KR101476771B1 - 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 231
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims abstract description 66
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 55
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 31
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 24
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 14
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 65
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H10H20/85—Packages
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Abstract
본 개시는 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 플레이트 위에 반도체 소자와 격벽을 위치 고정하는 단계;로서, 반도체 소자는 반도체 발광소자이며, 반도체 소자의 전극이 플레이트를 향하도록 위치 고정하는 단계; 반도체 소자와 격벽을 봉지제로 덮는 단계; 반도체 소자와 격벽을 남겨두고, 봉지제로부터 플레이트를 분리하는 단계; 그리고, 봉지제를 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 관한 것이다.
Description
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 제조가 간단한 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 관한 것이다.
여기서, 반도체 소자라 함은 반도체 발광소자(예: 레이저 다이오드), 반도체 수광소자(예: 포토 다이오드), p-n접합 다이오드 전기 소자, 반도체 트랜지스터 등을 포함하며, 대표적으로 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체 발광소자는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물 반도체층을 포함하는 발광다이오드와 같은 발광소자를 의미하며, 추가적으로 SiC, SiN, SiCN, CN와 같은 다른 족(group)의 원소들로 물질이나 이들 물질로 된 반도체층을 포함하는 것을 배제하는 것은 아니다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예(Lateral Chip)를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에, 버퍼층(200), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 전도막(600)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(700)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(800)이 형성되어 있다. 여기서, 기판(100) 측이 패키지에 놓일 때, 장착면으로 기능한다.
도 2는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예(Flip Chip)를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100; 예: 사파이어 기판), 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400; 예: InGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 기판(100) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(901; 예: Ag 반사막), 전극막(902; 예: Ni 확산 방지막) 및 전극막(903; 예: Au 본딩층)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(800; 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성되어 있다. 여기서, 전극막(903) 측이 패키지에 놓일 때, 장착면으로 기능한다. 열방출 효율의 관점에서, 도 1에 도시된 래터럴 칩(Lateral Chip)보다 도 2에 도시된 플립 칩(Flip Chip) 또는 정션 다운형(Junction Down Type) 칩이 열방출 효율이 우수하다. 래터럴 칩이 80~180㎛의 두께를 가지는 사파이어 기판(100)을 통해 열을 외부로 방출해야 하는 반면에, 플립 칩은 활성층(400)에 가깝게 위치하는 금속으로 된 전극(901,902,903)을 통해 열을 방출할 수 있기 때문이다.
도 15는 종래의 반도체 발광소자 패키지 또는 반도체 발광소자 구조물의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자 패키지는 리드 프레임(110,120), 몰드(130), 그리고 캐비티(140) 내에 수직형 반도체 발광소자(150; Vertical Type Light-emitting Chip)가 구비되어 있고, 캐비티(140)는 형광체(160)를 함유하는 봉지제(170)로 채워져 있다. 수직형 반도체 발광소자(150)의 하면이 리드 프레임(110)에 전기적으로 연결되고, 상면이 와이어(180)에 의해 리드 프레임(120)에 전기적으로 연결되어 있다. 수직형 반도체 발광소자(150)에서 나온 광(예: 청색광)의 일부가 형광체(160)를 여기시켜 형광체(160)가 광(예: 황색광)을 만들고, 이 광들(청색광+황색광)이 백색광을 만든다. 여기서, 몰드(130)-봉지제(170) 또는 리드 프레임(110,120)-몰드(130)-봉지제(170)가 수직형 반도체 발광소자를 담지한 채로, 반도체 발광소자 패키지의 지지체 즉, 캐리어(Carrier)로 역할한다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 플레이트 위에 반도체 소자와 격벽을 위치 고정하는 단계;로서, 반도체 소자는 반도체 발광소자이며, 반도체 소자의 전극이 플레이트를 향하도록 위치 고정하는 단계; 반도체 소자와 격벽을 봉지제로 덮는 단계; 반도체 소자와 격벽을 남겨두고, 봉지제로부터 플레이트를 분리하는 단계; 그리고, 봉지제를 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법이 제공된다.
본 개시에 따른 또 다른 태양에 의하면(According to another aspect of the present disclosure), 반도체 소자 구조물에 있어서, 봉지제; 봉지제에 의해 둘러싸이며, 봉지제의 하부로 전극이 노출되는 반도체 발광소자;로서, 반도체 발광소자인 반도체 소자; 전극이 노출되는 측의 봉지제에 결합되며, 광 반사막인 격벽; 그리고, 봉지제와 격벽에 의해 형성되는 측면;으로서, 연속하여 이어진 절단된 측면;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물이 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예(Lateral Chip)를 나타내는 도면,
도 2는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예(Flip Chip)를 나타내는 도면,
도 3은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따라 플립 칩 패키지를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 다른 예를 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 일 예를 나타내는 도면,
도 7은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 다른 예를 나타내는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물 사용의 일 예를 나타내는 도면,
도 10은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 12는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 13은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 14는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 15는 종래의 반도체 발광소자 패키지 또는 반도체 발광소자 구조물의 일 예를 나타내는 도면,
도 16 내지 도 18은 도 11에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 19는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 20은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 21 내지 도 23은 도 12에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 24 내지 도 27은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 28은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 29는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 30은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 31은 도 30에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 32는 도 30에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 다른 예를 나타내는 도면,
도 33 및 도 34는 도 30에 도시된 반도체 소자 구조물의 변형 예들을 나타내는 도면,
도 35 및 도 36은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 37은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 38 내지 도 41은 도 30에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 다른 예를 나타내는 도면,
도 42는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 43은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)에 렌즈(4c)가 형성되어 있다. 도 43에서, 하나의 렌즈(4c)가 하나의 반도체
도 44는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 45는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면.
