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KR101023317B1 - Manufacturing method of liquid crystal display device - Google Patents

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KR101023317B1
KR101023317B1 KR1020030076750A KR20030076750A KR101023317B1 KR 101023317 B1 KR101023317 B1 KR 101023317B1 KR 1020030076750 A KR1020030076750 A KR 1020030076750A KR 20030076750 A KR20030076750 A KR 20030076750A KR 101023317 B1 KR101023317 B1 KR 101023317B1
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black matrix
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colored
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김세준
박승렬
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 액정표시장치의 제조방법에 대해 개시된다. 개시된 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법은, 기판상에 블랙 매트릭스를 패터닝하여 형성하는 단계와; 상기 형성된 블랙 매트릭스의 패터닝된 간격 사이에 각각 제 1 착색층, 제 2 착색층, 제 3 착색층으로 컬러필터층을 형성하는 단계와; 상기 형성된 컬러필터층상에 오버코트층을 형성하는 단계와; 상기 오버코트층상에 공통 전극을 형성하는 단계를 포함하는 점에 그 특징이 있다.The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device. According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: forming a black matrix on a substrate; Forming a color filter layer with a first colored layer, a second colored layer, and a third colored layer between the patterned gaps of the formed black matrix, respectively; Forming an overcoat layer on the formed color filter layer; It is characterized in that it comprises the step of forming a common electrode on the overcoat layer.

본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법은, 유기 BM을 사용하는 컬러필터의 제조방법에 있어서, 두꺼운 유기 BM의 높이를 감소하지 않고 컬러필터층과 상기 유기 BM 공정에 따른 단차를 최소화 할 수 있다.
In the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the present invention, in the manufacturing method of the color filter using the organic BM, it is possible to minimize the step according to the color filter layer and the organic BM process without reducing the height of the thick organic BM.

블랙 매트릭스, 컬러필터층, 유기 물질Black matrix, color filter layer, organic material

Description

액정표시장치의 제조방법{FABRICATION METHOD FOR LCD}Manufacturing method of liquid crystal display device {FABRICATION METHOD FOR LCD}

도 1a 내지 도 1d는 종래에 따른 액정표시장치의 컬러필터 제조방법에 대한 순서를 도시한 도면.1A to 1D are views illustrating a procedure of a method of manufacturing a color filter of a liquid crystal display according to the related art.

도 2a 내지 도 2d는 종래에 따른 COT 구조의 액정표시장치의 제조 방법에 대한 도면.2A to 2D are diagrams illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display device having a COT structure according to the related art.

도 3a 및 도 3b는 종래에 따른 블랙 매트릭스와 컬러필터층간의 단차 발생을 보여주는 도면.3A and 3B illustrate a generation of steps between a black matrix and a color filter layer according to the related art.

도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 따른 액정표시장치의 컬러필터 제조방법에 대한 실시 예를 도시한 도면.4A to 4D illustrate an embodiment of a method of manufacturing a color filter of a liquid crystal display according to the present invention.

도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 따른 COT 구조의 액정표시장치의 제조방법에 대한 실시 예를 도시한 도면.5A to 5D illustrate an embodiment of a method of manufacturing a liquid crystal display device having a COT structure according to the present invention.

도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 따른 TOC 구조의 액정표시장치의 제조방법에 대한 실시 예를 도시한 도면.6A to 6D illustrate an embodiment of a method of manufacturing a liquid crystal display device having a TOC structure according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

41, 51, 70 --- 기판 42, 60, 72 --- 블랙 매트릭스41, 51, 70 --- Board 42, 60, 72 --- Black Matrix

43, 59, 71 --- 컬러필터층 44, 61, 73 --- 오버코트층 43, 59, 71 --- color filter layer 44, 61, 73 --- overcoat layer

45 --- 공통전극45 --- Common electrode

본 발명은 액정표시장치의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 유기 블랙 매트릭스를 사용하는 컬러필터의 제조방법에 있어서, 두꺼운 유기 블랙 매트릭스의 높이를 감소하지 않고 컬러필터층과 상기 유기 BM 공정에 따른 단차를 최소화할 수 있는 컬러필터 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a liquid crystal display device, and in particular, a method of manufacturing a color filter using an organic black matrix, in which a step according to the color filter layer and the organic BM process is minimized without reducing the height of the thick organic black matrix. It relates to a color filter manufacturing method that can be done.

최근에 액정표시장치는 소비전력이 낮고, 휴대성이 양호한 기술 집약적이며 부가가치가 높은 차세대 첨단 디스플레이(display)소자로 각광받고 있다. Recently, liquid crystal displays have been spotlighted as next generation advanced display devices having low power consumption, good portability, technology-intensive, and high added value.

이러한 액정표시장치중에서도, 각 화소(pixel)별로 전압의 온/오프를 조절할 수 있는 스위칭 소자가 구비된 액티브 매트릭스형 액정표시장치가 해상도 및 동영상 구현능력이 뛰어나 가장 주목받고 있다. Among such liquid crystal display devices, an active matrix liquid crystal display device having a switching element capable of controlling voltage on / off for each pixel is attracting the most attention due to its excellent resolution and video performance.

일반적으로, 액정표시장치는 스위칭 소자 및 화소 전극을 형성하는 어레이 기판 제조 공정과 컬러필터 및 공통 전극을 형성하는 컬러필터 기판 제조 공정을 통해, 각각 어레이 기판 및 컬러필터 기판을 형성하고, 이 두 기판 사이에 액정을 개재하는 액정셀 공정을 거쳐 완성된다. In general, a liquid crystal display device forms an array substrate and a color filter substrate through an array substrate manufacturing process for forming a switching element and a pixel electrode and a color filter substrate manufacturing process for forming a color filter and a common electrode, respectively. It completes through the liquid crystal cell process through a liquid crystal between them.

상기 액정표시장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용한다. 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 가지고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다. The driving principle of the liquid crystal display device uses the optical anisotropy and polarization property of the liquid crystal. Since the liquid crystal is thin and long in structure, the liquid crystal has directivity in the arrangement of molecules, and the direction of the molecular arrangement can be controlled by artificially applying an electric field to the liquid crystal.

