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KR101442065B1 - 수지 전극 페이스트 및 그것을 이용해 형성된 수지 전극을 가지는 전자 부품 - Google Patents

수지 전극 페이스트 및 그것을 이용해 형성된 수지 전극을 가지는 전자 부품 Download PDF

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KR101442065B1
KR101442065B1 KR1020127020390A KR20127020390A KR101442065B1 KR 101442065 B1 KR101442065 B1 KR 101442065B1 KR 1020127020390 A KR1020127020390 A KR 1020127020390A KR 20127020390 A KR20127020390 A KR 20127020390A KR 101442065 B1 KR101442065 B1 KR 101442065B1
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KR
South Korea
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resin
electrode paste
resin electrode
softening point
electrode
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히토시 쿠로미
카츠아키 히가시
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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

본 발명은 도포 후에 수지 전극 페이스트에 포함되는 용제를 신속하게 건조시키는 것이 가능하고, 형상 정밀도가 높은 수지 전극을 효율적으로 형성하는 것이 가능한 수지 전극 페이스트 및 전자 부품 소자의 표면에, 그 수지 전극 페이스트를 이용해 형성해서 이루어지는 수지 전극을 포함한 전자 부품을 제공한다. 도전 재료 분말과 용제와 용제에 용해한 수지 성분을 포함하고, 가열하여 용제를 제거하는 건조 공정과, 수지를 경화시키는 수지 경화 공정을 거쳐, 도전 재료 분말이, 경화한 수지 중에 분산된 상태의 수지 전극을 형성하기 위해서 이용되는 수지 전극 페이스트에 있어서, 수지 성분이, 건조 공정에 있어서의 가열 온도에서 고체상태를 유지하는 것이 가능한 연화점을 가지는 제 1 수지; 제 1 수지보다 연화점이 45℃ 이상 낮고, 건조 공정에 있어서의 가열 온도에서 액상이 되는 제 2 수지; 를 포함하고, 제 2 수지의 첨가량이, 제 1 수지 및 제 2 수지의 총량에 대해서 10~40 중량%의 범위에 있는 구성으로 한다.

Description

수지 전극 페이스트 및 그것을 이용해 형성된 수지 전극을 가지는 전자 부품{RESIN ELECTRODE PASTE, AND ELECTRONIC COMPONENT EQUIPPED WITH RESIN ELECTRODE PRODUCED USING SAME}
본 발명은, 수지 전극 페이스트 및 그것을 이용해 형성된 수지 전극을 가지는 전자 부품에 관한 것이며, 자세하게는, 전자 부품의 외부 단자 전극을 구성하는 수지 전극을 형성하는데 적합하게 이용되는 수지 전극 페이스트 및 수지 전극 페이스트를 이용해 형성된 수지 전극을 가지는 전자 부품에 관한 것이다.
최근, 칩형 적층 세라믹 콘덴서 등의 전자 부품에 있어서, 도전 성분을 함유하는 수지 조성물을 도포해 경화시킴으로써 형성되는 수지 전극을 외부 단자 전극으로서 포함한 것이 이용되기에 이르고 있다.
또, 수지 전극을 형성할 즈음에는, 금속 분말 등의 도전 재료 분말과 수지와 용제를 포함하는 수지 전극 페이스트를 도포해 건조시킨 후, 경화시킴으로써 수지 전극을 형성하는 방법이 널리 이용되고 있다.
그리고, 이러한 수지 전극의 형성에 이용되는 수지 전극 페이스트로서, 예를 들면, 이하의 (1) 및 (2)의 도전성 수지 페이스트가 제안되고 있다.
