KR101135763B1 - 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents
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Abstract
플라즈마 디스플레이 패널은, 전면 글래스 기판(3) 위에 형성한 표시 전극을 덮도록 유전체층을 형성함과 함께 그 유전체층 위에 보호층을 형성한 전면판과, 이 전면판에 방전 공간을 형성하도록 대향 배치되며 또한 상기 표시 전극과 교차하는 방향으로 어드레스 전극을 형성함과 함께 상기 방전 공간을 구획하는 격벽을 형성한 배면판을 갖고, 상기 보호층은, 상기 유전체층 위에 기초막을 형성함과 함께, 그 기초막에 금속 산화물을 포함하는 복수개의 결정 입자가 응집한 응집 입자를 전체면에 걸쳐 분포하도록 부착시켜 구성하고, 또한 상기 응집 입자는, 캐소드 루미네센스에서의 200㎚ 이상 300㎚ 이하의 파장 영역의 스펙트럼의 피크 강도값의 분포가, 누적 평균값의 240% 이내에 포함된다.
유전체층, 보호층, 응집 입자, 피크 강도값, 누적 평균값, 기초막
Description
본 발명은, 표시 디바이스 등에 이용하는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널(이하, 「PDP」라고 부름)은, 고정밀화, 대화면화의 실현이 가능하기 때문에, 65인치 클래스의 텔레비전 등이 제품화되어 있다. 최근, PDP는 종래의 NTSC 방식에 비해 주사선수가 2배 이상인 하이디피니션 텔레비전에의 적용이 진행되고 있음과 함께, 환경 문제를 고려하여 납 성분을 함유하지 않는 PDP가 요구되고 있다.
PDP는, 기본적으로는, 전면판과 배면판으로 구성되어 있다. 전면판은, 플로트법에 의한 붕규산 나트륨계 글래스의 글래스 기판과, 글래스 기판의 한쪽의 주면 위에 형성된 스트라이프 형상의 투명 전극과 버스 전극으로 구성되는 표시 전극과, 표시 전극을 덮어 컨덴서로서의 기능을 하는 유전체층과, 유전체층 위에 형성된 산화마그네슘(MgO)을 포함하는 보호층으로 구성되어 있다. 한편, 배면판은, 글래스 기판과, 그 한쪽의 주면 위에 형성된 스트라이프 형상의 어드레스 전극과, 어드레스 전극을 덮는 기초 유전체층과, 기초 유전체층 위에 형성된 격벽과, 각 격벽 사이에 형성된 적색, 녹색 및 청색 각각으로 발광하는 형광체층으로 구성되어 있다.
전면판과 배면판은 그 전극 형성면측을 대향시켜 기밀 봉착되며, 격벽에 의해 구획된 방전 공간에 Ne-Xe의 방전 가스가 400Torr～600Torr의 압력으로 봉입되어 있다. PDP는, 표시 전극에 영상 신호 전압을 선택적으로 인가함으로써 방전시키고, 그 방전에 의해 발생한 자외선이 각 색 형광체층을 여기하여 적색, 녹색, 청색의 발광을 시켜 컬러 화상 표시를 실현하고 있다(특허 문헌 1 참조).
이와 같은 PDP에서, 전면판의 유전체층 위에 형성되는 보호층의 역할은, 방전에 의한 이온 충격으로부터 유전체층을 보호하는 것, 어드레스 방전을 발생시키기 위한 초기 전자를 방출하는 것 등을 들 수 있다. 이온 충격으로부터 유전체층을 보호하는 것은, 방전 전압의 상승을 방지하는 중요한 역할이다. 또한, 어드레스 방전을 발생시키기 위한 초기 전자를 방출하는 것은, 화상의 깜박거림의 원인으로 되는 어드레스 방전 미스를 방지하는 중요한 역할이다.
보호층으로부터의 초기 전자의 방출수를 증가시켜 화상의 깜박거림을 저감하기 위해서는, 예를 들면 MgO에 Si나 Al을 첨가하는 등의 시도가 행해지고 있다.
최근, 텔레비전은 고정밀화가 진행되고 있으며, 시장에서는 저코스트?저소비전력?고휘도의 하이디피니션(1920×1080화소 : 프로그레시브 표시) PDP가 요구되고 있다. 보호층으로부터의 전자 방출 성능은 PDP의 화질을 결정하기 때문에, 전자 방출 성능을 제어하는 것이 매우 중요하다.
PDP에서, 보호층에 불순물을 혼재시킴으로써 전자 방출 성능을 개선하고자 하는 시도가 행해지고 있다. 그러나, 보호층에 불순물을 혼재시켜 전자 방출 성능을 개선한 경우, 이것과 동시에 보호층 표면에 전하가 축적되어, 메모리 기능으로 서 사용하고자 할 때의 전하가 시간과 함께 감소하는 감쇠율이 커지게 된다. 따라서, 이것을 억제하기 위한 인가 전압을 크게 하는 등의 대책이 필요로 된다. 이와 같이 보호층의 특성으로서, 높은 전자 방출 성능을 가짐과 함께, 메모리 기능으로서의 전하의 감쇠율을 작게 하는, 즉 높은 전하 유지 성능을 갖는다고 하는, 상반되는 2개의 성능을 겸비하지 않으면 안된다고 하는 과제가 있었다.
[특허 문헌 1] 일본 특개 2007-48733호 공보
<발명의 개시>
본 발명의 PDP는, 기판 위에 형성한 표시 전극을 덮도록 유전체층을 형성함과 함께 그 유전체층 위에 보호층을 형성한 전면판과, 이 전면판에 방전 공간을 형성하도록 대향 배치되며 또한 표시 전극과 교차하는 방향으로 어드레스 전극을 형성함과 함께 상기 방전 공간을 구획하는 격벽을 형성한 배면판을 갖는다. 보호층은, 상기 유전체층 위에 기초막을 형성함과 함께, 그 기초막에 금속 산화물을 포함하는 복수개의 결정 입자가 응집한 응집 입자를 전체면에 걸쳐 분포하도록 부착시켜 구성하고, 또한 응집 입자는, 캐소드 루미네센스에서의 200㎚ 이상 300㎚ 이하의 파장 영역의 스펙트럼의 피크 강도값의 분포가, 누적 평균값의 240% 이내에 포함되는 것인 것을 특징으로 한다.
이와 같은 구성에 의해, 전자 방출 성능을 개선함과 함께, 전하 유지 성능도 겸비하여, 고화질과, 저비용, 저전압을 양립할 수 있는 PDP를 제공함으로써, 저소비 전력, 또한 고정밀이며 고휘도의 표시 성능을 구비한 PDP를 실현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에서의 PDP의 구조를 도시하는 사시도.
