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KR101047266B1 - 무선 ｉｃ 디바이스 및 무선 ｉｃ 디바이스용 부품 - Google Patents

무선 ｉｃ 디바이스 및 무선 ｉｃ 디바이스용 부품 Download PDF

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KR101047266B1
KR101047266B1 KR1020097019423A KR20097019423A KR101047266B1 KR 101047266 B1 KR101047266 B1 KR 101047266B1 KR 1020097019423 A KR1020097019423 A KR 1020097019423A KR 20097019423 A KR20097019423 A KR 20097019423A KR 101047266 B1 KR101047266 B1 KR 101047266B1
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KR
South Korea
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wireless
electrode
high frequency
loop
resonant
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노보루 카토
노부오 이케모토
Original Assignee
가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

포장체의 제작 비용을 저감하고, 작은 물품에도 부착할 수 있으며, 태그 형성부의 두께를 억제한 무선 IC 디바이스를 구성한다. 예를 들면 알루미늄 증착 라미네이트 필름에 의한 물품 포장체(60)의 단부에 알루미늄 증착막이 없는 컷아웃부(61)를 형성하여 그 부분에 전자결합모듈(1)을 마련한다. 상기 전자결합모듈(1)과 포장체(60)의 알루미늄 증착막에 의해 무선 IC 디바이스를 구성한다. 전자결합모듈(1)의 자계 송신용 보조 방사체인 루프상 전극은 포장체(60)의 알루미늄 증착막에 결합하여 물품 포장체(60) 전체가 안테나의 방사체로서 작용한다.
무선 IC 디바이스, 방사전극, 고주파 디바이스, 공진회로, 정합회로, 공진 도체, 프린트 배선기판

Description

무선 ＩＣ 디바이스 및 무선 ＩＣ 디바이스용 부품{RADIO IC DEVICE AND COMPONENT FOR RADIO IC DEVICE}
이 발명은 전자파에 의해 비접촉으로 데이터 통신을 행하는 RFID(Radio Frequency Identification) 시스템에 적용하는 무선 IC 디바이스 및 무선 IC 디바이스용 부품에 관한 것이다.
최근, 물품의 관리 시스템으로서, 유도 전자계를 발생하는 리더·라이터와 물품에 부가된 소정의 정보를 기억한 무선 IC 디바이스로 비접촉 통신하여 정보를 전달하는 RFID 시스템이 이용되고 있다.
도 1은 그 특허문헌 1에 나타나 있는 IC 태그용 안테나에 IC 태그 라벨을 장착한 비접촉 IC 태그(무선 IC 디바이스)의 예를 나타내는 도면이다. 도 1A는 평면도, 도 1B는 도 1A의 A-A선에서의 확대 단면도이다. 비접촉 IC 태그용 안테나는 두 편의 분리된 안테나 패턴(91,92)으로 형성되어 있다. 안테나 패턴(91,92)은 금속박막의 층으로 이루어진다.
비접촉 IC 태그 라벨(82)의 라벨 기재(82b)에는 안테나(101,102)가 형성되고, 거기에 IC 칩(85)이 실장되어 있다. 상기 비접촉 IC 태그 라벨(82)의 안테나(101,102)가 이방성 도전성 접착제(84)를 통해 안테나 패턴(91,92)에 접촉하도록 장착되어 비접촉 IC 태그(90)가 형성되어 있다.
라벨 기재(82b)면에는 실란트(sealant) 필름(83)이 적층되어 IC 태그 라벨의 박리를 방지하며 최종적으로 IC 태그 부착 포장체(81)가 구성되어 있다.
[특허문헌 1] 일본국 공개특허공보 2003-243918호
특허문헌 1의 비접촉 IC 태그 및 그것을 마련한 포장체에서는 다음과 같은 문제가 있다.
(a)안테나 패턴을 포장체와는 다른 공정에 의해 형성하고 있기 때문에 안테나 제작 공정이 필요해져, 공정이 길어지는 것 및 여분의 부재가 필요한 것에 의해 포장체의 제작 비용이 높아진다.
(b)충분한 방사 특성을 얻기 위해서는 안테나 패턴을 크게 할 필요가 있고, 작은 물품에 IC 태그를 부착할 수 없다.
(c)물품의 기재상에 IC 태그를 형성하고, 그 형성면을 다른 필름에 의해 덮고 있기 때문에 IC 태그 형성부의 두께가 두꺼워진다.
그리하여, 이 발명의 목적은 상술의 문제를 해소하여, 포장체의 제작 비용을 저감하고, 작은 물품에도 부착할 수 있으며, 태그 형성부의 두께를 억제한 무선 IC 디바이스를 제공하는 데 있다.
상기 과제를 해결하기 위해 이 발명의 무선 IC 디바이스는 다음과 같이 구성한다.
(1)무선 IC와 상기 무선 IC에 도통(導通) 혹은 전자계 결합하는 동시에 외부회로에 결합하는 급전회로기판으로 이루어지는 전자결합모듈이거나 또는 상기 무선 IC 칩 자체인 고주파 디바이스와,
상기 고주파 디바이스를 탑재하는 동시에 상기 고주파 디바이스와 결합하는 물품의 일부이며, 방사체로서 작용하는 방사전극,
을 포함하여 무선 IC 디바이스로 한다.
이 구성에 의해, 예를 들면 도 1에 나타낸 바와 같은 안테나 패턴을 물품에 형성하기 위한 공정이나 부재가 불필요해지기 때문에 물품에 무선 IC 디바이스를 마련하는 것에 의한 비용 증가가 거의 없다.
또한 물품의 전체 또는 일부를 방사체로서 이용할 수 있기 때문에 작은 물품에 부착해도 충분한 방사 특성이 얻어진다.
또한 물품의 기재상의 고주파 디바이스를 마련한 부분의 두께를 얇게 할 수 있기 때문에 고주파 디바이스 부분이 부푸는 것을 억제할 수 있어 외관을 손상시키지 않는다.
또한 전자결합모듈을 사용함으로써, 무선 IC 칩과 방사전극의 임피던스 정합(整合)을 급전회로기판 내에서 설계할 수 있기 때문에 방사전극의 형상이나 재질을 한정할 필요가 없어 어떠한 물품에도 대응할 수 있다.
(2)상기 방사전극은 소정의 넓이를 가지는 도전부를 포함하고, 상기 도전부의 단연(端緣)부에 컷아웃(cutout)부를 가지며, 상기 컷아웃부에 상기 고주파 디바이스를 배치하는 동시에 고주파 디바이스를 도전부의 컷아웃부로 도전부에 결합시킨다.
이 구성에 의해, 고주파 디바이스가 물품의 외형상으로부터 돌출하지 않고 배치할 수 있으면서 도전부를 방사체로서 효과적으로 사용할 수 있다.
(3)상기 방사전극은 소정의 넓이를 가지는 도전부를 포함하고, 상기 도전부의 일부에 비도전부를 가지며, 상기 비도전부 내의 단부(端部)에 상기 고주파 디바이스를 배치하는 동시에 고주파 디바이스를 비도전부의 주변의 도전부에 결합시킨다.
이 구성에 의해, 고주파 디바이스가 물품의 외형상으로부터 돌출하지 않고 배치할 수 있으면서 도전부를 방사체로서 효과적으로 사용할 수 있다.
(4)또한 이 발명의 무선 IC 디바이스는 상기 고주파 디바이스의 실장부(실장 영역의 근방)에 상기 고주파 디바이스와 결합하는 동시에 상기 방사전극과 전기적으로 직접 도통하는 루프(loop)상 전극을 상기 루프상 전극의 루프면이 상기 방사전극의 면 내 방향이 되는 방향에 포함한 것으로 한다.
이 구성에 의해, 고주파 디바이스와 루프상 전극을 용이하게 정합시킬 수 있는 동시에 루프상 전극이 방사전극과 강하게 결합하므로 고이득화를 도모할 수 있다.
(5)또한 이 발명의 무선 IC 디바이스는 상기 고주파 디바이스의 실장부(실장 영역의 근방)에 상기 고주파 디바이스와 결합하면서 상기 방사전극과 절연층을 통해 전자계 결합하는 루프상 전극을 포함한 것으로 한다.
이 구성에 의해, 고주파 디바이스와 루프상 전극을 용이하게 정합시킬 수 있으면서 루프상 전극과 방사전극이 직류적으로 절연되므로 정전기에 대한 내성을 높일 수 있다.
(6)상기 고주파 디바이스의 실장부와 상기 루프상 전극 사이에 상기 고주파 디바이스와 상기 루프상 전극을 직접 도통시키는 정합회로를 포함한다.
이 구성에 의해, 정합회로를 방사전극과 고주파 디바이스의 임피던스 정합용 인덕터로서 이용할 수 있고, 무선 IC 디바이스로서의 임피던스 정합 설계의 설계 자유도가 높아져 그 설계도 용이해진다.
(7)상기 급전회로기판 내에 공진회로 및/또는 정합회로를 포함한다.
이 구성에 의해, 주파수의 선택성이 높아져 자기 공진 주파수에 의해 무선 IC 디바이스의 동작 주파수를 대부분 결정할 수 있다. 그에 따라, RFID 시스템에서 사용하는 주파수 신호의 에너지의 수수(授受)(송수신)를 고효율하에서 행할 수 있다. 이것에 의해 무선 IC 디바이스의 방사 특성을 향상시킬 수 있다.
