KR100986888B1 - 고체 전해 콘덴서 및 그 제조 방법 - Google Patents
고체 전해 콘덴서 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100986888B1 KR100986888B1 KR1020047015424A KR20047015424A KR100986888B1 KR 100986888 B1 KR100986888 B1 KR 100986888B1 KR 1020047015424 A KR1020047015424 A KR 1020047015424A KR 20047015424 A KR20047015424 A KR 20047015424A KR 100986888 B1 KR100986888 B1 KR 100986888B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- separator
- capacitor element
- compound
- vinyl group
- solid electrolytic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 356
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 122
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 39
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims abstract description 111
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 104
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 91
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 74
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 66
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims abstract description 52
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 75
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims description 53
- -1 boric acid compound Chemical class 0.000 claims description 52
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 49
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 49
- WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 claims description 43
- HIEHAIZHJZLEPQ-UHFFFAOYSA-M sodium;naphthalene-1-sulfonate Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(S(=O)(=O)[O-])=CC=CC2=C1 HIEHAIZHJZLEPQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 32
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 26
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 23
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 23
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 19
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 claims description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- ZUQAPLKKNAQJAU-UHFFFAOYSA-N acetylenediol Chemical compound OC#CO ZUQAPLKKNAQJAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- SYELZBGXAIXKHU-UHFFFAOYSA-N dodecyldimethylamine N-oxide Chemical compound CCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)[O-] SYELZBGXAIXKHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims description 4
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical group O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004328 sodium tetraborate Substances 0.000 claims description 2
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 56
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 abstract description 41
- 230000032683 aging Effects 0.000 abstract description 29
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 29
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 abstract description 15
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 4
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 107
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 76
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 38
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 34
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 32
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 28
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 27
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 19
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N ammonium dihydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].OP(O)([O-])=O LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910000387 ammonium dihydrogen phosphate Inorganic materials 0.000 description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- 235000019837 monoammonium phosphate Nutrition 0.000 description 17
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 14
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- IUVCFHHAEHNCFT-INIZCTEOSA-N 2-[(1s)-1-[4-amino-3-(3-fluoro-4-propan-2-yloxyphenyl)pyrazolo[3,4-d]pyrimidin-1-yl]ethyl]-6-fluoro-3-(3-fluorophenyl)chromen-4-one Chemical compound C1=C(F)C(OC(C)C)=CC=C1C(C1=C(N)N=CN=C11)=NN1[C@@H](C)C1=C(C=2C=C(F)C=CC=2)C(=O)C2=CC(F)=CC=C2O1 IUVCFHHAEHNCFT-INIZCTEOSA-N 0.000 description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 8
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 8
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000005067 remediation Methods 0.000 description 8
- 229920002978 Vinylon Polymers 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 7
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 7
- 239000012209 synthetic fiber Substances 0.000 description 7
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 7
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 7
- WYXIGTJNYDDFFH-UHFFFAOYSA-Q triazanium;borate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]B([O-])[O-] WYXIGTJNYDDFFH-UHFFFAOYSA-Q 0.000 description 7
- FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 5-chloro-1,2-dimethylbenzimidazole Chemical compound ClC1=CC=C2N(C)C(C)=NC2=C1 FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 6
- 239000001741 Ammonium adipate Substances 0.000 description 6
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 6
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 6
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 6
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 6
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000019293 ammonium adipate Nutrition 0.000 description 6