도 2는 동 PDP의 전면판의 구성을 도시하는 단면도.
도 3은 동 PDP의 보호층 부분을 확대하여 도시하는 단면도.
도 4는 동 PDP의 보호층에서, 응집 입자를 설명하기 위한 확대도.
도 5는 결정 입자의 캐소드 루미네센스 측정 결과를 도시하는 특성도.
도 6은 본 발명의 실시 형태에 따른 효과를 설명하기 위해서 행한 실험 결과에서, PDP에서의 전자 방출 성능과 Vscn 점등 전압의 검토 결과를 도시하는 특성도.
도 7A는 각 응집 입자의 200㎚ 이상 300㎚ 이하의 파장 영역의 스펙트럼의 피크 강도값의 분포도.
도 7B는 각 응집 입자의 200㎚ 이상 300㎚ 이하의 파장 영역의 스펙트럼의 피크 강도값의 분포도.
도 7C는 각 응집 입자의 200㎚ 이상 300㎚ 이하의 파장 영역의 스펙트럼의 피크 강도값의 분포도.
도 8은 누적 평균 강도값에 대한 표준 편차의 비율과, 허용 하한의 전자 방출 성능을 확보하기 위해서 필요한 응집 입자수의 관계를 도시하는 특성도.
도 9는 응집 입자수와 격벽의 파손의 발생율의 관계를 도시하는 특성도.
도 10은 결정 입자의 입경과 전자 방출 성능의 관계를 도시하는 특성도.
도 11은 결정 입자의 입경과 격벽의 파손의 발생율의 관계를 도시하는 특성도.
도 12는 본 발명의 실시 형태에 따른 PDP에서, 응집 입자의 입도 분포의 일례를 도시하는 특성도.
도 13은 본 발명의 실시 형태에 따른 PDP의 제조 방법에서, 보호층 형성의 스텝을 도시하는 스텝도.
<부호의 설명>
1 : PDP
2 : 전면판
3 : 전면 글래스 기판
4 : 주사 전극
4a, 5a : 투명 전극
4b, 5b : 금속 버스 전극
5 : 유지 전극
6 : 표시 전극
7 : 블랙 스트라이프(차광층)
8 : 유전체층
9 : 보호층
10 : 배면판
11 : 배면 글래스 기판
12 : 어드레스 전극
13 : 기초 유전체층
14 : 격벽
15 : 형광체층
16 : 방전 공간
81 : 제1 유전체층
82 : 제2 유전체층
91 : 기초막
92 : 응집 입자
92a : 결정 입자
<발명을 실시하기 위한 최량의 형태>
이하, 본 발명의 일 실시 형태에서의 PDP에 대하여 도면을 이용하여 설명한다.
<실시 형태>
도 1은 본 발명의 실시 형태에서의 PDP의 구조를 도시하는 사시도이다. PDP의 기본 구조는, 일반적인 교류 면방전형 PDP와 마찬가지이다. 도 1에 도시한 바와 같이, PDP(1)는 전면 글래스 기판(3) 등을 포함하는 전면판(2)과, 배면 글래스 기판(11) 등을 포함하는 배면판(10)이 대향하여 배치되어 있다. PDP(1)의 외주부는, 글래스 프릿 등을 포함하는 봉착재에 의해 기밀 봉착되어 있다. 봉착된 PDP(1) 내부의 방전 공간(16)에는, Ne 및 Xe 등의 방전 가스가 400Torr～600Torr의 압력으로 봉입되어 있다.
전면판(2)의 전면 글래스 기판(3) 위에는, 한 쌍의 띠 형상의 주사 전극(4) 및 유지 전극(5)을 포함하는 표시 전극(6)과 블랙 스트라이프(차광층)(7)가 서로 평행하게 각각 복수열 배치되어 있다. 전면 글래스 기판(3) 위에는 표시 전극(6)과 차광층(7)을 덮도록 컨덴서로서의 기능을 하는 유전체층(8)이 형성되어 있다. 또한, 유전체층(8)의 표면에 산화마그네슘(MgO) 등을 포함하는 보호층(9)이 형성되어 있다.
또한, 배면판(10)의 배면 글래스 기판(11) 위에는, 전면판(2)의 주사 전극(4) 및 유지 전극(5)과 직교하는 방향으로, 복수의 띠 형상의 어드레스 전극(12)이 서로 평행하게 배치되어 있다. 그리고, 어드레스 전극(12)을 기초 유전체층(13)이 피복하고 있다. 또한, 어드레스 전극(12) 사이의 기초 유전체층(13) 위에는 방전 공간(16)을 구획하는 소정의 높이의 격벽(14)이 형성되어 있다. 격벽(14) 사이의 홈에 어드레스 전극(12)마다, 자외선에 의해 적색, 녹색 및 청색으로 각각 발광하는 형광체층(15)이 순차적으로 도포되어 형성되어 있다. 주사 전극(4) 및 유지 전극(5)과 어드레스 전극(12)이 교차하는 위치에 방전 셀이 형성되고, 표시 전극(6) 방향으로 배열된 적색, 녹색, 청색의 형광체층(15)을 갖는 방전 셀이 컬러 표시를 위한 화소로 된다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에서의 PDP(1)의 전면판(2)의 구성을 도시하는 단면도이며, 도 2는 도 1과 상하 반전시켜 도시하고 있다. 도 2에 도시한 바와 같이, 플로트법 등에 의해 제조된 전면 글래스 기판(3)에, 주사 전극(4)과 유지 전극(5)을 포함하는 표시 전극(6)과 차광층(7)이 패턴 형성되어 있다. 주사 전극(4) 과 유지 전극(5)은 각각 인듐 주석 산화물(ITO)이나 산화주석(SnO2) 등을 포함하는 투명 전극(4a, 5a)과, 투명 전극(4a, 5a) 위에 형성된 금속 버스 전극(4b, 5b)에 의해 구성되어 있다. 금속 버스 전극(4b, 5b)은 투명 전극(4a, 5a)의 길이 방향으로 도전성을 부여할 목적으로서 이용되며, 은(Ag) 재료를 주성분으로 하는 도전성 재료에 의해 형성되어 있다.