또한 상기 급전회로기판 내에 정합회로를 마련함으로써 RFID 시스템에서 사용하는 주파수 신호의 에너지의 수수(송수신)를 고효율하에서 행할 수 있다.
(8)상기 공진회로의 공진 주파수는 상기 방사전극에 의해 송수신되는 신호의 주파수에 실질적으로 상당하는 것으로 한다.
이것에 의해 방사용 전극은 단지 급전회로부와 결합하여 필요한 이득에 따른 크기를 포함하고 있으면 되고, 사용하는 주파수에 따라 방사전극의 형상이나 재질을 한정할 필요가 없어 어떠한 물품에도 대응할 수 있다.
(9)상기 방사전극은, 예를 들면 도전층을 포함하는 시트를 봉지상 또는 팩상으로 성형한 물품 포장체의 금속막층으로 한다.
이 구성에 의해, 금속막층을 가지는 물품 포장체를 그대로 이용할 수 있으면서 물품의 거의 전체가 방사체로서 작용하므로 복수의 물품이 쌓여 있어도 각 물품의 ID를 판독하는 것이 가능해진다.
(10)상기 방사전극은 전자기기 내의 예를 들면 회로기판에 형성된 전극패턴으로 한다.
이 구성에 의해 전자기기에 포함하는 회로기판을 그대로 이용할 수 있으면서 고주파 디바이스의 실장이 용이해진다.
(11)상기 방사전극은 전자기기 내의 예를 들면 액정표시패널 등의 컴포넌트의 이면에 마련된 금속판으로 한다.
이 구성에 의해, 전자기기 내에 마련되는 컴포넌트를 그대로 이용할 수 있어 대형화·비용 증가하지 않는다.
(12)상기 고주파 디바이스의 동작 주파수 또는 그에 가까운 주파수의 공진 주파수를 가지고, 상기 고주파 디바이스와 결합하는 공진 도체를 포함한 것으로 한다.
이 구성에 의해, RFID 태그의 동작 주파수에서의 방사 이득이 높아져 RFID로서 뛰어난 특성이 얻어진다. 또한 공진 도체의 공진 주파수는 프린트 배선기판에의 실장 부품의 영향을 받지 않기 때문에 설계가 용이해진다.
(13)상기 공진 도체는 상기 방사전극의 상기 컷아웃부가 형성되어 있는 단연부에 대하여 거의 평행하게 배치된다.
이 구성에 의해 공진 도체와 방사전극의 결합이 강해져 고이득 특성이 얻어진다.
(14)상기 공진 도체는 상기 공진전극이 근접하는 상기 방사전극의 변과 거의 같은 길이를 가지는 것으로 한다.
이 구성에 의해 공진 도체와 방사전극의 결합이 보다 강해져 고이득 특성이 얻어진다.
(15)상기 고주파 디바이스의 배치 위치의 근접 부위를 거의 중심으로 하여 상기 공진전극을 배치한다.
이 구성에 의해 공진 도체와 고주파 디바이스의 결합이 강해져 고이득 특성이 얻어진다.
(16)상기 고주파 디바이스를 복수 포함하며, 상기 공진전극은 각 고주파 디바이스와 각각 결합시킨다.
이 구성에 의해, 필요한 공진 도체의 수를 삭감할 수 있고, 프린트 배선기판상의 점유 면적을 작게 할 수 있으므로 제조 비용을 삭감할 수 있다.
(17)상기 공진전극은 상기 방사전극의 형성체에 대하여 분리 가능하게 마련한다.
이 구성에 의해, 제조공정에서는 리더·라이터의 통신 거리를 길게 유지할 수 있으면서 제조 후는 프린트 배선기판의 사이즈가 커지지 않고, 또한 필요에 따라 리더·라이터와 근접시킴으로써 통신이 가능해진다.
(18)상기 공진전극은 프린트 배선기판의 여백 부분에 형성된 것으로 한다.
이 구성에 의해 프린트 배선기판의 제조 비용을 삭감할 수 있다.
(19)상기 공진전극을 상기 무선 IC 디바이스의 탑재 기기의 케이스체 또는 상기 탑재 기기에 탑재되는 다른 부품에 겸용시킨다.
이 구성에 의해 금속 케이스나 탑재 부품이 있어도 필요한 이득을 얻을 수 있다.
(20)무선 IC와 상기 무선 IC에 도통 혹은 전자계 결합하는 동시에 외부회로에 결합하는 급전회로기판으로 이루어지는 전자결합모듈 또는 무선 IC인 고주파 디바이스와,
상기 고주파 디바이스를 탑재하는 동시에 한 쪽 단부가 상기 고주파 디바이스와 결합하는 적어도 2개의 선상(線狀)전극을 포함한 기판,
을 포함하여 무선 IC 디바이스용 부품을 구성한다.
이 구성에 의해, 물품이 방사체로서 작용하는 도체까지 포함하고 있으면, 상기 무선 IC 디바이스용 부품을 그 물품에 부착하는 것만으로 그 물품을 RFID 태그 부착의 물품으로서 이용 가능해진다.
(21)(20)에 기재된 선상전극은 상기 선상전극의 다른 쪽 단부끼리가 도통하는 루프상을 이루는 것으로 한다.
이 구성에 의해, 루프상 전극에 의한 루프형상이 솔더링 등의 부착에 영향을 받지 않고 임피던스 등의 변동이 적어 정밀도가 높은 설계를 행할 수 있다.
(22)(20)에 기재된 무선 IC 디바이스용 부품과, 그 적어도 2개의 선상전극의 다른 쪽 단부와 도통 접속되어 루프상 전극을 구성하는 방사전극을 포함한 물품으로 무선 IC 디바이스를 구성한다.
이 구성에 의해 RFID 태그 부착의 물품을 용이하게 구성할 수 있다.
(23)(21)에 기재된 무선 IC 디바이스용 부품과, 그 루프상 전극과 결합하여 방사체로서 작용하는 도체를 포함한 물품으로 무선 IC 디바이스를 구성한다.
이 구성에 의해 RFID 태그 부착의 물품을 용이하게 구성할 수 있다. 또한 상기 물품이 전자부품인 경우에 그 특성의 편차를 작게 할 수 있다.
<발명의 효과>
이 발명에 의하면 다음과 같은 효과를 나타낸다.
예를 들면 도 1에 나타낸 바와 같은 안테나 패턴을 물품에 형성하기 위한 공정이나 부재가 불필요해지기 때문에 물품에 무선 IC 디바이스를 마련하는 것에 의한 비용 증가가 거의 없다.
또한 물품의 전체 또는 일부를 방사체로서 이용할 수 있기 때문에 작은 물품에 부착해도 충분한 방사 특성이 얻어진다.
또한 물품의 기재상의 고주파 디바이스를 마련한 부분의 두께를 얇게 할 수 있기 때문에 고주파 디바이스 부분이 부푸는 것을 억제할 수 있어 외관을 손상시키지 않는다.
또한 전자결합모듈을 사용함으로써, 무선 IC 칩과 방사전극의 임피던스 정합을 급전회로기판 내에서 설계할 수 있기 때문에 방사전극의 형상이나 재질을 한정할 필요가 없어 어떠한 물품에도 대응할 수 있다.
도 1은 특허문헌 1에 나타나 있는 무선 IC 디바이스의 구성을 나타내는 도면 이다.
도 2는 제1의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스 및 그것을 포함한 물품의 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2에 나타낸 물품의 요소 부분에 대해서만 나타내는 무선 IC 디바이스의 구성도이다.
도 4는 제2의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스 및 그것을 포함한 물품의 구성을 나타내는 도면이다.
도 5는 도 3에 나타낸 물품의 요소 부분에 대해서만 나타내는 무선 IC 디바이스의 구성도이다.
도 6은 제3의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스 및 그것을 포함한 물품의 구성을 나타내는 도면이다.
도 7은 제4의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스 및 그것을 포함한 물품의 구성을 나타내는 도면이다.
도 8은 동 무선 IC 디바이스의 주요부를 통과하는 중앙 단면도 및 무선 IC 디바이스의 주요부의 부분 확대 평면도이다.
도 9는 제5의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스의 구성을 나타내는 도면이다.
도 10은 제6의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스에 사용하는 전자결합모듈(1)의 외관 사시도이다.
도 11은 동 전자결합모듈의 급전회로기판의 내부의 구성을 나타내는 분해도 이다.
도 12는 동 급전회로기판 및 금속막의 컷아웃부를 포함한 등가 회로도이다.
도 13은 제7의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스 및 그것을 포함한 물품의 구성을 나타내는 도면이다.
도 14는 동 무선 IC 디바이스의 주요부의 단면도이다.
도 15는 제8의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스의 급전회로기판의 분해 사시도이다.
도 16은 동 무선 IC 디바이스의 주요부의 등가 회로도이다.
도 17은 제9의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스에서 사용하는 전자결합모듈의 평면도이다.
도 18은 제10의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스의 구성을 나타내는 도면이다.
도 19는 제11의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스의 몇 가지 구성을 나타내는 도면이다.
도 20은 제11의 실시형태에 따른 다른 무선 IC 디바이스의 구성을 나타내는 도면이다.
