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KR101531234B1 - 이차 전지용 고속 스태킹 장치 및 방법 - Google Patents

이차 전지용 고속 스태킹 장치 및 방법 Download PDF

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KR101531234B1
KR101531234B1 KR1020120129537A KR20120129537A KR101531234B1 KR 101531234 B1 KR101531234 B1 KR 101531234B1 KR 1020120129537 A KR1020120129537 A KR 1020120129537A KR 20120129537 A KR20120129537 A KR 20120129537A KR 101531234 B1 KR101531234 B1 KR 101531234B1
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gripper
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stacking
positive electrode
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Abstract

본 발명은 양극(anode), 음극(cathode) 및 분리막(separator)으로 이루어지는 이차 전지 내부 셀 스택(cell stack)을 적층 식으로 제조하는 고속 스태킹 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 그리퍼(gripper)를 이용하여 라미네이션(lamination) 없이 셀 스택을 적층하게 되는, 이차 전지용 고속 스태킹 장치 및 방법에 관한 것이다.

Description

이차 전지용 고속 스태킹 장치 및 방법{High-Speed Staking Apparatus for Secondary Battery and Method of the same}
본 발명은 양극(anode), 음극(cathode) 및 분리막(separator)으로 이루어지는 이차 전지 내부 셀 스택(cell stack)을 적층 식으로 제조하는 고속 스태킹 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 그리퍼(gripper)를 이용하여 라미네이션(lamination) 없이 셀 스택을 적층하게 되는, 이차 전지용 고속 스태킹 장치 및 방법에 관한 것이다.
1차 전지와는 달리 충전 및 방전이 가능한 이차 전지는 디지털 카메라, 셀룰러 폰, 노트북 컴퓨터, 하이브리드 자동차 등 첨단 분야의 개발로 활발한 연구가 진행 중이다. 이차 전지로는 니켈-카드뮴 전지, 니켈-메탈 하이드라이드 전지, 니켈-수소 전지, 리튬 이차 전지 등이 있다.
이차 전지는 양극판, 분리막, 음극판이 순차적으로 적층되어 전해질 용액에 담가진 형태로 이루어진다. 이와 같은 이차 전지 내부 셀 스택을 제작하는 방식은 크게 두 가지로 나뉜다. 소형 이차 전지의 경우 음극판 및 양극판을 분리막 상에 배치하고 이를 말아서(winding) 젤리-롤(jelly-roll) 형태로 제작하는 방식이 많이 사용되며, 보다 많은 전기 용량을 가지는 중대형 이차 전지의 경우에는 음극판, 양극판 및 분리막을 적절한 순서로 적층하여(stacking) 제작하는 방식이 많이 사용된다.
적층 식으로 이차 전지 내부 셀 스택을 제작하는 방식은 여러 가지가 있는데, 그 중 Z-폴딩(Z-folding, zigzag folding 또는 accordion folding이라고도 함) 방식에서는 분리막이 지그재그로 접힌 형태를 이루며 그 사이에 음극판 및 양극판이 교번되어 삽입된 형태로 적층되도록 한다.
종래의 셀 스택을 제작하는 방식은 분리막을 지그재그로 접은 상태에서 양극판과 음극판을 적층하거나, 분리막에 양극판과 음극판을 라미네이션(Lamination)한 상태에서 적층이 이루어지기 때문에 하나의 셀 스택을 완성하는데 걸리는 시간이 매우 길어지고, 이에 따라 생산성이 현저히 저하되는 문제점이 있다. 따라서 셀 스택을 제조함에 있어서 생산 속도를 증가시켜 생산성이 우수한 셀 스택 기술의 개발이 요구된다.
한국공개특허 제2011-0110484호
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서 본 발명의 목적은, 그리퍼를 이용하여 분리막의 양측에 배치되는 양극판과 음극판을 고정시킨 상태에서 양극판, 분리막, 음극판을 순차적으로 적층하여 셀 스택을 제조하는, 이차 전지용 고속 스태킹 장치 및 방법을 제공함에 있다.
