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KR100963525B1 - Active matrix display device and driving method - Google Patents

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KR100963525B1
KR100963525B1 KR1020030068403A KR20030068403A KR100963525B1 KR 100963525 B1 KR100963525 B1 KR 100963525B1 KR 1020030068403 A KR1020030068403 A KR 1020030068403A KR 20030068403 A KR20030068403 A KR 20030068403A KR 100963525 B1 KR100963525 B1 KR 100963525B1
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소니 주식회사
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Abstract

액티브-매트릭스 표시장치와 액티브-매트릭스 표시장치 구동방법에서, 전원전압, 즉 임계전압의 보상에 요구되는 고정전압이, 신호선이 아니고 제 5트랜지스터를 통해 전원선에 의해 공급되도록 제 5트랜지스터가 전원선과 제 1트랜지스터의 드레인 단자 사이에서 접속된다. 따라서, 임계전압 보상기간을 위한 충분한 길이의 시간이 유지될 수 있고, 각 화소의 제 2트랜지스터는 임계전압 불규칙성에 대해 정확하게 보상될 수 있다.In the method of driving the active-matrix display device and the active-matrix display device, the fifth transistor is connected to the power supply line such that the fixed voltage required for the compensation of the power supply voltage, that is, the threshold voltage, is supplied by the power supply line through the fifth transistor instead of the signal line. It is connected between the drain terminal of a 1st transistor. Thus, a sufficient length of time for the threshold voltage compensation period can be maintained, and the second transistor of each pixel can be accurately compensated for the threshold voltage irregularity.

Description

액티브-매트릭스 표시장치 및 그 구동방법{Active-matrix display device and method of driving the same}Active-matrix display device and method of driving the same

도 1은 본 발명의 실시형태에 따르는 액티브-매트릭스 표시장치의 개략적인 블럭도이다.1 is a schematic block diagram of an active-matrix display device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 제 1회로의 화소회로의 회로도이다.2 is a circuit diagram of a pixel circuit of the first circuit.

도 3은 제 1회로의 화소회로의 작동을 설명하는 타이밍도이다.3 is a timing diagram illustrating the operation of the pixel circuit of the first circuit.

도 4는 제 2회로의 화소회로의 회로도이다.4 is a circuit diagram of a pixel circuit of a second circuit.

도 5는 제 3회로의 화소회로의 회로도이다.5 is a circuit diagram of a pixel circuit of a third circuit.

도 6은 제 4회로의 화소회로의 회로도이다.6 is a circuit diagram of a pixel circuit of a fourth circuit.

도 7은 제 5회로의 화소회로의 회로도이다.7 is a circuit diagram of a pixel circuit of a fifth circuit.

도 8은 제 6회로의 화소회로의 회로도이다.8 is a circuit diagram of a pixel circuit of a sixth circuit.

도 9는 제 7회로의 화소회로의 회로도이다.9 is a circuit diagram of a pixel circuit of a seventh circuit.

도 10은 입력 데이터(회색음영)와 신호선의 전압사이의 관계를 나타낸다.Fig. 10 shows the relationship between the input data (gray shade) and the voltage of the signal line.

도 11은 단순 액티브-매트릭스 유기-EL 표시장치의 개략적인 블럭도이다.11 is a schematic block diagram of a simple active-matrix organic-EL display.

도 12는 두 개의 트랜지스터를 가지는 화소회로의 회로도이다.12 is a circuit diagram of a pixel circuit having two transistors.

도 13은 종래 화소회로의 회로도이다.13 is a circuit diagram of a conventional pixel circuit.

도 14는 종래 화소회로의 작동을 설명하는 타이밍도이다. 14 is a timing diagram illustrating the operation of the conventional pixel circuit.                 

