KR101538246B1 - 계측 방법, 스테이지 장치, 및 노광 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2 는 도 1 의 스테이지 장치를 도시하는 평면도이다.
도 3 은 도 1 의 계측 프레임 (21) 을 도시하는 단면도이다.
도 4 는 도 1 의 얼라이먼트계 (AL1, AL21 ∼ AL24) 및 위치 계측용 인코더의 배치를 도시하는 도면이다.
도 5(A) 는, 웨이퍼 스테이지를 도시하는 평면도, 도 5(B) 는, 웨이퍼 스테이지 (WST) 를 도시하는 일부를 단면으로 한 측면도이다.
도 6(A) 는, 계측 스테이지를 도시하는 평면도, 도 6(B) 는, 계측 스테이지를 도시하는 일부를 단면으로 한 측면도이다.
도 7 은 제 1 실시형태에 관련된 노광 장치의 제어계의 주요한 구성을 도시하는 블록도이다.
도 8(A) 및 도 8(B) 는, 어레이상으로 배치된 복수의 헤드를 각각 포함하는 복수의 인코더에 의한 웨이퍼 테이블의 XY 평면 내의 위치 계측 및 헤드 사이의 계측값의 인계에 대해서 설명하기 위한 도면이다.
도 9(A) 는, 인코더의 구성의 일례를 도시하는 도면, 도 9(B) 는, 검출광으로서 격자 (RG) 의 주기 방향으로 길게 연장되는 단면 형상의 레이저 빔 (LB) 이 사용된 경우를 도시하는 도면이다.
도 10(A) 는 퍼스트 얼라이먼트 쇼트 (AS) 의 계측을 실시하는 상태를 도시하는 도면, 도 10(B) 는 세컨드 얼라이먼트 쇼트 (AS) 의 계측을 실시하는 상태를 도시하는 도면, 도 10(C) 는, 웨이퍼의 얼라이먼트 쇼트 (AS) 의 배열의 일례를 도시하는 도면이다.
도 11 은 제 1 실시형태의 계측 및 노광 동작의 일례를 도시하는 플로우 차트이다.
도 12 는 제 2 실시형태에 관련된 노광 장치의 개략 구성을 도시하는 일부를 절취한 도면이다.
도 13 은 제 3 실시형태에 관련된 노광 장치의 개략 구성을 도시하는 일부를 절취한 도면이다.
도 14 는 도 13 의 주요부의 확대 사시도이다.
도 15 는 도 13 의 계측 프레임 (21M) 과 헤드 베이스 (26) 의 길이가 변한 경우의 동작의 설명도이다.
도 16(A) 는 가는 막대 형상 부재를 도시하는 도면, 도 16(B) 는 슬롯부가 형성된 플렉서 부재를 도시하는 도면이다.
도 17 은 도 13 의 변형예의 연결 방법을 도시하는 일부를 절취한 평면도이다.
도 18 은 마이크로 디바이스의 제조 공정의 일례를 도시하는 플로우 차트이다.
도 19 는 다른 실시형태에 관련된 노광 장치의 주요부를 도시하는 일부를 절취한 도면이다.
도 20 은 도 19 의 AA 선을 따른 저면도이다.
