KR101415568B1 - 액정 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 서로 마주하는 제1 표시판과 제2 표시판, 상기 제1 표시판과 상기 제2 표시판 사이에 위치하며 상기 제1 표시판과 상기 제2 표시판을 접착하여 고정하는 밀봉재, 상기 제1 표시판과 상기 제2 표시판 사이에 위치하며 상기 밀봉재의 외측에 위치하는 차단 부재, 그리고 상기 제1 표시판과 상기 제2 표시판 사이에 개재되어 있으며 상기 밀봉재로 둘러싸인 영역에 위치하는 액정을 포함하고, 상기 차단 부재는 적어도 하나의 부티레이트(butyrate)를 가지는 실란 유도체로부터 형성되는 규소 수지(silicone)를 포함하는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치, 규소 수지(silicone), 수분, 부식
Description
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD)는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치(flat panel display) 중 하나이다. 액정 표시 장치는 전기장 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 들어 있는 액정층을 포함하며, 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성함으로써 액정층의 액정 분자들의 방향을 결정하고 액정층을 통과하는 빛의 투과율을 조절한다.
액정 표시 장치 중에서도 현재 주로 사용되는 것은 전기장 생성 전극이 두 표시판에 각각 구비되어 있는 구조이다. 이 중에서도, 하나의 표시판에는 복수의 화소 전극이 행렬의 형태로 배열되어 있고, 다른 표시판에는 하나의 공통 전극이 표시판 전면을 덮고 있는 구조가 주류이다.
이러한 액정 표시 장치에서의 영상의 표시는 각 화소 전극에 별도의 전압을 인가함으로써 이루어진다. 이를 위해서 화소 전극에 인가되는 전압을 스위칭하기 위한 삼단자소자인 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 각 화소 전극에 연결하고 이 박막 트랜지스터를 제어하기 위한 신호를 전달하는 게이트선(gate line)과 화소 전극에 인가될 전압을 전달하는 데이터선(data line)을 형성한다. 박막 트랜지스터는 게이트선을 통하여 전달되는 주사 신호에 따라 데이터선을 통하여 전달되는 데이터 신호를 화소 전극에 전달 또는 차단하는 스위칭 소자로서의 역할을 한다.
한편, 액정 표시 장치는 습기에 매우 취약하다. 특히 밀봉재의 외부로 뻗어 있는 게이트선의 패드부 및 데이터선의 패드부는 외부의 습기에 노출되어 부식되기 쉽다. 이 경우 게이트선 및 데이터선에 단락이 발생하거나 외부 회로와의 접속이 불량하여 액정 표시 장치의 불량을 일으킬 수 있다.
따라서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 게이트선 및 데이터선의 부식을 방지하여 액정 표시 장치의 불량을 방지하는 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는 서로 마주하는 제1 표시판과 제2 표시판, 상기 제1 표시판과 상기 제2 표시판 사이에 위치하며 상기 제1 표시판과 상기 제2 표시판을 접착하여 고정하는 밀봉재, 상기 제1 표시판과 상기 제2 표시판 사이에 위치하며 상기 밀봉재의 외측에 위치하는 차단 부재, 그리고 상기 제1 표시판과 상기 제2 표시판 사이에 개재되어 있으며 상기 밀봉재로 둘러싸인 영역에 위치하는 액정을 포함하고, 상기 차단 부재는 적어도 하나의 부티레이트(butyrate)를 가지는 실란 유도체로부터 형성되는 규소 수지(silicone)를 포함한다.
상기 실란 유도체는 화학식 1:
[화학식 1]
로 표현되고, 여기서 R1 및 R2는 서로 같거나 다르며 탄소 수 1 내지 5개의 알킬기에서 선택될 수 있다.
