KR101417009B1 - Lead-free borosilicate glass frit and its glass paste for forming an insulating layer - Google Patents
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- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 206
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims abstract description 51
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 61
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 54
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 51
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 50
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 20
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 18
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- -1 B 2 O 3 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 18
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 9
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 8
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 7
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 7
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 7
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 7
- 229960004667 ethyl cellulose Drugs 0.000 description 7
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 7
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 3
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 3
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L barium(2+);oxomethanediolate Chemical compound [Ba+2].[O-][14C]([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L 0.000 description 1
- YISOXLVRWFDIKD-UHFFFAOYSA-N bismuth;borate Chemical compound [Bi+3].[O-]B([O-])[O-] YISOXLVRWFDIKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000004031 devitrification Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000001023 inorganic pigment Substances 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000011505 plaster Substances 0.000 description 1
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 description 1
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229940100890 silver compound Drugs 0.000 description 1
- 150000003379 silver compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000004078 waterproofing Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
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- C03C3/068—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron containing rare earths
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
- C03C8/16—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions with vehicle or suspending agents, e.g. slip
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- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
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Abstract
본 발명의 목적은 절연층을 형성하는 유리 조성물 중에 PbO를 함유하지 않는 절연층 형성용의 유리 프릿을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 수단으로서, SiO2, Al2O3, B2O3, Li2O+Na2O+K2O, MgO+CaO+SrO+BaO, ZnO, CuO, SnO2, CeO2 및 Gd2O3를 기본조성으로 하는 무연 붕규산염 유리에 있어서, 상기 무연 붕규산염 유리 프릿에 Al2O3, SiO2, ZrO 및 ZnO의 1개 이상의 무기산화물을 함유시켜 유리 페이스트로 해서 도포, 소성하여 형성된 절연층은 백색으로 황색화되기 어렵다.
무연 붕규산염 유리, 유리 페이스트, 무기 산화물
An object of the present invention is to provide a glass frit for forming an insulating layer containing no PbO in a glass composition forming an insulating layer.
As a means for achieving the above object, SiO 2, Al 2 O 3 , B 2 O 3, Li 2 O + Na 2 O + K 2 O, MgO + CaO + SrO + BaO, ZnO, CuO, SnO 2, CeO 2 and Gd 2 O 3 as a base composition, at least one inorganic oxide of Al 2 O 3 , SiO 2 , ZrO, and ZnO is contained in the lead-free borosilicate glass frit and coated as a glass paste , The insulating layer formed by firing is hardly yellowed to white.
Lead-free borosilicate glass, glass paste, inorganic oxide
Description
본 발명은 백색으로 황색화(즉, 황변화)되기 어려운 절연층을 소성에 의해 형성하기 위한 무연(lead-free) 붕규산염 유리 프릿 및 그의 유리 페이스트와 관련된 것으로, 상세하게는, 백색으로 황색화되기 어려운 절연층을 은 전극 위에 소성에 의해 형성하기 위한 무연 붕규산염 유리 프릿 및 그의 유리 페이스트에 관한 것이며, 또, 플라즈마 디스플레이 패널의 배면 기판 혹은 평면 방전 발광 방식의 전자 디스플레이에 형성된 은 전극 위에 백색으로 황색화되기 어려운 절연층을 소성에 의해 형성하기 위한 무연 붕규산염 유리 프릿 및 그의 유리 페이스트에 관한 것이다.The present invention relates to a lead-free borosilicate glass frit and a glass paste thereof for forming an insulating layer which is hardly yellowed (that is, sulfur-changed) into white by firing, and more particularly relates to a lead- The present invention relates to a lead-free borosilicate glass frit and a glass paste thereof for forming an insulating layer which is difficult to be formed on a silver electrode by firing, and to a silver paste formed on a silver electrode formed on a rear substrate of a plasma display panel or an electronic display of a planar discharge- Lead-free borosilicate glass frit and its glass paste for forming an insulating layer which is hardly yellowed by firing.
종래, 플라즈마 디스플레이 패널이나 형광표시관 등의 절연층으로서 저융점 유리 프릿이 사용되고 있고, 이러한 유리에는 저융점화를 위해서 납성분을 함유하고 있는 것이 이용되고 있다. 최근, 납함유 유리에 대하여 환경상의 문제가 지적되어, 작업환경 및 폐기물 처리 등에 문제가 없도록, 납을 함유하지 않는 유리가 요구되고 있다. 이러한 문제에 대응해서, 밀봉·피복용의 유리로서 인산염계의 무연 저융점 유리가 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1). 또, 본 발명자들은, 플라즈마 디스플레이 패널, 형광표시관 등의 밀봉·피복용의 유리로서, 작업환경 및 폐기물처리 등에 문제가 없는 것으로, PbO를 포함하지 않는 절연층 형성용 유리를 제안했다(예를 들어, 특허문헌 2). 또한, 저융점 유리와 산화제를 함유하는 유전체 페이스트로 형성된 유전체층의 황색화를 방지해서 발광 효율을 향상시킨 것이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 3).Conventionally, a low-melting point glass frit is used as an insulating layer of a plasma display panel, a fluorescent display tube or the like. Such a glass contains a lead component for lowering the melting point. In recent years, an environmental problem has been pointed out with respect to lead-containing glass, and glass which does not contain lead has been demanded in order to avoid problems such as working environment and waste treatment. In response to such a problem, a phosphate-based lead-free low melting point glass is known as a glass for sealing and coating (for example, Patent Document 1). The inventors of the present invention have proposed a glass for forming an insulating layer that does not contain PbO, which is a glass for sealing and coating such as a plasma display panel, a fluorescent display tube, and the like, For example, Patent Document 2). Further, it is known that the dielectric layer formed of a dielectric paste containing a low-melting glass and an oxidizing agent is prevented from yellowing to improve the luminous efficiency (for example, Patent Document 3).
[특허문헌 1] 일본국 공개 특허 제2001-180972호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-180972
[특허문헌 2] 일본국 특허 출원 제2005-94574호[Patent Document 2] Japanese Patent Application No. 2005-94574
[특허문헌 3] 일본국 공개 특허 제2002-25341호 공보.[Patent Document 3] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-25341.
본 발명자들은 Pb를 함유하지 않아 환경오염의 문제가 없는 것으로, 플라즈마 디스플레이 패널, 형광표시관 등의 피복에 이용하는 절연층 형성용 유리 프릿 및 그의 유리 페이스트를 제안했다(특허문헌 2). 이 Pb를 함유하지 않는 유리 프릿은, 590℃ 이하에서 소성할 수 있고, 소성 후에 절연층(유전체층으로서의 작용을 함)에 균열 등의 발생이 없어, 절연 성능이 유지되는 것이다. 한층 더, 이 무연 붕규산염 유리 프릿에 흑색 무기안료, 무기산화물, 유기 바인더 및 유기용제 등을 함유시킨 유리 페이스트로 해서 플라즈마 디스플레이 패널의 블랙 스트라이프, 형광표시관 등의 절연층의 형성에 사용함으로써, 화상표시 시 콘트라스트를 발휘하는 작용을 갖고 있는 것이다.The present inventors have proposed a glass frit for forming an insulating layer used for covering a plasma display panel, a fluorescent display tube and the like, and a glass paste thereof without the problem of environmental pollution because Pb is not contained (Patent Document 2). The glass frit that does not contain Pb can be fired at 590 DEG C or lower, and cracking or the like does not occur in the insulating layer (acting as a dielectric layer) after firing, and the insulating performance is maintained. Furthermore, by using this glass paste as a glass paste containing black inorganic pigment, inorganic oxide, organic binder and organic solvent in the lead-free borosilicate glass frit and forming an insulating layer such as a black stripe or a fluorescent display tube of a plasma display panel, And has an effect of exerting a contrast in image display.
특허문헌 2에서 제안한 PbO를 함유하지 않는 절연층 형성용 유리 프릿의 페이스트는, 블랙 스트라이프, 형광표시관 등의 절연층의 형성에 사용함으로써 우수한 효과를 발휘하는 것이지만, 은 전극을 피복하도록 상기 유리의 페이스트로 절연층을 형성했을 경우, 상기 은 전극 중의 은이 이온화해서 백색 절연층에 확산되어, 백색 절연층은 황색화한다고 하는 문제가 있었다. 예를 들어, 플라즈마 디스플레이 패널의 배면 기판의 절연층과 같은 표시 패널에 요구되는 절연층이 백색으로, 불투명, 또한 황변화되기 어렵다고 하는 성질에서는 문제가 있었다.The paste of the glass frit for forming an insulating layer which does not contain PbO proposed in
유전체층의 황색화를 방지해서 발광 효율을 향상시킨 것으로서 특허문헌 3에 개시된 것이 알려져 있지만, 본 발명은, 작업환경 및 폐기물처리 등에 문제가 없도 록 납을 함유시키지 않는 것으로, 표시 패널에 요구되는 백색으로, 불투명, 또한 황변화되기 어렵다고 하는 성질도 구비한 절연층을 소성에 의해 형성하기 위한 무연 붕규산염 유리 프릿 및 그의 유리 페이스트를 제공하는 것이다.Although it is known that the yellowing of the dielectric layer is prevented and the luminous efficiency is improved, the present invention has been disclosed in Patent Document 3. However, the present invention does not include lead so that there is no problem in working environment and waste treatment, Free borosilicate glass frit and a glass paste thereof for forming an insulating layer having a property of being opaque and also hardly changeable by sintering by firing.
본 발명(청구범위 제 1항)은, 유리 조성이 몰(mol) 환산 백분율로, The present invention (claim 1) is a glass composition in which the glass composition has a molar conversion percentage,
SiO2: 16 내지 30 몰%, 16 to 30 mol% of SiO 2 ,
Al2O3: 1 내지 8 몰%, 1 to 8 mol% of Al 2 O 3 ,
B2O3: 20 내지 32 몰%, B 2 O 3 : 20 to 32 mol%
Li2O+Na2O+K2O 중 적어도 Li2O를 0.1 몰% 이상 함유하고, 2종 이상의 합계가 8 내지 14 몰%, At least Li 2 O in 0.1 mol% or more of Li 2 O + Na 2 O + K 2 O, and the total of two or more species is 8 to 14 mol%
MgO+CaO+SrO+BaO 중 적어도 1종 이상 함유하고, 그 합계가 1 내지 10 몰%,MgO + CaO + SrO + BaO, the total amount of which is 1 to 10 mol%
ZnO: 22 내지 35 몰%, 22 to 35 mol% of ZnO,
CuO: 0.005 내지 0.1 몰%,0.005 to 0.1 mol% of CuO,
SnO2: 0.O1 내지 1 몰%,SnO 2 : 0.01 to 1 mol%
CeO2: 0.01 내지 1 몰% 및0.01 to 1 mol% of CeO 2 and
Gd2O3: 0.1 내지 2.0 몰%Gd 2 O 3 : 0.1 to 2.0 mol%
를 기본조성으로 하는 무연 붕규산염 유리이며, Which is a lead-free borosilicate glass,
상기 조성의 유리가 평균 입경 1 내지 5 ㎛이고, 또한 최대입경이 20 ㎛ 이 하로 입도 조정된 유리 프릿이며, 유리전이점이 500℃ 이하, 평균 선팽창계수가 65 내지 80×10-7/℃, 내수성능이 80℃의 순수에 24시간 폭로되는 조건에 있어서 내수감량값으로서 0.1 ㎎/㎠ 이하의 성능을 갖는 내수성이 우수한 프릿이며, 또한, 상기 유리 프릿과 Al2O3, SiO2, ZrO 및 ZnO 중 적어도 1개 이상의 무기산화물을 함유하는 유리 페이스트를 은 전극 위에 도포, 소성하여 형성된 절연층은 백색으로 황색화되기 어려운 것을 특징으로 하는 절연층을 소성에 의해 형성하기 위한 무연 붕규산염 유리 프릿이다.Wherein the glass having the above composition is a glass frit having an average particle size of 1 to 5 占 퐉 and a maximum particle size of less than 20 占 퐉 and having a glass transition point of 500 占 폚 or less and an average linear expansion coefficient of 65 to 80 占10-7 / The frit is excellent in water resistance and has a performance of 0.1 mg /
또, 본 발명(청구범위 제 2항)은, 상기(청구범위 제 1항)에 기재된 무연 붕규산염 유리 프릿, 무기충전재인 Al2O3, SiO2, ZrO 및 ZnO 중 적어도 1개 이상의 무기산화물, 비히클을 함유하는 유리 페이스트이며, 상기 유리 페이스트를 은 전극 위에 도포, 소성하여 형성된 절연층은 백색으로 황색화되기 어려운 것을 특징으로 하는 절연층을 소성에 의해 형성하기 위한 무연 붕규산염 유리 프릿의 페이스트이다.The present invention (claim 2) is characterized in that the lead-free borosilicate glass frit described in the above (claim 1), at least one inorganic oxide of Al 2 O 3 , SiO 2 , ZrO and ZnO as inorganic fillers , And a glass paste, which is a glass paste, and the insulating layer formed by applying and firing the glass paste onto a silver electrode is hardly yellowed to white, and a paste of a lead-free borosilicate glass frit to be.
