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KR101385141B1 - 표시기판 및 이의 제조방법 - Google Patents

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KR101385141B1
KR101385141B1 KR1020080036564A KR20080036564A KR101385141B1 KR 101385141 B1 KR101385141 B1 KR 101385141B1 KR 1020080036564 A KR1020080036564 A KR 1020080036564A KR 20080036564 A KR20080036564 A KR 20080036564A KR 101385141 B1 KR101385141 B1 KR 101385141B1
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color filter
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장선영
김병주
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김관수
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

키 패턴의 인식률을 향상시킬 수 있는 표시기판 및 이의 제조방법에서, 표시기판은 신호선, 박막 트랜지스터, 키 패턴, 차광패턴, 컬러필터, 화소전극 및 얼라인 키를 포함한다. 신호선은 기판 상에 형성되고, 박막 트랜지스터는 신호선과 전기적으로 연결되며, 키 패턴은 기판 상에 형성된다. 차광패턴은 신호선, 박막 트랜지스터 및 키 패턴을 덮도록 기판 상에 형성된다. 컬러필터는 기판의 단위화소 내에 형성된다. 화소전극은 컬러필터 상에 형성되고, 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된다. 얼라인 키는 키 패턴과 대응되도록 차광패턴에 형성된다. 이와 같이, 키 패턴과 대응되는 위치에 얼라인 키를 형성함에 따라, 노광기에 대한 키 패턴의 인식률이 보다 향상될 수 있다.
키 패턴, 차광층, 얼라인 키

Description

표시기판 및 이의 제조방법{DISPLAY SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE DISPLAY SUBSTRATE}
본 발명은 표시기판 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 액정 표시장치에서 사용되는 표시기판 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
액정 표시장치는 박막 트랜지스터 및 화소전극을 갖는 제1 기판, 상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판, 및 제1 및 제2 기판들 사이에 개재된 액정층을 포함한다.
상기 제2 기판은 상기 화소전극과 대응되는 위치에 배치된 컬러필터 및 상기 컬러필터의 외곽에 형성된 차광 패턴을 포함하는 것이 일반적이나, 최근에 개발된 COA(color filter on array) 방식의 액정 표시장치에서는 상기 제1 기판이 상기 컬러필터 및 상기 차광 패턴을 모두 포함하고 있다.
상기 COA 방식의 액정 표시장치에서의 제1 기판 중 상기 차광 패턴을 형성하는 과정을 간단하게 설명하면 다음과 같다. 우선, 기판 상에 키 패턴을 형성하고, 상기 키 패턴을 덮도록 차광층을 형성한다. 이어서, 상기 키 패턴을 이용하여 노광기를 상기 기판에 얼라인시키고, 상기 노광기를 이용하여 상기 차광층을 패터닝 하여 상기 차광 패턴을 형성한다.
상기 노광기는 상기 기판에 얼라인될 때, 상기 키 패턴의 위치를 인식해야 한다. 상기 노광기는 일반적으로 상기 키 패턴으로부터 반사되는 광을 통해 상기 키 패턴의 위치를 인식한다. 그러나, 상기 키 패턴이 반사율이 낮은 상기 차광층에 의해 덮여짐에 따라, 상기 노광기에 대한 상기 키 패턴의 인식률이 저하되는 문제점이 발생된다.
따라서, 본 발명에서 해결하고자 하는 기술적 과제는 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 키 패턴의 인식률을 향상시킬 수 있는 표시기판을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 표시기판을 제조하는 제조방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 일 실시예에 의한 표시기판은 신호선, 박막 트랜지스터, 키 패턴, 차광패턴, 컬러필터, 화소전극 및 얼라인 키를 포함한다.
상기 신호선은 기판 상에 형성된다. 상기 박막 트랜지스터는 상기 신호선과 전기적으로 연결된다. 상기 키 패턴은 상기 기판 상에 형성된다. 상기 차광패턴은 상기 신호선, 상기 박막 트랜지스터 및 상기 키 패턴을 덮도록 상기 기판 상에 형성된다. 상기 컬러필터는 상기 기판의 단위화소 내에 형성된다. 상기 화소전극 은 상기 컬러필터 상에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된다. 상기 얼라인 키는 상기 키 패턴과 대응되도록 상기 차광패턴에 형성된다.
상기 얼라인 키는 상기 키 패턴을 커버하도록 상기 차광패턴 상에 형성된 얼라인 금속부일 수 있다. 여기서, 상기 얼라인 금속부의 두께는 1000Å ~ 3000Å의 범위를 가질 수 있고, 광을 반사시킬 수 있는 성질을 가질 수 있다.
상기 얼라인 키는 상기 키 패턴을 노출시키도록 상기 차광패턴에 형성된 얼라인 홈일 수 있다. 여기서, 상기 키 패턴은 광을 반사시킬 수 있는 성질을 가질 수 있다.
상기 키 패턴은 상기 신호선 중 데이터 배선과 동일한 금속물질을 포함할 수 있다.
상기한 본 발명의 일 실시예에 의한 표시기판의 제조방법으로, 우선 기판 상에 신호선, 상기 신호선과 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터 및 키 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 신호선, 상기 박막 트랜지스터 및 상기 키 패턴을 덮도록 상기 기판 상에 차광층을 형성하고, 상기 키 패턴과 대응되는 위치에 얼라인 키를 형성한다. 이어서, 상기 얼라인 키를 이용하여 노광기를 상기 기판에 얼라인시킨 후, 상기 노광기를 이용하여 상기 차광층을 패터닝하여 차광 패턴을 형성한다. 상기 기판의 단위화소 내에 컬러필터를 형성하고, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 화소전극을 상기 컬러필터 상에 형성한다.
