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KR101233062B1 - 나노 급 패턴이 형성된 고효율 질화물계 발광다이오드용 기판의 제조방법 - Google Patents

나노 급 패턴이 형성된 고효율 질화물계 발광다이오드용 기판의 제조방법 Download PDF

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KR101233062B1
KR101233062B1 KR1020120040150A KR20120040150A KR101233062B1 KR 101233062 B1 KR101233062 B1 KR 101233062B1 KR 1020120040150 A KR1020120040150 A KR 1020120040150A KR 20120040150 A KR20120040150 A KR 20120040150A KR 101233062 B1 KR101233062 B1 KR 101233062B1
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South Korea
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light emitting
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nano
pattern
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Inventor
차혁진
이헌
최은서
Original Assignee
(주)휴넷플러스
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Publication date
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Abstract

본 발명의 질화물계 발광다이오드의 제조방법은 바닥부와 볼록부를 포함하고, 볼록부의 하단직경은 발광다이오드의 발광 파장의 0.1 내지 3배인 나노 패턴을 갖는 기판과 여기에 형성되는 GaN층으로 이루어진 버퍼층을 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명의 질화물계 발광다이오드의 제조방법을 이용하면 광추출 향상치가 크게 증대될 수 있고, 나노급 패턴을 경제적으로 형성할 수 있다.

Description

나노 급 패턴이 형성된 고효율 질화물계 발광다이오드용 기판의 제조방법 {Method For Fabricating Nano Patterned Substrate For High Efficiency Nitride based Light Emitting Diode}
본 발명은 나노 프린트 또는 나노 임프린트 공정을 이용하여 사파이어 단결정, 쿼츠, 실리콘 등의 기판에 나노 급 패턴을 경제적으로 제조하고, 여기에 갈륨질화물 등을 형성시켜 결정결함을 줄인 질화물 계 발광 다이오드용 기판을 제공하고, 이를 통해 발광 다이오드의 성능을 획기적으로 증대시키기 위한 것이다.
발광 다이오드는 기존의 형광등, 백열등 등의 조명 장치에 비해서 수명이 길고 전력소모가 적으며 친환경적인 장점이 있어 미래의 조명용 광원으로 주목받고 있으며 현재는 다양한 분야에서 광원으로 쓰이고 있다. 특히, 넓은 밴드갭을 가지는 질화물계 발광 다이오드는 녹색에서 청색, 근자외선 영역대의 빛을 발광할 수 있는 장점이 있어 LCD 및 휴대폰 백라이트, 자동차용 조명, 교통신호등, 일반 조명 등 그 응용 분야가 크게 확대되고 있는 추세에 있다. 하지만 이러한 수요를 충족시킬 만큼 질화물계 발광 다이오드는 충분한 성능의 개선이 이루어지지 못하고 있다.
발광다이오드의 성능은 크게 주입된 전자가 얼마나 많은 광자를 생성하는 지에 따른 내부 양자효율과 생성된 광자가 얼마나 많이 발광다이오드 소자 외부로 방출될 수 있는 지에 따른 광추출효율에 따라 결정된다.
최근 질화물 계 발광다이오드는 에피성장기술의 발전으로 인하여 내부양자효율이 크게 향상되었으나 광추출효율은 이에 비해서 매우 낮은 상황이다. 발광 다이오드의 활성층(발광층)인 MQW 영역 (multi quantum well region)에서 생성된 광이 방출될 경우, 발광 다이오드 소자와 외부 공기, 외부 봉지재인 에폭시, 사파이어 기판 등과의 경계에서 전반사가 발생한다. 공기(nair=1), epoxy(nepoxy=1.5), sapphire(nsap.=1.77)에 비해서 GaN의 경우 굴절률이 약 2.5정도로 큰 값을 가지기 때문에 MQW에서 생성된 광이 소자외부로 빠져 나갈 수 있는 임계각은 각각 θGAN/air=23° θGAN / epoxy=37° θGAN / sap .=45° 으로 매우 한정된 영역이다. 따라서, 임계각 범위를 벗어나 소자 외부 방향으로 입사하는 광은 외부로 진행하지 못하고 소자 내부에서 흡수될 때까지 계속 전반사 되어 광추출효율은 불과 수 %로 매우 낮다. 또한 이는 소자의 발열로 연결되는 문제를 야기시킨다.