상기 제1 표시판은 제1 방향을 따라 서로 나란하게 뻗어 있는 복수의 게이트선, 그리고 상기 복수의 게이트선과 교차하며 서로 나란하게 뻗어 있는 복수의 데이터선을 포함하고, 상기 차단 부재는 상기 복수의 게이트선과 중첩하게 형성되어 있는 제1 차단 부재, 그리고 상기 복수의 데이터선과 중첩하게 형성되어 있는 제2 차단 부재 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 R1 및 R2 중 적어도 하나는 아미드 기(amide group), 에스테르 기(ester group), 에테르 기(ether group), 설파이드 기(sulfide group), 설폭시드 기(sulfoxide group), 히드록시 기(hydroxy group), 이미드 기(imide group), 아자 기(aza group), 아민 기(amine group), 아조 기(azo group), 알데히드 기(aldehyde group), 카르복실기(carboxylic acid), 무수물(anhydride), 염화물(halide) 및 우레아(urea)에서 선택된 적어도 하나의 작용기와 결합되어 있을 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 복수의 신호선, 상기 신호선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 화소 전극을 포함하는 제1 표시판을 형성하는 단계, 공통 전극을 포함하는 제2 표시판을 형성하는 단계, 상기 제1 표시판과 상기 제2 표시판 사이에 액정층을 형성하는 단계, 상기 제1 표시판과 상기 제2 표시판을 밀봉재로 고정하는 단계, 그리고 상기 제1 표시판과 상기 제2 표시판에 접촉하며 상기 제2 표시판의 적어도 하나의 모서리를 따라 차단 부재를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 차단 부재는 적어도 하나의 부티레이트(butyrate)를 가지는 실란 유도체로부터 형성되는 규소 수지(silicone)를 포함한다.
상기 실란 유도체는 화학식 1:
[화학식 1]
로 표현되고, 여기서 R1 및 R2는 서로 같거나 다르며 탄소 수 1 내지 5개의 알킬기에서 선택될 수 있다.
액정 표시 장치 내부로 수분이 침투하는 것을 효과적으로 차단하여 게이트선 및 데이터선의 부식을 방지하고, 이에 따라 게이트선 또는 데이터선에 단락이 발생하거나 외부 회로와의 접속이 불량해지는 것을 방지하여 액정 표시 장치의 불량을 줄일 수 있다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
그러면 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 도 1 내지 도 4를 참고하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 사시도이고, 도 2는 도 1의 액정 표시 장치에서 하나의 화소를 보여주는 배치도이고, 도 3은 도 2의 액정 표시 장치를 III-III 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 4는 도 1의 액정 표시 장치의 일부분을 보여주는 단면도이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는 서로 마주하는 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200) 및 이들 두 표시판(100, 200) 사이에 개재되어 있는 액정층(3)을 포함한다.
또한 액정 표시 장치는 영상을 표시하기 위한 표시 영역(A)과 외부 구동 회로와 연결하기 위한 패드 영역(B)을 포함한다.
먼저 박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 설명한다.
절연 기판(110) 위에 게이트 신호를 전달하는 복수의 게이트선(121)이 형성되어 있다. 각 게이트선(121)은 위로 뻗어 있는 게이트 전극(124)과 외부 회로 연결을 위하여 폭이 넓은 끝 부분(129)을 포함한다.
게이트선(121) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있으며, 게이트 절연막(140) 위에는 세로 방향으로 뻗어 있으며 비정질 또는 결정질 규소 따위로 만들어진 선형 반도체(151)가 형성되어 있다. 선형 반도체(151)는 게이트 전극(124)을 향하여 뻗어 있는 돌출부(154)를 포함한다.
선형 반도체(151) 위에는 실리사이드(silicide) 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질규소 따위의 물질로 이루어지는 선형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(161) 및 복수의 섬형 저항성 접촉 부재(165)가 형성되어 있다. 선형 저항성 접촉 부재(161)는 선형 반도체(151)의 돌출부(154)를 향하여 뻗어 있는 돌출부(163)를 포함하며, 돌출부(163)는 섬형 저항성 접촉 부재(165)와 쌍을 이루어 선형 반도체(151)의 돌출부(154) 위에 위치되어 있다.
선형 저항성 접촉 부재(161), 섬형 저항성 접촉 부재(165) 및 게이트 절연 막(140) 위에는 복수의 데이터선(171) 및 복수의 드레인 전극(175)이 형성되어 있다.
데이터선(171)은 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차하며 데이터 전압을 전달한다. 각 데이터선(171)에서 드레인 전극(175)을 향하여 뻗은 복수의 가지가 소스 전극(173)을 이루고, 한 쌍의 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)은 게이트 전극(124) 위에서 서로 마주한다.
게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 반도체(151)와 함께 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 선형 반도체(151)의 돌출부(154)에 형성된다.
선형 반도체(151)는 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 채널 영역을 제외하고는 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)과 실질적으로 동일한 평면 모양을 가진다.
선형 저항성 접촉 부재(161)는 선형 반도체(151)와 데이터선(171) 사이에 끼어 있으며 데이터선(171)과 실질적으로 동일한 평면 모양을 가진다. 섬형 저항성 접촉 부재(165)는 선형 반도체(151)와 드레인 전극(175) 사이에 끼어 있으며 드레인 전극(175)과 실질적으로 동일한 평면 모양을 가진다.