도 21은 제11의 실시형태에 따른 또 다른 무선 IC 디바이스의 몇 가지 구성을 나타내는 도면이다.
도 22는 제12의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스의 구성을 나타내는 도면이다.
도 23은 제13의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스의 몇 가지 구성을 나타내는 도면이다.
도 24는 제14의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 25는 제15의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 26은 제16의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 27은 제17의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스를 포함한 휴대전화 단말의 사시도 및 내부의 회로기판의 주요부의 단면도이다.
도 28은 제18의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스용 부품의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 29는 제18의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스용 부품을 사용한 무선 IC 디바이스의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 30은 프린트 배선기판(80)상의 그라운드 전극 형성 영역 내에서 무선 IC 디바이스의 주요부를 구성한 예를 나타내는 도면이다.
도 31은 제19의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스용 부품 및 그것을 포함한 무선 IC 디바이스의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 32는 제20의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스용 부품의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 33은 제20의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스용 부품을 포함한 무선 IC 디바이스의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 34는 제21의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스용 부품(113)의 구성을 나타내는 평면도이다.
<부호의 설명>
1,2,3: 전자결합모듈 4: 급전회로기판
5: 무선 IC 칩 6: 무선 IC 디바이스의 주요부
7: 루프상 전극 8: 방사전극
10: 기재 11: 기판
12: 루프상 전극 13: 프린트 배선기판
15: 회로기판 16: 전극패턴
17,18: 전자부품 20: 인덕터 전극
21: 몰드 수지 25: 커패시터 전극
30: 루프상 전극 35a~35d: 무선 IC 칩 실장용 랜드
40: 급전회로기판 41A~41H: 유전체층
42a: 비아홀(via-hole) 45a,45b: 인덕터 전극
46,47: 인덕터 전극 51: 커패시터 전극
53~57: 커패시터 전극 60: 물품 포장체
61: 컷아웃부 62: 비도전부
63: 금속 평면체 64: 절연성 시트
65: 금속막 66: 컷아웃부
67: 정합회로 68: 공진 도체
69: 금속막(그라운드 도체) 70~73: 물품
80: 프린트 배선기판 81: 탑재 도체 부품(공진 도체)
82: 공정 라인 설치 도체(공진 도체)
111,112,113: 무선 IC 디바이스용 부품
C1: 커패시터 C2: 커패시터
L1,L2: 인덕터 E: 전계
H: 자계
<<제1의 실시형태>>
도 2는 제1의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스 및 그것을 포함한 물품의 외관 사시도이다. 물품(70)은 예를 들면 봉지 포테이토칩 등의 봉지 과자이며, 물품 포장체(60)는 알루미늄 증착 라미네이트 필름을 봉지상으로 성형한 포장체이다.
이 물품 포장체(60)의 단연부에 컷아웃부(알루미늄 증착을 행하지 않은 부분)(61)를 형성하고, 상기 컷아웃부(61)에 전자결합모듈(1)을 배치하고 있다.
도 3은 무선 IC 디바이스의 구성을 나타내는 도면이며, 도 2에 나타낸 물품(70)의 요소 부분에 대해서만 나타내고 있다. 도 3에 있어서 방사전극(8)은 도 2에 나타낸 물품 포장체(60)의 알루미늄 증착 라미네이트 필름의 알루미늄 증착층에 상당한다. 상기 방사전극(8)의 컷아웃부(전극 비형성부)(61)의 내측에는 루프상 전 극(7)을 형성하고 있고, 상기 루프상 전극(7)과 결합하도록 전자결합모듈(1)을 실장하고 있다. 상기 루프상 전극(7)은 알루미늄 증착 라미네이트 필름의 알루미늄 증착시에 패턴화한다. 혹은 알루미늄 증착과는 다른 공정에서 도체패턴을 인쇄 형성해도 된다.
도 3B는 루프상 전극(7)을 송신용 보조 방사체로서 작용시킨 경우의 방사전극(8)에 생기는 전자계 분포의 예를 개략적으로 나타내는 것이다. 도면 중 파선은 자계(H)의 루프, 실선은 전계(E)의 루프를 각각 나타내고 있다. 루프상 전극(7)은 자계 송신용 보조 방사체로서 작용하고, 루프상 전극(7)에 의해 발생한 자계(H)는 방사전극(8)에 대하여 수직으로 교차함으로써 전계(E)를 유발하며, 상기 전계 루프에 의해 자계 루프를 유발하고, 그 연쇄에 의해 전자계 분포가 확산된다.
상술의 예에서는 루프상 전극(7)을 송신용 보조 방사체로서 설명하였는데, 이것이 수신용 보조 방사체로서 작용할 경우에도 동일하게 작용하여 고이득이 얻어진다.
이와 같이 소정의 넓이를 가지는 도전부가 방사체로서 작용하는 물품이면, 그들이 복수 겹쳐 있는 경우에는 상기 전계와 자계의 유발은 물품간에서도 연쇄적으로 확산되어 간다. 그 때문에, 다수의 물품이 겹쳐 있어도(오히려 겹쳐 있는 쪽이) 고이득인 무선 IC 디바이스로서 작용한다. 예를 들면 봉지 포테이토칩의 볼록하게 되어 있는 일부에 대하여 리더·라이터의 안테나를 근접시킨 상태에서, 그 볼록하게 되어 있는 모든 봉지 포테이토칩의 ID를 판독할 수 있다.
또한 도 3에 나타낸 전자결합모듈(1)은 후술하는 무선 IC 칩과, 상기 무선 IC 칩에 접속하는 동시에 외부회로(이 예에서는 루프상 전극(7) 및 루프상 전극(7)을 개재하는 방사전극(8))에 결합하는 급전회로기판으로 이루어진다. 무선 IC 칩과 급전회로기판은 전기적으로 도통하도록 접속해도, 전자계적으로 결합하도록 해도 상관없다. 전자계 결합시키는 경우는 양자의 접속전극간에 유전체 박막 등으로 용량을 형성한다. 무선 IC 칩과 급전회로기판을 용량으로 결합시킴으로써 무선 IC 칩의 정전기에 의한 파괴를 방지할 수 있다.
또한 급전회로기판을 사용하는 경우에는, 급전회로기판의 2개의 전극을 루프상 전극(7)의 양단에 전자계적으로 결합시킨다. 또한 전자결합모듈(1)은 단체의 무선 IC 칩으로 치환해도 된다. 그 경우에는 무선 IC 칩의 2개의 전극을 루프상 전극(7)의 양단에 직접 접속하면 된다. 어떤 경우라도, 루프상 전극(7)은 방사전극(8)으로부터 직류적으로는 분리되어 있으므로, 상기 무선 IC 디바이스는 정전기에 대한 내성이 높다는 효과를 가진다.
또한 루프상 전극(7)은 전자결합모듈(1)의 입출력 단자간을 결합하도록 배치되는 것이면 어떠한 형상이어도 된다.
<<제2의 실시형태>>
도 4는 제2의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스 및 그것을 포함한 물품의 외관 사시도이다. 물품(71)은 예를 들면 봉지 과자이며, 물품 포장체(60)는 알루미늄 증착 라미네이트 필름을 봉지상으로 성형한 포장체이다.
도 2에 나타낸 예에서는 물품 포장체의 단연부에 전자결합모듈을 배치했는데, 이 도 4에 나타내는 예에서는 물품 포장체(60)의 단연부로부터 떨어진 내부에 전자결합모듈(1)을 마련하고 있다. 물품 포장체(60)는 알루미늄 증착 라미네이트 필름으로 이루어지고, 그 일부에서 알루미늄 증착을 행하고 있지 않은 부분을 비도전부(62)로서 형성하며, 상기 비도전부(62)의 내부이면서 또한 단부에 전자결합모듈(1)을 배치하고 있다.
도 5는 도 4에 나타낸 전자결합모듈(1)의 실장 부분의 구성을 나타내는 도면이다. 도 5에 있어서 루프상 전극(7) 및 전자결합모듈(1)의 구성에 대해서는 제1의 실시형태에 있어서 도 3에서 나타낸 것과 동일하다. 방사전극(8)은 물품 포장체(60)의 알루미늄 증착 라미네이트 필름의 알루미늄 증착층에 상당하는 것이다. 상기 비도전부(62)의 내부이면서 또한 루프상 전극(7)이 방사전극(8)의 3변에 근접하도록 루프상 전극(7) 및 전자결합모듈(1)을 배치하고 있다.
이러한 구성에 의해, 루프상 전극(7)은 자계 송신용 보조 방사체로서 작용하여 방사전극(8)과 결합하고, 도 3에 나타낸 것과 동일한 작용에 의해 방사전극(8)이 안테나의 방사체로서 작용한다.
덧붙여, 비도전부(62)의 면적을 루프상 전극(7) 및 전자결합모듈(1)의 점유 면적과 거의 동등하게 하고, 그 내부에 루프상 전극(7) 및 전자결합모듈(1)을 배치한 경우에는, 루프상 전극(7)의 자계가 사방에서 방사전극(8)과 결합하여 방사전극(8)에 유발되는 전자계가 부정되어 이득이 저하해 버리므로, 비도전부(62)의 면적은 루프상 전극(7) 및 전자결합모듈(1)의 점유 면적보다 충분히 넓으면서 루프상 전극(7)의 한 변, 2변, 또는 3변으로 방사전극(8)에 근접하는 것이 중요하다.
