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KR101311337B1 - 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 - Google Patents

횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 Download PDF

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KR101311337B1
KR101311337B1 KR1020060102237A KR20060102237A KR101311337B1 KR 101311337 B1 KR101311337 B1 KR 101311337B1 KR 1020060102237 A KR1020060102237 A KR 1020060102237A KR 20060102237 A KR20060102237 A KR 20060102237A KR 101311337 B1 KR101311337 B1 KR 101311337B1
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electrode
common electrode
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이민직
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로 특히, 고개구율 및 고해상도를 구현할 수 있는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 특징은, 횡전계형 어레이기판의 단일 화소마다 스토리지 캐패시터를 두 개씩 설계하는 것을 제 1 특징으로 하고, 화소 전극과 공통 전극의 수직부와 수평부가 이격된 영역에, 상기 수직부와 동일한 신호가 흐르는 수단을 더욱 구성하는 것을 제 2 특징으로 한다.
전술한 제 1 특징으로 인해 보조 용량을 동일한 수준으로 유지하면서도 스토리지 캐패시터의 면적을 최소화 할 수 있고, 상기 제 2 특징으로 인해 상기 화소 전극과 공통 전극 간 정상적인 횡전계 발생 영역을 확대할 수 있어, 이를 통해 빛샘 영역을 최소화 할 수 있으므로 개구영역을 확대할 수 있는 장점이 있다.
따라서, 고개구율에 따른 고휘도 및 고해상도를 실현할 수 있다.

Description

횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법{An array substrate for In-Plane switching mode LCD and method of fabricating of the same}
도 1은 종래의 제 1 예에 따른 횡전계 방식 액정표시장치의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 2a는 종래의 제 2 예에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 단일 화소를 개략적으로 도시한 평면도이고,
도 2b는 상기 도 2a의 절단선인 Ⅱ-Ⅱ를 따라 절단한 단면도이고,
도 3은 도 1의 A를 확대한 확대 평면도이고,
도 4는 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판의 단일 화소를 개략적으로 도시한 평면도이고,
도 5는 도 4의 B와 C를 확대한 확대 평면도이고,
도 6은 도 4의 Ⅳ-Ⅳ,Ⅴ-Ⅴ를 따라 절단한 단면도이고,
도 7a 내지 도 7e는 도 4의 Ⅳ-Ⅳ,Ⅴ-Ⅴ를 따라 절단하여 본 발명의 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>
100 : 기판 102 : 게이트 배선
104 : 게이트 전극 106a,106b ,106c,106d : 보조 공통 전극
108 : 제 1 수직돌기 112 : 액티브층
116 : 소스 전극 118 : 드레인 전극
120 : 제 1 연장부 122 : 제 2 연장부
124a 124b : 제 3 연장부, 제 2 수직돌기
126 : 데이터 배선 132a, 132b : 화소 전극
134a,134b : 공통 전극
본 발명은 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device)에 관한 것으로 특히, 고 개구율 및 고휘도 특성을 가지는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용한다. 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 가지고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.
따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의해 상기 액정의 분자배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상정보를 표현할 수 있다.
현재에는 박막트랜지스터와 상기 박막트랜지스터에 연결된 화소 전극이 행렬방식으로 배열된 능동행렬 액정표시장치(AM-LCD : Active Matrix LCD 이하, 액정표시장치로 약칭함)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.
상기 액정표시장치는 공통 전극이 형성된 컬러필터 기판(상부기판)과 화소 전극이 형성된 어레이기판(하부기판)과, 상부 및 하부기판 사이에 위치한 액정으로 이루어지는데, 이러한 액정표시장치에서는 공통 전극과 화소 전극이 상-하로 걸리는 전기장에 의해 액정을 구동하는 방식으로, 투과율과 개구율 등의 특성이 우수하다.
그러나, 상-하로 걸리는 전기장에 의한 액정구동은 시야각 특성이 우수하지 못한 단점을 가지고 있다. 따라서, 상기의 단점을 극복하기 위해 새로운 기술이 제안되고 있다. 하기 기술될 액정표시장치는 횡전계에 의한 액정 구동방법으로 시야각 특성이 우수한 장점을 갖고 있다.
이하, 도 1을 참조하여 일반적인 횡전계 방식 액정표시장치에 관해 상세히 설명한다.
도 1은 종래의 제 1 예에 따른 횡전계 방식 액정표시장치의 단면을 도시한 확대 단면도이다.
도시한 바와 같이, 종래의 제 1 예에 따른 횡전계 방식 액정표시장치(B)는 컬러필터기판(B1)과 어레이기판(B2)이 대향하여 구성되며, 컬러필터기판 및 어레이 기판 (B1,B2)사이에는 액정층(LC)이 개재되어 있다.
상기 컬러필터 기판(B1)은 화소 영역(P)마다 컬러필터(44a,44b)가 구성되고, 컬러필터(44a,44b)사이의 이격된 영역에는 빛 차단수단인 블랙매트릭스(42)가 구성된다.
상기 어레이기판(B2)은 투명한 절연 기판(10)에 정의된 복수의 화소(P)마다 박막트랜지스터(T)와 공통 전극(18)과 화소 전극(32)이 구성된다.
상기 박막트랜지스터(T)는 게이트 전극(12)과, 게이트 전극(12) 상부에 절연막(20)을 사이에 두고 구성된 반도체층(22)과, 반도체층(22)의 상부에 서로 이격하여 구성된 소스 및 드레인 전극(24,26)을 포함한다.
