KR100979237B1 - Bga 패키지용 기판 및 그의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
또한, 상기 코팅막(210) 내에는 0.1∼1㎛의 크기로 이루어진 니켈, 알루미늄, 은, 철, 구리 및 금 파티클 중 어느 하나로 이루어진 상기 전도성 파티클이 함유되고, 이때, 상기 니켈, 알루미늄, 은, 철, 구리 및 금 파티클 중 어느 하나의 전도성 파티클은 상기 폴리에틸렌 물질 또는 에폭시 물질 내에 0.1∼40%로 함유되며, 바람직하게는, 1∼30%로 함유된다.
이때, 고분자 화합물(210a)은 폴리에틸렌 또는 에폭시와 같은 물질로 이루어진 열가소성 수지 또는 열경화성 수지가 이용될 수 있다.
여기서, 상기 고분자 화합물(210a)은 0.1∼100㎛의 두께로 형성하며, 바람직하게는 10∼20㎛의 두께로 형성하며, 상기 고분자 화합물(210a) 내에는 0.1∼1㎛의 크기로 이루어진 니켈, 알루미늄, 은, 철, 구리 및 금 파티클 중 어느 하나로 이루어진 전도성 파티클이 함유된다.
상기 니켈, 알루미늄, 은, 철, 구리 및 금 파티클 중 어느 하나로 이루어진 전도성 파티클은 상기 폴리에틸렌 물질 또는 에폭시 물질 내에 0.1∼40%로 함유되도록 형성하며, 바람직하게는, 1∼30%로 함유되도록 형성한다.
Claims (15)
- 일면에 볼랜드를 포함한 구리로 이루어진 회로배선을 갖는 절연층;상기 볼 랜드를 노출시키도록 절연층의 일면에 도포된 솔더 레지스트;상기 솔더 레지스트 및 볼 랜드 상에 도포된 전도성 파티클을 함유한 고분자 화합물로 이루어진 코팅막; 및상기 코팅막이 도포된 볼 랜드 상에 부착된 솔더 볼;을 포함하는 것을 특징으로 하는 BGA 패키지용 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 고분자 화합물은 열가소성 수지 또는 열경화성 수지로 이루어진 것을 특징으로 하는 BGA 패키지용 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 코팅막은 니켈, 알루미늄, 은, 철, 구리 및 금 파티클(Particle) 중 어느 하나로 이루어진 상기 전도성 파티클과, 상기 전도성 파티클을 함유하는 폴리에틸렌 또는 에폭시 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 BGA 패키지용 기판.
- 제 3 항에 있어서,상기 전도성 파티클은 상기 폴리에틸렌 또는 에폭시 물질 내에 0.1∼40% 함유된 것을 특징으로 하는 BGA 패키지용 기판.
- 제 3 항에 있어서,상기 전도성 파티클은 0.1∼1㎛의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 BGA 패키지용 기판.
- 제 1 항에 있어서,상기 코팅막은 0.1∼100㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 BGA 패키지용 기판.
- 일면에 볼랜드를 포함한 구리로 이루어진 회로배선을 갖고, 상기 볼 랜드를 노출시키도록 솔더 레지스트가 도포된 절연층의 상기 솔더 레지스트 및 볼 랜드 상에 전도성 파티클을 함유한 고분자 화합물로 이루어진 코팅막을 형성하는 단계; 및상기 코팅막이 형성된 볼 랜드 상에 솔더 볼을 부착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 BGA 패키지용 기판의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 고분자 화합물은 열가소성 수지 또는 열경화성 수지로 형성하는 것을 특징으로 하는 BGA 패키지용 기판의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 코팅막은 니켈, 알루미늄, 은, 철, 구리 및 금 파티클(Particle) 중 어느 하나로 이루어진 상기 전도성 파티클과, 상기 전도성 파티클을 함유하는 폴리에틸렌 또는 에폭시 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 BGA 패키지용 기판의 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 전도성 파티클은 상기 폴리에틸렌 또는 에폭시 물질 내에 0.1∼40% 함유되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 BGA 패키지용 기판의 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 전도성 파티클은 0.1∼1㎛의 크기로 형성하는 것을 특징으로 하는 BGA 패키지용 기판의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 코팅막은 0.1∼100㎛의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 BGA 패키지용 기판의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 코팅막을 형성하는 단계는 스프레이 방식 또는 침지 방식으로 수행하는 것을 특징으로 하는 BGA 패키지용 기판의 제조방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 침지 방식은 5∼15초 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 BGA 패키지용 기판의 제조방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 침지 방식은 상기 코팅막 형성 후, 70∼90℃의 온도에서 25∼35분 동안 큐어링을 수행하는 것을 특징으로 하는 BGA 패키지용 기판의 제조방법.
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