[go: up one dir, main page]

KR101117722B1 - 유기 발광 소자 - Google Patents

유기 발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR101117722B1
KR101117722B1 KR1020090080704A KR20090080704A KR101117722B1 KR 101117722 B1 KR101117722 B1 KR 101117722B1 KR 1020090080704 A KR1020090080704 A KR 1020090080704A KR 20090080704 A KR20090080704 A KR 20090080704A KR 101117722 B1 KR101117722 B1 KR 101117722B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
light emitting
layer
organic light
substituted
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020090080704A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110023091A (ko
Inventor
김영국
황석환
곽윤현
정혜진
이종혁
고희주
임진오
Original Assignee
삼성모바일디스플레이주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성모바일디스플레이주식회사 filed Critical 삼성모바일디스플레이주식회사
Priority to KR1020090080704A priority Critical patent/KR101117722B1/ko
Priority to JP2010135133A priority patent/JP5258846B2/ja
Priority to US12/853,846 priority patent/US8203141B2/en
Priority to EP10251515.2A priority patent/EP2298739B1/en
Priority to CN201010268655.9A priority patent/CN102002046B/zh
Publication of KR20110023091A publication Critical patent/KR20110023091A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101117722B1 publication Critical patent/KR101117722B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/56—Ring systems containing three or more rings
    • C07D209/58—[b]- or [c]-condensed
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/56—Ring systems containing three or more rings
    • C07D209/80—[b, c]- or [b, d]-condensed
    • C07D209/82—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles
    • C07D209/86—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached to carbon atoms of the ring system
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D401/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom
    • C07D401/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D413/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D413/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D471/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00
    • C07D471/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D471/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D487/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00
    • C07D487/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D487/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1044—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing two nitrogen atoms as heteroatoms
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
  • Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)

Abstract

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물 및 이를 포함한 유기막을 구비한 유기 발광 소자에 관한 것이다:
<화학식 1>
Figure 112009053122590-pat00001
상기 화학식에 대한 설명은 발명의 상세한 설명을 참조한다.