그런데 일반적으로, 상기 공통 전극(18)은 상기 게이트 전극(12)과 동일층 동일물질로 구성되고, 상기 화소 전극(32)은 상기 소스 및 드레인 전극(24,26)과 동일층 동일물질로 구성되나, 개구율을 높이기 위해 도시한 바와 같이, 상기 화소전극(32)을 투명한 재질로 형성할 수 있다.
그러나, 상기 화소 전극(32)을 투명한 재질로 형성할 경우 일반적으로, 상기 공통 전극은 상기 게이트 배선(미도시)과 동일층 동일물질로 형성하게 되기 때문에, 상기 공통 전극과 화소 전극 사이에는 게이트 절연막(20)과 보호막(PAS)이 존재하게 된다.
이러한 경우, 상기 절연막(20,PAS)의 단차로 인한 전계왜곡으로 액정이 이상배열하게 되고, 이로 인해 빛샘(디스클리네이션)이 발생하는 문제가 있었다.
이러한 문제를 해결하고 개구영역을 더욱 확대하기 위한 방법으로, 상기 공 통 전극과 화소 전극을 모두 투명한 재질로 동일층에 형성하는 구성이 제안되었다.
이에 대해, 이하 도 2a와 도 2b를 참조하여 설명한다.
도 2a는 종래의 제 2 예에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 확대한 확대 평면도이고, 도 2b는 도 2a의 Ⅱ-Ⅱ를 따라 절단한 단면도이다.
도시한 바와 같이, 종래에 제 2 예에 따른 횡전계형 어레이기판(50)은 서로 교차 구성되어 화소 영역(P)을 정의하는 게이트 배선(52)과 데이터 배선(68)과, 상기 게이트 배선(52)과 데이터 배선(68)의 교차지점에 위치하고, 게이트 전극(54)과 액티브층(60)과 소스 전극(64)과 드레인 전극(66)으로 구성된 박막트랜지스터(T)와, 상기 화소 영역(P)에 투명한 도전성 재질로 동일층에 구성된 공통 전극(74a,74b)과 화소 전극(72a,72b)을 포함한다.
이때, 상기 공통 전극(74a,74b)과 화소 전극(72a,72b)은 모두 수평부(74a,72a)와 상기 수평부에서 막대형상으로 연장된 복수의 수직부(74b,72b)로 구성된다.
상기 화소 영역(P)에는 보조 공통전극이 구성되며 구체적으로, 화소 영역(P)의 하부와 상부에 각각 위치한 제 1 수평부(56a)와 제 2 수평부와, 상기 제 1 및 제 2 수평부(56a,56b)를 일 측과 타 측에서 연결하는 제 1 수직부(56c)로 제 2 수직부(56d)로 구성된 사각테 형상이다.
이때, 상기 보조 공통 전극의 제 1 수평부(56a)를 제 1 전극으로 하고, 상기 제 1 수평부(56a)의 상부에 위치하고 상기 드레인 전극(66)과 접촉하는 화소 전극 의 수평부(74a)를 제 2 전극으로 하는 스토리지 캐패시터(Cst)가 형성된다.
종래에는, 상기 스토리지 캐패시터(Cst)를 통한 보조용량을 더욱 확보하기 위해, 상기 제 1 및 제 2 전극(56a,72a)의 폭을 넓게 설계 하였다.
따라서, 개구영역의 잠식이 매우 커 고휘도및 고해상도를 구현하는데 어려움이 있었다.
또한, 상기 공통 전극(74a,74b)과 화소 전극(72a,72b)을 동일층 동일물질로 형성하기 때문에, 상기 두 전극의 수직부(72b,74b)와 수평부(72a,74a)는 근접하여 형성하게 되고 이때, 두 전극의 쇼트를 방지하기 위해 일정 간격의 이격영역을 확보하면서 패턴해야 한다.
그런데, 화소 전극 및 공통 전극의 수평부(72a,74a)와 수직부(72b,74b)사이에 발생하는 전계는 화소 영역(P)의 중심과는 달리 왜곡된 형태이기 때문에 액정의 이상배향을 유도하게 된다.
이에 대해, 이하 도 3을 참조하여 설명한다.
도 3은 도 2a의 A를 확대한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 공통 전극(74a,74b)과 화소 전극(72a,72b)은 각각 수평부(74a,72a)와, 상기 수평부에서 막대형상으로 연장된 복수의 수직부(74b,72b)로 구성된다.
이때, 도시한 바와 같이 화소 전극의 수직부(72b) 끝단과 상기 공통 전극의 수평부(74a)는 쇼트(shot)되지 않도록 이격된 형태로 구성된다.
이로 인해, 상기 화소 전극의 수직부(72b) 끝단과 이를 둘러싼 공통 전극의 수평부(74a)와 수직부(74b)사이에는 중심영역의 횡전계(F1)와 비교하여 다른 방향의 횡 전계(F2)가 발생하게 된다.
결과적으로, 상기 액정(LC)의 배열방향 또한 중심영역과는 다르기 때문에, 빛의 편광특성 또한 달라져 중심영역과는 다른 휘도특성을 나타내게 된다.
즉, 상기 두 전극의 수평부(미도시,74a)와 수직부(72b,74b)가 만나는 화소 영역(P)의 상부와 하부 영역은 중심영역과는 다른 휘도특성이 나타나 빛샘영역으로 작용하게 된다.
따라서, 액정패널의 표시품위를 높이기 위해 상기 빛샘영역은 차단되어야 하며 결과적으로, 개구영역 잠식을 통한 휘도저하가 발생하게 되는 문제가 있다.