이러한 질화물 계 발광다이오드의 한계를 극복하기 위해서 소자 표면의 p-GAN 층 또는 투명전극 층에 패턴을 삽입하여 광의 난반사를 통하여 전반사를 효과적으로 줄이려는 연구가 진행되어 왔다. 특히, 일정한 크기의 패턴이 규칙적으로 조밀하게 배열되어 있는 서브 마이크론 (sub-micron) 급의 광결정 패턴을 발광다이오드 제조공정에 도입할 경우 광추출효율이 크게 증가하는 것으로 알려져 있다. 하지만 패터닝 후 p-type 전극 형성, 패키징 공정 등의 발광 다이오드의 제작 공정과 생산수율, 경제성 등을 고려했을 때 p-GaN 층 및 투명전극 층의 패터닝 공정은 실제로 상용화하기에는 무리가 있다. 이에 대한 대안으로 PSS (patterned sapphire substrate)에 에피층을 성장시킬 경우, 마찬가지의 광의 난반사효과로 인하여 광추출효율을 효과적으로 개선시킬 수 있다. PSS의 경우 본래, 사파이어 (sapphire) 기판과 GaN 에피층과의 격자 불일치 (lattice mismatch)로 인한 treading dislocation density를 감소시켜 내부양자효율을 증가시키는 것을 목적으로 개발된 기술이나 광추출효율 역시 탁월하게 향상시킬 수 있으며 발광 다이오드의 제작 공정에 바로 적용가능한 장점이 있다. 현재 국내외 발광 다이오드의 제조 업체에서는 이미 PSS를 적용한 제품의 양산 단계에 이르고 있다.
현재 PSS의 경우, 주로 포토 리소그래피 공정과 건식 및 습식 식각 공정을 통하여 제작되고 패턴의 스펙은 대부분 수 마이크로 급 정도에 머물고 있다. 광의 난반사에 의한 발광다이오드의 광추출효율 향상은 패턴의 크기 및 형상, 주기 등에 따라서 그 향상치가 크게 달라진다. 발광 다이오드의 발광 영역 대에서는 나노 급의 광결정 패턴을 적용할 경우 광추출 향상치가 크게 증대되는 것으로 알려져 있다. 따라서 발광소자의 효율 향상을 위해서 기존에 상용화된 PSS의 마이크론 급 패턴의 직경 및 주기를 나노 급으로 축소할 필요가 있고, 패턴의 형상도 최적화할 필요가 있다.
현재 PSS 제작을 위해 사용되는 패터닝 기술인 포토리소그래피는 공정비용이 고가인데다가 나노 급 패턴을 적용하기에는 제품의 제조 단가가 비싸지고 경제성이 현저히 떨어지므로, 현재의 방법으로는 PSS를 통해서 더 이상의 광추출효율 향상은 기대하기 어렵다. 따라서 발광다이오드의 추가적인 효율 향상을 위해 고가의 포토리소그래피를 대신할 나노 급 패턴을 경제적으로 제작할 수 있는 패터닝 기술이 필요하다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물계 발광다이오드의 제조방법은 기판의 일면(一面) 또는 나노 몰드의 일면(一面)에 내식각성 레지스트 박막을 형성하는 제1단계, 상기 내식각성 레지스트 박막과 마주보도록, 나노 몰드 또는 기판을 위치시키고 가압하여 상기 기판 상에 나노 패턴을 가진 내식각성 레지스트 박막을 형성하는 제2단계, 상기 나노 패턴이 형성된 기판을 식각하는 제3단계, 그리고 상기 식각된 기판을 어닐링 하는 제4단계를 포함한다.