(1)이관능 에폭시 수지와 이관능 페놀류의 배합 당량비를 에폭시기/페놀 수산기=1:0.9~1.1로 하고, 촉매의 존재 하에, 비점이 130℃ 이상인 아미드계 또는 케톤계 용매 중에서, 반응 고형분 농도 50중량% 이하의 조건에서 가열해 중합시킴으로써 얻은, 환원 점도가 0.70dl/g 이상이고, 직쇄상(直鎖狀)의 고분자량 에폭시 중합체에, 다관능 에폭시 수지, 경화제 및 도전성을 가지는 분말 또는 섬유를 배합하도록 한 도전성 에폭시 페이스트(특허 문헌 1).
(2)이관능 에폭시 수지와 이관능 페놀류를, 이관능 에폭시 수지와 이관능 페놀류의 배합 당량비를 에폭시기/페놀 수산기=1:0.9~1.1로 하고, 촉매의 존재 하에, 비점이 130℃ 이상인 아미드계 또는 케톤계 용매 중, 반응 고형분 농도 50 중량% 이하에서, 가열해 중합시켜 얻은 환원 점도가 0.70dl/g 이상이고, 직쇄상의 고분자량 에폭시 중합체에, 다관능 에폭시 수지, 경화제 및 전기 절연성을 가지고 열전도율이 높은 무기 화합물의 분말 또는 섬유를 배합하도록 한 고열 전도성 에폭시 페이스트(특허 문헌 2).
일본특허 2643646호 공보 일본특허 2643649호 공보
상술한 특허 문헌 1 및 2에 개시되어 있는 종래의 수지 전극 페이스트를 이용해 수지 전극을 형성하는 경우, 내열성을 확보하기 위해서는 고분자량의 수지(상기 종래예에서는 에폭시 수지)를 사용하는 것이 필요하게 된다. 그러나, 고분자량의 수지를 사용했을 경우, 연화점이 높아지고, 도포 후에 수지 전극 페이스트에 포함되는 용제를 휘발시켜 용제를 제거하는 공정(건조 공정)에 있어서의 용제의 제거성(건조성)이 저하해, 생산성이 저하된다고 하는 문제점이 있다.
또, 건조성을 확보하기 위해서, 고분자량의 수지의 사용량을 자제하면, 실장 공정에서 요구되는 내열성(땜납 내열성)이 저하된다고 하는 문제점이 있다.
본 발명은, 상기 과제를 해결하는 것으로서, 도포 후에 수지 전극 페이스트에 포함되는 용제를 신속하게 건조시키는 것이 가능하고, 또, 형상 정밀도가 높고, 내열성도 우수한 수지 전극을 효율적으로 형성하는 것이 가능한 수지 전극 페이스트 및 전자 부품 소자의 표면에, 그 수지 전극 페이스트를 이용해 형성하여 이루어지는, 형상 정밀도가 높고, 내열성이 우수한 수지 전극을 가지는 전자 부품을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 수지 전극 페이스트는,
도전 재료 분말과 용제와 용제에 용해한 수지 성분을 포함하고, 가열하여 용제를 제거하는 건조 공정과, 상기 수지를 경화시키는 수지 경화 공정을 거쳐, 상기 도전 재료 분말이, 경화한 수지 중에 분산된 상태의 수지 전극을 형성하기 위해서 이용되는 수지 전극 페이스트로서,
상기 수지 성분은, 상기 건조 공정에 있어서의 가열 온도에서 고체상태를 유지하는 것이 가능한 연화점을 가지는 제 1 수지;
상기 제 1 수지보다 연화점이 45℃ 이상 낮고, 상기 건조 공정에 있어서의 가열 온도에서 액상이 되는 제 2 수지; 를 포함하고,
상기 제 2 수지의 첨가량은, 상기 제 1 수지 및 상기 제 2 수지의 총량에 대해서, 10~40 중량%인 것을 특징으로 하고 있다.
또, 본 발명에서 고체상태란, 이하의 방법에 의해 정의되는 상태를 말한다.