도 2는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예(Flip Chip)를 나타내는 도면,
도 3은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따라 플립 칩 패키지를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 다른 예를 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 일 예를 나타내는 도면,
도 7은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 다른 예를 나타내는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물 사용의 일 예를 나타내는 도면,
도 10은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 12는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 13은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 14는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 15는 종래의 반도체 발광소자 패키지 또는 반도체 발광소자 구조물의 일 예를 나타내는 도면,
도 16 내지 도 18은 도 11에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 19는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 20은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 21 내지 도 23은 도 12에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 24 내지 도 27은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 28은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 29는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 30은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 31은 도 30에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 32는 도 30에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 다른 예를 나타내는 도면,
도 33 및 도 34는 도 30에 도시된 반도체 소자 구조물의 변형 예들을 나타내는 도면,
도 35 및 도 36은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 37은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 38 내지 도 41은 도 30에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 다른 예를 나타내는 도면,
도 42는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 43은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)에 렌즈(4c)가 형성되어 있다. 도 43에서, 하나의 렌즈(4c)가 하나의 반도체
도 44는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 45는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 3은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 플레이트(1)를 준비한 다음, 두 개의 전극(80,90)이 구비된 반도체 소자(2)를 접착제(3)를 이용하여 플레이트(1)에 위치 고정한다. 다음으로, 봉지제(4; encapsulating material)를 이용하여, 반도체 소자(2)를 감싼다. 다음으로, 플레이트(1)와 반도체 소자(2)를 분리한다. 플레이트(1)를 이루는 물질에는 특별한 제한이 없으며, 사파이어와 같은 물질을 사용하여도 좋고, 금속이나 유리 등의 평평한 구조물을 사용하여도 좋다. 금속 또는 유리와 같이 딱딱한(rigid) 플레이트를 사용함으로써, 블루 테이프(Blue tape)와 같이 연성을 가지는 플레이트(판)를 사용할 때에 비해 공정의 안정을 도모할 수 있다. 접착제(3)를 이루는 물질에도 특별한 제한이 없으며, 반도체 소자(2)를 플레이트(1)에 위치 고정만 할 수 있다면 어떠한 접착제여도 좋다. 봉지제(3)를 이루는 물질로는 종래에 LED 패키지에 사용되는 실리콘 에폭시, 실리콘 수지가 사용될 수 있다. 봉지제(4)가 형성된 후, 반도체 소자(2)와 플레이트(1)의 분리는 접착제(3)를 녹일 수 있는 열 또는 빛을 가하거나, 접착제(3)를 녹일 수 있는 용제를 이용함으로써 가능하다. 열 또는 빛과 용제를 함께 사용하는 것도 가능하다. 또한 접착 테이프를 이용하는 것도 가능하다. 봉지제(4)는 종래에 사용되는 디스펜싱, 스크린 프린팅, 몰딩, 스핀 코팅, 스텐실 등의 방법으로 형성할 수 있으며, 광경화성 수지(UV경화성 수지)를 도포한 후, 광을 조사함으로써 형성하는 것도 가능하다. 플레이트(1)로 사파이어와 같이 투광성 플레이트가 사용되는 경우에, 플레이트(1) 측으로부터 광을 조사하는 것도 가능하다. 설명을 위해, 플레이트(1) 위에 하나의 반도체 소자(2)를 도시하였지만, 복수의 반도체 소자(2)를 플레이트(1) 위에 두고 공정을 행할 수 있다. 여기서 반도체 소자(2)는 두 개의 전극(80,90)을 가지는 것으로 설명되었지만, 그 수에 특별히 제한이 있는 것은 아니다. 예를 들어, 트랜지스터의 경우에 세 개의 전극을 가질 수 있다.
도 4는 본 개시에 따라 플립 칩 패키지를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 소자(2)로서, 정션 다운 형 칩이 제시되어 있다. 정션 다운 형 칩으로서, 도 2에 도시된 것과 같은 플립 칩형 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 따라서 반도체 발광소자는 도 2에서와 같이, 기판(100; 예: 사파이어 기판), 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400; 예: InGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 기판(100) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(901; 예: Ag 반사막), 전극막(902; 예: Ni 확산 방지막) 및 전극막(903; 예: Au 본딩층)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(800; 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성된 구조를 가질 수 있다. 반도체 소자(2)는 두 개의 전극(80,90)을 가지며, 전극(90)은 도 2의 전극(901,902,903)과 같은 구성을 가져도 좋고, DBR(Distributed Bragg Reflector)과 금속 반사막의 조합으로 이루어져도 좋다. 전극(80)과 전극(90)은 SiO2와 같은 절연막(5)에 의해 전기적으로 절연되어 있다. 이후의 과정은 동일하며, 봉지제(4; encapsulating material)를 이용하여, 반도체 소자(2)를 감싼다. 다음으로, 플레이트(1)와 접착제(3)로부터 반도체 소자(2)를 분리한다.
