[go: up one dir, main page]

KR101129090B1 - 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법, 패턴화된 세포 배양용 기판, 세포의 패턴화된 배양 방법, 및 패턴화된 세포칩 - Google Patents

패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법, 패턴화된 세포 배양용 기판, 세포의 패턴화된 배양 방법, 및 패턴화된 세포칩 Download PDF

Info

Publication number
KR101129090B1
KR101129090B1 KR1020090082152A KR20090082152A KR101129090B1 KR 101129090 B1 KR101129090 B1 KR 101129090B1 KR 1020090082152 A KR1020090082152 A KR 1020090082152A KR 20090082152 A KR20090082152 A KR 20090082152A KR 101129090 B1 KR101129090 B1 KR 101129090B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
plasma
cells
patterned
cell culture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020090082152A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110024244A (ko
Inventor
정동근
최창록
김경섭
Original Assignee
성균관대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 성균관대학교산학협력단 filed Critical 성균관대학교산학협력단
Priority to KR1020090082152A priority Critical patent/KR101129090B1/ko
Priority to US12/872,903 priority patent/US20110053800A1/en
Publication of KR20110024244A publication Critical patent/KR20110024244A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101129090B1 publication Critical patent/KR101129090B1/ko
Priority to US14/634,190 priority patent/US9580681B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12N—MICROORGANISMS OR ENZYMES; COMPOSITIONS THEREOF; PROPAGATING, PRESERVING, OR MAINTAINING MICROORGANISMS; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING; CULTURE MEDIA
    • C12N5/00—Undifferentiated human, animal or plant cells, e.g. cell lines; Tissues; Cultivation or maintenance thereof; Culture media therefor
    • C12N5/0068—General culture methods using substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12M—APPARATUS FOR ENZYMOLOGY OR MICROBIOLOGY; APPARATUS FOR CULTURING MICROORGANISMS FOR PRODUCING BIOMASS, FOR GROWING CELLS OR FOR OBTAINING FERMENTATION OR METABOLIC PRODUCTS, i.e. BIOREACTORS OR FERMENTERS
    • C12M3/00—Tissue, human, animal or plant cell, or virus culture apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12N—MICROORGANISMS OR ENZYMES; COMPOSITIONS THEREOF; PROPAGATING, PRESERVING, OR MAINTAINING MICROORGANISMS; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING; CULTURE MEDIA
    • C12N5/00—Undifferentiated human, animal or plant cells, e.g. cell lines; Tissues; Cultivation or maintenance thereof; Culture media therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/48—Biological material, e.g. blood, urine; Haemocytometers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00274—Sequential or parallel reactions; Apparatus and devices for combinatorial chemistry or for making arrays; Chemical library technology
    • B01J2219/00277—Apparatus
    • B01J2219/00497—Features relating to the solid phase supports
    • B01J2219/00504—Pins
    • B01J2219/00509—Microcolumns
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00274—Sequential or parallel reactions; Apparatus and devices for combinatorial chemistry or for making arrays; Chemical library technology
    • B01J2219/00277—Apparatus
    • B01J2219/00497—Features relating to the solid phase supports
    • B01J2219/00527—Sheets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00274—Sequential or parallel reactions; Apparatus and devices for combinatorial chemistry or for making arrays; Chemical library technology
    • B01J2219/00583—Features relative to the processes being carried out
    • B01J2219/00603—Making arrays on substantially continuous surfaces
    • B01J2219/00605—Making arrays on substantially continuous surfaces the compounds being directly bound or immobilised to solid supports
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00274—Sequential or parallel reactions; Apparatus and devices for combinatorial chemistry or for making arrays; Chemical library technology
    • B01J2219/00583—Features relative to the processes being carried out
    • B01J2219/00603—Making arrays on substantially continuous surfaces
    • B01J2219/00605—Making arrays on substantially continuous surfaces the compounds being directly bound or immobilised to solid supports
    • B01J2219/00612—Making arrays on substantially continuous surfaces the compounds being directly bound or immobilised to solid supports the surface being inorganic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00274—Sequential or parallel reactions; Apparatus and devices for combinatorial chemistry or for making arrays; Chemical library technology
    • B01J2219/00583—Features relative to the processes being carried out
    • B01J2219/00603—Making arrays on substantially continuous surfaces
    • B01J2219/00605—Making arrays on substantially continuous surfaces the compounds being directly bound or immobilised to solid supports
    • B01J2219/00614—Delimitation of the attachment areas
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00274—Sequential or parallel reactions; Apparatus and devices for combinatorial chemistry or for making arrays; Chemical library technology
    • B01J2219/00583—Features relative to the processes being carried out
    • B01J2219/00603—Making arrays on substantially continuous surfaces
    • B01J2219/00605—Making arrays on substantially continuous surfaces the compounds being directly bound or immobilised to solid supports
    • B01J2219/00614—Delimitation of the attachment areas
    • B01J2219/00617—Delimitation of the attachment areas by chemical means
    • B01J2219/00619—Delimitation of the attachment areas by chemical means using hydrophilic or hydrophobic regions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00274—Sequential or parallel reactions; Apparatus and devices for combinatorial chemistry or for making arrays; Chemical library technology
    • B01J2219/00583—Features relative to the processes being carried out
    • B01J2219/00603—Making arrays on substantially continuous surfaces
    • B01J2219/00605—Making arrays on substantially continuous surfaces the compounds being directly bound or immobilised to solid supports
    • B01J2219/00614—Delimitation of the attachment areas
    • B01J2219/00621—Delimitation of the attachment areas by physical means, e.g. trenches, raised areas
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00274—Sequential or parallel reactions; Apparatus and devices for combinatorial chemistry or for making arrays; Chemical library technology
    • B01J2219/00583—Features relative to the processes being carried out
    • B01J2219/00603—Making arrays on substantially continuous surfaces
    • B01J2219/00605—Making arrays on substantially continuous surfaces the compounds being directly bound or immobilised to solid supports
    • B01J2219/00632—Introduction of reactive groups to the surface
    • B01J2219/00635—Introduction of reactive groups to the surface by reactive plasma treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00274—Sequential or parallel reactions; Apparatus and devices for combinatorial chemistry or for making arrays; Chemical library technology
    • B01J2219/00583—Features relative to the processes being carried out
    • B01J2219/00603—Making arrays on substantially continuous surfaces
    • B01J2219/00605—Making arrays on substantially continuous surfaces the compounds being directly bound or immobilised to solid supports
    • B01J2219/00632—Introduction of reactive groups to the surface
    • B01J2219/00637—Introduction of reactive groups to the surface by coating it with another layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00274—Sequential or parallel reactions; Apparatus and devices for combinatorial chemistry or for making arrays; Chemical library technology
    • B01J2219/00718—Type of compounds synthesised
    • B01J2219/0072—Organic compounds
    • B01J2219/0074—Biological products
    • B01J2219/00743—Cells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12N—MICROORGANISMS OR ENZYMES; COMPOSITIONS THEREOF; PROPAGATING, PRESERVING, OR MAINTAINING MICROORGANISMS; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING; CULTURE MEDIA
    • C12N2533/00—Supports or coatings for cell culture, characterised by material
    • C12N2533/10—Mineral substrates
    • C12N2533/12—Glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12N—MICROORGANISMS OR ENZYMES; COMPOSITIONS THEREOF; PROPAGATING, PRESERVING, OR MAINTAINING MICROORGANISMS; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING; CULTURE MEDIA
    • C12N2533/00—Supports or coatings for cell culture, characterised by material
    • C12N2533/30—Synthetic polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C12—BIOCHEMISTRY; BEER; SPIRITS; WINE; VINEGAR; MICROBIOLOGY; ENZYMOLOGY; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING
    • C12N—MICROORGANISMS OR ENZYMES; COMPOSITIONS THEREOF; PROPAGATING, PRESERVING, OR MAINTAINING MICROORGANISMS; MUTATION OR GENETIC ENGINEERING; CULTURE MEDIA
    • C12N2535/00—Supports or coatings for cell culture characterised by topography
    • C12N2535/10—Patterned coating

Landscapes

  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Bioinformatics & Cheminformatics (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Zoology (AREA)
  • Biotechnology (AREA)
  • Genetics & Genomics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microbiology (AREA)
  • Cell Biology (AREA)
  • Urology & Nephrology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Hematology (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Virology (AREA)
  • Food Science & Technology (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Apparatus Associated With Microorganisms And Enzymes (AREA)
  • Micro-Organisms Or Cultivation Processes Thereof (AREA)

Abstract

본 발명은 (1) 기판을 준비하는 단계; (2) 플라즈마를 이용하여 상기 기판 상에 제1 전구체 물질을 집적시켜 제1 플라즈마 중합체층을 형성하는 단계; (3) 상기 제1 플라즈마 중합체층 상에 일정한 형태의 패턴을 가지는 새도우 마스크를 올려놓는 단계; 및 (4) 플라즈마를 이용하여 제2 전구체 물질을 집적시켜 패턴화된 제2 플라즈마 중합체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법에 관한 것이다.