상기 얼라인 키는 상기 키 패턴을 커버하도록 상기 차광층 상에 형성된 얼라인 금속부일 수 있다. 상기 얼라인 금속부는 CVD 리페어 장치에 의해 상기 차광층 상에 형성될 수 있다.
이와 다르게, 상기 얼라인 키는 상기 키 패턴을 노출시키도록 상기 차광층에 형성된 얼라인 홈일 수 있다. 상기 얼라인 홈은 레이저 리페어 장치에 의해 상기 차광층의 일부분이 제어되어 형성될 수 있다.
상기 기판은 상기 신호선, 상기 박막 트랜지스터, 상기 컬러필터 및 상기 화소전극이 형성되는 표시영역, 및 상기 표시영역의 외곽을 감싸고, 상기 키 패턴이 형성되는 외곽영역을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 표기기판의 제조방법으로, 상기 표시영역 및 상기 외곽영역 사이의 경계선을 따라 절단하여 상기 표시영역으로 이루어진 표시기판을 형성하는 단계를 더 수행할 수 있다.
상기 키 패턴은 직사각형 형상을 갖는 상기 표시영역의 네 모서리들과 인접한 위치에 각각 형성될 수 있다.
상기 컬러필터는 상기 차광층이 형성되기 전에 형성될 수 있다. 상기 차광층이 형성되기 전에 상기 컬러필터를 형성하는 방법으로, 우선 상기 신호선, 상기 박막 트랜지스터 및 상기 키 패턴을 덮도록 상기 기판 상에 컬러필터층을 형성한 후, 상기 컬러필터층을 패터닝하여 상기 컬러필터를 형성할 수 있다. 여기서, 상기 컬러필터층을 패터닝하여 상기 컬러필터를 형성하는 단계는 상기 키 패턴을 이용하여 마스크를 상기 기판에 얼라인시키는 단계를 포함할 수 있다.
이와 다르게, 상기 컬러필터는 상기 차광 패턴이 형성된 후에 형성될 수 있다. 상기 차광 패턴이 형성된 후에 상기 컬러필터를 형성하는 방법으로, 우선 상기 차광 패턴이 형성되지 않은 상기 단위화소 내에 컬러필터 잉크를 분사한 후, 상 기 컬러필터 잉크를 건조하여 상기 컬러필터를 형성할 수 있다.
본 발명에 따르면, 키 패턴을 덮는 차광층에 상기 키 패턴과 대응되는 위치에 얼라인 키가 형성됨에 따라, 노광기는 상기 얼라인 키를 통해 상기 키 패턴의 위치를 보다 정확하게 인식할 수 있다. 즉, 상기 노광기에 대한 상기 키 패턴의 인식률은 상기 차광층 상에 형성된 얼라인 금속부 또는 상기 차광층에 형성된 얼라인 홈에 의해 보다 향상될 수 있다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하 나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
<실시예 1>
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시기판의 제조방법 중 마더기판 상에 키 패턴을 형성하는 단계를 설명하기 위한 평면도이고, 도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이며, 도 3은 도 1의 마더기판 상에 형성된 박막 트랜지스터를 설 명하기 위한 단면도이다.
도 1, 도 2 및 도 3을 참조하면, 본 실시예에 표시기판의 제조방법으로, 우선 마더기판(100) 상에 키 패턴(120), 신호선 및 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한다. 여기서, 상기 신호선은 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(DL)을 포함하고, 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 전극(GE), 액티브 패턴(AP), 오믹콘택 패턴(OP), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함한다.
상기 마더기판(100)은 적어도 하나의 표시영역(100a) 및 상기 표시영역(100a)의 외곽에 형성된 외곽영역(110b)을 포함한다. 예를 들어, 상기 마더기판(100)은 직사각형 형상을 갖는 4개의 표시영역들(110a)을 포함할 수 있다.
상기 키 패턴(120), 상기 신호선 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)가 형성되는 과정을 예를 들어 설명하면 다음과 같다.
우선, 상기 마더기판(100) 상에 게이트 금속층을 형성한 후, 상기 게이트 금속층을 패터닝하여 상기 게이트 배선 및 상기 게이트 전극(GE)을 형성한다.
상기 게이트 배선은 상기 마더기판(100)의 상기 표시영역(100a)에 제1 방향으로 길게 연장된다. 상기 게이트 전극(GE)은 상기 게이트 배선으로부터 분기되거나, 상기 게이트 배선의 일부분일 수 있다.
이어서, 상기 게이트 배선 및 상기 게이트 전극(GE)을 덮도록 상기 마더기판(100) 상에 게이트 절연층(110)을 형성한다. 상기 게이트 절연층(110)은 산화실리콘(SiOx) 또는 질화실리콘(SiNx)을 포함할 수 있다.
이어서, 상기 게이트 절연층(110) 상에 액티브층 및 오믹 콘택층을 형성하 고, 상기 액티브층 및 상기 오믹 콘택층을 패터닝하여 상기 액티브 패턴(AP) 및 상기 오믹콘택 패턴(OP)을 형성한다.
상기 액티브 패턴(AP)은 상기 게이트 전극(GE)과 중첩되도록 상기 게이트 절연층(120) 상에 형성된다. 상기 오믹콘택 패턴(OP)은 상기 액티브 패턴(AP) 상에 형성된다. 예를 들어, 상기 액티브 패턴(AP)은 아몰퍼스 실리콘(a-Si)으로 이루어지고, 상기 오믹콘택 패턴(OP)은 고밀도 이온도핑 아몰퍼스 실리콘(n+ a-Si)으로 이루어질 수 있다.
이어서, 상기 액티브 패턴(AP) 및 상기 오믹콘택 패턴(OP)을 덮도록 상기 게이트 절연층(110) 상에 데이터 금속층을 형성하고, 상기 데이터 금속층을 패터닝하여 상기 키 패턴(120), 상기 데이터 배선(DL), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)을 형성한다.
