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KR101352237B1 - 유기전계발광표시장치의 제조방법 - Google Patents

유기전계발광표시장치의 제조방법 Download PDF

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KR101352237B1
KR101352237B1 KR1020080079450A KR20080079450A KR101352237B1 KR 101352237 B1 KR101352237 B1 KR 101352237B1 KR 1020080079450 A KR1020080079450 A KR 1020080079450A KR 20080079450 A KR20080079450 A KR 20080079450A KR 101352237 B1 KR101352237 B1 KR 101352237B1
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Abstract

본 발명의 실시예는, 기판 상에 위치하는 트랜지스터; 트랜지스터 상에 위치하며 트랜지스터의 소오스 또는 드레인과 연결된 캐소드; 캐소드 상에서 개구부를 갖는 뱅크층; 캐소드 상에 위치하는 금속버퍼층; 금속버퍼층 상에 위치하는 유기 발광층; 및 유기 발광층 상에 위치하는 애노드를 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.
유기전계발광표시장치, 금속, 버퍼층

Description

유기전계발광표시장치의 제조방법{Organic Light Emitting Display and Manufacturing Method of the same}
본 발명은 유기전계발광표시장치의 제조방법에 관한 것이다.
유기전계발광표시장치에 사용되는 유기전계발광소자는 기판 상에 위치하는 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성된 자발광소자였다.
또한, 유기전계발광표시장치는 빛이 방출되는 방향에 따라 전면발광(Top-Emission) 방식, 배면발광(Bottom-Emission) 방식 또는 양면발광(Dual-Emission) 방식 등이 있다. 그리고, 구동방식에 따라 수동매트릭스형(Passive Matrix)과 능동매트릭스형(Active Matrix) 등으로 나누어져 있다.
이러한 유기전계발광표시장치는 매트릭스 형태로 배치된 복수의 서브 픽셀에 스캔 신호, 데이터 신호 및 전원 등이 공급되면, 선택된 서브 픽셀이 발광을 하게 됨으로써 영상을 표시할 수 있다.
여기서, 서브 픽셀은 기판 상에 위치하는 트랜지스터와, 트랜지스터 상에 위치하는 유기 발광다이오드가 포함된다. 유기 발광다이오드의 경우 트랜지스터 상에 애노드, 유기 발광층 및 캐소드가 형성된 노말(Normal) 형과 트랜지스터 상에 캐소 드, 유기 발광층 및 애노드가 형성된 인버티드(Inverted) 형이 있다.
한편, 유기 발광다이오드가 인버티드 형인 종래 유기전계발광표시장치는 캐소드를 구성하는 전극을 증착할 때, 캐소드의 계면이 산화되어 소자의 신뢰성 및 수명 등이 저하하는 문제와 캐소드의 산화로 인한 전자의 주입효율이 떨어지는 문제가 있어 이의 개선이 요구된다.
상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 실시예는, 캐소드 상에 금속버퍼층을 형성하여 캐소드가 산화되는 문제를 해결함과 아울러 전자의 주입 효율을 향상시켜 소자의 신뢰성 및 수명을 향상시킬 수 있는 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
상술한 과제 해결 수단으로 본 발명의 실시예는, 기판 상에 위치하는 트랜지스터; 트랜지스터 상에 위치하며 트랜지스터의 소오스 또는 드레인과 연결된 캐소드; 캐소드 상에서 개구부를 갖는 뱅크층; 캐소드 상에 위치하는 금속버퍼층; 금속버퍼층 상에 위치하는 유기 발광층; 및 유기 발광층 상에 위치하는 애노드를 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.
금속버퍼층의 두께는, 1Å ~ 50Å일 수 있다.
금속버퍼층은, 알루미늄(Al), 은(Ag), 칼슘(Ca) 및 마그네슘(Mg) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
트랜지스터는, 기판 상에 위치하는 게이트와, 게이트 상에 위치하는 제1절연막과, 제1절연막 상에 위치하는 액티브층과, 액티브층과 각각 접촉하는 소오스 및 드레인과, 소오스 및 드레인 상에 위치하는 제2절연막과, 제2절연막 상에 위치하는 제3절연막을 포함하며, 캐소드는 제3절연막 상에 위치하며, 드레인에 연결될 수 있 다.