Description

패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법, 패턴화된 세포 배양용 기판, 세포의 패턴화된 배양 방법, 및 패턴화된 세포칩{METHOD OF MANUFACTURING PATTERNED SUBSTRATE FOR CULTURING CELLS, PATTERNED SUBSTRATE FOR CULTURING CELLS, PATTERNING METHOD OF CULTURING CELLS, AND PATTERNED CELL CHIP}
본 발명은 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법, 패턴화된 세포 배양용 기판, 패턴화된 세포의 배양 방법, 및 세포칩에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 플라즈마를 이용하여 세포의 흡착을 억제하는 기판을 제조하고, 그 기판 상에 많은 양의 작용기를 패턴화하여 집적시켜 세포를 선택적으로 배양하기 위한 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법, 패턴화된 세포 배양용 기판, 패턴화된 세포의 배양 방법, 및 세포칩에 관한 것이다.
최근 인간 게놈 프로젝트를 필두로 사람의 생명에 관한 연구가 비약적으로 발전하고 있다. 생명체에 대한 연구가 진행될수록 생명체에 대한 많은 정보를 빠르게 분석, 처리하는 기술이 점차 대두하고 있다. 이에 따라 생물체에 관한 정보를 빠르게 분석할 수 있는 바이오칩에 대한 관심이 그 어느 때보다도 높아지고 있다.
바이오칩은 기판 위에 고정 또는 배양하는 바이오 물질의 종류에 따라 DNA칩, 단백질칩 및 세포칩으로 나눌 수가 있다. 바이오칩 초기에는 인간의 유전정보에 대한 이해와 맞물려 DNA칩이 한 때 크게 부각되었으나 점차 생명활동이 근간이 되는 단백질과 이들의 결합체로서 생명체의 중추가 되는 세포에 대한 관심이 높아지면서 단백질칩과 세포칩이 바이오칩의 새로운 관심거리도 대두되고 있다. 그 중 단백질칩은 초기에 비선택적 흡착이라는 난제로 어려움이 있었으나 이에 대해 최근 여러 가지 주목할 만한 결과가 나타나고 있다.
그 중 많은 양의 세포를 그 성질의 변화없이 배양할 수 있는 세포칩은 신약개발, 지노믹스, 단백질체학 등 다양한 분야로의 접근이 가능한 효과적인 매개체이다. 세포칩에서는 단백질칩과는 다르게 기판상에서의 세포 성장률도 세포칩의 성능을 나타내는 하나의 지표가 된다는 점에서 세포칩과 단백질칩은 다소 상이하다. 한편, 기판 위에 세포가 배양되어 세포성장 및 분열할 수 있게 되면 세포에 대한 분석이 쉽게 가능한 바, 예를 들어 새로운 약물에 대한 세포의 영향이나 호르몬과 같은 다른 생체 내 물질에 대한 세포 반응을 쉽게 알아볼 수 있는 강점을 가지고 있다.
세포를 기판에 배양하는 방법은 여러 가지가 있음이 알려져 있는데, 크게 바이오 물질을 이용한 방법에 의한 배양과 기판 자체의 물리적, 화학적 특성을 이용하여 배양하는 방법으로 나눌 수 있다. 바이오 물질을 이용한 방법으로는 펩타이드나 단백질을 먼저 기판 위에 고정한 뒤 이들 바이오물질이 가지고 있는 세포수용체 를 이용하여 세포를 배양하는 방법이 있다[Mann BK, Tsai AT, Scott-Burden T, West JL. Modification of surfaces with cell adhesion peptides alters extracellular matrix deposition. Biomaterials 1999;20(23-.24):2281-6].
그리고 기판의 물리적, 화학적 특성을 이용한 방법으로는 기판의 소수성 성질을 이용하는 방법, 전기적 성질을 이용하는 방법, 표면 구조를 이용한 방법[Curtis AS, Wilkinson CD. Reactions of cells to topography. J Biomater SciPolym Ed 1998;9(12):1313 -.29], 콜라겐을 이용하여 세포를 배양하는 방법[On-chip transfection of PC12 cells based on the rational understanding of the role of ECM molecules: efficient, non-viral transfection of PC12 cells using collagen IV, Neuroscience Letters 378 (2005) 40 -43] 등이 있다.
그러나 세포칩 연구에서는 여러 가지 문제점이 존재하는데, 첫째, 세포가 기판에 고르게 배양되지 않는다는 점이다. 세포가 기판에 뭉치지 않고 고르게 분산되어 배양되어야 기판 위에서 세포들이 성장, 분열을 하는데, 세포가 기판에 고르게 배양되지 못한다면 세포들이 성장, 분열하는 데 문제점이 있을 수 있다. 또한 세포의 배양이 잘 된다는 것은 적은 양의 세포도 정확히 배양이 된다는 것을 의미한다. 적은 양의 세포도 기판에 잘 배양되므로 결과적으로 세포칩 기판의 감도를 향상시킬 수 있다.
둘째, 세포를 기판에 배양했을 경우 고유한 세포의 성질이나 조직성을 잘 유지하는 것이다. 아무리 세포가 기판에 잘 배양된다고 하더라고 그 위에서 기판의 성질 때문에 세포의 고유한 성질을 잃어버려 세포가 잘 성장하지 않는 다면 칩으로 서의 역할을 제대로 한다고 할 수 없다. 따라서 세포칩을 개발할 경우에는 우선적으로 상기에 대한 이해가 필요하다.
상기 문제를 해결하기 위해 플라즈마(plasma)를 이용하여 세포 배양을 효율적 및 효과적으로 수행할 수 있는 방법이 존재한다. 이는 국제특허출원(PCT/ KR2008/001117)에 잘 나타나 있다. 상기 출원에는 세포 배양용 기판의 제조방법, 세포 배양용 기판, 세포의 고정방법, 및 세포칩이 개시되어 있다. 상기 출원은 플라즈마를 이용하여 기판상에 많은 양의 작용기를 집적시켜 세포를 효율적으로 배양하기 위한 세포 배양용 기판의 제조방법, 세포 배양용 기판, 세포의 배양 방법, 및 세포칩에 관한 것이다. 그러나 상기 출원은 플라즈마를 이용하여 세포를 기판에 고정하는 방법 등에 대해서만 기재되어 있을 뿐 세포의 흡착 및 흡착억제를 이용하여 선택적으로 세포를 배양하는 방법에 대해서는 기재되어 있지 않다.
세포의 흡착을 억제하는 표면과 세포를 잘 배양할 수 있는 표면을 패터닝 하게 되면, 인체 삽입용 칩 개발, 인공장기 개발 그리고 세포를 이용한 유전학적 실험, 약물실험 등에 응용될 수 있지만, 상기 출원에는 단지 세포를 균일하게 배양하는 방법에 대해서만 공지되어 있기 때문에 소량의 세포를 원하는 위치에 선택적으로 배양할 수 없다는 문제가 있다.
따라서, 본 발명자는 연구를 수행하던 중 플라즈마를 이용하여 기판 상에 세포를 원하는 위치에만 선택적으로 배양할 수 있는 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법을 발명하였다.
본 발명은 상술된 문제점을 해결하기 위해 발명된 것으로서, 본 발명의 목적은, 세포의 흡착을 억제하는 표면 상에 세포를 효과적으로 배양할 수 있는 표면을 선택적으로 패터닝할 수 있는 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은, 상기 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법에 의해 제조되는 패턴화된 세포 배양용 기판을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은, 상기 패턴화된 세포 배양용 기판을 이용하여 소량의 세포를 원하는 위치에 선택적으로 배양할 수 있는 세포의 패턴화된 배양 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은, 인공장기 개발, 인체삽입용 칩 개발, 신약개발, 지노믹스 그리고 단백질체학에 응용될 수 있도록 상기 세포의 패턴화된 배양 방법에 의해 제조되는 세포칩을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 하나의 양태로서 본 발명은 (1) 기판을 준비하는 단계; (2) 플라즈마를 이용하여 상기 기판 상에 제1 전구체 물질을 집적시켜 제1 플라즈마 중합체층을 형성하는 단계; (3) 상기 제1 플라즈마 중합체층 상에 일정한 형태의 패턴을 가지는 새도우 마스크를 올려놓는 단계; 및 (4) 플라즈마를 이 용하여 제2 전구체 물질을 집적시켜 패턴화된 제2 플라즈마 중합체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법에 관한 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법의 개략도이다. 도 3을 참조하여, 상기 단계들을 구체적으로 설명하기로 한다.
