KR101269903B1 - Die stack package and method for fabricating the same - Google Patents
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Abstract
절연층 상에 형성된 제1외측 회로 패턴들, 제1외측 회로 패턴들의 일부인 본딩 핑거(bonding finger) 부분 및 제어칩(controller chip)이 실장될 절연층의 일부인 제어칩 랜드(land)부 부분을 열게 이중층으로 적층된 제1 및 제3솔더 마스크(solder mask)의 적층체, 제1 및 제3솔더 마스크의 적층체에 의해 노출되는 제어칩 랜드부 상에 실장된 제어칩; 및 제1 및 제3솔더 마스크의 적층 부분에 노출되는 본딩 핑거부와 제어칩을 연결하는 본딩 와이어(bonding wire)를 포함하는 제어칩 내장형 인쇄회로기판(PCB), 이를 이용한 다이스택 패키지(die stack package) 및 이들의 제조 방법을 제시한다. Open the first outer circuit patterns formed on the insulating layer, the bonding finger portion which is part of the first outer circuit patterns, and the control chip land portion which is part of the insulating layer on which the controller chip is to be mounted. A control chip mounted on a control chip land portion exposed by a stack of first and third solder masks stacked in a double layer, and a stack of first and third solder masks; And a printed circuit board (PCB) including a bonding finger connecting a control chip and a bonding finger portion exposed to the stacked portions of the first and third solder masks, and a die stack package using the same. packages) and their preparation methods.
Description
본 발명은 패기지 기술에 관한 것으로, 특히, 다이스택 패키지(die stack package) 패키지 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. TECHNICAL FIELD The present invention relates to packaging technology, and more particularly, to a die stack package package and a manufacturing method thereof.
인쇄회로기판(PCB)은 에폭시(epoxy) 절연층에 배선 회로 패턴들을 구비하게 구성되고 있다. 대용량 메모리(memory) 소자를 구현하기 위해서 다수 개의 메모리 반도체 칩들이 적층되거나, 다양한 기능의 칩들이 하나의 패키지에 다수 개 적층되는 다이스택 패키지의 경우, 다수 개의 반도체 칩들이 적층된 칩 적층체가 하나의 PCB 상에 적층된다. 이때, 반도체 칩들의 칩 적층체 상측에 적층된 개개의 반도체 칩의 동작을 제어하는 제어칩(controller chip)이 적층되고 있다. The printed circuit board (PCB) is configured to have wiring circuit patterns on an epoxy insulating layer. In the case of a die stack package in which a plurality of memory semiconductor chips are stacked to implement a large memory device, or a plurality of chips having various functions are stacked in one package, a chip stack in which a plurality of semiconductor chips are stacked is one Stacked on the PCB. In this case, a controller chip for controlling the operation of the individual semiconductor chips stacked on the chip stack of the semiconductor chips is stacked.
이러한 다이스택 패키지의 경우, 최상단에 적층된 제어칩과 PCB 간을 연결하는 본딩 와이어의 길이가 상당히 길게 되므로, 금 본딩 와이어의 긴 길이에 의해 신호 전달 패스(path)가 길어져 소자의 동작 속도의 향상이 제약될 수 있다. 또한, 본딩 와이어의 길이가 길어짐에 따라, 에폭시몰딩재(EMC: Epoxy Molding Compound)로 몰딩(molding)할 때, 본딩 와이어가 쓸려 쓰러지거나 이웃하는 다른 와이어들과 단락(short)되는 불량이 유발될 수 있다. 이러한 불량은 다이 스택 패키지의 수율을 제약하는 요소로 작용할 수 있다. In the case of such a die stack package, since the length of the bonding wire connecting the PCB and the PCB stacked on the top is considerably longer, the length of the gold bonding wire lengthens the signal transmission path, thereby improving the operation speed of the device. This may be restricted. In addition, as the length of the bonding wire becomes longer, when molding with an epoxy molding compound (EMC), the bonding wire may be swept away or a defect may be shorted with other neighboring wires. Can be. This failure can act as a limiting factor in the yield of the die stack package.
본 발명은 다수 개 적층된 반도체 칩들을 제어하는 제어칩을 내장한 인쇄회로기판(PCB) 및 제조 방법, 이에 의한 다이스택 패키지 구조를 제시하고자 한다. The present invention proposes a printed circuit board (PCB), a manufacturing method, and a die stack package structure therein, in which a control chip for controlling a plurality of stacked semiconductor chips is embedded.
본 발명의 일 관점은, 제1절연층 상에 제어칩(controller chip)을 실장하는 단계; 상기 제1절연층 하부에 제2절연층 및 제1회로층을 정렬하고, 상기 제1절연층 상에 제3절연층 및 제2회로층을 정렬하여 상기 제3절연층에 상기 제어칩이 매몰되게 적층하는 단계; 상기 제2회로층 및 상기 제3절연층을 관통하여 상기 제어칩을 노출하는 제1비아홀을 형성하는 단계; 및 상기 제1비아홀을 채우는 도금층을 상기 제2회로층 상에 형성하여, 상기 제1비아홀을 채워 상기 제어칩에 연결되는 제1비아 및 상기 제1비아에 연결되는 제1외측 회로 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 제어칩 내장형 인쇄회로기판(PCB) 제조 방법을 제시한다. One aspect of the invention, the step of mounting a controller chip (controller chip) on the first insulating layer; The control chip is buried in the third insulating layer by aligning a second insulating layer and a first circuit layer under the first insulating layer, and aligning a third insulating layer and a second circuit layer on the first insulating layer. Stacking; Forming a first via hole through the second circuit layer and the third insulating layer to expose the control chip; And forming a plating layer filling the first via hole on the second circuit layer to form a first via connected to the control chip and a first outer circuit pattern connected to the first via by filling the first via hole. A control chip embedded printed circuit board (PCB) manufacturing method including the steps is provided.
상기 제1절연층 상에 제어칩(controller chip)을 실장하는 단계는 상기 제1절연층 양면에 제3 및 제4회로층을 가지는 동박적층판을 준비하는 단계; 상기 제3 및 제4회로층을 패터닝하여 상기 제어칩 실장 시 위치 기준이 되는 기준 마크(fiducial mark)를 형성하는 단계; 및 상기 기준 마크를 기준으로 이용하여 상기 제어칩이 실장될 위치의 상기 제1절연층 부분 상에 상기 제어칩을 정렬하여 실장하는 단계를 포함할 수 있다. The mounting of a controller chip on the first insulating layer may include preparing a copper clad laminate having third and fourth circuit layers on both sides of the first insulating layer; Patterning the third and fourth circuit layers to form a fiducial mark that becomes a position reference when the control chip is mounted; And arranging and mounting the control chip on the portion of the first insulating layer at the position where the control chip is to be mounted using the reference mark as a reference.
