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KR101327122B1 - 전자사진용 감광체 - Google Patents

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KR101327122B1
KR101327122B1 KR1020087005598A KR20087005598A KR101327122B1 KR 101327122 B1 KR101327122 B1 KR 101327122B1 KR 1020087005598 A KR1020087005598 A KR 1020087005598A KR 20087005598 A KR20087005598 A KR 20087005598A KR 101327122 B1 KR101327122 B1 KR 101327122B1
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카츠미 아베
마코또 고이께
아츠시 다께스에
Original Assignee
호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤
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Publication date
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Abstract

본 발명은 대전 전위, 잔류 전위 등의 전자사진 특성을 손상시키지 않고, 반복 안정성이 우수한 전자사진용 감광체를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 지르코늄 화합물과, 분자 내에 아릴아미노기를 갖는 전하 수송제 1종 이상을 함유하는 감광층을 갖는 전자사진용 감광체에 관한 것이다.
<화학식 1>
Figure 112008016703065-pct00031
전자사진 특성, 반복 안정성, 전자사진용 감광체, 지르코늄 화합물, 전하 수송제

Description

전자사진용 감광체 {PHOTORECEPTOR FOR ELECTROPHOTOGRAPHY}
본 발명은 전자사진용 감광체에 관한 것이다. 상세하게는, 반복 사용에 있어서도 대전 전위 및 잔류 전위의 변화가 작고, 내구성이 우수한 전자사진용 감광체에 관한 것이다.
종래에, 전자사진용 감광체에는, 셀레늄, 산화아연, 카드뮴 술피드, 실리콘 등의 무기계 광도전성 물질이 널리 이용되어 왔다. 이들 무기 물질은 많은 장점을 갖고 있음과 동시에, 여러 결점도 갖고 있었다. 예를 들면 셀레늄은 제조하는 조건이 어렵고, 열이나 기계적 충격으로 결정화하기 쉽다는 결점이 있고, 산화아연이나 카드뮴 술피드는 내습성이나 기계적 강도에 문제가 있고, 또한 증감제로서 첨가된 색소에 의해 대전이나 노광의 열화가 발생하여, 내구성이 부족하다는 등의 결점이 있다. 실리콘도 제조하는 조건이 어렵고, 자극성이 강한 가스를 사용하기 때문에 비용이 높고, 습도에 민감하기 때문에 취급에 주의를 요한다. 또한 셀레늄이나 카드뮴 술피드에는 독성의 문제도 있다.
이들 무기 감광체가 갖는 결점을 개선한 다양한 유기 화합물을 이용한 유기 감광체가 널리 사용되고 있다. 유기 감광체에는 전하 발생제와 전하 수송제를 결착 수지 내에 분산시킨 단층형 감광체와, 전하 발생층과 전하 수송층으로 기능 분 리된 적층형 감광체가 있다. 기능 분리형이라 칭해지는 이러한 감광체의 특징은 각각의 기능에 적합한 재료를 넓은 범위에서 선택할 수 있고, 임의의 성능을 갖는 감광체를 용이하게 제조할 수 있기 때문에 많은 연구가 진행되어 왔다.
이상 설명한 바와 같이, 전자사진용 감광체에 요구되는 기본적인 성능이나 높은 내구성 등의 요구를 만족시키기 위해서, 신규 재료의 개발이나 이들의 조합 등, 다양한 개량이 이루어져 왔지만, 아직 충분한 것이 얻어지지 않은 것이 현실이다.
그러나, 유기 재료는 무기 재료에는 없는 많은 장점을 갖지만, 전자사진용 감광체에 요구되는 모든 특성을 충분히 만족시키는 것이 얻어지지 않는 것이 현실이다. 즉 반복 사용에 의한 대전 전위의 저하, 잔류 전위의 상승, 감도 변화 등에 의해, 화상 품질의 열화를 야기한다. 이 열화의 원인에 대해서는 전부 해명되어 있는 것은 아니지만, 몇가지 요인으로서, 코로나 방전에 의한 대전 시에 발생되는 오존, NOX 등의 활성 가스, 노광, 제전광에 포함되는 자외선 및 열에 의한 전하 수송제 등의 분해 등이 생각된다. 이들 열화 억제를 위해, 히드라존 화합물과 산화 방지제를 조합시키는 방법(예를 들면, 특허 문헌 1 참조), 부타디엔 화합물과 산화 방지제를 조합시키는 방법(예를 들면, 특허 문헌 2 참조) 등이 알려져 있지만, 초기 감도가 양호한 것은 반복 사용에 의한 열화가 충분하게는 개선되지 않았고, 또한 반복 사용에 의한 열화가 적은 것은 초기 감도, 대전성에 문제가 있다. 이상과 같이 열화 억제를 위한 효과가 아직 충분히 얻어지지 않은 것이 현실이다.
특허 문헌 1: 일본 특허 공개 (평)1-044946호 공보
특허 문헌 2: 일본 특허 공개 (평)1-118845호 공보
<발명의 개시>
<발명이 해결하고자 하는 과제>
본 발명은 분자 내에 아릴아미노기를 갖는 전하 수송제를 사용한 전자사진용 감광체이며, 초기에 잔류 전위가 낮아, 잔류 전위의 상승이 억제되고, 대전 전위의 저하가 방지되어, 반복 사용에 있어서도 피로 열화가 적은 전자사진용 감광체를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
<과제를 해결하기 위한 수단>
본 발명은 이하의 전자사진용 감광체에 관한 것이다.
1. 도전성 지지체 상에 하기 화학식 1로 표시되는 지르코늄 화합물과, 분자 내에 아릴아미노기를 갖는 전하 수송제 1종 이상을 함유하는 감광층을 갖는 전자사진용 감광체.
Figure 112008016703065-pct00001
식 중, R1은 4급 탄소, 메틴, 또는 메틸렌이고, Y는 포화 결합 또는 불포화 결합으로 R1이 결합된 환상 구조를 나타내고, 환상 구조를 형성하는 탄소 원자의 1개 이상이 N, S, O, 또는 P 중에서 선택되는 헤테로 원자에 의해 치환되어도 되며, R2 및 R3은 동일하거나 상이할 수도 있고 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 치환 또는 비치환된 아랄킬옥시기, 할로겐 원자, 수소 원자, 수산기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 카르복실기, 니트로기, 니트로소기, 또는 시아노기를 나타내고, R4는 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, l은 0 내지 12의 정수, m은 1 내지 20의 정수, n은 0 내지 20의 정수, o는 0 내지 4의 정수, p는 0 내지 4의 정수, q는 0 내지 3의 정수, r는 1 내지 20의 정수, s는 0 내지 20의 정수이며, 여기서 p가 2 내지 4의 정수인 때에, 2개 내지 4개의 R3은 각각이 동일하거나 상이할 수 있다.
