KR101218449B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents
기판 처리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101218449B1 KR101218449B1 KR1020110071480A KR20110071480A KR101218449B1 KR 101218449 B1 KR101218449 B1 KR 101218449B1 KR 1020110071480 A KR1020110071480 A KR 1020110071480A KR 20110071480 A KR20110071480 A KR 20110071480A KR 101218449 B1 KR101218449 B1 KR 101218449B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- board
- main surface
- nozzle
- spray pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 200
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 90
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 105
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 10
- 239000011295 pitch Substances 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 61
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 26
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 6
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3063—Electrolytic etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Spray Control Apparatus (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Nozzles (AREA)
Abstract
(해결 수단) 스프레이 파이프부(22)와, 스프레이 파이프부(22)의 길이 방향으로 일렬로 서로 근접하여 설치되고 약액을 그 토출구(26)로부터 기판(W)의 표면(102)으로 토출하는 복수의 노즐부(24)로 구성되는 복수의 스프레이 노즐(14)을 구비하고, 기판(W)의 표면(102)에 대한 복수의 노즐부(24)의 토출구(26)의 대향 각도를, 경사시킨 자세로 반송되는 기판(W)의 표면(102)의 경사 하단 방향을 향해, 기판(W)의 표면(102)의 경사 상단부 부근으로부터 경사 하단부 부근에 걸쳐, 기판(W)의 표면(102)의 법선(300)에 대해서 점차 작아지도록, 복수의 노즐부(24)를 복수의 스프레이 파이프부(22)에 설치함으로써, 기판(W)의 표면(102) 상에 있어서 토출 후의 약액의 유속을 경사 상단부 부근에서는 상대적으로 작게 경사 하단부 부근에서는 상대적으로 크게 한다.
Description
도 2의 (a), (b)는 본 발명의 실시의 형태에 관련되는 기판 처리 장치에 있어서 기판의 표면에 대한, 스프레이 노즐을 구성하는 스프레이 파이프부에 설치된 노즐부의 토출구의 대향 각도를 설명하기 위한 모식도이다.
도 3은 종래의 기판 처리 장치 및 본 발명의 실시 형태에 관련되는 기판 처리 장치에 의해 각각 토출된 약액의, 경사 자세의 기판의 표면 상에 있어서의 위치와 유속의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 4의 (a), (b)는 본 발명의 실시의 형태의 변형예에 관련되는 기판 처리 장치에 있어서의 노즐부로부터 기판의 표면으로 약액을 토출하는 모습을 나타내는 모식도이다.
도 5의 (a), (b)는 종래의 스프레이 파이프부 왕복 회동형의 기판 처리 장치에 있어서의 노즐부로부터 기판의 표면으로 처리액을 토출하는 모습을 나타내는 모식도이다.
도 6은 종래의 스프레이 파이프부 왕복 회동형의 기판 처리 장치에 의해 토출된 약액의, 경사 자세의 기판의 표면 상에 있어서의 위치와 유속의 관계를 나타내는 그래프이다.
12:약액 탱크 14:스프레이 노즐
16:송액 펌프 18:약액 공급로
20:순환 배수로 22:스프레이 파이프부
24:노즐부 26:토출구
102:기판의 표면 106, 108, 110:선
W:기판
Claims (5)
- 기판에 대해서 웨트(wet) 처리를 행하는 웨트 처리실과,
상기 웨트 처리실 내에 설치되어 기판을 수평면에 대해서 기판 반송 방향과 직교하는 방향으로 소정 각도 경사시킨 자세로 수평 방향으로 반송하는 기판 반송 수단과,
상기 웨트 처리실 내에 설치되는 기판 반송 수단에 의해 반송되는 기판의 주면에 처리액을 공급하는 처리액 공급 수단을 구비한 기판 처리 장치로서,
상기 처리액 공급 수단은,
기판 반송 방향에 관해서 교차하는 방향으로 등(等)피치로 서로 평행하게 배치되고 처리액을 기판의 주면으로 토출하는 복수의 스프레이 노즐을 구비하고,
각 상기 복수의 스프레이 노즐은,
상기 기판 반송 방향을 따르는 방향으로 연장되는 스프레이 파이프부와, 당해 스프레이 파이프부의 길이 방향으로 일렬로 서로 근접하여 설치되고 처리액을 그 토출구로부터 기판의 주면으로 토출하는 복수의 노즐부로 구성되는 기판 처리 장치에 있어서,
기판의 주면에 대한 상기 복수의 노즐부의 토출구의 대향 각도를, 경사시킨 자세로 반송되는 기판의 주면의 경사 하단 방향을 향해, 기판의 주면의 경사 상단부 부근으로부터 경사 하단부 부근에 걸쳐, 기판의 주면의 법선에 대해서 점차 작아지도록, 상기 복수의 노즐부를 상기 복수의 스프레이 파이프부에 설치함으로써, 기판의 주면 상에 있어서 토출 후의 처리액의 유속을 상기 경사 상단부 부근에서보다 상기 경사 하단부 부근에서 더 크게 한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 청구항 1에 있어서,
기판 반송 방향에 관해서 교차하는 방향으로 등피치로 배치되는 상기 복수의 스프레이 노즐의 상기 복수의 노즐부는, 당해 교차 방향에 관해 지그재그 형상으로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 청구항 1에 있어서,
각 상기 스프레이 파이프부에 연결된 회동 수단이 더 구비되고,
상기 회동 수단에 의해 각 상기 스프레이 파이프부의 중심축을 중심으로 하여 각 상기 스프레이 파이프부를 기판의 주면의 경사 상단 방향을 향해 소정 각도로 일률적으로 회동시킨 후에 복귀 회동시키고,
당해 회동의 왕복 동작을 반복하면서 각 상기 노즐부의 각 상기 토출구로부터의 처리액의 기판의 주면으로의 토출 방향을 변화시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 복수의 노즐부의 토출구로부터 토출되는 처리액의 토출량은 동일한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 노즐부의 토출구로부터 토출되는 처리액은, 에칭액인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010211717A JP5701551B2 (ja) | 2010-09-22 | 2010-09-22 | 基板処理装置 |
JPJP-P-2010-211717 | 2010-09-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120031118A KR20120031118A (ko) | 2012-03-30 |
KR101218449B1 true KR101218449B1 (ko) | 2013-01-21 |
Family
ID=46134772
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110071480A Expired - Fee Related KR101218449B1 (ko) | 2010-09-22 | 2011-07-19 | 기판 처리 장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5701551B2 (ko) |
