[go: up one dir, main page]

KR101264717B1 - 반투과형 액정표시패널 및 그 제조방법 - Google Patents

반투과형 액정표시패널 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101264717B1
KR101264717B1 KR1020070029293A KR20070029293A KR101264717B1 KR 101264717 B1 KR101264717 B1 KR 101264717B1 KR 1020070029293 A KR1020070029293 A KR 1020070029293A KR 20070029293 A KR20070029293 A KR 20070029293A KR 101264717 B1 KR101264717 B1 KR 101264717B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
coupling capacitor
liquid crystal
insulating film
pixel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1020070029293A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080087288A (ko
Inventor
김현호
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020070029293A priority Critical patent/KR101264717B1/ko
Priority to EP07024802.6A priority patent/EP1975690B1/en
Priority to JP2007341168A priority patent/JP4764871B2/ja
Priority to CN2007103063182A priority patent/CN101276108B/zh
Priority to US11/966,836 priority patent/US7859618B2/en
Publication of KR20080087288A publication Critical patent/KR20080087288A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101264717B1 publication Critical patent/KR101264717B1/ko
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00—Function characteristic
    • G02F2203/30—Gray scale

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

본 발명은 화소영역의 반사부에 형성된 커플링 캐패시터를 통해 반사곡선과 투과곡선을 매칭시킴으로써, 화소영역의 반사부 및 투과부에 균일한 그레이 계조가 형성되는 반투과 액정표시패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반투과형 액정표시패널은, 기판상에 형성되는 게이트 라인; 게이트 라인과 교차 형성되어 투과부와 반사부로 구성된 화소영역을 정의하는 데이터 라인; 게이트 라인 및 데이터 라인의 교차 영역에 형성되는 박막 트랜지스터; 박막 트랜지스터를 덮는 보호막 상에 형성되는 제 1 절연막; 화소영역의 투과부에 형성되어 입사광을 반사시키는 반사전극; 반사전극을 덮는 제 2 절연막 상에 형성되며 접촉홀을 통해 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 접속되는 화소전극; 및 드레인 전극으로부터 공급되는 데이터 전압에 따라 상기 반사부의 반사곡선을 정규화시켜 상기 투과부의 투과곡선에 매칭 시키는 커플링 캐패시터를 포함하여 구성된다.