2. 상기 분자 내에 아릴아미노기를 갖는 전하 수송제가 하기 화학식 2, 화학식 3 또는 화학식 4로 표시되는 히드라존 화합물을 포함하는, 상기 1에 기재된 전자사진용 감광체.
Figure 112008016703065-pct00002
식 중, R5 및 R6은 동일하거나 상이할 수도 있고, 탄소 원자수 1 내지 12의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 7 내지 20의 직쇄상 아랄킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 7 내지 20의 분지상 아랄킬기, 또는 치환 또는 비치환된 환수 1 내지 4의 아릴기를 나타내고, R7 및 R8은 동일하거나 상이할 수도 있고, 수소 원자, 탄소 원자수 1 내지 12의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 7 내지 20의 직쇄상 아랄킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 7 내지 20의 분지상 아랄킬기, 탄소 원자수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 아실기, 탄소 원자수 2 내지 5의 알콕시카르보닐기, 할로겐 원자, 니트로기, 탄소 원자수 1 내지 4의 알킬기로 치환된 모노 또는 디치환 아미노기, 또는 치환 또는 비치환된 아미드기를 나타내고, R5 내지 R8이 치환기를 갖는 경우, 치환기로서 할로겐 원자, 알콕시기, 아릴옥시기, 디알킬아미노기 또는 알킬티오기를 가질 수도 있고, R5 또는 R6이 아릴기 인 경우에만, 치환기로서 알킬기를 가질 수도 있다.
Figure 112008016703065-pct00003
식 중, R9 및 R10은 동일하거나 상이할 수도 있고, 탄소 원자수 1 내지 12의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 7 내지 20의 직쇄상 아랄킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 7 내지 20의 분지상 아랄킬기, 또는 치환 또는 비치환된 환수 1 내지 4의 아릴기를 나타내고, R11은 수소 원자, 탄소 원자수 1 내지 12의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 7 내지 20의 직쇄상 아랄킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 7 내지 20의 분지상 아랄킬기, 탄소 원자수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 아실기, 탄소 원자수 2 내지 5의 알콕시카르보닐기, 할로겐 원자, 니트로기, 탄소 원자수 1 내지 4의 알킬기로 치환된 모노 또는 디치환 아미노기, 또는 치환 또는 비치환된 아미드기를 나타내고, R12는 탄소 원자수 1 내지 12의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 직쇄상 아랄킬기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 분지상의 아랄킬기를 나타내고, R9 내지 R12가 치환기를 갖는 경우, 치환기로서 할로겐 원자, 알 콕시기, 아릴옥시기, 디알킬아미노기 또는 알킬티오기를 가질 수도 있고, R9 또는 R10이 아릴기인 경우에만, 치환기로서 알킬기를 가질 수도 있다.
Figure 112008016703065-pct00004
식 중, Z는 O, S 또는 N(R15)의 2가기를 나타내고, R13 및 R14는 동일하거나 다를 수도 있고, 탄소 원자수 1 내지 12의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 7 내지 20의 직쇄상 아랄킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 7 내지 20의 분지상 아랄킬기, 또는 치환 또는 비치환된 환수 1 내지 4의 아릴기를 나타내고, R16은 수소 원자, 탄소 원자수 1 내지 12의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 7 내지 20의 직쇄상 아랄킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 7 내지 20의 분지상 아랄킬기, 탄소 원자수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 아실기, 탄소 원자수 2 내지 5의 알콕시카르보닐기, 할로겐 원자, 니트로기, 탄소 원자수 1 내지 4의 알킬기로 치환된 모노 또는 디치환 아미노기, 또는 치환 또는 비치환된 아미드기를 나타내고, R15는 탄소 원자수 1 내지 12의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 직쇄상 아랄킬기, 또는 치환 또는 비치환 된 탄소 원자수 1 내지 12의 분지상의 아랄킬기를 나타내고, R13 내지 R16이 치환기를 갖는 경우, 치환기로서 할로겐 원자, 알콕시기, 아릴옥시기, 디알킬아미노기 또는 알킬티오기를 가질 수도 있고, R13 또 R14가 아릴기인 경우에만, 치환기로서 알킬기를 가질 수도 있다.
3. 상기 분자 내에 아릴아미노기를 갖는 전하 수송제가 하기 화학식 5로 표시되는 스티릴 화합물을 포함하는, 상기 1에 기재된 전자사진용 감광체.
Figure 112008016703065-pct00005
식 중, R17 및 R18은 동일하거나 상이할 수도 있고, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트릴기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 복소환기를 나타내고, 치환기로서 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 수산기, 페닐기를 가질 수도 있고, 또한 치환될 수도 있고, R19는 수소, 할로겐 원자, 알킬기, 알콕시기 또는 모노 또는 디알킬아미노기를 나타내고, R20은, 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자 또는 모노 또는 디치환 아미노기를 나타내고, t는 1 또는 2의 정수이고, t=2인 경우, 쌍방의 기는 동일하거나 상이할 수도 있고, 또한 쌍방의 기는 서로 결합하여 테트라메틸렌환 또는 트리메틸렌환을 형성할 수도 있고, R21은 치환 또는 비치환된 페닐기를 나타내고, 치환기로서 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 수산기, 치환 또는 비치환된 페닐기를 가질 수도 있고, 또한 치환될 수도 있다.
4. 상기 분자 내에 아릴아미노기를 갖는 전하 수송제가 하기 화학식 6으로 표시되는 벤지딘 화합물을 포함하는, 상기 1에 기재된 전자사진용 감광체.
Figure 112008016703065-pct00006
식 중, R22는, 수소 원자, 알킬기, 알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타내고, R23, R24, R25 및 R26은 동일하거나 상이할 수도 있고, 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자 또는 모노 또는 디치환 아미노기를 나타내고, u는 1 또는 2의 정수이고, u=2인 경우, 동일한 페닐기로 치환되는 2개의 기는 동일하거나 상이할 수 있고, v는 1 또는 2의 정수이고, v=2인 경우, 동일한 페닐기로 치환되는 2개의 기는 동일하거나 상이할 수 있다.
5. 상기 분자 내에 아릴아미노기를 갖는 전하 수송제가 하기 화학식 7로 표시되는 p-터페닐 화합물을 포함하는, 상기 1에 기재된 전자사진용 감광체.