상기 적층 이후에 상기 기준 마크에 중첩되는 상기 제2회로층, 제3, 제1 및 제2절연층 및 제1회로층 부분을 선택적으로 제거하여 기준 관통홀을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. The method may further include forming a reference through hole by selectively removing portions of the second circuit layer, the third, first and second insulating layers, and the first circuit layer that overlap the reference mark after the lamination. .
상기 제1비아홀을 형성하는 단계는 상기 기준 관통홀을 기준으로 이용하여 상기 제1비아홀이 형성될 위치에 위치하는 상기 제2회로층의 부분을 노출하는 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴에 노출된 상기 제2회로층 부분을 식각 제거하는 단계; 및 상기 제2회로층 부분의 제거에 의해 노출되는 하부의 상기 제3절연층 부분을 레이저 드릴(laser drill)하는 단계를 포함할 수 있다. The forming of the first via hole may include forming a mask pattern exposing a portion of the second circuit layer located at a position where the first via hole is to be formed by using the reference through hole as a reference; Etching away the portion of the second circuit layer exposed to the mask pattern; And laser drilling a lower portion of the third insulating layer exposed by the removal of the second circuit layer portion.
상기 제2 및 제3절연층은 프리프레그(prepreg)층으로 도입되고, 상기 제1 및 제2회로층은 동박층으로 도입될 수 있다. The second and third insulating layers may be introduced into a prepreg layer, and the first and second circuit layers may be introduced into a copper foil layer.
상기 도금층을 형성하기 이전에 상기 제2회로층, 상기 제3, 제1 및 제2절연층 및 상기 제1회로층을 관통하는 제2비아홀을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 도금층은 상기 제2비아홀을 채워 상기 제1외측 회로 패턴에 연결되고 상기 제2비아홀을 채우는 제2비아 및 상기 제2비아에 연결되는 제2외측 회로 패턴을 형성할 수 있다. And forming a second via hole penetrating the second circuit layer, the third, first and second insulating layers, and the first circuit layer prior to forming the plating layer, wherein the plating layer comprises: A second via hole may be filled to form a second via that fills the second via hole, and a second outer circuit pattern connected to the second via may be formed.
상기 도금층은 상기 제1 및 제2비아, 및 상기 제1 및 제2외측 회로 패턴들이 위치할 부분에만 선택적으로 도금하는 패턴 도금 과정으로 형성될 수 있다. The plating layer may be formed by a pattern plating process of selectively plating only the portions where the first and second vias and the first and second outer circuit patterns are located.
상기 도금층은 상기 제1 및 제2회로층 상에 상기 제1 및 제2비아홀들을 채우게 도금되고, 상기 도금층을 선택적으로 식각하여 상기 제1 및 제2비아, 및 상기 제1 및 제2외측 회로 패턴들을 형성하는 이미지 패터닝(image patterning) 단계를 더 포함할 수 있다. The plating layer is plated to fill the first and second via holes on the first and second circuit layers, and selectively etches the plating layer to form the first and second vias and the first and second outer circuit patterns. Image patterning may be further included.
상기 제2비아홀을 형성하는 단계는 상기 제2회로층, 상기 제3, 제1 및 제2절연층 및 상기 제1회로층을 관통하게 기계적 드릴(mechanical drilling)을 수행하는 단계를 포함할 수 있다. The forming of the second via hole may include performing mechanical drilling through the second circuit layer, the third, first and second insulating layers, and the first circuit layer. .
본 발명의 다른 일 관점은, 제1절연층 상에 실장된 제어칩(controller chip); 상기 제어칩이 매몰되게 상기 제1절연층 상에 적층되고 표면에 제1외측 회로 패턴을 가지는 제2절연층; 상기 제1절연층 하면에 적층되고 표면에 제2외측 회로 패턴을 가지는 제3절연층; 및 상기 제어칩과 상기 제1외측 회로 패턴을 연결하게 상기 제2절연층을 관통하는 제1비아(via)를 포함하는 제어칩 내장형 인쇄회로기판(PCB)을 제시한다. Another aspect of the invention, the controller chip (controller chip) mounted on the first insulating layer; A second insulating layer laminated on the first insulating layer so that the control chip is buried and having a first outer circuit pattern on a surface thereof; A third insulating layer laminated on a lower surface of the first insulating layer and having a second outer circuit pattern on a surface thereof; And a first via penetrating through the second insulating layer to connect the control chip and the first outer circuit pattern to provide a control chip embedded printed circuit board (PCB).
상기 제2, 제1 및 제3 절연층들을 관통하여 상기 제1 및 제2외측 회로 패턴들을 연결하는 제2비아를 더 포함하는 제어칩 내장형 인쇄회로기판(PCB)을 제시할 수 있다. A control chip embedded printed circuit board (PCB) further including a second via connecting the first and second outer circuit patterns through the second, first and third insulating layers may be provided.
본 발명의 다른 일 관점은, 제1절연층 상에 실장된 제어칩(controller chip); 상기 제어칩이 매몰되게 상기 제1절연층 상에 적층되고 표면에 제1외측 회로 패턴을 가지는 제3절연층; 상기 제1절연층 하면에 적층되고 표면에 제2외측 회로 패턴을 가지는 제2절연층; 상기 제어칩과 상기 제1외측 회로 패턴을 연결하게 상기 제3절연층을 관통하는 제1비아(via); 상기 제1외측 회로 패턴을 덮고 상기 제2외측 회로 패턴의 일부를 노출하는 솔더 마스크(solder mask); 상기 제1외측 회로 패턴 상측의 상기 솔더 마스크 부분에 실장된 다수의 반도체 칩들의 적층체; 상기 반도체 칩들의 적층체를 보호하는 몰딩부; 및 상기 솔더 마스크에 의해 노출된 상기 제2외측 회로 패턴 부분에 부착된 솔더 볼(solder ball)을 포함하는 다이스택(die stack) 패키지를 제시한다. Another aspect of the invention, the controller chip (controller chip) mounted on the first insulating layer; A third insulating layer laminated on the first insulating layer so that the control chip is buried and having a first outer circuit pattern on a surface thereof; A second insulating layer laminated on a lower surface of the first insulating layer and having a second outer circuit pattern on a surface thereof; A first via penetrating the third insulating layer to connect the control chip and the first outer circuit pattern; A solder mask covering the first outer circuit pattern and exposing a portion of the second outer circuit pattern; A stack of a plurality of semiconductor chips mounted on the solder mask portion above the first outer circuit pattern; A molding part protecting the stack of the semiconductor chips; And a solder ball attached to the second outer circuit pattern portion exposed by the solder mask.
