KR101570899B1 - Method for manufacturing device having hole injection/transport layer - Google Patents
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Abstract
본 발명은 에너지 조사에 의해 습윤성이 변화됨과 함께, 프로세스 내성이 높고, 우수한 정공 주입 수송성을 갖고, 용액 도포법에 의해 정공 주입 수송층을 형성 가능한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료 및 당해 디바이스 재료를 사용한 정공 주입 수송층용 잉크를 제공한다. 또한, 정공 주입 수송층 위에 적층되는 층을 패터닝 가능하고, 장수명을 달성 가능한 디바이스 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 정공 주입 수송층용 디바이스 재료는, 유기 전이 금속 착체의 반응 생성물인 유기-전이 금속 산화물 복합체에 불소 함유 유기 화합물이 부착되어 있는 것을 특징으로 한다. 또한, 당해 디바이스 재료를 사용한 정공 주입 수송층용 잉크, 디바이스 및 그 제조 방법을 제공한다.The present invention relates to a device material for a hole injecting and transporting layer capable of forming a hole injecting and transporting layer by a solution coating method, which has a high process resistance and excellent hole injecting and transporting ability by being changed in wettability by energy irradiation, Thereby providing an ink for the transport layer. A device capable of patterning a layer stacked on a hole injection and transport layer and achieving a long life can be provided, and a method of manufacturing the device. The device material for a hole injection transport layer of the present invention is characterized in that a fluorine-containing organic compound is attached to an organic-transition metal oxide complex which is a reaction product of an organic transition metal complex. Also provided is an ink, a device, and a manufacturing method thereof for a hole injection transport layer using the device material.
Description
본 발명은, 에너지 조사에 의해 습윤성이 변화됨과 함께 정공 주입 수송성을 갖는 정공 주입 수송층용 디바이스 재료, 및 당해 디바이스 재료를 사용한 정공 주입 수송층 형성용 잉크, 정공 주입 수송층을 갖는 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a device material for a hole injecting and transporting layer having a hole injecting and transporting ability which is changed in wettability by energy irradiation, a device having a hole injecting and transporting layer forming ink using the device material, a device having a hole injecting and transporting layer, will be.
정공 주입 수송층을 갖는 디바이스로서는, 유기 일렉트로 루미네센스 소자(이하, 유기 EL 소자라고 함), 유기 트랜지스터, 유기 태양 전지, 유기 반도체 등의 유기 디바이스, 그 이외에 양자 도트 발광 소자, 산화물계 화합물 태양 전지 등, 광범위한 기본 소자 및 용도로의 전개가 기대되고 있다.As a device having a hole injection and transport layer, organic devices such as organic electroluminescence devices (hereinafter referred to as organic EL devices), organic transistors, organic solar cells, and organic semiconductors, quantum dot light emitting devices, Etc., are expected to be developed in a wide range of basic devices and applications.
예를 들어, 유기 EL 소자는, 발광층에 도달한 전자와 정공이 재결합할 때에 발생하는 발광을 이용한 전하 주입형의 자체발광 디바이스이다. 유기 EL 소자의 소자 구조는, 현재에는 높은 발광 효율과 장구동 수명을 얻기 위해 전자 주입층/전자 수송층/발광층/정공 수송층/정공 주입층으로 이루어지는 5층 구조 등, 다양한 다층 구조가 제안되어 있다.For example, the organic EL element is a charge injecting type self-luminescent device using light emitted when electrons reaching the luminescent layer are recombined with holes. As the element structure of the organic EL element, various multi-layer structures such as a five-layer structure including an electron injection layer / electron transport layer / light emitting layer / hole transport layer / hole injection layer to obtain high light emitting efficiency and long drive life have been proposed.
이들 전자 주입층, 전자 수송층, 정공 수송층, 정공 주입층 등의 발광층 이외의 층에는 전하를 발광층에 주입ㆍ수송하기 쉽게 하는 효과, 또는 블록함으로써 전자 전류와 정공 전류의 밸런스를 유지하는 효과나, 광 에너지 여기자의 확산을 억제하는 등의 효과가 있다고 알려져 있다.The effect of facilitating the injection and transport of charges into the light-emitting layer or the effect of blocking the electron current and the hole current by maintaining the balance between the electron current and the hole current can be provided to the layers other than the light-emitting layer such as the electron injecting layer, the electron transporting layer, the hole transporting layer, It is known that there is an effect of suppressing the diffusion of energy excitons.
전하 수송 능력 및 전하 주입 능력의 향상을 목적으로서, 산화성 화합물을 정공 수송성 재료에 혼합하여 전기 전도도를 높이는 것이 시도되고 있다.For the purpose of improving the charge transporting ability and the charge injecting ability, it has been attempted to increase the electric conductivity by mixing an oxidizing compound with a hole transporting material.
특허문헌 1 내지 4에 있어서는 산화성 화합물, 즉 전자 수용성 화합물로서 화합물 반도체인 금속 산화물이 사용되고 있다. 예를 들어 오산화바나듐이나 삼산화몰리브덴 등의 금속 산화물을 사용하여 증착법으로 박막을 형성하거나, 또는 몰리브덴 산화물과 아민계의 저분자 화합물과의 공증착에 의해 혼합막을 형성하고 있다.In
비특허문헌 1에 있어서는, 오산화바나듐의 도막 형성의 시도를 위해 산화성 화합물, 즉 전자 수용성 화합물로서 옥소 바나듐(V)트리-i-프로폭시드 옥시드를 용해시킨 용액을 사용하고, 그것과 정공 수송성 고분자와의 혼합 도막의 형성 후에 수증기 중에서 가수분해시켜 바나듐산화물로 하여 전하 이동 착체를 형성시키는 제작 방법이 거론되고 있다. 그러나, 비특허문헌 1에서는, 가수분해-중축합 반응에 의해 고화시키기 때문에 바나듐이 응집되기 쉽고, 막질 제어가 곤란하고, 양호한 막이 얻어지지 않는다. 또한, 옥소 바나듐(V)트리-i-프로폭시드 옥시드만으로는 도막이 되지 않아 정공 수송성 고분자와 혼합하고 있기 때문에, 비특허문헌 1의 도막은 유기 성분 농도가 필연적으로 높고, 소자 수명의 유효 성분으로 생각되는 바나듐의 농도가 불충분해진다. 이와 같이 비특허문헌 1에서는, 수명 특성이나 소자 특성에 더욱 개선이 필요하였다.In the
특허문헌 5에 있어서는, 삼산화몰리브덴의 도막 형성의 시도를 위해 삼산화몰리브덴을 물리적으로 분쇄하여 제작한 미립자를 용액에 분산시켜서 슬러리를 제작하고, 그것을 도공하여 정공 주입층을 형성하는 것이 기재되어 있다.In
그러나, 특허문헌 1 내지 5 및 비특허문헌 1에 개시된 바와 같은 산화성 재료를 정공 수송성 재료에 사용하여도 장수명 소자의 실현은 곤란하거나, 더욱 수명을 향상시킬 필요가 있었다. 특허문헌 1 내지 4에 개시되어 있는 금속 산화물에서는 어느 정도 정공 주입 특성은 향상되지만, 인접하는 유기 화합물층과의 계면의 밀착성이 불충분해져, 수명 특성에 악영향을 미치고 있는 것으로 생각된다.However, even when an oxidative material as disclosed in
특허문헌 5에는 평균 입경 20nm의 산화몰리브덴 미립자를 용매에 분산시킨 슬러리를 사용하여, 스크린 인쇄법에 의해 전하 주입층을 제작한 취지의 기술이 있다. 그러나, 특허문헌 5와 같이 MoO3 분말을 분쇄하는 방법이면, 예를 들어 10nm 정도의 정공 주입층을 형성하는 요구에 대하여 10nm 이하의 스케일로 입경이 정렬된 미립자를 제작하는 것은 실제로 매우 곤란하다. 또한, 분쇄되어 제작되는 산화몰리브덴 미립자는, 응집시키지 않고 용액 중에 안정적으로 분산시키는 것이 매우 곤란하다. 미립자의 용액화가 불안정하면 도포막 제작시에 요철이 크고 평활성이 악화된 막만 형성할 수 있어, 디바이스 단락의 원인이 된다. 증착법으로만 박막 형성할 수 있으면, 발광층을 잉크젯법 등의 용액 도포법으로 구분 도포하여 형성하여도, 결국 용액 도포법의 이점을 살릴 수 없다는 문제가 있다. 즉, 친액성이 되는 몰리브덴 산화물에 의해 각 발광층간의 격벽(뱅크)의 발액성을 손상시키지 않기 위해, 무기 화합물의 몰리브덴 산화물을 함유하는 정공 주입층 또는 정공 수송층을 고정밀 마스크를 사용하여 증착할 필요가 있으며, 결국 비용이나 수율의 관점에서 용액 도포법의 이점을 살릴 수 없었다. 또한, 무기 화합물인 몰리브덴 산화물은 산소 결손형의 산화물 반도체이며, 전기 전도성은 산화수+6의 MoO3보다도 산화수 +5의 Mo2O5가 상온에서 양도체이지만 대기 중에서는 불안정하기 때문에, 용이하게 열 증착할 수 있는 화합물은 MoO3 또는 MoO2 등의 안정된 가수를 갖는 산화 화합물로 한정된다.
성막성이나 박막의 안정성은 소자의 수명 특성과 크게 관계된다. 일반적으로 유기 EL 소자의 수명이란, 일정 전류 구동 등으로 연속 구동시켰을 때의 휘도 반감 시간을 말하며, 휘도 반감 시간이 긴 소자일수록 장구동 수명이다.The film forming property and the stability of the thin film are largely related to the lifetime characteristics of the device. In general, the lifetime of the organic EL element refers to the half-life of brightness when continuously driven by constant current drive or the like, and the longer the half-life of the element with a longer half-life of brightness.
한편, EL 소자 등을 사용한 디스플레이의 제조에 있어서는, 일반적으로 발광층 등의 패터닝이 이루어져 있다. 발광층 등의 패터닝 방법으로서는, 재료를 섀도우 마스크를 개재하여 증착하는 방법, 잉크젯에 의한 구분 도포 방법, 발광 색소를 전사하는 방법, 플렉소 인쇄법, 그라비아 인쇄법 등의 다양한 패터닝 방법이 제안되어 있다. 잉크젯에 의한 구분 도포 방법에서는, 고정밀의 미세 패턴을 얻기 위해 격벽(뱅크)을 형성하여, 격벽 표면을 불소 가스 등의 플라즈마 처리에 의해 발잉크 처리하는 것(예를 들어, 특허문헌 6 참조)이나 발액성 재료를 사용하여 격벽을 형성하는 것(예를 들어, 특허문헌 7 참조)이 제안되어 있다. 또한, 발광층의 패터닝 방법으로서, 고정밀의 패턴 형성을 가능하게 하는 광촉매를 사용하는 방법 (예를 들어, 특허문헌 8)이나, 진공 자외광을 사용하는 방법(예를 들어, 특허문헌 9)도 제안되어 있다.On the other hand, in the manufacture of a display using an EL element or the like, patterning of a light emitting layer or the like is generally performed. As a patterning method of a light emitting layer and the like, various patterning methods such as a method of depositing a material through a shadow mask, a dividing method by an ink jet, a method of transferring a luminous color, a flexo printing method, and a gravure printing method have been proposed. In the partitioning application method using an ink jet, partition walls (banks) are formed to obtain high-precision fine patterns, and the surface of the partition walls is subjected to ink treatment by plasma treatment such as fluorine gas (see, for example, Patent Document 6) (See, for example, Patent Document 7) using a liquid-repellent material has been proposed. As a method of patterning the light emitting layer, there are proposed a method (for example, Patent Document 8) using a photocatalyst capable of forming a pattern with high precision and a method using vacuum ultraviolet light (for example, Patent Document 9) .
상기와 같은 격벽 표면을 불소 가스 등의 플라즈마 처리에 의해 발잉크 처리하는 방법에 따르면, 당해 발잉크 처리의 내열성이 낮아, 그 후의 프로세스에 문제가 발생한다. 예를 들어, 발잉크 처리 후 격벽의 개구부에 층을 형성할 때에 가해지는 비교적 고온(예를 들어 200℃)의 가열에 의해, 격벽부에 도입된 불소가 탈리되어 격벽부가 친잉크화되고, 층을 더 적층할 수 없어 디바이스의 특성이 낮아진다는 문제가 있었다. 또한, 발액성 재료를 사용하여 격벽을 형성하는 경우에 있어서도, 많은 발액성 재료는 비교적 고온의 가열에 의해 불소가 탈리되기 쉽고, 내성이 없기 때문에 상기와 동일한 문제가 있었다. 또한, 이러한 격벽에 있어서는, 격벽의 정상부는 발잉크성이지만 측면을 친잉크성으로 할 수는 없었다.According to the method of treating the surface of the partition wall by the plasma treatment such as the fluorine gas or the like, the heat resistance of the ink treatment is low and problems arise in subsequent processes. For example, by heating at relatively high temperatures (for example, 200 占 폚) applied at the time of forming a layer in the opening of the barrier rib after the step of ink-repelling treatment, the fluorine introduced into the barrier ribs is removed, The characteristics of the device are lowered. Further, even when the barrier ribs are formed using a lyophobic material, many of the lyophobic materials are susceptible to fluorine desorption by heating at relatively high temperatures, and have the same problems as those described above. Further, in such a partition, the top of the partition is ink-repellent, but the side can not be ink-philic.
또한, 상기한 광촉매를 사용하는 방법 및 진공 자외광을 사용하는 방법에서는, 에너지 조사에 동반되는 광촉매의 작용이 미친 부분 또는 진공 자외광이 조사된 부분에서 액체의 접촉각이 저하되도록 습윤성이 변화되는 것을 이용하고 있다. 즉, 에너지 조사에 동반되는 광촉매의 작용이 미친 부분 또는 진공 자외광이 조사된 부분이 친액성 영역이 되고, 에너지 조사에 동반되는 광촉매의 작용이 미치지 못한 부분 또는 진공 자외광이 조사되지 않는 부분이 발액성 영역이 되는 것을 이용하고 있다. 그로 인해, 에너지 조사에 동반되는 광촉매의 작용이 미친 부분 또는 진공 자외광이 조사된 부분 위에 발광층 등이 형성되게 된다. 그러나, 습윤성이 변화되는 층이 정공 수송성 등을 갖는 경우에는, 에너지 조사에 동반되는 광촉매의 작용이 미친 부분 또는 진공 자외광이 조사된 부분에서 재료가 열화되고, 정공 수송성 등이 손상된다는 문제가 있었다.Further, in the method using the photocatalyst and the method using vacuum ultraviolet light, the wettability is changed so that the contact angle of the liquid is lowered at the portion irradiated with the action of the photocatalyst or irradiated with the vacuum ultraviolet light . That is, the portion where the action of the photocatalyst accompanies the energy irradiation or the portion irradiated with the vacuum ultraviolet light becomes the lyophilic region, and the portion where the action of the photocatalyst accompanying the energy irradiation is insufficient or the portion where the ultraviolet- And a liquid-repellent region is used. As a result, the light emitting layer or the like is formed on the portion where the action of the photocatalyst accompanies the energy irradiation or the portion irradiated with the vacuum ultraviolet light. However, when the layer in which the wettability is changed has hole transportability, there is a problem that the material is deteriorated in the portion where the action of the photocatalyst accompanies the energy irradiation or the portion irradiated with the vacuum ultraviolet light, and the hole transportability is damaged .
상기한 광촉매를 사용하는 방법 및 진공 자외광을 사용하는 방법은, 에너지의 조사만으로 습윤성의 차이에 따른 패턴을 형성할 수 있기 때문에, 발광층 등의 패터닝에 필요로 되는 수고를 대폭 생략할 수 있다는 점에서 유용한 방법이다. 그러나, 종래 상기한 광촉매를 사용하는 방법 및 진공 자외광을 사용하는 방법에 적용하여도, 자외광 등의 에너지 조사에 대한 내성이 높고 정공 주입 수송성이 손상되지 않는 재료이며, 가열 프로세스시에 친액성 및 발액성의 패터닝성이 손상되지 않는 재료는 존재하지 않았다.The method using the above-described photocatalyst and the method using vacuum ultraviolet light can form a pattern corresponding to the difference in wettability only by energy irradiation, so that labor required for patterning of a light emitting layer or the like can be largely omitted . However, even when applied to a method using a conventional photocatalyst and a method using vacuum ultraviolet light, it is a material which has high resistance to energy irradiation of ultraviolet light and does not impair hole injection transportability, And a material that does not deteriorate the lyophobic property of patterning was not present.
동시에, 용액 도포법에 의해 정공 주입 수송층을 형성 가능하고, 제조 프로세스가 용이하면서, 정공 주입 수송성이 우수하고, 디바이스의 장수명을 달성 가능한 정공 주입 수송 재료가 요망되고 있었다.At the same time, there has been a demand for a hole injecting and transporting material capable of forming a hole injecting and transporting layer by a solution coating method, facilitating the production process, having excellent hole injecting and transporting ability, and achieving a long life of the device.
본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 에너지 조사에 의해 습윤성이 변화됨과 함께, 프로세스 내성이 높고, 우수한 정공 주입 수송성을 갖고, 용액 도포법에 의해 정공 주입 수송층을 형성 가능한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료 및 당해 디바이스 재료를 사용한 정공 주입 수송층용 잉크를 제공하는 것을 목적으로 한다.DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems and provides a device for a hole injection and transport layer capable of forming a hole injection and transport layer by a solution coating method with high wettability by energy irradiation and high process resistance, And an ink for a hole injection and transport layer using the device material.
또한, 본 발명의 다른 목적은, 상기 정공 주입 수송층용 디바이스 재료를 사용하여 친액성 영역 및 발액성 영역으로 이루어지는 패턴을 형성함으로써, 정공 주입 수송층 위에 적층되는 층을 패터닝 가능하고, 장수명을 달성 가능한 디바이스 및 그 제조 방법을 제공하는 것에 있다.Another object of the present invention is to provide a device capable of patterning a layer stacked on a hole injection and transport layer by forming a pattern composed of a lyophilic area and a lyophobic area by using the device material for a hole injection and transport layer, And a manufacturing method thereof.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토한 결과, 표면에 불소 함유 유기 화합물이 부착되어 있는 유기 전이 금속 착체의 반응 생성물인 유기-전이 금속 산화물 복합체가 광촉매 작용이나 진공 자외광 조사에 의해 습윤성이 변화 가능할 뿐만 아니라, 프로세스 내성이 높고, 용액 도포법에 의해 층을 형성할 수 있어 제조 프로세스가 용이하면서, 정공 주입 특성을 향상시키고, 인접하는 전극이나 유기층과의 밀착성도 우수한 안정성이 높은 막이 된다는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.Means for Solving the Problems As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have found that an organic-transition metal oxide complex, which is a reaction product of an organic transition metal complex having a fluorine-containing organic compound adhered on its surface, But also the process resistance is high and the layer can be formed by the solution coating method, so that the manufacturing process is easy and the hole injection property is improved and the adhesion with the adjacent electrode or the organic layer is also excellent and the film has high stability The present invention has been accomplished on the basis of these findings.
즉, 본 발명의 정공 주입 수송층용 디바이스 재료는, 유기 전이 금속 착체의 반응 생성물인 유기-전이 금속 산화물 복합체의 표면에 불소 함유 유기 화합물이 부착되어 있는 것을 특징으로 한다.That is, the device material for a hole injection and transport layer of the present invention is characterized in that a fluorine-containing organic compound is attached to the surface of an organic-transition metal oxide composite which is a reaction product of an organic transition metal complex.
본 발명의 정공 주입 수송층용 디바이스 재료에 있어서는, 상기 유기-전이 금속 산화물 복합체에 포함되는 전이 금속 산화물 중의 전이 금속으로서, 몰리브덴, 텅스텐 및 바나듐으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속을 포함하는 것이 구동 전압의 저하나 소자 수명을 향상시키는 점에서 바람직하다.In the device material for a hole injection transport layer of the present invention, it is preferable that at least one kind of metal selected from the group consisting of molybdenum, tungsten and vanadium is contained as a transition metal in the transition metal oxide contained in the organic-transition metal oxide composite This is preferable in that the drive voltage is reduced or the device life is improved.
본 발명의 정공 주입 수송층용 디바이스 재료에 있어서는, 상기 유기-전이 금속 산화물 복합체는, 상기 유기 전이 금속 착체와 유기 용매와의 반응 생성물인 것이 구동 전압의 저하나 소자 수명을 향상시키는 점에서 바람직하다.In the device material for a positive hole injection transport layer of the present invention, the organic-transition metal oxide composite is preferably a reaction product of the organic transition metal complex and an organic solvent in that the drive voltage is reduced or the device life is improved.
본 발명의 정공 주입 수송층용 디바이스 재료에 있어서는, 상기 유기-전이 금속 산화물 복합체는, 전이 금속은 동일하며 산화수는 상이한 전이 금속 산화물이 2종 이상 포함되는 것이 구동 전압의 저하나 소자 수명을 향상시키는 점에서 바람직하다.In the device material for a hole injection and transport layer of the present invention, it is preferable that the organic-transition metal oxide composite includes two or more kinds of transition metal oxides having the same transition metal and different oxidation number, .
본 발명의 정공 주입 수송층용 디바이스 재료에 있어서는, 상기 불소 함유 유기 화합물이 불소화 알킬기를 함유하는 것이 에너지 조사에 의한 습윤성의 변화가 양호하고, 우수한 패터닝이 얻어진다는 점에서 바람직하다.In the device material for a hole injection and transport layer of the present invention, it is preferable that the fluorine-containing organic compound contains a fluorinated alkyl group from the viewpoint of good wettability change by energy irradiation and excellent patterning.
본 발명의 정공 주입 수송층 형성용 잉크는, 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료와, 유기 용매를 함유하는 것을 특징으로 한다. 당해 잉크는, 유기 전이 금속 착체와, 전이 금속 및/또는 전이 금속 산화물과 연결하는 작용을 발생하는 연결기를 포함하는 불소 함유 유기 화합물을 카르보닐기 및/또는 수산기를 갖는 유기 용매에 용해 내지 분산시키고, 상기 유기 전이 금속 착체 중의 전이 금속을 산화하여 제조된 것인 것이 바람직하다.The ink for forming a hole injection transport layer of the present invention is characterized by containing a device material for a hole injection transport layer according to the present invention and an organic solvent. The ink is produced by dissolving or dispersing a fluorine-containing organic compound containing an organic transition metal complex and a linking group generating an action of linking with a transition metal and / or a transition metal oxide in an organic solvent having a carbonyl group and / or a hydroxyl group, It is preferable to be one produced by oxidizing the transition metal in the organic transition metal complex.
또한, 본 발명의 정공 주입 수송층 형성용 잉크는, 유기 전이 금속 착체의 반응 생성물인 유기-전이 금속 산화물 복합체와, 전이 금속 및/또는 전이 금속 산화물과 연결하는 작용을 발생하는 연결기를 포함하는 불소 함유 유기 화합물과, 유기 용매를 함유하는 것이어도 좋다.The ink for forming a positive hole injection transport layer of the present invention is a mixture of an organic-transition metal oxide complex which is a reaction product of an organic transition metal complex and a fluorine-containing compound containing a linking group which generates an action of linking with a transition metal and / An organic compound, and an organic solvent.
또한, 본 발명의 정공 주입 수송층 형성용 잉크는, 유기 전이 금속 착체와, 전이 금속 및/또는 전이 금속 산화물과 연결하는 작용을 발생하는 연결기를 포함하는 불소 함유 유기 화합물과, 카르보닐기 및/또는 수산기를 갖는 유기 용매를 함유하는 것이어도 좋다.The ink for forming a positive hole injection transport layer of the present invention preferably contains an organic transition metal complex, a fluorine-containing organic compound containing a linking group which generates an action of linking with a transition metal and / or a transition metal oxide, and a carbonyl group and / Containing organic solvent.
본 발명에 관한 디바이스의 제조 방법의 제1 실시 형태는, 기판 위에 대향하는 2개 이상의 전극과, 그 중 2개의 전극간에 배치된 정공 주입 수송층을 갖는 디바이스의 제조 방법이며, A first embodiment of a manufacturing method of a device according to the present invention is a manufacturing method of a device having two or more electrodes opposing to a substrate and a hole injection transport layer disposed between two of the electrodes,
패턴 형상으로 제1 전극층이 형성된 기판 위에, 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료를 함유하는 정공 주입 수송층을 형성하는 정공 주입 수송층 형성 공정과, A hole injecting and transporting layer forming step of forming a hole injecting and transporting layer containing a device material for a hole injecting and transporting layer according to the present invention on a substrate having a first electrode layer formed in a pattern shape,
기체(基體) 위에 적어도 광촉매를 함유하는 광촉매 함유층이 형성되어 있는 광촉매 함유층 기판을, 상기 정공 주입 수송층에 대하여 에너지 조사에 동반되는 광촉매의 작용이 미칠 수 있는 간극을 두고 배치한 후, 패턴 형상으로 에너지 조사함으로써, 상기 정공 주입 수송층 표면에 습윤성이 변화된 습윤성 변화 패턴을 형성하는 습윤성 변화 패턴 형성 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.A photocatalyst-containing layer substrate on which a photocatalyst-containing layer containing at least a photocatalyst is formed on a substrate is placed on the hole injecting and transporting layer with a gap that can act as a photocatalyst accompanied by energy irradiation, And a wettability change pattern forming step of forming a wettability change pattern whose wettability is changed on the surface of the hole injection transport layer by irradiation.
또한, 본 발명에 관한 디바이스의 제조 방법의 제2 실시 형태는, 기판 위에 대향하는 2개 이상의 전극과, 그 중 2개의 전극간에 배치된 정공 주입 수송층을 갖는 디바이스의 제조 방법이며, A second embodiment of a manufacturing method of a device according to the present invention is a manufacturing method of a device having two or more electrodes opposing to a substrate and a hole injection transport layer disposed between two of the electrodes,
패턴 형상으로 전극층이 형성된 기판 위에, 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료를 함유하는 정공 주입 수송층을 형성하는 정공 주입 수송층 형성 공정과, A hole injecting and transporting layer forming step of forming a hole injecting and transporting layer containing a device material for a hole injecting and transporting layer according to the present invention on a substrate having an electrode layer formed in a pattern shape;
패턴 형상으로 진공 자외선을 조사함으로써, 상기 정공 주입 수송층 표면에 습윤성이 변화된 습윤성 변화 패턴을 형성하는 습윤성 변화 패턴 형성 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.And a wettability change pattern forming step of forming a wettability change pattern whose wettability is changed on the surface of the hole injection transport layer by irradiating vacuum ultraviolet rays in a pattern shape.
본 발명의 디바이스 및 그 제조 방법에 따르면, 정공 주입 수송층이 발액성의 불소 함유 유기 화합물이 부착되어 있는 재료를 함유하기 때문에, 광촉매의 작용 또는 진공 자외선의 조사에 의해 이 불소 함유 유기 화합물이 분해 제거됨으로써, 에너지의 조사 부분과 미조사 부분에서 습윤성에 큰 차를 발생시킬 수 있다. 습윤성이 변화될 수 있는 정공 주입 수송층에 광촉매 함유층을 개재하여 에너지를 조사 또는 진공 자외선을 조사함으로써, 습윤성 변화 패턴을 형성하고, 이 습윤성 변화 패턴의 습윤성의 차이를 이용함으로써 용이하게 당해 정공 주입 수송층 위에 패턴 형상의 층을 적층할 수 있다.According to the device and the manufacturing method of the present invention, since the hole injecting and transporting layer contains a material having a lyophobic fluorine-containing organic compound adhered thereto, the fluorine-containing organic compound is decomposed and removed by the action of a photocatalyst or irradiation of vacuum ultraviolet rays , It is possible to generate a large difference in wettability between the irradiated portion of the energy and the unirradiated portion of the energy. A wettability change pattern is formed by irradiating energy or irradiating vacuum ultraviolet rays through a photocatalyst-containing layer to a hole injection transport layer whose wettability can be changed, and by using the wettability difference of the wettability change pattern, A patterned layer can be laminated.
본 발명의 디바이스 및 그 제조 방법에 따르면, 정공 주입 수송층에 함유되는 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료 중에 포함되는 유기-전이 금속 산화물 복합체가 습윤성 변화 패턴 형성 공정에 사용되는 자외광에 내성을 갖기 때문에, 우수한 정공 주입 수송성이 습윤성 변화 패턴 형성 공정을 거쳐도 열화되지 않고, 손상되지 않는다는 장점을 갖는다. 또한, 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료는, 비교적 고온(예를 들어 200℃)의 가열에도 내성이 있기 때문에, 가열 프로세스시에 습윤성 변화 패턴이 손상되지 않고, 정공 주입 수송층 위에 몇 층이나 패턴 형상으로 적층하는 공정이 가능하다. 또한, 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료는, 내열성이나 내광성이 높아 열화되기 어렵기 때문에, 본 발명의 제조 방법으로 제조된 디바이스의 수명도 향상된다.According to the device and the manufacturing method of the present invention, the organic-transition metal oxide complex contained in the hole injection transport layer-related device material of the present invention contained in the hole injection transport layer is resistant to ultraviolet light used in the wettability- It has an advantage that excellent hole injection transportability is not deteriorated even through the wettability change pattern forming step and is not damaged. Further, since the device material for a hole injection and transport layer according to the present invention is resistant to heating at a relatively high temperature (for example, 200 DEG C), the wettability change pattern is not damaged during the heating process, Or in the form of a pattern. Further, since the device material for the hole injection transport layer according to the present invention has high heat resistance and light resistance and is not easily deteriorated, the lifetime of the device manufactured by the manufacturing method of the present invention is also improved.
본 발명의 디바이스의 제조 방법에 있어서는, 상기 정공 주입 수송층 형성 공정에서 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층 형성용 잉크를 도포하는 공정을 갖는 것이 제조 프로세스가 용이하고, 정공 주입 수송성이 양호하다는 점에서 바람직하다. 또한, 상기 정공 주입 수송층 형성 공정에 있어서, 산소 존재하에 가열 또는 광조사하는 공정을 갖는 것이 정공 주입 수송성이 양호해진다는 점에서 바람직하다.In the manufacturing method of the device of the present invention, it is preferable to have the step of applying the ink for forming the positive hole injection transport layer according to the present invention in the step of forming the positive hole injection transport layer, since the manufacturing process is easy and the hole injection transportability is good Do. In the step of forming the positive hole injection transport layer, it is preferable that the step of heating or light irradiation in the presence of oxygen is preferable in that hole injection transportability is improved.
본 발명의 디바이스의 제조 방법의 제1 실시 형태에 있어서는, 상기 정공 주입 수송층 형성 공정 전에, 상기 패턴 형상으로 제1 전극층이 형성된 기판 위의 상기 제1 전극층의 패턴간에 절연층이나 격벽 등의 구획부를 형성하는 구획부 형성 공정을 갖고 있어도 좋다.In the first embodiment of the manufacturing method of the device of the present invention, before the hole injection transporting layer forming step, a partitioning portion such as an insulating layer or a partition wall is formed between the patterns of the first electrode layer on the substrate on which the first electrode layer is formed in the pattern shape Or may have a partition forming step for forming a partition.
또한, 본 발명의 디바이스의 제조 방법의 제1 실시 형태에 있어서는, 상기 제1 전극층이 형성된 기판이 투광성 기판이며, 상기 구획부가 습윤성 변화 패턴 형성 공정에서 조사되는 에너지선을 반사 또는 흡수하는 구획부이며, 상기 습윤성 변화 패턴 형성 공정에 있어서, 상기 투광성 기판측으로부터 상기 에너지 조사함으로써, 상기 정공 주입 수송층 표면에 습윤성이 변화된 습윤성 변화 패턴을 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 경우에는, 조사되는 에너지선을 반사 또는 흡수하는 구획부가 마스크와 동일한 기능을 행하며, 별도로 마스크를 준비하지 않아도 정공 주입 수송층에 패턴 형상으로 에너지 조사를 행하는 것이 가능하다. 본 발명의 정공 주입 수송층에 사용되는 정공 주입 수송층용 디바이스 재료는 투과율이 높고 UV 조사에서도 소자 특성이 열화되기 어렵기 때문에, 이러한 정공 주입 수송층의 배면으로부터의 에너지 조사도 가능해진다.In the first embodiment of the manufacturing method of the device of the present invention, the substrate on which the first electrode layer is formed is a light-transmitting substrate, and the partitioning portion is a partitioning portion for reflecting or absorbing the energy ray irradiated in the wettability- , It is preferable that in the wettability change pattern forming step, the wettability change pattern in which the wettability is changed on the surface of the hole injection transport layer is formed by irradiating the energy from the side of the transparent substrate. In this case, the partitioning part for reflecting or absorbing the energy ray to be irradiated performs the same function as the mask, and it is possible to irradiate the hole injection transporting layer with energy in a pattern form without preparing a mask separately. Since the device material for the hole injection and transport layer used in the hole injection transport layer of the present invention has high transmittance and the device characteristics are not easily deteriorated even under UV irradiation, energy irradiation from the back surface of the hole injection transport layer becomes possible.
본 발명의 디바이스의 제조 방법의 제1 실시 형태에 있어서는, 상기 습윤성 변화 패턴 형성 공정에 있어서 패턴 형상으로 에너지 조사하는 방법이 마스크를 사용하여 에너지 조사하는 방법이어도 좋고, 자외 레이저를 패턴 형상으로 스캔하여 에너지 조사하는 방법이어도 좋다.In the first embodiment of the manufacturing method of the device of the present invention, the method of energy irradiation in a pattern shape in the wettability change pattern forming step may be a method of energy irradiation using a mask, It may be a method of energy irradiation.
본 발명의 디바이스의 제1 실시 형태는, 기판 위에 대향하는 2개 이상의 전극과, 그 중 2개의 전극간에 배치된 정공 주입 수송층을 갖는 디바이스이며, A first embodiment of the device of the present invention is a device having two or more electrodes opposing to a substrate and a hole injection transport layer disposed between two of the electrodes,
상기 정공 주입 수송층이 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료를 함유하고, 상기 정공 주입 수송층의 표층부의 상기 정공 주입 수송층용 디바이스 재료의 불소 함유 유기 화합물이 분해 제거되어 있는 것을 특징으로 한다.Wherein the hole injection and transport layer contains the device material for a hole injection transport layer according to the present invention and the fluorine containing organic compound of the device material for the hole injection transport layer in the surface layer portion of the hole injection transport layer is decomposed and removed.
또한, 본 발명의 디바이스의 제2 실시 형태는, 기판 위에 대향하는 2개 이상의 전극과, 그 중 2개의 전극간에 배치된 정공 주입 수송층을 갖는 디바이스이며, A second embodiment of the device of the present invention is a device having two or more electrodes opposing a substrate and a hole injection transport layer disposed between two of the electrodes,
패턴 형상으로 제1 전극층이 형성된 기판 위의 상기 제1 전극층의 패턴간에 구획부를 갖고, 상기 구획부의 개구부 내의 상기 제1 전극층 위 및 상기 구획부 위에 연속된 정공 주입 수송층을 갖고, And a hole injection and transport layer which has a partition between patterns of the first electrode layer on the substrate on which the first electrode layer is formed in a pattern shape and which is continuous over the first electrode layer and the partition in the opening of the partition,
상기 구획부의 개구부 내의 상기 제1 전극층 위 및 상기 구획부의 측부 위의 정공 주입 수송층에 있어서는, 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료 중 적어도 일부의 불소 함유 유기 화합물이 분해 제거되어 있고, 상기 절연층의 정상부 위의 정공 주입 수송층은 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료를 함유하고 있는 것을 특징으로 한다.At least a part of the fluorine-containing organic compound in the device material for a hole injection transport layer according to the present invention is decomposed and removed in the hole injection and transport layer on the first electrode layer and the side of the partition in the opening of the partition, And the hole injection transport layer on the top of the layer contains the device material for the hole injection transport layer according to the present invention.
본 발명의 디바이스는, 정공 주입 수송층이 적어도 일부의 불소 함유 유기 화합물이 분해 제거된 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료를 함유하기 때문에, 제조 프로세스가 용이하면서 정공 주입 수송성이 우수하고, 장수명을 달성 가능하다. 본 발명의 디바이스는, 상기 본 발명에 관한 디바이스의 제조 방법에 의해 얻을 수 있는 것이다.Since the device of the present invention contains the device material for a hole injection transport layer according to the present invention in which at least a part of the fluorine-containing organic compound is decomposed and removed, the hole injection and transport layer is excellent in the production process and is excellent in hole injection transportability, . The device of the present invention can be obtained by the above-described method of manufacturing a device according to the present invention.
본 발명의 디바이스는, 적어도 발광층을 포함하는 유기층을 함유하는 유기 EL 소자로서 적절하게 사용된다.The device of the present invention is suitably used as an organic EL element containing at least an organic layer including a light emitting layer.
본 발명에 따르면, 에너지 조사에 의해 습윤성이 변화됨과 함께, 프로세스 내성이 높고, 우수한 정공 주입 수송성을 갖고, 용액 도포법에 의해 정공 주입 수송층을 형성 가능한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료 및 당해 디바이스 재료를 사용한 정공 주입 수송층용 잉크를 제공하는 것이 가능하다.According to the present invention, there is provided a device material for a hole injection and transport layer capable of forming a hole injecting and transporting layer by a solution coating method, which has wettability changed by energy irradiation, has high process resistance, It is possible to provide an ink for a hole injection transport layer.
본 발명에 관한 디바이스의 제조 방법에 따르면, 제조 프로세스가 용이하면서 정공 주입 수송층의 양호한 습윤성 변화 패턴을 이용할 수 있으며, 우수한 정공 주입 수송층을 얻을 수 있기 때문에, 장수명을 달성 가능한 디바이스를 제공하는 것이 가능하다.According to the manufacturing method of a device according to the present invention, it is possible to provide a device capable of achieving a long lifetime since a manufacturing process is easy and a good wettability change pattern of the hole injection transport layer can be used and a good hole injection transport layer can be obtained .
본 발명에 관한 디바이스는, 제조 프로세스가 용이하면서 정공 주입 수송성이 우수하고, 장수명을 달성 가능하다.The device according to the present invention is easy to manufacture and has excellent hole injecting and transporting ability and can achieve a long life.
도 1의 (A) 내지 (C)는, 본 발명의 디바이스의 제조 방법의 일례를 도시하는 공정도이다.
도 2의 (A) 내지 (C)는, 본 발명의 디바이스의 제조 방법의 다른 예를 도시하는 공정도이다.
도 3의 (A) 내지 (C)는, 본 발명의 디바이스의 제조 방법의 다른 예를 도시하는 공정도이다.
도 4의 (A) 내지 (C)는, 본 발명의 디바이스의 제조 방법의 다른 예를 도시하는 공정도이다.
도 5는, 본 발명에 관한 디바이스의 일부의 디바이스용 기판의 예를 도시하는 개략 단면도이다.
도 6의 (A) 및 (B)는, 본 발명에 사용되는 광촉매 함유층 기판의 예를 도시하는 개략 단면도이다.
도 7의 (A) 및 (B)는, 본 발명에 관한 디바이스의 일부의 디바이스용 기판의 예를 도시하는 개략 단면도이다.
도 8은, 본 발명의 디바이스의 일례를 도시하는 개략 단면도이다.
도 9는, 본 발명의 디바이스의 다른 예를 도시하는 개략 단면도이다.
도 10은, 본 발명의 유기 EL 소자의 일례를 도시하는 개략 단면도이다.
도 11은, 본 발명의 유기 EL 소자에 있어서 습윤성 변화의 실험을 도시하는 개략 단면도이다.
도 12의 (A) 및 (B)는, 본 발명에 사용되는 절연층과 격벽이 형성된 ITO 기판의 일례이며, 도 12의 (A)는 일부 확대 개략 단면도를 도시하고, 도 12의 (B)는 일부 확대 개략 평면도를 도시한다.
도 13은, 합성예 1에서 얻어진 불소 함유 유기 화합물 F-1의 1H NMR 스펙트럼이다.
도 14는, 합성예 2에서 얻어진 불소 함유 유기 화합물 F-2의 1H NMR 스펙트럼이다.
도 15는, 합성예 3에서 얻어진 불소 함유 유기 화합물 F-3의 1H NMR 스펙트럼이다.
도 16은, 합성예 4에서 얻어진 불소 함유 유기 화합물 F-4의 1H NMR 스펙트럼이다.1 (A) to 1 (C) are process drawings showing an example of a manufacturing method of a device of the present invention.
2 (A) to 2 (C) are process drawings showing another example of a manufacturing method of a device of the present invention.
3 (A) to 3 (C) are process drawings showing another example of a manufacturing method of a device of the present invention.
4 (A) to 4 (C) are process drawings showing another example of the manufacturing method of the device of the present invention.
5 is a schematic cross-sectional view showing an example of a substrate for a part of a device according to the present invention.
6A and 6B are schematic cross-sectional views showing an example of a photocatalyst-containing layered substrate used in the present invention.
7A and 7B are schematic cross-sectional views showing examples of a substrate for a part of a device according to the present invention.
8 is a schematic cross-sectional view showing an example of the device of the present invention.
9 is a schematic cross-sectional view showing another example of the device of the present invention.
10 is a schematic cross-sectional view showing an example of the organic EL device of the present invention.
11 is a schematic cross-sectional view showing an experiment of the wettability change in the organic EL device of the present invention.
12A and 12B show an example of an ITO substrate having an insulating layer and barrier ribs used in the present invention. FIG. 12A shows a partially enlarged schematic sectional view, FIG. Shows a partially enlarged schematic plan view.
13 is a 1 H NMR spectrum of the fluorine-containing organic compound F-1 obtained in Synthesis Example 1. Fig.
14 is a 1 H NMR spectrum of the fluorine-containing organic compound F-2 obtained in Synthesis Example 2. Fig.
15 is a 1 H NMR spectrum of the fluorine-containing organic compound F-3 obtained in Synthesis Example 3. Fig.
16 is a 1 H NMR spectrum of the fluorine-containing organic compound F-4 obtained in Synthesis Example 4. Fig.
I. 정공 주입 수송층용 디바이스 재료I. Device material for hole injection transport layer
본 발명의 정공 주입 수송층용 디바이스 재료는, 유기 전이 금속 착체의 반응 생성물인 유기-전이 금속 산화물 복합체에 불소 함유 유기 화합물이 부착되어 있는 것을 특징으로 한다.The device material for a hole injection transport layer of the present invention is characterized in that a fluorine-containing organic compound is attached to an organic-transition metal oxide complex which is a reaction product of an organic transition metal complex.