Figure 112008016703065-pct00007
식 중, R27 및 R28은 동일하거나 상이할 수도 있고, 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자 또는 모노 또는 디치환 아미노기를 나타내고, w는 1 또는 2의 정수이고, w=2인 경우, 동일한 페닐기로 치환되는 2개의 치환기는 동일하거나 상이할 수 있고, Ar1 및 Ar2는 동일하거나 상이할 수도 있고, 2가의 방향족 탄화수소기를 나타내고, R29 및 R30은 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 할로겐 원자, 디치환 아미노기를 나타낸다.
6. 상기 분자 내에 아릴아미노기를 갖는 전하 수송제에 대한, 화학식 1로 표시되는 지르코늄 화합물의 함유량이 0.01 내지 0.50 질량％인 상기 1 내지 5 중 어느 하나에 기재된 전자사진용 감광체.
<발명의 효과>
본 발명에 따르면 아릴아미노기를 갖는 전하 수송제와, 지르코늄 화합물을 조합함으로써, 대전 전위 및 잔류 전위의 변화가 작고, 또한 첨가물의 첨가량이 적어지기 때문에, 전자사진의 기본 성능을 손상시키지 않고, 반복 안정성이 우수한 전자사진용 감광체를 제공할 수 있다.
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
감광층의 형태로서는 다양한 것이 존재하고, 본 발명의 전자사진용 감광체의 감광층으로서는 어느 것이어도 된다. 대표예로서 도 1 내지 도 7에 이들의 감광체를 나타내었다.
도 1 및 도 2는, 도전성 지지체 (1) 상에 전하 발생 물질을 주성분으로서 함유하는 전하 발생층 (2)와 전하 수송 물질 및 결착 수지를 주성분으로서 함유하는 전하 수송층 (3)의 적층체으로 이루어지는 감광층 (4)를 설치한 것이다. 이 때, 도 3, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 감광층 (4)는 도전성 지지체 상에 설치한 전하를 조정하기 위한 언더코트층 (5)를 개재하여 설치할 수도 있고, 최외층으로서 보호층 (8)을 설치할 수도 있다. 또한 본 발명에 있어서는, 도 6 및 도 7에 나타낸 바와 같이 전하 발생 물질 (7)을 전하 수송 물질과 결착 수지를 주성분으로 하는 층 (6) 내에 용해 또는 분산시켜 이루어지는 감광층 (4)를 도전성 지지체 (1) 상에 직접, 또는 언더코트층 (5)를 개재하여 설치할 수도 있다.
본 발명의 감광체는 다음과 같이 하여 통상법에 따라서 제조할 수 있다. 예를 들면, 상술한 화학식 1로 표시되는 지르코늄 화합물과 화학식 2 내지 7로 표시되는 특정한 아민 화합물의 1종 이상을 결착 수지와 함께 적당한 용제 내에 용해시키고, 필요에 따라서 전하 발생 물질, 전자 흡인성 화합물 또는 가소제, 안료 등을 첨가하여 도포액을 제조한다. 이 도포액을 도전성 지지체 상에 도포, 건조시켜서 수 ㎛ 내지 수십 ㎛의 감광층을 형성시킴으로써, 감광체를 제조할 수 있다. 전하 발생층과 전하 수송층의 2층으로 이루어지는 감광층의 경우에는, 화학식 1로 표시되는 지르코늄 화합물과 화학식 2 내지 7로 표시되는 특정한 아민 화합물의 1종 이 상을 결착 수지와 함께 적당한 용제에 용해시키고, 가소제, 안료 등을 첨가하여 제조된 도포액을, 전하 발생층 상에 도포하거나, 또는 도포액을 도포하여 얻어지는 전하 수송층 상에 전하 발생층을 형성시킴으로써 제조할 수 있다. 또한, 이와 같이 하여 제조되는 감광체에는 필요에 따라서, 언더코트층, 보호층을 설치할 수도 있다.
본 발명에서 이용되는 화학식 2 내지 4로 표시되는 히드라존 화합물은, 과거에 보고되어 있는 제조 방법, 합성예를 이용하여 얻을 수 있다(예를 들면, 특허 문헌 3 참조). 또한, 본 발명에서 이용되는 화학식 5로 표시되는 스티릴 화합물도, 과거에 보고되어 있는 제조 방법, 합성예를 이용하여 얻을 수 있다(예를 들면, 특허 문헌 4 참조). 그리고, 본 발명에서 이용되는 화학식 6으로 표시되는 벤지딘 화합물은, 과거에 보고되어 있는 제조 방법, 합성예를 이용하여 얻을 수 있고(예를 들면, 특허 문헌 5 참조), 또한, 본 발명에서 이용되는 화학식 7로 표시되는 p-터페닐 화합물은, 과거에 보고되어 있는 제조 방법, 합성예를 이용하여 얻을 수 있다(예를 들면, 특허 문헌 5 참조).
특허 문헌 3: 일본 특허 공개 (평)9-202762호 공보
특허 문헌 4: 일본 특허 공개 (평)8-211636호 공보
특허 문헌 5: 일본 특허 공개 (평)7-126225호 공보
본 발명에서 이용되는 지르코늄 화합물의 일반적 제조 방법은, 물 및/또는 유기 용매를 이용하고 금속 부여제를 이용하여 반응시키고 생성물을 여과 분리하고 세정함으로써 얻을 수 있다. 또한, 제조 방법도 이미 개시, 보고되어 있다(예를 들면, 특허 문헌 6 참조). 지르코늄 화합물의 제조에 사용할 수 있는 금속 부여제는, 4가의 양이온체의 경우에는 ZrCl4, ZrF4, ZrBr4, ZrI4 등의 할로겐화 지르코늄 화합물, Zr(OR)4(R은 알킬기, 알케닐기 등을 나타냄) 등의 유기산 지르코늄 화합물 또는 Zr(SO4)2 등의 무기산 지르코늄 화합물 등을 들 수 있다. 옥소 착체의 2가의 양이온체의 경우에는 ZrOCl2, ZrO(NO3)2, ZrO(ClO4)2, H2ZrO(SO4)2, ZrO(SO4)Na2SO4, ZrO(HPO4)2 등의 무기산 지르코늄 화합물, ZrO(CO3), (NH4)2ZrO(CO3)2, ZrO(C2H3O2)2, (NH4)2ZrO(C2H3O2)3, ZrO(C18H35O2)2 등의 유기산 지르코늄 화합물 등을 들 수 있다.