그러므로, 종래의 제 2 예에 따른 횡전계형 어레이 기판은, 공통 전극(74a,74b)및 화소 전극(72a,72b)이 모두 투명한 재질이기 때문에 종래의 제 1 예에 비해 투과율이 더욱 확보될 수 있는 장점이 있음에도 불구하고, 상기와 같은 빛샘영역이 존재함과 동시에, 충분한 보조 용량을 확보하기 위해 스토리지 캐패시터(Cst)를 크게 설계하였기 때문에 개구영역이 현저히 작아져 고휘도를 구현하는데 한계가 있었다.
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 제안된 것으로, 보조 용량의 크기를 그대로 유지하면서 스토리지 캐패시터의 크기를 줄이는 동시에, 빛샘영역을 최소화 하여 개구영역을 확보할 수 있는 횡전계형 어레이 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판은 기판과; 상기 기판 상에 일 방향으로 연장된 게이트 배선과, 이와 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터 배선과; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차부에 위치하고, 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극으로 구성된 스위칭 소자와; 상기 화소 영역의 하부와 상부에 위치하는 제 1 및 제 2 수평부와, 상기 제 1 수평부에서 상기 화소 영역으로 돌출된 복수의제 1 수직 돌기를 포함하는 보조 공통 전극과; 상기 드레인 전극에서 상기 보조 공통 전극의 제 1 수평부로 연장된 제 1 연장부와, 상기 제 1 연장부에서 화소 영역으로 수직하게 연장된 제 2 연장부와, 상기 제 2 연장부에서 상기 보조 공통 전극의 제 2 수평부로 연장된 제 3 연장부와, 상기 제 3 연장부에서 상기 화소 영역으로 돌출된 복수의 제 2 수직 돌기와; 상기 보조 공통 전극의 제 2 수평부의 상부에 위치하는 수평부와, 상기 수평부에서 상기 제 1 수직 돌기로 연장된 복수의 수직부로 구성된 투명한 공통 전극과; 상기 제 1 연장부의 상부에 위치한 수평부와, 상기 수평부에서 상기 제 2 수직 돌기로 연장된 복수의 수직부로 구성된 투명한 화소 전극을 포함한다.
상기 보조 공통 전극은 상기 제 1 수평부와 제 2 수평부를 상기 화소 영역의 일 측과 타 측에서 연결하는 제 1 수직부와 제 2 수직부를 더욱 포함하고, 상기 보조 공통 전극은 상기 게이트 배선과 동일층에 구성되고, 상기 보조 공통 전극의 제 1 및 제 2 수직부가 상기 공통 전극의 수직부와 접촉하도록 구성된 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 보조 공통 전극의 제 2 수평부를 제 1 전극으로 하고, 상기 제 2 수평부의 상부에 위치한 상기 드레인 전극의 제 3 연장부를 제 2 전극으로 하고, 상기 제 3 연장부의 상부에 위치한 상기 공통 전극의 수평부를 제 3 전극으로 하는 스토리지 캐패시터가 형성된다.
상기 드레인 전극의 제 1 연장부는 상기 화소 전극의 수평부와 접촉하도록 구성된 것을 특징으로 하고 이때, 상기 보조 공통 전극의 제 1 수평부를 제 1 전극으로 하고, 상기 제 1 수평부의 상부에 위치한 상기 드레인 전극의 제 1 연장부를 제 2 전극으로 하는 스토리지 캐패시터가 형성된다.
상기 복수의 제 1 수직돌기는 상기 공통 전극의 수직부와 함께 이와 이격되어 위치한 화소 전극의 수직부와 횡전계를 유도하는 기능을 하고, 상기 복수의 제 2 수직돌기는 상기 화소 전극의 수직부와 함께 이와 이격된 공통 전극의 수직부와 횡전계를 유도하는 기능을 하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 특징에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법은 기판 상에 화소 영역을 정의하는 단계와; 상기 화소 영역 마다 일 측에 게이트 배선과, 상기 화소 영역의 하부와 상부에 각각 제 1 수평부와 제 2 수평부와, 상기 제 2 수평부에서 상기 화소 영역으로 수직 돌출된 복수의 제 1 수직 돌기를 포함하 는 공통 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 교차하는 화소 영역의 타 측에 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극으로 구성된 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 드레인 전극에서 상기 제 1 수평부의 상부로 연장된 제 1 연장부와, 상기 제 1 연장부에서 상기 화소 영역으로 연장된 제 2 연장부와, 상기 제 2 연장부에서 상기 보조 공통 전극의 제 2 수평부의 상부로 연장된 제 3 연장부를 형성하는 단계와; 상기 제 3 연장부의 상부에 위치한 수평부와, 상기 수평부에서 상기 화소 영역으로 연장된 막대 형상의 복수의 수직부로 구성된 화소 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 3 연장부의 상부에 위치한 수평부와, 상기 수평부에서 상기 화소 영역으로 연장된 막대 형상의 복수의 수직부로 구성된 공통 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.
- - 실시예 - -
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 어레이 기판의 구성을 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판의 한 화소를 확대한 확대 평면도이다.
도시한 바와 같이, 기판(100)상에 일 방향으로 연장된 게이트 배선(102)과, 상기 게이트 배선(102)과 교차하여 화소 영역(P)을 정의하는 데이터 배선(126)을 구성한다.
상기 게이트 배선(102)과 데이터 배선(126)의 교차지점에는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)를 구성한다.
상기 박막트랜지스터(T)는 상기 게이트 배선(102)과 접촉하는 게이트 전극(104)과, 게이트 전극(104)상부의 액티브층(112)과, 액티브층(112)상부에 위치하고 상기 데이터 배선(126)과 연결되는 소스 전극(116)과 이와 이격된 드레인 전극(118)을 포함한다.