상기 키 패턴(120)은 상기 마더기판(100)의 상기 외곽영역(100b)에 형성된다. 예를 들어, 상기 키 패턴(120)은 직사각형 형상을 갖는 상기 표시영역(100a)의 네 모서리들과 인접한 위치에 각각 형성될 수 있다.
상기 키 패턴(120)은 평면적으로 보았을 때, 직사각형 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 키 패턴(120)은 100㎛ X 100㎛인 정사각형 형상을 가질 수 있다.
상기 데이터 배선(DL)은 상기 마더기판(100)의 상기 표시영역(100a)에 상기 제1 방향과 교차되는 제2 방향으로 길게 연장된다. 상기 제1 및 제2 방향들은 서로 직교할 수 있다.
상기 소스 전극(SE)은 상기 데이터 배선(DL)으로부터 분기되고, 상기 소스 전극(SE)의 일부분은 상기 오믹콘택 패턴(OP) 상에 형성된다. 상기 드레인 전극(DE)은 상기 소스 전극(SE)으로부터 이격되고, 상기 드레인 전극(DE)의 일부분은 상기 오믹콘택 패턴(OP) 상에 형성된다.
이어서, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)을 마스크로 하여 상기 오믹콘택 패턴(OP)을 패터닝하여 두 부분으로 분리시킨다.
한편, 본 실시예에서, 상기 게이트 절연층(110) 상에 상기 액티브층, 상기 오믹 콘택층 및 상기 데이터 금속층을 연속하여 형성한 후, 에치백(etch back) 공정을 이용하여 상기 데이터 금속층, 상기 액티브층 및 상기 오믹 콘택층을 패터닝할 수도 있다.
도 4는 도 1의 마더기판의 단위화소 내에 컬러필터를 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 상기 키 패턴(120), 상기 데이터 배선(DL) 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 상기 게이트 절연층(110) 상에 컬러필터층을 형성한 후, 상기 컬러필터층을 패터닝하여 컬러필터(130)를 형성할 수 있다. 상기 컬러필터(130)는 상기 마더기판(100)의 상기 표시영역(100a)의 단위화소 내에 형성된다.
상기 컬러필터층은 예를 들어, 광이 인가되는 부분이 경화되는 네거티브(negative) 포토타입일 수 있다. 상기 컬러필터층이 네거티브 포토타입인 경우, 노광기(미도시)에 의해 노광된 상기 컬러필터층의 일부분은 경화된다. 이때, 경화되지 않은 상기 컬러필터층의 다른 부분이 식각액에 의해 제거되어, 상기 컬러필터(130)가 형성될 수 있다.
상기 컬러필터층은 상기 키 패턴(120)을 이용하여 원하는 위치에 패터닝될 수 있다. 예를 들어, 상기 노광기가 상기 컬러필터층의 일부분을 노광시킬 때, 상기 노광기의 마스크는 상기 키 패턴(120)에 의해 상기 마더기판(100)에 얼라인될 수 있다.
상기 컬러필터(130)는 예를 들어, 적색 컬러필터, 녹색 컬러필터 및 청색 컬러필터를 포함할 수 있다. 즉, 적색 컬러필터층을 형성한 후 패터닝하여 상기 적색 컬러필터를 형성하고, 이어서 녹색 컬러필터층을 다시 형성한 후 패터닝하여 상기 녹색 컬러필터를 형성하며, 이어서 녹색 컬러필터층을 또 다시 형성한 후 패터닝하여 상기 녹색 컬러필터를 형성한다.
한편, 상기 키 패턴(120)은 상기 적색 컬러필터층을 패터닝할 때 사용되는 적색 키 패턴, 상기 녹색 컬러필터층을 패터닝할 때 사용되는 녹색 키 패턴, 상기 청색 컬러필터층을 패터닝할 때 사용되는 청색 키 패턴, 및 후술될 차광층을 패터닝할 때 사용되는 차광층 키 패턴을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 차광층 키 패턴은 생략될 수 있다. 상기 차광층 키 패턴이 생략될 경우, 상기 적색, 녹색 및 청색 키 패턴들 중 어느 하나가 상기 차광층 키 패턴의 기능을 대신 수행할 수 있다. 예를 들어, 상기 녹색 키 패턴은 상기 차광층 키 패턴의 기능을 대신 수행할 수 있다.
도 5는 도 4의 키 패턴을 덮는 차광층을 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 5를 참조하면, 상기 키 패턴(120), 상기 데이터 배선(DL), 상기 컬러필 터(130) 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 상기 게이트 절연층(110) 상에 차광층(140)을 형성한다.
상기 차광층(140)은 예를 들어, 광이 인가되는 부분이 경화되는 네거티브 포토타입일 수 있다. 예를 들어, 상기 차광층(140)은 솔벤트(solvent) 물질, 바인더(binder) 물질, 개시제 물질, 모노머(monomer) 물질 등을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 솔벤트 물질은 시간이 흐르면 기화되는 성질을 갖고, 상기 바인더 물질은 상기 차광층(140)의 메인 구조를 형성하는 물질이다. 상기 개시제 물질은 광이 조사되면 상기 모노머 물질과 반응을 일으키는 성질을 갖고 있고, 상기 모노머 물질은 상기 개시제 물질과 반응하여 상기 바인더 물질 사이에 사슬 등을 형성할 수 있다. 상기 모노머 물질이 상기 바인더 물질 사이에 사슬 등을 형성할 경우, 상기 바인더 물질은 경화될 수 있다.
한편, 상기 차광층(140)은 광을 차단할 수 있는 카본블랙(carbon black)을 더 포함하고 있다. 예를 들어, 상기 차광층(140)의 광학밀도(optical density)는 4 이상일 수 있다.
