KR101247540B1

KR101247540B1 - Plasma Analyzer Apparatus

Info

Publication number: KR101247540B1
Application number: KR1020110035675A
Authority: KR
Inventors: 정용화; 정종문
Original assignee: 주식회사 뉴프로테크
Priority date: 2011-04-18
Filing date: 2011-04-18
Publication date: 2013-03-26
Also published as: KR20120118223A

Abstract

본 발명은 플라즈마 상태의 가스로부터 방출되는 빛의 분석을 위한 전달 경로에 가스 또는 입자가 축적되는 것을 방지할 수 있는 플라즈마 검사 장치에 관한 것이다.
일례로, 내부공간이 형성된 가스 유동 유닛 본체와 상기 가스 유동 유닛 본체와 제조 설비의 가스 공급라인 각각에 연결되어 상기 가스 유동 유닛 본체의 내부공간으로 가스를 유입시키는 유입 배관을 포함하는 가스 유동 유닛; RF전원, 상기 RF전원과 연결되며 상기 가스 유동 유닛 본체의 내부 공간에 장착되고 서로 대응되도록 배치되는 제 1 전극 판 및 제 2 전극 판을 포함하며, 상기 가스 유동 유닛 본체를 통과하는 가스를 플라즈마 상태로 변화시켜 광을 발생시키는 플라즈마 발생 유닛; 및 상기 가스 유동 유닛 본체를 통과하는 가스가 방출하는 상기 광을 제공받아 분광하여 전기 신호로 변환하는 분광 유닛;을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 검사 장치가 개시된다.The present invention relates to a plasma inspection apparatus capable of preventing the accumulation of gas or particles in a transmission path for analyzing light emitted from a gas in a plasma state.
For example, a gas flow unit including a gas flow unit body having an internal space and an inlet pipe connected to each of the gas flow unit body and a gas supply line of a manufacturing facility to introduce gas into the internal space of the gas flow unit body; A first electrode plate and a second electrode plate connected to the RF power source and connected to the RF power source and disposed in the inner space of the gas flow unit body and corresponding to each other, wherein the gas passing through the gas flow unit body is plasma; A plasma generating unit which generates light by changing to the light emitting unit; And a spectroscopic unit receiving the light emitted by the gas passing through the gas flow unit main body and spectroscopically converting the light into an electrical signal.

Description

[0001] Plasma Analyzer Apparatus [0002]

본 발명은 플라즈마 검사 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma inspection apparatus.

반도체 제조, 디스플레이 패널 제조를 비롯한 각종 제조 공정 및 제조 설비에서는 제조 속도 및 효율뿐만 아니라 제조 진행 중에 발생할 수 있는 각종 불량을 점검하는 것이 중요한 사항이 되고 있다. 이 중 반도체 제조, 디스플레이 패널의 제조와 같이 미세한 패턴, 회로, 구조물 등을 매우 작은 영역에 형성하는 경우에는 불량에 대한 점검 및 불량발생 요인을 사전검출 하는 것이 더욱 중요한 사항으로 여겨진다.In various manufacturing processes and manufacturing facilities including semiconductor manufacturing and display panel manufacturing, it is important to check not only manufacturing speed and efficiency, but also various defects that may occur during the manufacturing process. In the case of forming fine patterns, circuits, structures, etc. in a very small area such as semiconductor manufacturing and display panel manufacturing, it is considered that the inspection of defects and the pre-detection of defect occurrence factors are more important.

그러므로 반도체 또는 디스플레이 패널의 제조 설비에는 공정 중에 사용되는 재료 및 재료 사용 후의 잔여물을 통해 불량 및 불량발생 요인을 검출하고 있다. 특히, 반도체나 디스플레이 패널의 경우 회로 패턴의 형성 등을 위해 리쏘 그래피 공정, 에칭 공정, 애싱 공정 및 증착공정 등의 다양한 공정이 진행되며, 이러한 공정에 사용된 가스 폐기물의 잔여물을 검사하여 불량 및 불량 발생요인을 사전 검출하는 검사 장치가 이용되고 있는데, 대표적으로 플라즈마를 이용한 검사 장치가 있다.Therefore, in the manufacturing facilities of the semiconductor or display panel, the defects and the causes of defects are detected through the materials used during the process and the residues after the use of the materials. In particular, in the case of a semiconductor or a display panel, various processes such as a lithography process, an etching process, an ashing process, and a deposition process are performed for the formation of a circuit pattern. An inspection apparatus for detecting a defect occurrence factor in advance is used, and representatively, an inspection apparatus using plasma is used.

상기 플라즈마(Plasma) 검사 장치는 내부에 장착된 튜브(tube)에 공정에 사용될 가스 또는 공정에서 발생된 폐가스가 유입되고, 튜브에 유입된 가스에 에너지를 공급하여 가스를 플라즈마 상태로 변화시킨다. 상기 플라즈마 상태로 된 가스원자는 광을 방출하게 되고, 방출하는 광을 통해 성분 분석이 가능하다.In the plasma inspection apparatus, a gas to be used in a process or waste gas generated in a process is introduced into a tube mounted therein, and the gas is converted into a plasma state by supplying energy to the gas introduced into the tube. The gas atom in the plasma state emits light, and component analysis is possible through the emitted light.

하지만 플라즈마 검사 장치에 유입되는 가스가 금속(metal) 원소를 포함하는 경우에는 검사 장치 내부(튜브 내부)에서 플라즈마 상태로 된 가스 원자들의 침착(deposition)이 발생하며, 또한 플라즈마 검사 장치에 유입되는 가스가 규소(Si)를 포함하는 경우에는 검사 장치 내부(튜브 내부)에서 입자 축적(powder accumulation)이 발생한다. However, when the gas flowing into the plasma inspection apparatus contains a metal element, deposition of gas atoms in the plasma state occurs inside the inspection apparatus (inside the tube), and also the gas flowing into the plasma inspection apparatus. In the case of containing silicon (Si), particle accumulation occurs inside the inspection apparatus (inside the tube).

이로 인해 튜브 내부의 가스 원자들이 방출하는 광은 차단되어짐으로써 광을 이용한 가스 성분 검사가 정확하게 수행되지 못한다는 문제점이 있다.As a result, the light emitted by the gas atoms inside the tube is blocked, so there is a problem in that the gas component inspection using the light is not accurately performed.