특허 문헌 6: 국제공개번호 WO99/012941호 공보
이와 같이 하여 얻어지는 본 발명에서 이용되는 화학식 1로 표시되는 지르코늄 화합물을 이하에 나타내지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112008016703065-pct00008
Figure 112008016703065-pct00009
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Figure 112008016703065-pct00011
본 발명의 감광체에 있어서, 지르코늄 화합물의 비율은 분자 내에 아릴아미노기를 갖는 전하 수송제에 대하여 0.01 내지 0.50 질량％이다. 바람직한 사용량으로서는 지르코늄 화합물의 비율은 전하 수송제에 대하여 0.05 내지 0.20 질량％인 경우이다.
본 발명의 감광층이 형성되는 도전성 지지체로서, 주지의 전자사진용 감광체로 사용되고 있는 재료를 사용할 수 있다. 알루미늄, 알루미늄 합금, 스테인레스, 구리, 아연, 바나듐, 몰리브덴, 크롬, 티탄, 니켈, 인듐, 금이나 백금 등의 금속 드럼, 시트 또는 이들 금속의 라미네이트물, 증착물, 또는 금속 분말, 카본 블랙, 요오드화 구리, 고분자 전해질 등의 도전성 물질을 적당한 결합제와 함께 도포하여 도전 처리한 플라스틱 필름, 플라스틱 드럼, 종이, 종이관, 또는 도전성 물질을 함유시킴으로써 도전성을 부여한 플라스틱 필름이나 플라스틱 드럼 등을 사용할 수 있다.
또한, 필요에 따라서 도전성 지지체와 감광층의 사이에 수지 또는 수지와 안료를 포함하는 언더코트층을 설치할 수도 있다. 언더코트층에 분산되는 안료는, 일반적으로 이용되는 분체일 수도 있지만, 근적외에 흡수가 거의 없는 백색, 또는 이것에 가까운 것이 고감도화를 고려한 경우에 바람직하다. 이와 같은 안료로서는, 예를 들면 산화티탄, 산화아연, 산화주석, 산화인듐, 산화지르코늄, 알루미나, 실리카로 대표되는 금속 산화물 등을 들 수 있고, 흡습성이 없고 환경 변동이 적은 것이 바람직하다.
또한, 언더코트층으로 이용되는 수지로서는, 그 위에 감광층을 용제로 도포하는 것을 고려하면, 일반적인 유기 용제에 대하여 내용제성이 높은 수지가 바람직하다. 이러한 수지로서는 폴리비닐알코올, 카세인, 폴리아크릴산 나트륨 등의 수용성 수지, 공중합 나일론, 메톡시메틸화 나일론 등의 알코올 가용성 수지, 폴리우레탄, 멜라민 수지, 에폭시 수지 등의 삼차원 망상 구조를 형성하는 경화형 수지 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서의 전하 발생층은, 전하 발생제, 결착 수지, 및 필요에 따라서 첨가되는 첨가제 등으로 이루어지고, 그 제조 방법으로서는, 예를 들면 도공법, 증착법, CVD법 등을 들 수 있다.
전하 발생제로서는, 각종 결정형의 티타닐프탈로시아닌옥사이드, Cu-Kα의 X선 회절 스펙트럼에서의 회절각 2θ±0.2°가 9.3, 10.6, 13.2, 15.1, 20.8, 23.3, 26.3에 강한 피크를 갖는 티타닐프탈로시아닌옥사이드, 회절각 2θ±0.2°가 7.5, 10.3, 12.6, 22.5, 24.3, 25.4, 28.6에 강한 피크를 갖는 티타닐프탈로시아닌옥사이드, 회절각 2θ±0.2°가 9.6, 24.1, 27.2에 강한 피크를 갖는 티타닐프탈로시아닌옥사이드, τ형, X형 등의 각종 결정형의 메탈프리프탈로시아닌, 구리프탈로시아닌, 알루미늄프탈로시아닌, 아연프탈로시아닌, α형, β형, Y 형 옥소티타닐프탈로시아닌, 코발트프탈로시아닌, 히드록시갈륨프탈로시아닌, 클로로알루미늄프탈로시아닌, 클로로인듐프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌계 안료, 트리페닐아민 골격을 갖는 아조 안료(예를 들면, 특허 문헌 7 참조), 카르바졸 골격을 갖는 아조 안료(예를 들면, 특허 문헌 8 참조), 플루오렌 골격을 갖는 아조 안료(예를 들면, 특허 문헌 9 참조), 옥사디아졸 골격을 갖는 아조 안료(예를 들면, 특허 문헌 10 참조), 비스스틸벤 골격을 갖는 아조 안료(예를 들면, 특허 문헌 11 참조), 디벤조티오펜 골격을 갖는 아조 안료(예를 들면, 특허 문헌 12 참조), 디스티릴벤젠 골격을 갖는 아조 안료(예를 들면, 특허 문헌 13 참조), 디스티릴카르바졸 골격을 갖는 아조 안료(예를 들면, 특허 문헌 14 참조), 디스티릴옥사디아졸 골격을 갖는 아조 안료(예를 들면, 특허 문헌 15 참조), 스틸벤 골격을 갖는 아조 안료(예를 들면, 특허 문헌 16 참조), 카르바졸 골격을 갖는 트리스아조 안료(예를 들면, 특허 문헌 17 내지 18 참조), 안트라퀴논 골격을 갖는 아조 안료(예를 들면, 특허 문헌 19 참조), 디페닐폴리엔 골격을 갖는 비스아조 안료(예를 들면, 특허 문헌 20 내지 24 참조) 등의 아조계 안료, 페릴렌산 무수물, 페릴렌산 이미드 등의 페릴렌 안료, 안트라퀴논 유도체, 안트안트론 유도체, 디벤즈피렌퀴논 유도체, 피란트론 유도체, 비오란트론 유도체 및 이소비오란트론 유도체 등의 다환 퀴논 안료, 디페닐 메탄 및 트리페닐 메탄계 안료, 시아닌 및 아조메틴계 안료, 인디고이드계 안료, 비스벤즈이미다졸계 안료, 아즐레늄염, 피릴륨염, 티아피릴륨염, 벤조피릴륨염, 스퀘어릴륨염 등이 있다. 이들은 단독으로, 또는 필요에 따라서 2종 이상 혼합하여 이용할 수도 있다.