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 6
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 6
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 6
- WBJINCZRORDGAQ-UHFFFAOYSA-N formic acid ethyl ester Natural products CCOC=O WBJINCZRORDGAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N glymidine Chemical compound N1=CC(OCCOC)=CN=C1NS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 6
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 6
- PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-M naphthalene-1-sulfonate Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)[O-])=CC=CC2=C1 PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 6
- KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N periodic acid Chemical compound OI(=O)(=O)=O KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 6
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 6
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 5
- FYMCOOOLDFPFPN-UHFFFAOYSA-K iron(3+);4-methylbenzenesulfonate Chemical compound [Fe+3].CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 FYMCOOOLDFPFPN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 230000000246 remedial effect Effects 0.000 description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 4
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 235000010338 boric acid Nutrition 0.000 description 3
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N diammonium hydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].[NH4+].OP([O-])([O-])=O MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 3
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 3
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 3
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 3
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 3
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 3
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-M toluene-4-sulfonate Chemical compound CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMHKOAYRTRADAT-UHFFFAOYSA-N [hydroxy(octoxy)phosphoryl] octyl hydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCOP(O)(=O)OP(O)(=O)OCCCCCCCC UMHKOAYRTRADAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIQAWCBKWSQMRQ-UHFFFAOYSA-N 16-methylheptadecanoic acid;2-methylprop-2-enoic acid;propan-2-ol;titanium Chemical compound [Ti].CC(C)O.CC(=C)C(O)=O.CC(=C)C(O)=O.CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O HIQAWCBKWSQMRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEKHISJGRIEHRE-UHFFFAOYSA-N 16-methylheptadecanoic acid;propan-2-ol;titanium Chemical compound [Ti].CC(C)O.CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O.CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O.CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IEKHISJGRIEHRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 description 1
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical class CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BARBYKLWGXZGAV-UHFFFAOYSA-N C(CCCCCCCCCCCC)P(O)(O)(O)CCCCCCCCCCCCC.S(=O)(=O)(O)O.C(C)(C)C1=C(C=CC=C1)CCCCCCCCCCCCC Chemical compound C(CCCCCCCCCCCC)P(O)(O)(O)CCCCCCCCCCCCC.S(=O)(=O)(O)O.C(C)(C)C1=C(C=CC=C1)CCCCCCCCCCCCC BARBYKLWGXZGAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOKQROKSNPFYBJ-UHFFFAOYSA-N CO[SiH2]CCCNC1=CC=CC=C1 Chemical compound CO[SiH2]CCCNC1=CC=CC=C1 NOKQROKSNPFYBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- PPHRDSXZGAXPOG-UHFFFAOYSA-N dihydroxyphosphanyl dioctyl phosphite Chemical compound CCCCCCCCOP(OCCCCCCCC)OP(O)O PPHRDSXZGAXPOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- VTIXMGZYGRZMAW-UHFFFAOYSA-N ditridecyl hydrogen phosphite Chemical compound CCCCCCCCCCCCCOP(O)OCCCCCCCCCCCCC VTIXMGZYGRZMAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- KOVKEDGZABFDPF-UHFFFAOYSA-N n-(triethoxysilylmethyl)aniline Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CNC1=CC=CC=C1 KOVKEDGZABFDPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRVVHBFLWWQMPT-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1-sulfonic acid;sodium Chemical compound [Na].C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC=CC2=C1 CRVVHBFLWWQMPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C=C GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJSTXXYNEIHPMD-UHFFFAOYSA-N triethyl borate Chemical compound CCOB(OCC)OCC AJSTXXYNEIHPMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005050 vinyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
- H01G9/025—Solid electrolytes
- H01G9/028—Organic semiconducting electrolytes, e.g. TCNQ
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
- H01G9/0036—Formation of the solid electrolyte layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/02—Diaphragms; Separators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
- H01G9/151—Solid electrolytic capacitors with wound foil electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
Description
(D-6) 커플링제
커플링제로서는 이하의 실란 커플링제, 티탄 커플링제, 알루미늄 커플링제를 이용할 수 있으며, 이들 중에서 선택된 1 또는 2 이상의 커플링제를 이용할 수 있다.
또한, 이러한 커플링제를 콘덴서 소자내에 함유시키는 방법으로서는 수복 화성 후 0. 1% 내지 5%, 바람직하게는 0. 5% 내지 3%의 커플링제의 수용액에 콘덴서 소자를 수분간 침지하여 끌어 올린 후, 50℃ 내지 100℃에서 건조하는 방법이 이용된다.
상기 실란 커플링제로서는 비닐트리크로르실란, 비닐(β메톡시실란)비닐트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리스(β메톡시에톡시)실란, γ-메타크릴록시실란, γ-메타크릴록시프로필메틸디메톡시실란, γ-메타크릴록시프로필트리에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필메톡시실란, γ-머캅토프로필메톡시실란, γ-클로로프로필트리메톡시실란을 들 수 있다.