상기 나노 패턴은 바닥부와 볼록부를 포함하고, 상기 볼록부의 하단직경은 발광다이오드의 발광 파장의 0.1 내지 3배인 것일 수 있다.
상기 나노 패턴은 바닥부와 볼록부가 교대로 형성되어 있고, 제1볼록부와 상기 제1볼록부에 이웃하는 제2볼록부와의 거리가 발광다이오드의 발광 파장의 0.2 내지 6배인 것일 수 있고, 상기 제1볼록부에 이웃하는 제2볼록부와의 주기가 발광다이오드의 발광 파장의 0.2 내지 6배인 것일 수 있다.
상기 나노 패턴은 반구형, 삼각뿔형, 사각뿔형, 육각뿔형, 원뿔형 및 잘린구형으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 반복적으로 포함하는 것일 수 있다.
상기 질화물계 발광다이오드의 제조방법은, 상기 제4단계 이후에 상기 어닐링된 기판에 GaN층으로 이루어진 버퍼층을 더 형성하는 제5단계를 더 포함하여 발광 다이오드의 광추출 효율을 향상시킨 것일 수 있다.
상기 기판은 사파이어 기판, 실리콘 기판 및 쿼츠 기판으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것으로, Al2O3, SiC, Si, SiO2, 쿼츠 (Quartz), AlN, GaN, Si3N4 및 MgO로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 질화물계 발광 다이오드는 상기 질화물계 발광 다이오드의 제조방법에 의하여 제조된 기판을 포함한다. 상기 발광 다이오드용 기판은, 기판, 그리고 상기 기판의 일면에 형성된 볼록부와 상기 볼록부가 형성되지 아니한 바닥부를 포함하며, 상기 볼록부는 반복적으로 형성되어 있는 것으로, 상기 볼록부의 하단직경은 발광다이오드의 발광 파장의 0.1 내지 3배인 것이고, 제1볼록부와 상기 제1볼록부에 이웃하는 제2볼록부의 형성 주기가 발광다이오드의 발광 파장의 0.2 내지 6배인 것일 수 있다.
본 발명에서는 발광다이오드 용 기판의 패턴의 직경 및 주기를 나노 급으로 축소함을 통해 발광다이오드의 내부양자효율 및 광추출효율을 극대화시키고자 한다. 또한, 경제적인 비광학적 패터닝 기술인 나노 프린트 (또는 임프린트) 리소그래피 기술을 이용하여 기판에 나노 급 패턴을 제작하는 방법을 제시한다. 나노 프린트 (또는 임프린트) 기술은 고가의 노광 장비과 필요없어 경제적이며 간단한 공정으로 대면적에 패턴을 전사 또는 형성할 수 있기 때문에 생산 수율이 높은 이점이 있다. 특히 발광 다이오드를 위한 패터닝은 정확한 alignment가 필요없기 때문에 직접 패턴 전사 방식인 나노 프린트 (또는 임프린트) 공정이 적용되기에 적절하며, sub-micron 급 패턴을 쉽게 형성 가능하다. 따라서 PSS를 제작하기 위한 기존의 포토리소그래피 공정에 비하여 나노 프린트 (또는 임프린트) 기술을 PSS 공정에 적용할 경우 제품의 성능을 더욱 향상시키는 동시에 경제성을 갖추게 되며 고효율 PSS 발광 다이오드의 양산화가 가능하다. 또한, 여기에 갈륨질화물과 같은 물질을 형성시키면, 결정 결함이 현저히 적도록 형성되게 할 수 있어서, 발광 소자 내에서 발광되는 빛이 산란되어 내부 전반사되는 확률을 현저히 줄여줄 수 있고, 소자의 발광 성능을 현저하게 개선시킬 수 있다.