본 발명의 다른 일 관점은, 절연층 상에 제1외측 회로 패턴들을 형성하는 단계; 상기 제1외측 회로 패턴들의 일부인 본딩 핑거(bonding finger) 부분 및 제어칩(controller chip)이 실장될 상기 절연층의 일부인 제어칩 랜드(land)부 부분을 여는 제1솔더 마스크(solder mask)를 형성하는 단계; 상기 제1솔더 마스크를 덮는 제3솔더 마스크층을 형성하는 단계; 상기 제3솔더 마스크층을 노광 및 현상하여 상기 본딩 핑거부 및 상기 제어칩 랜드부를 여는 제3솔더 마스크를 패터닝하는 단계; 상기 제1 및 제3솔더 마스크의 적층 부분에 의해 노출되는 상기 제어칩 랜드부 상에 제어칩을 실장하는 단계; 및 상기 제1 및 제3솔더 마스크의 적층 부분에 노출되는 상기 본딩 핑거부와 상기 제어칩을 본딩 와이어(bonding wire)로 연결하는 단계;를 포함하는 제어칩 내장형 인쇄회로기판(PCB) 제조 방법을 제시한다. Another aspect of the invention, forming the first outer circuit patterns on the insulating layer; A first solder mask is formed to open a portion of a bonding finger, which is part of the first outer circuit patterns, and a portion of a control chip land, which is a part of the insulating layer, on which a controller chip is to be mounted. Making; Forming a third solder mask layer covering the first solder mask; Exposing and developing the third solder mask layer to pattern a third solder mask that opens the bonding finger portion and the control chip land portion; Mounting a control chip on the control chip land portion exposed by the stacked portions of the first and third solder masks; And connecting the bonding finger portion exposed to the stacked portions of the first and third solder masks and the control chip with a bonding wire. present.
상기 제1외측 회로 패턴들이 형성된 상기 절연층의 일면에 대향되는 반대면 상에 제2외측 회로 패턴들을 형성하는 단계; 상기 제2외측 회로 패턴들의 일부인 볼 랜드(ball land)부 부분을 여는 제2솔더 마스크를 형성하는 단계; 상기 제2솔더 마스크를 덮는 제4솔더 마스크층을 형성하는 단계; 및 상기 제4솔더 마스크층을 노광 및 현상하여 솔더 볼(solder ball)이 접속될 상기 볼 랜드부를 여는 제4솔더 마스크를 형성하는 단계;를 더 포함하는 제어칩 내장형 인쇄회로기판(PCB) 제조 방법을 제시한다. Forming second outer circuit patterns on an opposite surface of the insulating layer on which the first outer circuit patterns are formed; Forming a second solder mask that opens a portion of a ball land portion that is part of the second outer circuit patterns; Forming a fourth solder mask layer covering the second solder mask; And exposing and developing the fourth solder mask layer to form a fourth solder mask that opens the ball land portion to which solder balls are to be connected. 6. To present.
상기 본딩 와이어의 높이가 상기 제3솔더 마스크의 표면보다 낮게 위치하게 상기 본딩 와이어가 연결될 수 있다. The bonding wire may be connected such that the height of the bonding wire is lower than the surface of the third solder mask.
본 발명의 다른 일 관점은, 절연층 상에 형성된 제1외측 회로 패턴들; 상기 제1외측 회로 패턴들의 일부인 본딩 핑거(bonding finger) 부분 및 제어칩(controller chip)이 실장될 상기 절연층의 일부인 제어칩 랜드(land)부 부분을 열게 이중층으로 적층된 제1 및 제3솔더 마스크(solder mask)의 적층체; 상기 제1 및 제3솔더 마스크의 적층체에 의해 노출되는 상기 제어칩 랜드부 상에 실장된 제어칩; 및 상기 제1 및 제3솔더 마스크의 적층 부분에 노출되는 상기 본딩 핑거부와 상기 제어칩을 연결하는 본딩 와이어(bonding wire);를 포함하는 제어칩 내장형 인쇄회로기판(PCB)을 제시한다. Another aspect of the invention, the first outer circuit patterns formed on the insulating layer; First and third solders stacked in a double layer to open a portion of a bonding finger, which is a part of the first outer circuit patterns, and a portion of a control chip land, which is a part of the insulating layer on which a controller chip is to be mounted. Stacks of solder masks; A control chip mounted on the control chip land portion exposed by the stack of the first and third solder masks; And a bonding wire connecting the bonding finger portion exposed to the stacked portions of the first and third solder masks to the control chip, wherein the control chip is a printed circuit board (PCB).
상기 제1외측 회로 패턴들이 형성된 상기 절연층의 일면에 대향되는 반대면 상에 형성된 제2외측 회로 패턴들; 및 상기 제2외측 회로 패턴들의 일부로 솔더 볼(solder ball)이 접속될 볼 랜드(ball land)부 부분을 열게 이중층으로 적층된 제2 및 제4솔더 마스크들의 적층체;를 포함하는 제어칩 내장형 인쇄회로기판(PCB)을 제시한다. Second outer circuit patterns formed on an opposite surface of the insulating layer on which the first outer circuit patterns are formed; And a stack of second and fourth solder masks stacked in a double layer to open a ball land portion to which solder balls are connected as part of the second outer circuit patterns. Present a circuit board (PCB).
본 발명의 다른 일 관점은, 절연층 상에 형성된 제1외측 회로 패턴들; 상기 제1외측 회로 패턴들의 일부인 본딩 핑거(bonding finger) 부분 및 제어칩(controller chip)이 실장될 상기 절연층의 일부인 제어칩 랜드(land)부 부분을 열게 이중층으로 적층된 제1 및 제3솔더 마스크(solder mask)의 적층체; 상기 제1 및 제3솔더 마스크의 적층체에 의해 노출되는 상기 제어칩 랜드부 상에 실장된 제어칩; 상기 제1 및 제3솔더 마스크의 적층 부분에 노출되는 상기 본딩 핑거부와 상기 제어칩을 연결하는 본딩 와이어(bonding wire); 상기 제3솔더 마스크 상에 접착층을 개재하여 실장된 다수의 반도체 칩들의 적층체; 및 상기 반도체 칩들의 적층체를 보호하고 상기 제어칩 및 상기 본딩 와이어를 보호하게 유입된 몰딩부;를 포함하는 다이스택(die stack) 패키지를 제시한다. Another aspect of the invention, the first outer circuit patterns formed on the insulating layer; First and third solders stacked in a double layer to open a portion of a bonding finger, which is a part of the first outer circuit patterns, and a portion of a control chip land, which is a part of the insulating layer on which a controller chip is to be mounted. Stacks of solder masks; A control chip mounted on the control chip land portion exposed by the stack of the first and third solder masks; A bonding wire connecting the bonding finger portion and the control chip exposed to the stacked portions of the first and third solder masks; A stack of a plurality of semiconductor chips mounted on the third solder mask via an adhesive layer; And a molding part which protects the stack of the semiconductor chips and protects the control chip and the bonding wire, and provides a die stack package.