도 5는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 플레이트(1) 위에 복수의 반도체 소자(2,2)가 일체로 봉지제(4)에 의해 덮혀 있다. 플레이트(1)를 제거한 후, 반도체 소자(2,2)를 일체로서 하나의 패키지화하는 것이 용이해진다. 반도체 소자(2)와 반도체 소자(2)의 전기적 연결 방법에 대해서는 후술한다. 또한 이들을 도 3에서와 같이 개별적인 반도체 소자(2)로 분리하는 것도 가능하다. 이는 복수의 반도체 소자(2,2)를 플레이트(1)로부터 분리한 후, 쏘잉(sawing) 등의 공정을 통해 개별화함으로써 가능하다. 경화후 연성을 가지는 봉지제(4)를 사용함으로써, 연성 회로기판과의 결합을 한층 높일 수 있게 된다.
도 6은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 일 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)의 측면(4a)이 경사지도록 형성되어 있다. 반도체 소자(2)가 발광소자인 경우에, 봉지제(4)가 다양한 각의 외면을 갖게 되어, 패키지 외부로의 광 추출 효율이 높아지게 된다. 스크린 프린팅시, 스크린 격벽을 경사지게 형성하여 측면(4a)의 형성이 가능하며, 쏘잉시, 끝이 뾰족한 커터를 이용함으로써 측면(4a)의 형성이 가능하다.
도 7은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 플레이트(1)가 제거된 후, SiO2와 같은 절연막(6)을 전극(80)과 전극(90)을 노출한 상태로 구비하고 있다. 이후, 전극(80)에 외부 전극(81)을 연결하고, 전극(90)에 외부 전극(91)을 형성하여, 종래의 패키지와 같은 구조로 만들 수 있게 된다. 외부 전극(81,91)은 종래 패키지의 리드 프레임에 대응할 수 있다. 또한 외부 전극(81,91)을 반사막으로 기능하도록 넓게 펼쳐 증착하는 것도 가능하다. 절연막(6)은 단순히 절연 기능만을 하여도 좋고, 외부 전극(81,91)에 의한 광 흡수를 줄이도록 SiO2/TiO2의 교대 적층구조를 형성하거나 DBR을 이루어도 좋다. 도 4에서와 같이 반도체 소자(2)가 절연막(5)을 구비하는 경우에는 절연막(6)이 생략될 수도 있다. 절연막(6)과 외부 전극(81,91)의 형성에 사용되는 증착 공정과 포토리쏘그라피 공정 등은 반도체 칩 공정에서 일반적인 것으로 당업자에 매우 익숙한 것이다. 외부 전극(81,91)을 구비함으로써, PCB, COB 등에의 장착이 보다 용이해질 수 있다. 필요한 경우에, 외부 전극(81,91) 없이 절연막(6)만을 구비하는 것도 가능하다. 절연막(6) 반도체 소자(2)와 봉지제(4) 사이를 보호하는 기능을 할 뿐만 아니라, 봉지제(4)를 외부 전극(81,91) 형성 공정으로부터 보호하는 기능도 할 수 있다. 또한 절연막(6)을 백색 물질로 형성하여, 절연막(6)을 반사막으로 기능하게 할 수 있다. 예를 들어, 백색의 PSR(Photo Sloder Regist)을 절연막(6)으로 이용하거나, 코팅하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 백색의 PSR을 스크린 프린팅 또는 스핀 코팅한 다음, 일반적인 포토리소그라피 공정을 통해 패터닝할 수 있다.
도 8은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 전기적으로 직렬 연결된 반도체 소자(2A)와 반도체 소자(2B)가 구비되어 있다. 반도체 소자(2A)의 음(-) 전극(80A)과 반도체 소자(2B)의 양(+) 전극(90B)을 외부 전극(89)을 통해 연결함으로써 이러한 구성이 가능해진다. 미설명 부호 4는 봉지제이며, 6은 절연막이고, 90A은 반도체 소자(2A)의 양(+) 전극이며, 80B는 반도체 소자(2B)의 음(-) 전극이다. 이러한 구성을 통해, 모노리식 기판의 사용 없이, 봉지제(4)를 통해 일체화된 반도체 소자(2A,2B) 간의 전기적 연결을 형성할 수 있게 된다. 모노리식 기판의 경우에, 그 위의 반도체 소자의 구조가 동일하지만, 본 개시의 방법에 의하면, 반도체 소자(2A)와 반도체 소자(2B)가 같은 기능의 소자일 필요가 없다. 반도체 소자(2A,2B)를 병렬연결할 수 있음은 물론이다. 또한 봉지제(4)의 측면(4a)을 도 6에서와 같이 경사지게 형성할 수 있으며, 이러한 구성은 기존에 상상할 수 없었던 고전압(High-Voltage) 반도체 발광소자 패키지 내지는 반도체 발광소자 구조물을 가능하게 한다.