(1) 기판을 준비하는 단계
본 발명에서 "기판"이라 함은 플라즈마를 이용하여 전구체 물질이 집적될 수 있는 모든 종류의 판을 의미하는 것으로서, 구체적으로는 유리, 플라스틱, 금속 및 실리콘으로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있으나, 기판의 종류는 플라즈마를 이용하여 전구체 물질이 집적될 수 있는 한 특별히 제한되지 않음을 유의한다. 바람직하게는 유리 슬라이드가 기판으로 준비된다.
(2) 플라즈마를 이용하여 기판 상에 제1 전구체 물질을 집적시켜 제1 플라즈마 중합체층을 형성하는 단계
본 발명에서 "플라즈마(plasma)"란 전기적으로 중성인 기체분자가 전기에너지 또는 열에너지를 흡수하여 이온과 전자로 분리되어 있는 상태를 말한다. 현재 플라즈마를 이용하는 기술에 대한 연구가 활발히 진행되고 있는데 반도체 공정에서 사용되는 플라즈마 식각(plasma etching) 및 플라즈마 화학기상증착(PECVD: plasma enhanced chemical vapor deposition), 금속이나 고분자의 표면처리, 인조 다이아몬드 등의 신물질의 합성, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP: plasma display panel) 및 환경정화 기술 등 그 응용분야가 점점 더 확대되고 있다.
본 발명에서 "전구체 물질"이란 플라즈마를 이용하여 플라즈마 중합체층을 형성할 수 있는, 선행물질을 의미한다.
본 발명에서 제1 전구체 물질은, 세포의 흡착을 억제할 수 있는 물질이면 특별히 제한되지 않는다. 바람직하게는, 제1 전구체 물질로서 헥사메틸디실록산(hexamethyldisiloxane), 옥타메틸트리실록산(octamethyltrisiloxane), 데카메틸테트라실루산(decamethyltetrasiloxane), 헥사메틸사이클로트리스일록산(hexa methylcyclotrisiloxane), 옥타메틸사이클로테트라실록산(octamethyl cyclotetrasiloxane), 데카메틸사이클로펜타실록산(decamethylcyclopentasiloxane)의 실록산계 화합물을 사용할 수 있다. 실록산계 물질이 아닌, 제1 전구체 물질로서 스타이렌(styrene), N-헥산(n-hexane) 등의 화합물을 사용할 수 있다. 가장 바람직하게는, 상기 제1 전구체 물질은 실록산계 화합물이고, 상기 실록산계 화합물은 헥사메틸디실록산(hexamethyldisiloxane)인 것을 특징으로 한다.
이러한 이유는 상기 물질을 사용하여 형성된 플라즈마 중합체층은 기판과 세포와의 결합의 여지를 억제하므로 세포의 흡착을 억제하는 면에서 우수한 장점을 나타내기 때문이다.
본 발명에서“집적”이란 전구체 물질을 플라즈마 에너지를 이용하여 분해하 고, 분해된 부산물에 의해 플라즈마 중합체층을 형성하는 것을 의미한다.
제1 플라즈마 중합체층은 플라즈마 화학기상증착법을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 (2) 단계를 수행하기 위한 플라즈마 화학기상증착 장치(10)을 도 1을 참조하여 구체적으로 설명하기로 한다. 도 1은 기판 상에 제1 플라즈마 중합체층 형성하기 위한 플라즈마 화학기상증착 장치(10)를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1을 참조하여, 플라즈마 화학기상증착 장치(10)의 구성을 구체적으로 살펴보면, 플라즈마가 형성되는 공간인 플라즈마 반응 챔버(50)와, 플라즈마 반응 챔버(50) 내부의 압력을 조절하기 위한 진공펌프(70)를 포함하는 진공수단과, 제1 전구체 물질을 기체 상태로 플라즈마 반응 챔버(50) 내로 주입하기 위한, 거품기(bubbler)(30, 31)를 포함하는 가스 주입 수단과, 플라즈마 반응 챔버(50) 내부에 배치된 내부전극(SB; Substrate bias) 또는 하단 전극에 전압을 인가하기 위한 전력공급장치(40)로 이루어져 있다. 플라즈마 반응 챔버(50)는 그 내부에 기판 받침대(51)와, 그 기판 받침대(51) 하부에 배치되어 기판 받침대(51)를 지지하는 내부전극(SB)이 순차적으로 장착되어 있다.
플라즈마 화학기상증착 장치(10)를 이용하여 기판 상에 제1 전구체 물질을 집적시켜 제1 플라즈마 중합체층을 형성하는 단계를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
우선, 기판(1)을 플라즈마 반응 챔버(50)의 내부에 있는 기판 받침대(51) 위에 설치한다. 이후, 진공펌프(70)를 통해 플라즈마 반응 챔버(50) 내부의 압력을 진공 상태에 가까운 수 미리 토르(mtorr)로 낮춘 상태에서 가스 주입 수단을 통해 제1 전구체 물질을 운송 가스와 함께 플라즈마 반응 챔버(50) 내로 주입한다. 이러한 상태에서 전력공급장치로 내부전극(SB)에 전압을 인가하면, 내부전극(SB)에 의해 생성된 플라즈마들이 기판(1)과 플라즈마 반응 챔버(50)의 벽 사이에 형성된다. 이때, 생성된 플라즈마에 의해 제1 전구체 물질이 중합되면서 기판(1) 상에 제1 플라즈마 중합체층이 균일하게 형성된다.
이때, 외부전극과 내부전극 모두를 사용할 수도 있으나, 내부전극 하나만을 사용하는 것이 제1 플라즈마 중합체층이 형성됨에 있어서 보다 효율적 및 효과적이다. 또한, 플라즈마 반응 챔버(50)의 전력공급장치의 전력으로서 내부전극(SB)에 가하는 전력은 10W를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 제1 전구체 물질을 플라즈마 반응 챔버(50) 내부로 주입하기 전에, 제1 전구체 물질을 증기화(vaporization)하는 것이 바람직하다. 증기화는 거품기(30, 31)를 이용하여 제1 전구체 물질을 가열함으로써 상기 제1 전구체 물질을 증발시켜 기상화하는 방법을 사용하는 것이 바람직하고, 이때, 증기화 온도는 50℃ 내지 116℃인 것이 바람직하다. 가장 바람직하게는, 상기 제1 전구체 물질은 30 내지 70℃ 온도에서 증기화되어 플라즈마 증착되는 것을 특징으로 한다.
제1 전구체 물질은 운송가스를 이용하여 플라즈마 반응 챔버(50) 내로 주입하는 것이 바람직하며, 이때 이용될 수 있는 운송가스로는 아르곤(Ar), 질소(N2), 헬륨(He) 및 수소(H2) 등이 이용될 수 있으나, 더욱 바람직하게는 아르곤(Ar)을 사 용하는 것이 바람직하다. 플라즈마 반응 챔버(50) 내부로의 반응가스의 유량(mass flow rate)은 10 내지 50sccm에서 사용하는 것이 바람직하나, 15 sccm이 바람직하다.
플라즈마 반응 챔버(50) 내의 기판(1)의 온도는 상온에서 실시하는 것이 바람직하다. 게다가, 플라즈마 반응 챔버(50) 내부의 압력은 10mtorr 내지 수 토르를 사용할 수 있으나, 바람직하게는 500mtorr가 바람직하다.
(3) 제1 플라즈마 중합체층 상에 일정한 형태의 패턴을 가지는 새도우 마스크를 올려놓는 단계
