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KR101100880B1 - 가요성 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

가요성 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

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KR101100880B1 KR1020040077515A KR20040077515A KR101100880B1 KR 101100880 B1 KR101100880 B1 KR 101100880B1 KR 1020040077515 A KR1020040077515 A KR 1020040077515A KR 20040077515 A KR20040077515 A KR 20040077515A KR 101100880 B1 KR101100880 B1 KR 101100880B1
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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 가요성 표시 장치의 제조 방법은, 플라스틱 기판을 지지체에 접착제로 접착하는 단계, 플라스틱 기판 위에 박막 패턴을 형성하는 단계, 그리고 THF(Tetrahydrofuran)를 포함하는 용매를 사용하여 플라스틱 기판을 지지체로부터 떼어내는 단계를 포함한다. 이와 같이 THF를 사용하면 플라스틱 기판은 지지체로부터 깨끗하게 떼어낼 수 있다.
플라스틱기판, THF, 실리콘계접착제, 유리지지체

Description

가요성 표시 장치의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING FLEXIBLE DISPLAY}
도 1 내지 도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 가요성 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이고,
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고,
도 6은 도 5의 박막 트랜지스터 표시판을 V-V' 선을 따라 자른 단면도이고,
도 7, 도 9, 도 11 및 도 14는 본 발명의 한 실시예에 따라 도 5 및 도 6에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 제조하는 방법의 중간 단계에서의 배치도이며,
도 8, 도 10, 도 12 및 도 16은 각각 도 7, 도 9, 도 11 및 도 14에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 VIII-VIII' 선, X-X' 선, XII-XII' 선 및 XIV-XIV' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
본 발명은 가요성 표시 장치(flexible display)의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 플라스틱 기판을 포함하는 가요성 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
현재 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 대표적인 것이 액정 표시 장치 및 유기 발광 표시 소자이다.
액정 표시 장치는 일반적으로 전계 생성 전극과 편광판이 구비된 한 쌍의 표시판 사이에 위치한 액정층을 포함한다. 전계 생성 전극은 액정층에 전계를 생성하고 이러한 전계의 세기가 변화함에 따라 액정 분자들의 배열이 변화한다. 예를 들면, 전계가 인가된 상태에서 액정층의 액정 분자들은 그 배열을 변화시켜 액정층을 지나는 빛을 편광시킨다. 여기에 편광 필터를 적절하게 배치하면 편광 필터가 편광된 빛을 차단하여 어두운 영역을 만들어냄으로써 원하는 영상을 표시한다..
유기 발광 표시 장치는 정공 주입 전극(애노드)과 전자 주입 전극(캐소드)과 이들 사이에 형성되어 있는 유기 발광층을 포함하며, 애노드에서 주입되는 정공과 캐소드에서 주입되는 전자가 유기 발광층에서 재결합하여 소멸하면서 빛을 내는 자발광형 표시 장치이다.
그런데, 이러한 액정 표시 장치 또는 유기 발광 표시 장치는 무겁고 파손되기 쉬운 유리 기판을 사용하기 때문에 휴대성 및 대화면 표시에 한계가 있다.
따라서, 근래에 중량이 가볍고 충격에 강할 뿐만 아니라 플라스틱 따위의 가요성(flexible) 기판을 사용하는 표시 장치가 개발되고 있다.
그러나 플라스틱의 경우 열을 가할 경우 휘거나 늘어나는 성질이 있어 그 위에 전극이나 신호선 등의 박막 패턴을 제대로 형성하기 어렵다. 이를 해결하기 위하여 플라스틱 기판을 유리 지지체에 접착시킨 상태에서 박막 패턴을 형성한 다음 플라스틱 기판을 유리 지지체로부터 떼어내는 방법이 제시되었다.
이와 같이 플라스틱 기판을 유리 지지체와 접착시키는 접착제는 박막 패턴을 형성하는 여러 가지 공정 조건에 견딜 수 있도록 고내열성, 내화학성 따위를 갖추고 있어야 하며, 박막 패턴을 완성한 후에는 플라스틱 기판으로부터 깨끗하게 떼어낼 수 있어야 한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 플라스틱 기판과 유리 지지체를 접착하는 접착제를 깨끗하게 떼어 낼 수 있는 방법을 제공하는 것이다.
