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KR101274045B1 - Light emitting diode and method for producing the same - Google Patents

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KR101274045B1
KR101274045B1 KR1020110028629A KR20110028629A KR101274045B1 KR 101274045 B1 KR101274045 B1 KR 101274045B1 KR 1020110028629 A KR1020110028629 A KR 1020110028629A KR 20110028629 A KR20110028629 A KR 20110028629A KR 101274045 B1 KR101274045 B1 KR 101274045B1
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Abstract

본 발명은 형광체와 발광 다이오드 칩 간의 거리를 균일하게 유지하여, 발광 효율이 향상된 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법에 관한 것으로, 이를 위하여, 적어도 하나 이상의 발광 다이오드 칩, 발광 다이오드 칩에 전원을 인가하기 위한 리드 단자 및 발광 다이오드 칩을 실장하기 위한 프레임을 포함하고, 이러한 프레임은 발광 다이오드 칩의 형태에 상응하는 형태를 가지며, 소정 높이로 형성되는 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법이 제공된다.The present invention relates to a light emitting diode having improved luminous efficiency by maintaining a uniform distance between the phosphor and the light emitting diode chip, and a method for manufacturing the same. To this end, applying power to at least one light emitting diode chip and the light emitting diode chip And a frame for mounting a lead terminal and a light emitting diode chip, the frame having a shape corresponding to the shape of the light emitting diode chip, and a light emitting diode formed at a predetermined height and a method for manufacturing the same are provided.

Description

발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법 {LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME}LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

본 발명은 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 형광체를 균일하게 도포하기 위한 프레임 구조를 구비한 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode and a method for manufacturing the same, and more particularly to a light emitting diode having a frame structure for uniformly applying the phosphor and a method for manufacturing the same.

본 발명은 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 형광체를 균일하게 도포하기 위한 프레임 구조를 구비한 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode and a method for manufacturing the same, and more particularly to a light emitting diode having a frame structure for uniformly applying the phosphor and a method for manufacturing the same.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 발광 다이오드에 형광체를 도포할 때, 상기 형광체와 발광 다이오드 칩 간의 거리를 균일하게 유지하여, 2가지 이상의 색상이 발생하는 색편차를 개선하고, 발광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법을 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to overcome the above-described problems, and the technical problem to be achieved by the present invention is to maintain a uniform distance between the phosphor and the light emitting diode chip when applying the phosphor to the light emitting diode, so that two or more colors It is an object of the present invention to provide a light emitting diode and a method for manufacturing the same that can improve color deviation and improve light emission efficiency.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 적어도 하나 이상의 발광 다이오드 칩, 상기 발광 다이오드 칩에 전원을 인가하기 위한 리드 단자 및 상기 발광 다이오드 칩을 실장하기 위한 프레임을 포함하되, 상기 프레임은 상기 발광 다이오드 칩의 형태에 상응하는 형태를 가지며, 소정 높이로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드가 제공된다.According to an aspect of the present invention for achieving the object of the present invention, including at least one LED chip, a lead terminal for applying power to the LED chip and a frame for mounting the LED chip, The frame has a shape corresponding to the shape of the light emitting diode chip, and is provided with a light emitting diode, characterized in that formed at a predetermined height.

상기 발광 다이오드 칩에서 발생된 광의 파장을 변환시키기 위한 형광체를 포함하는 몰딩부를 더 포함하며, 상기 몰딩부는 상기 프레임 상에 형성되는 것을 특징으로 한다.The method may further include a molding part including a phosphor for converting a wavelength of light generated by the light emitting diode chip, wherein the molding part is formed on the frame.

상기 발광 다이오드 칩을 봉지하기 위한 외주 몰딩부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.It characterized in that it further comprises an outer peripheral molding portion for sealing the light emitting diode chip.