본 발명은 플라즈마 상태의 가스로부터 방출되는 빛의 분석을 위한 전달 경로에 가스 또는 입자가 축적되는 것을 방지할 수 있는 플라즈마 검사 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a plasma inspection apparatus capable of preventing the accumulation of gas or particles in a transmission path for analyzing light emitted from a gas in a plasma state.

상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 검사 장치는 내부공간이 형성된 가스 유동 유닛 본체와 상기 가스 유동 유닛 본체와 제조 설비의 가스 공급라인 각각에 연결되어 상기 가스 유동 유닛 본체의 내부공간으로 가스를 유입시키는 유입 배관을 포함하는 가스 유동 유닛; RF전원, 상기 RF전원과 연결되며 상기 가스 유동 유닛 본체의 내부 공간에 장착되고 서로 대응되도록 배치되는 제 1 전극 판 및 제 2 전극 판을 포함하며, 상기 가스 유동 유닛 본체를 통과하는 가스를 플라즈마 상태로 변화시켜 광을 발생시키는 플라즈마 발생 유닛; 및 상기 가스 유동 유닛 본체를 통과하는 가스가 방출하는 상기 광을 제공받아 분광하여 전기 신호로 변환하는 분광 유닛;을 포함한다. Plasma inspection apparatus according to the present invention for solving the above problems is connected to each of the gas flow unit main body and the gas flow unit main body and the gas supply line of the manufacturing equipment having an internal space is formed into the inner space of the gas flow unit body A gas flow unit including an inlet pipe for introducing a gas; A first electrode plate and a second electrode plate connected to the RF power source and connected to the RF power source and disposed in the inner space of the gas flow unit body and corresponding to each other, wherein the gas passing through the gas flow unit body is plasma; A plasma generating unit which generates light by changing to the light emitting unit; And a spectroscopic unit that receives the light emitted by the gas passing through the gas flow unit main body and spectroscopically converts the light into an electrical signal.

또한 상기 플라즈마 검사 장치는 분광유닛으로부터의 상기 전기 신호를 전달받아 분석하는 컨트롤 유닛을 더 포함할 수 있다.In addition, the plasma inspection apparatus may further include a control unit for receiving and analyzing the electrical signal from the spectroscopic unit.

또한 상기 가스 유동 유닛은 상기 가스 유동 유닛 본체와 상기 제조 설비의 가스 공급라인 각각에 연결되어 상기 가스 유동 유닛 본체의 내부 공간의 가스를 상기 가스 공급라인으로 배출시키는 배출 배관을 더 포함할 수 있으며, 상기 유입 배관의 단면적은 상기 배출 배관의 단면적 보다 크게 형성될 수 있다.In addition, the gas flow unit may further include a discharge pipe connected to each of the gas flow unit body and the gas supply line of the manufacturing facility to discharge the gas in the internal space of the gas flow unit body to the gas supply line, The cross-sectional area of the inlet pipe may be larger than the cross-sectional area of the discharge pipe.

또한 상기 플라즈마 발생유닛은 상기 제 1 전극 판 및 제 2 전극 판 각각을 상기 가스 유동 유닛 본체 내부공간에 고정시키는 제 1 하우징 및 제 2 하우징을 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 1 하우징 및 제 2 하우징은 상기 제 1 전극 판 및 상기 제 2 전극판을 각각 감싸도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 1 하우징 및 제 2 하우징은 상기 제 1 전극 판 및 상기 제 2 전극판이 상기 가스 유동 유닛 본체의 내부공간으로 노출되어 고정되도록 형성될 수 있으며, 상기 제 1 하우징 및 상기 제 2 하우징은 절연물질로 형성될 수 있다.In addition, the plasma generating unit may further include a first housing and a second housing fixing the first electrode plate and the second electrode plate to the gas flow unit main body interior space. In addition, the first housing and the second housing may be formed to surround the first electrode plate and the second electrode plate, respectively. In addition, the first housing and the second housing may be formed such that the first electrode plate and the second electrode plate is exposed and fixed to the internal space of the gas flow unit body, the first housing and the second housing It may be formed of an insulating material.

또한 상기 분광 유닛은 내부공간이 형성된 분광 유닛 본체; 상기 가스 유동 유닛 본체와 상기 분광 유닛 본체와 연결되는 광 전달 수단; 상기 광 전달 수단을 통해 전해진 상기 광을 반사시키는 적어도 하나의 확대 반사경; 및 상기 확대 반사경에 의해 전해진 상기 광을 전기신호로 변환하는 촬상 소자를 포함할 수 있다. 또한, 상기 광 전달 수단은 광케이블 및 광 터널일 수 있다.In addition, the spectroscopic unit includes a spectroscopic unit body having an inner space; Light transmitting means connected to the gas flow unit body and the spectroscopic unit body; At least one magnifying reflector for reflecting the light transmitted through the light transmitting means; And an imaging device for converting the light transmitted by the magnifying reflector into an electrical signal. In addition, the light transmission means may be an optical cable and an optical tunnel.

또한 상기 가스 유동 유닛은 금속, 스테인레스 스틸, 석영, 사파이어 또는 유리로 형성될 수 있다.The gas flow unit may also be formed of metal, stainless steel, quartz, sapphire or glass.

본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 검사 장치는 플라즈마 상태의 가스로부터 방출되는 빛의 분석을 위한 전달 경로에 가스 또는 입자가 축적되는 것을 방지하여 검사의 정확성을 높일 수 있는 효과가 있다. Plasma inspection apparatus according to an embodiment of the present invention has the effect of preventing the accumulation of gas or particles in the delivery path for the analysis of light emitted from the gas of the plasma state to increase the accuracy of the inspection.

도 1은 본 발명의 일실시 예에 따른 플라즈마 검사 장치가 제조 설비 가스 공급라인에 연결된 것을 간략하게 도시한 블록도이다.
도 2a는 본 발명의 일실시 예에 따른 플라즈마 검사 장치를 구성하는 플라즈마 발생 유닛의 사시도이다.
도 2b는 도 2a의 A-A'를 따라 절단한 플라즈마 발생유닛의 단면도이다.
도 2c는 도 2a의 B-B'를 따라 절단한 플라즈마 발생유닛의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시 예에 따른 플라즈마 검사 장치를 구성하는 분광장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 플라즈마 검사 장치의 일부를 간략하게 도시한 단면도이다.1 is a block diagram schematically illustrating that a plasma inspection apparatus according to an embodiment of the present invention is connected to a manufacturing facility gas supply line.
2A is a perspective view of a plasma generating unit constituting a plasma inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2B is a cross-sectional view of the plasma generation unit taken along the line AA ′ of FIG. 2A.
FIG. 2C is a cross-sectional view of the plasma generation unit taken along the line BB ′ of FIG. 2A.
3 is a cross-sectional view of a spectrometer constituting a plasma inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a schematic cross-sectional view of a portion of a plasma inspection apparatus according to another exemplary embodiment.