상기 화소영역(P)에는 아래위로 이격된 제 1 및 제 2 수평부(106a)(106b)와, 상기 제 1 및 제 2 수평부(106a,106b)를 일 측과 타 측에서 연결하는 제 1 및 제 2 수직부(106c)(106d)로 구성된 사각테 형상의 보조 공통전극을 형성한다.
또한, 상기 화소 영역(P)에는 상기 보조 공통 전극(106a,106b,106c,106d)과 접촉하는 투명한 공통 전극(134a,134b)과, 상기 공통 전극(134a,134b)과 이격하여 구성된 투명한 화소 전극(132a,132b)을 구성한다.
이때, 상기 공통 전극(134a,134b)은 수평부(134a)와 상기 수평부(134a)에서 막대형상으로 연장된 복수의 수직부(134b)를 포함하며, 상기 보조 공통 전극(106a,106b,106c,106d)과 접촉하도록 구성한다.
또한, 상기 화소 전극(132a,132b)은 상기 수평부(132a)와 상기 수평부(132a)에서 막대형상으로 연장된 복수의 수직부(132b)로 구성하며, 상기 드레인 전극(118)을 통해 영상신호를 인가받도록 구성한다.
전술한 구성에서, 제 1 특징은 상기 드레인 전극(118)에서 상기 화소 전극의 수평부(132a)로 연장된 제 1 연장부(120)와, 상기 제 1 연장부(120)에서 상기 화소 영역(P)을 가로지르는 제 2 연장부(122)와, 상기 제 2 연장부(122)에서 상기 공통 전극의 수평부(134a)의 상부로 연장된 제 3 연장부(124a)를 구성하는 것이다.
이 때, 상기 제 2 연장부(124a)는 상기 화소 전극의 수직부(132b)를 대신해, 화소 영역(P)에 위치하여 화소 전극의 역할을 하게 된다.
또한, 전술한 구성의 제 2 특징은, 상기 보조 공통 전극의 제 1 수평부(106a)에서 상기 공통 전극의 수직부(134b) 끝단까지 미치는 복수의 제 1 수직 돌기(108)를 구성하는 것이고, 상기 드레인 전극(118)의 제 3 연장부(124a)에서 상기 화소 전극의 수직부(132b) 끝단까지 미치는 복수의 제 2 수직 돌기(124b)를 구성하는 것이다.
전술한 제 1 특징에 의해, 상기 보조 공통 전극의 제 1 수평부(106a)를 제 1 전극으로 하고, 상기 화소 전극의 수평부(132a)와 접촉하는 상기 드레인 전극의 제 1 연장부(120)를 제 2 전극으로 하는 제 1 스토리지 캐패시터(Cst1)를 형성할 수 있고, 상기 보조 공통 전극의 제 2 수평부(106b)를 제 1 전극으로 하고, 상기 드레인 전극의 제 3 연장부(124a)를 제 2 전극으로 하고, 상기 공통 전극의 수평부(134a)를 제 3 전극으로 하는 제 2 스토리지 캐패시터(Cst2)를 형성할 수 있다.
따라서, 종래와는 달리 상기 화소 영역(P)의 하부와 상부에 두 개의 스토리지 캐패시터(Cst1,Cst2)를 구성할 수 있어 더 많은 양의 보조 용량을 확보할 수 있는 구성이기 때문에, 상기 화소영역(P)의 하부에 위치한 제 1 스토리지 캐패시터(Cst1)의 면적을 종래와 달리 줄여서 설계하여도 종래의 보조 용량을 유지할 수 있다.
그러므로, 상기 제 1 스토리지 캐패시터(Cst1)가 차지하였던 일부 영역을 개 구영역으로 사용하는 것이 가능해 졌다.
또한, 전술한 제 2 특징에 의해, 상기 제 1 수직 돌기(108)는 상기 공통 전극(74a,74b)과 동일한 신호가 흐르기 때문에, 상기 공통 전극의 수직부(74b)를 화소 전극의 수평부(74a)로 연장하여 구성한 것과 같고, 상기 제 2 수직 돌기(124b)는 상기 화소 전극(82a,72b)과 동일한 신호가 흐르기 때문에 상기 화소 전극의 수직부(72b)를 상기 공통 전극의 수평부(74a)까지 연장하여 구성한 것과 같은 효과를 얻을 수 있다.
이에 대해, 이하 도 5를 참조하여 설명한다.
도 5는 도 4 의 B와 C를 확대한 확대 평면도이다.
도시한 바와 같이, 화소 영역(P)의 상부영역(B)은 공통전극의 수평부(134a)와, 화소 전극의 수직부(132b)가 이격하여 구성된 영역이고, 상기 화소 영역(P)의 하부 영역(B)은 화소 전극의 수평부(132a)와 공통 전극의 수직부(134b)가 이격하여 구성된 영역이다.
이때, 앞서 언급한 바와 같이, 드레인 전극(도 4의 118)의 제 3 연장부(124a)를 상기 공통 전극의 수평부(134a)하부에 절연막(미도시)을 사이에 두고 위치하도록 하고, 각각 상기 화소 전극의 수직부(132b) 끝단에 미치도록 복수의제 1 수직 돌기(108)를 구성하게 되면, 상기 화소 전극(132a,132b)은 상기 공통 전극(134a,134b)과는 쇼트(shot) 되지 않으면서 공통 전극의 수평부(134a)까지 연장된 형상이 된다.
따라서, 구동이 되면 상기 화소 전극의 수직부(132b)및 제 2 수직 돌 기(124a)와 상기 공통 전극의 수직부(134b)사이에 횡전계가 형성되고, 화소 영역(P)의 상부영역(B)에서 종래와 달리 액정이 정상 배열하게 되어 빛샘이 발생하지 않는다.
