 의해 입력되는 전류에 따라 발광하는 OLED(20); OLED(20)를 습기와 같은 외부 요인으로부터 보호하기 위한 글라스 파우더(glass powder)를 포함하여 형성된 플릿(30, Frit); 및 화소를 봉지하기 위한 봉지 글라스(40);를 포함한다.
글라스 기판(10)은 플레이트 형상을 가지는 투명 유리로 이루어질 수 있으며, 칼륨석회, 소다석회 또는 석영의 물질을 재료로 이용하여 형성될 수 있다.
도면에 도시되지 않았지만, OLED(20)로부터의 광을 편광시키기 위한 편광층, 표시 패널 상부에 배치되는 커버 글라스 및 상기 커버 글라스를 합착시키기 위한 접착층을 더 포함할 수 있다.
도 2는 OLED의 발광 구조를 간략히 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, OLED(20)는 글라스 기판(10)상에 투명 전극이며 양극으로 사용되는 애노드(21, anode) 전극이 형성되어 있으며, 상기 애노드 전극(21) 상에는 정공주입층(22), 발광층(23), 전자주입층(24)이 차례로 적층되는 구조로 형성된다. 상기 전자 주입층(24) 상에는 음극으로 사용되는 캐소드(25, cathode) 전극이 형성되어 있다.
캐소드 전극(25)에서 발생된 전자 및 애노드 전극(21)에서 발생된 정공이 발광층(23) 내부로 주입되면, 주입된 전자 및 정공이 결합하여 액시톤(exciton)이 생성된다. 생성된 액시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 떨어지면서 발광을 일으킴으로써 화상을 표시하게 된다.
도 3은 종래 기술에 따른 전면 봉지 타입의 유기 발광장치를 나타내는 단면도이다.
도 3을 참조하면, 종래 기술에 따른 전면 봉지 타입의 유기 발광장치는 베이스 기판인 글라스 기판(10); 스위칭 TFT 및 드라이빙 TFT의 구동에 의해 입력되는 전류에 따라 발광하는 OLED(20); OLED(20)를 덮도록 형성된 보호층(50, passivation layer); 및 상기 보호층(50)을 덮도록 형성된 접착층(60); 및 상기 접착층(60) 상부에 형성되어 상기 OLED(20)를 봉지하는 봉지 글래스(40);를 포함한다.
보호층(50)은 습기와 같은 외부 요인으로부터 OLED(20)를 보호하기 위한 것으로, OLED(20) 덮도록 형성된다. 이러한, 보호층(50) 상에는 접착층(60)이 형성되고, 접착층(60) 상부에 봉지 글래스(40)가 형성되어 OLED(20)를 봉지한다.
접착층(60)에 의해 글라스 기판(10)을 평탄화 시키고, 봉지 글래스(40)를 부착하여 OLED(20)를 습기와 같은 외부 요인으로부터 밀봉한다.
상술한 도 1및 도 3의 구조를 가지는 종래 기술에 따른 유기 발광장치는 어레이 영역에 TFT를 형성하는 공정, 유기물을 증착하여 OLED를 제조하는 공정, 발광 영역을 봉지하는 공정을 순차적으로 수행하여 제조된다.
OLED(20)는 습기에 매우 취약한 특성을 가짐으로 외부와 밀봉되어야 한다.
도 1에 도시된 종래 기술에 따른 플릿 봉지 방식의 유기 발광장치는 글라스 파우더를 사용하여 OLED(20)를 습기와 같은 외부요인으로부터 봉지함으로 인해, 플릿(30) 및 봉지 글라스(40)를 사용하게 된다.
또한, 도 3의 도시된 종래 기술에 따른 전면 봉지 타입의 유기 발광장치는 OLED(20) 상부에 보호층(50) 및 접착층(60)을 형성하고, 봉지 글라스(40)를 형성하여 OLED(20)를 습기와 같은 외부요인으로부터 봉지한다.
따라서, OLED(20)의 상부에 봉지 글라스(40)가 형성됨으로 인해 두께가 증가되는 문제점이 있고, 봉지 글라스(40)의 적용에 따른 제조비용이 증가되는 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 글래스 기판과 동일한 열 팽창 계수를 가지는 금속 박판(metal foil)으로 OLED를 봉지하는 경우에 있어서 제조 공정 중 열에 의해 OLED 패널에 휨이 발생하는 것을 방지할 수 있는 유기 발광장치와 이의 제조방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
본 발명은 상술한 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 금속 박판으로 OLED를 봉지하여 두께 및 무게를 줄일 수 있는 유기 발광장치와 이의 제조방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
본 발명은 상술한 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 금속 박판으로 OLED를 봉지하여 제조비용을 절감시킬 수 있는 유기 발광장치와 이의 제조방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