또한, 기존의 top emitting 구조의 발광 다이오드, flip-chip 발광 다이오드, 그리고 수직형 발광다이오드에도 적용이 가능하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물계 발광 다이오드의 제조방법을 나타낸 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 적용할 수 있는 다양한 패턴의 예를 나타내는 개념도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조한 발광 다이오드의 개념도이다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물계 발광 다이오드의 제조방법을 나타낸 개략도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 적용할 수 있는 다양한 패턴의 예를 나타내는 개념도이며, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조한 발광 다이오드의 개념도이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물계 발광다이오드의 제조방법은 기판의 일면(一面) 또는 나노 몰드의 일면(一面)에 내식각성 레지스트 박막을 형성하는 제1단계, 상기 내식각성 레지스트 박막과 마주보도록, 나노 몰드 또는 기판을 위치시키고 가압하여 상기 기판 상에 나노 패턴을 가진 내식각성 레지스트 박막을 형성하는 제2단계, 상기 나노 패턴이 형성된 기판을 식각하는 제3단계, 그리고 상기 식각된 기판을 어닐링 하는 제4단계를 포함한다.
상기 기판은 LED 기판으로 활용되고 있는 사파이어 기판 외에도 실리콘 기판이나 쿼츠 기판을 적용할 수 있다. 상기 기판은 Al2O3, SiC, Si, SiO2, 쿼츠 (Quartz), AlN, GaN, Si3N4 및 MgO로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 내식각성 레지스트 박막은 실리콘 산화물 졸층을 포함하는 박막일 수 있다. 상기 실리콘 산화물 졸층은 실리콘 산화물 졸을 제작한 후 이를 기판 또는 나노 몰드 상에 스핀 코팅하여 형성하는 것일 수 있고, 상기 실리콘 산화물 졸은 TEOS(tetraethyl orthosilicate)를 용매에 녹여서 제조한 것일 수 있으며, 여기에 적용되는 용매는 에탄올, 메탄올, DMF(dimethylformamide) 등과 같은 유기 용매가 적용될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 기판의 일면(一面)에 내식각성 레지스트 박막을 형성하는 경우에는, 제2단계에서 상기 내식각성 레지스트 박막과 마주보도록 나노 몰드를 위치시키고 가압하여 상기 기판 상에 나노 패턴을 가진 내식각성 레지스트 박막을 형성하는 나노 임프린트 방식으로 나노 패턴을 형성할 수 잇다.
상기 나노 몰드의 일면(一面)에 내식각성 레지스트 박막을 형성하고, 제2단계에서 상기 기판과 마주보도록, 상기 나노 몰드를 위치시킨 후에 가압하여 상기 기판 상에 나노 패턴을 가진 내식각성 레지스트 박막을 형성하는 나노 프린팅 방식으로 나노 패턴을 형성할 수 있다. 상기 나노 몰드의 일면에 상기 내식각성 레지스트 박막을 형성하는 경우에는, 큐어링 과정을 더 포함할 수 있다.
상기 나노 패턴의 몰드는 유연 고분자 복제 몰드일 수 있고, PDMS, h-PDMS, PVC 등과 같은 고분자 소재로 이루어진 것일 수 있다. 상기 몰드의 나노 패턴은 상기 내식각성 레지스트 박막에 바닥부와 볼록부를 포함하고, 기판에 형성된 볼록부의 하단직경(A)이 발광다이오드의 발광 파장의 0.1 내지 3배인 나노 패턴을 형성할 수 있는 것이라면 적용할 수 있다. 여기서, 하단직경(A)은 상기 도3에서 나타낸 것과 같이 볼록부가 바닥부와 접하는 면에서의 볼록부 단면의 직경을 의미한다.
상기 제2단계에서, 상기 가압은 1 내지 20 atm으로 이루어질 수 있고, 가압시의 온도는 70 내지 250 ℃일 수 있다.
상기 제3단계를 거쳐서 기판에 프린팅 또는 임프린팅된 나노 패턴은 바닥부와 볼록부를 포함하고, 상기 볼록부의 하단직경은 발광다이오드의 발광 파장의 0.1 내지 3배인 것이다. 즉, 상기 볼록부의 하단직경은 발광 다이오드의 발광 파장을 λ라고 하였을 때, 0.1λ 내지 3λ일 수 있고, 상기 발광 다이오드의 발광 파장은 발광 다이오드로 제공하고자 하는 빛의 파장에 따라서 적용될 수 있다. 상기 볼록부의 하단직경이 상기 범위인 경우에는 발광 다이오드의 발광 효율이 상당히 높아질 수 있다.