* 도면의 주요부분에 대한 부호설명* Explanation of symbols on the main parts of the drawings

11, 11a, 11b, 11c, 11d, 11e, 11f, 11g. 화소회로11, 11a, 11b, 11c, 11d, 11e, 11f, 11g. Pixel circuit

12. 데이터 드라이버 13. 신호선12. Data Driver 13. Signal Line

14. 스캔 드라이버 15a, 15b, 15c, 15d. 주사선14. Scan driver 15a, 15b, 15c, 15d. scanning line

21. 제 1트랜지스터 22. 제 2트랜지스터21. 1st transistor 22. 2nd transistor

23. 제 3트랜지스터 24. 제 4트랜지스터23. 3rd transistor 24. 4th transistor

25. 제 5트랜지스터 26. 제 1커패시터25. 5th transistor 26. 1st capacitor

27. 제 2커패시터 31. 제 1전원선27. Second Capacitor 31. First Power Line

32. 제 2전원선 33. 제 3전원선32. Second Power Line 33. Third Power Line

본 발명은 매트릭스에 배치된 표시장치소자를 가지는 화소(화소회로)를 포함하고 스캐닝 선과 신호선으로 화상데이터를 읽고 표시하는 액티브-매트릭스 표시장치와, 그러한 액티브-매트릭스 표시장치를 구동하는 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 표시소자로서 유기 전자발광(electroluminescent)(이하 EL로 칭함)소자를 가지는 액티브-매트릭스 표시장치와 액티브-매트릭스 유기-EL 표시장치의 구동방법에 관한 것이다.The present invention relates to an active-matrix display device including pixels (pixel circuits) having display device elements arranged in a matrix and to read and display image data by scanning lines and signal lines, and a method of driving such an active-matrix display device. . In particular, the present invention relates to an active-matrix display device having an organic electroluminescent (hereinafter referred to as EL) element as a display element and a method of driving an active-matrix organic-EL display device.

액티브-매트릭스 표시장치에서, 액정셀이나 유기-EL 소자와 같은, 전자광학소자는 각 화소의 표시소자에 사용된다. 유기-EL 소자는 유기층이 전극사이에 배치되는 구조이다. 전압을 유기-EL에 공급함으로써, 전자는 캐소드로부터 유기층으로 주입되고 정공은 애노드로부터 유기층으로 주입된다. 그리고 나서 전자와 정공은 빛을 방출하기 위해서 재결합한다. 유기-EL 소자에는 다음의 특징이 있다.In an active-matrix display device, an electro-optical element, such as a liquid crystal cell or an organic-EL element, is used for the display element of each pixel. The organic-EL device is a structure in which an organic layer is disposed between electrodes. By supplying a voltage to the organic-EL, electrons are injected from the cathode into the organic layer and holes are injected from the anode into the organic layer. The electrons and holes then recombine to emit light. The organic-EL device has the following characteristics.

1. 유기-EL 소자는 100 ~ 10,000 cd/m2 의 휘도를 얻기 위한 구동으로서, 10V 이하의 저소비전력을 요구한다.1. The organic-EL device is a drive for obtaining luminance of 100 to 10,000 cd / m 2 , and requires a low power consumption of 10 V or less.

2. 유기-EL 소자는 자발광에 기인하여 높은 화상-콘트라스트를 가지며, 높은 응답속도에 기인하여 좋은 가시도(visibility)를 가지며, 또한 동화상 표시에 적당하다.2. The organic-EL device has high image-contrast due to self-luminous, good visibility due to high response speed, and is also suitable for moving picture display.

3. 유기-EL 소자는 단순구조를 가지는 전-고체-상태 소자(all-solid-state element)이고, 따라서 높은 신뢰성과 낮은-프로파일(low-profile)소자를 이룬다.3. The organic-EL device is an all-solid-state element with a simple structure, thus achieving high reliability and low-profile device.

화소의 표시소자를 위해 이와 같은 특징을 갖는 유기-EL 소자를 가지는 유기-EL 표시장치(이하 유기-EL 디스플레이로 칭함)는 차세대 평면 패널 디스플레이로 사용될 것이 기대된다.For display devices of pixels, organic-EL displays (hereinafter referred to as organic-EL displays) having organic-EL elements having such characteristics are expected to be used as next-generation flat panel displays.

유기-EL 디스플레이 구동방법으로서, 단순 매트릭스 방법과 액티브-매트릭스 방법이 알려져 있다. 상기 두 방법에서, 액티브-매트릭스 방법은 다음의 특징이 있다.As the organic-EL display driving method, a simple matrix method and an active-matrix method are known. In both methods, the active-matrix method has the following characteristics.