<<제3의 실시형태>>
도 6B는 제3의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스의 주요부의 구성을 나타내는 도면, 도 6A는 상기 무선 IC 디바이스를 포함한 물품의 외관도이다. 도 6A에 있어서 물품(72)은 금속 평면체(63)에 무선 IC 디바이스의 주요부(6)를 포함한 것이다. 금속 평면체(63)는 내부에 금속층을 포함하는 판상 또는 시트상의 물품 혹은 금속판 그 자체이다.
무선 IC 디바이스의 주요부(6)는 도 6B에 나타내는 바와 같이 전체의 형상이 이른바 턱 인덱스(tuck index) 형상을 이루고, 절연성 시트(64)의 내면에는 점착층을 포함하고 있으며, 절연성 시트(64)로 루프상 전극(7) 및 전자결합모듈(1)을 끼우고 있다. 루프상 전극(7) 및 전자결합모듈(1)의 구성은 도 3에 나타낸 것과 동일하다.
그리고, 루프상 전극(7)이 도 6A에 나타낸 금속 평면체(63)의 단연에 근접하도록 정확히 턱 인덱스를 붙이도록 하여 부착한다.
이와 같이 도전부의 단연부에 컷아웃을 마련하지 않은 경우에도, 금속 평면체(63)의 단연부에 무선 IC 디바이스의 주요부(6)의 루프상 전극(7)을 근접시킴으로써, 상기 루프상 전극(7)과 금속 평면체(63)(방사체로서 작용하는 도전부)와 결합하여 금속 평면체(63)가 안테나의 방사체로서 작용한다.
<<제4의 실시형태>>
제4의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스에 대하여 도 7·도 8을 참조하여 설명한다. 제4의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스는 DVD 등의 금속막을 가지는 기록 매체에 적용한 것이다.
도 7은 DVD 디스크의 평면도이다. 도 8A는 무선 IC 디바이스의 주요부(6)의 형성부를 통과하는 중앙 단면도, 도 8B는 무선 IC 디바이스의 주요부(6)의 부분 확대 평면도이다. 단 도 8A의 단면도는 두께방향 치수를 과장해서 그리고 있다.
도 7·도 8A에 나타내는 바와 같이, DVD 디스크(73)는 2장의 원반상 디스크의 접합으로 이루어지고, 그 한 쪽에 금속막(65)을 형성하고 있으며, 무선 IC 디바이스의 주요부(6)를 상기 금속막(65)의 내주(內周) 단연의 일부에 마련하고 있다.
도 8B에 나타내는 바와 같이 금속막(65)의 내주 단연부의 일부에 C자형의 컷아웃부(66)를 형성하고 있다. 상기 컷아웃부(66)는 디스크의 컷아웃이 아니라 금속막의 패턴으로서의 컷아웃부이다. 상기 C자형의 컷아웃부에 의한 서로 대향하는 2개의 돌출 단부에 전자결합모듈(1)의 2개 단자가 마주 보도록 전자결합모듈(1)을 배치하고 있다. 상기 C자형의 컷아웃부의 내주 끝(도면 중의 화살표부)을 루프상 전극으로서 작용시키고 있다.
<<제5의 실시형태>>
도 9는 제5의 실시형태에 따른 2개의 무선 IC 디바이스의 구성을 나타내는 도면이다. 이 제5의 실시형태는 고주파 디바이스의 실장부와 루프상 전극 사이에 고주파 디바이스와 루프상 전극을 직접 도통시키는 정합회로를 포함한 것이다.
도 9A에 있어서, 금속막(65)은 시트재 또는 판재로 형성되어 있고, 방사체로서 작용한다. 상기 금속막(65)의 일부에 컷아웃부(66)를 형성함으로써 상기 컷아웃부(66)의 내주 단연에 따른 부분이 루프상 전극으로서 작용한다.
컷아웃부(66)의 내부에는 미앤더(meander)상의 전극으로 이루어지는 정합회 로(67) 및 고주파 디바이스(전자결합모듈 또는 무선 IC 칩)의 실장부인 금속막 부분(65a,65b)을 형성하고 있다.
이와 같이 정합회로(67)를 마련함으로써 금속막 부분(65a,65b)에 무선 IC 칩을 직접 실장할 수도 있다. 또한 무선 IC 칩을 루프상 전극에 직접 실장한 경우는 정합회로(67)를 포함하는 루프상 전극에 의해 무선 IC 디바이스의 동작 주파수를 실질적으로 결정하고 있다.
도 9B에 있어서, 방사전극(8)에는 비도전부(62)를 형성하고 있고, 상기 비도전부(62)의 내부이면서 또한 루프상 전극(7)이 방사전극(8)의 3변에 근접하도록 루프상 전극(7), 정합회로(67) 및 전자결합모듈(1)을 배치하고 있다. 정합회로(67) 및 전자결합모듈(1)의 실장부의 구성은 도 9A의 예와 동일하다.
이러한 구성에 의해, 루프상 전극(7)은 자계 방사체로서 작용하여 방사전극(8)과 결합하고, 도 3에 나타낸 것과 동일한 작용에 의해 방사전극(8)이 방사체로서 작용한다.
또한 도 9A의 금속막(65) 또는 도 9B의 방사전극(8)은, 예를 들면 휴대전화 단말 내부의 회로기판상에 형성한 베타전극이어도 된다.
<<제6의 실시형태>>
도 10은 제6의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스에 사용하는 전자결합모듈(1)의 외관 사시도이다. 상기 전자결합모듈(1)은 다른 실시형태에서의 각 무선 IC 디바이스에 적용할 수 있는 것이다. 상기 전자결합모듈(1)은 무선 IC 칩(5)과 급전회로기판(4)으로 구성되어 있다. 급전회로기판(4)은 방사체로서 작용하는 금속 막(65)과 무선 IC 칩(5) 사이의 임피던스 정합을 취하는 동시에 공진회로로서 작용한다.
도 11은 급전회로기판(4)의 내부의 구성을 나타내는 분해도이다. 상기 급전회로기판(4)은 각각에 전극패턴을 형성한 복수의 유전체층을 적층하여 이루어지는 다층기판으로 구성되어 있다. 최상층의 유전체층(41A)에는 무선 IC 칩 실장용 랜드(35a~35d)를 형성하고 있다. 유전체층(41B)에는 무선 IC 칩 실장용 랜드(35b)와 도통하는 커패시터 전극(51)을 형성하고 있다. 유전체층(41C)에는 커패시터 전극(51)과의 사이에서 커패시터(C1)를 구성하는 커패시터 전극(53)을 형성하고 있다. 유전체층(41D~41H)에는 인덕터 전극(45a,45b)을 각각 형성하고 있다. 이들 복수층에 걸쳐 형성한 인덕터 전극(45a,45b)은 전체적으로 2중의 스파이럴(spiral)상을 이루고, 서로 강하게 유도 결합하는 인덕터(L1,L2)를 구성하고 있다. 또한 유전체층(41F)에는 인덕터(L1)와 도통하는 커패시터 전극(54)을 형성하고 있다. 커패시터 전극(54)은 상기 2개의 커패시터 전극(53,55) 사이에서 끼워져 커패시터를 구성한다. 또한 유전체층(41H)에는 커패시터 전극(53)과 도통하는 커패시터 전극(55)을 형성하고 있다. 각 유전체층의 전극간은 비아홀(42a~42i)로 도통시키고 있다.
커패시터 전극(55)은 도 8에 나타낸 금속막(65)의 컷아웃부에 생기는 금속막의 단부(65b)에 대향하여 그 사이에서 용량을 구성한다. 또한 인덕터 전극(45a,45b)과, 그에 대향하는 금속막 부분(65a)은 전자계적으로 결합한다.
도 12는 도 11에 나타낸 급전회로기판 및 금속막의 컷아웃부를 포함한 등가회로도이다. 도 12에 있어서 커패시터(C1)는 도 11에 나타낸 커패시터 전극(51-53) 사이에 생기는 용량, 커패시터(C2)는 도 11에 나타낸 커패시터 전극(54와 53,55) 사이에 생기는 용량, 인덕터(L1,L2)는 도 11에 나타낸 인덕터 전극(45a,45b)에 의한 것이다. 도 12에 나타내는 금속막(65)은 도 8에 나타낸 컷아웃부(66)의 내주 단연에 따른 루프이고, 커패시터 전극(55)이 상기 일단(65b)과 용량성 결합하고, 타단(65a)이 인덕터(L1,L2)와 전자계적으로 결합함으로써, 컷아웃부(66)의 내주 단연에 따른 루프가 루프상 전극으로서 작용한다.
또한 제4의 실시형태에서는 금속막의 컷아웃부의 내주 끝에 따른 루프를 루프상 전극으로서 작용시켰지만, 도 3 등에 나타낸 바와 같이 컷아웃부 내에 루프상 전극을 형성하고, 상기 루프상 전극에 대하여, 무선 IC 칩(5)과 급전회로기판(4)에 의한 전자결합모듈(1)을 실장하도록 구성해도 된다. 그 경우에는 상기 루프상 전극과 금속막(65)이 결합하여 금속막(65)이 방사체로서 작용한다.