상기 나노 패턴은 바닥부와 볼록부가 교대로 형성되어 있고, 제1볼록부와 상기 제1볼록부에 이웃하는 제2볼록부와의 거리가 발광다이오드의 발광 파장의 0.2 내지 6배인 것일 수 있고, 제1볼록부와 상기 제1볼록부에 이웃하는 제2볼록부의 형성 주기(B)가 발광다이오드의 발광 파장을 λ라고 하였을 때, 0.2 λ 내지 6 λ인 것일 수 있다. 상기 나노 패턴의 주기가 상기의 범위인 경우에는 발광 다이오드의 발광 효율이 상당히 높아질 수 있다.
상기 나노 패턴은 상기 도 2에 예시된 것처럼, 반구형, 삼각뿔형, 사각뿔형, 육각뿔형, 원뿔형 및 잘린구형으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 반복적으로 포함하는 것일 수 있고, 이러한 패턴은 상기 나노 프린팅 또는 나노 임프린팅을 이용하기 때문에, 마스터 템플레이트에 따라서 원하는 형상의 패턴을 제작하여 적용할 수 있다.
이렇게 나노 패턴이 규칙성을 가진 입체 형상으로 구성되는 경우에는 상기 기판에 형성되는 GaN층의 격자 불일치 (lattice mismatch)를 감소시킬 수 있고, 이로 인한 treading dislocation density를 감소시켜 내부양자효율을 증가시킬 수 있다. 또한, 상기 패턴의 형상에 따라서 광추출 효율 향상치가 각각 다소 나타날 수 있으나, 이로 인하여 다이오드 내부의 난반사에 의하여 낮은 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 제3단계에서 식각은 상기 기판을 식각할 수 있는 방법이라면 적용할 수 있고, 건식식각 또는 습식식각의 방법에 적용될 수 있으며, 이온식각법 등이 적용될 수 있다. 상기 식각 후에 내식각성 레지스트 박막의 잔여층이 남아있는 경우에는, 이하 제5단계의 형성 전에 제거하는 것이 바람직하다.
상기 제4단계에서의 어닐링은 300 내지 1,000 ℃의 온도에서 이루어질 수 있으며, 상기 어닐링 과정으로 상기 기판에 나노 패턴의 PPS(patterned sapphire substrate)가 형성될 수 있다.
상기 질화물계 발광다이오드의 제조방법은 상기 제4단계 이후에, 상기 어닐링된 기판에 GaN층으로 이루어진 버퍼층을 더 형성하는 제5단계를 더 포함할 수 있다. 상기 버퍼층은 GaN가 나노 패턴화된 기판 상에 형성되면서 일반적인 경우에 기판 상에 GaN가 형성될 때에 발생하는 격자 불일치 (lattice mismatch)를 감소시킬 수 있으며, 나노 패턴으로 더욱 정교하게 격자 불일치를 감소시킬 수 있다. 아울러, 상기 패턴은 나노 크기로, 발광 다이오드의 파장에 따라서 일정한 크기와 주기로 패턴화시킬 수 있어서, 이로 인화여 광추출 효율을 낮추는 난반사를 최소화시키고 발광 다이오드의 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
나아가, 기존에 적용하던 포토리소그래피 방식의 경우에는. 패턴화할 수 있는 크기가 마이크로 단위로 한계가 있었으나, 본 발명의 경우에는 나노 프린팅 또는 나노 임프린팅방식을 적용하여서 나노 크기의 패턴을 정교하게 기판에 패턴화시킬 수 있으며, 이와 동시에 기존의 포토리소그래피 방식과 달리 공정을 간소화시켜 발광 다이오드용 기판과 이를 포함하는 발광 다이오드의 제조과정을 간소화시킬 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 발광 다이오드는 상기 질화물계 발광 다이오드의 제조방법에 의하여 제조된 기판을 포함한다. 상기 발광 다이오드용 기판은 기판, 그리고 상기 기판의 일면에 형성된 볼록부와 상기 볼록부가 형성되지 아니한 바닥부를 포함하며, 상기 볼록부는 반복적으로 형성되어 있는 것으로, 상기 볼록부의 하단직경은 발광다이오드의 발광 파장의 0.1 내지 3배인 것이고, 제1볼록부와 상기 제1볼록부에 이웃하는 제2볼록부의 형성 주기가 발광다이오드의 발광 파장의 0.2 내지 6배인 것일 수 있다.