마찬가지로, 상기 화소 영역(P)의 하부 영역(C) 또한, 상기 보조 공통전극의 제 1 수평부(106a)에서 상기 공통 전극의 수직부(134b)로 돌출된 제 1 수직돌기(108)에 의해, 상기 공통 전극의 수직부(134b)가 화소 전극의 수평부(72a)까지 연장된 형태가 되기 때문에, 상기 공통전극의 수직부 및 제 1 수직돌기(134b,108)와 상기 화소 전극의 수직부(132b) 사이에 횡전계가 발생하게 된다.
따라서, 상기 제 1 및 제 2 수직돌기(108,124b)에 의해, 화소 영역(P)의 위아래에서 중심영역과 동일한 수평전계가 발생하는 영역이 확대되었기 때문에 빛샘 영역이 최소화 되는 결과를 얻을 수 있다.
그러므로, 개구영역을 더욱 확보할 수 있다.
이하, 도 6을 참조하여, 본 발명에 따른 횡전계형 어레이기판의 단면 구성을 설명한다.
도 6은 도 5의 Ⅴ-Ⅴ를 따라 절단하여, 이를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도시한 바와 같이, 어레이기판에 복수의 화소 영역 및 각 화소 영역(P)마다 스위칭 영역(S)과 제 1 스토리지 영역(C1)과 제 2 스토리지 영역(C2)을 정의한다.
상기 스위칭 영역(S)에는 게이트 전극(104)과 게이트 절연막(110)과 액티브층(112)과 오믹 콘택층(114)과 이격된 소스 및 드레인 전극(116,118)이 적층된 박막트랜지스터(T)를 구성하고, 상기 화소 영역(P)에는 보조 공통전 극(106a,106b,106c,106d)과 게이트 절연막(110)과 상기 드레인 전극(118)에서 연장된 제 1 내지 제 3 연장부(120,122,124)와, 보호막(128)과, 투명한 공통 전극(134a,134b)과 화소 전극(132a,132b)을 적층하여 구성 한다.
이때, 상기 보조 공통 전극(106a,106b,106c,106d)은 사각테 형상이며, 하부와 상부로 이격된 제 1및 제 2 수평부(106a,106b)와, 상기 제 1 및 제 2 수평부(106a,106b)를 일 측과 타 측에서 연결하는 제 1 수직부(106c)와 제 2 수직부(106d)로 구성한다.
상기 공통 전극(134a,134b)은 상기 제 2 수평부(106b)의 상부에 구성된 수평부(134a)와, 상기 수평부(134a)에서 화소 영역(P)으로 수직 돌출된 복수의 수직부(134b)로 구성한다.
또한, 상기 화소 전극(132a,132b)은 상기 보조 공통전극의 제 1 수평부(106a)의 상부에 위치한 수평부(132a)와, 상기 수평부(132a)에서 화소 영역(P)으로 수직하게 막대 형상으로 연장된 복수의 수직부(132b)로 구성한다.
상기 드레인 전극의 제 1 연장부(120)는 상기 제 1 수평부(106a)와 상기 화소 전극의 수평부(132a)와 게이트 절연막 및 보호막(110,130)을 사이에 두고 위치하고, 상기 제 2 연장부(122)는 상기 화소 전극의 수직부(132b) 하나를 대신하여 화소 전극의 역할을 하도록 구성하고, 상기 제 3 연장부(124a)는 상기 제 2 수평부(106b)와 상기 공통 전극의 수평부(134a)와 상하로 게이트 절연막(110)과 보호막(130)을 사이에 두고 구성한다.
이때, 상기 제 3 연장부(124a)는 이에 근접한 화소 전극의 수직부(134b)로 돌출된 복수의제 2 수직 돌기(124b)를 포함하고, 상기 보조 공통 전극의 제 1 수평부(106a) 또한 이에 근접한 공통 전극의 수직부(134b)로 돌출된 복수의제 1 수직 돌기(108)를 포함한다.
상기 제 1 스토리지 영역(C1)에는, 상기 보조 공통 전극의 제 1 수평부(106a)를 제 1 전극으로 하고, 그 상부의 드레인 전극의 제 1 연장부(120)를 제 2 전극으로 하고, 상기 제 1 및 제 2 전극(106a,120) 사이에 위치한 게이트 절연막(110)을 유전체로 하는 제 1 스토리지 캐패시터(Cst1)가 구성되고, 상기 제 2 스토리지 영역(C2)에는 상기 보조 공통전극의 제 2 수평부(106b)를 제 1 전극으로 하고 그 상부의 드레인 전극의 제 3 연장부(124a)를 제 2 전극으로 하고, 상기 제 1 및 제 2 전극(106b,124a) 사이에 구성된 게이트 절연막(110)과, 상기 제 2 및 제 3 전극(124a,134a) 사이에 구성된 보호막(130)을 유전체로 하는 제 2 스토리지 캐패시터가 구성된다.
이와 같이, 제 2 및 제 2 스토리지 캐패시터(Cst1,Cst2)를 구성할 수 있기 때문에, 스토리지 캐패시터(Cst1,Cst2)의 면적을 줄여도 종래와 동일 또는 더 나은 수준의 보조용량을 확보할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판은, 앞서 언급한 바와 같이, 화소 영역(P)의 상.하부 영역을 개구영역으로 확대할 수 있는 동시에, 스토리지 캐패시터의 면적을 작게 설계하여도 보조 용량은 그대로 유지할 수 있으므로, 스토리지 캐패시터를 최소한의 면적으로 설계하는 것이 가능하다.
따라서, 고개율을 통한 고휘도를 구현할 수 있는 동시에 고해상도를 구현할 수 있는 장점이 있다.