상기 몰딩부는 상기 발광 다이오드 칩의 형태에 상응하는 형태로 형성되는 것을 특징으로 한다.The molding part may be formed in a shape corresponding to that of the light emitting diode chip.

상기 프레임은 리드 단자 상에 형성되는 것을 특징으로 한다.The frame is formed on the lead terminal.

상기 프레임과 상기 리드 단자는 일체로 형성되는 것을 특징으로 한다.The frame and the lead terminal may be integrally formed.

기판을 더 포함하며, 상기 프레임은 상기 기판 상에 형성되는 것을 특징으로 한다.It further comprises a substrate, characterized in that the frame is formed on the substrate.

상기 프레임과 상기 기판은 일체로 형성되는 것을 특징으로 한다.The frame and the substrate are characterized in that formed integrally.

상기 기판을 둘러싸는 하우징을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.It further comprises a housing surrounding the substrate.

상기 프레임의 둘레에는 소정 높이의 격벽이 형성되는 것을 특징으로 한다.A partition having a predetermined height is formed around the frame.

상기 격벽은 상기 프레임과 일체로 형성되는 것을 특징으로 한다.The partition wall is characterized in that it is formed integrally with the frame.

상기 프레임은 사각 형태로 형성되는 것을 특징으로 한다.The frame is characterized in that formed in a square shape.

상기 프레임의 둘레를 따라 소정 깊이의 홈이 형성되는 것을 특징으로 한다.A groove having a predetermined depth is formed along the circumference of the frame.

한편, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 발광 다이오드 칩의 형태에 상응하는 형태를 갖는 프레임을 형성하는 단계, 상기 프레임 상에 상기 발광 다이오드 칩을 실장하는 단계, 소정량의 형광체를 상기 프레임 상에 도포하는 단계 및 상기 형광체를 가열 경화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법이 제공된다.On the other hand, according to another aspect of the invention, forming a frame having a shape corresponding to the shape of the light emitting diode chip, mounting the light emitting diode chip on the frame, applying a predetermined amount of phosphor on the frame And it provides a method of manufacturing a light emitting diode comprising the step of heating and curing the phosphor.

상기 프레임의 둘레에 소정 높이의 격벽을 형성하는 것을 특징으로 한다.Forming a partition wall of a predetermined height around the frame is characterized in that.

상기 프레임의 둘레를 따라 소정 깊이의 홈을 형성하는 것을 특징으로 한다.A groove having a predetermined depth is formed along the circumference of the frame.

전술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 발광 다이오드 칩의 형태에 상응하는 형태를 갖는 프레임 상에 발광 다이오드 칩을 실장한 후, 형광체를 도팅함으로써, 발광 다이오드 칩 간의 거리를 균일하게 유지하여, 2가지 이상의 색상이 발생하는 색편차를 개선하고, 발광 효율을 향상된다.As described above, according to the present invention, after mounting the light emitting diode chip on a frame having a shape corresponding to the shape of the light emitting diode chip, by doping the phosphor, the distance between the light emitting diode chip is kept uniform, two or more The color deviation in which the color is generated is improved, and the luminous efficiency is improved.