트랜지스터는, N-type 트랜지스터일 수 있다.
한편, 다른 측면에서 본 발명의 실시예는, 기판 상에 트랜지스터를 형성하는 단계; 트랜지스터의 소오스 또는 드레인과 연결되도록 트랜지스터 상에 캐소드를 형성하는 단계; 캐소드 상에 개구부를 갖는 뱅크층을 형성하는 단계; 캐소드 상에 플라즈마 전처리를 하는 단계; 캐소드 상에 금속버퍼층을 형성하는 단계; 금속버퍼층 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및 유기 발광층 상에 애노드를 형성하는 단계를 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다.
금속버퍼층의 두께는, 1Å ~ 50Å일 수 있다.
플라즈마 전처리 단계는, 산소(O2), 질소(N2) 및 아르곤(Ar) 플라즈마 중 어느 하나를 이용할 수 있다.
플라즈마 전처리 단계와 금속버퍼층 형성 단계는, 동일한 챔버 내에서 연속으로 진행할 수 있다.
본 발명의 실시예는, 캐소드 상에 금속버퍼층을 형성하여 캐소드가 산화되는 문제를 해결함과 아울러 전자의 주입 효율을 향상시켜 소자의 신뢰성 및 수명을 향상시킬 수 있는 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법을 제공하는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 실시예는, 캐소드의 표면을 전처리하는 공정과 금속버퍼층을 형성하는 공정을 연속 진행할 수 있어 생산수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 유기전계발광표시장치의 서브 픽셀 회로 구성 예시도 이다.
도 1을 참조하면, 서브 픽셀은 스캔 배선(Scan)에 게이트가 연결되고 데이터 배선(Data)에 일단이 연결된 스위칭 트랜지스터(SWTFT)를 포함할 수 있다. 또한, 서브 픽셀은 스위칭 트랜지스터(SWTFT)의 타단에 게이트가 연결되고 제2전원배선(VSS)에 일단이 연결된 구동 트랜지스터(DRTFT)를 포함할 수 있다. 또한, 서브 픽셀은 구동 트랜지스터(DRTFT)의 게이트와 제2전원배선(VSS) 사이에 연결된 커패시터(CST)를 포함할 수 있다. 또한, 서브 픽셀은 제1전원배선(VDD)에 애노드가 연결되고 구동 트랜지스터(DRTFT)의 타단에 캐소드가 연결된 유기 발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 서브 픽셀에 포함된 스위칭 트랜지스터(SWTFT), 구동 트랜지스터(DRTFT)가 N-type인 것을 일례로 한다.
이러한 서브 픽셀 구조는 데이터 구동부 및 스캔 구동부로부터 데이터 신호 및 스캔 신호 등이 공급되면, 제1전원배선(VDD)에 인가된 전류가 제2전원배선(VSS)을 통해 흐르게 됨으로써 유기 발광다이오드(OLED)가 발광을 하게 되어 영상을 표현할 수 있게 된다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 단면도이고, 도 3은 도 2의 일부 확대도 이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 기판(110) 상에는 버퍼층(111)이 위치할 수 있다. 버퍼층(111)은 기판(110)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 트랜지스터를 보호하기 위해 형성할 수 있다. 버퍼층(111)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 등을 사용할 수 있다.
버퍼층(111) 상에는 게이트(112)가 위치할 수 있다. 게이트(112)는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 게이트(112)는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층일 수 있다. 또한, 게이트(112)는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴 또는 몰리브덴/알루미늄의 2중층일 수 있다.
게이트(112) 상에는 제1절연막(113)이 위치할 수 있다. 제1절연막(113)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
제1절연막(113) 상에는 액티브층(114)이 위치할 수 있다. 액티브층(114)은 비정질 실리콘 또는 이를 결정화한 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 여기서 도시하지는 않았지만, 액티브층(114)은 채널 영역, 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 또한, 액티브층(114)은 접촉 저항을 낮추기 위한 오믹 콘택층을 포함 할 수도 있다.