데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 위에는 보호막(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 질화규소 또는 산화규소 따위의 무기 절연 물질 또는 아크릴계 화합물 따위의 유기 절연 물질로 만들어질 수 있다.
보호막(180)에는 드레인 전극(175) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)을 드러내는 접촉 구멍(185, 182)이 형성되어 있고, 보호막(180) 및 게이트 절연막(140)에는 게이트선(121)의 끝 부분(129)을 드러내는 접촉 구멍(181)이 형성되어 있다.
보호막(180) 위에는 화소 전극(191) 및 복수의 접촉 보조 부재(81, 82)가 형성되어 있다.
화소 전극(191)은 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 연결되어 있으며 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가받는다.
접촉 보조 부재(81, 82)는 접촉 구멍(181, 182)을 통하여 게이트선(121)의 끝 부분(129)과 데이터선(171)의 끝 부분(179)에 각각 연결되어 있다. 접촉 보조 부재(81, 82)는 게이트선(121)의 끝 부분(129) 또는 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 구동 집적 회로와 같은 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호한다.
다음 공통 전극 표시판(200)에 대하여 설명한다.
공통 전극 표시판(200)은 절연 기판(210) 위에 소정 간격으로 분리되어 있는 블랙 매트릭스(black matrix)라 불리는 복수의 차광 부재(220)가 형성되어 있다.
차광 부재(220)는 화소 전극(191)과 마주하고 화소 전극(191)과 거의 동일한 모양을 가지는 복수의 개구부를 가지고 있으며, 화소 전극(191) 사이의 빛샘을 막는다. 차광 부재(220)는 게이트선(121) 및 데이터선(171)에 대응하는 부분과 박막 트랜지스터에 대응하는 부분으로 이루어질 수 있다.
기판(210) 위에는 또한 복수의 색 필터(230)가 형성되어 있다. 색 필터(230)는 차광 부재(220)로 둘러싸인 영역 내에 대부분 존재하며, 어느 한 방향으 로 길게 뻗을 수 있다. 각 색 필터(230)는 적색, 녹색 및 청색 등 기본색 중 하나를 표시할 수 있다.
색 필터(230) 위에는 평탄화막(250) 및 공통 전극(270)이 형성되어 있다.
박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200)의 내면에는 배향막(11, 21)이 각각 형성되어 있다. 배향막(11, 21)은 표시 영역(A)에 형성되어 있으며 폴리이미드 따위의 절연 물질로 만들어질 수 있다.
표시판(100, 200)은 밀봉재(sealant)(310)에 의해 접착 고정되어 있다. 밀봉재(310)는 표시 영역(A) 둘레를 따라 형성되어 있으며 소정의 폐각 형상의 영역을 정의한다. 밀봉재(310)는 셀 간격(cell gap)과 실질적으로 동일한 높이를 가지며, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 아크릴-에폭시계 수지 및 페놀 수지 따위의 광 경화성 또는 열 경화성 수지로 만들어질 수 있다.
밀봉재(310)의 외측에는 차단 부재(320)가 형성되어 있다. 차단 부재(320)는 박막 트랜지스터 표시판(100) 및 공통 전극 표시판(200)과 각각 접촉되어 있으며 표시 영역(A)과 패드 영역(B)의 경계와 중첩한다. 이에 따라 차단 부재(320)는 표시 영역(A)으로부터 뻗어 나온 복수의 게이트선(121)과 일부 중첩하거나 표시 영역(A)으로부터 뻗어 나온 복수의 데이터선(171)과 일부 중첩하거나 이들 둘 모두와 일부 중첩할 수 있다.
차단 부재(320)는 폴리실록산 따위의 규소 수지(silicone)로 만들어지며, 규소 수지는 화학식 2로 표현될 수 있다:
[화학식 2]
여기서 R1 및 R2는 각각 탄소 수 1 내지 5개의 알킬기(alkyl group)일 수 있으며, 또는 이들 알킬기에 아미드 기(amide group), 에스테르 기(ester group), 에테르 기(ether group), 설파이드 기(sulfide group), 설폭시드 기(sulfoxide group), 히드록시 기(hydroxy group), 이미드 기(imide group), 아자 기(aza group), 아민 기(amine group), 아조 기(azo group), 알데히드 기(aldehyde group), 카르복실기(carboxylic acid), 무수물(anhydride), 염화물(halide) 및 우레아(urea)에서 선택된 적어도 하나의 작용기와 결합되어 있을 수 있다.