이하에서 실시 예와 첨부한 도면을 통하여 본 발명의 플라즈마 검사 장치에 대하여 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the plasma inspection apparatus of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일실시 예에 따른 플라즈마 검사 장치가 제조 설비 가스 공급라인에 연결된 것을 간략하게 도시한 블록도이고, 도 2a는 본 발명의 일실시 예에 따른 플라즈마 검사 장치를 구성하는 플라즈마 발생 유닛의 사시도이고, 도 2b는 도 2a의 A-A'를 따라 절단한 플라즈마 발생유닛의 단면도이고, 도 2c는 도 2a의 B-B'를 따라 절단한 플라즈마 발생유닛의 단면도이고, 도 3은 본 발명의 일실시 예에 다른 플라즈마 검사 장치를 구성하는 분광장치의 단면도이다. 1 is a block diagram briefly showing that a plasma inspection apparatus according to an embodiment of the present invention is connected to a manufacturing facility gas supply line, and FIG. 2A illustrates a plasma generation constituting the plasma inspection apparatus according to an embodiment of the present invention. 2B is a cross-sectional view of the plasma generating unit cut along the line AA ′ of FIG. 2A, FIG. 2C is a cross-sectional view of the plasma generating unit cut along the line B-B ′ of FIG. 2A, and FIG. 1 is a cross-sectional view of a spectrometer that constitutes a plasma inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시 예에 따른 플라즈마 검사 장치(100)는 가스 유동 유닛(110), 플라즈마 발생 유닛(130), 분광 유닛(150)을 포함한다. 또한 상기 플라즈마 검사 장치(100)는 컨트롤 유닛(170)을 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a plasma inspection apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a gas flow unit 110, a plasma generating unit 130, and a spectroscopic unit 150. In addition, the plasma inspection apparatus 100 may further include a control unit 170.

상기 가스 유동 유닛(110)은 제조 설비의 가스 공급라인(10)과 연결되어 제조 설비 가스 공급라인(10)을 통과하는 가스의 일부를 유입 받고, 플라즈마 발생 유닛(130)은 가스 유동 유닛(110)에 유입된 가스 중 일부만을 플라즈마로 상태변화 시키며, 가스 유동 유닛(110)은 유입된 가스 및 플라즈마 상태로 변화된 가스 원자를 제조설비 가스 공급라인(10)으로 배출시킨다.(도 1의 화살표는 가스의 흐름을 도시한 것이다.) 도 1에서 제조 설비 가스 공급라인(10)은 반도체 공정에서 발생되는 폐가스의 배출 라인일 수 있다. The gas flow unit 110 is connected to the gas supply line 10 of the manufacturing facility receives a portion of the gas passing through the manufacturing facility gas supply line 10, the plasma generating unit 130 is the gas flow unit 110 Only part of the gas introduced into the state changes to the plasma state, the gas flow unit 110 discharges the introduced gas and the gas atoms changed into the plasma state to the manufacturing facility gas supply line 10 (arrow of FIG. In FIG. 1, the manufacturing facility gas supply line 10 may be a discharge line of waste gas generated in a semiconductor process.

도 2a 내지 도 2c를 참조하여 보다 자세히 설명하면, 상기 가스 유동 유닛(110)은 제조 설비 가스 공급라인(10)을 통과하는 가스의 일부가 유동하는 통로의 역할을 한다.2A to 2C, the gas flow unit 110 serves as a passage through which a part of the gas passing through the manufacturing facility gas supply line 10 flows.

상기 가스 유동 유닛(110)은 가스 유동 유닛 본체(111) 및 유입 배관(113)을 포함하여 형성된다. 또한, 상기 가스 유동 유닛(110)은 배출 배관(115)을 더 포함할 수 있다. The gas flow unit 110 is formed to include a gas flow unit body 111 and the inlet pipe 113. In addition, the gas flow unit 110 may further include a discharge pipe 115.

상기 가스 유동 유닛 본체(111)는 내부 공간(111a)이 구비된 챔버(chamber) 형태로 형성된다. 상기 가스 유동 유닛 본체(111)의 내부 공간(111a)은 제조 설비의 가스 공급라인(10)으로부터 유입된 가스의 이동 통로이며 또한 플라즈마 발생 유닛(130)에 의해 가스가 플라즈마로 상태 변환이 이루어지는 장소이기도 하다. 상기 가스 유동 유닛 본체(111)는 금속 재질로 형성될 수 있으며, 또한 내부식성이 있는 스테인레스 스틸로 형성될 수 있다. The gas flow unit body 111 is formed in a chamber shape having an internal space 111a. The internal space 111a of the gas flow unit main body 111 is a movement passage of gas introduced from the gas supply line 10 of the manufacturing facility, and is a place where the gas is converted into a plasma by the plasma generating unit 130. It is also. The gas flow unit body 111 may be formed of a metal material and may be formed of stainless steel having corrosion resistance.

상기 가스 유동 유닛 본체(111)의 일부에는 플라즈마가 방출하는 광을 분광 유닛(150)으로 전달하기 위한 투광 홀(111b)이 형성될 수 있다. 또한 상기 가스 유동 유닛 본체(111)의 투광 홀(111b)에는 투광 부재(112)가 장착될 수 있다. 상기 투광 부재(112)는 후술하는 광 전달 수단(153)에 가스가 접촉되는 것을 차단하면서, 광만을 전달시킨다. 상기 투광 부재(112)는 투명한 재질이라면 어떠한 것이든 무관하다. 다만, 상기 투광 부재(112)는 폐가스에 의하여 손상되지 않도록 사파이어와 같은 재질로 형성되는 것이 바람직하다.A part of the gas flow unit main body 111 may be formed with a light transmitting hole 111b for transmitting the light emitted by the plasma to the spectroscopic unit 150. In addition, the light transmitting member 112 may be mounted in the light transmitting hole 111b of the gas flow unit main body 111. The light transmitting member 112 transmits only light while blocking gas from contacting the light transmitting means 153 which will be described later. The light transmitting member 112 may be any material as long as it is a transparent material. However, the light transmitting member 112 is preferably formed of a material such as sapphire so as not to be damaged by the waste gas.