Description

반투과형 액정표시패널 및 그 제조방법{Liquid Display Pnel of Transflective Type And Fabricating Method Thereof}
도 1은 종래 듀얼 갭 구조를 갖는 반투과형 액정표시패널의 구성 단면도.
도 2는 종래 단일 갭 구조를 갖는 반투과형 액정표시패널의 반사곡선 및 투과곡선을 도시한 도면.
도 3은 본 발명에 따른 반투과형 액정표시패널의 평면도.
도 4는 도 3에서 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절취한 액정표시패널의 구성 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 반투과형 액정표시패널의 등가 회로도.
도 6은 본 발명에 따른 반투과형 액정표시패널을 구성하는 화소영역의 반사부에 형성되는 정규화된 반사곡선과 투과부에 형성되는 투과곡선의 관계도.
도 7a 내지 도 7f는 본 발명에 따른 액정표시패널의 제조 공정도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
101 : 기판 102 : 게이트라인
104 : 게이트 전극 106 : 게이트 절연막
108 : 데이터 라인 110 : 소스전극
112 : 드레인 전극 114 : 화소영역
114a : 반사부 114b : 투과부
TR : 박막 트랜지스터 115 : 반도체 패턴
115a : 활성층 115b : 오믹 접촉층
116 : 보호막 118 : 제 1 절연막
120 : 반사전극 122 : 제 2 절연막
124 : 접촉홀 126 : 화소전극
128 : 커플링 캐패시터 128a : 제 1 커플링 캐패시터
128b : 제 2 커플링 캐패시터
본 발명은 반투과형 액정표시패널 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 화소영역의 반사부에 형성된 커플링 캐패시터를 통해 반사곡선과 투과곡선을 매칭시킴으로써 화소영역에 균일한 계조값을 갖는 반투과형 액정표시패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.
액정표시장치(Liquid Crystal Display; LCD)는 전계를 이용하여 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시하게 된다. 이러한 액정표시장치는 액정을 구동시키는 전계의 방향에 따라 수직 전계 인가형과 수평 전계 인가형으로 대별된다.
수직 전계 인가형 액정표시장치는 상부기판상에 형성된 공통전극과 하부기판 상에 형성된 화소전극이 서로 대향되게 배치되어 이들 사이에 형성되는 수직 전계에 의해 TN(Twisted Nematic)모드의 액정을 구동하게 된다. 이러한 수직 전계형 액정표시장치는 개구율이 큰 장점을 가지는 반면에 시야각이 90도 정도로 좁은 단점을 가진다.
수평 전계 인가형 액정표시장치는 하부기판에 나란하게 배치된 화소전극과 공통전극 간의 수평전계에 의해 인 플레인 스위치(In Plane Switch; 이하, IPS 모드라 함)모드의 액정을 구동하게 된다. 이러한 수평 전계형 액정표시장치는 시야각이 160도 정도로 넓은 장점을 가진다.
또한, 액정표시장치는 백라이트 유닛으로부터 입사되는 광을 이용하여 화상을 표시하는 투과형과, 자연광과 같은 외부광을 반사시켜 화상을 표시하는 반사형으로 대별된다. 여기서, 투과형은 백라이트 유닛의 전력 소모가 큰 반면에, 반사형은 외부광에 의존함에 따라 어두운 환경에서는 화상을 표시할 수 없는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 백라이트 유닛을 이용하는 투과 모드와 외부광을 이용하는 반사 모드가 선택 가능한 반투과형 액정 표시 장치가 대두되고 있다. 반투과형 액정 표시 장치는 외부광이 충분하면 반사 모드로, 불충분하면 백라이트 유닛을 이용한 투과 모드로 동작하게 되므로 투과형 보다 소비 전력을 줄일 수 있으면서 반사형과 달리 외부광의 제약을 받지 않게 된다.
이하, 도 1을 참조하여 종래의 반투과형 액정표시장치의 구성 및 동작에 대 해 설명한다.
반투과 수평 전계형 액정표시장치는 화소영역이 투과부와 반사부로 구분되어 수직평전계에 의해 액정이 구동되는 것으로서, 도 1에 도시된 바와 같이, 다수개의 배선과 박막 트랜지스터가 형성된 박막 트랜지스터 기판(11)과, 상기 박막 트랜지스터 기판(11)에 대향하는 컬러필터기판(21)과, 두 기판 사이의 셀 갭에 충진된 액정층(16)을 포함하여 구성된다.
여기서, 박막 트랜지스터 기판에는 상호 교차 형성되어 화소영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인과, 그 교차부에 형성된 박막 트랜지스터와, 반사부에 형성된 유기 절연막(18)과, 유기 절연막(18) 상에 형성되며 외부로부터 입사되는 광을 반사시키는 반사전극(60)과, 투과부에 상기 반사전극(60)과 동일층으로 형성되는 화소전극(17)과, 상기 반사전극(60) 및 화소전극(17)을 덮는 보호막(16)과, 상기 보호막(16) 상에 형성되며 화소전극(17)과 함께 수평 전계를 형성하는 공통전극(24)을 포함하여 구성된다.
여기서, 종래의 반투과형 수평 전계형 액정표시장치는 투과부에 형성된 셀 갭은 반사부에 형성된 유기 절연막(60)으로 인하여 반사부의 셀 갭과 비교하여 약 2배 정도 큰 듀얼 셀 갭 구조를 갖고, 이에 의해 반사부와 투과부 사이의 위상차가 보상됨에 따라 화소 영역에 대해 동일한 휘도 특성을 달성하였다.
그러나, 상술한 바와 같이 화소영역에 동일한 휘도 특성을 달성하기 위해 듀얼 셀 갭 구조를 형성하기 위해서는, 반사부 영역에 유기 절연막(60)을 형성하기 위한 별도의 공정이 요구됨에 따라 공정이 복잡할 뿐만 아니라 공정 효율이 떨어진 다는 문제점이 있었다.