AL21 ∼ AL24 … 세컨더리 얼라이먼트계
R … 레티클
W … 웨이퍼
WTB … 웨이퍼 테이블
WST … 웨이퍼 스테이지
MTB … 계측 테이블
MST … 계측 스테이지
20 … 주제어 장치
21 … 계측 프레임
21M … 계측 프레임
26 … 헤드 베이스
32 … 노즐 유닛
39X1, 39X2 … X 스케일
39Y1, 39Y2 … Y 스케일
62A ∼ 62D … 헤드 유닛
64 … Y 헤드
66 … X 헤드
70A, 70C … Y 인코더
70B, 70D … X 인코더
113 … 플렉서 부재
Claims (20)
- 투영 광학계를 개재하여 조명광에 의해 기판을 노광하는 노광 장치로서,
상기 투영 광학계를 지지하는 프레임 기구와,
각각 반사형의 격자부를 갖고, 상기 투영 광학계의 광축에 직교하는 소정면과 평행하게 상기 격자부가 병설되도록 상기 프레임 기구에 매달려 지지되는 복수의 격자 부재와,
상기 기판을 유지하는 홀더를 갖고, 상기 복수의 격자 부재의 하방에서 이동 가능함과 함께, 그 상면에 형성되는 오목부 내에 상기 홀더가 형성되는 스테이지와,
상기 스테이지에 형성되고, 상기 복수의 격자부에 대해 그 하방으로부터 각각 빔을 조사하는 복수의 헤드를 갖고, 상기 스테이지의 위치 정보를 계측하는 인코더 시스템을 구비하고,
상기 복수의 헤드는 각각, 상기 상면보다도 외측에 위치하도록 상기 스테이지에 형성되는, 노광 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 스테이지는, 각각 상기 헤드가 고정되는 복수의 프레임 부재를 갖는, 노광 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 격자 부재는, 상기 소정면과 평행한 방향으로 가동이 되도록 상기 프레임 기구에 지지되는, 노광 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 격자 부재는 각각, 상기 격자부를 덮는 보호 부재를 갖는, 노광 장치. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 투영 광학계의 하단측에 배치됨과 함께, 상기 스테이지가 대향하여 배치되는 하면측에 상기 조명광이 통과하는 개구를 갖고, 상기 투영 광학계와 상기 기판의 일부 사이에 액침 영역을 형성하는 노즐 유닛을 추가로 구비하고,
상기 복수의 격자 부재는, 상기 노즐 유닛에 대해 그 외측에 배치되고,
상기 기판은, 상기 투영 광학계와 상기 액침 영역의 액체를 통하여 상기 조명광에 의해 노광되는, 노광 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 노즐 유닛은 그 하면측에 상기 개구가 형성되는 평탄면을 갖는, 노광 장치. - 제 6 항에 있어서,
상기 복수의 격자 부재는, 상기 노즐 유닛을 둘러싸도록 형성됨과 함께, 상기 격자부가 상기 노즐 유닛의 하면보다 높게 배치되도록 형성되는, 노광 장치. - 제 7 항에 있어서,
상기 노즐 유닛은 그 하면측에서 상기 조명광이 통과하는 개구의 주위에 배치되는 회수구를 갖고,
상기 노즐 유닛을 통하여 상기 액침 영역에 액체가 공급됨과 함께, 상기 회수구를 통하여 상기 액침 영역으로부터 액체가 회수되는, 노광 장치. - 제 8 항에 있어서,
상기 노즐 유닛을 지지하는, 상기 프레임 기구와 상이한 지지 부재를, 추가로 구비하는, 노광 장치. - 디바이스 제조 방법으로서,
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 노광 장치를 이용하여 기판을 노광하는 것과,
상기 노광된 기판을 현상하는 것을 포함하는, 디바이스 제조 방법. - 투영 광학계를 개재하여 조명광에 의해 기판을 노광하는 노광 방법으로서,
상기 투영 광학계의 광축에 직교하는 소정면과 평행하게 반사형의 격자부가 병설되도록, 상기 투영 광학계를 지지하는 프레임 기구에 매달려 지지되는 복수의 격자 부재의 하방에서, 그 상면에 형성되는 오목부 내에 상기 기판을 유지하는 홀더가 형성되는 스테이지를 이동시키는 것과,
상기 스테이지에 형성되고, 상기 복수의 격자부에 대해 그 하방으로부터 각각 빔을 조사하는 복수의 헤드를 갖는 인코더 시스템에 의해, 상기 스테이지의 위치 정보를 계측하는 것과,
상기 계측되는 위치 정보에 기초하여, 상기 스테이지의 위치를 제어하는 것을 포함하고,
상기 복수의 헤드는 각각, 상기 상면보다도 외측에 위치하도록 상기 스테이지에 형성되는, 노광 방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 스테이지는, 각각 상기 헤드가 고정되는 복수의 프레임 부재를 갖는, 노광 방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 복수의 격자 부재는, 상기 소정면과 평행한 방향으로 가동이 되도록 상기 프레임 기구에 지지되는, 노광 방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 복수의 격자 부재는 각각, 상기 격자부를 덮는 보호 부재를 개재하여 상기 빔이 조사되는, 노광 방법. - 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 투영 광학계의 하단측에 배치됨과 함께, 상기 스테이지가 대향하여 배치되는 하면측에 상기 조명광이 통과하는 개구를 갖는 노즐 유닛에 의해, 상기 투영 광학계와 상기 기판의 일부 사이에 액침 영역이 형성되고, 상기 기판은, 상기 투영 광학계와 상기 액침 영역의 액체를 통하여 상기 조명광에 의해 노광되고,
상기 복수의 격자 부재는, 상기 노즐 유닛에 대해 그 외측에 배치되는, 노광 방법. - 제 15 항에 있어서,
상기 노즐 유닛은 그 하면측에 상기 개구가 형성되는 평탄면을 갖는, 노광 방법. - 제 16 항에 있어서,
상기 복수의 격자 부재는, 상기 노즐 유닛을 둘러싸도록 형성됨과 함께, 상기 격자부가 상기 노즐 유닛의 하면보다 높게 배치되도록 형성되는, 노광 방법. - 제 17 항에 있어서,
상기 노즐 유닛은 그 하면측에서 상기 조명광이 통과하는 개구의 주위에 배치되는 회수구를 갖고,
상기 노즐 유닛을 통하여 상기 액침 영역에 액체가 공급됨과 함께, 상기 회수구를 통하여 상기 액침 영역으로부터 액체가 회수되는, 노광 방법. - 제 18 항에 있어서,
상기 노즐 유닛은, 상기 프레임 기구와 상이한 지지 부재에 의해 지지되는, 노광 방법. - 디바이스 제조 방법으로서,
제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 기재된 노광 방법을 이용하여 기판을 노광하는 것과,
상기 노광된 기판을 현상하는 것을 포함하는, 디바이스 제조 방법.
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NL2006913A (en) | 2010-07-16 | 2012-01-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method. |
NL2007155A (en) * | 2010-08-25 | 2012-02-28 | Asml Netherlands Bv | Stage apparatus, lithographic apparatus and method of positioning an object table. |