우선, 30mmφ의 관에 시료(제 1 수지)를 넣고, 용해시킨다. 그리고, 한 번 냉각해 응고시키고, 액면을 고정한 후에, 다시 평가 온도(건조 공정에 있어서의 가열 온도)까지 승온하고, 관을 90° 넘어뜨린다. 이 때, 90초 경과한 시점에서 원래의 액면으로부터 30mm 이상 유동하는 것을 액체 상태, 그 미만의 것을 고체상태라고 한다.
따라서, 수지의 연화점보다 조금 높은 온도에서 건조시키더라도, 즉시 액상이 되는 것이 아니라, 상기 고체상태를 유지할 수 있다.
또, 본 발명의 수지 전극 페이스트는,
도전 재료 분말과 용제와 용제에 용해한 수지 성분을 포함하고, 가열하여 용제를 제거하는 건조 공정과, 상기 수지를 경화시키는 수지 경화 공정을 거쳐, 상기 도전 재료 분말이, 경화한 수지 중에 분산된 상태의 수지 전극을 형성하기 위해서 이용되는 수지 전극 페이스트로서,
상기 수지 성분은, 연화점이 128℃ 이상인 제 1 수지;
상기 제 1 수지보다 연화점이 45℃ 이상 낮고, 또 연화점이 97℃ 이하인 제 2 수지; 를 포함하고,
상기 제 2 수지의 첨가량은, 상기 제 1 수지 및 상기 제 2 수지의 총량에 대해서, 10~40 중량%인 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명의 도전성 페이스트에 있어서는, 상기 제 2 수지는, 주쇄(主鎖)의 구조가 상기 제 1 수지의 주쇄의 구조와 동일하고, 또 분자량이 상기 제 1 수지의 분자량보다 낮은 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 전자 부품은,
전자 부품 소자;
본 발명에 따른 수지 전극 페이스트를 도포·경화시켜서 이루어지는, 상기 전자 부품 소자의 표면에 형성된 수지 전극; 을 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명의 수지 전극 페이스트는, 수지 성분이, 건조 공정에 있어서의 가열 온도에서 고체상태를 유지하는 것이 가능한 연화점을 가지는 제 1 수지; 제 1 수지보다 연화점이 45℃ 이상 낮고, 건조 공정에 있어서의 가열 온도에서 액상이 되는 제 2 수지; 를 포함하고, 제 2 수지의 첨가량은, 제 1 수지 및 제 2 수지의 총량에 대해서, 10~40 중량%의 범위가 되도록 하고 있기 때문에, 도포 후에 수지 전극 페이스트에 포함되는 용제를 신속하게 건조시키는 것이 가능하게 된다.
수지 전극 페이스트의 내열성을 확보하기 위해서는, 연화점이 높은 고분자량의 에폭시 수지를 사용할 필요가 있지만, 그 경우, 건조 공정의 가열 온도에서 에폭시 수지가 고형 상태로 존재하게 되기 때문에, 표층의 용제가 휘발하면 표층만이 건조되어 표면에 피막 상태가 되고, 내부의 용제를 휘발할 수 없게 된다고 하는 현상이 발생한다. 그래서, 본 발명에서는, 이 현상을 억제하기 위해, 건조 공정의 가열 온도에서 고체상태를 유지하는 고연화점을 가지는 제 1 수지에, 제 1 수지보다 연화점이 45℃ 이상 낮고, 건조 공정의 가열 온도에서 액상이 되는 제 2 수지(저연화점 수지)를 첨가함으로써, 건조 공정에서 표층의 용제가 휘발해 표층만이 건조하고, 내부의 용제를 휘발할 수 없게 되는 것을 억제, 방지하여, 건조성을 향상시키도록 하고 있다.
따라서, 본 발명의 수지 전극 페이스트를 이용함으로써, 높은 건조성과 내열성을 확보해, 형상 정밀도가 높은 수지 전극을 효율적으로 형성하는 것이 가능하게 된다.
