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KR101339396B1 - 적층 세라믹 커패시터용 내환원성 저온소성 유전체 세라믹 조성물 및 그의 제조방법 - Google Patents

적층 세라믹 커패시터용 내환원성 저온소성 유전체 세라믹 조성물 및 그의 제조방법 Download PDF

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KR101339396B1
KR101339396B1 KR1020120027907A KR20120027907A KR101339396B1 KR 101339396 B1 KR101339396 B1 KR 101339396B1 KR 1020120027907 A KR1020120027907 A KR 1020120027907A KR 20120027907 A KR20120027907 A KR 20120027907A KR 101339396 B1 KR101339396 B1 KR 101339396B1
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glass powder
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오영주
윤중락
우병철
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삼화콘덴서공업주식회사
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Abstract

본 발명은 적층 세라믹 커패시터용 유전체 세라믹 조성물에 관한 것으로, 주성분 87~97 wt%와 망목 구조를 갖는 유리 분말으로 이루어지는 제1부성분 3~10 wt%와, MgO, Cr2O3 및 Mn3O4 중 하나 이상으로 이루어지는 제2부성분 1~3 wt%로 이루어지고, 상기 주성분은 제1주성분 BaTiO3 91~98 wt%와 제2주성분 2~9 wt%로 이루어지고, 상기 제2주성분은 (Ba1 - xCax)TiO3와 (Ba1 -x-yCaySrx)(ZryTi1-y)O3 중 하나 이상이 선택되어 사용되며, 상기 x와 y는 각각 0.1 ≤ x ≥0.8, 0.1 ≤ y ≥0.97을 만족하도록 구성하여, 주성분에 주성분과 다른 상을 갖는 보조 주성분을 혼합하여 고용량화에 따른 유전체 두께의 감소에 의한 신뢰성 저하를 방지할 수 있도록 하는 데 있다.