특허 문헌 7: 일본 특허 공개 (소)53-132347호 공보
특허 문헌 8: 일본 특허 공개 (소)53-095033호 공보
특허 문헌 9: 일본 특허 공개 (소)54-022834호 공보
특허 문헌 10: 일본 특허 공개 (소)54-012742호 공보
특허 문헌 11: 일본 특허 공개 (소)54-017733호 공보
특허 문헌 12: 일본 특허 공개 (소)54-021728호 공보
특허 문헌 13: 일본 특허 공개 (소)53-133445호 공보
특허 문헌 14: 일본 특허 공개 (소)54-017734호 공보
특허 문헌 15: 일본 특허 공개 (소)54-002129호 공보
특허 문헌 16: 일본 특허 공개 (소)53-138229호 공보
특허 문헌 17: 일본 특허 공개 (소)57-195767호 공보
특허 문헌 18: 일본 특허 공개 (소)57-195768호 공보
특허 문헌 19: 일본 특허 공개 (소)57-202545호 공보
특허 문헌 20: 일본 특허 공개 (소)59-129857호 공보
특허 문헌 21: 일본 특허 공개 (소)62-267363호 공보
특허 문헌 22: 일본 특허 공개 (소)64-079753호 공보
특허 문헌 23: 일본 특허 공고 (평)3-034503호 공보
특허 문헌 24: 일본 특허 공고 (평)4-052459호 공보
전하 발생층의 결착 수지로서 이용되는 것은, 특별히 한정되지는 않고, 예를 들면 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리에틸렌, 폴리스티렌, 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리비닐부티랄, 폴리비닐아세탈, 폴리비닐포르말, 폴리비닐알코올, 폴리아크릴로니트릴, 폴리아크릴아미드, 스티렌-아크릴 공중합체, 스티렌-무수 말레산 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 실리콘 수지, 페녹시 수지 등이 있다. 이들은 단독으로, 또는 필요에 따라서 2종 이상 혼합하여 이용할 수도 있다.
필요에 따라서 이용되는 첨가제로서는, 예를 들면 산화 방지제, 자외선 흡수제, 광안정제, 분산제, 점착제, 증감제 등을 들 수 있다. 이상과 같은 재료를 이용하여 제조된 전하 발생층의 막두께는, 0.1 내지 2.0 ㎛이고, 바람직하게는 0.1 내지 1.0 ㎛이다. 본 발명에 있어서의 전하 수송층은, 전하 수송제와 결착 수지 및 필요에 따라서 전자 수용 물질과 첨가제를 용제에 용해시키고, 그것을 전하 발생층 상 또는 도전성 지지체 상, 언더코트층 상에 도공한 후, 건조시켜 형성할 수 있다.
전하 수송층의 결착 수지로서 이용되는 것은, 스티렌, 아세트산 비닐, 염화비닐, 아크릴산 에스테르, 메타크릴산 에스테르, 부타디엔 등의 비닐 화합물의 중합체 및 공중합체, 폴리비닐아세탈, 폴리카보네이트(예를 들면, 특허 문헌 25 내지 28 참조), 폴리에스테르, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리우레탄셀룰로오스에스테르, 페녹시 수지, 실리콘 수지, 에폭시 수지 등, 전하 수송제 및 첨가제와 상용성이 있는 각종 수지를 들 수 있다. 이들은 단독으로, 또는 필요에 따라서 2종 이상 혼합하여 이용할 수도 있다. 또한, 결착 수지의 사용량은, 통상 전하 수송제에 대하여 0.4 내지 10 질량배, 바람직하게는 0.5 내지 5 질량배의 범위이다. 특히 유효한 수지의 구체예로서는「유피론 Z」(미츠비시 엔지니어링 플라스틱 가부시끼가이샤 제조), 「비스페놀 A-비페놀코폴리카보네이트」(이데미쓰 코산 가부시끼가이샤 제조) 등의 폴리카보네이트계 수지를 들 수 있다.
특허 문헌 25: 일본 특허 공개 (소)60-172044호 공보
특허 문헌 26: 일본 특허 공개 (소)62-247374호 공보
특허 문헌 27: 일본 특허 공개 (소)63-148263호 공보
특허 문헌 28: 일본 특허 공개 (평)2-254459호 공보
전하 수송층의 용제로서 이용되는 것은, 전하 수송제, 결착 수지, 전자 수용물질 및 첨가제를 용해시키는 것이면, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 테트라히드로푸란, 1,4-디옥산, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 아세토니트릴, N,N-디메틸포름아미드, 아세트산 에틸 등의 극성 유기 용제, 톨루엔, 크실렌, 클로로벤젠 등의 방향족 유기 용제, 클로로포름, 트리클로로에틸렌, 디클로로메탄, 1,2-디클로로에탄, 사염화탄소 등의 염소계 탄화수소 용제 등을 사용할 수 있다. 이들은 단독으로, 또는 필요에 따라서 2종 이상 혼합하여 이용할 수도 있다.
또한, 본 발명의 감광층에는 감도의 향상이나 잔류 전위의 감소, 또는 반복 사용 시의 피로 감소를 목적으로 하여 전자 수용 물질을 함유시킬 수 있다. 이러한 전자 수용성 물질로서는 예를 들면, 무수 숙신산, 무수 말레산, 디브롬 무수 숙신산, 무수 프탈산, 테트라클로로 무수 프탈산, 테트라브롬 무수 프탈산, 3-니트로 무수 프탈산, 4-니트로 무수 프탈산, 무수 피로멜리트산, 무수 멜리트산, 테트라시아노에틸렌, 테트라시아노퀴노디메탄, o-디니트로벤젠, m-디니트로벤젠, 1,3,5-트리니트로벤젠, p-니트로벤조니트릴, 피크릴클로라이드, 퀴논클로로이미드, 클로라닐, 브로마닐, 디클로로디시아노-p-벤조퀴논, 안트라퀴논, 디니트로안트라퀴논, 2,3-디클로로-1,4-나프토퀴논, 1-니트로안트라퀴논, 2-클로로안트라퀴논, 페난트렌퀴논, 테레프탈랄말레노니트릴, 9-안트릴메틸리덴말레노니트릴, 9-플루오레닐리덴말론노니트릴, 폴리니트로-9-플루오레닐리덴말론노니트릴, 4-니트로벤즈알데히드, 9-벤조일안트라센, 인단디온, 3,5-디니트로벤조페논, 4-클로로나프탈산 무수물, 3-벤잘프탈리드, 3-(α-시아노-p-니트로벤잘)-4,5,6,7-테트라클로로프탈리드, 피크르산, o-니트로벤조산, p-니트로벤조산, 3,5-디니트로벤조산, 펜타플루오로벤조산, 5-니트로살리실산, 3,5-디니트로살리실산, 프탈산, 멜리트산, 그 밖의 전자 친화력이 큰 화합물을 들 수 있다.