급전회로기판(4)에 있어서는, 인덕턴스 소자(L1,L2)와 그 부유 용량으로 구성되는 공진회로에서 공진 주파수가 결정된다. 방사전극으로부터 방사되는 신호의 주파수는 공진회로의 자기 공진 주파수에 의해 실질적으로 정해진다.
급전회로기판(4)상에 상기 무선 IC 칩(5)을 탑재하여 이루어지는 전자결합모듈(1)은 도시하지 않는 리더·라이터로부터 방사되는 고주파 신호(예를 들면 UHF 주파수대)를 방사전극을 통해 수신하고, 급전회로기판(4) 내의 공진회로를 공진시켜, 소정의 주파수대의 수신 신호만을 무선 IC 칩(5)에 공급한다. 한편, 이 수신 신호로부터 소정의 에너지를 추출하고, 이 에너지를 구동원으로 하여 무선 IC 칩(5)에 메모리되어 있는 정보를 공진회로에서 소정의 주파수로 정합시킨 후 방사 전극에 전달하여 상기 방사전극으로부터 리더·라이터에 송신·전송한다.
이와 같이, 급전회로기판 내에 공진회로를 마련함으로써, 주파수의 선택성이 높아져 자기 공진 주파수에 의해 무선 IC 디바이스의 동작 주파수를 거의 결정할 수 있다. 그에 따라 RFID 시스템에서 사용하는 주파수 신호의 에너지의 수수(송수신)를 고효율하에서 행할 수 있다. 또한 방사체의 형상이나 사이즈를 고려하여 최적의 공진 주파수로 설정할 수 있고, 이것에 의해 무선 IC 디바이스의 방사 특성을 향상시킬 수 있다.
또한 무선 IC 칩과 급전회로기판의 실장용 랜드는 전기적으로 도통시킴으로써 접속해도 되고, 절연하여 용량에 의해 접속해도 된다.
또한 상기 급전회로기판 내에 정합회로를 마련함으로써 RFID 시스템에서 사용하는 주파수 신호의 에너지의 수수(송수신)를 고효율하에서 행할 수 있다.
<<제7의 실시형태>>
도 13은 제5의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스의 주요부의 구성을 나타내는 사시도, 도 14는 그 확대 부분 단면도이다.
도 13에 있어서 기재(10)는 상기 무선 IC 디바이스를 마련하는 물품의 기재이고, 예를 들면 알루미늄 증착 라미네이트 필름이다. 상기 기재(10)의 알루미늄 증착층에는, 제1의 실시형태에서 나타낸 컷아웃부 또는 제2의 실시형태에서 나타낸 비도전부에 소정 부분에서 개방한 루프상 전극(30)을 형성하고 있다. 그 개방한 2개의 단부(30a,30b)의 상부에 절연층을 통해 인덕터 전극(20) 및 커패시터 전극(25)을 형성하고 있다. 인덕터 전극(20)은 스파이럴상이며, 후술하는 바와 같이, 그 내측의 단부는 커패시터 전극(25)에 접속되어 있다.
이 인덕터 전극(20)과 커패시터 전극(25)의 단부에는 도면 중의 확대도에 나타내는 바와 같이 무선 IC 칩(5)을 탑재하고 있다. 즉 인덕터 전극(20)의 단부에 무선 IC 칩 실장용 랜드(35a), 커패시터 전극(25)의 단부에 무선 IC 칩 실장용 랜드(35b)를 각각 형성하고, 또한 실장용 랜드(35c,35d)를 형성하여 무선 IC 칩(5)을 탑재하고 있다.
도 14는 도 13에서의 Ⅱ-Ⅱ 부분의 단면도이다. 도 14에 나타내는 바와 같이, 인덕터 전극(20)은 루프상 전극의 단부(30a)에 대향하고 있다. 와이어(21)는 도 13에 나타낸 인덕터 전극(20)의 내측의 단부와 커패시터 전극(25)을 접속하고 있다.
이와 같이 임피던스 조정용 및 공진 주파수 조정용의 커패시터 및 인덕터를 물품의 기재(10)측에 형성하여 무선 IC 칩(5)을 직접 실장하도록 해도 된다.
<<제8의 실시형태>>
도 15는 제6의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스의 급전회로기판(40)의 분해 사시도이다. 또한 도 16은 그 등가 회로도이다.
급전회로기판(40)은 각각에 전극패턴을 형성한 복수의 유전체층을 적층하여 이루어지는 다층 기판으로 구성하고 있다. 최상층의 유전체층(41A)에는 무선 IC 칩 실장용 랜드(35a~35d)를 형성하고 있다. 유전체층(41B)에는 무선 IC 칩 실장용 랜드(35b)와 도통하는 커패시터 전극(51)을 형성하고 있다. 유전체층(41C)에는 커패시터 전극(51)과의 사이에서 커패시터(C1)를 구성하는 커패시터 전극(53)을 형성하 고 있다. 유전체층(41D~41H)에는 인덕터 전극(45a,45b)을 각각 형성하고 있다. 이들 복수층에 걸쳐 형성한 인덕터 전극(45a,45b)은 전체적으로 2중의 스파이럴상을 이루는 인덕터(L1)를 구성하고 있다. 또한 유전체층(41F)에는 인덕터(L1)와 도통하는 커패시터 전극(54)을 형성하고 있다. 커패시터 전극(54)은 상기 2개의 커패시터 전극(53,55(56)) 사이에서 끼워져 커패시터를 구성한다. 또한 유전체층(41H)에는 커패시터 전극(53)과 도통하는 커패시터 전극(55)을 형성하고 있다.
유전체층(41I)에는 커패시터 전극(56,57)을 형성하고 있다. 커패시터 전극(56)은 커패시터 전극(53,55)과 도통하고 있다. 또한 커패시터 전극(57)은 인덕터 전극(45a,45b)과 전자계적으로 결합한다.
유전체층(41J~41N)에는 각각 인덕터 전극(46,47)을 형성하고 있다. 상기 인덕터 전극(46,47)에 의해 복수회 권회된 루프상 전극(L2)을 구성하고 있다. 각 유전체층의 전극간은 비아홀(42a~42m)로 도통시키고 있다.
즉 상기 급전회로기판(40)은 정확히 도 11에 나타낸 급전회로기판(4)에 루프상 전극을 포함하여 구성한 것이다. 따라서 상기 급전회로기판(40)에 무선 IC 칩을 실장하여 이루어지는 전자결합모듈을 물품에 탑재하는 것만으로 무선 IC 디바이스를 구성할 수 있어, 물품측에는 루프상 전극을 형성할 필요가 없다.
도 16에 있어서 커패시터(C1)는 도 15에 나타낸 커패시터 전극(51-53) 사이에 생기는 용량, 커패시터(C2)는 도 15에 나타낸 커패시터 전극(54과 53,55) 사이에 생기는 용량, 인덕터(L1a,L1b)는 각각 도 15에 나타낸 인덕터 전극(45a,45b)에 의한 것이고, 인덕터(L2)는 도 15에 나타낸 인덕터 전극(46,47)에 의한 것이다.
<<제9의 실시형태>>
도 17은 제7의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스에서 사용하는 전자결합모듈의 평면도이다. 도 17A의 예에서는 기판(11)에 전극패턴에 의해 루프상 전극(12) 및 무선 IC 칩 실장용 랜드를 형성하고 있고 무선 IC 칩(5)을 실장하고 있다.
도 15에 나타낸 예에서는 급전회로기판에 루프상 전극과 함께 임피던스 정합 및 공진 주파수 조정용의 커패시터 및 인덕터를 형성했지만, 이 도 17에 나타내는 예에서는 기본적으로 루프상 전극과 무선 IC 칩을 일체화한 것이다.
도 17B의 예에서는, 기판(11)의 상면과 하면에 각각 스파이럴상의 전극패턴을 형성하고, 기판(11)을 끼우는 커패시터 전극을 스파이럴상 전극패턴의 중앙부에 배치하여, 그 커패시터를 통해 상면의 선로와 하면의 선로를 접속하고 있다. 즉 기판(11)의 양면을 이용하여 한정된 면적 내에 경로길이 및 인덕턴스를 얻어 루프상 전극(12)을 형성하고 있다.
도 17에 나타낸 2개의 전자결합모듈(2,3)은 모두 방사체로서 작용하는 물품의 금속막이나 금속판에 근접시키고, 상기 방사전극과 루프상 전극(12)을 용량성 결합시키도록 배치한다. 이것에 의해, 물품측에는 특별한 회로를 형성하지 않고 제1·제2의 실시형태의 경우와 마찬가지로 물품의 금속막이나 금속판을 안테나의 방사체로서 이용할 수 있다.
<<제10의 실시형태>>
도 18은 제10의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스의 구성을 나타내는 도면이다.
제1~제9의 실시형태에서는 도체면이 면상으로 퍼지는 물품 포장체(60), 금속 평면체(63), 금속막(65) 등을 방사체로서 작용시켰지만, 제10의 실시형태에서는 면상으로 퍼지는 도체면으로부터 절연된 공진기로서 작용하는 공진 도체를 포함한 것이다.
도 18A는 프린트 배선기판상에 RFID 태그를 구성하는 경우의 프린트 배선기판상의 도체패턴의 평면도이다. 또한 도 18B는 상기 프린트 배선기판상에 무선 IC 칩과 급전회로기판으로 이루어지는 전자결합모듈(1)을 실장하여 구성한 RFID 태그로서 작용하는 무선 IC 디바이스의 평면도이다.