상술한 바와 같은 듀얼 셀 갭을 갖는 반투과형 액정표시장치의 문제점을 해소하기 위한 방안으로써, 단차 특성이 우수한 유기 절연물질을 통해 화소영역의 반사부와 투과부 사이의 단차를 제거하여 단일 셀 갭 구조를 갖는 반투과형 액정표시장치가 개발되고 있다.
그러나, 상술한 바와 같이 구성된 단일 샐 갭 구조의 반투과형 액정표시장치의 경우, 도 2에 도시된 바와 같이, 화소영역의 반사부 및 투과부에 위치하는 액정층의 유효 굴절률 차이로 인하여 반사부의 반사곡선과 투과부의 투과곡선이 상호 매칭되지 않았다.
따라서, 종래 단일 갭 구조를 갖는 반투과형 액정표시패널은 반사부의 반사곡선과 투과부의 투과곡선을 상호 매칭시킬 수 없었고, 이에 의해 화소영역을 구성하는 반사부 및 투과부에 상이한 그레이 계조가 형성된다는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 화소영역의 반사부에 형성된 커플링 캐패시터를 통해 반사곡선과 투과곡선을 매칭시킴으로써, 화소영역에 균일한 계조를 형성할 수 있는 반투과형 액정표시패널 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 반투과형 액정표시널은 기판 상에 형성되는 게이트 라인; 게이트 라인과 교차 형성되어 투과부와 반사부로 구성된 화소영역을 정의하는 데이터 라인; 게이트 라인 및 데이터 라인의 교차 영역에 형성되는 박막 트랜지스터; 박막 트랜지스터를 덮는 보호막 상에 형성되는 제 1 절연막; 화소영역의 투과부에 형성되어 입사광을 반사시키는 반사전극; 반사전극을 덮는 제 2 절연막 상에 형성되며 접촉홀을 통해 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 접속되는 화소전극; 및 드레인 전극으로부터 공급되는 데이터 전압에 대한 반사부의 반사곡선을 정규화시켜 상기 투과부의 투과곡선에 매칭시키는 커플링 캐패시터를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
여기서, 본 발명에 따른 제 1 절연막은 포토 아크릴 등의 유기절연물질로 구성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 제 2 절연막은 무기절연물질로 구성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 커플링 캐패시터는 반사전극과, 제 1 절연막을 사이에 두고 반사전극과 중첩되는 드레인 전극으로 구성된 제 1 커플링 캐패시터; 및 화소전극과, 제 2 절연막을 사이에 두고 화소전극과 중첩되는 반사전극으로 구성된 제 2 커플링 캐패시터를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 제 1 및 제 2 커플링 캐패시터는 병렬 접속된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 제 2 커플링 캐패시터의 정전용량은 반사부에 형성되는 화소전극의 면적에 연동하여 가변되는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 반투과형 액정표시패널의 제조 방법은. 기판상에 게이트 라인을 형성하는 단계; 게이트 라인과 교차되어 투과부와 반사부로 구성된 화소영역을 정의하는 데이터 라인을 형성하는 단계; 게이트 라인 및 데이터 라인의 교차 영역에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 박막 트랜지스터를 덮는 보호막 상에 제 1 절연막을 형성하는 단계; 화소영역의 투과부에 입사광을 반사시키는 반사전극을 형성하는 단계; 반사전극(120)을 덮는 제 2 절연막 상에 접촉홀을 통해 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 접속되는 화소전극을 형성하는 단계; 및 드레인 전극으로부터 공급되는 데이터 전압에 따라 반사부의 반사곡선을 정규화시켜 투과부의 투과곡선에 매칭 시키는 커플링 캐패시터를 형성하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 이점들은 첨부 도면을 참조한 본 발명의 바람직한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 반투과형 액정표시패널 및 그 제조방법에 대해 설명한다.
먼저, 도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명에 따른 반투과형 액정표시패널의 구성 및 동작에 대해 설명한다.
본 발명에 따른 반투과형 액정표시패널(100)은, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(102)상에 형성되는 게이트 라인(102)과, 게이트 라인(102)과 교차 형성되어 투과부와 반사부로 구성된 화소영역을 정의하는 데이터 라인(108)과, 두 라인의 교차부에 형성된 박막 트랜지스터(TR)와, 박막 트랜지스터(TR)를 덮는 보호막(116) 상에 형성되는 제 1 절연막(118)과, 화소영역의 투과부에 형성되어 입사광 을 반사시키는 반사전극(120)과, 반사전극(120)을 덮는 제 2 절연막(122) 상에 형성되며 접촉홀(124)을 통해 박막 트랜지스터(TR)와 접속되는 화소전극(126) 및 스토리지 캐패시터로부터 공급되는 데이터 전압의 충방전을 통해 상기 반사부의 반사곡선을 정규화시켜 상기 투과부의 투과곡선에 매칭시키는 커플링 캐패시터(128)를 포함하여 구성된다.
게이트 라인(102)은 게이트 패드에 접속된 게이트 드라이버(미도시)로부터 공급되는 게이트 신호를 박막 트랜지스터(TR)를 구성하는 게이트 전극(104)으로 전달한다.