또한, 본 발명(청구범위 제 3항)은, 상기(청구범위 제 1항)에 기재된 무연 붕규산염 유리 프릿 100 중량부, 무기충전재인 Al2O3, SiO2, ZrO 및 ZnO 중 적어도 1개 이상의 무기산화물 1 내지 10 중량부, 에틸셀룰로스 또는 아크릴수지와 유기용제를 함유하는 비히클 30 내지 100 중량부를 함유하는 유리 페이스트이며, 상기 유리 페이스트를 은 전극 위에 도포, 소성하여 형성된 절연층은 백색으로 황색화되기 어려운 것을 특징으로 하는 절연층을 소성에 의해 형성하기 위한 무연 붕규산염 유 리 프릿의 페이스트이다.In addition, the present invention (Claim 3) is characterized in that 100 parts by weight of the lead-free borosilicate glass frit described in the above (Claim 1), at least one of Al 2 O 3 , SiO 2 , ZrO and ZnO which are inorganic fillers 1 to 10 parts by weight of an inorganic oxide, 30 to 100 parts by weight of a vehicle containing ethyl cellulose or an acrylic resin and an organic solvent, and the insulating layer formed by applying the glass paste on the silver electrode and firing is white Lead-free borosilicate glass frit paste for forming an insulating layer by firing.
또, 본 발명(청구범위 제 4항)은, 무연 붕규산염 유리 프릿의 페이스트를 은 전극 위에 도포, 소성하여 형성되는 백색 절연층은 그 명도(밝기), 적색기, 황색기를 L*a*b* 표색계의 표시에서, L*값이 85 이상, a*값이 -2 내지 2, b*값이 0 내지 13의 범위이며, 또한, 상기 절연층은 백색으로 황색화되기 어려운 것을 특징으로 하는 상기(청구범위 제 2항 또는 제 3항)에 기재된 절연층을 소성에 의해 형성하기 위한 무연 붕규산염 유리 프릿의 페이스트이다.In the present invention (claim 4), the white light-emitting layer formed by applying the paste of the lead-free borosilicate glass frit onto the silver electrode and firing is used as lightness, red, * In the colorimetric display, the L * value is 85 or more, the a * value is -2 to 2, the b * value is 0 to 13, and the insulating layer is hardly yellowed to white Free bismuth-borate glass frit paste for forming the insulating layer according to
또한, 본 발명(청구범위 제 5항)은, 유리 프릿의 페이스트를 소성하여 형성되는 절연층은 플라즈마 디스플레이 패널의 배면 유리 기판에 형성된 은 전극 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 상기(제 2항 내지 제 4항 중 어느 한 항)에 기재된 절연층을 소성에 의해 형성하기 위한 무연 붕규산염 유리 프릿의 페이스트이다.The present invention (claim 5) is characterized in that the insulating layer formed by firing the paste of the glass frit is formed on a silver electrode formed on the rear glass substrate of the plasma display panel. 4] is a paste of a lead-free borosilicate glass frit for firing an insulating layer according to any one of [1] to [4].
또, 본 발명(청구범위 제 6항)은, 유리 프릿의 페이스트를 소성하여 형성되는 절연층은 평면 방전 발광 방식의 전자 디스플레이의 은 전극 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 상기(제 2항 내지 제 4항 중 어느 한 항)에 기재된 절연층을 소성에 의해 형성하기 위한 무연 붕규산염 유리 프릿의 페이스트이다.In the present invention (claim 6), it is preferable that the insulating layer formed by firing the paste of the glass frit is formed on the silver electrode of the electronic display of the planar discharge light emission method Is a paste of a lead-free borosilicate glass frit for forming an insulating layer according to any one of < 1 >
본 발명의 절연층을 형성하기 위한 무연 붕규산염 유리 프릿 및 그의 유리 페이스트는 유리의 성분으로서 납을 함유하지 않고 있으므로, 납에 의한 환경오염의 문제는 없는 것이다. 또, 본 발명의 무연 붕규산염 유리 프릿은, 유리 조성이 몰 환산 백분율로, SiO2: 16 내지 30 몰%, Al2O3: 1 내지 8 몰%, B2O3: 20 내지 32 몰%, Li2O+Na2O+K2O 중 적어도 Li2O를 0.1 몰% 이상 함유하고 2종 이상의 합계가 8 내지 14 몰%, MgO+CaO+SrO+BaO 중 적어도 1종 이상을 포함하고, 그 합계가 1 내지 10몰%, ZnO: 22 내지 35 몰%, CuO: 0.005 내지 0.1 몰%, SnO2: 0.O1 내지 1 몰%, CeO2: 0.01 내지 1 몰% 및 Gd2O3: 0.1 내지 2.0몰%를 기본조성으로 하는 무연 붕규산염 유리이며, 이것은 납을 함유하지 않고 있으므로 환경오염의 문제가 없는 것이고, 또한, 유리전이점이 500℃ 이하, 40 내지 300℃에 있어서의 평균 선팽창계수가 65 내지 80×10-7/℃이며, 내수성능이 80℃인 순수에 24시간 폭로했을 때, 내수감량값이 0.1 ㎎/㎠ 이하의 성능을 갖는 것으로 내수성이 뛰어난 것이며, 소성 후에 절연층에 균열이 발생하지 않는 것이다.The lead-free borosilicate glass frit and its glass paste for forming the insulating layer of the present invention do not contain lead as a component of the glass, so there is no problem of environmental pollution caused by lead. In addition, the lead-free borosilicate glass frit of the present invention has a glass composition of 16 to 30 mol% SiO 2 , 1 to 8 mol% of Al 2 O 3 , 20 to 32 mol% of B 2 O 3, , contains Li 2 O + Na 2 O + K 2 O of at least Li 2 O 0.1 containing more than mole% and the sum of two or more from 8 to 14 mol%, MgO + CaO + SrO + BaO of at least one of , SnO 2 : 0.01 to 1 mol%, CeO 2 : 0.01 to 1 mol%, and Gd 2 O 3 in a total amount of 1 to 10 mol%, ZnO: 22 to 35 mol%, CuO: 0.005 to 0.1 mol% : 0.1 to 2.0 mol% based on the total weight of the lead-free borosilicate glass. This lead-free borosilicate glass has no problem of environmental pollution because it does not contain lead and has a glass transition temperature of 500 캜 or lower, the coefficient of 65 to 80 × 10 -7 / ℃, when exposed for 24 hours in water resistance is 80 ℃ pure, that the domestic loss value with the performance of more than 0.1 ㎎ / ㎠ will excellent water resistance after firing It does not cause cracks in the yeoncheung.
또한, 플라즈마 디스플레이 패널이나 평면 방전 발광 방식의 전자 디스플레이 등을 제조할 때에, 기판 위에 은 전극을 부착하고, 그 위에 유리 페이스트를 도포, 소성하여 형성되는 절연층은, 은 전극 중의 은이 이온화해서 백색 절연층으로 확산하여 황색화한다고 하는 문제가 있었지만, 본 발명의 절연층을 형성하기 위한 무연 붕규산염 유리 프릿을 함유하는 유리 페이스트에 의하면, 백색 절연층의 황색화를 발생시키지 않는 것이다.When manufacturing a plasma display panel or an electronic display of a flat discharge light emission type, an insulating layer formed by attaching a silver electrode on a substrate and applying and firing a glass paste thereon is silver ionized into a silver electrode Layer. However, the glass paste containing the lead-free borosilicate glass frit for forming the insulating layer of the present invention does not cause yellowing of the white insulating layer.
즉, 플라즈마 디스플레이 패널이나 평면 방전 발광 방식의 전자 디스플레이 등을 제조할 때에, 유전체층으로 되는 절연층은 유리 페이스트를 도포, 소성하여 형성하는 것이지만, 전극재료에 이용되고 있는 은이 확산하여 절연층을 황색화하는 일이 있다. 플라즈마 디스플레이 패널의 배면 유리 기판이나 평면 방전 발광 방식의 전자 디스플레이의 절연층이 황색화하면, 광의 반사율이 저하하여, 디스플레이의 발광률을 저하시키고, 또한, 디스플레이에 영출(映出)되는 색이 나빠진다고 하는 문제가 있었다.That is, in manufacturing a plasma display panel or an electronic display of a flat discharge light emission type, the insulating layer which is a dielectric layer is formed by coating and firing a glass paste. Silver used for the electrode material diffuses to yellow the insulating layer There is a thing to do. If the rear glass substrate of the plasma display panel or the insulating layer of the electronic display of the planar discharge light emission system is yellowed, the reflectance of the light is lowered, the emission rate of the display is lowered and the color displayed on the display is deteriorated There was a problem.
특히, 유리 페이스트를 도포, 소성하여 형성한 절연층을, 플라즈마 디스플레이 패널의 배면 유리 기판측 유전체층으로서 사용하기 위해서는, 590℃ 이하로 소성할 수 있고, 소성 후에 균열 등의 발생이 없고, 절연 성능이 유지되는 동시에, 또한, 백색인 것이 요구된다. 백색이 아니면 플라즈마 디스플레이 패널에서 영상을 영출할 때, 발광 휘도가 오르지 않고, 또 어드레스 전극이 비추어 들어가는 일이 발생하여, 영출되는 영상이나 그 색이 나빠진다고 하는 문제가 있었다.Particularly, in order to use an insulating layer formed by applying and firing a glass paste as a dielectric layer on the rear glass substrate side of a plasma display panel, it is possible to perform firing at 590 DEG C or lower, And is also required to be white. There is a problem in that when the image is emitted from the plasma display panel, the luminance of light emission does not rise and the address electrode is reflected, which results in poor image quality and color.
본 발명의 무연 붕규산염 유리 프릿을 함유하는 유리 페이스트로 형성된 절연층은 백색인 것이지만, 그 백색 절연층의 명도(L*), 적색기(a*), 황색기(b*를, L*a*b* 표색계로 표시하면, L*값이 85 이상, a*값이 -2 내지 2, b*값이 0 내지 13의 범위이며, 또한 황색화를 발생시키지 않는 것이다. 그것에 의해 절연층은 백색으로 불투명하며, 플라즈마 디스플레이 패널이나 평면 방전 발광 방식의 전자 디스플레이는 충분한 반사율, 발광률을 얻을 수 있고, 색도 양호한 것이었다. 또한, 백색의 절연층이 황색화하는 일이 없으므로, 플라즈마 디스플레이 패널이나 평면 방전 발광 방식의 전자 디스플레이는, 광의 반사율이 저하하는 일이 없고, 발광률을 저하시키는 일이 없으며, 또 색이 나빠질 일도 없었다. 이와 같이 본 발명의 유리 페이스트로 소성하여 형성된 백색 절연층은, 플라즈마 디스플레이 패널의 배면 유리 기판에 형성된 은 전극 위에 형성되는 것으로서 우수한 것이다. 또, 평면 방전 발광 방식의 전자 디스플레이의 은 전극 위에 형성되는 것으로서 우수한 것이다.(L * a *), a red color (a *), and a yellow color (b *) of the white insulating layer are formed by a glass paste containing a lead-free borosilicate glass frit of the present invention is white. b * color system, the L * value is 85 or more, the a * value is -2 to 2, the b * value is in the range of 0 to 13, and no yellowing is caused. And the plasma display panel or the flat panel discharge light emitting type electronic display can obtain a sufficient reflectance and a high emission ratio and a good color. Further, since the white insulating layer does not yellow, the plasma display panel or the flat discharge light emission The electronic display of the present invention does not lower the reflectance of the light and does not lower the light emission rate and does not deteriorate the color. Insulating layer is formed on a rear glass substrate of a plasma display panel is superior as being formed on the electrode. In addition, the electronic display of the planar light-emitting discharge method is superior as being formed on the electrode.
본 발명은, 절연층을 형성하기 위한 무연 붕규산염 유리 프릿이며, 그것에 무기충전재인 Al2O3, SiO2, ZrO 및 ZnO 중 적어도 1개 이상의 무기산화물, 비히클, 구체적으로는 에틸셀룰로스 또는 아크릴수지와 유기용제를 포함하는 비히클을 함유하는 유리 페이스트로, 이것을 도포, 소성하여 형성된 절연층은 백색으로 황색화되기 어려운 것이다.The present invention relates to a lead-free borosilicate glass frit for forming an insulating layer, and at least one or more inorganic oxides, such as Al 2 O 3 , SiO 2 , ZrO and ZnO, inorganic fillers such as ethylcellulose or acrylic resin And a vehicle containing an organic solvent, and the insulating layer formed by applying and firing the glass paste is hardly yellowed to white.