본 발명에서 "새도우 마스크"란 원하는 특정한 부분을 노출할 수 있는 작은 구멍이 뚫려 있는 얇은 금속판을 의미한다. 새도우 마스크의 재질 및 형상은 제1 플라즈마 중합체층 상에 올려질 수 있고, 후술되는 바와 같이 상기 (4) 단계에서 제2 플라즈마 중합체층을 일정한 형태의 패턴으로 형성할 수 있으면 충분하고, 그 재질 및 형상은 특별히 제한되지 않음을 유의한다.
도 4의 (a)는 일정한 형태의 패턴을 가지는 새도우 마스크의 개략도이다. 도 4의 (a)를 참조하면, 본 발명에서 새도우 마스크의 상기 일정한 형태의 패턴은 200㎛ 지름을 가지는 복수의 구멍을 구비하며, 상기 구멍과 구멍 사이의 간격은 200㎛인 것을 특징으로 하며, 그 재질은 스테인레스 304강으로 이루어진다. 다만, 이러한 새도우 마스크의 형상 및 재질은 사용자에 의해 변경될 수 있음은 물론이다.
(4) 플라즈마를 이용하여 제2 전구체 물질을 집적시켜 패턴화된 제2 플라즈마 중합체층을 형성하는 단계
본 발명에서 제2 전구체 물질은, 세포를 그의 조직의 변형없이 기판 상에 배양할 수 있는 물질이면 특별히 제한되지 않는다. 다만, 본 발명에서는, 아민기, 알데하이드기, 카르복실기 또는 티올기 등 여러 종류의 작용기를 포함하는 전구체 물질을 선택하여 사용할 수 있으나, 아민기를 포함하는 전구체 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 더욱이, 에틸렌디아민(ethylenediamine), 아세토나이트릴(acetonitrile), 알릴아민(allylamine) 프로필아민(propylamine), 사이클로헵탄(cycloheptane), 사이클로헥산(cyclohexane), 및 사이클로펜탄(cyclopentane) 등의 화합물을 사용하는 것이 바람직하며, 제2 전구체 물질로서 에틸렌디아민을 사용하는 것이 가장 바람직하다.
이러한 이유는 상기 물질을 사용하여 형성된 플라즈마 중합체층은 세포를 그의 조직의 변형없이 기판 상에 배양할 수 있기 때문에 세포의 배양을 향상시키는 면에서 우수한 장점을 나타내기 때문이다.
바람직하게는, 상기 제2 플라즈마 중합체층은 유도 결합형 플라즈마 화학기상증착법을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 (4) 단계를 수행하기 위한 유도 결합형 플라즈마 화학기상증착 장치(100)를 도 2를 참조하여 구체적으로 설명하기로 한다. 도 2는 본 발명에 따른 패턴화된 세포 배양용 기판을 제조하기 위한 유도 결합형 플라즈마 화학기상증착 장치(100)의 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2를 참조하여, 유도 결합형 플라즈마 화학기상증착 장치(100)의 구성을 구체적으로 살펴보면, 플라즈마가 형성되는 공간인 반응 챔버(110)와, 플라즈마 반응 챔버(110) 내부의 압력을 조절하기 위한 진공펌프(112)를 포함하는 진공수단과, 제2 전구체 물질을 기체 상태로 플라즈마 반응 챔버(110) 내로 주입하기 위한, 거품기(bubbler)(114)를 포함하는 가스 주입 수단과, 플라즈마 반응 챔버(110) 상부에 배치된 외부전극(ICP; Inductively Coupled Plasma)과 플라즈마 반응 챔버(110) 내부에 배치된 내부전극(SB; Substrate bias)에 전압을 인가하기 위한 전력공급장치로 이루어져 있다. 플라즈마 반응 챔버(110)는 그 내부에 기판 받침대(113)와, 그 기판 받침대(113) 하부에 배치되어 기판 받침대(113)를 지지하는 내부전극(SB)이 장착되어 있다.
한편, 외부전극(ICP) 및 내부전극(SB)은 일반적인 플라즈마 화학기상 장치에서 사용되는 전극이면 재질 및 형태에 특별한 제한 없이 사용될 수 있으나, 특히 외부전극(ICP)의 경우 그 형태가 평판 원형코일 형태인 것이 바람직하고, 내부전극(SB)의 경우 그 재질이 화학적 반응이 없고, 오염이 적은 재질을 사용하는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 스테인레스 재질로 이루어진 것을 사용하는 것이 바람직하다.
유도 결합형 플라즈마 화학기상증착 장치(100)를 이용하여 제2 플라즈마 중합체층을 형성하는 단계를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
제1 플라즈마 중합체층이 형성된 기판(120)을 플라즈마 반응 챔버(110)의 내부에 있는 기판 받침대(113) 위에 설치한다. 그리고 일정한 형태의 패턴을 가지는 새도우 마스크를 제1 플라즈마 중합체층이 형성된 기판(120) 위에 고정하였다. 이후, 진공펌프(112)를 통해 플라즈마 반응 챔버(110) 내부의 압력을 진공 상태에 가까운 수 미리토르로 낮춘 상태에서 가스 주입 수단을 통해 작용기를 포함하는 제2 전구체 물질을 운송 가스와 함께 플라즈마 반응 챔버(110) 내로 주입한다. 이러한 상태에서 전력공급장치로 외부전극(ICP) 및 내부전극(SB)에 전압을 인가하면, 외부전극(ICP) 및 내부전극(SB)에 의해 생성된 플라즈마들이 제1 플라즈마 중합체층이 형성된 기판(120)과 플라즈마 반응 챔버(110)의 벽 사이에 형성된다. 이때, 생성된 플라즈마에 의해 작용기를 포함하는 제2 전구체 물질이 중합되면서 제2 플라즈마 중합체층이 제1 플라즈마 중합체층이 형성된 기판(120) 상에 선택적으로 형성된다.
이때, 외부전극 또는 내부전극 중 하나만을 단독으로 사용할 수도 있으나, 외부전극과 내부전극 모두를 사용하는 것이 패턴화된 세포 배양용 기판을 형성함에 있어서 보다 효율적 및 효과적이다. 또한, 플라즈마 반응 챔버(110)의 전력공급장치의 전력으로서 외부전극(ICP)에 가하는 전력은 3W, 30W 또는 70W를 사용할 수 있으나, 더욱 바람직하게는 3W가 바람직하고, 내부전극(SB)에 가하는 전력은 3W 내지 50W를 사용할 수 있으나, 더욱 바람직하게는 3W가 바람직하다.
또한, 제2 전구체 물질을 플라즈마 반응 챔버(110) 내부로 주입하기 전에, 제2 전구체 물질을 증기화하는 것이 바람직하다. 증기화는 거품기(114)를 이용하여 제2 전구체 물질을 가열함으로써 상기 제2 전구체 물질을 증발시켜 기상화하는 방 법을 사용하는 것이 바람직하고, 이때, 증기화 온도는 50℃ 내지 116℃인 것이 바람직하다. 가장 바람직하게는, 30 내지 70℃ 온도에서 증기화되어 플라즈마 증착되는 것을 특징으로 한다.
또한, 제2 전구체 물질은 운송가스를 이용하여 플라즈마 반응 챔버(110) 내로 주입하는 것이 바람직하며, 이때 이용될 수 있는 운송가스로는 아르곤(Ar), 질소(N2), 헬륨(He) 및 수소(H2) 등이 이용될 수 있으나, 더욱 바람직하게는 아르곤(Ar)을 사용하는 것이 바람직하다. 플라즈마 반응 챔버(110) 내부로의 반응가스의 유량은 10 내지 50sccm에서 사용하는 것이 바람직하나, 15 sccm이 바람직하다.
플라즈마 반응 챔버(110) 내의 제1 플라즈마 중합체층이 형성된 기판(120)의 온도는 상온에서 실시하는 것이 바람직하다. 게다가, 플라즈마 반응 챔버(110) 내부의 압력은 10mtorr 내지 수 토르를 사용할 수 있으나, 바람직하게는 30mtorr가 바람직하다.
바람직한 양태로서, 본 발명은 상기 (3) 단계와 상기 (4) 단계 사이에, 플라즈마를 이용하여 제1 전구체 물질을 재집적시켜 패턴화된 제1 플라즈마 중합체층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법에 관한 것이다.
도 5는 본 발명에 따른 또다른 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법의 개략도이며, 도 5를 참조하여, 상기 단계들을 구체적으로 설명하기로 한다.