이러한 규소 수지는 부티레이트(butyrate)를 가지는 실란 유도체로부터 형성될 수 있다.
부티레이트 기를 가지는 실란 유도체는 예컨대 화학식 1로 표현될 수 있다:
[화학식 1]
화학식 1에서 보는 바와 같이, 실란 유도체는 중심 원자인 규소에 부티릴 기(butyryl group)가 결합되어 있는 구조이다.
화학식 1의 실란 유도체는 공기 중의 습기(humid)과 반응하는 경우 이탈기(leaving group)로서 부티릴 기가 분리된다. 하기 화학 반응식은 R1 및 R2가 각각 메틸기인 경우를 예로 들었다.
이러한 부티릴 기는 비교적 크기가 큰 이탈기이므로 분리되기 쉽고, 이에 따라 부산물이 적게 발생한다. 또한 부산물로 발생하는 부티릴 산(butyryl acid)은 물에 대해 약 35중량% 이하의 비교적 작은 용해성을 가지므로 공기 중의 수분이 표시판(100, 200) 내부에 유입되는 것을 차단할 수 있다. 또한 미경화된 실란 유도체가 남는 경우, 화학식 1과 같이 부티릴 기를 가지는 실란 유도체는 분자 크기가 커서 표시판 내부로 확산되기 어려워서 표시판(100, 200) 내에 잔류물이 남는 것을 줄일 수 있다.
이는 차단 부재(320)가 아세테이트 기(acetate group)를 포함하는 디메틸 실란 디아세테이트(dimethyl silane diacetate) 또는 염소 이온(Cl-)를 포함하는 디메틸 실란 디클로라이드(dimethyl silane dichloride)로부터 형성되는 경우와 비교할 수 있다.
상기 화학반응식에서 보는 바와 같이, 디메틸 실란 디아세테이트가 수분(Humidity)과 반응하는 경우 폴리디메틸실록산이 생성되고 부산물로 아세트산(acetic acid)이 남는다. 또한 디메틸 실란 디클로라이드가 수분과 반응하는 경우 폴리디메틸실록산이 생성되고 부산물로 염산(HCl)이 남는다.
이 경우 부산물인 아세트산은 산도가 높아서 그 자체로 금속을 부식시킬 수 있을 뿐만 아니라, 미경화된 디메틸 실란 디아세테이트는 분자 크기가 작아 물 분자와 함께 표시판(100, 200) 내부로 확산될 수 있다. 한편 부산물인 염산은 산도가 매우 강해 그 자체로 금속을 부식시킬 수 있을 뿐만 아니라 독성이 있으므로 제품 품질 및 공정 중에 위험에 노출될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따라 부티릴 기를 가지는 실란 유도체로부터 형성된규소 수지는 상술한 바와 같이 수분과의 반응 속도가 현저하게 낮고 표시판 내부로 확산되는 속도 또한 느려서 표시판 내부에 수분이 유입되는 것을 효과적으로 차단할 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 이러한 효과를 보여준다.
도 5a는 본 발명의 한 실시예에 따라 디메틸 실란 디부티레이트로부터 형성 된 규소 수지를 사용한 경우 수분 차단 효과를 보여주는 사진이고, 도 5b는 비교예로서 디메틸 실란 디아세테이트로부터 형성된 규소 수지를 사용한 경우 표시판 내부로 수분이 침투한 것을 보여주는 사진이다.
도 5a를 참고하면, 디메틸 실란 디부티레이트로부터 형성된 규소 수지에 의해 외부의 수분이 효과적으로 차단됨으로써 데이터선에 어떠한 부식도 발생하지 않았음을 알 수 있다. 이에 반해 도 5b를 참고하면, 차단 부재를 두었음에도 불구하고 외부의 수분이 효과적으로 차단되지 못하여 데이터선의 끝 부분에 수분이 맺혀있는 것을 볼 수 있으며 이는 데이터선의 부식을 일으켜 신호 불량을 일으킬 것으로 예상된다.
본 실시예에서는 두 개의 부티릴 기를 가지는 실란 유도체만을 설명하였지만 이에 한정되지 않고 실란 유도체에 적어도 한 개 이상의 부티릴 기를 가질 수 있다.