본 발명의 무연 붕규산염 유리 프릿을 함유하는 유리 페이스트는, 플라즈마 디스플레이 패널의 배면 기판, 평면 방전 발광 방식의 전자 디스플레이 등의 기판에 도포, 소성하여 절연층을 형성하는 것이다. 플라즈마 디스플레이 패널의 배면 기판, 평면 방전 발광 방식의 전자 디스플레이의 기판으로서는, 일반적으로, 소다 석회 판유리가 이용되고 있다. 그래서, 본 발명에 의한 붕규산염계 유리 프릿은, 기판으로서의 판유리인 소다석회유리에의 소성을 행하는 것을 상정해서, 이러한 판유리의 연화 온도 730 내지 740℃, 왜점(歪点) 495 내지 505℃, 열팽창계수 87 내지 91×10-7/℃인 것을 고려하여, 590℃ 이하의 온도에서 판유리 등에 소성하는 것이 가능하도록 하고, 또 유리의 기판과의 선팽창계수의 차이를 작은 것으로 해서, 무연 붕규산염 유리 프릿을 유리 페이스트로 해서 도포·소성했을 때에, 소성에 의해 형성된 절연층에 균열이 발생하는 일이 없도록 한 것이다. 또한, 기판에 이용되는, 연화 온도가 약 870℃, 왜점이 약 570℃인 고왜점의 알루미늄 규산염계 유리에도 590℃ 이하의 온도에서 소성하는 것이 가능하며, 소성에 의해 형성된 절연층에 균열이 발생하는 일이 없도록 한 것이다.The glass paste containing the lead-free borosilicate glass frit of the present invention is applied to a substrate such as a rear substrate of a plasma display panel, an electronic display of a planar discharge light emission type, and the like to form an insulating layer. Background Art Soda lime glass is generally used as a back substrate of a plasma display panel and a substrate of an electronic display of a flat discharge light emission type. Therefore, the borosilicate glass frit according to the present invention assumes that firing is performed on soda-lime glass which is a plate glass as a substrate, and the glass plate has a softening temperature of 730 to 740 ° C, a strain point of 495 to 505 ° C, a thermal expansion coefficient 87 to 91 x 10 < -7 > / [deg.] C, the glass frit can be baked at a temperature of 590 [deg.] C or lower and the difference in coefficient of linear expansion between the glass and the substrate is made small, So that cracks do not occur in the insulating layer formed by firing when applied and baked as a glass paste. It is also possible to perform firing at a temperature of 590 DEG C or less even in a high-point aluminum silicate glass having a softening temperature of about 870 DEG C and a melting point of about 570 DEG C, which is used for a substrate, I do not want to do anything.
우선, 본 발명의 무연 붕규산염 유리 프릿의 유리 조성에 관하여 설명한다.First, the glass composition of the lead-free borosilicate glass frit of the present invention will be described.
SiO2는 네트워크 포머로, 유리의 안정화에 효과가 있고, 그 함유량이 16 몰% 미만에서는, 유리의 안정화 효과가 충분하지 않고, 30 몰%를 넘으면 연화점이 지나치게 높아진다. 따라서, SiO2의 함유량은 16 내지 30 몰%, 바람직하게는 17 내지 25 몰%이다.SiO 2 is a network former, which is effective in stabilizing glass. When the content is less than 16 mol%, the effect of stabilizing glass is not sufficient. When the content is more than 30 mol%, the softening point becomes excessively high. Therefore, the content of SiO 2 is 16 to 30 mol%, preferably 17 to 25 mol%.
Al2O3는 유리의 안정화에 효과가 있어, 화학적 내구성을 높게 하는 효과를 가지고 있다. 그 함유량이, 1 몰% 미만에서는, 그 효과가 충분하지 않고, 유리 기판과의 밀착성이 나쁘고, 내수성도 나빠진다. 한편, 8 몰%를 넘으면 연화 온도가 높아져 590℃ 이하에서의 소성이 곤란해진다. 따라서, Al2O3의 함유량은, 1 내지 8 몰%, 또한, Al2O3는 SiO2의 함유량의 4분의 1보다 많은 쪽이 내수성능에 효과적이므로, 바람직하게는 4.0 내지 7.5 몰%이다.Al 2 O 3 is effective for stabilizing glass and has an effect of increasing chemical durability. When the content is less than 1 mol%, the effect is not sufficient, the adhesion with the glass substrate is poor, and the water resistance is also poor. On the other hand, if it exceeds 8 mol%, the softening temperature rises and it becomes difficult to fuse at 590 캜 or lower. Therefore, the content of Al 2 O 3 is preferably 1 to 8 mol%, and the content of Al 2 O 3 is preferably more than 4.0 to 7.5 mol%, because the content of Al 2 O 3 is more than 1/4 of the content of SiO 2 , to be.
B2O3는 유리를 안정화시켜, 유동성을 증가시키는 효과를 갖는다. 그 함유량이 20 몰% 미만에서는, 그 효과가 충분하지 않고, 또 선팽창 계수를 크게 한다. 32 몰%를 넘으면, 유리의 안정화, 유동성에의 효과가 엷어지고, 또 내수성능을 저하시키게 된다. 따라서, B2O3의 함유량은, 20 내지 32 몰%, 바람직하게는 25 내지 30 몰%이다.B 2 O 3 has the effect of stabilizing the glass and increasing the flowability. When the content is less than 20 mol%, the effect is not sufficient and the coefficient of linear expansion is increased. If it exceeds 32 mol%, the effect on the stabilization and flowability of the glass tends to be weakened, and the water-proofing performance is lowered. Therefore, the content of B 2 O 3 is 20 to 32 mol%, preferably 25 to 30 mol%.
Li2O, Na2O 및 K2O는 이들 중 적어도 Li2O를 0.1 몰% 이상 함유하고, 2종 이상의 합계를 8 내지 14 몰%로 한다. 이것은, Li2O, Na2O 및 K2O가 유리의 연화 온도를 낮추는 효과가 있고, 또한 유동성을 증가시키는 효과가 있다. 본 발명에서는 Li2O를 0.1 몰% 이상 함유시키는 것이다. 또, 그들의 함유량의 합계가 8 몰% 미만에서는 효과가 충분히 얻어지지 않게 된다. 즉, 유리의 연화 온도를 낮추는 효과가 충분하지 않고, 굴복점이 550℃ 이상으로 되는 것이었다. 또한, 유리의 점성도 커져 유동성이 저하한다. 또, 14 몰%를 초과하면 화학적 내구성의 저하, 전기절연성의 저하, 팽창 계수가 지나치게 커진다고 하는 악영향이 일어나는 일이 있으므로, Li2O+Na2O+K2O는 그 합계가 8 내지 14 몰%, 바람직하게는 9 내지 12.5 몰%이다.Li 2 O, Na 2 O and K 2 O contain at least 0.1 mol% of Li 2 O among these, and the total of two or more species is 8 to 14 mol%. This is because Li 2 O, Na 2 O and K 2 O have the effect of lowering the softening temperature of the glass and also have an effect of increasing the fluidity. In the present invention, Li 2 O is contained in an amount of 0.1 mol% or more. If the total content thereof is less than 8 mol%, the effect can not be sufficiently obtained. That is, the effect of lowering the softening temperature of the glass was not sufficient, and the yield point was 550 DEG C or higher. Also, the viscosity of the glass increases and the fluidity decreases. On the other hand, when the content exceeds 14 mol%, adverse effects such as a decrease in chemical durability, a decrease in electrical insulation, and an excessively large expansion coefficient may occur. Therefore, the total amount of Li 2 O + Na 2 O + K 2 O is preferably 8 to 14 mol %, Preferably 9 to 12.5 mol%.
또한, Li2O, Na2O 및 K2O는 이들 중 적어도 Li2O를 0.1 몰% 이상 함유시키는 것으로, 그것은 본 발명의 유리 프릿과 Al2O3, SiO2, ZrO 및 ZnO 중 적어도 1개 이상의 무기산화물을 함유하는 유리 페이스트를 도포, 소성하여 형성된 절연층이 충분한 백색의 것으로 하기 위해서 필요하다. 또, Li2O, Na2O 및 K2O에서, 이들 중 적어도 Li2O를 0.1 몰% 이상 함유하고 2종 이상을 함유하도록 하는 것은, 유리의 연 화 온도를 낮추는 효과, 유동성을 증가시키는 효과 때문이며, 무연 붕규산염 유리 프릿의 유리전이점을 500℃ 이하인 것으로 하는 데 필요하다.In addition, Li 2 O, Na 2 O and K 2 O contain at least 0.1 mol% of Li 2 O among them, which means that at least one of the glass frit and Al 2 O 3 , SiO 2 , ZrO and ZnO of the present invention It is necessary that the insulating layer formed by applying and firing a glass paste containing at least one inorganic oxide is sufficiently white. In addition, in the case of Li 2 O, Na 2 O and K 2 O, it is preferable that at least Li 2 O in the Li 2 O, Na 2 O and K 2 O is contained in an amount of 0.1 mol% or more and contains two or more kinds thereof. And it is necessary to make the glass transition point of the lead-free borosilicate glass frit to 500 ° C or less.
Li2O, Na2O 및 K2O의 합계로 8 내지 14 몰%이지만, 각각의 비율을 예시하면, Li2O가 4부, Na2O가 6부, K2O가 2부가 바람직하다.Li 2 O, Na 2 O and K 2 O in the total amount of 8 to 14 mol%. However, as for each ratio, 4 parts of Li 2 O, 6 parts of Na 2 O and 2 parts of K 2 O are preferable .
MgO, CaO, SrO 및 BaO는 유리의 안정화에 효과가 있다. 그 함유량의 합계가 1 몰% 미만에서는, 유리의 실투(失透)가 생기기 쉬워, 소성시의 결정화를 억제할 수 없고, 10 몰%를 넘으면 연화 온도가 높아져 소성이 곤란해진다. 또, 10 몰%를 넘으면 평균 선팽창 계수가 80×10-7/℃를 초과하는 일이 많아져서, 유리 기판에 소성하여 제막했을 때에 균열이 발생하여, 충분한 절연 효과를 가진 코팅막을 얻을 수 없었다.MgO, CaO, SrO, and BaO are effective in stabilizing glass. When the total content is less than 1 mol%, devitrification of the glass tends to occur, and crystallization during firing can not be suppressed. When the content exceeds 10 mol%, the softening temperature becomes high and firing becomes difficult. On the other hand, when the content exceeds 10 mol%, the coefficient of linear expansion more than 80 × 10 -7 / ° C. often occurs, so that the glass substrate is fired and cracked when the film is formed, and a coating film having sufficient insulating effect can not be obtained.
ZnO는 유리의 안정화에 효과가 있어, 연화 온도를 낮추고, 또 실투를 억제하는 성분이다. 그 함유량이 22 몰% 미만에서는 효과가 충분하지 않고, 35 몰%를 넘으면 결정화되기 쉬워져 안정한 유리를 얻을 수 없게 되므로, 22 내지 35 몰%이다.ZnO is effective for stabilization of glass and lowers the softening temperature and is a component for suppressing the release. When the content is less than 22 mol%, the effect is not sufficient. When the content is more than 35 mol%, crystallization is apt to occur and stable glass can not be obtained.
본 발명의 Pb를 함유하지 않는 붕규산염 유리와 같은 조성의 것에서는, CuO: 0.005 내지 0.1 몰%, 바람직하게는 0.01 내지 0.05 몰%, SnO2: 0.01 내지 1.0 몰%, 바람직하게는 0.1 내지 0.8몰%, CeO2: 0.01 내지 1.0 몰%, 바람직하게는 0.1 내지 0.5 몰%, Gd2O3: 0.1 내지 2.0 몰%, 바람직하게는 0.3 내지 1.0 몰%를 함유시킴으로써, 590℃ 이하의 온도에서 판유리에 소성할 수 있고, 또한, 40 내지 300℃에 있어 서의 평균 선팽창계수를 65 내지 80×10-7/℃로 할 수 있었던 것이다. 또한, 은 전극 위에 도포, 소성하여 형성되는 절연층이 은 전극 중의 은이 이온화해서 백색 절연층으로 확산됨으로써 발생하는 백색 절연층의 황변화를 생기지 않게 하는 것이다.In the composition having the same composition as the borosilicate glass containing no Pb of the present invention, the content of CuO is preferably 0.005 to 0.1 mol%, preferably 0.01 to 0.05 mol%, SnO 2 : 0.01 to 1.0 mol%, more preferably 0.1 to 0.8 mol% By containing Gd 2 O 3 at 0.1 to 2.0 mol%, preferably at 0.3 to 1.0 mol%, at a temperature of 590 ° C. or lower by containing 0.01 to 1.0 mol% of CeO 2 , 0.01 to 1.0 mol%, preferably 0.1 to 0.5 mol% And the average coefficient of thermal expansion at 40 to 300 캜 was 65 to 80 × 10 -7 / ° C. Further, the insulating layer formed by coating and firing on the silver electrode does not cause the sulfur change of the white insulating layer, which is generated by silver ionization in the silver electrode and diffusion into the white insulating layer.
일반적으로, 저융점 유리 프릿에는 저융점화를 위해서 납이 주성분으로서 함유되어 있다. 또, 납을 사용하지 않은 것으로는, 비스무트나 인산이 주성분으로서 함유되어 있다. 본 발명에서는, 납을 함유하지 않으며, 또 비스무트나 인산을 함유하지 않고 붕산이나 규산을 주성분으로 한 붕규산염계 유리로 CuO, SnO2, CeO2 및 Gd2O3를 함유함으로써, 충분한 저융점 성능을 갖게 하고, 또한, 치밀하고 평활한 막을 형성할 수 있게 한 것이며, 특히 소성하여 형성된 절연층은, 은 전극 중의 은이 이온화해서 백색 절연층으로 확산되지 않아 백색 절연층의 황변화를 생기지 않게 하는 것이다.Generally, the low melting point glass frit contains lead as a main component for lowering the melting point. Bismuth or phosphoric acid is contained as a main component in the case of not using lead. In the present invention, since it contains CuO, SnO 2 , CeO 2 and Gd 2 O 3 as a borosilicate glass based on boric acid or silicic acid, which does not contain lead and does not contain bismuth or phosphoric acid, And an insulating layer formed by firing is not ionized into silver in the silver electrode and diffused into the white insulating layer to prevent the sulfur change of the white insulating layer from occurring .