도 5에 기재된 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법은 도 3에 기재된 방법과 비교했을 때, 제1 플라즈마 중합체층 상에 제1 전구체 물질을 패턴화된 형태로 다시 한번 증착하고 그 위에 제2 플라즈마 중합체층을 형성한다는 점이 상이하다.
이러한 방식은 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법에 있어서 미세한 패터닝이 요구되는 경우에 이용될 수 있다. 이는 동일한 제1 전구체 물질을 사용하여 제1 플라즈마 중합체층을 형성한다 하더라도 전압인가조건에 따라서 제2 플라즈마 중합체층이 부착되는 정도가 상이하게 나타나기 때문이다.
예를 들어, 내부 전극(SB)을 10W로 설정하여 형성된 제1 플라즈마 중합체층은 내부 전극(SB)을 70W로 설정하여 형성된 제1 플라즈마 중합체층과 비교했을 때, 그 위에 제2 플라즈마 중합체층이 더 잘 형성된다.
한편, 이러한 방식에 의해 S/N 비율이 증가할 수 있다는 효과도 있다.
다른 하나의 양태로서 본 발명은 상술된 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법에 의해 제조되는 패턴화된 세포 배양용 기판에 관한 것이다.
도 4의 (b)는 본 발명에 따른 패턴화된 세포 배양용 기판의 평면도이다.
도 4의 (b)를 참조하면, 패턴화된 세포 배양용 기판은 200㎛ 지름을 가지는 볼록부를 가지며 상기 볼록부와 볼록부 사이의 간격은 200㎛인 것을 특징으로 한다. 이때, 기판 상에 제1 플라즈마 중합체층이 형성되어 있으며, 상기 제1 플라즈마 중합체 상에 제2 플라즈마 중합체층이 볼록부의 형태로 형성된다. 즉, 제2 플라즈마 중합체층이 일정한 형태로 패턴화된 세포 배양용 기판이 제조된다.
다른 하나의 양태로서 본 발명은, 상술된 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법에 의해 패턴화된 세포 배양용 기판을 제조하는 단계; 및 상기 패턴화된 세포 배양용 기판 상에 세포를 배양하는 단계를 포함하는 세포의 패턴화된 배양 방법에 관한 것이다.
본 발명에서 "세포"라 함은, 모든 생물의 기능적, 구조적 기본 단위를 의미하는 일반적 용어로서, 세포의 종류는 특별히 제한되지 않음을 유의한다. 예를 들어, 간, 신장, 비장, 뼈, 골수, 흉선, 심장, 근육, 허파, 뇌, 정소, 난소, 소도(islet), 내장, 귀, 피부, 쓸개조직, 전립선, 방광, 배아(embryo), 면역계 및 조혈계 등으로부터 분리되거나 활성화할 수 있는 세포를 사용할 수 있다. 바람직하게는, 상기 세포는 미생물, 동식물 세포 및 기관, 신경세포, 및 혈관내 세포로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상술된 세포를 제2 플라즈마 중합체층에 배양하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 이는 공지의 기술이므로 그 설명은 생략하기로 한다.
다른 하나의 양태로서 본 발명은 상술된 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법에 의해 제조되는 패턴화된 세포 배양용 기판 상에 세포가 배양되어 있는 세포칩에 관한 것이다.
본 발명에서 "세포칩"이란 세포의 반응을 통해 기존 방법으로는 측정하지 못했던 세포에 의한 복합적인 생리 신호를 검출할 수 있는 바이오 칩을 의미한다.
바람직하게는, 상기 세포의 종류는 특별히 제한되지 않음을 유의한다. 예를 들어, 간, 신장, 비장, 뼈, 골수, 흉선, 심장, 근육, 허파, 뇌, 정소, 난소, 소도(islet), 내장, 골수, 귀, 피부, 쓸개조직, 전립선, 방광, 배아(embryo), 면역계 및 조혈계 등으로부터 분리되거나 활성화할 수 있는 세포를 사용할 수 있다. 바람직하게는, 상기 세포는 미생물, 동식물 세포 및 기관, 신경세포, 및 혈관내 세포로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 기판 상에 세포의 흡착을 억제하는 표면 및 세포를 효과적으로 배양할 수 있는 표면을 선택적으로 패터닝할 수 있다는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 패터닝화에 의해 세포가 일정한 영역에만 선택적으로 배양될 수 있고 그 조직성을 유지할 수 있다는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 소량의 세포를 원하는 위치에 선택적으로 배양할 수 있으므로, 세포칩의 대량 생산이 가능하게 되며, 그로 인해 세포칩 제조에 있어서 제조 및 생산 비용이 절감된다는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 인공장기 개발, 인체삽입용 칩 개발, 신약개발, 지노믹스 그리고 단백질체학에 응용될 수 있는 세포칩을 제공할 수 있다는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 소량의 세포만으로도 많은 양의 세포를 배양할 수 있어서 다양한 세포와 관련된 실험들을 더욱 빠르게 수행할 수 있으며, 이를 이용해 다양한 질환에 대한 진단 및 특정 집단의 질환 프로파일 구축 등에 이용될 수 있다는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 대면적 기판에 짧은 시간에 균일한 작용기의 집적이 가능하므로 세포칩을 대량 생산할 수 있다는 이점이 있어서 상업화에 있어서 유리하다는 효과가 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시한다. 그러나 하기의 실시예는 본 발명을 보다 쉽게 이해하기 위하여 제공되는 것일 뿐, 실시예에 의해 본 발명의 내용이 한정되는 것은 아니다.
<제조예 1: 기판 상에 제1 플라즈마 중합체층 형성>
제1 전구체 물질로 헥사메틸디실록산을 사용하여 플라즈마 화학기상증착법으로 플라즈마 중합된 헥사메틸디실록산 박막(Plasma Polymerized Hexamethyldisiloxane, PPHMDSO)을 75mmX 25mm 크기의 유리 슬라이드(Corning Microslide Plain, Cat#: 2947, Corning, NY) 위에 증착하였다.
구체적으로, 이러한 증착은 도 1에 도시된 플라즈마 화학기상증착 장비를 사용하여 수행되었다. 플라즈마 반응 챔버(50)는 원통형의 모양을 가진 스테인레스 재질의 챔버이다. 헥사메틸디실록산 단량체는 50도로 가열된 거품기(30, 31)에서 넣어 사용하였다. 헥사메틸디실록산 분자는 불활성 아르곤기체를 이동가스로 사용하여 증기화시켜 플라즈마 반응 챔버(50) 내로 유입시켰다. 슬라이드 전압 파워(SB power)는 라디오 주파수를 갖는 발생기를 슬라이드 기판 받침대(51)에 부착하여 슬라이드 주위에 플라즈마를 생성했다. 이때 플라즈마 반응 챔버(50)의 벽면은 접지했다. 한편 유리 슬라이드는 플라즈마 반응 챔버(50)에 넣기 전에 트리클로로에틸렌(trichloroethylene), 아세톤(acetone) 및 메탄올(methanol) 순으로 초음파 세척하여 사용하였다. 플라즈마 반응 챔버(50)의 압력은 진공펌프(70)를 이용하여 대략 수 mtor 정도를 기본 압력으로 맞추었다. 증착시 기판 온도는 상온을 유지하였고, 아르곤 기체 유량은 15 sccm으로 유지시켰다. 이때 플라즈마 반응 챔버(50)의 증착 압력은 500mtorr로 유지시켜 주었고, 플라즈마 반응 챔버(50)의 내부 전극(SB)은 10W로 유지하고 증착 시간은 5분 동안 시행하였다. 이러한 방식으로 제1 플라즈마 중합체층이 형성된 기판, 즉 플라즈마 중합된 헥사메틸디실록산 박막이 유리 슬라이드에 증착된 기판을 제조하였다.
<제조예 2: 기판 상에 제1 플라즈마 중합체층 형성>