또한, 티탄 커플링제로서는 이소프로필트리이소스테알로일티타네이트, 이소프로필트리스(디옥틸피로포스파이트)티타네이트, 이소프로필트리(N-아미노에틸-아미노에틸)티타네이트, 이소프로필트리데실벤젠술포닐티타네이트, 테트라옥틸비스(디트리데실포스파이트)티타네이트, 테트라(2,2-디알릴옥시메틸-1-부틸)비스(디-트리데실)포스파이트티타네이트, 비스(디옥틸피로포스페이트)옥시아세테이트티타네이트, 비스(디옥틸피로포스페이트)에틸렌티타네이트, 이소프로필트리옥타노일티타네이트, 이소프로필디메타크릴이소스테알로일티타네이트, 이소프로필트리쿠밀페닐티타네이트를 들 수 있다.
또한, 알루미늄 커플링제로서는 아세토알콕시알루미늄디이소프로필레이트를 들 수 있다.
또한, 제3 실시 형태에 있어서, 커플링제를 콘덴서 소자에 함유시키면, 상기 결합체와의 상승 작용으로 더욱 PEDT와의 접착성이 증가하여, 정전 용량 및 ESR이 향상된다.
또한, PVA의 함유량이 10wt% 미만이면 이러한 효과가 저감된다.
(실시예 D2)
PET 섬유를 주체 섬유로 하고 PVA를 바인더로 하여 10wt% 이상 함유하는 세퍼레이터를 이용하여, 이하와 같이 고체 전해 콘덴서를 제작하였다. 표면에 산화 피막층이 형성된 양극박과 음극박에 전극 인출 수단을 접속하여 두 전극박을 상기 세퍼레이터를 사이에 두고 권회하여 콘덴서 소자를 형성하였다. 그리고, 이 콘덴서 소자를 인산 2수소암모늄 수용액에 40분간 침지하여 수복 화성을 행하였다. 수복 화성 후, 이 콘덴서 소자를 100℃에서 건조한 후, 5wt% 붕산 수용액에 상온에서 수분간 침지하고 150℃에서 1시간 건조를 하였다. 또, 1wt%N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필메톡시실란 수용액에 상온에서 1분간 침지하고 80℃에서 1시간 건조를 하였다.
한편, 소정의 용기에 EDT와 45%의 파라톨루엔술폰산 제2철의 에탄올 용액을 혼합하고 콘덴서 소자를 상기 혼합액에 10초간 침지하여 120℃, 60분 가열하고 콘덴서 소자내에서 PEDT의 중합 반응을 발생시켜 고체 전해질층을 형성하였다. 그리고, 이 콘덴서 소자를 바닥이 있는 통 형상의 외장 케이스에 삽입하여 개구 단부에 밀봉용 고무를 장착하고 조임 가공에 의해서 밀봉하였다. 그 후에 150℃, 120분, 5. 2V의 전압 인가에 의해 에이징을 행하여, 고체 전해 콘덴서를 형성하였다. 또, 이 고체 전해 콘덴서의 정격 전압은 2. 5WV, 정격 용량은 180μF이다.
(비교예 D4)
붕산 수용액에도 커플링제에도 침지하지 않고, 그 밖의조건 및 공정은 실시에 D2와 동일하다.
또한, 상기 방법에 의해 얻어진 실시예 D2와 비교예 D4에 대하여 초기 특성을 조사했더니 표 3에 나타낸 바와 같은 결과가 얻어졌다.
표 4로부터 알 수 있는 바와 같이, 커플링제에 침지하는 실시예 D2와 커플링제에 침지하지 않는 비교예 D4에 대하여 보면, 커플링제를 함유시킨 실시예 D2는 비교예 D4에 비하여 정전 용량은 1.15배로 증대하고 ESR은 약91%로 저감하였다.
또한, PVA를 바인더로서 포함하지 않는 세퍼레이터를 이용한 경우와 비교했더니 쇼트 전압은 20V 상승하였다.