또한, 그리퍼를 분리막의 길이방향 양측에 한 쌍으로 배치하고 분리막의 양측에 배치되는 양극판과 음극판을 교번 이송 및 적층하도록 하여 스태킹 속도를 배가시킨, 이차 전지용 고속 스태킹 장치 및 방법을 제공함에 있다.
이차 전지용 고속 스태킹 장치는, 분리막을 공급하는 공급부; 상기 공급부에서 공급되는 분리막의 양면 중 일면에는 양극판을 배치하고, 타면에는 음극판을 배치하는 배치부; 및 상기 분리막에 배치된 상기 양극판 및 음극판을 고정시키고, 상기 양극판 및 음극판이 고정된 분리막을 상기 양극판 및 음극판이 교대로 적층되도록 Z자 형으로 접어서 스태킹하는 그리퍼; 를 포함한다.
이때, 상기 양극판 및 음극판의 배치 간격은, 상기 음극판의 폭보다 길게 형성되며, 상기 음극판의 폭 + 6mm 이하로 형성된다.
또한, 상기 그리퍼는, 상기 분리막의 일면에 상기 양극판이 배치될 경우, 상기 양극판이 일면을 향하도록 순차적으로 스태킹되며, 상기 분리막의 일면에 상기 음극판이 배치될 경우, 상기 음극판이 일면을 향하도록 순차적으로 스태킹된다.
또한, 상기 스태킹 장치는, 상기 그리퍼가 셀 스택 적층 후 복귀 시, 상기 셀 스택을 적층 방향으로 가압하는 가압부; 를 더 포함하며, 상기 그리퍼는, 상기 분리막의 길이방향 일측에 위치한 제1 그리퍼; 및 상기 분리막의 길이방향 타측에 위치한 제2 그리퍼; 로 구성되며, 상기 제1 그리퍼 및 제2 그리퍼 중 어느 하나가, 셀 스택 적층 후 복귀 시 다른 하나는, 셀 스택을 적층하도록 상기 제1 그리퍼 및 제2 그리퍼는 교번 이동한다.
이차 전지용 고속 스태킹 방법은, 공급부에 의해 분리막이 공급되는 단계; 배치부에 의해 상기 분리막의 일면에 양극판이 배치되고, 상기 양극판에 대응되는 상기 분리막의 타면에 음극판이 배치되는 단계; 및 그리퍼에 의해 상기 양극판, 분리막 및 음극판을 고정시키고, 상기 양극판 및 음극판이 고정된 분리막을 상기 양극판 및 음극판이 교대로 적층되도록 Z자 형으로 접어서 스태킹하는 단계; 를 포함한다.
이때, 상기 양극판 및 음극판의 배치 간격은, 상기 음극판의 폭보다 길게 형성되며, 상기 음극판의 폭 + 6mm 이하로 형성된다.
또한, 상기 그리퍼는, 상기 분리막의 일면에 상기 양극판이 배치될 경우, 상기 양극판이 일면을 향하도록 순차적으로 스태킹되며, 상기 분리막의 일면에 상기 음극판이 배치될 경우, 상기 음극판이 일면을 향하도록 순차적으로 스태킹된다.
또한, 상기 스태킹 방법은, 상기 그리퍼가 셀 스택 적층 후 복귀 시, 가압기에 의해 상기 셀 스택을 적층 방향으로 가압하는 단계; 를 더 포함하며, 상기 그리퍼는, 상기 분리막의 길이방향 일측에 위치한 제1 그리퍼; 및 상기 분리막의 길이방향 타측에 위치한 제2 그리퍼; 로 구성되며, 상기 제1 그리퍼 및 제2 그리퍼 중 어느 하나가, 셀 스택 적층 후 복귀 시 다른 하나는, 셀 스택을 적층하는 단계; 를 포함한다.