프린트 배선기판(80)의 상면에는 다른 회로의 그라운드 전극으로서 사용하는 금속막(65)을 형성하고 있다. 상기 금속막(65)의 일부에 컷아웃부(금속막의 비형성부)(66)를 형성하고, 컷아웃부(66)의 내부에는 고주파 디바이스(전자결합모듈 또는 무선 IC 칩)의 실장부인 금속막 부분(65a,65b)을 형성하고 있다.
도 18B에 나타내는 바와 같이, 상기 금속막 부분(65a,65b)에 고주파 디바이스(1)를 실장함으로써, 컷아웃부(66)의 내주 단연에 따른 부분이 루프상 전극으로서 작용한다. 상기 고주파 디바이스(1)의 실장 영역이 무선 IC 디바이스의 주요부(6)를 구성하고 있다.
프린트 배선기판(80)의 상면에는 상기 고주파 디바이스(1)와 결합하는 공진 도체(68)를 형성하고 있다. 상기 공진 도체(68)는 그 공진 주파수가 RFID 태그로 사용하는 주파수 또는 그 부근의 주파수가 되도록 그 치수(특히 길이)를 정하고 있다. 예를 들면 유리·에폭시 기판을 사용하고, 동작 주파수가 UHF대인 경우, 양단 개방의 1/2 파장 공진기로서 작용하도록 공진 도체(68)의 길이를 십 몇cm로 하면 된다.
이 공진 도체(68)는 고주파 디바이스(1)와 결합하도록 그 중앙부가 상기 무선 IC 디바이스의 주요부(6)의 루프상 전극에 근접하도록 배치하고 있다. 또한 이 예에서는 금속막(65)의 한 변에 따라 절연상태로 배치하고 있다.
도 18B에 있어서, 공진 도체(68) 내에 나타낸 화살표(J)는 전류 경로, 화살표(EF)는 전계 분포, 화살표(MF)는 자계 분포를 각각 대표적으로 나타내고 있다. 이와 같이 공진 도체(68)에 흐르는 전류의 강도는 중심 부근에서 최대가 된다. 이 때문에 공진 도체(68)에서 발생하는 자계는 중심 부근에서 최대가 되어, 공진 도체(68)는 컷아웃부(66)의 내주 단연에 따른 부분의 루프상 전극과 강하게 자계 결합한다.
공진 도체(68)가 RFID 태그의 동작 주파수 부근에서 공진하고 있는 상태에서는, 공진 도체(68)를 흐르는 전류와, 공진 도체(68)의 양단에 발생하는 전압은 커진다. 이 전류와 전압에 의해 발생하는 자계와 전계에 의해서도 공진 도체(68)는 금속막(65)과 결합한다.
상기 공진 도체(68)에서 발생하는 정상파의 전압의 피크는 공진 도체(68)의 끝에서 가능하다. 이 예에서는 공진 도체(68)의 길이가 방사체로서 작용하는 금속막(65)의 한 변과 거의 같은 길이이므로 공진 도체(68)와 금속막(65)은 강하게 결합한다. 그 때문에 높은 이득이 얻어진다.
이상에서 기술한 작용에 의해 RFID 태그로서 뛰어난 특성이 얻어진다.
공진 도체(68)가 존재하지 않는 경우는 금속막(65)으로 RFID 태그의 동작 주파수로 공진하면 되는데, 금속막(65)의 사이즈의 제약이나 프린트 배선기판상에의 탑재 부품에 의해 공진 주파수는 어긋난다. 이 실시형태에 의하면, 금속막(65)과 공진 도체(68)가 떨어져 있기 때문에 공진 도체(68) 단체(單體)로 설계할 수 있고, 탑재 부품에 의한 공진 주파수의 어긋남도 생기지 않는다.
또한 이 제10의 실시형태에서는, 프린트 배선기판에 형성하는 전극패턴으로서 그라운드 전극으로서의 금속막과 공진 도체만을 나타내었는데, 구성하는 회로나 탑재하는 전자부품에 따라 전극패턴은 적당히 정해진다. 이것은 이후에 나타내는 다른 각 실시형태에 대해서도 동일하다.
이러한 프린트 배선기판상에 RFID 태그를 구성하고, 제조공정 이력 등의 정보를 기입하면 프린트 배선기판으로의 부품 실장공정 등의 관리가 가능해진다. 예를 들면, 전자부품의 불량이 로트(lot) 단위로 발각된 경우, 그 로트에 포함되어 있던 전자부품을 탑재한 매우 소수의 전자기기를 회수하는 것만으로 대책이 가능해진다. 또한 시장에서의 제품 가동시에서의 애프터 서비스나 유지 관리를 신속히 행할 수 있게 되어, 폐기 후에 자원으로서 리사이클할 때의 공정이 간단해진다는 효과도 발휘한다.
또한 공정 관리가 끝난 후 프린트 배선기판의 공진 도체(68) 형성 부분을 떼어 내어도 된다. 이것에 의해, 프린트 배선기판의 사이즈를 작게할 수 있고, RFID 태그로서의 기능을 잃지 않고 제품의 사이즈를 작게할 수 있다. 공정 관리시는 공진 도체(68)가 존재하기 때문에 리더·라이터의 출력 레벨을 억제해도 데이터의 판 독이 가능하다. RF 신호의 출력을 억제함으로써 제어기기나 특성 측정기기 등의 오동작을 억제할 수 있다. 게다가, 공진 도체(68)를 떼어낸 후도 금속막(65)은 방사체로서 작용하므로, 리더·라이터와의 통신 가능 거리는 짧아지지만 통신은 가능하다.
일반적으로 제조공정에 있어서 프린트 배선기판을 반송할 때에 프린트 배선기판의 양 옆에 레일을 배치하여 그 위를 흘려 보내는 경우가 있다. 이 때 레일에 맞닿는 부분의 파손을 방지하기 위해 프린트 배선기판에는 최종적으로 떨어져 나오는 여백 부분이 마련된다. 이 부분에 상기 공진 도체(68)를 형성하면 프린트 배선기판의 불필요한 부분이 없어진다.
또한 그라운드 전극인 상기 금속막(65)은 프린트 배선기판의 복수의 층에 있어도 된다. 이 경우, 각 층의 상기 컷아웃부(66)의 영역은 자속이 빠지도록 금속막의 비형성부로 한다.
이 실시형태에 의하면, RFID 태그의 동작 주파수에서의 방사 이득이 높아져 RFID로서 뛰어난 특성이 얻어진다. 또한 공진 도체의 공진 주파수는 프린트 배선기판으로의 실장 부품의 영향을 받지 않기 때문에 설계가 용이해진다.
<<제11의 실시형태>>
도 19~도 21은 제11의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스의 몇 가지의 구성을 나타내는 도면이다. 모두 프린트 배선기판상에 RFID 태그를 구성하여 이루어지는 무선 IC 디바이스의 평면도이다.
도 19A, 도 19B의 예에서는 프린트 배선기판(80)의 상면에 다른 회로의 그라 운드 전극으로서 사용하는 금속막(65)을 형성하고 있다. 상기 금속막(65)의 일부에 컷아웃부(금속막의 비형성부)를 형성하고, 컷아웃부의 내부에 고주파 디바이스(전자결합모듈 또는 무선 IC 칩)를 실장하여, 도 18에 나타낸 것과 동일한 무선 IC 디바이스의 주요부(6)를 구성하고 있다.
도 18에 나타낸 구성과 다른 것은 공진 도체(68)의 길이가 방사체로서의 금속막(65)의 한 변보다 상대적으로 짧은 것이다. 도 19A의 예에서는 공진 도체(68)를 금속막(65)의 한 변을 따라 형성하고 있다. 도 19B의 예에서는 금속막(65)의 형성 영역 내에 그로부터 분리된 위치에 공진 도체(68)를 형성하고 있다.
이러한 관계에 있어서도, 프린트 배선기판(80) 및 금속막(65)의 면적이 크고(길고), 금속막(65)에 의한 공진 주파수가 낮은 경우에, 공진 도체(68)의 공진 주파수를 RFID의 동작 주파수 부근으로 할 수 있기 때문에 높은 이득이 얻어진다.
도 20의 예에서는 공진 도체(68)를 미앤더 라인 형상으로 하여 그 전체를 금속막(65)의 한 변을 따라 배치하고 있다.
이 구성에 의하면, 공진 도체(68)의 외형이 짧아도 공진기 길이를 길게 할 수 있으므로 보다 낮은 주파수로 공진시킬 경우에 높은 이득이 얻어진다.
도 21의 예에서는 방사체로서 작용시키는 금속막(65)의 한 변보다 공진 도체(68)가 상대적으로 길다. 또한 방사체로서 작용시키는 금속막(65)의 한 변의 중앙으로부터 벗어난 위치에 무선 IC 디바이스의 주요부(6)를 구성하고 있다. 이러한 경우에도, 도 21A, 도 21B에서 나타내는 바와 같이, 공진 도체(68)의 중앙부가 무선 IC 디바이스의 주요부(6)의 루프상 전극에 근접하도록 배치하면 된다.