도 9는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물 사용의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 소자(2C)는 인쇄회로기판(7)의 도선(7a)과 전극(80,90)이 직접 연결되어 있으며, 반도체 소자(2D)는 도선(7b)과 외부 전극(81,91)을 통해 연결되어 있다. 인쇄회로기판(7)은 연성 회로기판이어도 좋다.
도 10은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 2에 도시된 것과 같은 반도체 소자(2)가 구비되어 있으며, 반도체 소자(2)는 기판(100), 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 성장되며, 전극(80,90)이 형성되어 있다. 반도체 소자(2)를 접착제(3)를 이용해 플레이트(1)에 붙인 다음, 봉지제(4)로 덮기에 앞서, 기판(100)을 제거하고, 바람직하게는 광 취출 효율을 높이기 위해 거친 표면(301)을 형성한다. 이후의 과정은 동일하다. 기판(100)의 제거는 레이저 리프트 오프(Laser Lift-off)와 같은 공정에 의해 가능하며, 거친 표면(301)은 ICP(Inductively Coupled Plasma)와 같은 건식 식각을 통해 가능하다. 이것은 칩 레벨 레이저 리프트 오프를 가능하게 한다.
도 11은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)에 형광체가 포함되어 있다. YAG, Silicate, Nitride 형광체 등을 이용하여 원하는 색의 광을 발광할 수 있게 된다.
도 12는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4) 내에 또는 봉지제(4) 하부에 형광체층(8)이 형성되어 있다. 봉지제(4) 상부에 형광체층(8)을 형성하는 것도 가능하다. 이는 봉지제(4) 내에서 형광체를 침전시키거나, 별도로 스핀 코팅하거나, 휘발성 액체에 담긴 형광체를 도포한 후 휘발시켜 형광체만 남긴 후 봉지제(4)로 덮음으로써 형성할 수 있다. 필요에 따라 복수의 형광체층(8)의 형성도 가능하다.
도 13은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)에 광 취출 효율을 높이기 위한 거친 표면 또는 요철(4g)이 형성되어 있다. 거친 표면(4g)은 pressing, 나노임프린트(nanoimprint) 등의 성형을 통해 형성이 가능하다. 또한 bead 물질을 도포한 후, 에칭, 샌드블라스팅 등의 방법을 통해 형성하는 것도 가능하다. 거친 표면(4g)은 플레이트(1)의 분리 이전 또는 분리 이후에 형성될 수 있다.
도 14는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)에 렌즈(4c)가 형성되어 있다. 바람직하게는 렌즈(4c)는 봉지제와 일체로 형성된다. 이러한 일체형 렌즈(4c)는 압축성형 등으로 방법으로 형성하는 것이 가능하다.
도 16 내지 도 18은 도 11에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 소자(2,2)를 접착제(3)를 이용하여 플레이트(1)에 고정한 상태에서, 형광체가 함유된 봉지제(4), 즉 형광체층(8)으로 덮는다. 다음으로 도 17에 도시된 바와 같이, 플레이트(1)를 제거하고, 도 18에 도시된 바와 같이, 반도체 소자(2,2)를 서로 분리한다. 이러한 방법을 통해, 소위 형광체 내지는 형광체층(8)을 반도체 소자(2,2)에 컨포멀하게 코팅하는 것이 가능해진다. 형광체층(8)의 높이(V)와 폭(H)을 동일하게 하는 것이 가능하다. 이러한 방식의 컨포멀 코팅(봉지제(4)의 제거 내지는 형광체층(8)의 제거를 통한 컨포멀 코팅의 구성)은 종래에 스핀코팅, 스크린 프린팅 등의 방식으로 진행되던 컨포멀 코팅과 크게 구분된다.
도 19는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 18에서 제조된 반도체 소자(2,2)를 다시 접착제(3)를 이용하여, 플레이트(1) 위에 올려놓고, 다시 봉지제(4)를 도포한다. 봉지제(4)에 다른 형광체 및/또는 광 산란을 위한 소형 입자를 추가하는 것도 가능하다. 종래와 달리 형광체층(8)과 봉지제(4) 간의 경계면에 대한 용이한 형상 제어가 가능해진다. 또한 형광체층(8)의 외형 제어 및 형광체층(8)을 덮는 봉지제(4)의 외형 제어 모두가 용이하게 가능해진다. 반대로, 외부의 봉지제(4)에 형광체를 도입하고, 내부의 봉지제(4)에는 형광체를 도입하지 않을 수도 있다. 즉, 외부의 봉지제(4)가 형광체층이 되도록 하는 것도 가능하다. 이 경우에도 양자의 경계면 및 외형 제어가 가능하다는 점은 동일하다. 형광체층(8)을 구성하는 봉지제(4)와 형광체층(8)를 덮는 봉지제(4)는 서로 동일한 물질일 수 있지만, 서로 다른 특성(굴절률, 경도, 광투과성, 경화 속도 등)의 물질일 수도 있다. 따라서 본 실시예는 두 번 이상의 동일한 또는 서로 다른 봉지제가 적용되는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 제조 방법으로 확장될 수 있다. 형광체층(8)을 가지는 경우에, 반도체 소자는 반도체 발광소자이 적용이 적합하지만, 형광체가 함유되지 않은 경우에, 반도체 소자는 반드시 반도체 발광소자일 필요는 없다.