Description

유기 발광 소자{Organic light emitting device}
화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
유기 발광 소자 (organic light emitting device)는 자발광형 표시 소자로 시야각이 넓으며 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답시간이 빠르다는 장점을 가지고 있기 때문에 커다란 주목을 받고 있다.
이러한 유기 발광 소자의 종류는 크게 발광층 (emitting layer)에 무기 화합물을 사용하는 무기 발광 소자와 유기 화합물을 사용하는 유기 EL 소자가 있고, 이 중에서 특히 유기 EL 소자는 무기 발광 소자에 비하여 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 점에서 많은 연구가 이루어지고 있다.
유기 발광 소자는 일반적으로 애노드/유기 발광층/캐소드의 적층구조를 갖고, 상기 애노드와 발광층 사이 또는 발광층과 캐소드 사이에 정공 주입층 및/또는 정공 수송층 및 전자 주입층을 더 적층하여 애노드/정공 수송층/유기 발광층/캐소드, 애노드/정공 수송층/유기 발광층/전자 수송층/캐소드 등의 구조를 갖는다.
이 중, 유기 발광층 재료로서 안트라센 유도체 등이 사용될 수 있으나, 지금 까지 알려진 유기 발광 재료를 포함한 유기 발광 소자는 수명, 효율 및 소비전력 특성이 만족할 만한 수준에 이르지 못하여 개선의 여지가 많다.
개선된 전기적 특성, 전하 수송 능력 및 발광 능력을 가지는 헤테로 고리 화합물을 제공한다.
상기 헤테로 고리 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
상기 유기 발광 소자를 구비한 평판 표시 장치를 제공한다.
상기 유기 발광 소자의 하나 이상의 층이 상기 헤테로 고리 화합물을 사용한 습식 공정으로 형성되는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따라, 하기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물이 제공된다:
<화학식 1>
Figure 112009053122590-pat00002
상기식 중, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 탄소수 5 내지 60의 치환 또는 비치환된 아릴기, 탄소수 5 내지 60의 아릴기로 치환된 아미노기, 탄소수 4 내지 60의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 60의 치환 또는 비치환된 축합 다환기를 나타내며, R1 내지 R10는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 탄 소수 1 내지 50의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 3 내지 50의 치환 또는 비치환된 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 50의 치환 또는 비치환된 알콕시기, 탄소수 5 내지 50의 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 탄소수 5 내지 50의 치환 또는 비치환된 아릴싸이오기, 탄소수 5 내지 60의 치환 또는 비치환된 아릴기, 탄소수 5 내지 60의 아릴기로 치환된 아미노기, 탄소수 4 내지 60의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 60의 치환 또는 비치환된 축합 다환기, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기 또는 카르복시기를 나타내며, R1 내지 R10는 인접하는 치환기의 1조가 서로 결합하여 방향환을 형성할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 헤테로 고리 화합물의 Ar1, Ar2은 동일할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 헤테로 고리 화합물의 R5, R4은 동일하거나, R6, R3이 동일하거나, R7, R2이 동일하거나, R8, R1이 동일하거나 또는 R9, R10이 동일할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 헤테로 고리 화합물의 Ar1, Ar2은 비치환된 페닐기, 나프틸기, 바이페닐기, 터페닐기, 안트라센기, 플루오레닐기, 카바졸릴기 및 피렌기에서 선택되는 1 내지 4환의 아릴기, 탄소수 4 내지 60의 비치환된 헤테로아릴기, 또는 탄소수 5 내지 50의 아릴아민기 또는; 중수소 원자, C1-C5 알킬기, C1-C5 알콕시기, 시아노기, 아민기, 페녹시기, 페닐기 또는 할로겐기로 치환된 페닐기, 나프틸기, 바이페닐기, 터페닐기, 안트라센기, 플루오레닐기, 카바졸릴기 및 피렌기에서 선택되는 1 내지 4환의 아릴기, 중수소 원자, C1-C5 알킬기, C1-C5 알콕시기, 시아노기, 아민기, 페녹시기, 페닐기, 할로겐기 또는 C5-C10 헤테로아릴기로 치환된 탄소수 4 내지 60의 헤테로아릴기, 또는 중수소 원자, C1-C5 알킬기, C1-C5 알콕시기, 시아노기, 아민기, 페녹시기, 페닐기 또는 할로겐기로 치환된 탄소수 5 내지 50의 아릴아민기일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 헤테로 고리 화합물의 R1, R2, R7 또는 R8은 각각 독립적으로 메틸기, 페닐기, 나프탈렌기 또는 안트라센기일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1의 화합물은 하기 화합물들 중 하나일 수 있다:
Figure 112009053122590-pat00003
본 발명의 다른 측면에 따라, 제 1 전극; 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극 및 제 2 전극 사이에 개재된 유기막을 구비한 유기 발광 소자로서, 상기 유기막이 상기 화학식 1의 헤테로 고리 화합물을 포함하는 유기 발광 소자가 제공된다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 발광 소자의 유기막은 전자 주입층 또는 전자 수송층일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 발광 소자의 유기막은 전자 주입 기능 및 전자 수송 기능을 동시에 갖는 단일막일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 발광 소자의 유기막은 발광층일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 발광 소자의 유기막은 발광층이며, 상기 화합물이 형광 또는 인광 호스트로 사용될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 발광 소자의 유기막은 발광층이며, 상기 화합물이 형광 도펀트로 사용될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 발광 소자의 유기막은 발광층, 전자 주입층 또는 전자 수송층이며, 상기 발광층은 안트라센 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 발광 소자의 유기막은 발광층, 전자 주입층 또는 전자 수송층이며, 상기 발광층은 아릴아민 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 발광 소자의 유기막은 발광층, 전자 주입층 또는 전자 수송층이며, 상기 발광층은 스티릴 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 발광 소자의 유기막은 전자 주입층 또는 전자 수송층이며, 적색 발광층, 녹색 발광층, 청색 발광층 또는 백색 발광층이 인광 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 발광 소자의 유기막은 정공 주입 층, 정공 수송층, 전자 저지층, 발광층, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 소자는 제 1 전극/정공 주입층/발광층/제 2 전극; 제 1 전극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/제 2 전극; 또는 제 1 전극/정공 주입층/정공 수송층/발광층 /전자 수송층/전자 주입층/제 2 전극; 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따라, 상기 유기 발광 소자를 구비하고, 상기 유기 발광 소자의 제 1 전극이 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 연결된 평판 표시 장치가 제공된다.
본 발명의 또 다른 측면에 따라, 이러한 유기 발광 소자로서, 상기 유기 발광 소자의 하나 이상의 층이 화학식 1의 화합물을 사용하여 습식 공정으로 형성되는 유기 발광 소자가 제공된다.
본 발명의 일 구현예에 따른 헤테로 고리 화합물은 전기적 특성, 전하 수송 능력이 우수하며 발광 능력을 가지고 유리전이온도가 높고 결정화를 방지할 수 있는 재료로서 적색, 녹색, 청색, 흰색 등의 거의 모든 칼라의 형광과 인광 소자에 적합한 전자 수송 재료 또는 녹색, 청색, 흰색의 발광 재료로서　유용하며, 이를 이용하여 고효율, 저전압, 고휘도, 장수명의 유기 발광 소자를 제작할 수 있다.
이하에서 본 발명을 상세하게 설명하기로 한다.
본 발명의 일 구현예에 따른 헤테로 고리 화합물은 하기 화학식 1로 표시될 수 있다:
<화학식 1>
Figure 112009053122590-pat00004
상기 식 중, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 탄소수 5 내지 60의 치환 또는 비치환된 아릴기, 탄소수 5 내지 60의 아릴기로 치환된 아미노기, 탄소수 4 내지 60의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 60의 치환 또는 비치환된 축합 다환기를 나타내며, R1 내지 R10는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 탄소수 1 내지 50의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 3 내지 50의 치환 또는 비치환된 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 50의 치환 또는 비치환된 알콕시기, 탄소수 5 내지 50의 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 탄소수 5 내지 50의 치환 또는 비치환된 아릴싸이오기, 탄소수 5 내지 60의 치환 또는 비치환된 아릴기, 탄소수 5 내지 60의 아릴기로 치환된 아미노기, 탄소수 4 내지 60의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 60의 치환 또는 비치환된 축합 다환기, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기 또는 카르복시기를 나타내며, R1 내지 R10는 인접하는 치환기의 1조가 서로 결합하여 방향환을 형성할 수 있다.