상기 유입 배관(113)은 제조 설비의 가스 공급라인(10) 및 가스 유동 유닛 본체(111) 각각과 연결된다. 상기 유입 배관(113)은 제조 설비의 가스 공급라인(10)을 유동하는 가스 일부를 가스 유동 유닛 본체(111)로 유입시키는 통로이다.The inflow pipe 113 is connected to each of the gas supply line 10 and the gas flow unit body 111 of the manufacturing facility. The inflow pipe 113 is a passage through which a portion of the gas flowing through the gas supply line 10 of the manufacturing facility flows into the gas flow unit body 111.

상기 배출 배관(115)은 제조 설비의 가스 공급라인(10) 및 가스 유동 유닛 본체(111) 각각과 연결된다. 상기 배출 배관(115)은 가스 유동 유닛 본체(111)의 내부 공간(111a)의 가스(상태 변화된 플라즈마 입자 포함)를 제조 설비 가스 공급라인(10)으로 배출시키는 통로이다. 한편, 상기 가스가 유입 배관(113)을 통하여 유동 유닛 본체(111)로 원활하게 유입되고 배출되는 경우에, 배출 배관(115)은 별도로 형성되지 않을 수 있다. The discharge pipe 115 is connected to each of the gas supply line 10 and the gas flow unit body 111 of the manufacturing facility. The discharge pipe 115 is a passage for discharging the gas (including plasma particles having a changed state) of the internal space 111a of the gas flow unit main body 111 to the manufacturing facility gas supply line 10. On the other hand, when the gas is smoothly introduced into the flow unit body 111 through the inlet pipe 113 and discharged, the discharge pipe 115 may not be formed separately.

또한 상기 유입 배관(113)과 연결 배관(115)은 가스 유동 유닛 본체(111)와 동일 재질로 형성될 수 있다.In addition, the inflow pipe 113 and the connection pipe 115 may be formed of the same material as the gas flow unit body 111.

상기 유입 배관(113)의 단면적(S1)은 바람직하게는 배출 배관(115)의 단면적(S2)보다 크게 형성된다. 이는 유체의 연속방정식 및 베르누이 방정식을 적용하기 위한 것으로, 단면적의 차이에 따라 속도는 반비례관계에 있게 되고(연속방정식), 속도에 따라 압력의 차이가 발생한다(베르누이 방정식). 즉, 상기 유입 배관(113)을 통과하는 가스는 배출 배관(115)을 통과하는 가스에 비하여 상대적으로 속도가 낮고 압력이 높게 형성된다. 따라서, 상기 가스는 유입 배관(113)을 통과할 때 보다 배출 배관을 통과할 때 상대적으로 압력이 낮게 된다. 또한, 상기 가스는 유입 배관(113)을 통과할 때보다 배출 배관(115)을 통과할 때 상대적으로 빠른 속도로 이동하게 된다. 따라서, 상기 유입 배관(113)으로 유입되는 가스는 보다 원활하게 배출 배관(115)으로 이동하게 된다. 상기 가스 유동 유닛(110)은 제조 설비의 가스 공급라인(10)으로부터의 가스 유동을 위한 별도의 장비를 장착시키지 않아도 된다. The cross-sectional area S1 of the inflow pipe 113 is preferably larger than the cross-sectional area S2 of the discharge pipe 115. This is to apply the continuous equation of the fluid and Bernoulli's equation, the velocity is inversely proportional to the difference of the cross-sectional area (continuous equation), and the pressure difference occurs according to the velocity (Bernouille equation). That is, the gas passing through the inlet pipe 113 is formed at a lower speed and a higher pressure than the gas passing through the discharge pipe 115. Therefore, the gas has a relatively low pressure when passing through the discharge pipe than when passing through the inlet pipe 113. In addition, the gas moves at a relatively high speed when passing through the discharge pipe 115 than when passing through the inlet pipe 113. Therefore, the gas flowing into the inflow pipe 113 moves to the discharge pipe 115 more smoothly. The gas flow unit 110 does not have to be equipped with separate equipment for gas flow from the gas supply line 10 of the manufacturing facility.

또한, 상기 유입 배관(113) 및 배출 배관(115)은 제 1 보조배관(11) 및 제 2 보조배관(12)을 통하여 제조 설비 가스 공급라인(10)과 연결되어 가스 유동 통로가 완성될 수 있다. In addition, the inflow pipe 113 and the discharge pipe 115 may be connected to the manufacturing facility gas supply line 10 through the first auxiliary pipe 11 and the second auxiliary pipe 12 to complete the gas flow passage. have.

또한, 상기 플라즈마 검사 장치는 가스가 효과적으로 가스 유동 유닛 본체(111)로 유입되도록 하기 위하여, 제조 설비 가스 공급라인(10)과 유입 배관(113) 또는 배출 배관(115)이 연결되는 부분 또는 제 1 보조배관(11) 및 제 2 보조배관(12)에 송풍기(미도시) 또는 팬(미도시)이 장착될 수 있다.
In addition, the plasma inspection apparatus is a portion or the first to which the manufacturing facility gas supply line 10 and the inlet pipe 113 or the discharge pipe 115 are connected so that the gas is effectively introduced into the gas flow unit main body 111. The auxiliary pipe 11 and the second auxiliary pipe 12 may be equipped with a blower (not shown) or a fan (not shown).

상기 플라즈마 발생 유닛(130)은 RF전원(131), 제 1 전극 판(133) 및 제 2 전극 판(135)을 포함하여 형성된다. 또한 상기 플라즈마 발생 유닛(130)은 제 1 하우징(137) 및 제 2 하우징(139)을 더 포함할 수 있다. 상기 플라즈마 발생 유닛(130)은 가스 유동 유닛(110)을 통과하는 가스에 에너지를 공급하여 가스를 플라즈마 상태로 변화시킴으로써 광을 발생시킨다.The plasma generation unit 130 includes an RF power source 131, a first electrode plate 133, and a second electrode plate 135. In addition, the plasma generation unit 130 may further include a first housing 137 and a second housing 139. The plasma generating unit 130 generates light by supplying energy to the gas passing through the gas flow unit 110 to change the gas into a plasma state.