본 발명의 정공 주입 수송층용 디바이스 재료는, 표면에 불소 함유 유기 화합물이 부착되어 있는 유기-전이 금속 산화물 복합체이기 때문에, 에너지 조사에 동반되는 광촉매의 작용이나 진공 자외광의 조사 등에 의해 표면에 부착되어 있는 불소 함유 유기 화합물을 분해하여 제거 가능함으로써, 발액성으로부터 친액성으로 습윤성이 변화되는 재료이다. 본 발명의 정공 주입 수송층용 디바이스 재료를 사용하면, 에너지 조사에 동반되는 광촉매의 작용이 미친 부분 또는 진공 자외광이 조사된 부분이 친액성 영역이 되고, 에너지 조사에 동반되는 광촉매의 작용이 미치지 못한 부분 또는 진공 자외광이 조사되지 않는 부분이 발액성 영역이 된다. 본 발명의 정공 주입 수송층용 디바이스 재료는, 에너지 조사에 동반되는 광촉매의 작용이나 진공 자외광의 조사 등에 의해, 표면에 부착되어 있는 불소 함유 유기 화합물은 분해 제거되지만, 유기 전이 금속 착체의 반응 생성물인 유기-전이 금속 산화물 복합체 자체는 자외광이나 비교적 고온의 가열에도 내성이 있기 때문에, 당해 유기-전이 금속 산화물 복합체가 갖는 우수한 정공 주입 수송성이 에너지 조사, 광촉매의 작용시 및 가열시 등의 프로세스시에 손상되지 않는다는 장점이 있다. 또한, 본 발명의 정공 주입 수송층용 디바이스 재료는, 불소를 분해하는 광촉매 처리 등의 처리를 거침으로써 산화되어 이온화 포텐셜이 커지고, 정공 주입성이 향상된다는 장점이 있다.The device material for a hole injection and transport layer of the present invention is an organic-transition metal oxide composite having a fluorine-containing organic compound adhered on the surface thereof, and is thus adhered to the surface by the action of a photocatalyst accompanied by energy irradiation or irradiation of vacuum ultraviolet light Containing organic compound can be decomposed and removed to thereby change the wettability from lyophobic to lyophilic. When the device material for a hole injection and transport layer of the present invention is used, a portion where the action of the photocatalyst accompanies the energy irradiation or a portion irradiated with the vacuum ultraviolet light becomes the lyophilic region, and the function of the photocatalyst accompanying the energy irradiation is insufficient Portion or the portion to which the vacuum ultraviolet light is not irradiated becomes a lyophobic region. In the device material for the hole injection and transport layer of the present invention, the fluorine-containing organic compound adhering to the surface is decomposed and removed by the action of a photocatalyst accompanied by energy irradiation, irradiation of vacuum ultraviolet light, etc., Since the organic-transition metal oxide composite itself is resistant to ultraviolet light or heating at a relatively high temperature, excellent hole injection transportability of the organic-transition metal oxide composite can be improved by irradiation of energy, during photocatalytic action, There is an advantage that it is not damaged. Further, the device material for a hole injection and transport layer of the present invention is advantageous in that it is oxidized by a treatment such as a photocatalytic treatment for decomposing fluorine, thereby increasing the ionization potential and improving hole injectability.
또한, 본 발명의 정공 주입 수송층용 디바이스 재료는, 무기 화합물의 몰리브덴 산화물을 사용하는 경우와 달리 유기-전이 금속 산화물 복합체이며, 표면에 적어도 불소 함유 유기 화합물을 포함하는 유기 부분을 함유하기 때문에, 인접하는 유기층과의 계면의 밀착성도 양호해진다. 통상, 본 발명의 정공 주입 수송층용 디바이스 재료를 사용한 정공 주입 수송층의 적어도 표층부의 불소 함유 유기 화합물을 분해하여 친액성 영역으로 한 위에, 별도의 유기층이 적층되는 형태로 사용되기 때문에, 인접하는 유기층과의 계면에 있어서 불소 함유 유기 화합물에서 유래하는 발액성의 영향도 없어지고, 계면의 밀착성이 우수한 것이 된다.Further, the device material for the hole injection transport layer of the present invention is an organic-transition metal oxide complex unlike the case of using molybdenum oxide of an inorganic compound and contains an organic moiety including at least a fluorine-containing organic compound on its surface, The adhesion of the interface with the organic layer becomes good. Since at least the fluorine-containing organic compound in the surface layer portion of the hole injection transport layer using the device material for a hole injection and transport layer of the present invention is decomposed to form a lyophilic region and another organic layer is laminated thereon, The influence of the liquid repellency derived from the fluorine-containing organic compound is eliminated and the adhesion at the interface is excellent.
또한, 유기 전이 금속 착체의 반응 생성물인 유기-전이 금속 산화물 복합체는 포함되는 전이 금속 산화물의 반응성이 높아, 전하 이동 착체를 형성하기 쉬운 것으로 생각된다. 그로 인해, 본 발명의 정공 주입 수송층용 디바이스 재료는, 저전압 구동, 고전력 효율, 장수명인 디바이스를 실현 가능한 정공 주입 수송층을 형성하는 것이 가능하다.In addition, the organic-transition metal oxide complex, which is a reaction product of the organic transition metal complex, is considered to be easy to form a charge transfer complex because of the high reactivity of the transition metal oxide included therein. Therefore, the device material for a hole injection and transport layer of the present invention can form a hole injection and transport layer capable of realizing devices with low voltage driving, high power efficiency, and long life.
또한, 본 발명의 정공 주입 수송층용 디바이스 재료에 사용되는 유기-전이 금속 산화물 복합체는, 무기 화합물의 몰리브덴 산화물 등을 사용하는 경우와 달리 유기물과 전이 금속 산화물의 복합체이며, 표면에 적어도 불소 함유 유기 화합물을 포함하는 유기 부분을 함유하기 때문에 용제에 분산성을 갖는다. 그로 인해, 용액 도포법에 의해 박막 형성이 가능하다는 점에서, 기판에 정공 주입 수송층으로부터 발광층 등이 적층되는 유기층까지를 순차 도포 프로세스만으로 형성할 수 있으며, 제조 프로세스상의 장점이 크다. 그로 인해, 무기 화합물의 몰리브덴 산화물의 경우와 같이 정공 주입층을 고정밀의 마스크 증착 등으로 증착한 후, 정공 수송층이나 발광층을 증착법 또는 용액 도포법으로 형성하고, 나아가서는 제2 전극을 증착하는 프로세스에 비해 단순하며, 저비용으로 디바이스를 제작할 수 있다는 이점이 있다.The organic-transition metal oxide composite used in the device material for the hole injection and transport layer of the present invention is a composite of an organic material and a transition metal oxide, unlike the case of using molybdenum oxide of an inorganic compound or the like, And thus has a dispersibility in a solvent. Therefore, from the viewpoint that the thin film can be formed by the solution coating method, the steps from the hole injection transporting layer to the organic layer in which the light emitting layer and the like are stacked on the substrate can be formed successively by the coating process alone. Therefore, as in the case of the molybdenum oxide of the inorganic compound, the hole injection layer is deposited by high-precision mask evaporation or the like, and then the hole transport layer or the light emitting layer is formed by a vapor deposition method or a solution coating method. Further, And it is advantageous in that the device can be manufactured at low cost.
이하, 본 발명의 정공 주입 수송층용 디바이스 재료의 구성을 순서대로 설명한다.Hereinafter, the constitution of a device material for a hole injecting and transporting layer of the present invention will be described in order.
<유기-전이 금속 산화물 복합체><Organic-transition metal oxide complex>
본 발명의 정공 주입 수송층용 디바이스 재료에 사용되는 유기-전이 금속 산화물 복합체는, 유기 전이 금속 착체의 반응 생성물이며, 전이 금속 산화물을 포함하는 것이다. 유기 전이 금속 착체의 반응 생성물로서는, 유기 전이 금속 착체끼리의 반응 생성물이나, 유기 전이 금속 착체와 유기 용매의 반응 생성물이나, 유기 전이 금속 착체와 당해 유기 금속 착체와 반응 가능한 관능기를 갖는 유기 또는 무기 화합물과의 반응 생성물, 및 이들의 조합의 반응 생성물을 들 수 있다.The organic-transition metal oxide complex used in the device material for a hole injection and transport layer of the present invention is a reaction product of an organic transition metal complex and includes a transition metal oxide. Examples of the reaction product of the organic transition metal complex include a reaction product of the organic transition metal complexes, a reaction product of the organic transition metal complex and the organic solvent, an organic or inorganic compound having an organic transition metal complex and a functional group capable of reacting with the organic metal complex , And reaction products of these compounds.
유기 전이 금속 착체의 반응 생성물인 유기-전이 금속 산화물 복합체는, 정공 주입 수송층을 형성하는 과정, 예를 들어 정공 주입 수송층 형성용 잉크(도포 용액) 중, 또는 층 형성시 또는 층 형성 후에 있어서 가열시, 광조사시, 소자 구동시 등에 행해지는 유기 전이 금속 착체의 반응에 의해 생성되는 반응 생성물이어도 좋다.The organic-transition metal oxide complex, which is a reaction product of the organic transition metal complex, can be used in a process for forming a hole injection transport layer, for example, in an ink for forming a hole injection transport layer (coating solution) , A reaction product produced by reaction of an organic transition metal complex carried out at the time of light irradiation, driving of a device, and the like.
유기-전이 금속 산화물 복합체 중에는 처리 조건에 따라 다양한 가수의 전이 금속 원자나 화합물, 예를 들어 전이 금속의 탄화물, 황화물, 붕화물, 셀레늄화물, 할로겐화물 등을 포함하고 있어도 좋다.The organic-transition metal oxide complex may contain various valence transition metals or compounds such as carbides, sulfides, borides, selenides, halides and the like of the transition metals depending on processing conditions.
상기 유기-전이 금속 산화물 복합체에 포함되는 전이 금속 산화물 중의 전이 금속은, 주기율표에서 제3족 내지 제11족 사이에 존재하는 금속 원소의 총칭이다. 전이 금속은, 구체적으로는 예를 들어 몰리브덴, 텅스텐, 바나듐, 레늄, 니켈, 구리, 티타늄, 백금, 은 등을 들 수 있다.The transition metal in the transition metal oxide contained in the organic-transition metal oxide composite is a generic name of the metal element existing between
이 중에서도, 상기 유기-전이 금속 산화물 복합체에 포함되는 전이 금속 산화물 중의 전이 금속은, 몰리브덴, 텅스텐 및 바나듐으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속을 포함하는 것이 반응성이 높다는 점에서 전하 이동 착체를 형성하기 쉽고, 구동 전압의 저하나 소자 수명을 향상시킨다는 점에서 바람직하다.Among them, the transition metal in the transition metal oxide contained in the organic-transition metal oxide composite preferably contains at least one kind of metal selected from the group consisting of molybdenum, tungsten and vanadium, It is easy to form, and it is preferable in that it lowers the driving voltage and improves the lifetime of the device.
상기 유기-전이 금속 산화물 복합체에 포함되는 금속은 단일 금속이어도 좋고, 2종 이상 포함되어 있어도 좋다. 금속이 2종 이상 포함되는 형태로서는, 2종 이상의 금속 또는 금속 산화물이 복합되어 포함되어 있어도 좋고, 2종 이상의 금속이 합금으로서 포함되어 있어도 좋다. 또한, 이종 2핵 금속 착체를 사용하여도 좋다.The metal contained in the organic-transition metal oxide composite may be a single metal or two or more metals. As the form in which two or more metals are contained, two or more metals or metal oxides may be contained in combination, or two or more metals may be contained as an alloy. A heterogeneous bimetallic metal complex may also be used.
또한, 상기 유기-전이 금속 산화물 복합체에 포함되는 금속은, 적어도 전이 금속이 포함된다면 비전이 금속이 포함되어 있어도 좋다.In addition, the metal contained in the organic-transition metal oxide composite may include a non-transition metal if it contains at least a transition metal.
2종 이상의 금속을 포함함으로써 정공 수송성이나 정공 주입성을 서로 보충하거나, 광촉매성을 부여하거나, 박막의 굴절률이나 투과율을 제어한다는 등 다른 기능을 겸비하는 정공 주입 수송층을 형성할 수 있다는 장점이 있다.By including two or more kinds of metals, it is possible to form a hole injecting and transporting layer having other functions such as complementing the hole transporting property and the hole injecting property, imparting photocatalytic property, controlling the refractive index or transmittance of the thin film, and the like.
본 발명에서 사용되는 유기 전이 금속 착체란 전이 금속을 포함하는 배위 화합물이며, 상술한 전이 금속 이외에 유기 화합물을 포함하는 배위자를 함유한다.The organic transition metal complex used in the present invention is a coordination compound containing a transition metal and contains a ligand containing an organic compound in addition to the transition metal described above.
예를 들어, 유기 몰리브덴 착체로서는 산화수 -2 내지 +6까지의 착체가 있다. 또한, 유기 텅스텐 착체로서도 산화수 -2 내지 +6까지의 착체가 있다. 텅스텐 착체는, 다핵이 되기 쉽고 옥소 배위자가 부착되기 쉽다는 등, 몰리브덴 착체를 닮은 경향을 나타내고, 배위수가 7 이상이 되는 경우도 있다. 또한, 유기 바나듐 착체로서는 산화수 -3 내지 +5까지의 착체가 있다.For example, as the organic molybdenum complex, there is a complex having an oxidation number of -2 to +6. Also, as an organic tungsten complex, there is a complex having an oxidation number of -2 to +6. The tungsten complex tends to be a molybdenum complex and tends to be polynuclear and easily attached to an oxo ligand, and the coordination number may be 7 or more. As the organic vanadium complex, there is a complex having an oxidation number of from -3 to +5.
배위자의 종류는 적절하게 선택되며, 특별히 한정되지 않지만, 용제 용해성이나 인접하는 유기층과의 밀착성으로부터 유기 부분(탄소 원자)을 포함하는 것을 사용한다. 또한, 배위자는, 비교적 저온(예를 들어 200℃ 이하)에서 착체로부터 분해되는 것인 것이 바람직하다.The kind of the ligand is appropriately selected and is not particularly limited, but the ligand containing organic moiety (carbon atom) is used in view of solvent solubility and adhesiveness with the adjacent organic layer. It is also preferable that the ligand is decomposed from the complex at a relatively low temperature (for example, 200 DEG C or less).
단좌 배위자로서는, 예를 들어 아실, 카르보닐, 티오시아네이트, 이소시아네이트, 시아네이트, 이소시아네이트, 할로겐 원자 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 비교적 저온에서 분해되기 쉬운 카르보닐이 바람직하다. 또한, 2좌 배위자로서는, 예를 들어 각종 카르복실산 등을 들 수 있다.Examples of the monocyclic ligands include acyl, carbonyl, thiocyanate, isocyanate, cyanate, isocyanate, and halogen atoms. Among them, carbonyl which is easily decomposed at a relatively low temperature is preferable. Examples of the bidentate ligand include various carboxylic acids and the like.
또한, 방향환 및/또는 복소환을 포함하는 구조로서는, 구체적으로 예를 들어 벤젠, 트리페닐아민, 플루오렌, 비페닐, 피렌, 안트라센, 카르바졸, 페닐 피리딘, 트리 티오펜, 페닐 옥사디아졸, 페닐 트리아졸, 벤조 이미다졸, 페닐 트리아진, 벤조 디아티아진, 페닐 퀴녹살린, 페닐렌 비닐렌, 페닐 실롤 및 이들의 구조의 조합 등을 들 수 있다.Specific examples of the structure containing an aromatic ring and / or a heterocyclic ring include benzene, triphenylamine, fluorene, biphenyl, pyrene, anthracene, carbazole, phenylpyridine, trithiophene, phenyloxadiazole , Phenyltriazole, benzimidazole, phenyltriazine, benzodiathiazine, phenylquinoxaline, phenylene vinylene, phenylsilole, and combinations of these structures.
또한, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한, 방향환 및/또는 복소환을 포함하는 구조에 치환기를 갖고 있어도 좋다. 치환기로서는, 예를 들어 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지의 알킬기, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 시아노기, 니트로기 등을 들 수 있다. 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지의 알킬기 중에서는, 탄소수 1 내지 12의 직쇄 또는 분지의 알킬기, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기 등이 바람직하다.Further, as long as the effect of the present invention is not impaired, the structure containing an aromatic ring and / or a heterocyclic ring may have a substituent. Examples of the substituent include a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a halogen atom, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a cyano group, and a nitro group. Among straight or branched alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms, straight chain or branched alkyl groups having 1 to 12 carbon atoms such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, a tert-butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, a decyl group, an undecyl group and a dodecyl group.
또한, 배위자로서는, 단좌 배위자 또는 2좌 배위자가 유기 전이 금속 착체의 반응성이 높아진다는 점에서 바람직하다. 착체 자체가 지나치게 안정이 되면 반응성이 열화되는 경우가 있다.Further, as the ligand, it is preferable that the monodentate ligand or the bidentate ligand has high reactivity of the organic transition metal complex. If the complex itself becomes too stable, the reactivity may deteriorate.
산화수 0 이하의 몰리브덴 착체로서는, 예를 들어 금속 카르보닐[Mo-II(CO)5]2-, [(CO)5Mo- IMo-I(CO)5]2-, [Mo(CO)6] 등을 들 수 있다.As the molybdenum complex of oxidation number less than or equal to 0, for example, metal carbonyl [Mo -II (CO) 5] 2-, [(CO) 5 Mo - I Mo -I (CO) 5] 2-, [Mo (CO) 6 ].
또한, 산화수가 +1인 몰리브덴(I) 착체로서는, 디포스판이나 η5-시클로펜타디에니드를 포함하는 비베르너형 착체를 들 수 있으며, 구체적으로는 MoI(η6-C6H6)2]+, [MoCl(N2)(디포스)2](디포스는, 2좌 배위자(C6H5)2PCH2CH2P(C6H5)2)를 들 수 있다.Examples of molybdenum (I) complexes having an oxidation number of +1 include non-Werner type complexes including diphosphane and eta 5 -cyclopentadienide, and specifically Mo I (侶6 -C 6 H 6 ) 2] +, can be [MoCl (N 2) (di-phosphine) 2 (di-phosphine, the
산화수가 +2인 몰리브덴(II) 착체로서는, 몰리브덴이 2핵 착체가 되어 (Mo2)4+ 이온의 상태로 존재하는 Mo2 화합물을 들 수 있으며, 예를 들어 [Mo2(RCOO)4]나 [Mo2X2L2(RCOO)4] 등을 들 수 있다. 여기서 상기 RCOO 중 R은 치환기를 갖고 있어도 좋은 탄화수소기이며, 각종 카르복실산을 사용할 수 있다. 카르복실산으로서는, 예를 들어 포름산, 아세트산, 프로피온산이나 부티르산, 발레르산 등의 지방산, 트리플루오로메탄 카르복실산 등의 할로겐화 알킬 카르복실산, 벤조산, 나프탈렌 카르복실산, 안트라센 카르복실산, 2-페닐프로판산, 신남산, 플루오렌 카르복실산 등의 탄화수소 방향족 카르복실산, 푸란 카르복실산이나 티오펜 카르복실산, 피리딘 카르복실산 등의 복소환 카르복실산 등을 들 수 있다. 또한, 후술하는 바와 같은 정공 수송성 화합물(아릴아민 유도체, 카르바졸 유도체, 티오펜 유도체, 플루오렌 유도체, 디스티릴벤젠 유도체 등)에 있어서 카르복실기를 갖는 카르복실산이어도 좋다. 이 중에서도, 카르복실산에 상술한 바와 같은 방향환 및/또는 복소환을 포함하는 구조가 적절하게 사용된다. 카르복실산은 선택지가 많고, 혼합하는 정공 수송성 화합물과의 상호 작용을 최적화하거나, 정공 주입 수송 기능을 최적화하거나, 인접하는 층과의 밀착성을 최적화 하기에 적합한 배위자이다. 또한, 상기 X는 할로겐이나 알콕시드이며, 염소, 브롬, 요오드나 메톡시드, 에톡시드, 이소프로폭시드, sec-부톡시드, tert-부톡시드를 사용할 수 있다. 또한, L은 중성의 배위자이며, P(n-C4H9)3이나 P(CH3)3 등의 트리알킬 포스핀이나 트리페닐 포스핀 등의 트리아릴 포스핀을 사용할 수 있다.As the molybdenum (II) complex having an oxidation number of +2, there can be mentioned a Mo 2 compound in which molybdenum becomes a bicyclic complex and exists in a state of (Mo 2 ) 4+ ion, for example, [Mo 2 (RCOO) 4 ] And [Mo 2 X 2 L 2 (RCOO) 4 ]. In the above RCOO, R is a hydrocarbon group which may have a substituent, and various carboxylic acids may be used. Examples of the carboxylic acid include fatty acid such as formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid and valeric acid, halogenated alkylcarboxylic acid such as trifluoromethanecarboxylic acid, benzoic acid, naphthalenecarboxylic acid, anthracenecarboxylic acid, 2 Hydroxycarboxylic acid, thiophenecarboxylic acid, and pyridinecarboxylic acid, and the like, and the like can be given. Further, a carboxylic acid having a carboxyl group in the hole-transporting compound (an arylamine derivative, a carbazole derivative, a thiophene derivative, a fluorene derivative, a distyrylbenzene derivative, etc.) described below may be used. Among them, a structure containing an aromatic ring and / or a heterocyclic ring as described above is suitably used in the carboxylic acid. The carboxylic acid is a ligand suitable for optimizing the interaction with the hole-transporting compound to be mixed, optimizing the hole-injecting transport function, or optimizing the adhesion with the adjacent layer. In addition, X is halogen or alkoxide, and chlorine, bromine, iodine, methoxide, ethoxide, isopropoxide, sec-butoxide or tert-butoxide can be used. L is a neutral ligand, and trialkylphosphines such as P (nC 4 H 9 ) 3 and P (CH 3 ) 3 and triarylphosphines such as triphenylphosphine can be used.
산화수가 +2인 몰리브덴(II) 착체로서는, 그 이외에 [MoII 2X4L4], [MoIIX2L4] 등의 할로겐 착체를 사용할 수 있으며, 예를 들어 [MoIIBr4(P(n-C4H9)3)4]나 [MoIII2(디아르스)2](디아르스는, 디아르신(CH3)2As-C6H4-As(CH3)2) 등을 들 수 있다.As the molybdenum (II) complex having an oxidation number of +2, halogen complexes such as [Mo II 2 X 4 L 4 ] and [Mo II X 2 L 4 ] can be used, and for example, [Mo II Br 4 P (nC 4 H 9) 3 ) 4] and [Mo II I 2 (di-Ars) 2 (di-Ars is Dia Rezin (CH 3) 2 As-C 6 H 4 -As (CH 3) 2) , etc. .
산화수가 +3인 몰리브덴(III) 착체로서는, 예를 들어 [(RO)3Mo≡Mo(OR)3]이나 [Mo(CN)7(H2O)]4- 등을 들 수 있다. R은 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지의 알킬기이다. 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지의 알킬기 중에서는, 탄소수 1 내지 12의 직쇄 또는 분지의 알킬기, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기 등이 바람직하다.Examples of the molybdenum (III) complex having an oxidation number of +3 include [(RO) 3 Mo≡Mo (OR) 3 ] and [Mo (CN) 7 (H 2 O)] 4- . R is a straight or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. Among straight or branched alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms, straight chain or branched alkyl groups having 1 to 12 carbon atoms such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, a tert-butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, a decyl group, an undecyl group and a dodecyl group.
또한, 산화수가 +4인 몰리브덴(IV) 착체로서는, 예를 들어 [Mo{N(CH3)2}4], [Mo(CN)8]4-, 여기에 옥소 배위자를 갖는 MoO2 +의 착체나, O2 -로 2중 가교된 Mo2O2 4 +의 착체를 들 수 있다.In addition, as a molybdenum (IV) complex a +4 oxidation state, such as [Mo {N (CH 3) 2} 4], [Mo (CN) 8] 4-, where the MoO 2 + having an oxo ligand And a complex of Mo 2 O 2 4 + double- crosslinked with O 2 - .
산화수가 +5인 몰리브덴(V) 착체로서는, 예를 들어 Mo(OCH2CH3)5, [Mo(CN)8]3-이나, Mo=O가 트랜스 위치에서 O2 -로 가교된 2핵의 Mo2O3 4 +를 갖는 옥소 착체로서는 예를 들어 크산틴산 착체 Mo2O3(S2COC2H5)4, Mo=O가 시스 위치에서 O2 -로 2중 가교된 2핵의 Mo2O4 2 +를 갖는 옥소 착체로서는 예를 들어 히스티딘 착체[Mo2O4(L-히스티딘)2]ㆍ3H2O 등을 들 수 있다.Examples of the molybdenum (V) complex is +5 oxidation state, such as Mo (OCH 2 CH 3) 5 , [Mo (CN) 8] 3- or, Mo = O is O 2 in the transport position - the cross-linked with 2 core of Mo 2 O 3 as the oxo complex having a 4 +, for example xanthic acid complex Mo 2 O 3 (S 2 COC 2 H 5) 4, Mo = O is O 2 in the cis position - of the second nuclear crosslinking of 2 to As the oxo complex having Mo 2 O 4 2 + , for example, a histidine complex [Mo 2 O 4 (L-histidine) 2 ] 3H 2 O and the like can be given.
또한, 산화수가 +6인 몰리브덴(VI) 착체로서는, 예를 들어 MoO2(아세틸아세토네이트)2]를 들 수 있다. 또한, 2핵 이상의 착체의 경우에는 혼합 원자가 착체도 있다.As the molybdenum (VI) complex having an oxidation number of +6, for example, MoO 2 (acetylacetonate) 2 ] can be mentioned. In the case of a complex having two or more nuclei, there is also a mixed atom valency complex.
또한, 산화수 0 이하의 텅스텐 착체로서는, 예를 들어 금속 카르보닐[W-II(CO)5]2-, [(CO)5W- IW-I(CO)5]2-, [W(CO)6] 등을 들 수 있다.Examples of the tungsten complex of oxidation number less than or equal to 0, for example, metal carbonyl [W -II (CO) 5] 2-, [(CO) 5 W - I W -I (CO) 5] 2-, [W ( CO) 6 ] and the like.
또한, 산화수가 +1인 텅스텐(I) 착체로서는, 디포스판이나 η5-시클로펜타디에니드를 포함하는 비베르너형 착체를 들 수 있으며, 구체적으로는 WI(η6-C6H6)2]+, [WCl(N2)(디포스)2](디포스는, 2좌 배위자(C6H5)2PCH2CH2P(C6H5)2)를 들 수 있다.Examples of tungsten (I) complexes having an oxidation number of +1 include non-Werner-type complexes including diphosphane and? 5 -cyclopentadienide, specifically W I (侶6 -C 6 H 6 ) 2] +, can be [WCl (N 2) (di-phosphine) 2 (di-phosphine, the
산화수가 +2인 텅스텐(II) 착체로서는, 텅스텐이 2핵 착체가 되어 (W2)4+ 이온의 상태로 존재하는 W2 화합물을 들 수 있으며, 예를 들어 [W2(RCOO)4]나 [W2X2L2(RCOO)4] 등을 들 수 있다. 여기서 상기 RCOO 중 R은, 상기 몰리브덴 착체에서 설명한 것과 동일한 것을 사용할 수 있다. 산화수가 +2인 텅스텐(II) 착체로서는, 그 이외에 [WII 2X4L4], [WIIX2L4] 등의 할로겐 착체를 사용할 수 있으며, 예를 들어 [WIIBr4(P(n-C4H9)3)4]나 [WIII2(디아르스)2](디아르스는, 디아르신(CH3)2As-C6H4-As(CH3)2) 등을 들 수 있다.As the tungsten (II) complex, the oxidation number +2, is a tungsten-2 core complex (W 2) 4+ include W 2 compounds present in the state of ions and, for example, [W 2 (RCOO) 4] And [W 2 X 2 L 2 (RCOO) 4 ]. In the above-mentioned RCOO, R may be the same as those described for the molybdenum complex. As the tungsten (II) complex having an oxidation number of +2, other halogen complexes such as [W II 2 X 4 L 4 ] and [W II X 2 L 4 ] can be used. For example, [W II Br 4 P (nC 4 H 9) 3 ) 4] and [W II I 2 (di-Ars) 2 (di-Ars is Dia Rezin (CH 3) 2 As-C 6 H 4 -As (CH 3) 2) , etc. .
산화수가 +3인 텅스텐(III) 착체로서는, 예를 들어 [(RO)3W≡W(OR)3]이나 [W(CN)7(H2O)]4- 등을 들 수 있다. R은 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지의 알킬기이다.Examples of the tungsten (III) complex having an oxidation number of +3 include [(RO) 3 W? W (OR) 3 ] and [W (CN) 7 (H 2 O)] 4- . R is a straight or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.
또한, 산화수가 +4인 텅스텐(IV) 착체로서는, 예를 들어 [W{N(CH3)2}4], [W(CN)8]4-, 여기에 옥소 배위자를 갖는 WO2 +의 착체나, O2 -로 2중 가교된 W2O2 4 +의 착체를 들 수 있다.Examples of the tungsten (IV) complex having an oxidation number of +4 include [W {N (CH 3 ) 2 } 4 ], [W (CN) 8 ] 4- , and WO 2 + having an oxo ligand And a complex of W 2 O 2 4 + which is double-crosslinked with O 2 - .
산화수가 +5인 텅스텐(V) 착체로서는, 예를 들어 [W(CN)8]3-이나 W(OCH2CH3)5, W=O가 트랜스 위치에서 O2 -로 가교된 2핵의 W2O3 4 +를 갖는 옥소 착체로서는 예를 들어 크산틴산 착체 W2O3(S2COC2H5)4, W=O가 시스 위치에서 O2 -로 2중 가교된 2핵의 W2O4 2 +를 갖는 옥소 착체로서는 예를 들어 히스티딘 착체[W2O4(L-히스티딘)2]ㆍ3H2O 등을 들 수 있다.Examples of a tungsten (V) complex oxidation number +5, for example, [W (CN) 8] 3- or W (OCH 2 CH 3) 5 , W = O the O 2 in the trans-position-2 of the nuclear cross-linked with oxo complex with the W 2 O 3 4 + as the example xanthic acid complex W 2 O 3 (S 2 COC 2 H 5) 4, W = O the O 2 in the cis position - of the second nuclear crosslinking of 2 to W Examples of the oxo complex having 2 O 4 2 + include a histidine complex [W 2 O 4 (L-histidine) 2 ] 3 H 2 O and the like.
또한, 산화수가 +6인 텅스텐(VI) 착체로서는, 예를 들어 W(OCH2CH3)6, WO2(아세틸아세토네이트)2], 텅스텐(VI) 펜옥시드를 들 수 있다. 또한, 2핵 이상의 착체의 경우에는 혼합 원자가 착체도 있다.Examples of tungsten (VI) complexes having an oxidation number of +6 include W (OCH 2 CH 3 ) 6 , WO 2 (acetylacetonate) 2 ] and tungsten (VI) pentoxide. In the case of a complex having two or more nuclei, there is also a mixed atom valency complex.
또한, 산화수 0 이하의 바나듐 착체로서는, 예를 들어 금속 카르보닐[V0(CO)6], 금속 산화물 착체로서 VIIIO옥시트리이소프로폭시드 등을 들 수 있다.Examples of the vanadium complex having an oxidation number of 0 or less include metal carbonyl [V 0 (CO) 6 ] and V III O oxytriisopropoxide as a metal oxide complex.
산화수가 +2인 바나듐(II) 착체로서는, 시클로펜타디에닐 착체[VII(η5-C5H5)2] 등을 들 수 있다.Examples of the vanadium (II) complex having an oxidation number of +2 include a cyclopentadienyl complex [V II (η 5 -C 5 H 5 ) 2 ] and the like.
산화수가 +3인 바나듐(III) 착체로서는, [VIIICl3{N(CH3)3}2], 금속 산화물 착체로서 VIIIO아세틸아세토네이트 등을 들 수 있다.Examples of the vanadium (III) complex having an oxidation number of +3 include [V III Cl 3 {N (CH 3 ) 3 } 2 ] and V III O acetylacetonate as the metal oxide complex.
산화수가 +4인 바나듐(IV) 착체로서는, [VOCl2{N(CH3)3}2]), [VCl4(diars)]), 8(10면체의 [VCl4(디아르스)2]) 등을 들 수 있다.(VOCl 2 {N (CH 3 ) 3 } 2 ), VCl 4 (diars)] and 8 ([VCl 4 (diaryl) 2 ] octahedral of the tetrahedron, ) And the like.
본원에 있어서, 유기 전이 금속 착체의 반응 생성물인 유기-전이 금속 산화물 복합체 중에는 전이 금속 산화물이 반드시 포함된다. 전이 금속 산화물이 반드시 포함됨으로써, 이온화 포텐셜의 값이 최적이 되거나 불안정한 산화수 +0의 금속으로부터의 산화에 의한 변화를 미리 억제하여 둠으로써, 구동 전압의 저하나 소자 수명을 향상시키는 것이 가능해진다. 그 중에서도, 유기-전이 금속 산화물 복합체에는, 산화수가 상이한 전이 금속 산화물이 공존하여 포함되는 것이 바람직하다. 산화수가 상이한 전이 금속 산화물이 공존하여 반드시 포함됨으로써, 산화수의 밸런스에 의해 정공 수송이나 정공 주입성이 적절하게 제어되어, 구동 전압의 저하나 소자 수명을 향상시키는 것이 가능해진다.In the present invention, the transition metal oxide is necessarily included in the organic-transition metal oxide complex which is the reaction product of the organic transition metal complex. It is possible to improve the driving voltage and the element life span by necessarily including the transition metal oxide so that the value of the ionization potential is optimized or the change due to the oxidation from the unstable oxidation number +0 is suppressed in advance. Among them, it is preferable that the organic-transition metal oxide composite contains a transition metal oxide having a different oxidation number. The transition metal oxides having different oxidation numbers coexist and are always contained. Therefore, the hole transporting and the hole injecting property are appropriately controlled by the balance of the oxidation water, whereby the drive voltage can be lowered and the device life can be improved.
예를 들어, 몰리브덴 착체나 텅스텐 착체의 반응 생성물로서는, 각각 몰리브덴의 산화수가 +5와 +6인 복합체 또는 텅스텐의 산화수가 +5와 +6인 복합체인 것이 구동 전압의 저하나 소자 수명을 향상시키는 점에서 바람직하다. 또한, 상기 몰리브덴 착체의 반응 생성물 또는 텅스텐 착체의 반응 생성물이 각각 몰리브덴의 산화수가 +5와 +6 또는 텅스텐의 산화수가 +5와 +6인 복합체의 음이온 상태로 존재하는 것이 구동 전압의 저하나 소자 수명을 향상시키는 점에서 바람직하다.For example, as a reaction product of a molybdenum complex or a tungsten complex, a composite having an oxidation number of molybdenum of +5 and +6 or a composite of tungsten having an oxidation number of +5 and +6, respectively, . Also, it is preferable that the reaction product of the molybdenum complex or the reaction product of the tungsten complex exists in an anion state of the composite having molybdenum oxidation numbers of +5 and +6, respectively, or oxidation states of tungsten of +5 and +6, It is preferable from the viewpoint of improving the life.
몰리브덴의 산화수가 +5와 +6인 복합체 또는 텅스텐의 산화수가 +5와 +6인 복합체인 경우, 산화수가 +6인 몰리브덴 또는 텅스텐 100몰에 대하여 산화수가 +5인 몰리브덴 또는 텅스텐이 10몰 이상인 것이 구동 전압의 저하나 소자 수명을 향상시키는 점에서 바람직하다. 한편, 통상의 MoO3 등의 몰리브덴 산화물의 경우에는 몰리브덴의 대부분이 MoVI이며, 조성식으로는 MonO3n이 된다. 그러나, 증착시의 산소 결손이나 슬러리 형성시의 물리적인 분쇄에 의해 발생한 입자 표면 등에 존재하는 산소 결함 등에 의해 MonO3n -m이 되고, MoV도 다소 존재할지도 모른다. 그러나, MoO3에 도입되는 MoV는 산소 결함에 의해 발생하기 때문에, 불균일하며 불안정하다.Molybdenum having an oxidation number of +5 and +6, or tungsten having an oxidation number of +5 and +6, the molar ratio of molybdenum or tungsten having oxidation number of +5 to molybdenum or tungsten having oxidation number of +6 is 10 mol or more Is preferable in that it lowers the driving voltage and improves the device life. On the other hand, in the case of ordinary molybdenum oxide such as MoO 3 , most of the molybdenum is Mo VI and the composition formula is Mo n O 3n . However, Mo n O 3n -m may be formed due to oxygen defects at the time of vapor deposition or oxygen defects existing on the surface of particles generated by physical grinding at the time of slurry formation, and Mo V may be present somewhat. However, since Mo V introduced into MoO 3 is generated by oxygen defects, it is uneven and unstable.
바나듐의 경우에는 산화수 +5가 안정(V2O5), 산화수 +4가 불안정(V2O4)이다. 바나듐 착체의 반응 생성물은 각각 바나듐의 산화수가 +5와 +4인 복합체의 음이온 상태로 존재하는 것이 구동 전압의 저하나 소자 수명을 향상시키는 점에서 바람직하다.In the case of vanadium, the oxidation number +5 is stable (V 2 O 5 ) and the oxidation number + 4 is unstable (V 2 O 4 ). The reaction products of the vanadium complexes are preferably in the anion state of the complexes in which the oxidation number of vanadium is +5 and +4, respectively, from the viewpoint of reducing the driving voltage and improving the lifetime of the device.
본 발명에 사용되는 유기-전이 금속 산화물 복합체는 적어도 유기 전이 금속 착체와 유기 용매의 반응 생성물인 것이 바람직하고, 유기 전이 금속 착체와 당해 유기 전이 금속 착체와 산화 환원 반응을 행하는 것이 가능한 유기 용매와의 반응 생성물인 것이 바람직하고, 특히 유기 전이 금속 착체와 카르보닐기 및/또는 수산기를 갖는 유기 용매와의 반응 생성물인 것이 바람직하다. 유기 전이 금속 착체는 반응성이 높기 때문에, 정공 주입 수송층을 형성하는 과정, 예를 들어 정공 주입 수송층 형성용 잉크 중, 또는 당해 잉크를 사용한 층 형성시에 가열 또는 광조사를 작용시키면, 정공 주입 수송층 형성용 잉크에 포함되는 유기 용매와 산화 환원 반응을 행하여, 적어도 전이 금속 착체의 일부가 전이 금속 산화물이 된다. 유기 용매가 카르보닐기 및/또는 수산기를 갖는 유기 용매인 경우에는, 당해 전이 금속 산화물을 생성하는 반응성이 높다.The organic-transition metal oxide complex used in the present invention is preferably a reaction product of at least an organic transition metal complex and an organic solvent and is preferably a reaction product of an organic transition metal complex and an organic solvent capable of performing a redox reaction with the organic transition metal complex The reaction product is preferably a reaction product of an organic transition metal complex and an organic solvent having a carbonyl group and / or a hydroxyl group. Since the organic transition metal complex has high reactivity, when the hole injection transport layer is formed, for example, by heating or light irradiation in the ink for forming the hole injection transport layer or during the formation of the layer using the ink, A redox reaction is carried out with an organic solvent contained in the ink for use, and at least a part of the transition metal complex becomes a transition metal oxide. When the organic solvent is an organic solvent having a carbonyl group and / or a hydroxyl group, the reactivity for producing the transition metal oxide is high.
예를 들어, 유기 몰리브덴 착체나 유기 텅스텐 착체를 사용한 경우, 몰리브덴의 산화수가 +5와 +6인 복합체 또는 텅스텐의 산화수가 +5와 +6인 복합체의 음이온 상태가 형성되고, 본래 불안정한 산화수가 +5인 몰리브덴 또는 텅스텐이 비교적 많은 상태에서도 안정적으로 유지될 수 있기 때문에, 구동 전압의 저하나 소자 수명을 향상시키는 점에서 바람직하다.For example, when an organic molybdenum complex or an organic tungsten complex is used, an anion state of a composite having an oxidation number of molybdenum of +5 and +6 or a composite of tungsten having an oxidation number of +5 and +6 is formed, and an inherently unstable oxidation number is + 5 molybdenum or tungsten can be stably maintained even in a relatively large number of states, which is preferable in terms of lowering the driving voltage and improving the device life.
본 발명에 사용되는 유기 용매로서는, 적절하게 유기 전이 금속 착체와 산화 환원 반응을 행하는 것이 가능한 유기 용매이면 특별히 한정되지 않는다.The organic solvent used in the present invention is not particularly limited as long as it is an organic solvent capable of performing a redox reaction suitably with an organic transition metal complex.
적절하게 사용되는 상기 카르보닐기 및/또는 수산기를 갖는 유기 용매로서는, 알데히드계, 케톤계, 카르복실산계, 에스테르계, 아미드계, 알코올계, 페놀계 등을 들 수 있고, 비점이 50℃ 내지 250℃인 것이 적절하게 사용된다. 상기 카르보닐기 및/또는 수산기를 갖는 유기 용매는, 구체적으로는 예를 들어 아세톤, 메틸에틸케톤, 2-펜타논, 3-펜타논, 2-헥사논, 2-헵타논, 4-헵타논, 메틸이소프로필케톤, 디이소부틸케톤, 아세토닐아세톤, 이소포론, 시클로헥사논 등의 케톤계 용매;아세트알데히드, 프로피온알데히드, 푸르푸랄, 벤즈알데히드 등의 알데히드계 용매; 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 발레르산 등의 카르복실산계 용매; 아세트산 에틸, 아세트산n-프로필, 아세트산i-프로필, 아세트산n-부틸, 아세트산i-부틸, 아세트산n-아밀, 벤조산 에틸, 벤조산 부틸 등의 에스테르계 용매; N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-에틸아세트아미드 등의 아미드계 용매; 예를 들어 메틸알코올, 에틸알코올, 프로필알코올, 이소프로필알코올, 글리세린, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,2-부틸렌글리콜, 시클로헥산올, 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르 등의 알코올계 용매; 페놀, 크레졸, 크실레놀, 에틸 페놀, 트리메틸 페놀, 이소프로필 페놀, t-부틸 페놀 등의 페놀계 용매 등을 들 수 있다.Examples of the organic solvent having a carbonyl group and / or hydroxyl group suitably used include an aldehyde type, a ketone type, a carboxylic acid type, an ester type, an amide type, an alcohol type and a phenol type. Is appropriately used. Specific examples of the organic solvent having a carbonyl group and / or hydroxyl group include acetone, methyl ethyl ketone, 2-pentanone, 3-pentanone, 2-hexanone, 2-heptanone, Ketone solvents such as isopropyl ketone, diisobutyl ketone, acetonyl acetone, isophorone and cyclohexanone; aldehyde type solvents such as acetaldehyde, propionaldehyde, furfural and benzaldehyde; Carboxylic acid solvents such as acetic acid, propionic acid, butyric acid and valeric acid; Esters such as ethyl acetate, n-propyl acetate, i-propyl acetate, n-butyl acetate, i-butyl acetate, n-amyl acetate, ethyl benzoate and butyl benzoate; Amide solvents such as N-methylformamide, N, N-dimethylformamide and N-ethylacetamide; For example, alcohols such as methyl alcohol, ethyl alcohol, propyl alcohol, isopropyl alcohol, glycerin, ethylene glycol, propylene glycol, 1,2-butylene glycol, cyclohexanol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, Alcohol-based solvents such as glycol monoethyl ether; Phenol type solvents such as phenol, cresol, xylenol, ethyl phenol, trimethyl phenol, isopropyl phenol, t-butyl phenol and the like.
<표면에 부착된 불소 함유 유기 화합물><Fluorine-containing organic compound attached to the surface>
본 발명의 정공 주입 수송층용 디바이스 재료는, 상기 유기-전이 금속 산화물 복합체에 불소 함유 유기 화합물이 부착되어 있다.In the device material for a hole injection transporting layer of the present invention, a fluorine-containing organic compound is attached to the organic-transition metal oxide composite.