Claims (28)
- 양극박과 음극박을 세퍼레이터를 사이에 두고 권회(卷回)한 콘덴서 소자에, 수복(修復) 화성(化成) 후에 중합성 모노머와 산화제를 함침하여 도전성 폴리머로 이루어지는 고체 전해질층을 형성하여 이루어지는 고체 전해 콘덴서로서,상기 세퍼레이터의 바인더가 비닐기를 갖는 화합물로 구성되고, 상기 수복 화성 전에 있어서의 세퍼레이터 중의 바인더의 함유량이, 상기 수복 화성 전에 상기 콘덴서 소자를 60℃ 내지 100℃의 온수에 침지함으로써, 세퍼레이터의 전체 중량에 대하여 10% 내지 20%로 되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서.
- 양극박과 음극박을 세퍼레이터를 사이에 두고 권회한 콘덴서 소자에, 중합성 모노머와 산화제를 함침하여 도전성 폴리머로 이루어지는 고체 전해질층을 형성하여 이루어지는 고체 전해 콘덴서로서,상기 세퍼레이터가 비닐기를 갖는 화합물을 바인더로서 10wt% 이상 함유하고, 중합성 모노머와 산화제를 함침하기 전에 아세틸렌디올, 디메틸라우릴아민옥사이드로부터 선택되는 1종 또는 2종을 콘덴서 소자 내에 함유시킨 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서.
- 양극박과 음극박을 세퍼레이터를 사이에 두고 권회한 콘덴서 소자에, 중합성 모노머와 산화제를 함침하여 도전성 폴리머로 이루어지는 고체 전해질층을 형성하여 이루어지는 고체 전해 콘덴서로서,상기 세퍼레이터에 비닐기를 갖는 화합물을 함유시킴과 함께 붕산 화합물을 상기 콘덴서 소자내에 함유시켜 가열하고, 상기 콘덴서 소자내에 비닐기를 갖는 화합물과 붕산 화합물로 이루어지는 결합체를 함유시키고,상기 결합체를 함유시킨 상기 세퍼레이터가 비닐기를 갖는 화합물을 바인더로서 10wt% 이상 함유하고, 상기 중합성 모노머와 산화제를 함침하기 전에 커플링제를 콘덴서 소자내에 함유시킨 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서.
- 제3항에 있어서, 상기 붕산 화합물이 붕산 또는 붕사인 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서.
- 삭제
- 제3항에 있어서, 상기 커플링제가 실란 커플링제, 티탄 커플링제, 알루미늄 커플링제로부터 선택되는 1 또는 2 이상의 커플링제인 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서.
- 양극박과 음극박을 세퍼레이터를 사이에 두고 권회한 콘덴서 소자에, 중합성 모노머와 산화제를 함침하여 도전성 폴리머로 이루어지는 고체 전해질층을 형성하여 이루어지는 고체 전해 콘덴서로서,상기 세퍼레이터에 비닐기를 갖는 화합물을 함유시키고, 상기 콘덴서 소자내에 비닐기를 갖는 화합물과 도데실벤젠술폰산으로 이루어지는 결합체를 함유시킨 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서.
- 양극박과 음극박을 세퍼레이터를 사이에 두고 권회한 콘덴서 소자에, 중합성 모노머와 산화제를 함침하여 도전성 폴리머로 이루어지는 고체 전해질층을 형성하여 이루어지는 고체 전해 콘덴서로서,상기 세퍼레이터에 비닐기를 갖는 화합물을 함유시키고, 상기 콘덴서 소자내에 비닐기를 갖는 화합물과 나프탈렌술폰산나트륨으로 이루어지는 결합체를 함유시킨 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서.
- 양극박과 음극박을 세퍼레이터를 사이에 두고 권회한 콘덴서 소자에, 중합성 모노머와 산화제를 함침하여 도전성 폴리머로 이루어지는 고체 전해질층을 형성하여 이루어지는 고체 전해 콘덴서로서,상기 세퍼레이터에 비닐기를 갖는 화합물을 함유시키고, 상기 세퍼레이터를 이용하여 권회한 콘덴서 소자를 폴리이미드 실리콘 용액에 침지하여, 산화 피막의 표면에 비닐기를 갖는 화합물과 폴리이미드 실리콘으로 이루어지는 피막을 형성한 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서.