본 발명은 상술한 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 종래 기술의 봉지 글라스를 금속 박판으로 대체함으로써 광 효율을 높여 표시품질을 높일 수 있는 유기 발광장치와 이의 제조방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
위에서 언급된 본 발명의 기술적 과제 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치는 글래스 기판 상에 형성된 OLED(Organic Light Emitting Diode); 상기 OLED를 덮도록 형성된 접착층; 상기 접착층 상에 형성되어 상기 OLED를 봉지함과 아울러, 상기 글래스 기판과 합착되는 금속 박판;을 포함하고, 상기 금속 박판은 철(Fe)과 니켈(Ni)의 합금(Fe-Ni alloy) 또는 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co)의 합금(KOVAR, Fe-Ni-Co alloy)으로 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치의 상기 금속 박판은 상기 글래스 기판과 동일한 열 팽창 계수를 가지는 합금으로 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치의 상기 금속 박판은 2.5(ppm/℃)~5.5(ppm/℃)의 열 팽창 계수를 가지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치의 상기 금속 박판은 철(Fe)에 첨가되는 니켈(Ni)의 함량이 33%~35% 또는 38.5%~41.5%의 조성비를 가지는 합금으로 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치의 제조방법은 글래스 기판 상에 OLED(Organic Light Emitting Diode) 및 상기 OLED를 구동시키기 위한 복수의 배선과 구동 소자를 형성하는 단계; 상기 OLED를 덮도록 상기 글래스 기판 상부에 열 경화성 레진 또는 열 경화성 봉지재를 도포하는 단계; 상기 글래스 기판 상에 금속 박판을 얼라인 시킨 후, 80℃~120℃의 온도로 열 경화공정을 수행하여 접착층(130)을 형성함과 아울러, 상기 글래스 기판과 상기 금속 박판을 합착시켜 상기 OLED를 밀봉하는 단계;를 포함하고, 상기 금속 박판은 철(Fe)과 니켈(Ni)의 합금(Fe-Ni alloy) 또는 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co)의 합금(KOVAR, Fe-Ni-Co alloy)으로 형성된 것을 특징으로 한다.
실시 예에 따른 본 발명은 글래스 기판과 동일한 열 팽창 계수를 가지는 금속 박판으로 OLED를 봉지하여 제조 공정 중 열에 의해 OLED 패널에 휨이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
실시 예에 따른 본 발명은 박막의 금속 박판으로 OLED를 봉지하여 유기 발광장치의 두께를 줄일 수 있다.
실시 예에 따른 본 발명은 박막의 금속 박판으로 OLED를 봉지하여 유기 발광장치의 무게를 줄일 수 있다.
실시 예에 따른 본 발명은 박막의 금속 박판으로 OLED를 봉지하여 유기 발광장치의 제조비용을 절감시킬 수 있다.
위에서 언급된 본 발명의 특징 및 효과들 이외에도 본 발명의 실시 예들을 통해 본 발명의 또 다른 특징 및 효과들이 새롭게 파악 될 수도 있을 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 플릿 봉지 타입의 유기 발광장치를 나타내는 단면도.
도 2는 유기 발광장치의 발광 구조를 간략히 나타내는 도면.
도 3은 종래 기술에 따른 전면 봉지 타입의 유기 발광장치를 나타내는 단면도.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치를 나타내는 단면도.
도 5 및 도 6은 금속 박판(metal foil)과 글래스 기판의 열 팽창 계수 차이에 따른 OLED 패널의 휨 발생을 나타내는 도면.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치에서 금속 박판의 열 팽창 계수와 금속 박판의 조성비를 나타내는 도면.
