KR101394456B1 - 기판처리장치 및 기판처리방법 - Google Patents
기판처리장치 및 기판처리방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101394456B1 KR101394456B1 KR1020110140017A KR20110140017A KR101394456B1 KR 101394456 B1 KR101394456 B1 KR 101394456B1 KR 1020110140017 A KR1020110140017 A KR 1020110140017A KR 20110140017 A KR20110140017 A KR 20110140017A KR 101394456 B1 KR101394456 B1 KR 101394456B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- housing
- nozzle member
- rti
- support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02101—Cleaning only involving supercritical fluids
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
도 2는 기판처리장치의 일 실시예의 평면도이다.
도 3은 도 2의 제1공정챔버의 단면도이다.
도 4 및 도 5는 도 2의 제2공정챔버의 일 실시예의 단면도이다.
도 6은 도 2의 제2공정챔버의 다른 실시예의 단면도이다.
도 7 및 도 8은 도 4 및 도 5의 노즐부재의 일단의 형상을 나타낸 도면이다.
도 9는 도 7의 노즐부재가 초임계유체를 분사하는 것을 도시한 도면이다.
도 10은 도 4 및 도 5의 노즐부재의 변형예에 관한 도면이다.
도 11은 기판처리방법의 일 실시예의 순서도이다.
도 12는 기판처리방법의 다른 실시예의 순서도이다.
도 13 및 도 14는 도 12의 기판처리방법의 동작도이다.
1000: 인덱스모듈 1100: 로드포트 1200: 이송프레임
1210: 인덱스로봇 1220: 인덱스레일
2000: 공정모듈 2100: 버퍼챔버 2200: 이송챔버
2210: 이송로봇 2220: 이송레일
3000: 제1공정챔버 3100: 지지부재 3200: 노즐부재
3300: 회수부재
4000: 제2공정챔버 4100: 하우징 4110: 상부하우징
4120: 하부하우징 4200: 승강부재 4300: 지지유닛
4310: 지지바 4320: 지지부재 4400: 가열부재
4500: 공급포트 4510: 상부공급포트 4520: 하북공급포트
4530: 노즐부재 4600: 배기포트
C: 용기 S: 기판
Claims (23)
- 공정이 수행되는 공간을 제공하는 하우징;
상기 하우징의 내부에 서로 상하방향으로 이격되어 배치되고, 각각 복수의 기판의 가장자리를 지지하는 복수의 지지부재;
상기 하우징의 상부벽에 형성되고, 공정유체를 분사하는 상부공급포트;및
측면에서 볼 때 상기 공정유체를 분사하는 일단이 서로 인접한 기판 사이에 위치하는 노즐부재;를 포함하되,
상기 노즐부재는 상기 하우징의 상부벽을 관통하여 상기 상부벽으로부터 수직하게 연장되고, 상기 복수의 기판 사이로 상기 기판과 평행하게 절곡되어, 상기 기판으로 상기 공정유체를 공급하는,
기판처리장치. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 노즐부재는, 상부에서 볼 때 상기 일단이 상기 기판의 중앙부에 위치하는
기판처리장치. - 제3항에 있어서,
상기 노즐부재는, 상기 서로 인접한 기판 중 아래쪽 기판의 상면을 향해 상기 공정유체를 분사하도록 제공되는
기판처리장치. - 제3항에 있어서,
상기 노즐부재는, 상기 서로 인접한 기판 중 아래쪽 기판의 상면과 위쪽 기판의 하면을 향해 상기 공정유체를 동시에 분사하도록 제공되는
기판처리장치. - 제4항 또는 제5항에 있어서,
상기 노즐부재는, 연직방향에 대하여 경사지게 방사형으로 상기 공정유체를 분사하도록 제공되는
기판처리장치. - 제1항에 있어서,
상기 노즐부재는, 상부에서 볼 때 상기 일단이 상기 기판의 가장자리 영역 또는 외측에 위치하고, 상기 기판에 평행한 방향으로 상기 공정유체를 분사하도록 제공되는
기판처리장치. - 공정이 수행되는 공간을 제공하는 하우징;
상기 하우징의 내부에 서로 상하방향으로 이격되어 배치되고, 각각 복수의 기판의 가장자리를 지지하는 복수의 지지부재;
측면에서 볼 때 공정유체를 분사하는 일단이 서로 인접한 기판 사이에 위치하는 노즐부재; 및
상기 하우징의 하부벽에 형성되고, 상기 공정유체를 분사하는 하부공급포트;를 포함하는
기판처리장치. - 삭제
- 제8항에 있어서,
상기 하부공급포트로 상기 공정유체를 공급한 뒤 상기 하우징의 내부압력이 기 설정된 압력에 도달하면, 상기 노즐부재로 상기 공정유체를 분사하기 시작하도록 제어하는 제어기;를 더 포함하는
기판처리장치. - 제1항 및 제3항 내지 제5항 및 제7항 내지 제8항 및 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 하우징의 상부벽으로부터 아래방향으로 연장되는 지지바;를 더 포함하고,
상기 복수의 지지부재는, 상기 지지바에 일정한 간격으로 연설되는
기판처리장치. - 제1항 및 제3항 내지 제5항 및 제7항 내지 제8항 및 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 하우징은, 상부하우징 및 상기 상부하우징의 하부에 배치되는 하부하우징을 포함하고,
상기 상부하우징 또는 상기 하부하우징 중 어느 하나를 승강시켜 상기 하우징을 개폐하는 승강부재;를 더 포함하는
기판처리장치. - 제1항 및 제3항 내지 제5항 및 제7항 내지 제8항 및 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 공정유체는, 초임계유체인
기판처리장치. - 공정이 수행되는 공간을 제공하는 하우징;
제1기판의 가장자리를 지지하는 제1지지부재;
제2기판의 가장자리를 지지하는 제2지지부재;
상기 하우징의 상부벽에 형성되고, 상기 제2기판의 상면을 향해 초임계유체를 분사하는 상부공급포트; 및
측면에서 볼 때 공정유체를 분사하는 일단이 서로 인접한 기판 사이에 위치하는 노즐부재;를 더 포함하되,
상기 노즐부재는 상기 하우징의 상부벽을 관통하여 상기 상부벽으로부터 수직하게 연장되고, 상기 복수의 기판 사이로 상기 기판과 평행하게 절곡되어, 상기 기판으로 상기 공정유체를 공급하는,
기판처리장치. - 제14항에 있어서,
상기 노즐부재는 측면에서 볼 때 상기 일단이 상기 제1지지부재와 상기 제2지지부재의 사이에 위치하는
기판처리장치. - 제15항에 있어서,
상기 노즐부재는, 상기 제1기판의 상면을 향해 상기 초임계유체를 분사하는
기판처리장치. - 제15항에 있어서,
상기 노즐부재는, 상기 제1기판과 상기 제2기판의 사이 공간으로 상기 초임계유체를 분사하는
기판처리장치. - 제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 하우징의 상부벽으로부터 아래로 연장되는 지지바;를 더 포함하고,
상기 제1지지부재는, 상기 지지바의 하단에서 수평방향으로 연장되고,
상기 제2지지부재는, 상기 지지바의 중간에서 수평방향으로 연장되는