유기 발광층 재료로서 안트라센 유도체가 잘 알려져 있다. 예를 들어, 공지 의 페닐안트라센의 2량체 또는 3량체의 화합물을 사용한 유기 발광 소자가 알려져 있지만 이러한 화합물을 이용한 소자는 공역계를 통해 연결된 안트라센을 2개 또는 3개 포함하고 있기 때문에 에너지 갭이 작아지고 청색발광의 색순도가 떨어지는 문제점이 있다. 또한 이러한 화합물은 산화되기 쉬운 약점이 있어서 불순물이 생기기 쉬워 정제면에서 어려운 점이 있다.
이러한 문제점을 극복하기 위해 안트라센 부분의 1,9-위치가 나프탈렌으로 치환된 안트라센 화합물이나 페닐기의 m-위치에 아릴기가 치환된 디페닐안트라센 화합물을 이용한 유기발광소자가 알려져 있지만 발광효율이 낮은 단점이 있다.
또 다른 공지 화합물로서, 나프탈렌 치환된 모노안트라센 유도체를 사용한 유기 발광 소자가 공지되어 있지만 발광 효율이 1cd/A 정도로 낮아 실용적이지 못하다.
또 다른 공지 화합물로서, 페닐안트라센 구조를 가지며, m-위치가 아릴기로 치환된 화합물을 사용한 유기 발광 소자가 공지되어 있는데, 이러한 화합물은 내열성은 우수하나 발광 효율 특성이 2cd/A 정도로 낮아 만족할 만한 수준에 이르지 못하여 개선의 여지가 많다.
본 발명의 일 구현예에 따른 상기 화학식 1의 화합물은 유기 발광 소자용 발광 재료 및/또는 전자 수송 재료 또는 전자 주입 재료로서의 기능을 가진다. 또한 화학식 1의 분자 내 헤테로환의 도입으로 유리 전이 온도(Tg)나 융점이 높다. 따라서 발광시에 있어서의 유기층 중, 유기층 사이 내지는, 유기층과 금속 전극간에서 발생하는 줄 열에 대한 내열성을 가지며 고온 환경 하에서의 내성이 증가된다.
페난트렌기에 헤테로 고리가 특이하게 화학식 1과 같이 융합된 이러한 화합물을 이용하여 제조된 유기 발광 소자는 보존 시 및 구동 시의 내구성이 높다. 또 플루오렌기, 나프틸기 등의 치환기의 도입으로 필름 상태의 분자막 상태가 개선되어 유기 발광 소자의 특성을 향상시키는 장점이 있다.
상기 화학식 1의 화합물의 치환기에 대해서 좀 더 상세히 서술한다.
상기 헤테로 고리 화합물의 Ar1, Ar2은 동일할 수 있으며, 또는 상기 R5, R4은 동일하거나, R6, R3이 동일하거나, R7, R2이 동일하거나, R8, R1이 동일하거나 또는 R9, R10이 동일하여 상기 화학식 1의 헤테로 고리 화합물의 일부 치환기는 부분적으로 대칭적으로 존재하거나, 또는 상기 화학식 1의 헤테로 고리 화합물의 치환기 전체가 대칭적으로 존재할 수 있다.
보다 구체적으로 상기 헤테로 고리 화합물의 Ar1, Ar2은 비치환된 페닐기, 나프틸기, 바이페닐기, 터페닐기, 안트라센기, 플루오레닐기, 카바졸릴기 및 피렌기에서 선택되는 1 내지 4환의 아릴기, 탄소수 4 내지 60의 비치환된 헤테로아릴기, 또는 탄소수 5 내지 50의 아릴아민기 또는; 중수소 원자, C1-C5 알킬기, C1-C5 알콕시기, 시아노기, 아민기, 페녹시기, 페닐기 또는 할로겐기로 치환된 페닐기, 나프틸기, 바이페닐기, 터페닐기, 안트라센기, 플루오레닐기, 카바졸릴기 및 피렌기에서 선택되는 1 내지 4환의 아릴기, 중수소 원자, C1-C5 알킬기, C1-C5 알콕시기, 시아노기, 아민기, 페녹시기, 페닐기, 할로겐기 또는 C5-C10 헤테로아릴기로 치환된 탄소수 4 내지 60의 헤테로아릴기, 또는 중수소 원자, C1-C5 알킬기, C1-C5 알콕시기, 시아노기, 아민기, 페녹시기, 페닐기 또는 할로겐기로 치환된 탄소수 5 내지 50의 아릴아민기일 수 있다.
상기 식 중, R1, R2, R7 또는 R8은 각각 독립적으로 구체적으로 예를 들어 메틸기, 페닐기, 나프탈렌기 또는 안트라센기일 수 있다.
이하, 본 발명의 화학식들에서 사용된 그룹 중 대표적인 그룹의 정의를 살펴보면 다음과 같다.
상기 화학식에서, 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알킬기는 선형 및 분지형일 수 있으며, 이의 비제한적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, 이소부틸, sec-부틸, 펜틸, iso-아밀, 헥실, 헵틸, 옥틸, 노나닐, 도데실 등을 들 수 있고, 상기 알킬기 중 하나 이상의 수소 원자는 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, 또는 C1-C10 알킬기, C1-C10 알콕시기, C2-C10 알케닐기, C2-C10 알키닐기, C6-C16 아릴기, 또는 C4-C16 헤테로아릴기로 치환될 수 있다.
상기 화학식에서, 비치환된 C3-C50 사이클로알킬기는 탄소 수 3 내지 50의 고리 형태의 알킬기를 의미하며, 상기 사이클로알킬기 중 하나 이상의 수소 원자는 상술한 탄소수 1 내지 50의 알킬기의 치환기와 동일한 치환기로 치환 가능하다.
상기 화학식에서, 탄소수 1 내지 50의 비치환된 알콕시기란 -OA(여기서, A는 상술한 바와 같은 비치환된 탄소수 1 내지 50의 알킬기임)의 구조를 갖는 그룹으로서, 이의 비제한적인 예로서, 메톡시, 에톡시, 프로폭시, 이소프로필옥시, 부톡시, 펜톡시, 등을 들 수 있다. 이들 알콕시기 중 적어도 하나 이상의 수소원자는 상술한 알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.
상기 화학식 중, 비치환된 C5-C60 아릴기는 하나 이상의 고리를 포함하는 카보사이클 방향족 시스템을 의미하며, 2 이상의 고리를 가질 수 경우, 서로 융합되거나, 단일 결합 등을 통하여 연결될 수 있다. 아릴이라는 용어는 페닐, 나프틸, 안트라세닐과 같은 방향족 시스템을 포함한다.　 또한, 상기 아릴기 중 하나 이상의 수소 원자는 상술한 탄소수 1 내지 50의 알킬기의 치환기와 동일한 치환기로 치환 가능하다.
치환 또는 비치환된 C5-C60 아릴기의 예로는 페닐기, C1-C10 알킬페닐기(예를 들면, 에틸페닐기), 할로페닐기(예를 들면, o-, m- 및 p-플루오로페닐기, 디클로로페닐기), 시아노페닐기, 디시아노페닐기, 트리플루오로메톡시페닐기, 비페닐기, 할로비페닐기, 시아노비페닐기, C1-C10 알킬비페닐기, C1-C10 알콕시비페닐기, o-, m-, 및 p-토릴기, o-, m- 및 p-쿠메닐기, 메시틸기, 페녹시페닐기, (α,α-디메틸벤젠)페닐기, (N,N'-디메틸)아미노페닐기, (N,N'-디페닐)아미노페닐기, 펜타레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 할로나프틸기(예를 들면, 플루오로나프틸기), C1-C10알킬나프틸 기(예를 들면, 메틸나프틸기), C1-C10알콕시나프틸기(예를 들면, 메톡시나프틸기), 시아노나프틸기, 안트라세닐기, 아즈레닐기, 헵타레닐기, 아세나프틸레닐기, 페나레닐기, 플루오레닐기, 안트라퀴놀일기, 메틸안트릴기, 페난트릴기, 트리페닐렌기, 피레닐기, 크리세닐기, 에틸-크리세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 클로로페릴레닐기, 펜타페닐기, 펜타세닐기, 테트라페닐레닐기, 헥사페닐기, 헥사세닐기, 루비세닐기, 코로네릴기, 트리나프틸레닐기, 헵타페닐기, 헵타세닐기, 피란트레닐기, 오바레닐기 등을 들 수 있다.
상기 화학식 중, 탄소수 4 내지 60의 비치환된 헤테로아릴기는 N, O, P 또는 S 중에서 선택된 1, 2 또는 3개의 헤테로원자를 포함하고, 2 이상의 고리를 가질 경우, 이들은 서로 융합되거나, 단일 결합 등을 통하여 연결될 수 있다. 비치환된 C4-C60헤테로아릴기의 예에는, 피라졸일기, 이미다졸일기, 옥사졸일기, 티아졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 피리디닐기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 카바졸일기, 인돌일기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 등을 들 수 있다.　 또한 상기 헤테로아릴기 중 하나 이상의 수소 원자는 상술한 탄소수 1 내지 50의 알킬기의 치환기와 동일한 치환기로 치환 가능하다.
상기 화학식 중, 탄소수 5 내지 50의 비치환된 아릴옥시기란 -OA1으로 표시되는 그룹으로서, 이 때 A1은 상기 C5-C60 아릴기와 탄소 수만 다르고 동일 종류의 작용기이다.　 상기 아릴옥시기의 예로는 페녹시기 등을 들 수 있다. 상기 아릴 옥시기 중 하나 이상의 수소 원자는 상술한 탄소수 1 내지 50의 알킬기의 치환기와 동일한 치환기로 치환 가능하다.
상기 화학식 중, 탄소수 5 내지 50의 비치환된 아릴싸이오기는 -SA1으로 표시되는 그룹으로서, 이 때 A1은 상기 C5-C60 아릴기와 탄소 수만 다르고 동일 종류의 작용기이다.　 상기 아릴싸이오기의 예로는 벤젠싸이오기, 나프틸싸이오기 등을 들 수 있다. 상기 아릴싸이오기 중 하나 이상의 수소 원자는 상술한 탄소수 1 내지 50의 알킬기의 치환기와 동일한 치환기로 치환 가능하다.
상기 화학식 중, 비치환된 C6-C60 축합 다환기란, 하나 이상의 방향족 고리 및/또는 하나 이상의 비방향족 고리가 서로 융합된 2 이상의 고리를 포함한 치환기를 가리키는 것으로서, 상술한 바와 같은 아릴기 또는 헤테로아릴기의 예 중 일부 이상은 상기 축합 다환기에 포함될 수 있다.
상기 화학식 중, 탄소수 5 내지 50의 아릴아민기는 탄소수 5 내지 50의 아릴기로 치환된 아미노기를 다르게 표현한 것일 뿐 동일한 기이며, 치환된 탄소수 5 내지 50의 아릴아민기에서 치환은 아릴기에 치환된 것을 의미한다.
이하 본 발명의 상기 화학식 1로 표현되는 화합물의 구체적인 예로서, 하기 화합물 1 내지 59를 들 수 있다. 그러나 본 발명의 화학식 1로 표현되는 화합물이 이들 화합물들로 한정되어서는 안 된다.
Figure 112009053122590-pat00005