따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의하여 상기 액정의 분자 배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상정보를 표현할 수 있다. Accordingly, when the molecular arrangement direction of the liquid crystal is arbitrarily adjusted, the molecular arrangement of the liquid crystal is changed, and light is refracted in the molecular arrangement direction of the liquid crystal due to optical anisotropy to express image information.

상기 액정표시장치는 가장 일반적인 방식으로, 컬러필터 기판과 박막 트랜지스터 배열기판을 서로 다른 공정을 통해 제작하고, 이들을 합착하는 방식을 적용한다. In the liquid crystal display device, the color filter substrate and the thin film transistor array substrate are fabricated through different processes and bonded to each other.

또한, 상술한 액정 표시장치의 제조공정을 단순화 하기 위해 박막 트랜지스터 배열기판에 컬러필터를 형성하는 이른바 '컬러필터 온 TFT(Color Filter on TFT ;이하'COT'라 칭함) 방식' 또는 'TFT 온 컬러필터(TFT on Color Filter ; 이하'TOC'라 칭함) 방식' 의 새로운 개념의 공정을 적용하기도 한다.In addition, in order to simplify the manufacturing process of the above-described liquid crystal display device, a so-called 'Color Filter on TFT (COT)' method or 'TFT on color' which forms a color filter on a thin film transistor array substrate. The new concept of the filter (TFT on Color Filter) method is also applied.

도 1a 내지 도 1d는 종래에 따른 액정표시장치의 컬러필터 제조방법에 대한 순서를 도시한 도면이다. 먼저, 도 1a에 도시된 바와 같이, 유리 기판(11) 세정을 실시한 후, 유기 물질을 증착하고, 마스크를 이용하여 패터닝하여 블랙 매트릭스(12)를 형성한다. 1A to 1D are views illustrating a procedure of a method for manufacturing a color filter of a liquid crystal display according to the related art. First, as shown in FIG. 1A, after cleaning the glass substrate 11, an organic material is deposited and patterned using a mask to form the black matrix 12.

한편, 상기 블랙매트릭스(12)는 Cr금속이 환경 규제를 받음으로써 유기 물질로 대체되어 형성된다. On the other hand, the black matrix 12 is formed by replacing the organic material by Cr metal is environmentally regulated.

이어서, 도 1b에 도시된 바와 같이, 상기 블랙 매트릭스(12) 형성 후, 색상을 구현하기 위해 적(RED), 녹(GREEN), 청(BLUE)의 제 1, 제 2, 제 3 착색층(color resist)을 사용하여 컬러필터층(13)을 패터닝한다. Subsequently, as shown in FIG. 1B, after the black matrix 12 is formed, the first, second, and third colored layers of red, green, and blue may be formed to realize color. The color filter layer 13 is patterned using a color resist.

이 때, 상기 제 1 , 제 2 , 제 3 착색층 패턴은 서로 상기 블랙 매트릭스(12)를 오버랩(Over lap)이 되도록 하여 공정 마진을 형성한다. In this case, the first, second, and third colored layer patterns overlap the black matrix 12 with each other to form a process margin.                         

이어서, 상기 형성된 컬러필터층(13)상에는 상기 블랙 매트릭스(12)와 평탄화를 위해 오버코트층(14)을 형성하게 된다. Subsequently, an overcoat layer 14 is formed on the formed color filter layer 13 to planarize the black matrix 12.

보다 상세히 설명하면, 상기 블랙 매트릭스(12)가 형성된 부분에 각각의 착색층이 오버랩되도록 형성되어 있는데 이는 공정중의 마진 폭을 넓게 가져가지 위함이다.In more detail, each color layer is formed to overlap the portion where the black matrix 12 is formed in order to bring a wide margin in the process.

그리고, 도 1c에 도시된 바와 같이, 상기 착색된 패턴의 보호와 평탄화를 위하여 아크릴(Acryl)계 수지 등을 사용하여 오버코트층(14)을 형성한다.As illustrated in FIG. 1C, the overcoat layer 14 is formed using an acrylic resin or the like for protecting and planarizing the colored pattern.

이때, 상기 블랙 매트릭스(12)상에 착색층이 서로 오버랩된 부분에 의한 단차가 해결될 수 있도록 오버코트층(14)을 충분한 두께로 형성하게 된다.At this time, the overcoat layer 14 is formed to a sufficient thickness so that the step due to the overlapping portion of the colored layers on the black matrix 12 can be solved.

마지막으로, 도 1d에 도시된 바와 같이, 상기 오버코트층(14)상에 TFT기판에 형성된 화소 전극과 함께 액정 셀을 동작시키기 위한 공통 전극(15)을 형성하게 된다. Finally, as shown in FIG. 1D, the common electrode 15 for operating the liquid crystal cell is formed on the overcoat layer 14 together with the pixel electrode formed on the TFT substrate.

즉, 상기 오버코트층(14) 전면에 투과성과 도전성이 좋으며 화학적, 열적 안정성이 우수한 투명 전극 재료인 ITO(Indium Tin Oxide)를 스퍼터링에 의해 증착한다. That is, indium tin oxide (ITO), which is a transparent electrode material having good permeability and conductivity and excellent chemical and thermal stability, is deposited on the entire surface of the overcoat layer 14 by sputtering.

한편, 도 2a 내지 도 2d는 종래에 따른 COT 구조의 액정표시장치의 제조 방법에 대한 도면이다. 이에 도시된 바와 같이, COT 구조의 액정표시장치는, 스위칭 소자인 박막 트랜지스터를 형성한 후, 상기 박막 트랜지스터 상에 적(RED), 녹(GREEN), 청(BLUE)의 착색층을 형성하는 방식으로 제작된다. 2A to 2D illustrate a method of manufacturing a liquid crystal display device having a COT structure according to the related art. As shown in the drawing, in the liquid crystal display of the COT structure, after forming a thin film transistor as a switching element, a red, green, and blue colored layer is formed on the thin film transistor. Is produced by.