JP4846051B1 (ja) * | 2010-11-05 | 2011-12-28 | 株式会社ナナオ | センサユニット作動機構及び当該センサユニット作動機構を備えた液晶表示装置 |
NL2008272A (en) * | 2011-03-09 | 2012-09-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus. |
DE102011005885A1 (de) * | 2011-03-22 | 2012-09-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Lithographievorrichtung |
NL2008980A (en) * | 2011-07-11 | 2013-01-14 | Asml Netherlands Bv | A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
EP2777066B1 (en) | 2011-11-09 | 2019-01-09 | Zygo Corporation | Thermally stable optical sensor mount |
WO2013100061A1 (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-04 | 株式会社ニコン | エンコーダ、エンコーダ用スケールの製造方法、エンコーダの製造方法及び駆動装置 |
JP6093965B2 (ja) * | 2012-02-17 | 2017-03-15 | 株式会社ミツトヨ | 光電式エンコーダ |
JP6251559B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2017-12-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 試料支持装置 |
JP6613895B2 (ja) * | 2013-10-02 | 2019-12-04 | 株式会社ニコン | エンコーダ用スケール、エンコーダ、駆動装置及びステージ装置 |
JP6492086B2 (ja) * | 2013-12-21 | 2019-03-27 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | マスク上の構造体の位置を測定し、それによってマスク製造誤差を決定する方法 |
JP2016043453A (ja) * | 2014-08-25 | 2016-04-04 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
NL2015639A (en) | 2014-11-28 | 2016-09-20 | Asml Netherlands Bv | Encoder, position measurement system and lithographic apparatus. |
CN112068406A (zh) * | 2015-02-23 | 2020-12-11 | 株式会社尼康 | 测量装置、光刻系统、以及组件制造方法 |
CN111290221B (zh) | 2015-02-23 | 2023-07-28 | 株式会社尼康 | 测量装置、光刻系统、曝光装置、测量方法、曝光方法以及元件制造方法 |
TWI768409B (zh) | 2015-02-23 | 2022-06-21 | 日商尼康股份有限公司 | 基板處理系統及基板處理方法、以及元件製造方法 |
JP6467065B2 (ja) * | 2015-03-23 | 2019-02-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
CN107407893B (zh) * | 2015-03-31 | 2021-06-01 | 株式会社尼康 | 曝光装置、平板显示器的制造方法、器件制造方法及曝光方法 |
US9630836B2 (en) | 2015-09-30 | 2017-04-25 | Mems Drive, Inc. | Simplified MEMS device fabrication process |
CN111929992A (zh) | 2015-09-30 | 2020-11-13 | 株式会社尼康 | 移动体装置、曝光装置、平面显示器的制造方法、及元件制造方法、以及物体的移动方法 |
US9617142B1 (en) * | 2015-09-30 | 2017-04-11 | Mems Drive, Inc. | MEMS grid for manipulating structural parameters of MEMS devices |
US10782619B2 (en) * | 2016-09-30 | 2020-09-22 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, moving method, exposure apparatus, exposure method, flat-panel display manufacturing method, and device manufacturing method |
CN109791380B (zh) * | 2016-10-04 | 2021-04-16 | Asml荷兰有限公司 | 对准系统的无热化 |
US11106145B2 (en) | 2016-10-17 | 2021-08-31 | Nikon Corporation | Exposure system and lithography system |
CN110268334B (zh) * | 2017-02-03 | 2024-10-29 | Asml荷兰有限公司 | 曝光设备 |
CN115167082A (zh) * | 2017-02-10 | 2022-10-11 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备 |
US10600614B2 (en) * | 2017-09-29 | 2020-03-24 | Hitachi High-Technologies Corporation | Stage device and charged particle beam device |
DE102017217967A1 (de) * | 2017-10-09 | 2019-04-11 | Sieb & Meyer Ag | Verfahren zur Bestimmung von Positionsfehlern von Bohrungen und Sicherung des Bohrprozesses |
JP6493481B2 (ja) * | 2017-10-18 | 2019-04-03 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
CN108010873B (zh) * | 2017-12-29 | 2024-04-19 | 无锡固电半导体股份有限公司 | 一种晶圆自动扩晶机 |
TWI699559B (zh) * | 2018-01-16 | 2020-07-21 | 美商伊路米納有限公司 | 結構照明成像系統和使用結構化光來創建高解析度圖像的方法 |
JP7051455B2 (ja) * | 2018-01-16 | 2022-04-11 | キオクシア株式会社 | パターン形成装置および半導体装置の製造方法 |
US10281268B1 (en) | 2018-04-20 | 2019-05-07 | Seagate Technology Llc | Automated and accurate high-throughput slider-level flatness inspection |
JP7056411B2 (ja) * | 2018-06-29 | 2022-04-19 | 株式会社リコー | 読取装置および造形装置 |