감광체의 표면에는, 필요에 따라서 표면 보호층을 설치할 수도 있다. 이용되는 재료로서는, 폴리에스테르, 폴리아미드 등의 수지, 또한 이들 수지에 전기 저항을 조절할 수 있는 금속, 금속 산화물 등을 혼합하여 이용할 수도 있다. 이 표면 보호층은 전하 발생제의 광흡수의 파장 영역에서 가능한 한 투명한 것이 바람직하다.
도 1은 기능 분리형 전자사진용 감광체의 층 구성을 도시하는 모식단면도이 다.
도 2는 기능 분리형 전자사진용 감광체의 층 구성을 도시하는 모식단면도이다.
도 3은 전하 발생층과 도전성 지지체의 사이에 언더코트층을 설치한 기능 분리형 전자사진용 감광체의 층 구성을 도시하는 모식단면도이다.
도 4는 전하 수송층과 도전성 지지체의 사이에 언더코트층을 설치하고, 또한 전하 발생층 상에 보호층을 설치한 기능 분리형 전자사진용 감광체의 층 구성을 도시하는 모식단면도이다.
도 5는 전하 발생층과 도전성 지지체의 사이에 언더코트층을 설치하고, 또한 전하 수송층 상에 보호층을 설치한 기능 분리형 전자사진용 감광체의 층 구성을 도시하는 모식단면도이다.
도 6은 단층형 전자사진용 감광체의 층 구성을 도시하는 모식단면도이다.
도 7은 감광층과 도전성 지지체의 사이에 언더코트층을 설치한 단층형 전자사진용 감광체의 층 구성을 도시하는 모식단면도이다.
<부호의 설명>
1 : 도전성 지지체
2 : 전하 발생층
3 : 전하 수송층
4 : 감광층
5 : 언더코트층
6 : 전하 수송 물질 함유층
7 : 전하 발생 물질
8 : 보호층
이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 실시예 중의 부는 질량부를 나타내고, 농도는 질량％을 나타낸다.
실시예 1
알코올 가용성 폴리아미드(아밀란 CM-4000, 도레이 가부시끼가이샤 제조) 1부를 메탄올 13부에 용해시켰다. 이것에 산화티탄(타이펙 CR-EL, 이시하라 산교 가부시끼가이샤 제조) 5부를 가하고, 페인트 쉐이커로 8 시간 분산시켜서, 언더코트층용 도포액을 제조한 후, 알루미늄 증착 PET 필름의 알루미늄면 상에 와이어바를 이용하여 도포 건조시켜서, 두께 1 ㎛의 언더코트층을 형성하였다.
다음으로 Cu-Kα의 X선 회절 스펙트럼에서의 회절각 2θ±0.2°가 7.5, 10.3, 12.6, 22.5, 24.3, 25.4, 28.6에 강한 피크를 갖는 하기 티타닐프탈로시아닌옥사이드(전하 발생제 No.1)
Figure 112008016703065-pct00012
1.5부를 폴리비닐부티랄 수지(에스레크 BL-S, 세키스이 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조)의 3％ 시클로헥사논 용액 50부에 가하고, 초음파 분산기로 1 시간 분산시켰다. 얻어진 분산액을 상기한 언더코트층 상에 와이어바를 이용하여 도포한 후, 상압하 110 ℃에서 1 시간 건조시켜서 막두께 0.6 ㎛의 전하 발생층을 형성하였다.
한편, 지르코늄 화합물(Zr 화합물 No.1) 0.1부 및 전하 수송제로서 하기 벤지딘 화합물(전하 수송제 No.1)
Figure 112008016703065-pct00013
100부를 폴리카보네이트 수지(유피론 Z, 미츠비시 엔지니어링 플라스틱 가부시끼가 이샤 제조)의 13.0％ 테트라히드로푸란 용액 962부에 가하고 초음파를 걸어 첨가제와 전하 수송제를 완전히 용해시켰다. 이 용액을 상기한 전하 발생층 상에 와이어바로 도포하고, 상압하 110 ℃에서 30분간 건조시켜서 막두께 20 ㎛의 전하 수송층을 형성하여 감광체를 제조하였다.
[비교예 1]
실시예 1에 있어서 Zr 화합물 No.1을 제외한 것 외에는 실시예 1과 동일하게 하여 비교용 감광체를 제조하였다.
실시예 2
실시예 1에 있어서 전하 발생제 No.1을 이용하는 대신에 Cu-Kα의 X선 회절 스펙트럼에서의 회절각 2θ±0.2°가 9.6, 24.1, 27.2에 강한 피크를 갖는 티타닐프탈로시아닌옥사이드(전하 발생제 No.2)를, 전하 수송제 No.1을 이용하는 대신에 하기 p-터페닐 화합물(전하 수송제 No.2)
Figure 112008016703065-pct00014
를 이용하는 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 감광체를 제조하였다.
[비교예 2]
실시예 2에 있어서 Zr 화합물 No.1을 제외한 것 외에는 실시예 2와 동일하게 하여 비교용 감광체를 제조하였다.
실시예 3
알코올 가용성 폴리아미드(아밀란 CM-8000, 도레이 가부시끼가이샤 제조) 10부를 메탄올 190부에 용해시킨 후, 알루미늄 증착 PET 필름의 알루미늄면 상에 와이어바를 이용하여 도포 건조시켜서, 두께 1 ㎛의 언더코트층을 형성하였다.
다음으로 전하 발생제로서 하기 τ형 메탈프리프탈로시아닌(전하 발생제 No.3)
Figure 112008016703065-pct00015
1.5부를 폴리비닐부티랄 수지(에스레크 BL-S, 세키스이 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조)의 3％ 시클로헥사논 용액 50부에 가하고, 초음파 분산기로 1 시간 분산시켰다. 얻어진 분산액을 상기한 언더코트층 상에 와이어바를 이용하여 도포후, 상압하 110 ℃에서 1 시간 건조시켜서 막두께 0.6 ㎛의 전하 발생층을 형성하였다.
한편, 첨가제로서 0.1 부의 Zr 화합물 No.1 및 전하 수송제로서 하기 히드라존 화합물(전하 수송제 No.3)
Figure 112008016703065-pct00016
100부를 폴리카보네이트 수지(유피론 Z, 미츠비시 엔지니어링 플라스틱 가부시끼가이샤 제조)의 13.0％ 테트라히드로푸란 용액 962부에 가하고 초음파를 걸어 첨가제와 전하 수송제를 완전히 용해시켰다. 이 용액을 상기한 전하 발생층 상에 와이어바로 도포하고, 상압하 110 ℃에서 30분간 건조시켜서 막두께 20 ㎛의 전하 수송층을 형성하여 감광체를 제조하였다.