상기 RF전원(131)은 전기 에너지를 발생시켜 제 1 전극 판(133) 및 제 2 전극 판(135)에 전기 에너지를 공급한다. 상기 RF전원(131)은 가스 유동 유닛 본체(111)의 외부에 위치한다. 하지만 RF전원(131)은 가스 유동 유닛 본체(111) 내부에 장착되어도 무관하다.The RF power source 131 generates electrical energy to supply electrical energy to the first electrode plate 133 and the second electrode plate 135. The RF power source 131 is located outside the gas flow unit body 111. However, the RF power source 131 may be mounted inside the gas flow unit body 111.

상기 제 1 전극 판(133) 및 제 2 전극 판(135)은 전선(132)을 통하여 RF전원(131)과 연결되며, 가스 유동 유닛 본체(111)의 내부 공간(111a)에서 이격되어 서로 대응되도록(마주보도록) 위치한다.The first electrode plate 133 and the second electrode plate 135 are connected to the RF power source 131 through wires 132 and spaced apart from the internal space 111a of the gas flow unit body 111 to correspond to each other. Position it as possible.

상기 제 1 전극 판(133) 및 제 2 전극 판(135)은 RF전원(131)으로부터 전기 에너지를 공급받아 제 1 전극 판(133) 및 제 2 전극 판(135)의 사이 공간을 지나는 가스에 에너지를 공급함으로써 가스를 플라즈마 상태로 변화시켜 광을 발생시킨다.The first electrode plate 133 and the second electrode plate 135 are supplied with electrical energy from the RF power source 131 to the gas passing through the space between the first electrode plate 133 and the second electrode plate 135. By supplying energy, the gas is changed into a plasma state to generate light.

상기 제 1 전극 판(131) 및 제 2 전극 판(133)은 가스 유동 유닛 본체(111)의 내부 공간(111a)에 위치되므로, 가스 유동 유닛 본체(111)를 통과하는 모든 가스를 플라즈마 상태로 변화시키지 않고, 제 1 전극 판(131) 및 제 2 전극 판(133) 사이를 지나는 가스만을 플라즈마 상태로 변화시킨다. 따라서, 상기 가스는 가스 유동 유닛 본체(111)의 내부 공간(111a)에 노출되어 있는 투광 부재(112)에 침착(deposition)되는 정도가 최소화된다.
Since the first electrode plate 131 and the second electrode plate 133 are located in the internal space 111a of the gas flow unit main body 111, all gases passing through the gas flow unit main body 111 are put into a plasma state. Without changing, only the gas passing between the first electrode plate 131 and the second electrode plate 133 is changed into a plasma state. Therefore, the degree of deposition of the gas on the light transmitting member 112 exposed to the internal space 111a of the gas flow unit main body 111 is minimized.

상기 제 1 하우징(137)은 바 형상으로 형성되며, 절연 재질로 형성된다. 상기 제 1 하우징(137)은 가스 유동 유닛 본체(111)의 일면(111c)을 관통하며, 일부가 가스 유동 유닛 본체(111)의 외부에 위치하며, 또 다른 일부가 가스 유동 유닛 본체(111)의 내부 공간(111a)에 위치된다. 상기 제 1 하우징(137)은 제 1 전극판(133)을 가스 유동 유닛 본체(111)의 내부 공간(111a)에 고정시킨다. 상기 제 1 하우징(137)은 제 1 전극 판(133)이 내부 공간(111a)에 노출되도록 고정시킬 수 있다 또한, 상기 제 1 하우징은 제 1 전극판(133)을 감싸도록 형성될 수 있다. 또한 상기 제 1 하우징(137)은 제 1 전극 판(133)과 RF전원(131)을 전기적으로 연결하는 전선(132)이 관통하는 제 1 관통홀(137a)이 형성될 수 있다. The first housing 137 is formed in a bar shape and is formed of an insulating material. The first housing 137 penetrates one surface 111c of the gas flow unit body 111, and a part of the first housing 137 is located outside the gas flow unit body 111, and another portion of the first housing 137 is located in the gas flow unit body 111. It is located in the internal space 111a of. The first housing 137 fixes the first electrode plate 133 to the internal space 111a of the gas flow unit body 111. The first housing 137 may be fixed to expose the first electrode plate 133 to the internal space 111a. In addition, the first housing 137 may be formed to surround the first electrode plate 133. In addition, the first housing 137 may be formed with a first through hole 137a through which the wire 132 for electrically connecting the first electrode plate 133 and the RF power source 131 passes.

상기 제 2 하우징(139)은 바 형상으로 형성되며, 절연 재질로 형성된다. 상기 제 2 하우징(139)은 가스 유동 유닛 본체(111)의 타면(111d)을 관통하며, 일부가 가스 유동 유닛 본체(111)의 외부에 위치하며, 또 다른 일부가 가스 유동 유닛 본체(111)의 내부 공간(111a)에 위치된다. 상기 제 2 하우징(139)은 제 2 전극판(135)을 가스 유동 유닛 본체(111)의 내부 공간(111a)에 고정시킨다. 상기 제 2 하우징(139)은 제 2 전극판(135)이 내부 공간(111a)에 노출되도록 고정시킬 수 있다 또한, 상기 제 2 하우징(135)은 제 2 전극판(135)을 감싸도록 형성될 수 있다. 또한 상기 제 2 하우징(139)은 제 2 전극 판(135)과 RF전원(131)을 전기적으로 연결하는 전선(132)이 관통하는 제 2 관통홀(139a)이 형성될 수 있다.
The second housing 139 is formed in a bar shape and is formed of an insulating material. The second housing 139 penetrates through the other surface 111d of the gas flow unit main body 111, and a part of the second housing 139 is located outside the gas flow unit main body 111, and another portion of the second housing 139 is located in the gas flow unit main body 111. It is located in the internal space 111a of. The second housing 139 fixes the second electrode plate 135 to the internal space 111a of the gas flow unit body 111. The second housing 139 may be fixed to expose the second electrode plate 135 to the internal space 111a. In addition, the second housing 135 may be formed to surround the second electrode plate 135. Can be. In addition, the second housing 139 may be formed with a second through hole 139a through which the wire 132 for electrically connecting the second electrode plate 135 and the RF power source 131 passes.