이러한 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 가요성 표시 장치의 제조 방법은, 플라스틱 기판을 지지체에 접착제로 접착하는 단계, 상기 플라스틱 기판 위에 박막 패턴을 형성하는 단계, 그리고 THF(Tetrahydrofuran)를 포함하는 용매를 사용하여 상기 플라스틱 기판을 지지체로부터 떼어내는 단계를 포함한다.
상기 접착제는 실리콘 계열 접착제를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 용매는 유기 할로겐 따위의 첨가제를 더 포함하는 것이 바람직하며, 첨가제의 예로는 클로로폼(chloroform) 또는 디클로로메탄(dichloromethane)을 들 수 있다. 상기 첨가제의 양은 약 0~30% 범위인 것이 바람직하다.
상기 접착제는 양면 테이프의 형태를 가질 수 있다.
상기 기판은 아크릴 수지 따위의 경성 도포막으로 도포되어 있는 것이 바람직하다.
상기 기판은, 유기막, 상기 유기막의 양면에 형성되어 있는 하부 도포막, 상 기 하부 도포막 위에 형성되어 있는 장벽층, 그리고 상기 장벽층 위에 형성되어 있는 경성 도포막을 포함할 수 있다.
상기 유기막은 폴리에틸렌에테르프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰 및 폴리이미드에서 선택되는 하나 이상의 물질로 이루어질 수 있다.
상기 하부 도포막 및 상기 경성 도포막은 아크릴 수지를 포함하고, 상기 장벽층은 SiO2 또는 Al2O3를 포함할 수 있다.
상기 박막 패턴은 무기막을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 표시 장치는 액정 표시 장치 또는 유기 발광 표시 장치일 수 있다.
그러면, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이제 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 실시예에 따른 가요성 표시 장치의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다.
먼저, 본 발명의 한 실시예에 따른 가요성 표시 장치의 제조 방법에 대하여 도 1 내지 도 4를 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 1을 참고하면, 플라스틱 기판(60)의 한 쪽면에 양면 접착 테이프(50)의 한 쪽 면을 접착한 다음 필요한 크기로 절단한다.
플라스틱 기판(60)은 폴리에틸렌에테르프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰 또는 폴리이미드에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어진 층을 포함한다. 플라스틱 기판(60)은 이러한 층의 양면에 차례로 형성되어 있는 아크릴계 수지 등의 하부 도포막(under-coating), SiO2, Al2O3 등의 장벽층(barrier) 및 아크릴계 수지 등의 경성 도포막(hard-coating) 따위를 더 포함할 수 있다. 이러한 층이나 막들은 플라스틱 기판(60)의 물리적, 화학적 손상을 방지하는 역할을 한다.
양면 접착 테이프(50)는 폴리이미드 필름 따위의 양면에 각각 접착제가 형성되어 있는 구조를 가지고 있으며, 접착제로는 실리콘 PSA(pressure sensitive adhesive) 접착 테이프, 고내열성 실리콘 접착제 등 실리콘계 접착제가 바람직하다.
다음 도 2를 참고하면, 접착 테이프(50)의 다른 면을 유리 지지체(40)에 부착시킴으로써 플라스틱 기판(60)과 유리 지지체(40)의 접착을 완료한다.
도 3을 참고하면, 유리 지지체(40)와 접착된 플라스틱 기판(60) 위에 박막 패턴(70)을 형성한다. 이때 플라스틱 기판(60)이 유리 지지체(40)와 단단하게 결합되어 있으므로 휘거나 늘어나지 않는다. 또한 실리콘계 접착제는 매우 강한 접착력을 유지하여 이 과정에서 들뜨는 현상이 전혀 생기지 않고 아웃개싱(outgassing) 따위의 문제도 없으며 또한 박막 패턴(70)을 형성할 때 사용하는 초순수(deionized water), 식각액(etchant) 등의 산 및 감광막(photoresist) 등을 박리하는 데 사용하는 스트리퍼(stripper) 등의 유기 용매에 반응하지 않는다. 따라서 접착 테이프(50) 또한 안정하게 유지된다.