1. 액티브-매트릭스 방법은 한 프레임 내에 각 화소의 유기-EL 소자의 빛의 방출을 유지할 수 있으므로 고해상도와 고휘도 유기-EL 디스플레이에 적합하다.1. The active-matrix method is suitable for high resolution and high brightness organic-EL displays because it can maintain the emission of light from the organic-EL elements of each pixel within one frame.

2. 액티브-매트릭스 방법은 패널의 외부 인터페이스를 단순화하고 또한 고기능 패널을 이루기 위하여 패널에 형성된 박막 트랜지스터와 함께 주변회로를 가질 수 있다.2. The active-matrix method can have a peripheral circuit with thin film transistors formed in the panel to simplify the external interface of the panel and also to achieve a high performance panel.

액티브-매트릭스 유기-EL 디스플레이에서, 액티브층으로서 폴리실리콘을 가지는 폴리실리콘 박막 트랜지스터(이하 TFT로 칭함)는 통상 트랜지스터로 사용되는, 즉, 액티브 소자이다. 폴리실리콘 TFT를 통상 사용하는 이유는 구동능력과 고해상도를 이루기 위하여 화소 크기를 줄이는 능력이 우수하기 때문이다. 반면에, 그러나 폴리실리콘 TFT는 매우 불규칙한 특징을 가진 것으로 또한 알려져 있다.In an active-matrix organic-EL display, a polysilicon thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) having polysilicon as the active layer is usually used as a transistor, that is, an active element. The reason for using a polysilicon TFT normally is because of its excellent driving ability and ability to reduce pixel size to achieve high resolution. On the other hand, however, polysilicon TFTs are also known to have very irregular characteristics.

따라서, 폴리실리콘 TFT를 사용하는 액티브-매트릭스 유기-EL 디스플레이에 관하여, TFT 특징에서 불규칙성이 줄어들 필요가 있고 회로에서 TFT의 불규칙성이 보상될 필요가 있다. 이것은 다음 이유에 기인한다. 화소의 표시소자로서 액정셀을 가지는 액정 디스플레이에서, 화소의 휘도 데이터는 전압에 의해 제어되는데, 유기-EL 디스플레이에서, 화소의 휘도 데이터는 전류에 의해 제어된다.Thus, with respect to active-matrix organic-EL displays using polysilicon TFTs, the irregularities in the TFT characteristics need to be reduced and the irregularities of the TFTs in the circuit need to be compensated for. This is due to the following reason. In a liquid crystal display having a liquid crystal cell as the display element of the pixel, the luminance data of the pixel is controlled by voltage, while in the organic-EL display, the luminance data of the pixel is controlled by current.

액티브-매트릭스 유기-EL 디스플레이에 관한 일반적인 아웃라인을 설명할 것이다. 도 11에는, 액티브-매트릭스 유기-EL 디스플레이의 개략도가 도시되어 있다. 도 12에는, 액티브-매트릭스 유기-EL 디스플레이의 화소회로의 하나의 도형이 도시되어 있다(예를 들면, 일본 미심사 특허출원공보번호 8-234683 참조). 액티브-매트릭스 유기-EL 디스플레이에서 화소(101)의 m열×n행은 매트릭스로 배열된다. 매트릭스로 배열된 화소(101)에서, 데이터 드라이버(102)에 의해 구동되는 신호선(103-1 내지 103-m)의 각 m열은 화소 열에 대응하여 화소(101)에 접속되고, 스캔 드라이버(104)에 의해 구동되는 스캐닝 선(105-1 내지 105-n)의 각 n행은 화소 행에 대응하여 화소(101)에 접속된다.A general outline of an active-matrix organic-EL display will be described. In FIG. 11 a schematic of an active-matrix organic-EL display is shown. In Fig. 12, one figure of the pixel circuit of the active-matrix organic-EL display is shown (see, for example, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 8-234683). In an active-matrix organic-EL display, m columns x n rows of pixels 101 are arranged in a matrix. In the pixels 101 arranged in a matrix, each m column of the signal lines 103-1 to 103-m driven by the data driver 102 is connected to the pixels 101 corresponding to the pixel columns, and the scan driver 104 Each of the n rows of the scanning lines 105-1 to 105-n driven by N is connected to the pixel 101 in correspondence with the pixel rows.