유전체층(8)은, 전면 글래스 기판(3) 위에 형성된 이들 투명 전극(4a, 5a)과 금속 버스 전극(4b, 5b)과 차광층(7)을 덮도록 형성한 제1 유전체층(81)과, 제1 유전체층(81) 위에 형성된 제2 유전체층(82)의 적어도 2층 구성으로 하고 있다. 또한 제2 유전체층(82) 위에 보호층(9)을 형성하고 있다. 보호층(9)은, 유전체층(8) 위에 형성된 기초막(91)과, 그 기초막(91) 위에 부착시킨 응집 입자(92)로 구성되어 있다.
다음으로, PDP의 제조 방법에 대하여 설명한다. 우선, 전면 글래스 기판(3) 위에, 주사 전극(4) 및 유지 전극(5)과 차광층(7)을 형성한다. 이들 투명 전극(4a, 5a)과 금속 버스 전극(4b, 5b)은, 포토리소그래피법 등을 이용하여 패터닝하여 형성된다. 투명 전극(4a, 5a)은 박막 프로세스 등을 이용하여 형성된다. 금속 버스 전극(4b, 5b)은 은(Ag) 재료를 함유하는 페이스트를 소정의 온도에서 소성하여 고화하고 있다. 또한, 차광층(7)도 마찬가지로, 흑색 안료를 함유하는 페이스트를 스크린 인쇄하는 방법이나, 흑색 안료를 글래스 기판의 전체면에 형성한 후, 포토리소그래피법을 이용하여 패터닝하고, 소성하는 방법에 의해 형성된다.
다음으로, 주사 전극(4), 유지 전극(5) 및 차광층(7)을 덮도록 전면 글래스 기판(3) 위에 유전체 페이스트를 다이코팅법 등에 의해 도포하여 유전체 페이스트층(유전체 재료층)을 형성한다. 유전체 페이스트를 도포한 후, 소정 시간 방치함으로써 도포된 유전체 페이스트 표면이 레벨링되어 평탄한 표면으로 된다. 그 후, 유전체 페이스트층을 소성 고화함으로써, 주사 전극(4), 유지 전극(5) 및 차광층(7)을 덮는 유전체층(8)이 형성된다. 또한, 유전체 페이스트는 글래스 분말 등의 유전체 재료, 바인더 및 용제를 함유하는 도료이다.
다음으로, 유전체층(8) 위에 산화마그네슘(MgO)을 포함하는 보호층(9)을 진공 증착법에 의해 형성한다. 이상의 스텝에 의해 전면 글래스 기판(3) 위에 소정의 구성물, 즉 주사 전극(4), 유지 전극(5), 차광층(7), 유전체층(8), 보호층(9)이 형성되어, 전면판(2)이 완성된다.
한편, 배면판(10)은 다음과 같이 하여 형성된다. 우선, 배면 글래스 기판(11) 위에, 은(Ag) 재료를 함유하는 페이스트를 스크린 인쇄하는 방법이나, 금속막을 전체면에 형성한 후, 포토리소그래피법을 이용하여 패터닝하는 방법 등에 의해 어드레스 전극(12)의 구성물로 되는 재료층을 형성한다. 그리고, 그 재료층을 소정의 온도에서 소성함으로써 어드레스 전극(12)을 형성한다.
다음으로, 어드레스 전극(12)이 형성된 배면 글래스 기판(11) 위에 다이코팅법 등에 의해 어드레스 전극(12)을 덮도록 유전체 페이스트를 도포하여 유전체 페이스트층을 형성한다. 그 후, 유전체 페이스트층을 소성함으로써 기초 유전체층(13)을 형성한다. 또한, 유전체 페이스트는 글래스 분말 등의 유전체 재료와 바 인더 및 용제를 함유한 도료이다.
다음으로, 기초 유전체층(13) 위에 격벽 재료를 함유하는 격벽 형성용 페이스트를 도포하여 소정의 형상으로 패터닝함으로써, 격벽 재료층을 형성한다. 그 후, 격벽 재료층을 소성함으로써 격벽(14)을 형성한다. 여기서, 기초 유전체층(13) 위에 도포한 격벽 형성용 페이스트를 패터닝하는 방법으로서는, 포토리소그래피법이나 샌드 블러스트법을 이용할 수 있다. 다음으로, 인접하는 격벽(14) 사이의 기초 유전체층(13) 위 및 격벽(14)의 측면에 형광체 재료를 함유하는 형광체 페이스트를 도포하고, 소성함으로써 형광체층(15)이 형성된다. 이상의 스텝에 의해, 배면 글래스 기판(11) 위에 소정의 구성 부재를 갖는 배면판(10)이 완성된다.
이와 같이 하여 소정의 구성 부재를 구비한 전면판(2)과 배면판(10)을 주사 전극(4)과 어드레스 전극(12)이 직교하도록 대향 배치하고, 그 주위를 글래스 프릿으로 봉착하고, 방전 공간(16)에 Ne, Xe 등을 함유하는 방전 가스를 봉입함으로써 PDP(1)가 완성된다.
여기서, 전면판(2)의 유전체층(8)을 구성하는 제1 유전체층(81)과 제2 유전체층(82)에 대하여 상세하게 설명한다. 제1 유전체층(81)의 유전체 재료는, 다음의 재료 조성으로 구성되어 있다. 즉, 산화비스무트(Bi2O3)를 20중량％～40중량％ 함유하고, 산화칼슘(CaO), 산화스트론튬(SrO), 산화바륨(BaO)으로부터 선택되는 적어도 1종을 0.5중량％～12중량％ 함유하고, 산화몰리브덴(MoO3), 산화텅스텐(WO3), 산화세륨(CeO2), 이산화망간(MnO2)으로부터 선택되는 적어도 1종을 0.1중량％～7중 량％ 함유하고 있다.
또한, 산화몰리브덴(MoO3), 산화텅스텐(WO3), 산화세륨(CeO2), 이산화망간(MnO2) 대신에, 산화구리(CuO), 산화크롬(Cr2O3), 산화코발트(Co2O3), 산화바나듐(V2O7), 산화안티몬(Sb2O3)으로부터 선택되는 적어도 1종을 0.1중량％～7중량％ 함유시켜도 된다.
또한, 상기 이외의 성분으로서, 산화아연(ZnO)을 0중량％～40중량％, 산화붕소(B2O3)를 0중량％～35중량％, 산화규소(SiO2)를 0중량％～15중량％, 산화알루미늄(Al2O3)을 0중량％～10중량％ 등, 납 성분을 함유하지 않는 재료 조성이 포함되어 있어도 되고, 이들 재료 조성의 함유량에 특별히 한정은 없다.