상기 도3은 본 발명의 발광 다이오드의 개념도로, 상기 도3을 참조하면, 상기한 방법으로 나노 패턴이 형성된 발광다이오드용 기판과 그 상부에 형성된 n-GaN층, MQW층, 그리고 p-GaN이 순차로 형성된 것일 수 있다. 상기 n-GaN층은 하단에 GaN로 이루어진 버퍼층을 더 포함하고, 상기 버퍼층은 격자 불일치 (lattice mismatch)를 감소시켜 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 발광 다이오드용 기판을 포함하는 발광 다이오드는 규칙적인 나노 패턴 구조와 여기에 형성된 GaN로 이루어진 버퍼층에 의하여 기판의 구경이 넓어지더라도 버퍼층을 포함하는 GaN 막을 형성한 후의 residual stress를 낮추어서 휨현상을 방지할 수 있다.
상기 발광 다이오드는 Top emitting 구조의 발광다이오드일 수 있고, Flip-chip 구조의 발광 다이오드에 포함될 수 있으며, 수직형 구조의 발광다이오드에 적용될 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
A: 볼록부의 하단직경
B: 제1볼록부와 제2볼록부의 형성주기

Claims (6)

  1. 기판의 일면(一面) 또는 나노 몰드의 일면(一面)에 내식각성 레지스트 박막을 형성하는 제1단계,
    상기 내식각성 레지스트 박막과 마주보도록, 나노 몰드 또는 기판을 위치시키고 가압하여 상기 기판 상에 나노 패턴을 가진 내식각성 레지스트 박막을 형성하는 제2단계,
    상기 나노 패턴이 형성된 기판을 식각하는 제3단계, 그리고
    상기 식각된 기판을 어닐링 하는 제4단계를 포함하고,
    상기 나노 패턴은 바닥부와 볼록부를 포함하고, 상기 볼록부의 하단직경은 발광다이오드의 발광 파장의 0.1 내지 3배인 것이고,
    상기 나노 패턴은 바닥부와 볼록부가 교대로 형성되어 있고, 제1볼록부와 상기 제1볼록부에 이웃하는 제2볼록부와의 거리가 발광다이오드의 발광 파장의 0.2 내지 6배인 것이며,
    상기 나노 패턴은 반구형, 삼각뿔형, 사각뿔형, 육각뿔형, 원뿔형 및 잘린구형으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 반복적으로 포함하는 것인 나노 급 패턴이 형성된 고효율 질화물계 발광다이오드용 기판의 제조방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 질화물계 발광다이오드용 기판의 제조방법은, 상기 제4단계 이후에 상기 어닐링된 기판에 GaN층으로 이루어진 버퍼층을 더 형성하는 제5단계를 더 포함하여 발광 다이오드의 광추출 효율을 향상시킨 것인 나노 급 패턴이 형성된 고효율 질화물계 발광다이오드용 기판의 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 기판은 사파이어 기판, 실리콘 기판 및 쿼츠 기판으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것으로, Al2O3, SiC, Si, SiO2, 쿼츠 (Quartz), AlN, GaN, Si3N4 및 MgO로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것인 나노 급 패턴이 형성된 고효율 질화물계 발광다이오드용 기판의 제조방법.
  6. 삭제
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