ZnO 및 B2O3에 대해서 전술했지만, B2O3와 ZnO의 조성비는 ZnO/B2O3=0.69 내지 1.75이다. ZnO/B2O3=0.69 내지 1.75로 함으로써, 결정화 비율을 낮게 할 수 있다. 구체적으로는 결정화 비율은 20% 이하로 할 수 있다. PbO를 함유하지 않는 무연 붕규산염 유리에서는, 결정화를 일으키기 쉽다. 결정화 비율이 20% 이상과 같은 높은 유리 분말을 함유하는 유리 페이스트로 소성해서 얻어지는 절연 피막은 해당 절연 피막의 표면이 요철로 평활하게 되지 않는다. 또, 절연 피막의 단락의 원인 으로도 된다. 그래서, 결정화 비율을 낮게 하는 것이다. 또한, ZnO/B2O3가 0.69 이하인 경우에는 내수성능이 저하한다. 내수성능의 저하는 미립자를 얻기 위한 미분쇄가공에 있어서 유리의 흡수성의 원인으로 되어, 유리 프릿의 특성 열화의 원인으로 된다. 바람직하게는, ZnO/B2O3=0.83 내지 1.28이다.As described above for ZnO and B 2 O 3 , the composition ratio of B 2 O 3 and ZnO is ZnO / B 2 O 3 = 0.69 to 1.75. By setting ZnO / B 2 O 3 = 0.69 to 1.75, the crystallization ratio can be lowered. Specifically, the crystallization ratio can be 20% or less. In the lead-free borosilicate glass not containing PbO, crystallization tends to occur. The surface of the insulating film obtained by baking the glass paste with a glass paste containing a high glass powder having a crystallization ratio equal to or higher than 20% is not smooth with irregularities. It may also cause a short circuit of the insulating coating. Thus, the crystallization ratio is lowered. Further, when ZnO / B 2 O 3 is 0.69 or less, the water resistance performance is lowered. The decrease in the water-resisting performance is a cause of the water absorption of the glass in the milling process for obtaining the fine particles, which causes the deterioration of the properties of the glass frit. Preferably, ZnO / B 2 O 3 = 0.83 to 1.28.
본 발명의 유리 프릿은, 유리 조성이 몰 환산 백분율로 SiO2: 16 내지 30몰%, Al2O3: 1 내지 8 몰%, B2O3: 20 내지 32 몰%, Li2O3와 Na2O와 K2O 중 적어도 Li2O를 0.1 몰% 이상 함유하고 2종 이상의 합계가 8 내지 14 몰%, MgO, CaO, SrO 및 BaO 중 적어도 1종 이상을 함유하며, 그 합계가 1 내지 10 몰%, ZnO: 22 내지 35 몰%, CuO: 0.005 내지 0.1 몰%, SnO2: 0.01 내지 1몰%, CeO2: 0.01 내지 1 몰%, Gd2O3: 0.1 내지 2.0 몰%를 기본조성으로 하는 것으로, 또한, B2O3와 ZnO의 조성비가 ZnO/B2O3=0.69 내지 1.75인 무연 붕규산염 유리를 유리 프릿으로 한 것이다.The glass frit according to the present invention is characterized in that the glass composition contains 16 to 30 mol% of SiO 2 , 1 to 8 mol% of Al 2 O 3 , 20 to 32 mol% of B 2 O 3 , Li 2 O 3 At least one of Na 2 O and K 2 O is contained in an amount of 0.1 mol% or more and Li 2 O is contained in an amount of 0.1 to 10 mol%, MgO, CaO, SrO, and BaO in total, ZnO: 0.005 to 0.1 mol%, CuO: 0.005 to 0.1 mol%, SnO 2 : 0.01 to 1 mol%, CeO 2 : 0.01 to 1 mol%, and Gd 2 O 3 : 0.1 to 2.0 mol% And a glass frit is made of a lead-free borosilicate glass having a basic composition of B 2 O 3 and ZnO with a ZnO / B 2 O 3 ratio of 0.69 to 1.75.
본 발명의 조성의 유리 프릿은, 평균 입경 1 내지 5 ㎛이고, 또한 최대입경이 20 ㎛ 이하로 입도조정된 미세하게 분말화된 것으로, 용융되기 쉽게 하고, 또 유리 페이스트화되기 쉽게 하는 것이며, 도포, 소성에 의해 보다 양호한 절연 피막이 얻어질 수 있도록 하는 것이다. 그러나, 유리를 미세한 분말로 분쇄했을 경우에, 표면적이 커지므로, 일반적으로 공기 중의 수분을 흡착하기 쉬워지는 성질이 생기지만, 본 발명의 유리 프릿은 이러한 입도로 조정함으로써, 내수성능이 80℃의 순수에 24시간 폭로하는 조건에 있어서 내수감량값으로서 0.1 ㎎/㎠ 이하의 성능을 갖는 내수성이 우수한 것으로 하는 것이 가능하다. 소성해서 얻어진 절연 피막은, 내수성능이 80℃의 순수에 24시간 폭로하는 조건에 있어서 내수감량값으로서 0.1 ㎎/㎠ 이하의 성능을 가짐으로써, 절연 피막의 특성이 열화하는 등의 특성의 변화가 생기지 않는 것이다.The glass frit having the composition of the present invention is a finely pulverized powder having an average particle diameter of 1 to 5 占 퐉 and a maximum particle diameter of 20 占 퐉 or less which is easily fused and easily made into a glass paste, , And a better insulating film can be obtained by firing. However, when the glass is pulverized with a fine powder, the surface area becomes large, so that it is generally easy to adsorb moisture in the air. However, by adjusting the glass frit of the present invention to such a particle size, It is possible to obtain a water-reducing property value of 0.1 mg / cm < 2 > or less and excellent water resistance in a condition of exposing to pure water for 24 hours. The insulating film obtained by firing has a water resistance reduction value of not more than 0.1 mg /
또한, 본 발명의 유리 프릿은, 유리전이점이 500℃ 이하인 것이다. 플라즈마 디스플레이 패널의 배면 유리 기판, 평면 방전 발광 방식의 전자 디스플레이의 유리 기판 등의 기판 위에 590℃ 이하로 치밀한 절연 피복을 형성시키기 위해서 사용되는 유리에는, 500℃ 이하의 유리전이점을 갖는 것이 요구된다. 본 발명의 유리 프릿은, 상술한 바와 같은 조성과 그 입도를 조정해서 미세하게 분말화되어 있는 것에 의해, 유리전이점이 500℃ 이하, 구체적으로는 450℃ 내지 500℃로 할 수 있었던 것이다.The glass frit of the present invention has a glass transition point of 500 캜 or lower. A glass used for forming a dense insulation coating at 590 캜 or below on a substrate such as a rear glass substrate of a plasma display panel and a glass substrate of an electronic display of a planar discharge light emission type is required to have a glass transition point of 500 캜 or lower . Since the glass frit of the present invention is finely pulverized by adjusting the composition and the particle size as described above, the glass transition point can be set to 500 占 폚 or less, specifically 450 占 폚 to 500 占 폚.
유리 페이스트를 도포해서 소성할 때, 그 소성온도가 높으면 유리 기판상의 전기회로의 전기적 특성이 열화하거나 유리 기판이 변형되거나 하므로, 그 소성온도는 590℃ 이하에서 소성을 행하는 것이 필요하다.When the glass paste is applied and baked, if the baking temperature is high, the electrical characteristics of the electric circuit on the glass substrate deteriorate or the glass substrate is deformed. Therefore, the baking temperature is required to be baked at 590 캜 or lower.
또한, 본 발명의 유리 프릿은 평균 선팽창계수가 65 내지 80×10-7/℃이다. 플라즈마 디스플레이 패널의 배면 유리 기판, 평면 방전 발광 방식의 전자 디스플레이 등의 기판에는 소다 석회계의 유리가 이용되고 있다. 그리고, 소다 석회계의 유리 기판에 절연층을 소성하는 것인 것을 상정하여, 본 발명의 유리 프릿은 상술한 바와 같은 조성으로 함으로써, 40 내지 300℃에 있어서의 평균 선팽창계수를 65 내지 80×10-7/℃로 한 것이다.Further, the glass frit of the present invention has an average linear expansion coefficient of 65 to 80 占 10 -7 / 占 폚. BACKGROUND ART [0002] Glasses of soda lime glass are used for substrates such as a rear glass substrate of a plasma display panel and an electronic display of a planar discharge light emitting system. The glass frit of the present invention has the above-described composition on the assumption that the insulating layer is fired on the glass substrate of soda lime finishing, and the glass frit of the present invention has an average linear expansion coefficient of from 65 to 80 x 10 -7 / 占 폚.
일반적으로, 소다 석회계의 유리의 선팽창계수가 87 내지 91×10-7/℃이며, 그것을 고려하면 평균 선팽창계수가 65 내지 80×10-7/℃인 것은 바람직한 것이다. 이것은, 본 발명의 유리 프릿의 평균 선팽창계수와 차이가 작으므로, 유리 페이스트로 해서 도포하여 소성했을 때에, 소성에 의해 형성된 절연층에 균열이 발생하는 일이 없도록 한 것이다. 또, 절연층은 균열에 의해 절연 성능이 열화될 우려가 있어서, 균열이 발생하는 일이 없도록 한 것이다.In general, the coefficient of linear expansion of the glass of the soda-lime-based is 87 to 91 × 10 -7 / ℃, is the consideration that the average linear expansion coefficient of 65 to 80 × 10 -7 / ℃ is desirable. This is because the difference from the average linear expansion coefficient of the glass frit of the present invention is small so that cracks do not occur in the insulating layer formed by firing when applied as glass paste and fired. In addition, the insulating layer may be deteriorated in insulating performance due to cracking, so that cracks do not occur.
또한, 유리 기판, 예를 들면 플라즈마 디스플레이 패널의 배면 유리 기판에 유리 페이스트를 도포하여 소성해서 백색 절연층을 형성할 경우에, 소성온도에서 유리 기판이 변형되는 일이 없도록 하지 않으면 안된다. 소다 석회계의 유리는 그 연화 온도 730 내지 740℃, 전이점 495 내지 505℃이며, 소다 석회계의 유리 기판에 절연층을 소성하는 것이 가능한 것을 상정했을 경우에, 소성 온도에서 유리 기판이 변형되는 일이 없도록 하기 위해서, 또 플라즈마 디스플레이 패널의 전기회로의 전기적 특성이 열화되는 일이 없도록 하기 위해서는, 유리전이점이 500℃ 이하일 필요가 있어, 본 발명의 유리 프릿은 이러한 요구에 따르는 것이 가능하다.Further, when a glass substrate, for example, a back glass substrate of a plasma display panel is coated with glass paste and fired to form a white insulating layer, the glass substrate must be prevented from being deformed at the firing temperature. When the glass of soda lime finishing has a softening temperature of 730 to 740 캜 and a transition temperature of 495 to 505 캜 and it is assumed that it is possible to sinter the insulating layer on the glass substrate of soda lime finishing, It is necessary that the glass transition point be 500 占 폚 or less in order to prevent the electric characteristics of the electric circuit of the plasma display panel from deteriorating and the glass frit of the present invention can meet such a demand.
본 발명의 유리 페이스트는, 무연 붕규산염 유리 프릿, 무기충전재인 Al2O3, SiO2, ZrO 및 ZnO 중 적어도 1개 이상의 무기산화물 분말, 비히클을 함유하는 것으로, 이 유리 페이스트를 소성하여 형성된 절연층은 백색으로 불투명하고, 또한 황 색으로 변화되기 어려운 것이다.The glass paste of the present invention contains at least one or more inorganic oxide powders of a lead-free borosilicate glass frit, inorganic fillers Al 2 O 3 , SiO 2 , ZrO and ZnO, and a vehicle. The layer is opaque to white and is also difficult to change to yellow.
구체적으로는, 본 발명의 무연 붕규산염 유리 프릿 100 중량부, 무기충전재인 Al2O3, SiO2, ZrO 및 ZnO 중 적어도 1개 이상의 무기산화물 분말을 1 내지 10 중량부, 바람직하게는 2 내지 8중량부, 에틸셀룰로스 또는 아크릴수지와 유기용매를 함유하는 비히클 30 내지 100 중량부 함유하는 유리 페이스트이다.Specifically, it is preferable that 100 parts by weight of the lead-free borosilicate glass frit of the present invention, 1 to 10 parts by weight, preferably 2 to 10 parts by weight, of at least one inorganic oxide powder of inorganic fillers Al 2 O 3 , SiO 2 , ZrO and ZnO, 8 parts by weight, ethyl cellulose or 30-100 parts by weight of a vehicle containing an acrylic resin and an organic solvent.
무기충전재인 Al2O3, SiO2, ZrO 및 ZnO는 유리 페이스트로 해서 도포, 소성한 때에, 형성된 절연층을 백색인 것으로 하는 역할을 한다. 그 양을 1 내지 10 중량부로 한 것은, 1중량부 미만에서는 절연층을 충분한 백색으로 할 수 없고, 또 10 중량부 보다 많아지면 절연층(피막)의 표면이 요철로 평활하지 않게 되기 때문이다. 따라서, 무기충전재인 Al2O3, SiO2, ZrO 및 ZnO 중 적어도 1개 이상의 무기산화물 분말은 1 내지 10 중량부로 하였다. 바람직하게는 2 내지 8 중량부이다.Al 2 O 3 , SiO 2 , ZrO, and ZnO, which are inorganic fillers, serve to make the insulating layer formed white when applied and baked as a glass paste. If the amount is less than 1 part by weight, the insulating layer can not be made sufficiently white. If the amount is more than 10 parts by weight, the surface of the insulating layer (coating) becomes uneven and uneven. Therefore, at least one inorganic oxide powder among Al 2 O 3 , SiO 2 , ZrO and ZnO as inorganic fillers is 1 to 10 parts by weight. Preferably 2 to 8 parts by weight.