본 발명의 정공 주입 수송층용 디바이스 재료에 있어서 「부착」이란, 유기 용제 중에 분산시켜도 박리되지 않을 정도로 불소 함유 유기 화합물이 유기-전이 금속 산화물 복합체 표면에 고정되어 있는 것을 말한다. 「부착」에는 흡착이나 배위도 포함되지만, 이온 결합, 공유 결합 등의 화학 결합인 것이 바람직하다. 「부착」의 형태는, 유기-전이 금속 산화물 복합체의 표면 전체를 불소 함유 유기 화합물이 피복하도록 부착되어 있는 형태여도 좋고, 표면의 일부에 불소 함유 유기 화합물이 부착되어 있는 형태여도 좋다.In the device material for the hole injection transport layer of the present invention, "adhesion" means that the fluorine-containing organic compound is fixed to the surface of the organic-transition metal oxide composite to such an extent that even if dispersed in the organic solvent, the organic solvent does not peel off. The " attachment " includes adsorption and coordination, but is preferably a chemical bond such as ionic bond or covalent bond. The form of "attachment" may be a form in which the entire surface of the organic-transition metal oxide composite is attached so as to cover the fluorine-containing organic compound, or a form in which a fluorine-containing organic compound is adhered to a part of the surface.
본 발명의 정공 주입 수송층용 디바이스 재료에 있어서는, 특히 유기-전이 금속 산화물 복합체에 적어도 불소 함유 유기 화합물을 포함하는 유기 화합물이 부착되어 있기 때문에, 특허문헌 5와 같은 간단히 전이 금속 산화물이 분쇄되어 형성된 입자와 달리 분산 안정성이 매우 높아지고, 균일성이 높은 nm 오더의 박막을 형성할 수 있다. 그 때문에 본 발명의 정공 주입 수송층용 디바이스 재료로 형성된 박막은, 경시 안정성 및 균일성이 높기 때문에 쇼트되기 어렵다. 또한, 인접하는 전극이나 유기층과의 밀착성이 우수해진다.In the device material for a hole injection and transport layer of the present invention, an organic compound containing at least a fluorine-containing organic compound is adhered to the organic-transition metal oxide complex in particular. Therefore, , Dispersion stability is greatly improved and a thin film of nm order having high uniformity can be formed. Therefore, the thin film formed from the device material for hole injection and transport layer of the present invention is difficult to be short-circuited because of its high temporal stability and uniformity. In addition, adhesion between the adjacent electrodes and the organic layer is improved.
표면에 부착된 불소 함유 유기 화합물의 종류는 적절히 선택되며, 특별히 한정되지 않는다. 불소 함유 유기 화합물로서는, 헤테로 원자를 포함하고 있어도 좋은 직쇄, 분지, 또는 환상의 포화 또는 불포화 탄화수소에 포함되는 수소의 일부 또는 전부를 불소로 치환한 유기 화합물을 들 수 있다. 종래 정공 주입 수송 재료로서 사용되고 있었던 헤테로 원자를 포함하고 있어도 좋은 유기 화합물에 포함되는 수소의 일부 또는 전부를 불소로 치환한 유기 화합물이어도 좋다. 또는, 종래 정공 주입 수송 재료로서 사용되고 있었던 헤테로 원자를 포함하고 있어도 좋은 유기 화합물에 불소 함유 유기 화합물을 포함하는 치환기를 도입한 화합물이어도 좋다.The kind of the fluorine-containing organic compound attached to the surface is appropriately selected and is not particularly limited. Examples of the fluorine-containing organic compound include organic compounds in which some or all of hydrogen contained in linear, branched, or cyclic saturated or unsaturated hydrocarbons which may contain heteroatoms are substituted with fluorine. Or an organic compound in which some or all of the hydrogen contained in the organic compound which may be contained in the hetero atom which has been conventionally used as the hole injection transporting material is substituted with fluorine may be used. Alternatively, a compound having a substituent containing a fluorine-containing organic compound may be introduced into an organic compound which may be contained in a heteroatom, which has been conventionally used as a hole injection transporting material.
불소 함유 유기 화합물로서는, 구체적으로 직쇄, 분지 또는 환상의 알킬기, 아릴기의 수소의 일부 또는 전부를 불소화한 불소화 알킬기나 불소화 아릴기 및 이들의 조합을 들 수 있다. 불소화 알킬기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 2 내지 10이 바람직하고, 4 내지 6이 더욱 바람직하다. 또한, 불소화 아릴기 또는 불소화 아릴화 알킬기 등의 불소화 알킬기와 불소화 아릴기의 조합의 탄소수도 특별히 한정되지 않지만, 6 내지 12가 바람직하고, 6 내지 9가 더욱 바람직하다.Specific examples of the fluorine-containing organic compound include a linear, branched or cyclic alkyl group, a fluorinated alkyl group or a fluorinated aryl group in which a part or all of hydrogen of an aryl group is fluorinated, and combinations thereof. The number of carbon atoms of the fluorinated alkyl group is not particularly limited, but is preferably 2 to 10, more preferably 4 to 6. The carbon number of the combination of a fluorinated alkyl group such as a fluorinated aryl group or a fluorinated aryl group and a fluorinated aryl group is not particularly limited, but is preferably 6 to 12, more preferably 6 to 9.
상기 불소 함유 유기 화합물로서는, 불소화 알킬기를 함유하는 것이 에너지 조사에 의한 습윤성의 변화가 양호하고, 우수한 패터닝이 얻어진다는 점에서 바람직하다.As the fluorine-containing organic compound, it is preferable that the fluorine-containing organic compound contains a fluorinated alkyl group because the change of the wettability by energy irradiation is good and excellent patterning is obtained.
또한, 불소 함유 유기 화합물로서는 -NH-, -N=, -S-, -O-, -NH(C=O)-, -O-(C=O)-, -O-(SO2)-, -O-(C=O)-O-, -S-(C=O)-O-, -SiR2-(C=O)-O-, -SiR2-와 같은 복소환을 형성하고 있지 않은 헤테로 원자를 포함하는 것이 에너지 조사에 의해 불소 유기 화합물이 분해되기 쉽기 때문에, 습윤성 변화 패턴 형성 공정에서 감도가 향상된다는 점에서 바람직하다.Further, as the fluorine-containing organic compound -NH-, -N =, -S-, -O- , -NH (C = O) -, -O- (C = O) -, -O- (SO 2) - (C = O) -O-, -S- (C = O) -O-, -SiR 2 - (C = O) -O-, -SiR 2 - Since the fluorine organic compound is easily decomposed by energy irradiation, the sensitivity is improved in the wettability change pattern forming step.
그 중에서도, CnF2n +1CmH2m-[m은 0 내지 20의 정수, n은 1 내지 20의 정수이며, m+n은 1 내지 30임]로 표시되는 불소화 알킬기는, 높은 발유성을 유지한다는 점 및m이 1 이상일 때 에테르 결합 등 다른 원소에 결합하는 경우 직접 CnF2n +1과 결합하는 것보다도 CmH2m을 개재하는 것이 화합물의 안정성이 높아진다는 점에서 바람직하다. 한편, 에테르 결합 등 다른 원소에 결합하는 경우에 직접 CnF2n +1과 결합하면, 에너지 조사에 의해 불소 유기 화합물이 분해되기 쉽기 때문에 습윤성 변화 패턴 형성 공정에서 감도가 향상되고, 정공 주입 수송층 표면의 잔류 유기 성분이 적어짐으로써 박막 계면의 밀착성이 향상되고, 소자 특성이 향상된다는 점에서 바람직하다. n은 2 내지 10의 정수, 나아가서는 4 내지 6의 정수인 것이 바람직하다. m은 0 내지 10의 정수, 나아가서는 2 내지 8의 정수인 것이 바람직하다.Among them, the fluorinated alkyl group represented by C n F 2n + C m H 2m - [m is an integer of 0 to 20, n is an integer of 1 to 20 and m + n is 1 to 30] And when m is 1 or more, it is preferable to bond C m H 2m rather than directly to C n F 2n + 1 in the case of binding to another element such as an ether bond, because the stability of the compound is enhanced . On the other hand, when bonding to C n F 2n + 1 directly in the case of bonding to other elements such as an ether bond, the fluorine organic compound is easily decomposed by energy irradiation, so that the sensitivity is improved in the wettability change pattern forming step, The residual organic component of the thin film is decreased, so that the adhesion of the thin film interface is improved and the device characteristics are improved. n is preferably an integer of 2 to 10, and more preferably an integer of 4 to 6. m is an integer of 0 to 10, and more preferably an integer of 2 to 8.
상기 불소화 알킬기의 불소화율(알킬기 중의 불소 원자의 비율)은 바람직하게는 50 내지 100%, 더욱 바람직하게는 80 내지 100%이며, 특히 수소 원자를 모두 불소 원자로 치환한 퍼플루오로알킬기가 높은 발유성을 발현시킨다는 점에서 바람직하다.The fluorine-containing alkyl group preferably has a fluorine atom (fluorine atom content in the alkyl group) of preferably 50 to 100%, more preferably 80 to 100%. In particular, the fluorine- Is expressed.
또한, 방향족 탄화수소 및/또는 복소환을 포함하는 불소 함유 유기 화합물은, 불소 함유 유기 화합물의 비점을 올릴 수 있다는 점에서 바람직하다. 예를 들어, 본 발명의 불소 함유 유기 화합물이 부착되어 있는 정공 주입 수송층용 디바이스 재료의 합성 온도의 제약을 확장시킬 수 있거나, 디바이스를 제작하는 경우의 고온 프로세스 온도를 높게 설정 가능하다는 이점이 있다.Further, the fluorine-containing organic compound containing an aromatic hydrocarbon and / or a heterocycle is preferable in that the boiling point of the fluorine-containing organic compound can be raised. For example, there is an advantage that it is possible to extend the restriction of the synthesis temperature of a device material for a hole injection transport layer to which the fluorine-containing organic compound of the present invention is adhered, or to set a high-temperature process temperature in the case of manufacturing a device.
또한, 방향족 탄화수소 및/또는 복소환은 전하 수송성을 갖는 경우가 많기 때문에, 방향족 탄화수소 및/또는 복소환을 포함하는 불소 함유 유기 화합물에 의해 제작한 정공 주입 수송층 중의 전하 이동도를 높게 유지할 수 있어 저전압화를 비롯한 고효율화에 대하여 이점이 있다. 후술하는 불소 함유 유기 화합물을 분해하는 처리에 의해 막의 표층부의 불소 함유 유기 화합물은 제거되지만, 막의 내부에는 방향족 탄화수소 및/또는 복소환을 포함하는 불소 함유 유기 화합물이 남기 때문에, 전하 수송성이 높은 것이 고효율화에 기여할 수 있다.In addition, since the aromatic hydrocarbon and / or heterocyclic ring often has charge transportability, it is possible to maintain the charge mobility in the hole injection and transport layer formed by the fluorine-containing organic compound containing an aromatic hydrocarbon and / or a heterocycle high, There is an advantage in terms of high efficiency such as fire. The fluorine-containing organic compound in the surface layer of the film is removed by the treatment for decomposing the fluorine-containing organic compound to be described later, but since the fluorine-containing organic compound containing an aromatic hydrocarbon and / or a heterocyclic ring remains in the inside of the film, . ≪ / RTI >
또한, 예를 들어 유기 EL 소자 등의 유기 디바이스의 각 층에는 통상 방향족 탄화수소 및/또는 복소환 전하 수송성 재료가 포함되기 때문에, 인접하는 유기층과 정공 주입 수송층의 밀착성의 향상을 고려하면 방향족 탄화수소 및/또는 복소환의 구조를 포함하는 것이 장구동 수명화에 기여한다는 점에서 바람직하다.Further, since each layer of an organic device such as an organic EL device usually includes an aromatic hydrocarbon and / or a heterocyclic charge transporting material, considering the improvement in adhesion between the adjacent organic layer and the hole injection transporting layer, the aromatic hydrocarbon and / Or a structure of a heterocyclic ring is preferable in that it contributes to long drive life.
불소화 알킬기의 예로서는, 하기 구조를 들 수 있다.Examples of the fluorinated alkyl group include the following structures.
CF3-, CF3CF2-, CHF2CF2-, CF3(CF2)2-, CF3(CF2)3-, CF3(CF2)4-, CF3(CF2)5-, CF3(CF2)6-, CF3(CF2)7-, CF3(CF2)8-, CF3(CF2)9-, CF3(CF2)11-, CF3(CF2)15-, CF3CH2CH2-, CF3CF2CH2CH2-, CHF2CF2CH2CH2-, CF3(CF2)2CH2CH2-, CF3(CF2)3CH2CH2-, CF3(CF2)4CH2CH2-, CF3(CF2)5CH2CH2-, CF3(CF2)6CH2CH2-, CF3(CF2)7CH2CH2-, CF3(CF2)8CH2CH2-, CF3(CF2)9CH2CH2-, CF3(CF2)11CH2CH2-, CF3(CF2)15CH2CH2-, CF3(CF2)5O(CF3)CF-, CF3(CF2)2O(CF3)CFCF2O(CF3)CF-, CF3(CF2)2O(CF3)CFCF2O(CF3)CFCF2O(CF3)CFCF2O(CF3)CF-, CF3(CF2)5O(CF3)CF-. 이상, 직쇄 구조를 예시하였지만, 이소프로필기 등 분지 구조여도 좋다. CF 3 -, CF 3 CF 2 -, CHF 2 CF 2 -, CF 3 (CF 2) 2 -, CF 3 (CF 2) 3 -, CF 3 (CF 2) 4 -, CF 3 (CF 2) 5 -, CF 3 (CF 2) 6 -, CF 3 (CF 2) 7 -, CF 3 (CF 2) 8 -, CF 3 (CF 2) 9 -, CF 3 (CF 2) 11 -, CF 3 ( CF 2) 15 -, CF 3 CH 2 CH 2 -, CF 3 CF 2 CH 2 CH 2 -, CHF 2 CF 2 CH 2 CH 2 -, CF 3 (CF 2) 2 CH 2 CH 2 -, CF 3 ( CF 2) 3 CH 2 CH 2 -, CF 3 (CF 2) 4 CH 2 CH 2 -, CF 3 (CF 2) 5 CH 2 CH 2 -, CF 3 (CF 2) 6 CH 2 CH 2 -, CF 3 (CF 2) 7 CH 2 CH 2 -, CF 3 (CF 2) 8 CH 2 CH 2 -, CF 3 (CF 2) 9 CH 2 CH 2 -, CF 3 (CF 2) 11 CH 2 CH 2 - , CF 3 (CF 2) 15 CH 2 CH 2 -, CF 3 (CF 2) 5 O (CF 3) CF-, CF 3 (CF 2) 2 O (CF 3) CFCF 2 O (CF 3) CF- , CF 3 (CF 2) 2 O (CF 3) CFCF 2 O (CF 3) CFCF 2 O (CF 3) CFCF 2 O (CF 3) CF-, CF 3 (CF 2) 5 O (CF 3) CF -. Although the straight chain structure has been exemplified above, it may be branched structure such as isopropyl group.
방향족 탄화수소 및/또는 복소환을 포함하는 불소 함유 유기 화합물의 예로서는, 펜타플루오로페닐기, 2,3,5,6-테트라플루오로페닐기, 3,4,5-트리플루오로페닐기, 2,4-디플루오로페닐기, 3,4-디플루오로페닐기, 3,5-디플루오로페닐기, 노나플루오로비페닐기, α,α,α,2,3,5,6-헵타플루오로-p-톨릴기, 헵타플루오로나프틸기, (트리플루오로메틸)페닐기, 3,5-비스(트리플루오로메틸)페닐기, 펜타플루오로페닐메틸기, 2,3,5,6-테트라플루오로페닐메틸기, 3,4,5-트리플루오로페닐메틸기, 2,4-디플루오로페닐메틸기, 3,4-디플루오로페닐메틸기, 3,5-디플루오로페닐메틸기, 노나플루오로비페닐메틸기, α,α,α,2,3,5,6-헵타플루오로-p-톨릴 메틸기, 헵타플루오로나프틸메틸기, (트리플루오로메틸)페닐메틸기, 3,5-비스(트리플루오로메틸)페닐메틸기, 4,4',4"-트리플루오로트리틸기 등을 들 수 있다.Examples of the fluorine-containing organic compound containing an aromatic hydrocarbon and / or a heterocycle include a pentafluorophenyl group, a 2,3,5,6-tetrafluorophenyl group, a 3,4,5-trifluorophenyl group, a 2,4- Difluorophenyl group, 3,4-difluorophenyl group, 3,5-difluorophenyl group, nonafluorobiphenyl group,?,?,?, 2,3,5,6-heptafluoro-p- (Trifluoromethyl) phenyl group, 3,5-bis (trifluoromethyl) phenyl group, pentafluorophenylmethyl group, 2,3,5,6-tetrafluorophenylmethyl group, Difluorophenylmethyl group, nonafluorobiphenylmethyl group,?,?,?,?,?,?, And? (trifluoromethyl) phenylmethyl group, 3,5-bis (trifluoromethyl) phenylmethyl group, 4,6-heptafluoro-p-tolylamethyl group, heptafluoronaphthylmethyl group, , 4 ', 4 "-trifluorotrityl group and the like The can.
불소 함유 유기 화합물로서는, 유기-전이 금속 산화물 복합체의 표면 보호와 분산 안정성의 관점에서 유기-전이 금속 산화물 복합체의 표면에 전이 금속 및/또는 전이 금속 화합물과 연결하는 작용을 발생하는 연결기를 사용하여 부착되어 있는 것이 바람직하다. 즉, 불소 함유 유기 화합물의 말단에 연결기가 포함되는 보호제에 의해 유기-전이 금속 산화물 복합체의 표면에 불소 함유 유기 화합물이 부착되어 있는 것이 바람직하다.As the fluorine-containing organic compound, from the viewpoints of surface protection and dispersion stability of the organic-transition metal oxide composite, it is preferable to use a linking group that generates an action to link the transition metal and / or the transition metal compound to the surface of the organic- . That is, it is preferable that the fluorine-containing organic compound is attached to the surface of the organic-transition metal oxide composite by a protective agent containing a linking group at the terminal of the fluorine-containing organic compound.
연결기로서는, 전이 금속 및/또는 전이 금속 화합물과 연결하는 작용을 가지면 특별히 한정되지 않는다. 연결에는, 흡착이나 배위도 포함되지만, 이온 결합, 공유 결합 등의 화학 결합인 것이 바람직하다. 보호제 중의 연결기의 수는 분자 내에 1개 이상이면 몇 개여도 좋다. 그러나, 용액으로의 용해성이나 분산 안정성, 발유성의 발현성을 고려하면, 연결기는 보호제의 1 분자 내에 1개인 것이 바람직하다. 연결기의 수가 1 분자 내에 1개인 경우에는, 보호제는 유기-전이 금속 산화물 복합체와 결합하거나 2 분자 반응으로 2량체를 형성하여 반응이 정지된다. 당해 2량체에 대해서는, 유기-전이 금속 산화물 복합체와의 밀착성이 약하기 때문에, 유기-전이 금속 산화물 복합체의 제조 공정에 세정 제거하는 공정을 부여하면 용이하게 제거할 수 있다. 또한, 연결기의 수가 1 분자 내에 2개 이상 존재하면 나노 입자끼리 연결되어 잉크 중에서 입자가 응집되기 쉬워질 우려가 있다.The linking group is not particularly limited as long as it has an action of linking with a transition metal and / or a transition metal compound. The connection includes adsorption and coordination, but is preferably a chemical bond such as ionic bond or covalent bond. The number of the linking groups in the protecting agent may be one or more in the molecule. However, in consideration of the solubility in solution, dispersion stability and oil repellency, it is preferable that the linking group is one in one molecule of the protecting agent. When the number of the linking groups is one in one molecule, the protective agent binds to the organic-transition metal oxide complex or the dimer is formed by a two-molecule reaction to stop the reaction. Since the dimer has weak adhesion with the organic-transition metal oxide composite, it can be easily removed by providing a step of washing and removing in the production process of the organic-transition metal oxide composite. If there are two or more linking groups in one molecule, the nanoparticles may be connected to each other, and particles may easily aggregate in the ink.
연결기로서는, 예를 들어 카르복실기, 아미노기, 수산기, 티올기, 알데히드 기, 술폰산기, 아미드기, 술폰아미드기, 인산기, 포스핀산기, P=O기 등의 친수성기 또는 암모늄염, 이미다졸륨염, 피리디늄염, 술포늄염, 포스포늄염, 모르폴리늄염, 피페리디늄염 등의 이온성 액체 등을 들 수 있다. 연결기로서는, 이하의 화학식 (1a) 내지 (1n)으로 표시되는 관능기로부터 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하다.Examples of the linking group include a hydrophilic group or an ammonium salt such as a carboxyl group, an amino group, a hydroxyl group, a thiol group, an aldehyde group, a sulfonic acid group, an amide group, a sulfonamide group, a phosphoric acid group, a phosphinic acid group and a P = O group, an imidazolium salt, And ionic liquids such as sulfonium salts, sulfonium salts, phosphonium salts, morpholinium salts and piperidinium salts. The linking group is preferably at least one selected from the functional groups represented by the following formulas (1a) to (1n).
(식 중, Z1, Z2 및 Z3은 각각 독립적으로 할로겐 원자 또는 알콕시기를 나타냄)(Wherein Z 1 , Z 2 and Z 3 each independently represents a halogen atom or an alkoxy group)
본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료에 적절하게 사용되는 불소 함유 유기 화합물의 말단에 연결기가 포함되는 보호제로서는, 예를 들어 하기 화학식 I로 표시되는 보호제를 들 수 있다.Examples of the protective agent containing a linking group at the terminal of the fluorine-containing organic compound suitably used for the device material for a hole injection and transport layer according to the present invention include a protective agent represented by the following general formula (I).
<화학식 I>(I)
(화학식 I에 있어서, Y는 상기 연결기를 나타내고, Q는 직쇄, 분지 또는 환상의 지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기, 지방족 복소환기, 방향족 복소환기 또는 이들의 조합, 또는 직접 결합을 나타내고, A 및 A'은 각각 독립적으로 -NH-, -N=, -S-, -O-, -NH(C=O)-, -O-(C=O)-, -O-(SO2)-, -O-(C=O)-O-, -S-(C=O)-O-, -SiR2-(C=O)-O-, -SiR2- 또는 직접 결합을 나타내고, 당해 R은 수소 또는 직쇄, 분지 또는 환상의 지방족 탄화수소기를 나타내고, FQ 및 FQ'은 각각 독립적으로 상기 불소 함유 유기 화합물을 나타내고, n은 0 또는 1 이상의 정수임)(Wherein Y represents the above linking group and Q represents a straight chain, branched or cyclic aliphatic hydrocarbon group, aromatic hydrocarbon group, aliphatic heterocyclic group, aromatic heterocyclic group, or a combination thereof or a direct bond, A and A 'are each independently a -NH-, -N =, -S-, -O- , -NH (C = O) -, -O- (C = O) -, -O- (SO 2) -, - (C = O) -O-, -S- (C = O) -O-, -SiR 2 - (C = O) -O-, -SiR 2 - or a direct bond, Branched or cyclic aliphatic hydrocarbon group, FQ and FQ 'each independently represent the fluorine-containing organic compound, and n is 0 or an integer of 1 or more)
상기 A 및/또는 A'이 -NH-, -N=, -S-, -O-, -NH(C=O)-, -O-(C=O)-, -O-(SO2)-, -O-(C=O)-O-, -S-(C=O)-O-, -SiR2-(C=O)-O-, -SiR2-인 경우에는, 에너지 조사에 의해 A 및/또는 A'의 부분에서 절단되기 쉽고, FQ로 표시되는 불소 유기 화합물이 분해되기 쉽기 때문에, 습윤성 변화 패턴 형성 공정의 감도가 향상된다는 점에서 바람직하다.Wherein A and / or A 'are -NH-, -N =, -S-, -O- , -NH (C = O) -, -O- (C = O) -, -O- (SO 2) -, -O- (C = O) -O-, -S- (C = O) -O-, -SiR 2 - (C = O) -O- or -SiR 2 - Is easily cleaved at the A and / or A 'portion, and the fluorine organic compound represented by FQ is easily decomposed, so that the sensitivity of the wettability change pattern forming step is improved.
또한, Q가 방향족 탄화수소기나 방향족 복소환기를 포함하는 경우에는, 정공 주입 수송층에 있어서의 전하 이동도를 높이는 것에 기여할 수 있기 때문에, 저전압화를 비롯한 고효율화에 대하여 이점이 있다. 후술하는 불소 함유 유기 화합물을 분해하는 처리에 의해 A 및/또는 A'에 있어서 절단되는 경우에는, 불소 함유 유기 화합물 FQ는 분해 제거되지만, 방향족 탄화수소 및/또는 복소환을 포함하는 Q의 부분은 유기-전이 금속 산화물 복합체의 표면에 남기 때문에, Q가 전하 수송성이 높은 경우에는 디바이스의 고효율화에 기여할 수 있다.When Q contains an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group, since Q can contribute to enhancement of charge mobility in the hole injecting and transporting layer, there is an advantage in high efficiency including low voltage. When the fluorine-containing organic compound FQ is decomposed and removed in the case of A and / or A 'being cleaved by the treatment for decomposing the fluorine-containing organic compound described later, the portion of Q containing an aromatic hydrocarbon and / -Transition metal oxide complex, Q can contribute to higher efficiency of the device when the charge transporting property is high.
FQ는 1가의 불소 함유 유기 화합물기이며, FQ'은 2가의 불소 함유 유기 화합물기이다.FQ is a monovalent fluorine-containing organic compound group, and FQ 'is a divalent fluorine-containing organic compound group.
n이 1 이상인 경우에는 에너지 조사에 의해 A'의 부분에서 절단되기 쉽고, FQ로 표시되는 불소 유기 화합물이 분해되기 쉬워진다. n이 1 이상인 경우로서는, 예를 들어 -O-(CH2)p-O-(CH2)2-(CF2)q-CF3 등을 들 수 있다.When n is 1 or more, it is likely to be cleaved at the A 'portion by energy irradiation, and the fluorine organic compound represented by FQ tends to be decomposed. The case where n is 1 or more includes, for example, -O- (CH 2 ) p -O- (CH 2 ) 2 - (CF 2 ) q -CF 3 .
n은 5 이하인 것이 바람직하고, 4 이하인 것이 분해 속도가 빨라진다는 점에서 바람직하다.n is preferably not more than 5, and preferably not more than 4 because the decomposition rate is increased.
상기 화학식 I로 표시되는 보호제로서는, 예를 들어 이하의 구조를 들 수 있지만 이들로 한정되는 것은 아니다.Examples of the protective agent represented by the above formula (I) include, but are not limited to, the following structures.
(n 및 n'은 1 내지 5의 정수, m 및 m'은 0 또는 1 내지 5의 정수, l은 0 또는 1 내지 5의 정수이고, Y는 상기 화학식 (1a) 내지 (1n)으로 표시되는 관능기 중 어느 하나임)(wherein n and n 'are integers of 1 to 5, m and m' are 0 or an integer of 1 to 5, 1 is 0 or an integer of 1 to 5, and Y is a group represented by the above formulas (1a) to Functional group)
또한, 표면에 부착된 불소 함유 유기 화합물은 고분자 화합물이어도 사용 가능하지만, 분자량이 1000 이하인 것이 바람직하다. 분자량이 커지면 불소 함유 유기 화합물 1 분자 내의 유기 성분에 대한 연결기의 비율이 작아지기 때문에, 나노 입자와 결합할 확률이 작아져 분산성이 악화되거나, 입경의 균일성의 제어가 어렵거나, 입경이 커질 우려가 있다. 또한, 표면에 부착된 불소 함유 유기 화합물의 분자량이 커지면, 디바이스로 했을 때 잔류하는 유기 성분의 비율이 많아져, 고전압화되는 등 특성에 악영향을 미칠 우려가 있다. 또한, 광촉매 처리할 때에 유기 성분을 분해하는데도 시간이 걸려, 스루풋이 악화될 우려가 있다.The fluorine-containing organic compound attached to the surface may be a polymer compound, but preferably has a molecular weight of 1000 or less. When the molecular weight is increased, the ratio of the linking group to the organic component in one molecule of the fluorine-containing organic compound becomes smaller, so that the probability of bonding with the nanoparticles becomes smaller and the dispersibility becomes worse, the control of the uniformity of the particle diameter becomes difficult, . Further, if the molecular weight of the fluorine-containing organic compound adhered to the surface increases, the proportion of the organic component remaining in the device becomes large, which may adversely affect properties such as high voltage. Further, it takes time to decompose the organic component in the photocatalytic treatment, and the throughput may be deteriorated.
또한, 표면에 부착된 불소 함유 유기 화합물의 분자량은, 분자량 분포를 갖지 않는 경우에는 화합물 그 자체의 분자량을 의미하고, 분자량 분포를 갖는 경우에는 겔 침투 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정한 폴리스티렌 환산값인 중량 평균 분자량을 의미한다.The molecular weight of the fluorine-containing organic compound adhered to the surface means the molecular weight of the compound itself when it has no molecular weight distribution, and the polystyrene reduced value measured by gel permeation chromatography (GPC) Means the weight average molecular weight.
본 발명의 정공 주입 수송층용 디바이스 재료에 있어서, 유기 전이 금속 착체의 반응 생성물인 유기-전이 금속 산화물 복합체와, 그 표면에 부착되어 있는 불소 함유 유기 화합물을 포함하는 유기 화합물과의 함유 비율은 적절하게 선택되며, 특별히 한정되지 않지만, 유기-전이 금속 산화물 복합체에 있어서는 전이 금속 원자 100중량부에 대하여 표면에 부착되어 있는 불소 원자가 10 내지 200중량부로 투입되는 것이 바람직하다. 또한, 유기-전이 금속 산화물 복합체에 있어서, 전이 금속 원자와 표면에 부착되어 있는 불소 원자와의 몰비가 5:1 내지 1:5인 것이 바람직하다. 또한, 유기-전이 금속 산화물 복합체에 있어서, 전이 금속 원자와 탄소 원자와의 몰비가 1:2 내지 1:200, 나아가서는 1:5 내지 1:20인 것이 바람직하다. 이들의 비율은, 예를 들어 NMR법이나 X선 광전자 분광법에 의해 구할 수 있다.In the device material for a hole injection and transport layer of the present invention, the content ratio of the organic-transition metal oxide complex, which is the reaction product of the organic transition metal complex, and the organic compound including the fluorine-containing organic compound adhered to the surface thereof, And, although not particularly limited, it is preferable that in the organic-transition metal oxide composite, fluorine atoms attached to the surface are added in an amount of 10 to 200 parts by weight based on 100 parts by weight of transition metal atoms. In the organic-transition metal oxide composite, the molar ratio of the transition metal atom to the fluorine atoms attached to the surface is preferably 5: 1 to 1: 5. In the organic-transition metal oxide composite, the molar ratio of the transition metal atom to the carbon atom is preferably 1: 2 to 1: 200, more preferably 1: 5 to 1:20. These ratios can be obtained by, for example, NMR or X-ray photoelectron spectroscopy.
또한, 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료에 있어서, 표면에 부착되어 있는 불소 함유 유기 화합물의 양은 당해 정공 주입 수송층용 디바이스 재료를 사용하여 형성된 층의 발액성에 대한 요구에 대하여 적절하게 선택하여도 좋다.The amount of the fluorine-containing organic compound adhering to the surface of the device material for the hole injection transport layer according to the present invention is appropriately selected depending on the requirement for the liquid repellency of the layer formed using the device material for the hole injection transport layer It is also good.
예를 들어, 표면 장력 28.5mN/m의 액체의 접촉각이 25° 이상이 되도록, 보다 바람직하게는 45° 이상, 더욱 바람직하게는 55° 이상이 되도록 선택하는 것을 들 수 있다.For example, the contact angle of the liquid having a surface tension of 28.5 mN / m is selected to be 25 ° or more, more preferably 45 ° or more, furthermore preferably 55 ° or more.
본 발명에서 사용되는 정공 주입 수송층용 디바이스 재료의 제조 방법은, 상술한 유기 전이 금속 착체의 반응 생성물인 유기-전이 금속 산화물 복합체의 표면에 불소 함유 유기 화합물이 부착된 재료를 얻을 수 있는 방법이면 특별히 한정되는 것은 아니다. 불소 함유 유기 화합물이 표면에 부착된 유기-전이 금속 산화물 복합체의 제법으로서는, 예를 들어 유기 전이 금속 착체와, 불소 함유 유기 화합물의 말단에 연결기를 갖는 보호제를 산소 존재하에 유기 용매, 바람직하게는 상기 카르보닐기 및/또는 수산기를 갖는 유기 용매 중에서 반응시키는 방법 등을 들 수 있다. 또는, 유기 전이 금속 착체를 산소 존재하에 유기 용매, 바람직하게는 상기 카르보닐기 및/또는 수산기를 갖는 유기 용매 중에서 반응시켜 유기-전이 금속 산화물 복합체를 얻고, 유기 용매 중에서 당해 유기-전이 금속 산화물 복합체와 불소 함유 유기 화합물의 말단에 연결기를 갖는 보호제를 작용시켜, 유기-전이 금속 산화물 복합체의 표면에 불소 함유 유기 화합물이 부착된 재료를 얻어도 좋다.The method for producing a device material for a hole injection and transport layer used in the present invention is not particularly limited as long as it is a method capable of obtaining a material in which a fluorine-containing organic compound is attached to the surface of an organic-transition metal oxide composite which is a reaction product of the organic transition metal complex But is not limited thereto. The organic-transition metal oxide complex in which the fluorine-containing organic compound is attached to the surface includes, for example, an organic transition metal complex and a protective agent having a linking group at the terminal of the fluorine-containing organic compound in an organic solvent, In an organic solvent having a carbonyl group and / or a hydroxyl group. Alternatively, the organic transition metal complex may be reacted in the presence of oxygen in an organic solvent, preferably an organic solvent having a carbonyl group and / or a hydroxyl group to obtain an organic-transition metal oxide complex, and the organic-transition metal oxide complex and fluorine Containing organic compound is allowed to act on the surface of the organic-transition metal oxide composite by reacting a protective agent having a linking group at the terminal of the organic-transition metal oxide complex.
II. 정공 주입 수송층용 잉크II. Ink for hole injection transport layer
본 발명에 관한 제1 형태의 정공 주입 수송층 형성용 잉크는, 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료와, 유기 용매를 함유하는 것을 특징으로 한다.The first embodiment of the ink for forming a hole injection transport layer according to the present invention is characterized by containing a device material for a hole injection transport layer according to the present invention and an organic solvent.
본 발명에 관한 제2 형태의 정공 주입 수송층 형성용 잉크는, 유기 전이 금속 착체의 반응 생성물인 유기-전이 금속 산화물 복합체와, 전이 금속 및/또는 전이 금속 산화물과 연결하는 작용을 발생하는 연결기를 포함하는 불소 함유 유기 화합물과, 유기 용매를 함유하는 것을 특징으로 한다.The second embodiment of the ink for forming a hole injection transport layer according to the present invention includes an organic-transition metal oxide complex which is a reaction product of an organic transition metal complex and a linking group which generates an action of linking with a transition metal and / or a transition metal oxide Containing organic compound and an organic solvent.
본 발명에 관한 제3 형태의 정공 주입 수송층 형성용 잉크는, 유기 전이 금속 착체와, 전이 금속 및/또는 전이 금속 산화물과 연결하는 작용을 발생하는 연결기를 포함하는 불소 함유 유기 화합물과, 카르보닐기 및/또는 수산기를 갖는 유기 용매를 함유하는 것을 특징으로 한다.The third embodiment of the ink for forming a hole injection transport layer according to the present invention is characterized in that it contains an organic transition metal complex and a fluorine-containing organic compound containing a linking group which generates an action of linking with a transition metal and / or a transition metal oxide, Or an organic solvent having a hydroxyl group.
상기 제2 및 제3 형태의 정공 주입 수송층 형성용 잉크는, 정공 주입 수송층을 형성하는 과정, 예를 들어 정공 주입 수송층 형성용 잉크(도포 용액) 중, 또는 층 형성시 또는 층 형성 후에 있어서 가열시, 광조사시, 소자 구동시 등에 행해지는 반응에 의해 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료인, 유기 전이 금속 착체의 반응 생성물인 유기-전이 금속 산화물 복합체에 불소 함유 유기 화합물이 부착되어 있는 재료를 생성할 수 있다.The second and third embodiments of the ink for forming a hole injection transport layer can be used in the process of forming the hole injection transport layer, for example, in the ink for forming a hole injection transport layer (coating solution) , A fluorine-containing organic compound is attached to the organic-transition metal oxide complex which is a reaction product of an organic transition metal complex, which is a device material for a hole injection and transport layer according to the present invention, upon reaction at the time of light irradiation, Material can be generated.
본 발명에 관한 정공 주입 수송층 형성용 잉크는, 필요에 따라 또 다른 화합물을 포함하고 있어도 좋다. 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료와 유기 용매에, 예를 들어 후술하는 바와 같은 정공 수송성 화합물 및 정공의 트랩이 되지 않는 바인더 수지나 도포성 개량제 등의 첨가제를 첨가하고, 용해 내지 분산시켜 정공 주입 수송층 형성용 잉크를 제조하여도 좋다.The ink for forming a positive hole injection transport layer according to the present invention may contain another compound as necessary. An additive such as a binder resin or a coating improver that does not become a trap of a hole-transporting compound and a hole as described later is added to the device material and the organic solvent for the hole injection and transport layer according to the present invention and dissolved or dispersed An ink for forming a hole injection transport layer may be produced.
상기 제1 및 제2 형태의 잉크에 사용되는 유기 용매로서는, 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료, 또는 유기 전이 금속 착체의 반응 생성물인 유기-전이 금속 산화물 복합체와, 전이 금속 및/또는 전이 금속 산화물과 연결하는 작용을 발생하는 연결기를 포함하는 불소 함유 유기 화합물과, 필요에 따라 함유하는 기타 성분이 양호하게 용해 내지 분산되면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 톨루엔, 크실렌, 도데실 벤젠, 시클로헥사논, 시클로헥산올, 테트랄린, 메시틸렌, 아니솔, 염화메틸렌, 테트라히드로푸란, 디클로로에탄, 클로로포름, 벤조산 에틸, 벤조산 부틸, 디페닐 에테르, 시클로헥실벤젠, 1-메틸 나프탈렌 등을 들 수 있다.As the organic solvent used in the first and second types of ink, an organic-transition metal oxide complex which is a reaction product of a device material for a hole injection transport layer according to the present invention or an organic transition metal complex and a transition metal and / There is no particular limitation as long as the fluorine-containing organic compound containing a linking group generating an action of linking with the transition metal oxide and other components contained as necessary are dissolved or dispersed well. Examples thereof include toluene, xylene, dodecylbenzene, Cyclohexanone, tetralin, mesitylene, anisole, methylene chloride, tetrahydrofuran, dichloroethane, chloroform, ethyl benzoate, butyl benzoate, diphenyl ether, cyclohexylbenzene, 1- .
또한, 본 발명에서는, 유기-전이 금속 산화물 복합체의 표면에 불소 함유 유기 화합물이 부착되어 있기 때문에 불소계의 용매가 적절하게 사용된다. 예를 들어, 트리플루오로메틸 벤젠, 헵타플루오로-n-부티르산 에틸, 헵타플루오로-n-부티르산 메틸, 1,1,3,3-헥사플루오로-2-프로판올, 1,1,3,3-헥사플루오로-2-페닐-2-프로판올, 1H,1H-트리플루오로에탄올, 1H,1H,3H-테트라플루오로프로판올, 1H,1H,5H-옥타플루오로펜탄올 등 상기 용매의 전부 또는 일부를 불소화한 것을 사용할 수 있다. 이상의 용매는 단독으로 사용할 수도, 복수를 혼합한 공용매로 하여 사용할 수도 있다.Further, in the present invention, since the fluorine-containing organic compound is attached to the surface of the organic-transition metal oxide composite, a fluorine-based solvent is suitably used. For example, trifluoromethylbenzene, ethyl heptafluoro-n-butyrate, methyl heptafluoro-n-butyrate, 1,1,3,3-hexafluoro-2-propanol, All of the above solvents such as 3-hexafluoro-2-phenyl-2-propanol, 1H, 1H-trifluoroethanol, 1H, 1H, 3H-tetrafluoropropanol, 1H, 1H, Or a partially fluorinated one may be used. The above solvent may be used alone or as a co-solvent in which a plurality of solvents are mixed.
상기 제3 잉크에 사용되는 카르보닐기 및/또는 수산기를 갖는 유기 용매로서는, 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료의 개소에서 설명한 바와 동일한 유기 용매를 사용할 수 있다.As the organic solvent having a carbonyl group and / or a hydroxyl group used in the third ink, the same organic solvent as described in the portion of the device material for a hole injection and transport layer according to the present invention can be used.
상기 제1 형태의 잉크는, 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료와 유기 용매를 혼합하여 제조하여도 좋다. 또한, 유기 전이 금속 착체와, 전이 금속 및/또는 전이 금속 산화물과 연결하는 작용을 발생하는 연결기를 포함하는 불소 함유 유기 화합물을 카르보닐기 및/또는 수산기를 갖는 유기 용매에 용해 내지 분산시키고, 상기 유기 전이 금속 착체 중의 전이 금속을 산화하여, 본 발명에 관한 정공 주입 수송층 형성용 잉크를 얻어도 좋다. 상기 산화시키는 방법으로서는, 산소 존재하에 가열, 또는 광조사하는 방법 등을 들 수 있다.The ink of the first form may be produced by mixing the organic solvent for the hole injection transport layer-related device material according to the present invention. Further, it is also possible to dissolve or disperse a fluorine-containing organic compound containing an organic transition metal complex and a linking group which generates an action of linking with a transition metal and / or a transition metal oxide in an organic solvent having a carbonyl group and / or a hydroxyl group, The transition metal in the metal complex may be oxidized to obtain the positive hole injection transport layer ink of the present invention. Examples of the oxidizing method include heating in the presence of oxygen or light irradiation.
상기 제2 형태의 잉크 중의 유기-전이 금속 산화물 복합체는, 유기 전이 금속 착체를 카르보닐기 및/또는 수산기를 갖는 유기 용매에 용해 내지 분산시키고, 상기 유기 전이 금속 착체 중의 전이 금속을 산화하여 얻는 것이 바람직하다.The organic-transition metal oxide complex in the second type of ink is preferably obtained by dissolving or dispersing an organic transition metal complex in an organic solvent having a carbonyl group and / or a hydroxyl group and oxidizing the transition metal in the organic transition metal complex .
산화하는 방법으로서 가열하는 경우에는, 가열 수단으로서는 핫 플레이트 위에서 가열하는 방법이나 오븐 중에서 가열하는 방법 등을 들 수 있다. 가열 온도로서는 50 내지 250℃가 바람직하다.In the case of heating as a method of oxidizing, examples of the heating means include a method of heating on a hot plate or a method of heating in an oven. The heating temperature is preferably 50 to 250 占 폚.
산화하는 방법으로서 광조사하는 경우에는, 광조사 수단으로서는 자외선을 노광하는 방법 등을 들 수 있다.In the case of irradiating light as a method of oxidizing, a method of exposing ultraviolet rays may be mentioned as the light irradiating means.
가열 온도, 또는 광조사량에 따라 유기 전이 금속 착체나 유기-전이 금속 산화물 복합체의 상호 작용에 차이가 발생하기 때문에, 적절하게 조절하는 것이 바람직하다.It is preferable to appropriately control the interaction between the organic transition metal complex and the organic-transition metal oxide complex depending on the heating temperature or the light irradiation amount.