Description

적층 세라믹 커패시터용 내환원성 저온소성 유전체 세라믹 조성물 및 그의 제조방법{Non-reducible low temperature sinterable dielectric ceramic composition for multi layer ceramic capacitor and manufacturing method thereof}
본 발명은 적층 세라믹 커패시터용 내환원성 저온소성 유전체 세라믹 조성물 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 주성분에 주성분과 다른 상을 갖는 보조 주성분을 혼합하여 고용량화에 따른 유전체 두께의 감소에 의한 신뢰성 저하를 방지할 수 있는 적층 세라믹 커패시터용 내환원성 저온소성 유전체 세라믹 조성물 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
적층 세라믹 커패시터(MLCC: Multi Layer Ceramic Capacitor)는 유전체 세라믹 조성물을 이용하여 유전체 시트를 성형한 후 내부전극과 적층하여 대기 분위기에서 소결하여 제조된다. 적층 세라믹 커패시터를 제조하기 위한 유전체 세라믹 조성물의 주원료로 BaTiO3분말이 사용된다.
BaTiO3 분말은 페로브스카이트(perovskite) 상구조를 갖는 강유전체로 높은 유전상수, 열안정성 및 저가로 인해 적층 세라믹 커패시터의 내환원성 유전체 세라믹 조성물의 주원료로 사용하고 있다. 이러한 BaTiO3 분말의 제조방법은 수열합성법 및 고상 반응법 등이 있다.
수열합성법은 균일하고 초미세 입자를 제조하는데 있어서 다른 제조방법에 비하여 뛰어나며 부수적인 열처리와 밀링처리가 요구되지 않으나 고상 반응법에 비해 제조단가가 비싸며 반응시간이 길고 티타늄 옥사이드 하이드레이트의 농도 조절이 어려운 문제점이 있다. 고상 반응법은 상업적으로 주로 사용되는 방법으로서 BaCO3와 TiO2를 출발 원료로 하여 900~1400℃에서 확산제어반응으로 BaTiO3분말을 제조한다. 이 방법은 소요되는 제조비용이 낮다는 장점이 있으나 제조되는 분말의 최소 크기가 0.5㎛이며 입도 분포가 불균일하다는 단점이 있다.
한국등록특허 제327132호(특허문헌1)는 전술한 방법으로 제조된 BaTiO3을 이용한 유전체 세라믹 조성물 및 전자부품에 관한 것으로, 선행기술에 공개된 유전체 세라믹 조성물은 주성분인 BaTiO3와, 주성분 100몰에 대해 Cr2O3:0.1~3몰, V2O5:0.01~0.5몰, 희토류 산화물(R1:Y, Ho, Dy):0.7∼7몰, MnO:0.5몰 이하로 조성된다. 선행기술의 유전체 세라믹 조성물을 구성하는 희토류 산화물은 주성분인 BaTiO3의 이온 결핍 및 전계에 의한 전자의 이동에 의해서 열화가 진행되는 것을 방지하여 온도특성이나 직류 전계 하에서의 용량의 경시 변화가 작으며 절연저항의 수명이 길어지도록 하여 적층 세라믹 커패시터의 장기 신뢰성을 높이게 된다.
특허문헌1: 한국등록특허 제327132호(등록일: 2002.02.21)
종래의 유전체 세라믹 조성물의 제조 시 적층 세라믹 커패시터의 장기 신뢰성을 위해 첨가제로 사용되는 희토류 산화물의 가격이 최근 상승됨에 의해 적층 세라믹 커패시터용 내환원성 저온소성 유전체 세라믹 조성물의 제조 비용이 증가되는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 전술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 주성분에 주성분과 다른 상을 갖는 보조 주성분을 혼합하여 고용량화에 따른 유전체 두께의 감소에 의한 신뢰성 저하를 방지할 수 있는 적층 세라믹 커패시터용 내환원성 저온소성 유전체 세라믹 조성물 및 그의 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 주성분에 주성분과 다른 상을 갖는 보조 주성분을 혼합함에 의해 온도특성이나 절연저항 특성을 개선할 수 있는 적층 세라믹 커패시터용 내환원성 저온소성 유전체 세라믹 조성물 및 그의 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 주성분에 주성분과 다른 상을 갖는 보조 주성분을 혼합하여 고용량화에 따른 유전체 두께의 감소에 의한 신뢰성을 저하를 방지할 수 있도록 함에 의해 내환원성 저온소성 유전체 세라믹 조성물의 제조원가를 절감할 수 있는 적층 세라믹 커패시터용 내환원성 저온소성 유전체 세라믹 조성물 및 그의 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명의 적층 세라믹 커패시터용 내환원성 저온소성 유전체 세라믹 조성물은 제1성분 91~98wt%와 제2성분 2~9wt%로 이루어지고, 상기 제1성분은 주성분인 BaTiO3 94~98wt%와, 망목구조를 갖는 유리 분말으로 이루어지는 제1부성분 0.5~2wt%와, MgO, Cr2O3 및 Mn3O4 중 하나 이상으로 