또, 플라즈마 디스플레이 패널의 배면 유리 기판측 절연층(유전체층)이나 평면 방전 발광 방식의 전자 디스플레이의 절연층(유전체층)으로서 사용할 때에 백색인 것에, 불투명한 것이 요구되는 일이 있다.In addition, when it is used as an insulating layer (dielectric layer) on the rear glass substrate side of a plasma display panel or as an insulating layer (dielectric layer) of an electronic display of a planar discharge luminescence type, it is sometimes required to be opaque.
본 발명의 유리 페이스트를 소성하여 형성한 절연층은 불투명해서, 어드레스 전극의 비추어 들어감이 생기는 일은 없고, 또 반사율이나 발광 휘도를 저하시키는 일도 없다. 형성되는 절연층은, 유리 페이스트에 함유되는 무기충전재 분말인 Al2O33, SiO2, ZrO 및 ZnO의 양이 많을수록, 보다 불투명도가 높은 것으로 된다.The insulating layer formed by baking the glass paste of the present invention is opaque, so that the address electrode does not enter the mirror, and the reflectance and the light emission luminance are not lowered. As the amount of the inorganic filler powder Al 2 O 33 , SiO 2 , ZrO and ZnO contained in the glass paste is larger, the insulating layer formed becomes more opaque.
본 발명의 유리 페이스트는, 본 발명의 무연 붕규산염 유리 프릿에 무기충전 재인 Al203, SiO2, ZrO 및 ZnO 중 적어도 1개 이상의 무기산화물을 함유시킴으로써, 형성된 절연층은 백색이 되고, 또 백색인 절연층은, L*a*b* 표색계로 표시되는 명도 L*값이 85 이상, 적색기 a*값이 -2 내지 2, 황색기 b*값이 0 내지 13이며, 또한 황변화를 발생시키지 않는 것이다. 그것에 의해 플라즈마 디스플레이나 평면 방전 발광 방식의 전자 디스플레이에 영출되는 영상은, 충분한 발광 휘도가 얻어지고, 또한 어드레스 전극의 비추어 들어감이라고 하는 것도 없고, 플라즈마 디스플레이 패널의 배면 유리 기판으로서 우수한 것이며, 또 평면 방전 발광 방식의 전자 디스플레이의 은 전극 위에 형성되는 것으로서 우수한 것이다.When the glass paste of the present invention contains at least one or more inorganic oxides of Al 2 O 3 , SiO 2 , ZrO and ZnO, which are inorganic fillers, in the lead-free borosilicate glass frit of the present invention, the formed insulating layer becomes white The white insulating layer has a lightness L * value of 85 or more, a red a * value of -2 to 2, and a yellow b * value of 0 to 13, which are expressed by an L * a * b * It is not. Thus, an image projected onto a plasma display or an electronic display of a planar discharge light emission type is excellent as a back glass substrate of a plasma display panel, without a sufficient light emission luminance being obtained and being irradiated with an address electrode, And is excellent in that it is formed on the silver electrode of the electronic display of the light emission type.
본 발명에서 조성 등을 특정한 유리 페이스트는, 미세하게 분말화된 유리 프릿과, 무기충전재인 Al2O3, SiO2, ZrO 및 ZnO 중 적어도 1개 이상의 무기산화물의 미세분말을 혼합하고, 다음에 비히클과 혼련해서 유리 페이스트화된다. 본 발명의 유리 프릿을 함유하는 유리 페이스트를 스크린 인쇄법에 의해 소정의 부위에 도포하고, 120℃에서 충분히 건조를 행한 후, 590℃ 이하로 소성된다. 상기 비히클로서는, 에틸셀룰로스 또는 아크릴수지와 유기용매를 함유하는 것, 또 수지 및 유기용제로 이루어진 것으로, 수지분인 에틸셀룰로스를 용제인 부틸카비톨아세테이트 또는 터피네올에 용해시킨 것이 사용된다.In the present invention, the glass paste specified in the composition or the like is obtained by mixing fine powder of glass frit which is finely powdered and fine powder of inorganic oxide of at least one of Al 2 O 3 , SiO 2 , ZrO and ZnO as inorganic fillers, Kneaded with a vehicle to form a glass paste. The glass paste containing the glass frit of the present invention is applied to a predetermined site by a screen printing method, sufficiently dried at 120 占 폚 and then baked at 590 占 폚 or lower. As the vehicle, ethyl cellulose or an acrylic resin and an organic solvent, or a resin and an organic solvent, which is obtained by dissolving ethyl cellulose as a resin component in a solvent, such as butyl carbitol acetate or terpineol, is used.
본 발명은, 구체적으로, 무연 붕규산염 유리 프릿 100 중량부, 무기충전재인 Al2O3, SiO2, ZrO 및 ZnO 중 적어도 1개 이상의 무기산화물을 1 내지 10 중량부, 에틸셀룰로스 또는 아크릴수지와 유기용매를 함유하는 비히클 30 내지 100 중량부로 하는 것이 백색으로 불투명한 절연층으로 하는 것, 황색으로 변화되기 어려운 것으로 하는 것, L*a*b* 표색계로 표시되는 명도 L*값이 85 이상, 적색기 a*값이 -2 내지 2, 황색기 b*값이 0 내지 13로 하는 데 바람직한 것이다.Specifically, the present invention relates to a non-burnable borosilicate glass frit comprising 100 parts by weight of at least one inorganic oxide selected from the group consisting of Al 2 O 3 , SiO 2 , ZrO and ZnO, It is preferable to use 30 to 100 parts by weight of a vehicle containing an organic solvent as an insulating layer opaque to white, to be hardly changed to yellow, to have a lightness L * value of 85 or more as expressed by a L * a * b * The red group a * value is preferably -2 to 2, and the yellow group b * value is preferably 0 to 13. [
이와 같이, 본 발명의 유리 프릿을 함유하고 있는 유리 페이스트에 의하면, 유리의 조성, 입도조정, 결정화 비율을 낮게 하는 것 등에 의해, 치밀한 피복이 형성되고, 또 은 전극 위에 도포, 소성하여 형성된 절연층은 백색으로 불투명해서 황변화되기 어려운 것이며, 플라즈마 디스플레이 패널의 배면 유리 기판에 형성되는 것으로, 또 평면 방전 발광 방식의 전자 디스플레이로서 형성되는 것이며, 디스플레이 패널의 절연층으로서 충분한 반사율, 발광률을 얻을 수 있고, 또 색도 양호한 것이다.As described above, according to the glass paste containing the glass frit of the present invention, an insulating layer formed by forming a dense coating and applying and firing on the silver electrode by adjusting the composition of the glass, the grain size, Which is opaque to white and is hardly changed in sulfur, is formed on the rear glass substrate of the plasma display panel and is also formed as an electronic display of a flat discharge light emission type, and a sufficient reflectance and light emission rate can be obtained as an insulating layer of the display panel It is also good in color.
본 발명의 유리 프릿은, 원료로서, 규사, 알루미나, 무수 붕산, 붕산, 질산칼륨, 탄산리튬, 산화마그네슘, 탄산바륨, 탄산칼슘, 아연화, 구리화합물이나 은화합물을, 유리 조성이 몰 환산 백분율로 SiO2: 16 내지 30 몰%, Al2O3: 1 내지 8 몰%, B2O3: 20 내지 32 몰%, Li2O+Na2O+K2O 중 적어도 Li2O를 0.1 몰% 이상 함유하고 2종 이상의 합계가 8 내지 14 몰%, MgO+CaO+SrO+BaO 중 적어도 1종 이상을 함유하며, 그 합계가 1 내지 10 몰%, ZnO: 22 내지 35 몰%, CuO: 0.005 내지 0.1몰%, SnO2: 0.01 내지 1.0몰%, CeO2: 0.01 내지 1.0몰%, Gd2O3: 0.1 내지 2.0 몰%를 기본조성으로 하는 무연 붕규산염 유리가 되도록, 배합하여 용융시킨다.The glass frit of the present invention can be obtained by mixing silica glass, alumina, anhydrous boric acid, boric acid, potassium nitrate, lithium carbonate, magnesium oxide, barium carbonate, calcium carbonate, zincation, copper compound or silver compound as a raw material in a molar ratio SiO 2 : 16 to 30 mol%, Al 2 O 3 : 1 to 8 mol%, B 2 O 3 : 20 to 32 mol%, at least Li 2 O in 0.1 mol of Li 2 O + Na 2 O + K 2 O At least one selected from the group consisting of MgO, CaO, SrO and BaO in an amount of 1 to 10 mol%, ZnO: 22 to 35 mol%, CuO: 0.005 to 0.1 mol%, SnO 2 : 0.01 to 1.0 mol%, CeO 2 : 0.01 to 1.0 mol%, and Gd 2 O 3 : 0.1 to 2.0 mol% are blended and melted so as to be a lead-free borosilicate glass as a base composition .
용융은, 백금 도가니를 이용해서, 대기분위기에서 행한다. 프릿화는, 용융 유리를 냉각하고 있는 2개의 롤(쌍 롤) 혹은 철판 상에 유출 또는 수중에 투입해서 분말로 하고 나서, 건조하고, 그것을 볼밀에 의해 미분말화해서 얻는 것이다.Melting is performed in an atmospheric environment using a platinum crucible. Fritization is obtained by blowing molten glass out of two rolls (twin rolls) or steel plates cooling the molten glass into water by being poured into water or in water, drying and finely pulverizing it by a ball mill.
구체적으로는, 백금 도가니 속에서 1240 내지 1300℃에서 20분 유리화하고, 급공냉한다. 분쇄· 프릿화는, 유리를 분쇄하여, 평균 입경 1 내지 5 ㎛이고, 또한 최대입경 20 ㎛ 이하로 입도조정한다.More specifically, it is vitrified at 1240 to 1300 占 폚 for 20 minutes in a platinum crucible, and air-cooled. In the pulverization and frying, the glass is pulverized to adjust the particle size to an average particle diameter of 1 to 5 μm and a maximum particle diameter of 20 μm or less.
또한, 본 발명의 유리 프릿을 함유하는 유리 페이스트는, Further, in the glass paste containing the glass frit of the present invention,
본 발명의 무연 붕규산염 유리 프릿 100 중량부;100 parts by weight of the lead-free borosilicate glass frit of the present invention;
무기충전재(Al2O3, SiO2, ZrO, ZnO) 1 내지 10 중량부;Inorganic fillers (Al 2 O 3, SiO 2 , ZrO, ZnO) 1 to 10 parts by weight;
비히클(에틸셀룰로스 또는 아크릴수지와 유기용매를 함유함)The vehicle (containing ethyl cellulose or an acrylic resin and an organic solvent)
30 내지 100 중량부30 to 100 parts by weight
이다.to be.
도 1 내지 도 3은 플라즈마 디스플레이 패널에 대해서, 본 발명의 무연 붕규산염 유리 프릿의 페이스트로 절연층을 형성했을 경우의 실시형태를 나타낸 것이다.Figs. 1 to 3 show embodiments of a plasma display panel in which an insulating layer is formed with a paste of a lead-free borosilicate glass frit of the present invention.