US20210194202A1 (en) * | 2018-09-12 | 2021-06-24 | Cymer, Llc | Metrology for a body of a gas discharge stage |
CN111380464B (zh) * | 2018-12-28 | 2021-05-07 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种光栅尺的安装装置、安装方法、光栅测量系统及光刻机 |
JP2020112605A (ja) * | 2019-01-08 | 2020-07-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびその制御方法、および、物品製造方法 |
DE102019205271A1 (de) * | 2019-04-11 | 2020-10-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik |
US11450552B2 (en) * | 2019-08-01 | 2022-09-20 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for adjusting surface topography of a substrate support apparatus |
CN110931412B (zh) * | 2019-10-15 | 2024-02-06 | 北京烁科中科信电子装备有限公司 | 一种高精度高效率的硅片定向装置 |
CN111272089B (zh) * | 2020-03-03 | 2022-06-28 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种原位间隙检测装置与检测方法 |
CN111550955A (zh) * | 2020-04-29 | 2020-08-18 | 合肥芯碁微电子装备股份有限公司 | 温度监控系统 |
US11244474B1 (en) * | 2020-10-01 | 2022-02-08 | Kla Corporation | Sample positioning system and method |
JP7562232B2 (ja) * | 2020-10-30 | 2024-10-07 | 株式会社ディスコ | ノッチ検出方法 |
CN114351247B (zh) * | 2022-01-12 | 2023-06-27 | 苏州天准科技股份有限公司 | 一种拉晶晃动监测方法、存储介质、终端和拉晶设备 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07270122A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Canon Inc | 変位検出装置、該変位検出装置を備えた露光装置およびデバイスの製造方法 |
EP1760529A1 (en) * | 2005-09-02 | 2007-03-07 | ASML Netherlands BV | Position measurement system and lithographic apparatus |
JP2007123332A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置、デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (85)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6144429A (ja) | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
US4780617A (en) * | 1984-08-09 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K.K. | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
JPH04211202A (ja) | 1990-03-19 | 1992-08-03 | Canon Inc | 反射型回折格子および該回折格子を用いた装置 |
DE4033556A1 (de) * | 1990-10-22 | 1992-04-23 | Suess Kg Karl | Messanordnung fuer x,y,(phi)-koordinatentische |
JPH05129184A (ja) * | 1991-10-30 | 1993-05-25 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JP3089802B2 (ja) | 1992-04-01 | 2000-09-18 | 株式会社ニコン | ステージの位置計測装置、投影露光装置及び投影露光方法 |
US5469260A (en) * | 1992-04-01 | 1995-11-21 | Nikon Corporation | Stage-position measuring apparatus |
JP2629109B2 (ja) | 1992-04-08 | 1997-07-09 | 新日本製鐵株式会社 | 廃棄物溶融炉装入装置における切出し装置 |
JP3316833B2 (ja) | 1993-03-26 | 2002-08-19 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法 |
KR100300618B1 (ko) | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
US6753948B2 (en) | 1993-04-27 | 2004-06-22 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus |
JP3375076B2 (ja) | 1993-04-27 | 2003-02-10 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法 |
JPH07335529A (ja) * | 1994-06-09 | 1995-12-22 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
US6018384A (en) | 1994-09-07 | 2000-01-25 | Nikon Corporation | Projection exposure system |
JP3379238B2 (ja) | 1994-09-08 | 2003-02-24 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置 |
US5552888A (en) | 1994-12-02 | 1996-09-03 | Nikon Precision, Inc. | Apparatus for measuring position of an X-Y stage |
JP3387075B2 (ja) * | 1994-12-12 | 2003-03-17 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、露光装置、及び走査型露光装置 |
JPH08178694A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-12 | Canon Inc | 変位センサ用のスケール |
US5877843A (en) | 1995-09-12 | 1999-03-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