도 1a 및 도 1b는 종래 기술에 따라 형광체가 도포된 발광 다이오드의 개략 단면도이다.
도 2a 및 도 2b는 종래의 다른 기술에 따라 형광체가 도포된 발광 다이오드의 개략 단면도이다.
도 3은 종래의 또 다른 기술에 따라 형광체가 도포된 발광 다이오드의 개략 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드의 사시도 및 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드의 단면도이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 제4 실시예 및 제5 실시예에 따른 발광 다이오드의 단면도이다.
도 8a 내지 도 8f는 본 발명에 따른 프레임 구조의 예를 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명에 따른 발광 다이오드를 제조하기 위한 방법의 흐름도이다.1A and 1B are schematic cross-sectional views of light emitting diodes coated with phosphors according to the prior art.
2A and 2B are schematic cross-sectional views of light emitting diodes coated with phosphors according to another conventional technique.
3 is a schematic cross-sectional view of a light emitting diode coated with a phosphor according to another conventional technique.
4A and 4B are a perspective view and a cross-sectional view of a light emitting diode according to a first embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of a light emitting diode according to a second embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view of a light emitting diode according to a third embodiment of the present invention.
7A and 7B are cross-sectional views of light emitting diodes according to the fourth and fifth embodiments of the present invention.
8A to 8F show examples of the frame structure according to the present invention.
9 is a flow chart of a method for manufacturing a light emitting diode according to the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드의 사시도 및 단면도로서, 본 발명에 따른 칩형 발광 다이오드의 개략적인 사시도 및 단면도이다.4A and 4B are a perspective view and a cross-sectional view of a light emitting diode according to a first embodiment of the present invention, which is a schematic perspective view and a cross-sectional view of a chip type light emitting diode according to the present invention.

상기 도 4a 및 도 4b를 참조하면, 상기 발광 다이오드는 상기 발광 다이오드는 리드 단자(230, 235)가 형성된 기판(210), 상기 기판(210) 상에 형성되는 프레임(290), 상기 프레임(290) 상에 실장되는 발광 다이오드 칩(220), 상기 발광 다이오드 칩(220)과 상기 리드 단자(230, 235)를 연결시키기 위한 와이어(270)를 포함한다. 상기 발광 다이오드 칩(220)으로부터 발생된 광의 파장을 변환시키기 위한 형광체(250)는 봉지제와 혼합되어, 상기 프레임(290) 상에 도포되어 몰딩부(260)를 형성한다. 본 실시예에서는 하나의 발광 다이오드 칩(220)을 포함하고 있으나, 이는 설명을 위한 예시일 뿐, 다수의 발광 다이오드 칩을 포함할 수 있다.4A and 4B, the light emitting diode may include a substrate 210 on which lead terminals 230 and 235 are formed, a frame 290 and a frame 290 formed on the substrate 210. The light emitting diode chip 220 is mounted on the light emitting diode chip 220, and a wire 270 for connecting the light emitting diode chip 220 and the lead terminals 230 and 235. The phosphor 250 for converting the wavelength of the light generated from the light emitting diode chip 220 is mixed with an encapsulant and coated on the frame 290 to form the molding part 260. In the present embodiment, one light emitting diode chip 220 is included, but this is only an example for description and may include a plurality of light emitting diode chips.

그리고, 상기 발광 다이오드 칩(220)의 상부에는 발광 다이오드 칩(220)의 보호를 위해 액상 에폭시 수지 등으로 이루어진 외주 몰딩부(265)가 형성된다. 이러한 외주 몰딩부(265)는 소정의 수지를 이용한 사출 공정을 통해 형성할 수도 있으며, 또한 별도의 주형을 이용하여 제작한 다음, 이를 가압 또는 열처리하여 형성할 수도 있다. 이때, 외주 몰딩부(265)는 에폭시 수지 또는 실리콘 수지 등을 이용하여 형성된다. 상기 외주 몰딩부(265)는 광학 렌즈 형태 및 평판 형태 등 다양한 형태로 형성할 수 있다. In addition, an outer molding part 265 made of a liquid epoxy resin is formed on the light emitting diode chip 220 to protect the light emitting diode chip 220. The outer molding portion 265 may be formed through an injection process using a predetermined resin, or may be formed by using a separate mold, and then formed by pressing or heat treatment. At this time, the outer peripheral molding part 265 is formed using an epoxy resin or a silicone resin. The outer circumferential molding part 265 may be formed in various shapes such as an optical lens shape and a flat plate shape.