상기 제1외측 회로 패턴들이 형성된 상기 절연층의 일면에 대향되는 반대면 상에 형성된 제2외측 회로 패턴들; 상기 제2외측 회로 패턴들의 일부로 볼 랜드(ball land)부 부분을 열게 이중층으로 적층된 제2 및 제4솔더 마스크들의 적층체; 및 상기 볼 랜드부에 접속된 솔더 볼(solder ball);을 포함하는 다이스택(die stack) 패키지를 제시한다. Second outer circuit patterns formed on an opposite surface of the insulating layer on which the first outer circuit patterns are formed; A stack of second and fourth solder masks stacked in a double layer to open a ball land portion as part of the second outer circuit patterns; And a solder ball connected to the ball land part.
본 발명에 따르면, 다수 개 적층된 반도체 칩들을 제어하는 제어칩을 내장한 인쇄회로기판(PCB) 및 제조 방법, 이에 의한 다이스택 패키지 구조를 제시할 수 있다. 반도체 칩 또는 전자 제품에 신호 전달 작동 및 제어 동작을 하는 제어칩을 PCB 내부에 실장시킬 수 있어, 본딩 와이어의 사용을 배제하거나 또는 억제할 수 있다. 이에 따라, 제어칩과 PCB 간의 신호 전달이 직접적으로 이루어질 수 있어, 신호 패스의 길이를 유효하게 감소시킬 수 있다. 신호 전달 속도를 향상시킬 수 있어, 전체 전자 제품 또는 다이스택 패키지의 동작 속도의 향상을 구현할 수 있다. 아울러, 본딩 와이어의 긴 길이에 의해 발생될 수 있는 와이어 간의 단락과 같은 패키지 불량을 유효하게 억제할 수 있어, 반도체 소자 패키지의 수율을 향상시킬 수 있다. According to the present invention, a printed circuit board (PCB) and a manufacturing method incorporating a control chip for controlling a plurality of stacked semiconductor chips and a die stack package structure according thereto can be provided. A control chip that performs a signal transfer operation and a control operation on a semiconductor chip or an electronic product can be mounted inside the PCB, thereby eliminating or suppressing the use of bonding wires. Accordingly, signal transmission between the control chip and the PCB can be made directly, so that the length of the signal path can be effectively reduced. The speed of signal transmission can be improved, resulting in an improvement in the operating speed of the entire electronics or die stack package. In addition, it is possible to effectively suppress a package defect such as a short circuit between wires, which may be caused by the long length of the bonding wire, thereby improving the yield of the semiconductor device package.
도 1 내지 도 10은 본 발명의 제1실시예에 따른 제어칩 내장형 인쇄회로기판(PCB) 및 제조 방법을 보여주는 단면도들이다.
도 11은 본 발명의 제1실시예에 따른 인쇄회로기판(PCB)을 채용한 다이스택 패키지를 보여주는 단면도이다.
도 12 내지 도 17은 본 발명의 제2실시예에 따른 제어칩 내장형 인쇄회로기판(PCB) 및 제조 방법을 보여주는 단면도들이다.
도 18은 본 발명의 제2실시예에 따른 인쇄회로기판(PCB)을 채용한 다이스택 패키지를 보여주는 단면도이다. 1 to 10 are cross-sectional views illustrating a control chip embedded printed circuit board (PCB) and a manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
11 is a cross-sectional view illustrating a die stack package employing a printed circuit board (PCB) according to a first embodiment of the present invention.
12 to 17 are cross-sectional views illustrating a control chip embedded printed circuit board (PCB) and a manufacturing method according to a second embodiment of the present invention.
18 is a cross-sectional view illustrating a die stack package employing a printed circuit board (PCB) according to a second embodiment of the present invention.
본 발명의 실시예는 인쇄회로기판(PCB) 내부에 제어칩(controller chip)을 실장시켜, 본딩 와이어의 길이를 단축시키거나 본딩 와이어를 배제시킬 수 있다. 제어칩과 PCB 간의 신호 전달을 직접적으로 전달되게 유도하여, 신호 전달 패스를 단축시킬 수 있어, 신호 전달 속도를 향상시키고 PCB 상에 실장되는 전자 제품, 특히, 다층으로 적층된 반도체 칩들의 적층 구조체들의 동작 속도를 향상시킬 수 있다. According to an embodiment of the present invention, a controller chip may be mounted inside a printed circuit board (PCB) to shorten the length of the bonding wire or exclude the bonding wire. By inducing signal transmission directly between the control chip and the PCB, it is possible to shorten the signal transmission path, thereby improving the signal transmission speed and reducing the stacking structure of electronic products mounted on the PCB, in particular, multilayered semiconductor chips. It can improve the operation speed.
도 1 내지 도 10은 본 발명의 제1실시예에 따른 제어칩 내장형 인쇄회로기판(PCB) 및 제조 방법을 보여주는 단면도들이다. 도 11은 본 발명의 제1실시예에 따른 인쇄회로기판(PCB)을 채용한 다이스택 패키지를 보여주는 단면도이다. 본 발명의 제1실시예에서는 PCB 내에 제어칩을 내장 또는 매몰시킨 내장형 인쇄회로기판(embedded PCB) 구조 및 이를 이용한 다이스택(die stack) 패키지 구조를 제시한다. 1 to 10 are cross-sectional views illustrating a control chip embedded printed circuit board (PCB) and a manufacturing method according to the first embodiment of the present invention. 11 is a cross-sectional view illustrating a die stack package employing a printed circuit board (PCB) according to a first embodiment of the present invention. The first embodiment of the present invention proposes an embedded PCB structure in which a control chip is embedded or embedded in a PCB, and a die stack package structure using the same.