데이터 라인(108)은 데이터 패드에 접속된 데이터 드라이버(미도시)로부터 공급되는 데이터 신호를 게이트 전극(104)의 온/오프에 연동하여 박막 트랜지스터(TR)를 구성하는 소스전극(110) 및 드레인 전극(112)으로 전달한다.
여기서, 데이터 라인(108)은 게이트 절연막(106)을 사이에 두고 게이트 라인(102)과 교차 형성되어 반사부(114a) 및 투과부(114b)로 구성된 화소영역(114)을 정의한다.
박막 트랜지스터는(TR)는 게이트 라인(102)의 게이트 신호에 응답하여 데이터 라인(108)의 화소 신호를 화소 전극(126)에 충전시키는 것으로서, 게이트 라인(102)에 접속된 게이트 전극(104)과, 데이터 라인(108)에 접속된 소스 전극(110)과, 채널을 사이에 두고 소스전극(110)과 대향되는 동시에 접촉홀(124)을 통해 화소 전극(126)에 접속된 드레인 전극(112)을 구비한다.
이때, 박막 트랜지스터(TR)는 게이트 절연막(106)을 사이에 두고 게이트 전 극(104)과 대응되게 형성되어 채널을 형성하는 활성층(115a)과, 활성층(115a) 상에 형성되며 소스전극(110) 및 드레인 전극(112)과 오믹 접촉을 수행하는 오믹 접촉층(115b)으로 구성된 반도체 패턴(115)을 더 포함하여 구성된다.
반사전극(120)은 박막 트랜지스터(TR)가 형성된 화소영역(114)의 반사부(114a)를 덮는 제 1 절연막(118) 상에 형성되며, 컬러필터기판을 통해 입사되는 외부광을 컬러필터기판 방향으로 반사시키는 역할을 수행한다.
이때, 반사전극(120)은 제 1 절연막(118)을 사이에 두고 박막 트랜지스터(TR)의 드레인 전극(112)과 중첩되도록 구성되며 화소영역(114)의 반사부(114a)에 커플링 캐패시터(128)를 구성하는 제 1 커플링 캐패시터(128a)를 형성한다.
여기서, 제 1 절연막(118)이 평탄화 특성이 양호한 포토 아크릴 등의 절연물질로 구성되며, 칼라필터기판으로부터 입사되는 입사광을 산란시켜 반사효율을 증가시키기 위해 그 표면이 엠보싱 처리된다.
이때, 제 1 커플링 캐패시터(128a)는 제 1 절연막(118)이 포토 아크릴 등의 유기절연물질로 구성됨에 따라 작은 전기용량을 갖고, 이에 의해 스토리지 캐패시터(Cst)로부터 입력되는 데이터 전압에 대한 충방전을 빨리 수행함에 따라 화소영역(114)의 반사부(114a)에 급격히 변화되는 반사곡선(RV)을 형성한다.
화소전극(126)은 반사전극(120)을 덮는 제 2 절연막(122) 상에 형성되며 공통전극과 함께 액정 배향을 위한 수직 전계를 형성하는 것으로서, 제 2 절연막(122), 제 1 절연막(118) 및 보호막(116)을 관통하는 접촉홀(124)을 통해 박막 트랜지스터(TR)의 드레인 전극(112)과 전기적으로 접속된다.
여기서, 화소전극(126)은 무기절연물질로 구성된 제 2 절연막(122)을 사이에 두고 반사전극(120)과 중첩되게 구성되어 화소영역(114)의 반사부(114a)에 커플링 캐패시터(128)를 구성하는 제 2 커플링 캐패시터(128b)를 형성한다.
이때, 제 2 커플링 캐패시터(128b)는 제 2 절연막(122)이 무기절연물질로 구성됨에 따라 큰 전기용량을 갖고, 이에 의해 스토리지 캐패시터(Cst)로부터 공급되는 데이터 전압의 충방전을 서서히 수행함에 따라 화소영역(114)의 반사부(114a)에 완만히 변화하는 반사곡선을 형성한다.
여기서, 제 2 커플링 캐패시터(128b)의 전기용량은 제 2 절연막(122)을 사이에 두고 반사전극과 중첩되는 화소전극(126)의 면적, 예를 들면 화소영역(114)의 반사부(114a)에 형성되는 면적을 변화시킴으로써 다양한 값으로 조정된다.
커플링 캐패시터(128)는 스토리지 캐패시터(Cst)로부터 공급되는 데이터 전압의 충방전을 조정하여 반사부(114a)의 반사곡선을 정규화시켜 투과부(114b)의 투과곡선과 매칭시키는 것으로서, 도 5에 도시된 바와 같이, 화소영역(114)의 반사부(114a)에 적어도 2개의 캐패시터(이하, 제 1 및 제 2 결합 캐패시터라 칭함)가 병렬 접속된 형태로 구성된다.
여기서, 제 1 커플링 캐패시터(128a)는 화소영역(114)의 반사부(114a)에 형성된 반사전극(120)과, 포토 아크릴 등의 유기절연물질로 구성된 제 1 절연막(118)을 사이에 두고 상기 반사전극(120)과 중첩되게 형성되는 박막 트랜지스터(TR)의 드레인 전극(112)으로 구성된다.
이때, 제 1 커플링 캐패시터(128a)는 제 1 절연막(118)이 포토 아크릴 등의 유기절연물질로 구성되어 작은 전기용량을 갖도록 구성됨에 따라, 도 5에 도시된 바와 같이, 스토리지 캐패시터(Cst)로부터 공급되는 데이터 전압에 대한 충방전을 빨리 수행하여 화소영역(114)의 반사부(114a)에 급격히 변화되는 반사곡선(RV1)을 형성한다.
제 2 커플링 캐패시터(128b)는 화소영역(114)의 반사부(114a)에 형성되는 화소전극(126)과, 무기절연물질로 구성된 제 2 절연막(122)을 사이에 두고 상기 화소전극(126)과 중첩되게 형성되는 반사전극(120)으로 구성된다.
이때, 제 2 커플링 캐패시터(128b)는 제 2 절연막(122)이 두께가 얇은 무기절연물질로 구성되어 큰 전기용량을 갖도록 구성됨에 따라, 도 5에 도시된 바와 같이, 스토리지 캐패시터(Cst)로부터 공급되는 데이터 전압에 대한 충방전을 서서히 수행하여 화소영역(114)의 반사부(114a)에 완만히 변화되는 반사곡선(RV2)을 형성한다.
상술한 바와 같이 커플링 캐패시터(128)를 구성하는 제 1 및 제 2 커플링 캐패시터(128a, 128b)가 병렬 접속된 형태로 구성됨에 따라, 도 6에 도시된 바와 같이, 화소영역(114)의 반사부(114a)에 공급되는 데이터 전압의 충방전에 의해 형성되는 제 1 및 제 2 반사곡선이 정규화되어 화소영역(114)의 투과부(114b)에 형성되는 투과곡선과 상호 매칭된다.