도 8 내지 도 12는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치의 제조방법을 나타내는 도면.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치와 이의 제조방법에 대하여 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예를 설명함에 있어서 어떤 구조물이 다른 구조물 '상에 또는 상부에' 및 '아래에 또는 하부에' 형성된다고 기재된 경우, 이러한 기재는 이 구조물들이 서로 접촉되어 있는 경우는 물론이고 이들 구조물들 사이에 제3의 구조물이 개재되어 있는 경우까지 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
도면에 도시되지 않았지만, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치는 게이트 라인, EM 라인, 데이터 라인, 구동 전원 라인, 기준 전원 라인, 커패시터(Cst), 복수의 스위칭 TFT 및 드라이빙 TFT를 포함할 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치를 나타내는 단면도이다. 도 4에서는 유기 발광장치의 전체 영역 중 발광 영역의 한 화소를 도시하고 있으며, OLED(120, Organic Light Emitting Diode)를 구동하기 위한 스위칭 TFT 및 드라이빙 TFT가 형성 어레이 영역의 구체적인 도시는 생략하였다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치(100)는 글라스 기판(110); OLED(120); 접착층(130, adhesive layer); 및 금속 박판(140, metal foil)을 포함한다.
글라스 기판(110)은 플레이트 형상을 가지는 투명 유리로 이루어질 수 있으며, 칼륨석회, 소다석회 또는 석영의 물질을 재료로 이용하여 형성될 수 있다. 한편, 글라스 기판(110)은 투명 재질의 플렉서블 기판이 적용될 수도 있다.
이러한, 글래스 기판(110) 상에는 OLED(120)를 구동시키기 위한 복수의 스위칭 TFT 및 드라이빙 TFT를 포함하는 TFT 레이어가 형성된다. 또한, 게이트 라인, EM 라인, 데이터 라인, 구동 전원 라인, 기준 전원 라인, 커패시터(Cst)를 더 포함할 수 있다.
OLED(120)는 글라스 기판(110)상에 투명 전극이며 양극으로 사용되는 애노드 전극, 정공주입층, 발광층, 전자주입층 및 캐소드 전극이 순차적으로 형성된 구조를 가진다.
이러한, OLED(120)는 표시 영역의 복수의 화소에 형성되며, 드라이빙 TFT(미도시)를 통해 인가되는 구동 전류에 의해 발광하여 화상을 표시하게 된다. 이때, OLED(120)에 인가되는 구동 전류는 화상을 표시하기 위해 영상 데이터에 대응되도록 생성된다.
접착층(130)은 습기와 같은 외부 요인으로부터 OLED(120)를 보호함과 아울러, OLED(120)를 봉지하는 금속 박판(140)을 접착시키기 위한 것으로 OLED(120)를 덮도록 형성된다.
접착층(130)은 광 투과율이 우수한 투명성 접착 재료인 접착 필름(adhesive film) 또는 OCA(Optical Cleared Adhesive)로 형성될 수 있다. 이러한 접착층(130)에 의해 글라스 기판(110)을 평탄화 시키고, OLED(120)를 보호한다.
접착층(130) 상부에 50um~500um의 두께를 가지는 금속 박판(140)이 접착되어 OLED(120)를 봉지한다.
유기 발광장치는 글래스 기판 상부에 TFT 어레이를 형성하는 공정, 유기물을 증착하여 OLED를 제조하는 공정, 발광 영역 즉, OLED를 봉지하는 공정을 순차적으로 수행하여 제조된다.
OLED를 봉지하는 공정에서 종래 기술에서 적용되던 봉지 글래스를 대체하여 본 발명과 같은 메탈 재료로 OLED를 봉지하는 경우, 글래스 기판과 봉지 메탈의 열 팽창 계수가 서로 달라 이에 따른 문제점이 발생될 수 있다.
구체적으로, 접착층(130) 상에 금속 박판(140)을 얼라인 시킨 후, 챔버를 통해 수분 내지 수시간 동안 일정 온도로 큐어링(curing)하여 글래스 기판(110)과 금속 박판(140)을 합착하게 된다. 이를 통해, OLED(120)를 봉지한다.
이때, 봉지재인 금속 박판(140)과 글래스 기판(110)을 합착하기 위해 접착 성질을 가지는 레진(resin)을 이용하여 접착층(130)을 형성하게 된다.
여기서, 자외선(UV) 경화 특성을 가지는 레진을 적용하고, 레진에 자외선을 조사하여 접착층(130)을 형성할 수 있는데, 금속 박판(140)은 금속이므로 자외선을 투과시키지 못한다.
따라서, 금속 박판(140)과 같이 메탈막으로 OLED(120)를 봉지하는 경우에는 자외선 경화 레진을 이용할 수 없다.
메탈막으로 OLED(120)를 봉지하는 경우에는 자외선을 이용하여 레진을 경화시킬 수 없음으로, 열 경화성 레진을 이용하여 접착층(130)을 형성하여야 한다.