마지막으로 도 4에 도시한 바와 같이, THF(Tetrahydrofuran)를 포함하는 용매를 사용하여 접착 테이프(50)를 녹여 제거한다.
이 과정에서 THF가 플라스틱 기판(60)에 손상을 입힐 수도 있으나 앞서 설명한 경성 도포막과 박막 패턴(70)의 무기막이 이를 방지한다. 예를 들어, 아크릴계 경성 도포막이 도포된 플라스틱 기판(60)을 약 72 시간 동안 THF에 담그면 기판(60)의 가장자리에서 내부로 약 1mm 내지 2mm 정도의 가벼운 손상을 입는데 이는 THF가 경성 도포막이 도포되지 않은 측면을 통해서 플라스틱 기판(60)으로 침투하기 때문인 것으로 보인다.
접착 테이프(50)의 용해 속도를 빠르게 하기 위하여 첨가제를 넣을 수 있다. 첨가제의 예로는 클로로폼(chloroform), 디클로로메탄(dichloromethane) 등 할로겐을 포함한 용매를 들 수 있으며, 첨가제의 양이 많을수록 용해 속도는 빨라지지만 짧은 시간에 플라스틱 기판에 손상을 줄 수 있으므로 첨가제의 양은 약 0~30% 범위 인 것이 바람직하다.
접착 테이프(50)의 용해 시간은 접착 테이프(50)의 경화 정도, 두께, 첨가제의 양에 따라서 달라질 수 있으며, 한 실험예에 따르면 첨가제의 양이 30%인 경우 48 시간이면 플라스틱 기판(60)에 손상이 가므로 이보다 짧은 시간 동안 용매에 담가 접착 테이프(50)를 용해할 필요가 있다.
첨가제로 사용하는 클로로폼만을 사용하여도 접착 테이프(50)를 떼어낼 수는 있으나 이 경우에는 플라스틱 기판(60)의 손상이 심하다.
한편, 플라스틱 기판(60)은 액정 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 등의 기판으로 사용될 수 있는데 이에 대하여 상세하게 설명한다.
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고, 도 2는 도 1의 박막 트랜지스터 표시판을 II-II' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다. 도 2는 유리 지지체를 떼어내기 전의 박막 트랜지스터 표시판을 도시하고 있다.
밑면이 유리 지지체(40)와 접착 테이프(50)로 접착되어 있는 플라스틱 기판(110) 위에 게이트 신호를 전달하는 복수의 게이트선(gate line)(121)이 형성되어 있다. 게이트선(121)은 주로 가로 방향으로 뻗어 있으며, 각 게이트선(121)의 일부는 복수의 게이트 전극(gate electrode)(129)을 이룬다. 또한 각 게이트선(121)의 다른 일부는 아래 방향으로 돌출하여 복수의 확장부(projection)(127)를 이루며, 게이트선(121)의 한 끝 부분(129)는 다른 층 또는 외부 장치와의 접속을 위하여 폭이 확장되어 있다.
게이트선(121)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열의 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열의 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열의 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 이루어진다. 그러나 게이트선(121)은 물리적 성질이 다른 두 개의 막을 포함할 수도 있다. 그 중 하나의 막은 게이트선(121)의 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(resistivity)의 금속, 예를 들면 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열의 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열의 금속으로 이루어질 수 있다. 이와는 달리, 다른 막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 크롬, 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금, 탄탈륨(Ta), 또는 티타늄(Ti) 등으로 이루어질 수 있다. 하부막과 상부막의 조합의 좋은 예로는 Cr-Al(또는 AlNd)와 Al-Mo를 들 수 있다.
게이트선(121)의 측면은 기판(110)의 표면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 약 30-80°인 것이 바람직하다.
게이트선(121) 위에는 질화규소(SiNx) 따위로 이루어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 또는 다결정 규소 등으로 이루어진 복수의 선형 반도체(151)가 형성되어 있다. 선형 반도체(151)는 주로 세로 방향으로 뻗어 있으며 이로부터 복수의 돌출부(extension)(154)가 게이트 전극(124)을 향하여 뻗어 나와 있다. 또한 선형 반도체(151)는 게이트선(121)과 만나는 지점 부근에서 폭이 커져서 게이트선(121)의 넓은 면적을 덮고 있다.