보다 구체적으로는, 수지 성분으로서, 연화점이 128℃ 이상인 제 1 수지; 제 1 수지보다 연화점이 45℃ 이상 낮고, 또 연화점이 97℃ 이하인 제 2 수지; 를 포함하는 것을 이용함으로써, 건조 공정에서 표층의 용제가 휘발해 표층만이 건조하고, 내부의 용제를 휘발할 수 없게 되는 것을 억제, 방지하여, 건조성을 향상시킬 수 있다.
또, 제 2 수지로서, 주쇄의 구조가 제 1 수지의 주쇄의 구조와 동일하고, 또 분자량이 제 1 수지의 분자량보다 낮은 것을 이용함으로써, 제 1 수지와 제 2 수지의 친화성을 확보하여, 건조 공정에서 표층의 용제가 휘발해 표층만이 건조하고, 내부의 용제를 휘발할 수 없게 되는 것을 더욱 확실히 억제, 방지하여, 건조성을 향상시키는 것이 가능하게 되어, 본 발명을 보다 실효성 있게 할 수 있다.
또는, 본 발명의 전자 부품은, 상술한 본 발명의 수지 전극 페이스트를 도포·경화시켜서 이루어지는 수지 전극을, 전자 부품 소자의 표면에 포함하고 있기 때문에, 종래의 금속 분말, 유기 바인더, 용제 등을 포함하는 도전 페이스트를 도포해 소성함으로써 형성되는 외부 단자 전극을 포함한 전자 부품에 비해, 외부 단자 전극으로부터 가해지는 응력이 작고, 신뢰성이 높은 전자 부품을 제공하는 것이 가능하게 된다.
도 1은 본 발명의 도전성 수지 조성물을 이용해 형성한 수지 전극을 포함한 전자 부품(칩형의 적층 세라믹 콘덴서)의 구성을 나타내는 단면도이다.
이하에 본 발명의 실시의 형태를 나타내고, 본 발명이 특징으로 하는 바를 더욱 자세하게 설명한다.
실시예 1
이 실시예에서는, 우선, 본 발명의 요건을 포함한 수지 전극 페이스트 및 본 발명의 요건을 포함하지 않은 비교용의 수지 전극 페이스트를 제작했다. 그리고, 제작한 수지 전극 페이스트를 이용해, 도 1에 나타낸 바와 같은, 수지 전극을 가지는 전자 부품(이 실시예에서는 칩형의 적층 세라믹 콘덴서)을 제작했다.
즉, 이 전자 부품(칩형의 적층 세라믹 콘덴서)은, 도 1에 나타낸 바와 같이, 세라믹층(2)과 내부 전극(3a, 3b)를 포함한 콘덴서 소자(적층 세라믹 소자)(1); 콘덴서 소자(적층 세라믹 소자)(1)의 양 단면(4a, 4b)에, 도전 페이스트를 도포해 소성함으로써 형성된 측면 전극(소성 후막 전극)(5a, 5b); 측면 전극(5a, 5b)을 덮도록 배설된 수지 전극(6a, 6b); 을 포함하고 있다. 또, 수지 전극(6a, 6b)의 표면에는, 제 1 도금막(Ni 도금막) 및 제 1 도금막 상에 형성된 제 2 도금막(Sn 도금막)이 형성되어 있지만, 도 1에서는 이들의 도금막에 대해서는 도시를 생략 하고 있다.
또, 상기 수지 전극(6a, 6b)은, 본 발명의 실시예에 따른 수지 전극 페이스트 또는 비교용의 수지 전극 페이스트를 이용해 형성된 것이다.
이하, 설명을 행한다.