이들 조성 성분을 포함하는 유전체 재료를, 습식 제트 밀이나 볼 밀로 평균 입경이 0.5㎛～2.5㎛로 되도록 분쇄하여 유전체 재료 분말을 제작한다. 다음으로, 이 유전체 재료 분말 55중량％～70중량％와, 바인더 성분 30중량％～45중량％를 3본 롤로 잘 혼련하여 다이코팅용, 또는 인쇄용의 제1 유전체층용 페이스트를 제작한다.
바인더 성분은 에틸 셀룰로오스, 또는 아크릴 수지 1중량％～20중량％를 함유하는 터피네올, 또는 부틸 카르비톨 아세테이트이다. 또한, 페이스트 내에는, 필요에 따라서 가소제로서 프탈산디옥틸, 프탈산디부틸, 인산트리페닐, 인산트리부틸 중 적어도 하나 이상을 첨가하고, 분산제로서 글리세롤 모노올레이트, 소르비탄 세스퀴올레에이트, 호모게놀(Kao 코퍼레이션사 제품명), 알킬알릴기의 인산에스테르 중 적어도 하나 이상을 첨가하여 인쇄성을 향상시켜도 된다.
다음으로, 이 제1 유전체층용 페이스트를 이용하여, 표시 전극(6)을 덮도록 전면 글래스 기판(3)에 다이코팅법 혹은 스크린 인쇄법으로 인쇄하여 건조시키고, 그 후, 유전체 재료의 연화점보다 조금 높은 온도인 575℃～590℃에서 소성한다.
다음으로, 제2 유전체층(82)에 대하여 설명한다. 제2 유전체층(82)의 유전체 재료는, 다음의 재료 조성으로 구성되어 있다. 즉, 산화비스무트(Bi2O3)를 11중량％～20중량％ 함유하고, 또한, 산화칼슘(CaO), 산화스트론튬(SrO), 산화바륨(BaO)으로부터 선택되는 적어도 1종을 1.6중량％～21중량％ 함유하고, 산화몰리브덴(MoO3), 산화텅스텐(WO3), 산화세륨(CeO2)으로부터 선택되는 적어도 1종을 0.1중량％～7중량％ 함유하고 있다.
또한, 산화몰리브덴(MoO3), 산화텅스텐(WO3), 산화세륨(CeO2) 대신에, 산화구리(CuO), 산화크롬(Cr2O3), 산화코발트(Co2O3), 산화바나듐(V2O7), 산화안티몬(Sb2O3), 산화망간(MnO2)으로부터 선택되는 적어도 1종을 0.1중량％～7중량％ 함유시켜도 된다.
또한, 상기 이외의 성분으로서, 산화아연(ZnO)을 0중량％～40중량％, 산화붕소(B2O3)를 0중량％～35중량％, 산화규소(SiO2)를 0중량％～15중량％, 산화알루미늄(Al2O3)을 0중량％～10중량％ 등, 납 성분을 함유하지 않는 재료 조성이 포함되어 있어도 되고, 이들 재료 조성의 함유량에 특별히 한정은 없다.
이들 조성 성분을 포함하는 유전체 재료를, 습식 제트 밀이나 볼 밀로 평균 입경이 0.5㎛～2.5㎛로 되도록 분쇄하여 유전체 재료 분말을 제작한다. 다음으로, 이 유전체 재료 분말 55중량％～70중량％와, 바인더 성분 30중량％～45중량％를 3본 롤로 잘 혼련하여 다이코팅용, 또는 인쇄용의 제2 유전체층용 페이스트를 제작한다. 바인더 성분은 에틸 셀룰로오스, 또는 아크릴 수지 1중량％～20중량％를 함유하는 터피네올, 또는 부틸 카르비톨 아세테이트이다. 또한, 페이스트 내에는, 필요에 따라서 가소제로서 프탈산디옥틸, 프탈산디부틸, 인산트리페닐, 인산트리부틸을 첨가하고, 분산제로서 글리세롤 모노올레이트, 소르비탄 세스퀴올레에이트, 호모게놀(Kao 코퍼레이션사 제품명), 알킬알릴기의 인산에스테르 등을 첨가하여 인쇄성을 향상시켜도 된다.
다음으로, 이 제2 유전체층용 페이스트를 이용하여 제1 유전체층(81) 위에 스크린 인쇄법 혹은 다이코팅법으로 인쇄하여 건조시키고, 그 후, 유전체 재료의 연화점보다 조금 높은 온도인 550℃～590℃에서 소성한다.
또한, 유전체층(8)의 막 두께에 대해서는, 제1 유전체층(81)과 제2 유전체층(82)을 합하여, 가시광 투과율을 확보하기 위해서는 41㎛ 이하가 바람직하다. 제1 유전체층(81)은, 금속 버스 전극(4b, 5b)의 은(Ag)과의 반응을 억제하기 위해서 산화비스무트(Bi2O3)의 함유량을 제2 유전체층(82)의 산화비스무트(Bi2O3)의 함유량보다도 많게 하여, 20중량％～40중량％로 하고 있다. 그 때문에, 제1 유전체 층(81)의 가시광 투과율이 제2 유전체층(82)의 가시광 투과율보다도 낮아지므로, 제1 유전체층(81)의 막 두께를 제2 유전체층(82)의 막 두께보다도 얇게 하고 있다.
또한, 제2 유전체층(82)에서 산화비스무트(Bi2O3)가 11중량％ 이하이면 착색은 생기기 어렵게 되지만, 제2 유전체층(82) 내에 기포가 발생하기 쉬워 바람직하지 않다. 또한, 40중량％를 초과하면 착색이 생기기 쉬워져 투과율을 올릴 목적으로는 바람직하지 않다.
또한, 유전체층(8)의 막 두께가 작을 수록 패널 휘도의 향상과 방전 전압을 저감하는 효과는 현저해지므로, 절연 내압이 저하되지 않는 범위 내이면 가능한 한 막 두께를 작게 설정하는 것이 바람직하다. 이와 같은 관점에서, 본 발명의 실시 형태에서는, 유전체층(8)의 막 두께를 41㎛ 이하로 설정하고, 제1 유전체층(81)을 5㎛～15㎛, 제2 유전체층(82)을 20㎛～36㎛로 하고 있다.