본 제조예 2에서는 플라즈마 반응 챔버(50)의 내부 전극(SB)을 30W로 유지한 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 방법으로 실시하여 제1 플라즈마 중합체층이 형성된 기판, 즉 플라즈마 중합된 헥사메틸디실록산 박막이 유리 슬라이드에 증착된 기판을 제조하였다.
<제조예 3: 기판 상에 제1 플라즈마 중합체층 형성>
본 제조예 3에서는 플라즈마 반응 챔버(50)의 내부 전극(SB)을 50W로 유지한 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 방법으로 실시하여 제1 플라즈마 중합체층이 형성된 기판, 즉 플라즈마 중합된 헥사메틸디실록산 박막이 유리 슬라이드에 증착된 기판을 제조하였다.
<제조예 4: 기판 상에 제1 플라즈마 중합체층 형성>
본 제조예 4에서는 플라즈마 반응 챔버(50)의 내부 전극(SB)을 100W로 유지한 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 방법으로 실시하여 제1 플라즈마 중합체층이 형성된 기판, 즉 플라즈마 중합된 헥사메틸디실록산 박막이 유리 슬라이드에 증착된 기판을 제조하였다.
<실험예 1>
상기 제조예 1, 2, 3 및 4에서 제조된 제1 플라즈마 중합체층이 형성된 기판의 세포의 흡착을 억제하는 능력을 확인하기 위하여 쥐의 장외피세포(Intestinal Epithelial Cells-18(IEC-18))를 사용하여 실험을 진행하였다.
상기 제조예 1, 2, 3 및 4에서 제조된 제1 플라즈마 중합체층이 형성된 기판 위에 쥐의 장외피세포를 배양하여 상기 기판 위에서 장외피세포의 흡착이 억제되는지 알아보았다. 이때, 배양액은 하이글루코스(highglucose) 4500mg/ℓ가 포함된 DMEM(Dulbecco's modified Eagle's medium)용액에 FBS(Fetal Bovine Serum)을 섞어 FBS의 농도가 20%가 되도록 하고 페니실린/스트렙토마이신(streptomycin)과 인슐린을 첨가하여 만들었고 기판 위에 배양할 때의 외부 조건은 37°C, 5% CO2 상태에서(세포 배양기 내에서) 진행하였다.
도 6을 참조하면, 상기 제조예 1, 2, 3 및 4에서 제조된 제1 플라즈마 중합체층이 형성된 기판 위에 쥐의 장외피세포를 24시간 배양한 뒤 찍은 사진으로, 제조예 1에서 제조된 제1 플라즈마 중합체층이 형성된 기판이 세포의 흡착을 억제하는 효과가 가장 큰 것을 알 수 있다.
<제조예 5: 제1 플라즈마 중합체층 상에 패턴화된 제2 플라즈마 중합체층 형성>
작용기를 가지는 제2 전구체 물질로 에틸렌디아민을 사용하였다. 유도 결합형 플라즈마 화학기상증착법으로 플라즈마 중합된 에틸렌디아민 박막(Plasma Polymerized Ethylenediamine, PPEDA)을 플라즈마 중합된 헥사메틸디실록산 박막이 증착된 75mmX 25mm 크기의 유리 슬라이드(Corning Microslide Plain, Cat#: 2947, Corning, NY) 위에 일정한 형태의 패턴을 가지는 새도우 마스크를 사용하여 패터닝하여 증착하였다.
구체적으로, 이러한 증착은 도 2에 도시된 유도 결합형 플라즈마 화학기상증착 장비를 사용하여 수행되었다. 플라즈마 반응 챔버(110)는 원통형의 모양을 가진 스테인레스 재질의 챔버이다. 에틸렌디아민 전구체는 50도로 가열된 거품기(114)에 서 넣어 사용하였다. 에틸렌디아민 분자는 불활성 아르곤기체를 이동가스로 사용하여 증기화시켜 플라즈마 반응 챔버(110) 내로 유입시켰다. 유도 결합형 플라즈마는 원형의 코일이 결합한 라디오 주파수를 갖는 발생기(rf generator)(116)를 통하여 샤워 링(shower ring)(118) 주위에 발생시켰다. 기판에 작용하는 전압 파워(SB power)는 라디오 주파수를 갖는 발생기를 슬라이드 기판 받침대에 부착하여 슬라이드 주위에 플라즈마를 생성했다. 이때 플라즈마 반응 챔버(110)의 벽면은 접지했다. 플라즈마 중합된 에틸렌디아민 박막을 증착시 사용된 기판은 제조예 1에서 제조된 제1 플라즈마 중합체층이 형성된 기판을 사용하였다.
도 4의 (a)와 같이 일정한 형태의 패턴을 가지는 새도우 마스크를 상기 제조예 1에서 제조된 제1 플라즈마 중합체층이 형성된 기판 위에 고정하였다. 이때, 새도우 마스크의 상기 일정한 형태의 패턴은 200㎛ 지름을 가지는 복수의 구멍을 구비하며, 상기 구멍과 구멍 사이의 간격은 200㎛인 것을 특징으로 한다. 그 후, 노출된 영역에 에틸렌디아민을 증착하였다. 플라즈마 반응 챔버(110)의 압력은 진공펌프(112)를 이용하여 대략 10-5torr정도를 기본 압력으로 맞추었다. 증착시 기판 온도는 상온을 유지하였고, 아르곤 기체 유량은 15 sccm으로 유지시켰다. 이때 플라즈마 반응 챔버(110)의 증착 압력은 30 mtorr로 유지시켜 주었고, 플라즈마 반응 챔버(110) 내부의 외부전극(ICP)과 내부전극(SB)에 전압을 각각 3W, 3W로 유지하고 증착 시간은 2분 동안 시행하였다. 이러한 방식으로, 제1 플라즈마 중합체층 상에 제2 플라즈마 중합체층이 패턴화되어 형성된 기판, 즉 패턴화된 세포 배양용 기판 을 제조하였다.
<실험예 2>
상기 제조예 5에서 제조된 패턴화된 세포 배양용 기판의 선택적인 세포 배양 능력을 확인하기 위해 쥐의 장외피세포를 사용하여 실험을 진행하였다.
상기 제조예 5에서 제조된 패턴화된 세포 배양용 기판 위에 쥐의 장외피세포를 배양하여 시간에 따른 세포의 선택적 배양 정도를 확인하였다. 이때, 상기 제조예 5에서 제조된 패턴화된 세포 배양용 기판을 사용하고 시간에 따라 배양 정도를 측정한다는 점을 제외하고는 실험예 1와 동일한 방법을 사용하였다.
도 7를 참조하면, 상기 제조예 5에서 제조된 패턴화된 세포 배양용 기판 위에 쥐의 장외피세포를 2시간, 8시간, 24시간 배양한 뒤 찍은 사진으로, 시간이 경과함에 따라 선택적인 세포의 흡착을 확인할 수 있었다. 플라즈마 중합된 헥사메틸디실록산 박막이 증착된 영역에서는 세포의 흡착을 억제하는 효과가 나타났으며, 플라즈마 중합된 에틸렌디아민 박막이 증착된 영역에서는 세포의 배양이 이루어진 것을 확인할 수 있었다. 한편, PPEDA 가 증착된 영역에 배양된 세포들은 시간이 지남에 따라 정상적인 세포의 생장을 보이고 있음을 알 수 있다.
이상, 여기에서는 본 발명을 특정 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명이 그에 한정되는 것은 아니며, 이하의 특허청구의 범위는 본 발명의 정신과 분야를 이탈하지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변형될 수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 알 수 있다.
도 1은 기판 상에 제1 플라즈마 중합체층 형성하기 위한 플라즈마 화학기상증착 장치(10)를 개략적으로 도시한 도면이며,
도 2는 본 발명에 따른 패턴화된 세포 배양용 기판을 제조하기 위한 유도 결합형 플라즈마 화학기상증착 장치(100)의 개략적으로 도시한 도면이며,
도 3는 본 발명에 따른 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법의 개략도이며,
도 4의 (a)는 일정한 형태의 패턴을 가지는 새도우 마스크의 개략도이고, 도 4의 (b)는 본 발명에 따른 패턴화된 세포 배양용 기판의 평면도이며,
도 5는 본 발명에 따른 또다른 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법의 개략도이며,
도 6은 다양한 방법으로 제조된 제1 플라즈마 중합체층이 형성된 기판 위에 쥐의 장외피세포를 24시간 배양한 뒤 찍은 사진이며,
도 7은 본 발명에 따른 패턴화된 세포 배양용 기판 위에 쥐의 장외피세포를 2시간, 8시간, 24시간 배양한 뒤 찍은 사진이다.