[1] 수지 전극 페이스트의 제작
우선, 본 발명의 실시예에 따른 수지 전극 페이스트와, 비교용의 수지 전극 페이스트를 이하의 방법으로 제작했다. 또, 수지 전극 페이스트를 제작할 즈음에는, (a) 연화점이 높은 에폭시 수지( 제 1 수지)
(b) 연화점이 낮은 에폭시 수지( 제 2 수지)
(c) 경화제(노볼락 페놀 수지+이미다졸(촉매))
(d) 은분말
(e) 용제(디에틸렌글리콜 모노부틸에테르)
의 각 원료를, 표 1의 시료 번호 1~13의 조성이 되도록 칭량하고, 소형 믹서를 이용해 혼합한 후, 3본 롤밀을 이용해 혼련함으로써 수지 전극 페이스트를 제작했다.
또, 이미다졸(촉매)은, 상기 제 1 수지와 제 2 수지의 합계량의 1중량%(즉, 제 1 수지와 제 2 수지의 합계 중량×0.01)의 비율이 되도록 첨가했다.
또, 상기 제 2 수지로는, 주쇄의 구조가 상기 제 1 수지의 주쇄의 구조와 동일하고, 또 분자량이 상기 제 1 수지의 분자량보다 낮은 에폭시 수지를 이용했다.
시료
번호		 유효성분 제1수지와 제2수지의 비율 수지 전극 페이스트 조성(중량부) 건조성 땜납내열성 종합평가
제1수지 제2수지
연화점(℃) 분자량 연화점(℃) 분자량 제1수지 제2수지 은분말 제1수지 제2수지 경화제 용제
1 144 3800 액상 380 70 30 76.6 9.2 4.0 0.8 9.4 ◎ ○ ○
2 144 3800 64 900 90 10 76.6 12.0 1.3 0.7 9.4 ◎ ○ ○
3 144 3800 64 900 80 20 76.6 10.6 2.7 0.7 9.4 ◎ ○ ○
4 144 3800 64 900 70 30 76.6 9.3 4.0 0.8 9.4 ◎ ○ ○
5 144 3800 64 900 60 40 76.6 7.9 5.3 0.9 9.4 ◎ ○ ○
6 144 3800 97 1650 70 30 76.6 9.3 4.0 0.7 9.4 ○ ○ ○
7 144 3800 128 2900 70 30 76.6 9.3 4.0 0.7 9.4 × ○ ×
8 144 3800 - - 100 0 76.6 13.4 - 0.6 9.4 × × ×
9 144 3800 64 900 50 50 76.6 6.5 6.5 1.0 9.4 ○ × ×
10 128 2900 액상 380 90 10 76.6 11.4 1.3 1.3 9.4 ◎ ○ ○
11 128 2900 64 900 90 10 76.6 11.8 1.3 0.9 9.4 ○ ○ ○
12 128 2900 97 1650 90 10 76.6 11.9 1.3 0.8 9.4 × ○ ×
13 97 1650 액상 380 90 10 76.6 10.9 1.2 1.9 9.4 ◎ × ×
표 1의 시료 번호 1~6, 10 및 11의 시료는, 본 발명의 요건을 포함한 수지 전극 페이스트(본 발명의 실시예)이며, 시료 번호 7~9, 12 및 13의 시료는, 본 발명의 요건을 포함하지 않은 비교예로서의 수지 전극 페이스트이다.
[2] 평가용의 적층 세라믹 콘덴서(시료)의 제작
이 실시예에서는, 평가용의 적층 세라믹 콘덴서로서, 상술한 바와 같이, 도 1에 나타내는 적층 세라믹 콘덴서를 제작했다. 그리고, 수지 전극(6a, 6b)의 형성에는, 상술한 바와 같이 하여 제작한 수지 전극 페이스트를 이용했다.
평가용의 적층 세라믹 콘덴서(시료)를 제작할 즈음에는, 우선, 세라믹층(2)과 내부 전극(3a, 3b)을 포함한 세라믹 소결체인 콘덴서 소자(적층 세라믹 소자)(1)를 준비한다. 또, 여기에서는, 콘덴서 소자(1)로서 단면(4a, 4b)에 기초(下地) 전극이 되는 단면 전극(5a, 5b)이 각각 형성된 것을 준비했다.