- 양극박과 음극박을 세퍼레이터를 사이에 두고 권회한 콘덴서 소자에, 중합성 모노머와 산화제를 함침하여 도전성 폴리머로 이루어지는 고체 전해질층을 형성하여 이루어지는 고체 전해 콘덴서로서,상기 세퍼레이터에 비닐기를 갖는 화합물을 함유시키고, 상기 세퍼레이터를 이용하여 권회한 콘덴서 소자를 폴리이미드 실리콘 용액에 침지하여, 산화 피막의 표면에 비닐기를 갖는 화합물과 다시 그 위에 형성된 폴리이미드 실리콘의 2층으로 이루어지는 피막을 형성한 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서.
- 제1항 내지 제4항 또는 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 비닐기를 갖는 화합물이 폴리비닐알코올인 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서.
- 제1항 내지 제4항 또는 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 중합성 모노머가 3,4-에틸렌디옥시티오펜인 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서.
- 삭제
- 양극박과 음극박을 세퍼레이터를 사이에 두고 권회하여 콘덴서 소자를 형성하고, 수복 화성한 후, 중합성 모노머와 산화제를 함침하여 도전성 폴리머로 이루어지는 고체 전해질층을 형성하는 고체 전해 콘덴서의 제조 방법으로서,상기 세퍼레이터의 바인더가 비닐기를 갖는 화합물로 구성되고, 상기 수복 화성 전에 상기 콘덴서 소자를 60℃ 내지 100℃의 온수에 침지함으로써, 상기 수복 화성 전에 있어서의 세퍼레이터 중의 상기 바인더의 함유량을 세퍼레이터의 전체 중량에 대하여 10% 내지 20%로 조정하는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서의 제조 방법.
- 양극박과 음극박을 세퍼레이터를 사이에 두고 권회한 콘덴서 소자에 중합성 모노머와 산화제를 함침하여 도전성 폴리머로 이루어지는 고체 전해질층을 형성하는 고체 전해 콘덴서의 제조 방법으로서,상기 세퍼레이터로서, 비닐기를 갖는 화합물을 바인더로서 10wt% 이상 함유하는 세퍼레이터를 이용하여, 중합성 모노머와 산화제를 함침하기 전에, 아세틸렌디올, 디메틸라우릴아민옥사이드로부터 선택되는 1종 또는 2종을 콘덴서 소자내에 함유시킨 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서의 제조 방법.
- 양극박과 음극박을 비닐기를 갖는 화합물을 함유하는 세퍼레이터를 사이에 두고 권회하여 콘덴서 소자를 형성하고, 상기 콘덴서 소자에 붕산 화합물의 용액을 함침함과 함께 가열하여, 비닐기를 갖는 화합물과 붕산 화합물로 이루어지는 결합체를 생성하고, 그 후에 중합성 모노머와 산화제를 함침하여 도전성 폴리머로 이루어지는 고체 전해질층을 형성하는 고체 전해 콘덴서의 제조 방법으로서,상기 세퍼레이터로서, 비닐기를 갖는 화합물을 바인더로서 10wt% 이상 함유하는 세퍼레이터를 이용하여, 상기 중합성 모노머와 산화제를 함침하기 전에, 커플링제를 콘덴서 소자내에 함유시키는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서의 제조 방법.
- 삭제
- 제16항에 있어서, 상기 커플링제가 실란 커플링제, 티탄 커플링제, 알루미늄 커플링제로부터 선택되는 1 또는 2 이상의 커플링제인 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서의 제조 방법.
- 양극박과 음극박을 비닐기를 갖는 화합물을 함유하는 세퍼레이터를 사이에 두고 권회하여 콘덴서 소자를 형성하고, 상기 콘덴서 소자에 도데실벤젠술폰산의 용액을 함침하여, 비닐기를 갖는 화합물과 도데실벤젠술폰산으로 이루어지는 결합체를 생성하고, 그 후에 도전성 폴리머로 이루어지는 고체 전해질층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서의 제조 방법.