Figure 112009053122590-pat00006
Figure 112009053122590-pat00007
Figure 112009053122590-pat00008
Figure 112009053122590-pat00009
본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자는 제 1 전극; 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극 및 제 2 전극 사이에 전술한 바와 같은 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함한 유기막을 구비한다.
본 발명의 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함한 유기막은 전자 주입층 또는 전자 수송층일 수 있으며, 전자 주입 기능 및 전자 수송 기능을 동시에 갖는 단일막일 수도 있다. 또는 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함한 유기막은 발광층일 수도 있다. 상기 유기막이 발광층인 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물은 형광 또는 인광 호스트로 사용될 수 있거나, 또는 형광 도펀트로 사용될 수도 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 상기 유기 발광 소자의 발광층, 전자 주입층 또는 전자 수송층이 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함하는 경우, 상기 발광층은 공지의 안트라센 화합물, 아릴아민 화합물 또는 스티릴 화합물을 포함할 수 있으며, 상기 안트라센 화합물, 아릴아민 화합물 또는 스티릴 화합물은 비치환되거나 또는 상술한 C1-C50 알킬기의 치환기와 동일한 치환기로 치환 가능하다.
본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 소자의 전자 주입층 또는 전자 수송층이 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함하는 경우, 적색 발광층, 녹색 발광층, 청색 발광층 또는 백색 발광층은 공지의 인광 화합물을 포함할 수 있다.
한편, 상기 제 1 전극은 애노드이고, 상기 제 2 전극은 캐소드일 수 있는데, 이와 반대의 경우도 물론 가능하다.
전술한 바와 같은 유기 발광 소자는 필요에 따라, 상기 유기막은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 저지층, 발광층, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 하나 이상의 층을 더 구비할 수 있고, 필요에 따라서는 상기 유기막의 각 층들을 2층으로 형성하는 것도 가능하다.
예를 들어, 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 소자는, 제 1 전극/정공 주입층/발광층/제 2 전극; 제 1 전극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/제 2 전극; 또는 제 1 전극/정공 주입층/정공 수송층/발광층 /전자 수송층/전자 주입층/제 2 전극; 구조를 가질 수 있다. 또는 상기 유기 발광 소자는 제 1 전극/정공 주입 기능 및 정공 수송 기능을 동시에 갖는 단일막 /발광층/전자 수송층/제 2 전극; 또는 제 1 전극/정공 주입 기능 및 정공 수송 기능을 동시에 갖는 단일막/발광층/전자 수송층/전자 주입층/제 2 전극; 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 소자는 전면 발광형, 배면 발광형 등 다양한 구조로 적용 가능하다.
이하, 본 발명을 따르는 유기 발광 소자의 제조 방법을 도 1에 도시된 유기 발광 소자를 참조하여, 살펴보기로 한다. 도 1의 유기 발광 소자는 기판, 제 1 전극 (애노드), 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 제 2 전극 (캐소드)를 구비하고 있다.
먼저 기판 상부에 높은 일함수를 갖는 제 1 전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등에 의해 형성하여 제 1 전극을 형성한다. 상기 제 1 전극은 애노드 (Anode) 또는 캐소드 (cathode)일 수 있다. 여기에서 기판으로는 통상적인 유기 발광 소자에서 사용되는 기판을 사용하는데 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판이 바람직하다. 제 1 전극용 물질로는 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), Al, Ag, Mg 등을 이용할 수 있으며, 투명 전극 또는 반사 전극으로 형성될 수 있다.
다음으로, 상기 제 1 전극 상부에 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 정공 주입층(HIL)을 형성할 수 있다.
진공 증착법에 의하여 정공 주입층을 형성하는 경우, 그 증착 조건은 정공 주입층의 재료로서 사용하는 화합물, 목적으로 하는 정공 주입층의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 일반적으로 증착온도 100 내지 500℃, 진공도 10-8 내지 10-3torr, 증착속도 0.01 내지 100Å/sec의 범위에서 적절히 선택하는 것이 바람직하다.
스핀 코팅법에 의하여 정공 주입층을 형성하는 경우, 그 코팅 조건은 정공 주입층의 재료로서 사용하는 화합물, 목적하는 하는 정공 주입층의 구조 및 열적 특성에 따라 상이하지만, 약 2000rpm 내지 5000rpm의 코팅 속도, 코팅 후 용매 제거를 위한 열처리 온도는 약 80℃ 내지 200℃의 온도 범위에서 적절히 선택하는 것이 바람직하다.
상기 정공 주입층 물질로는 공지된 정공 주입 재료를 사용할 수 있는데, 예를 들면, 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물, m-MTDATA [4,4',4''-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine], NPB(N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐벤지딘(N,N'-di(1-naphthyl) -N,N'-diphenylbenzidine)), TDATA, 2-TNATA, Pani/DBSA (Polyaniline/ Dodecylbenzenesulfonic acid:폴리아닐린/도데실벤젠술폰산), PEDOT/PSS (Poly(3,4- ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonicacid:폴리아닐린/캠퍼술폰산) 또는 PANI/PSS (Polyaniline)/Poly (4-styrenesulfonate):폴리아닐린)/폴리(4-스티렌술포네이트))등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
Figure 112009053122590-pat00010
Figure 112009053122590-pat00011
Figure 112009053122590-pat00012
상기 정공 주입층의 두께는 약 100Å 내지 10000Å, 바람직하게는 100Å 내지 1000Å일 수 있다. 상기 정공 주입층의 두께가 상기 범위를 만족할 경우, 구동전압 상승없이, 우수한 정공주입 특성을 얻을 수 있다.
다음으로 상기 정공 주입층 상부에 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 정공 수송층(HTL)을 형성할 수 있다. 진공 증착법 및 스핀팅법에 의하여 정공 수송층을 형성하는 경우, 그 증착조건 및 코팅조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.
상기 정공 수송층 물질은 공지된 정공 수송층 물질을 이용할 수 있는데, 예를 들면, N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸 유도체, NPB, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(α-NPD) 등의 방향족 축합환을 갖는 아민 유도체 등을 사용할 수 있다. 이 중, 예를 들면, TCTA의 경우, 정공 수송 역할 외에도, 발광층으로부터 엑시톤이 확산되는 것을 방지하는 역할도 수행할 수 있다.
Figure 112009053122590-pat00013
Figure 112009053122590-pat00014
Figure 112009053122590-pat00015
상기 정공 수송층의 두께는 약 50Å 내지 1000Å, 바람직하게는 100Å 내지 600Å일 수 있다. 상기 정공 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동전압 상승없이 우수한 정공수송 특성을 얻을 수 있다.
다음으로 상기 정공 수송층 상부에 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 발광층 (EML)을 형성할 수 있다. 진공 증착법 및 스핀 코팅법에 의해 발광층을 형성하는 경우, 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.
상기 발광층은 전술한 바와 같은 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물은 호스트 또 는 도펀트로서 사용될 수 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물 외에, 발광층은 공지된 다양한 발광 물질을 이용하여 형성할 수 있는데, 공지의 호스트 및 도펀트를 이용하여 형성할 수도 있다. 상기 도펀트의 경우, 공지의 형광 도펀트 및 공지의 인광 도펀트를 모두 사용할 수 있다.
예를 들어, 호스트로서는 Alq3, CBP(4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐), 9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센(ADN), 또는 DSA(디스티릴아릴렌) 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 공지된 적색 도펀트로서 PtOEP, Ir(piq)3, Btp2Ir(acac), DCJTB 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112009053122590-pat00016