이와 같이 하여 제조된 PDP는, 표시 전극(6)에 은(Ag) 재료를 이용하여도, 전면 글래스 기판(3)의 착색 현상(황변)이 적고, 또한, 유전체층(8) 내에 기포의 발생 등이 없다. 따라서, 절연 내압 성능이 우수한 유전체층(8)을 실현할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 실시 형태에서의 PDP에서, 이들 유전체 재료에 의해 제1 유전체층(81)에서 황변이나 기포의 발생이 억제되는 이유에 대하여 고찰한다. 즉, 산화비스무트(Bi2O3)를 함유하는 유전체 글래스에 산화몰리브덴(MoO3), 또는 산화텅스텐(WO3)을 첨가함으로써, Ag2MoO4, Ag2Mo2O7, Ag2Mo4O13, Ag2WO4, Ag2W2O7, Ag2W4O13 등의 화합물이 580℃ 이하의 저온에서 생성하기 쉬운 것이 알려져 있다. 본 발명의 실시 형태에서는, 유전체층(8)의 소성 온도가 550℃～590℃이기 때문에, 소성 중에 유전체층(8) 내에 확산된 은 이온(Ag+)은 유전체층(8) 내의 산화몰리브덴(MoO3), 산화텅스텐(WO3), 산화세륨(CeO2), 산화망간(MnO2)과 반응하여, 안정된 화합물을 생성하여 안정화된다. 즉, 은 이온(Ag+)이 환원되지 않고 안정화되기 때문에, 응집하여 콜로이드를 생성하는 일이 없다. 따라서, 은 이온(Ag+)이 안정화됨으로써, 은(Ag)의 콜로이드화에 수반되는 산소의 발생도 적어지기 때문에, 유전체층(8) 내에의 기포의 발생도 적어진다.
한편, 이들 효과를 유효하게 하기 위해서는, 산화비스무트(Bi2O3)를 함유하는 유전체 글래스 내에 산화몰리브덴(MoO3), 산화텅스텐(WO3), 산화세륨(CeO2), 산화망간(MnO2)의 함유량을 0.1중량％ 이상으로 하는 것이 바람직하지만, 0.1중량％ 이상 7중량％ 이하가 더욱 바람직하다. 특히, 0.1중량％ 미만에서는 황변을 억제하는 효과가 적고, 7중량％를 초과하면 글래스에 착색이 일어나 바람직하지 않다.
즉, 본 발명의 실시 형태에서의 PDP의 유전체층(8)은, 은(Ag) 재료를 포함하는 금속 버스 전극(4b, 5b)과 접하는 제1 유전체층(81)에서는 황변 현상과 기포 발생을 억제하고, 제1 유전체층(81) 위에 형성한 제2 유전체층(82)에 의해 높은 광 투과율을 실현하고 있다. 그 결과, 유전체층(8) 전체로서, 기포나 황변의 발생이 극히 적어 투과율이 높은 PDP를 실현하는 것이 가능하게 된다.
다음으로, 본 발명의 실시 형태에서의 PDP의 특징인 보호층의 구성 및 제조 방법에 대하여 설명한다.
본 발명의 실시 형태에서의 PDP에서는, 도 3에 도시한 바와 같이, 보호층(9)을 구성하고 있다. 보호층(9)은, 유전체층(8) 위에, 불순물로서 Al을 함유하는 MgO를 포함하는 기초막(91)을 형성한다. 그리고, 그 기초막(91) 위에, 금속 산화물인 MgO의 결정 입자(92a)가 복수개 응집한 응집 입자(92)를 이산적으로 산포한다. 이와 같이 하여, 응집 입자(92)를, 전체면에 걸쳐 거의 균일하게 분포하도록 부착시킴으로써, 보호층(9)을 구성하고 있다.
여기서, 응집 입자(92)란, 도 4에 도시한 바와 같이, 소정의 1차 입경의 결정 입자(92a)가 응집 또는 네킹(necking)한 상태의 것이다. 고체로서 큰 결합력을 갖고 결합하고 있는 것이 아니라, 정전기나 반데르발스 힘 등에 의해 복수개의 1차 입자가 집합체의 몸을 이루고 있는 것이다. 즉, 결정 입자(92a)가, 초음파 등의 외적 자극에 의해, 그 일부 또는 전부가 1차 입자의 상태로 될 정도로 결합하고 있는 것이다. 응집 입자(92)의 입경으로서는, 약 1㎛ 정도의 것이고, 결정 입자(92a)로서는, 14면체나 12면체 등의 7면 이상의 면을 갖는 다면체 형상을 갖는 것이 바람직하다.
또한, 이 MgO의 결정 입자(92a)의 1차 입자의 입경은, 결정 입자(92a)의 생성 조건에 의해 제어할 수 있다. 예를 들면, 탄산마그네슘이나 수산화마그네슘 등의 MgO 전구체를 소성하여 생성하는 경우, 소성 온도나 소성 분위기를 제어함으로 써, 입경을 제어할 수 있다. 일반적으로, 소성 온도는 700도 정도 내지 1500도 정도의 범위에서 선택할 수 있지만, 소성 온도를 비교적 높은 1000도 이상으로 함으로써, 1차 입경을 0.3～2㎛ 정도로 제어하는 것이 가능하다. 또한, MgO 전구체를 가열하여 결정 입자(92a)를 얻음으로써, 생성 과정에서, 복수개의 1차 입자끼리가 응집 또는 네킹이라고 불리는 현상이 생겨, 결합한 응집 입자(92)를 얻을 수 있다.
다음으로, 본 발명의 실시 형태에 따른 보호층을 갖는 PDP의 효과를 확인하기 위해서 행한 실험 결과에 대하여 설명한다.
우선, 구성이 상이한 보호층을 갖는 PDP를 시작하였다. 시작품1은, MgO에 의한 보호층만을 형성한 PDP이다. 시작품2는, Al, Si 등의 불순물을 도핑한 MgO에 의한 보호층을 형성한 PDP이다. 시작품3은, MgO에 의한 기초막 위에 금속 산화물을 포함하는 결정 입자의 1차 입자만을 산포하여, 부착시킨 PDP이다. 시작품4는, 본 발명의 실시 형태에서, MgO에 의한 기초막 위에, 전술한 바와 같이, 복수개의 결정 입자를 응집시킨 응집 입자를 전체면에 걸쳐 거의 균일하게 분포하도록 부착시킨 PDP이다. 또한, 시작품3, 4에서, 금속 산화물로서는, MgO의 단결정 입자를 이용하고 있다. 또한, 이 본 발명의 실시 형태에 따른 시작품4에 대하여, 기초막 위에 부착시킨 결정 입자에 대하여, 캐소드 루미네센스를 측정한 바, 도 5에 도시한 바와 같은 파장에 대한 발광강도의 특성을 갖고 있었다. 또한, 발광 강도는 상대값으로 표시하고 있다.