도 12로부터 알 수 있는 바와 같이, 각 화소(화소회로)(101)는 유기-EL 소자(110), 제 1트랜지스터(111), 제 2트랜지스터(112) 및 커패시터(113)를 포함한다. N-채널 트랜지스터는 제 1트랜지스터(111)로 사용되고 P-채널 트랜지스터는 제 2트랜지스터(112)로 사용된다.As can be seen from FIG. 12, each pixel (pixel circuit) 101 includes an organic-EL element 110, a first transistor 111, a second transistor 112, and a capacitor 113. The N-channel transistor is used as the first transistor 111 and the P-channel transistor is used as the second transistor 112.

제 1트랜지스터(111)의 소스 단자는 신호선(103(103-1 내지 103-m)) 중 대응하는 한 선과 접속되고 게이트 단자는 스캐닝 선(105(105-1 내지 105-n)) 중 대응하는 한 선과 접속된다. 커패시터(113)의 제 1단은, 예를 들면, 정(+) 공급전압이 될 수 있는 전원전압(VCC1)의 제 1전원선(121)에 접속되어 있다. 커패시터(113)의 제 2단은 제 1트랜지스터(111)의 드레인 단자에 접속되어 있다. 제 2트랜지스터(112)의 소스 단자는 제 1전원선(121)에 접속되고 제 2트랜지스터(112)의 게이트 단자자는 제 1트랜지스터(111)의 드레인 단자에 접속된다. 유기-EL 소자(110)의 애노드는 제 2트랜지스터(112)의 드레인 단자에 접속되고, 그리고 유기-EL 소자(110)의 캐소드는, 예를 들면, 그라운드 전위가 될 수 있는 전원전압(VCC2)의 제 2전원선(122)에 접속된다.The source terminal of the first transistor 111 is connected to a corresponding one of the signal lines 103 (103-1 to 103-m) and the gate terminal corresponds to one of the scanning lines 105 (105-1 to 105-n). It is connected with one line. The first end of the capacitor 113 is connected to, for example, the first power supply line 121 of the power supply voltage VCC1 which can be a positive supply voltage. The second end of the capacitor 113 is connected to the drain terminal of the first transistor 111. The source terminal of the second transistor 112 is connected to the first power line 121, and the gate terminal of the second transistor 112 is connected to the drain terminal of the first transistor 111. The anode of the organic-EL element 110 is connected to the drain terminal of the second transistor 112, and the cathode of the organic-EL element 110 is, for example, a power supply voltage VCC2 which can be a ground potential. Is connected to the second power supply line 122.

상기 기술된 화소회로에서, 휘도 데이터를 기입하는 화소의 하나를 포함하는 행은 스캐닝 선(105)을 통해 스캔 드라이버(104)에 의해 선택된다. 이것은 행에서 화소의 제 1트랜지스터(111)를 턴온(turn on)한다. 휘도 데이터가 신호선(103)을 통해 데이터 드라이버(102)로부터 전압을 통해 공급된다. 그리고 나서 휘도 데이터는 제 1트랜지스터(111)를 통해 보내지고, 데이터 전압을 유지하는 커패시터(113) 내로 기입된다. 커패시터(113)에 기입된 휘도 데이터는 하나의 필드기간동안 유지된다. 유지 데이터 전압은 제 2트랜지스터(112)의 게이트 단자에 인가된다.In the pixel circuit described above, a row containing one of the pixels for writing the luminance data is selected by the scan driver 104 via the scanning line 105. This turns on the first transistor 111 of the pixel in the row. Luminance data is supplied via the voltage from the data driver 102 via the signal line 103. The luminance data is then sent through the first transistor 111 and written into the capacitor 113 holding the data voltage. The luminance data written into the capacitor 113 is held for one field period. The sustain data voltage is applied to the gate terminal of the second transistor 112.

제 2트랜지스터(112)는 유지 데이터에 따라 전기전류로 유기-EL 소자를 구동시킨다. 제 2트랜지스터(112)의 게이트와 소스 사이의 커패시터(113)에 의해 유지된 전압(Vdata(<0))을 모듈레이팅함으로써 유기-EL 소자 내에서 그레이스케일(grayscale)이 이루어진다.The second transistor 112 drives the organic-EL device with an electric current according to the maintenance data. Grayscale is achieved in the organic-EL device by modulating the voltage Vdata (<0) held by the capacitor 113 between the gate and the source of the second transistor 112.