이하, 공정 단면도를 참조하여 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판의 제조공정을 설명한다.
도 7a 내지 도 7e는 도 4의 Ⅳ-Ⅳ,Ⅴ-Ⅴ를 따라 절단하여, 본 발명의 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
도 7a에 도시한 바와 같이, 기판(100)상에 화소 영역(P)과, 상기 화소 영역(P) 내에 스위칭 영역(S)과 제 1 스토리지 영역(C1)과 제 2 스토리지 영역(C2)을 정의한다.
상기 복수의 영역(P,S,C1,C2)이 정의된 기판(100)의 전면에, 알루미늄(Al), 알루미늄합금(AlNd), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 티타늄(Ti)등을 포함하는 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나 또는 하나 이상의 물질을 적층한 후 패턴하여, 상기 기판의 일 방향으로 연장된 게이트 배선(102)과, 상기 게이트 배선과 연결된 게이트 전극(104)을 형성한다.
상기 게이트 전극(104)은 상기 게이트 배선(102)에서 돌출된 형태로 구성할 수 있고, 상기 게이트 배선(102)의 일부 영역을 상기 게이트 전극(104)으로 이용할 수 있다.
동시에, 상기 화소 영역(P)의 하부와 상부에 각각 제 1 수평부(106a)와 제 2 수평부(106b)가 위치하고, 상기 제 1 및 제 2 수평부(106a,106b)를 일 측과 타 측에서 연결하는 제 1 수직부(106c)와 제 2 수직부(106d)로 구성된 보조 공통 전극을 형성한다.
상기 제 1 수평부(106a)에 화소 영역(P)을 향하여 수직 돌출된 복수의제 1 수직 돌기(108)를 형성한다.
이때, 상기 보조 공통 전극의 제 1 수평부(106a)와 상기 제 2 수평부(106b)는 각각 상기 제 1 스토리지 영역(C1)과 상기 제 2 스토리지 영역(C2)에 위치하게 된다.
도 7b에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 배선 및 게이트 전극(102,104)과, 보조 공통전극(106a,106b,106c,106d)이 형성된 기판(100)의 전면에, 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기 절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 게이트 절연막(110)을 형성한다.
상기 게이트 절연막(110)이 형성된 기판(100)의 전면에 순수 비정질 실리콘(a-Si:H)과 불순물 비정질 실리콘(N+a-Si:H)을 순차 증착하여, 비정질 실리콘층(미도시)과 불순물 비정질 실리콘층(미도시)을 형성하고 패턴하여, 게이트 전극(104)에 대응하는 게이트 절연막(110)의 상부에 액티브층(112)과 오믹 콘택층(114)을 형성한다.
도 7c에 도시한 바와 같이, 상기 오믹 콘택층(114)이 형성된 기판(100)의 전면에 앞서 언급한 도전성 금속그룹 중 선택된 하나 또는 하나 이상의 금속을 증착하고 패턴하여, 상기 오믹 콘택층(114)의 상부에 이격된 소스 전극(116)과 드레인 전극(118)을 형성하고, 상기 드레인 전극(118)에서 상기 화소 영역(P)으로 연장된 제 1 연장부(120)와, 상기 제 1 연장부(120)에서 상기 화소 영역(P)으로 수직한 방 향으로 연장된 제 2 연장부(122)와, 상기 제 2 연장부(122)에서 상기 제 2 수평부(106b)의 상부로 연장된 제 3 연장부(124a)를 형성한다.
동시에, 상기 제 3 연장부(124a)는 상기 화소 영역(P)으로 돌출된 복수의제 2 수직 돌기(124b)를 형성한다.
그리고, 상기 소스 전극(116)과 연결되면서 상기 게이트 배선(102)과 교차하는 방향으로 구성 되도록 데이터 배선(126)을 형성 한다.
다음으로, 상기 이격된 소스 및 드레인 전극(116,118) 사이로 노출된 오믹 콘택층(114)을 제거하여, 하부의 액티브층(112)을 노출하는 공정을 진행한다.
도 7d에 도시한 바와 같이, 상기 소스 및 드레인 전극(116,118)과, 상기 드레인 전극(118)에서 연장된 제 1 내지 제 3 연장부(120,122,124)와, 상기 데이터 배선(126)이 형성된 기판(100)의 전면에 앞서 언급한 절연물질 그룹 중 선택된 하나 또는 하나 이상의 물질을 증착 또는 도포하여 보호막(128)을 형성한다.
다음으로, 상기 보호막(128)을 식각하여, 상기 제 1 연장부(120)의 일부를 노출하는 제 1 콘택홀(미도시)을 형성하고, 상기 보호막(128)과 하부의 게이트 절연막(110)을 식각하여 상기 보조 공통 전극(106)의 일부 즉, 제 1 수직부(106c,106d) 및 제 2 수직부의 일부를 노출하는 제 2 콘택홀(130)을 형성 한다.
도 7e에 도시한 바와 같이, 상기 보호막(128)이 형성된 기판(100)의 전면에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 화소 영역(P)에 화소 전극(132a,132b)과 이와 이격하여 공통 전극(134a,134b)을 형성 한다.
이때, 상기 화소 전극(132a,132b)은 수평부(132a)와 복수의 수직부(132b)로 구성하며, 상기 수평부(132a)는 상기 제 1 콘택홀(미도시)을 통해 상기 드레인 전극(118)의 제 1 연장부(120)와 접촉하도록 구성한다.
상기 수직부(132b)는 상기 수평부(132a)에서 화소 영역(P)으로 수직한 방향으로 막대형상으로 연장된 형태이며, 서로 일정간격 이격되도록 구성한다.