본 발명에 관한 정공 주입 수송층 형성용 잉크 중에 있어서의 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료의 함유량은 목적에 따라 적절하게 조정 가능하며, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 잉크 전량 중에 0.1 내지 10.0중량% 정도가 바람직하다.The content of the hole injection transporting layer-related device material according to the present invention in the ink for forming a positive hole injection transport layer according to the present invention can be appropriately adjusted according to the object and is not particularly limited. For example, the content may be 0.1 to 10.0 By weight is preferable.
III. 디바이스의 제조 방법III. Method of manufacturing device
본 발명에 관한 디바이스의 제조 방법의 제1 형태는, 기판 위에 대향하는 2개 이상의 전극과, 그 중 2개의 전극간에 배치된 정공 주입 수송층을 갖는 디바이스의 제조 방법이며, A first aspect of a manufacturing method of a device according to the present invention is a manufacturing method of a device having two or more electrodes opposing to a substrate and a hole injection transport layer disposed between two of the electrodes,
패턴 형상으로 제1 전극층이 형성된 기판 위에, 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료를 함유하는 정공 주입 수송층을 형성하는 정공 주입 수송층 형성 공정과, A hole injecting and transporting layer forming step of forming a hole injecting and transporting layer containing a device material for a hole injecting and transporting layer according to the present invention on a substrate having a first electrode layer formed in a pattern shape,
기체 위에 적어도 광촉매를 함유하는 광촉매 함유층이 형성되어 있는 광촉매 함유층 기판을 상기 정공 주입 수송층에 대하여 에너지 조사에 동반되는 광촉매의 작용이 미칠 수 있는 간극을 두고 배치한 후, 패턴 형상으로 에너지 조사함으로써, 상기 정공 주입 수송층 표면에 습윤성이 변화된 습윤성 변화 패턴을 형성하는 습윤성 변화 패턴 형성 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.A photocatalyst-containing layer substrate on which a photocatalyst-containing layer containing at least a photocatalyst is formed on a substrate is disposed on the hole injection and transport layer with a gap that can act as a photocatalyst accompanied by energy irradiation, And a wettability change pattern forming step of forming a wettability change pattern in which the wettability is changed on the surface of the hole injection transport layer.
또한, 본 발명에 관한 디바이스의 제조 방법의 제2 형태는, 기판 위에 대향하는 2개 이상의 전극과, 그 중 2개의 전극간에 배치된 정공 주입 수송층을 갖는 디바이스의 제조 방법이며, A second aspect of a method of manufacturing a device according to the present invention is a method of manufacturing a device having two or more electrodes opposing to a substrate and a hole injecting and transporting layer disposed between two of the electrodes,
패턴 형상으로 전극층이 형성된 기판 위에, 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료를 함유하는 정공 주입 수송층을 형성하는 정공 주입 수송층 형성 공정과, A hole injecting and transporting layer forming step of forming a hole injecting and transporting layer containing a device material for a hole injecting and transporting layer according to the present invention on a substrate having an electrode layer formed in a pattern shape;
패턴 형상으로 진공 자외선을 조사함으로써, 상기 정공 주입 수송층 표면에 습윤성이 변화된 습윤성 변화 패턴을 형성하는 습윤성 변화 패턴 형성 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.And a wettability change pattern forming step of forming a wettability change pattern whose wettability is changed on the surface of the hole injection transport layer by irradiating vacuum ultraviolet rays in a pattern shape.
본 발명에 따르면, 정공 주입 수송층이 발액성의 불소 함유 유기 화합물이 부착되어 있는 재료를 함유하기 때문에, 광촉매의 작용 또는 진공 자외선의 조사에 의해 이 불소 함유 유기 화합물이 분해되어 불소가 제거됨으로써, 에너지의 조사 부분과 미조사 부분에서 습윤성에 큰 차를 발생시킬 수 있다. 습윤성이 변화될 수 있는 정공 주입 수송층에, 광촉매 함유 층을 개재하여 에너지를 조사 또는 진공 자외선을 조사함으로써 습윤성 변화 패턴을 형성하고, 이 습윤성 변화 패턴의 습윤성의 차이를 이용함으로써 용이하게 당해 정공 주입 수송층 위에 디바이스에 필요한 패턴 형상의 디바이스층을 도포법에 의해 적층할 수 있다.According to the present invention, since the hole injecting and transporting layer contains a material to which a liquid-repellent fluorine-containing organic compound is adhered, the fluorine-containing organic compound is decomposed by the action of a photocatalyst or irradiation of vacuum ultraviolet rays to remove fluorine, It is possible to generate a large difference in wettability between the irradiated portion and the unirradiated portion. A wettability change pattern is formed by irradiating energy or irradiating vacuum ultraviolet rays through a photocatalyst-containing layer to a hole injection transport layer whose wettability can be changed, and by utilizing the difference in wettability of the wettability change pattern, A device layer having a pattern shape necessary for the device can be laminated on the substrate by a coating method.
본 발명에 따르면, 정공 주입 수송층에 함유되는 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료 중에 포함되는 유기-전이 금속 산화물 복합체가 습윤성 변화 패턴 형성 공정에 사용되는 자외광에 내성을 갖기 때문에, 우수한 정공 주입 수송성이 습윤성 변화 패턴 형성 공정을 거쳐도 열화되지 않고, 손상되지 않는다는 장점을 갖는다. 또한, 광촉매 처리 등의 습윤성 변화 패턴 형성 공정을 거침으로써, 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료는 이온화 포텐셜이 커지고, 정공 주입성이 향상된다. 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료는 내열성이나 내광성이 높아 열화되기 어렵고, 습윤성 변화 패턴 형성 공정을 거침으로써 정공 주입성이 향상되기 때문에, 본 발명의 제조 방법으로 제조된 디바이스는 수명도 향상된다.According to the present invention, since the organic-transition metal oxide complex contained in the hole injection transport layer-related device material of the present invention contained in the hole injection transport layer has resistance to ultraviolet light used in the wettability change pattern formation process, It has an advantage that the injection transportability is not deteriorated even through the wettability change pattern forming step and is not damaged. Further, by passing through the wettability change pattern formation step such as photocatalytic treatment, the device material for the hole injection transport layer according to the present invention has an increased ionization potential and an improved hole injection property. The device material for a hole injection and transport layer according to the present invention has a high heat resistance and light resistance and is therefore hard to deteriorate and the hole injecting property is improved by passing through the wettability change pattern forming step so that the device manufactured by the manufacturing method of the present invention has an improved lifetime .
또한, 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료는, 비교적 고온 (예를 들어 200℃)의 가열에도 내성이 있기 때문에 가열 프로세스시에 습윤성 변화 패턴이 손상되지 않고, 정공 주입 수송층 위에 몇 층이나 패턴 형상으로 적층하는 공정을 행할 수 있다.Further, since the device material for the hole injection transport layer according to the present invention is resistant to heating at a relatively high temperature (for example, 200 DEG C), the wettability change pattern is not impaired during the heating process, Can be performed.
본 발명에 관한 디바이스는, 기판 위에 대향하는 2개 이상의 전극과, 그 중 2개의 전극간에 배치된 정공 주입 수송층을 갖는 디바이스이다.A device according to the present invention is a device having two or more electrodes opposed to each other on a substrate and a hole injecting and transporting layer disposed between two of the electrodes.
본 발명에 관한 디바이스에는, 유기 EL 소자, 유기 트랜지스터, 색소 증감 태양 전지, 유기 박막 태양 전지, 유기 반도체를 포함하는 유기 디바이스 이외에, 정공 주입 수송층을 갖는 양자 도트 발광 소자, 산화물계 화합물 태양 전지 등도 포함된다.The device according to the present invention also includes a quantum dot light emitting element having a hole injecting and transporting layer, an oxide compound solar cell, and the like in addition to organic devices including organic EL elements, organic transistors, dye-sensitized solar cells, organic thin film solar cells and organic semiconductors do.
본 발명의 디바이스의 제조 방법에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다.A method of manufacturing a device of the present invention will be described with reference to the drawings.
도 1의 (A) 내지 (C)는, 본 발명의 디바이스의 제조 방법의 일례를 도시하는 공정도이다. 우선, 도 1의 (A)에 도시한 바와 같이, 기판(2) 위에 제1 전극층(3)을 패턴 형상으로 형성하고, 이 제1 전극층(3) 위에 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료를 함유하는 정공 주입 수송층(4)을 형성한다(정공 주입 수송층 형성 공정). 이어서, 도 1의 (B)에 도시한 바와 같이, 기체(22)와, 이 기체(22) 위에 패턴 형상으로 형성된 차광부(23)와, 차광부(23)를 덮도록 기체(22) 위에 형성되며, 광촉매를 함유하는 광촉매 함유층(24)을 갖는 광촉매 함유층 기판(21)을 준비한다. 이어서, 광촉매 함유층 기판(21)을 정공 주입 수송층(4)에 대하여 에너지 조사에 동반되는 광촉매의 작용이 미칠 수 있는 간극을 두고 배치한 후, 광촉매 함유층 기판(21)을 개재하여 정공 주입 수송층(4)에 대하여 패턴 형상으로 에너지선(27)을 조사한다. 에너지선(27)의 조사에 의해, 도 1의 (C)에 도시한 바와 같이 광촉매 함유층(24)에 함유되는 광촉매의 작용으로부터 정공 주입 수송층(4)의 노광부에서는, 정공 주입 수송층(4)의 적어도 표층부의 정공 주입 수송층 디바이스 재료의 표면에 존재하는 불소 함유 유기 화합물이 분해 제거된 정공 주입 수송층의 불소 분해부(5)가 형성되고, 정공 주입 수송층(4)의 노광부의 표면에 친액성 영역(11)이 형성된다. 한편, 정공 주입 수송층(4)의 미노광부에서는, 정공 주입 수송층(4)의 표층부의 정공 주입 수송층 디바이스 재료의 표면에 존재하는 불소 함유 유기 화합물이 그대로 남아서 발액성 영역(12)이 된다(습윤성 변화 패턴 형성 공정). 이와 같이 하여, 디바이스용 기판(1)이 얻어진다. 그 후, 디바이스용 기판(1) 위의 친액성 영역(11) 위에 적어도 디바이스에 필요한 패턴 형상의 층을 적층하고, 제2 전극층을 적층하여 디바이스를 제조할 수 있다.1 (A) to 1 (C) are process drawings showing an example of a manufacturing method of a device of the present invention. First, as shown in Fig. 1A, a
도 2의 (A) 내지 (C)는, 본 발명의 디바이스의 제조 방법의 다른 예를 도시하는 공정도이다.2 (A) to 2 (C) are process drawings showing another example of a manufacturing method of a device of the present invention.
우선, 도 2의 (A)에 도시한 바와 같이, 기판(2) 위에 제1 전극층(3)을 패턴 형상으로 형성하고, 패턴의 개구부에 구획부(격벽(6a))를 형성하고, 제1 전극층(3) 및 구획부(격벽(6a)) 위에 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료를 함유하는 정공 주입 수송층(4)을 형성한다(정공 주입 수송층 형성 공정). 여기서, 기판(2)이 투광성 기판이며, 상기 구획부(격벽(6a))가 습윤성 변화 패턴 형성 공정에서 조사되는 에너지선을 반사 또는 흡수하는 구획부이다. 이어서, 도 2의 (B)에 도시한 바와 같이 기체(22)와, 이 기체(22) 위에 형성된 광촉매를 함유하는 광촉매 함유층(24)을 갖는 광촉매 함유층 기판(21)을 준비한다. 이어서, 광촉매 함유층 기판(21)을 정공 주입 수송층(4)에 대하여 에너지 조사에 동반되는 광촉매의 작용이 미칠 수 있는 간극을 두고 배치한 후, 투광성 기판인 기판(2)측으로부터 에너지선(27)을 조사한다. 이 형태의 경우, 구획부(격벽(6a))가 에너지선을 반사 또는 흡수하기 때문에, 구획부(격벽(6a))가 형성되어 있지 않은 개소는 에너지선(27)이 조사되고, 구획부(격벽(6a))가 형성되어 있는 개소는 에너지선(27)이 조사되지 않는다. 에너지선(27)의 조사에 의해, 도 2의 (C)에 도시한 바와 같이 광촉매 함유층(24)에 함유되는 광촉매의 작용으로부터 정공 주입 수송층(4)의 노광부에서는, 정공 주입 수송층(4)의 적어도 표층부의 정공 주입 수송층 디바이스 재료의 표면에 존재하는 불소 함유 유기 화합물이 분해 제거된 정공 주입 수송층의 불소 분해부(5)가 형성되고, 정공 주입 수송층(4)의 노광부의 표면에 친액성 영역(11)이 형성된다. 한편, 정공 주입 수송층(4)의 미노광부에서는, 정공 주입 수송층(4)의 표층부의 정공 주입 수송층 디바이스 재료의 표면에 존재하는 불소 함유 유기 화합물이 그대로 남아서 발액성 영역(12)이 된다(습윤성 변화 패턴 형성 공정). 이와 같이 하여 디바이스용 기판(1)이 얻어진다. 그 후, 디바이스용 기판(1) 위의 친액성 영역(11) 위에 디바이스에 필요한 패턴 형상의 디바이스층을 도포법에 의해 적층하는 것이 가능하고, 그 후 제2 전극층을 적층하여 디바이스를 제조할 수 있다.First, as shown in Fig. 2A, a
도 2의 (A) 내지 (C)에 있어서의 제조 방법의 경우에는, 조사되는 에너지선을 반사 또는 흡수하는 구획부가 마스크로서 기능하기 때문에, 광촉매 함유 기판 중의 차광부나 별도 포토마스크를 일부러 준비하지 않아도 정공 주입 수송층에 패턴 형상으로 에너지 조사를 행하는 것이 가능하며, 제조 프로세스상의 장점이 크다. 본 발명의 정공 주입 수송층에 사용되는 정공 주입 수송층용 디바이스 재료는, 종래의 유기 화합물의 정공 주입 수송 재료에 비해 자외광 파장 영역의 투과율이 높기 때문에, 이러한 정공 주입 수송층의 배면으로부터의 에너지 조사도 가능해진다.2 (A) to 2 (C), since the partition for reflecting or absorbing the energy ray to be irradiated functions as a mask, it is unnecessary to deliberately prepare a light shielding portion or a separate photomask in the photocatalyst- The hole injection transport layer can be subjected to energy irradiation in a pattern shape, which has a great advantage in the manufacturing process. Since the hole injection transport layer used in the hole injection transport layer of the present invention has a higher transmittance in the ultraviolet light wavelength region than the conventional organic hole injection transport material, energy irradiation from the back surface of the hole injection transport layer is also possible It becomes.
도 3의 (A) 내지 (C)는, 본 발명의 디바이스의 제조 방법의 다른 예를 도시하는 공정도이다.3 (A) to 3 (C) are process drawings showing another example of a manufacturing method of a device of the present invention.
우선 도 3의 (A)에 도시한 바와 같이, 기판(2) 위에 제1 전극층(3)을 패턴 형상으로 형성하고, 패턴의 개구부에 구획부(격벽(6a))를 형성하고, 제1 전극층(3) 및 구획부(격벽(6a)) 위에 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료를 함유하는 정공 주입 수송층(4)을 형성한다(정공 주입 수송층 형성 공정). 이어서, 도 3의 (B)에 도시한 바와 같이 기체(22)와, 이 기체(22) 위에 형성된 광촉매를 함유하는 광촉매 함유층(24)을 갖는 광촉매 함유층 기판(21)을 준비한다. 이어서, 광촉매 함유층 기판(21)을 정공 주입 수송층(4)에 대하여 에너지 조사에 동반되는 광촉매의 작용이 미칠 수 있는 간극을 두고 배치한 후, 광촉매 함유층 기판(21)을 개재하여 정공 주입 수송층(4)에 대하여 자외 레이저광(28)을 패턴 형상으로 스캔하여 조사한다. 자외 레이저광(28)의 조사에 의해, 도 3의 (C)에 도시한 바와 같이 광촉매 함유층(24)에 함유되는 광촉매의 작용으로부터 정공 주입 수송층(4)의 노광부에서는, 정공 주입 수송층(4)의 적어도 표층부의 정공 주입 수송층 디바이스 재료의 표면에 존재하는 불소 함유 유기 화합물이 분해 제거된 정공 주입 수송층의 불소 분해부(5)가 형성되고, 정공 주입 수송층(4)의 노광부의 표면에 친액성 영역(11)이 형성된다. 한편, 정공 주입 수송층(4)의 미노광부에서는, 정공 주입 수송층(4)의 표층부의 정공 주입 수송층 디바이스 재료의 표면에 존재하는 불소 함유 유기 화합물이 그대로 남아서 발액성 영역(12)이 된다(습윤성 변화 패턴 형성 공정). 이와 같이 하여 디바이스용 기판(1)이 얻어진다. 그 후, 디바이스용 기판(1) 위의 친액성 영역(11) 위에 디바이스에 필요한 패턴 형상의 디바이스층을 도포법에 의해 적층하는 것이 가능하며, 그 후 제2 전극층을 적층하여 디바이스를 제조할 수 있다.3 (A), a
도 4의 (A) 내지 (C)는, 본 발명의 디바이스의 제조 방법의 다른 예를 도시하는 공정도이다.4 (A) to 4 (C) are process drawings showing another example of the manufacturing method of the device of the present invention.
우선, 도 4의 (A)에 도시한 바와 같이 기판(2) 위에 제1 전극층(3)을 패턴 형상으로 형성하고, 패턴의 개구부에 구획부(격벽(6a))를 형성하고, 제1 전극층(3) 및 구획부(격벽(6a)) 위에 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료를 함유하는 정공 주입 수송층(4)을 형성한다(정공 주입 수송층 형성 공정). 이어서, 도 4의 (B)에 도시한 바와 같이 메탈 마스크(30)를 정공 주입 수송층(4)의 표면에 배치하고, 메탈 마스크(30)를 개재하여 정공 주입 수송층(4)에 대하여 진공 자외광(29)을 조사한다. 진공 자외광(29)의 조사에 의해, 도 4의 (C)에 도시한 바와 같이 정공 주입 수송층(4)의 노광부에서는, 정공 주입 수송층(4)의 적어도 표층부의 정공 주입 수송층 디바이스 재료의 표면에 존재하는 불소 함유 유기 화합물이 분해 제거된 정공 주입 수송층의 불소 분해부(5)가 형성되고, 정공 주입 수송층(4)의 노광부의 표면에 친액성 영역(11)이 형성된다. 한편, 정공 주입 수송층(4)의 미노광부에서는, 정공 주입 수송층(4)의 표층부의 정공 주입 수송층 디바이스 재료의 표면에 존재하는 불소 함유 유기 화합물이 그대로 남아서 발액성 영역(12)이 된다(습윤성 변화 패턴 형성 공정). 이와 같이 하여 디바이스용 기판(1)이 얻어진다. 그 후, 디바이스용 기판(1) 위의 친액성 영역(11) 위에 디바이스에 필요한 패턴 형상의 디바이스층을 도포법에 의해 적층하는 것이 가능하며, 그 후 제2 전극층을 적층하여 디바이스를 제조할 수 있다.First, as shown in Fig. 4 (A), a
이와 같이, 에너지 조사에 동반되는 광촉매의 작용이 미친 부분 또는 진공 자외광이 조사된 부분에서는, 정공 주입 수송층(4)의 적어도 표층부에 친액성 영역(11)이 형성된다. 이것은, 정공 주입 수송층(4)의 적어도 표층부 중의 정공 주입 수송층 디바이스 재료의 표면에 존재하는 불소 함유 유기 화합물이 에너지 조사에 동반되는 광촉매의 작용 또는 진공 자외광의 조사 등에 의해 분해 제거됨으로써 불소 분해부가 형성되고, 표면에 불소 함유 유기 화합물이 존재하는 정공 주입 수송층이 갖는 발액성에 대하여 친액성을 갖는 영역이 되기 때문인 것으로 생각된다. 따라서, 도 1의 (C), 도 2의 (C), 도 3의 (C) 및 도 4의 (C)에 예시한 바와 같이 정공 주입 수송층(4)의 구성 재료 중의 불소가 분해 제거된 정공 주입 수송층의 불소 분해부(5)의 표면으로 이루어지는 친액성 영역(11)과, 정공 주입 수송층(4)의 구성 재료 중의 불소가 분해 제거되지 않고, 친액성 영역(11) 이외의 영역인 발액성 영역(12)으로 이루어지는 패턴을 형성할 수 있다.As described above, the
또한, 「친액성 영역」이란, 발액성 영역보다도 액체의 접촉각이 작은 영역을 말하며, 정공 주입 수송층 위에 인접하여 형성되는 층 형성용 잉크 등에 대한 습윤성이 양호한 영역이다. 또한, 「발액성 영역」이란, 친액성 영역보다도 액체의 접촉각이 큰 영역을 말하며, 상기 층 형성용 잉크 등에 대한 습윤성이 악화된 영역이다.The term "lyophilic region" refers to a region having a liquid contact angle smaller than that of the liquid-repellent region, and is a region having good wettability with respect to the layer-forming ink or the like formed adjacent to the hole- The term "liquid-repellent region" refers to a region having a liquid contact angle larger than that of the lyophilic region, and is a region where the wettability with respect to the layer-forming ink or the like is deteriorated.
발액성 영역의 액체의 접촉각은, 친액성 영역의 액체의 접촉각보다도 표면 장력 28.5mN/m의 액체를 사용한 경우 10° 이상 높은 것이 바람직하고, 그 중에서도 20° 이상 높은 것이 바람직하고, 특히 40° 이상 높은 것이 바람직하다.When a liquid having a surface tension of 28.5 mN / m is used, the contact angle of the liquid in the liquid-repellent region is preferably 10 ° or more, more preferably 20 ° or more, more preferably 40 ° or more High.
또한, 발액성 영역에서는 표면 장력 28.5mN/m의 액체의 접촉각이 25° 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 45° 이상, 더욱 바람직하게는 55° 이상이다. 발액성 영역은 발액성이 요구되는 부분이기 때문에, 상기 액체의 접촉각이 지나치게 작으면 발액성이 충분하지 않고, 발액성 영역에도 상기 층 형성용 잉크 등이 부착될 가능성이 있기 때문이다.Further, in the liquid repellent region, the contact angle of the liquid having a surface tension of 28.5 mN / m is preferably 25 degrees or more, more preferably 45 degrees or more, still more preferably 55 degrees or more. If the contact angle of the liquid is too small, the liquid repellency is not sufficient, and there is a possibility that the layer forming ink or the like adheres to the liquid repellent region.
한편, 친액성 영역에서는 표면 장력 28.5mN/m의 액체의 접촉각이 20° 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10° 이하, 더욱 바람직하게는 5° 이하다. 상기 액체의 접촉각이 지나치게 높으면, 상기 층 형성용 잉크 등이 번지기 어려워질 가능성이 있으며, 인접하여 형성되는 층 등이 불완전해질 가능성 등이 있기 때문이다.On the other hand, in the lyophilic region, the contact angle of liquid having a surface tension of 28.5 mN / m is preferably 20 ° or less, more preferably 10 ° or less, further preferably 5 ° or less. If the contact angle of the liquid is too high, there is a possibility that the layer-forming ink or the like becomes difficult to spread, and there is a possibility that the layer formed adjacent thereto becomes incomplete.
또한, 액체의 접촉각은, 다양한 표면 장력을 갖는 액체의 접촉각을 접촉각 측정기(교와 가이멘 가가꾸(주)제 CA-Z형)를 사용하여 측정(마이크로 시린지로부터 액적을 적하하여 5초 후)하고, 그 결과로부터, 또는 그 결과를 그래프로 하여 구할 수 있다. 이 측정시에는, 다양한 표면 장력을 갖는 액체로서 준세 가가꾸 가부시끼가이샤제의 습윤 지수 표준액을 사용하는 것으로 한다.The contact angle of the liquid can be measured by measuring the contact angle of the liquid having various surface tensions using a contact angle meter (CA-Z type, manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.) (after 5 seconds by dropping droplets from the microsyringe) From the result, or the result thereof can be obtained as a graph. In this measurement, a wetting index standard solution made by Junsei Kagaku Co., Ltd. is used as a liquid having various surface tensions.
1. 정공 주입 수송층 형성 공정1. Formation process of hole injection transport layer
본 발명에 있어서의 제1 정공 주입 수송층 형성 공정은, 패턴 형상으로 제1 전극층이 형성된 기판 위에 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료를 함유하는 정공 주입 수송층을 형성하는 공정이다.The first hole injecting and transporting layer forming step in the present invention is a step of forming a hole injecting and transporting layer containing a device material for a hole injecting and transporting layer according to the present invention on a substrate having a first electrode layer formed in a pattern shape.
(정공 주입 수송층의 형성 방법)(Formation method of hole injection and transport layer)
정공 주입 수송층의 형성 방법으로서는, 패턴 형상으로 제1 전극층이 형성된 기판 위의 전체면에, 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료를 성막하는 것이 가능한 방법이면 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 본 발명에 관한 제1, 제2, 또는 제3 형태의 정공 주입 수송층 형성용 잉크를 제조하고, 당해 잉크를 사용하여 도포함으로써 층을 형성하는 웨트 프로세스가 프로세스 우위성의 면에서 바람직하다. 또한, 당해 잉크를 사용하여 도포함으로써 형성된 층을 전사하는 전사법도 이용할 수 있다. 또한, 패턴 형상으로 제1 전극층이 형성된 기판 위이면 당해 제1 전극층 위에, 예를 들어 별도 정공 주입층이 형성된 위에 본 발명의 정공 주입 수송층이 형성되어도 좋다.The method of forming the hole injection and transport layer is not particularly limited as long as it is a method capable of forming the device material for the hole injection and transport layer according to the present invention on the entire surface of the substrate on which the first electrode layer is formed in a pattern. For example, the wet process for forming the layer by forming the hole injection transport layer-forming ink of the first, second, or third aspect of the present invention and applying the ink using the ink is preferable in terms of process superiority Do. It is also possible to use a transfer method in which a layer formed by applying the ink is transferred. In addition, the hole injection / transport layer of the present invention may be formed on the first electrode layer, for example, a separate hole injection layer is formed on the substrate on which the first electrode layer is formed in a pattern.
상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층 형성용 잉크는, 상기 「II. 정공 주입 수송층 형성용 잉크」의 개소에서 설명한 것과 동일하게 제조할 수 있다. 정공 주입 수송층 형성용 잉크 중에 상술한 바와 같은 기타 성분을 적절히 첨가함으로써, 기타 성분을 더 포함하는 정공 주입 수송층을 형성할 수 있다.The ink for forming a positive hole injection transport layer according to the present invention contains the above-mentioned " II. Ink for forming a positive hole injection transport layer ". By appropriately adding other components as described above to the ink for forming a hole injection transport layer, a hole injection transport layer further containing other components can be formed.
또한, 도포하기 전에 당해 정공 주입 수송층 형성용 잉크를 산소 존재하에 가열하는 공정을 갖고 있어도 좋다. 이 경우, 정공 주입 수송층용 디바이스 재료 중의 전이 금속 산화물량이 증가하고, 정공 주입 수송성이 향상되는 경우가 있다.It may also have a step of heating the hole injection transport layer forming ink in the presence of oxygen before application. In this case, the amount of the transition metal oxide in the device material for the positive hole injection transport layer is increased, and the hole injection transportability is sometimes improved.
정공 주입 수송층 형성용 잉크를 도포하는 방법으로서는, 기판의 전체면에 균일하게 상기한 재료를 성막할 수 있는 방법이면 좋고, 예를 들어 다이 코트법, 스핀 코트법, 딥 코트법, 롤 코트법, 비드 코트법, 스프레이 코트법, 바 코트법, 그라비아 코트법, 블레이드 코트법, 캐스트법, 잉크젯법, 노즐 프린팅법, 에어로졸법, 플렉소 인쇄법, 스크린 인쇄법, 오프셋 인쇄법 등을 들 수 있다.As a method of applying the ink for forming the hole injection transport layer, a method capable of forming the above-mentioned material uniformly on the entire surface of the substrate may be used. For example, a die coating method, a spin coating method, a dip coating method, A spray coating method, a bar coating method, a gravure coating method, a blade coating method, a casting method, an ink jetting method, a nozzle printing method, an aerosol method, a flexographic printing method, a screen printing method and an offset printing method .
또한, 정공 주입 수송층 형성용 잉크를 도포한 후에는 건조 처리를 행하여도 좋다. 건조 방법으로서는 일반적인 건조 방법을 이용할 수 있으며, 예를 들어 가열하는 방법을 들 수 있다. 가열하는 방법으로서는, 예를 들어 오븐과 같은 특정한 공간 전체를 가열하는 장치 내를 통과 또는 정치시키는 방법, 열풍을 분사하는 방법, 원적외선 등에 의해 직접적으로 가열하는 방법, 또는 핫 플레이트에서 가열하는 방법 등을 이용할 수 있다. 산소 존재하에 가열하면, 층 중에 포함되는 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료 중의 전이 금속 산화물의 함유량이 증가하여, 정공 주입 수송성이 향상되는 경우가 있다.After the ink for forming the hole injection transport layer is applied, the drying treatment may be performed. As the drying method, a general drying method can be used, and for example, a method of heating can be mentioned. Examples of the heating method include a method of passing or standing in a device for heating a specific whole space such as an oven, a method of blowing hot air, a method of directly heating by far infrared rays, a method of heating on a hot plate, etc. Can be used. When heated in the presence of oxygen, the content of the transition metal oxide in the device material for hole injection and transport layer according to the present invention contained in the layer increases, and hole injection transportability is sometimes improved.
상기 정공 주입 수송층 형성 공정에 있어서는, 산소 존재하에 가열하는 것 이외에 산소 존재하에 광조사하는 공정을 포함하여도 좋다.The step of forming the hole injection transport layer may include a step of irradiating light in the presence of oxygen in addition to heating in the presence of oxygen.
정공 주입 수송층의 막 두께는 목적이나 인접하는 층에 따라 적절하게 결정할 수 있지만, 통상 0.1 내지 1000nm, 바람직하게는 1 내지 500nm이다.The film thickness of the hole injection transport layer can be appropriately determined depending on the purpose or the adjacent layer, but is usually from 0.1 to 1000 nm, preferably from 1 to 500 nm.
또한, 상기 정공 주입 수송층의 일함수는 5.0 내지 6.0eV, 나아가서는 5.0 내지 5.8eV인 것이 정공 주입 효율의 면에서 바람직하다.The work function of the hole injection transport layer is preferably 5.0 to 6.0 eV, more preferably 5.0 to 5.8 eV in terms of hole injection efficiency.
(기판)(Board)
기판은 광을 투과하는 투광성이어도 좋고, 투광성이 아니어도 좋다. 예를 들어, 본 발명의 디바이스에 있어서 기판측으로부터 광을 취출하는 경우나 본 발명의 디바이스를 제작하는 과정에 있어서, 친액성 영역 및 발액성 영역으로 이루어지는 패턴을 형성할 때에 기판측으로부터 에너지를 조사하는 경우에는 기판은 투광성인 것이 바람직하다. 투광성 기판으로서는, 예를 들어 석영, 유리 등을 들 수 있다. 투광성이 필요로 되지 않는 경우의 기판으로서는, 알루미늄 및 그 합금 등의 금속, 플라스틱, 직물, 부직포 등을 사용할 수 있다.The substrate may be light-transmitting or non-light-transmitting. For example, in the case of taking out light from the substrate side in the device of the present invention or in the process of manufacturing the device of the present invention, when forming a pattern composed of the lyophilic area and the lyophobic area, It is preferable that the substrate is translucent. Examples of the translucent substrate include quartz and glass. As the substrate when light transmittance is not required, metals such as aluminum and alloys thereof, plastics, woven fabrics, and nonwoven fabrics can be used.
(제1 전극층)(First electrode layer)
본 발명에 사용되는 제1 전극층은, 패턴 형상으로 기판 위에 형성되어 있는 것이다.The first electrode layer used in the present invention is formed on the substrate in a pattern shape.
제1 전극층을 형성하는 재료로서는, 도전성을 갖는 재료이면 특별히 한정되는 것은 아니다.The material for forming the first electrode layer is not particularly limited as long as it is a conductive material.
또한, 제1 전극층을 형성하는 재료로서는 투명성을 갖고 있어도 좋고, 갖지 않아도 좋다. 예를 들어, 본 발명의 디바이스에 있어서, 기판측으로부터 광을 취출하는 경우나 본 발명의 디바이스를 제작하는 과정에 있어서, 친액성 영역 및 발액성 영역으로 이루어지는 패턴을 형성할 때에 기판측으로부터 에너지를 조사하는 경우에는 제1 전극층은 투명성을 갖는 것이 바람직하다. 도전성 및 투명성을 갖는 재료로서는, In-Zn-O(IZO), In-Sn-O(ITO), ZnO-Al, Zn-Sn-O 등을 바람직한 것으로서 예시할 수 있다. 한편, 예를 들어 본 발명의 디바이스에 있어서, 기판의 반대측으로부터 광을 취출하는 경우에는 제1 전극층에 투명성은 요구되지 않는다. 이 경우, 도전성을 갖는 재료로서 금속을 사용할 수 있으며, 구체적으로는 Au, Ta, W, Pt, Ni, Pd, Cr, 또는 Al 합금, Ni 또는, Cr 합금 등을 들 수 있다.In addition, the material for forming the first electrode layer may or may not have transparency. For example, in the device of the present invention, in the case of taking out light from the substrate side or in the process of manufacturing the device of the present invention, when a pattern composed of the lyophilic area and the lyophobic area is formed, When irradiated, the first electrode layer preferably has transparency. Preferable examples of the material having conductivity and transparency include In-Zn-O (IZO), In-Sn-O (ITO), ZnO-Al and Zn-Sn-O. On the other hand, for example, in the device of the present invention, when light is extracted from the opposite side of the substrate, transparency is not required for the first electrode layer. In this case, metals having conductivity can be used. Specific examples thereof include Au, Ta, W, Pt, Ni, Pd, Cr, or an Al alloy, Ni or Cr alloy.
제1 전극층은 패턴 형상으로 형성되어 있다. 제1 전극층의 성막 방법으로서는 일반적인 전극의 성막 방법을 이용할 수 있으며, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 진공 증착법 등을 들 수 있다. 또한, 제1 전극층의 패터닝 방법으로서는, 포토리소그래피법을 들 수 있다.The first electrode layer is formed in a pattern shape. As a method for forming the first electrode layer, a general electrode film forming method can be used, and examples thereof include a sputtering method, an ion plating method, and a vacuum deposition method. As a patterning method of the first electrode layer, a photolithography method can be used.
2. 습윤성 변화 패턴 형성 공정2. Wettability Change Pattern Formation Process
본 발명에 있어서의 습윤성 변화 패턴 형성 공정은, 상기 정공 주입 수송층 표면에 습윤성(wetting)이 변화된 습윤성 변화 패턴을 형성하는 공정이다.The wettability change pattern forming step in the present invention is a step of forming a wettability change pattern in which the wetting is changed on the surface of the hole injection transporting layer.
정공 주입 수송층 표면에 습윤성 변화 패턴을 형성하기 위한 패턴 형상으로 에너지 조사하는 방법으로서는, 정공 주입 수송층에 함유되는 재료를 패턴 형상으로 분해할 수 있는 방법이면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상 에너지 조사에 의해 산소 라디칼 등의 활성 산소종을 발생시킬 수 있는 방법이 이용된다. 이 활성 산소종의 강력한 산화ㆍ환원력에 의해, 정공 주입 수송층에 함유되는 재료의 표면에 부착되어 있는 불소 함유 유기 화합물을 분해할 수 있기 때문이다.The method of energy irradiation in the form of a pattern for forming a wettability change pattern on the surface of the hole injection transport layer is not particularly limited as long as it is a method capable of decomposing the material contained in the hole injection transport layer into a pattern shape, A method capable of generating an active oxygen species such as a radical is used. This is because the fluorine-containing organic compound attached to the surface of the material contained in the hole injection and transport layer can be decomposed by the strong oxidizing and reducing power of the active oxygen species.
본 발명에 있어서의 습윤성 변화 패턴 형성 공정으로서는, (1) 광촉매를 함유하는 광촉매 함유층을 갖는 광촉매 함유층 기판을 사용하여, 패턴 형상으로 에너지 조사하는 것에 동반되는 광촉매의 작용에 의해 정공 주입 수송층에 함유되는 재료의 불소를 분해 제거함으로써, 불소가 분해 제거된 친액성 영역 및 불소가 분해 제거되어 있지 않은 발액성 영역으로 이루어지는 패턴을 형성하는 공정, 및 (2) 진공 자외광을 패턴 형상으로 조사하여 정공 주입 수송층에 함유되는 재료의 불소를 분해 제거함으로써, 불소가 분해 제거된 친액성 영역 및 불소가 분해 제거되어 있지 않은 발액성 영역으로 이루어지는 패턴을 형성하는 공정을 들 수 있다. 또한, 예를 들어 패턴 형상의 개구부를 갖는 마스크를 개재하여 전자선 또는 플라즈마 등을 조사하는 방법이나, 마스크를 개재하여 진공 중에서 산소 라디칼을 분사하는 방법 등을 이용할 수도 있다.The wettability change pattern forming step in the present invention includes the steps of: (1) using a photocatalyst-containing layer substrate having a photocatalyst-containing layer and irradiating energy in a pattern shape by the action of a photocatalyst, A step of forming a pattern composed of a lyophilic area in which fluorine is decomposed and removed and a lyophobic area in which fluorine is not decomposed and removed by decomposing and removing fluorine of the material, and (2) a step of irradiating vacuum ultraviolet light in a pattern shape, A step of forming a pattern comprising a lyophilic region in which fluorine is decomposed and removed and a liquid-repellent region in which fluorine is not decomposed and removed by decomposing and removing fluorine in the material contained in the transport layer. Further, for example, a method of irradiating an electron beam or a plasma through a mask having an opening in a pattern shape, a method of spraying oxygen radicals in a vacuum through a mask, or the like may be used.
친액성 영역은, 에너지 조사에 동반되는 광촉매의 작용이 미친 부분 또는 진공 자외광이 조사된 부분에 있어서, 상기 정공 주입 수송층에 함유되는 정공 주입 수송층용 디바이스 재료의 표면에 부착된 불소 함유 유기 화합물이 분해되어, 불소가 제거된 정공 주입 수송층의 불소 분해부이다.The lyophilic region is a portion in which the action of the photocatalyst accompanies the energy irradiation or the portion irradiated with the ultraviolet ray of the vacuum, and the fluorine-containing organic compound attached to the surface of the device material for the hole injection and transport layer contained in the hole injection- Decomposable portion of the hole injection transport layer in which fluorine is removed.
친액성 영역은, 정공 주입 수송층용 디바이스 재료의 표면에 부착된 불소 함유 유기 화합물이 함유되어 있지 않거나, 또는 정공 주입 수송층에 본래 함유되어 있었던 재료의 표면에 부착된 불소 함유 유기 화합물의 양에 비해 친액성 영역은 불소 함유 유기 화합물이 적은 양 함유되어 있다.The lyophilic area is a region in which the fluorine-containing organic compound attached to the surface of the device material for the hole injection and transport layer is not contained or the amount of the fluorine-containing organic compound adhered to the surface of the material originally contained in the hole injection- The liquid region contains a small amount of the fluorine-containing organic compound.
또한, 친액성 영역이 정공 주입 수송층에 함유되는 정공 주입 수송층용 디바이스 재료의 표면에 부착된 불소 함유 유기 화합물이 분해되어, 불소가 제거된 것이라는 것은, 예를 들어 소자부와 격벽부의 정공 주입 수송층의 불소의 분포를 TOF-SIMS 등으로 분석하여 비교함으로써 확인할 수 있다.Further, the fact that the fluorine-containing organic compound attached to the surface of the hole injection transport layer-containing device material contained in the hole injection and transport layer of the lyophilic area is decomposed to remove fluorine means that the hole injection transport layer It can be confirmed by analyzing the distribution of fluorine by TOF-SIMS and comparing them.
친액성 영역 및 발액성 영역의 형성 위치로서는, 원하는 패턴에 발광층 등의 디바이스의 기능층을 패터닝 가능하면 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어 제1 전극층이 패턴 형상으로 형성되어 있는 경우에는, 친액성 영역이 제1 전극층의 패턴 위에 배치되고, 발액성 영역이 도 1의 (C)와 같이 제1 전극층의 패턴의 개구부 위에 배치되어 있는 것이 바람직하다.The lyophilic area and the lyophobic area are not particularly limited as long as the functional layer of a device such as a light emitting layer can be patterned in a desired pattern. For example, when the first electrode layer is formed in a pattern shape, the lyophilic area is disposed on the pattern of the first electrode layer, and the lyophobic area is disposed over the opening of the pattern of the first electrode layer as shown in Fig. .
또한, 예를 들어 도 5에 도시한 바와 같이, 제1 전극층(3)이 형성된 기판(2) 위에 구획부(격벽(6a))가 형성되어 있는 경우에는, 구획부(격벽(6a))의 정상부(P1)위에 발액성 영역(12)이 배치되고, 구획부(격벽(6a))의 측부(P2) 위 및 구획부(격벽(6a))의 개구부(P3) 위에 친액성 영역(11)이 배치되어 있는 것이 바람직하다. 이러한 정공 주입 수송층 위에 인접하는 층을 제작할 때에, 구획부의 정상부 위에 배치된 발액성 영역 위에는 인접하는 층의 잉크가 부착되지 않아 층이 형성되지 않기 때문에, 정공 주입 수송층 위에 인접하는 층 등을 고정밀도로 패터닝할 수 있기 때문이다.5, when the partition (
또한, 종래와 같은 발액성 재료를 사용한 격벽이나 발액화 처리된 격벽에서는, 격벽의 정상부 뿐만 아니라 측부도 발액성을 갖게 되기 때문에 구획부의 측부로부터 발광층이 물리적으로 박리되거나, 발광층 등의 두께가 얇은 개소나 발광층 등이 형성되지 않는 개소가 발생한다는 문제가 있었다. 이에 대하여 본 발명에 있어서는, 구획부의 측부 위에는 친액성 영역이 배치될 수 있기 때문에, 구획부의 측부로부터 발광층이 물리적으로 박리되거나 발광층 등의 두께가 얇은 개소나 발광층 등이 형성되지 않는 개소가 발생하는 것을 억제할 수 있다.In addition, in the partition wall using the liquid-repellent material and the lyophobicity-imparted partition wall as in the conventional art, since not only the top portion but also the side portion of the partition wall have lyophobicity, the luminescent layer is physically peeled from the side portion of the partition, Emitting layer or the like is not formed. On the other hand, according to the present invention, since the lyophilic area can be arranged on the side of the partition, it is possible to physically peel the light-emitting layer from the side of the partition, or to make thin portions such as the light- .