상기와 같은 구성에 의한 본 발명의 이차 전지용 고속 스태킹 장치 및 방법은 그리퍼를 통해 분리막의 양측에 양극판 음극판을 고정시킨 상태에서 이송과 함께 적층이 이루어지기 때문에 고속 스태킹이 가능하여, 셀 스택의 생산성이 향상되는 효과가 있다. 특히 한 쌍의 그리퍼를 구비하여 적층이 완료된 그리퍼가 복귀하는 시간에도 다른 그리퍼를 통해 적층이 가능하여 스태킹 속도가 배가되는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 이차 전지용 고속 스태킹 방법에 따른 셀 스택 모듈 제조 순서도
도 2는 본 발명의 제1 실시 예의 이차 전지용 고속 스태킹 장치 사시도
도 3은 본 발명의 제1 실시 예의 이차 전지용 고속 스태킹 장치 평면도
도 4는 본 발명의 제2 실시 예의 이차 전지용 고속 스태킹 장치 사시도
도 5는 본 발명의 제2 실시 예의 이차 전지용 고속 스태킹 장치 평면도
도 6은 본 발명의 제2 실시 예의 이차 전지용 고속 스태킹 장치 정면도
본 발명의 일실시 예에 따른 이차 전지용 고속 스태킹 장치 및 방법을 설명하기에 앞서 분리막의 길이방향을 x방향, 셀 스택이 적층되는 방향을 y방향, 분리막의 폭 방향을 z방향으로 정의하기로 한다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시 예에 따른 이차 전지용 고속 스태킹 장치 및 방법에 의해 제조되는 셀 스택(10)은 다음과 같은 과정으로 제조될 수 있다.
우선 분리막(3)이 x방향으로 공급된다. 공급되는 분리막(3)의 y방향 일면에는 양극판(1)이 배치되며, 양극판(1)과 대응되는 분리막(3)의 y방향 타면에는 음극판(2)이 배치되어 단위 셀(5)을 이룬다. 단위 셀(5)은 후술되는 그리퍼를 통해 고정되며, 그리퍼를 통해 다단으로 적층되어 셀 스택(10)을 이룬다. 셀 스택(10) 적층 시에는 단위 셀(5)의 양극판(1)이 y방향 일면을 향하고, 단위 셀(5)의 음극판(2)이 y방향 타면을 향하도록 순차적으로 적층될 수 있다. 이때, 단위 셀(5)의 양극판(1)과 이웃하는 단위 셀(5)의 음극판(2) 사이에도 분리막(3)이 형성되도록 단위 셀(5)과 이웃하는 단위 셀(5)은 음극판(2)의 x방향 폭보다 길게 이격되어 배치될 수 있다. 즉 단위 셀(5)의 배치 간격은 최소 음극판(2)의 x방향 폭보다 길게 형성되며, 최대 음극판(2)의 x방향 폭 + 6mm 보다 짧게 형성될 수 있다. 음극판(2)의 폭을 기준으로 하는 이유는 양극판(1)보다 음극판(2)의 폭이 더 길게 형성되기 때문이다.
적층이 완료된 셀 스택(10)에는 양극판(1) 및 음극판(2)이 배치되지 않고 공급되는 분리막(3)을 통해 감싸져 완성된다.
이하, 상기와 같은 셀 스택(10)의 제조를 고속으로 구현하기 위한, 본 발명의 일실시예의 이차 전지용 고속 스태킹 장치에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
- 실시 예 1 (싱글 그리퍼 타입, Single Gripper Type)
도 2를 참조하면, 본 발명의 일실시예의 이차 전지용 고속 스태킹 장치는, 제1 그리퍼(100) 및 가압부(200)를 포함하여 구성될 수 있다.