먼저, 도 2a 도시한 바와 같이, 투명기판(21)위에 게이트(gate) 전극(22)을 형성하고, 게이트 전극(22)위에 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)에 의해 게이트 절연막(23)을 성장시킨다.First, as shown in FIG. 2A, a gate electrode 22 is formed on the transparent substrate 21, and a gate insulating film 23 is grown on the gate electrode 22 by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). Let's do it.

다음에, 비정질 실리콘과 인(phosphorus)이 도핑(doping)된 비정질 실리콘층을 증착 후 포토 식각 과정에 의해 패터닝하여 액티브층(24), 오믹 컨택층(25)을 형성한다.Next, an amorphous silicon layer doped with amorphous silicon and phosphorus is patterned by photolithography after deposition to form an active layer 24 and an ohmic contact layer 25.

상기 비정질 실리콘층 위에 소스(source)/드레인(drain)(26a,26b) 전극 및 데이터 라인의 마스크를 이용하여 식각함으로서 소스/드레인 전극(26a,26b) 및 데이터 라인이 형성된다.The source / drain electrodes 26a and 26b and the data line are formed by etching the source / drain electrodes 26a and 26b and the mask of the data line on the amorphous silicon layer.

이후, 무기막을 사용하여 보호막(27)을 형성하게 된다. Thereafter, the protective film 27 is formed using the inorganic film.

그리고, 도 2b에 도시한 바와 같이, 상기 각 화소 영역에 형성된 박막트랜지스터 상에는 각각 적(RED), 녹(GREEN), 청(BLUE)의 컬러필터층(29)을 형성하게 된다. As shown in FIG. 2B, the color filter layers 29 of red, green, and blue are formed on the thin film transistors formed in the pixel areas, respectively.

보다 상세히 설명하면, 상기 컬러필터층(29)은 염색법(dye method), 전착법(electrodeposition method), 안료분산법(pigment dispersionmethod), 인쇄법(print method) 등에 의해 형성될 수 있다. In more detail, the color filter layer 29 may be formed by a dye method, an electrodeposition method, a pigment dispersion method, a print method, or the like.

또한, 상기 적(RED), 녹(GREEN), 청(BLUE)의 컬러 수지를 순차적으로 형성하게 될 때, 상기 R, G, B 컬러 패턴이 서로 오버랩 되도록 하여 공정 마진을 형성한다.In addition, when the red, green, and blue color resins are sequentially formed, the R, G, and B color patterns overlap each other to form a process margin.

이어, 도 2c에 도시한 바와 같이, 상기 형성된 컬러필터층(29)상에 블랙 매트릭스(30)를 형성하게 된다. 이때, 상기 블랙 매트릭스(30)는 상기 각각의 컬러수 지가 오버랩된 부분에 형성하게 되며, 적정 수준의 OD(Optical Density)값을 나타내기 위한 두께로 형성하게 된다.Subsequently, as shown in FIG. 2C, the black matrix 30 is formed on the formed color filter layer 29. In this case, the black matrix 30 is formed in a portion where the respective color resins overlap, and is formed to have a thickness to represent an appropriate level of optical density (OD).

그리고, 상기 블랙 매트릭스(30)를 이루는 재질은 Cr금속 환경 규제를 받음으로써 불투명한 유기물질인 블랙 레진(black resin)으로 하는 것이 바람직하다. In addition, the material forming the black matrix 30 is preferably made of black resin, which is an opaque organic material under Cr metal environmental regulation.

이어서, 도 2d에 도시된 바와 같이, 상기 형성된 블랙 매트릭스(30)상에는 오버코트층(31)을 형성한 후, ITO(Indium Titan Oxide)로 화소 전극(pixel)(28)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 2D, an overcoat layer 31 is formed on the formed black matrix 30, and then a pixel electrode 28 is formed of indium titan oxide (ITO).

즉, 오버코트층(31)을 이루는 재질은 유기 또는 무기 물질로서, 특히 평탄화 특성이 우수한 유기물질로 하는 것이 바람직하다. 이러한 유기물질로는 BCB(benzocyclobutene), 아크릴 수지를 들 수 있다.That is, the material constituting the overcoat layer 31 is an organic or inorganic material, and particularly preferably an organic material having excellent planarization characteristics. Such organic materials include BCB (benzocyclobutene) and acrylic resins.

도 3a 및 도 3b는 종래에 따른 블랙 매트릭스와 컬러필터층간의 단차 발생을 보여주는 도면이다. 도 3a는 상기 도 1a 내지 도 1d의 제조공정에 의한 기판상에 블랙 매트릭스를 형성한 후 컬러필터층을 형성한 경우에 발생되는 단차를 보여주고 있으며, 도 3b는 상기 도 2a 내지 도 2d의 제조공정에 의한 기판상에 컬러필터층을 형성한 후 블랙 매트릭스를 형성한 경우에 발생되는 단차를 보여주고 있다. 3A and 3B illustrate a generation of steps between a black matrix and a color filter layer according to the related art. 3A illustrates a step generated when a color filter layer is formed after a black matrix is formed on a substrate by the manufacturing process of FIGS. 1A to 1D, and FIG. 3B illustrates the manufacturing process of FIGS. 2A to 2D. The step that occurs when the black matrix is formed after the color filter layer is formed on the substrate is shown.

상기와 같은 방식에서 유기 물질을 사용하여 형성되는 블랙 매트릭스는 상기 유기 물질의 특성상 큰 OD(Optical Density)값을 얻기 위해서는 상대적으로 그 두께를 두껍게 형성해야만 하기 때문에 그 두께를 줄일 수 없게 된다.The black matrix formed by using the organic material in the above manner cannot be reduced because the thickness of the black matrix has to be formed relatively thick to obtain a large optical density (OD) value due to the characteristics of the organic material.

한편, 상기 R, G, B 컬러 필터층은 형성하는데 있어 공정 마진을 위해 상기 R, G, B 컬러 패턴을 서로 오버랩 시킴에 따라 그 단차가 더 커지게 된다. Meanwhile, in forming the R, G, and B color filter layers, the step becomes larger as the R, G, and B color patterns overlap each other for process margin.                         