도 1을 참조하면, 다수의 반도체 칩(chip)들이 다층으로 적층되어 패키지되는 다이스택 패키지 또는 다층 적층 칩 패키지(multi chip package)를 위한 인쇄회로기판(PCB)을 제조하기 위해서, 제1절연층(110)을 준비한다. 제1절연층(110)은 동박적층판(CCL)의 절연 코어(core)층이나 에폭시(epoxy) 수지층 또는 프리프레그(prepreg)층 등으로 준비될 수 있다. 회로 패턴들의 형성을 위해서, 제1절연층(110)의 양면에 제3회로층(120) 및 제4회로층(130)을 위한 동박층이 부착된 동박적층판 형태로 제1절연층(110)을 도입한다. Referring to FIG. 1, in order to manufacture a printed circuit board (PCB) for a die stack package or a multi chip package in which a plurality of semiconductor chips are stacked and packaged in a multi-layer, a first insulating layer Prepare 110. The first
도 2를 참조하면, 제3 및 제4회로층(120, 130)을 패터닝하여 제1절연층(110) 상에 기준 마크(fiducial mark: 131)를 형성한다. 이때, 기준 마크(131)와 함께 도시되지는 않았지만, 내측 회로 패턴들이 제3 및 제4회로층(120, 130)으로부터 패터닝될 수도 있다. 제3 및 제4회로층(120, 130) 상에 레지스트층 형성 및 노광, 현상 후 선택적 식각 과정을 수행하여 기준 마크(131) 또는 내측 회로 패턴들을 패터닝할 수 있다. Referring to FIG. 2, the third and
도 3을 참조하면, 제1절연층(110) 상에 제어칩(controller chip: 200)을 실장한다. 제어칩(200)은 다이스택 패키지 또는 다층 적층 칩 패키지에 실장되는 반도체 칩들의 적층체를 이루는 개개의 반도체 칩의 동작을 제어하는 역할을 하며, 본 발명의 실시예들에서는 다이스택 패키지의 동작 속도 개선을 위해 제어칩(200)과 PCB 간의 신호 전달 속도를 개선하고자 한다. Referring to FIG. 3, a
기준 마크(131)는 제어칩(200)의 실장 시 제어칩(200)이 올려질 제1절연층(110) 상의 위치를 검출하는 기준으로 이용된다. 기준 마크(131)를 검출함으로써, 제어칩(200)이 올려질 제1절연층(110) 부분의 정확한 위치를 검출할 수 있고, 제어칩(200)은 올려질 제1절연층(110) 부분에 정확하게 실장될 수 있다. The
도 4를 참조하면, 제1절연층(110) 하부에 제2절연층(310) 및 제1회로층(410)을 정렬하고, 제1절연층(110) 상에 제3절연층(330) 및 제2회로층(430)을 정렬한다. 제2 및 제3절연층(310, 330)들은 각각 프리프레그(prepreg)층과 같은 절연 수지의 시트(sheet)로 도입될 수 있다. 제1 및 제2회로층(410, 430)들은 PCB의 외측 회로 패턴들을 형성하기 위해서 도입되며, 동박층으로 도입될 수 있다. Referring to FIG. 4, the second insulating
제2회로층(430), 제3절연층(330), 제1절연층(110), 제2절연층(310) 및 제1회로층(410)을 정렬한 후 가열 가압으로 라미네이션(lamination)하여 적층한다. 이러한 적층 과정에 의해서 도 5에 제시된 바와 같이 적층된 구조가 이루어지며, 이때, 제어칩(200)은 제3절연층(330)에 함침되어 매몰되게 된다. After aligning the
도 6을 참조하면, 제2회로층(430), 제3절연층(330), 제1절연층(110), 제2절연층(310) 및 제1회로층(410)을 관통하는 기준 관통홀(501)을 형성한다. 기준 관통홀(501)은 엑스레이 가이드 드릴(X-ray guide drill) 과정으로 제2회로층(430), 제3절연층(330), 제1절연층(110), 제2절연층(310) 및 제1회로층(410) 부분을 선택적으로 제거하여 형성될 수 있다. X-ray로 홀의 관통 검사를 하며 드릴링 장치를 이용하여 기준 관통홀(501)을 형성할 수 있다. 이러한 기준 관통홀(501)은 후속 과정에서의 배선 회로 패턴들 및 비아홀들의 정합을 위해 도입될 수 있다. 기준 관통홀(501)은 제어칩(200)의 위치 정보를 제공하거나, 제어칩(200)을 노출할 비아홀이나 다른 관통 비아홀 또는 회로 패턴들이 형성될 위치 정보를 제공하기 위해서 도입된다. Referring to FIG. 6, a reference penetrating through the
이러한 기준 관통홀(501)은 기준 마크(131)의 위치에 형성됨으로써, 기준 마크(131)가 제공하는 제어칩(200)의 위치에 관한 정보를 계속하여 후속 과정 중에 제공할 수 있다. Since the reference through
도 7을 참조하면, 기준 관통홀(601)을 기준으로 이용하여 제어칩(200)의 위치를 검출하고, 제어칩(200)에의 전기적 연결을 위한 제1비아홀(via hole)이 형성될 위치(601)를 검출하고, 이러한 제1비아홀 위치(601)에 위치하는 제2회로층(430)의 부분을 노출하는 마스크 패턴(mask pattern: 600)을 형성한다. 마스크 패턴(600)은 드라이 필름(dry film)과 같은 레지스트층을 형성하고, 이를 노광 및 현상하여 형성할 수 있다. 이후에, 마스크 패턴(600)에 의해 노출되는 제2회로층(430) 부분을 선택적으로 식각 제거한다. 제2회로층(430) 부분의 제거에 의해 노출되는 제3절연층(330) 부분을 선택적으로 제거하는 레이저 드릴링(laser drilling) 과정을 수행하여, 도 8에 제시된 바와 같이, 제어칩(200)을 노출하는 제1비아홀(602)을 형성한다. 제어칩(200)에 형성되어 있는 전기적 연결을 위한 칩 패드(chip pad: 도시되지 않음) 부분을 제1비아홀(602)이 노출한다. 이후에, 마스크 패턴(600)을 선택적으로 제거한다. Referring to FIG. 7, the position of the
도 9를 참조하면, 제2회로층(430), 제3, 제1 및 제2절연층(330, 110, 310) 및 제1회로층(410)을 관통하는 제2비아홀(505)을 형성한다. 제2비아홀(505)은 PCB 기판을 관통하는 관통 연결 비아를 위해 형성된다. 이러한 제2비아홀(505)은 기계적 드릴(mechanical drill) 과정으로 형성된다. Referring to FIG. 9, a second via