반도체(151)의 상부에는 실리사이드(silicide) 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어진 복수의 선형 및 섬형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(161, 165)가 형성되어 있다. 선형 접촉 부재(161)는 복수의 돌출부(163)를 가지고 있으며, 이 돌출부(163)와 섬형 접촉 부재(165)는 쌍을 이루어 반도체(151)의 돌출부(154) 위에 위치한다.
반도체(151)와 저항성 접촉 부재(161, 165)의 측면 역시 기판(110)의 표면에 대하여 경사져 있으며 경사각은 30-80°이다.
저항 접촉 부재(161, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 각각 복수의 데이터선(data line)(171)과 복수의 드레인 전극(drain electrode)(175) 및 복수의 유지 축전기용 도전체(storage capacitor conductor)(177)가 형성되어 있다.
데이터선(171)은 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차하며 데이터 전압(data voltage)을 전달한다. 각 데이터선(171)에서 드레인 전극(175)을 향하여 뻗은 복수의 가지가 소스 전극(source electrode)(173)을 이룬다. 한 쌍의 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)은 서로 분리되어 있으며 게이트 전극(124)에 대하여 서로 반대쪽에 위치한다. 게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 반도체(151)의 돌출부(154)와 함께 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 돌출부(154)에 형성된다.
유지 축전기용 도전체(177)는 게이트선(121)의 확장부(127)와 중첩되어 있다.
데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 유지 축전기용 도전체(177)는 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 탄탈륨, 티타늄 따위의 내화성 금속(refractory metal)으로 이루어지는 것이 바람직하며, 저항이 낮은 상부막과 접촉 특성이 좋은 하부막을 포함하는 다층막 구조를 가질 수 있다. 각 데이터선(171)의 끝부분(179)은 다른 층 또는 외부 장치와의 접속을 위하여 폭이 확장되어 있다.
데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 유지 축전기용 도전체(177)도 게이트선(121)과 마찬가지로 그 측면이 약 30-80°의 각도로 각각 경사져 있다.
저항성 접촉 부재(161, 165)는 그 하부의 반도체(151)와 그 상부의 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 사이에만 존재하며 접촉 저항을 낮추어 주는 역할을 한다. 선형 반도체(151)는 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이를 비롯하여 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)에 가리지 않고 노출된 부분을 가지고 있으며, 대부분의 곳에서는 선형 반도체(151)의 폭이 데이터선(171)의 폭보다 작지만 앞서 설명했듯이 게이트선(121)과 만나는 부분에서 폭이 커져서 표면의 프로파일을 부드럽게 하여 데이터선(171)의 단선을 방지한다.
데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 유지 축전기용 도전체(177)와 노출된 반도체(151) 부분의 위에는 질화규소 또는 산화규소 따위의 무기물로 이루어진 하부 보호막(801)이 형성되어 있고, 그 위에는 평탄화 특성이 우수한 유기물로 이루 어진 상부 보호막(802)이 형성되어 있다. 하부 보호막(801)과 상부 보호막(802) 중 하나는 생략될 수 있다.
하부 및 상부 보호막(801, 802)에는 데이터선(171)의 끝 부분(179), 드레인 전극(175) 및 유지 축전기용 도전체(177)를 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(contact hole)(182, 185, 187)이 형성되어 있으며, 하부 및 상부 보호막(801, 802) 및 게이트 절연막(140)에는 게이트선(121)의 끝 부분(129)을 노출시키는 복수의 접촉 구멍(181)이 형성되어 있다.
상부 보호막(802) 위에는 ITO 또는 IZO로 이루어진 복수의 화소 전극(pixel electrode)(190) 및 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(81, 82)가 형성되어 있다.
화소 전극(190)은 접촉 구멍(185, 187)을 통하여 드레인 전극(175) 및 유지 축전기용 도전체(177)와 각각 물리적·전기적으로 연결되어 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받고 도전체(177)에 데이터 전압을 전달한다.
데이터 전압이 인가된 화소 전극(190)은 공통 전압(common voltage)을 인가 받는 다른 표시판(도시하지 않음)의 공통 전극(도시하지 않음)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극(190) 사이의 액정층(도시하지 않음)의 액정 분자들을 재배열 시킨다.