상기 분광 유닛(150)은 분광 유닛 본체(151), 광 전달 수단(153), 확대 반사경(155) 및 촬상소자(157)를 포함할 수 있다. 상기 분광 유닛(150)은 가스 유동 유닛(110)으로부터 발생된 광을 전송받아 스펙트럼화하고, 스펙트럼 정보를 전기 신호로 변환하여 컨트롤 유닛(170)에 제공한다. The spectroscopic unit 150 may include a spectroscopic unit body 151, a light transmission means 153, an enlarged reflector 155, and an imaging device 157. The spectroscopic unit 150 receives the light generated from the gas flow unit 110 and spectras it, converts the spectral information into an electrical signal, and provides the same to the control unit 170.

상기 분광 유닛 본체(151)는 내부 공간이 형성된 중공의 챔버 형태일 수 있다.The spectroscopic unit body 151 may be in the form of a hollow chamber having an inner space.

상기 광 전달 수단(153)은 가스 유동 본체(111)와 분광 유닛 본체(151) 각각과 연결되어 가스 유동 본체(111)를 통과하는 가스로부터 발생 되는 광을 분광 유닛 본체(151)로 전달한다. 즉, 상기 광 전달 수단(153)은 투광 홀(111b)에 장착되어 투광 부재(112)를 통과한 광을 분광 유닛 본체(151)로 전달한다.The light transmitting means 153 is connected to each of the gas flow main body 111 and the spectroscopy unit main body 151 to transmit the light generated from the gas passing through the gas flow main body 111 to the spectroscopy unit main body 151. That is, the light transmitting means 153 is mounted in the light transmitting hole 111b to transmit the light passing through the light transmitting member 112 to the spectroscopic unit body 151.

상기 광 전달 수단(153)은 광섬유를 이용한 광케이블일 수 있으며, 또는 석영 등을 이용하여 제조되는 광 터널일 수 있다.The light transmission means 153 may be an optical cable using an optical fiber, or may be an optical tunnel manufactured using quartz or the like.

상기 확대 반사경(155)은 적어도 하나 이상이 분광 유닛 본체(151)의 내부공간에 장착되며, 상기 가스 유동 유닛(110)으로부터 전해진 광을 반사시킨다. 본 발명의 일실시 예로써 상기 확대 반사경(155)이 세 개인 것으로 설명한다. 즉, 제 1확대 반사경(155a), 제 2 확대 반사경(155b) 및 제 3 확대 반사경(155c)은 일정 각도를 갖으며 분광 유닛 본체(151)에 장착되어 광섬유(153)를 통하여 전달된 광을 순차적으로 전반사시킨다(이때 광섬유(153)와 연결되어 제 1 확대 반사경(155a)으로 광을 쏠 수 있는 광노즐(미도시)을 이용할 수 있다.).At least one magnification reflector 155 is mounted in the inner space of the spectroscopic unit body 151 and reflects the light transmitted from the gas flow unit 110. As an embodiment of the present invention, the magnification reflector 155 will be described as three. That is, the first magnification reflector 155a, the second magnification reflector 155b, and the third magnification reflector 155c have a predetermined angle and are mounted on the spectroscopic unit body 151 to receive light transmitted through the optical fiber 153. (The optical nozzle (not shown) which can be connected to the optical fiber 153 and shoot light with the first magnification reflector 155a may be used.).

상기 촬상 소자(157)(예로써 CCD(Charge-coupled Device)일 수 있다.)는 분광 유닛 본체(151)의 내부 공간에 장착되어 제 3 확대 반사경(132c)이 반사한 광 스펙트럼을 전기 신호로 변환한다. 상기 촬상 소자(157)는 데이터 케이블(160)을 통하여 전기 신호를 컨트롤 유닛(170)에 전달할 수 있다.
The imaging device 157 (which may be a charge-coupled device (CCD), for example) may be mounted in an internal space of the spectroscopic unit body 151 to convert an optical spectrum reflected by the third magnifying reflector 132c into an electrical signal. To convert. The imaging device 157 may transmit an electrical signal to the control unit 170 through the data cable 160.

상기 컨트롤 유닛(170)은 분광 유닛(150)으로부터의 전기 신호를 제공받아 가스 성분을 분석한다. 즉, 상기 컨트롤 유닛(170) 분광 유닛(150)으로부터 스펙트럼화되어 분광된 광 즉, 광의 파장대별 값을 저장하고, 이 파장대별 값을 수치신호로 변환한다. 또한 컨트롤 유닛(170)은 상술한 바와 같이 가스 유동 유닛(110) 및 분광 유닛(150)과 전기적으로 연결되어 이들을 제어한다. 즉, 상기 플라즈마 검사 장치(100)에 전원이 공급되어 동작을 하게 되면, 컨트롤 유닛(170)은 가스 유동 유닛(110) 및 분광 유닛(150)을 프로그램된 사항에 따라 세팅하고 동작시킨다. 그리고 상기 컨트롤 유닛(170)은 컨트롤 유닛(170)에 전달되는 데이터를 상위 서버 또는 상위 시스템 등의 외부 장치에 전송할 수 있다. 이를 위해 컨트롤 유닛(170)는 회로기판(미도시), 제어 및 분석을 위한 중앙처리장치(미도시) 및 데이터 및 운용 어플리케이션의 저장을 위한 메모리(미도시)가 포함될 수 있다.
The control unit 170 receives an electrical signal from the spectroscopic unit 150 to analyze gas components. That is, the wavelength-specific values of the light that is spectrally and spectroscopy from the control unit 170 spectroscopic unit 150, that is, the light, are stored, and the wavelength-specific values are converted into numerical signals. In addition, the control unit 170 is electrically connected to and control the gas flow unit 110 and the spectroscopic unit 150 as described above. That is, when power is supplied to the plasma inspection apparatus 100 to operate, the control unit 170 sets and operates the gas flow unit 110 and the spectroscopic unit 150 according to the programmed details. The control unit 170 may transmit data transmitted to the control unit 170 to an external device such as an upper server or an upper system. To this end, the control unit 170 may include a circuit board (not shown), a central processing unit (not shown) for control and analysis, and a memory (not shown) for storing data and operational applications.