액티브층(114) 상에는 드레인(115a) 및 소오스(115b)가 위치할 수 있다. 드레인(115a) 및 소오스(115b)는 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다. 드레인(115a) 및 소오스(115b)가 단일층일 경우에는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 드레인(115a) 및 소오스(115b)가 다중층일 경우에는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴의 2중층, 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴 또는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴/몰리브덴의 3중층으로 이루어질 수 있다.
드레인(115a) 및 소오스(115b) 상에는 제2절연막(116a)이 위치할 수 있다. 제2절연막(116a)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제2절연막(116a)은 패시베이션막일 수 있다.
기판(110) 상에 위치하는 게이트(112), 드레인(115a) 및 소오스(115b)는 구동 트랜지스터를 나타낸다. 이러한 구동 트랜지스터의 드레인(115a) 및 소오스(115b) 중 하나는 제2절연막(116a) 상에 위치하는 실드(shield) 금속(118)에 연결될 수 있다.
제2절연막(116a) 상에는 평탄도를 높이기 위한 제3절연막(116b)이 위치할 수 있다. 제3절연막(116b)은 폴리이미드 등의 유기물을 포함할 수 있다.
이상은 기판(110) 상에 형성된 트랜지스터가 바탐 게이트형인 것을 일례로 설명하였다. 그러나, 기판(110) 상에 형성되는 트랜지스터는 바탐 게이트형뿐만 아 니라 탑 게이트형으로도 형성될 수 있다.
트랜지스터의 제3절연막(116b) 상에는 트랜지스터의 드레인(115a)에 연결되며 각 서브 픽셀 영역마다 분리 형성된 캐소드(117)가 위치할 수 있다. 캐소드(117)는 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy) 또는 은(Ag)과 같이 반사도가 높고 불투명하며 일 함수가 낮은 재료를 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
한편, 캐소드(117)의 표면에는 플라즈마 전처리가 시행될 수 있다. 플라즈마 전처리시 사용하는 가스는 산소(O2), 질소(N2) 및 아르곤(Ar) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
캐소드(117) 상에는 캐소드(117)의 일부를 노출하는 개구부를 갖는 뱅크층(119)이 위치할 수 있다. 뱅크층(119)은 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)계 수지, 아크릴계 수지 또는 폴리이미드 수지 등의 유기물을 포함할 수 있다.
뱅크층(119)의 개구부를 통해 노출된 캐소드(117) 상에는 금속버퍼층(120)이 위치할 수 있다. 금속버퍼층(120)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 칼슘(Ca) 및 마그네슘(Mg) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 그러나, 전자의 주입을 향상할 수 있는 금속 재료면 이에 한정되지 않는다.
한편, 캐소드(117) 상에 위치하는 금속버퍼층(120)의 두께(t1)는 1Å ~ 50Å으로 형성될 수 있다. 금속버퍼층(120)의 두께(t1)를 1Å 이상으로 형성하면, 표면 균일도를 향상함과 아울러, 전자의 주입효율을 향상시킬 수 있다. 금속버퍼층(120)의 두께(t1)를 50Å 이하로 형성하면, 서브 픽셀 간의 픽셀 레이션의 용이성이 떨어지지 않는 범위 내에서 전자의 주입효율을 향상시킬 수 있고, 색좌표 개선 효과 가 있을 수 있다. 덧붙여, 이러한 금속버퍼층(120)은 캐소드(117)의 산화를 방지하는 역할을 할 수 있다.
금속버퍼층(120) 상에는 유기 발광층(121)이 위치할 수 있다. 유기 발광층(121)은 서브 픽셀에 따라 적색, 녹색 및 청색 중 어느 하나의 색을 발광하도록 형성될 수 있다. 서브 픽셀은 유기 발광층(121)의 구조에 따라 다른 색 예를 들면, 백색을 발광할 수도 있다.
유기 발광층(121) 상에는 애노드(122)가 위치할 수 있다. 애노드(122)는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), AZO(ZnO doped Al2O3) 등과 같이 투명한 재료를 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
이하, 도 4를 참조하여 유기 발광층에 대해 더욱 자세히 설명한다.