또, 이 적층 세라믹 소자(1)는, 치수가, 길이 L=3.2, 폭 W=1.6mm, 두께 t=1.6mm로, 정전 용량 10μF의 콘덴서 소자이다.
그리고, 이하의 방법으로 건조성 및 땜납 내열성을 평가했다.
[건조성 평가]
콘덴서 소자(1)의 양단부에, 상술한 바와 같이 하여 제작한 수지 전극 페이스트를, 디핑 공법의 도포기를 이용해 도포한 후, 수지 전극 페이스트 중의 용제를 건조시키는 건조 공정을 실시해 건조성을 평가했다.
또, 용제를 건조시킬 즈음에는, 수지 전극 페이스트가 도포된 콘덴서 소자를 오븐에 넣고, 시료 번호 1~9에 대해서는 150℃에서, 시료 번호 10~13에서는 130℃에서, 각각 10분간 가열 건조했다.
그 후 오븐에서 콘덴서 소자를 꺼내, 실온까지 냉각한 후, 수지 전극 페이스트가 도포된 단면을 유지 지그에 삽입하고, 150℃, 1시간의 조건으로 더 가열해 경화시켰다.
그리고, 실체 현미경의 20배 관찰에 의해, 10개의 콘덴서 소자에 대해서, 수지 전극(6a, 6b)의 능선부 각 4개소를 관찰하고, 건조 시간 10분에서 수지 전극(6a, 6b)에 변형이 인정되지 않은 것을 건조성이 양호하다고 판정했다. 그 결과를 표 1에 함께 나타낸다.
또, 건조성의 양부(良否)에 관해서는, 수지 전극에 거의 변형이 생기지 않는 특히 양호한 것을 ◎로 하고, 그 다음으로 양호한 것을 ○으로 평가했다. 또, 변형의 정도가 크고, 실용성에 문제가 있다고 인정되는 것을 ×로 평가했다.
[땜납 내열성 평가]
상술한 바와 같이 하여 제작한 수지 전극 페이스트를 보드 상에 스키지(squeegee)해, 약 500μm 두께의 수지 전극 페이스트층을 형성했다. 그리고, 측면 전극(기초 전극)(5a, 5b)을 포함하는 콘덴서 소자(1)의 한쪽 측의 단면 부분을 이 수지 전극 페이스트층에 침지해 수지 전극 페이스트를 부여한 후, 시료 번호 1~9에 대해서는 150℃에서, 시료 번호 10~13에서는 130℃에서, 각각 1시간 가열 건조시켰다.
이어서, 동일하게, 다른쪽 측의 단면 부분을 약 500μm 두께의 수지 전극 페이스트층에 침지해 수지 전극 페이스트를 부여한 후, 동일하게 시료 번호 1~9에 대해서는 150℃에서, 시료 번호 10~13에서는 130℃에서, 각각 1시간 가열 건조시켰다.
그리고 나서, 전체를 200℃, 2시간의 조건으로 가열하고, 수지 전극 페이스트를 경화시킴으로써, 수지 전극(6a, 6b)을 형성했다.
그런 후, 습식 전해 배럴 도금법에 의해, 수지 전극상에 도금막을 형성함으로써, 도 1에 나타내는 적층 세라믹 콘덴서를 얻었다.
또, 도금막으로는, 제 1 도금막=Ni 도금막(두께 약 1~5μm)과, 이 제 1 도금막 상에 형성된 제 2 도금막=Sn 도금막(두께 약 3~9μm)을 포함한 2층 구조의 도금막을 형성했다. 다만, 도 1에서는, 도금막의 도시를 생략하고 있다.