밀봉재(310)에 의해 정의되는 영역에는 복수의 액정 분자(310)를 포함하는 액정층(3)이 개재되어 있다. 액정 분자(310)는 양 또는 음의 유전율 이방성을 가지며, 전기장이 없는 상태에서 그 장축이 두 표시판(100, 200)의 표면에 대하여 수평 또는 수직을 이루도록 배향되며 공통 전극(270)과 화소 전극(191) 사이에 전기장이 생성되는 경우 소정 방향으로 재배열된다.
그러면 도 1 내지 도 4의 액정 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다.
먼저 박막 트랜지스터 표시판(100)의 제조 방법에 대하여 설명한다.
절연 기판(110) 위에 게이트 전극(124) 및 끝 부분(129)을 포함하는 게이트 선(121)을 형성하고, 게이트선(121)을 포함한 기판 전면에 게이트 절연막(140)을 형성한다.
이어서 게이트 절연막(140) 위에 반도체 층(도시하지 않음), 저항성 접촉층(도시하지 않음) 및 데이터 도전층(도시하지 않음)을 차례로 적층한 후, 그 위에 두께가 다른 감광 패턴(도시하지 않음)을 형성한다.
이어서 감광 패턴을 마스크로 하여 데이터 도전층, 저항성 접촉층 및 반도체 층을 1차 식각한 후 데이터 도전층을 2차 식각하여 소스 전극(173)을 포함하는 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)을 형성한다. 이어서 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175) 사이에 노출되어 있는 저항성 접촉층을 제거하여 돌출부(163)를 가지는 선형 저항성 접촉 부재9161) 및 섬형 저항성 접촉 부재(165)를 형성한다.
이어서 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 위에 보호막(180)을 적층하고 복수의 접촉 구멍(181, 182, 185)을 형성한다.
이어서 보호막(180) 위에 화소 전극(191) 및 복수의 접촉 보조 부재(81, 82)를 형성하고, 그 위에 배향막(11)을 도포한다.
공통 전극 표시판(200)은 절연 기판(210) 위에 복수의 차광 부재(220)를 형성하고 그 위에 색 필터(230)를 형성한다. 이어서 차광 부재(220) 및 색 필터(230) 위에 공통 전극(270)을 형성하고, 그 위에 배향막(21)을 형성한다.
다음 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200) 중 하나 위에 액정(310)을 적하한다.
또한 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200) 중 하나 위에 밀봉재(310)를 도포한다. 밀봉재(310)는 디스펜서(dispenser)(도시하지 않음)를 사용하여 표시 영역(A) 주위를 둘러싸도록 도포한다. 이 때 밀봉재(310)의 높이는 셀 간격과 동일하거나 압착(press)되는 정도를 고려하여 그보다 다소 높게 형성할 수 있다.
다음 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200)을 합착(assembly)한다. 합착은 진공 분위기에서 수행하는 것이 바람직하다.
이어서 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200) 사이의 밀봉재(310)를 UV로 경화한다. 또한 필요한 경우 열 경화하는 공정을 더 포함할 수 있다.
다음 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200) 사이에 밀봉재(310)의 외측에 차단 부재(320)를 형성한다. 차단 부재(320) 또한 디스펜서를 사용하여 공통 전극 표시판(200)의 모서리를 따라 도포할 수 있다.
차단 부재(320)는 상술한 실란 유도체로부터 형성할 수 있으며, 실란 유도체는 공기 중의 수분으로 천천히 반응시키거나 UV를 조사하여 중합시킬 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 사시도이고,
도 2는 도 1의 액정 표시 장치에서 하나의 화소를 보여주는 배치도이고,
도 3은 도 2의 액정 표시 장치를 III-III 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 4는 도 1의 액정 표시 장치의 일부분을 보여주는 단면도이고,
도 5a는 본 발명의 한 실시예에 따라 디메틸 실란 디부티레이트로부터 형성된 규소 수지를 사용한 경우 수분 차단 효과를 보여주는 사진이고,
도 5b는 비교예로서 디메틸 실란 디아세테이트로부터 형성된 규소 수지를 사용한 경우 표시판 내부로 수분이 침투한 것을 보여주는 사진이다.