도 10을 참조하면, 제1비아홀(602)을 채우는 구리 도금층을 제2회로층(430) 상에 형성하여, 제1비아홀(602)을 채워 제어칩(200)에 연결되는 제1비아(711) 및 제1비아(711)에 연결되는 제1외측 회로 패턴(713)을 형성한다. 도금층은 제2비아홀(505)을 채워 제1외측 회로 패턴(713)에 연결되는 제2비아(715)를 형성하고, 또한, 제1회로층(410) 상에 연장되게 형성되어, 제2외측 회로 패턴(717)을 형성한다. Referring to FIG. 10, a
제1비아(711), 제1외측 회로 패턴(713), 제2비아(715) 및 제2외측 회로 패턴(717)을 패터닝하는 과정은 제1 및 제2회로층(410, 430), 및 제1 및 제2비아홀(602, 505) 상에 도금 시드층(seeding layer: 도시되지 않음)을 형성하고, 도금 시드층 상에 도금층을 구리 도금으로 형성한 후, 도금층 상에 레지스트층(도시되지 않음)을 형성하고, 레지스트층을 노광 및 현상하여 이미지(image) 패턴 전사하여 레지스트 패턴을 형성하고, 이를 식각 마스크로 도금층을 선택적 식각하는 이미지 패터닝(image patterning) 과정으로 수행될 수 있다. 또는, 도금 시드층(도시되지 않음)을 형성한 후 레지스트층(도시되지 않음)을 형성하고, 레지스트층을 노광 및 현상하여 이미지(image) 패턴 전사하여 레지스트 패턴을 형성하고, 레지스트 패턴에 노출된 도금 시드층에만 선택적으로 도금층이 도금되도록 하는 패턴 도금(pattern plating) 과정으로 수행될 수도 있다. The process of patterning the first via 711, the first
제1비아(711) 및 제1외측 회로 패턴(713), 제2비아(715), 제2외측 회로 패턴(717)을 형성한 후, 도시되지는 않았지만, 솔더 마스크(solder mask)를 형성하고, 표면 처리(surface treatment)하고, 라우팅(routing)하여 최종 PCB를 도 11에 제시된 바와 같이 제작할 수 있다. After forming the first via 711 and the first
도 1 내지 도 10을 참조하여 설명한 바와 같이 제조된 제어칩 내장형 PCB는, 제1절연층(110) 상에 실장된 제어칩(controller chip: 200)을 포함하고, 제어칩(200)이 매몰되게 제1절연층(110) 상에 적층되고 표면에 제1외측 회로 패턴(713)을 가지는 제3절연층(330), 표면에 제2외측 회로 패턴(717)을 가지는 제2절연층(310), 제어칩(200)과 제1외측 회로 패턴(713)을 연결하게 제2절연층(310)을 관통하는 제1비아(via: 715)를 포함할 수 있다. 제1외측 회로 패턴(713)을 덮고 제2외측 회로 패턴(717)의 일부를 볼 랜드(ball land)부로 노출하는 솔더 마스크(solder mask: 800)가 솔더 레지스트로 형성될 수 있다. The control chip embedded PCB manufactured as described with reference to FIGS. 1 to 10 includes a
제1외측 회로 패턴(713) 상측의 솔더 마스크(800) 부분 상에 접착층(도시되지 않음)을 개재하여 다수의 반도체 칩(901)들의 적층체(900)가 부착 실장된다. 반도체 칩(901)들의 적층체(900)를 보호하는 몰딩부(molding: 950)가 에폭시몰딩재(EMC)를 이용한 몰딩 과정으로 형성된다. 솔더 마스크(800)에 의해 노출된 제2외측 회로 패턴(717) 부분에 외부 접속을 위한 접속 부재로서의 솔더 볼(solder ball: 850)이 부착되어 다이스택(die stack) 패키지가 구성된다. 도 11에 제시된 바와 같은 다이스택 패키지는 PCB 내의 제3절연층(330)에 제어칩(200)이 매몰되고, 제어칩(200)이 제1비아(711), 제1외측 회로 패턴(713), 제2비아 및 제2외측 회로 패턴(717)을 통해 솔더 볼(850)을 거쳐 외부로 전기적 접속될 수 있다. 따라서, 제어칩(200)과의 신호 전달 패스가, 제어칩(200)이 반도체 칩(901)들의 적층체(900) 상측에 부착되는 경우에 비해, 상당히 유효하게 단축될 수 있다. 이에 따라, 제어칩(200)과의 본딩 와이어 없이 직접적인 신호 전달이 가능하여, 신호 전달 속도를 향상시키고 수율을 증가시킬 수 있다. The
도 12 내지 도 17은 본 발명의 제2실시예에 따른 제어칩 내장형 인쇄회로기판(PCB) 및 제조 방법을 보여주는 단면도들이다. 도 18은 본 발명의 제2실시예에 따른 인쇄회로기판(PCB)을 채용한 다이스택 패키지를 보여주는 단면도이다. 본 발명의 제2실시예에서는 PCB 상에 솔더 마스크를 다층으로 형성하여, 솔더 마스크 내에 제어칩이 실장될 공간을 확보하여 PCB 내에 제어칩이 내장된 형태를 구성한 내장형 인쇄회로기판(embedded PCB) 구조 및 이를 이용한 다이스택(die stack) 패키지 구조를 제시한다. 이때, 다층의 솔더 마스크 구조는 멀티 프린트 솔더 레지스트(multi print solder resist) 방식, 즉, 솔더 레지스트층을 2번 또는 그 이상의 다수 번 형성하는 과정으로 구현될 수 있다. 12 to 17 are cross-sectional views illustrating a control chip embedded printed circuit board (PCB) and a manufacturing method according to a second embodiment of the present invention. 18 is a cross-sectional view illustrating a die stack package employing a printed circuit board (PCB) according to a second embodiment of the present invention. In the second embodiment of the present invention by forming a solder mask on the PCB in a multi-layer, to secure a space for mounting the control chip in the solder mask, the embedded printed circuit board (embedded PCB) structure consisting of a control chip embedded in the PCB And a die stack package structure using the same. In this case, the multi-layer solder mask structure may be implemented by a multi print solder resist method, that is, a process of forming a solder resist layer two or more times.