이때, 열 경화 레진의 특성상 80℃~120℃의 온도에서 열 경화 공정을 수행하여 접착층(130)을 형성하고, 접착층(130)을 이용하여 글래스 기판(110)과 금속 박판(140)과 같은 메탈막을 합착시키게 된다.
글래스 기판(110)과 금속 박판(140)의 합착을 위해 열 경화 공정을 진행함에 있어 글래스 기판(110)과 메탈막인 금속 박판(140)의 열 팽창 계수를 고려해야 한다.
유기 발광장치의 제조에 사용되는 글래스 기판(110)의 열 팽창 계수는 2.5*10-6/℃(2.5ppm/℃) 내지 5.5*10-6/℃(5.5ppm/℃)이다. 한편, 일반적으로, 메탈 재료로 형성된 메탈막은 글래스 기판(110)과 열 팽창 계수가 상이하다.
여기서, 열 팽창 계수가 서로 다른 글래스 기판(110)과 메탈막에 열을 가하여 글래스 기판(110)과 메탈막을 합착시킬 경우, 열 경화 공정 중에 글래스 기판(110)과 메탈막이 서로 다르게 팽창하게 된다.
그리고, 열 경화 공정이 완료되어 글래스 기판(110)과 메탈막이 합착된 후, 냉각되면 열 경화 시 팽창된 부분이 수축하면서 OLED 패널에 휨이 발생될 수 있다. 이는 상이한 열 팽창 계수로 인해 글래스 기판(110)과 메탈막이 수축되는 정도가 서로 다르기 때문이다.
도 5 및 도 6은 금속 박판(metal foil)과 글래스 기판의 열 팽창 계수 차이에 따른 OLED 패널의 휨 발생을 나타내는 도면이다.
도 5를 참조하면, 금속 박판(140)의 열 팽창 계수가 글래스 기판(110)보다 작은 경우 OLED 패널은 Z축 방향으로 볼록하게 휨이 발생하게 된다.
도 6을 참조하면, 금속 박판(140)의 열 팽창 계수가 글래스 기판(110)보다 작은 경우 OLED 패널은 Z축 방향으로 오목하게 휨이 발생하게 된다.
이와 같이, OLED(120)의 봉지를 위해 열 경화 공정을 진행함에 있어서 금속막과 글래스 기판(110)의 열팽창 계수의 차이에 의해 경화 후, 냉각되면서 OLED 패널은 자연적으로 휨이 발생하게 된다.
OLED 패널에 휨이 발생되면 모듈화 작업이 불가능하게 되고, TFT 어레이의 불량 및 OLED(120)의 봉지도 원활이 이루어지지 못하는 문제점이 있다. 이러한 문제점은 화상의 왜곡을 일으키므로 유기 발광장치의 치명적인 불량을 야기시킨다.
본 발명이 실시 예에 따른 유기 발광장치는 OLED(120)의 봉지를 위한 열 경화 공정의 적용 시, 메탈막과 글래스 기판(110) 간의 열 팽창 계수가 상이함으로 인해 OLED 패널에 휨이 발생되는 것을 방지하기 위해 열 팽창 계수가 조절된 금속 박판(140)을 적용한다.
여기서, 금속 박판(140)은 열 팽창 계수가 낮은 철(Fe)과 니켈(Ni)의 합금을 재료로 이용한다.
본 발명에서는 금속 박판(140)을 유기 발광장치의 봉지재로 적용하기 위해 글래스 기판(110)과 동일 또는 유사한 열 팽창 계수를 가지는 합금으로 금속 박판(140)을 형성한다.
열팽창 계수가 낮은 금속은 철(Fe)에 니켈(Ni)이 포함된 인바(INVAR, Fe-36Ni), Fe-42Ni 합금(Alloy), 코발(KOVAR, Fe-Ni-Co)등이 있다.
일 예로서, 철(Fe) 64%, 니켈(Ni) 36%의 조성비를 가지는 인바(INVAR, Fe-36Ni) 합금을 이용하여 금속 박판(140)을 형성하면, 금속 박판(140)의 열 팽창 계수를 조절할 수 있다.
다른 예로서, 철(Fe) 58%, 니켈(Ni) 42%이 조성비를 가지는 합금(alloy)을 이용하여 금속 박판(140)을 형성하면, 금속 박판(140)의 열 팽창 계수를 조절할 수 있다.
또 다른 예로서, 철(Fe)과 니켈(Ni) 이외에 코발트(Co)가 일부 참가된 코발(KOVAR, Fe-Ni-Co) 합금을 이용하여 금속 박판(140)을 형성하면, 금속 박판(140)의 열 팽창 계수를 조절할 수 있다.
인바(INVAR)의 경우 20℃~100℃ 온도 영역에서 0.7×10-6/K (0.7ppm/℃)의 열 팽창 계수를 가진다.
코발트를 포함시킨 코발(KOVAR) Fe-33Ni-4.5Co는 20℃~100℃ 온도 영역에서 0.55ppm/℃의 열 팽창 계수를 가진다.
철(Fe)에 참가되는 니켈의 함량을 42%(42Ni Alloy)로 하면, 20℃~100℃ 온도 영역에서 5.3ppm/℃의 열 팽창 계수를 가진다. 5.3ppm/℃의 열 팽창 계수는 실리콘(Si)의 열 팽창계수와 동일하다. 따라서, Fe-42Ni 합금(Alloy)은 집적 회로를 포함한 많은 전자 부품에서 납(Lead)을 대체하는 재료로서 사용할 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치에서 금속 박판의 열 팽창 계수와 금속 박판의 조성비를 나타내는 도면이다.