기판처리장치. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012193480A JP2013080908A (ja) | 2011-09-30 | 2012-09-03 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US13/609,986 US20130081658A1 (en) | 2011-09-30 | 2012-09-11 | Apparatus and method for treating substrate |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110100312 | 2011-09-30 | ||
KR20110100312 | 2011-09-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20130035840A KR20130035840A (ko) | 2013-04-09 |
KR101394456B1 true KR101394456B1 (ko) | 2014-05-15 |
Family
ID=48437579
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110140017A Active KR101394456B1 (ko) | 2011-09-30 | 2011-12-22 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013080908A (ko) |
KR (1) | KR101394456B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11443938B2 (en) | 2017-10-16 | 2022-09-13 | Semes Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014210257A1 (en) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | Beijing Sevenstar Electronics Co. Ltd. | Vertical no-spin process chamber |
JP6158737B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2017-07-05 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
KR102378336B1 (ko) * | 2015-11-13 | 2022-03-24 | 세메스 주식회사 | 베이크 장치 및 베이크 방법 |
JP6755776B2 (ja) * | 2016-11-04 | 2020-09-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体 |
JP6922048B2 (ja) * | 2016-11-04 | 2021-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体 |
KR101987959B1 (ko) * | 2017-07-25 | 2019-06-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
US20190164787A1 (en) | 2017-11-30 | 2019-05-30 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for processing substrate |
KR102042789B1 (ko) * | 2017-11-30 | 2019-11-08 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
KR102131933B1 (ko) * | 2018-08-17 | 2020-07-09 | 주식회사 넥서스비 | 원자층 증착 장치 및 이를 이용한 원자층 증착 방법 |
JP7169857B2 (ja) * | 2018-11-22 | 2022-11-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR102135941B1 (ko) * | 2019-08-19 | 2020-07-21 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 |
JP2022159601A (ja) | 2021-04-05 | 2022-10-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
JP7318066B1 (ja) | 2022-05-26 | 2023-07-31 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003151896A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-05-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 高圧処理装置および高圧処理方法 |
JP2006303316A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Ntt Advanced Technology Corp | 超臨界処理方法及び装置 |
KR100695228B1 (ko) * | 2005-09-08 | 2007-03-14 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR20070100470A (ko) * | 2006-04-07 | 2007-10-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼 세정 장비 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3341727B2 (ja) * | 1999-07-28 | 2002-11-05 | 日本電気株式会社 | ウエット装置 |
JP2003282408A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 高圧基板処理装置 |
JP2003338450A (ja) * | 2002-05-22 | 2003-11-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理システム |
JP4093878B2 (ja) * | 2003-02-20 | 2008-06-04 | 東京応化工業株式会社 | 多段式処理装置 |
JP3950084B2 (ja) * | 2003-06-04 | 2007-07-25 | 株式会社神戸製鋼所 | 高圧処理装置 |
JP2005340402A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Sony Corp | 洗浄装置および洗浄方法 |
-
2011
- 2011-12-22 KR KR1020110140017A patent/KR101394456B1/ko active Active
-
2012
- 2012-09-03 JP JP2012193480A patent/JP2013080908A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003151896A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-05-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 高圧処理装置および高圧処理方法 |
JP2006303316A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Ntt Advanced Technology Corp | 超臨界処理方法及び装置 |