도 20은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 16에서와 같이 형광체층(8)을 형성한 다음, 플레이트(1)를 제거하는 공정 없이, 형광체층(8)을 일부 제거하여 반도체 소자(2,2) 각각에 형광체층(8)이 컨포멀하게 형성된다. 이 후, 도 19에 따른 공정이 진행되는 경우에, 플레이트(1)의 사용을 한번으로 줄일 수 있는 이점을 가진다.
도 21 내지 도 23은 도 12에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 도 20에 도시된 방법과 달리, 형광체층(8)을 완전히 제거하여 분리하지 않고, 일부를 남겨 두고 제거한다. 다음으로, 도 22에 도시된 바와 같이 봉지제(4)를 덮고, 도 23에 도시된 바와 같이, 반도체 소자(2,2)를 분리함으로써, 반도체 소자 구조물이 제조된다. 봉지제(4)가 도 13에 도시된 형상, 도 14에 도시된 형상 등 다양한 형상을 가질 수 있음은 물론이다.
도 24 내지 도 27은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 플레이트(1; 도 3 참조)가 제거된 다음, 감광액(9)이 도포된다. 예를 들어, 감광액(9)은 절연막(6)으로 기능하는 백색 PSR로 이루어질 수 있다. 전극(80,90)을 노출하기 위해, 노광 작업이 필요하며, 이때 마스크 패턴으로서, 별도의 마스크 패턴 없이, 전극(80,90)을 마스크로 사용한다. 다음으로, 도 25에 도시된 바와 같이, 봉지제(4) 상측에서 광(L)을 조사하여, 감광액(9)을 노광시키고, 전극(80,90)에 대응하는 영역(80a,90a)이 노광 후 제거될 수 있도록 한다. 도 26에 영역(80a,90a)에 대응하는 감광액(9)이 제거된 후의 모습이 도시되어 있다. 바람직하게는 봉지제(4)에 형광체를 함유하지 않음으로써, 광(L)이 감광액(9)에 정확하게 전달될 수 있도록 한다. 전극(80,90)을 마스크로 이용함으로써, 별도의 마스크를 이용하는 것에 필요한 정렬 작업이 필요없어, 보다 정확한 노광 작업이 가능해진다. 필요에 따라, 도 27에 도시된 바와 같이, 전극(80,90)에 외부 전극(81,91)을 전기적으로 연결한다. 감광액(9)을 백색 PSR로 구성함으로써, 감광액(9)이 절연막(6)으로 기능하는 한편, 광 반사막으로 기능할 수 있게 된다. 반도체 소자의 경우에도 전체적으로 투광성으로 형성되어야 한다. 예를 들어, 3족 질화물 반도체 소자의 경우에, 도 1에서와 같이, 투명 사파이어 기판, GaN 기판, SiC 기판 위에, 투광성 반도체로 형성될 수 있다. 즉, 반도체 소자(2)와 봉지제(4)를 투광성으로 형성함으로써, 노광에 사용되는 광(L)이 이들을 투과하여, 감광액(9)에 적용될 수 있게 된다.
도 28은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 감광액(9) 내지는 절연막(6)을 형성하기에 앞서, 외부 전극(81,91)이 형성된다. 이 경우에, 전극(80,90)과 외부 전극(81,91)을 노광시 마스크로 이용할 수 있으며, 전극(80,90)의 형상 및 크기는 반도체 소자(2)의 크기 및 특성에 의해 제약되지만, 외부 전극(81,91)은 반도체 소자(2)에 의해 제약되지 않으므로, 외부 전극(81,91)을 필요에 따라 자유롭게 설계하여, 원하는 형태의 패턴 형상을 만들 수 있게 된다.
도 29는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 복수의 반도체 소자(2,2)를 절단하는 과정을 나타내고 있다. 도 24 내지 도 27에서와 같이 방식으로, 반도체 소자 구조물을 제조하는 경우에, 반도체 소자(2,2)를 절단선(C)을 기준으로 분리함에 있어서, 외부 전극(81,91)의 아래에 놓이는 감광액(9)은 봉지제(4)와 함께 분리된다.
도 30은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 광 반사면(4b)이 절연막(6)에 의해 덮혀 있다. 절연막(6)은 백색 PSR과 같은 광 반사막으로 기능하게 할 수 있다. 이러한 의미에서 본 실시예에서 절연막(6)은 광 반사막이라 할 수 있다. 또한 봉지제(4)를 절연막(6)에 비해 상대적으로 높은 굴절률의 물질로 구성함으로써, 양자 사이에 반사 성능을 높이면서, 광 반사면(4b)을 절연막(6)에 의해 보호하는 것도 가능하다. 절연막(6)을 봉지제(4)에 비해 낮은 굴절률의 물질로 구성하는 것도 가능하며, 본 개시에 속하지만, 본 실시예에는 벗어난다. 광 반사막(6)을 절연 물질이 아니라, 금속(예: Al, Ag, Au) 증착을 통해 금속 막으로 구성하는 것도 가능하다.