- 양극박과 음극박을 비닐기를 갖는 화합물을 함유하는 세퍼레이터를 사이에 두고 권회하여 콘덴서 소자를 형성하고, 상기 콘덴서 소자에 나프탈렌술폰산나트륨의 용액을 함침하여, 비닐기를 갖는 화합물과 나프탈렌술폰산나트륨으로 이루어지는 결합체를 생성하고, 그 후에 도전성 폴리머로 이루어지는 고체 전해질층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서의 제조 방법.
- 양극박과 음극박을 세퍼레이터를 사이에 두고 권회한 콘덴서 소자에, 중합성 모노머와 산화제를 함침하여 도전성 폴리머로 이루어지는 고체 전해질층을 형성하는 고체 전해 콘덴서의 제조 방법으로서,상기 세퍼레이터에 비닐기를 갖는 화합물을 함유시키고, 이 세퍼레이터를 이용하여 권회한 콘덴서 소자를, 폴리이미드 실리콘 용액에 침지하여 산화 피막의 표면에 비닐기를 갖는 화합물과 폴리이미드 실리콘으로 이루어지는 피막을 형성하고, 그 후에 상기 도전성 폴리머로 이루어지는 고체 전해질층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서의 제조 방법.
- 양극박과 음극박을 세퍼레이터를 사이에 두고 권회한 콘덴서 소자에, 중합성 모노머와 산화제를 함침하여 도전성 폴리머로 이루어지는 고체 전해질층을 형성하는 고체 전해 콘덴서의 제조 방법으로서,상기 세퍼레이터에 비닐기를 갖는 화합물을 함유시키고, 이 세퍼레이터를 이용하여 권회한 콘덴서 소자를, 폴리이미드 실리콘 용액에 침지하여 산화 피막의 표면에 비닐기를 갖는 화합물과 다시 그 위에 형성된 폴리이미드 실리콘의 2층으로 이루어지는 피막을 형성하고, 그 후에 상기 도전성 폴리머로 이루어지는 고체 전해질층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서의 제조 방법.
- 제14항 내지 제16항 또는 제18항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 비닐기를 갖는 화합물이 폴리비닐알코올인 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서의 제조 방법.
- 제14항 내지 제16항 또는 제18항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 중합성 모노머가 3,4-에틸렌디옥시티오펜인 것을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서의 제조 방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002092614 | 2002-03-28 | ||
JPJP-P-2002-00092614 | 2002-03-28 | ||
JPJP-P-2002-00286210 | 2002-09-30 | ||
JP2002286210 | 2002-09-30 | ||
JP2002286213 | 2002-09-30 | ||
JPJP-P-2002-00286213 | 2002-09-30 | ||
PCT/JP2003/004025 WO2003088287A1 (fr) | 2002-03-28 | 2003-03-28 | Condensateur electrolytique solide et son procede de fabrication |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040095345A KR20040095345A (ko) | 2004-11-12 |
KR100986888B1 true KR100986888B1 (ko) | 2010-10-08 |
Family
ID=29255085
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020047015424A Expired - Fee Related KR100986888B1 (ko) | 2002-03-28 | 2003-03-28 | 고체 전해 콘덴서 및 그 제조 방법 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7027292B2 (ko) |
EP (1) | EP1501107B1 (ko) |
JP (2) | JP4921696B2 (ko) |
KR (1) | KR100986888B1 (ko) |
CN (1) | CN101853739B (ko) |
WO (1) | WO2003088287A1 (ko) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101853739B (zh) * | 2002-03-28 | 2012-05-09 | 日本贵弥功株式会社 | 固体电解电容器及其制造方法 |
KR101018184B1 (ko) * | 2002-09-30 | 2011-02-28 | 닛뽄 케미콘 가부시끼가이샤 | 고체 전해 콘덴서의 제조 방법 |
DE102006002797A1 (de) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | H. C. Starck Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung von Polythiophenen |
KR100784922B1 (ko) * | 2006-03-24 | 2007-12-11 | 주식회사 에너솔 | 전도성 고분자를 적용한 권취형 전해 콘덴서의 제조 방법 |
US7483259B2 (en) * | 2007-03-21 | 2009-01-27 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a barrier layer |
US7460358B2 (en) * | 2007-03-21 | 2008-12-02 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a protective adhesive layer |
US7515396B2 (en) * | 2007-03-21 | 2009-04-07 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a conductive polymer |
US7754276B2 (en) * | 2007-04-16 | 2010-07-13 | Kemet Electronics Corporation | Process for manufacturing low ESR conductive polymer based solid electrolytic capacitors |
DE102007041722A1 (de) * | 2007-09-04 | 2009-03-05 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von leitfähigen Polymeren |
DE102008005568A1 (de) * | 2008-01-22 | 2009-07-23 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von leitfähigen Polymeren |
JP5340872B2 (ja) * | 2008-11-05 | 2013-11-13 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
WO2011064939A1 (ja) * | 2009-11-26 | 2011-06-03 | パナソニック株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ用電解液、およびそれを用いたアルミニウム電解コンデンサ |
JP5528877B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2014-06-25 | 三洋電機株式会社 | 電解コンデンサの製造方法 |
US8102642B2 (en) * | 2010-08-06 | 2012-01-24 | International Battery, Inc. | Large format ultracapacitors and method of assembly |