제1 그리퍼(100)는, 분리막의 양면에 배치된 양극판과 음극판을 포함하는 단위 셀(5)을 y방향으로 가압하여 고정시킨 상태에서 x 방향으로 이송하여 적층시킨 후, 단위 셀(5)의 가압을 해제 한 상태에서 z방향으로 후퇴 후 복귀하여 상기 과정을 반복하도록 구성된다. 상기 과정의 구현을 위해 제1 그리퍼(100)는 제1 하단그리퍼(110), 제1 상단그리퍼(120) 및 이송그리퍼(130)로 구성된다. 제1 그리퍼(100)는 분리막(3)의 z방향 일측에 배치될 수 있다. 제1 하단그리퍼(110)는 단위 셀(5)의 하면 즉 음극판에 맞닿도록 판 상으로 이루어진다. 제1 상단그리퍼(120)는 단위 셀(5)의 상면 즉 양극판에 맞닿도록 판 상으로 이루어진다. 제1 상단그리퍼(120)는 y방향 타측부가 제1 하단그리퍼(110)의 y방향 일측부에 상하 슬라이드 가능하도록 결합된다. 따라서 단위 셀(5) 고정 시에는 제1 상단그리퍼(120)의 하방 회동에 의해 제1 하단그리퍼(110)와 제1 상단그리퍼(120)가 단위 셀(5)을 가압하며, 단위 셀(5) 적층 후 복귀 시에는 제1 상단그리퍼(120)의 상방 회동에 의해 제1 하단그리퍼(110)와 제1 상단그리퍼(120)가 단위 셀(5)의 가압을 해제 한다. 제1 하단그리퍼(110)와 제1 상단그리퍼(120)의 z 방향 일측에는 이동그리퍼(130)가 구비된다. 이동그리퍼(130)는 제1 하단그리퍼(110)와 제1 상단그리퍼(120)를 x 방향 및 z 방향으로 이동시키도록 구성된다. 따라서 단위 셀(5) 고정 시에는 제1 그리퍼(100)를 z 방향 타측으로 이동시켜 제1 상단그리퍼(120)와 제1 하단그리퍼(110) 사이에 단위 셀(5)이 위치하도록 하고, 단위 셀(5)을 고정시킨 상태에서 x방향 타측으로 제1 그리퍼(100)를 이동시켜 단위 셀(5)을 적층한다. 단위 셀(5) 적층 후에는 제1 그리퍼(100)를 z 방향 일측으로 이동시켜 셀 스택(10)에서 제1 그리퍼(100)가 분리되도록 하고, 셀 스택(10)에서 분리된 제1 그리퍼(100)를 x방향 일측으로 이동시켜 제1 그리퍼(100)를 복귀시킨다. 이동그리퍼(130)는 제1 하단그리퍼(110) 및 제1 상단그리퍼(120)를 x방향 또는 z방향으로 회동시키기 위한 통상의 유압 또는 모터 구동수단이 적용될 수 있는바 더 이상의 상세한 설명은 생략하기로 한다.
가압부(200)는 제1 그리퍼(100)가 단위 셀(5)을 적층 시킨 상태에서 원위치로 복귀 시 셀 스택(10)을 가압 고정시키기 위해 구성된다. 가압부(200)는 측면에서 셀 스택(10)을 적층 방향으로 가압하도록 폭이 좁은 판 상으로 이루어지며, 셀 스택(10)의 z 방향 양측에 한 쌍이 구비된다. 따라서 가압부(200)는 y 방향 및 z 방향으로 회동 가능하도록 구성된다. 가압부는 길이방향이 z 방향을 따라 배치 되며, 가압부(200)는 y 방향 회동에 의해 하단이 셀 스택(10)의 상단을 가압하도록 구성된다. 가압부(200)의 하단은 제1 그리퍼(100)의 회동에 간섭되지 않는 부위를 가압하도록 구성될 수 있다.
이를 도 3을 참조하여 상세히 설명하면, 가압부(200)는 셀 스텍(10)의 x방향 일측부를 가압하도록 구성된다. 따라서 제1 그리퍼(100)는 단위 셀(5) 고정 시 x방향 일측단이 단위 셀(5)의 x방향 일측단에서 가압부(200)의 폭(S) 이상 만큼 이격될 수 있다. 또한 제1 그리퍼(100)는 단위 셀(5) 고정 시 x방향 타측단이 단위 셀(5)의 x방향 타측단에서 외측으로 여유거리(E) 만큼 이격 고정될 수 있다. 이는 셀 스텍(10) 적층 시 양극판(1) 또는 음극판(2)의 외측으로 여유공간이 형성되도록 하기 위함이다. 도면 상의 G는 제1 그리퍼(100)의 폭을 의미한다.