또한, 공지된 녹색 도펀트로서, Ir(ppy)3 (ppy = 페닐피리딘), Ir(ppy)2(acac), Ir(mpyp)3, C545T 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112009053122590-pat00017
Figure 112009053122590-pat00018
C545T
한편, 공지된 청색 도펀트로서, F2Irpic, (F2ppy)2Ir(tmd), Ir(dfppz)3, ter-플루오렌(fluorene), 4,4'-비스(4-디페닐아미노스타릴) 비페닐 (DPAVBi), 2,5,8,11-테트라-티-부틸 페릴렌 (TBP) 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112009053122590-pat00019
Figure 112009053122590-pat00020
Figure 112009053122590-pat00021
DPAVBi TBP
상기 도펀트의 함량은 발광층 형성재료 100 중량부 (즉, 호스트와 도펀트의 총중량은 100중량부로 함)를 기준으로 하여 0.1 내지 20 중량부, 특히 0.5 ~ 12 중량부인 것이 바람직하다. 도펀트의 함량이 상기 범위를 만족하면, 농도 소광 현상이 실질적으로 방지될 수 있다.
상기 발광층의 두께는 약 100Å 내지 1000Å, 바람직하게는 200Å 내지 600Å일 수 있다. 상기 발광층의 두께가 상기 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동전압 상승없이 우수한 발광 특성을 얻을 수 있다.
발광층이 인광 도펀트를 포함할 경우, 삼중항 여기자 또는 정공이 전자 수송 층으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여 정공 저지층 (HBL)을 발광층 상부에 형성할 수 있다 (도 1에는 미도시됨). 이 때 사용할 수 있는 정공 저지층 물질은 특별히 제한되지는 않으며, 공지된 정공 저지층 물질 중에서 임의로 선택하여 이용할 수 있다. 예를 들면 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, Balq, BCP 등을 이용할 수 있다.
상기 정공 저지층의 두께는 약 50Å 내지 1000Å, 바람직하게는 100Å 내지 300Å일 수 있다. 상기 정공 저지층의 두께가 50Å 미만인 경우, 정공저지 특성이 저하될 수 있으며, 상기 정공 저지층의 두께가 1000Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.
다음으로 전자 수송층(ETL)을 진공 증착법, 또는 스핀 코팅법, 캐스트법 등의 다양한 방법을 이용하여 형성한다. 진공 증착법 및 스핀 코팅법에 의해 전자 수송층을 형성하는 경우, 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.
상기 전자 수송층 물질은 전술한 바와 같은 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물일 수 있다. 또는, 공지된 전자 수송층 형성 재료 중에서 임의로 선택될 수 있다. 예를 들면, 이의 예로는, 퀴놀린 유도체, 특히 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3), TAZ, Balq 등과 같은 공지의 재료를 사용할 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112009053122590-pat00022
Figure 112009053122590-pat00023
상기 전자 수송층의 두께는 약 100Å 내지 1000Å, 바람직하게는 100Å 내지 500Å일 수 있다. 상기 전자 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 전자수송특성을 얻을 수 있다.
또한 전자 수송층 상부에 음극으로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 기능을 가지는 물질인 전자 주입층 (EIL)이 적층될 수 있다.
전자 주입층 물질로서는 전술한 바와 같은 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물일 수 있다. 또는 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO 등과 같은 전자 주입층 형성 재료로서 공지된 임의의 물질을 이용할 수 있다. 상기 전자 주입층의 증착조건 및 코팅조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.
상기 전자 주입층의 두께는 약 1Å 내지 100Å, 바람직하게는 5Å 내지 90Å일 수 있다. 상기 전자 주입층의 두께가 상술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동전압 상승없이 우수한 전자주입 특성을 얻을 수 있다.
마지막으로 전자 주입층 상부에 진공 증착법이나 스퍼터링법 등의 방법을 이용하여 제 2 전극을 형성할 수 있다. 상기 제 2 전극은 캐소드 또는 애노드로 사 용될 수 있다. 상기 제 2 전극 형성용 물질로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기 전도성 화합물 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등을 들 수 있다. 또한, 전면 발광 소자를 얻기 위하여 ITO, IZO를 사용한 투명 캐소드를 사용할 수도 있다.
본 발명을 따르는 유기 발광 소자는 다양한 형태의 평판 표시 장치, 예를 들면 수동 매트릭스 유기 발광 표시 장치 및 능동 매트릭스 유기 발광 표시 장치에 구비될 수 있다. 특히, 능동 매트릭스 유기 발광 표시 장치에 구비되는 경우, 기판 측에 구비된 제 1 전극은 화소 전극으로서 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극와 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 소자는 양면으로 화면을 표시할 수 있는 평판 표시 장치에 구비될 수 있다.
또한 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 소자의 하나 이상의 층은 상기 화학식 1의 화합물을 사용하여 증착 방법으로 형성될 수 있거나, 또는 용액으로 제조된 화학식 1의 화합물을 코팅하는 습식 방법으로도 형성될 수 있다.
이하에서, 본 발명을 화합물 5, 8, 21, 29 및 58의 바람직한 합성예 및 실시예를 구체적으로 예시하지만, 본 발명이 하기의 실시예로 한정되는 것을 의미하는 것은 아니다.
실시예
합성예 1 : 화합물 5의 합성
Figure 112009053122590-pat00024
중간체 1의 합성
1,8-디브로모페난트렌 3.36 g(10 mmol), 벤조페논 하이드라존 2.16 g (11 mmol), t-BuONa 1.44g (15mmol), Pd(OAc)2 45mg (0.2mmol) 그리고 2-Dicyclohexylphosphino-2',4',6'-triisopropylbiphenyl 82mg (0.2 mmol)을 톨루엔 30 mL에 녹인 후 90 ℃에서 3시간 교반하였다. 상온으로 식힌 반응물에 증류수를 가하고 디에틸에테르 80 mL로 2번, 디클로로메탄 80 mL로 1번 추출하였다. 모아진 유기층을 마그네슘설페이트로 건조하고 여과한 후 용매를 증발하여 얻어진 잔류물을 실리카젤관 크로마토그래피로 분리 정제하여 중간체 1을　5.7g(수율 92 %) 얻었으며 생성된 화합물은 HR-MS를 통해 확인하였다. C40H30N4 계산치: 566.2470; 실측치 566.2467
중간체 2의 합성
중간체 1 5.7 g(10 mmol), p-toluenesulfonic acid monohydrate 3.8 g (20 mmol) 그리고 메틸에틸케톤 50mL 를 가한 후 110 ℃에서 24시간 교반하였다. 상온으로 식힌 반응물에 증류수를 가하고 디에틸에테르 80 mL로 2번, 디클로로메탄 80 mL로 2번 추출하였다. 모아진 유기층을 마그네슘설페이트로 건조하고 여과한 후 용매를 증발하여 얻어진 잔류물을 실리카젤관 크로마토그래피로 분리 정제하여 중간체 2를　2.2g (수율 71 %) 얻었으며 생성된 화합물은 HR-MS를 통해 확인하였다. C22H20N2 계산치: 312.1626; 실측치 312.1626
화합물 5의 합성
질소 하에서, 중간체 2　2.2g(7.0mmol), 9,9'-디메틸-2-브로모플루오렌 2.3g(8.4mmol), t-BuONa 2.0g(21mmol), Pd2(dba)3 130mg(0.14mmol)　그리고　P(t-Bu)3　28mg(0.14mmol)을 톨루엔 30mL에 녹인 후 90℃에서 3시간 교반하였다. 상기 반응이 완결된 후, 상온으로 식히고, 이를 증류수와 디에틸에테르 50mL로 3번 추출하였다. 모아진 유기층을 마그네슘설페이트로 건조하고 용매를 증발하여 얻어진 잔류물을 실리카젤관 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 5을 3.2g(수율 65%) 얻었으며 생성된 화합물은 HR-MS를 통해 확인하였다. C52H44N2 계산치: 696.3504; 실측치 696.3502; 1H NMR (CDCl3, 400MHz) δ(ppm) 8.86 (d, 2H), 8.17 (s, 2H), 7.90 (d, 2H), 7.85 (d, 2H), 7.70 (d, 2H), 7.65 (d, 2H), 7.45 (dt, 2H), 7.23 (dt, 2H), 7.12 (d, 2H), 6.87 (dd, 2H), 2.45 (s, 6H), 2.42 (s, 6H), 1.89 (s, 12H)
합성예 2 : 화합물 8의 합성
Figure 112009053122590-pat00025
화합물 8
상기의 화합물 5의 합성과 동일한 방법으로 9,9'-디메틸-2-브로모플루오렌 대신 3-요오도-9-페닐카바졸로 반응시켜 화합물 8을 66% 의 수율로 합성하였고 생성된 화합물은 HR-MS를 통해 확인하였다. C58H42N4 계산치: 794.3409; 실측치 794.3408; 1H NMR (CDCl3, 400MHz) δ(ppm) 8.87 (d, 2H), 8.20 (s, 2H), 8.16-8.10 (m, 2H), 8.05 (dd, 2H), 7.90 (d, 2H), 7.52-7.43 (m, 10H), 7.35-7.30 (m, 8H), 6.94 (dd, 2H), 2.46 (s, 6H), 2.42 (s, 6H)
합성예 3: 화합물 21의 합성