즉, 화소영역(114)의 반사부(114a)에 형성된 커플링 캐패시터(128)를 통해 반사부(114a)의 반사곡선을 정규화시켜 투과부(114b)의 투과곡선과 상호 매칭됨에 따라, 화소영역(114)의 반사부(114a) 및 투과부(114b)에는 균일한 그레이 계조값이 형성된다.
이하, 도 7a 내지 도 7f를 참조하여 본 발명에 따른 반투과형 액정표시패널의 제조방법에 대해 상세히 설명한다.
도 7a에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 제 1 마스크 공정을 통해 기판(101)상에 게이트 라인(102) 및 게이트 전극(104)을 포함하는 제 1 도전성 패턴을 형성한다.
이를 보다 구체적으로 설명하면, 기판(101) 상에 스퍼터링 방법 등의 증착 방법을 통해 게이트 금속층을 형성한다.
여기서, 게이트 금속층은 알루미늄(Al)계 금속, 구리(Cu), 크롬(Cr), 몰리브덴 등을 포함하는 적어도 1층구조 또는 알루미늄/네오듐(AlNd)과 몰리브덴(Mo)이 순차적으로 적층된 2층 구조로 형성된다.
게이트 금속층 상에 포토레지스트를 전면 도포한 후 제 1 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 수행함으로써, 게이트 금속층 중에서 제 1 도전성 패턴이 형성될 영역을 제외한 나머지 영역을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성한다,
이후, 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 게이트 금속층을 에칭한 후 잔류하는 포토레지스트 패턴에 대한 애싱공정을 수행함으로써, 기판(101)상에 제 1 도전성 패턴을 구성하는 게이트 라인(102) 및 상기 게이트 라인(102)에 접속된 게이트 전극(104)을 구성하는 제 1 도전성 패턴을 최종적으로 형성한다.
도 7b에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 제 2 마스크 공정을 통해 제 1 도전성 패턴을 덮는 게이트 절연막(106) 상에 채널 및 오믹 접촉을 형성하는 반도 체 패턴(115)을 형성한다.
이를 보다 구체적으로 설명하면, 제 1 도전성 패턴이 형성된 기판(101)상에 게이트 절연막(106)을 전면 형성한 후, 게이트 절연막(106) 상에 a-Si층 및 n+실리콘층으로 구성된 반도체층을 순차적으로 형성한다.
이후, 반도체층 상에 포토레지스트를 전면 도포한 후 제 2 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 수행함으로써, 박막 트랜지스터(TR)의 채널영역을 제외한 나머지 영역에 형성된 반도체층을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성한다.
이때, 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 반도체층을 순차적으로 에칭한 후 잔류하는 포토레지트 패턴을 제거함으로써, 본 발명에 따른 채널을 형성하는 활성층(115a) 및 오믹 접촉을 수행하는 오믹 접촉층(115b)으로 구성된 반도체 패턴(115)을 형성한다.
도 7c에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 제 3 마스크 공정을 통해 반도체 패턴(115)이 형성된 기판(101)상에 데이터 라인(108), 데이터 라인(108)에 접속되는 소스전극(110) 및 드레인 전극(112)을 포함하여 구성된 제 2 도전성 패턴을 형성한다.
이를 보다 구체적으로 설명하면, 반도체 패턴(115)이 형성된 게이트 절연막(106) 상에 데이터 금속층을 전면 증착시킨다.
이후, 데이터 금속층 상에 포토레지스트를 전면 형성한 후, 본 발명에 따른제 3 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 수행하여 데이터 금속층 중에서 제 2 도전성 패턴이 형성될 영역을 제외한 나머지 영역을 노출시키는 포토레지스트 패턴 을 형성한다.
이때, 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 데이터 금속층을 에칭한 후 잔류하는 포토레지스트 패턴을 애싱함으로써, 본 발명에 따른 데이터 라인(108), 데이터 라인(108)에 접속되는 소스전극(110) 및 채널을 사이에 두고 소스전극(110)과 대향하는 드레인 전극(112)으로 구성된 제 2 도전성 패턴을 형성한다.
여기서, 본 발명에 따른 반도체 패턴과 제 2 도전성 패턴은 반투과 마스크 또는 회절노광 마스크를 통해 동시에 형성될 수 있다.
도 7d에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 제 4 마스크 공정을 통해 화소영역(114)의 반사부(114a)에 입사광을 반사시키기 위한 반사전극(120)을 형성한다.
이를 보다 구체적으로 설명하면, 제 2 도전성 패턴이 형성된 기판(102)상에 보호막(116) 및 제 1 절연막(118)을 전면 형성한다. 여기서, 보호막(116)은 질화실리콘 등의 무기절연물질로 구성되며 제 1 절연막(118)은 포토 아크릴(photo-acryl) 등의 유기절연물질로 구성된다.
제 1 절연막(118) 상에 반사 금속층을 전면 형성한 후, 제4 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 통해 반사 금속층 중에서 반사전극(120)이 형성될 영역을 제외한 나머지 영역을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성한다. 여기서, 반사 금속층으로는 알루미늄(Al), 구리(Cu), 또는 크롬(Cr) 등과 같이 반사율 특성이 우수한 금속으로 구성되어 있다.