JP2012191178A (ja) * | 2011-02-22 | 2012-10-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 電解コンデンサおよび電解コンデンサの製造方法 |
JP5895177B2 (ja) * | 2011-02-25 | 2016-03-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
CN102270535B (zh) * | 2011-05-13 | 2013-10-23 | 株洲宏达电子有限公司 | 一种两步法pedt阴极片式钽电解电容器制造方法 |
TWI464934B (zh) | 2011-12-30 | 2014-12-11 | Eternal Materials Co Ltd | 電解質材料調配物、由此形成之電解質材料聚合物及其用途 |
US9362057B2 (en) | 2012-07-26 | 2016-06-07 | Industrial Technology Research Institute | Electrolyte mixture for electrolytic capacitor, composition for conductive polymer synthesis and conductive polymer solid electrolytic capacitor formed by using the same |
CN104681286B (zh) * | 2013-11-29 | 2017-08-25 | 赣州市柏瑞凯电子科技有限公司 | 导电聚合物电解质铝电容器制造方法 |
TWI483274B (zh) | 2013-12-30 | 2015-05-01 | Ind Tech Res Inst | 複合電極及電解電容器 |
JP2020053575A (ja) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | カーリットホールディングス株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
US11270847B1 (en) | 2019-05-17 | 2022-03-08 | KYOCERA AVX Components Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
US20210094226A1 (en) * | 2019-09-26 | 2021-04-01 | The Curators Of The University Of Missouri | Oxidation polymerization additive manufacturing |
KR102214731B1 (ko) | 2020-09-16 | 2021-02-10 | 대신아이브(주) | 실내 공기정화 및 유해 바이러스 살균시스템 |
KR102246239B1 (ko) | 2020-09-28 | 2021-04-29 | 대신아이브(주) | 대형공간 실내 공기정화 및 유해 바이러스 살균시스템 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990068116A (ko) * | 1998-01-28 | 1999-08-25 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 전해 콘덴서 및 그 제조 방법 |
KR20010075471A (ko) * | 1998-09-30 | 2001-08-09 | 도끼와 히꼬끼찌 | 고체 전해 컨덴서와 그 제조 방법 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3814730A1 (de) * | 1988-04-30 | 1989-11-09 | Bayer Ag | Feststoff-elektrolyte und diese enthaltende elektrolyt-kondensatoren |
JP2735620B2 (ja) | 1989-05-29 | 1998-04-02 | 日本ケミコン株式会社 | 固体電解コンデンサ |
JPH0458508A (ja) | 1990-06-28 | 1992-02-25 | Nippon Chemicon Corp | 電解コンデンサ |
JPH0722285A (ja) * | 1993-06-22 | 1995-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP3319501B2 (ja) * | 1997-06-06 | 2002-09-03 | 日本ケミコン株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
US6058006A (en) | 1997-10-03 | 2000-05-02 | Nippon Chemi-Con Corporation | Electrolytic capacitor |
JPH11307396A (ja) * | 1998-04-17 | 1999-11-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
CN1193388C (zh) * | 1999-09-10 | 2005-03-16 | 松下电器产业株式会社 | 固体电解电容器及其制造方法和导电性聚合物聚合用的氧化剂溶液 |
JP2001326145A (ja) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コンデンサ及びその製造方法 |
US6602741B1 (en) * | 1999-09-14 | 2003-08-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductive composition precursor, conductive composition, solid electrolytic capacitor, and their manufacturing method |
JP2002008946A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP4568947B2 (ja) * | 2000-03-29 | 2010-10-27 | 日本ケミコン株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP2002015955A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Nippon Kodoshi Corp | 電解コンデンサ |
JP2002110466A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサとその製造方法 |
CN101853739B (zh) * | 2002-03-28 | 2012-05-09 | 日本贵弥功株式会社 | 固体电解电容器及其制造方法 |
-
2003
- 2003-03-28 CN CN2010100014400A patent/CN101853739B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-28 EP EP03746413A patent/EP1501107B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-28 US US10/509,550 patent/US7027292B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-28 KR KR1020047015424A patent/KR100986888B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2003-03-28 WO PCT/JP2003/004025 patent/WO2003088287A1/ja active Application Filing
- 2003-03-28 JP JP2003585126A patent/JP4921696B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-02-03 US US11/347,714 patent/US7116549B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2006-02-03 US US11/347,713 patent/US7166138B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2009