도 1은 플라즈마 디스플레이 패널의 사시도로, 전면 유리 기판(10)과 배면 유리 기판(1)을 떨어지게 해서 도시한 것이다. 도 2와 도 3은 전면 유리 기판(10)과 배면 유리 기판(1)을 접합시켜서 도시한 것으로, 도 2는 도 1의 A-A단면도, 도 3은 도 1의 B-B단면도이다.1 is a perspective view of a plasma display panel in which a
도 1 내지 도 3에 나타낸 바와 같이, 배면 유리 기판(1)은 어드레스 전극(2) 이 배치되어, 절연층(유전체층)(3)에서 피복되어 있다. 어드레스 전극(2)은 은 전극이라고 불리는 것으로, 은 분말과 유기 바인더로 이루어진 페이스트를 스크린 인쇄에 의해 형성한 것이다. 예를 들어, 은 페이스트는 은 분말 65 내지 90%, 저융점 유리 프릿 1 내지 10% 및 수지를 함유하는 유기용매로 이루어지고 있고, 500℃ 내지 600℃의 소성에 의해 유리 기판 위로 은 전극이 형성되는 것이다. 리브(rib)(분리벽)(4)가 도 1의 세로방향에, 또, 리브(분리벽)(6), (7)가 도 1의 가로방향에 형성되어 있다. 형광체(R), (G), (B)가 리브(분리벽)(4) 및 (6), (7) 사이에 형성되어 있다.As shown in Figs. 1 to 3, the rear glass substrate 1 is covered with an insulating layer (dielectric layer) 3 by disposing an
전면 유리 기판(10)에는 투명전극(12), 블랙 스트라이프(14), 버스 전극(13), 유전체층(11) 및 보호막(MgO)(15)이 형성되어 있다.A
전면 유리 기판(10)의 블랙 스트라이프(14)는, 배면 유리 기판(1)의 리브(분리벽)(6), (7)에 포개지는 것이다.The
전면 유리 기판(10)과 배면 유리 기판(1)은 접합되어, 주변을 기밀봉지한 진공으로 한 후, Ne-Xe 등의 가스를 봉입한 것이다.The
본 발명의 유리 프릿 페이스트는 무연 붕규산염 유리 프릿 100 중량부, Al2O3, SiO2, ZrO 및 ZnO의 무기산화물을 1 내지 10 중량부, 에틸셀룰로스 또는 아크릴수지와 유기용매를 함유하는 비히클 30 내지 100 중량부를 함유하는 것으로, 도 1의 절연층(유전체층)(3)과 같이, 배면 유리 기판(1)의 상부 어드레스 전극(은 전극)이 형성된다. 배면 유리 기판(1)상의 어드레스 전극(은 전극)을 덮도록 절연 층(유전체층)(3)을 클린 인쇄법에 의해 도포해서 충분 건조를 행한 후, 580℃에서 소성에 의해 형성하는 것이다.The glass frit paste of the present invention is lead-free borosilicate glass frit is 100 parts by weight of Al 2 O 3, SiO 2, ZrO, and the inorganic oxide of ZnO 1 to 10 parts by weight, the
도 1 내지 도 3에 나타낸 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널의 배면 유리 기판(1) 상의 어드레스 전극(은 전극)(2)을 형성하고, 이 은 전극(2)을 덮도록 절연층(유전체층)(3)을 형성하고 있는 것이다. 배면 유리 기판(1) 및 본 발명의 무연 붕규산염 유리 프릿의 페이스트로 형성된 절연층(유전체층)(3)은, 거의 같은 평균 선팽창계수인 것이고, 절연층(유전체층)(3)에 균열의 발생은 없었다.(Silver electrode) 2 is formed on the back glass substrate 1 of the plasma display panel and the insulating layer (dielectric layer) 3 (silver electrode) is formed so as to cover the
또한, 본 발명의 절연층(유전체층)(3)은 백색이고, 그 절연층(3)은 명도(L*값)가 85 이상, 적색기(a*값)가 12 내지 2, 황색기(b*값)기 0 내지 13의 범위이며, 충분한 반사율, 발광률을 얻을 수 있고, 색도 양호한 것이었다. 또 백색의 절연층이 황색화하는 일이 없는 것이었다. 또한, 절연층(유전체층)(3)은 백색인 것이며, 플라즈마 디스플레이 패널에서 영상을 영출할 때, 충분한 발광 휘도를 얻을 수 있고, 또 어드레스 전극(2)이 비추어 들어가거나 영출된 영상의 색이 나빠진다고 하는 것 같은 일은 없었다. 또한, 어드레스 전극(은 전극)(2) 위의 절연층(유전체층)(3)에는 황변화가 생기지 않았다. 즉, 은 전극(2) 중의 은이 이온화해서 확산해도 백색의 절연층은 황색화되지 않았다.The insulating layer (dielectric layer) 3 of the present invention is white and the insulating layer 3 has a lightness (L * value) of 85 or more, a red color (a * value) of 12 to 2, Value) range of 0 to 13, a sufficient reflectance and a high light emission rate were obtained, and the color was good. In addition, the insulating layer of white did not yellow. Further, the insulating layer (dielectric layer) 3 is white, and sufficient light emission luminance can be obtained when the image is projected on the plasma display panel, and the color of the image in which the
또한, 본 발명의 실시예로서, 도 1 내지 도 3에 나타낸 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 유리 기판(10)에 형성되는 블랙 스트라이프(14)에 대해서, 그 절연층을 소성에 의해 형성하기 위한 유리 페이스트는, 유리 조성이 몰 환산 백분율로, SiO2: 16 내지 32몰%, Al2O3: 4 내지 8 몰%, B2O3: 20 내지 35 몰%, Li2O+Na2O+K2O 중 적어도 2종 이상을 함유하고, 그 합계가 8 내지 14 몰%, MgO+CaO+BaO+SrO 중 적어도 BaO를 3 몰% 이상 함유하고, 그 1종 이상의 합계가 3 내지 16 몰%, ZnO: 6 내지 33 몰%, Cu2O: 0.01 내지 3몰%, Ag2O: 0.01 내지 1 몰%, 상기 B2O3와 ZnO의 조성비가 ZnO/B2O3=0.27 내지 1.3을 기본조성으로 하는 무연 붕규산염 유리로, 상기 조성의 유리가, 평균 입경 1 내지 5 ㎛이고, 또한 최대입경이 20 ㎛ 이하로 입도 조정된 유리 프릿이며, 유리전이점이 500℃ 이하, 평균 선팽창계수가 65 내지 80×10-7/℃, 내수성능이 80℃의 순수에 24시간 폭로하는 조건에 있어서 내수감량값으로서 0.1 ㎎/㎠ 이하의 성능을 갖는 내수성이 우수한 것이며, 이 무연 붕규산염 유리 프릿에 무기 흑색안료 및 무기충전재, 유기용제로 이루어진 유리 페이스트를 이용하는 것이 바람직하다. 그리고, 이 전면 유리 기판(10)에 형성되는 블랙 스트라이프(14)와 조합시키고, 배면 유리 기판(1)의 은 전극(2) 상의 절연층(3)에는, 본 발명의 조성의 것으로, 백색으로 황색화되기 어려운 것을 이용하는 것이 바람직하다.As an embodiment of the present invention, for the black stripe 14 formed on the front glass substrate 10 of the plasma display panel shown in Figs. 1 to 3, a glass paste for forming the insulating layer by firing SiO 2 : 16 to 32 mol%, Al 2 O 3 : 4 to 8 mol%, B 2 O 3 : 20 to 35 mol%, Li 2 O + Na 2 O + K 2 O, the total amount is 8 to 14 mol%, at least 3 mol% of BaO among MgO + CaO + BaO + SrO is contained, and the total amount of at least one of them is 3 to 16 mol% : 6 to 33 mol%, Cu 2 O: 0.01 to 3 mol%, Ag 2 O: 0.01 to 1 mol%, and the composition ratio of B 2 O 3 and ZnO is ZnO / B 2 O 3 = Wherein the glass of the above composition is a glass frit having an average particle diameter of 1 to 5 占 퐉 and a maximum particle diameter of not more than 20 占 퐉 and having a glass transition point of 500 占 폚 or less, And has a water resistance value of 0.1 mg / cm 2 or less as a water-reducing weight value under the condition that the coefficient is 65 to 80 x 10 < -7 > / deg. C and the water resistance performance is in a pure water of 80 deg. C for 24 hours. The unleaded borosilicate glass It is preferable to use a glass paste composed of an inorganic black pigment, an inorganic filler, and an organic solvent in the frit. The
본 발명의 조성 등을 특정한 유리 프릿은, 그 내수성능이 80℃의 순수에 24시간 폭로하는 조건에 있어서 내수감량값으로서 0.1 ㎎/㎠ 이하의 성능을 갖는 내수성이 매우 우수한 것을 특정하고 있는 것이다.The glass frit specified in the composition of the present invention and the glass frit have a performance of 0.1 mg /
이 내수성능에 대해서, 내수시험, 내산시험을 설명한다. 도 4의 흐름도에 나타낸다. 유리는 분말화되어, 평균 입경 1 내지 5 ㎛이고, 인가 최대입경이 20 ㎛ 이하로 입도조정되어 분말화된 유리 프릿으로, 이 유리 프릿을 소결한 상태에서 내수시험, 내산시험을 행하고, 그 내수성능을 나타내는 것이다.With respect to the water resistance performance, the water resistance test and the acid resistance test will be described. 4 is shown in the flowchart of FIG. The glass was pulverized and subjected to a water resistance test and an acid resistance test in the state that the glass frit was sintered in a powdered glass frit in which the particle size was adjusted to 1 to 5 탆 in average particle size and 20 탆 or less in the maximum applied particle size, Performance.
도 4의 흐름도에 나타낸 바와 같이 공정(31)과 같이 유리 프릿을 석고형틀에 넣어, 덩어리 형상으로 소결한다. 이어서, 공정(32)과 같이 원기둥 형상으로 가공하고, 지름φ 5mm×길이 20mm의 시료로 한다.As shown in the flowchart of Fig. 4, the glass frit is put into a plaster mold as in step (31) and sintered in a lump shape. Subsequently, it is processed into a cylindrical shape as in the step (32), and a specimen having a diameter of 5 mm and a length of 20 mm is used.
공정(33)은 내수시험으로 지름φ 5mm×길이 20mm의 원기둥 형상 유리 시료를 뚜껑이 부착된 폴리 용기 중의 순수 50 ㎖에 넣는다. 이것을 공정(35)에서 80℃로 설정한 항온조 중에 24시간 보유했다. 공정(37)에서 그것을 꺼내서 중량감소량 산출했다. 원기둥 형상 유리 시료의 비표면적당의 중량감소량을 산출했다. 이것을 내수성능을 나타내는 내수감량값으로 하였다.In step (33), a cylindrical glass sample having a diameter of 5 mm and a length of 20 mm is put in 50 ml of pure water in a capped poly container. This was kept in a thermostatic chamber set at 80 DEG C in step (35) for 24 hours. It was taken out in the step (37) to calculate a small amount of weight. A small amount of weight per non-surface area of the cylindrical glass sample was calculated. This was regarded as the water-reducing value indicating the water-resistance performance.
또한, 공정(34)은 내산시험으로, 지름φ 5mm×길이 20mm의 원기둥 형상 유리 시료를 뚜껑이 부착된 폴리 용기 중의 1N 황산수용액 50 ㎖에 넣는다. 이것을 공정(36)과 같이, 50℃로 설정한 항온조 중에 24시간 보유했다. 공정(37)에서 그것을 꺼내서 중량감소량을 산출하였다. 원기둥 형상 유리 시료의 비표면 당의 중량감소량을 산출했다. 이것으로 내산성능을 나타낸다. 그리고, 각 유리 시료에 대해서 공정(38)에서 비교 평가하는 것이다.
본 발명에 있어서는, 내수성능을 80℃의 순수에 24시간 폭로하는 조건에 있어서 내수감량값으로서 0.1 ㎎/㎠ 이하의 성능을 갖도록 내수성이 매우 우수한 것으로 특정하고 있는 것이다. 이것은, 본 발명의 조성을 특정하고 있는 무연 붕규산염 유리 프릿이 장기 신뢰성에 있어서 우수한 것을 나타내는 것으로, 종래의 산화납 함유 유리 프릿의 페이스트로 형성한 절연층에 비해서 손색이 없고, 플라즈마 디스플레이 패널의 배면 유리 기판(1)에 형성된 은 전극(2) 위에 형성되는 절연층(3)으로서 우수한 것이다.In the present invention, it is specified that the water resistance is very excellent so that the water resistance performance is 0.1 mg / cm < 2 > or less as the water loss weight value under the condition that the water resistance performance is exposed to pure water at 80 DEG C for 24 hours. This indicates that the lead-free borosilicate glass frit specifying the composition of the present invention is excellent in long-term reliability, and is superior to the insulating layer formed of the paste of the conventional lead oxide-containing glass frit, (3) formed on the silver electrode (2) formed on the substrate (1).
[[ 실시예Example ]]
본 발명에 대해서, 실시예 1 내지 7을 표 1 및 표 2에 나타내고, 비교예 1 내지 6을 표 3 및 표 4에 나타낸다. 또, 도 5(a) 및 도 5(b)는 시험편을 나타낸다. 도 6은 절연층의 내전압시험을 나타낸다. 도 7 내지 도 10은 L*a*b* 표색계의 표시에 의한 L*값, a*값, b*값을 나타내는 것이다.Examples 1 to 7 are shown in Tables 1 and 2, and Comparative Examples 1 to 6 are shown in Tables 3 and 4 for the present invention. 5 (a) and 5 (b) show test specimens. 6 shows a dielectric strength test of the insulating layer. Figs. 7 to 10 show L * value, a * value and b * value according to the display of the L * a * b * color system.
실시예 1 내지 7, 비교예 1 내지 6 및 도 5(a) 및 도 5(b)의 시험편은, 평균 입경 1 내지 5 ㎛이고, 또한 최대입경이 20 ㎛ 이하로 입도조정된 무연 붕규산염계 유리의 프릿과 무기충전재인 Al2O3, SiO2, ZrO 및 ZnO 중 적어도 1개 이상을 함유하는 유리 페이스트를 도포해서 충분히 건조를 행한 후, 580℃에서 소성해서 절연층을 형성하는 것이다.The test pieces of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 6 and Figures 5 (a) and 5 (b) were made of a lead-free borosilicate-based material having an average particle size of 1 to 5 탆 and a maximum particle size of 20 탆 or less A glass paste containing at least one of frit of glass and at least one of Al 2 O 3 , SiO 2 , ZrO and ZnO which is an inorganic filler is applied, sufficiently dried, and then fired at 580 ° C to form an insulating layer.
표 1 내지 4에 있어서, 조성은 몰%로 유리 조성의 몰환산 백분율, 유리전이점은℃, 선팽창계수 α는 0 내지 300℃의 범위의 값으로 10-7/℃, 내수성은 24Hr×80℃일 때의 질량감소(㎎/㎠)이다. 또한, 표 1 내지 4의 유리의 조성은, 그 성분의 합계가 100%를 넘지만, 그것은 불순물 등의 다른 성분에 의한 것이다.In Table 1-4, the composition is in terms of mole percent, the glass transition point of the glass composition in mole% is ℃, the linear expansion coefficient α is 10 -7 / ℃ to a value ranging from 0 to 300 ℃, the water resistance is 24Hr × 80 ℃ (Mg / cm < 2 >). In addition, the glass composition of Tables 1 to 4 has a total of more than 100% of the components, but it is due to other components such as impurities.