도 31은 도 30에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)로 반도체 발광소자인 반도체 소자(2)를 덮은 후, 플레이트(1; 도 3 참조)를 제거한다. 다음으로, 블레이드(도시 생략)를 이용하여, 홈(4m)을 형성하여(일반화하면, 봉지제(4)를 제거함으로써 홈(4m)을 형성하여), 봉지제(4)에 광 반사면(4b)을 형성한 다음, 절연막(6)으로 광 반사면(4b)을 덮은 다음, 포토리소그라피 공정을 통해 절연막(6)을 통해 전극(80,90)을 노출시키고, 외부 전극(81,91)을 전극(80,90)에 각각 연결한다. 다음으로, 절단선(C)을 기준으로 반도체 소자(2,2)를 분리한다.
도 32는 도 30에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 전극(80,90)에 외부 전극(81,90)을 증착 또는 도금과 같은 방법으로 먼저 형성한 다음, 광 반사면(4b)에 절연막(6)이 형성된다. 이후 포토리소그라피 공정을 거쳐 외부 전극(81,91)을 절연막(6) 밖으로 노출시키고, 반도체 소자(2,2)를 절단선(C)을 기준으로 절단한다.
도 33 및 도 34는 도 30에 도시된 반도체 소자 구조물의 변형 예들을 나타내는 도면으로서, 도 33에는 광 반사면이 하나의 경사면(4b1)을 이루고 있으며, 도 34에는 광 반사면이 두 개의 경사면(4b1,4b2)을 이루고 있다. 반도체 소자(2,2)는 개별적으로 분리될 수 있지만, 복수의 반도체 소자(2,2)가 함께 분리될 수도 있다.
도 35 및 도 36은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 35에 도시된 바와 같이, 봉지제(4) 측에 플레이트(1)가 부착되어 있다. 플레이트(1)는 도 3에서 예시된 것과 같은 방법으로 봉지제(4)에 부착될 수 있다. 플레이트(1)는 도 3에서 전극(2) 측에 부착된 플레이트(1)의 분리 전 또는 분리 후에 봉지제(4) 측에 부착될 수 있다. 본 실시예에서, 플레이트(1)는 연성 재질의 플레이트와 같이 휘어지는 성질을 가지지 않는다는 것이 중요하다. 도 36에 도시된 바와 같이, 도 3에 도시된 플레이트(1)가 제거된 다음에, 절연막(6)의 형성, 외부 전극(81,91)의 형성, 봉지제(4)의 절단, 및/또는 이에 수반하는 포토리소그라피 공정 등 다양한 공정이 요구되며, 이때, 기껏해야 수mm의 높이를 가지는 봉지제(4)가 평평한 형태를 유지하는 것이 몹시 중요하다. 이를 위해, 휨이 없는(rigid) 플레이트(1)가 사용되는 것이 중요하다. 플레이트(1)의 재질은 세라믹, 유리, 메탈, 엔지니어링 플라스틱 등이 사용 가능하며, 두께는 재질에 따라 다르겠으나, 통상 휘어짐을 방지하고, 기계적인 안정성을 유지하기 위하여 적정 두께를 유지하는 것이 바람직한데, 유리 기판의 경우 가령 1mm 이상이면 충분하다. 플레이트(1)는 두 반도체 소자(2,2)의 절단 전 또는 절단 후에 제거될 수 있다.
도 37은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 36에 제시된 방법에 사용된 휨이 없는 플레이트(1)가 도 25에 제시된 방법에 적용된 예이다. 휨이 없는 플레이트(1)를 투광성 재질(예: 유리)로 형성함으로써, 상기된 장점을 모두 누리는 한편, 노광 공정에도 아무런 문제를 일으키지 않게 된다.
도 38 내지 도 41은 도 30에 도시된 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 31에 도시된 방법과 달리, 절연막 또는 광 반사막 등으로 기능하는 격벽(6a)이 봉지제(4; 도 39 참조)를 형성하기 이전에 접착제(3)가 형성된 플레이트(1) 위에 형성된다. 격벽(6a)은 백색 PSR, 검은색 PSR, 또는 SiO2, Al2O3, TiO2 또는 이들의 세라믹 미립자가 함유된 고분자 조성물, 기존 실리콘 수지 혹은 에폭시 수지 조성물, 또는 기존 LED 패키지에 사용되는 사출 플라스틱, 금속 등으로 이루어질 수 있으며, 재질에 따라 포토리소그라피 공정, 증착, 사출, 스크린 프린팅, 도팅, 스텐실, 잉크제팅 등의 방법으로 형성될 수 있다. 바람직하게는 격벽(6a)이 경사면(4b)을 가지지만, 이에 한하지 않으며, 단면이 사각형, 사각형, 곡면 등 다양한 형태를 가질 수 있으며, 높이와 폭도 필요에 따라 조절될 수 있다. 다음으로, 도 39에 도시된 바와 같이, 봉지제(4)가 도포된다. 이어서, 도 40에 도시된 바와 같이, 플레이트(1)가 제거된다. 접착제(3)에 열 및/또는 광을 가하여 플레이트(1)를 분리하거나, 적절한 제거액을 통해 플레이트(1)를 분리할 수 있다. 필요에 따라, 도 41에 도시된 바와 같이, 외부 전극(81,91)이 형성되고, 절단된다. 반도체 소자(2)는 격벽(6a)의 형성의 전후에 플레이트(1)에 고정될 수 있다.