KR100695228B1 (ko) * | 2005-09-08 | 2007-03-14 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR20070100470A (ko) * | 2006-04-07 | 2007-10-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼 세정 장비 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11443938B2 (en) | 2017-10-16 | 2022-09-13 | Semes Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20130035840A (ko) | 2013-04-09 |
JP2013080908A (ja) | 2013-05-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101394456B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
KR101329304B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
US11735437B2 (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
KR101536712B1 (ko) | 기판 건조 장치 및 기판 건조 방법 | |
KR101681190B1 (ko) | 기판 건조 장치 및 방법 | |
JP5626611B2 (ja) | 基板乾燥装置及び基板乾燥方法 | |
KR102157837B1 (ko) | 기판 처리 장치 그리고 기판 처리 방법 | |
KR101591959B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR102041312B1 (ko) | 기판 건조 장치 | |
US20130028690A1 (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
KR101373730B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
JP5497114B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR20140117758A (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR101344925B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
KR101927938B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
KR102297374B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR102572856B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR101853374B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
KR102193030B1 (ko) | 실링 어셈블리, 기판 처리 장치 그리고 기판 처리 방법 | |
US20130081658A1 (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
JP7345016B1 (ja) | 基板処理装置及び方法 | |
KR20220095350A (ko) | 기판 처리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20111222 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
PG1501 | Laying open of application | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20130508 Patent event code: PE09021S01D |
|
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20131122 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20130508 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |
|
AMND | Amendment | ||
PX0901 | Re-examination |
Patent event code: PX09011S01I Patent event date: 20131122 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX09012R01I Patent event date: 20130808 Comment text: Amendment to Specification, etc. |
|
PX0701 | Decision of registration after re-examination |
Patent event date: 20140203 Comment text: Decision to Grant Registration Patent event code: PX07013S01D Patent event date: 20131223 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX07012R01I Patent event date: 20131122 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX07011S01I Patent event date: 20130808 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX07012R01I |
|
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20140507 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20140508 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170510 Year of fee payment: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20170510 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180504 Year of fee payment: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20180504 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190426 Year of fee payment: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20190426 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20200423 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20210325 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20220427 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20230419 Start annual number: 10 End annual number: 10 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20240425 Start annual number: 11 End annual number: 11 |