US5806193A (en) * | 1995-11-09 | 1998-09-15 | Nikon Corporation | Tilt and movement apparatus using flexure and air cylinder |
US6069416A (en) * | 1996-06-24 | 2000-05-30 | Anorad Corporation | Two-axis motor platen and method for making |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JPH11274029A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Asahi Kasei Micro Syst Co Ltd | スキャニングステッパー |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
JP3554186B2 (ja) * | 1998-04-08 | 2004-08-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置、デバイス製造方法および反力受け方法 |
JP3413122B2 (ja) * | 1998-05-21 | 2003-06-03 | キヤノン株式会社 | 位置決め装置及びこれを用いた露光装置並びにデバイス製造方法 |
JP3302926B2 (ja) * | 1998-07-02 | 2002-07-15 | 株式会社東芝 | 露光装置の検査方法 |
US6496528B2 (en) * | 1999-09-03 | 2002-12-17 | Cymer, Inc. | Line narrowing unit with flexural grating mount |
JP2001102279A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-04-13 | Nikon Corp | ステージ装置および露光装置 |
JP2001126977A (ja) | 1999-10-27 | 2001-05-11 | Nikon Corp | ステージ装置および露光装置ならびに回路デバイス製造方法 |
CN2421670Y (zh) * | 1999-11-30 | 2001-02-28 | 中国科学院光电技术研究所 | 亚微米光刻机光学预对准装置 |
US6480008B2 (en) * | 1999-12-03 | 2002-11-12 | Mitutoyo Corporation | Capacitive distance sensor for surface configuration determining apparatus |
JP3406889B2 (ja) * | 1999-12-03 | 2003-05-19 | 株式会社ミツトヨ | 距離測定装置 |
JP2001313250A (ja) | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Nikon Corp | 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法 |
SG124257A1 (en) | 2000-02-25 | 2006-08-30 | Nikon Corp | Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution |
US20020041377A1 (en) * | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
US7561270B2 (en) * | 2000-08-24 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US6958808B2 (en) | 2000-11-16 | 2005-10-25 | Nikon Corporation | System and method for resetting a reaction mass assembly of a stage assembly |
JP3762307B2 (ja) * | 2001-02-15 | 2006-04-05 | キヤノン株式会社 | レーザ干渉干渉計システムを含む露光装置 |
US6564752B2 (en) | 2001-07-06 | 2003-05-20 | Wallace H. Jerome | Poultry coop unloader, and methods |
US6801301B2 (en) | 2001-10-12 | 2004-10-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
JP3890233B2 (ja) * | 2002-01-07 | 2007-03-07 | キヤノン株式会社 | 位置決めステージ装置、露光装置及び半導体デバイスの製造方法 |
TW594445B (en) * | 2002-02-06 | 2004-06-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1420298B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-02-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
KR20110086130A (ko) * | 2002-12-10 | 2011-07-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
EP1571698A4 (en) * | 2002-12-10 | 2006-06-21 | Nikon Corp | EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
TW586139B (en) | 2003-03-17 | 2004-05-01 | Taiwan Semiconductor Mfg | Dynamic flow pattern controller for uniformity control and the method thereof |
US6757113B1 (en) * | 2003-03-18 | 2004-06-29 | Lucent Technologies Inc. | Optical grating mount |
WO2004109357A1 (ja) * | 2003-06-06 | 2004-12-16 | Nikon Corporation | 光学素子保持装置、鏡筒、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
JP4164414B2 (ja) * | 2003-06-19 | 2008-10-15 | キヤノン株式会社 | ステージ装置 |
JP3862678B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
CN102944981A (zh) * | 2003-07-09 | 2013-02-27 | 株式会社尼康 | 曝光装置、器件制造方法 |
JP2005234359A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Ricoh Co Ltd | 走査光学系光学特性測定装置、走査光学系光学特性測定装置校正方法、走査光学系及び画像形成装置 |
US8111373B2 (en) * | 2004-03-25 | 2012-02-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabrication method |
WO2005096354A1 (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法、並びに面形状検出装置 |