도 42는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4) 위에 추가의 층(41)이 구비되어 있다. 추가의 층(41)은 단순히 봉지제(4)를 보강하는 층일 수 있으며, 이 경우에, 봉지제(4)와 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 봉지제(4)의 적어도 일부에 형광체가 구비되고, 추가의 층(41)은 투명하게 형성될 수 있다. 다른 예로서, 추가의 층(41)에 형광체 및/또는 광 산란제를 함유하는 것도 가능하다. 추가의 층(41)을 봉지제(4)와 굴절률이 다른 물질로 구성하여, 광 취출 효율을 높이는 것도 가능하다. 또한 추가의 층(41)의 렌즈, 요철 등을 형성하기 위한 기저층으로 활용할 수도 있다. 필요에 따라 복수의 추가의 층(41)이 구비될 수 있음을 물론이다. 예를 들어, 아래 층에 형광체를 함유하고, 위층에 광 산란제를 함유할 수 있다. 다른 실시예에서, 추가의 층(41)이 도 38에 도시된 격벽(6a)이 구비되지 않은 반도체 소자 구조물에 적용될 수 있음은 물론이다.
도 43은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)에 렌즈(4c)가 형성되어 있다. 도 43에서, 하나의 렌즈(4c)가 하나의 반도체 소자(2)에 대응하지만, 본 개시는 이에 한하지 않으며, 하나의 렌즈(4c)가 복수의 반도체 소자를 커버하거나, 복수의 렌즈가 하나의 반도체 소자(2)에 구비될 수 있고, 복수의 렌즈가 복수의 반도체 소자를 위해 구비될 수 있음은 물론이다. 렌즈(4c)는 봉지제(4)에 직접 형성되거나, 도 42에 도시된 추가의 층(41)에 형성될 수 있다.
도 44는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)에 요철(4g)이 형성되어 있다. 요철(4g)은 봉지제(4)에 직접 형성되거나, 도 42에 도시된 추가의 층(41)에 형성될 수 있다.
렌즈(4c)와 요철(4g)은 봉지제(4) 또는 추가의 층(42)의 경화 이전에 렌즈(4c) 또는 요철(4g) 형상을 가지는 구조물을 이용하여 형성할 수 있다.
도 45는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 렌즈(4c) 위에 광 산란제(예: 알루미늄 옥사이드 , 실리콘 옥사이드 , 티타늄 옥사이드 등의 산화물 미립자)를 함유하는 광 산란층(4y)이 더 구비되어 있다. 광 산란층(4y)은 도 42에 도시된 방법으로 형성될 수 있으며, 또한 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 봉지제가 캐리어로 역할하는 반도체 소자 구조물
(2) 플레이트로부터 분리된 봉지제 하면을 가지는 반도체 소자 구조물
(3) 반도체 소자의 전극이 위치하는 면을 제외한 봉지제의 외면들이 구조물 또는 패키지의 외면을 이루는 반도체 소자 구조물
(4) 반도체 소자들을 봉지제를 이용하여 결합한 반도체 소자 구조물
(5) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 플레이트 위에 반도체 소자와 격벽을 위치 고정하는 단계;로서, 반도체 소자는 반도체 발광소자이며, 반도체 소자의 전극이 플레이트를 향하도록 위치 고정하는 단계; 반도체 소자와 격벽을 봉지제로 덮는 단계; 반도체 소자와 격벽을 남겨두고, 봉지제로부터 플레이트를 분리하는 단계; 그리고, 봉지제를 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(6) 절단하는 단계에 앞서, 봉지제 위에 적어도 하나의 추가의 층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법. 추가의 층은 봉지제와 같은 재질 또는 다른 재질로 형성될 수 있다. 봉지제 및 추가의 층 중의 적어도 하나에, 형광체, 광 산란제 등을 전체적으로, 하나의 층으로 또는 농도(concentration)를 변경하면서 형성할 수 있다.
(7) 절단하는 단계에 앞서, 봉지제에 렌즈를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(8) 렌즈 위에 형성된 광 산란층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(9) 절단하는 단계에 앞서, 봉지제에 요철을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(10) 격벽은 광 반사막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(11) 반도체 소자 구조물에 있어서, 봉지제; 봉지제에 의해 둘러싸이며, 봉지제의 하부로 전극이 노출되는 반도체 발광소자;로서 반도체 발광소자인 반도체 소자; 전극이 노출되는 측의 봉지제에 결합되며, 광 반사막인 격벽; 그리고, 봉지제와 격벽에 의해 형성되는 측면;으로서, 연속하여 이어진 절단된 측면;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물.
(12) 봉지제의 상부에 렌즈를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물.