도 7을 참조하면, 철(Fe)과 니켈(Ni)의 조성 비율을 조절하여 금속 박판(140)의 열 팽창 계수를 글래스 기판(110)이 열 팽창 계수와 동일 또는 유사하게 형성시킬 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 글래스 기판(110)의 열 팽창 계수는 2.5*10-6/℃(2.5ppm/℃) 내지 5.5*10-6/℃(5.5ppm/℃)이므로, 금속 박판(140)이 2.5(ppm/℃)~5.5(ppm/℃)의 열 팽창 계수를 가지면 열 경화 공정으로 인해 OLED 패널에 휨이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명에서는 철(Fe)에 첨가되는 니켈(Ni)의 함량이 33%~35% 또는 38.5%~41.5%의 조성비를 가지는 합금으로 50um~500um의 두께를 가지는 금속 박판(140)을 형성한다.
이와 같이, 철(Fe)에 첨가되는 니켈(Ni)의 함량이 33%~35% 또는 38.5%~41.5%인 합금으로 금속 박판(140)을 형성하면, 글래스 기판(110)과 동일 또는 유사하게 2.5(ppm/℃)~5.5(ppm/℃)의 열 팽창 계수를 가지게 된다.
철(Fe)에 니켈(Ni) 35%이상 첨가되면 이 부근에서 열 팽창 계수가 급격히 낮아져 2.5(ppm/℃)이하의 열 팽창 계수를 가지게 됨을 알 수 있다. 그리고, 니켈(Ni)의 함량이 36%를 벗어나면 열 팽창 계수가 다시 상승하고, 38.5%이상 이상이 되면 2.5(ppm/℃)~5.5(ppm/℃)의 열 팽창 계수를 가지게 됨을 알 수 있다.
또한, 니켈(Ni)의 함량이 41.5%를 초과하면 열 팽창 계수가 상승하여, 금속 박판의 열 팽창 계수가 5.5(ppm/℃)를 초과함을 알 수 있다.
한편, 니켈(Ni)의 함량이 35%~38.5%인 경우에는 열 팽창 계수는 2.5(ppm/℃) 미만으로 낮지만, 글래스 기판(110)의 열 팽창 계수인 2.5(ppm/℃)~5.5(ppm/℃)의 범위를 벗어나게 된다.
따라서, 본 발명에서는 금속 박판(140)이 글래스 기판(110)과 동일 또는 유사한 열 팽창 계수를 가지도록, 철(Fe)에 첨가되는 니켈(Ni)의 함량이 33%~35% 또는 38.5%~41.5%의 조성비를 가지도록 한다. 이를 통해, 금속 박판(140)이 2.5(ppm/℃)~5.5(ppm/℃)의 열 팽창 계수를 가지도록 한다.
본 발명에서는 전면 봉지구조를 적용한 유기전계 발광 디스플레이의 봉지재인 무알칼리 글래스를 대체하여 금속 박판을 적용할 경우 나타나는 패널 휨 현상을 개선하기 위해 철(Fe)에 첨가되는 니켈(Ni)의 합금의 조성비를 33%~35% 또는 38.5%~41.5%로 설계하였다.
이를 통해, 글래스 기판(110)과 금속 박판(140)의 열 팽창 계수를 맞춤으로써, 금속막을 적용하여 OLED(120)의 봉지를 위한 열 경화 공정으로 인해 OLED 패널에 휨이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
이러한, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치는 고가의 봉지 글래스를 금속 박판(140)로 대체하여 제조비용을 점감시킴과 아울러, 유기 발광장치의 두께 및 무게를 줄일 수 있다.
또한, 금속 박판(140)은 광을 반사시키는 금속물질로 형성되므로, OLED(120)에서 발생된 광을 글래스 기판(110) 방향으로 반사시켜 유기 발광장치의 광 효율을 높일 수도 있다.
도면에 도시되지 않았지만, 글래스 기판(110)의 배면에 접착 물질을 도포한 후, 전면에 커버 글라스를 부착시킬 수도 있다. 상기 커버 글라스는 표시 패널이 외부로부터의 물리적 충격뿐만 아니라 긁힘이나, 압력 및 고온으로부터 보호될 수 있도록 강화 글라스가 적용될 수 있다.
도 8 내지 도 12는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치의 제조방법을 나타내는 도면이다. 이하, 도 8 내지 도 12를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치의 제조방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 8에 도시된 바와 같이, 글래스 기판(110) 상에 복수의 스위칭 TFT 및 드라이빙 TFT를 포함하는 TFT 어레이를 형성한다.
이어서, 도 9에 도시된 바와 같이, 글라스 기판(110) 상의 발광 영역에 OLED(120)를 형성한다. 도면에 도시되지 않았지만, 상기 OLED(120)를 형성함과 아울러, 어레이 영역에는 게이트 라인, EM 라인, 데이터 라인, 구동 전원 라인, 기준 전원 라인 및 커패시터(Cst)가 형성된다.
이어서, 도 10에 도시된 바와 같이, 글라스 기판(110) 상에서 OLED(120)를 덮도록 열 경화 레진 또는 열 경화 봉지재를 도포한다.