이들 4종류의 보호층의 구성을 갖는 PDP에 대하여, 그 전자 방출 성능과 전하 유지 성능을 조사하였다.
또한, 전자 방출 성능은, 클수록 전자 방출량이 많은 것을 나타내는 수치이 며, 방전의 표면 상태 및 가스종과 그 상태에 의해 정해지는 초기 전자 방출량으로써 표현한다. 초기 전자 방출량에 대해서는 표면에 이온, 혹은 전자 빔을 조사하여 표면으로부터 방출되는 전자 전류량을 측정하는 방법으로 측정할 수 있지만, 패널의 전면판 표면의 평가를 비파괴로 실시하는 것이 곤란할 수 있다. 따라서, 일본 특개 2007-48733호 공보에 기재되어 있는 바와 같이, 방전 시의 지연 시간 중, 통계 지연 시간으로 불리는 방전의 발생 용이함의 기준으로 되는 수치를 측정하고 있다. 그리고, 그 수치의 역수를 적분함으로써, 초기 전자 방출량과 선형으로 대응하는 수치가 산출된다. 여기서는 이와 같이 하여 산출된 수치를 이용하여 초기 전자 방출량을 평가하고 있다. 이 방전 시의 지연 시간이란, 펄스의 상승으로부터 방전이 지연되어 행해지는 방전 지연의 시간을 의미한다. 방전 지연은, 방전이 개시될 때에 트리거로 되는 초기 전자가 보호층 표면으로부터 방전 공간 내에 방출되기 어려운 것이 주요한 요인으로서 생각되고 있다.
또한, 전하 유지 성능은, 그 지표로서, PDP로서 작성한 경우에 전하 방출 현상을 억제하기 위해서 필요로 하는, 주사 전극에 인가하는 전압(이하, 「Vscn 점등 전압」이라고 호칭함)의 전압값을 이용하였다. 즉, Vscn 점등 전압이 낮은 쪽이, 전하 유지 성능이 높은 것을 나타낸다. 이것은, PDP의 패널 설계상에서도 저전압으로 구동할 수 있기 때문에, 이점으로 된다. 즉, PDP의 전원이나 각 전기 부품으로서, 내압 및 용량이 작은 부품을 사용하는 것이 가능하게 된다. 현상의 제품에서, 주사 전압을 순차적으로 패널에 인가하기 위한 MOSFET 등의 반도체 스위칭 소자에는, 내압 150V 정도의 소자가 사용되고 있다. 그 때문에, Vscn 점등 전압으로 서는, 온도에 의한 변동을 고려하여, 120V 이하로 억제하는 것이 바람직하다.
이들 전자 방출 성능과 전하 유지 성능에 대하여 조사한 결과를 도 6에 도시하고 있다. 이 도 6로부터 명백해지는 바와 같이, 시작품4는, 전하 유지 성능의 평가에서, Vscn 점등 전압을 120V 이하로 할 수 있고, 게다가 전자 방출 성능은 6 이상의 양호한 성능을 얻을 수 있다.
일반적으로는 PDP의 보호층의 전자 방출 성능과 전하 유지 성능은 상반된다. 예를 들면, 보호층의 제막 조건을 변경하거나, 또한, 보호층 내에 Al이나 Si, Ba 등의 불순물을 도핑하여 제막함으로써, 전자 방출 성능을 향상시키는 것은 가능이지만, 부작용으로서 Vscn 점등 전압도 상승하게 된다.
본 발명의 실시 형태에 따른 보호층을 형성한 PDP에서는, 전자 방출 성능으로서는, 6 이상의 특성이며, 전하 유지 성능으로서는 Vscn 점등 전압이 120V 이하인 것을 얻을 수 있다. 따라서, 고정밀화에 의해 주사선수가 증가하고, 또한 셀 사이즈가 작아지는 경향이 있는 PDP의 보호층에 대하여, 전자 방출 성능과 전하 유지 성능의 양방을 만족시킬 수 있다.
그런데, 결정 입자의 생성 조건에 따라, 각 입자의 전자 방출 성능은 서로 달라지게 된다. 이 원인으로서는, MgO 전구체를 소성하여 결정 입자를 생성할 때의 소성로 내에서의 소성 온도나 분위기의 분포를 생각할 수 있다. 상기 전자 방출 성능의 지표로서는, 200㎚ 이상 300㎚ 이하의 파장 영역의 스펙트럼의 피크 강도값을 들 수 있다.
각 응집 입자의 200㎚ 이상 300㎚ 이하의 파장 영역의 스펙트럼의 피크 강도 값의 변동이 큰 경우, 방전 셀간에서의 전자 방출 성능에 변동이 생기게 된다. 이와 같은 응집 입자를 이용하여, 허용 하한 이상의 전자 방출 성능, 즉 필요한 화질을 얻기 위해서 요구되는 최저한의 전자 방출 성능을 확보하기 위해서는, 전체적으로 응집 입자수를 증가시킨다고 하는 방법을 고려할 수 있다. 그러나, 전면판의 보호층과 밀접하게 접촉하는 배면판의 격벽의 꼭대기부에 상당하는 부분에 응집 입자가 존재함으로써, 격벽의 꼭대기부를 파손시키고, 그 파손된 재료가 형광체 위에 올라타는 등에 의해, 해당하는 셀이 정상적으로 점등 소등하지 않게 되는 현상이 발생하는 경우가 있다. 이 격벽 파손의 현상은, 응집 입자가 격벽 꼭대기부에 대응하는 부분에 존재하지 않으면 발생하기 어렵기 때문에, 부착시키는 응집 입자수가 많아지면, 격벽의 파손 발생 확률이 높아진다.
즉, 격벽의 파손 발생 확률을 악화시키지 않고, 전체 방전 셀에서 허용 하한 이상의 전자 방출 성능을 확보하기 위해서는, 각 응집 입자의 200㎚ 이상 300㎚ 이하의 파장 영역의 스펙트럼의 피크 강도값의 분포를 제어할 필요가 있다.
여기서, 각 응집 입자의 200㎚ 이상 300㎚ 이하의 파장 영역의 스펙트럼의 피크 강도값의 분포가 서로 다른 응집 입자를 이용하여 행한 실험 결과에 대하여 설명한다.