이때, 제1 그리퍼(100)의 여유거리(E)에 따라 단위 셀(5)과 이웃하는 단위 셀과의 이격 거리가 결정될 수 있다. 일예로 여유거리(E)가 1mm 이면 단위 셀과 단위 셀의 이격거리는 음극판(2)의 폭 + 2mm 일 수 있다.
상기와 같은 구성의 본 발명의 제1 실시 예의 이차 전지용 고속 스태킹 장치는 단위 셀(5)의 적층 전 라미네이션이 필요하지 않고, 분리막의 지그재그 성형 과정에서 양극판 또는 음극판이 동시에 적층되기 때문에 고속 스태킹이 가능하다.
- 실시 예 2 (더블 그리퍼 타입, Double Gripper Type)
본실시 예는 상술된 제1 실시 예의 제1 그리퍼(100)가 단위 셀(5) 적층을 완료하고 원 위치로 복귀되는 시간에도 단위 셀(5)의 적층이 이루어지도록 하여 스태킹 속도를 더욱 향상시키도록 구성된다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 일실시예의 이차 전지용 고속 스태킹 장치는, 제1 그리퍼(100), 가압부(200) 및 제2 그리퍼(300)를 포함하여 구성될 수 있다. 본실시 예의 제1 그리퍼(100)는 상술된 제1 실시 예의 제1 그리퍼(100)와 그 구성 및 작동 메커니즘이 동일하므로 이하 제2 그리퍼(300) 및 가압부(200)의 구성만 상세 설명하기로 한다.
제2 그리퍼(300)는, 제1 그리퍼(100)가 단위 셀(5)의 적층을 완료하고 원위치로 복귀 시 분리막의 양면에 배치된 양극판과 음극판을 포함하는 단위 셀(5)을 y방향으로 가압하여 고정시킨 상태에서 x 방향으로 이송하여 적층시킨 후, 단위 셀(5)의 가압을 해제 한 상태에서 z방향으로 후퇴 후 복귀하도록 구성된다. 따라서 제1 그리퍼(100)의 단위 셀(5) 적층 시에는, 복귀하며, 제1 그리퍼(100)의 복귀 시에는 단위 셀(5)을 적층하도록 구성된다. 상기 과정의 구현을 위해 제2 그리퍼(300)는 제2 하단그리퍼(310), 제2 상단그리퍼(320) 및 이송그리퍼(330)로 구성된다. 제2 그리퍼(300)는, 제1 그리퍼(100)에 대향 배치되도록 분리막(3)의 z 방향 타측에 배치될 수 있다. 제2 하단그리퍼(310)는 단위 셀(5)의 하면 즉 음극판에 맞닿도록 포크 형상으로 이루어진다. 제2 상단그리퍼(320)는 단위 셀(5)의 상면 즉 양극판에 맞닿도록 포크 형상으로 이루어진다. 제2 상단그리퍼(320)는 y 방향 타측부가 제2 하단그리퍼(310)의 y 방향 타측부에 상하 슬라이드 가능하도록 결합된다. 따라서 단위 셀(5) 고정 시에는 제2 상단그리퍼(320)의 하방 회동에 의해 제2 하단그리퍼(310)와 제2 상단그리퍼(320)가 단위 셀(5)을 가압하며, 단위 셀(5) 적층 후 복귀 시에는 제2 상단그리퍼(320)의 상방 회동에 의해 제2 하단그리퍼(310)와 제2 상단그리퍼(320)가 단위 셀(5)의 가압을 해제 한다. 제2 하단그리퍼(310)와 제2 상단그리퍼(320)의 z 방향 타측에는 이동그리퍼(330)가 구비된다. 이동그리퍼(330)는 제2 하단그리퍼(310)와 제2 상단그리퍼(320)를 x 방향 및 z 방향으로 이동시키도록 구성된다. 