이루어지는 제2부성분 1~4wt%로 이루어지며, 상기 제2성분은 (Ba1 -x- yCaySrx)(ZryTi1 -y)O3 이며, 상기 x와 y는 각각 0.2 ≤ x ≤ 0.8, 0.03 ≤ y ≤ 0.15 을 만족하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 적층 세라믹 커패시터용 유전체 세라믹 조성물의 제조방법은 제1성분 91~98wt%와 제2성분 2~9wt%을 준비하는 단계와; 상기 제1성분과 상기 제2성분이 각각 준비되면 솔리드 로딩(Solid loading)이 25 내지 35%가 되도록 초순수 첨가하고 수계 분산제 1~4%를 첨가한 후 볼 밀링(Ball-Milling)을 이용하여 20 내지 30시간 습식 혼합하는 단계와; 제1성분과 제2성분이 혼합되면 80~200℃에서 건조하는 단계와; 제1성분과 제2성분의 혼합물이 건조되면 700~900℃에서 3~5시간 동안 열처리하는 단계로 구성되며, 상기 제1성분과 상기 제2성분이 각각 준비하는 단계에서 제1성분은 주성분인 BaTiO3 94~98wt%와, 망목구조를 갖는 유리 분말으로 이루어지는 제1부성분 0.5~2wt%와, MgO, Cr2O3 및 Mn3O4 중 하나 이상으로 이루어지는 제2부성분 1~4wt%로 이루어지며, 상기 제2성분은 (Ba1 -x- yCaySrx)(ZryTi1 -y)O3 이며, 상기 x와 y는 각각 0.2 ≤ x ≤ 0.8, 0.03 ≤ y ≤ 0.15 을 만족하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 적층 세라믹 커패시터용 내환원성 저온소성 유전체 세라믹 조성물 및 그의 제조방법은 주성분에 주성분과 다른 상을 갖는 보조 주성분을 혼합함에 의해 온도특성이나 절연저항 특성을 개선할 수 있는 이점이 있으며, 고용량화에 따른 유전체 두께의 감소에 의한 신뢰성 저하를 방지할 수 있도록 함에 의해 내환원성 저온소성 유전체 세라믹 조성물의 제조원가를 절감할 수 있는 이점이 있다.
도 1은 본 발명의 적층 세라믹 커패시터용 내환원성 저온소성 유전체 세라믹 조성물이 적용된 적층 세라믹 커패시터의 단면도,
도 2는 도 1에 도시된 적층 세라믹 커패시터용 내환원성 저온소성 유전체 세라믹 조성물의 제조과정을 나타낸 흐름도,
도 3은 도 2에 도시된 유리 분말의 제조과정을 나타낸 흐름도.
이하, 본 발명의 적층 세라믹 커패시터용 내환원성 저온소성 유전체 세라믹 조성물 및 그의 제조방법의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1에서와 같이 본 발명의 적층 세라믹 커패시터(10)는 유전체(11), 내부전극(12) 및 외부전극(13)으로 이루어진다.
유전체(11)는 본 발명의 적층 세라믹 커패시터용 내환원성 저온소성 유전체 세라믹 조성물로 제조되며, 내환원성 저온소성 유전체 세라믹 조성물은 제1성분 91~98wt%와 제2성분 2~9wt%로 이루어진다. 제1성분은 주성분인 BaTiO3 94~98wt%와, 망목구조를 갖는 유리 분말으로 이루어지는 제1부성분 0.5~2wt%와, MgO, Cr2O3 및 Mn3O4 중 하나 이상으로 이루어지는 제2부성분 1~4wt%로 이루어지며, 제2성분은 (Ba1 -x- yCaySrx)(ZryTi1 -y)O3 이며, x와 y는 각각 0.2 ≤ x ≤ 0.8, 0.03 ≤ y ≤ 0.15 을 만족하도록 구성된다.
제1성분의 주성분인 BaTiO3의 평균 입경은 제2성분보다 큰 것이 사용된다. 예를 들어, 제1성분의 주성분인 BaTiO3은 평균 입경이 50 내지 150㎚이며, 비표면적이 4 내지 20㎡/g이 사용되는 반면에, 제2성분은 평균 입경이 30 내지 100㎚이며, 비표면적이 3 내지 25㎡/g인 것이 사용된다.
제1성분의 제1부성분인 망목 구조를 갖는 유리 분말은 aBa계 조성물-bSi계 조성물-cLi계 조성물-dB계 조성물-fRF계 조성물로 이루어진다. 여기서, a+b+c+d+f=100 mol%로 3≤ a ≥25 mol%, 20≤ b ≥30 mol%, 5≤ c ≥20 mol%, 30≤ d ≥50 mol%, 1≤ f ≥10 mol%를 만족한다. 또한, aBa계 조성물-bSi계 조성물-cLi계 조성물-dB계 조성물-fRF계 조성물 중 Ba계 조성물은 BaO와 BaCO3 중 하나가 사용되고, Si계 조성물은 SiO2가 사용되며, Li계 조성물은 Li2O, Li2CO3 및 LiOH 중 하나가 사용된다. B계 조성물은 B2O3와 H3BO3 중 하나가 사용되며, F계 조성물은 MgF2, CaF2, AlF3 및 TiF4 중 하나가 사용된다.
상기 구성을 갖는 본 발명의 적층 세라믹 커패시터용 유전체 세라믹 조성물의 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 2에서와 같이 먼저, 제1성분 91~98wt%와 제2성분 2~9wt%을 준비한다(S10). 여기서, 제1성분은 주성분으로 사용되며, 제2성분은 제1성분과 다른 상을 갖는 보조 주성분으로 사용된다.