이때, 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 반사 금속층을 에칭한 후 잔류하는 포토레지스트 패턴을 애싱함으로써, 화소영역(114)의 반사부(114a)를 덮는 제 1 절 연막(118) 상에 입사광을 컬러필터기판 방향으로 반사시키는 반사전극(120)을 형성한다.
여기서, 반사전극(120)은 제 1 절연막(118)을 사이에 두고 박막 트랜지스터(TR)의 드레인 전극(112)과 중첩되도록 구성되어 화소영역(114)의 반사부(114a)에 제 1 커플링 캐패시터(128a)를 형성한다.
이때, 제 1 절연막(118)이 평탄화 특성이 양호한 포토 아크릴 등의 무기절연물질로 구성됨에 따라, 반사전극(120)에 의해 형성되는 제 1 커플링 캐패시터(128a)는 스토리지 캐패시터(Cst)로부터 입력되는 데이터 전압에 대한 충방전을 빨리 수행하여 화소영역(114)의 반사부(114a)에 급격히 변화되는 반사곡선을 형성한다.
도 7e에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 제 5 마스크 공정을 통해 박막 트랜지스터(TR)의 드레인 전극(112)을 노출시키는 접촉홀(124)을 형성한다.
이를 보다 구체적으로 설명하면, 화소영역(114)의 반사부(114a)에 반사전극(120)이 형성된 기판(101)상에 제 2 절연막(122)을 전면 형성한다. 여기서, 제 2 절연막(122)은 질화 실리콘 등의 무기절연물질로 구성된다.
이후, 제 2 절연막(122) 상에 포토레지스트를 전면 도포한 후 제 5 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 수행함으로써, 제 2 절연막(122) 중에서 접촉홀(124)이 형성될 영역을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성한다.
이때, 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 제 2 절연막(122), 제 1 절연막(118) 및 보호막(116)을 순차 애칭한 후 잔류하는 포토레지스트 패턴을 애싱함으 로써, 제 2 절연막(122), 제 1 절연막(118) 및 보호막(116)을 관통하여 박막 트랜지스터(TR)의 드레인 전극(112)을 노출시키는 접촉홀(124)을 형성한다.
도 7f에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 제 6 마스크 공정을 통해 화소영역(114)에 공통전극과 함께 액정 배향을 위한 수직 전계를 형성하는 화소전극(126)을 형성한다.
이를 보다 구체적으로 설명하면, 제 2 절연막(122) 상에 PECVD 등의 증착공정을 통해 투명 도전층(ITO)을 전면 증착시킨다
이후, 투명 도전층(ITO) 상에 포토레지스트를 전면 도포한 후 제 6 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 수행함으로써, 투명 도전층(ITO) 중에서 화소전극(126)이 형성될 영역을 제외한 나머지 영역을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성한다.
이때, 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 투명 도전층(ITO)을 애칭한 후 잔류하는 포토레지스트 패턴을 애싱함으로써, 화소영역(114)에 공통전극과 함께 셀 갭 사이에 적하된 액정층을 배향시키기 위한 수직 전계를 형성하는 화소전극(126)을 형성한다.
여기서, 화소전극(126)은 제 2 절연막(122), 제 1 절연막(118) 및 보호막(116)을 관통하는 접촉홀(124)을 통해 박막 트랜지스터(TR)의 드레인 전극(112)에 접속되며, 상기 드레인 전극(112)을 통해 공급되는 데이터 전압에 연동하여 공통전극과 함께 액정 배향을 위한 수직 전계를 형성한다.
또한, 화소전극(126)은 제 2 절연막(122)을 사이에 두고 반사전극(120)과 중 첩되게 구성되어 화소영역(114)의 반사부(114a)에 커플링 캐패시터(128)를 구성하는 제 2 커플링 캐패시터(128b)를 형성한다.
여기서, 제 2 커플링 캐패시터(128b)의 전기용량은 제 1 절연막(118)을 사이에 두고 반사전극(120)과 중첩되는 화소전극(126)의 면적에 연동하여 가변될 수 있다.
상술한 바와 같이 구성된 제 2 커플링 캐패시터(128b)는 제 2 절연막(122)이 유기절연물질로 구성됨에 따라 큰 전기용량을 갖고, 이에 의해 스토리지 캐패시터(Cst)로부터 공급되는 데이터 전압의 충방전을 서서히 수행함에 따라 화소영역(114)의 반사부(114a)에 완만히 변화하는 반사곡선을 형성한다.
이때, 제 2 커플링 캐패시터(128b)에 제 1 커플링 캐패시터(128a)를 병렬 형태로 접속시킴에 따라, 도 5에 도시된 바와 같이, 제 1 및 제 2 커플링 캐패시터에 (128a, 128b)의해 화소영역(114)의 반사부(114a)에 각각 형성되는 반사곡선은 투과부의 투과곡선과 매칭 되도록 정규화된다.
따라서, 화소영역(114)의 반사부(114a)에 형성되는 반사곡선이 투과부의 투과곡선과 매칭되도록 정규화됨으로써, 단일 셀 갭으로 구성된 화소영역(114)의 반사부(114a) 및 투과부(114b)에는 균일한 그레이 계조가 형성된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 반투과형 액정표시패널 및 그 제조방법은 화소영역의 반사부에 형성된 커플링 캐패시터를 통해 반사곡선과 투과곡선을 매칭 시킴으로써, 화소영역의 반사부 및 투과부에 균일한 그레이 계조를 형성할 수 있다는 효과를 제공한다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (12)