상기 구획부가 형성되어 있는 경우, 발액성 영역의 형성 위치로서는 구획부의 정상부 위이면 좋고, 도 5에 예시한 바와 같이 구획부(격벽(6a))의 정상부(P1)에만 발액성 영역(12)이 배치되어 있어도 좋고, 또는 도시하지 않았지만, 구획부(격벽(6a))의 정상부(P1) 및 측부(P2)의 일부분에 발액성 영역(12)이 배치되어 있어도 좋다. 전자의 경우, 발액성 영역은 구획부의 정상부의 전체에 형성되어 있어도 좋고, 구획부의 정상부의 일부분에 형성되어 있어도 좋다. 또한, 후자의 경우, 디바이스의 설계에 적절히 맞추어 정공 주입 수송층 위에 패터닝되어 적층되는 층용의 잉크의 표면이 평탄해진 경우에 상정되는 높이보다 낮은 위치까지 발액성 영역(12)이 형성되어 있어도 좋고, 당해 높이보다 높은 위치까지 발액성 영역(12)이 형성되어 있어도 좋다.When the partition is formed, the lyophobic area may be formed on the top of the partition and the
또한, 친액성 영역 및 발액성 영역의 패턴 형상으로서는, 정공 주입 수송층 위에 원하는 패턴 형상으로 적층되는 층을 패터닝 가능하면 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어 제1 전극층이 패턴 형상으로 형성되어 있는 경우, 친액성 영역 및 발액성 영역의 패턴 형상은 제1 전극층의 패턴 형상에 따라 적절하게 선택된다. 구체적으로는, 제1 전극층이 스트라이프 형상으로 형성되어 있는 경우, 이 제1 전극층의 스트라이프 패턴에 대응하여 친액성 영역도 스트라이프 형상으로 형성된다. 또한, 화소에 대응하여 제1 전극층이 모자이크 형상으로 형성되어 있는 경우, 친액성 영역은 스트라이프 형상으로 형성되어 있어도 좋고, 격자 형상이나 모자이크 형상으로 형성되어 있어도 좋다.The pattern shape of the lyophilic area and the liquid-repellent area is not particularly limited as long as the layer laminated in a desired pattern shape can be patterned on the hole injection transport layer. For example, when the first electrode layer is formed in a pattern shape, the pattern shape of the lyophilic region and the liquid-repellent region is appropriately selected in accordance with the pattern shape of the first electrode layer. Specifically, when the first electrode layer is formed in a stripe shape, the lyophilic area corresponding to the stripe pattern of the first electrode layer is also formed in a stripe shape. Further, when the first electrode layer is formed in a mosaic shape corresponding to the pixel, the lyophilic area may be formed in a stripe shape, or may be formed in a lattice shape or a mosaic shape.
이하, 습윤성 변화 패턴 형성 공정에 대하여 상기 (1), (2)의 방법을 각각 설명한다.Hereinafter, each of the methods (1) and (2) will be described with respect to the wettability change pattern forming step.
(1) 광촉매 작용을 이용하는 방법(1) Method using photocatalytic action
에너지 조사에 동반되는 광촉매의 작용을 이용하는 방법은, 기체 위에 적어도 광촉매를 함유하는 광촉매 함유층이 형성되어 있는 광촉매 함유층 기판을 사용하여, 상기 광촉매 함유층 기판을 상기 정공 주입 수송층에 대하여 에너지의 조사에 동반되는 광촉매의 작용이 미칠 수 있는 간극을 두고 배치한 후, 패턴 형상으로 에너지를 조사하는 방법이다.A method of using the action of a photocatalyst accompanying energy irradiation is a method of using a photocatalyst-containing layer substrate on which a photocatalyst-containing layer containing at least a photocatalyst is formed, and the photocatalyst-containing layer substrate is irradiated with energy A method of irradiating energy in a pattern shape after disposing a gap which can act as a photocatalyst.
에너지 조사에 동반되는 광촉매의 작용에 의해 정공 주입 수송층에 함유되는 재료가 정공 주입 수송층용 디바이스 재료의 표면에 부착된 불소 함유 유기 화합물이 분해되는 기구에 대해서는, 반드시 명확하지 않지만, 에너지 조사에 의해 광촉매 함유층에 함유되는 광촉매가 산화 환원 반응을 일으키고, 이에 따라 생성된 슈퍼옥시드 라디칼(ㆍO2-)이나 히드록시 라디칼(ㆍOH) 등의 활성 산소종이 상기 불소 함유 유기 화합물에 작용을 미침으로써, 불소 함유 유기 화합물이 분해물이 되고, 이 분해물이 휘발 제거됨으로써 정공 주입 수송층에 함유되는 정공 주입 수송층용 디바이스 재료의 표면에 부착된 불소 함유 유기 화합물이 분해되어, 불소가 제거된 영역을 형성할 수 있는 것으로 생각된다.The mechanism of the decomposition of the fluorine-containing organic compound attached to the surface of the hole injection transport layer-use device material by the material contained in the hole injection transport layer due to the action of the photocatalyst accompanying the energy irradiation is not necessarily clarified, Containing layer, the oxidation-reduction reaction is caused by the photocatalyst contained in the fluorine-containing organic compound, and the resulting active oxygen species such as the generated superoxide radical (.O 2- ) or hydroxy radical (.OH) The fluorine-containing organic compound becomes a decomposition product, and this decomposition product is volatilized and removed, whereby the fluorine-containing organic compound attached to the surface of the hole injection transport layer-containing device material contained in the hole injection transport layer is decomposed to form a fluorine- .
이하, 광촉매 함유층 기판 및 광촉매 함유층 기판을 사용하여 정공 주입 수송층에 광촉매의 작용을 미치는 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a method of causing the photocatalyst-containing layer substrate and the photocatalyst-containing layer substrate to act on the hole injection transport layer will be described.
(광촉매 함유층 기판)(Photocatalyst-containing layer substrate)
본 발명에 사용되는 광촉매 함유층 기판은, 기체 위에 적어도 광촉매를 함유하는 광촉매 함유층이 형성되어 있는 것이다.The photocatalyst-comprising layered substrate used in the present invention is formed with a photocatalyst-containing layer containing at least a photocatalyst on a base.
광촉매 함유층의 형성 위치로서는, 도 2의 (B)에 예시한 바와 같이 기체(22) 위의 전체면에 광촉매 함유층(24)이 형성되어 있어도 좋고, 도 6의 (A)에 예시한 바와 같이 기체(22) 위에 광촉매 함유층(24)이 패턴 형상으로 형성되어 있어도 좋다.The photocatalyst-containing layer may be formed on the entire surface of the
광촉매 함유층이 패턴 형상으로 형성되어 있는 경우에는, 광촉매 함유층을 정공 주입 수송층에 대하여 소정의 간극을 두고 배치하고, 에너지를 조사할 때에 포토마스크 등을 사용하여 패턴 조사할 필요가 없으며, 전체면에 조사함으로써 정공 주입 수송층에 함유되는 재료가 분해된 발액성 영역을 패턴 형상으로 형성할 수 있다. 또한, 이 경우, 에너지의 조사 방향으로서는, 광촉매 함유층과 정공 주입 수송층이 면하는 부분에 에너지가 조사되면 어떠한 방향이어도 좋다. 나아가서는, 조사되는 에너지도 평행광 등의 평행인 것으로 한정되지 않는다.When the photocatalyst-containing layer is formed in a pattern, the photocatalyst-containing layer is disposed with a predetermined gap with respect to the hole injection and transport layer, and it is not necessary to irradiate the pattern with a photomask when irradiating energy, Whereby the liquid-repellent region in which the material contained in the hole injection and transport layer is decomposed can be formed in a pattern shape. In this case, as the energy irradiation direction, any direction may be employed as long as energy is irradiated to a portion where the photocatalyst-containing layer and the hole injection transport layer face each other. Further, the energy to be irradiated is not limited to being parallel, such as parallel light.
또한, 광촉매 함유층 기판에는, 차광부가 패턴 형상으로 형성되어 있어도 좋다. 패턴 형상의 차광부를 갖는 광촉매 함유층 기판을 사용한 경우에는, 에너지 조사시에 포토마스크를 사용하거나 레이저광에 의한 묘화 조사를 행할 필요가 없다. 따라서, 이 경우에는, 광촉매 함유층 기판과 포토마스크와의 위치 정렬이 불필요하기 때문에 간편한 공정으로 할 수 있으며, 묘화 조사에 필요한 고가인 장치도 불필요하기 때문에 비용적으로 유리해진다.The light-shielding portion may be formed in a pattern shape on the photocatalyst-containing layered substrate. When a photocatalyst-containing layered substrate having a pattern-shaped light-shielding portion is used, it is not necessary to use a photomask or irradiate with laser light in energy irradiation. Therefore, in this case, since the alignment of the photocatalyst-containing layer substrate and the photomask is not necessary, a simple process can be performed, and an expensive apparatus required for the imaging inspection is unnecessary, which is advantageous in terms of cost.
차광부의 형성 위치로서는, 도 1의 (B)에 예시한 바와 같이 기체(22) 위에 차광부(23)가 패턴 형상으로 형성되어, 이 차광부(23) 위에 광촉매 함유층(24)이 형성되어 있어도 좋고, 도 6의 (B)에 예시한 바와 같이 기체(22) 위에 광촉매 함유층(24)이 형성되어, 이 광촉매 함유층(24) 위에 차광부(23)가 패턴 형상으로 형성되어 있어도 좋고, 도시하지 않았지만 기체의 광촉매 함유층이 형성되어 있지 않은 측의 표면에 차광부가 패턴 형상으로 형성되어 있어도 좋다.1B, the
기체 위에 차광부가 형성되어 있는 경우, 및 광촉매 함유층 위에 차광부가 형성되어 있는 경우에는, 포토마스크를 사용하는 경우와 비교하면 광촉매 함유층과 정공 주입 수송층이 간극을 두고 배치되는 부분의 근방에 차광부가 배치되게 되기 때문에, 기체 내 등에 있어서의 에너지의 산란의 영향을 적게 할 수 있다. 이로 인해, 에너지의 패턴 조사를 매우 정확하게 행하는 것이 가능해진다.In the case where the light shielding portion is formed on the substrate and the light shielding portion is formed on the photocatalyst-containing layer, the light shielding portion is disposed in the vicinity of the portion where the photocatalyst-containing layer and the hole injection transport layer are disposed with a gap Therefore, the influence of scattering of energy in the gas or the like can be reduced. As a result, it is possible to carry out the energy pattern inspection very accurately.
또한, 기체의 광촉매 함유층이 형성되어 있지 않은 측의 표면에 차광부가 형성되어 있는 경우에는, 예를 들어 포토마스크를 차광부의 표면에 착탈 가능한 정도로 밀착시킬 수 있기 때문에, 디바이스의 제조를 소 로트로 변경하는 것과 같은 경우에 적합하다.When the light shielding portion is formed on the surface of the substrate on which the photocatalyst-containing layer is not formed, for example, the photomask can be adhered to the surface of the light shielding portion to such an extent as to be removable. It is suitable for the case of changing.
광촉매 함유층 기판으로서는, 구체적으로 일본 특허 공개 제 2000-249821호 공보 등에 기재되어 있는 광촉매 함유층측 기판과 동일하게 할 수 있다.The photocatalyst-containing-layer substrate can be the same as the photocatalyst-containing-layer-side substrate specifically described in JP-A-2000-249821.
(광촉매 함유층 기판과 정공 주입 수송층의 배치)(Arrangement of photocatalyst-containing layer substrate and hole injection transport layer)
본 발명에 있어서는, 광촉매 함유층 기판을 정공 주입 수송층에 대하여 에너지 조사에 동반되는 광촉매의 작용이 미칠 수 있는 간극을 두고 배치한다. 또한, 간극이란, 광촉매 함유층 및 정공 주입 수송층이 접촉하고 있는 상태도 포함하는 것으로 한다.In the present invention, the photocatalyst-comprising layered substrate is disposed on the hole injecting and transporting layer with a gap that can act as a photocatalyst accompanied by energy irradiation. Incidentally, the gap also includes a state in which the photocatalyst-containing layer and the hole injection transport layer are in contact with each other.
광촉매 함유층과 정공 주입 수송층과의 간격은, 구체적으로는 200㎛ 이하인 것이 바람직하다. 광촉매 함유층과 정공 주입 수송층을 소정의 간격을 두고 배치함으로써, 산소, 물 및 광촉매 작용에 의해 발생한 활성 산소종이 탈착되기 쉬워지기 때문이다.The gap between the photocatalyst-containing layer and the hole injection transport layer is preferably 200 mu m or less. And the photocatalyst-containing layer and the hole injecting / transporting layer are disposed at a predetermined interval, so that oxygen, water, and active oxygen species generated by photocatalytic action are likely to be desorbed.
상기 간격은 패턴 정밀도가 매우 양호하고, 광촉매의 감도도 높고, 분해 제거의 효율이 양호하다는 점을 고려하면, 0.2㎛ 내지 20㎛의 범위 내인 것이 보다 바람직하고, 더욱 바람직하게는 1㎛ 내지 10㎛의 범위 내이다.Considering the fact that the pattern accuracy is very good, the photocatalyst is high in sensitivity, and the efficiency of decomposition and removal is good, the interval is more preferably in the range of 0.2 탆 to 20 탆, more preferably in the range of 1 탆 to 10 탆 Lt; / RTI >
한편, 예를 들어 300mm×300mm를 초과하는 대면적의 디바이스를 제조하는 경우에는, 상술한 바와 같은 미세한 간극을 광촉매 함유층 기판과 정공 주입 수송층과의 사이에 설치하는 것이 매우 곤란하다. 또한, 광촉매 함유층에 부착되는 오염물 등의 생산성의 저하도 염려된다. 따라서, 비교적 대면적의 디바이스를 제조하는 경우에는 상기 간극이 50㎛ 내지 150㎛의 범위 내인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 80㎛ 내지 120㎛의 범위 내이다. 상기 간극을 상기 범위로 함으로써, 패턴이 희미해지거나 또는 어긋난다는 등의 패턴 정밀도의 저하를 억제할 수 있으며, 광촉매의 감도가 악화되어 분해 제거의 효율이 악화되는 것을 억제할 수 있기 때문이다.On the other hand, for example, in the case of manufacturing a device having a large area exceeding 300 mm x 300 mm, it is very difficult to provide a fine gap as described above between the photocatalyst-containing layer substrate and the hole injection transport layer. In addition, the productivity of the contaminants adhered to the photocatalyst-containing layer is also lowered. Therefore, in the case of manufacturing a relatively large-area device, the gap is preferably in the range of 50 탆 to 150 탆, more preferably in the range of 80 탆 to 120 탆. By setting the gap to the above range, deterioration of the pattern accuracy such as blurring or deviation of the pattern can be suppressed, deterioration of the photocatalytic sensitivity and deterioration of decomposition removal efficiency can be suppressed.
또한, 상기와 같은 비교적 대면적에 대하여 에너지 조사할 때에는, 에너지 조사 장치 내의 광촉매 함유층 기판과 정공 주입 수송층과의 위치 결정 장치에 있어서의 간극의 설정을 10㎛ 내지 200㎛의 범위 내, 특히 25㎛ 내지 75㎛의 범위 내로 설정하는 것이 바람직하다. 상기 간극의 설정값을 상기 범위로 함으로써, 패턴 정밀도의 대폭적인 저하나 광촉매 감도의 대폭적인 악화를 초래하지 않으면서도, 광촉매 함유층 기판과 정공 주입 수송층을 접촉시키지 않고 배치할 수 있기 때문이다.When energy is irradiated to the relatively large area as described above, the setting of the gap in the positioning apparatus between the photocatalyst-containing layer substrate in the energy irradiation apparatus and the hole injection transport layer is set within the range of 10 to 200 mu m, To 75 m. This is because, by setting the set value of the gap within the above range, the photocatalyst-containing layer substrate and the hole injection transport layer can be arranged without contacting each other without significantly deteriorating the pattern accuracy or significantly deteriorating the photocatalyst sensitivity.
또한, 상술한 바와 같은 간극을 둔 배치 상태는, 적어도 에너지 조사 동안에만 유지되면 된다.Further, the arrangement state having the gap as described above may be maintained only during at least the energy irradiation.
(에너지 조사)(Energy survey)
에너지 조사에 사용하는 광의 파장은 통상 450nm 이하의 범위로 설정되고, 바람직하게는 380nm 이하의 범위로 설정된다. 이것은, 상술한 바와 같이 광촉매 함유층에 사용되는 바람직한 광촉매가 이산화티타늄이며, 이 이산화티타늄에 의해 광촉매 작용을 활성화시키는 에너지로서 상기한 파장의 광이 바람직하기 때문이다.The wavelength of light used for energy irradiation is usually set to a range of 450 nm or less, preferably 380 nm or less. This is because the preferred photocatalyst used in the photocatalyst-containing layer as described above is titanium dioxide, and light of the above wavelength is preferable as the energy for activating the photocatalytic action by the titanium dioxide.
에너지 조사에 사용할 수 있는 광원으로서는, 수은 램프, 메탈 할라이드 램프, 크세논 램프, 엑시머 램프, 그 이외에 다양한 광원을 들 수 있다.Examples of the light source that can be used for the energy irradiation include a mercury lamp, a metal halide lamp, a xenon lamp, an excimer lamp, and various light sources.
또한, 패턴 형상으로 에너지를 조사하는 방법으로서는, 이들의 광원을 사용하여 포토마스크를 개재하여 패턴 조사하는 방법 이외에, 엑시머, YAG 등의 레이저를 사용하여 패턴 형상으로 묘화 조사하는 방법을 이용할 수도 있다.As a method of irradiating energy in a pattern shape, a method of irradiating a pattern with a laser such as an excimer or YAG may be used in addition to a method of irradiating the pattern with a light source through a photomask.
에너지 조사시의 에너지의 조사량은, 광촉매 함유층 중의 광촉매의 작용에 의해 전하 주입 수송층 표면의 습윤성이 변화되는데 필요한 조사량으로 한다.The amount of energy to be irradiated at the time of energy irradiation is set to a dose necessary for changing the wettability of the surface of the charge injection and transport layer by the action of the photocatalyst in the photocatalyst-containing layer.
이때, 광촉매 함유층을 가열하면서 에너지 조사하는 것이 바람직하다. 감도를 상승시킬 수 있고, 효율적으로 습윤성을 변화시킬 수 있기 때문이다. 구체적으로는, 기판 및 마스크를 30℃ 내지 80℃의 범위 내에서 가열하는 것이 바람직하다. 기판과 마스크의 온도차는, 노광 정밀도의 관점에서 가능한 한 작은 것이 좋지만 1℃ 이내인 것이 바람직하다.At this time, it is preferable to perform energy irradiation while heating the photocatalyst-containing layer. The sensitivity can be increased and the wettability can be changed efficiently. Concretely, it is preferable to heat the substrate and the mask within the range of 30 占 폚 to 80 占 폚. The temperature difference between the substrate and the mask is preferably as small as possible from the viewpoint of exposure accuracy, but is preferably within 1 캜.
에너지 조사 방향은, 광촉매 함유층 기판에 차광부가 형성되어 있는지의 여부, 또는 디바이스의 광의 취출 방향 등에 따라 결정된다. 예를 들어, 광촉매 함유층 기판에 차광부가 형성되어 있으며, 광촉매 함유층 기판의 기체가 투명한 경우에는, 광촉매 함유층 기판측으로부터 에너지 조사가 행해진다. 또한, 예를 들어 광촉매 함유층이 패턴 형상으로 형성되어 있는 경우에는, 에너지 조사 방향은 상술한 바와 같이 광촉매 함유층과 정공 주입 수송층이 면하는 부분에 에너지가 조사되면 어떠한 방향이어도 좋다. 또한, 예를 들어 포토마스크를 사용하는 경우에는, 포토마스크가 배치된 측으로부터 에너지가 조사된다. 이 경우, 포토마스크가 배치된 측이 투명할 필요가 있다.The energy irradiation direction is determined depending on whether or not the light shielding portion is formed on the photocatalyst-containing-layer substrate, the extraction direction of the light of the device, and the like. For example, when the light shielding portion is formed on the photocatalyst-containing layer substrate and the base body of the photocatalyst-containing layer substrate is transparent, energy irradiation is performed from the side of the photocatalyst-containing layer substrate. In the case where the photocatalyst-containing layer is formed in a pattern, for example, the energy irradiation direction may be any direction as long as energy is irradiated to the portion where the photocatalyst-containing layer and the hole injection transport layer face each other as described above. Further, for example, when a photomask is used, energy is irradiated from the side where the photomask is disposed. In this case, the side on which the photomask is disposed needs to be transparent.
에너지 조사에 동반되는 광촉매의 작용을 이용하는 방법에 있어서는, 광촉매 함유층 기판을 사용하여 패턴 형상으로 에너지를 조사하는 형태의 구체예로서 이하의 것을 들 수 있다.As a method of utilizing the action of the photocatalyst accompanying the energy irradiation, specific examples of the form of irradiating energy in a pattern shape using the photocatalyst-containing layered substrate include the following.
기체(22) 위의 전체면에 광촉매 함유층(24)이 형성되어 있는 경우에는, 포토마스크를 개재하여 패턴 형상으로 에너지를 조사하거나, 또는 도 2의 (B)에 예시한 바와 같이, 마스크로서 에너지선을 반사 또는 흡수하는 구획부를 갖는 투광성 기판측(정공 주입 수송층의 배면측)으로부터 조사하여 패턴 형상으로 에너지를 조사한다. 또한, 도 3의 (B)에 예시한 바와 같이 기체(22) 위의 전체면에 광촉매 함유층(24)이 형성되어 있는 경우에는, 레이저를 사용하여 패턴 형상으로 묘화 조사하여도 좋다. 또한, 도 6의 (A)에 예시한 바와 같이 기체(22) 위에 광촉매 함유층(24)이 패턴 형상으로 형성되어 있는 경우에는, 마스크로서 광촉매 함유층 기판을 사용함으로써 패턴 형상으로 에너지를 조사한다. 또한, 도 1의 (B)에 예시한 바와 같이 차광부(23)가 패턴 형상으로 형성되어 있는 경우에는, 마스크로서 광촉매 함유층 기판을 사용함으로써 패턴 형상으로 에너지를 조사한다.When the photocatalyst-containing
광촉매 함유층 기판을 사용하여 정공 주입 수송층에 광촉매의 작용을 미치는 방법으로서는, 구체적으로 일본 특허 공개 제 2000-249821호 공보 등에 기재되어 있는 광촉매 함유층측 기판을 사용하여 특성 변화층에 광촉매의 작용을 미치는 방법과 동일하게 할 수 있다.As a method of using the photocatalyst-containing layer substrate to give the action of the photocatalyst to the hole injection transport layer, there is a method of acting the photocatalyst on the characteristic-modifiable layer using the photocatalyst-containing layer side substrate specifically described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-249821 .
(2) 패턴 형상으로 진공 자외광을 조사하는 방법(2) Method of irradiating vacuum ultraviolet light in a pattern shape
패턴 형상으로 진공 자외광을 조사하는 방법은, 마스크로서 진공 자외광용 마스크를 사용하고, 에너지로서 진공 자외광을 조사하는 방법을 들 수 있다.A method of irradiating vacuum ultraviolet light in a pattern shape includes a method of using a vacuum ultraviolet mask as a mask and irradiating vacuum ultraviolet light as energy.
진공 자외광의 조사에 의해, 정공 주입 수송층에 함유되는 재료가 정공 주입 수송층용 디바이스 재료의 표면에 부착된 불소 함유 유기 화합물이 분해되는 기구에 대해서는 반드시 명확하지 않지만, 정공 주입 수송층에 진공 자외광이 조사되면, 정공 주입 수송층에 함유되는 불소 함유 유기 화합물의 분자 결합이 진공 자외광의 작용에 의해 절단되거나, 산소의 존재하에 산소가 여기되어 발생하는 오존이나 산소 원자 라디칼이 불소 함유 유기 화합물에 작용을 미침으로써, 불소 함유 유기 화합물이 분해물이 되고, 이 분해물이 휘발 제거됨으로써 불소가 제거된 불소 분해부를 형성할 수 있는 것으로 생각된다.The mechanism for decomposing the fluorine-containing organic compound attached to the surface of the hole injection transport layer-use device material by the material contained in the hole injection transport layer by the irradiation of the vacuum ultraviolet light is not necessarily clarified, but vacuum ultraviolet light When irradiated, the molecular bond of the fluorine-containing organic compound contained in the hole injection transport layer is cut off by the action of ultraviolet rays of ultraviolet rays, or when oxygen is excited in the presence of oxygen, ozone or an oxygen atom radical acts on the fluorine-containing organic compound It is considered that the fluorine-containing organic compound becomes a decomposition product by volatilization, and the decomposition product of the fluorine-containing organic compound is volatilized and removed, thereby forming a fluorine decomposition part in which fluorine is removed.
진공 자외광의 파장은, 산소와 작용함으로써 산소 라디칼을 발생할 수 있는 범위 내이면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상 100nm 내지 250nm의 범위 내인 것이 바람직하고, 그 중에서도 150nm 내지 200nm의 범위 내인 것이 바람직하다. 파장이 상기 범위보다도 길면 산소 라디칼의 발생 효율이 낮아지고, 정공 주입 수송층에 함유되는 재료의 분해 제거 효율이 저하될 우려가 있기 때문이다. 또한, 파장이 상기 범위보다도 짧으면, 안정된 진공 자외광의 조사가 곤란해질 가능성이 있기 때문이다.The wavelength of vacuum ultraviolet light is not particularly limited as long as it is in a range capable of generating oxygen radicals by acting with oxygen, but it is preferably within a range of 100 nm to 250 nm, and more preferably within a range of 150 nm to 200 nm. If the wavelength is longer than the above range, the oxygen radical generation efficiency is lowered, and the decomposition and removal efficiency of the material contained in the hole injection transport layer may be lowered. If the wavelength is shorter than the above range, it may be difficult to irradiate stable vacuum ultraviolet light.
상기 파장 범위의 진공 자외광의 조사에 사용되는 광원으로서는, 예를 들어 엑시머 램프, 저압 수은 램프, 그 이외에 다양한 광원을 들 수 있다.Examples of the light source used to irradiate the vacuum ultraviolet light in the above wavelength range include an excimer lamp, a low-pressure mercury lamp, and various light sources.
또한, 진공 자외광의 조사량으로서는, 상기 친액성층 형성용 층을 제거할 수 있는 범위 내이면 특별히 한정되는 것은 아니며, 정공 주입 수송층에 함유되는 재료의 종류나 상기 진공 자외광의 파장 등에 따라 적절하게 조정하면 된다.The amount of the vacuum ultraviolet light to be irradiated is not particularly limited as long as it is within a range in which the layer for forming the lyophilic layer can be removed. The amount of the ultraviolet light to be irradiated may be appropriately determined depending on the kind of the material contained in the hole injection and transport layer, You can adjust it.
진공 자외광의 조사시에 사용할 수 있는 진공 자외광용 마스크로서는, 진공 자외광을 패턴 형상으로 투과할 수 있는 것이면 좋고, 예를 들어 패턴 형상의 개구부를 갖는 메탈 마스크나, 진공 자외광을 투과할 수 있는 투명 기재와, 투명 기재 위에 패턴 형상으로 형성되며, 진공 자외광을 차광할 수 있는 차광부를 갖는 마스크를 들 수 있다.As the mask for vacuum ultraviolet light which can be used in the irradiation of the vacuum ultraviolet light, any material may be used as long as it can transmit vacuum ultraviolet light in a pattern shape. For example, a metal mask having an opening in a pattern shape, And a mask having a light shielding portion formed in a pattern on the transparent substrate and capable of shielding vacuum ultraviolet light.
메탈 마스크의 재료로서는, 상기 진공 자외광을 차광할 수 있는 것이면 좋고, 예를 들어 일본 특허 공개 제 2007-178783호 공보 등에 기재된 것을 사용할 수 있다.The material of the metal mask may be any material as long as it can shield the vacuum ultraviolet light. For example, those described in JP-A-2007-178783 can be used.
한편, 투명 기재로서는 진공 자외광을 투과할 수 있는 것이면 좋고, 예를 들어 석영 기판 등을 사용할 수 있다. 또한, 차광부를 구성하는 차광 재료로서는, 크롬, 산화크롬 등의 금속을 들 수 있다.On the other hand, as the transparent substrate, any material capable of transmitting vacuum ultraviolet light may be used, and for example, a quartz substrate or the like can be used. As the light-shielding material constituting the light-shielding portion, metals such as chromium and chromium oxide can be mentioned.
진공 자외광은 지향성이 없는 분산광이기 때문에, 진공 자외광용 마스크를 개재하여 진공 자외광을 조사하는 경우에는, 이 진공 자외광용 마스크를 정공 주입 수송층에 가능한 한 접근시키고, 진공 자외광이 정공 주입 수송층과 진공 자외광용 마스크와의 사이에 회절되지 않도록 하는 것이 바람직하다.Since the vacuum ultraviolet light is dispersed light having no directivity, when vacuum ultraviolet light is irradiated via a vacuum ultraviolet mask, the vacuum ultraviolet mask is moved as close as possible to the hole injection and transport layer, It is preferable not to diffract between the injection transport layer and the vacuum ultraviolet light mask.
그 중에서도, 격벽이나 절연층 등의 구획부가 형성되어 있지 않는 경우에는, 진공 자외광용 마스크를 정공 주입 수송층에 가능한 한 접근시키면서도, 진공 자외광용 마스크가 정공 주입 수송층에 접촉하지 않도록 진공 자외광용 마스크를 배치하는 것이 바람직하다.In particular, when a partitioning portion such as a partition or an insulating layer is not formed, the vacuum ultraviolet light mask is made as close to the hole injection and transport layer as possible, and the vacuum ultraviolet mask does not contact the hole injection transport layer. It is preferable to dispose a mask.
한편, 격벽이나 절연층 등의 구획부가 형성되어 있는 경우에는, 진공 자외광용 마스크를 정공 주입 수송층에 가능한 한 접근시키면서도, 진공 자외광용 마스크가 정공 주입 수송층에 접촉하도록 진공 자외광용 마스크를 배치하여도 좋고, 진공 자외광용 마스크를 정공 주입 수송층에 가능한 한 접근시키면서도, 진공 자외광용 마스크가 정공 주입 수송층에 접촉하지 않도록 진공 자외광용 마스크를 배치하여도 좋다. 격벽이나 절연층 등의 구획부가 형성되어 있는 경우이며, 투명 기재 위에 차광부가 패턴 형상으로 형성된 진공 자외광용 마스크를 사용하는 경우에는, 진공 자외광용 마스크를 정공 주입 수송층에 밀착되도록 고정할 수 있다.On the other hand, when a partitioning portion such as a partition or an insulating layer is formed, a mask for vacuum ultraviolet light is arranged so that the mask for vacuum ultraviolet light is brought into contact with the hole injecting and transporting layer while making the mask for vacuum ultraviolet light approach as close as possible to the hole injecting and transporting layer Alternatively, a mask for vacuum ultraviolet light may be arranged so that the mask for vacuum ultraviolet light is brought into contact with the hole injecting and transporting layer while bringing the mask for vacuum ultraviolet light closer to the hole injecting and transporting layer. In the case of using a mask for vacuum ultraviolet light in which a light shielding portion pattern is formed on a transparent substrate, the mask for vacuum ultraviolet light can be fixed so as to be in close contact with the hole injecting and transporting layer .
(3) 습윤성 변화 패턴의 조정 방법(3) Adjustment method of wettability change pattern
구획부의 정상부 위에 위치하는 정공 주입 수송층의 부분에 에너지를 조사하는 경우이며, 마스크로서 투과 영역 및 차광 영역을 갖는 마스크를 사용하는 경우에는, 구획부의 정상부의 면적에 대한 마스크의 투과 영역의 면적의 비율, 및 정공 주입 수송층 및 마스크간의 거리 중 적어도 어느 한쪽을 조정하여, 정공 주입 수송층측의 표면에서의 액체의 접촉각이 구획부의 측부측으로부터 정상부측을 향해 높아지도록 발액성 영역을 형성하여도 좋다.When a mask having a transmissive region and a light shielding region is used as a mask, the ratio of the area of the transmissive region of the mask to the area of the top of the partition portion And the distance between the hole injection transport layer and the mask may be adjusted so that the liquid repellent area is formed so that the contact angle of the liquid on the surface of the hole injection transport layer side becomes higher from the side of the partition toward the top side.
예를 들어, 상기한 에너지 조사에 동반되는 광촉매의 작용을 이용하는 방법의 경우이며, 광촉매 함유 기판에서 차광부가 패턴 형상으로 형성되어 있는 경우, 기체 위에 차광부가 설치되어 있는 차광 영역과, 이 차광 영역 이외의 영역이며, 기체 위에 광촉매 함유층만이 설치된 투과 영역을 갖는 광촉매 함유층 기판을 사용할 수 있다. 이 경우, 구획부(격벽(6a))의 정상부의 면적(S1)에 대한 광촉매 함유층 기판의 투과 영역의 면적(S2)의 비율, 및 정공 주입 수송층 및 광촉매 함유층 기판간의 거리(D) 중 적어도 어느 한쪽을 조정함으로써, 정공 주입 수송층측의 표면에서의 액체의 접촉각이 구획부(격벽(6a))의 측부측으로부터 정상부측을 향해 높아지도록 발액성 영역(12)을 형성할 수 있다.For example, in the case of the method using the action of the photocatalyst accompanying the above-described energy irradiation, in the case where the light-shielding portion is formed in the pattern shape on the photocatalyst-containing substrate, the light- And a photocatalyst-containing layer substrate having a transmissive region in which only the photocatalyst-containing layer is provided on the substrate can be used. In this case, at least either the ratio of the area S2 of the transmission region of the photocatalyst-comprising-layer substrate to the area S1 of the top of the partition (
또한, 예를 들어 상기한 진공 자외광을 조사하는 방법의 경우, 구획부(격벽(6a))의 정상부의 면적(S1)에 대한 메탈 마스크의 투과 영역의 면적(S2)의 비율을 조정함으로써, 정공 주입 수송층측의 표면에서의 액체의 접촉각이 구획부(격벽(6a))의 측부측으로부터 정상부측을 향해 높아지도록 발액성 영역(12)을 형성할 수 있다.For example, in the case of the method of irradiating vacuum ultraviolet light described above, by adjusting the ratio of the area S2 of the transmission region of the metal mask to the area S1 of the top portion of the partition (
이것은, 광의 회절 현상과 입체각의 효과에 의한 것이다. 전자는, 구획부의 정상부의 면적에 대한 마스크의 투과 영역의 면적의 비율, 및 정공 주입 수송층 및 마스크간의 거리 중 적어도 어느 한쪽을 조정함으로써, 광의 회절 현상 등에 의해 정공 주입 수송층에 조사되는 에너지의 조사량에 구배가 발생하고, 그 결과 정공 주입 수송층에 함유되는 재료가 분해되는 양에 구배가 발생한다. 후자는, 구획부의 정상부에서는 광의 입사에 대하여 수직인 것에 비해, 구획부의 측부에서는 각도를 갖기 때문에 입체각이 작아지고, 광의 외관의 조사량이 작아져, 그 결과 정공 주입 수송층에 함유되는 재료가 분해되는 양에 구배가 발생한다. 이에 따라, 정공 주입 수송층측의 표면에서, 액체의 접촉각이 구획부의 측부측으로부터 정상부측을 향해 높아지도록 액체의 접촉각에 경사를 갖게 할 수 있는 것이다.This is due to the diffraction phenomenon of the light and the effect of the solid angle. The former can be adjusted by adjusting at least one of the ratio of the area of the transmissive area of the mask to the area of the top of the partition and the distance between the hole injecting and transporting layer and the mask so that the amount of energy irradiated to the hole injecting and transporting layer A gradient occurs, and as a result, a gradient occurs in the amount of decomposition of the material contained in the hole injection and transport layer. The latter is vertical to the incidence of light at the top of the dividing portion, and the angle of the side of the dividing portion is small so that the angle of solid angle becomes small and the amount of irradiation of the outer appearance of the light becomes small. As a result, A gradient occurs. This makes it possible to make the contact angle of the liquid inclined at the surface of the hole injection and transport layer side so that the contact angle of the liquid becomes higher toward the top side from the side of the partition.
또한, 격벽과 같이 막 두께가 비교적 두꺼운 구획부의 경우, 구획부의 정상부측으로부터 측부측을 향해 정공 주입 수송층과 마스크와의 거리가 서서히 넓어지기 때문에, 이 정공 주입 수송층과 마스크와의 거리에 따라 액체의 접촉각에 경사를 갖게 할 수도 있다.Further, in the case of a partition having a relatively large film thickness, such as a partition, the distance between the hole injection and transportation layer and the mask is gradually widened from the top side to the side side of the partition. Therefore, depending on the distance between the hole injection and transportation layer and the mask, The contact angle may be inclined.
구획부의 정상부의 면적에 대한 마스크의 투과 영역의 면적의 비율을 조정함으로써, 액체의 접촉각에 경사를 발생시키는 경우에는, 구획부의 정상부의 면적보다도 마스크의 투과 영역의 면적을 동등하거나 크게 하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 구획부의 정상부 및 측부의 경계 부근에 위치하는 영역에서 액체의 접촉각에 경사를 갖게 하기 쉬워지기 때문이다.It is preferable that the area of the transmissive area of the mask is made equal to or larger than the area of the top of the partition when the inclination is caused in the contact angle of the liquid by adjusting the ratio of the area of the transmissive area of the mask to the area of the top of the partition . This is because it is easy to make the contact angle of the liquid in the region located near the boundary between the top portion and the side portion of the partition portion inclined.
3. 구획부 형성 공정3. Compartment forming process
본 발명에 있어서는, 필요에 따라 상기 정공 주입 수송층 형성 공정 전에 상기 패턴 형상으로 제1 전극층이 형성된 기판 위의 상기 제1 전극층의 패턴간에 구획부를 형성하는 구획부 형성 공정을 갖고 있어도 좋다.In the present invention, a step of forming a partition may be provided between the patterns of the first electrode layer on the substrate on which the first electrode layer is formed in the pattern shape before the hole injecting and transporting layer forming step, if necessary.
구획부로서는, 예를 들어 격벽 및 절연층을 들 수 있다. 도 2의 (A), 도 3의 (A), 도 4의 (A)의 격벽(6a)으로서 예시한 바와 같이, 구획부로서는 격벽 및 절연층 양쪽의 기능을 달성하는 것이 일체가 되어 형성되어도 좋다. 이하, 격벽 및 절연층으로 나누어서 설명한다.Examples of the partitioning portion include a partition wall and an insulating layer. As exemplified as the
본 발명에 관한 디바이스에 있어서, 이 구획부가 형성된 부분은 통상 비발광 영역이 된다.In the device according to the present invention, the portion where the partition is formed is usually a non-light emitting region.
(1) 격벽(1)
본 발명에 있어서는, 도 2의 (A), 도 3의 (A), 도 4의 (A)에 예시한 바와 같이, 제1 전극층(3)이 형성된 기판(2) 위에 격벽(6a)이 패턴 형상으로 형성되어 있어도 좋다. 통상, 제1 전극층이 패턴 형상으로 형성되어 있는 경우에는, 격벽(6a)은 제1 전극층(3)의 패턴의 개구부에 형성된다.In the present invention, as exemplified in Figs. 2A, 3A and 4A, the
격벽은, 정공 주입 수송층 위에 형성되는 층을 패턴 형상으로 구분 도포하기 위해 설치되는 것이다.The barrier ribs are provided to coat the layers formed on the hole injection transport layer in a pattern shape.
격벽의 형성 재료로서는 특별히 한정되는 것은 아니며, 유기 재료여도 좋고, 무기 재료여도 좋고, 일반적으로 유기 EL 소자 등의 디바이스에 있어서의 격벽에 사용되는 재료를 사용할 수 있다.The material for forming the barrier rib is not particularly limited and may be an organic material, an inorganic material, or a material used for a barrier rib in a device such as an organic EL device.
유기 재료로서는, 예를 들어 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-염화비닐 공중합체, 에틸렌-비닐 공중합체, 폴리스티렌, 아크릴로니트릴-스티렌 공중합체, ABS 수지, 폴리메타크릴산 수지, 에틸렌-메타크릴산 수지, 폴리염화비닐 수지, 염소화염화비닐, 폴리비닐알코올, 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트, 셀룰로오스 아세테이트 부티레이트, 나일론 6, 나일론 66, 나일론 12, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리카르보네이트, 폴리비닐 아세탈, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌술피드, 폴리아릴레이트, 폴리비닐부티랄, 에폭시 수지, 페녹시 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리아믹산 수지, 폴리에테르이미드 수지, 페놀 수지, 우레아 수지 등을 들 수 있다.Examples of the organic material include ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-vinyl chloride copolymer, ethylene-vinyl copolymer, polystyrene, acrylonitrile-styrene copolymer, ABS resin, polymethacrylic resin, ethylene- Polyvinyl alcohol, cellulose acetate propionate, cellulose acetate butyrate,
무기 재료로서는, 예를 들어 SiO2 등을 들 수 있다.Examples of the inorganic material include SiO 2 and the like.
격벽의 높이로서는, 0.01㎛ 내지 50㎛ 정도로 할 수 있다. 또한, 절연층 위에 별도로 격벽이 형성되어 있는 경우, 격벽의 폭으로서는 도 7의 (A)에 예시한 바와 같이 격벽(6a)의 폭이 제1 전극층(3)의 패턴간의 폭보다 좁아도 좋고, 도 7의 (B)에 예시한 바와 같이, 격벽(6a)의 폭이 제1 전극층(3)의 패턴간의 폭보다 넓어도 좋다.The height of the barrier rib can be set to about 0.01 탆 to 50 탆. When the barrier ribs are formed separately on the insulating layer, the width of the barrier ribs may be smaller than the width between the patterns of the
또한, 격벽의 형성 방법으로서는, 포토리소그래피법, 인쇄법 등의 일반적인 방법을 이용할 수 있다.As a method for forming the barrier rib, a general method such as a photolithography method or a printing method can be used.
(2) 절연층(2) Insulating layer
본 발명에 있어서는, 도 7의 (A) 및 (B)에 예시한 바와 같이 제1 전극층(3)이 형성된 기판(2) 위에 절연층(6b)이 패턴 형상으로 형성되어 있어도 좋다. 통상, 제1 전극층이 패턴 형상으로 형성되어 있는 경우에는, 절연층(6b)은 제1 전극층(3)의 패턴의 개구부에 형성되고, 제1 전극층의 패턴의 단부를 덮도록 형성된다. 도 7의 (A) 및 (B)에 있어서는 절연층(6b) 위에 격벽(6a)도 형성되어 있지만, 절연층(6b)만이 형성되고, 격벽(6a)이 형성되어 있지 않은 형태여도 좋다.In the present invention, as shown in Figs. 7A and 7B, the insulating
절연층은 인접하는 제1 전극층의 패턴간에서의 도통이나, 제1 전극층 및 제2 전극층간에서의 도통을 방지하기 위해 설치되는 것이다.The insulating layer is provided to prevent conduction between patterns of the adjacent first electrode layers or conduction between the first electrode layer and the second electrode layer.
절연층의 형성 재료로서는 절연성을 갖는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니며, 유기 재료여도 좋고, 무기 재료여도 좋고, 일반적으로 유기 EL 소자 등의 디바이스에 있어서 절연층에 사용되는 재료를 사용할 수 있다.The material for forming the insulating layer is not particularly limited as long as it has an insulating property, and may be an organic material, an inorganic material, or the like, and a material used for an insulating layer in a device such as an organic EL device.
또한, 절연층의 형성 방법으로서는, 포토리소그래피법, 인쇄법 등의 일반적인 방법을 이용할 수 있다.As a method of forming the insulating layer, a general method such as a photolithography method or a printing method can be used.
절연층의 막 두께로서는, 10nm 내지 50㎛ 정도로 할 수 있다.The thickness of the insulating layer may be about 10 nm to 50 탆.