이어서, 도 11에 도시된 바와 같이, 열 경화 레진 또는 열 경화 봉지재가 도포된 글래스 기판(110)을 챔버 내부에 입고시킨 후, 80℃~120℃의 온도로 수분 내지 수시간 동안 레진을 큐어링(curing)하여 접착층(130)을 형성한다.
접착층(130)은 광 투과율이 우수한 투명성 접착 재료인 접착 필름(adhesive film) 또는 OCA(Optical Cleared Adhesive)로 형성될 수도 있다. 이러한 접착층(130)에 의해 글라스 기판(110)을 평탄화 시키고, OLED(120)를 보호한다.
도 12에 도시된 바와 같이, 금속 박판(140)을 접착층(130) 상부에 얼라인 시켜, 열 경화 레진 또는 열 경화 봉지재의 열 경화 공정을 통해 글래스 기판(110)과 금속 박판(140)을 합착 시킨다.
여기서, 금속 박판(140)은 철(Fe)과 니켈(Ni)의 합금을 이용하여 50um~500um의 두께를 가지도록 형성된다.
이를 통해, 금속 박판(140)의 합착을 통해 습기와 같은 외부 요인으로부터 OLED(120)가 보호되도록 OLED(120)를 봉지한다. 또한, 레진 또는 봉지재를 이용하여 접착층(130)을 형성함으로, OLED(120)는 접착층(130) 및 금속 박판(140)에 의해 이중으로 봉지된다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치의 제조방법은 글래스 기판(110)의 전면에 금속 박판(140)을 합착하여 OLED(120)를 봉지함에 있어, 글래스 기판(110)과 금속 박판(140)의 열 팽창 계수를 고려하였다.
유기 발광장치의 제조에 사용되는 글래스 기판(110)의 열 팽창 계수는 2.5*10-6/℃(2.5ppm/℃) 내지 5.5*10-6/℃(5.5ppm/℃)이다. 따라서, 금속 박판(140)의 열 팽창 계수가 글래스 기판(110)과 상이한 경우, 접착층(130)의 형성 및 합착을 위한 열 경화 공정을 수행함으로 인해 OLED 패널에 휨이 발생될 수 있다.
본 발명에서는 금속 박판(140)의 주요 조성물질은 철(Fe)과 니켈(Ni)의 조성 비율을 조절하여 열 팽창 계수를 글래스 기판(110)이 열 팽창 계수와 동일 또는 유사하게 형성시킬 수 있다.
금속 박판(140)이 2.5(ppm/℃)~5.5(ppm/℃)의 열 팽창 계수를 가지면 열 경화 공정으로 인해 OLED 패널에 휨이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치의 제조방법은 철(Fe)에 첨가되는 니켈(Ni)의 함량을 33%~35% 또는 38.5%~41.5%로 형성한 합금으로 50um~500um의 두께를 가지는 금속 박판(140)을 형성한다.
이와 같이, 철(Fe)에 첨가되는 니켈(Ni)의 함량이 33%~35% 또는 38.5%~41.5%의 조성비를 가지는 합금으로 금속 박판(140)을 형성하면, 글래스 기판(110)과 동일 또는 유사하게 2.5(ppm/℃)~5.5(ppm/℃)의 열 팽창 계수를 가지게 된다.
본 발명에서는 전면 봉지구조를 적용한 유기전계 발광 디스플레이의 봉지재인 무알칼리 글래스를 대체하여 금속 박판을 적용할 경우 나타나는 패널 휨 현상을 해결하기 위해 철(Fe)에 첨가되는 니켈(Ni)의 조성비를 33%~35% 또는 38.5%~41.5%로 설계하였다.
상술한 제조공정을 포함하는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치의 제조방법은 글래스 기판(110)과 금속 박판(140)의 열 팽창 계수를 맞춤으로써, OLED(120) 봉지를 위한 열 경화 공정으로 인해 OLED 패널에 휨이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치의 제조방법은 종래 기술에서 적용되던 봉지 글라스를 박막의 금속 박판(140)으로 대체하여 유기 발광장치의 두께 및 무게를 줄일 수 있다.
이러한, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광장치는 고가의 봉지 글래스를 저렴한 금속 박판(140)로 대체하여 제조비용을 점감시킬 수 있다.
또한, 금속 박판(140)은 광을 반사시키는 금속물질로 형성되므로, OLED(120)에서 발생된 광을 글래스 기판(110) 방향으로 반사시켜 유기 발광장치의 광 효율을 높일 수도 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당 업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100: 유기 발광장치 110: 글래스 기판
120: OLED 130: 접착층
140: 금속 박판(metal foil)