따라서, 상기 유기 물질로 형성된 블랙 매트릭스와 컬러필터층 사이의 단차를 극복하기 위해 상대적으로 오버코트층(Over Coat)도 두껍게 형성됨으로써 투과율 손실의 문제점이 발생하게 된다.Therefore, in order to overcome the step between the black matrix formed of the organic material and the color filter layer, the overcoat layer is also formed relatively thick, thereby causing a problem of transmittance loss.

본 발명은, 유기 블랙 매트릭스를 사용하는 컬러필터의 제조방법에 있어서, 두꺼운 유기 블랙 매트릭스의 높이를 감소하지 않고 컬러필터층과 상기 유기 블랙 매트릭스 공정에 따른 단차를 극복하기 위해 오버코트층의 두께를 최소함으로써 투과율을 향상시킬 수 있는 컬러필터 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다. The present invention provides a method of manufacturing a color filter using an organic black matrix, wherein the thickness of the overcoat layer is minimized in order to overcome the step of the color filter layer and the organic black matrix process without reducing the height of the thick organic black matrix. It is an object of the present invention to provide a color filter manufacturing method capable of improving transmittance.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법은,In order to achieve the above object, a method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention,

기판상에 블랙 매트릭스를 패터닝하여 형성하는 단계와;Patterning and forming a black matrix on the substrate;

상기 형성된 블랙 매트릭스의 패터닝된 간격 사이에 각각 제 1 착색층, 제 2 착색층, 제 3 착색층으로 컬러필터층을 형성하는 단계와;Forming a color filter layer with a first colored layer, a second colored layer, and a third colored layer between the patterned gaps of the formed black matrix, respectively;

상기 형성된 컬러필터층상에 오버코트층을 형성하는 단계와;Forming an overcoat layer on the formed color filter layer;

상기 오버코트층상에 공통 전극을 형성하는 단계를 포함하는 점에 그 특징이 있다.It is characterized in that it comprises the step of forming a common electrode on the overcoat layer.

여기서, 특히 상기 블랙 매트릭스는 유기 물질로 형성되는 점에 그 특징이 있다.In particular, the black matrix is characterized in that it is formed of an organic material.

여기서, 특히 상기 블랙 매트릭스와 상기 컬러필터층의 두께는 유사한 높이로 형성되는 점에 그 특징이 있다. In particular, the black matrix and the color filter layer are characterized in that the thickness is formed at a similar height.                     

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법은,In addition, the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the present invention in order to achieve the above object,

기판상에 화소 영역에 각각 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;Forming thin film transistors in pixel regions on the substrate, respectively;

상기 화소 영역에 각각 형성된 박막트랜지스터상에 제 1 착색층, 제 2 착색층, 제 3 착색층을 서로 소정 간격으로 이격시켜 컬러필터층을 형성하는 단계와;Forming a color filter layer by separating the first colored layer, the second colored layer, and the third colored layer from each other at predetermined intervals on the thin film transistors respectively formed in the pixel region;

상기 형성된 컬러필터층의 제 1 착색층, 제 2 착색층, 제 3 착색층이 서로 소정 간격으로 이격된 사이에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계와;Forming a black matrix between the first color layer, the second color layer, and the third color layer of the formed color filter layer spaced apart from each other by a predetermined interval;

상기 형성된 블랙 매트릭스상에 오버코트층을 형성하는 단계를 포함하는 점에 그 특징이 있다.It is characterized in that it comprises the step of forming an overcoat layer on the formed black matrix.

여기서, 특히 상기 박막트랜지스터를 형성하는 단계는 투명기판위에 게이트(gate) 전극, 게이트 절연막, 액티브층, 오믹 컨택층, 소스(source)/드레인(drain) 전극 및 데이터 라인, 보호막을 순차적으로 형성하는 점에 그 특징이 있다.In particular, the forming of the thin film transistor may include sequentially forming a gate electrode, a gate insulating layer, an active layer, an ohmic contact layer, a source / drain electrode, a data line, and a protective layer on a transparent substrate. It has that feature.

여기서, 특히 상기 오버코트층상에 투명성 도전막(Indium Titan Oxide:ITO)으로 공통전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 점에 그 특징이 있다.In particular, the method may further include forming a common electrode on the overcoat layer using a transparent conductive film (Indium Titan Oxide: ITO).

여기서, 특히 상기 블랙 매트릭스는 상기 제 1 착색층, 제 2 착색층, 제 3 착색층을 서로 소정 간격으로 이격된 사이보다 넓게 형성되는 점에 그 특징이 있다.In particular, the black matrix is characterized in that the first colored layer, the second colored layer, and the third colored layer are formed wider than spaced apart from each other at a predetermined interval.

여기서, 특히 상기 블랙 매트릭스는 유기 물질로 형성되는 점에 그 특징이 있다. In particular, the black matrix is characterized in that it is formed of an organic material.                     

여기서, 특히 상기 블랙 매트릭스와 상기 컬러필터층의 두께는 유사한 높이로 형성되는 점에 그 특징이 있다.In particular, the black matrix and the color filter layer are characterized in that the thickness is formed at a similar height.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법은,In addition, the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the present invention in order to achieve the above object,

화소 영역에 각각 제 1 착색층, 제 2 착색층, 제 3 착색층을 서로 소정 간격으로 이격시켜 컬러필터층을 형성하는 단계와;Forming a color filter layer by separating the first colored layer, the second colored layer, and the third colored layer from each other at predetermined intervals in the pixel region;

상기 형성된 컬러필터층의 제 1 착색층, 제 2 착색층, 제 3 착색층이 서로 소정 간격으로 이격된 사이에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계와;Forming a black matrix between the first color layer, the second color layer, and the third color layer of the formed color filter layer spaced apart from each other by a predetermined interval;

상기 형성된 블랙 매트릭스상에 오버코트층을 형성하는 단계와;Forming an overcoat layer on the formed black matrix;

상기 형성된 오버코트층상의 화소 영역에 각각 박막트랜지스터를 형성하는 단계를 포함하는 점에 그 특징이 있다.And a step of forming thin film transistors in the pixel areas on the formed overcoat layer, respectively.