Claims (15)

  1. (1) 기판을 준비하는 단계;
    (2) 플라즈마를 이용하여 상기 기판 상에 제1 전구체 물질을 집적시켜 세포 비부착성 제1 플라즈마 중합체층을 형성하는 단계;
    (3) 상기 제1 플라즈마 중합체층 상에 일정한 형태의 패턴을 가지는 새도우 마스크를 올려놓는 단계;
    (4) 플라즈마를 이용하여 제2 전구체 물질을 집적시켜 패턴화된 세포 부착성 제2 플라즈마 중합체층을 형성하는 단계; 및
    (5) 상기 새도우 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 (3) 단계와 상기 (4) 단계 사이에,
    플라즈마를 이용하여 제1 전구체 물질을 집적시켜 패턴화된 제1 플라즈마 중합체층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기판은 유리, 플라스틱, 금속 및 실리콘으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 전구체 물질은 스타이렌(styrene), N-헥산(n-hexane)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 전구체 물질은 헥사메틸디실록산(hexamethyldisiloxane), 옥타메틸트리실록산(octamethyltrisiloxane), 데카메틸테트라실루산(decamethyl tetrasiloxane), 헥사메틸사이클로트리스일록산(hexamethylcyclotrisiloxane), 옥타메틸사이클로테트라실록산(octamethylcyclotetrasiloxane), 데카메틸사이클로펜타실록산(decamethylcyclopentasiloxane)의 실록산계 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 전구체 물질은 실록산계 화합물이고,
    상기 실록산계 화합물은 헥사메틸디실록산(hexamethyldisiloxane)인 것을 특징으로 하는, 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 전구체 물질은 에틸렌디아민(ethylenediamine), 아세토나이트릴(acetonitrile), 알릴아민(allylamine), 프로필아민(propylamine), 사이클로헵탄(cycloheptane), 사이클로헥산(cyclohexane), 및 사이클로펜탄(cyclopentane)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 (2) 단계에서 상기 제1 플라즈마 중합체층은 플라즈마 화학기상증착법을 이용하여 형성되고, 그리고
    상기 (4) 단계에서 상기 제2 플라즈마 중합체층은 유도 결합형 플라즈마 화학기상증착법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는, 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 전구체 물질 및 상기 제2 전구체 물질은 30 내지 70℃ 온도에서 증기화되어 플라즈마 증착되는 것을 특징으로 하는, 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 새도우 마스크의 상기 일정한 형태의 패턴은 200㎛ 지름을 가지는 복수의 구멍을 구비하며, 상기 구멍과 구멍 사이의 간격은 200㎛인 것을 특징으로 하는, 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법.
  11. 제1항 또는 제2항 중 어느 한 항의 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는, 패턴화된 세포 배양용 기판.
  12. 제1항 또는 제2항 중 어느 한 항의 방법에 의해 패턴화된 세포 배양용 기판을 제조하는 단계; 및
    상기 패턴화된 세포 배양용 기판 상에 세포를 배양하는 단계를 포함하는 것 을 특징으로 하는, 세포의 패턴화된 배양 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 세포는 미생물, 동식물 세포 및 기관, 신경세포, 및 혈관내 세포로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 세포의 패턴화된 배양 방법.
  14. 제1항 또는 제2항 중 어느 한 항의 방법으로 제조되는 패턴화된 세포 배양용 기판 상에 세포가 배양되어 있는 것을 특징으로 하는, 패턴화된 세포칩.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 세포는 미생물, 동식물 세포 및 기관, 신경세포, 및 혈관내 세포로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 패턴화된 세포칩.
KR1020090082152A 2009-09-01 2009-09-01 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법, 패턴화된 세포 배양용 기판, 세포의 패턴화된 배양 방법, 및 패턴화된 세포칩 Active KR101129090B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090082152A KR101129090B1 (ko) 2009-09-01 2009-09-01 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법, 패턴화된 세포 배양용 기판, 세포의 패턴화된 배양 방법, 및 패턴화된 세포칩
US12/872,903 US20110053800A1 (en) 2009-09-01 2010-08-31 Method of manufacturing patterned subtrate for culturing cells, patterned subtrate for culturing cells, patterning method of culturing cells, and patterned cell chip
US14/634,190 US9580681B2 (en) 2009-09-01 2015-02-27 Method of manufacturing patterned substrate for culturing cells, patterned substrate, and patterned cell chip