상기와 같은 구성으로 이루어진 본 발명의 일실시 예에 따른 플라즈마 검사 장치는 제조설비의 가스 공급라인의 가스를 검사 장치 내부에 형성된 튜브(tube)에 삽입시켜 튜브 내의 가스 전체를 플라즈마 상태로 변화시켜 광을 발생시키는 것이 아닌, 플라즈마 검사 장치로 유입된 가스의 일부만을 플라즈마로 변화시킴으로써 장치 내부(즉, 가스 유동 유닛 본체(111)의 내측 면)에 침착(deposition)될 수 있는 플라즈마 상태로 변한 가스의 양을 줄일 수 있다.Plasma inspection apparatus according to an embodiment of the present invention having the configuration as described above is inserted into the tube (tube) formed inside the inspection apparatus of the gas supply line of the manufacturing equipment to change the entire gas in the tube into a plasma state light Instead of generating a gas, the gas changed into a plasma state that can be deposited inside the apparatus (ie, the inner surface of the gas flow unit main body 111) by changing only a portion of the gas introduced into the plasma inspection apparatus. The amount can be reduced.

또한, 상기 플라즈마 검사 장치는 가스 유동 유닛에 유입된 가스를 배출 배관을 통해 배출되도록 함으로써, 플라즈마로 상태 변화된 입자가 검사 장치 내부에 침착(deposition)되는 것을 최소화할 수 있다. In addition, the plasma inspection apparatus may discharge the gas introduced into the gas flow unit through the discharge pipe, thereby minimizing deposition of particles changed into plasma into the inspection apparatus.

따라서, 상기 플라즈마 검사 장치는 가스 유동 유닛 본체의 내부 공간을 통과하는 가스에서 방출되는 광이 차단되지 않고 분광 유닛으로 되므로 가스 성분 분석의 정확성을 향상시킬 수 있다.
Therefore, the plasma inspection apparatus can improve the accuracy of gas component analysis because the light emitted from the gas passing through the inner space of the gas flow unit main body is not blocked and becomes a spectroscopic unit.

이하에서는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 플라즈마 검사 장치에 대하여 설명하기로 한다. 본 발명의 다른 실시 예에 따른 플라즈마 검사 장치는 앞서 설명한 본 발명의 일실시 예에 따른 플라즈마 검사 장치와 비교해서 가스 유동 유닛이 상이하다. 그러므로 상기 가스 유동 유닛을 중점적으로 설명하기로 하고, 다른 구성요소들에 관해서는 생략하도록 한다. 또한 본 발명의 다른 실시 예에 따른 검사 장치를 설명하는데 있어서, 가스 유동 유닛을 제외한 구성요소의 설명이 필요하여 언급하는 경우에는 앞에서 사용한 도면부호와 동일한 도면부호를 사용하기로 한다. Hereinafter, a plasma inspection apparatus according to another embodiment of the present invention will be described. Plasma inspection apparatus according to another embodiment of the present invention is different from the gas flow unit compared to the plasma inspection apparatus according to an embodiment of the present invention described above. Therefore, the gas flow unit will be mainly described, and other components will be omitted. In addition, in describing the inspection apparatus according to another embodiment of the present invention, when the description of the components other than the gas flow unit is required and referred to, the same reference numerals as those used above will be used.

도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 플라즈마 검사 장치 일부를 간략하게 도시한 단면도이다.4 is a schematic cross-sectional view of a portion of a plasma inspection apparatus according to another exemplary embodiment of the present disclosure.

도 4를 참조하면, 상기 가스 유동 유닛(210)은 가스 유동 유닛 본체(211) 및 유입 배관(213)을 포함한다.Referring to FIG. 4, the gas flow unit 210 includes a gas flow unit body 211 and an inflow pipe 213.

상기 가스 유동 유닛 본체(211)는 관(管) 형상으로, 제조 설비의 가스 공급라인(미도시)으로부터 유입된 가스가 플라즈마로 상태 변환이 이루어지는 장소이다. 상기 가스 유동 유닛 본체(211)는 석영, 사파이어 또는 유리로 형성될 수 있다.The gas flow unit main body 211 has a pipe shape and is a place where the gas introduced from a gas supply line (not shown) of a manufacturing facility is converted into a state of plasma. The gas flow unit body 211 may be formed of quartz, sapphire or glass.

상기 유입 배관(213)은 관(管) 형상으로, 한 단부는 가스 유동 유닛 본체(211)의 중앙 부분(하측)에 연결되고 다른 단부는 제조 설비의 가스 공급라인(미도시)에 연결된다. 상기 유입 배관(213)은 가스 유동 유닛 본체(211)로 가스가 유입되거나 또는 가스 유동 유닛 본체(211)로부터 가스가 배출되는 통로이다(도면의 화살표는 가스의 유동을 도시한 것이다). 또한 상기 유입 배관(211)은 가스 유동 유닛 본체(211)와 동일 재질로 형성될 수 있다.The inlet pipe 213 has a pipe shape, one end of which is connected to the central portion (lower side) of the gas flow unit body 211 and the other end of which is connected to a gas supply line (not shown) of the manufacturing facility. The inflow pipe 213 is a passage through which gas enters the gas flow unit main body 211 or gas is discharged from the gas flow unit main body 211 (arrows in the drawing show the flow of gas). In addition, the inflow pipe 211 may be formed of the same material as the gas flow unit body 211.

또한 앞에서 설명한 바와 같이 가스 유동 유닛 본체(213)에 유입 배관(213)과 단면적이 다른 배출 배관(미도시)을 형성시켜, 가스 유동 유닛 본체(211)에서의 가스 유입 및 가스 배출이 보다 원활하게 이루어질 수 있도록 할 수 있다.In addition, as described above, a discharge pipe (not shown) having a cross-sectional area different from the inflow pipe 213 is formed in the gas flow unit main body 213, so that the gas inflow and gas discharge from the gas flow unit main body 211 can be more smoothly performed. It can be done.

상기 가스 유동 유닛(210)의 내부에는 RF전원(131)과 연결된 제 1 전극 판(133) 및 제 2 전극 판(135)이 서로 마주보며 일정거리 이격되어 위치한다. 상기 제 1 전극 판(133) 및 제 2 전극 판(135)은 제 1 전극 판(133)과 제 2 전극 판(135)사이에 위치하는 가스에 전기 에너지를 가함으로써 가스를 플라즈마로 상태 변화시킨다. Inside the gas flow unit 210, the first electrode plate 133 and the second electrode plate 135 connected to the RF power source 131 face each other and are spaced apart from each other by a predetermined distance. The first electrode plate 133 and the second electrode plate 135 change the state of the gas into plasma by applying electrical energy to the gas located between the first electrode plate 133 and the second electrode plate 135. .