도 4는 유기 발광층의 계층 구조 예시도 이다.
도 4를 참조하면, 유기 발광층(121)은 금속버퍼층(120)과 애노드(122) 사이에 위치할 수 있다. 이러한 유기 발광층(121)은 전자주입층(121a), 전자수송층(121b), 발광층(121c), 정공수송층(121d) 및 정공주입층(121e)을 포함할 수 있다.
전자주입층(121a)은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq, LiF 또는 SAlq를 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
전자수송층(121b)은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
발광층(121c)은 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 물질을 포함할 수 있으며, 인광 또는 형광물질을 이용하여 형성할 수 있다.
발광층(121c)이 적색인 경우, CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리 PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
발광층(121c)이 녹색인 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
발광층(121c)이 청색인 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함 하며, (4,6-F2ppy)2Irpic을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있다. 이와는 달리, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
정공수송층(121d)은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
정공주입층(121e)은 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있으며, CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
여기서, 본 발명의 실시예는 도 4에 한정되는 것은 아니며, 전자주입층(121a), 전자수송층(121b), 정공수송층(121d), 정공주입층(121e) 중 적어도 어느 하나가 생략될 수도 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법에 대해 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법 흐름 도이고, 도 6 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 기판(110) 상에 트랜지스터를 형성하는 단계(S101)를 다음과 같이 실시한다.
기판(110)을 준비한다. 준비된 기판(110)은 소자를 형성하기 위한 재료로 기계적 강도나 치수 안정성이 우수한 것을 선택할 수 있다. 기판(110)의 재료로는, 유리판, 금속판, 세라믹판 또는 플라스틱판(폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 염화비닐 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 불소수지 등) 등을 예로 들 수 있다.
기판(110) 상에 버퍼층(111)을 형성한다. 그리고 버퍼층(111) 상에 게이트(112)를 형성한다. 게이트(112)는 단일층 또는 다중층으로 형성할 수 있다.
게이트(112) 상에 제1절연막(113)을 형성한다. 제1절연막(113)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
제1절연막(113) 상에 액티브층(114)을 형성한다. 액티브층(114)은 비정질 실리콘 또는 이를 결정화한 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 여기서 도시하지는 않았지만, 액티브층(114)은 채널 영역, 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 또한, 액티브층(114)은 접촉 저항을 낮추기 위한 오믹 콘택층을 포함할 수도 있다.
액티브층(114) 상에 드레인(115a) 및 소오스(115b)를 형성한다. 드레 인(115a) 및 소오스(115b)는 단일층 또는 다중층으로 형성할 수 있다.
드레인(115a) 및 소오스(115b) 상에 제2절연막(116a)을 형성한다. 제2절연막(116a)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제2절연막(116a)은 패시베이션막일 수 있다.
제2절연막(116a) 상에 평탄도를 높이기 위한 제3절연막(116b)을 형성한다. 제3절연막(116b)은 폴리이미드 등의 유기물을 포함할 수 있다.
이상은 기판(110) 상에 형성된 트랜지스터가 바탐 게이트형인 것을 일례로 설명하였다. 그러나, 기판(110) 상에 형성되는 트랜지스터는 바탐 게이트형뿐만 아니라 탑 게이트형으로도 형성될 수 있다. 한편, 기판(110) 상에 위치하는 게이트(112), 드레인(115a) 및 소오스(115b)는 구동 트랜지스터를 나타낸다. 이러한 구동 트랜지스터의 드레인(115a) 및 소오스(115b) 중 하나는 제2절연막(116a) 상에 위치하는 실드(shield) 금속(118)에 연결될 수 있다.
다음, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 트랜지스터의 드레인(115a) 또는 소오스(115b)와 연결되도록 트랜지스터 상에 캐소드를 형성하는 단계(S103)를 다음과 같이 실시한다.