Figure 112009053122590-pat00026
화합물 21
상기의 화합물 5의 합성과 동일한 방법으로 9,9'-디메틸-2-브로모플루오렌 대신 4-브로모트리페닐아민으로 반응시켜 화합물 21을 70% 의 수율로 합성하였고 생성된 화합물은 HR-MS를 통해 확인하였다. C58H46N4 계산치: 798.3722; 실측치 798.3724; 1H NMR (CDCl3, 400MHz) δ(ppm) 8.86 (d, 2H), 8.20 (s, 2H), 7.90 (d, 2H), 7.42 (d, 4H), 7.43-7.36 (m, 8H), 7.22-7.18 (m, 4H), 7.01 (d, 4H), 6.80 (d, 8H), 2.49 (s, 6H), 2.42 (s, 6H)
합성예 4: 화합물 29의 합성
중간체 3의 합성
Figure 112009053122590-pat00027
중간체 1, 1.7 g(3.0 mmol), p-toluenesulfonic acid monohydrate 1.14 g (6.0 mmol) 그리고 벤질페닐케톤 1.2 g (6.0 mmol) 의 혼합물에 에탄올 16 mL 와 톨루엔 4 mL 를 가한 후 110 ℃에서 24시간 교반하였다. 상온으로 식힌 반응물에 증류수를 가하고 디에틸에테르 25 mL로 2번, 디클로로메탄 25 mL로 2번 추출하였다. 모아진 유기층을 마그네슘설페이트로 건조하고 여과한 후 용매를 증발하여 얻어진 잔류물을 실리카젤관 크로마토그래피로 분리 정제하여 중간체 3을　1.3 g(수 율 76 %) 얻었으며 생성된 화합물은 HR-MS를 통해 확인하였다. C42H28N2 계산치: 560.2252; 실측치 560.2254
화합물 29의 합성
Figure 112009053122590-pat00028
화합물 29
상기의 화합물 5의 합성과 동일한 방법으로 중간체 2 대신 중간체 3을, 9,9'-디메틸-2-브로모플루오렌 대신 2-나프틸아민으로 반응시켜 화합물 29를 64% 의 수율로 합성하였고 생성된 화합물은 HR-MS를 통해 확인하였다. C62H40N2 계산치: 812.3191; 실측치 812.3193; 1H NMR (CDCl3, 400MHz) δ(ppm) 9.04 (d, 2H), 8.30 (s, 2H), 8.23 (d, 2H), 7.82 (d, 2H), 7.76-7.71 (m, 4H), 7.57-7.46 (m, 14H), 7.43-7.33 (m, 10H), 7.32-7.24 (m, 4H)
합성예 5: 화합물 58의 합성
Figure 112009053122590-pat00029
중간체 4의 합성
브로모아세토페논 1.99g (10mmol)을 디메톡시에탄 50mL에 녹이고, 2-아미노피리딘 1.0g (10mmol)을 넣어주었다. 상온에서 5시간 동안 교반한 후, 120℃에서 12시간 교반하였다. 상기 반응이 완결된 후, 상온으로 식히고, 용매를 제거한 후에 디클로로메탄 60mL를 넣어주었다. 10% 소듐바이카보네이트 수용액을 넣어주어 pH10을 맞춘 후에 디클로로메탄 50mL를 이용해서 추출하였다. 모아진 유기층을 마그네슘설페이트로 건조하고 용매를 증발하여 얻어진 잔류물을 실리카젤관 크로마토그래피로 분리 정제하여 중간체 4를 1.2g(수율 65%) 얻었으며 생성된 화합물은 HR-MS를 통해 확인하였다. C13H10N2 계산치: 194.0844; 실측치 194.0843
중간체 5의 합성
중간체 4, 400mg (2mmol)을 피리딘 10mL에 녹이고, 요오드 760mg (3mmol)을 넣어주었다. 50℃ 에서 5시간 교반한 후에, 옥살산 수용액을 넣어주어 반응을 종결하였다. 디클로로메탄 10mL를 이용해서 추출한 후에, 모아진 유기층을 마그네슘설페이트로 건조하고 용매를 증발하여 얻어진 잔류물을 실리카젤관 크로마토그래피로 분리 정제하여 중간체 5를 462mg(수율 72%) 얻었으며 생성된 화합물은 HR-MS를 통해 확인하였다. C13H9IN2 계산치: 319.9810 실측치 319.9811
중간체 6의 합성
4-브로모벤젠보론산 2.01g (10mmol), 중간체 5, 4.16g (13mmol), Pd(PPh3)4 0.58g (0.5mmol) 그리고 K2CO3 5.53g (40mmol) 을 50mL 의 THF/H2O(2:1) 혼합용액에 녹이고 80℃에서 5시간 동안 교반하였다. 반응액을 디에틸에테르 100ml로 3번 추출하였다. 모아진 유기층을 마그네슘설페이트로 건조하고 용매를 증발하여 얻어진 잔류물을 디클로로메탄과 노르말헥산으로 재결정하여 중간체 6을 2.8g(수율 79%) 합성하였고 생성된 화합물은 HR-MS를 통해 확인하였다. C19H13BrN2 계산치: 348.0262; 실측치 348.0263
화합물 58의 합성
Figure 112009053122590-pat00030
화합물 58
상기의 화합물 5의 합성과 동일한 방법으로 중간체 2 대신 중간체 3을, 9,9'-디메틸-2-브로모플루오렌 대신 중간체 6으로 반응시켜 화합물 58을 62% 의 수율로 합성하였고 생성된 화합물은 HR-MS를 통해 확인하였다. C68H44N6 계산치: 944.3627; 실측치 944.3630; 1H NMR (CDCl3, 400MHz) δ(ppm) 9.08 (d, 2H), 8.94 (d, 2H), 8.34 (s, 2H), 8.27 (d, 2H), 7.87 (dd, 2H), 7.55 (dt, 4H), 7.51-7.37 (m, 22H), 7.34-7.25 (m, 4H), 7.22 (d, 2H), 7.03 (dt, 2H)
실시예 1
애노드는 코닝 (corning) 15Ωcm2 (1200Å) ITO 유리 기판을 50mm × 50mm × 0.7mm 크기로 잘라서 이소프로필 알코올과 순수를 이용하여 각 5분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 자외선을 조사하고 오존에 노출시켜 세정하고 진공증착장치에 이 유리기판을 설치한다.
상기 기판 상부에 우선 정공 주입층으로서 공지의 물질인 2-TNATA를 진공 증착하여 600Å 두께로 형성한 후, 이어서 정공 수송성 화합물로서 공지의 물질인 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(이하, NPB)을 300Å의 두께로 진공 증착하여 정공 수송층을 형성한다.
상기 정공수송층 상부에 공지의 청색 형광 호스트인 9,10-di-naphthalene-2-yl-anthracene(이하, DNA)과 청색 형광 도펀트로 본 발명의 화합물 5를 중량비 98 : 2로 동시 증착하여 300Å의 두께로 발광층을 형성한다.
Figure 112009053122590-pat00031
이어서 상기 발광층 상부에 전자수송층으로 Alq3를 300Å의 두께로 증착한 후, 이 전자수송층 상부에 할로겐화 알칼리금속인 LiF를 전자주입층으로 10Å의 두 께로 증착하고, Al를 3000Å(음극 전극)의 두께로 진공 증착하여 LiF/Al 전극을 형성함으로써 유기 전계 발광 소자를 제조한다.
이 소자는 전류밀도 50 mA/㎠에서 구동전압 6.72 V, 발광 휘도 2,542 cd/㎡의 고휘도를 나타냈으며, 발광 효율은 5.08 cd/A이었다.
실시예 2
발광층 형성시 상기 화합물 5 대신 화합물 8을 이용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여 유기 발광 소자를 제작한다.
이 소자는 전류밀도 50 mA/㎠에서 구동전압 6.63 V, 발광 휘도 2,754 cd/㎡의 고휘도를 나타냈으며, 발광 효율은 5.51 cd/A이었다.
실시예 3
발광층 형성시 상기 화합물 5 대신 화합물 21을 이용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여 유기 발광 소자를 제작한다.
이 소자는 전류밀도 50 mA/㎠에서 구동전압 6.31 V, 발광 휘도 2,963 cd/㎡의 고휘도를 나타냈으며, 발광 효율은 5.93 cd/A이었다.
실시예 4
발광층 형성시 상기 화합물 5 대신 화합물 29를 이용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여 유기 발광 소자를 제작한다.
이 소자는 전류밀도 50 mA/㎠에서 구동전압 6.46 V, 발광 휘도 2,892 cd/㎡의 고휘도를 나타냈으며, 발광 효율은 5.78 cd/A이었다.
실시예 5
발광층 형성시 상기 화합물 5 대신 화합물 58을 이용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여 유기 발광 소자를 제작한다.
이 소자는 전류밀도 50 mA/㎠에서 구동전압 6.06 V, 발광 휘도 2,765 cd/㎡의 고휘도를 나타냈으며, 발광 효율은 5.53 cd/A이었다.
비교예 1
발광층 형성시 상기 화합물 5 대신 공지의 청색 형광 도펀트인 1,4-bis-(2,2-diphenylvinyl)biphenyl(이하, DPVBi)을 이용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여 유기 발광 소자를 제작한다.
Figure 112009053122590-pat00032
이 소자는 전류밀도 50 mA/㎠에서 구동전압 7.85 V, 발광 휘도 1,560 cd/㎡의 휘도를 나타냈으며, 발광 효율은 3.12 cd/A이었다.
본 발명에 의한 화학식 1의 구조를 가지는 화합물들을 발광층 또는 전자 수송 재료로 유기 발광 장치에 사용한 결과, 모두가 공지의 물질인 DPVBi와 비교해서 구동전압이 1V 이상 낮아졌으며 효율이 대폭 향상된 우수한 I-V-L 특성을 나타내었고 특히 수명개선 효과가 탁월하여 실시예 1 내지 5의 경우 비교예 1 대비 수명이 100% 이상 향상되는 결과를 나타내었다. 대표 수명 결과를 요약하여 아래의 표 1에 나타내었다.
　 발광재료 구동전압(V) 전류밀도(㎃/㎠) 휘도(cd/㎡) 효율(cd/A) 발광색 반감수명 　　　　(hr @100㎃/㎠)
실시예 1 화합물 5 6.72 50 2,542 5.08 청색 267 hr
실시예 2 화합물 8 6.63 50 2,754 5.51 청색 209 hr
실시예 3 화합물 21 6.31 50 2,963 5.93 청록색 210 hr
실시예 4 화합물 29 6.46 50 2,892 5.78 청색 250 hr
실시예 5 화합물 58 6.06 50 2,765 5.53 청색 218 hr
비교예 1 DPVBi 7.85 50 1,560 3.12 청색 113 hr
본 발명에 대해 상기 합성예 및 실시예를 참고하여 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명에 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 소자의 구조를 나타낸 도면이다.