여기서, 특히 상기 박막트랜지스터를 형성하는 단계는 투명기판위에 게이트(gate) 전극, 게이트 절연막, 액티브층, 오믹 컨택층, 소스(source)/드레인(drain) 전극 및 데이터 라인, 보호막 ,공통전극을 순차적으로 형성하는 점에 그 특징이 있다.In particular, the forming of the thin film transistor may include sequentially forming a gate electrode, a gate insulating film, an active layer, an ohmic contact layer, a source / drain electrode, a data line, a protective film, and a common electrode on a transparent substrate. Its features are that it forms.

이와 같은 본 발명에 의하면, 유기 블랙 매트릭스를 사용하는 컬러필터의 제조방법에 있어서, 두꺼운 유기 블랙 매트릭스의 높이를 감소하지 않고 컬러필터층과 상기 유기 블랙 매트릭스 공정에 따른 단차를 최소화할 수 있다.According to the present invention, in the manufacturing method of the color filter using the organic black matrix, it is possible to minimize the step according to the color filter layer and the organic black matrix process without reducing the height of the thick organic black matrix.

이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 따른 액정표시장치의 컬러필터 제조방법에 대 한 실시 예를 도시한 도면이다. 도 4a에 도시된 바와 같이, 유리 기판(41) 세정을 실시한 후, 유기 물질을 증착하고, 마스크를 이용하여 패터닝함으로써 블랙 매트릭스(42)를 형성한다. 4A to 4D illustrate an embodiment of a method of manufacturing a color filter of a liquid crystal display according to the present invention. As shown in FIG. 4A, after cleaning the glass substrate 41, an organic material is deposited and patterned using a mask to form the black matrix 42.

한편, 상기 블랙 매트릭스(42)는 Cr금속이 환경 규제를 받음으로써 유기 물질로 대체되어 형성된다. On the other hand, the black matrix 42 is formed by replacing the organic material with Cr metal is environmentally regulated.

이어서, 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 블랙 매트릭스(42) 형성 후, 색상을 구현하기 위해 착색층(color resist)을 사용하여 컬러필터층(43)을 패터닝한다. Subsequently, as shown in FIG. 4B, after the black matrix 42 is formed, the color filter layer 43 is patterned by using a color resist to implement color.

즉, 상기 기판상에 패터닝되어 형성된 블랙 매트릭스(42)의 높이로 적색의 제 1 착색층을 도포한다. 그리고, 마스크를 이용하여 상기 도포된 상기 제 1 착색층 상부의 특정 영역만을 노출시킨 후, 부분 노광을 실시한다.That is, a red first colored layer is applied at the height of the black matrix 42 formed by patterning on the substrate. And after exposing only the specific area | region of the said 1st colored layer apply | coated using a mask, partial exposure is performed.

이때, 상기 제 1 착색층이 상기 블랙 매트릭스(42)에 오버랩 되지 않도록 패터닝한다. In this case, the first colored layer is patterned so as not to overlap the black matrix 42.

그리고, 노광에 의해 광화학적 구조가 변경된 상기 제 1 착색층을 현상액에 담궈 제 1 착색층 패턴을 현상하고, 현상된 감광막을 경화시켜 적색칼라(이하 R칼라라 칭한다)를 형성한다. Then, the first colored layer whose photochemical structure is changed by exposure is dipped in a developing solution to develop the first colored layer pattern, and the developed photosensitive film is cured to form a red color (hereinafter referred to as R color).

일반적으로 착색층은 네가티브(negative) 리지스트의 성격을 가지므로 노광되지 않는 부분이 제거된다. In general, since the colored layer has the characteristics of a negative resist, the unexposed portion is removed.

그리고, 상기 적색칼라를 형성하는 공정들을 반복 수행하여 녹색, 청색(Green, Blue) 으로 각각 착색된 제 2 착색층 및 제 3 착색층 패턴을 순차적으로 형성한다. In addition, the processes of forming the red color are repeatedly performed to sequentially form the second colored layer and the third colored layer pattern colored in green and blue, respectively.                     

이때, 상기 제 1 , 제 2 , 제 3 착색층 패턴은 상기 블랙 매트릭스(42)가 형성된 패턴 사이에 각각 메우는 방식으로 형성되며, 상기 유기 물질로 형성된 블랙 매트릭스(42)의 두께만큼으로 형성된다. In this case, the first, second, and third colored layer patterns are formed in such a manner as to fill the gaps between the patterns on which the black matrix 42 is formed, and are formed by the thickness of the black matrix 42 formed of the organic material.

이어서, 도 4c에 도시된 바와 같이, 상기 형성된 컬러필터층(43)상에 상기 블랙 매트릭스(42)와 상기 컬러필터층(43)간의 평탄화를 위해 오버코트층(44)을 형성하게 된다. Subsequently, as shown in FIG. 4C, an overcoat layer 44 is formed on the formed color filter layer 43 to planarize the black matrix 42 and the color filter layer 43.

보다 상세히 설명하면, 상기 착색된 패턴의 보호와 평탄화를 위하여 아크릴(Acryl)계 수지 또는 폴리이미드(Polyimide)계 수지를 사용하여 스핀 코팅 방법으로 오버코트층(44)을 형성한다.In more detail, in order to protect and planarize the colored pattern, the overcoat layer 44 is formed by a spin coating method using an acrylic resin or a polyimide resin.

이때, 상기 오버코트층(44)은 상기 컬러필터층(43)과 상기 블랙 매트릭스(42) 사이의 단차가 발생되지 않으므로 되도록 얇게 형성함으로써 투과율 손실을 최소화할 수 있다. In this case, since the step between the color filter layer 43 and the black matrix 42 does not occur, the overcoat layer 44 may be formed as thin as possible to minimize loss of transmittance.