그리고, 상술한 바와 같이 하여 제작한 수지 전극을 가지는 적층 세라믹 콘덴서를, 350℃로 가온한 공정 땜납욕(H60A, 센쥬 금속공업(주) 제품, eutectic solder bath)에 20초 침지했다. 침지 후, 적층 세라믹 콘덴서의 수지 전극의 상태를 200배의 금속 현미경으로 관찰하고, 수지 전극에 박리가 인정되지 않은 것을 양호(○)로 판정했다. 또, 수지 전극에 박리가 인정된 것에 대해서는 불량(×)으로 판정했다(n=20).
표 1로부터, 수지 성분을 구성하는 수지로서, 연화점이 높은 에폭시 수지(제 1 수지)와, 연화점이 낮은 에폭시 수지(제 2 수지)를 이용함과 동시에, 제 2 수지로서, 제 1 수지보다 연화점이 45℃ 이상 낮은 에폭시 수지를 이용하고, 또, 제 2 수지를 제 1 수지 및 제 2 수지의 총량에 대해서, 10~40 중량%의 비율로 첨가하도록 한 시료 번호 1~6, 10 및 11의 시료의 경우, 건조성 및 땜납 내열성 모두에 대해서 양호한 특성이 얻어지는 것이 확인되었다.
또, 시료 번호 1에서 이용되고 있는 제 2 수지는, 상온에서 액상(즉 연화점이 상온 이하)인 에폭시 수지이며, 시료 번호 2~5에서 이용되고 있는 제 2 수지는, 연화점이 64℃로, 제 1 수지보다 연화점이 80℃ 낮은 에폭시 수지이다. 또, 시료 번호 6에서 이용되고 있는 제 2 수지는, 연화점이 97℃로, 제 1 수지보다 연화점이 47℃ 낮은 에폭시 수지이다.
또, 시료 번호 10에서 이용되고 있는 제 1 수지는, 연화점이 128℃인 에폭시 수지이며, 제 2 수지로서 이용되고 있는 것은, 제 1 수지보다 연화점이 45℃ 이상 낮은, 상온에서 액상인 에폭시 수지이다.
또, 시료 번호 11에서 이용되고 있는 제 1 수지는, 연화점이 128℃인 에폭시 수지이며, 제 2 수지로서 이용되고 있는 것은, 제 1 수지보다 연화점이 64℃ 낮은, 연화점이 64℃인 에폭시 수지이다.
한편, 제 2 수지로서, 제 1 수지보다 연화점이 16℃ 낮은 에폭시 수지를 이용한 시료 번호 7 및 31℃ 낮은 에폭시 수지를 이용한 시료 번호 12의 시료의 경우, 제 1 수지와 제 2 수지의 연화점의 차이가 45℃보다 작아서, 불충분하며, 땜납 내열성은 양호했지만 건조성이 나빠지는 것이 확인되었다.
또, 제 2 수지를 첨가하지 않고 제 1 수지만을 이용한 시료 번호 8의 시료의 경우, 건조성 및 땜납 내열성의 어떤 특성도 좋지 않는 것이 확인되었다.
또, 제 2 수지로서, 제 1 수지보다 연화점이 충분히 낮은(80℃ 낮은) 제 2 수지를 이용한 경우이더라도, 제 2 수지의 첨가량이, 제 1 수지 및 제 2 수지의 총량에 대해서 50중량%와, 본원 발명의 범위(10~40 중량%)를 넘은 시료 번호 9의 시료의 경우에는, 건조성은 양호했지만 땜납 내열성이 불충분하다는 것이 확인되었다.
또, 시료 번호 13의 시료의 경우, 수지 전극 페이스트에 이용되고 있는 제 1 수지의 연화점이 128℃보다 낮고, 잔류 응력이 크기 때문에, 땜납 내열성 시험에서, 수지 전극이 적층 세라믹 소자로부터 박리하는 것이 확인되었다.