Claims (20)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 헤테로 고리 화합물:
    <화학식 1>
    Figure 112011056114913-pat00033
    상기식 중, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 탄소수 5 내지 60의 치환 또는 비치환된 아릴기, 탄소수 4 내지 60의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 60의 치환 또는 비치환된 축합 다환기를 나타내며,
    R1 내지 R10는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 탄소수 1 내지 50의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 5 내지 60의 치환 또는 비치환된 아릴기, 탄소수 4 내지 60의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 60의 치환 또는 비치환된 축합 다환기, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기 또는 카르복시기를 나타내며, R1 내지 R10는 인접하는 치환기의 1조가 서로 결합하여 방향환을 형성할 수 있고,
    상기 치환된 아릴기, 치환된 헤테로아릴기, 치환된 축합 다환기, 치환된 알킬기는 상기 아릴기, 헤테로아릴기, 축합 다환기, 알킬기의 하나 이상의 수소가 중수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진, 히드라존, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, 페녹시기 또는 C1-C10 알킬기, C1-C10 알콕시기, C2-C10 알케닐기, C2-C10 알키닐기, C6-C16 아릴기, 또는 C4-C16 헤테로아릴기로 치환되어 있다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 Ar1, Ar2이 동일한 헤테로 고리 화합물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 R5, R4이 동일하거나, R6, R3이 동일하거나, R7, R2이 동일하거나, R8, R1이 동일하거나 또는 R9, R10이 동일한 헤테로 고리 화합물.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 Ar1, Ar2이 비치환된 페닐기, 나프틸기, 바이페닐기, 터페닐기, 안트라센기, 플루오레닐기, 카바졸릴기 및 피렌기에서 선택되는 1 내지 4환의 아릴기, 탄소수 4 내지 60의 비치환된 헤테로아릴기, 또는 탄소수 5 내지 50의 아릴아민기 또는; 중수소 원자, C1-C5 알킬기, C1-C5 알콕시기, 시아노기, 아민기, 페녹시기, 페닐기 또는 할로겐기로 치환된 페닐기, 나프틸기, 바이페닐기, 터페닐기, 안트라센기, 플루오레닐기, 카바졸릴기 및 피렌기에서 선택되는 1 내지 4환의 아릴기, 중수소 원자, C1-C5 알킬기, C1-C5 알콕시기, 시아노기, 아민기, 페녹시기, 페닐기, 할로겐 기 또는 C5-C10 헤테로아릴기로 치환된 탄소수 4 내지 60의 헤테로아릴기, 또는 중수소 원자, C1-C5 알킬기, C1-C5 알콕시기, 시아노기, 아민기, 페녹시기, 페닐기 또는 할로겐기로 치환된 탄소수 5 내지 50의 아릴아민기인 헤테로 고리 화합물.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 R1, R2, R7 또는 R8은 각각 독립적으로 메틸기, 페닐기, 나프탈렌기 또는 안트라센기인 헤테로 고리 화합물.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 화학식 1의 화합물이 하기 화합물들 중 하나인 헤테로 고리 화합물:
    Figure 112009053122590-pat00034
  7. 제 1 전극;
    제 2 전극; 및
    상기 제 1 전극 및 제 2 전극 사이에 개재된 유기막을 구비한 유기 발광 소자로서,
    상기 유기막의 적어도 1층이 제1항의 헤테로 고리 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 유기 발광 소자의 유기막이 전자 주입층 또는 전자 수송층인 유기 발광 소자.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 유기 발광 소자의 유기막이 전자 주입 기능 및 전자 수송 기능을 동시에 갖는 단일막인 유기 발광 소자.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 유기 발광 소자의 유기막이 발광층인 유기 발광 소자.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 유기 발광 소자의 유기막이 발광층이며, 상기 화합물이 형광 또는 인광 호스트로 사용되는 유기 발광 소자.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 유기 발광 소자의 유기막이 발광층이며, 상기 화합물이 형광 도펀트로 사용되는 유기 발광 소자.
  13. 제 7 항에 있어서,
    상기 유기 발광 소자의 유기막이 발광층, 전자 주입층 또는 전자 수송층이며, 상기 발광층은 안트라센 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.
  14. 제 7 항에 있어서,
    상기 유기 발광 소자의 유기막이 발광층, 전자 주입층 또는 전자 수송층이며, 상기 발광층은 아릴아민 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.
  15. 제 7 항에 있어서,
    상기 유기 발광 소자의 유기막이 발광층, 전자 주입층 또는 전자 수송층이며, 상기 발광층은 스티릴 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.
  16. 제 7 항에 있어서,
    상기 유기 발광 소자의 유기막이 전자 주입층 또는 전자 수송층이며, 적색 발광층, 녹색 발광층, 청색 발광층 또는 백색 발광층이 인광 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.
  17. 제 7 항에 있어서,
    상기 유기 발광 소자의 유기막이 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 저지층, 발광층, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 층을 더 포함하는 유기 발광 소자.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 소자가 제 1 전극/정공 주입층/발광층/제 2 전극; 제 1 전극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/제 2 전극; 또는 제 1 전극/정공 주입층/정공 수송층/발광층 /전자 수송층/전자 주입층/제 2 전극; 구조를 갖는 유기 발광 소자.
  19. 제 7 항의 유기 발광 소자를 구비하고, 상기 유기 발광 소자의 제 1 전극이 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 연결된 평판 표시 장치.
  20. 제 7 항에 있어서, 상기 유기 발광 소자의 하나 이상의 층이 상기 헤테로 고리 화합물을 사용하여 습식 공정으로 형성되는 유기 발광 소자.
KR1020090080704A 2009-08-28 2009-08-28 유기 발광 소자 Active KR101117722B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090080704A KR101117722B1 (ko) 2009-08-28 2009-08-28 유기 발광 소자
JP2010135133A JP5258846B2 (ja) 2009-08-28 2010-06-14 有機発光素子
US12/853,846 US8203141B2 (en) 2009-08-28 2010-08-10 Organic light-emitting device
EP10251515.2A EP2298739B1 (en) 2009-08-28 2010-08-27 Organic light emitting device containing polycyclic heteroaryl compounds
CN201010268655.9A CN102002046B (zh) 2009-08-28 2010-08-30 有机发光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090080704A KR101117722B1 (ko) 2009-08-28 2009-08-28 유기 발광 소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110023091A KR20110023091A (ko) 2011-03-08
KR101117722B1 true KR101117722B1 (ko) 2012-03-07