이때, 상기 드레인 전극(118)의 제 2 연장부(122)또한, 화소 전극(132a,132b)과 동일한 신호가 흐르도록 구성되었기 때문에, 이 또한 화소 전극의 수평부(132b)와 동일한 기능을 하게 된다.
상기 공통 전극(134a,134b) 또한, 수평부(134a)와 복수의 수직부(134b)로 구성하며, 상기 수평부(134a)는 상기 제 3 연장부(124)의 상부에 구성하고, 상기 복수의 수직부(134b)는 상기 수평부(134a)에서 상기 화소 영역(P)으로 서로 이격되어 막대 형상으로 연장된 형태이며, 상기 화소 전극(132a,132b)의 수직부(132a)와 상기 드레인 전극(118)의 제 2 연장부(120)와 이격하여 위치하도록 구성한다.
이때, 상기 공통 전극은 상기 제 2 콘택홀(130)을 통해 하부의 보조 공통전극(106a,106b.106c,106d)과 접촉하도록 하여, 상기 보조 공통 전극을 통해 공통 신호를 받도록 한다.
바람직하게는, 상기 보조 공통 전극(106)의 제 1 및 제 2 수직부(106c,106d)와, 상기 공통 전극의 수직부(134b)가 접촉하도록 구성한다.
한편, 상기 제 1 수직 돌기(108)는 상기 공통 전극 수직부(134b)의 일 끝단 까지 연장되도록 구성하고, 상기 제 2 수직 돌기(124b)는 상기 화소 전극 수직 부(132b)의 일 끝단까지 위치하도록 구성한다.
전술한 구성을 통해, 상기 제 1 스토리지 영역(C1)에는 상기 보조 공통 전극(106)의 제 1 수평부(106a)가 제 1 전극이 되고, 상기 화소 전극(132a)과 접촉하는 드레인 전극의 제 1 연장부(118)가 제 2 전극이 되는 제 1 스토리지 캐패시터(Cst1)가 형성되고, 상기 제 2 스토리지 영역(C2)에는 상기 보조 공통 전극(106)의 제 2 수평부(106b)가 제 1 전극이 되고, 상기 드레인 전극(118)의 제 3 연장부(124a)가 제 2 전극이 되고, 상기 공통 전극의 수평부(134a)가 제 3 전극이 되는 제 2 스토리지 캐패시터(Cst2)가 형성된다.
이상으로, 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판을 제작할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판은, 화소 영역의 상.하부에서 개구영역이 확대된 형태이고 또한, 보조용량을 종래와 동일한 수준으로 유지하면서 스토리지 캐패시터의 면적을 최소로 설계하는 것이 가능하여 이 또 한 개구영역을 최대한 확보할 수 있는 효과가 있다.
따라서, 상기 개구영역 확보를 통해 고휘도 및 고해상도를 구현할 수 있는 효과가 있다.

Claims (17)

  1. 기판과;
    상기 기판 상에 일 방향으로 연장된 게이트 배선과, 이와 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터 배선과;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차부에 위치하고, 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극으로 구성된 스위칭 소자와;
    상기 화소 영역의 하부와 상부에 위치하는 제 1 및 제 2 수평부와, 상기 제 1 수평부에서 상기 화소 영역으로 돌출된 복수의 제 1 수직 돌기를 포함하는 보조 공통 전극과;
    상기 드레인 전극에서 상기 보조 공통 전극의 제 1 수평부로 연장된 제 1 연장부와, 상기 제 1 연장부에서 화소 영역으로 수직하게 연장된 제 2 연장부와, 상기 제 2 연장부에서 상기 보조 공통 전극의 제 2 수평부로 연장된 제 3 연장부와, 상기 제 3 연장부에서 상기 화소 영역으로 돌출된 복수의 제 2 수직 돌기와;
    상기 보조 공통 전극의 제 2 수평부의 상부에 위치하는 수평부와, 상기 수평부에서 상기 제 1 수직 돌기로 연장된 복수의 수직부로 구성된 투명한 공통 전극과;
    상기 제 1 연장부의 상부에 위치한 수평부와, 상기 수평부에서 상기 제 2 수직 돌기로 연장된 복수의 수직부로 구성된 투명한 화소 전극
    을 포함하고,
    상기 제 2 연장부는 상기 화소 전극의 수직부와 이격되어 인접한 상기 화소 전극의 수직부 사이에 위치하고, 상기 화소 전극의 역할을 하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조 공통 전극은 상기 제 1 수평부와 제 2 수평부를 상기 화소 영역의 일 측과 타 측에서 연결하는 제 1 수직부와 제 2 수직부를 더욱 포함하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 보조 공통 전극은 상기 게이트 배선과 동일층에 구성되고, 상기 보조 공통 전극의 제 1 및 제 2 수직부가 상기 공통 전극의 수직부와 접촉하도록 구성된 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조 공통 전극의 제 2 수평부를 제 1 전극으로 하고, 상기 제 2 수평부의 상부에 위치한 상기 드레인 전극의 제 3 연장부를 제 2 전극으로 하고, 상기 제 3 연장부의 상부에 위치한 상기 공통 전극의 수평부를 제 3 전극으로 하는 스토리지 캐패시터를 포함하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 드레인 전극의 제 1 연장부는 상기 화소 전극의 수평부와 접촉하도록 구성된 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 보조 공통 전극의 제 1 수평부를 제 1 전극으로 하고, 상기 제 1 수평부의 상부에 위치한 상기 드레인 전극의 제 1 연장부를 제 2 전극으로 하는 스토리지 캐패시터를 포함하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 제 1 수직돌기는 상기 공통 전극의 수직부와 함께 이와 이격되어 위치한 화소 전극의 수직부와 횡전계를 유도하는 기능을 하고, 상기 복수의 제 2 수직돌기는 상기 화소 전극의 수직부와 함께 이와 이격된 공통 전극의 수직부와 횡전계를 유도하는 기능을 하는 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판.