- 2009-09-16 JP JP2009214976A patent/JP4525840B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990068116A (ko) * | 1998-01-28 | 1999-08-25 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 전해 콘덴서 및 그 제조 방법 |
KR20010075471A (ko) * | 1998-09-30 | 2001-08-09 | 도끼와 히꼬끼찌 | 고체 전해 컨덴서와 그 제조 방법 |
KR100647181B1 (ko) | 1998-09-30 | 2006-11-17 | 닛뽄 케미콘 가부시끼가이샤 | 고체 전해 컨덴서와 그 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7166138B2 (en) | 2007-01-23 |
CN101853739B (zh) | 2012-05-09 |
JPWO2003088287A1 (ja) | 2005-08-25 |
US20060139852A1 (en) | 2006-06-29 |
US7027292B2 (en) | 2006-04-11 |
US20060050469A1 (en) | 2006-03-09 |
US20060126271A1 (en) | 2006-06-15 |
JP4921696B2 (ja) | 2012-04-25 |
KR20040095345A (ko) | 2004-11-12 |
JP4525840B2 (ja) | 2010-08-18 |
EP1501107A1 (en) | 2005-01-26 |
US7116549B2 (en) | 2006-10-03 |
JP2009296009A (ja) | 2009-12-17 |
EP1501107B1 (en) | 2013-01-09 |
EP1501107A4 (en) | 2006-05-24 |
CN101853739A (zh) | 2010-10-06 |
WO2003088287A1 (fr) | 2003-10-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100986888B1 (ko) | 고체 전해 콘덴서 및 그 제조 방법 | |
KR101554049B1 (ko) | 고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법 | |
JP4442287B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP2000195758A (ja) | 固体電解コンデンサとその製造方法 | |
KR101018184B1 (ko) | 고체 전해 콘덴서의 제조 방법 | |
JP5134173B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JP7067598B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JP2005294504A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP2003017369A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP2022100375A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JP4780893B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP4773031B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP5117655B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JP2001284181A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP4774664B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP2001284178A (ja) | 固体電解コンデンサとその製造方法 | |
JP4314938B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP5303085B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP4639504B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP4378908B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JP2003289019A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP2003197482A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP2002110466A (ja) | 固体電解コンデンサとその製造方法 | |
JP2002110464A (ja) | 固体電解コンデンサとその製造方法 | |
JP2004128092A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0105 | International application |
Patent event date: 20040924 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20080327 Comment text: Request for Examination of Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20091217 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20100706 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20101004 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20101004 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130924 Year of fee payment: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20130924 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141001 Year of fee payment: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20141001 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150918 Year of fee payment: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20150918 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160921 Year of fee payment: 7 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20160921 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170922 Year of fee payment: 8 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20170922 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180921 Year of fee payment: 9 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20180921 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20200925 Start annual number: 11 End annual number: 11 |
|
PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20220715 |