도 6은 도 5의 차광층 상에 얼라인 키를 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 6을 참조하면, 상기 차광층(140) 상에 상기 키 패턴(120)과 대응되도록 얼라인 키(150)를 형성한다.
본 실시예서의 상기 얼라인 키(150)는 상기 키 패턴(120)을 커버하도록 상기 차광층(140)에 형성된 얼라인 금속부이다. 상기 얼라인 금속부는 상기 키 패 턴(120)을 완전하게 커버하도록 상기 키 패턴(120)보다 큰 면적을 갖는 것이 바람직하다.
상기 얼라인 금속부의 두께는 예를 들어, 1000Å ~ 3000Å의 범위를 가질 수 있다. 상기 얼라인 금속부는 광을 반사시키는 성질을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 얼라인 금속부는 알루미늄(Al) 또는 몰리브덴(Mo) 등을 포함할 수 있다.
상기 얼라인 금속부는 CVD(chemical vapor deposition) 리페어 장치(200)에 의해 상기 차광층(140) 상에 형성될 수 있다. 상기 CVD 리페어 장치(200)는 국부적인 위치에 CVD 방식으로 금속물질을 증착하는 장치를 의미한다. 예를 들어, 상기 CVD 리페어 장치(200)는 레이저빔이 인가되는 부위에 금속물질을 증착시키는 레이저 CVD 리페어 장치일 수 있다.
도 7은 도 6의 얼라인 키를 이용하여 차광층을 노광시키는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 7을 참조하면, 노광기(300)를 상기 얼라인 키(150)를 이용하여 상기 마더기판(100)에 얼라인시킨 후, 상기 노광기(300)를 이용하여 상기 차광층(140)을 노광시킨다.
상기 노광기(300)는 광을 발생시키는 광 발생부(310) 및 상기 광 발생부(310)의 하부에 배치된 마스크(320)를 포함할 수 있다. 상기 광 발생부(310)는 예를 들어, 자외선 또는 적외선을 발생시킬 수 있다. 상기 마스크(320)는 광을 차단되는 차단영역(322) 및 광을 투과시키는 투과영역(324)을 포함한다.
상기 노광기(300)는 상기 얼라인 키(150)로부터 반사되는 광을 감지하여, 상 기 얼라인 키(150)의 위치를 인지하여, 간접적으로 상기 키 패턴(120)의 위치를 인지할 수 있다. 상기 노광기(300)는 인지된 상기 얼라인 키(150)의 위치에 의해 상기 마스크(320)를 상기 마더기판(100)에 얼라인시킬 수 있다.
상기 마스크(320)가 상기 마더기판(100)에 얼라인된 후, 상기 광 발생부(310)는 광을 발생시킨다. 상기 광 발생부(310)에서 발생된 광은 상기 마스크(320)의 상기 투과영역(324)을 투과하여 상기 차광층(140)의 일부분을 노광시킨다. 여기서, 상기 차광층(140)이 네거티브 포토타입인 경우, 상기 차광층(140)의 일부분은 경화될 수 있다.
도 8은 도 7의 차광층 중 경화되지 않은 부분을 제거하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 8을 참조하면, 상기 차광층(140) 중 경화되지 않은 부분을 식각액을 이용하여 제거하여 차광 패턴(142)을 형성한다.
상기 차광 패턴(142)은 상기 데이터 배선(DL), 상기 게이트 배선 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 커버할 수 있다. 상기 차광 패턴(142)에는 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 상기 드레인 전극(DE)을 노출시키기 위한 콘택홀(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 차광 패턴(142)은 상기 컬러필터(130)의 가장자리 상에도 형성될 수 있다.
도 9는 도 8의 컬러필터 상에 화소전극을 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 9를 참조하면, 상기 차광 패턴(142) 및 상기 컬러필터(130)를 덮도록 상 기 게이트 절연층(110) 상에 투명 전극층을 형성하고, 상기 투명 전극층을 패터닝하여 화소전극(160)을 형성한다.
상기 화소전극(160)은 상기 컬러필터(130) 상에 형성되고, 상기 차광 패턴(142)의 가장자리 상에도 형성될 수 있다. 상기 화소전극(160)은 상기 차광 패턴(142)에 형성된 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극(DE)과 전기적으로 접촉될 수 있다.
이어서, 상기 화소전극(160) 및 상기 차광 패턴(142)을 덮도록 상기 게이트 절연층(110) 상에 배향층(미도시)을 형성할 수 있다.
마지막으로, 도 1을 다시 참조하면, 상기 표시영역(100a) 및 상기 외곽영역(110b) 사이의 경계선(BL)을 따라 절단하여 상기 표시영역(100a)만으로 이루어진 표시기판을 형성한다.
도 10은 도 1의 키 패턴이 마더기판의 표시영역 내에 배치된 상태를 도시한 평면도이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 상기 키 패턴(120)은 상기 마더기판(100)의 상기 표시영역(100a) 내에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 키 패턴(120)은 직사각형 형상을 갖는 상기 표시영역(100a)의 네 모서리들과 인접한 위치에 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 상기 키 패턴(120)은 상기 데이터 배선(DL)과 동일한 금속물질을 포함할 수 있다.
상기 키 패턴(120)이 상기 표시영역(100a) 내에 배치될 경우, 상기 표시영역(100a) 및 상기 외곽영역(110b) 사이의 경계선(BL)을 따라 절단하여 상기 표시기 판을 형성할 때, 상기 표시기판 내에 상기 키 패턴(120)이 남겨질 수 있다.