도 7A, 도 7B, 도 7C에 도시한 바와 같은 서로 다른 스펙트럼의 강도 분포를 갖는 응집 입자를 3종류 준비하였다. 누적 평균 강도값에 대한 표준 편차의 비율이 도 7A에 도시한 응집 입자에서는 25%이다. 도 7B에 도시한 응집 입자에서는 52%이다. 도 7C에 도시한 응집 입자에서는 126%이다. 여기서, 누적 평균 강도값 이란, 누적 빈도 50%로 되는 피크 강도값이다. 또한, 표준 편차의 비율이란, 표준 편차를 누적 평균 강도값으로 나눈 값이다.
이들 3종류의 응집 입자를 이용하여, 허용 하한의 전자 방출 성능을 확보하기 위한 응집 입자수를 측정하였다. 도 8에, 누적 평균 강도값에 대한 표준 편차의 비율과, 허용 하한의 전자 방출 성능을 확보하기 위해서 필요한 응집 입자수의 관계를 도시한다. 이 결과로부터, 누적 평균 강도값에 대한 표준 편차의 비율이 작을수록, 응집 입자수가 적어도 필요한 전자 방출 성능이 얻어지는 것을 알 수 있다. 여기서, 응집 입자수는, 기초막 위의 소정의 면적 내의 수를 나타내고 있다.
표준 편차의 비율이 커져도, 응집 입자수가 증가하면 필요한 전자 방출 성능은 얻어진다. 응집 입자수를 증가시킨 경우, 격벽의 파손 발생 확률이 높아지기 때문에, 이 영향을 조사하기 위해서, 응집 입자수와 격벽의 파손 발생 확률의 관계를 조사한 결과를 도 9에 도시한다. 이 결과로부터, 응집 입자수가 12보다 커지면, 격벽 파손의 확률이 급격하게 높아진다. 그러나, 응집 입자수가 12 이하이면, 격벽 파손의 확률은 비교적 작게 억제할 수 있다.
상기한 바와 같이, 격벽 파손 확률을 악화시키지 않는 12 이하의 응집 입자수에서, 필요한 전자 방출 성능을 확보하기 위해서는, 누적 평균 강도값에 대한 표준 편차의 비율은, 도 8로부터 80% 이하인 것이 요구된다. 즉, 응집 입자로서는, 캐소드 루미네센스에서의 200㎚ 이상 300㎚ 이하의 파장 영역의 스펙트럼의 피크 강도값의 분포가, 누적 평균값의 240%(표준 편차의 3배 : 3σ) 이내에 포함되는 것이 바람직하다. 즉, 캐소드 루미네센스에서의 200㎚ 이상 300㎚ 이하의 파장 영역 의 스펙트럼의 피크 강도값의 분포가, 전체 응집 입자의 99% 이상이 포함되는 것인 것이 바람직하다.
다음으로, 본 실시 형태에서의 PDP의 보호층에 이용한 결정 입자의 입경에 대하여 설명한다. 또한, 이하의 설명에서, 입경이란 평균 입경이며, 체적 누적 평균 직경(D50)을 의미하고 있다.
도 10은, 상기 도 6에서 설명한 본 실시 형태에서의 시작품4에서, MgO의 결정 입자의 입경을 변화시켜 전자 방출 성능을 조사한 실험 결과를 도시하는 것이다. 또한, 도 10에서, MgO의 결정 입자의 입경은, 결정 입자를 SEM 관찰함으로써 측정하였다.
이 도 10에 도시한 바와 같이, 입경이 0.3㎛ 정도로 작아지면, 전자 방출 성능이 낮아지고, 대략 0.9㎛ 이상이면, 높은 전자 방출 성능이 얻어지는 것을 알 수 있다.
그런데, 격벽 파손 발생 확률은, 상기한 바와 같이 응집 입자수가 많아진 경우에 악화된다. 또한, 격벽 파손 발생 확률은, 응집 입자수가 동일한 경우라도, 입경이 커지면 악화된다. 도 11은, 상기 도 6에서 설명한 본 실시 형태에서의 시작품4에서, 단위 면적당에 입경이 서로 다른 동일한 수의 결정 입자를 산포하고, 격벽 파손의 관계를 실험한 결과를 도시하는 도면이다.
이 도 11로부터 명백해지는 바와 같이, 입경이 2.5㎛ 정도로 커지면, 격벽 파손의 확률이 급격하게 높아진다. 그러나, 입경이 2.5㎛보다 작으면, 격벽 파손의 확률은 비교적 작게 억제할 수 있는 것을 알 수 있다. 또한, 도 9의 실험에서 는, 입경을 일치시킨 응집 입자를 이용하고 있다.
이상의 결과에 기초하면, 본 실시 형태에서의 PDP에서의 보호층에서는, 결정 입자로서, 입경이 0.9㎛ 이상 2.5㎛ 이하인 것이 바람직하다고 생각된다. 그러나, PDP로서 실제로 양산하는 경우에는, 결정 입자의 제조상에서의 변동이나 보호층을 형성하는 경우의 제조상에서의 변동을 고려할 필요가 있다.
이와 같은 제조상에서의 변동 등의 요인을 고려하기 위해서, 입도 분포가 서로 다른 결정 입자를 이용하여 실험을 행하였다. 도 12는 본 발명의 실시 형태에 따른 PDP에서, 응집 입자의 입도 분포의 일례를 도시하는 특성도이다. 종축의 빈도(％)는, 횡축에 나타내어져 있는 응집 입자의 입경의 범위를 분할하고, 각각의 범위에 존재하는 응집 입자의 양의 전체에 대한 비율(％)을 나타내고 있다. 실험의 결과, 도 12에 도시한 바와 같이, 평균 입경이 0.9㎛ 이상 2㎛ 이하의 범위에 있고, 또한, 각 응집 입자의, 캐소드 루미네센스에서의 200㎚ 이상 300㎚ 이하의 파장 영역의 스펙트럼의 피크 강도값의 분포가, 누적 평균값의 240% 이내에 포함되는 것이 바람직하다. 즉, 캐소드 루미네센스에서의 200㎚ 이상 300㎚ 이하의 파장 영역의 스펙트럼의 피크 강도값의 분포에서, 부착시킨 전체 응집 입자의 99% 이상이 포함되는 응집 입자를 사용하면, 전술한 본 실시 형태에서의 효과가 안정적으로 얻어지는 것을 알 수 있었다.
이상과 같이 본 실시 형태에서의 보호층을 형성한 PDP에서는, 전자 방출 성능으로서는, 6 이상의 특성이며, 전하 유지 성능으로서는 Vscn 점등 전압이 120V 이하인 것을 얻을 수 있다. 즉, 고정밀화에 의해 주사선수가 증가하고, 또한 셀 사이즈가 작아지는 경향이 있는 PDP의 보호층으로서, 전자 방출 성능과 전하 유지 성능의 양방을 만족시킬 수 있다. 이에 의해 고정밀이며 고휘도의 표시 성능을 구비하고, 또한 저소비 전력의 PDP를 실현할 수 있다.