또한 화소 전극(190)과 공통 전극은 축전기[이하 “액정 축전기(liquid crystal capacitor)”라 함]를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프된 후에도 인가된 전압을 유지하는데, 전압 유지 능력을 강화하기 위하여 액정 축전기와 병렬로 연결 된 다른 축전기를 두며 이를 유지 축전기(storage electrode)라 한다. 유지 축전기는 화소 전극(190) 및 이와 이웃하는 게이트선(121)[이를 전단 게이트선(previous gate line)이라 함]의 중첩 등으로 만들어지며, 유지 축전기의 정전 용량, 즉 유지 용량을 늘이기 위하여 게이트선(121)을 확장한 확장부(127)를 두어 중첩 면적을 크게 하는 한편, 화소 전극(190)과 연결되고 확장부(127)와 중첩되는 유지 축전기용 도전체(177)를 하부 및 상부 보호막(801, 802) 아래에 두어 둘 사이의 거리를 가깝게 한다.
화소 전극(190)은 또한 이웃하는 게이트선(121) 및 데이터선(171)과 중첩되어 개구율(aperture ratio)을 높이고 있으나, 중첩되지 않을 수도 있다.
접촉 보조 부재(81, 82)는 접촉 구멍(141, 181, 182)을 통하여 게이트선의 끝 부분(129) 및 데이터선의 끝 부분(179)과 각각 연결된다. 접촉 보조 부재(81, 82)는 게이트선(121) 및 데이터선(171)의 각 끝 부분(129, 179)과 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호하는 역할을 한다. 게이트선(121)에 주사 신호를 인가하는 게이트 구동부(도시하지 않음)가 표시판 위에 집적된 경우 접촉 부재(81)는 게이트선(121)의 끝 부분(129)과 게이트 구동부를 연결하는 연결 부재의 역할을 할 수 있으며 때에 따라 생략될 수도 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면 화소 전극(190)의 재료로 투명한 도전성 폴리머(polymer) 등을 사용하며, 반사형(reflective) 액정 표시 장치의 경우 불투명한 반사성 금속을 사용하여도 무방하다. 이때, 접촉 보조 부재(81, 82)는 화소 전극(190)과 다른 물질, 특히 ITO 또는 IZO로 만들어질 수 있다.
그러면, 도 5 및 도 6에 도시한 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법에 대하여 도 7 내지 도 14 및 도 5과 도 6을 참고로 하여 상세히 설명한다.
도 7, 도 9, 도 11 및 도 13은 도 5 및 도 6에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법의 중간 단계에서의 박막 트랜지스터 표시판의 배치도로서 그 순서에 따라 나열한 것이고, 도 8, 도 10, 도 12 및 도 14는 각각 도 7, 도 9, 도 11 및 도 13에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 VIII-VIII' 선, X-X' 선, XII-XII' 선 및 XIV-XIV' 선을 따라 절단한 단면도이다.
먼저, 도 7 및 도 8을 참고하면, 투명한 유리 따위로 만들어진 지지체(40) 위에 실리콘 계열의 접착 테이프(50)를 사용하여 플라스틱 기판(110)을 접착한 후, 기판(110) 위에 금속막을 스퍼터링(sputtering) 따위로 차례로 적층하고 사진 식각하여 복수의 게이트 전극(124)과 복수의 확장부(127)를 포함하는 게이트선(121)을 형성한다.
도 9 및 도 10을 참고하면, 게이트 절연막(140), 진성 비정질 규소층(intrinsic amorphous silicon)(150), 불순물 비정질 규소층(extrinsic amorphous silicon)(160)의 삼층막을 연속하여 적층한 다음, 위의 두 층을 패터닝하여 복수의 선형의 불순물 반도체(164) 및 복수의 선형 진성 반도체(151)를 형성한다.
다음 도 11 및 도 12를 참고하면, 금속막을 스퍼터링 따위로 적층한 다음, 사진 식각하여 복수의 소스 전극(173)을 각각 포함하는 복수의 데이터선(171), 복수의 드레인 전극(175) 및 복수의 유지 축전기용 도전체(177)를 형성한다.