트랜지스터의 제3절연막(116b) 상에 트랜지스터의 드레인(115a)에 연결되며 각 서브 픽셀 영역마다 분리 되도록 캐소드(117)를 형성한다. 캐소드(117)는 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy) 또는 은(Ag)과 같이 반사도가 높고 불투명하며 일 함수가 낮은 재료를 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
다음, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 캐소드(117) 상에 개구부를 갖는 뱅크층(119)을 형성하는 단계(S105)를 다음과 같이 실시한다.
캐소드(117) 상에 캐소드(117)의 일부를 노출하는 개구부를 갖는 뱅크층(119)을 형성한다. 뱅크층(119)은 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)계 수지, 아크릴계 수지 또는 폴리이미드 수지 등의 유기물을 포함할 수 있다.
다음, 도 5 및 도 7에 도시된 바와 같이, 캐소드(117) 상에 플라즈마(plasma) 전처리를 하는 단계(S107)를 다음과 같이 실시한다.
플라즈마(plasma)를 이용하여 캐소드(117)의 표면을 전처리한다. 캐소드(117)의 표면을 전처리하기 위한 플라즈마 가스는 산소(O2), 질소(N2) 및 아르곤(Ar) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 캐소드(117)의 표면을 플라즈마(plasma) 전처리하면, 캐소드(117)의 표면에 형성된 자연 산화막 등을 제거할 수 있고, 캐소드(117)의 표면 산화를 억제할 수도 있다.
다음, 도 5 및 도 8에 도시된 바와 같이, 캐소드(117) 상에 금속버퍼층(120)을 형성하는 단계(S109)를 다음과 같이 실시한다.
뱅크층(119)의 개구부를 통해 노출된 캐소드(117) 상에 금속버퍼층(120)을 형성한다. 금속버퍼층(120)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 칼슘(Ca) 및 마그네슘(Mg) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 그러나, 전자의 주입을 향상할 수 있는 금속 재료면 이에 한정되지 않는다.
캐소드(117) 상에 위치하는 금속버퍼층(120)의 두께(t1)는 1Å ~ 50Å으로 형성될 수 있다. 금속버퍼층(120)의 두께(t1)를 1Å 이상으로 형성하면, 표면 균일도를 향상함과 아울러, 전자의 주입효율을 향상시킬 수 있다. 금속버퍼층(120)의 두께(t1)를 50Å 이하로 형성하면, 서브 픽셀 간의 픽셀 레이션의 용이성이 떨어지지 않는 범위 내에서 전자의 주입효율을 향상시킬 수 있고, 색좌표 개선 효과가 있을 수 있다. 덧붙여, 이러한 금속버퍼층(120)은 캐소드(117)의 산화를 방지하는 역할을 할 수 있다.
한편, 플라즈마 전처리 단계(S107)와 금속버퍼층 형성 단계(S109)는 동일한 챔버 내에서 연속으로 진행할 수 있어 생산 수율을 향상시킬 수 있다.
다음, 도 5 및 도 9에 도시된 바와 같이, 금속버퍼층(120) 상에 유기 발광층(121)을 형성하는 단계(S111)를 다음과 같이 실시한다.
금속버퍼층(120) 상에는 유기 발광층(121)을 형성한다. 유기 발광층(121)은 서브 픽셀에 따라 적색, 녹색 및 청색 중 어느 하나의 색을 발광하도록 형성될 수 있다. 서브 픽셀은 유기 발광층(121)의 구조에 따라 다른 색 예를 들면, 백색을 발광할 수도 있다.
다음, 도 5 및 도 9에 도시된 바와 같이, 유기 발광층(121) 상에 애노드(122)를 형성하는 단계(S113)를 다음과 같이 실시한다.
유기 발광층(121) 상에는 애노드(122)를 형성한다. 애노드(122)는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), AZO(ZnO doped Al2O3) 등과 같이 투명한 재료를 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
이상과 같은 공정을 실시하면, 도 10에 도시된 바와 같이 기판(110) 상에는 다수의 서브 픽셀(P)이 매트릭스 형태로 형성된 표시부(130)가 형성될 수 있다. 표 시부(130)에 형성된 다수의 서브 픽셀(P)은 앞서 설명한 바와 같이 트랜지스터와 유기 발광다이오드를 포함할 수 있다.