제1성분은 주성분 94~98wt%, 제1부성분 0.5~2wt% 및 제2부성분 1~4wt%로 이루어진다. 제1성분 중 주성분은 BaTiO3이 사용되고, 제1부성분은 망목구조를 갖는 유리 분말이 사용된다. 제1부성분은 소결조제로 사용되며, 그의 제조 방법은 도 3에 도시되어 있다.
도 3에서와 같이 제1부성분의 제조방법은 먼저, Ba계, Si계, Li계, B계 및 RF계 조성물에서 각각 선택된 출발물질을 준비한다(S11).
출발물질은 aBa계 조성물-bSi계 조성물-cLi계 조성물-dB계 조성물-fRF계 조성물로 이루어지며, Ba계 조성물은 BaO와 BaCO3 중 하나가 사용되고, Si계 조성물은 SiO2가 사용된다. Li계 조성물은 Li2O, Li2CO3 및 LiOH 중 하나가 사용되고, B계 조성물은 B2O3와 H3BO3 중 하나가 사용되며, F계 조성물은 MgF2, CaF2, AlF3 및 TiF4 중 하나가 사용된다. 출발물질이 준비되면 각각을 혼합한 후 1200~1600℃에서 용융한다(S12). 용융이 완료되면 이후 급냉시켜 유리 플레이크(glass flake)를 제조한 후 이를 건식 분쇄하여 유리 분말을 제조한다(S13).
분쇄된 유리 분말은 열플라즈마 처리를 통하여 30~100nm의 평균입경을 갖는 구형 분체 즉, 결정성 나노 구형 분체 분말로 제조한다(S14). 열플라즈마 처리는 RF(Radio Frequency)플라즈마 토치를 사용하였으며, 열플라즈마 처리의 온도는 3000~8000℃의 초고온 상태에서 실시하였다. 열플라즈마 처리 시 투입되는 유리분말의 직경 크기는 0.2~30㎛로 구형화 및 기상화를 동시에 이용하여 30~100nm의 평균입도를 갖는 나노 구형 유리 조성물을 제조한다. 열플라즈마 처리가 완료되면 유리분말의 분급을 실시하여(S15) 최종 제1부성분을 제조하게 된다.
제2부성분은 MgO, Cr2O3 및 Mn3O4은 각각 Mg(No3)26H2O, Cr(NO3)39H2O 및 Mn(NO3)2H2O을 출발물질로 하여 제조되며, 제조방법은 공지된 기술을 적용함으로 상세한 설명을 생략한다.
제2성분은 제1성분과 상이 다른 (Ba1 -x- yCaySrx)(ZryTi1 -y)O3 이며, 제1주성분인 BaTiO3보다 평균입경이 작도록 제어된 것이 사용된다. 즉, 제2주성분은 평균입경이 30~100nm이며, 비표면적이 3~25m2/g인 것이 사용된다. 제2성분인 (Ba1 -x-yCaySrx)(ZryTi1-y)O3은 환원소성 분위기에서도 절연저항을 유지시키며, 30~100nm의 크기를 갖는 BaCO3, CaCO3, SrCO3, CaCO3, ZrO2, TiO2를 출발물질로 습식혼합, 분쇄, 건조 및 950℃ 이상에서 2시간 동안 열처리 과정을 통해 제조된다.
상기 제조된 제1성분 91~98wt%와 제2성분 2~9wt%가 각각 준비되면 솔리드 로딩(Solid loading)이 25 내지 35%가 되도록 초순수 첨가하고 수계 분산제 1~4%를 첨가한 후 볼 밀링(Ball-Milling)을 이용하여 20 내지 30시간 습식 혼합한다(S20). 예를 들어, 제1성분 및 제2성분이 각각 준비되면 솔리드 로딩(Solid loading)이 약 30%가 되도록 초순수 첨가하고 고용분의 약 1~4%의 수계 분산제를 첨가한다. 이 후 볼 밀링(Ball-Milling)을 이용하여 약 24시간 습식 혼합한다.
제1성분(주성분+제1부성분+제2부성분)과 제2성분이 혼합되면 80~200℃에서 건조한다(S30). 제1성분과 제2성분의 혼합물이 건조되면 700~900℃에서 3~5시간 동안 열처리하여(S40) 본원발명의 적층 세라믹 커패시터용 내환원성 유전체 세라믹 조성물을 제조한다.
상기 제조방법을 통해 제조된 본원발명의 내환원성 유전체 세라믹 조성물을 도 1에서와 같이 적층 세라믹 커패시터(10)를 제조하였다.
적층 세라믹 커패시터(10)는 도 1에서와 같이 유전체(11), 내부전극(12) 및 외부전극(13)으로 이루어진다. 유전체(11)는 유전체 시트를 본 발명의 내환원성 유전체 세라믹 조성물로 제조함에 의해 온도특성이나 절연저항 특성을 개선할 수 있다. 즉, 제1성분에 제2성분을 혼합하여 사용함에 의해 서로 상(phase)이 다른 코어-셀(11a, 11b, 11c, 11d) 구조를 균일하게 형성할 수 있어 절연저항이나 직류 바이어스 특성이 개선되며, 이러한 개선효과에 의해 적층 세라믹 커패시터(10)의 신뢰성이 개선된다.
적층 세라믹 커패시터(10)는 또한 유전체(11)에 사용되는 종래의 유전체 세라믹 조성물에 포함되는 희토류 산화물을 사용하지 않고 제1성분과 다른 상을 갖는 제2성분을 사용하여, 적층 세라믹 커패시터(10)를 제조함에 의해 제조원가를 절감하게 된다.
본 발명의 적층 세라믹 커패시터용 유전체 세라믹 조성물 및 그의 제조방법은 적층 세라믹 커패시터의 제조 산업 분야에 적용할 수 있다.
10: 적층 세라믹 커패시터 11: 유전체
12: 내부전극 13: 외부전극