KR (1) | KR101218449B1 (ko) |
TW (1) | TWI443734B (ko) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6240777B2 (ja) * | 2014-07-24 | 2017-11-29 | シャープ株式会社 | 洗浄装置 |
JP6719271B2 (ja) * | 2015-06-01 | 2020-07-08 | 株式会社荏原製作所 | 処理対象物を保持するためのテーブルおよび該テーブルを有する処理装置 |
CN104888996B (zh) * | 2015-06-29 | 2017-08-11 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 喷淋组件以及具有该喷淋组件的湿刻设备 |
US20180326436A1 (en) * | 2015-12-11 | 2018-11-15 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Mist coating forming apparatus and mist coating forming method |
JP6536830B2 (ja) * | 2016-08-30 | 2019-07-03 | 株式会社Nsc | スプレイエッチング装置 |
JP7312738B2 (ja) * | 2020-12-11 | 2023-07-21 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11145109A (ja) * | 1997-11-07 | 1999-05-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JPH11307434A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-11-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2002324481A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Dainippon Printing Co Ltd | レジスト剥離装置 |
JP2004006631A (ja) * | 2002-03-27 | 2004-01-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3535707B2 (ja) * | 1997-08-28 | 2004-06-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP3556110B2 (ja) * | 1998-12-22 | 2004-08-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP2010036100A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理液供給装置 |
-
2010
- 2010-09-22 JP JP2010211717A patent/JP5701551B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-06-14 TW TW100120645A patent/TWI443734B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-07-19 KR KR1020110071480A patent/KR101218449B1/ko not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11145109A (ja) * | 1997-11-07 | 1999-05-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JPH11307434A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-11-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2002324481A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Dainippon Printing Co Ltd | レジスト剥離装置 |
JP2004006631A (ja) * | 2002-03-27 | 2004-01-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20120031118A (ko) | 2012-03-30 |
JP2012066177A (ja) | 2012-04-05 |
TW201214549A (en) | 2012-04-01 |
TWI443734B (zh) | 2014-07-01 |
JP5701551B2 (ja) | 2015-04-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101217371B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR101218449B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP2007273575A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
US10005092B2 (en) | Nozzle and substrate treating apparatus including the same | |
KR101055247B1 (ko) | 기판의 처리 장치 및 처리 방법 | |
JP2007255752A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR101153050B1 (ko) | 기판의 처리 장치 및 처리 방법 | |
KR20150041378A (ko) | 약액 공급 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 | |
KR100919562B1 (ko) | 에칭장치 | |
JP2007266545A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2000323813A (ja) | 基板処理装置 | |
KR20080062342A (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR101204725B1 (ko) | 기판의 처리 장치 | |
KR20020084121A (ko) | 반송식 기판 처리 장치 | |
TWI568500B (zh) | 噴射流體裝置 | |
JP5202400B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR20200035249A (ko) | 식각 장치 | |
JP5785454B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR102094943B1 (ko) | 식각 장치 | |
KR20080062350A (ko) | 기판 세정 장비 | |
KR101856197B1 (ko) | 약액 공급 장치 | |
KR100725038B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR102115170B1 (ko) | 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용한 액 공급 방법 | |
JP4373809B2 (ja) | 搬送式基板処理装置 | |
KR100825969B1 (ko) | 평판 디스플레이 제조에 사용되는 기판 세정 장치 및 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20110719 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
PG1501 | Laying open of application | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20120822 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20121206 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20121227 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20121227 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20161209 |