한편, 상기 프레임(290)은 상기 기판(210)과 별도로 형성된 후, 접합될 수도 있으며, 이와는 달리, 상기 프레임(290)과 상기 기판(210)은 일체로 형성될 수도 있다. 이때, 기판(210)은 메탈 슬러그 또는 열전도성 수지가 될 수 있다.The frame 290 may be formed separately from the substrate 210 and then bonded to each other. Alternatively, the frame 290 and the substrate 210 may be integrally formed. In this case, the substrate 210 may be a metal slug or a thermally conductive resin.

또한, 상기 봉지제는 액상 에폭시 수지나 실리콘 수지로 이루어진다.In addition, the said sealing agent consists of a liquid epoxy resin or a silicone resin.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드의 단면도로서, 본 발명에 따른 탑형 발광 다이오드의 개략적인 단면도이다.5 is a cross-sectional view of a light emitting diode according to a second embodiment of the present invention, which is a schematic cross-sectional view of a tower light emitting diode according to the present invention.

상기 도 5를 참조하면, 상기 제2 실시예에 따른 발광 다이오드는 기판상에 반사부가 형성된다는 점을 제외하면, 상기 제1 실시예에 따른 발광 다이오드와 유사하므로, 이하에서는 상이한 부분에 대해서만 상술한다. Referring to FIG. 5, the light emitting diode according to the second embodiment is similar to the light emitting diode according to the first embodiment except that the reflective part is formed on the substrate, and therefore only the different parts will be described below. .

상기 발광 다이오드는 기판(210), 상기 기판 상에 형성된 리드 단자(230, 235), 프레임(290) 및 반사부(240)를 포함하며, 상기 프레임(290) 상에 실장되는 발광 다이오드 칩(220), 상기 발광 다이오드 칩(220)과 상기 리드 단자(230, 235)를 연결시키기 위한 와이어(270)를 포함한다. 상기 발광 다이오드 칩(220)으로부터 발생된 광의 파장을 변환시키기 위한 형광체(250)는 봉지제와 혼합되어, 상기 프레임(290) 상에 도포되어 몰딩부(260)를 형성하며, 상기 발광 다이오드 칩(220)의 상부에는 발광 다이오드 칩(220)의 보호를 위한 외주 몰딩부(265)가 형성된다. 이때, 외주 몰딩부(265)는 소정의 수지로 이루어지며, 바람직하게는 에폭시 수지 또는 실리콘 수지 등으로 이루어진다.The light emitting diode includes a substrate 210, lead terminals 230 and 235 formed on the substrate, a frame 290, and a reflector 240 and is mounted on the frame 290. ), And a wire 270 for connecting the LED chip 220 and the lead terminals 230 and 235. Phosphor 250 for converting the wavelength of the light generated from the light emitting diode chip 220 is mixed with an encapsulant, is applied on the frame 290 to form a molding unit 260, the light emitting diode chip ( An outer molding part 265 is formed on the upper portion of the 220 to protect the LED chip 220. At this time, the outer molding portion 265 is made of a predetermined resin, preferably made of an epoxy resin or a silicone resin.

한편, 상기 반사부(240)는 상기 기판(210) 상에 적어도 하나 이상의 발광 다이오드 칩(220)을 둘러싸도록 형성되며, 이 때 광의 휘도 및 집광 능력을 향상시키기 위해, 상기 발광 다이오드 칩(220)을 둘러싸는 반사부(240)의 내측벽이 소정 기울기를 갖도록 형성할 수 있다.On the other hand, the reflector 240 is formed on the substrate 210 to surround at least one or more LED chip 220, in this case, in order to improve the brightness and the light collecting ability of the light, the LED chip 220 The inner wall of the reflecting portion 240 surrounding the can be formed to have a predetermined slope.

도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드의 단면도로서, 본 발명에 따른 램프형 발광 다이오드의 개략적인 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a light emitting diode according to a third embodiment of the present invention, which is a schematic cross-sectional view of a lamp type light emitting diode according to the present invention.