  1. 기판상에 형성되는 게이트 라인;
    상기 게이트 라인과 교차 형성되어 투과부와 반사부로 구성된 화소영역을 정의하는 데이터 라인;
    상기 게이트 라인 및 데이터 라인의 교차 영역에 형성되는 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터를 덮는 보호막 상에 형성되는 제 1 절연막;
    상기 화소영역의 투과부에 형성되어 입사광을 반사시키는 반사전극;
    상기 반사전극을 덮는 제 2 절연막 상에 형성되며 접촉홀을 통해 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 접속되는 화소전극; 및
    상기 드레인 전극으로부터 공급되는 데이터 전압에 따라 상기 반사부의 반사곡선을 정규화시켜 상기 투과부의 투과곡선에 매칭 시키는 커플링 캐패시터를 포함하여 구성되며;
    상기 커플링 캐패시터는,
    상기 반사전극과, 상기 제 1 절연막을 사이에 두고 상기 반사전극과 중첩되는 상기 드레인 전극으로 구성된 제 1 커플링 캐패시터; 및
    상기 화소전극과, 상기 제 2 절연막을 사이에 두고 상기 화소전극과 중첩되는 상기 반사전극으로 구성된 제 2 커플링 캐패시터를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시패널.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 절연막은 포토 아크릴로 구성된 유기절연물질로 구성된 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시패널.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 절연막은 무기절연물질로 구성된 것을 특징으로 하는 반투과형 액 정표시패널.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 커플링 캐패시터는 병렬 접속된 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시패널.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 2 커플링 캐패시터의 정전용량은 상기 반사부에 형성되는 상기 화소전극의 면적을 통해 가변되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시패널.
  7. 기판상에 게이트 라인을 형성하는 단계;
    상기 게이트 라인과 교차되어 투과부와 반사부로 구성된 화소영역을 정의하는 데이터 라인을 형성하는 단계;
    상기 게이트 라인 및 데이터 라인의 교차 영역에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 박막 트랜지스터를 덮는 보호막 상에 제 1 절연막을 형성하는 단계;
    상기 화소영역의 투과부에 입사광을 반사시키는 반사전극을 형성하는 단계;
    상기 반사전극을 덮는 제 2 절연막 상에 접촉홀을 통해 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 접속되는 화소전극을 형성하는 단계; 및
    상기 드레인 전극으로부터 공급되는 데이터 전압에 따라 상기 반사부의 반사곡선을 정규화시켜 상기 투과부의 투과곡선에 매칭 시키는 커플링 캐패시터를 형성하는 단계를 포함하여 구성되며;
    상기 커플링 캐패시터를 형성하는 단계는,
    상기 반사전극과, 상기 제 1 절연막을 사이에 두고 상기 반사전극과 중첩되는 상기 드레인 전극으로 구성된 제 1 커플링 캐패시터를 형성하는 단계; 및
    상기 화소전극과, 상기 제 2 절연막을 사이에 두고 상기 화소전극과 중첩되는 상기 반사전극으로 구성된 제 2 커플링 캐패시터를 형성하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시패널의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 절연막은 포토 아크릴로 구성된 유기절연물질로 구성된 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시패널의 제조방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 절연막은 무기절연물질로 구성된 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시패널의 제조방법.
  10. 삭제
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 커플링 캐패시터는 병렬 접속된 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시패널의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 2 커플링 캐패시터의 정전용량은 상기 반사부에 형성되는 상기 화소전극의 면적을 통해 가변되는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시패널의 제조방법.
KR1020070029293A 2007-03-26 2007-03-26 반투과형 액정표시패널 및 그 제조방법 Expired - Fee Related KR101264717B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070029293A KR101264717B1 (ko) 2007-03-26 2007-03-26 반투과형 액정표시패널 및 그 제조방법
EP07024802.6A EP1975690B1 (en) 2007-03-26 2007-12-20 Transflective type liquid crystal display panel and method of fabricating the same
JP2007341168A JP4764871B2 (ja) 2007-03-26 2007-12-28 半透過型液晶表示パネル及びその製造方法
CN2007103063182A CN101276108B (zh) 2007-03-26 2007-12-28 透反射型液晶显示面板及其制造方法
US11/966,836 US7859618B2 (en) 2007-03-26 2007-12-28 Transflective type liquid crystal display panel and method of fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070029293A KR101264717B1 (ko) 2007-03-26 2007-03-26 반투과형 액정표시패널 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080087288A KR20080087288A (ko) 2008-10-01
KR101264717B1 true KR101264717B1 (ko) 2013-05-16