4. 기타 공정4. Other processes
디바이스의 제조 방법에 있어서의 기타 공정에 대해서는, 각 디바이스에 따라 종래 공지된 공정을 적절하게 이용할 수 있다.As for other processes in the method of manufacturing a device, conventionally known processes can be appropriately used depending on each device.
본 발명의 필수 성분인 제2 전극층도, 각 디바이스에 따라 종래 공지된 재료를 적절히 채용하여 종래 공지된 공정에 의해 적절히 형성하면 된다. 본 발명의 디바이스에 있어서, 제2 전극층은 금속 또는 금속 산화물로 형성되는 것이 바람직하고, 통상 알루미늄, 금, 은, 니켈, 팔라듐, 백금 등의 금속, 인듐 및/또는 주석의 산화물 등의 금속 산화물에 의해 형성할 수 있다.The second electrode layer, which is an essential component of the present invention, may be suitably formed by conventionally known processes by properly employing conventionally known materials in accordance with each device. In the device of the present invention, it is preferable that the second electrode layer is formed of a metal or a metal oxide, and the metal oxide such as a metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, platinum and the like and an oxide of indium and / .
전극은, 통상, 기판 위에 스퍼터링법, 진공 증착법 등의 방법에 의해 형성되는 경우가 많지만, 도포법이나 침지법 등의 습식법에 의해 형성할 수도 있다. 전극의 두께는, 각각의 전극에 요구되는 투명성 등에 따라 상이하다. 투명성이 필요한 경우에는, 전극의 가시광 파장 영역의 광투과율이 통상 60% 이상, 바람직하게는 80% 이상이 되는 것이 바람직하고, 이 경우의 두께는 통상 10 내지 1000nm, 바람직하게는 20 내지 500nm 정도이다.The electrode is usually formed on the substrate by a method such as a sputtering method, a vacuum deposition method, or the like, but may be formed by a wet method such as a coating method or a dipping method. The thickness of the electrode differs depending on the transparency required for each electrode. When transparency is required, it is preferable that the light transmittance of the electrode in the visible light wavelength region is generally 60% or more, preferably 80% or more, and the thickness in this case is usually about 10 to 1000 nm, preferably about 20 to 500 nm .
IV. 디바이스IV. device
본 발명에 관한 디바이스의 제1 형태는, 기판 위에 대향하는 2개 이상의 전극과, 그 중 2개의 전극간에 배치된 정공 주입 수송층을 갖는 디바이스이며, A first aspect of the device according to the present invention is a device having two or more electrodes opposing to a substrate and a hole injection transport layer disposed between two of the electrodes,
상기 정공 주입 수송층이 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료를 함유하고, 상기 정공 주입 수송층의 표층부의 상기 정공 주입 수송층용 디바이스 재료의 불소 함유 유기 화합물이 분해 제거되어 있는 것을 특징으로 한다.Wherein the hole injection and transport layer contains the device material for a hole injection transport layer according to the present invention and the fluorine containing organic compound of the device material for the hole injection transport layer in the surface layer portion of the hole injection transport layer is decomposed and removed.
또한, 본 발명에 관한 디바이스의 제2 형태는, 기판 위에 대향하는 2개 이상의 전극과, 그 중 2개의 전극간에 배치된 정공 주입 수송층을 갖는 디바이스이며, A second aspect of the device according to the present invention is a device having two or more electrodes opposing a substrate and a hole injection transport layer disposed between two of the electrodes,
패턴 형상으로 제1 전극층이 형성된 기판 위의 상기 제1 전극층의 패턴간에 구획부를 갖고, 상기 구획부의 개구부 내의 상기 제1 전극층 위 및 상기 구획부 위에 연속된 정공 주입 수송층을 갖고, And a hole injection and transport layer which has a partition between patterns of the first electrode layer on the substrate on which the first electrode layer is formed in a pattern shape and which is continuous over the first electrode layer and the partition in the opening of the partition,
상기 구획부의 개구부 내의 상기 제1 전극층 위 및 상기 구획부의 측부 위의 정공 주입 수송층에 있어서는, 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료 중 적어도 일부의 불소 함유 유기 화합물이 분해 제거되어 있으며, 상기 절연층의 정상부 위의 정공 주입 수송층은 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료를 함유하고 있는 것을 특징으로 한다.At least a part of the fluorine-containing organic compound in the device material for the hole injection transport layer according to the present invention is decomposed and removed in the hole injection and transport layer on the first electrode layer and on the side of the partition in the opening of the partition, And the hole injection transport layer on the top of the layer contains the device material for the hole injection transport layer according to the present invention.
상기 본 발명의 디바이스는 어떠한 형태도 상기 본 발명에 관한 디바이스의 제조 방법에 의해 얻을 수 있는 것이다.The device of the present invention can be obtained in any form by the above-described method of manufacturing a device according to the present invention.
이하, 본 발명에 관한 디바이스의 층 구성에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다.Hereinafter, the layer structure of the device according to the present invention will be described with reference to the drawings.
도 8은, 본 발명에 관한 디바이스의 제1 형태의 기본적인 층 구성을 도시하는 단면 개념도이다. 본 발명의 디바이스(10)의 기본적인 층 구성은, 기판(2) 위에 대향하는 2개의 전극(3 및 9)과, 그 2개의 전극(3 및 9) 사이에 배치된 정공 주입 수송층(4)을 포함하고, 당해 정공 주입 수송층(4)이 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료를 함유하고, 상기 정공 주입 수송층의 표층부의 상기 정공 주입 수송층용 디바이스 재료의 불소 함유 유기 화합물이 분해 제거되어 있는 정공 주입 수송층의 불소 분해부(5)를 포함한다. 또한, 상기 제1 전극층(3) 위 및 구획부(6a)의 측부 위에 존재하는 정공 주입 수송층(4)의 표층부에 친액성 영역(11) 및 구획부(6a)의 정상부 위가 발액성 영역(12)으로 이루어지는 패턴이 형성되어 있다. 상기 정공 주입 수송층(4)의 친액성 영역(11) 위에 디바이스 기능의 중심이 되는 층(이하, 기능층이라고 함)이나, 당해 기능층의 보조적인 층(이하, 보조층이라고 함)을 포함하는 디바이스층(7)이 형성되어 있다.Fig. 8 is a schematic cross-sectional view showing a basic layer structure of the first embodiment of the device according to the present invention. Fig. The basic layer structure of the
기판(2)은, 디바이스를 구성하는 각 층을 형성하기 위한 지지체이며, 반드시 전극(1)의 표면에 설치될 필요는 없고, 디바이스의 가장 외측의 면에 설치되어 있으면 좋다.The
정공 주입 수송층(4)은, 적어도 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료를 함유하고, 전극(3)으로부터 디바이스층(7)으로의 정공의 주입 및/또는 수송을 담당하는 층이다.The hole injection and
디바이스층(7)은, 정공 주입 수송됨으로써 디바이스의 종류에 따라 다양한 기능을 발휘하는 층이며, 단층으로 이루어지는 경우와 다층으로 이루어지는 경우가 있다. 디바이스층(7)이 다층으로 이루어지는 경우에는 기능층이나 보조층을 포함하고 있다. 예를 들어, 유기 EL 소자의 경우, 정공 주입 수송층의 표면에 더 적층되는 정공 수송층이 보조층에 해당하고, 당해 정공 수송층의 표면에 적층되는 발광층이 기능층에 해당한다.The
제2 전극층(9)은, 대향하는 전극(1)과의 사이에 정공 주입 수송층(4)과 디바이스층(7)이 존재하는 개소에 적어도 설치된다. 또한, 필요에 따라, 도시하지 않은 제3 전극을 가져도 좋다. 이들 전극간에 전기장을 인가함으로써, 디바이스의 기능을 발현시킬 수 있다.The
도 9는, 본 발명에 관한 디바이스의 제2 형태의 기본적인 층 구성을 도시하는 단면 개념도이다. 본 발명의 디바이스의 기본적인 층 구성은, 패턴 형상으로 제1 전극층(3)이 형성된 기판(2) 위의 상기 제1 전극층(3)의 패턴간에 구획부(6a)를 갖고, 상기 구획부(6a)의 개구부 내의 상기 제1 전극층(3) 위 및 상기 구획부(6a) 위에 연속된 정공 주입 수송층(4 및 5)을 갖고, 상기 구획부(6a)의 개구부 내의 상기 제1 전극층(3) 위 및 상기 구획부(6a)의 측부 위의 정공 주입 수송층(4)에 있어서는, 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료 중 적어도 일부의 불소 함유 유기 화합물이 분해 제거되어, 정공 주입 수송층의 불소 분해부(5)가 되어 있으며, 상기 구획부의 정상의 정공 주입 수송층(4)은 불소가 분해되어 있지 않고, 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료를 함유하고 있다. 또한, 도 9는, 상기 구획부(6a)의 개구부 내의 상기 제1 전극층(3) 위 및 상기 구획부(6a)의 측부 위의 정공 주입 수송층(4)에 있어서는, 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료 전부의 불소 함유 유기 화합물이 분해 제거되어, 정공 주입 수송층의 불소 분해부(5)가 되어 있는 도면을 도시하고 있다.9 is a schematic cross-sectional view showing a basic layer structure of a second embodiment of the device according to the present invention. The basic layer structure of the device of the present invention is such that a
또한, 상기 제1 전극층(3) 위 및 구획부(6a)의 측부 위에 존재하는 정공 주입 수송층의 불소 분해부(5)가 친액성 영역(11) 및 구획부(6a)의 정상부 위에 발액성 영역(12)으로 이루어지는 패턴이 형성되어 있다. 상기 정공 주입 수송층(4)의 친액성 영역(11) 위에 디바이스층(7)이 형성되어 있다. 또한, 제2 전극층(9)이 기판(2) 위에 2개의 전극(3 및 9)이 대향하고, 그 2개의 전극(3 및 9) 사이에 배치된 정공 주입 수송층(4)을 갖도록 형성되어 있다.The
또한, 상기 구획부(6a)의 개구부 내의 상기 제1 전극층(3) 위 및 상기 구획부(6a) 위에 연속된 정공 주입 수송층(4 및 5)은, 정공 주입 수송층에 별층으로서 설치된 계면이 없다. 정공 주입 수송층의 불소 분해부(5)는, 정공 주입 수송층(4)과 동일한 재료로부터 정공 주입 수송층용 디바이스 재료 중 적어도 일부의 불소 함유 유기 화합물이 분해 제거된 부분으로서 정공 주입 수송층에 패턴 형상으로 포함되는 것이다.The hole injection and
또한, 본 발명의 디바이스의 층 구성은 상기 예시로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 동일한 작용 효과를 발휘하는 것은, 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.In addition, the layer structure of the device of the present invention is not limited to the above-described example, and any layer which has substantially the same structure as the technical idea described in the claims of the present invention, It is included in the technical scope.
본 발명의 디바이스에 있어서, 제1 전극층, 제2 전극층, 정공 주입 수송층 및 당해 정공 주입 수송층에 사용되는 정공 주입 수송층용 디바이스 재료에 대해서는, 상기한 「I. 정공 주입 수송층용 디바이스 재료」, 「II. 정공 주입 수송층용 잉크」, 「III. 디바이스의 제조 방법」에 있어서 기재한 것과 동일하여도 좋다. 또한, 디바이스에 포함되는 디바이스층(기능층이나 보조층)에 대해서는, 후술하는 디바이스의 구체예에 있어서 상세하게 설명한다.In the device of the present invention, the device material for the first electrode layer, the second electrode layer, the hole injecting and transporting layer, and the hole injecting and transporting layer used in the hole injecting and transporting layer is described in "I. Device material for hole injection and transport layer ", " II. Ink for hole injection and transport layer ", " III. Method of manufacturing a device ". The device layer (functional layer or auxiliary layer) included in the device will be described in detail in a specific example of a device to be described later.
여기서는, 정공 주입 수송층에 대하여 더욱 보충한다.Here, the hole injection and transport layer is further supplemented.
<정공 주입 수송층> <Hole injection and transport layer>
본 발명의 디바이스에 있어서의 정공 주입 수송층은, 적어도 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료를 함유하는 것이다. 당해 정공 주입 수송층은, 상기 본 발명에 정공 주입 수송층용 디바이스 재료만으로 이루어지는 것이어도 좋지만, 기타 성분을 함유하고 있어도 좋다.The hole injecting and transporting layer in the device of the present invention contains at least the device material for the hole injecting and transporting layer according to the present invention. The hole injecting and transporting layer may be made of only the device material for the hole injecting and transporting layer in the present invention, but may contain other components.
기타 성분으로서, 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료 이외의 정공 수송성 화합물로서는, 본 발명의 효과가 손상되지 않는 한 정공 수송성을 갖는 화합물이면 적절하게 사용할 수 있다. 여기서, 정공 수송성이란, 공지된 광 전류법에 의해 정공 수송에 의한 과전류가 관측되는 것을 의미한다.As the other component, the hole-transporting compound other than the device material for a hole injection and transport layer according to the present invention may be suitably used as far as the effect of the present invention is not impaired, as long as it has a hole-transporting property. Here, the hole transportability means that an overcurrent due to hole transport is observed by a known photocurrent method.
정공 수송성 화합물로서는, 저분자 화합물 이외에 고분자 화합물도 적절하게 사용된다. 정공 수송성 고분자 화합물은 정공 수송성을 갖고, 겔 침투 크로마토그래피의 폴리스티렌 환산값에 의한 중량 평균 분자량이 2000 이상인 고분자 화합물을 말한다. 본 발명의 정공 주입 수송층에 있어서는, 용액 도포법에 의해 안정된 막을 형성하는 것을 목적으로 하고, 정공 수송성 재료로서는 유기 용매에 용해되기 쉬우면서도 화합물이 응집되기 어려운 안정된 도막을 형성 가능한 고분자 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.As the hole-transporting compound, a polymer compound in addition to a low-molecular compound is suitably used. The hole-transporting polymer compound refers to a polymer compound having a hole-transporting property and having a weight average molecular weight of 2000 or more as measured by polystyrene conversion of gel permeation chromatography. The hole injecting and transporting layer of the present invention is intended to form a stable film by a solution coating method and uses a polymer compound which is easy to dissolve in an organic solvent and is capable of forming a stable coating film in which a compound is hardly aggregated desirable.
정공 수송성 화합물로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 아릴아민 유도체, 안트라센 유도체, 카르바졸 유도체, 티오펜 유도체, 플루오렌 유도체, 디스티릴벤젠 유도체, 스피로 화합물 등을 들 수 있다. 아릴아민 유도체의 구체예로서는, N,N'-비스-(3-메틸페닐)-N,N'-비스-(페닐)-벤지딘(TPD), 비스(N-(1-나프틸-N-페닐)벤지딘)(α-NPD), 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아민(MTDATA), 4,4',4"-트리스(N-(2-나프틸)-N-페닐아미노)트리페닐아민(2-TNATA) 등, 카르바졸 유도체로서는 4,4-N,N'-디카르바졸-비페닐(CBP) 등, 플루오렌 유도체로서는 N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-비스(페닐)-9,9-디메틸플루오렌(DMFL-TPD) 등, 디스티릴벤젠 유도체로서는 4-(디-p-톨릴아미노)-4'-[(디-p-톨릴아미노)스티릴]스틸벤(DPAVB) 등, 스피로 화합물로서는 2,7-비스(N-나프탈렌-1-일-N-페닐아미노)-9,9-스피로비플루오렌(스피로-NPB), 2,2',7,7'-테트라키스(N,N-디페닐아미노)-9,9'-스피로비플루오렌(스피로-TAD) 등을 들 수 있다.The hole-transporting compound is not particularly limited, and examples thereof include arylamine derivatives, anthracene derivatives, carbazole derivatives, thiophene derivatives, fluorene derivatives, distyrylbenzene derivatives, spiro compounds and the like. Specific examples of the arylamine derivatives include N, N'-bis- (3-methylphenyl) -N, N'-bis- (phenyl) -benzidine (TPD) Benzidine (? -NPD), 4,4 ', 4 "-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine (MTDATA), 4,4' 4,4-N, N'-dicarbazole-biphenyl (CBP) as the carbazole derivative and N, N'-bis (diphenylphosphino) (Di-p-tolylamino) -4 '- [(3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-dimethylfluorene (DMFL- Styryl] stilbene (DPAVB) as the spiro compound, 2,7-bis (N-naphthalen-1-yl-N-phenylamino) -9,9-spirobifluorene -NPB), 2,2 ', 7,7'-tetrakis (N, N-diphenylamino) -9,9'-spirobifluorene (spiro-TAD).
또한, 정공 수송성 고분자 화합물로서는, 예를 들어 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리페닐렌비닐렌 유도체 등을 사용할 수 있다. 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리페닐렌비닐렌 유도체 등의 도전성 고분자는, 산에 의해 도핑되어 있어도 좋다. 또한, 아릴아민 유도체, 안트라센 유도체, 카르바졸 유도체, 티오펜 유도체, 플루오렌 유도체, 디스티릴벤젠 유도체, 스피로 화합물 등을 반복 단위에 포함하는 중합체를 들 수 있다.As the hole-transporting polymer compound, for example, polyaniline, polythiophene, polyphenylene vinylene derivatives and the like can be used. The conductive polymer such as polyaniline, polythiophene, and polyphenylene vinylene derivative may be doped with an acid. Also included are polymers containing recurring units such as arylamine derivatives, anthracene derivatives, carbazole derivatives, thiophene derivatives, fluorene derivatives, distyrylbenzene derivatives, spiro compounds and the like.
본 발명의 정공 주입 수송층에 있어서, 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료 이외의 정공 수송성 화합물이 사용되는 경우에는, 당해 정공 수송성 화합물의 함유량은 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료 100중량부에 대하여 10 내지 10000중량부인 것이 정공 주입 수송성을 높이고, 막의 안정성이 높아 장수명을 달성한다는 점에서 바람직하다.When a hole-transporting compound other than the device material for a hole-injecting and transporting layer according to the present invention is used in the hole-injecting and transporting layer of the present invention, the content of the hole- 10 to 10000 parts by weight based on 100 parts by weight is preferable in that hole injection transportability is enhanced and stability of the film is high and long life is attained.
또한, 본 발명의 정공 주입 수송층은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한 바인더 수지나 경화성 수지나 도포성 개량제 등의 첨가제를 포함하고 있어도 좋다. 바인더 수지로서는, 폴리카르보네이트, 폴리스티렌, 폴리아릴레이트, 폴리에스테르 등을 들 수 있다. 또한, 열 또는 광 등에 의해 경화되는 바인더 수지를 함유하고 있어도 좋다. 열 또는 광 등에 의해 경화되는 재료로서는, 상기 정공 수송성 화합물에 있어서 분자 내에 경화성의 관능기가 도입된 것, 또는 경화성 수지 등을 사용할 수 있다. 구체적으로 경화성의 관능기로서는, 아크릴로일기나 메타크릴로일기 등의 아크릴계의 관능기 또는 비닐렌기, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 경화성 수지로서는 열경화성 수지여도 광경화성 수지여도 좋고, 예를 들어 에폭시 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 실란 커플링제 등을 들 수 있다.The hole injection and transport layer of the present invention may contain additives such as a binder resin, a curable resin, and a coating improver, provided that the effect of the present invention is not impaired. Examples of the binder resin include polycarbonate, polystyrene, polyarylate, and polyester. Further, it may contain a binder resin which is cured by heat or light. As the material to be cured by heat or light, it is possible to use a material in which a curable functional group is introduced into the molecule or a curable resin in the hole-transporting compound. Specific examples of the curable functional group include acrylic functional groups such as an acryloyl group and a methacryloyl group, or a vinylene group, an epoxy group, and an isocyanate group. The curable resin may be either a thermosetting resin or a photo-curable resin, and examples thereof include an epoxy resin, a phenol resin, a melamine resin, a polyester resin, a polyurethane resin, a silicone resin and a silane coupling agent.
<유기 EL 소자> ≪ Organic EL device &
본 발명의 디바이스의 한 실시 형태로서, 적어도 본 발명의 정공 주입 수송층 및 발광층을 포함하는 유기층을 함유하는 유기 EL 소자를 들 수 있다.As an embodiment of the device of the present invention, there can be mentioned an organic EL element containing at least an organic layer including a hole injection transport layer and a light emitting layer of the present invention.
이하, 유기 EL 소자를 구성하는 각 층에 대하여 도 10을 사용하여 순서대로 설명한다.Hereinafter, each layer constituting the organic EL element will be described in order with reference to FIG.
도 10은, 본 발명의 유기 EL 소자의 일례를 도시하는 개략 단면도이다. 도 10에 예시하는 유기 EL 소자(31)는 기판(2) 위에 제1 전극층(3)이 패턴 형상으로 형성되고, 제1 전극층(3)의 패턴의 개구부에 격벽(6a)이 형성되고, 제1 전극층(3) 및 격벽(6a) 위에 정공 주입 수송층(4)이 형성되고, 이 정공 주입 수송층(4)의 표층부의 상기 정공 주입 수송층용 디바이스 재료의 불소 함유 유기 화합물이 분해 제거되어 불소 제거층(5)이 형성되어 있고, 불소 제거층(5)의 표면에 친액성 영역(11) 및 격벽(6a)의 정상부가 발액성 영역(12)으로 이루어지는 패턴이 형성되고, 친액성 영역(11) 위에 형성된 발광층(32)과, 발광층(32) 위에 형성된 전자 주입 수송층(33)과, 전자 주입 수송층(33) 위에 형성된 제2 전극층(34)을 갖고 있다.10 is a schematic cross-sectional view showing an example of the organic EL device of the present invention. The
도 10에 있어서는, 도시되어 있지 않지만 정공 주입 수송층의 친액성 영역(11)과 발광층(32)과의 사이에 정공 수송층이 더 형성되어 있어도 좋다.10, a hole transporting layer may be further formed between the
상기 도 10에 있어서는, 제1 전극층(3)은 양극, 제2 전극층(34)은 음극으로서 기능한다. 상기 유기 EL 소자는, 양극과 음극간에 전기장이 인가되면, 정공이 양극으로부터 정공 주입 수송층(4)을 거쳐서 발광층(32)에 주입되고, 전자가 음극으로부터 발광층에 주입됨으로써, 발광층(5)의 내부에서 주입된 정공과 전자가 재결합하여 소자의 외부에 발광하는 기능을 갖는다.In Fig. 10, the
소자의 외부에 광을 방사하기 위해, 발광층 중 적어도 한쪽면에 존재하는 모든 층은 가시파장 영역 중 적어도 일부의 파장의 광에 대한 투과성을 갖는 것을 필요로 한다. 또한, 발광층과 전극(6)(음극)의 사이에는, 필요에 따라 전자 주입 수송층(33)이 설치된다.In order to radiate light to the outside of the device, all layers present on at least one side of the light emitting layer need to have transparency to light of at least a part of the visible wavelength region. Further, an electron injection and
이하, 본 발명에 관한 유기 EL 소자의 각 층에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, each layer of the organic EL device according to the present invention will be described in detail.
또한, 기판, 전극층에 대해서는, 상기 디바이스의 설명에 있어서 예를 든 것을 사용할 수 있다.As for the substrate and the electrode layer, examples of the device can be used.
(정공 주입 수송층, 정공 수송층 및 정공 주입층)(Hole injection transport layer, hole transport layer and hole injection layer)
본 발명의 디바이스에 있어서 필수 성분인 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료 또는 그 분해물을 함유하는 정공 주입 수송층 이외에도, 정공 주입 수송층, 정공 수송층 및 정공 주입층이 발광층과 제1 전극층의 사이에 적절하게 형성되어도 좋다. 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료 또는 그 분해물을 함유하는 정공 주입 수송층 위에 정공 수송층을 더 적층하고, 그 위에 발광층을 적층하여도 좋고, 정공 주입층 위에 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료 또는 그 분해물을 함유하는 정공 주입 수송층을 더 적층하고, 그 위에 발광층을 적층하여도 좋다.The hole injection transport layer, the hole transport layer, and the hole injection layer may be formed between the light emitting layer and the first electrode layer in addition to the hole injection transport layer containing the decomposition product or the device material for a hole injection transport layer according to the present invention which is an essential component in the device of the present invention Or may be appropriately formed. A hole transporting layer may be further laminated on the hole injection transporting layer containing the device material or the decomposition product of the hole transporting layer according to the present invention and the light emitting layer may be laminated thereon. A hole injecting and transporting layer containing a device material or a decomposition product thereof may be further laminated, and a light emitting layer may be laminated thereon.
본 발명의 필수 성분인 정공 주입 수송층 위에 정공 수송층을 더 적층하는 경우, 정공 수송층에 사용되는 정공 수송성 화합물은 특별히 한정되지 않으며, 상술한 정공 주입 수송층의 보충에 기재한 바와 같은 정공 주입 수송성 화합물을 적절하게 선택하여 사용할 수 있다. 본 발명의 필수 성분인 정공 주입 수송층에 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료 또는 그 분해물과는 상이한 정공 주입 수송성 화합물을 더 포함하는 경우에는, 인접하는 정공 수송층에는 당해 본 발명의 필수 성분인 정공 주입 수송층에 포함되는 정공 수송성 화합물과 동일한 화합물을 사용하는 것이 본 발명의 필수 성분인 정공 주입 수송층과 정공 수송층의 계면의 밀착 안정성을 향상시켜, 장구동 수명화에 기여한다는 점에서 바람직하다.In the case of further laminating the hole transporting layer on the hole injecting and transporting layer which is an essential component of the present invention, the hole transporting compound used in the hole transporting layer is not particularly limited, and the hole injecting and transporting compound described in the above- Can be selected and used. In the case where the hole injecting and transporting layer, which is an essential component of the present invention, further contains a hole injecting and transporting compound different from the hole transporting layer device material or the decomposition product thereof according to the present invention, the adjacent hole transporting layer It is preferable to use the same compound as the hole-transporting compound contained in the hole-injecting and transporting layer because it improves the adhesion stability of the interface between the hole-injecting and transporting layer and the hole-transporting layer, which are essential components of the present invention, and contributes to the long driving life.
정공 수송층은, 정공 주입 수송성 화합물을 사용하여 후술하는 발광층과 동일한 방법으로 형성할 수 있다. 정공 수송층의 막 두께는 통상 0.1 내지 1㎛, 바람직하게는 1 내지 500nm이다.The hole transporting layer can be formed by the same method as a light emitting layer described later using a hole injecting and transporting compound. The film thickness of the hole transporting layer is usually 0.1 to 1 占 퐉, preferably 1 to 500 nm.
또한, 정공 주입층 위에 본 발명의 필수 성분인 정공 주입 수송층을 더 적층하는 경우, 정공 주입층에 사용되는 정공 주입 재료는 특별히 한정되지 않으며 종래 공지된 화합물을 사용할 수 있다. 예를 들어, 페닐아민계, 스타버스트형 아민계, 프탈로시아닌계, 산화바나듐, 산화몰리브덴, 산화루테늄, 산화알루미늄 등의 산화물, 아몰퍼스 카본, 폴리아닐린, 폴리티오펜 유도체 등을 들 수 있다.When the hole injecting and transporting layer, which is an essential component of the present invention, is further laminated on the hole injecting layer, the hole injecting material used for the hole injecting layer is not particularly limited and conventionally known compounds can be used. Examples thereof include oxides such as phenylamine type, starburst type amine type, phthalocyanine type, vanadium oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide and aluminum oxide, amorphous carbon, polyaniline and polythiophene derivatives.
정공 주입층은, 정공 주입 재료를 사용하여 후술하는 발광층과 동일한 방법으로 형성할 수 있다. 정공 주입층의 막 두께는 통상 1nm 내지 1㎛, 바람직하게는 2nm 내지 500nm, 더욱 바람직하게는 5nm 내지 200nm이다.The hole injecting layer can be formed by the same method as the light emitting layer described later using a hole injecting material. The film thickness of the hole injection layer is usually from 1 nm to 1 占 퐉, preferably from 2 nm to 500 nm, and more preferably from 5 nm to 200 nm.
또한, 정공 주입 특성을 고려하면, 제1 전극층측으로부터 발광층(5)을 향해 각 층의 일함수(HOMO)의 값이 계단 형상으로 커지는 정공 주입성 재료 및 정공 수송성 재료를 선택하여, 각 계면에서의 정공 주입의 에너지 장벽을 가능한 한 작게 하고, 제1 전극층과 발광층 사이의 큰 정공 주입의 에너지 장벽을 보완하는 것이 바람직하다.In consideration of the hole injecting property, the hole injecting material and the hole transporting material whose values of the work function (HOMO) of each layer are increased stepwise from the first electrode layer side to the
(발광층) (Light emitting layer)
발광층(32)은, 도 10에 도시한 바와 같이 제1 전극층(3)이 형성된 기판(2)과 제2 전극층(34)과의 사이의 상기 정공 주입 수송층 위의 친액성 영역(11) 위에 형성된다.The
본 발명의 발광층에 사용되는 재료로서는, 통상 발광 재료로서 사용되고 있는 재료이면 특별히 한정되지 않으며, 형광 재료 및 인광 재료를 모두 사용할 수 있다. 구체적으로는, 색소계 발광 재료, 금속 착체계 발광 재료 등의 재료를 들 수 있으며, 저분자 화합물 또는 고분자 화합물을 모두 사용할 수 있다.The material used for the light emitting layer of the present invention is not particularly limited as long as it is a material usually used as a light emitting material, and both a fluorescent material and a phosphorescent material can be used. Specifically, a material such as a dye-based light-emitting material, a metal complex-based light-emitting material, and the like can be used, and a low molecular weight compound or a high molecular weight compound can be used.
[색소계 발광 재료의 구체예][Specific examples of coloring matter emitting material]
색소계 발광 재료로서는, 예를 들어 아릴아민 유도체, 안트라센 유도체, (페닐 안트라센 유도체), 옥사디아졸 유도체, 옥사졸 유도체, 올리고티오펜 유도체, 카르바졸 유도체, 시클로펜타디엔 유도체, 실롤 유도체, 디스티릴벤젠 유도체, 디스티릴 피라진 유도체, 디스티릴 아릴렌 유도체, 실롤 유도체, 스틸벤 유도체, 스피로 화합물, 티오펜 환 화합물, 테트라페닐 부타디엔 유도체, 트리아졸 유도체, 트리페닐아민 유도체, 트리푸마닐아민 유도체, 피라졸로퀴놀린 유도체, 히드라존 유도체, 피라졸린 2량체, 피리딘 환 화합물, 플루오렌 유도체, 페난트롤린류, 페리논 유도체, 페릴렌 유도체 등을 들 수 있다. 또한, 이들의 2량체나 3량체나 올리고머, 2종류 이상의 유도체의 화합물도 사용할 수 있다.Examples of the dye-based light-emitting material include, for example, arylamine derivatives, anthracene derivatives, (phenylanthracene derivatives), oxadiazole derivatives, oxazole derivatives, oligothiophene derivatives, carbazole derivatives, cyclopentadiene derivatives, Benzene derivatives, distyrylpyrazine derivatives, distyrylarylene derivatives, silole derivatives, stilbene derivatives, spiro compounds, thiophene ring compounds, tetraphenylbutadiene derivatives, triazole derivatives, triphenylamine derivatives, tripyranylamine derivatives, Quinoline derivatives, hydrazone derivatives, pyrazoline dimers, pyridine ring compounds, fluorene derivatives, phenanthrolines, perinone derivatives, and perylene derivatives. Further, a dimer, a trimer, an oligomer thereof, or a compound of two or more derivatives thereof may be used.
이들 재료는 단독으로 사용하여도 좋고 2종 이상을 병용하여도 좋다.These materials may be used alone, or two or more of them may be used in combination.
[금속 착체계 발광 재료의 구체예][Specific examples of the metal complex system light emitting material]
금속 착체계 발광 재료로서는, 예를 들어 알루미늄 퀴놀리놀 착체, 벤조퀴놀리놀 베릴륨 착체, 벤조옥사졸 아연 착체, 벤조티아졸 아연 착체, 아조메틸 아연 착체, 포르피린 아연 착체, 유로퓸 착체 등, 또는 중심 금속에 Al, Zn, Be 등 또는, Tb, Eu, Dy 등의 희토류 금속을 갖고, 배위자에 옥사디아졸, 티아디아졸, 페닐 피리딘, 페닐 벤조이미다졸, 퀴놀린 구조 등을 갖는 금속 착체를 들 수 있다.Examples of the metal complex system light emitting material include metal complexes such as aluminum quinolinol complexes, benzoquinolinol beryllium complexes, benzooxazole zinc complexes, benzothiazole zinc complexes, azomethyl zinc complexes, porphyrin zinc complexes, europium complexes, Metal complexes having a rare earth metal such as Al, Zn, Be or the like, or a rare earth metal such as Tb, Eu, or Dy, and a ligand having oxadiazole, thiadiazole, phenylpyridine, phenylbenzimidazole, quinoline structure, have.
이들 재료는 단독으로 사용하여도 좋고 2종 이상을 병용하여도 좋다.These materials may be used alone, or two or more of them may be used in combination.
[고분자계 발광 재료의 구체예][Specific examples of polymeric light emitting materials]
고분자계 발광 재료로서는, 분자 내에 상기 저분자계 재료가 분자 내에 직쇄 또는 측쇄 또는 관능기로서 도입된 것, 중합체 및 덴드리머 등을 사용할 수 있다. 예를 들어, 폴리파라페닐렌비닐렌 유도체, 폴리티오펜 유도체, 폴리파라페닐렌 유도체, 폴리실란 유도체, 폴리아세틸렌 유도체, 폴리비닐카르바졸, 폴리플루오레논 유도체, 폴리플루오렌 유도체, 폴리퀴녹살린 유도체 및 이들의 공중합체 등을 들 수 있다.As the polymer light emitting material, a material in which the low molecular weight material is introduced into a molecule as a linear chain, a side chain, or a functional group in the molecule, a polymer, a dendrimer, or the like can be used. For example, there may be mentioned polyparaphenylenevinylene derivatives, polythiophene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polysilane derivatives, polyacetylene derivatives, polyvinylcarbazole, polyfluorenone derivatives, polyfluorene derivatives, polyquinoxaline derivatives And copolymers thereof.
[도펀트의 구체예][Specific examples of dopants]
상기 발광층 중에는, 발광 효율의 향상이나 발광 파장을 변화시키는 등의 목적으로 도핑 재료를 첨가하여도 좋다. 고분자계 재료의 경우에는, 이들을 분자 구조 중에 발광기로서 포함하고 있어도 좋다. 이러한 도핑 재료로서는, 예를 들어 페릴렌 유도체, 쿠마린 유도체, 루브렌 유도체, 퀴나크리돈 유도체, 스쿠아릴륨 유도체, 포르피린 유도체, 스티릴계 색소, 테트라센 유도체, 피라졸린 유도체, 데카시클렌, 페녹사존, 퀴녹살린 유도체, 카르바졸 유도체, 플루오렌 유도체를 들 수 있다. 또한, 이들에 스피로기를 도입한 화합물도 사용할 수 있다.A doping material may be added to the light emitting layer for the purpose of improving the light emitting efficiency or changing the light emitting wavelength. In the case of high molecular weight materials, they may be contained in the molecular structure as a light emitting device. Examples of such doping materials include perylene derivatives, coumarin derivatives, rubrene derivatives, quinacridone derivatives, squarylium derivatives, porphyrin derivatives, styryl type pigments, tetracene derivatives, pyrazoline derivatives, decacyclene, A quinoxaline derivative, a carbazole derivative, and a fluorene derivative. Further, a compound in which a spiro group is introduced into these can also be used.
이들 재료는 단독으로 사용하여도 좋고 2종 이상을 병용하여도 좋다.These materials may be used alone, or two or more of them may be used in combination.
본 발명에 있어서는, 발광층의 재료로서는 형광 발광하는 저분자 화합물 또는 고분자 화합물이나, 인광 발광하는 저분자 화합물 또는 고분자 화합물을 모두 사용할 수 있다. 본 발명에 있어서, 발광층을 설치하는 하지층이 본 발명의 상기 정공 주입 수송층인 경우, 당해 정공 주입 수송층은 전하 이동 착체를 형성하여 용액 도포법에 사용한 크실렌 등의 비수계 용매에 불용이 되는 경향이 있으며, 발광층의 재료로서는 크실렌 등의 비수계 용매에 용해되기 쉽고 용액 도포법에 의해 층을 형성하는 고분자형 재료를 사용하는 것이 가능하다. 이 경우, 형광 발광하는 고분자 화합물 또는 형광 발광하는 저분자 화합물을 포함하는 고분자 화합물이나, 인광 발광하는 고분자 화합물 또는 인광 발광하는 저분자 화합물을 포함하는 고분자 화합물을 적절하게 사용할 수 있다.In the present invention, as the material of the light emitting layer, a low molecular compound or a polymer compound emitting fluorescence, a low molecular compound or a polymer compound emitting phosphorescence may be used. In the present invention, in the case where the base layer for providing the light emitting layer is the hole injection transport layer of the present invention, the hole injection transport layer forms a charge transfer complex and tends to be insoluble in a non-aqueous solvent such as xylene used for solution coating And the material of the light emitting layer can be a polymer type material which is easily dissolved in a non-aqueous solvent such as xylene and forms a layer by a solution coating method. In this case, a polymer compound including a fluorescent polymer light-emitting polymer compound or a fluorescent light-emitting low molecular weight compound, a polymer compound containing phosphorescent light, or a polymer compound including a phosphorescent light-emitting low molecular compound may be suitably used.
발광층은, 정공 주입 수송층 표면의 습윤성 변화 패턴을 이용하고 발광 재료를 사용하여 용액 도포법에 의해 형성할 수 있다. 용액 도포법은, 상술한 디바이스의 제조 방법의 항목에 있어서 설명한 것과 동일한 방법을 이용할 수 있다. 정공 주입 수송층 표면의 습윤성 변화 패턴을 이용하여 정공 수송층 등 다른 층이 형성되는 경우, 증착법이나 전사법으로 제작하여도 좋다. 증착법은, 예를 들어 진공 증착법의 경우에는 발광층의 재료를 진공 용기 내에 설치된 도가니에 넣고, 진공 용기 내를 적당한 진공 펌프로 10-4Pa 정도까지 배기한 후, 도가니를 가열하여 발광층의 재료를 증발시키고, 도가니와 마주 보고 놓인 기판, 제1 전극층, 정공 주입 수송층 및 정공 수송층의 적층체 위에 발광층을 형성시킨다. 전사법은, 예를 들어 미리 필름 위에 용액 도포법 또는 증착법으로 형성한 발광층을 제1 전극층 위에 설치한 정공 주입 수송층에 접합하고, 가열에 의해 발광층을 정공 주입 수송층 위에 전사함으로써 형성된다. 발광층의 막 두께는 통상 1 내지 500nm, 바람직하게는 20 내지 1000nm 정도이다. 본 발명은, 정공 주입 수송층을 용액 도포법으로 형성하는 것이 적합하고, 정공 주입 수송층 표면의 습윤성 변화 패턴을 이용하여 발광층도 용액 도포법으로 형성할 수 있기 때문에, 이 경우 프로세스 비용을 내릴 수 있다는 이점이 있다.The light emitting layer can be formed by a solution coating method using a wettability change pattern on the surface of the hole injection transport layer and using a light emitting material. As the solution coating method, the same method as that described in the item of the above-mentioned manufacturing method of the device can be used. When another layer such as a hole transport layer is formed using the wettability change pattern of the surface of the hole injection transport layer, the layer may be formed by a vapor deposition method or a transfer method. In the vapor deposition method, for example, in the case of the vacuum vapor deposition method, the material of the light emitting layer is placed in a crucible provided in a vacuum container, the vacuum container is evacuated to about 10 -4 Pa by a suitable vacuum pump, And a luminescent layer is formed on a laminate of a substrate facing the crucible, a first electrode layer, a hole injecting and transporting layer, and a hole transporting layer. The transfer method is formed, for example, by bonding a light emitting layer formed in advance on a film by a solution coating method or a vapor deposition method to a hole injecting and transporting layer provided on the first electrode layer, and transferring the light emitting layer onto the hole injecting and transporting layer by heating. The thickness of the light-emitting layer is usually 1 to 500 nm, preferably 20 to 1000 nm. In the present invention, it is preferable to form the hole injecting and transporting layer by a solution coating method, and since the light emitting layer can also be formed by the solution coating method using the wettability change pattern on the surface of the hole injecting and transporting layer, .
또한, 색소 증감 태양 전지, 유기 박막 태양 전지, 유기 반도체 등, 유기 트랜지스터 그 이외의 유기 디바이스, 정공 주입 수송층을 갖는 양자 도트 발광 소자, 산화물계 화합물 태양 전지 등에 대해서도 정공 주입 수송층을 상기 본 발명에 관한 정공 주입 수송층으로 하면, 그 이외의 구성은 특별히 한정되지 않으며, 공지된 구성과 적절하게 동일하여도 좋다.In addition, for organic dye-sensitized photovoltaic cells, organic thin film solar cells, organic semiconductors, organic devices other than organic transistors, quantum dot light emitting devices having hole injecting and transporting layers, oxide compound solar cells, etc., The constitution of the hole injecting and transporting layer is not particularly limited, and may be appropriately the same as the known constitution.
[실시예][Example]
이하, 실시예를 들어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 이들 기재에 의해 본 발명을 제한하는 것은 아니다. 또한, 실시예 중, 부는 특별히 특정하지 않는 한 중량부를 나타낸다. 또한, 층 또는 막의 두께는 평균 막 두께로 표시되어 있다.Hereinafter, the present invention will be described more specifically by way of examples. The present invention is not limited by these descriptions. In the following Examples, "parts" means parts by weight unless otherwise specified. In addition, the thickness of the layer or film is indicated by the average film thickness.
본 발명에 대하여, 이하에 유기 EL 소자의 실시예를 들어 더욱 구체적으로 설명한다. 또한, 본 발명은 이하의 실시예의 기재로 한정되는 것은 아니다.In the following, embodiments of the organic EL device will be described in more detail with reference to the present invention. The present invention is not limited to the description of the following examples.
이하의 합성예에서 얻어진 화합물의 구조는, 1H NMR(닛본 덴시사제 α-400) 및 질량 분석(닛본 덴시사제 JMS600)에 의해 특정하였다. 취득한 각 NMR 스펙트럼을 도 13 내지 16에 나타내었다.The structures of the compounds obtained in the following Synthesis Examples were specified by 1H NMR (alpha-400 from Nippon Denshi Co., Ltd.) and mass spectrometry (JMS 600 from Nippon Denshoku). The obtained NMR spectra are shown in Figs. 13 to 16.
[합성예 1: 불소 함유 유기 화합물 F-1의 합성][Synthesis Example 1: Synthesis of fluorine-containing organic compound F-1]
디클로로메탄 용매 중에서 N,N'-디시클로헥실카르보디이미드(도꾜 가세이사제)를 사용하여 2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,7-트리데카플루오로헵탄산(알드리치사제)과 1,4-디아미노부탄(도꾜 가세이사제)과의 축합 반응을 행함으로써, 불소 함유 유기 화합물 F-1을 합성하였다. 얻어진 화합물 F-1의 분자량이 질량 분석에 의해 434라는 것 및 1H NMR로부터 하기 구조식의 화합물이 합성되어 있다는 것을 확인하였다.Using N, N'-dicyclohexylcarbodiimide (manufactured by Tokyo Kasei Co., Ltd.) in dichloromethane solvent, 2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,7- Condensation reaction of tridecafluoroheptanoic acid (manufactured by Aldrich) with 1,4-diaminobutane (manufactured by Tokyo Kasei Kasei) was carried out to synthesize fluorine-containing organic compound F-1. The molecular weight of the resulting compound F-1 was confirmed to be 434 by mass analysis and 1 H NMR confirmed that the compound of the following structural formula was synthesized.