[비교예 3]
실시예 3에 있어서 Zr 화합물 No.1을 제외한 것 외에는 실시예 3과 동일하게 하여 비교용 감광체를 제조하였다.
실시예 4
실시예 2에 있어서 전하 수송제 No.2를 이용하는 대신에 하기 스티릴 화합물(전하 수송제 No.4)
Figure 112008016703065-pct00017
과 하기 스티릴 화합물(전하 수송제 No.5)
Figure 112008016703065-pct00018
의 1:1 질량비의 혼합물을 이용하는 것 이외에는 실시예 2와 동일하게 하여 감광체를 제조하였다.
[비교예 4]
실시예 4에 있어서 Zr 화합물 No.1을 제외한 것 외에는 실시예 4와 동일하게 하여 비교용 감광체를 제조하였다.
실시예 5
전하 발생제로서 하기 비스아조 안료(전하 발생제 No.4)
Figure 112008016703065-pct00019
1.0부 및 폴리비닐부티랄 수지(에스레크 BL-S, 세키스이 가가꾸 고교 가부시끼가이 샤 제조)의 5％ 시클로헥사논 용액 8.6부를 시클로헥사논 83부에 가하고, 볼밀로써 분쇄 분산 처리를 48 시간 행하였다. 얻어진 분산액을 도전성 지지체인 알루미늄 증착 PET 필름의 알루미늄면 상에 와이어바를 이용하여 도포 건조시켜서 두께 0.8 ㎛의 전하 발생층을 형성하였다.
한편, 0.1 부의 Zr 화합물 No.1 및 전하 수송제로서 하기 스티릴 화합물(전하 수송제 No.6)
Figure 112008016703065-pct00020
와 하기 스티릴 화합물(전하 수송제 No.7)
Figure 112008016703065-pct00021
의 9:1 질량비의 혼합물 100부를 폴리카보네이트 수지(유피론 Z, 미츠비시 엔지니어링 플라스틱 가부시끼가이샤 제조)의 13.0％ 테트라히드로푸란 용액 962부에 가하고 초음파를 걸어 첨가제와 p-터페닐 화합물을 완전히 용해시켰다. 이 용액을 상기한 전하 발생층 상에 와이어바로 도포하고, 상압하 110 ℃에서 30분간 건조시켜서 막두께 20 ㎛의 전하 수송층을 형성하여 감광체를 제조하였다.
[비교예 5]
실시예 5에 있어서 Zr 화합물 No.1을 제외한 것 외에는 실시예 5와 동일하게 하여 비교용 감광체를 제조하였다.
실시예 6
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4에서 제조된 감광체를 감광 드럼 특성 측정 장치(상품명「ELYSIA-II」트렉 재팬 가부시끼가이샤 제조)를 이용하여 전자사진 특성 평가를 행하였다. 우선, 감광체를 암소에서 -5.7 kV의 코로나 방전을 행하고, 계속해서 70 lux의 이레이즈 램프를 점등했을 때의 대전 전위 V0을 측정하였다. 이어서 이미지 노광 780 ㎚-30 ㎼의 단색광으로 노광하고, 잔류 전위 Vr을 구하였다. 다음으로, 상술한 대전으로부터 노광을 10OO 회 반복한 후의 대전 전위 V0과 잔류 전위 Vr을 각각 측정하였다. 결과를 표 2에 나타내었다.
Figure 112008016703065-pct00022
실시예 7
실시예 5 및 비교예 5에서 제조된 감광체를 감광 드럼 특성 측정 장치(상품명「ELYSIA-II」트렉 재팬 가부시끼가이샤 제조)를 이용하여 전자사진 특성 평가를 행하였다. 우선, 감광체를 암소에서 -5.0 kV의 코로나 방전을 행하고, 계속해서 70 lux의 이레이즈 램프를 점등했을 때의 대전 전위 V0을 측정하였다. 이어서이미지 노광 40 lux의 백색광으로 노광하고, 잔류 전위 Vr을 구하였다. 상술한 대전으로부터 노광을 10OO 회 반복한 후의 대전 전위 V0와 잔류 전위 Vr을 각각 측정하였다. 결과를 표 3에 나타내었다.
Figure 112008016703065-pct00023
이상과 같이, 본 발명의 분자 내에 아릴아미노기를 갖는 전하 수송제와, 지르코늄 화합물을 조합함으로써, 대전 전위 및 잔류 전위의 변화가 작고, 내구성이 우수한 전자사진용 감광체를 제공할 수 있다.
본 발명을 상세하게 또한 특정한 실시 양태를 참조하여 설명했지만, 본 발명의 정신과 범위를 일탈하지 않고 다양한 변경이나 수정을 가할 수 있는 것은 당업자에 있어서 분명하다.
본 출원은, 2005년 9월 8일 출원된 일본 특허 출원(특원2005-260220)에 기초하는 것으로, 그 내용은 여기에 참조로서 받아들인다.
본 발명의 전자사진 감광체는, 초기에도 잔류 전위가 낮고, 전자사진 특성의 변화가 작고, 고내구성을 실현할 수 있는 전자사진용 감광체로서 유용하다.

Claims (6)

  1. 도전성 지지체 상에 하기 화학식 1로 표시되는 지르코늄 화합물과, 분자 내에 아릴아미노기를 갖는 전하 수송제 1종 이상을 함유하는 감광층을 갖는 전자사진용 감광체.
    <화학식 1>
    Figure 112013045418358-pct00039
    식 중, R3은 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 치환 또는 비치환된 아랄킬옥시기, 할로겐 원자, 수소 원자, 수산기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 카르복실기, 니트로기, 니트로소기, 또는 시아노기를 나타내고, R4는 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, m은 1 내지 20의 정수, n은 0 내지 20의 정수, p는 0 내지 4의 정수, r는 1 내지 20의 정수, s는 0 내지 20의 정수이며, 여기서 p가 2 내지 4의 정수인 때에, 2개 내지 4개의 R3은 각각이 동일하거나 상이할 수 있다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 분자 내에 아릴아미노기를 갖는 전하 수송제가 하기 화학식 2, 화학식 3 또는 화학식 4로 표시되는 히드라존 화합물을 포함하는 전자사진용 감광체.