상기 도 6을 참조하면, 상기 발광 다이오드는 선단에 반사부(340)를 포함하는 제1 리드 단자(330)와, 상기 제1 리드 단자(330)와 소정 간격 이격된 제2 리드 단자(335)로 구성되며, 상기 제1 리드 단자(330)의 반사부(340) 내부에 프레임(390)이 형성되고, 상기 프레임(390) 상에 발광 다이오드 칩(20)이 실장된다. Referring to FIG. 6, the light emitting diode includes a first lead terminal 330 including a reflector 340 at a tip end thereof, and a second lead terminal 335 spaced apart from the first lead terminal 330 by a predetermined distance. The frame 390 is formed in the reflection part 340 of the first lead terminal 330, and the light emitting diode chip 20 is mounted on the frame 390.

상기 발광 다이오드 칩(320)으로부터 발생된 광의 파장을 변환시키기 위한 형광체(350)는 봉지제와 혼합된 후, 상기 프레임(390) 상에 도포되어 몰딩부(360)를 형성하며, 상기 발광 다이오드 칩(320)의 상부에는 발광 다이오드 칩(320)의 보호를 위해 소정의 수지를 도포하여 소정 시간 동안 가열 경화시킨 외주 몰딩부(365)가 형성되며, 상기 외주 몰딩부(365)는 에폭시 수지 또는 실리콘 수지로 이루어질 수 있다.The phosphor 350 for converting the wavelength of the light generated from the light emitting diode chip 320 is mixed with an encapsulant and then applied on the frame 390 to form a molding part 360, and the light emitting diode chip An upper molding part 365 is formed on the upper part of the upper part 320 by applying a predetermined resin to protect the light emitting diode chip 320 and heat-curing for a predetermined time. The outer molding part 365 is formed of epoxy resin or silicon. It may be made of a resin.

도 7a 및 도 7b는 본 발명의 제4 실시예 및 제5 실시예에 따른 발광 다이오드의 단면도로서, 하우징을 갖는 발광 다이오드의 개략적인 단면도이다.7A and 7B are cross-sectional views of light emitting diodes according to the fourth and fifth embodiments of the present invention, which are schematic cross-sectional views of light emitting diodes having a housing.

상기 도 7a에 도시된 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드는 상기 제1 실시예에 따른 발광 다이오드와 비교하여, 기판을 둘러싸는 하우징(280)을 더 포함한다는 점이 상이하며, 나머지 구성요소는 동일하다. The light emitting diode according to the fourth embodiment of the present invention illustrated in FIG. 7A is different from the light emitting diode according to the first embodiment, and further includes a housing 280 surrounding the substrate, and the remaining components. Is the same.

또한, 상기 도 7b에 도시된 본 발명의 제5 실시예에 따른 발광 다이오드 역시 상기 제2 실시예에 따른 발광 다이오드와 비교하여, 기판을 둘러싸는 하우징(280)을 더 포함한다는 점이 상이하며, 나머지 구성요소는 동일하다.In addition, the light emitting diode according to the fifth embodiment of the present invention shown in FIG. 7B also includes a housing 280 surrounding the substrate as compared to the light emitting diode according to the second embodiment, and the rest The components are identical.

도 8a 및 도 8b는 본 발명에 따른 프레임 구조의 일 예를 나타낸 사시도 및 단면도이며, 도 8c 및 도 8d는 본 발명에 따른 프레임 구조의 다른 예를 나타낸 사시도 및 단면도이고, 도 8e 및 도 8f는 본 발명에 따른 프레임 구조의 또 다른 예를 나타낸 사시도 및 단면도이다.8A and 8B are a perspective view and a cross-sectional view showing an example of a frame structure according to the present invention, Figures 8C and 8D are a perspective view and a cross-sectional view showing another example of the frame structure according to the present invention, Figures 8E and 8F A perspective view and a sectional view showing still another example of the frame structure according to the present invention.