Claims (8)

  1. 제1성분 91~98wt%와 제2성분 2~9wt%로 이루어지고, 상기 제1성분은 주성분인 BaTiO3 94~98wt%와, 망목구조를 갖는 유리 분말으로 이루어지는 제1부성분 0.5~2wt%와, MgO, Cr2O3 및 Mn3O4 중 하나 이상으로 이루어지는 제2부성분 1~4wt%로 이루어지며, 상기 제2성분은 (Ba1-x-yCaySrx)(ZryTi1-y)O3 이며, 상기 x와 y는 각각 0.2 ≤ x ≤ 0.8, 0.03 ≤ y ≤ 0.15 을 만족하고,
    상기 제1성분의 주성분인 망목 구조를 갖는 유리 분말은 aBa계 조성물-bSi계 조성물-cLi계 조성물-dB계 조성물-fRF계 조성물로 이루어지고, 상기 a+b+c+d+f=100 mol%로 상기 3≤ a ≥25 mol%, 20≤ b ≥30 mol%, 5≤ c ≥20 mol%, 30≤ d ≥50 mol%, 1≤ f ≥10 mol%를 만족하며, 상기 Ba계 조성물은 BaO와 BaCO3 중 하나이고 상기 Si계 조성물은 SiO2이며 상기 Li계 조성물은 Li2O, Li2CO3 및 LiOH 중 하나이며 B계 조성물은 B2O3와 H3BO3 중 하나이며, F계 조성물은 MgF2, CaF2, AlF3 및 TiF4 중 하나고,
    상기 제1성분의 주성분인 BaTiO3의 평균 입경은 제2성분보다 크며, 상기 제1성분의 주성분인 BaTiO3은 평균 입경이 50 내지 150㎚이며, 비표면적이 4 내지 20㎡/g이며, 상기 제2성분은 평균 입경이 30 내지 100㎚이며, 비표면적이 3 내지 25㎡/g인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 커패시터용 유전체 세라믹 조성물.
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  6. 제1성분 91~98wt%와 제2성분 2~9wt%을 준비하는 단계와;
    상기 제1성분과 상기 제2성분이 각각 준비되면 솔리드 로딩(Solid loading)이 25 내지 35%가 되도록 초순수 첨가하고 수계 분산제 1~4%를 첨가한 후 볼 밀링(Ball-Milling)을 이용하여 20 내지 30시간 습식 혼합하는 단계와;
    제1성분과 제2성분이 혼합되면 80~200℃에서 건조하는 단계와;
    제1성분과 제2성분의 혼합물이 건조되면 700~900℃에서 3~5시간 동안 열처리하는 단계로 구성되며,
    상기 제1성분과 상기 제2성분을 각각 준비하는 단계에서 제1성분은 주성분인 BaTiO3 94~98wt%와, 망목구조를 갖는 유리 분말으로 이루어지는 제1부성분 0.5~2wt%와, MgO, Cr2O3 및 Mn3O4 중 하나 이상으로 이루어지는 제2부성분 1~4wt%로 이루어지며, 상기 제2성분은 (Ba1-x-yCaySrx)(ZryTi1-y)O3 이며, 상기 x와 y는 각각 0.2 ≤ x ≤ 0.8, 0.03 ≤ y ≤ 0.15 을 만족하고,
    상기 제1성분과 상기 제2성분을 각각 준비하는 단계에서 제1성분의 제1부성분의 제조방법은 출발물질을 준비하는 단계와; 상기 출발물질이 준비되면 각각을 혼합한 후 1200~1600℃에서 용융하는 단계와; 상기 용융이 완료되면 급냉시켜 유리 플레이크(glass flake)를 제조한 후 건식 분쇄하여 유리 분말을 제조하는 단계와; 상기 분쇄된 유리 분말을 열플라즈마 처리를 통하여 30~100nm의 평균입경을 갖는 구형 분체로 제조하는 단계와; 상기 열플라즈마 처리가 완료되면 유리분말의 분급을 실시하는 단계로 이루어지며, 상기 출발물질을 준비하는 단계에서 출발물질은 aBa계 조성물-bSi계 조성물-cLi계 조성물-dB계 조성물-fRF계 조성물로 이루어지며, Ba계 조성물은 BaO와 BaCO3 중 하나가 사용되고, Si계 조성물은 SiO2가 사용되며, Li계 조성물은 Li2O, Li2CO3 및 LiOH 중 하나가 사용되며, B계 조성물은 B2O3와 H3BO3 중 하나가 사용되며, F계 조성물은 MgF2, CaF2, AlF3 및 TiF4 중 하나가 사용되며,
    상기 열플라즈마 처리를 통하여 30~100nm의 평균입경을 갖는 구형 분체로 제조하는 단계에서 열플라즈마 처리는 RF(Radio Frequency)플라즈마 토치가 사용되며, 상기 RF플라즈마 토치를 이용한 열플라즈마 처리 온도는 3000~8000℃인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 커패시터용 유전체 세라믹 조성물의 제조방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160023439A (ko) 2014-08-22 2016-03-03 삼성전기주식회사 저온 소성용 유전체 조성물, 이를 포함하는 적층 세라믹 전자 부품 및 적층 세라믹 전자 부품의 제조 방법
KR20240109080A (ko) 2023-01-03 2024-07-10 삼화콘덴서공업주식회사 적층 세라믹 커패시터용 유전체 세라믹 조성물