도 12를 참조하면, 다수의 반도체 칩(chip)들이 다층으로 적층되어 패키지되는 다이스택 패키지 또는 다층 적층 칩 패키지(multi chip package)를 위한 인쇄회로기판(PCB)을 제조하기 위해서, 절연층(10)을 준비한다. 절연층(10)은 동박적층판(CCL)의 절연 코어(core)층이나 에폭시(epoxy) 수지층 또는 프리프레그(prepreg)층 등으로 준비될 수 있다. 회로 패턴들의 형성을 위해서, 절연층(10)의 양면에 제1시드층(seeding layer: 21) 및 제2시드층(23)을 위한 동박층이 부착된 동박적층판 형태로 절연층(10)을 도입한다. Referring to FIG. 12, in order to manufacture a printed circuit board (PCB) for a die stack package or a multi chip package in which a plurality of semiconductor chips are stacked and stacked in multiple layers, an insulating
도 13을 참조하면, 제1 및 제2시드층(21, 23) 상에 구리 도금을 수행하여 도금층을 형성하고, 이미지 패턴 전사 후, 도금층을 패터닝하여 제1외측 회로 패턴들(22) 및 제2외측 회로 패턴(24)들을 형성한다. 이미지 패턴 전사 과정은 레지스트층을 형성하고, 노광 및 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 과정으로 수행되고, 도금층을 패터닝하는 과정을 레지스트 패턴을 식각 마스크로 노출된 도금층 부분을 선택적으로 식각 제거하는 과정으로 수행될 수 있다. 또는 패턴 도금 과정으로 제1 및 제2외측 회로 패턴들(22, 24)이 형성될 수 있다. Referring to FIG. 13, copper plating is performed on the first and second seed layers 21 and 23 to form a plating layer, and after the image pattern is transferred, the plating layer is patterned to form the first
제1 및 제2외측 회로 패턴들(22, 24)을 각각 덮는 제1솔더 마스크층(31) 및 제2솔더 마스크층(33)을 형성한다. 제1 및 제2솔더 마스크층(31, 33)은 대략 35㎛ 두께의 드라이 필름 솔더 레지스트(dry film solder resist)를 진공 라미네이션으로 부착하여 형성될 수 있다. A first
도 14를 참조하면, 제1외측 회로 패턴(22)들의 일부인 본딩 핑거(bonding finger: 25) 부분 및 제어칩(controller chip)이 실장될 절연층(10)의 일부인 제어칩 랜드(land)부(11) 부분을 여는 제1오픈부(opening: 41)를 가지는 제1솔더 마스크(solder mask: 32) 및 제2외측 회로 패턴(24)들의 일부인 볼 랜드(ball land)부(27) 부분을 여는 제2오픈부(43)를 가지는 제2솔더 마스크(34)를 패터닝한다. 제1 및 제2솔더 마스크층들(31, 33)을 제1노광 및 현상하고 큐어(cure)하여 제1 및 제2솔더 마스크들(32, 34)로 패터닝한다. 최종적인 제1 및 제2솔더 마스크들(32, 34)은 제1 및 제2외측 회로 패턴들(22, 24)들 상에 중첩되는 부분의 두께가 대략 25㎛ 정도 확보될 수 있다. Referring to FIG. 14, a portion of a
도 15를 참조하면, 제1솔더 마스크(32)를 덮고 제1오픈부(41)를 채우는 제3솔더 마스크층(35) 및 제2솔더 마스크(34)를 덮고 제2오픈부(43)를 채우는 제4솔더 마스크층(37)을 형성한다. 제3 및 제4솔더 마스크층(35, 37)은 대략 35㎛ 두께의 드라이 필름 솔더 레지스트(dry film solder resist)를 진공 라미네이션으로 부착하여 형성될 수 있다. Referring to FIG. 15, the
도 16을 참조하면, 제1외측 회로 패턴(22)들의 일부인 본딩 핑거(bonding finger: 25) 부분 및 제어칩(controller chip)이 실장될 절연층(10)의 일부인 제어칩 랜드(land)부(11) 부분을 여는 제3오픈부(opening: 45)를 가지는 제3솔더 마스크(solder mask: 36) 및 제2외측 회로 패턴(24)들의 일부인 볼 랜드(ball land)부(27) 부분을 여는 제4오픈부(47)를 가지는 제4솔더 마스크(38)를 패터닝한다. 제3 및 제4솔더 마스크층들(35, 37)을 제2노광 및 현상하고 큐어(cure)하여 제3 및 제4솔더 마스크들(36, 38)로 패터닝한다. 최종적인 제1 및 제3솔더 마스크들(32, 36)의 적층체는, 제1외측 회로 패턴들(22)들 상에 중첩되는 부분의 두께가 적어도 대략 60㎛ 정도 확보할 수 있다. Referring to FIG. 16, a portion of a
도 17을 참조하면, 제1 및 제3솔더 마스크(32, 36)의 적층 부분의 제3오픈부(45)에 의해 노출되는 제어칩 랜드부(11) 상에 제어칩(50)을 접착층(도시되지 않음)을 이용하여 부착 실장한다. 이후에, 제1 및 제3솔더 마스크(32, 36)의 적층 부분에 노출되는 본딩 핑거부(25)와 제어칩(50)을 본딩 와이어(bonding wire: 51)로 연결한다. 이때, 제어칩(50)이 실장되는 부분을 노출하는 제3오픈부(45)의 깊이는 제1외측 회로 패턴(22)의 높이인 대략 20㎛와 제1 및 제3솔더 마스크(32, 36)의 높이인 적어도 60㎛를 합한 대략 80㎛ 이상으로 확보될 수 있다. Referring to FIG. 17, the
제어칩(50)이 실장되는 제3오픈부(45)의 깊이를 충분히 확보할 수 있으므로, 제어칩(50)에 연결된 본딩 와이어(51)의 최정점의 높이가 제3솔더 마스크(36)의 표면 높이보다 낮게 유도할 수 있다. 이에 따라, 후속 반도체 칩들의 적층체가 실장될 때, 반도체 칩과 본딩 와이어(51)가 접촉되는 불량이 유효하게 억제될 수 있다. 이와 같이 본 발명의 제2실시예에서는 제어칩(50)이 실장될 제3오픈부(45)의 깊이를 깊게 확보하게, 2층 또는 그 이상의 솔더 마스크(32, 36)들을 적층하는 기술을 제시한다. Since the depth of the third
도 18을 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 다이스택 패키지는, 절연층(10) 상에 형성된 제1외측 회로 패턴(22)들, 제1외측 회로 패턴(22)들의 일부인 본딩 핑거(bonding finger: 25) 부분 및 제어칩(controller chip: 50)이 실장될 절연층(10)의 일부인 제어칩 랜드(land)부(11) 부분을 열게 이중층으로 적층된 제1 및 제3솔더 마스크(solder mask: 32, 36)의 적층체, 제어칩 랜드부(11) 상에 실장된 제어칩(50), 본딩 핑거부(25)와 제어칩(50)을 연결하는 본딩 와이어(bonding wire: 51), 접착층(63)을 개재하여 실장된 다수의 반도체 칩(61)들의 적층체(60); 및 반도체 칩(61)들의 적층체(60)를 보호하고 제어칩(50) 및 본딩 와이어(51)를 보호하게 유입된 EMC 몰딩부(70)를 포함하여 구성될 수 있다. 또한, 제2외측 회로 패턴(24)들의 일부인 볼 랜드부(27) 부분을 열게 이중층으로 적층된 제2 및 제4솔더 마스크(34, 38)들의 적층체를 포함하고, 볼 랜드부(27)에 접속된 솔더 볼(solder ball: 65)을 포함하여 다이스택 패키지가 구성될 수 있다. Referring to FIG. 18, in the die stack package according to the second embodiment of the present invention, a bonding finger which is part of the first
이와 같이 구성된 다이스택 패키지의 제어칩(50)은 이웃하는 제1외측 회로 패턴(22)의 본딩 핑거부(25)에 직접적으로 바로 본딩 와이어(51)로 연결될 수 있어, 본딩 와이어(51)의 길이를 유효하게 단축할 수 있다. 따라서, 제어칩(50)과의 신호 전달 속도를 개선하여, 다이스택 패키지 또는 이를 포함하는 전자 부품의 동작 속도를 향상시킬 수 있다. The
10, 110, 310, 330: 절연층, 22, 24, 713, 717: 회로 패턴,
25: 본딩 핑거부, 32, 34, 36, 38, 800: 솔더 마스크,
50, 200: 제어칩, 60, 900: 반도체 칩들의 적층체,
70, 950: EMC 몰딩부.10, 110, 310, 330: insulation layer, 22, 24, 713, 717: circuit pattern,
25: bonding finger portion, 32, 34, 36, 38, 800: solder mask,
50, 200: control chip, 60, 900: a stack of semiconductor chips,
70, 950: EMC molding.