다음으로, 본 실시 형태에서의 PDP에서, 보호층을 형성하는 제조 스텝에 대하여, 도 13을 이용하여 설명한다.
도 13에 도시한 바와 같이, 제1 유전체층(81)과 제2 유전체층(82)의 적층 구조를 포함하는 유전체층(8)을 형성하는 유전체층 형성 스텝 A1을 행한다. 그 후, 다음의 기초막 증착 스텝 A2에서, 알루미늄(Al : Aluｍiniuｍ)을 함유하는 MgO의 소결체를 원재료로 한 진공 증착법에 의해, 유전체층(8)의 제2 유전체층(82) 위에 MgO를 포함하는 기초막을 형성한다.
그 후, 기초막 증착 스텝 A2에서 형성한 미소성의 기초막 위에, 복수개의 응집 입자를 이산적으로 부착시키는 응집 입자 페이스트막 형성 스텝 A3을 행한다.
이 스텝 A3에서는, 우선, 소정의 입도 분포를 갖는 응집 입자(92)를 수지 성분과 함께 용제에 혼합한 응집 입자 페이스트를 작성하고, 그 응집 입자 페이스트를 스크린 인쇄법 등의 인쇄에 의해, 미소성의 기초막 위에 도포하여 응집 입자 페이스트막을 형성한다. 또한, 응집 입자 페이스트를 미소성의 기초막 위에 도포하여 응집 입자 페이스트막을 형성하기 위한 방법으로서, 스크린 인쇄법 이외에, 스프레이법, 스핀코팅법, 다이코팅법, 슬릿코팅법 등도 이용할 수 있다.
이 응집 입자 페이스트막을 형성한 후, 응집 입자 페이스트막을 건조시키는 건조 스텝 A4를 행한다.
그 후, 기초막 증착 스텝 A2에서 형성한 미소성의 기초막과, 응집 입자 페이스트막 형성 스텝 A3에서 형성하고, 건조 스텝 A4를 실시한 응집 입자 페이스트막을, 소성 스텝 A5에서, 수백도의 온도에서 동시에 가열 소성한다. 이 소성 스텝 A5에서, 응집 입자 페이스트막에 남아 있는 용제나 수지 성분을 제거함으로써, 기초막(91) 위에 금속 산화물을 포함하는 복수개의 결정 입자(92a)가 응집한 응집 입자(92)를 부착시킨 보호층(9)을 형성할 수 있다.
이 방법에 의하면, 기초막(91)에 복수개의 응집 입자(92)를 전체면에 걸쳐 균일하게 분포하도록 부착시키는 것이 가능하다.
또한, 이와 같은 방법 이외에도, 용매 등을 이용하지 않고, 입자군을 직접적으로 가스 등과 함께 분무하는 방법이나, 단순하게 중력을 이용하여 산포하는 방법등을 이용하여도 된다.
또한, 이상의 설명에서는, 보호층으로서, MgO를 예로 들었지만, 기초막에 요구되는 성능은 어디까지나 이온 충격으로부터 유전체를 지키기 위한 높은 내(耐)스퍼터 성능을 갖는 것이며, 그다지 전자 방출 성능이 높지 않아도 된다. 종래의 PDP에서는, 일정 이상의 전자 방출 성능과 내스퍼터 성능이라고 하는 2개를 양립시키기 위해서, MgO를 주성분으로 한 보호층을 형성하는 경우가 매우 많았다. 그러나, 전자 방출 성능이 금속 산화물 단결정 입자에 의해 주로 제어되는 구성을 취하기 때문에, MgO일 필요는 전혀 없으며, Al2O3 등의 내충격성이 우수한 다른 재료를 이용하여도 무방하다.
또한, 본 실시형태에서는, 단결정 입자로서 MgO 입자를 이용하여 설명하였지만, 이 외의 단결정 입자이어도 된다. 즉, MgO와 마찬가지로 높은 전자 방출 성능을 갖는 Sr, Ca, Ba, Al 등의 금속의 산화물에 의한 결정 입자를 이용하여도 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 따라서, 입자종으로서는 MgO에 한정되는 것은 아니다.
이상과 같이 본 발명은, 고정밀이며 고휘도의 표시 성능을 구비하고, 또한 저소비 전력의 PDP를 실현하는 데에 유용한 발명이다.
Claims (11)
- 기판 위에 형성한 표시 전극을 덮도록 유전체층을 형성함과 함께 그 유전체층 위에 보호층을 형성한 전면판과,상기 전면판에 방전 공간을 형성하도록 대향 배치되며 또한 상기 표시 전극과 교차하는 방향으로 어드레스 전극을 형성함과 함께 상기 방전 공간을 구획하는 격벽을 형성한 배면판을 갖고,상기 보호층은, 상기 유전체층 위에 기초막을 형성함과 함께, 상기 기초막에 금속 산화물을 포함하는 복수개의 결정 입자가 응집한 응집 입자를 이산적으로 분포하도록 부착시켜 구성하고, 또한 상기 응집 입자는, 캐소드 루미네센스에서의 200㎚ 이상 300㎚ 이하의 파장 영역의 스펙트럼의 피크 강도값의 분포에 있어서 누적 평균 강도값에 대한 표준 편차의 비율이 80% 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
- 제1항에 있어서,상기 응집 입자는, 평균 입경이 0.9㎛ 이상 2㎛ 이하의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
- 제1항에 있어서,상기 기초막은 MgO에 의해 구성한 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
- 제2항에 있어서,상기 기초막은 MgO에 의해 구성한 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
- 제1항에 있어서,상기 금속 산화물은 MgO, SrO, CaO, BaO, Al2O3 의 군으로부터 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
- 제2항에 있어서,상기 금속 산화물은 MgO, SrO, CaO, BaO, Al2O3 의 군으로부터 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
- 제1항에 있어서,상기 응집 입자는 상기 기초막에서 방전 공간에 접하는 영역에 배치되는 플라즈마 디스플레이 패널.
- 제1항에 있어서,상기 응집입자는 상기 격벽 내의 형광체층이 형성된 방전공간과 접하는 상기 기초막에 배치되는 플라즈마 디스플레이 패널.
- 삭제
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 응집입자는 상기 기초막의 전면에 걸쳐 배치되는 플라즈마 디스플레이 패널.
- 삭제
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