Family

ID=43066022

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090080704A Active KR101117722B1 (ko) 2009-08-28 2009-08-28 유기 발광 소자

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8203141B2 (ko)
EP (1) EP2298739B1 (ko)
JP (1) JP5258846B2 (ko)
KR (1) KR101117722B1 (ko)
CN (1) CN102002046B (ko)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101097313B1 (ko) * 2009-08-10 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
KR101202349B1 (ko) * 2010-06-21 2012-11-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR101891773B1 (ko) * 2011-10-18 2018-08-27 삼성디스플레이 주식회사 신규한 헤테로고리 화합물 및 이를 포함한 유기발광 소자
KR101971198B1 (ko) 2011-10-19 2019-04-23 삼성디스플레이 주식회사 헤테로시클릭 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자 및 평판 표시 장치
CN104126235A (zh) * 2011-11-22 2014-10-29 破立纪元有限公司 具有半导体特性的化合物和相关组合物与器件
JP6338572B2 (ja) * 2012-05-07 2018-06-06 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ 有機エレクトロニクス用のフェナセン化合物
KR102026824B1 (ko) * 2012-06-27 2019-10-01 삼성디스플레이 주식회사 신규한 축합환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR101994837B1 (ko) * 2012-07-26 2019-07-02 삼성디스플레이 주식회사 신규 헤테로고리 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR101764043B1 (ko) 2013-03-22 2017-08-01 후지필름 가부시키가이샤 유기 박막 트랜지스터, 유기 반도체 박막 및 유기 반도체 재료
JP5972234B2 (ja) * 2013-08-02 2016-08-17 富士フイルム株式会社 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
JP6159188B2 (ja) * 2013-08-02 2017-07-05 富士フイルム株式会社 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
WO2015016344A1 (ja) * 2013-08-02 2015-02-05 富士フイルム株式会社 化合物、有機トランジスタ及びその応用
JP2015122437A (ja) * 2013-12-24 2015-07-02 富士フイルム株式会社 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
JP6321965B2 (ja) 2014-01-09 2018-05-09 富士フイルム株式会社 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
EP3210986A4 (en) * 2014-10-21 2018-03-28 Adeka Corporation Picene derivative, photoelectric conversion material and photoelectric conversion element
JP6484724B2 (ja) 2015-11-20 2019-03-13 富士フイルム株式会社 有機半導体組成物、有機半導体膜、有機薄膜トランジスタおよび有機薄膜トランジスタの製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040096397A1 (en) 1997-11-25 2004-05-20 Applera Corporation Sulfonated diarylrhodamine dyes

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2761830B2 (ja) 1993-01-19 1998-06-04 三協化学株式会社 新規な９，１０−ビス（ｎ，ｎ−ジアリールアミノ）フェナントレン誘導体およびその製造方法
US6630254B2 (en) * 2001-04-10 2003-10-07 National Research Council Of Canada Conjugated polycarbazole derivatives in Organic Light Emitting Diodes
TWI314947B (en) * 2002-04-24 2009-09-21 Eastman Kodak Compan Organic light emitting diode devices with improved operational stability
JP4234383B2 (ja) 2002-09-19 2009-03-04 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ素子および有機ｅｌディスプレイ
US6830833B2 (en) * 2002-12-03 2004-12-14 Canon Kabushiki Kaisha Organic light-emitting device based on fused conjugated compounds
US7179542B2 (en) * 2003-05-20 2007-02-20 Canon Kabushiki Kaisha Thiazole- and imidazole-fused phenanthroline molecules in organic light-emitting devices
KR100868863B1 (ko) 2006-04-10 2008-11-13 주식회사 엘지화학 신규한 축합고리 화합물 및 이를 이용한 유기전자소자
KR101412831B1 (ko) * 2006-07-21 2014-07-09 메르크 파텐트 게엠베하 인데노플루오렌과 티오펜의 공중합체
JP4830750B2 (ja) 2006-09-21 2011-12-07 東レ株式会社 発光素子材料および発光素子
KR100874472B1 (ko) * 2007-02-28 2008-12-18 에스에프씨 주식회사 청색발광화합물 및 이를 이용한 유기전계발광소자
KR101551207B1 (ko) * 2008-09-04 2015-09-08 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고 있는 유기 발광 소자
KR20110041726A (ko) * 2009-10-16 2011-04-22 에스에프씨 주식회사 방향족 화합물 및 이를 이용한 유기전계발광소자

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040096397A1 (en) 1997-11-25 2004-05-20 Applera Corporation Sulfonated diarylrhodamine dyes

Also Published As

Publication number Publication date
CN102002046B (zh) 2015-01-21
CN102002046A (zh) 2011-04-06
JP2011046687A (ja) 2011-03-10
JP5258846B2 (ja) 2013-08-07
US20110049485A1 (en) 2011-03-03
EP2298739A1 (en) 2011-03-23
US8203141B2 (en) 2012-06-19
KR20110023091A (ko) 2011-03-08
EP2298739B1 (en) 2014-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101117722B1 (ko) 유기 발광 소자
KR101097312B1 (ko) 유기 발광 소자
KR101117723B1 (ko) 유기 발광 소자
KR101873447B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함한 유기발광 소자
KR101202349B1 (ko) 유기 발광 소자
KR101182438B1 (ko) 유기 발광 소자
KR101137385B1 (ko) 헤테로아릴아민 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR101937257B1 (ko) 신규한 헤테로고리 화합물 및 이를 포함한 유기발광 소자
KR101117724B1 (ko) 유기 발광 소자
KR101853875B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함한 유기발광 소자
KR101213495B1 (ko) 유기 발광 소자
KR101758328B1 (ko) 헤테로 고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR101097313B1 (ko) 유기 발광 소자
KR20120139073A (ko) 신규한 헤테로고리 화합물 및 이를 포함한 유기발광 소자
KR101193182B1 (ko) 유기 발광 소자
KR101940103B1 (ko) 신규한 헤테로고리 화합물 및 이를 포함한 유기발광 소자
KR101736987B1 (ko) 헤테로 고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
CN102276587B (zh) 杂环化合物、有机发光装置和平板显示器装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20090828

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20110524

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20120130

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20120210

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20120213

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150130

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20150130

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20160129

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20170131

Start annual number: 6

End annual number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180201

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20180201

Start annual number: 7

End annual number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190129

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20190129

Start annual number: 8

End annual number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200203

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20200203

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210201

Start annual number: 10

End annual number: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20220127

Start annual number: 11

End annual number: 11

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20240125

Start annual number: 13

End annual number: 13