이어, 데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 유지 축전기용 도전체(177)로 덮이지 않고 노출된 불순물 반도체(164) 부분을 제거함으로써 복수의 돌출부(163)를 각각 포함하는 복수의 선형 저항성 접촉 부재(161)와 복수의 섬형 저항성 접촉 부재(165)를 완성하는 한편, 그 아래의 진성 반도체(151) 부분을 노출시킨다. 노출된 진성 반도체(151) 부분의 표면을 안정화시키기 위하여 산소 플라스마를 뒤이어 실시하는 것이 바람직하다.
다음으로, 도 13 및 도 14를 참고하면, 무기물로 이루어진 하부 보호막(801)을 화학 기상 증착 따위로 적층하고, 감광성 유기물로 이루어진 상부 보호막(802)을 도포한다. 노광 마스크(도시하지 않음)를 통하여 상부 보호막(802)에 빛을 조사한 후 현상하여 하부 보호막(801)을 노출시킨 후 건식 식각 방법으로 하부 보호막(801)의 노출된 부분과 그 아래의 게이트 절연막(140) 부분을 제거하여 접촉 구멍(181, 182, 185, 187)을 형성한다.
마지막으로 도 1 및 도 2를 참고하면, ITO 또는 IZO막을 스퍼터링으로 적층하고 사진 식각하여 복수의 화소 전극(190)과 복수의 접촉 보조 부재(81, 82)를 형성한다. 이외에도 배향막(도시하지 않음)을 형성하는 공정이 추가될 수 있다.
이와 같이 박막 트랜지스터 표시판에 박막 패턴을 모두 형성한 다음, THF 또는 THF와 첨가제를 사용하여 접착 테이프(50)를 제거하면 플라스틱 기판(110)을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판이 완성된다.
도 1 내지 도 4에 도시한 방법은 액정 표시 장치용 표시판뿐 아니라 유기 발광 표시 장치용 표시판에도 적용될 수 있다.
이와 같이, 플라스틱 기판과 유리 지지체를 실리콘계의 접착제로 부착하여 박막 패턴을 형성한 다음, THF를 포함하는 용매로 접착제를 제거함으로써 안정된 박막 패턴 형성 공정을 수행함과 동시에 접착제를 깨끗하게 제거할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.


Claims (17)

  1. 경성 도포막이 도포되어 있는 플라스틱 기판을 지지체에 접착제로 접착하는 단계,
    상기 플라스틱 기판 위에 박막 패턴을 형성하는 단계, 그리고
    THF(Tetrahydrofuran)를 포함하는 용매를 사용하여 상기 플라스틱 기판을 지지체로부터 떼어내는 단계
    를 포함하는 가요성 표시 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에서,
    상기 접착제는 실리콘 계열 접착제를 포함하는 가요성 표시 장치의 제조 방법.
  3. 제1항에서,
    상기 용매는 첨가제를 더 포함하는 가요성 표시 장치의 제조 방법.
  4. 제3항에서,
    상기 첨가제는 유기 할로겐을 포함하는 가요성 표시 장치의 제조 방법.
  5. 제4항에서,
    상기 첨가제는 클로로폼(chloroform) 또는 디클로로메탄(dichloromethane)을 포함하는 가요성 표시 장치의 제조 방법.
  6. 제5항에서,
    상기 첨가제의 양은 전체 용매의 양에 대하여 0%보다 많고 30%보다 같거나 적게 포함되어 있는 가요성 표시 장치의 제조 방법.
  7. 제1항에서,
    상기 접착제는 양면 테이프의 형태를 가지는 가요성 표시 장치의 제조 방법.
  8. 삭제
  9. 제1항에서,
    상기 경성 도포막은 아크릴 수지를 포함하는 가요성 표시 장치의 제조 방법.
  10. 제1항에서,
    상기 기판은,
    유기막,
    상기 유기막의 양면에 형성되어 있는 하부 도포막, 그리고
    상기 하부 도포막 위에 형성되어 있는 장벽층
    을 포함하고, 상기 경성 도포막은 상기 장벽층 위에 형성되어 있는 가요성 표시 장치의 제조 방법.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
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  16. 삭제
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