상기 도 8a 및 도 8b를 참조하면, 상기 프레임(290)은 상기 발광 다이오드 칩(220)의 형태와 동일한 형태 즉, 사각 형태로 형성되며, 크기는 상기 발광 다이오드 칩의 약 1.5배 내지 2배 정도의 크기로 형성한다. 본 실시예에서는 발광 다이오드 칩과 프레임이 사각 형태를 가지나, 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 형태로 형성될 수도 있다. 이때, 프레임과 발광 다이오드 칩의 형태는 동일하게 형성된다.8A and 8B, the frame 290 is formed in the same shape as that of the light emitting diode chip 220, that is, in a quadrangular shape, and the size of the frame 290 is about 1.5 to 2 times the size of the light emitting diode chip. Form to the size of. In the present embodiment, the light emitting diode chip and the frame have a rectangular shape, but the present invention is not limited thereto and may be formed in various shapes. At this time, the shape of the frame and the light emitting diode chip are formed in the same manner.

상기와 같은 형태와 크기를 갖는 프레임(290) 상의 중앙 부분에 발광 다이오드 칩(220)을 실장한 후, 형광체(250)와 봉지제의 혼합물을 도팅(dotting)하면, 몰딩부(260)는 프레임의 형태대로 형성되어, 상기 발광 다이오드 칩(220)과 상기 몰딩부(260)의 이격 거리는 균일하게 된다. 즉, 상기 몰딩부(260)도 상기 발광 다이오드 칩(220)의 형태대로 형성된다.After mounting the light emitting diode chip 220 on the center portion of the frame 290 having the shape and size as described above, and then dotting the mixture of the phosphor 250 and the encapsulant, the molding unit 260 is a frame Is formed in the form of, the separation distance between the LED chip 220 and the molding portion 260 is uniform. That is, the molding part 260 is also formed in the shape of the LED chip 220.

상기 도 8c 및 도 8d를 참조하면, 본 실시예에 도시된 프레임 구조는 상기 도 8a 및 도 8b에 도시된 프레임 구조와 유사하나, 단지 상기 프레임의 둘레에 소정 높이의 격벽(297)이 형성된다는 점이 상이하다. 8C and 8D, the frame structure shown in this embodiment is similar to the frame structure shown in FIGS. 8A and 8B, but only a partition 297 having a predetermined height is formed around the frame. The points are different.

상기 격벽(297)은 상기 형광체(250)와 봉지제가 혼합되어 형성된 몰딩부(260)의 형태가 상기 발광 다이오드 칩의 형태대로 형성될 수 있도록 유도하는 기능을 수행한다. 이때, 상기 격벽(297)은 프레임과 일체로 형성될 수 있다.The partition 297 serves to induce the shape of the molding part 260 formed by mixing the phosphor 250 and the encapsulant in the form of the light emitting diode chip. In this case, the partition 297 may be integrally formed with the frame.

상기 도 8e 및 도 8f를 참조하면, 본 실시예에 도시된 프레임 구조는 상기 도 8a 및 도 8b에 도시된 프레임 구조와 유사하나, 단지 상기 프레임의 둘레를 따라 소정 깊이의 홈(299)이 형성된다는 점이 상이하다.8E and 8F, the frame structure shown in this embodiment is similar to the frame structure shown in FIGS. 8A and 8B, but only grooves 299 having a predetermined depth are formed along the circumference of the frame. Is different.

상기 홈(299)은 상기 격벽과 마찬가지로 상기 프레임(290) 상에 도포되는 상기 형광체(250)와 봉지제가 혼합되어 형성된 몰딩부(260)의 형태가 상기 발광 다이오드 칩의 형태대로 형성될 수 있도록 유도한다.Like the barrier rib, the groove 299 induces the shape of the molding part 260 formed by mixing the phosphor 250 and the encapsulant applied on the frame 290 to form the shape of the LED chip. do.

도 9는 본 발명에 따른 발광 다이오드를 제조하기 위한 방법의 흐름도이다.9 is a flow chart of a method for manufacturing a light emitting diode according to the present invention.