[합성예 2: 불소 함유 유기 화합물 F-2의 합성] [Synthesis Example 2: Synthesis of fluorine-containing organic compound F-2]
클로로포름 중, 트리에틸아민 존재하에 1H,1H,2H,2H-트리데카플루오로-n-옥틸 요오다이드(도꾜 가세이사제)와 2-아미노에탄티올(도꾜 가세이사제)과의 축합 반응을 행하여, 불소 함유 유기 화합물 F-2를 합성하였다. 얻어진 화합물 F-2의 분자량이 질량 분석에 의해 423이라는 것 및 1H NMR로부터 하기 구조식의 화합물이 합성되어 있다는 것을 확인하였다.Condensation reaction of 1H, 1H, 2H, 2H-tridecafluoro-n-octyl iodide (manufactured by Tokyo Kasei Kasei) and 2-aminoethanethiol (manufactured by Tokyo Kasei Kasei) in chloroform in the presence of triethylamine To thereby synthesize a fluorine-containing organic compound F-2. The molecular weight of the obtained compound F-2 was confirmed to be 423 by mass analysis and 1 H NMR confirmed that the compound of the following structural formula was synthesized.
[합성예 3: 불소 함유 유기 화합물 F-3의 합성][Synthesis Example 3: Synthesis of fluorine-containing organic compound F-3]
수소화알루미늄리튬을 사용하여 합성예 1에서 얻어진 불소 함유 유기 화합물 F-1을 환원함으로써, 불소 함유 유기 화합물 F-3을 얻었다. 얻어진 화합물 F-3의 분자량이 질량 분석에 의해 420이라는 것 및 1H NMR로부터 하기 구조식의 화합물이 합성되어 있다는 것을 확인하였다.The fluorine-containing organic compound F-1 obtained in Synthesis Example 1 was reduced using lithium aluminum hydride to obtain a fluorine-containing organic compound F-3. The molecular weight of the resulting compound F-3 was found to be 420 by mass analysis and it was confirmed from the 1 H NMR that the compound of the following structural formula was synthesized.
[합성예 4: 불소 함유 유기 화합물 F-4의 합성][Synthesis Example 4: Synthesis of fluorine-containing organic compound F-4]
2,3,3,3-테트라플루오로-2-(1,1,2,2,3,3,3-헵타플루오로프로폭시)프로판산 나트륨(알드리치사제)을 디클로로메탄 용매 중, 피리딘 공존하에 시아누르산 플루오라이드(알드리치사제)를 반응시킴으로써 산불화물로 변환하였다. 디클로로메탄 용매 중에서 당해 산불화물과 1,4-디아미노부탄과의 축합 반응을 행함으로써, 불소 함유 유기 화합물 F-4를 합성하였다. 얻어진 화합물 F-4의 분자량이 질량 분석에 의해 400이라는 것 및 1H NMR로부터 하기 구조식의 화합물이 합성되어 있다는 것을 확인하였다.Tetramethyl-2,3,3,3-tetrafluoro-2- (1,1,2,2,3,3,3-heptafluoropropoxy) propanoate (manufactured by Aldrich) was dissolved in a dichloromethane solvent, Was converted into oxyfluoride by reacting cyanuric acid fluoride (manufactured by Aldrich). A condensation reaction of the obtained oxyfluoride with 1,4-diaminobutane in a dichloromethane solvent was conducted to synthesize a fluorine-containing organic compound F-4. The molecular weight of the resulting compound F-4 was found to be 400 by mass analysis and 1 H NMR confirmed that the compound of the following structural formula was synthesized.
[제조예 1] [Production Example 1]
몰리브덴 헥사카르보닐을 시클로헥사논에 0.4wt% 용해시키고, 대기 중 100℃에서 10분간 가열하여 용해시킨 후에 실온으로 되돌려서 제작한 용액과, 4-(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10-헵타데카플루오로데실)벤질아민을 시클로헥사논에 0.4wt% 용해시킨 후에 실온으로 되돌려서 제작한 용액을, 중량비로 1:1로 혼합하여 대기 중에서 교반한 후에 필터로 여과함으로써 정공 주입 수송층 형성용 잉크 1을 제작하였다.Molybdenum hexacarbonyl was dissolved in cyclohexanone in an amount of 0.4 wt%, and the solution was heated and dissolved in the atmosphere at 100 DEG C for 10 minutes and then returned to room temperature, and a solution prepared by dissolving 4- (3,3,4,4,5,5 , 6,6,7,7,8,8,9,9,10,10-heptadecafluorodecyl) benzylamine was dissolved in cyclohexanone in an amount of 0.4 wt% and then the solution was returned to room temperature. 1: 1, stirred in the air, and then filtered through a filter to prepare an
[제조예 2][Production Example 2]
몰리브덴 헥사카르보닐을 시클로헥사논에 0.4wt% 용해시키고, 대기 중 100℃에서 10분간 가열하여 용해시킨 후에 실온으로 되돌려서 제작한 용액과, 4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,11-헵타데카플루오로운데실아민을 시클로헥사논에 0.2wt% 용해시킨 후에 실온으로 되돌려서 제작한 용액을, 중량비로 1:1로 혼합하여 대기 중에서 교반한 후에 필터로 여과함으로써 정공 주입 수송층 형성용 잉크 2를 제작하였다.Molybdenum hexacarbonyl was dissolved in cyclohexanone in an amount of 0.4 wt%, and the solution was heated to 100 DEG C for 10 minutes in the atmosphere to dissolve the solution, then returned to room temperature, and a solution prepared by dissolving 4,4,5,5,6,6,7, Heptadecafluoroundecylamine was dissolved in cyclohexanone in an amount of 0.2 wt%, and then the solution was returned to room temperature. : 1, stirred in the air, and then filtered through a filter to prepare an
[제조예 3][Production Example 3]
텅스텐 헥사카르보닐을 시클로헥사논에 0.4wt% 용해시키고, 대기 중 100℃에서 10분간 가열하여 용해시킨 후에 실온으로 되돌려서 제작한 용액과, 4-(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10-헵타데카플루오로데실)벤질아민을 시클로헥사논에 0.4wt% 용해시킨 후에 실온으로 되돌려서 제작한 용액을, 중량비로 1:1로 혼합하여 대기 중에서 교반한 후에 필터로 여과함으로써 정공 주입 수송층 형성용 잉크 3을 제작하였다.The solution prepared by dissolving tungsten hexacarbonyl in cyclohexanone in 0.4 wt%, heating it in air at 100 캜 for 10 minutes to dissolve it, then returning to room temperature, and a solution prepared by dissolving 4- (3,3,4,4,5,5 , 6,6,7,7,8,8,9,9,10,10-heptadecafluorodecyl) benzylamine was dissolved in cyclohexanone in an amount of 0.4 wt% and then the solution was returned to room temperature. , And the mixture was stirred in the atmosphere and then filtered through a filter to prepare an
[제조예 4][Production Example 4]
바나듐(III)아세틸아세토네이트를 시클로헥사논에 0.4wt% 용해시키고, 대기 중 100℃에서 10분간 가열하여 용해시킨 후에 실온으로 되돌려서 제작한 용액과, 4-(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10-헵타데카플루오로데실)벤질아민을 시클로헥사논에 0.2wt% 용해시킨 후에 실온으로 되돌려서 제작한 용액을, 중량비로 1:1로 혼합하여 대기 중에서 교반한 후에 필터로 여과함으로써 정공 주입 수송층 형성용 잉크 4를 제작하였다.A solution prepared by dissolving vanadium (III) acetylacetonate in cyclohexanone in 0.4 wt%, heating it in air at 100 DEG C for 10 minutes to dissolve it, and then returning to room temperature, and 4- (3,3,4,4, 5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10-heptadecafluorodecyl) benzylamine was dissolved in cyclohexanone in an amount of 0.2 wt%, and the solution was returned to room temperature Were mixed in a weight ratio of 1: 1, stirred in the air, and then filtered through a filter to prepare an
[제조예 5][Production Example 5]
몰리브덴 헥사카르보닐 0.008g과 4-(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10-헵타데카플루오로데실)벤질아민 0.004g을 시클로헥사논 2.0g에 용해시키고, 대기 중 100℃에서 10분간 가열하여 용해시킨 후에 실온으로 되돌려서 필터로 여과함으로써 정공 주입 수송층 형성용 잉크 5를 제작하였다.Molybdenum hexacarbonyl and 0.008 g of 4- (3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10-heptadecafluorodecyl) benzylamine Was dissolved in 2.0 g of cyclohexanone and dissolved by heating at 100 占 폚 for 10 minutes in the air. Then, the solution was returned to room temperature and filtered with a filter to prepare an
[제조예 6][Production Example 6]
몰리브덴 헥사카르보닐 0.008g과 0.004g의 합성예 1에서 얻어진 불소 함유 유기 화합물 F-1을 시클로헥사논 2.0g에 용해시키고, 대기 중 100℃에서 10분간 가열하여 용해시킨 후에 실온으로 되돌려서 필터로 여과함으로써 정공 주입 수송층 형성용 잉크 6을 제작하였다.0.008 g of molybdenum hexacarbonyl and 0.004 g of the fluorine-containing organic compound F-1 obtained in Synthesis Example 1 were dissolved in 2.0 g of cyclohexanone and dissolved by heating at 100 ° C for 10 minutes in the air, Followed by filtration to prepare an
[제조예 7] [Production Example 7]
몰리브덴 헥사카르보닐 0.008g과 0.004g의 합성예 2에서 얻어진 불소 함유 유기 화합물 F-2를 시클로헥사논 2.0g에 용해시키고, 대기 중 100℃에서 10분간 가열하여 용해시킨 후에 실온으로 되돌려서 필터로 여과함으로써 정공 주입 수송층 형성용 잉크 7을 제작하였다.0.008 g of molybdenum hexacarbonyl and 0.004 g of the fluorine-containing organic compound F-2 obtained in Synthesis Example 2 were dissolved in 2.0 g of cyclohexanone and dissolved by heating at 100 ° C for 10 minutes in the air, Followed by filtration to prepare an
[제조예 8][Production Example 8]
몰리브덴 헥사카르보닐 0.008g과 0.004g의 합성예 3에서 얻어진 불소 함유 유기 화합물 F-3을 시클로헥사논 2.0g에 용해시키고, 대기 중 100℃에서 10분간 가열하여 용해시킨 후에 실온으로 되돌려서 필터로 여과함으로써 정공 주입 수송층 형성용 잉크 8을 제작하였다.0.008 g of molybdenum hexacarbonyl and 0.004 g of the fluorine-containing organic compound F-3 obtained in Synthesis Example 3 were dissolved in 2.0 g of cyclohexanone and dissolved by heating at 100 캜 for 10 minutes in the air, Followed by filtration to produce the
[제조예 9][Production Example 9]
몰리브덴 헥사카르보닐 0.008g과 0.004g의 합성예 4에서 얻어진 불소 함유 유기 화합물 F-4를 시클로헥사논 2.0g에 용해시키고, 대기 중 100℃에서 10분간 가열하여 용해시킨 후에 실온으로 되돌려서 필터로 여과함으로써 정공 주입 수송층 형성용 잉크 9를 제작하였다.0.008 g of molybdenum hexacarbonyl and 0.004 g of the fluorine-containing organic compound F-4 obtained in Synthesis Example 4 were dissolved in 2.0 g of cyclohexanone and dissolved by heating at 100 ° C for 10 minutes in the air, Followed by filtration to prepare an
[제조예 10][Production Example 10]
몰리브덴 헥사카르보닐 0.008g과 0.004g의 합성예 4에서 얻어진 불소 함유 유기 화합물 F-4를 이소프로필알코올 2.0g에 용해시키고, 대기 중 100℃에서 10분간 가열하여 용해시킨 후에 실온으로 되돌려서 필터로 여과함으로써 정공 주입 수송층 형성용 잉크 10을 제작하였다.0.008 g of molybdenum hexacarbonyl and 0.004 g of the fluorine-containing organic compound F-4 obtained in Synthesis Example 4 were dissolved in 2.0 g of isopropyl alcohol and dissolved by heating at 100 캜 for 10 minutes in the air. Followed by filtration to produce an
[제조예 11][Production Example 11]
몰리브덴 헥사카르보닐 0.008g과 0.004g의 합성예 4에서 얻어진 불소 함유 유기 화합물 F-4를 벤조산 에틸 2.0g에 용해시키고, 대기 중 100℃에서 10분간 가열하여 용해시킨 후에 실온으로 되돌려서 필터로 여과함으로써 정공 주입 수송층 형성용 잉크 11을 제작하였다.0.008 g of molybdenum hexacarbonyl and 0.004 g of the fluorine-containing organic compound F-4 obtained in Synthetic Example 4 were dissolved in 2.0 g of ethyl benzoate and dissolved by heating at 100 ° C for 10 minutes in the air. After returning to room temperature, Thereby forming the hole injection transport
[비교 제조예 1][Comparative Production Example 1]
몰리브덴 헥사카르보닐을 시클로헥사논에 0.4wt% 용해시키고, 대기 중 100℃에서 10분간 가열함으로써 정공 주입 수송층 형성용 비교 잉크 1을 제작하였다.Molybdenum hexacarbonyl was dissolved in cyclohexanone in an amount of 0.4 wt%, and the mixture was heated in the air at 100 占 폚 for 10 minutes to prepare
<막 두께의 측정> ≪ Measurement of film thickness &
막 두께는, 세정이 완료된 ITO 구비 유리 기판 위에 측정하고자 하는 재료로 형성한 층을 단층으로서 형성하고, 커터 나이프로 단차를 형성한 후, 단차의 높이를 프로브 현미경(SIIㆍ나노테크놀로지(주)제, 나노픽스 1000)을 사용하여 태핑 모드로 측정하였다.The film thickness was measured by forming a layer formed of a material to be measured on a cleaned ITO glass substrate as a single layer and forming a step with a cutter knife and then measuring the height of the stepped portion using a probe microscope (SII, manufactured by Nanotechnology Co., , ≪ / RTI > Nanopix 1000).
<이온화 포텐셜의 측정> ≪ Measurement of ionization potential >
본 발명에서의 이온화 포텐셜의 값은, 광전자 분광 장치 AC-1(리껭 게끼제)을 사용하여 측정한 일함수의 값을 적용하였다. 측정은, 세정이 완료된 ITO 구비 유리 기판(산요 신꾸사제) 위에 측정하고자 하는 재료로 형성한 층을 단층으로서 형성하고, 상기한 광전자 분광 장치 AC-1로 광전자가 방출되는 에너지값으로 결정하였다. 측정 조건으로서는, 50nW의 광량으로 0.05eV마다 행하였다.The value of the ionization potential in the present invention is a value of the work function measured using an optoelectronic spectrometer AC-1 (manufactured by Rigaku Corporation). The measurement was carried out by forming a layer formed of a material to be measured on a cleaned ITO-equipped glass substrate (manufactured by Sanyo Chemical Industries, Ltd.) as a single layer, and determining the energy value at which photoelectrons were emitted by the above-described photoelectron spectroscope AC-1. The measurement was performed at 0.05 eV with a light amount of 50 nW.
<흡수 스펙트럼의 측정> <Measurement of Absorption Spectrum>
흡수 스펙트럼은, 세정이 완료된 석영 기판 위에 측정하고자 하는 재료로 형성한 층을 단층으로서 형성하고, 이 박막 구비 기판과 기준 석영 기판과의 광학 흡수의 차를 UV-3100PC(히타치제)를 사용하여 측정하였다.The absorption spectrum is obtained by forming a layer formed of a material to be measured on a cleaned quartz substrate as a single layer and measuring the difference in optical absorption between the thin film-formed substrate and the reference quartz substrate using UV-3100PC (manufactured by Hitachi) Respectively.
제조예 1 내지 11에서 얻어진 정공 주입 수송층 형성용 잉크를 사용하여 형성된 박막(10nm)의 254nm의 파장에서의 투과율은 모두 80% 이상으로 높은 값이었다.The transmittance of the thin film (10 nm) formed using the ink for forming a hole injection transport layer obtained in Production Examples 1 to 11 at a wavelength of 254 nm was as high as 80% or more.
<액체의 접촉각의 측정>≪ Measurement of contact angle of liquid &
액체의 접촉각은 접촉각 측정기(교와 가이멘 가가꾸(주)제, 전자동 접촉각계 (DM700))를 사용하여 측정하였다. 표준 용액으로서 크실렌(표면 장력 28.5mN/m)을 사용하여 마이크로시린지로부터 2 마이크로리터의 액적을 적하한 후 5초 후의 접촉각을 측정하였다.The contact angle of the liquid was measured using a contact angle meter (DM700, automatic contact angle meter manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.). Using a xylene (surface tension: 28.5 mN / m) as a standard solution, 2 microliters of a droplet was dropped from the microsyringe, and the contact angle was measured after 5 seconds.
<정공 주입 수송층의 표면 분석>≪ Surface analysis of hole injection transport layer >
X선 광전자 분광법(XPS)으로 유기-전이 금속 산화물 복합체에 포함되는 전이 금속의 가수와 플루오로알킬기의 유무를 측정하였다. 측정에는 크라토스사제 ESCA-3400형을 사용하였다. 측정에 사용한 X선원으로서는 MgKα선을 사용하였다. 모노크로미터는 사용하지 않고, 가속 전압 10kV, 필라멘트 전류 20mA의 조건으로 측정하였다.X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was used to determine the presence of fluoroalkyl groups and the valence of the transition metal contained in the organic-transition metal oxide complex. For the measurement, ESCA-3400 manufactured by CRATOS CORPORATION was used. As the X-ray source used for the measurement, MgK ray was used. A monochrometer was not used, and measurement was made under the conditions of an acceleration voltage of 10 kV and a filament current of 20 mA.
≪소자 특성의 실험≫«Experiment of device characteristics»
본 발명의 유기 EL 소자는, 투명 양극 구비 유리 기판 위에 표면에 불소 함유 유기 화합물이 부착되어 있는 유기-전이 금속 산화물 복합체를 포함하는 정공 주입 수송층을 형성한 후에 광촉매 처리를 실시하고, 그 후에 정공 수송층, 발광층, 정공 블록층, 전자 수송층, 전자 주입층, 음극의 기본층 구성을 갖도록 제막하여 적층하고, 밀봉하여 녹색 발광의 유기 EL 소자로서 제작함으로써, 그 유기 EL 소자의 특성 및 습윤성을 평가하였다.In the organic EL device of the present invention, a hole injecting and transporting layer containing an organic-transition metal oxide complex having a fluorine-containing organic compound adhered on its surface is formed on a glass substrate with a transparent anode, and then a photocatalyst treatment is performed, , A light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transporting layer, an electron injecting layer, and a cathode were laminated and sealed to form a green light emitting organic EL device, and the characteristics and wettability of the organic EL device were evaluated.
[실시예 1] [Example 1]
패턴 형성된 ITO 구비 유리 기판(산요 신꾸사제, ITO 막 두께: 150nm)을 중성 세제, 초순수의 순서대로 초음파 세정하고, UV 오존 처리를 실시하였다.Patterned ITO glass substrates (manufactured by Sanyo Chemical Industries, Ltd., ITO film thickness: 150 nm) were subjected to ultrasonic cleaning in the order of a neutral detergent and ultrapure water, and subjected to UV ozone treatment.
이어서, 상기 기판 위에 정공 주입 수송층으로서 제조예 1에서 얻어진 정공 주입 수송층 형성용 잉크 1을 사용하여 유기-전이 금속 산화물 복합체 박막을 스핀 코트법에 의해 도포 형성하였다. 도막 형성 후에는 핫 플레이트 위 200℃에서 건조시켰다. 건조 후의 막 두께는 10nm였다.Subsequently, an organic-transition metal oxide composite thin film was formed by spin coating using the
이어서, 광촉매 함유층 구비 포토마스크를 제조하였다. 합성 석영 기판 위에 투과 영역과 차광 영역을 형성한 포토마스크를 준비하였다. 이 포토마스크 위에 하기 조성의 광촉매 함유층 형성용 도공액을 스핀 코터에 의해 도포하고, 150℃에서 10분간의 가열 건조 처리를 실시하고, 가수분해ㆍ중축합 반응을 진행시켜 경화시킴으로써, 광촉매가 오르가노실록산 중에 강고하게 고정된 막 두께 100nm의 투명한 광촉매 함유층을 형성하였다.Then, a photomask with a photocatalyst-containing layer was prepared. A photomask having a transmission region and a shielding region formed on a synthetic quartz substrate was prepared. A coating solution for forming a photocatalyst-containing layer having the following composition was applied on the photomask by a spin coater, followed by heating and drying treatment at 150 ° C for 10 minutes to carry out a hydrolysis and polycondensation reaction to cure the photocatalyst, A transparent photocatalyst-containing layer having a film thickness of 100 nm firmly fixed in the siloxane was formed.
(광촉매 함유층 형성용 도공액)(Coating liquid for forming photocatalyst-containing layer)
ㆍ이산화티타늄(이시하라 산교(주)제, ST-K01) 2중량부2 parts by weight of titanium dioxide (ST-K01, manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.)
ㆍ오르가노알콕시실란(도시바 실리콘(주)제, TSL8113) 0.4중량부0.4 parts by weight of organoalkoxysilane (TSL8113, manufactured by Toshiba Silicone Co., Ltd.)
ㆍ이소프로필알코올 3중량부3 parts by weight of isopropyl alcohol
이어서, 상기에서 제조한 광촉매 함유층 구비 포토마스크를 개재하여 정공 주입 수송층을 노광함으로써, 친액성 영역 및 발액성 영역으로 이루어지는 패턴을 형성하였다. 고압 수은등과, 광촉매 함유층 구비 포토마스크 및 기판의 위치 조정 기구를 구비하는 자외 노광 장치를 사용하여, 광촉매 함유층 구비 포토마스크의 광촉매 함유층과 정공 주입 수송층과의 사이의 거리가 100㎛가 되도록 조정한 후, 광촉매 함유층 구비 포토마스크의 이면측으로부터 254nm의 광의 노광량이 5J/cm2가 되도록 3분간 노광하였다.Subsequently, the hole injection transport layer was exposed through the photomask provided with the photocatalyst-containing layer prepared above to form a pattern composed of the lyophilic area and the lyophobic area. The distance between the photocatalyst-containing layer in the photocatalyst-containing-layer-provided photomask and the hole-injecting and transporting layer was adjusted to 100 μm by using a high-pressure mercury lamp, a photomask with a photocatalyst-comprising layer and a position adjusting mechanism of the substrate, And the photocatalyst-comprising layer was exposed for 3 minutes so that the exposure amount of light of 254 nm was 5 J / cm 2 from the back side of the photomask.
이어서, 처리된 정공 주입 수송층 위에 정공 수송층으로서 폴리비닐카르바졸(PVK)(분자량 70만) 박막을 스핀 코트법에 의해 도포 형성하였다. 도공액은, PVK를 1,2-디클로로에탄에 용해시켜 제조하였다. 도막 형성 후에는 핫 플레이트 위 150℃에서 건조시켰다. 건조 후의 막 두께는 20nm였다.Subsequently, a thin film of polyvinylcarbazole (PVK) (molecular weight: 700,000) as a hole transporting layer was applied and formed on the treated hole injection transport layer by a spin coat method. The coating solution was prepared by dissolving PVK in 1,2-dichloroethane. After the coating film was formed, it was dried at 150 ° C on a hot plate. The film thickness after drying was 20 nm.
이어서, 상기 정공 수송층 위에 트리스[2-(p-톨릴)피리딘)]이리듐(III) (Ir(mppy)3)을 발광성 도펀트로서 함유하고, 4,4'-비스(9-카르바졸릴-2,2'디메틸비페닐(CDBP)을 호스트로서 함유하는 발광층 박막을 스핀 코트법에 의해 도포 형성하였다. 도공액은, 호스트인 CDBP와 도펀트인 Ir(mppy)3의 중량비가 20:1로 함유된 상태에서, 건조 후의 합계 막 두께가 40nm가 되도록 톨루엔에 용해시켜 제조하였다. 도막 형성 후에는 핫 플레이트 위 100℃에서 건조시켰다.(III) (Ir (mppy) 3) as a luminescent dopant, and 4,4'-bis (9-carbazolyl-2 , 2'dimethylbiphenyl (CDBP) as a host was applied by a spin coat method. The coating solution was prepared by coating a mixture of a host CDBP and a dopant Ir (mppy) 3 in a weight ratio of 20: 1 In a state that the total film thickness after drying was 40 nm. After forming the coating film, it was dried at 100 캜 on a hot plate.
상기 발광층 위에 정공 블록층을 증착 형성하였다. 정공 블록층은 블록 형성 재료에 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토)(p-페닐페놀레이트)알루미늄 착체(BAlq)를 사용하여, 저항 가열법에 의해 진공 중(압력: 1×10-4Pa)에서 BAlq 증착막의 막 두께가 15nm가 되도록 증착 형성하였다.A hole blocking layer was deposited on the light emitting layer. The hole blocking layer was formed by a resistive heating method using vacuum (pressure: 1 x 10 < -10 > (cm)) using a bis (2-methyl-8- quinolinolato) -4 Pa) to form a BAlq vapor-deposited film having a thickness of 15 nm.
상기 정공 블록층 위에 전자 수송층을 증착 형성하였다. 전자 수송층은, 트리스(8-퀴놀리놀레이토)알루미늄 착체(Alq3)를 저항 가열법에 의해 진공 중(압력: 1×10-4Pa)에서 Alq3 증착막의 막 두께가 20nm가 되도록 증착 형성하였다.An electron transport layer was deposited on the hole blocking layer. The electron transport layer was formed by evaporation of a tris (8-quinolinolato) aluminum complex (Alq3) so as to have a thickness of 20 nm in an Alq3 vapor deposition film under vacuum (pressure: 1 x 10-4 Pa) by resistance heating method.
제작한 투명 양극 구비 유리 기판/정공 주입 수송층/정공 수송층/발광층/정공 블록층/전자 수송층의 전자 수송층 위에, 전자 주입층 및 음극을 더 순차 증착 형성하였다. 전자 주입층은 LiF(두께: 0.5nm)를, 음극은 Al(두께:100nm)을 순차 저항 가열 증착법에 의해 진공 중(압력: 1×10-4Pa)에서 증착막을 형성하였다.The electron injection layer and the cathode were sequentially deposited on the electron transport layer of the prepared transparent anode-supported glass substrate / hole injecting / transporting layer / hole transporting layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transporting layer. A vapor deposition film was formed in vacuum (pressure: 1 x 10 < -4 > Pa) by LiF (thickness: 0.5 nm) for the electron injection layer and Al (thickness: 100 nm) for the cathode sequentially by resistance heating deposition.
음극 형성 후, 저산소, 저습도 상태의 글로브 박스 내에서 무알칼리 유리와 UV 경화형 에폭시 접착제를 사용하여 밀봉하고, 폭 mm의 라인 형상으로 패터닝된 양극과, 이 양극에 직교하도록 폭 mm의 라인 형상으로 형성된 전자 주입층, 음극을 구비하는 실시예 1의 유기 EL 소자를 제작하였다.After formation of the negative electrode, the negative electrode was sealed in a glove box with low oxygen and low humidity by using an alkali-free glass and a UV curable epoxy adhesive, and a positive electrode patterned in the form of a line having a width of mm and a line- An organic EL device of Example 1 having an electron injection layer and a cathode formed thereon was fabricated.
이들 소자를 10mA/cm2로 구동시켜, 발광 휘도와 스펙트럼을 탑콘사제의 분광방사계 SR-2로 측정하였다. 상기 실시예 및 비교예에 있어서 제작한 유기 EL 소자는 모두 Ir(mppy)3에서 유래하는 녹색으로 발광하였다. 측정 결과를 표 3에 나타낸다. 또한, 전류 효율은 구동 전류와 휘도로부터 산출하여 구하였다.These devices were driven at 10 mA / cm 2 , and the luminescence brightness and spectrum were measured by a spectroscopic radiation system SR-2 of Topcon Corporation. The organic EL devices produced in the above Examples and Comparative Examples all emitted green light derived from Ir (mppy) 3 . The measurement results are shown in Table 3. The current efficiency was calculated from the driving current and the luminance.
유기 EL 소자의 수명 특성은, 정전류 구동에서 휘도가 경시적으로 서서히 저하되는 모습을 관찰하여 평가하였다. 여기서는 초기 휘도 2000cd/m2에 대하여 유지율이 50%인 휘도로 열화될 때까지의 시간(hr.)을 수명(LT50)으로 하였다.The lifetime characteristics of the organic EL device were evaluated by observing that the luminance gradually decreased with time in the constant current driving. Here, the time (hr.) From the initial luminance of 2000 cd / m 2 to the deterioration of the luminance with the retention rate of 50% was defined as the lifetime LT50.
또한, 상술한 바와 같이, 정공 주입 수송층에 대하여 광촉매 처리 전후의 습윤성과 이온화 포텐셜의 평가를 행하였다. 이들 결과도 함께 표 1에 나타낸다.Further, as described above, the wettability and the ionization potential of the positive hole injection transport layer before and after the photocatalytic treatment were evaluated. These results are also shown in Table 1.
[실시예 2] [Example 2]
실시예 1에 있어서, 정공 주입 수송층 형성용 잉크로서 정공 주입 수송층 형성용 잉크 1 대신에 정공 주입 수송층 형성용 잉크 2를 사용하여 막 두께 10nm의 박막을 형성한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 소자를 제작하여 습윤성의 평가를 행하였다.In the same manner as in Example 1, except that the ink for forming a hole injection transporting layer was used in place of the
[실시예 3] [Example 3]
실시예 1에 있어서, 정공 주입 수송층 형성용 잉크로서 정공 주입 수송층 형성용 잉크 1 대신에 정공 주입 수송층 형성용 잉크 3을 사용하여 막 두께 10nm의 박막을 형성한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 소자를 제작하여 습윤성의 평가를 행하였다.In the same manner as in Example 1, except that the ink for forming a hole injection transport layer was used instead of the
[실시예 4] [Example 4]
실시예 1에 있어서, 정공 주입 수송층 형성용 잉크로서 정공 주입 수송층 형성용 잉크 1 대신에 정공 주입 수송층 형성용 잉크 4를 사용하여 막 두께 10nm의 박막을 형성한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 소자를 제작하여 습윤성의 평가를 행하였다.In the same manner as in Example 1, except that a thin film having a thickness of 10 nm was formed by using the
[실시예 5] [Example 5]
실시예 1에 있어서, 정공 주입 수송층 형성용 잉크로서 정공 주입 수송층 형성용 잉크 1 대신에 정공 주입 수송층 형성용 잉크 5를 사용하여 막 두께 10nm의 박막을 형성한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 소자를 제작하여 습윤성의 평가를 행하였다.In the same manner as in Example 1, except that the ink for forming a hole injection transporting layer was used in place of the
[실시예 6][Example 6]
실시예 6에 있어서, 정공 주입 수송층에 광촉매 마스크 구비 마스크를 개재하지 않고 253nm의 자외광만을 조사한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 소자를 제작하여 습윤성의 평가를 행하였다.A device was prepared and evaluated for wettability in the same manner as in Example 1 except that only the ultraviolet light of 253 nm was irradiated to the hole injection transport layer without interposing the photocatalyst mask.
[실시예 7][Example 7]
실시예 1에 있어서, 정공 주입 수송층 형성용 잉크로서 정공 주입 수송층 형성용 잉크 1 대신에 정공 주입 수송층 형성용 잉크 6을 사용하여 막 두께 10nm의 박막을 형성한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 소자를 제작하여 습윤성의 평가를 행하였다.In the same manner as in Example 1, except that a thin film having a thickness of 10 nm was formed by using the
[실시예 8][Example 8]
실시예 1에 있어서, 정공 주입 수송층 형성용 잉크로서 정공 주입 수송층 형성용 잉크 1 대신에 정공 주입 수송층 형성용 잉크 7을 사용하여 막 두께 10nm의 박막을 형성한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 소자를 제작하여 습윤성의 평가를 행하였다.In the same manner as in Example 1, except that the ink for forming a hole injection transport layer was used instead of the
[실시예 9][Example 9]
실시예 1에 있어서, 정공 주입 수송층 형성용 잉크로서 정공 주입 수송층 형성용 잉크 1 대신에 정공 주입 수송층 형성용 잉크 8을 사용하여 막 두께 10nm의 박막을 형성한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 소자를 제작하여 습윤성의 평가를 행하였다.In the same manner as in Example 1, except that the ink for forming a hole injection transport layer was used instead of the
[실시예 10] [Example 10]
실시예 1에 있어서, 정공 주입 수송층 형성용 잉크로서 정공 주입 수송층 형성용 잉크 1 대신에 정공 주입 수송층 형성용 잉크 9를 사용하여 막 두께 10nm의 박막을 형성한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 소자를 제작하여 습윤성의 평가를 행하였다.In the same manner as in Example 1, except that a thin film having a thickness of 10 nm was formed by using the
[실시예 11] [Example 11]
실시예 1에 있어서, 정공 주입 수송층 형성용 잉크로서 정공 주입 수송층 형성용 잉크 1 대신에 정공 주입 수송층 형성용 잉크 10을 사용하여 막 두께 10nm의 박막을 형성한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 소자를 제작하여 습윤성의 평가를 행하였다.In the same manner as in Example 1, except that the ink for forming a hole injection transport layer was used in place of the
[실시예 12] [Example 12]
실시예 1에 있어서, 정공 주입 수송층 형성용 잉크로서 정공 주입 수송층 형성용 잉크 1 대신에 정공 주입 수송층 형성용 잉크 11을 사용하여 막 두께 10nm의 박막을 형성한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 소자를 제작하여 습윤성의 평가를 행하였다.In the same manner as in Example 1, except that the ink for forming a hole injection transport layer was used in place of the
[비교예 1] [Comparative Example 1]
실시예 1에 있어서, 정공 주입 수송층 형성용 잉크로서 정공 주입 수송층 형성용 잉크 1 대신에 정공 주입 수송층 형성용 비교 잉크 1을 사용하여 막 두께 10nm의 박막을 형성한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 소자를 제작하여 습윤성의 평가를 행하였다.In the same manner as in Example 1 except that a thin film having a thickness of 10 nm was formed by using the
[비교예 2][Comparative Example 2]
실시예 1에 있어서, 정공 주입 수송층으로서 정공 주입 수송층 형성용 잉크 1을 사용하여 형성된 막 대신에 PEDOT/PSS(스탁사제 AI4083)와 4-(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-헵타데카플루오로데실)벤질아민을 스핀 코트법으로 적층 박막을 형성한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 소자를 형성하여 습윤성의 평가를 행하였다. PEDOT/PSS층은 PEDOT/PSS 용액을 증류수로 묽게 하고, 건조 후의 막 두께가 10nm가 되도록 용해시켜 제작하였다. 이어서, 헵타데카플루오로데실벤질아민을 헵타플루오로-n-부티르산 에틸에 0.4wt% 용해시킨 용액을 사용하고, 도포 형성하여 박막을 건조시켰다. 건조 후의 막 두께는 계측 불가능하였으며 5nm 이하였다.PEDOT / PSS (manufactured by Stacking Agent AI4083) and 4- (3,3,4,4,5,5,6-tetraazaindene) were used instead of the film formed using the hole injection transport
[비교예 3] [Comparative Example 3]
비교예 2에 있어서, 정공 주입 수송층에 광촉매 처리를 실시하지 않은 것 이외에는, 비교예 2와 동일하게 소자를 제작하여 습윤성의 평가를 행하였다.In Comparative Example 2, a device was prepared and evaluated for wettability in the same manner as in Comparative Example 2, except that the hole injection transport layer was not subjected to the photocatalytic treatment.
[비교예 4] [Comparative Example 4]
실시예 1에 있어서, 정공 주입 수송층으로서 정공 주입 수송층 형성용 잉크 1을 사용하여 형성된 막 대신에 저항 가열법에 의해 진공 중에서 증착 형성된 MoO3막(10nm)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 소자를 제작하여 습윤성의 평가를 행하였다.The same procedure as in Example 1 was carried out except that a MoO 3 film (10 nm) formed by vacuum evaporation in a resistance heating method was used in place of the film formed using the hole injection transport
[참고예 1][Referential Example 1]
실시예 1에 있어서, 정공 주입 수송층에 광촉매 처리를 실시하지 않은 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 소자를 제작하여 습윤성의 평가를 행하였다.A device was prepared and evaluated for wettability in the same manner as in Example 1 except that the hole injection transport layer was not subjected to a photocatalytic treatment.
[참고예 2] [Reference Example 2]
실시예 2에 있어서, 정공 주입 수송층에 광촉매 처리를 실시하지 않은 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 소자를 제작하여 습윤성의 평가를 행하였다.A device was prepared and evaluated for wettability in the same manner as in Example 2 except that the hole injection transport layer was not subjected to a photocatalytic treatment.
[참고예 3] [Referential Example 3]
실시예 3에 있어서, 정공 주입 수송층에 광촉매 처리를 실시하지 않은 것 이외에는, 실시예 3과 동일하게 소자를 제작하여 습윤성의 평가를 행하였다.A device was prepared and evaluated for wettability in the same manner as in Example 3 except that the hole injection transport layer was not subjected to the photocatalytic treatment.
[참고예 4] [Reference Example 4]
실시예 4에 있어서, 정공 주입 수송층에 광촉매 처리를 실시하지 않은 것 이외에는, 실시예 4과 동일하게 소자를 제작하여 습윤성의 평가를 행하였다.A device was prepared and evaluated for wettability in the same manner as in Example 4 except that the hole injection transport layer was not subjected to the photocatalytic treatment in Example 4.
[참고예 5][Reference Example 5]
실시예 5에 있어서, 정공 주입 수송층에 광촉매 처리를 실시하지 않은 것 이외에는, 실시예 5와 동일하게 소자를 제작하여 습윤성의 평가를 행하였다.A device was prepared and evaluated for wettability in the same manner as in Example 5 except that the hole injection transport layer was not subjected to a photocatalytic treatment.
[평가] [evaluation]
실시예 1과 참고예 1을 비교하면, 실시예 1은 광촉매 처리 후에 접촉각이 49°로부터 5° 이하로 저하되었으며, 이온화 포텐셜은 5.2eV로부터 5.4eV로 상승되었다. 또한, 소자 특성에서는 광촉매 처리 후에 수명이 2.0시간으로부터 3.0시간으로 향상되었다. 실시예 1에서는, 광촉매 처리에 의해 플루오로알킬 성분이 분해되고, 유기-전이 금속 산화물 복합체층의 표면이 산화됨으로써 표면이 개질되어 특성이 개선된 것으로 추측된다. 이 결과는, 실시예 2와 참고예 2의 비교, 및 실시예 3과 참고예 3의 비교, 및 실시예 4와 참고예 4의 비교, 및 실시예 5와 참고예 5의 비교에 있어서도 동일하게 광촉매 처리를 행하여도 특성이 동등하여 열화되지 않거나, 또는 광촉매 처리에 있어서 개선된 것으로 나타난 결과가 얻어져 있다.Comparing Example 1 with Reference Example 1, in Example 1, the contact angle after the photocatalytic treatment was lowered from 49 ° to 5 ° or less, and the ionization potential was raised from 5.2 eV to 5.4 eV. In the device characteristics, the lifetime after the photocatalytic treatment was improved from 2.0 hours to 3.0 hours. In Example 1, it is presumed that the fluoroalkyl component was decomposed by the photocatalytic treatment and the surface of the organic-transition metal oxide composite layer was oxidized to improve the characteristics. The results are also shown in the comparison between Example 2 and Reference Example 2, the comparison between Example 3 and Reference Example 3, the comparison between Example 4 and Reference Example 4, and the comparison between Example 5 and Reference Example 5 Even when the photocatalyst treatment is carried out, the properties are equal and are not deteriorated, or the photocatalyst treatment is improved.
실시예 5와 실시예 1을 비교하면, 실시예 1의 잉크 1을 사용한 쪽이 초기의 접촉각이 높기 때문에, 잉크 5보다도 잉크 1의 제조 방법으로 잉크를 제작하는 것이 바람직하다.Comparing Example 5 with Example 1, it is preferable that the
또한, 실시예끼리를 비교하면, 잉크 9 내지 11을 사용한 실시예 10 내지 12가 휘도, 전류 효율 및 수명이 모두 우수하였다. 이것은, 에테르 결합을 갖는 불소 성분이 분해되기 쉽고, 정공 주입 수송층 표면의 잔류 유기 성분이 적어짐으로써 박막 계면의 밀착성이 향상되고, 소자 특성이 향상되었기 때문인 것으로 추정된다.Further, when the examples were compared, the examples 10 to 12 using the
실시예 6과 비교예 1을 비교하면, 진공 자외광 조사에 의해 접촉각은 49°로부터 10°로 저하되었으며, 이온화 포텐셜은 5.2eV로부터 5.4eV로 상승하였다. 또한, 소자 특성에서는 진공 자외광 조사 후에 수명이 2.0시간으로부터 2.6시간으로 향상되었다. 진공 자외광 조사에 의해 플루오로알킬 성분이 분해되고, 유기-전이 금속 산화물 복합체층의 표면이 진공 자외광에서 발생한 오존에 의해 산화됨으로써 표면이 개질되어 특성이 개선된 것으로 추측된다.Comparing Example 6 with Comparative Example 1, the contact angle was reduced from 49 ° to 10 ° by irradiation with vacuum ultraviolet light, and the ionization potential rose from 5.2 eV to 5.4 eV. In the device characteristics, the lifetime after vacuum ultraviolet light irradiation was improved from 2.0 hours to 2.6 hours. It is presumed that the fluoroalkyl component is decomposed by the irradiation of vacuum ultraviolet light and the surface of the organic-transition metal oxide composite layer is oxidized by ozone generated in the vacuum ultraviolet light, thereby improving the characteristics.
실시예 1이 MoO3을 사용한 비교예 4보다도 장수명인 이유는, 후술하는 바와 같이 산화수 +5의 성분이 안정된 상태로 적절하게 함유되어 있는 것이 요인인 것으로 생각된다.The reason why Example 1 is longer than Comparative Example 4 using MoO 3 is considered to be that the component of the oxidation number +5 is properly contained in a stable state as described later.
실시예 1과 비교예 1을 비교하면, 실시예 1에서는 구동 전압이 1V 감소되어 있다. 이 결과는, 실시예 1에서는 플루오로알킬기가 부착된 유기물이 혼합되어 있기 때문에 이온화 포텐셜이 변화되고, 정공 주입성이 향상되었기 때문에 소자 성능이 높아진 것으로 추측된다.Comparing Example 1 with Comparative Example 1, in Example 1, the driving voltage is reduced by 1V. This result suggests that the device performance is improved because the ionization potential is changed and the hole injecting property is improved because the organic material to which the fluoroalkyl group is attached is mixed in Example 1.