바람직하게는 상기 제 1 전극 판(133)과 제 2 전극 판(135)의 이격거리는 되도록 짧게 형성되어 적은 양의 가스가 플라즈마로 상태변화 되도록 한다. 또한 상기 제 1 전극 판(133)과 제 2 전극 판(135) 각각은 앞에서 설명한 것과 같이 하우징(미도시)에 장착되어 가스 유동 유닛(210)의 내부에 위치할 수도 있다.Preferably, the separation distance between the first electrode plate 133 and the second electrode plate 135 is formed to be short so that a small amount of gas is changed into a plasma state. In addition, each of the first electrode plate 133 and the second electrode plate 135 may be mounted in a housing (not shown) and positioned inside the gas flow unit 210 as described above.

상기 가스 유동 유닛 본체(211)에는 광 전달 수단(153)이 연결된다. 상기 광전달 수단(153)은 플라즈마로 상태 변화된 가스가 방출하는 빛을 보다 잘 채집하기 위해 제 1 전극 판(133)과 제 2 전극 판(135) 사이 상측(상기 유입 배관(213)의 맞은 편)에 장착된다. 상기 가스 유동 유닛 본체(211)와 광 전달 수단(153)의 연결은 상기 가스 유동 유닛 본체(211)가 투명한 석영이나 유리로 형성되기 때문에 가스 유동 유닛 본체(211)에 투광 홀이나 투광부재 등을 형성시킬 필요 없이 가스 유동 유닛 본체(211) 외면에 광 전달 수단을 부착시키는 것만으로 가능하다.Light transmission means 153 is connected to the gas flow unit body 211. The light transmitting means 153 is disposed between the first electrode plate 133 and the second electrode plate 135 (opposite to the inflow pipe 213) to collect light emitted by the gas changed into a plasma better. ) Is mounted. The gas flow unit body 211 and the light transmission means 153 are connected to the gas flow unit body 211 because the gas flow unit body 211 is formed of transparent quartz or glass. It is possible to simply attach the light transmitting means to the outer surface of the gas flow unit body 211 without forming it.

또한 상기 광 전달 수단(153)으로부터 광을 전달받아 분광하는 분석 유닛 및 분석 유닛으로부터 전기적 신호를 전달받아 분석하는 컨트롤 유닛에 관하여는 설명을 생략하도록 한다.In addition, the description of the analysis unit for receiving light from the light transmission means 153 and spectroscopy and the control unit for receiving and analyzing the electrical signal from the analysis unit will be omitted.

상기와 같은 구성으로 이루어진 본 발명의 다른 실시 예에 따른 플라즈마 검사 장치는 가스 유동 유닛(210)에 유입된 가스 전체를 플라즈마로 상태 변화시키는 것이 아니라 제 1 전극 판(133)과 제 2 전극 판(135) 사이의 가스만을(즉, 일부만을) 플라즈마 상태로 변화시킨다. 그러므로 장치 내부(즉, 가스 유동 유닛 본체 내측 면)에 증착될 수 있는 플라즈마 상태로 변한 가스의 양이 감소하게 되어 장치 내부에서의 플라즈마 입자 증착이 감소하게 된다. 이로 인해 가스 유동 유닛(210)에서 방출되는 광을 채집하여 분석하는 플라즈마 검사 장치의 검사 정확성이 향상된다.
Plasma inspection apparatus according to another embodiment of the present invention having the configuration as described above does not change the state of the entire gas introduced into the gas flow unit 210 to the plasma state, the first electrode plate 133 and the second electrode plate ( 135) (i.e. only a portion of) the gas in between to a plasma state. Therefore, the amount of gas changed into a plasma state that can be deposited inside the apparatus (ie, the gas flow unit body inner surface) is reduced, thereby reducing the deposition of plasma particles in the apparatus. This improves the inspection accuracy of the plasma inspection apparatus for collecting and analyzing the light emitted from the gas flow unit 210.

본 발명은 상기 실시 예들에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양하게 수정 또는 변형되어 실시될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명한 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that the present invention is not limited to the above embodiments and can be practiced in various ways without departing from the technical spirit of the present invention. will be.

100 : 플라즈마 검사 장치 110 : 가스 유동 유닛
130 : 플라즈마 발생 유닛 150 : 분광 유닛
170 : 컨트롤 유닛100: plasma inspection device 110: gas flow unit
130: plasma generating unit 150: spectroscopic unit
170: control unit

Claims

A gas flow unit including a gas flow unit body having an internal space and an inflow pipe connected to the gas flow unit body and a gas supply line of a manufacturing facility to introduce gas into the internal space of the gas flow unit body;
A first electrode plate and a second electrode plate connected to the RF power source and connected to the RF power source and disposed in the inner space of the gas flow unit body and corresponding to each other, wherein the gas passing through the gas flow unit body is plasma; A plasma generating unit which generates light by changing to the light emitting unit; And
And a spectroscopic unit configured to receive the light emitted by the gas passing through the gas flow unit main body and spectroscopically convert the light into an electrical signal.
The gas flow unit is
And a discharge pipe connected to the gas flow unit main body and a gas supply line of the manufacturing facility to discharge the gas in the internal space of the gas flow unit main body to the gas supply line.

The method of claim 1,
And a control unit for receiving and analyzing the electrical signal from the spectroscopic unit.

delete

The method of claim 1,
The cross-sectional area of the inlet pipe is formed larger than the cross-sectional area of the discharge pipe plasma inspection apparatus.

The method of claim 1,
The plasma generating unit
And a first housing and a second housing for fixing the first electrode plate and the second electrode plate to the inside of the gas flow unit body, respectively.

6. The method of claim 5,
And the first housing and the second housing are formed to surround the first electrode plate and the second electrode plate, respectively.

6. The method of claim 5,
And the first housing and the second housing are formed such that the first electrode plate and the second electrode plate are exposed to and fixed to an inner space of the gas flow unit body.

6. The method of claim 5,
And the first housing and the second housing are formed of an insulating material.

The method of claim 1,
The spectroscopic unit is
A spectroscopic unit body having an inner space formed therein;
Light transmitting means connected to the gas flow unit body and the spectroscopic unit body;
At least one magnifying reflector for reflecting the light transmitted through the light transmitting means; And
And an imaging device for converting the light transmitted by the magnification reflector into an electrical signal.

The method of claim 9,
And the light transmitting means is an optical cable or an optical tunnel.

The method of claim 1,
The gas flow unit is formed of metal, stainless steel, quartz, sapphire or glass.