따라서, 상기 표시기판은 상기 게이트 절연층(110) 상에 형성된 상기 키 패턴(120), 및 상기 차광패턴(142) 상에 상기 키 패턴(120)을 커버하도록 배치된 상기 얼라인 키(150)를 포함할 수 있다.
<실시예 2>
본 실시예에 의한 표시기판의 제조방법은 게이트 절연층, 키 패턴, 신호선 및 박막 트랜지스터를 형성하는 단계까지는 제1 실시예에 의한 표시기판의 제조방법과 실질적으로 동일하므로, 상기 단계까지에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
도 11은 본 발명의 제2 실시예에 의한 표시기판의 제조방법 중 차광층 상에 얼라인 키를 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 11을 참조하면, 우선 마더기판(100) 상에 게이트 절연층(110), 키 패턴(120), 신호선 및 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한다. 상기 신호선은 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(DL)을 포함한다.
본 실시예에서, 상기 게이트 절연층(110), 상기 키 패턴(120), 상기 신호선 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 형성하는 과정은 제1 실시예에 의한 표시기판의 제조방법 중 도 1 내지 도 3에 의해 설명된 부분과 실질적으로 동일하므로, 자세한 설명은 생략하기로 한다.
이어서, 상기 키 패턴(120), 상기 데이터 배선(DL) 및 상기 박막 트랜지스 터(TFT)를 덮도록 상기 게이트 절연층(110) 상에 차광층(140)을 형성한다.
상기 차광층(140)은 예를 들어, 광이 인가되는 부분이 경화되는 네거티브 포토타입일 수 있다. 상기 차광층(140)은 광을 차단할 수 있는 카본블랙(carbon black)을 더 포함하고 있다. 예를 들어, 상기 차광층(140)의 광학밀도(optical density)는 4 이상일 수 있다.
이어서, 상기 차광층(140) 상에 상기 키 패턴(120)과 대응되도록 얼라인 키(150)를 형성한다.
본 실시예서의 상기 얼라인 키(150)는 상기 키 패턴(120)을 커버하도록 상기 차광층(140)에 형성된 얼라인 금속부이다. 상기 얼라인 금속부는 상기 키 패턴(120)을 완전하게 커버하도록 상기 키 패턴(120)보다 큰 면적을 갖는 것이 바람직하다.
상기 얼라인 금속부의 두께는 예를 들어, 1000Å ~ 3000Å의 범위를 가질 수 있다. 상기 얼라인 금속부는 광을 반사시키는 성질을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 얼라인 금속부는 알루미늄(Al) 또는 몰리브덴(Mo) 등을 포함할 수 있다.
상기 얼라인 금속부는 CVD 리페어 장치(미도시)에 의해 상기 차광층(140) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 CVD 리페어 장치는 레이저빔이 인가되는 부위에 금속물질을 증착시키는 레이저 CVD 리페어 장치일 수 있다.
도 12은 도 11의 얼라인 키를 이용하여 차광층을 패터닝하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 12를 참조하면, 노광기(미도시)를 상기 얼라인 키(150)를 이용하여 상기 마더기판(100)에 얼라인시킨 후, 상기 노광기를 이용하여 상기 차광층(140)을 노광시킨다.
상기 노광기는 광을 발생시키는 광 발생부 및 상기 광 발생부의 하부에 배치된 마스크를 포함할 수 있다. 상기 마스크는 광을 차단되는 차단영역 및 광을 투과시키는 투과영역을 포함한다.
상기 노광기는 상기 얼라인 키(150)로부터 반사되는 광을 감지하여, 상기 얼라인 키(150)의 위치를 인지하여, 간접적으로 상기 키 패턴(120)의 위치를 인지할 수 있다. 상기 노광기는 인지된 상기 얼라인 키(150)의 위치에 의해 상기 마스크를 상기 마더기판(100)에 얼라인시킬 수 있다.
상기 마스크가 상기 마더기판(100)에 얼라인된 후, 상기 광 발생부는 광을 발생시킨다. 상기 광 발생부에서 발생된 광은 상기 마스크의 상기 투과영역을 투과하여 상기 차광층(140)의 일부분을 노광시킨다.
이어서, 상기 차광층(140) 중 경화되지 않은 부분을 식각액을 이용하여 제거하여 차광 패턴(142)을 형성한다.
상기 차광 패턴(142)은 상기 데이터 배선(DL), 상기 게이트 배선 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 커버할 수 있다. 상기 차광 패턴(142)에는 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 상기 드레인 전극(DE)을 노출시키기 위한 콘택홀(미도시)이 형성될 수 있다.
도 13은 도 12의 마더기판의 단위화소 내에 컬러필터를 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 13을 참조하면, 상기 차광 패턴(142)을 형성한 후, 상기 차광 패턴(142)이 형성되지 않은 상기 게이트 절연층(110) 상에 컬러필터 잉크를 분사한다. 즉, 상기 컬러필터 잉크는 상기 차광 패턴(142)이 형성되지 않은 단위화소 내에 형성된다.
상기 컬러필터 잉크는 상기 차광 패턴(142)을 넘어 이웃하는 다른 컬러필터 잉크와 혼합되지 않아야 한다. 상기 컬러필터 잉크가 상기 차광 패턴(142)을 넘어가지 않도록 하기 위해서는 상기 차광 패턴(142)의 표면은 상기 컬러필터 잉크와 친화력이 낮은 소수성을 갖는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상기 컬러필터 잉크를 분사하기 전에 상기 차광 패턴(142)에 플라즈마 처리를 수행하여, 상기 차광 패턴(142)의 표면을 소수성으로 변경시킬 수 있다.
이어서, 상기 컬러필터 잉크를 건조하여 컬러필터(130)를 형성한다. 상기 컬러필터 잉크가 건조될 경우, 상기 컬러필터 잉크의 두께는 감소되어 상기 컬러필터(130)가 형성된다. 여기서, 상기 컬러필터(130)의 두께는 실질적으로 상기 광차단 패턴(142)의 두께와 동일한 것이 바람직하다.