    <화학식 2>
    Figure 112011068302634-pct00025
    식 중, R5 및 R6은 동일하거나 상이할 수도 있고, 탄소 원자수 1 내지 12의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 7 내지 20의 직쇄상 아랄킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 7 내지 20의 분지상 아랄킬기, 또는 치환 또는 비치환된 환수 1 내지 4의 아릴기를 나타내고, R7 및 R8은 동일하거나 상이할 수도 있고, 수소 원자, 탄소 원자수 1 내지 12의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 7 내지 20의 직쇄상 아랄킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 7 내지 20의 분지상 아랄킬기, 탄소 원자수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 아실기, 탄소 원자수 2 내지 5의 알콕시카르보닐기, 할로겐 원자, 니트로기, 탄소 원자수 1 내지 4의 알킬기로 치환된 모노 또는 디치환 아미노기, 또는 치환 또는 비치환된 아미드기를 나타내고, R5 내지 R8이 치환기를 갖는 경우, 치환기로서 할로겐 원자, 알콕시기, 아릴옥시기, 디알킬아미노기 또는 알킬티오기를 가질 수도 있고, R5 또는 R6이 아릴기인 경우에만, 치환기로서 알킬기를 가질 수도 있다.
    <화학식 3>
    Figure 112011068302634-pct00026
    식 중, R9 및 R10은 동일하거나 상이할 수도 있고, 탄소 원자수 1 내지 12의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 7 내지 20의 직쇄상 아랄킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 7 내지 20의 분지상 아랄킬기, 또는 치환 또는 비치환된 환수 1 내지 4의 아릴기를 나타내고, R11은 수소 원자, 탄소 원자수 1 내지 12의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 7 내지 20의 직쇄상 아랄킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 7 내지 20의 분지상 아랄킬기, 탄소 원자수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 아실기, 탄소 원자수 2 내지 5의 알콕시카르보닐기, 할로겐 원자, 니트로기, 탄소 원자수 1 내지 4의 알킬기로 치환된 모노 또는 디치환 아미노기, 또는 치환 또는 비치환된 아미드기를 나타내고, R12는 탄소 원자수 1 내지 12의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 직쇄상 아랄킬기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 분지상의 아랄킬기를 나타내고, R9 내지 R12가 치환기를 갖는 경우, 치환기로서 할로겐 원자, 알콕시기, 아릴옥시기, 디알킬아미노기 또는 알킬티오기를 가질 수도 있고, R9 또는 R10이 아릴기인 경우에만, 치환기로서 알킬기를 가질 수도 있다.
    <화학식 4>
    Figure 112011068302634-pct00027
    식 중, Z는 O, S 또는 N(R15)의 2가기를 나타내고, R13 및 R14는 동일하거나 상이할 수도 있고, 탄소 원자수 1 내지 12의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 7 내지 20의 직쇄상 아랄킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 7 내지 20의 분지상 아랄킬기, 또는 치환 또는 비치환된 환수 1 내지 4의 아릴기를 나타내고, R16은 수소 원자, 탄소 원자수 1 내지 12의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 7 내지 20의 직쇄상 아랄킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 7 내지 20의 분지상 아랄킬기, 탄소 원자수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 아실기, 탄소 원자수 2 내지 5의 알콕시카르보닐기, 할로겐 원자, 니트로기, 탄소 원자수 1 내지 4의 알킬기로 치환된 모노 또는 디치환 아미노기, 또는 치환 또는 비치환된 아미드기를 나타내고, R15는 탄소 원자수 1 내지 12의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 직쇄상 아랄킬기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 분지상의 아랄킬기를 나타내고, R13 내지 R16이 치환기를 갖는 경우, 치환기로서 할로겐 원자, 알콕시기, 아릴옥시기, 디알킬아미노기 또는 알킬티오기를 가질 수도 있고, R13 또 R14가 아릴기인 경우에만, 치환기로서 알킬기를 가질 수도 있다.
  3. 제1항에 있어서, 상기 분자 내에 아릴아미노기를 갖는 전하 수송제가 하기 화학식 5로 표시되는 스티릴 화합물을 포함하는 전자사진용 감광체.
    <화학식 5>
    Figure 112011068302634-pct00028
    식 중, R17 및 R18은 동일하거나 상이할 수도 있고, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트릴기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 복소환기를 나타내고, 치환기로서 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 수산기, 페닐기를 가질 수도 있고, 추가로 치환될 수도 있고, R19는 수소, 할로겐 원자, 알킬기, 알콕시기 또는 모노 또는 디알킬아미노기를 나타내고, R20은, 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자 또는 모노 또는 디치환 아미노기를 나타내고, t는 1 또는 2의 정수이고, t=2인 경우, 쌍방의 기는 동일하거나 상이할 수도 있고, 또한 쌍방의 기는 서로 결합하여 테트라메틸렌환 또는 트리메틸렌환을 형성할 수도 있고, R21은 치환 또는 비치환된 페닐기를 나타내고, 치환기로서 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 수산기, 치환 또는 비치환된 페닐기를 가질 수도 있고, 추가로 치환될 수도 있다.
  4. 제1항에 있어서, 상기 분자 내에 아릴아미노기를 갖는 전하 수송제가 하기 화학식 6으로 표시되는 벤지딘 화합물을 포함하는 전자사진용 감광체.
    <화학식 6>
    Figure 112008016703065-pct00029
    식 중, R22는, 수소 원자, 알킬기, 알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타내고, R23, R24, R25 및 R26은 동일하거나 상이할 수도 있고, 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자 또는 모노 또는 디치환 아미노기를 나타내고, u는 1 또는 2의 정수이고, u=2인 경우, 동일한 페닐기로 치환되는 2개의 기는 동일하거나 상이할 수 있고, v는 1 또는 2의 정수이고, v=2인 경우, 동일한 페닐기로 치환되는 2개의 기는 동일하거나 상이할 수 있다.
  5. 제1항에 있어서, 상기 분자 내에 아릴아미노기를 갖는 전하 수송제가 하기 화학식 7로 표시되는 p-터페닐 화합물을 포함하는 전자사진용 감광체.
    <화학식 7>
    Figure 112008016703065-pct00030
    식 중, R27 및 R28은 동일하거나 상이할 수도 있고, 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자 또는 모노 또는 디치환 아미노기를 나타내고, w는 1 또는 2의 정수이고, w=2인 경우, 동일한 페닐기로 치환되는 2개의 치환기는 동일하거나 상이할 수 있고, Ar1 및 Ar2는 동일하거나 상이할 수도 있고, 2가의 방향족 탄화수소기를 나타내고, R29 및 R30은 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아랄 킬기, 할로겐 원자, 디치환 아미노기를 나타낸다.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분자 내에 아릴아미노기를 갖는 전하 수송제에 대한, 화학식 1로 표시되는 지르코늄 화합물의 함유량이 0.01 내지 0.50 질량％인 전자사진용 감광체.
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