상기 도 9를 참조하면, 우선, 발광 다이오드 칩의 형태와 동일한 형태를 갖는 소정 크기의 프레임을 형성하는 과정을 수행한다(S910).Referring to FIG. 9, first, a process of forming a frame having a predetermined size having the same shape as that of a light emitting diode chip is performed (S910).

상기 S910 과정을 통하여 형성된 프레임 상에 발광 다이오드 칩을 실장한다(S920). The LED chip is mounted on the frame formed through the process S910 (S920).

그리고 나서, 소정량의 형광체를 프레임 상에 도포한다(S930). 이때, 상기 형광체는 봉지제 예를 들면, 액상 에폭시 수지나 실리콘 수지와 혼합되어 상기 프레임 상에 도포된다. Then, a predetermined amount of phosphor is applied onto the frame (S930). In this case, the phosphor is mixed with an encapsulant, for example, a liquid epoxy resin or a silicone resin, and coated on the frame.

한편, 프레임의 형태는 상기에서 살펴본 바와 같이, 상기 발광 다이오드 칩의 형태와 동일하되, 그 크기는 발광 다이오드 칩 보다 크게 형성된다. 또한, 프레임의 둘레에는 소정 높이의 격벽이 형성될 수도 있으며, 이와는 달리 프레임의 둘레를 따라 소정 깊이의 홈이 형성될 수도 있다.Meanwhile, as described above, the shape of the frame is the same as that of the light emitting diode chip, but the size of the frame is larger than that of the light emitting diode chip. In addition, a partition having a predetermined height may be formed around the frame, or alternatively, a groove having a predetermined depth may be formed along the perimeter of the frame.

그리고 나서, 상기 프레임 상에 도포된 형광체를 가열하여, 경화시키는 과정을 수행한다(S940).Then, the phosphor applied on the frame is heated to perform a curing process (S940).

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법의 예시적인 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이, 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is merely an exemplary embodiment of a light emitting diode and a method for manufacturing the same according to the present invention, the present invention is not limited to the above embodiment, as claimed in the following claims, the present invention Without departing from the gist of the present invention, those skilled in the art to which the present invention pertains to the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.

210: 기판 220: 발광 다이오드 칩
230, 235, 330, 335: 리드 단자 240, 340: 반사부
250, 350: 형광체 260, 360: 몰딩부
265, 365: 외주 몰딩부 270, 370: 와이어
280: 하우징 290, 390: 프레임210: substrate 220: light emitting diode chip
230, 235, 330, 335: Lead terminals 240, 340: Reflector
250, 350: phosphor 260, 360: molding part
265, 365: outer molding part 270, 370: wire
280: housing 290, 390: frame

Claims (16)