도 5(a) 및 도 5(b)에 나타낸 바와 같이, 시험편은, 유리의 기판(41) 위에 은 분말과 저융점 유리 프릿과 수지를 함유하는 유기용매로 이루어져 있는 페이스트를 스크린 인쇄에 의해 은 전극(42)으로 이루어진 패턴을 부착하고, 500℃ 내지 600℃의 소성에 의해 유리 기판 위로 은 전극(42)을 형성한다. 유리 기판(41), 그 위의 은 전극(42)을 덮도록, 유리 프릿의 페이스트를 도포, 소성해서 절연층(43)을 형성한 것이다.As shown in Figs. 5A and 5B, a test piece is formed by screen printing a paste composed of an organic solvent containing a silver powder, a low melting point glass frit and a resin on a
도 6은 절연층의 내전압시험을 나타내는 것으로, 시험품은, 유리 기판(50) 위에 은 분말과 저융점 유리 프릿과 수지를 함유하는 유기용매로 이루어져 있는 은 페이스트를 스크린 인쇄에 의해 은 전극(51a), (51b), (51c), (51d)과 같이 패턴을 부착하고, 500℃ 내지 600℃의 소성에 의해 유리 기판 위에 은 전극(51a) 내지 (51d)을 형성한다. 또, 은 전극(51a) 내지 (51d)을 덮도록, 유리 프릿의 페이스트를 도포, 소성해서 절연층(52)을 형성한다. 이 절연층(52)의 내전압시험은 시험품의 절연층(52)의 두께를 14 ㎛로 하였다.Fig. 6 shows a dielectric strength test of the insulating layer. A silver paste composed of an organic solvent containing a silver powder, a low melting point glass frit and a resin is applied on the
은 전극(51a) 내지 (51d)을 배선(53a) 내지 (53c), (54d) 및 배선(54)에 의해서 전압계(V)에 접속하고, 또 절연층(52) 위에 구리박(56)을 설치해서 배선(55)에 의해서 전압계(V)에 접속하고, 구리박(56)과 배선(54)에 의해서 접속되어 있는 은 전극(51a) 내지 (51d)에 600V의 전압을 걸었지만, 절연이 파괴되는 일은 없었다. 또, 700V의 전압을 걸었지만, 이것도 절연이 파괴되는 일은 없었다.The
도 7 내지 도 10은 L*a*b* 표색계의 표시에 의한 L*값, a*값, b*값을 나타내는 것이다. 또한, L*a*b* 표색계의 값에 관해서는 JIS Z8729에 의한다.Figs. 7 to 10 show L * value, a * value and b * value according to the display of the L * a * b * color system. The values of the L * a * b * color system are in accordance with JIS Z8729.
도 7은 L*a*b* 표색계를 입체적으로 이미지화해서 나타낸 도면이다.Fig. 7 is a diagram showing an L * a * b * colorimetric system in three dimensions.
L * a * b * 표색계에서는 명도(밝기)를 L*, 색상과 색상을 나타내는 색도를 a*, b*로 나타낸다. a *, b *는 색의 방향을 나타내고 있고, +a*는 적색 방향, -a*는 녹색 방향이다. +b*는 황색 방향, -b*는 청색방향이다. 절대치가 커짐에 따라, 색이 선명해지고, 중심으로 감에 따라, 수수한 색으로 된다.L * a * b * In the colorimetric system, the brightness (brightness) is represented by L *, and the chromaticity representing the hue and color is represented by a * and b *. a * and b * indicate the direction of the color, + a * is the red direction, and -a * is the green direction. + b * is the yellow direction, and -b * is the blue direction. As the absolute value becomes larger, the color becomes clearer, and as it goes toward the center, it becomes a subtle color.
도 8은 입체적 이미지를 나타낸 도 7의 a*, b*색의 방향을 나타낸 것으로, 가로축이 +a* 적색방향과 -a* 녹색 방향, 세로축이 +b* 황색 방향과 -b* 청색방향이다. 도 9는 도 8의 (C)의 영역을 확대해서 나타낸 것이다. 또한, 도 10은 입체적 이미지를 나타낸 도 7의 명도(밝기)를 L*로 나타낸 것으로, L*가 100에서 백색, L*가 0에서 흑색이다.FIG. 8 shows directions of a *, b * colors in FIG. 7 showing a stereoscopic image, in which the horizontal axis is + a * red and -a * green, and the vertical axis is + b * yellow and -b * blue . Fig. 9 is an enlarged view of the area of Fig. 8 (C). Fig. 10 shows the brightness (brightness) of Fig. 7 showing the stereoscopic image as L *, where L * is 100 to white and L * is 0 to black.
실시예 1, 2 및 3의 무연 붕규산염계 유리 프릿은 표 1에 나타낸 조성이며, ZnO/B2O3:0.93이다. 유리전이점은 474.4℃, 굴복점은 506.7℃(표 1, 2 속의 기재는 생략), 선팽창계수 α(0 내지 300℃)76.9×10-7/℃, 내수성(24Hr×80℃일 때의 질량감소 ㎎/㎠)이 0.05 ㎎/㎠인 것이다. 그리고, 실시예 1, 2 및 3은 무연 붕규산염계 유리 프릿은 마찬가지의 것으로, 유리 페이스트에 함유되는 Al2O3, SiO2, ZrO 및 ZnO의 성분을 변화시킨 것, 또는 유리 프릿 100 중량부에 대하여 양을 변화시킨 것이다.The lead-free borosilicate glass frit of Examples 1, 2 and 3 is the composition shown in Table 1 and is ZnO / B 2 O 3 : 0.93. The glass transition point is 474.4 ℃, yield point is 506.7 ℃ (Tables 1, 2 in the base material is omitted), the linear expansion coefficient α (0 to 300 ℃) 76.9 × 10 -7 / ℃, water resistance (24Hr × 80 ℃ mass when the 2, and 3 are the same as those of the lead-free borosilicate glass frit, and Al 2 O 3 , SiO 2 , ZrO, and ZnO contained in the glass paste were used in Examples 1, 2 , Or the amount thereof is changed with respect to 100 parts by weight of the glass frit.
실시예 1은, 무연 붕규산염 유리 프릿 100 중량부에 무기충전재인 Al2O3: 1.4 중량부, ZnO: 3.2 중량부를 함유하는 유리 페이스트로 절연층을 형성하는 것이다. 이 절연층의 L*값은 표 2 및 도 10에 나타낸 바와 같이 85.05이며, 또 표 2 및 도 9에 나타낸 바와 같이 a*값이 -0.58, b*값이 11.08이었다. 실시예 2는 표 2와 도 9 및 도 10에 나타낸 바와 같이 87.00, a*값이 -0.70, b*값이 9.90이었다. 실시예 3은 표 2와 도 9 및 도 10에 나타낸 바와 같이 85.86, a*값이 -1.17, b*값이 11.46이었다.In Example 1, an insulating layer is formed with glass paste containing 1.4 parts by weight of Al 2 O 3 as an inorganic filler and 3.2 parts by weight of ZnO in 100 parts by weight of lead-free borosilicate glass frit. The L * value of this insulating layer was 85.05 as shown in Table 2 and Fig. 10, and the a * value was -0.58 and the b * value was 11.08 as shown in Table 2 and Fig. In Example 2, as shown in Table 2 and Figs. 9 and 10, 87.00, the a * value was -0.70, and the b * value was 9.90. In Example 3, as shown in Table 2 and Figs. 9 and 10, 85.86, the a * value was -1.17, and the b * value was 11.46.
실시예 4의 무연 붕규산염계 유리의 프릿은 표 1에 나타낸 조성(ZnO/B2O3:0.93), 유리전이점, 선팽창계수α(0 내지 300℃), 내수성(24Hr×80℃일 때의 질량감소 ㎎/㎠)을 가진 것이다. 이 무연 붕규산염 유리 프릿 100 중량부에 Al2O3: 1.4중량부, ZnO: 3.2중량부를 함유하는 유리 페이스트로 절연층을 형성하는 것이다. 이 절연층의 L*값은 표 2 및 도 10에 나타낸 바와 같이 86.22이며, 또 표 2 및 도 9에 나타낸 바와 같이 a*값이 -0.81 , b*값이 10.82이었다.The fleece of the lead-free borosilicate glass of Example 4 had a composition (ZnO / B 2 O 3 : 0.93), glass transition point, coefficient of linear expansion? (0 to 300 ° C) and water resistance (24Hr x 80 ° C Cm 2) of the lead-free borosilicate glass frit. An insulating layer is formed with glass paste containing 1.4 parts by weight of Al 2 O 3 and 3.2 parts by weight of ZnO in 100 parts by weight of the lead-free borosilicate glass frit. Was 86.22 as shown in Table 2 and Fig. 10, and the a * value was -0.81 and the b * value was 10.82 as shown in Table 2 and Fig.
실시예 5, 6 및 7의 무연 붕규산염계 유리의 프릿은 표 1에 나타낸 조성(ZnO/B2O3는 실시예 5에서는 0.75, 실시예 6에서는 1.13, 실시예 7에서는 0.98), 유리전이점, 선팽창계수α(0 내지 300℃), 내수성(24Hr×80℃때의 질량감소 ㎎/㎠)을 가진 것이다. 이 무연 붕규산염 유리 프릿 100 중량부에 Al2O3: 1.4중량부, ZnO: 3.2중량부를 함유하는 유리 페이스트로 절연층을 형성하는 것이다. 이 절연층의 L*값, a*값, b*값은 표 2와, 도 9 및 도 10에 나타낸 바와 같이 실시예 5의 L*값은 86.07, a*값이 -0.61, b*값이 11.45이며, 실시예 6의 L*값은 87.93, a*값이 -1.08, b*값이 9.66이며, 실시예 7의 L*값은 86.51, a*값이 -0.69, b*값이 10.04이었다.The frit of the lead-free borosilicate glass of Examples 5, 6 and 7 had the composition shown in Table 1 (ZnO / B 2 O 3 : 0.75 in Example 5, 1.13 in Example 6, 0.98 in Example 7) 1.4 parts by weight of Al 2 O 3, 1.4 parts by weight of ZnO (weight average molecular weight of 20,000 ), and a glass transition temperature of 30 ° C. were added to 100 parts by weight of the lead- : 3.2 parts by weight The glass transition temperature of the insulating layer was measured using a glass paste containing L * value, a * value and b * value of the insulating layer, as shown in Table 2 and Figures 9 and 10, * Value was 86.07, the a * value was -0.61 and the b * value was 11.45, the L * value of Example 6 was 87.93, the a * value was -1.08 and the b * value was 9.66, Was 86.51, the a * value was -0.69, and the b * value was 10.04.
이들 데이터로부터 실시예 1 내지 7에서 형성된 절연층은, 소성 후에 균열 등의 발생이 없고, 절연 성능이 유지되는 것이며, 또 절연층의 L*값이 85 이상, a*값이 -2 내지 2, b*값이 0 내지 13의 범위 내이며, 백색으로 광의 반사율이 저하하는 일이 없고, 발광률도 저하시키는 일이 없는 것이다.From these data, it can be seen that the insulating layer formed in Examples 1 to 7 has an L * value of 85 or more and an a * value of -2 to 2, the b * value is in the range of 0 to 13, the reflectance of the light is not lowered to white and the light emission rate is not lowered.
이에 대해서, 비교예 1 내지 5의 무연 붕규산염계 유리 프릿은 표 3에 나타낸 조성이며, 본 발명에서 특정한 조성의 범위 외의 것이다.On the contrary, the lead-free borosilicate glass frit of Comparative Examples 1 to 5 is the composition shown in Table 3, and is outside the range of the specific composition in the present invention.
비교예 1은 본 발명에서 특정하고 있는 「Li2O+Na2O+K2O 중 적어도 Li2O를 0.1 몰% 이상 함유하고 2종 이상의 합계가 8 내지 14몰%」에 대해서, Li2O를 13.00 몰% 함유하고 있지만, 2종 이상을 함유하고 있지 않은 것이다. 이 무연 붕규산염 유리 프릿 100 중량부에 무기충전재인 Al2O3: 1.4중량부, ZnO: 3.2중량부를 함유하는 유리 페이스트로 절연층을 형성했다. 이 절연층의 L*값, a*값, b*값은 표 4와, 도 8 및 도 10에 나타낸 바와 같이, L*값이 38.55, a*값이 14.05, b*값이 19.60인 바, 절연층의 L*값이 85 이상, a*값이 -2 내지 2, b*값이 0 내지 13인 범위 외의 것으로, 광의 반사율의 저하, 발광률을 저하시킨다고 하는 범위인 것이었다.Comparative Example 1 with respect to the present invention, "Li 2 O + Na 2 O + K 2 O of at least Li 2 O and 0.1 mol% or more containing and 2, the sum or more species from 8 to 14% by mole", which specified in, Li 2 O of 13.00 mol%, but does not contain two or more species. An insulating layer was formed with 100 parts by weight of the lead-free borosilicate glass frit using glass paste containing 1.4 parts by weight of Al 2 O 3 as an inorganic filler and 3.2 parts by weight of ZnO. The L * value, the a * value, and the b * value of the insulating layer are shown in Table 4 and in Figures 8 and 10, respectively, with L * value of 38.55, a * value of 14.05, and b * value of 19.60. The L * value of the insulating layer is out of the range of 85 or more, the a * value is in the range of -2 to 2, and the b * value is in the range of 0 to 13, which is the range in which the decrease in the reflectance and the light emission rate are decreased.