한편, 기판(110) 상에 위치하는 표시부(130)에 형성된 다수의 서브 픽셀(P)은 수분이나 산소에 취약하다. 따라서, 밀봉기판(140)을 구비하고, 표시부(130)의 외곽 기판(110)에 접착부재(150)를 형성하여 기판(110)과 밀봉기판(140)을 봉지하는 봉지공정을 실시할 수 있다.
이후, 기판(110) 상에 데이터 구동부 및 스캔 구동부를 포함하는 구동부(160)를 형성하는 공정과, 기판(110) 상에 형성된 구동부(160)와 외부 기판을 연결하는 공정을 더 실시할 수 있다. 다만, 구동부(160)는 설명의 편의를 위해 개략적으로 도시한 것일 뿐, 구동부(160)에 포함된 데이터 구동부와 스캔 구동부 중 적어도 하나는 외부 기판에 형성될 수도 있다.
이상과 같은 공정에 의해 제조된 유기전계발광표시장치는 구동부(160)를 통해 구동신호 등이 공급되면, 다수의 서브 픽셀(P)이 발광함으로써 영상을 표현할 수 있게 된다.
이상 본 발명의 실시예는, 캐소드 상에 금속버퍼층을 형성하여 캐소드가 산화되는 문제를 해결함과 아울러 전자의 주입 효율을 향상시켜 소자의 신뢰성 및 수명을 향상시킬 수 있는 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법을 제공하는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 실시예는, 캐소드의 표면을 전처리하는 공정과 금속버퍼층을 형성하는 공정을 연속 진행할 수 있어 생산수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있 다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 유기전계발광표시장치의 서브 픽셀 회로 구성 예시도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 단면도.
도 3은 도 2의 일부 확대도.
도 4는 유기 발광층의 계층 구조 예시도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법 흐름도.
도 6 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 제조방법을 설명하기 위한 도면.
<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>
110: 기판 112: 게이트
115a: 드레인 115b: 소오스
117: 캐소드 119: 뱅크층
120: 금속버퍼층 121: 유기 발광층
122: 애노드 140: 밀봉기판
150: 접착부재 160: 구동부

Claims (9)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 기판 상에 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 트랜지스터의 소오스 또는 드레인과 연결되도록 상기 트랜지스터 상에 캐소드를 형성하는 단계;
    상기 캐소드 상에 개구부를 갖는 뱅크층을 형성하는 단계;
    상기 캐소드의 표면에 형성된 자연 산화막을 제거하고, 상기 캐소드의 표면 산화를 억제하기 위해 상기 캐소드 상에 플라즈마 전처리를 하는 단계;
    상기 캐소드의 산화를 방지하고 전자주입 능력을 향상시키기 위해 상기 캐소드 상에 금속버퍼층을 형성하는 단계;
    상기 금속버퍼층 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기 발광층 상에 애노드를 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 금속버퍼층의 두께는 1Å ~ 50Å이고,
    상기 금속버퍼층은 알루미늄(Al), 은(Ag) 및 칼슘(Ca) 중 어느 하나로 이루어지고,
    상기 플라즈마 전처리 단계와 상기 금속버퍼층 형성 단계는 동일한 챔버 내에서 연속으로 진행하고,
    상기 트랜지스터는 상기 기판 상에 위치하는 게이트와,
    상기 게이트 상에 위치하는 제1절연막과,
    상기 제1절연막 상에 위치하고 상기 게이트에 대응되는 영역에 위치하는 액티브층과,
    상기 액티브층 상에 위치하는 상기 드레인 및 소오스와,
    상기 드레인 및 소오스 상에 위치하는 제2절연막과,
    상기 제2절연막 상에 위치하는 실드 금속을 포함하고,
    상기 트랜지스터의 드레인 및 소오스 중 하나는 상기 제2절연막 상에 위치하는 실드 금속에 연결된 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  7. 삭제
  8. 제6항에 있어서,
    산소(O2), 질소(N2) 및 아르곤(Ar) 플라즈마 중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
  9. 삭제
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