마지막으로, 도 4d에 도시된 바와 같이, 상기 오버코트층(44)상에 TFT기판에 형성된 화소 전극과 함께 액정 셀을 동작시키기 위한 공통 전극(45)을 형성하게 된다. Finally, as shown in FIG. 4D, the common electrode 45 for operating the liquid crystal cell is formed on the overcoat layer 44 together with the pixel electrode formed on the TFT substrate.

즉, 상기 오버코트층(44) 전면에 투과성과 도전성이 좋으며 화학적, 열적 안정성이 우수한 투명 전극 재료인 ITO(Indium Tin Oxide)를 스퍼터링에 의해 증착한다. That is, indium tin oxide (ITO), which is a transparent electrode material having good permeability and conductivity and excellent chemical and thermal stability, is deposited on the entire surface of the overcoat layer 44 by sputtering.

또한, 도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 따른 COT 구조의 액정표시장치의 제조 방법에 대한 도면이다. 이에 도시된 바와 같이, COT 구조의 액정표시장치는, 스위 칭 소자인 박막 트랜지스터를 형성한 후, 상기 박막 트랜지스터 상에 적(RED), 녹(GREEN), 청(BLUE)의 컬러수지를 형성하는 방식으로 제작된다. 5A to 5D are diagrams illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display device having a COT structure according to the present invention. As shown in the drawing, the liquid crystal display of the COT structure forms a thin film transistor as a switching element and then forms red, green, and blue color resins on the thin film transistor. Is produced in a way.

먼저, 도 5a 도시한 바와 같이, 투명기판(51)위에 게이트(gate) 전극(52)을 형성하고, 게이트 전극(52)위에 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)에 의해 게이트 절연막(53)을 성장시킨다. First, as shown in FIG. 5A, a gate electrode 52 is formed on a transparent substrate 51, and a gate insulating layer 53 is grown on the gate electrode 52 by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). Let's do it.

다음에, 비정질 실리콘과 인(phosphorus)이 도핑(doping)된 비정질 실리콘층을 증착 후 포토 식각 과정에 의해 패터닝하여 액티브층(54), 오믹 컨택층(55)을 형성한다.Next, an amorphous silicon layer doped with amorphous silicon and phosphorus is patterned by a photolithography process after deposition to form an active layer 54 and an ohmic contact layer 55.

상기 비정질 실리콘층 위에 소스(source)/드레인(drain)(56a,56b) 전극 및 데이터 라인(미도시)의 마스크를 이용하여 식각함으로서 소스/드레인 전극(56a,56b) 및 데이터 라인(미도시)이 형성된다.The source / drain electrodes 56a and 56b and the data lines (not shown) are etched by etching the source / drain electrodes 56a and 56b and masks of the data lines (not shown) on the amorphous silicon layer. Is formed.

이후, 무기막을 사용하여 보호막(57)을 형성하게 된다.Thereafter, the protective film 57 is formed using the inorganic film.

도 5b에 도시한 바와 같이, 상기 형성된 박막트랜지스터상에는 제 1, 제 2 , 제 3 착색층인 적(RED), 녹(GREEN), 청(BLUE)의 컬러필터층(59)을 형성하게 된다. As shown in FIG. 5B, a color filter layer 59 of red, green, and blue, which is the first, second, and third colored layers, is formed on the formed thin film transistor.

보다 상세히 설명하면, 상기 컬러필터층(59)은 염색법(dye method), 전착법(electrodeposition method), 안료분산법(pigment dispersionmethod), 인쇄법(print method) 등에 의해 형성될 수 있다. In more detail, the color filter layer 59 may be formed by a dye method, an electrodeposition method, a pigment dispersion method, a print method, or the like.

또한, 상기 적(RED), 녹(GREEN), 청(BLUE)의 착색층을 순차적으로 형성하게 될 때, 각각 착색층사이를 소정 간격으로 이격하여 추후 블랙 매트릭스(60)가 형성될 공간을 마련한다. In addition, when the red, green, and blue colored layers are sequentially formed, spaces between the colored layers are spaced at predetermined intervals to provide a space for forming the black matrix 60 later. do.                     

이때, 상기 소정 간격은 추후 형성될 블랙 매트릭스(60)의 넓이 보다 좁게 이격된다.At this time, the predetermined interval is narrower than the width of the black matrix 60 to be formed later.

이어, 도 5c에 도시한 바와 같이, 상기 형성된 컬러필터층(59)상에 블랙 매트릭스(60)를 형성하게 된다. 또한, 상기 블랙 매트릭스(60)는 상기 각각의 착색층사이에 형성되며, 상기 이격된 공간보다 넓게 형성하여 상기 착색층의 패턴으로 인한 엣지를 덮어줌으로써 얼룩을 해결할 수 있다.Subsequently, as shown in FIG. 5C, a black matrix 60 is formed on the formed color filter layer 59. In addition, the black matrix 60 may be formed between the respective colored layers, and formed wider than the spaced space, thereby covering the edge due to the pattern of the colored layer, thereby solving the stain.

또한, 상기 블랙 매트릭스(60)를 이루는 재질은 Cr금속 환경 규제를 받음으로써 불투명한 유기물질인 블랙 레진(blackresin)으로 하는 것이 바람직하다. In addition, the material forming the black matrix 60 is preferably made of black resin, which is an opaque organic material, under the environmental control of Cr metal.

이어서, 도 5d에 도시된 바와 같이, 상기 형성된 블랙 매트릭스(60)상에는 오버코트층(61)을 형성하게 된다.Subsequently, as shown in FIG. 5D, an overcoat layer 61 is formed on the formed black matrix 60.

즉, 오버코트층(61)을 이루는 재질은 유기 또는 무기 물질로서, 특히 평탄화 특성이 우수한 유기물질로 하는 것이 바람직하다. 이러한 유기물질로는 BCB(benzocyclobutene), 아크릴 수지를 들 수 있다. That is, the material constituting the overcoat layer 61 is an organic or inorganic material, and particularly preferably an organic material having excellent planarization characteristics. Such organic materials include BCB (benzocyclobutene) and acrylic resins.