비교예 2는 본 발명에서 특정하고 있는 「CeO2: 0.01 내지 1 몰%」에 대해서, CeO2를 함유하고 있지 않은 것이다. 이 무연 붕규산염 유리 프릿 100 중량부에 무기충전재인 Al2O3: 1.4중량부, ZnO: 3.2중량부를 함유하는 유리 페이스트로 절연층을 형성했다. 이 절연층의 L*값, a*값, b*값은 표 4와, 도 8 및 도 10에 나타낸 바와 같이, L*값이 84.30, a*값이 -5.75, b*값이 34.85인 바, 절연층의 L*값이 85 이상, a*값이 -2 내지 2, b*값이 0 내지 13인 범위 외의 것으로, 광의 반사율의 저하, 발광률을 저하시킨다고 하는 범위의 것이었다.Comparative Example 2 does not contain CeO 2 with respect to "CeO 2 : 0.01 to 1 mol%" specified in the present invention. An insulating layer was formed with 100 parts by weight of the lead-free borosilicate glass frit using glass paste containing 1.4 parts by weight of Al 2 O 3 as an inorganic filler and 3.2 parts by weight of ZnO. The L * value, the a * value, and the b * value of this insulating layer are shown in Table 4 and in Figures 8 and 10, the L * value is 84.30, the a * value is -5.75 and the b * value is 34.85 , The L * value of the insulating layer is 85 or more, the a * value is in the range of -2 to 2, and the b * value is in the range of 0 to 13, which means that the light reflectance is lowered and the light emission rate is lowered.
비교예 3은 본 발명에서 특정하고 있는 「Gd2O3:0.1 내지 2.0 몰%」에 대해서, Gd2O3를 함유하고 있지 않은 것이다. 이 무연 붕규산염 유리 프릿 100 중량부에 무기충전재인 Al2O3: 1.4중량부, ZnO: 3.2중량부를 함유하는 유리 페이스트로 절연층을 형성했다. 이 절연층의 L*값, a*값, b*값은 표 4와 도 8 및 도 10에 나타낸 바와 같이, L*값이 79.73, a*값이 -0.47, b*값이 11.37인 바, 절연층의 L*값이 85 이상인 범위 외의 것으로, 광의 반사율의 저하, 발광률을 저하시킨다고 하는 범위인 것이었다. Gd2O3는 백색 절연층에 효과를 갖는 것이다.In Comparative Example 3, "Gd 2 O 3 : 0.1 to 2.0 mol%" specified in the present invention does not contain Gd 2 O 3 . An insulating layer was formed with 100 parts by weight of the lead-free borosilicate glass frit using glass paste containing 1.4 parts by weight of Al 2 O 3 as an inorganic filler and 3.2 parts by weight of ZnO. The L * value, the a * value, and the b * value of this insulating layer have an L * value of 79.73, an a * value of -0.47 and a b * value of 11.37, as shown in Table 4 and Figs. 8 and 10, The L * value of the insulating layer was outside the range of 85 or more, and the range was such that the decrease of the reflectance of light and the light emission rate were lowered. Gd 2 O 3 has an effect on the white insulating layer.
실시예 1과 비교예 3은 Gd2O3를 함유하고 있는가의 여부에서 달리하고 있는 것이다. Gd2O3를 함유하고 있는 실시예 1의 L*값은 표 2 및 도 10에 나타낸 바와 같이 85.05이며, Gd2O3를 함유하지 않는 비교예 3의 L*값은 표 4 및 도 10에 나타낸 바와 같이 79.73으로, Gd2O3: 0.1 내지 2.0몰%의 함유가 백색에 효과를 갖는 것을 나타내고 있는 것이다.Example 1 and Comparative Example 3 differ in whether or not they contain Gd 2 O 3 . The L * value of Example 1 containing Gd 2 O 3 is 85.05 as shown in Table 2 and FIG. 10, and the L * value of Comparative Example 3 containing no Gd 2 O 3 is shown in Tables 4 and 10 As shown, the content of 79.73 and the content of Gd 2 O 3 : 0.1 to 2.0 mol% indicates that the white color is effective.
비교예 4는 본 발명에서 특정하고 있는 「ZnO: 22 내지 35 몰%」에 대해서, ZnO가 특정한 22 내지 35몰%의 범위 외의 것이며, ZnO/B2O3: 2.93이다. 이 무연 붕규산염 유리 프릿 100 중량부에 무기충전재인 Al2O3: 1.4중량부, ZnO: 3.2중량부를 포함하는 유리 페이스트로 절연층을 형성했다. 이 절연층의 L*값, a*값, b*값은 표 4와 도 8 및 도 10에 나타낸 바와 같이, L*값이 65.51, a*값이 -0.98 , b*값이 8.69인 바, 절연층의 L*값이 85 이상인 범위 외의 것으로, 광의 반사율의 저하, 발광률을 저하시킨다고 하는 범위의 것이었다.Comparative Example 4 is ZnO / B 2 O 3 : 2.93, which is out of the range of 22 to 35 mol% of ZnO specified for "ZnO: 22 to 35 mol%" specified in the present invention. To 100 parts by weight of this lead-free borosilicate glass frit, an insulating layer was formed with a glass paste containing 1.4 parts by weight of Al 2 O 3 as an inorganic filler and 3.2 parts by weight of ZnO. The L * value, the a * value, and the b * value of this insulating layer are as shown in Table 4 and Figures 8 and 10, respectively, with an L * value of 65.51, an a * value of -0.98 and a b * value of 8.69. The L * value of the insulating layer was outside the range of 85 or more, and the range was such that the reflectance of light and the light emission rate were lowered.
비교예 5는 본 발명에서 특정하고 있는 「ZnO: 22 내지 35몰%」에 대해서, ZnO가 특정한 22 내지 35몰%인 범위 외의 것이고, ZrO/B2O3: 0.45이다. 이 무연 붕규산염 유리 프릿 100 중량부에 무기충전재인 Al2O3: 1.4중량부, ZnO: 3.2중량부를 함유하는 유리 페이스트로 절연층을 형성했다. 이 절연층의 L*값, a*값, b*값은 표 4와 도 8 및 도 10에 나타낸 바와 같이, L*값이 62.67, a*값이 0.86, b*값이 9.74이고, 절연층의 L*값이 85 이상인 범위 외의 것으로, 광의 반사율의 저하, 발광률을 저하시킨다고 하는 범위의 것이었다.In Comparative Example 5, "ZnO: 22 to 35 mol%" specified in the present invention is out of the range of 22 to 35 mol% of ZnO specified and ZrO / B 2 O 3 : 0.45. An insulating layer was formed with 100 parts by weight of the lead-free borosilicate glass frit using glass paste containing 1.4 parts by weight of Al 2 O 3 as an inorganic filler and 3.2 parts by weight of ZnO. As shown in Table 4 and FIGS. 8 and 10, the L * value, the a * value, and the b * value of the insulating layer were 62.67, 0.86, and 9.74, respectively, Is not within the range where the L * value is 85 or more, and the range is such that the reflectance of light and the light emission rate are lowered.
비교예 6은 무연 붕규산염계 유리 프릿이 표 3에 나타낸 바와 같은 조성의 것이다. 이 무연 붕규산염 유리 프릿 100 중량부에 Al2O3: 3.0 중량부, TiO2: 2.0 중량부를 함유하는 유리 페이스트로 절연층을 형성하는 것이다. 이 절연층의 L*값은 표 4 및 도 10에 나타낸 바와 같이 72.38이며, 또 표 4 및 도 9에 나타낸 바와 같이 a*값이 -7.89, b*값이 37.92인 바, 절연층의 L*값이 85 이상, a*값이 -2 내지 2, b*값이 0 내지 13의 범위 외의 것으로, 광의 반사율의 저하, 발광률을 저하시킨다고 하는 범위의 것이었다. 또, 비교예 6으로부터 TiO2의 무기산화물에서는 소정의 효과가 얻어지지 않고, 본 발명에서 특정하고 있는 「상기 유리 프릿과 Al2O3, SiO2, ZrO 및 ZnO 중 적어도 1개 이상의 무기산화물을 함유하는 유리 페이스트」와 같이, Al2O3, SiO2, ZrO 및 ZnO 중 적어도 1개 이상의 무기산화물로 소정의 효과를 얻을 수 있는 것이다.In Comparative Example 6, the lead-free borosilicate glass frit has a composition as shown in Table 3. An insulating layer is formed with glass paste containing 3.0 parts by weight of Al 2 O 3 and 2.0 parts by weight of TiO 2 in 100 parts by weight of the lead-free borosilicate glass frit. The L * value of this insulating layer is 72.38 as shown in Table 4 and Fig. 10, and the a * value is -7.89 and the b * value is 37.92 as shown in Table 4 and Fig. 9, Value is not less than 85, the a * value is in the range of -2 to 2, and the b * value is out of the range of 0 to 13, which means that the reflectance of light and the light emission rate are lowered. Further, Comparative Example 6 from the inorganic oxide of the TiO 2 is not obtained the desired effect, the invention of "the glass frit and the Al 2 O 3, SiO 2, ZrO, and an inorganic oxide at least one or more of ZnO, which is specified in the , A predetermined effect can be obtained with at least one or more inorganic oxides of Al 2 O 3 , SiO 2 , ZrO and ZnO.
도 1은 본 발명의 실시형태를 도시한 도면;1 is a diagram showing an embodiment of the present invention;
도 2는 본 발명의 실시형태를 도시한 도면;2 is a diagram showing an embodiment of the present invention;
도 3은 본 발명의 실시형태를 도시한 도면;3 is a diagram showing an embodiment of the present invention;
도 4는 본 발명의 내수시험, 내산시험을 설명하는 도면;4 is a view for explaining a water resistance test and an acid resistance test of the present invention;
도 5는 본 발명의 실시예의 시험편을 도시한 도면;5 is a view showing a test piece of an embodiment of the present invention;
도 6은 본 발명의 실시예의 내절연 시험을 도시한 도면;6 is a view showing an insulation test of an embodiment of the present invention;
도 7은 본 발명의 L*, a*, b*를 설명하는 도면;7 is a view for explaining L *, a * and b * of the present invention;
도 8은 본 발명의 실시예의 a*, b*를 설명하는 도면;8 is a view for explaining a *, b * in the embodiment of the present invention;
도 9는 본 발명의 실시예의 a*, b*를 설명하는 도면;9 is a view for explaining a *, b * in the embodiment of the present invention;
도 10은 본 발명의 실시예의 L*를 설명하는 도면.10 is a diagram for explaining L * in the embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>Description of the Related Art
1: 배면 유리 기판 2: 어드레스 전극(은 전극)1: back glass substrate 2: address electrode (silver electrode)
3: 절연층(유전체층) 4, 6, 7: 리브(분리벽)3: insulating layer (dielectric layer) 4, 6, 7: rib (separating wall)
10: 전면 유리 기판 11: 유전체층10: front glass substrate 11: dielectric layer
12: 투명전극 13: 버스 전극12: transparent electrode 13: bus electrode
14: 블랙 스트라이프 15: 보호막14: Black stripe 15: Shield
41: 유리 기판 42: 은 전극41: glass substrate 42: silver electrode
43: 절연층 50: 유리 기판43: insulating layer 50: glass substrate
51a 내지 51d: 은 전극 52: 절연층51a to 51d: silver electrode 52: insulating layer
Claims (8)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006262181A JP5025209B2 (en) | 2006-09-27 | 2006-09-27 | Lead-free borosilicate glass frit and glass paste for forming an insulating layer |
JPJP-P-2006-00262181 | 2006-09-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080028802A KR20080028802A (en) | 2008-04-01 |
KR101417009B1 true KR101417009B1 (en) | 2014-07-08 |
Family
ID=39352566
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070096585A Expired - Fee Related KR101417009B1 (en) | 2006-09-27 | 2007-09-21 | Lead-free borosilicate glass frit and its glass paste for forming an insulating layer |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5025209B2 (en) |
KR (1) | KR101417009B1 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010042962A (en) * | 2008-08-14 | 2010-02-25 | Nippon Electric Glass Co Ltd | Dielectric material for plasma display panel |
CN104860720B (en) * | 2015-05-07 | 2017-01-04 | 广东宏陶陶瓷有限公司 | Ceramic decoration high temperature scarlet color ink-jet ink and preparation method and applications |
JP6952949B2 (en) * | 2016-10-04 | 2021-10-27 | 日本電気硝子株式会社 | Borosilicate glass, composite powder material and composite powder material paste |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2003335550A (en) | 2002-03-13 | 2003-11-25 | Toray Ind Inc | Glass paste, display member using the paste, and display |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4069559B2 (en) * | 1999-12-20 | 2008-04-02 | 旭硝子株式会社 | Low melting glass for forming barrier ribs and plasma display panel |
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-
2006
- 2006-09-27 JP JP2006262181A patent/JP5025209B2/en active Active
-
2007
- 2007-09-21 KR KR1020070096585A patent/KR101417009B1/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5025209B2 (en) | 2012-09-12 |
KR20080028802A (en) | 2008-04-01 |
JP2008081346A (en) | 2008-04-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20070921 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20120910 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20070921 Comment text: Patent Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20131220 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20140414 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20140630 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20140630 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170623 Year of fee payment: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20170623 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180625 Year of fee payment: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20180625 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190507 Year of fee payment: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20190507 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20200424 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20210610 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20220523 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20240411 |