(13) 격벽은 백색인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물. 격벽의 백색 물질(백색 PSR, 종래 LED 패키지에 사용되는 백색 고분자 물질 등)로 형성하여, 광 반사막에 의한 광 흡수를 줄일 수 있게 된다.
본 개시에 따른 하나의 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 반도체 소자 구조물 또는 패키지를 쉽게 제조할 수 있게 된다.
또한 본 개시에 따른 다른 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 봉지제가 캐리어로 역할하는 구조물 또는 패키지를 만들 수 있게 된다.
또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 투광성 봉지제가 캐리어로 역할하는 발광소자 구조물 또는 패키지를 만들 수 있게 된다.
또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 복수의 반도체 소자를 쉽게 전기적으로 연결할 수 있게 된다.
또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 다른 구조의 반도체 소자들을 쉽게 전기적으로 연결할 수 있게 된다
또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 봉지제에 거친 표면 또는 요철을 형성할 수 있게 된다.
또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 격벽을 반도체 구조물 형성 공정에서 쉽게 추가할 수 있게 된다.
플레이트 1 반도체 소자 2 접착제 3
Claims (9)
- 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 있어서,
플레이트 위에 반도체 소자와 격벽을 위치 고정하는 단계;로서, 반도체 소자는 반도체 발광소자이며, 반도체 소자의 전극이 플레이트를 향하도록 위치 고정하는 단계;
반도체 소자와 격벽을 봉지제로 덮는 단계;
반도체 소자와 격벽을 남겨두고, 봉지제로부터 플레이트를 분리하는 단계; 그리고,
봉지제를 절단하는 단계;를 포함하며,
격벽은 절연막이고 격벽의 측면은 경사면인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법. - 청구항 1에 있어서,
절단하는 단계에 앞서, 봉지제 위에 적어도 하나의 추가의 층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법. - 청구항 1에 있어서,
절단하는 단계에 앞서, 봉지제에 렌즈를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법. - 청구항 3에 있어서,
렌즈 위에 형성된 광 산란층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법. - 청구항 1에 있어서,
절단하는 단계에 앞서, 봉지제에 요철을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법. - 청구항 1에 있어서,
격벽은 광 반사막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법. - 반도체 소자 구조물에 있어서,
봉지제;
봉지제에 의해 둘러싸이며, 봉지제의 하부로 전극이 노출되는 반도체 발광소자;로서, 반도체 발광소자인 반도체 소자;
전극이 노출되는 측의 봉지제에 결합되며, 광 반사막인 격벽; 그리고,
봉지제와 격벽에 의해 형성되는 측면;으로서, 연속하여 이어진 절단된 측면;을 포함하며,
격벽은 절연막이고 격벽의 측면은 경사면인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물. - 청구항 7에 있어서,
봉지제의 상부에 렌즈를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물. - 청구항 7에 있어서,
격벽은 백색인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130045692A KR101476771B1 (ko) | 2013-04-24 | 2013-04-24 | 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 |
| PCT/KR2014/003604 WO2014175682A1 (ko) | 2013-04-24 | 2014-04-24 | 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130045692A KR101476771B1 (ko) | 2013-04-24 | 2013-04-24 | 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140127457A KR20140127457A (ko) | 2014-11-04 |
| KR101476771B1 true KR101476771B1 (ko) | 2014-12-29 |
Family
ID=52451686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130045692A Expired - Fee Related KR101476771B1 (ko) | 2013-04-24 | 2013-04-24 | 반도체 소자 구조물 및 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101476771B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10699991B2 (en) | 2017-06-15 | 2020-06-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Packaged light emitting devices including electrode isolation structures and methods of forming packaged light emitting devices including the same |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102432859B1 (ko) * | 2015-07-10 | 2022-08-16 | 삼성전자주식회사 | 발광 장치 및 이를 포함하는 발광 모듈 |
| KR20170058489A (ko) * | 2015-11-18 | 2017-05-29 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자용 프레임 |
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| US11038086B2 (en) | 2016-03-07 | 2021-06-15 | Semicon Light Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting element and manufacturing method therefor |
| KR101865786B1 (ko) * | 2016-11-09 | 2018-06-11 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법 |
| DE112017007998T5 (de) * | 2017-08-28 | 2020-06-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Halbleitervorrichtung |
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| CN110197867A (zh) | 2018-02-26 | 2019-09-03 | 世迈克琉明有限公司 | 半导体发光器件及其制造方法 |
| KR102338179B1 (ko) | 2020-05-26 | 2021-12-10 | 주식회사 에스엘바이오닉스 | 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 |
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- 2013-04-24 KR KR1020130045692A patent/KR101476771B1/ko not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20140127457A (ko) | 2014-11-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20130424 |
|
| PA0201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20140404 Patent event code: PE09021S01D |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20141211 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20141219 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20141222 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| PC1903 | Unpaid annual fee | ||
| PR0401 | Registration of restoration |
Patent event code: PR04011E01D Patent event date: 20180803 Comment text: Registration of Restoration |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20180806 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20181116 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191002 Year of fee payment: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20191002 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20200713 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20210706 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20220204 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
| PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20240929 |