도 21A의 예에서는, 금속막(65)의 인접 위치에서 여백이 되는 부분에 다른 그라운드 전극 또는 그 밖의 회로를 구성하기 위한 금속막(69)을 형성하고 있다. 또한 도 21B의 예에서는 금속막(65)의 2변을 따라 공진 도체(68)를 형성하고 있다.
이와 같이 방사체로서 작용하는 금속막(65)의 패턴이 작은 경우에도, 필요한 공진 주파수가 얻어지는 길이의 공진 도체(68)를 포함함으로써 높은 이득이 얻어진다.
<<제12의 실시형태>>
도 22는 제12의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스의 구성을 나타내는 도면이다.
도 22에 있어서, 프린트 배선기판(80)의 상면의 2개의 금속막(65A,65B)에 각각 도 18에 나타낸 것과 동일한 무선 IC 디바이스의 주요부(6)를 구성하고 있다. 그리고, 상기 2개의 무선 IC 디바이스의 주요부(6)에 마련된 고주파 디바이스와 함께 결합하는 공진 도체(68)를 형성하고 있다. 즉 한 개의 공진 도체(68)를 2개의 고주파 디바이스에 겸용하고 있다.
예를 들면, 프린트 배선기판(80)이 금속막(65A) 형성측과 금속막(65B) 형성측에 최종적으로 떼어냄으로써 주파수대가 다른(예를 들면 같은 UHF대여도 보내는 곳에 따른 규격의 주파수의) RFID 태그를 구성할 수 있다.
방사체로서 작용하는 금속막(65)의 한 변보다 공진 도체(68)가 긴 경우에는, 이와 같이 복수의 고주파 디바이스의 공진기로서 용이하게 겸용할 수 있다. 또한 겸용하는 주파수가 다른 경우에도, 그 공진 주파수를 복수의 RFID 태그로 사용하는 주파수에 근사(近似)한 주파수로 설정해 두면 된다.
상기 공진 도체(68)를 제조공정에서만 사용하는 경우에는, 나중에 프린트 배선기판(80)으로부터 분리되게 되므로, 모(母) 프린트 배선기판에 전극패턴의 불필요한 공간이 생기지 않아 공진 도체(68)를 형성하는 것에 의한 비용 증가를 피할 수 있다.
<<제13의 실시형태>>
도 23은 제13의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스의 몇 가지 구성을 나타내는 도면이다. 모두 프린트 배선기판상에 RFID 태그를 구성하여 이루어지는 무선 IC 디바이스의 평면도이다.
도 23A, 도 23B의 예에서는, 프린트 배선기판(80)의 상면에는 다른 회로의 그라운드 전극으로서 사용하는 금속막(65)을 형성하고 있다. 상기 금속막(65)의 일부에 도 18에 나타낸 것과 동일한 무선 IC 디바이스의 주요부(6)를 구성하고 있다.
도 18에 나타낸 구성과 다른 것은 공진 도체(68)의 중앙부 부근만을 무선 IC 디바이스의 주요부(6)의 루프상 전극에 근접 배치하고 있다. 방사체로서 작용하는 금속막(65)의 한 변의 길이와 공진 도체(68)의 길이의 관계에 따라서는, 이와 같이 공진 도체(68)의 양단 부근이 금속막(65)으로부터 떨어진 형상이어도 된다.
<<제14의 실시형태>>
도 24는 제14의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 18에 나타낸 예와 다른 것은 방사체로서의 금속막(65)의 2변을 따라 공진 도체(68A,68B)를 각각 배치한 것이다.
한 쪽의 공진 도체(68A)는 도 18에 나타낸 경우와 마찬가지로 무선 IC 디바이스의 주요부(6)에 마련된 고주파 디바이스에 강하게 결합한다. 다른 쪽의 공진 도체(68B)는 금속막(65)을 따라 근접하고 있음으로써 금속막(65)에 분포하는 전자계를 통해 상기 고주파 디바이스와 결합한다. 어느 공진 도체(68A,68B)도 양단 개방의 1/2 파장 공진기로서 작용한다.
복수의 공진 도체(68)는 금속막(65)의 대향하는 2변을 따라 배치하는 것에 한정되지 않고, 직교 관계에 있는 변을 따라 각각 배치해도 된다.
<<제15의 실시형태>>
도 25는 제15의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스의 구성을 나타내는 평면도이다.
제10~제14의 실시형태에서는 공진 도체를 프린트 배선기판상에 형성했지만, 제15의 실시형태에서는 공진 도체를 무선 IC 디바이스의 탑재 기기의 금속 케이스나 탑재 부품 등의 탑재 도체 부품(81)에 겸용시키고 있다.
이와 같은 구성에 의해, 무선 IC 디바이스의 탑재 기기의 금속 케이스나 탑재 부품 등이 공진기로서 작용하므로, 프린트 배선기판상에 특별히 공진 도체를 형성할 필요가 없어져, 프린트 배선기판(80)의 축소화가 가능해지고 저비용화를 도모할 수 있다.
<<제16의 실시형태>>
제16의 실시형태는 공진 도체를 고정해 두고, 프린트 배선기판이 공정 라인 을 흘러갈 때에 리더·라이터 사이에서 통신하도록 한 것이다.
도 26은 제16의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스의 구성을 나타내는 평면도이다. 도 26에 있어서, 공정 라인 설치 도체(82)는 프린트 배선기판(65)이 흐르는 공정 라인을 따라 배치되어 있다. 리더·라이터는 상기 공정 라인 설치 도체(82)에 비교적 가까운 위치(반드시 근접 위치는 아님)에 배치하고 있다.
프린트 배선기판(80)의 금속막(65)에는 도 18에 나타낸 것과 동일한 무선 IC 디바이스의 주요부(6)를 구성하고 있다.
이 프린트 배선기판(80)이 공정 라인을 흘러 무선 IC 디바이스의 주요부(6)가 공정 라인 설치 도체(82)에 근접했을 때, 공정 라인 설치 도체(82)는 RFID 태그의 주파수에서 공진하는 공진기로서 작용한다. 그 때문에, 그 상태로 상기 리더·라이터와의 사이에서 고이득하에서 통신할 수 있다.
이러한 구성 및 통신방법에 의해, 프린트 배선기판상에는 공진 도체가 불필요하므로 배선 가능 부분의 면적이 늘어난다. 또한 프린트 배선기판(80)이 공정 라인 설치 도체(82)에 근접했을 때만 RFID 태그로서 동작시킬 수 있기 때문에 특정 위치에 있는 RFID 태그와만 통신 가능해진다. 즉, 통신하고 싶지 않은 주위의 RFID 태그와는 통신하지 않고 소망의 RFID 태그와만 선택적으로 통신할 수 있다.
<<제17의 실시형태>>
도 27A는 무선 IC 디바이스를 포함한 휴대전화 단말의 사시도, 도 27B는 내부의 회로기판의 주요부의 단면도이다. 휴대전화 단말 내의 회로기판(15)에는 전자부품(17,18)과 함께 무선 IC 칩(5)을 탑재한 급전회로기판(4)을 실장하고 있다. 회 로기판(15)의 상면에는 소정 면적으로 퍼지는 전극패턴(16)을 형성하고 있다. 상기 전극패턴(16)은 급전회로기판(4)을 통해 무선 IC 칩(5)과 결합하여 방사체로서 작용한다.
또한 그 밖의 예로서, 도 27A에 나타낸 휴대전화 단말의 내부의 컴포넌트(예를 들면 액정패널)의 뒷면에 마련되어 있는 금속패널에 무선 IC 디바이스를 구성해도 된다. 즉 제1~제7의 실시형태에서 나타낸 무선 IC 디바이스를 적용하여 상기 금속패널을 안테나의 방사체로서 작용시키도록 해도 된다.
또한 이상에 나타낸 각 실시형태 이외에도 소정의 넓이를 가지는 도전부를 가지는 물품이면 동일하게 적용할 수 있다. 예를 들면 PTP 포장(Press Through Package) 등 알루미늄박을 포함하는 복합 필름으로 포장된 약이나 과자에도 적용할 수 있다.
<<제18의 실시형태>>
도 9A에 나타낸 예에서는 방사체로서 작용하는 금속막(65)을 시트재 또는 판재에 형성하고, 상기 금속막(65)의 일부에 컷아웃부(66)를 형성함으로써, 상기 컷아웃부(66)의 내주 단연에 따른 부분을 루프상 전극으로서 작용시켰다. 이러한 구성을 프린트 배선기판에 적용할 경우, 프린트 배선기판에 구성되는 회로에 의해 RFID 태그로서의 특성이 변동하기 때문에 프린트 배선기판의 설계상의 난이도가 높아진다. 제18의 실시형태는 상기의 문제를 해소하는 것이다.
도 28은 제18의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스용 부품의 구성을 나타내는 평면도이다. 유리·에폭시 기판 등의 프린트 배선기판(13)에 전자결합모듈(1)을 탑재하는 탑재부, 정합회로(67), 및 선상전극인 루프상 전극(7)을 형성하고 있다. 루프상 전극(7)의 단부는 도면 중 A로 나타내는 솔더링용 전극부로서 프린트 배선기판(13)의 한 변의 단부에까지 인출되어 있다. 이와 같은 프린트 배선기판(13)에 전자결합모듈(1)을 탑재하여 무선 IC 디바이스용 부품(111)을 구성한다.