US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101422964B1 (ko) | 2004-06-09 | 2014-07-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7256871B2 (en) * | 2004-07-27 | 2007-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for calibrating the same |
SG155929A1 (en) * | 2004-09-17 | 2009-10-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing device |
JP4656448B2 (ja) | 2004-09-30 | 2011-03-23 | 株式会社ニコン | 投影光学装置及び露光装置 |
WO2006040890A1 (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
TWI649790B (zh) * | 2004-11-18 | 2019-02-01 | 日商尼康股份有限公司 | 位置測量方法、位置控制方法、測量方法、裝載方法、曝光方法及曝光裝置、及元件製造方法 |
JP2006269940A (ja) | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Canon Inc | 露光装置及び露光方法 |
EP1865541A4 (en) * | 2005-03-31 | 2017-06-14 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus and device manufacturing method |
US7515281B2 (en) * | 2005-04-08 | 2009-04-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7161659B2 (en) | 2005-04-08 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4410216B2 (ja) | 2005-05-24 | 2010-02-03 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 2ステージ・リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP4868113B2 (ja) * | 2005-06-27 | 2012-02-01 | 株式会社ニコン | 支持装置、ステージ装置及び露光装置 |
JP2007019225A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Nikon Corp | 位置計測装置の反射部材構造及びステージ装置並びに露光装置 |
KR100869306B1 (ko) * | 2005-09-13 | 2008-11-18 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7362446B2 (en) * | 2005-09-15 | 2008-04-22 | Asml Netherlands B.V. | Position measurement unit, measurement system and lithographic apparatus comprising such position measurement unit |
JP2007115758A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
JP2007113939A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Nikon Corp | 計測装置及び計測方法、ステージ装置、並びに露光装置及び露光方法 |
JP4800901B2 (ja) | 2005-12-12 | 2011-10-26 | 矢崎総業株式会社 | 電圧検出装置及び絶縁インタフェース |
JP4715505B2 (ja) | 2005-12-26 | 2011-07-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
TWI457977B (zh) * | 2005-12-28 | 2014-10-21 | 尼康股份有限公司 | A pattern forming method and a pattern forming apparatus, and an element manufacturing method |
WO2007077920A1 (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Nikon Corporation | 露光装置及びその製造方法 |
US7483120B2 (en) * | 2006-05-09 | 2009-01-27 | Asml Netherlands B.V. | Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method |
US8477283B2 (en) * | 2006-05-10 | 2013-07-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US20080158531A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-07-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US7903866B2 (en) * | 2007-03-29 | 2011-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Measurement system, lithographic apparatus and method for measuring a position dependent signal of a movable object |
US7804579B2 (en) * | 2007-06-21 | 2010-09-28 | Asml Netherlands B.V. | Control system, lithographic projection apparatus, method of controlling a support structure, and a computer program product |
CN101755188A (zh) * | 2007-07-18 | 2010-06-23 | 株式会社尼康 | 测量方法、载台装置、及曝光装置 |
DE102007046927A1 (de) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Kalibrierung einer Positionsmesseinrichtung einer optischen Einrichtung |
-
2008
- 2008-07-16 CN CN200880025096A patent/CN101755188A/zh active Pending
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EP1760529A1 (en) * | 2005-09-02 | 2007-03-07 | ASML Netherlands BV | Position measurement system and lithographic apparatus |
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