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090082152A KR101129090B1 (ko) 2009-09-01 2009-09-01 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법, 패턴화된 세포 배양용 기판, 세포의 패턴화된 배양 방법, 및 패턴화된 세포칩

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110024244A KR20110024244A (ko) 2011-03-09
KR101129090B1 true KR101129090B1 (ko) 2012-04-13

Family

ID=43625743

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090082152A Active KR101129090B1 (ko) 2009-09-01 2009-09-01 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법, 패턴화된 세포 배양용 기판, 세포의 패턴화된 배양 방법, 및 패턴화된 세포칩

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20110053800A1 (ko)
KR (1) KR101129090B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101167435B1 (ko) 2010-10-28 2012-07-19 삼성전기주식회사 세포칩
KR20200109485A (ko) * 2019-03-13 2020-09-23 재단법인대구경북과학기술원 미세관통막 기반의 수화젤 마이크로웰 어레이 및 이를 이용한 3차원 단일세포 분리 및 배양방법

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI509695B (zh) 2010-06-10 2015-11-21 Asm Int 使膜選擇性沈積於基板上的方法
US9112003B2 (en) 2011-12-09 2015-08-18 Asm International N.V. Selective formation of metallic films on metallic surfaces
KR101462765B1 (ko) * 2013-03-08 2014-11-21 성균관대학교산학협력단 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법, 패턴화된 세포 배양용 기판 및 세포칩
KR101529528B1 (ko) * 2014-01-06 2015-06-18 한국과학기술연구원 저반사성 초소수 또는 초발수 유리 및 그 제조방법
TWI661072B (zh) 2014-02-04 2019-06-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 金屬、金屬氧化物與介電質的選擇性沈積
US10047435B2 (en) 2014-04-16 2018-08-14 Asm Ip Holding B.V. Dual selective deposition
US20170130195A1 (en) * 2014-06-10 2017-05-11 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Cell culture substrate, manufacturing method therefor, and use thereof
US9490145B2 (en) 2015-02-23 2016-11-08 Asm Ip Holding B.V. Removal of surface passivation
US10428421B2 (en) 2015-08-03 2019-10-01 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition on metal or metallic surfaces relative to dielectric surfaces
US10566185B2 (en) 2015-08-05 2020-02-18 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of aluminum and nitrogen containing material
US10121699B2 (en) 2015-08-05 2018-11-06 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of aluminum and nitrogen containing material
US10695794B2 (en) 2015-10-09 2020-06-30 Asm Ip Holding B.V. Vapor phase deposition of organic films
US10814349B2 (en) 2015-10-09 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Vapor phase deposition of organic films
US10343186B2 (en) 2015-10-09 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Vapor phase deposition of organic films
US9981286B2 (en) 2016-03-08 2018-05-29 Asm Ip Holding B.V. Selective formation of metal silicides
KR102182550B1 (ko) 2016-04-18 2020-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 유도된 자기-조립층을 기판 상에 형성하는 방법
US10204782B2 (en) * 2016-04-18 2019-02-12 Imec Vzw Combined anneal and selective deposition process
US11081342B2 (en) 2016-05-05 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition using hydrophobic precursors
US10453701B2 (en) 2016-06-01 2019-10-22 Asm Ip Holding B.V. Deposition of organic films
US10373820B2 (en) 2016-06-01 2019-08-06 Asm Ip Holding B.V. Deposition of organic films
US10014212B2 (en) 2016-06-08 2018-07-03 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of metallic films
US9803277B1 (en) 2016-06-08 2017-10-31 Asm Ip Holding B.V. Reaction chamber passivation and selective deposition of metallic films
US11430656B2 (en) 2016-11-29 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Deposition of oxide thin films
US11094535B2 (en) 2017-02-14 2021-08-17 Asm Ip Holding B.V. Selective passivation and selective deposition
US11501965B2 (en) 2017-05-05 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Plasma enhanced deposition processes for controlled formation of metal oxide thin films
CN115233183B (zh) 2017-05-16 2025-01-10 Asmip控股有限公司 电介质上氧化物的选择性peald
US10900120B2 (en) 2017-07-14 2021-01-26 Asm Ip Holding B.V. Passivation against vapor deposition
JP7146690B2 (ja) 2018-05-02 2022-10-04 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 堆積および除去を使用した選択的層形成
JP2020056104A (ja) 2018-10-02 2020-04-09 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 選択的パッシベーションおよび選択的堆積
US11965238B2 (en) 2019-04-12 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of metal oxides on metal surfaces
KR102218683B1 (ko) * 2019-07-18 2021-02-22 한국과학기술원 실록산 중합체 기반 암줄기세포 제조 방법
US11139163B2 (en) 2019-10-31 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of SiOC thin films
TWI862807B (zh) 2020-03-30 2024-11-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 相對於金屬表面在介電表面上之氧化矽的選擇性沉積
TWI865747B (zh) 2020-03-30 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 在兩不同表面上同時選擇性沉積兩不同材料
TW202140832A (zh) 2020-03-30 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽在金屬表面上之選擇性沉積

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050089803A1 (en) * 2001-05-23 2005-04-28 Salim Bouaidat Method of lift-off microstructuring deposition material on a substrate, substrates obtainable by the method, and use thereof
JP2005521550A (ja) 2002-03-28 2005-07-21 プラツソ・テクノロジー・リミテツド プラズマ重合による被膜の調製
WO2008105624A2 (en) * 2007-02-27 2008-09-04 Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration Method of manufacturing substrate for fixing cells, substrate for fixing cells, method of fixing cells, and cell chip

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080220520A1 (en) * 2003-11-19 2008-09-11 Palecek Sean P Cryopreservation of human embryonic stem cells in microwells
US20090042736A1 (en) * 2005-04-18 2009-02-12 Johan Gerrit Bomer Biochip and process for the production of a biochip
KR100770945B1 (ko) * 2005-12-28 2007-10-26 성균관대학교산학협력단 플라즈마를 이용한 단백질칩 기판의 제조 방법 및 이로부터제조된 단백질칩 기판

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050089803A1 (en) * 2001-05-23 2005-04-28 Salim Bouaidat Method of lift-off microstructuring deposition material on a substrate, substrates obtainable by the method, and use thereof
JP2005521550A (ja) 2002-03-28 2005-07-21 プラツソ・テクノロジー・リミテツド プラズマ重合による被膜の調製
WO2008105624A2 (en) * 2007-02-27 2008-09-04 Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration Method of manufacturing substrate for fixing cells, substrate for fixing cells, method of fixing cells, and cell chip

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101167435B1 (ko) 2010-10-28 2012-07-19 삼성전기주식회사 세포칩
KR20200109485A (ko) * 2019-03-13 2020-09-23 재단법인대구경북과학기술원 미세관통막 기반의 수화젤 마이크로웰 어레이 및 이를 이용한 3차원 단일세포 분리 및 배양방법
KR102209346B1 (ko) 2019-03-13 2021-01-29 재단법인대구경북과학기술원 미세관통막 기반의 수화젤 마이크로웰 어레이 및 이를 이용한 3차원 단일세포 분리 및 배양방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110024244A (ko) 2011-03-09
US20110053800A1 (en) 2011-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101129090B1 (ko) 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법, 패턴화된 세포 배양용 기판, 세포의 패턴화된 배양 방법, 및 패턴화된 세포칩
US9580681B2 (en) Method of manufacturing patterned substrate for culturing cells, patterned substrate, and patterned cell chip
Dou et al. Combination stiffness gradient with chemical stimulation directs glioma cell migration on a microfluidic chip
Sieminski et al. Primary sequence of ionic self‐assembling peptide gels affects endothelial cell adhesion and capillary morphogenesis
JP4567936B2 (ja) 細胞培養用支持体材料、細胞の共培養方法およびそれより得られる共培養細胞シート
CN1798832B (zh) 含有动物培养细胞球状体的培养细胞构成物及其用途
JP5161581B2 (ja) 細胞培養容器及び細胞培養方法
JP5261920B2 (ja) 細胞を用いた試験法および試験用キット
Zhou et al. Effects of univariate stiffness and degradation of DNA hydrogels on the transcriptomics of neural progenitor cells
Wang et al. Microfluidic brain‐on‐a‐chip: from key technology to system integration and application
Tang et al. High quality multicellular tumor spheroid induction platform based on anisotropic magnetic hydrogel
WO2008019573A1 (fr) Dispositifs et procédés permettant de faire adhérer différents types de cellules sur un même substrat.
KR101400888B1 (ko) 플라즈마 처리된 바이오폴리머를 이용한 세포 흡착을 조절하는 표면 제조방법
Aili et al. Brain organoids: A new tool for modelling of neurodevelopmental disorders
KR101462765B1 (ko) 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법, 패턴화된 세포 배양용 기판 및 세포칩
KR101132317B1 (ko) 세포 고정화용 기판의 제조방법, 세포 고정화용 기판, 세포의 고정 방법, 및 세포칩
Tian et al. Aligned nanofibrous net deposited perpendicularly on microridges supports endothelium formation and promotes the structural maturation of hiPSC-derived cardiomyocytes
Rama Varma et al. Vascularized microfluidic models of major organ structures and cancerous tissues
KR20030027379A (ko) 단백질칩 기판 및 플라즈마를 이용한 단백질칩 기판의제조방법
CN102286646B (zh) 阵列化图形细胞的电调控方法
Joo et al. Stimuli‐Responsive Neuronal Networking via Removable Alginate Masks
Chen et al. In vitro model on glass surfaces for complex interactions between different types of cells
KR20180049998A (ko) 온도감응성 하이드로겔을 이용한 3차원 세포 구상체의 제조방법
Pavlica et al. Rat embryonic liver cell expansion and differentiation on NH3 plasma-grafted PEEK-WC-PU membranes
Sahibbeyli et al. The Role of Molecular Structure of Phenylalanine Peptides on the Formation of Vertically Aligned Ordered Bionanostructures: Implications for Sensing Application

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

D13-X000 Search requested

St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000

D14-X000 Search report completed

St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

AMND Amendment
P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

AMND Amendment
P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PX0701 Decision of registration after re-examination

St.27 status event code: A-3-4-F10-F13-rex-PX0701

X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

Fee payment year number: 1

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150115

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Fee payment year number: 4

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160113

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Fee payment year number: 5

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170308

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

Fee payment year number: 6

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

PC1903 Unpaid annual fee

Not in force date: 20180315

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

K11-X000 Ip right revival requested

St.27 status event code: A-6-4-K10-K11-oth-X000

PC1903 Unpaid annual fee

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20180315

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

PR0401 Registration of restoration

St.27 status event code: A-6-4-K10-K13-oth-PR0401

PR1001 Payment of annual fee

Fee payment year number: 7

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190305

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

Fee payment year number: 8

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

PR1001 Payment of annual fee

Fee payment year number: 9

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

PR1001 Payment of annual fee

Fee payment year number: 10

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

PR1001 Payment of annual fee

Fee payment year number: 11

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

PR1001 Payment of annual fee

Fee payment year number: 12

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

Fee payment year number: 13

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000