이때, 상기 오버코트층(61)은 상기 컬러필터층(59)과 상기 블랙 매트릭스(60) 사이의 단차가 발생되지 않으므로 되도록 얇게 형성함으로써 투과율 손실을 최소화할 수 있다. In this case, since the step between the color filter layer 59 and the black matrix 60 does not occur, the overcoat layer 61 may be formed as thin as possible to minimize the loss of transmittance.

그리고, 상기 형성된 오버코트층상에 ITO(Indium Titan Oxide)로 공통 전극(58)을 형성한다.The common electrode 58 is formed of indium titanium oxide (ITO) on the formed overcoat layer.

한편, 도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 따른 TOC 구조의 액정표시장치의 제조방법에 대한 실시 예를 도시한 도면이다. 도 6a에 도시된 바와 같이, 기판상(70)에 적(RED), 녹(GREEN), 청(BLUE)의 컬러필터층(71)을 형성하게 된다. 6A to 6D illustrate an embodiment of a method of manufacturing a liquid crystal display device having a TOC structure according to the present invention. As shown in FIG. 6A, a color filter layer 71 of red, green, and blue is formed on the substrate 70.

보다 상세히 설명하면, 상기 컬러필터층(71)은 염색법(dye method), 전착법(electrodeposition method), 안료분산법(pigment dispersionmethod), 인쇄법(print method) 등에 의해 형성될 수 있으며, 특히 안료분산법에 의해 형성되는 것이 바람직하다. In more detail, the color filter layer 71 may be formed by a dye method, an electrodeposition method, a pigment dispersion method, a print method, and the like, in particular, a pigment dispersion method. It is preferable that it is formed by.

또한, 상기 적(RED), 녹(GREEN), 청(BLUE)의 착색층을 순차적으로 형성하게 될 때, 각각 착색층사이를 소정 간격으로 이격하여 추후 블랙 매트릭스(72)가 형성될 공간을 마련한다. In addition, when the red, green, and blue colored layers are sequentially formed, spaces between the colored layers are spaced at predetermined intervals, respectively, to provide a space for forming the black matrix 72 later. do.

이때, 상기 소정 간격은 추후 형성될 블랙 매트릭스(72)의 넓이 보다 좁게 이격된다.In this case, the predetermined interval is narrower than the width of the black matrix 72 to be formed later.

이어, 도 6b에 도시한 바와 같이, 상기 형성된 컬러필터층(71)상에 블랙 매트릭스(72)를 형성하게 된다. 또한, 상기 블랙 매트릭스(72)는 상기 각각의 착색층사이에 형성되며, 상기 이격된 공간보다 넓게 형성하여 상기 착색층의 패턴으로 인한 엣지를 덮어줌으로써 얼룩을 해결할 수 있다.Subsequently, as shown in FIG. 6B, a black matrix 72 is formed on the formed color filter layer 71. In addition, the black matrix 72 may be formed between the respective colored layers, and may be formed wider than the spaced space to cover the edges due to the pattern of the colored layer.

또한, 상기 블랙 매트릭스(72)를 이루는 재질은 Cr금속 환경 규제를 받음으로써 불투명한 유기물질인 블랙 레진(blackresin)으로 하는 것이 바람직하다. In addition, the material forming the black matrix 72 is preferably made of black resin, which is an opaque organic material, under the environmental control of Cr metal.

이어서, 도 6c에 도시된 바와 같이, 상기 형성된 블랙 매트릭스(72)상에는 오버코트층(73)을 형성하게 된다.Subsequently, as shown in FIG. 6C, an overcoat layer 73 is formed on the formed black matrix 72.

즉, 상기 오버코트층(73)을 이루는 재질은 유기 또는 무기 물질로서, 특히 평탄화 특성이 우수한 유기물질로 하는 것이 바람직하다. 이러한 유기물질로는 BCB(benzocyclobutene), 아크릴 수지를 들 수 있다. That is, the material forming the overcoat layer 73 is an organic or inorganic material, and in particular, an organic material having excellent planarization characteristics is preferable. Such organic materials include BCB (benzocyclobutene) and acrylic resins.

이때, 상기 오버코트층(73)은 상기 컬러필터층(71)과 상기 블랙 매트릭스(72) 사이의 단차가 발생되지 않으므로 되도록 얇게 형성함으로써 투과율 손실을 최소화할 수 있다. In this case, since the step between the color filter layer 71 and the black matrix 72 does not occur, the overcoat layer 73 may be formed as thin as possible to minimize the loss of transmittance.

이어, 도 6d에 도시된 바와 같이, 상기 오버코트층(73)이 형성된 기판상에 게이트(gate) 전극(74)을 형성하고, 게이트 전극(74)위에 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)에 의해 게이트 절연막(75)을 성장시킨다.Subsequently, as shown in FIG. 6D, a gate electrode 74 is formed on the substrate on which the overcoat layer 73 is formed, and the gate is formed on the gate electrode 74 by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The insulating film 75 is grown.

다음에, 비정질 실리콘과 인(phosphorus)이 도핑(doping)된 비정질 실리콘층을 증착 후 포토 식각 과정에 의해 패터닝하여 액티브층(76), 오믹 컨택층(77)을 형성한다.Next, an amorphous silicon layer doped with amorphous silicon and phosphorus (phosphorus) is patterned by deposition after photolithography to form an active layer 76 and an ohmic contact layer 77.

상기 비정질 실리콘층 위에 소스(source)/드레인(drain)(78a,78b) 전극 및 데이터 라인(미도시)의 마스크를 이용하여 식각함으로서 소스/드레인 전극(78a,78b) 및 데이터 라인(미도시)이 형성된다.The source / drain electrodes 78a and 78b and the data line (not shown) are etched by etching the source / drain 78a and 78b electrodes and the mask of the data line (not shown) on the amorphous silicon layer. Is formed.