이상의 결과로부터, 제 2 수지로서, 제 1 수지보다 연화점이 45℃ 이상 낮은 에폭시 수지를, 제 1 수지 및 제 2 수지의 총량에 대해서 10~40중량%의 비율이 되도록 첨가함으로써, 건조성과 땜납 내열성 양쪽의 특성이 우수한 수지 전극 페이스트가 얻어지는 것이 확인되었다. 또, 본 발명의 수지 전극 페이스트를 이용함으로써, 높은 건조성을 확보하고, 형상 정밀도가 높은 땜납 내열성이 우수한 신뢰성이 높은 수지 전극을 효율적으로 형성할 수 있는 것이 확인되었다.
또, 이 실시예에서는, 제 1 수지 및 제 2 수지로서 에폭시 수지를 이용하는 경우를 예로 들어 설명했지만, 본 발명의 수지 전극 페이스트를 구성하는 제 1 수지 및 제 2 수지는, 에폭시 수지에 한정되는 것이 아니라, 예를 들면, 페놀계 수지, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 실리콘계 수지, 폴리이미드계 수지 등을 이용하는 것도 가능하다.
또, 상기 실시예에서는, 수지 전극의 형성 대상인 콘덴서 소자가 수지 전극의 기초 전극이 되는 측면 전극(소성 후막 전극)을 포함하고 있는 경우를 예로 들어 설명했지만, 하층 전극은 도금 등의 방법으로 형성되는 박막 전극이어도 된다. 또, 본 발명의 수지 전극 페이스트는, 조건을 조정함으로써, 콘덴서 소자 등의 전자 부품 소자의 단면에 직접적으로 수지 전극을 형성하는 경우에도 이용하는 것이 가능하다.
또, 상기 실시예에서는, 수지 전극을 포함한 전자 부품이 적층 세라믹 콘덴서인 경우를 예로 들어 설명했지만, 본 발명은, 코일 부품, LC복합 부품 등의 다양한 전자 부품을 구성하는 수지 전극을 형성하는 경우에 넓게 적용하는 것이 가능하다.
본 발명은, 한층 더 그 외의 점에서도 상기 실시예에 한정되는 것이 아니고, 수지 전극 페이스트를 구성하는 도전 재료 분말이나 용제의 종류, 전자 부품을 구성하는 전자 부품 소자의 구성이나 전자 부품 소자에 형성되는 수지 전극의 구체적인 형상 등에 관해서, 발명의 범위 내에서, 여러 가지의 응용, 변형을 가하는 것이 가능하다.
1: 적층 세라믹 소자(콘덴서 소자)
2: 세라믹층
3a, 3b: 내부 전극
4a, 4b: 콘덴서 소자의 단면
5a, 5b: 측면 전극(기초 전극)
6a, 6b: 수지 전극

Claims (4)

  1. 삭제
  2. 도전 재료 분말과 용제와 용제에 용해한 수지 성분을 포함하고, 가열하여 용제를 제거하는 건조 공정과, 상기 수지를 경화시키는 수지 경화 공정을 거쳐, 상기 도전 재료 분말이, 경화한 수지 중에 분산된 상태의 수지 전극을 형성하기 위해서 이용되는 수지 전극 페이스트로서,
    상기 수지 성분은, 연화점이 128℃ 이상인 제 1 수지;
    상기 제 1 수지보다 연화점이 45℃ 이상 낮고, 또 연화점이 97℃ 이하인 제 2 수지; 를 포함하고,
    상기 제 2 수지의 첨가량은, 상기 제 1 수지 및 상기 제 2 수지의 총량에 대해서, 10~40중량%이고,
    상기 제 2 수지는, 주쇄(主鎖)의 구조가 상기 제 1 수지의 주쇄의 구조와 동일하고, 또 분자량이 상기 제 1 수지의 분자량보다 낮은 것을 특징으로 하는 수지 전극 페이스트.
  3. 삭제
  4. 전자 부품 소자;
    제 2항에 기재된 수지 전극 페이스트를 도포·경화시켜서 이루어지는, 상기 전자 부품 소자의 표면에 형성된 수지 전극; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 부품.
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