Claims (6)
- 서로 마주하는 제1 표시판과 제2 표시판,상기 제1 표시판과 상기 제2 표시판 사이에 위치하며 상기 제1 표시판과 상기 제2 표시판을 접착하여 고정하는 밀봉재,상기 제1 표시판과 상기 제2 표시판 사이에 위치하며 상기 밀봉재의 외측에 위치하는 차단 부재, 그리고상기 제1 표시판과 상기 제2 표시판 사이에 개재되어 있으며 상기 밀봉재로 둘러싸인 영역에 위치하는 액정을 포함하고,상기 차단 부재는 적어도 하나의 부티레이트(butyrate)를 가지는 실란 유도체로부터 형성되는 규소 수지(silicone)를 포함하고,상기 실란 유도체는 화학식 1:[화학식 1]
로 표현되고,여기서 R1 및 R2는 서로 같거나 다르며 탄소 수 1 내지 5개의 알킬기에서 선택되는 액정 표시 장치. - 삭제
- 제1항에서,상기 제1 표시판은제1 방향을 따라 서로 나란하게 뻗어 있는 복수의 게이트선, 그리고상기 복수의 게이트선과 교차하며 서로 나란하게 뻗어 있는 복수의 데이터선을 포함하고,상기 차단 부재는상기 복수의 게이트선과 중첩하게 형성되어 있는 제1 차단 부재, 그리고상기 복수의 데이터선과 중첩하게 형성되어 있는 제2 차단 부재중 적어도 하나를 포함하는 액정 표시 장치.
- 제1항에서,상기 화학식 1의 R1 및 R2 중 적어도 하나는아미드 기(amide group), 에스테르 기(ester group), 에테르 기(ether group), 설파이드 기(sulfide group), 설폭시드 기(sulfoxide group), 히드록시 기(hydroxy group), 이미드 기(imide group), 아자 기(aza group), 아민 기(amine group), 아조 기(azo group), 알데히드 기(aldehyde group), 카르복실기(carboxylic acid), 무수물(anhydride), 염화물(halide) 및 우레아(urea)에서 선택된 적어도 하나의 작용기와 결합되어 있는 액정 표시 장치.
- 복수의 신호선, 상기 신호선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 화소 전극을 포함하는 제1 표시판을 형성하는 단계,공통 전극을 포함하는 제2 표시판을 형성하는 단계,상기 제1 표시판과 상기 제2 표시판 사이에 액정층을 형성하는 단계,상기 제1 표시판과 상기 제2 표시판을 밀봉재로 고정하는 단계, 그리고상기 제1 표시판과 상기 제2 표시판에 접촉하며 상기 제2 표시판의 적어도 하나의 모서리를 따라 차단 부재를 형성하는 단계를 포함하고,상기 차단 부재는 적어도 하나의 부티레이트(butyrate)를 가지는 실란 유도체부터 형성되는 규소 수지(silicone)를 포함하고,상기 실란 유도체는 화학식 1:[화학식 1]
로 표현되고,여기서 R1 및 R2는 서로 같거나 다르며 탄소 수 1 내지 5개의 알킬기에서 선택되는 액정 표시 장치의 제조 방법. - 삭제
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004143331A (ja) * | 2002-10-25 | 2004-05-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物 |
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| KR20070073294A (ko) * | 2006-01-04 | 2007-07-10 | 주식회사 두산 | 액정표시소자용 실란트 조성물 및 이를 이용한 씰제 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004143331A (ja) * | 2002-10-25 | 2004-05-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物 |
| US20050046778A1 (en) * | 2003-08-29 | 2005-03-03 | Kun-Hsing Hsiao | Liquid crystal display panel with dual sealing and method for fabricating the same |
| US20050128420A1 (en) | 2003-12-11 | 2005-06-16 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display panel and fabrication method thereof |
| KR20070073294A (ko) * | 2006-01-04 | 2007-07-10 | 주식회사 두산 | 액정표시소자용 실란트 조성물 및 이를 이용한 씰제 |
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| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20080408 |
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| PG1501 | Laying open of application | ||
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| PN2301 | Change of applicant |
Patent event date: 20120913 Comment text: Notification of Change of Applicant Patent event code: PN23011R01D |
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| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20130326 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20080408 Comment text: Patent Application |
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| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20140113 Patent event code: PE09021S01D |
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| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20140424 |
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| GRNT | Written decision to grant | ||
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Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20140630 Patent event code: PR07011E01D |
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Payment date: 20140630 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
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| PG1601 | Publication of registration | ||
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Payment date: 20170601 Year of fee payment: 4 |
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| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20170601 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
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| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190529 Year of fee payment: 6 |
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Payment date: 20190529 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
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| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20200527 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
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| PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20220411 |