도 29는 제18의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스용 부품을 사용한 무선 IC 디바이스의 구성을 나타내는 평면도이다. 이 도 29에 나타내는 바와 같이, 프린트 배선기판(80)의 루프상 전극을 형성하고자 하는 위치에 무선 IC 디바이스용 부품(111)을 솔더링한다. 프린트 배선기판(80)의 전극에 레지스트막이 피복되어 있는 경우에는 루터(router) 등을 사용해 레지스트막을 벗겨내어 솔더링할 수 있도록 해둔다. 이 상태로 RFID 태그로서의 판독 거리 등의 특성이나, 장치에 편입했을 때의 주위의 배선, 케이스체 등의 영향을 확인한다.
특성 등의 확인의 결과로부터 최적의 위치를 정하면, 도 30에 나타내는 바와 같이, 프린트 배선기판(80)상의 그라운드 전극 형성 영역 내에서 상기 무선 IC 디바이스용 부품(111)의 부착 위치에 가까운 위치에 정합회로(67) 및 전자결합모듈(1)의 탑재부를 형성하여 전자결합모듈(1)을 실장한다. 이것에 의해, 프린트 배선기판(80)에 무선 IC 디바이스의 주요부(6)를 구성한다.
<<제19의 실시형태>>
도 31은 제19의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스용 부품 및 그것을 포함한 무선 IC 디바이스의 구성을 나타내는 평면도이다.
이 예에서는, 도 31A에 나타내는 바와 같이 프린트 배선기판(80)에 무선 IC 디바이스용 부품(111)을 부착하는 위치에 절삭부(C)를 형성하고, 도 31B에 나타내는 바와 같이 거기에 무선 IC 디바이스용 부품(111)을 솔더링에 의해 부착한다. 솔더링은 전극이 접하는 부분의 전체에 행하는 편이 좋다.
이 구조에 의하면, 도 29에 나타낸 예보다도 무선 IC 디바이스용 부품(111)을 부착한 상태가 최종의 형상에 가까워, 보다 정밀도가 높은 설계를 행할 수 있다.
<<제20의 실시형태>>
도 32는 제20의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스용 부품의 구성을 나타내는 평면도, 도 33은 그것을 포함한 무선 IC 디바이스의 구성을 나타내는 평면도이다.
이 예는 무선 IC 디바이스용 부품의 뒤쪽에 솔더링용 전극부(88)를 형성하고, 표면의 루프상 전극(7)과 스루홀(87) 등으로 접속한 것이다. 도 33에 나타내는 바와 같이 솔더링용 전극부(88)를 프린트 배선기판(80)의 그라운드 전극에 솔더링한다.
이와 같이 이면(裏面)에 솔더링용 전극부(88)를 마련함으로써 그라운드 전극의 형성 위치가 프린트 배선기판(80)의 단연에까지 퍼져 있지 않아도 프린트 배선기판(80)상에 용이하게 실장할 수 있다.
<<제21의 실시형태>>
도 34는 제21의 실시형태에 따른 무선 IC 디바이스용 부품(113)의 구성을 나타내는 평면도이다. 유리·에폭시 기판 등의 프린트 배선기판(13)에 전자결합모 듈(1)을 탑재하는 탑재부, 정합회로(67), 및 루프상 전극(7)을 형성하고 있다. 루프상 전극(7)은 도 28에 나타낸 예와 달리 선상전극의 단부끼리가 도통시켜 루프상 전극을 형성하고 있다.
이러한 프린트 배선기판(13)에 전자결합모듈(1)을 탑재하여 무선 IC 디바이스용 부품(113)을 구성한다. 상기 무선 IC 디바이스용 부품(113)을 도 29 또는 도 31에 나타낸 바와 같이 프린트 배선기판에 부착한다.
이 무선 IC 디바이스용 부품(113)은 루프상 전극(7)이 솔더링 등의 부착 상태에 영향을 받지 않기 때문에 임피던스 등의 변동이 적고 정밀도가 높은 설계를 행할 수 있다. 또한 전자부품으로서 사용한 경우 특성의 편차가 작다.
또한 이상의 각 실시형태에서는 전자결합모듈의 무선 IC에는 무선 IC 칩을 사용하였지만, 본 발명은 무선 IC 칩을 사용하는 것에 한정되지 않고, 예를 들면 유기 반도체 회로를 기판상에 형성하여 무선 IC를 구성해도 된다.

Claims (24)

  1. 무선 IC와 상기 무선 IC에 도통 혹은 전자계 결합하는 동시에 외부회로에 결합하는 급전회로기판으로 이루어지는 전자결합모듈 또는 무선 IC 칩인 고주파 디바이스와,
    상기 고주파 디바이스를 탑재하는 동시에 상기 고주파 디바이스와 결합하는 물품의 일부이며, 방사체로서 작용하는 방사전극을 포함한 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 방사전극은 소정의 넓이를 가지는 도전부를 포함하고, 상기 도전부의 단연부에 컷아웃부를 가지며, 상기 컷아웃부에 상기 고주파 디바이스가 배치되는 동시에 상기 고주파 디바이스가 상기 도전부의 컷아웃부로 상기 도전부에 결합한 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 방사전극은 소정의 넓이를 가지는 도전부를 포함하고, 상기 도전부의 일부에 비도전부를 가지며, 상기 비도전부 내의 단부에 상기 고주파 디바이스가 배치되는 동시에 상기 고주파 디바이스가 상기 비도전부의 주변의 도전부에 결합한 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 고주파 디바이스와 결합하면서 상기 방사전극과 전기적으로 직접 도통하는 루프상 전극을, 상기 루프상 전극의 루프면이 상기 방사전극의 면 내 방향이 되는 방향으로, 상기 고주파 디바이스의 실장부에 포함한 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 고주파 디바이스와 결합하면서 절연층을 통해 상기 방사전극과 전자계 결합하는 루프상 전극을 상기 고주파 디바이스의 실장부에 포함한 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 고주파 디바이스의 실장부와 상기 루프상 전극 사이에, 상기 고주파 디바이스와 상기 루프상 전극을 직접 도통시키는 정합회로를 포함한 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 고주파 디바이스의 실장부와 상기 루프상 전극 사이에, 상기 고주파 디바이스와 상기 루프상 전극을 직접 도통시키는 정합회로를 포함한 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 급전회로기판 내에 공진회로 및 정합회로 중 적어도 하나를 포함한 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 공진회로의 공진 주파수는 상기 방사전극에 의해 송수신되는 신호의 주파수에 실질적으로 상당하는 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방사전극은 도전층을 포함하는 시트를 봉지상 또는 팩상으로 성형한 물품 포장체의 금속막층인 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스.
  11. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방사전극은 전자기기 내의 회로기판에 형성된 전극패턴인 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스.
  12. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방사전극은 전자기기 내의 컴포넌트의 이면에 마련된 금속판인 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스.
  13. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 고주파 디바이스의 동작 주파수 또는 그에 가까운 주파수의 공진 주파수를 가지고, 상기 고주파 디바이스와 결합하는 공진 도체를 포함한 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스.
  14. 제2항에 있어서,
    상기 고주파 디바이스의 동작 주파수 또는 그에 가까운 주파수의 공진 주파수를 가지고, 상기 고주파 디바이스와 결합하는 공진 도체를 포함하고,
    상기 공진 도체는 상기 방사전극의 상기 컷아웃부가 형성되어 있는 단연부(edge portion)에 대하여 평행하게 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 공진 도체는 상기 공진 도체가 근접하는 상기 방사전극의 변과 같은 길이를 가지는 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 고주파 디바이스의 배치 위치에 근접하는 위치에 중앙부가 위치하도록 상기 공진 도체를 배치한 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 고주파 디바이스를 복수 포함하고, 상기 공진 도체는 각 고주파 디바이스와 각각 결합하는 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 공진 도체는 상기 방사전극의 형성체에 대하여 분리 가능하게 마련된 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스.
  19. 제13항에 있어서,
    상기 공진 도체는 프린트 배선기판의 여백 부분에 형성된 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스.
  20. 제13항에 있어서,
    상기 공진 도체를 상기 무선 IC 디바이스의 탑재 기기의 케이스체 또는 상기 탑재 기기에 탑재되는 다른 부품에 겸용시킨 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스.
  21. 무선 IC와 상기 무선 IC에 도통 혹은 전자계 결합하는 동시에 외부회로에 결합하는 급전회로기판으로 이루어지는 전자결합모듈 또는 무선 IC 칩인 고주파 디바이스와,
    상기 고주파 디바이스를 탑재하는 동시에 한 쪽 단부가 상기 고주파 디바이스와 결합하는 적어도 2개의 선상전극을 포함한 기판을 포함한 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스용 부품.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 선상전극은 상기 선상전극의 다른 쪽 단부끼리가 도통하여 루프상 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스용 부품.
  23. 제21항에 기재된 무선 IC 디바이스용 부품과, 상기 적어도 2개의 선상전극의 다른 쪽 단부와 도통 접속되어 루프상 전극을 구성하는 방사전극을 포함한 물품으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스.
  24. 제22항에 기재된 무선 IC 디바이스용 부품과, 상기 루프상 전극과 도통하여 방사체로서 작용하는 도체를 포함한 물품으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 무선 IC 디바이스.
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