상기 컬러필터 잉크가 건조되어 상기 컬러필터 잉크의 두께가 감소됨에 따라, 상기 컬러필터 잉크의 상면은 점점 평탄해지고, 그로 인해 상기 컬러필터(130)의 상면은 거의 평탄해질 수 있다.
도 14는 도 13의 컬러필터 상에 화소전극을 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 14를 참조하면, 상기 차광 패턴(142) 및 상기 컬러필터(130)를 덮도록 상 기 게이트 절연층(110) 상에 투명 전극층을 형성하고, 상기 투명 전극층을 패터닝하여 화소전극(160)을 형성한다.
상기 화소전극(160)은 상기 컬러필터(130) 상에 형성된다. 상기 화소전극(160)은 상기 차광 패턴(142)에 형성된 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극(DE)과 전기적으로 접촉될 수 있다.
이어서, 상기 화소전극(160) 및 상기 차광 패턴(142)을 덮도록 상기 게이트 절연층(110) 상에 배향층(미도시)을 형성할 수 있다.
마지막으로, 도 1을 다시 참조하면, 상기 표시영역(100a) 및 상기 외곽영역(110b) 사이의 경계선(BL)을 따라 절단하여 상기 표시영역(100a)만으로 이루어진 표시기판을 형성한다.
한편, 도 10 및 도 14를 참조하면, 본 실시예에 의한 키 패턴(120)은 상기 마더기판(100)의 상기 표시영역(100a) 내에 배치될 수 있다. 이와 같이, 상기 키 패턴(120)이 상기 표시영역(100a) 내에 배치될 경우, 상기 표시영역(100a) 및 상기 외곽영역(110b) 사이의 경계선(BL)을 따라 절단하여 상기 표시기판을 형성할 때, 상기 표시기판 내에 상기 키 패턴(120)이 남겨질 수 있다.
따라서, 상기 표시기판은 상기 게이트 절연층(110) 상에 형성된 상기 키 패턴(120), 및 상기 차광패턴(142) 상에 상기 키 패턴(120)을 커버하도록 배치된 상기 얼라인 키(150)를 포함할 수 있다.
<실시예 3>
본 실시예에 의한 표시기판의 제조방법은 게이트 절연층, 키 패턴, 신호선 및 박막 트랜지스터를 형성하는 단계까지는 제1 실시예에 의한 표시기판의 제조방법과 실질적으로 동일하므로, 상기 단계까지에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
도 15는 본 발명의 제3 실시예에 따른 표시기판의 제조방법 중 차광층에 얼라인 키를 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 15를 참조하면, 우선 마더기판(100) 상에 게이트 절연층(110), 키 패턴(120), 신호선 및 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한다. 상기 신호선은 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(DL)을 포함한다.
본 실시예에서, 상기 게이트 절연층(110), 상기 키 패턴(120), 상기 신호선 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 형성하는 과정은 제1 실시예에 의한 표시기판의 제조방법 중 도 1 내지 도 3에 의해 설명된 부분과 실질적으로 동일하므로, 자세한 설명은 생략하기로 한다.
이어서, 상기 키 패턴(120), 상기 데이터 배선(DL) 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 상기 게이트 절연층(110) 상에 컬러필터층을 형성한 후, 상기 컬러필터층을 패터닝하여 컬러필터(130)를 형성할 수 있다. 상기 컬러필터(130)는 상기 마더기판(100)의 상기 표시영역(100a)의 단위화소 내에 형성된다. 상기 컬러필터층은 예를 들어, 광이 인가되는 부분이 경화되는 네거티브 포토타입일 수 있다.
상기 컬러필터층은 상기 키 패턴(120)을 이용하여 원하는 위치에 패터닝될 수 있다. 예를 들어, 노광기(미도시)가 상기 컬러필터층의 일부분을 노광시킬 때, 상기 노광기의 마스크는 상기 키 패턴(120)에 의해 상기 마더기판(100)에 얼라인될 수 있다.
이어서, 상기 키 패턴(120), 상기 데이터 배선(DL), 상기 컬러필터(130) 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 상기 게이트 절연층(110) 상에 차광층(140)을 형성한다.
상기 차광층(140)은 예를 들어, 광이 인가되는 부분이 경화되는 네거티브 포토타입일 수 있다. 상기 차광층(140)은 광을 차단할 수 있는 카본블랙(carbon black)을 더 포함하고 있다. 예를 들어, 상기 차광층(140)의 광학밀도(optical density)는 4 이상일 수 있다.
이어서, 상기 차광층(140) 상에 상기 키 패턴(120)과 대응되도록 얼라인 키(150)를 형성한다.
본 실시예서의 상기 얼라인 키(150)는 상기 키 패턴(120)을 노출시키도록 상기 차광층(140)에 형성된 얼라인 홈이다. 상기 얼라인 홈은 상기 키 패턴(120)을 완전하게 노출시키도록 상기 키 패턴(120)보다 큰 면적을 갖는 것이 바람직하다.
상기 얼라인 홈은 레이저 리페어 장치(400)에 의해 상기 차광층(140)의 일부분이 뜯겨져 형성될 수 있다. 상기 레이저 리페어 장치(400)는 실리콘 층, 금속배선 등에 레이저빔을 인가하여 상기 실리콘 층 및 상기 금속배선의 일부를 뜯어내는 장치를 의미한다. 여기서, 상기 얼라인 홈이 형성될 때, 상기 키 패턴은 상기 레이터 리페어 장치(400)에 의해 손상되지 않는 것이 바람직하다.