따라서 단위 셀(5) 고정 시에는 제2 그리퍼(300)를 z 방향 일측으로 이동시켜 제2 상단그리퍼(320)와 제2 하단그리퍼(310) 사이에 단위 셀(5)이 위치하도록 하고, 단위 셀(5)을 고정시킨 상태에서 x방향 타측으로 제2 그리퍼(300)를 이동시켜 단위 셀(5)을 적층한다. 단위 셀(5) 적층 후에는 제2 그리퍼(300)를 z 방향 타측으로 이동시켜 셀 스택(10)에서 제2 그리퍼(300)가 분리되도록 하고, 셀 스택(10)에서 분리된 제2 그리퍼(300)를 x방향 일측으로 이동시켜 제2 그리퍼(300)를 복귀시킨다. 이동그리퍼(330)는 제2 하단그리퍼(310) 및 제2 상단그리퍼(320)를 x방향 또는 z방향으로 회동시키기 위한 통상의 유압 또는 모터 구동수단이 적용될 수 있는바 더 이상의 상세한 설명은 생략하기로 한다. 단위 셀(50)의 배치간격(W2)은 상술한 바와 같이 단위 셀(50)의 x방향 폭(W1) 보다 길게 형성되는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 배치간격(W2)은 음극판(2)의 폭 + 6mm 이내로 형성될 수 있다.
가압부(200)는 제1 그리퍼(100) 또는 제2 그리퍼(300)가 단위 셀(5)을 적층 시킨 상태에서 원위치로 복귀 시 셀 스택(10)을 가압 고정시키기 위해 구성된다. 가압부(200)는 y 방향 회동에 의해 하단이 셀 스택(10)의 상단을 가압하도록 구성된다. 가압부(200)는 측면에서 셀 스택(10)을 적층 방향으로 가압하도록 폭이 좁은 판 상으로 이루어지며, 셀 스택(10)의 z 방향 양측에 한 쌍이 구비된다. 따라서 가압부(200)는 y 방향 및 z 방향으로 회동 가능하도록 구성된다. 가압부는 길이방향이 z 방향을 따라 배치 되며, 가압부(200)는 y 방향 회동에 의해 하단이 셀 스택(10)의 상단을 가압하도록 구성된다. 가압부(200)의 하단은 제1 그리퍼(100) 및 제2 그리퍼(300)의 회동에 간섭되지 않도록 셀 스텍(10)의 x방향 일측부를 가압하도록 구성될 수 있다.
상기와 같은 구성의 본 발명의 제2 실시 예의 이차 전지용 고속 스태킹 장치는 단위 셀(5)의 적층 전 라미네이션이 필요하지 않고, 분리막의 지그재그 성형 과정에서 양극판 또는 음극판이 동시에 적층되기 때문에 고속 스태킹이 가능하다. 특히 제1 그리퍼(100)가 복귀되는 시간에도 제2 그리퍼(300)를 통해 단위 셀(5)의 적층이 가능하여 상술된 제1 실시 예보다 2배 향상된 속도로 스태킹이 가능한 장점이 있다.
본 발명의 상기한 실시 예에 한정하여 기술적 사상을 해석해서는 안 된다. 적용범위가 다양함은 물론이고, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당업자의 수준에서 다양한 변형 실시가 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 당업자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 된다.