Claims (15)

  1. 글래스 기판 상에 형성된 OLED(Organic Light Emitting Diode);
    상기 OLED를 덮도록 형성된 접착층;
    상기 접착층 상에 형성되어 상기 OLED를 봉지함과 아울러, 상기 글래스 기판과 합착되는 금속 박판;을 포함하고,
    상기 금속 박판은 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co)의 합금(KOVAR, Fe-Ni-Co alloy)으로 형성되고, 철-니켈-코발트(Fe-Ni-Co) 합금에 구성된 니켈의 함량이 33%~35% 또는 38.5%~41.5%이고, 코발트의 함량이 4.5%이며,
    상기 글래스 기판 및 상기 금속 박판이 2.5(ppm/℃)~5.5(ppm/℃)의 열 팽창 계수를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 박판은 50um~500um의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 접착층은 접착 필름(adhesive film), OCA(Optical Cleared Adhesive), 열 경화성 레진 또는 열 경화성 봉지재로 형성되어 상기 OLED를 밀봉시키는 것을 특징으로 하는 유기 발광장치.
  7. 글래스 기판 상에 OLED(Organic Light Emitting Diode) 및 상기 OLED를 구동시키기 위한 복수의 배선과 구동 소자를 형성하는 단계;
    상기 OLED를 덮도록 상기 글래스 기판 상부에 열 경화성 레진 또는 열 경화성 봉지재를 도포하는 단계;
    상기 글래스 기판 상에 금속 박판을 얼라인 시킨 후, 80℃~120℃의 온도로 열 경화공정을 수행하여 접착층(130)을 형성함과 아울러, 상기 글래스 기판과 금속 박판을 합착시켜 상기 OLED를 밀봉하는 단계;를 포함하고,
    상기 금속 박판은 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co)의 합금(KOVAR, Fe-Ni-Co alloy)으로 형성되고, 철-니켈-코발트(Fe-Ni-Co) 합금에 구성된 니켈의 함량이 33%~35% 또는 38.5%~41.5%이고, 코발트의 함량이 4.5%이며,
    상기 글래스 기판 및 상기 금속 박판이 2.5(ppm/℃)~5.5(ppm/℃)의 열 팽창 계수를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광장치의 제조방법.
  8. 삭제
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 금속 박판은 50um~500um의 두께를 가지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광장치의 제조방법.
  10. 글래스 기판 상에 형성된 OLED(Organic Light Emitting Diode);
    상기 OLED를 덮도록 형성된 접착층;
    상기 접착층 상에 형성되어 상기 OLED를 봉지함과 아울러, 상기 글래스 기판과 합착되는 금속 박판;을 포함하고,
    상기 금속 박판은 철(Fe), 니켈(Ni)의 합금으로 형성되고, 철-니켈 합금에 구성된 니켈(Ni)의 함량이 33%~35% 또는 38.5%~41.5%이고,
    상기 글래스 기판 및 상기 금속 박판이 2.5(ppm/℃)~5.5(ppm/℃)의 열 팽창 계수를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 금속 박판은 50um~500um의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 접착층은 접착 필름(adhesive film), OCA(Optical Cleared Adhesive), 열 경화성 레진 또는 열 경화성 봉지재로 형성되어 상기 OLED를 밀봉시키는 것을 특징으로 하는 유기 발광장치.
  13. 글래스 기판 상에 OLED(Organic Light Emitting Diode) 및 상기 OLED를 구동시키기 위한 복수의 배선과 구동 소자를 형성하는 단계;
    상기 OLED를 덮도록 상기 글래스 기판 상부에 열 경화성 레진 또는 열 경화성 봉지재를 도포하는 단계;
    상기 글래스 기판 상에 금속 박판을 얼라인 시킨 후, 80℃~120℃의 온도로 열 경화공정을 수행하여 접착층(130)을 형성함과 아울러, 상기 글래스 기판과 금속 박판을 합착시켜 상기 OLED를 밀봉하는 단계;를 포함하고,
    상기 금속 박판은 철(Fe)과 니켈(Ni)의 합금으로 형성되고, 상기 합금에 구성된 니켈(Ni)의 함량이 33%~35% 또는 38.5%~41.5%이고,
    상기 글래스 기판 및 상기 금속 박판이 2.5(ppm/℃)~5.5(ppm/℃)의 열 팽창 계수를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광장치의 제조방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 금속 박판은 50um~500um의 두께를 가지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광장치의 제조방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 접착층은 접착 필름(adhesive film), OCA(Optical Cleared Adhesive), 열 경화성 레진 또는 열 경화성 봉지재로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광장치의 제조방법.
KR1020110055238A 2011-06-08 2011-06-08 유기 발광장치와 이의 제조방법 Active KR101574686B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110055238A KR101574686B1 (ko) 2011-06-08 2011-06-08 유기 발광장치와 이의 제조방법
US13/330,301 US8592828B2 (en) 2011-06-08 2011-12-19 Organic light emitting device and method for manufacturing the same
DE102011122253.0A DE102011122253B4 (de) 2011-06-08 2011-12-23 Organisches lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
GB1122499.5A GB2491670B (en) 2011-06-08 2011-12-29 Organic light emitting device and method for manufacturing the same
CN201110461143.9A CN102820432B (zh) 2011-06-08 2011-12-29 有机发光器件及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110055238A KR101574686B1 (ko) 2011-06-08 2011-06-08 유기 발광장치와 이의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120136176A KR20120136176A (ko) 2012-12-18
KR101574686B1 true KR101574686B1 (ko) 2015-12-07