이후, 무기막을 사용하여 보호막(79)을 형성하고, 보호막(79)위에 ITO(Indium Titan Oxide)로 공통 전극(80)을 형성한다.Subsequently, a passivation layer 79 is formed using an inorganic layer, and a common electrode 80 is formed of indium titanium oxide (ITO) on the passivation layer 79.

따라서, 상기 박막 트랜지스터 배열기판에 컬러필터를 형성하는 이른바 '컬러필터 온 TFT(Color Filter on TFT ;이하'COT'라 칭함) 방식'에서 적용된 바와 같이, 컬러필터상에 박막트랜지스터를 형성하는 'TFT 온 컬러필터(TFT on Color Filter ; 이하'TOC'라 칭함) 방식'의 제조방법에서도 상기 컬러필터를 형성하는 공정을 적용하기도 한다. Therefore, as applied in the so-called 'Color Filter on TFT' method of forming a color filter on the thin film transistor array substrate, the TFT is formed on the color filter. The process of forming the color filter may also be applied to a manufacturing method of an on color filter (hereinafter, referred to as a 'TOC' method).                     

이상 상기 각 실시 예에서 살펴본 바와 같이, 두꺼운 유기 물질의 블랙 매트릭스를 사용함에 있어 컬러필터층과 상기 블랙 매트릭스 공정에 따른 단차를 해결하고 오버코트층의 두께를 낮게 형성할 수 있다. As described above in each of the above embodiments, in using the black matrix of a thick organic material, the step between the color filter layer and the black matrix process may be solved and the thickness of the overcoat layer may be lowered.

본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments illustrated in the drawings, this is merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

이상의 설명에서와 같이 본 발명에 따른 컬러필터 제조방법은, 유기 블랙 매트릭스를 사용하는 컬러필터의 제조방법에 있어서, 두꺼운 유기 블랙 매트릭스의 높이를 감소하지 않고 컬러필터층와 상기 유기 블랙 매트릭스 공정에 따른 단차를 최소화 할 수 있다.As described above, the color filter manufacturing method according to the present invention, in the manufacturing method of the color filter using the organic black matrix, the step according to the color filter layer and the organic black matrix process without reducing the height of the thick organic black matrix. It can be minimized.

Claims (10)

삭제delete 삭제delete 기판상의 화소 영역에 각각 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;Forming thin film transistors in pixel regions on the substrate, respectively; 상기 박막트랜지스터가 형성된 각각의 화소 영역상에 제 1 착색층, 제 2 착색층, 제 3 착색층을 서로 소정 간격으로 이격시켜 컬러필터층을 형성하는 단계와;Forming a color filter layer by separating a first colored layer, a second colored layer, and a third colored layer from each other on the pixel region where the thin film transistors are formed at predetermined intervals; 상기 형성된 컬러필터층의 제 1 착색층, 제 2 착색층, 제 3 착색층이 서로 소정 간격으로 이격된 사이에 상기 제 1 착색층, 제 2 착색층, 제 3 착색층과 동일한 높이를 가지는 블랙 매트릭스를 형성하는 단계와;The black matrix having the same height as the first, second, and third colored layers between the first color layer, the second color layer, and the third color layer of the formed color filter layer, spaced apart from each other at predetermined intervals. Forming a; 상기 형성된 블랙 매트릭스상에 오버코트층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.And forming an overcoat layer on the formed black matrix. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 박막트랜지스터를 형성하는 단계는 투명기판위에 게이트(gate) 전극, 게이트 절연막, 액티브층, 오믹 컨택층, 소스(source)/드레인(drain) 전극 및 데이터 라인, 보호막을 순차적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.The forming of the thin film transistor may include sequentially forming a gate electrode, a gate insulating layer, an active layer, an ohmic contact layer, a source / drain electrode, a data line, and a protective layer on a transparent substrate. Method of manufacturing a liquid crystal display device. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 오버코트층상에 투명성 도전막(Indium Titan Oxide:ITO)으로 공통전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.And forming a common electrode on the overcoat layer using a transparent conductive film (Indium Titan Oxide: ITO). 화소 영역에 각각 제 1 착색층, 제 2 착색층, 제 3 착색층을 서로 소정 간격으로 이격시켜 컬러필터층을 형성하는 단계와; Forming a color filter layer by separating the first colored layer, the second colored layer, and the third colored layer from each other at predetermined intervals in the pixel region; 상기 형성된 컬러필터층의 제 1 착색층, 제 2 착색층, 제 3 착색층이 서로 소정 간격으로 이격된 사이에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계와; Forming a black matrix between the first color layer, the second color layer, and the third color layer of the formed color filter layer spaced apart from each other by a predetermined interval; 상기 형성된 블랙 매트릭스상에 오버코트층을 형성하는 단계와; Forming an overcoat layer on the formed black matrix; 상기 형성된 오버코트층상의 화소 영역에 각각 박막트랜지스터를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법. And forming thin film transistors in the pixel areas on the formed overcoat layer, respectively. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 박막트랜지스터를 형성하는 단계는 게이트(gate) 전극, 게이트 절연막, 액티브층, 오믹 컨택층, 소스(source)/드레인(drain) 전극 및 데이터 라인, 보호막, 공통전극을 순차적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법. The forming of the thin film transistor may include sequentially forming a gate electrode, a gate insulating layer, an active layer, an ohmic contact layer, a source / drain electrode, a data line, a protective layer, and a common electrode. Method of manufacturing a liquid crystal display device. 제 3항 또는 제 6항에 있어서,The method according to claim 3 or 6, wherein 상기 블랙 매트릭스는 상기 제 1 착색층, 제 2 착색층, 제 3 착색층을 서로 소정 간격으로 이격된 사이보다 넓게 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.And the black matrix is formed to be wider than the first colored layer, the second colored layer, and the third colored layer spaced apart from each other at predetermined intervals. 제 3항 또는 제 6항에 있어서,The method according to claim 3 or 6, wherein 상기 블랙 매트릭스는 유기 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.And the black matrix is formed of an organic material. 제 6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 블랙 매트릭스와 상기 컬러필터층은 동일한 높이로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.And the black matrix and the color filter layer are formed at the same height.
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