비교예 2와 비교예 3을 비교하면, 정공 주입 수송층에 일반적인 유기계 정공 주입 재료인 PEDOT/PSS를 사용한 경우에는 광조사, 및 광촉매 처리에 의해 고전압화되어 수명이 짧아져 있다는 것을 알 수 있다. 이 결과는 광조사 및 광촉매 처리에 의해 PEDOT/PSS가 산화 또는 분해되어, 정공 주입성이나 구동 내성이 열화된 것으로 생각된다.Comparing Comparative Example 2 with Comparative Example 3, it can be seen that when PEDOT / PSS, which is a general organic-based hole injection material, is used for the hole injection transport layer, the voltage is increased by light irradiation and photocatalytic treatment and the lifetime is shortened. These results suggest that the PEDOT / PSS is oxidized or decomposed by light irradiation and photocatalytic treatment, resulting in deterioration of hole injection property and driving resistance.
<전이 금속의 산화수의 측정> ≪ Measurement of oxidation number of transition metal &
상기 실시예 1과 비교예 4에서 형성된 정공 주입 수송층을 사용하여 전이 금속의 산화수를 측정하였다. 당해 전이 금속의 산화수는, 상기한 정공 주입 수송층의 표면 분석에 있어서의 X선 광전자 분광법(XPS)에 의해 측정을 행하였다.The oxidation number of the transition metal was measured using the hole injecting and transporting layer formed in Example 1 and Comparative Example 4. The oxidation number of the transition metal was measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) in the surface analysis of the hole injection transport layer.
상기 실시예 1에 있어서, 광촉매 처리부와 광촉매 미처리부의 XPS 측정을 실시하여 Mo 산화수를 어림잡았다. 하기 표에 있어서는, Mo의 산화수 +6과 산화수 +5의 피크에 대하여 피크 분리를 행하고, 산화수 +6을 100으로 규격화한 경우의 산화수 +5의 피크 강도를 나타내었다.In Example 1, XPS measurement was performed on the photocatalyst treatment unit and the photocatalytic treatment unit, and the Mo oxidation number was estimated. In the following table, the peaks of the oxidation number of +6 and the oxidation number of +5 of Mo were subjected to peak separation, and the peak number of the oxidation number + 5 when the oxidation number + 6 was normalized to 100 was shown.
[평가] [evaluation]
실시예 1의 몰리브덴의 스펙트럼에 있어서는, 광촉매 처리부 및 광촉매 미처리부 양쪽으로부터 산화수 +5의 성분이 검출되었다. 광촉매 처리된 막에서는 5가의 비율이 약간 줄어들어 있지만, 강력한 산화 처리에도 불구하고 조금밖에 3가로 변질되지 않은 것은, 본원의 유기-전이 금속 산화물 복합체가 매우 안정되어 있다는 것을 나타내고 있다. 실시예 1이 MoO3을 사용한 비교예 4보다도 장수명인 이유는, 산화수 +5의 성분이 안정된 상태로 적절하게 함유되어 있는 것이 요인인 것으로 생각된다. 또한, 산화수 +5의 비율이 많은 참고예 1보다도 약간 적은 실시예 1쪽의 특성이 높은 요인으로서, 실시예 1에서는 정공 주입 수송층의 표면이 산화되어, 이온화 포텐셜이 ITO 계면 가까이에서 5.2eV, 정공 수송층 계면에서 5.4eV로 계단 형상이 되어 있을 가능성이 높고, 그에 따라 정공 주입성이 좋아지거나 안정화되어 있기 때문인 것으로 추정된다.In the spectrum of molybdenum of Example 1, a component of +5 oxidation number was detected from both the photocatalyst treatment portion and the photocatalytic treatment portion. In the case of the photocatalyst-treated film, the ratio of the pentavalent is slightly reduced. However, the fact that the photovoltaic treated film is only slightly changed in spite of the strong oxidation treatment indicates that the organic-transition metal oxide complex of the present invention is very stable. The reason that Example 1 is longer than Comparative Example 4 using MoO 3 is considered to be that the component of the oxidation number +5 is appropriately contained in a stable state. In addition, in Example 1, the surface of the hole injection transporting layer was oxidized, and the ionization potential was 5.2 eV near the ITO interface, It is presumed that there is a high possibility that a stepwise shape is formed at 5.4 eV at the interface of the transport layer and thus the hole injecting property is improved or stabilized.
≪습윤성 변화의 실험≫«Experiment of wetting change»
[실시예 13] [Example 13]
도 11에 도시한 바와 같이, ITO 투명 전극(양극)(42)이 형성된 유리 기판(41) 위에 정공 주입 수송층(43)으로서 합성예에서 제작한 불소 함유 유기 화합물이 표면에 부착된 유기-전이 금속 산화물 복합체 박막을 스핀 코트법으로 10nm 형성하고, 기체 위에 차광부와 광촉매 함유층이 형성된 광촉매 함유층 기판(광촉매 함유층 구비 포토마스크(50))을 사용하여 패턴 노광하고, 노광부와 비노광부의 습윤성을 접촉각 측정에 의해 조사하였다.As shown in Fig. 11, on the
우선, 투명 전극으로서 산화인듐 주석(ITO)의 박막(두께: 150nm)을 사용하였다. ITO 구비 유리 기판(산요 신꾸사제)을 중성 세제, 초순수의 순서대로 초음파세정하여, UV 오존 처리를 실시하였다.First, a thin film of indium tin oxide (ITO) (thickness: 150 nm) was used as a transparent electrode. The ITO-equipped glass substrate (manufactured by Sanyo Chemical Industries, Ltd.) was subjected to ultrasonic cleaning in the order of a neutral detergent and ultrapure water, followed by UV ozone treatment.
이어서, 상기 기판 위에 정공 주입 수송층으로서 유기-전이 금속 산화물 복합체 박막을 정공 주입 수송층 형성용 잉크 1을 사용하여 스핀 코트법에 의해 도포 형성하였다. 도막 형성 후에는 핫 플레이트 위 200℃에서 건조시켰다. 건조 후의 막 두께는 10nm였다. 크실렌에 대한 정공 주입 수송층 표면의 접촉각은 49°였다.Subsequently, an organic-transition metal oxide composite thin film as a hole injecting and transporting layer was formed on the substrate by spin coating using the
이어서, 광촉매 함유층 구비 포토마스크(50)를 제조하였다. 합성 석영 기판(51) 위에 투과 영역(52)과 차광 영역(53)을 설치하도록 크롬 마스크(54)를 형성한 포토마스크를 준비하였다. 이 포토마스크 위에 하기 조성의 광촉매 함유층 형성용 도공액을 스핀 코터에 의해 도포하고, 150℃에서 10분간의 가열 건조 처리를 실시하여 가수분해ㆍ중축합 반응을 진행시켜 경화시킴으로써, 광촉매가 오르가노실록산 중에 강고하게 고정된 막 두께 100nm의 투명한 광촉매 함유층(55)을 형성하였다. 합성 석영 기판(51) 위의 단부에 광촉매 함유층(55)을 형성하지 않는 투과 영역(56)이 설치되었다.Subsequently, a
(광촉매 함유층 형성용 도공액) (Coating liquid for forming photocatalyst-containing layer)
ㆍ이산화티타늄(이시하라 산교(주)제, ST-K01) 2중량부2 parts by weight of titanium dioxide (ST-K01, manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.)
ㆍ오르가노알콕시실란(도시바 실리콘(주)제, TSL8113) 0.4중량부0.4 parts by weight of organoalkoxysilane (TSL8113, manufactured by Toshiba Silicone Co., Ltd.)
ㆍ이소프로필알코올 3중량부3 parts by weight of isopropyl alcohol
이어서, 상기에서 제조한 광촉매 함유층 구비 포토마스크를 개재하여 정공 주입 수송층을 노광하여, 친액성 영역 및 발액성 영역으로 이루어지는 패턴을 형성하였다. 고압 수은등과, 광촉매 함유층 구비 포토마스크 및 기판의 위치 조정 기구를 구비하는 자외 노광 장치를 사용하여, 광촉매 함유층 구비 포토마스크(50)의 광촉매 함유층(55)과 정공 주입 수송층(43)과의 사이의 거리가 100㎛가 되도록 조정한 후, 광촉매 함유층 구비 포토마스크(50)의 이면측으로부터 254nm의 광의 노광량이 5J/cm2가 되도록 3분간 노광하였다.Subsequently, the hole injection transport layer was exposed through the photomask provided with the photocatalyst-containing layer prepared above to form a pattern composed of the lyophilic area and the lyophobic area. Containing
이어서, 정공 주입 수송층 위의 노광부와 비노광부와의 액체의 정적 접촉각을 접촉각계(교와 가이멘 가가꾸사제)에 의해 측정하였다. 액체에는 크실렌(표면 장력: 28.5mN/m)을 사용하였다.Subsequently, the static contact angle of the liquid between the exposed portion and the non-exposed portion on the hole injection transport layer was measured by a contact angle meter (manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.). Xylene (surface tension: 28.5 mN / m) was used as the liquid.
[실시예 14] [Example 14]
실시예 13에 있어서, 노광용 광원으로서 253nm의 자외광 대신에 진공 자외광을 사용하여 노광한 것 이외에는, 실시예 13과 동일하게 친액성 영역 및 발액성 영역으로 이루어지는 패턴을 형성하여, 습윤성의 평가를 행하였다. 이때, 메탈 마스크측으로부터 파장 172nm의 진공 자외광을 광의 노광량이 5J/cm2가 되도록 발액성 영역 및 친액성 영역으로 이루어지는 패턴을 형성하였다.A pattern composed of a lyophilic area and a lyophobic area was formed in the same manner as in Example 13 except that the exposure was performed using vacuum ultraviolet light instead of ultraviolet light of 253 nm as an exposure light source to evaluate the wettability . At this time, vacuum ultraviolet light having a wavelength of 172 nm was formed from the metal mask side to form a pattern composed of a liquid-repellent region and a lyophilic region so that the light exposure amount was 5 J / cm 2 .
[실시예 15] [Example 15]
실시예 13에 있어서, 정공 주입 수송층 형성용 잉크로서 정공 주입 수송층 형성용 잉크 1 대신에 정공 주입 수송층 형성용 잉크 3을 사용하여 박막(막 두께: 10nm)을 형성한 것 이외에는, 실시예 13과 동일하게 친액성 영역 및 발액성 영역으로 이루어지는 패턴을 형성하여, 습윤성의 평가를 행하였다.Same as Example 13 except that a thin film (film thickness: 10 nm) was formed by using the hole injection transport
[실시예 16] [Example 16]
실시예 13에 있어서, 정공 주입 수송층 형성용 잉크로서 정공 주입 수송층 형성용 잉크 1 대신에 정공 주입 수송층 형성용 잉크 4를 사용하여 박막(막 두께: 10nm)을 형성한 것 이외에는, 실시예 13과 동일하게 친액성 영역 및 발액성 영역으로 이루어지는 패턴을 형성하여, 습윤성의 평가를 행하였다.Same as Example 13 except that a thin film (film thickness: 10 nm) was formed by using the
[참고예 6][Referential Example 6]
실시예 13에 있어서, 광촉매 처리를 행하지 않고 정공 주입 수송층을 핫 플레이트에서 200℃에서 1시간 가열한 것 이외에는, 실시예 13과 동일하게 박막을 형성하여 습윤성의 평가를 행하였다.A wettability was evaluated by forming a thin film in the same manner as in Example 13 except that the hole injecting and transporting layer was heated in a hot plate at 200 캜 for 1 hour without carrying out the photocatalyst treatment.
[참고예 7][Reference Example 7]
참고예 6에 있어서, 정공 주입 수송층 형성용 잉크 1 대신에 정공 주입 수송층 형성용 잉크 3을 사용한 것 이외에는, 참고예 6과 동일하게 박막을 형성하여 습윤성의 평가를 행하였다.In Reference Example 6, a thin film was formed in the same manner as in Reference Example 6 except that the hole injection transport
[참고예 8] [Referential Example 8]
참고예 6에 있어서, 정공 주입 수송층 형성용 잉크 1 대신에 정공 주입 수송층 형성용 잉크 4를 사용한 것 이외에는, 참고예 6과 동일하게 박막을 형성하여 습윤성의 평가를 행하였다.In Reference Example 6, a wettability was evaluated by forming a thin film in the same manner as in Reference Example 6, except that the
[비교예 5][Comparative Example 5]
참고예 6에 있어서, 정공 주입 수송층 형성용 잉크 1 대신에 PEDOT/PSS(스탁사제 AI4083)와 4-(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-헵타데카플루오로데실) 벤질아민을 스핀 코트법으로 적층 박막을 형성한 것 이외에는, 참고예 6과 동일하게 소자를 형성하여 습윤성의 평가를 행하였다. PEDOT/PSS층은 PEDOT/PSS 용액을 증류수로 묽게 하고, 건조 후의 막 두께가 10nm가 되도록 용해시켜 제작하였다. 이어서 헵타데카플루오로데실벤질아민을 헵타플루오로-n-부티르산 에틸에 0.4wt% 용해시킨 용액을 사용하고, 도포 형성하여 박막을 건조시켰다. 건조 후의 막 두께는 계측 불가능하였으며, 5nm 이하였다.In Reference Example 6, in place of the
[평가] [evaluation]
실시예 13 내지 16에 대하여, 광조사 전의 정공 주입 수송층의 표면인 영역I, 도 11에 도시하는 광이 조사되어 광촉매가 작용한 영역 II, 미노광부에서 광촉매가 작용하지 않은 영역 III 및 광이 조사되었지만 광촉매는 작용하지 않은 영역 IV에 있어서의 액체의 접촉각을 하기 표 3에 나타낸다.11 to 11, a region II in which a photocatalyst is irradiated with light shown in Fig. 11, a region III in which a photocatalyst does not act in the unexposed portion, and a region III in which light is irradiated Table 3 shows the contact angle of the liquid in the region IV in which the photocatalyst does not act.
또한, 참고예 6 내지 8 및 비교예 5에 대하여, 정공 주입 수송층의 200℃ 가열 전 및 후에 있어서의 액체의 접촉각을 하기 표 4에 나타낸다.Table 4 shows the contact angles of the liquid before and after heating at 200 占 폚 with respect to the hole injection and transport layer in Reference Examples 6 to 8 and Comparative example 5. [
실시예 13 내지 16에 있어서, 영역 II(광촉매의 존재하에 광의 조사)의 크실렌의 접촉각이 모두 5° 이하로 낮아져 있다. 이 결과는 포토마스크 위에서 발생한 슈퍼옥시드 라디칼 또는 히드록시 라디칼에 의해 플루오로알킬기 성분이 분해되어, 친액화된 것으로 생각된다. 이들 표면의 XPS 측정에서는, 플루오로알킬기가 제거되어 있는 것이 관측되었다. 한편, 영역 III(미노광부)에서는 액체의 접촉각은 모두 초기의 영역 I과 동일하였다. 미노광부와 노광부의 발액성의 콘트라스트는 20° 이상이기 때문에, 본 프로세스에 의해 잉크의 구분 도포를 행할 수 있다는 것을 알 수 있다. 또한, 실시예 13 및 15에 있어서 영역 IV의 노광부만인 개소에서는 254nm의 광으로 재료가 분해되어 있지 않기 때문에, 광촉매의 존재가 필요하다는 것을 알 수 있다. 이들 표면의 XPS 측정에서는 플루오로알킬기가 미처리된 막과 동일한 정도 남아있는 것이 관측되었다. 한편, 실시예 14의 영역 IV의 노광부에서는 접촉각이 10°이며, 미노광부에 비해 39° 낮아져 있다. 미노광부와 노광부의 발액성의 콘트라스트는 20° 이상이기 때문에, 진공 자외광의 경우에는 광촉매가 없어도 구분 도포를 행할 수 있다는 것을 알 수 있다. 이들 표면의 XPS 측정에서는 플루오로알킬기가 소량 남아있는 것이 관측되었다. 진공 자외광의 경우에는 직접 C-C 결합이 광의 에너지에 의해 끊어져 있는 것으로 추측된다. 따라서, 실시예 14의 영역 II에서는 광촉매의 효과와 광에 의한 직접 분해의 2 가지 효과가 기대된다.In Examples 13 to 16, the contact angles of xylene in region II (irradiation of light in the presence of a photocatalyst) were all lowered to 5 DEG or less. This result is considered to be that the fluoroalkyl group component is decomposed by the superoxide radical or the hydroxy radical generated on the photomask to be lyophilized. XPS measurement of these surfaces revealed that the fluoroalkyl groups were removed. On the other hand, in the region III (unexposed portion), the contact angle of the liquid was the same as the initial region I. The contrast of the liquid repellency of the unexposed portion and the exposed portion is 20 DEG or more, and it can be understood that the division of the ink can be performed by the present process. In Examples 13 and 15, it is found that the presence of the photocatalyst is necessary because the material is not decomposed by the light of 254 nm in the portion where only the exposure portion of the region IV is exposed. XPS measurements of these surfaces showed that the fluoroalkyl groups remained to the same extent as the untreated film. On the other hand, in the exposure portion of the region IV of Example 14, the contact angle is 10 DEG, which is 39 DEG lower than that of the unexposed portion. The contrast of the unexposed portion and the exposed portion of the exposed portion is 20 ° or more. Therefore, in the case of vacuum ultraviolet light, it is possible to carry out the division coating even without a photocatalyst. XPS measurements of these surfaces showed that a small amount of fluoroalkyl groups remained. In the case of vacuum ultraviolet light, it is presumed that the direct C-C bonding is broken by the energy of light. Therefore, in Region II of Example 14, two effects of photocatalytic effect and direct decomposition by light are expected.
참고예 6 내지 8에 있어서, 본 발명에 관한 정공 주입 수송층용 디바이스 재료는 가열에 의해 각각 10° 정도 접촉각이 저하되어 있는 것이 관찰되었지만, 미노광부에 비해 콘트라스트는 20° 이상이기 때문에, 구분 도포가 가능하다는 것을 알 수 있다. 따라서, 정공 수송층의 건조나 열경화 프로세스에서 고온의 가열이 필요한 경우에도 발유성을 유지할 수 있다는 것을 알 수 있다. 한편, 비교예 5에서는 가열에 의해 발액성이 완전히 손상되어 있기 때문에, 가열에 의해 구분 도포가 불가능해진다는 것을 알 수 있다.In Reference Examples 6 to 8, it was observed that the contact angle with respect to the hole injection transporting layer-related device material of the present invention was decreased by about 10 deg. By heating, but since the contrast was 20 DEG or more as compared with the unexposed portion, It can be seen that it is possible. Therefore, it can be seen that the oil-repellency can be maintained even when high temperature heating is required in the drying process of the hole transport layer or the heat curing process. On the other hand, in Comparative Example 5, since the lyophobicity was completely damaged by heating, it can be seen that division application was impossible by heating.
<발광층이 패터닝된 디바이스의 제작> ≪ Fabrication of Device Patterned with Light Emitting Layer >
[실시예 17] [Example 17]
절연층과 격벽이 형성된 ITO 기판(도 12의 (A)에 일부 확대 개략 단면도 및 도 12의 (B)에 위로부터 본 일부 확대 개략 평면도가 도시되어 있음) 위에 정공 주입 수송층을 형성하고, 정공 주입 수송층에 대하여 광촉매 구비 포토마스크로 노광하여 습윤성 패터닝을 실시하고, 친액성부인 격벽간에 정공 수송층과 발광층을 잉크젯법으로 도포 형성하고, 정공 블록층, 전자 수송층, 전자 주입층, 음극의 기본층 구성을 갖도록 제막하여 적층하고, 밀봉하여 녹색 발광의 유기 EL 소자로서 제작하여, 그 유기 EL 소자의 발광면을 관찰하였다. 발광층은 녹색과 청색의 2색으로 구분 도포하였다.A hole injecting and transporting layer is formed on an ITO substrate on which an insulating layer and a partition are formed (a partially enlarged schematic sectional view of FIG. 12 (A) and a partially enlarged schematic plan view thereof seen from above on FIG. 12 (B) The transport layer was exposed by a photomask having a photocatalyst to perform wettability patterning, and a hole transport layer and a light emitting layer were formed by applying ink by a jet method between the partition walls of the lyophilic dregs, and the basic layer structure of the hole block layer, electron transport layer, electron injection layer, And sealed to prepare an organic EL device having a green luminescence, and the luminescent surface of the organic EL device was observed. The light emitting layer was divided into two colors, green and blue.
우선, 도 12의 (A) 및 (B)에 도시한 바와 같은 격자 형상의 절연층과 라인 형상의 격벽이 형성된 ITO 기판을 중성 세제, 초순수의 순서대로 초음파 세정하고, 마지막으로 UV 오존 처리를 실시하였다.First, an ITO substrate having a lattice-shaped insulating layer and a line-shaped partition as shown in Figs. 12 (A) and 12 (B) was subjected to ultrasonic cleaning in the order of neutral detergent and ultrapure water, and finally UV ozone treatment Respectively.
이어서, 상기 기판 위에 정공 주입 수송층으로서 유기-전이 금속 산화물 복합체 박막을 스핀 코트법에 의해 도포 형성하였다. 정공 주입 수송층 형성용 잉크로서는, 정공 주입 수송층 형성용 잉크 1을 사용하였다. 도막 형성 후에는 핫 플레이트 위 200℃에서 건조시켰다. 건조 후의 막 두께는 10nm였다. 격벽 구조가 없는 평탄부에서 접촉각을 측정한 바, 크실렌에 대한 정공 주입 수송층 표면의 접촉각은 49°였다.Subsequently, an organic-transition metal oxide composite thin film was formed as a hole injection transport layer on the substrate by spin coating. As the ink for forming the hole injection transport layer, the
이어서, 도 12의 (B)에 도시하는 개구부가 90㎛가 되도록 라인 형상의 차광 영역이 형성된 포토마스크를 사용하고, 개구부가 라인 형상의 격벽 위에 위치하도록 조정하여, 기판에 대하여 노광하고, 발액성의 콘트라스트가 높은 습윤성 패터닝을 실시하였다. 고압 수은등과, 광촉매 함유층 구비 포토마스크 및 기판의 위치 조정 기구를 구비하는 자외 노광 장치를 사용하여, 광촉매 함유층 구비 포토마스크의 광촉매 함유층과 정공 주입 수송층과의 사이의 거리가 100㎛가 되도록 조정한 후, 광촉매 함유층 구비 포토마스크의 이면측으로부터 254nm의 광의 노광량이 5J/cm2가 되도록 3분간 노광하였다. 노광부이면서도 격벽 구조가 없는 평탄 부분에서 접촉각을 측정한 바, 크실렌에 대한 정공 주입 수송층 표면의 접촉각은 5° 이하였으며, 친액화되어 있었다.Next, using a photomask having a line-shaped light shielding region formed so as to have an opening of 90 占 퐉 as shown in Fig. 12 (B), the opening was adjusted to be positioned on the line-shaped partition, The wettability patterning with high contrast was performed. The distance between the photocatalyst-containing layer in the photocatalyst-containing-layer-provided photomask and the hole-injecting and transporting layer was adjusted to 100 μm by using a high-pressure mercury lamp, a photomask with a photocatalyst-comprising layer and a position adjusting mechanism of the substrate, And the photocatalyst-comprising layer was exposed for 3 minutes so that the exposure amount of light of 254 nm was 5 J / cm 2 from the back side of the photomask. The contact angle was measured at a flat portion having no barrier structure even though it was an exposed portion. The contact angle of the surface of the hole injection transport layer with respect to xylene was 5 ° or less and lyophilized.
이어서, 격벽의 사이에 형성된 친액성 영역에 하기 조성의 정공 수송층 형성용 도공액을 잉크젯법에 의해 도포하여 정공 수송층을 형성하였다. 도막 형성 후, 질소 중 200℃에서 60분간 건조시켰다. 건조 후의 막 두께가 30nm가 되도록 잉크의 도출량(塗出量)을 조정하였다.Subsequently, a coating solution for forming a hole transport layer of the following composition was applied to the lyophilic area formed between the partition walls by the inkjet method to form a hole transport layer. After the coating film was formed, it was dried in nitrogen at 200 DEG C for 60 minutes. (Amount of coating) was adjusted so that the film thickness after drying was 30 nm.
(정공 수송층 형성용 도공액) (Coating liquid for forming a hole transport layer)
ㆍ폴리[(9,9-디옥틸플루오레닐-2,7-디일)-co-(4,4'-(N-(4-sec-부틸페닐))디페닐아민)](TFB) 1.8중량부 - (4,4 '- (N- (4-sec-butylphenyl)) diphenylamine)] (TFB) 1.8 Weight portion
ㆍ메틸 아니솔 98.2중량부Methyl anisole 98.2 parts by weight
이어서, 격벽 사이에 형성된 정공 수송층 위에 하기 조성의 녹색 발광층 형성용 도공액을 1라인 간격으로 잉크젯법에 의해 도포하고, 이어서 녹색 발광층 형성용 도공액을 도포하지 않은 라인에 청색 발광층 형성용 도공액을 잉크젯법에 의해 도포하여, 1라인 간격으로 녹색과 청색이 배열된 발광층을 형성하였다. 도막 형성 후, 질소 중 100℃에서 30분간 건조시켰다. 건조 후의 막 두께가 40nm가 되도록 잉크의 도출량을 조정하였다.Subsequently, a coating liquid for forming a green light emitting layer was applied on the hole transport layer formed between the partition walls by an ink jet method at intervals of one line, and then a coating liquid for forming a blue light emitting layer was applied to a line not coated with the coating liquid for forming a green light emitting layer Jet method, thereby forming a light emitting layer in which green and blue colors are arranged at intervals of one line. After forming the coating film, it was dried in nitrogen at 100 DEG C for 30 minutes. The lead-out amount of the ink was adjusted so that the film thickness after drying was 40 nm.
(녹색 발광층 형성용 도공액)(Coating liquid for forming a green light emitting layer)
ㆍ2-메틸-9,10-비스(나프탈렌-2-일)안트라센(MADN) 1.8중량부1.8 parts by weight of 2-methyl-9,10-bis (naphthalen-2-yl) anthracene (MADN)
ㆍ9,10-비스[N,N-디-(p-톨릴)-아미노]안트라센(TTPA) 0.02중량부0.02 part by weight of 9,10-bis [N, N-di- (p-tolyl) -amino] anthracene (TTPA)
ㆍ벤조산 에틸 98중량부 ㆍ 98 parts by weight of ethyl benzoate
(청색 발광층 형성용 도공액)(Coating solution for forming a blue light emitting layer)
ㆍ2-메틸-9,10-비스(나프탈렌-2-일)안트라센(MADN) 1.8중량부1.8 parts by weight of 2-methyl-9,10-bis (naphthalen-2-yl) anthracene (MADN)
ㆍ1-tert-부틸-페릴렌(TBP) 0.02중량부0.02 part by weight of 1-tert-butyl-perylene (TBP)
ㆍ벤조산 에틸 98중량부ㆍ 98 parts by weight of ethyl benzoate
상기 발광층 위에 정공 블록층을 균일하게 증착 형성하였다. 정공 블록층은 블록 형성 재료에 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토)(p-페닐페놀레이트)알루미늄 착체(BAlq)를 사용하고, 저항 가열법에 의해 진공 중(압력: 1×10-4Pa)에서 BAlq 증착막의 막 두께가 15nm가 되도록 증착 형성하였다.A hole blocking layer was uniformly deposited on the light emitting layer. The hole blocking layer was formed by a resistive heating method using a bis (2-methyl-8-quinolinolato) (p-phenylphenolate) aluminum complex (BAlq) -4 Pa) to form a BAlq vapor-deposited film having a thickness of 15 nm.
상기 정공 블록층 위에 전자 수송층을 증착 형성하였다. 전자 수송층은, 트리스(8-퀴놀리놀레이토)알루미늄 착체(Alq3)를 저항 가열법에 의해 진공 중(압력: 1×10-4Pa)에서 Alq3 증착막의 막 두께가 20nm가 되도록 증착 형성하였다.An electron transport layer was deposited on the hole blocking layer. The electron transport layer was formed by evaporation of a tris (8-quinolinolato) aluminum complex (Alq3) so as to have a thickness of 20 nm in an Alq3 vapor deposition film under vacuum (pressure: 1 x 10-4 Pa) by resistance heating method.
제작한 투명 양극 구비 유리 기판/정공 주입 수송층/정공 수송층/발광층/정공 블록층/전자 수송층의 전자 수송층 위에, 전자 주입층 및 음극을 더 순차 증착 형성하였다. 전자 주입층은 LiF(두께: 0.5nm)를, 음극은 Al(두께: 100nm)을 순차 저항 가열 증착법에 의해 진공 중(압력: 1×10-4Pa)에서 증착막을 형성하였다.The electron injection layer and the cathode were sequentially deposited on the electron transport layer of the prepared transparent anode-supported glass substrate / hole injecting / transporting layer / hole transporting layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transporting layer. A vapor deposition film was formed in vacuum (pressure: 1 x 10 < -4 > Pa) by LiF (thickness: 0.5 nm) for the electron injection layer and Al (thickness: 100 nm) for the cathode sequentially by resistance heating deposition.
음극 형성 후, 저산소, 저습도 상태의 글로브 박스 내에서 무알칼리 유리와 UV 경화형 에폭시 접착제를 사용하여 밀봉하였다.After the formation of the negative electrode, the glass was sealed with a non-alkali glass and a UV curable epoxy adhesive in a low-oxygen and low-humidity globe box.
발광층을 도포한 후, 형광 현미경에 의해 발광층의 관찰을 행한 바, 녹색과 청색이 혼색되지 않고 깨끗하게 구분 도포가 되어 있다는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 제작한 디바이스의 발광면을 현미경으로 관찰한 바, 청색과 녹색이 1라인 간격으로 발광하는 디바이스를 제작할 수 있다는 것을 확인하였다. 각 픽셀의 픽셀 내의 발광은 균일하며, 픽셀간의 발광 편차가 작고, 매우 정밀도 높게 구분 도포가 되어 있다는 것이 확인되었다.After the luminescent layer was coated, the luminescent layer was observed by a fluorescence microscope, and it was confirmed that the luminescent layer was clearly colored and not mixed with green and blue. Further, by observing the light emitting surface of the fabricated device with a microscope, it was confirmed that a device capable of emitting blue and green light at one line intervals could be manufactured. It has been confirmed that the light emission in the pixels of each pixel is uniform, the light emission deviation between the pixels is small, and the divided application is performed with high precision.
본 실시예에서는 녹색과 청색의 2색을 구분 도포하였지만, 본 실시예의 방법에 따르면 원리적으로는 3색, 4색으로도 용이하게 확장할 수 있으며, RGB의 구분 도포 패널의 제작에도 용이하게 적용 가능하다.In this embodiment, the two colors of green and blue are separately applied. According to the method of this embodiment, however, the three colors and four colors can be easily extended in principle, It is possible.
[실시예 18] [Example 18]
실시예 17에 있어서, 노광용 광원으로서 253nm의 자외광 대신에 진공 자외광을 사용하여 노광하고, 광촉매 구비 포토마스크 대신에 광촉매가 없는 포토마스크를 사용한 것 이외에는, 실시예 17과 동일하게 하여 실시예 18의 유기 EL 소자를 제작하였다. 이때, 포토마스크측으로부터 파장 172nm의 진공 자외광을 광의 노광량이 5J/cm2가 되도록 발액성 영역 및 친액성 영역으로 이루어지는 패턴을 형성하였다.Example 18 was repeated in the same manner as in Example 17 except that a photomask free of photocatalyst was used instead of the photocatalyst-carrying photomask in the exposure of the photocatalyst, using vacuum ultraviolet light instead of ultraviolet light of 253 nm as the light source for exposure, Were prepared. At this time, a pattern composed of a liquid-repellent region and a lyophilic region was formed from the photomask side so that a vacuum ultraviolet light having a wavelength of 172 nm was exposed at a light exposure of 5 J / cm 2 .
제작한 디바이스의 발광면을 현미경으로 관찰한 바, 청색과 녹색이 1라인 간격으로 발광하는 디바이스를 제작할 수 있다는 것을 확인하였다. 각 픽셀의 픽셀 내의 발광은 균일하며, 픽셀간의 발광 편차는 작고, 매우 정밀도 높게 구분 도포할 수 있다는 것이 확인되었다.Observation of the light-emitting surface of the fabricated device with a microscope confirmed that devices emitting blue and green light at one line intervals could be fabricated. It has been confirmed that the light emission in the pixels of each pixel is uniform, the light emission deviation between the pixels is small, and the divided application can be performed with high precision.
본 실시예에서는 녹색과 청색의 2색을 구분 도포하였지만, 본 실시예의 방법에 따르면 원리적으로는 3색, 4색으로도 용이하게 확장할 수 있으며, RGB의 구분 도포 패널의 제작에도 용이하게 적용 가능하다.In this embodiment, the two colors of green and blue are separately applied. According to the method of this embodiment, however, the three colors and four colors can be easily extended in principle, It is possible.
[실시예 19] [Example 19]
실시예 17에 있어서, 절연층과 격벽이 형성된 ITO 기판 대신에 절연층만으로 격벽이 형성되어 있지 않은 ITO 기판을 사용한 것 이외에는, 실시예 17과 동일하게 하여 실시예 19의 유기 EL 소자를 제작하였다.The organic EL device of Example 19 was fabricated in the same manner as in Example 17 except that the ITO substrate in which the barrier ribs were not formed using only the insulating layer was used instead of the ITO substrate in which the insulating layer and the barrier rib were formed.
발광층을 도포한 후, 형광 현미경에 의해 발광층의 관찰을 행한 바, 격벽 구조가 없음에도 불구하고 잉크가 결괴(決壞)되지 않았으며, 녹색과 청색이 혼색되지 않고 깨끗하게 구분 도포되어 있다는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 제작한 디바이스의 발광면을 현미경으로 관찰한 바, 청색과 녹색이 1라인 간격으로 발광하는 디바이스를 제작할 수 있다는 것을 확인하였다. 각 픽셀의 픽셀 내의 발광은 균일하며, 픽셀간의 발광 편차는 작고, 매우 정밀도 높게 구분 도포할 수 있다는 것이 확인되었다.After the luminescent layer was coated, the luminescent layer was observed by a fluorescence microscope. It was confirmed that the ink was not broken (although the partition structure was not formed), and the luminescent layer was cleanly divided and not mixed with green and blue there was. Further, by observing the light emitting surface of the fabricated device with a microscope, it was confirmed that a device capable of emitting blue and green light at one line intervals could be manufactured. It has been confirmed that the light emission in the pixels of each pixel is uniform, the light emission deviation between the pixels is small, and the divided application can be performed with high precision.
본 실시예에서는 녹색과 청색의 2색을 구분 도포하였지만, 본 실시예의 방법에 따르면 원리적으로는 3색, 4색으로도 용이하게 확장할 수 있으며, RGB의 구분 도포 패널의 제작에도 용이하게 적용 가능하다.In this embodiment, the two colors of green and blue are separately applied. According to the method of this embodiment, however, the three colors and four colors can be easily extended in principle, It is possible.
[실시예 20][Example 20]
실시예 17에 있어서, 광촉매 구비 포토마스크가 크롬 패턴 구비가 아니고, 크롬 패턴이 전혀 없는 포토마스크를 사용하고, 254nm의 노광을 광촉매 함유층 구비 포토마스크의 이면측으로부터가 아닌 ITO 기판측으로부터 15J/cm2가 되도록 9분간 노광한 것 이외에는, 실시예 17과 동일하게 하여 실시예 20의 유기 EL 소자를 제작하였다.The photomask provided with the photocatalyst in Example 17 was not provided with a chrome pattern but a photomask having no chrome pattern was used and exposure of 254 nm was carried out from the side of the ITO substrate instead of the back side of the photomask having the photocatalyst- 2 for 9 minutes, the organic EL device of Example 20 was fabricated in the same manner as in Example 17. [
제작한 디바이스의 발광면을 현미경으로 관찰한 바, 청색과 녹색이 1라인 간격으로 발광하는 디바이스를 제작할 수 있다는 것을 확인하였다. 각 픽셀의 픽셀 내의 발광은 균일하며, 픽셀간의 발광 편차는 작고, 매우 정밀도 높게 구분 도포할 수 있다는 것이 확인되었다.Observation of the light-emitting surface of the fabricated device with a microscope confirmed that devices emitting blue and green light at one line intervals could be fabricated. It has been confirmed that the light emission in the pixels of each pixel is uniform, the light emission deviation between the pixels is small, and the divided application can be performed with high precision.
합성예 1에서 얻어진 정공 주입 수송층용 디바이스 재료는 254nm에서의 투과율이 높고, 상기 실시예에서 나타낸 바와 같이 254nm의 UV 조사에서 소자 특성이 열화되지 않기 때문에, 배면으로부터의 노광에 유리하다는 것을 나타내고 있다.The device material for a hole injection and transport layer obtained in Synthesis Example 1 shows a high transmittance at 254 nm, and as shown in the above example, the device characteristics are not deteriorated by UV irradiation at 254 nm, which is advantageous for exposure from the backside.
[비교예 6][Comparative Example 6]
실시예 17에 있어서, 정공 주입 수송층 형성용 잉크 1을 사용하는 대신에 PEDOT/PSS(스탁사제 AI4083)와 4-(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-헵타데카플루오로데실)벤질아민을 사용하고, 스핀 코트법으로 적층 박막을 형성한 것 이외에는, 실시예 17과 동일하게 비교예 6의 유기 EL 소자를 제작하였다. PEDOT/PSS층은 PEDOT/PSS 용액을 증류수로 묽게 하고, 건조 후의 막 두께가 10nm가 되도록 용해시켜 제작하였다. 이어서 헵타데카플루오로데실벤질아민을 헵타플루오로-n-부티르산 에틸에 0.4wt% 용해시킨 용액을 사용하고, 도포 형성하여 박막을 건조시켰다. 건조 후의 막 두께는 계측 불가능하였으며, 5nm 이하였다.PEDOT / PSS (manufactured by Stark Co., AI4083) and 4- (3,3,4,4,5,5,6,6,7,7, < RTI ID = 0.0 & 8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl) benzylamine was used as a light emitting material and a laminated thin film was formed by the spin coating method, the organic EL of Comparative Example 6 The device was fabricated. The PEDOT / PSS layer was prepared by diluting the PEDOT / PSS solution with distilled water and dissolving it to a film thickness of 10 nm after drying. Subsequently, a solution in which heptadecafluorodecylbenzylamine was dissolved in heptafluoro-n-butyric acid in an amount of 0.4 wt% was used, and the thin film was dried by applying. The film thickness after drying was not measurable and was 5 nm or less.
제작한 디바이스의 발광면을 현미경으로 관찰한 바, 청색과 녹색의 잉크의 혼색이 심하고, 픽셀간의 발광 편차는 심하게 악화되었으며, 발유성층이 전혀 기능하지 않고 있다는 것이 확인되었다.When the light emitting surface of the fabricated device was observed under a microscope, it was confirmed that the mixture of blue and green inks was severe, the light emission deviation between pixels was seriously deteriorated, and the oil repellent layer did not function at all.
1 디바이스용 기판
2 기판
3 제1 전극층
4 정공 주입 수송층
5 정공 주입 수송층의 불소 분해부
6a 구획부(격벽)
6b 구획부(절연층)
11 친액성 영역
12 발액성 영역
21 광촉매 함유층 기판
22 기체
23 차광부
24 광촉매 함유층
27 에너지선
28 레이저
29 진공 자외광
30 메탈 마스크
31 유기 EL 소자
32 발광층
33 전자 주입 수송층
34 제2 전극층
41 유리 기판
42 ITO 투명 전극(양극)
43 정공 주입 수송층
50 광촉매 함유층 구비 포토마스크
51 합성 석영 기판
52 투과 영역
53 차광 영역
54 크롬 마스크
55 광촉매 함유층
56 광촉매 함유층을 형성하지 않는 투과 영역
60 절연층과 격벽이 형성된 ITO 기판
61 유리 기판
62 ITO 투명 전극(양극)
63 구획부(절연층)
64 구획부(격벽)1 device substrate
2 substrate
3 First electrode layer
4 hole injection transport layer
5 Fluorine decomposition part of the hole injection transport layer
6a partition (partition wall)
6b partition (insulating layer)
11 lyophilic region
12 Repellent area
21 photocatalyst-containing layer substrate
22 gas
23th light pipe
24 photocatalyst-containing layer
27 energy lines
28 Laser
29 Vacuum Ultraviolet Light
30 Metal mask
31 organic EL device
32 luminescent layer
33 electron injection transport layer
34 Second electrode layer
41 glass substrate
42 ITO transparent electrode (anode)
43 hole injection transport layer
50 Photomask with photocatalyst-containing layer
51 synthetic quartz substrate
52 transmission area
53 Shading area
54 chrome mask
55 photocatalyst-containing layer
56 Transmission region where no photocatalyst-containing layer is formed
60 ITO substrate with insulating layer and barrier ribs
61 glass substrate
62 ITO transparent electrode (anode)
63 compartment (insulating layer)
64 compartment (partition wall)
Claims (20)
패턴 형상으로 제1 전극층이 형성된 기판 위에, 유기 전이 금속 착체의 반응 생성물인 유기-전이 금속 산화물 복합체에 불소 함유 유기 화합물이 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 정공 주입 수송층용 디바이스 재료를 함유하는 정공 주입 수송층을 형성하는 정공 주입 수송층 형성 공정과,
기체(基體) 위에 적어도 광촉매를 함유하는 광촉매 처리층이 형성되어 있는 광촉매 처리층 기판을 상기 정공 주입 수송층에 대하여 에너지 조사에 동반되는 광촉매의 작용이 미칠 수 있는 간극을 두고 배치한 후, 패턴 형상으로 에너지 조사함으로써, 상기 정공 주입 수송층 표면에 습윤성이 변화된 습윤성 변화 패턴을 형성하는 습윤성 변화 패턴 형성 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.A method of manufacturing a device having two or more electrodes facing each other on a substrate and a hole injecting and transporting layer disposed between two of the electrodes,
A hole injection and transport layer containing a device material for a hole injection and transport layer, characterized in that a fluorine-containing organic compound is adhered to an organic-transition metal oxide complex which is a reaction product of an organic transition metal complex on a substrate on which a first electrode layer is formed in a pattern shape. A hole injecting and transporting layer forming step of forming a hole injecting and transporting layer,
A photocatalyst treatment layer substrate on which a photocatalyst treatment layer containing at least a photocatalyst is formed on a substrate is disposed on the hole injection transport layer with a gap that can act as a photocatalyst accompanied by energy irradiation, And a wettability change pattern forming step of forming a wettability change pattern whose wettability is changed on the surface of the hole injection transport layer by energy irradiation.
패턴 형상으로 제1 전극층이 형성된 기판 위에, 유기 전이 금속 착체의 반응 생성물인 유기-전이 금속 산화물 복합체에 불소 함유 유기 화합물이 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 정공 주입 수송층용 디바이스 재료를 함유하는 정공 주입 수송층을 형성하는 정공 주입 수송층 형성 공정과,
패턴 형상으로 진공 자외선을 조사함으로써, 상기 정공 주입 수송층 표면에 습윤성이 변화된 습윤성 변화 패턴을 형성하는 습윤성 변화 패턴 형성 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.A method of manufacturing a device having two or more electrodes facing each other on a substrate and a hole injecting and transporting layer disposed between two of the electrodes,
A hole injection and transport layer containing a device material for a hole injection and transport layer, characterized in that a fluorine-containing organic compound is adhered to an organic-transition metal oxide complex which is a reaction product of an organic transition metal complex on a substrate on which a first electrode layer is formed in a pattern shape. A hole injecting and transporting layer forming step of forming a hole injecting and transporting layer,
And a wettability change pattern forming step of forming a wettability change pattern whose wettability is changed on the surface of the hole injection transport layer by irradiating vacuum ultraviolet rays in a pattern shape.
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