Claims (20)
상기 기준 마크를 기준으로 이용하여 제어칩이 실장될 위치의 상기 제1절연층 부분 상에 상기 제어칩을 정렬하여 실장하는 단계;
상기 제1절연층 하부에 제2절연층 및 제1회로층을 정렬하고, 상기 제1절연층 상에 제3절연층 및 제2회로층을 정렬하여 상기 제3절연층에 상기 제어칩이 매몰되게 적층하는 단계;
상기 기준 마크에 중첩되는 상기 제2회로층, 제3, 제1 및 제2절연층 및 제1회로층 부분을 선택적으로 제거하여 기준 관통홀을 형성하는 단계;
상기 제2회로층 및 상기 제3절연층을 관통하여 상기 제어칩을 노출하는 제1비아홀을 상기 기준 관통홀을 기준으로 이용하여 상기 제1비아홀이 형성될 위치에 위치하도록 형성하는 단계;
상기 제2회로층, 상기 제3, 제1 및 제2절연층 및 상기 제1회로층을 관통하는 제2비아홀을 형성하는 단계;
상기 제1비아홀 및 상기 제2비아홀을 채우는 도금층을 상기 제2회로층 상에 형성하여, 상기 제1비아홀을 채워 상기 제어칩에 연결되는 제1비아 및 상기 제1비아에 연결되는 제1외측 회로 패턴을 형성하고, 상기 제2비아홀을 채워 상기 제1외측 회로 패턴에 연결되고 상기 제2비아홀을 채우는 제2비아 및 상기 제2비아에 연결되는 제2외측 회로 패턴을 형성하는 단계;
상기 제1외측 회로 패턴을 덮고 상기 제2외측 회로 패턴의 일부를 노출하는 솔더 마스크(solder mask)를 형성하는 단계;
상기 제1외측 회로 패턴 상측의 상기 솔더 마스크 부분 상에 상기 제어칩에 의해 동작이 제어될 다수의 반도체 칩들을 적층하는 단계;
상기 반도체 칩들이 적층된 적층체를 보호하는 몰딩부를 형성하는 단계; 및
상기 솔더 마스크에 의해 노출된 상기 제2외측 회로 패턴 부분에 솔더 볼(solder ball)을 부착하는 단계를 포함하는 다이스택(die stack) 패키지 제조 방법.
Forming a fiducial mark of the copper foil layer on the first insulating layer;
Arranging and mounting the control chip on the portion of the first insulating layer at the position where the control chip is to be mounted using the reference mark as a reference;
The control chip is buried in the third insulating layer by aligning a second insulating layer and a first circuit layer under the first insulating layer, and aligning a third insulating layer and a second circuit layer on the first insulating layer. Stacking;
Selectively removing portions of the second circuit layer, the third, first and second insulating layers, and the first circuit layer overlapping the reference mark to form a reference through hole;
Forming a first via hole through the second circuit layer and the third insulating layer to expose the control chip to a position where the first via hole is to be formed by using the reference through hole as a reference;
Forming a second via hole penetrating the second circuit layer, the third, first and second insulating layers, and the first circuit layer;
A plating layer filling the first via hole and the second via hole is formed on the second circuit layer to fill the first via hole, and the first via circuit connected to the control chip and the first outer circuit connected to the first via. Forming a pattern, filling the second via hole to form a second via circuit pattern connected to the first outer circuit pattern and filling the second via hole and a second outer circuit pattern connected to the second via;
Forming a solder mask covering the first outer circuit pattern and exposing a portion of the second outer circuit pattern;
Stacking a plurality of semiconductor chips whose operation is to be controlled by the control chip on the solder mask portion above the first outer circuit pattern;
Forming a molding part to protect the laminate in which the semiconductor chips are stacked; And
Attaching a solder ball to the second outer circuit pattern portion exposed by the solder mask.
상기 제1비아홀을 형성하는 단계는
상기 기준 관통홀을 기준으로 이용하여 상기 제1비아홀이 형성될 위치에 위치하는 상기 제2회로층의 부분을 노출하는 마스크 패턴을 형성하는 단계;
상기 마스크 패턴에 노출된 상기 제2회로층 부분을 식각 제거하는 단계; 및
상기 제2회로층 부분의 제거에 의해 노출되는 하부의 상기 제3절연층 부분을 레이저 드릴(laser drill)하는 단계를 포함하는 다이스택(die stack) 패키지 제조 방법.
The method of claim 1,
Forming the first via hole
Forming a mask pattern exposing a portion of the second circuit layer positioned at a position where the first via hole is to be formed using the reference through hole as a reference;
Etching away the portion of the second circuit layer exposed to the mask pattern; And
A method of fabricating a die stack package comprising laser drilling a lower portion of the third insulating layer exposed by removal of the second circuit layer portion.
상기 제2 및 제3절연층은 프리프레그(prepreg)층으로 도입되고,
상기 제1 및 제2회로층은 동박층으로 도입되는 다이스택(die stack) 패키지 제조 방법.
The method of claim 1,
The second and third insulating layers are introduced into the prepreg layer,
The first and second circuit layer is a die stack package manufacturing method introduced into the copper foil layer.
상기 도금층은
상기 제1 및 제2비아, 및 상기 제1 및 제2외측 회로 패턴들이 위치할 부분에만 선택적으로 도금하는 패턴 도금 과정으로 형성되는 다이스택(die stack) 패키지 제조 방법.
The method of claim 1,
The plating layer is
The die stack package manufacturing method of claim 1, wherein the first and second vias, and a pattern plating process for selectively plating only the portion where the first and second outer circuit patterns are to be located.
상기 도금층은
상기 제1 및 제2회로층 상에 상기 제1 및 제2비아홀들을 채우게 도금되고,
상기 도금층을 선택적으로 식각하여 상기 제1 및 제2비아, 및 상기 제1 및 제2외측 회로 패턴들을 형성하는 이미지 패터닝(image patterning) 단계를 더 포함하는 다이스택(die stack) 패키지 제조 방법.
The method of claim 1,
The plating layer is
Plated to fill the first and second via holes on the first and second circuit layers,
And image patterning to selectively etch the plating layer to form the first and second vias and the first and second outer circuit patterns.
상기 제2비아홀을 형성하는 단계는
상기 제2회로층, 상기 제3, 제1 및 제2절연층 및 상기 제1회로층을 관통하게 기계적 드릴(mechanical drilling)을 수행하는 단계를 포함하는 다이스택(die stack) 패키지 제조 방법.
The method of claim 1,
Forming the second via hole
And performing mechanical drilling through the second circuit layer, the third, first and second insulating layers, and the first circuit layer.
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