도 16은 도 15의 키 패턴을 이용하여 차광층을 패터닝하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 16을 참조하면, 노광기(미도시)를 상기 얼라인 키(150)에 의해 노출된 상기 키 패턴(120)을 이용하여 상기 마더기판(100)에 얼라인시킨 후, 상기 노광기를 이용하여 상기 차광층(140)을 노광시킨다.
상기 노광기는 광을 발생시키는 광 발생부 및 상기 광 발생부의 하부에 배치된 마스크를 포함할 수 있다. 상기 마스크는 광을 차단되는 차단영역 및 광을 투과시키는 투과영역을 포함한다.
상기 노광기는 상기 얼라인 키(150)에 의해 노출된 상기 키 패턴(120)으로부터 반사되는 광을 감지하여, 상기 키 패턴(120)의 위치를 인지할 수 있다. 상기 노광기는 인지된 상기 얼라인 키(150)의 위치에 의해 상기 마스크를 상기 마더기판(100)에 얼라인시킬 수 있다.
상기 마스크가 상기 마더기판(100)에 얼라인된 후, 상기 광 발생부는 광을 발생시킨다. 상기 광 발생부에서 발생된 광은 상기 마스크의 상기 투과영역을 투과하여 상기 차광층(140)의 일부분을 노광시킨다.
이어서, 상기 차광층(140) 중 경화되지 않은 부분을 식각액을 이용하여 제거하여 차광 패턴(142)을 형성한다.
상기 차광 패턴(142)은 상기 데이터 배선(DL), 상기 게이트 배선 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 커버할 수 있다. 상기 차광 패턴(142)에는 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 상기 드레인 전극(DE)을 노출시키기 위한 콘택홀(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 차광 패턴(142)은 상기 컬러필터(130)의 가장자리 상에도 형성될 수 있다.
도 17은 도 16의 컬러필터 상에 화소전극을 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 17을 참조하면, 상기 차광 패턴(142) 및 상기 컬러필터(130)를 덮도록 상기 게이트 절연층(110) 상에 투명 전극층을 형성하고, 상기 투명 전극층을 패터닝하여 화소전극(160)을 형성한다.
상기 화소전극(160)은 상기 컬러필터(130) 상에 형성되고, 상기 차광 패턴(142)의 가장자리 상에도 형성될 수 있다. 상기 화소전극(160)은 상기 차광 패턴(142)에 형성된 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극(DE)과 전기적으로 접촉될 수 있다.
이어서, 상기 화소전극(160) 및 상기 차광 패턴(142)을 덮도록 상기 게이트 절연층(110) 상에 배향층(미도시)을 형성할 수 있다.
마지막으로, 도 1을 다시 참조하면, 상기 표시영역(100a) 및 상기 외곽영역(110b) 사이의 경계선(BL)을 따라 절단하여 상기 표시영역(100a)만으로 이루어진 표시기판을 형성한다.
한편, 본 실시예에서는, 제1 실시예에 의한 표시기판의 제조방법에서와 같이 상기 차광층이 형성되기 전에 상기 컬러필터가 형성되는 것으로 설명하였다. 그러나, 제2 실시예에 의한 표시장치의 제조방법에서와 같이, 상기 차광 패턴이 형성된 후, 컬러필터 잉크가 분사되어 상기 컬러필터가 형성될 수도 있다.
또한, 도 10 및 도 17을 참조하면, 본 실시예에 의한 키 패턴(120)은 상기 마더기판(100)의 상기 표시영역(100a) 내에 배치될 수 있다. 이와 같이, 상기 키 패턴(120)이 상기 표시영역(100a) 내에 배치될 경우, 상기 표시영역(100a) 및 상기 외곽영역(110b) 사이의 경계선(BL)을 따라 절단하여 상기 표시기판을 형성할 때, 상기 표시기판 내에 상기 키 패턴(120)이 남겨질 수 있다.
따라서, 상기 표시기판은 상기 게이트 절연층(110) 상에 형성된 상기 키 패턴(120), 및 상기 키 패턴(120)을 노출시키는 상기 얼라인 키(150)를 갖는 상기 차광패턴(142)을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 얼라인 키(150)는 상기 차광패턴(142)에 형성된 얼라인 홈이고, 상기 키 패턴(120)은 상기 노광기에서 인식될 수 있도록 광을 반사시키는 성질을 갖는다.
본 발명에 따르면, 키 패턴을 덮는 차광층에 상기 키 패턴과 대응되는 위치에 얼라인 키가 형성됨에 따라, 노광기는 상기 얼라인 키를 통해 상기 키 패턴의 위치를 보다 정확하게 인식할 수 있다.
즉, 상기 차광층 상에 상기 키 패턴과 대응되도록 얼라인 금속부가 형성되거나 상기 차광층에 상기 키 패턴이 노출되도록 얼라인 홈이 형성됨에 따라, 상기 노광기는 상기 얼라인 금속부 또는 상기 얼라인 홈에 의해 노출된 상기 키 패턴에서 반사된 광을 인식하여, 상기 키 패턴의 위치를 보다 정확하게 인식할 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통 상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시기판의 제조방법 중 마더기판 상에 키 패턴을 형성하는 단계를 설명하기 위한 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1의 마더기판 상에 형성된 박막 트랜지스터를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4는 도 1의 마더기판의 단위화소 내에 컬러필터를 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 도 4의 키 패턴을 덮는 차광층을 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 도 5의 차광층 상에 얼라인 키를 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 7은 도 6의 얼라인 키를 이용하여 차광층을 노광시키는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 8은 도 7의 차광층 중 경화되지 않은 부분을 제거하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 9는 도 8의 컬러필터 상에 화소전극을 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 10은 도 1의 키 패턴이 마더기판의 표시영역 내에 배치된 상태를 도시한 평면도이다.