Family

ID=39522102

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070029293A Expired - Fee Related KR101264717B1 (ko) 2007-03-26 2007-03-26 반투과형 액정표시패널 및 그 제조방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7859618B2 (ko)
EP (1) EP1975690B1 (ko)
JP (1) JP4764871B2 (ko)
KR (1) KR101264717B1 (ko)
CN (1) CN101276108B (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008099535A1 (ja) * 2007-02-13 2008-08-21 Sharp Kabushiki Kaisha アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、液晶表示装置および電子機器
KR101631530B1 (ko) 2009-10-28 2016-06-20 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
CN103852933B (zh) * 2012-12-03 2018-04-13 京东方科技集团股份有限公司 一种半透半反式阵列基板、液晶显示器及制造方法
CN109116647B (zh) * 2018-09-17 2021-08-27 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN110161736A (zh) * 2019-04-25 2019-08-23 北京航空航天大学 一种不均匀电势负性液晶透反显示器

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004046223A (ja) 2002-07-10 2004-02-12 Nec Lcd Technologies Ltd 半透過型液晶表示装置及びその製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100408346B1 (ko) 2001-07-18 2003-12-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
JP3895952B2 (ja) * 2001-08-06 2007-03-22 日本電気株式会社 半透過型液晶表示装置及びその製造方法
TWI296062B (en) * 2001-12-28 2008-04-21 Sanyo Electric Co Liquid crystal display device
TWI230304B (en) * 2002-03-04 2005-04-01 Sanyo Electric Co Display device with reflecting layer
JP3953338B2 (ja) 2002-03-04 2007-08-08 三洋電機株式会社 液晶表示装置
JP2004191500A (ja) * 2002-12-09 2004-07-08 Nec Kagoshima Ltd 液晶表示装置
KR101037085B1 (ko) 2004-06-05 2011-05-26 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP4606822B2 (ja) * 2004-09-10 2011-01-05 シャープ株式会社 半透過型液晶表示装置の製造方法
JP4427436B2 (ja) * 2004-11-25 2010-03-10 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR101071261B1 (ko) * 2005-03-30 2011-10-10 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
US7286192B2 (en) * 2005-06-07 2007-10-23 Au Optronics Corporation Transflective liquid crystal display
US7379138B2 (en) * 2005-06-09 2008-05-27 Au Optronics Corporation Transflective liquid crystal display having first and second voltage potentials selected to achieve predetermined polarization states for light encountering respectively the transmissive and reflective areas
KR101197049B1 (ko) * 2005-06-27 2012-11-06 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
US7589808B2 (en) * 2007-06-15 2009-09-15 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. Wide viewing angle transflective liquid crystal displays

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004046223A (ja) 2002-07-10 2004-02-12 Nec Lcd Technologies Ltd 半透過型液晶表示装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20080239218A1 (en) 2008-10-02
JP4764871B2 (ja) 2011-09-07
EP1975690A2 (en) 2008-10-01
CN101276108B (zh) 2012-05-16
JP2008242428A (ja) 2008-10-09
EP1975690B1 (en) 2015-04-15
KR20080087288A (ko) 2008-10-01
EP1975690A3 (en) 2010-01-06
CN101276108A (zh) 2008-10-01
US7859618B2 (en) 2010-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7440055B2 (en) Transflective liquid crystal display device and fabricating method thereof
KR100641628B1 (ko) 블랙레진을 이용한 반사형 및 반투과형 액정표시장치
KR101264717B1 (ko) 반투과형 액정표시패널 및 그 제조방법
US7876408B2 (en) Transflective type diode substrate and method having respective masks forming scan line and insulating pattern, organic pattern with hole exposing insulating pattern, and pixel electrode covering hole and reflection electrode overlapping organic pattern
KR20060073374A (ko) 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US7223999B2 (en) Liquid crystal display device having a thin film transistor substrate with a multi-cell gap structure and method of manufacturing same
KR101147261B1 (ko) 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR20050115741A (ko) 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US8547509B2 (en) Transflective type liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR101603224B1 (ko) 반투과형 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101000442B1 (ko) 반사-투과형 다결정실리콘 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100682745B1 (ko) 반투과 액정표시장치
KR101127816B1 (ko) 반투과형 액정표시소자 및 그 제조방법
KR102113619B1 (ko) 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP3799031B2 (ja) 液晶表示装置
KR101102034B1 (ko) 반투과형 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법
KR101374107B1 (ko) 반사투과형 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100965576B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20030069288A (ko) 반투과형 액정표시장치
KR20060068115A (ko) 반사투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20070111199A (ko) 반투과형 다이오드 기판 및 그 제조 방법
KR20080087531A (ko) 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법
KR20090126072A (ko) 반투과형 액정 표시 장치의 제조방법
KR20040071522A (ko) 반사-투과형 액정 표시 장치
KR20070072152A (ko) 반사투과형 횡전계 모드 어레이 기판의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20070326

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20111102

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20070326

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20130125

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20130426

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20130509

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20130510

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160428

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20160428

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170413

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20170413

Start annual number: 5

End annual number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180416

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20180416

Start annual number: 6

End annual number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190417

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20190417

Start annual number: 7

End annual number: 7

PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20210220