적어도 하나의 발광 다이오드 칩이 실장된 기판;
상기 기판의 적어도 일측면을 둘러싸고, 상기 발광 다이오드 칩과 전기적으로 연결되는 리드를 포함하는 하우징; 및
상기 발광 다이오드 칩 상의 일부 면에 형성되고, 형광체를 포함하는 제1 몰딩부를 포함하고,
상기 리드는 소정의 단차를 갖고, 상기 하우징의 외측으로 노출되어 형성되고,
상기 하우징은 소정의 기울기를 갖는 내측면 및 적어도 하나의 홈을 포함하는 상부면을 포함하며,
상기 기판과 상기 발광 다이오드 칩 사이에 프레임이 형성되며,
상기 제1 몰딩부는 상기 프레임 상에 형성된 채 상기 하우징 및 상기 기판과 이격되 고,
상기 홈은 상기 내측면을 관통하는 적어도 하나 이상의 제1 홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.A substrate on which at least one light emitting diode chip is mounted;
A housing surrounding at least one side of the substrate and including a lead electrically connected to the light emitting diode chip; And
A first molding part formed on a portion of the light emitting diode chip and including a phosphor;
The lead has a predetermined step and is formed to be exposed to the outside of the housing,
The housing includes an inner surface having a predetermined slope and an upper surface including at least one groove,
A frame is formed between the substrate and the light emitting diode chip.
The first molding portion is formed on the frame and spaced apart from the housing and the substrate ,
The groove includes at least one first groove penetrating the inner surface. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 몰딩부는 균일한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
The first molding part is a light emitting diode, characterized in that having a uniform thickness. 청구항 1에 있어서,
상기 기판의 하부면은 외부로 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
The lower surface of the substrate is a light emitting diode, characterized in that exposed to the outside. 청구항 3에 있어서,
상기 리드는,
상기 하우징의 내측에 위치한 제1 면;
상기 하우징의 외측에 노출된 제2 면; 및
상기 제1 면 및 상기 제2 면을 연결하는 제3 면을 포함하고,
상기 제2 면은 상기 기판의 하부면과 동일한 평면 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method according to claim 3,
The lead includes:
A first face located inside the housing;
A second surface exposed to the outside of the housing; And
A third surface connecting the first surface and the second surface,
Wherein the second surface is on the same plane as the lower surface of the substrate. 청구항 1에 있어서,
상기 기판은 메탈 슬러그 및 열전도성 슬러그 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
The substrate is a light emitting diode, characterized in that any one selected from metal slug and thermally conductive slug. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 몰딩부 및 상기 기판 상에 형성된 제2 몰딩부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
And a second molding part formed on the first molding part and the substrate. 청구항 6에 있어서,
상기 홈은 상기 제2 몰딩부의 외측에 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method of claim 6,
The groove is formed in the outer side of the second molding portion. 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 프레임의 일부 외주면에 형성된 소정 높이의 격벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
And a partition wall having a predetermined height formed on a part of an outer circumferential surface of the frame. 청구항 9에 있어서,
상기 격벽은 상기 발광다이오드 칩과 일정 간격 이격되어 형성되어 있으며, 상기 발광 다이오드 칩의 외곽부를 따라 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method according to claim 9,
The barrier rib is formed spaced apart from the light emitting diode chip at a predetermined interval, characterized in that formed along the outer portion of the light emitting diode chip. 청구항 10에 있어서,
상기 격벽은 상기 프레임과 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드The method of claim 10,
The barrier rib is formed integrally with the frame. 청구항 10에 있어서,
상기 프레임의 일부 외주면에 형성된 소정 깊이의 홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method of claim 10,
And a groove having a predetermined depth formed on a portion of the outer circumferential surface of the frame. 청구항 12에 있어서,
상기 홈은 상기 발광 다이오드 칩과 일정 간격 이격되어 형성되어 있으며, 상기 발광 다이오드 칩의 외곽부를 따라 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method of claim 12,
The groove is formed spaced apart from the light emitting diode chip at a predetermined interval, characterized in that formed along the outer portion of the light emitting diode chip. 청구항 1에 있어서,
상기 프레임은 기판과 일체형으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
The frame is a light emitting diode, characterized in that formed integrally with the substrate. 청구항 1에 있어서, 상기 상부면 일부로부터 상기 내측면을 따라 형성된 적어도 하나 이상의 제2 홈을 더 포함하는 발광 다이오드.The light emitting diode of claim 1, further comprising at least one second groove formed along a portion of the upper surface along the inner surface. 청구항 15에 있어서, 상기 하우징은 상기 상부면과 상기 내측면으로 이루어지는 격벽을 가지며, 상기 제2 홈이 형성된 격벽보다 상기 제2 홈이 형성되지 않은 격벽의 두께가 더 두꺼운 발광 다이오드.

The light emitting diode of claim 15, wherein the housing has a partition wall formed of the upper surface and the inner surface, and the partition wall on which the second groove is not formed is thicker than the partition wall on which the second groove is formed.

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