Family

ID=45695120

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110055238A Active KR101574686B1 (ko) 2011-06-08 2011-06-08 유기 발광장치와 이의 제조방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8592828B2 (ko)
KR (1) KR101574686B1 (ko)
CN (1) CN102820432B (ko)
DE (1) DE102011122253B4 (ko)
GB (1) GB2491670B (ko)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9205505B2 (en) * 2010-07-22 2015-12-08 Ferro Corporation Hermetically sealed electronic device using solder bonding
KR101772661B1 (ko) * 2010-11-29 2017-09-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102022886B1 (ko) * 2012-12-28 2019-09-19 엘지디스플레이 주식회사 유기발광장치
CN103199199B (zh) * 2013-03-05 2016-06-01 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件封装薄膜、制备方法以及oled器件、封装方法
US9599852B1 (en) * 2013-08-05 2017-03-21 Lensvector, Inc. Manufacturing of liquid crystal lenses using carrier substrate
KR102288238B1 (ko) 2013-09-03 2021-08-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
CN103779511B (zh) * 2014-01-26 2016-01-20 江苏天楹之光光电科技有限公司 一种oled封装的制造方法
CN104538557A (zh) * 2014-12-23 2015-04-22 深圳市华星光电技术有限公司 柔性oled显示器件及其制造方法
CN104658990B (zh) * 2015-03-02 2017-05-17 京东方科技集团股份有限公司 一种封装件及其制备方法
CN106711356B (zh) * 2016-12-23 2018-02-13 晶泰科(贵州)光电科技有限公司 一种降低oled器件水、氧渗透率的方法
KR102316563B1 (ko) * 2017-05-22 2021-10-25 엘지디스플레이 주식회사 금속으로 형성된 상부 기판을 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN107492600B (zh) * 2017-08-11 2019-11-19 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示面板的制造方法和显示装置
CN109686854B (zh) * 2017-10-19 2024-07-02 京东方科技集团股份有限公司 封装结构及封装方法、电子装置及封装薄膜回收方法
KR20190115213A (ko) 2018-04-02 2019-10-11 장연 Oled용 봉지재 및 그 제조방법
US20210226157A1 (en) * 2018-06-05 2021-07-22 Lg Chem, Ltd. Encapsulation film
CN109065593B (zh) * 2018-08-14 2020-09-04 京东方科技集团股份有限公司 Oled发光模组及其制作方法
JP7195685B2 (ja) * 2018-09-03 2022-12-26 エルジー・ケム・リミテッド 封止フィルム
CN113725381A (zh) * 2021-08-05 2021-11-30 广东志慧芯屏科技有限公司 一种显示模组及制备方法
CN115064071B (zh) * 2022-06-21 2023-07-18 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种承载装置及显示结构的减薄方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006128022A (ja) * 2004-11-01 2006-05-18 Seiko Epson Corp 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器
JP2007287557A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機半導体デバイス、これを用いた光ヘッドおよび画像形成装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1210739A2 (de) * 1999-09-09 2002-06-05 Siemens Aktiengesellschaft Organische lichtemittierende diode und herstellungsverfahren
US20060278965A1 (en) 2005-06-10 2006-12-14 Foust Donald F Hermetically sealed package and methods of making the same
CN101128074A (zh) * 2007-09-20 2008-02-20 清华大学 一种有机电致发光器件及其制备方法
KR101267534B1 (ko) * 2009-10-30 2013-05-23 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자의 제조방법
KR101176118B1 (ko) 2009-11-19 2012-08-22 용비에이티(주) 가상 전망 엘리베이터
KR101097326B1 (ko) 2010-02-02 2011-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 디스플레이 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치
KR101127595B1 (ko) 2010-05-04 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
CN201820801U (zh) * 2010-10-10 2011-05-04 四川虹视显示技术有限公司 Oled器件封装结构

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006128022A (ja) * 2004-11-01 2006-05-18 Seiko Epson Corp 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器
JP2007287557A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機半導体デバイス、これを用いた光ヘッドおよび画像形成装置

Also Published As

Publication number Publication date
GB201122499D0 (en) 2012-02-08
US20120313137A1 (en) 2012-12-13
CN102820432A (zh) 2012-12-12
DE102011122253B4 (de) 2021-01-21
GB2491670A (en) 2012-12-12
DE102011122253A1 (de) 2012-12-13
CN102820432B (zh) 2015-08-26
GB2491670B (en) 2013-09-18
KR20120136176A (ko) 2012-12-18
US8592828B2 (en) 2013-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101574686B1 (ko) 유기 발광장치와 이의 제조방법
US9741961B2 (en) Organic light emitting display device and method for manufacturing the same
US9541807B2 (en) Flexible display device
US8664649B2 (en) Organic light-emitting diode display and manufacturing method thereof
EP2278639B1 (en) Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
US8569749B2 (en) Organic light emitting diode display having getter and method of manufacturing the same
US8784150B2 (en) Light emitting display and method of manufacturing the same
EP2182565B1 (en) Light emitting display and method of manufacturing the same
US9860942B2 (en) Organic light emitting diode display device
US9246127B2 (en) Organic light emitting diode display
WO2011004567A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
TWI619244B (zh) 有機發光二極體顯示器
CN107623085A (zh) Oled面板的封装方法及封装结构
US20140097418A1 (en) Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
KR102130547B1 (ko) 가요성 기판 및 이를 포함하는 가요성 표시 장치
KR100759665B1 (ko) 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
KR102037871B1 (ko) 유기발광다이오드 표시장치
JPWO2006088185A1 (ja) El表示装置およびその製造方法
CN101359723A (zh) 一种有机发光显示器的制备方法
KR101772661B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR101174873B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 제조하는 방법
KR102094143B1 (ko) 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법
JP2011034915A (ja) 有機el表示装置
KR100846981B1 (ko) 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
KR20040054938A (ko) 유기 전계발광 소자의 봉지용 캡 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20110608

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20130430

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20110608

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20140618

Patent event code: PE09021S01D

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20150226

Patent event code: PE09021S01D

PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20150831

PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20151130

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20151130

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181015

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20181015

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191015

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20191015

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20201019

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20211101

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20221017

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20231016

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20241015

Start annual number: 10

End annual number: 10