1 : 양극판 2 : 음극판
3 : 분리막 5 : 단위 셀
10 : 셀 스택 20 : 셀 스택 모듈
100 : 제1 그리퍼 110 : 제1 하부그리퍼
120 : 제1 상부그리퍼 130, 330 : 이송그리퍼
200 : 가압부
300 : 제2 그리퍼 310 : 제2 하부그리퍼
320 : 제2 상부그리퍼

Claims (12)

  1. 분리막을 공급하는 공급부;
    상기 공급부에서 공급되는 분리막의 양면 중 일면에는 양극판을 배치하고, 타면에는 음극판을 배치하는 배치부; 및
    상기 분리막에 배치된 상기 양극판을 타측으로 가압하고, 상기 분리막에 배치된 상기 음극판을 일측으로 가압하여 상기 양극판과 음극판을 상기 분리막에 같이 고정시켜 단위 셀을 형성하고, 상기 단위 셀을 상기 양극판 및 음극판이 교대로 적층되도록 Z자 형으로 접어서 스태킹하는 그리퍼;
    를 포함하는, 이차 전지용 고속 스태킹 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 양극판 및 음극판의 배치 간격은,
    상기 음극판의 폭보다 길게 형성되는, 이차 전지용 고속 스태킹 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 배치 간격은,
    상기 음극판의 폭 + 6mm 이하인, 이차 전지용 고속 스태킹 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 그리퍼는,
    상기 분리막의 일면에 상기 양극판이 배치될 경우, 상기 양극판이 일면을 향하도록 순차적으로 스태킹되며, 상기 분리막의 일면에 상기 음극판이 배치될 경우, 상기 음극판이 일면을 향하도록 순차적으로 스태킹되는, 이차 전지용 고속 스태킹 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 스태킹 장치는,
    상기 그리퍼가 셀 스택 적층 후 복귀 시, 상기 셀 스택을 적층 방향으로 가압하는 가압부; 를 더 포함하는, 이차 전지용 고속 스태킹 장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 그리퍼는,
    상기 분리막의 길이방향 일측에 위치한 제1 그리퍼; 및
    상기 분리막의 길이방향 타측에 위치한 제2 그리퍼; 로 구성되며,
    상기 제1 그리퍼 및 제2 그리퍼 중 어느 하나가, 셀 스택 적층 후 복귀 시 다른 하나는, 셀 스택을 적층하도록 상기 제1 그리퍼 및 제2 그리퍼는 교번 이동하는, 이차 전지용 고속 스태킹 장치.
  7. 공급부에 의해 분리막이 공급되는 단계;
    배치부에 의해 상기 분리막의 일면에 양극판이 배치되고, 상기 양극판에 대응되는 상기 분리막의 타면에 음극판이 배치되는 단계; 및
    그리퍼에 의해 상기 분리막에 배치된 상기 양극판을 타측으로 가압하고, 상기 분리막에 배치된 상기 음극판을 일측으로 가압하여 상기 양극판과 음극판을 상기 분리막에 같이 고정시켜 단위 셀을 형성하고, 상기 단위 셀을 상기 양극판 및 음극판이 교대로 적층되도록 Z자 형으로 접어서 스태킹하는 단계;
    를 포함하는, 이차 전지용 고속 스태킹 방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 양극판 및 음극판의 배치 간격은,
    상기 음극판의 폭보다 길게 형성되는, 이차 전지용 고속 스태킹 방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 배치 간격은,
    상기 음극판의 폭 + 6mm 이하인, 이차 전지용 고속 스태킹 방법.
  10. 제 7항에 있어서,
    상기 그리퍼는,
    상기 분리막의 일면에 상기 양극판이 배치될 경우, 상기 양극판이 일면을 향하도록 순차적으로 스태킹되며, 상기 분리막의 일면에 상기 음극판이 배치될 경우, 상기 음극판이 일면을 향하도록 순차적으로 스태킹되는, 이차 전지용 고속 스태킹 방법.
  11. 제 7항에 있어서,
    상기 스태킹 방법은,
    상기 그리퍼가 셀 스택 적층 후 복귀 시, 가압기에 의해 상기 셀 스택을 적층 방향으로 가압하는 단계; 를 더 포함하는, 이차 전지용 고속 스태킹 방법.
  12. 제 7항에 있어서,
    상기 그리퍼는, 상기 분리막의 길이방향 일측에 위치한 제1 그리퍼; 및 상기 분리막의 길이방향 타측에 위치한 제2 그리퍼; 로 구성되며,
    상기 제1 그리퍼 및 제2 그리퍼 중 어느 하나가, 셀 스택 적층 후 복귀 시 다른 하나는, 셀 스택을 적층하는 단계; 를 포함하는, 이차 전지용 고속 스태킹 방법.
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