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240080885A (ko) * 2022-11-30 2024-06-07 주식회사 아모텍 고온 안정성을 갖는 유전체 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004075452A (ja) 2002-08-16 2004-03-11 Taiyo Yuden Co Ltd 誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサ
JP2009084111A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Tdk Corp 誘電体磁器組成物および積層型電子部品
KR20110057507A (ko) * 2009-11-24 2011-06-01 삼화콘덴서공업주식회사 내환원성 ｌｔｃｃ용 고주파 유전체 세라믹 조성물 및 이를 이용한 적층 세라믹 커패시터
KR20120023399A (ko) * 2010-09-03 2012-03-13 삼화콘덴서공업주식회사 유리 조성물, 유전체 조성물 및 이를 이용한 고용량 적층 세라믹 커패시터

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1490659B2 (de) * 1964-09-17 1972-01-13 Siemens AG, 1000 Berlin u. 8000 München Gesinterter elektrischer kaltleiterwiderstandskoerper und verfahren zu seiner herstellung
US4898844A (en) * 1986-07-14 1990-02-06 Sprague Electric Company Process for manufacturing a ceramic body having multiple barium-titanate phases
JP3091192B2 (ja) 1998-07-29 2000-09-25 ティーディーケイ株式会社 誘電体磁器組成物および電子部品
US6403513B1 (en) 1999-07-27 2002-06-11 Tdk Corporation Dielectric ceramic composition and electronic device
WO2010008041A1 (ja) * 2008-07-18 2010-01-21 日本化学工業株式会社 改質ペロブスカイト型複合酸化物、その製造方法及び複合誘電体材料

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004075452A (ja) 2002-08-16 2004-03-11 Taiyo Yuden Co Ltd 誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサ
JP2009084111A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Tdk Corp 誘電体磁器組成物および積層型電子部品
KR20110057507A (ko) * 2009-11-24 2011-06-01 삼화콘덴서공업주식회사 내환원성 ｌｔｃｃ용 고주파 유전체 세라믹 조성물 및 이를 이용한 적층 세라믹 커패시터
KR20120023399A (ko) * 2010-09-03 2012-03-13 삼화콘덴서공업주식회사 유리 조성물, 유전체 조성물 및 이를 이용한 고용량 적층 세라믹 커패시터

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160023439A (ko) 2014-08-22 2016-03-03 삼성전기주식회사 저온 소성용 유전체 조성물, 이를 포함하는 적층 세라믹 전자 부품 및 적층 세라믹 전자 부품의 제조 방법
US9472316B2 (en) 2014-08-22 2016-10-18 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Dielectric composition for low-temperature sintering, multilayer ceramic electronic component containing the same, and method of manufacturing multilayer ceramic electronic component
KR20240109080A (ko) 2023-01-03 2024-07-10 삼화콘덴서공업주식회사 적층 세라믹 커패시터용 유전체 세라믹 조성물
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