  8. 기판 상에 화소 영역을 정의하는 단계와;
    상기 화소 영역 마다 일 측에 게이트 배선과, 상기 화소 영역의 하부와 상부에 각각 제 1 수평부와 제 2 수평부와, 상기 제 1 수평부에서 상기 화소 영역으로 수직 돌출된 복수의 제 1 수직 돌기를 포함하는 보조 공통 전극을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선과 교차하는 화소 영역의 타 측에 데이터 배선을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 게이트 전극과 액티브층과 소스 전극과 드레인 전극으로 구성된 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;
    상기 드레인 전극에서 상기 제 1 수평부의 상부로 연장된 제 1 연장부와, 상기 제 1 연장부에서 상기 화소 영역으로 연장된 제 2 연장부와, 상기 제 2 연장부에서 상기 보조 공통 전극의 제 2 수평부의 상부로 연장된 제 3 연장부를 형성하는 단계와;
    상기 제 1 연장부의 상부에 위치한 수평부와, 상기 수평부에서 상기 화소 영역으로 연장된 막대 형상의 복수의 수직부로 구성된 화소 전극을 형성하는 단계와;
    상기 제 3 연장부의 상부에 위치한 수평부와, 상기 수평부에서 상기 화소 영역으로 연장된 막대 형상의 복수의 수직부로 구성된 공통 전극을 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 제 2 연장부는 상기 화소 전극의 수직부와 이격되어 인접한 상기 화소 전극의 수직부 사이에 위치하고, 상기 화소 전극의 역할을 하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 보조 공통 전극의 제 1 및 제 2 수평부의 일 측과 타 측을 각각 연결하는 제 1 수직부와 제 2 수직부를 형성하는 단계를 더욱 포함하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 보조 공통 전극의 제 1 및 제 2 수직부가 상기 공통 전극의 수직부와 접촉하도록 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 보조 공통 전극의 제 2 수평부를 제 1 전극으로 하고, 상기 제 2 수평부의 상부에 위치한 상기 드레인 전극의 제 3 연장부를 제 2 전극으로 하고, 상기 제 3 연장부의 상부에 위치한 상기 공통 전극의 수평부를 제 3 전극으로 하는 스토리지 캐패시터가 형성되는 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 드레인 전극의 제 1 연장부는 상기 화소 전극의 수평부와 접촉하도록 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 보조 공통 전극의 제 1 수평부를 제 1 전극으로 하고, 상기 제 1 수평부의 상부에 위치한 상기 드레인 전극의 제 1 연장부를 제 2 전극으로 하는 스토리지 캐패시터가 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 공통 전극과 화소 전극은 투명한 재질이며, 상기 투명한 재질로는 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법.
  15. 기판을 준비하는 단계와;
    상기 기판 상에, 복수의 게이트 배선과, 상기 게이트 배선에 연결된 게이트 전극과, 화소 영역의 아래위로 이격된 제 1 수평부와 제 2 수평부와, 상기 제 1 수평부에서 상기 화소 영역으로 돌출된 복수의 제 1 수직 돌기를 포함하는 보조 공통 전극을 형성하는 단계와;
    상기 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 전극의 상부에 대응하는 게이트 절연막 상에 액티브층과 오믹 콘택층을 순차 적층하여 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선과 교차하여 상기 화소 영역을 정의하는 데이터 배선과, 상기 데이터 배선에서 오믹 콘택층으로 연장된 소스전극과 이와는 이격된 드레인 전극과, 상기 드레인 전극에서 상기 보조 공통 전극의 제 1 수평부로 연장된 제 1 연장부와, 상기 제 1 연장부에서 상기 화소 영역으로 수직하게 연장된 제 2 연장부와, 상기 제 2 연장부에서 상기 보조 공통 전극의 제 2 수평부로 연장된 제 3 연장부와, 상기 제 3 연장부에서 상기 화소 영역으로 돌출된 복수의 제 2 수직 돌기를 형성하는 단계와;
    상기 데이터 배선과 소스 및 드레인 전극 등이 형성된 기판의 전면에 위치하고, 상기 드레인 전극의 제 1 연장부 일부와 상기 보조 공통 전극의 일부를 노출하는 콘택홀을 포함하는 보호막을 형성하는 단계와;
    상기 보조 공통 전극의 제 2 수평부의 상부에 위치하는 수평부와, 상기 수평부에서 상기 제 1 수직 돌기로 연장된 복수의 수직부를 포함하고, 상기 보조 공통 전극과 상기 콘택홀을 통해 접촉하는 공통 전극과;
    상기 공통 전극과 동일층 동일물질로 형성되고, 상기 제 1 연장부의 상부에 위치하는 수평부와, 상기 수평부에서 상기 제 2 수직 돌기로 연장된 복수의 수직부를 포함하고, 상기 제 1 연장부와 접촉하는 화소 전극을 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 제 2 연장부는 상기 화소 전극의 수직부와 이격되어 인접한 상기 화소 전극의 수직부 사이에 위치하고, 상기 화소 전극의 역할을 하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 보조 공통전극의 제 1 및 제 2 수평부를 일 측과 타 측에서 연결하는 제 1 수직부와 제 2 수직부를 형성하는 단계를 더욱 포함하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 공통전극과 화소 전극은 투명한 재질로 형성되며, 상기 투명한 재질로는 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 금속그룹 중 선택된 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
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