도 11은 본 발명의 제2 실시예에 의한 표시기판의 제조방법 중 차광층 상에 얼라인 키를 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 12는 도 11의 얼라인 키를 이용하여 차광층을 패터닝하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 13은 도 12의 마더기판의 단위화소 내에 컬러필터를 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 14는 도 13의 컬러필터 상에 화소전극을 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 15는 본 발명의 제3 실시예에 따른 표시기판의 제조방법 중 차광층에 얼라인 키를 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 16은 도 15의 키 패턴을 이용하여 차광층을 패터닝하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 17은 도 16의 컬러필터 상에 화소전극을 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 마더기판 100a : 표시영역
100b : 외곽영역 BL : 경계선
110 : 게이트 절연층 120 : 키 패턴
130 : 컬러필터 140 : 차광층
142 : 차광 패턴 150 : 얼라인 키
160 : 화소전극 TFT : 박막 트랜지스터
DL : 데이터 배선 SE : 소스 전극
DE : 드레인 전극 200 : CVD 리페어 장치
300 : 노광기 310 : 광 발생부
320 : 마스크 400 : 레이저 리페어 장치

Claims (20)

  1. 기판 상에 형성된 신호선;
    상기 신호선과 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터;
    상기 기판 상에 형성된 키 패턴;
    상기 신호선, 상기 박막 트랜지스터 및 상기 키 패턴을 덮도록 상기 기판 상에 형성된 차광패턴;
    상기 기판의 단위화소 내에 형성된 컬러필터;
    상기 컬러필터 상에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소전극; 및
    상기 키 패턴과 대응되도록 상기 차광패턴에 형성된 얼라인 키를 포함하는 표시기판.
  2. 제1항에 있어서, 상기 얼라인 키는
    상기 키 패턴을 커버하도록 상기 차광패턴 상에 형성된 얼라인 금속부인 것을 특징으로 하는 표시기판.
  3. 제2항에 있어서, 상기 얼라인 금속부의 두께는 1000Å ~ 3000Å의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 표시기판.
  4. 제2항에 있어서, 상기 얼라인 금속부는 광을 반사시킬 수 있는 성질을 갖는 것을 특징으로 하는 표시기판.
  5. 제1항에 있어서, 상기 얼라인 키는
    상기 키 패턴을 노출시키도록 상기 차광패턴에 형성된 얼라인 홈인 것을 특징으로 하는 표시기판.
  6. 제1항에 있어서, 상기 키 패턴은 광을 반사시킬 수 있는 성질을 갖는 것을 특징으로 하는 표시기판.
  7. 제1항에 있어서, 상기 키 패턴은
    상기 신호선 중 데이터 배선과 동일한 금속물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시기판.
  8. 기판 상에 신호선, 상기 신호선과 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터 및 키 패턴을 형성하는 단계;
    상기 신호선, 상기 박막 트랜지스터 및 상기 키 패턴을 덮도록 상기 기판 상에 차광층을 형성하는 단계;
    상기 키 패턴과 대응되는 위치에 얼라인 키를 형성하는 단계;
    상기 얼라인 키를 이용하여 노광기를 상기 기판에 얼라인시키는 단계;
    상기 노광기를 이용하여 상기 차광층을 패터닝하여 차광 패턴을 형성하는 단계;
    상기 기판의 단위화소 내에 컬러필터를 형성하는 단계; 및
    상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 화소전극을 상기 컬러필터 상에 형성하는 단계를 포함하는 표시기판의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 얼라인 키는
    상기 키 패턴을 커버하도록 상기 차광층 상에 형성된 얼라인 금속부인 것을 특징으로 하는 표시기판의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 얼라인 금속부는
    CVD 리페어 장치에 의해 상기 차광층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시기판의 제조방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 얼라인 키는
    상기 키 패턴을 노출시키도록 상기 차광층에 형성된 얼라인 홈인 것을 특징으로 하는 표시기판의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 얼라인 홈은
    레이저 리페어 장치에 의해 상기 차광층의 일부분이 제어되어 형성되는 것을 특징으로 하는 표시기판의 제조방법.
  13. 제8항에 있어서, 상기 기판은
    상기 신호선, 상기 박막 트랜지스터, 상기 컬러필터 및 상기 화소전극이 형성되는 표시영역; 및
    상기 표시영역의 외곽을 감싸고, 상기 키 패턴이 형성되는 외곽영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시기판의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 표시영역 및 상기 외곽영역 사이의 경계선을 따라 절단하여 상기 표시영역으로 이루어진 표시기판을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시기판의 제조방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 키 패턴은
    직사각형 형상을 갖는 상기 표시영역의 네 모서리들과 인접한 위치에 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 표시기판의 제조방법.
  16. 제8항에 있어서, 상기 컬러필터는 상기 차광층이 형성되기 전에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시기판의 제조방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 컬러필터를 형성하는 단계는
    상기 신호선, 상기 박막 트랜지스터 및 상기 키 패턴을 덮도록 상기 기판 상에 컬러필터층을 형성하는 단계; 및
    상기 컬러필터층을 패터닝하여 상기 컬러필터를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시기판의 제조방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 컬러필터층을 패터닝하여 상기 컬러필터를 형성하는 단계는
    상기 키 패턴을 이용하여 마스크를 상기 기판에 얼라인시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시기판의 제조방법.
  19. 제8항에 있어서, 상기 컬러필터는 상기 차광 패턴이 형성된 후에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시기판의 제조방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 컬러필터를 형성하는 단계는
    상기 차광 패턴이 형성되지 않은 상기 단위화소 내에 컬러필터 잉크를 분사하는 단계; 및
    상기 컬러필터 잉크를 건조하여 상기 컬러필터를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시기판의 제조방법.
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