유기-EL 소자의 휘도(Loled)는 소자에서 보통 전기전류(Ioled)에 비례한다. 결과적으로, 다음 식은 유기-EL 소자의 휘도(Loled)와 전기전류(Ioled) 사이를 유지한다.The luminance L oled of the organic-EL device is usually proportional to the electrical current I oled in the device. As a result, the following equation maintains between the luminance L oled and the electrical current I oled of the organic-EL device.

Loled ∝ Ioled = k(Vdata - Vth)2 ...식 (1)L oled ∝ I oled = k (Vdata-Vth) 2 ... (1)

식 (1)에서, k = 1/2ㆍμㆍCoxㆍW/L, 여기서 μ는 제 2트랜지스터의 캐리어(carrier) 이동도를 나타내고, Cox는 제 2트랜지스터의 단위면적 당 게이트 용량을 나타내며, W는 제 2트랜지스터(112)의 게이트 폭을 나타내고, L은 제 2트랜지스터(112)의 게이트 길이를 나타낸다. 따라서 제 2트랜지스터(112)의 이동도(μ)와 임계전압(Vth(<0))에서의 불규칙성은 직접적으로 유기-EL 소자의 휘도 불규칙성에 영향을 미친다.In Equation (1), k = 1/2 占 占 占 OX / W / L, where mu represents carrier mobility of the second transistor, Cox represents gate capacity per unit area of the second transistor, W denotes the gate width of the second transistor 112 and L denotes the gate length of the second transistor 112. Therefore, irregularities in the mobility μ of the second transistor 112 and the threshold voltage Vth (<0) directly affect the luminance irregularity of the organic EL device.

휘도 불규칙성을 쉽게 일으키는 경향이 있는 임계전압(Vth)을 보상하기 위하여, 임계전압 보상 화소회로는, 예를 들면, USP No. 6,229,506에 나타내져 있다.In order to compensate for the threshold voltage Vth which tends to easily cause luminance irregularity, the threshold voltage compensation pixel circuit is, for example, USP No. 6,229,506.

도 13은 종래 임계전압 보상 화소회로의 회로도이다. 도 13에 있어서, 도 12에서와 같은 부품은 같은 참조 부호로 나타내져 있다. 도 13으로부터 알 수 있는 바와 같이, 이 종래 화소회로는 한 개의 유기-EL 소자(110), 네 개의 트랜지스터(111, 112, 114, 115)와 두 개의 커패시터(113, 116)를 포함하고 있다. 이 화소회로를 가지는 유기-EL 디스플레이에 있어서, 스캔 드라이버(104)에 의해 구동되는 세 개의 스캐닝 선(105a, 105b, 105c)은 화소의 열에 대응하는 행과 서로 접속된다(도 11 참조).13 is a circuit diagram of a conventional threshold voltage compensation pixel circuit. In Fig. 13, the same parts as in Fig. 12 are designated by the same reference numerals. As can be seen from FIG. 13, this conventional pixel circuit includes one organic-EL element 110, four transistors 111, 112, 114 and 115 and two capacitors 113 and 116. In the organic-EL display having this pixel circuit, the three scanning lines 105a, 105b, 105c driven by the scan driver 104 are connected with each other in rows corresponding to the columns of the pixels (see Fig. 11).

제 1트랜지스터(111)의 소스 단자는 신호선(103)에 접속되고, 제 1트랜지스터(111)의 게이트 단자는 제 1스캐닝 선(105A)에 접속된다. 제 1커패시터(116)의 제 1단은 제 1트랜지스터(111)의 드레인 단자에 접속된다. 제 2트랜지스터(112)의 게이트 단자는 제 1커패시터(116)의 제 2단에 접속되고, 제 2트랜지스터(112)의 소스 단자는, 예를 들면, 정(+) 공급전압이 될 수 있는 전원전압(VCC1)의 제 1전원선(121)에 접속된다. 제 2커패시터(113)의 제 1단은 제 1전원선(121)에 접속되고, 제 2커패시터(113)의 제 2단은 제 2트랜지스터(112)의 게이트 단자에 접속된다.The source terminal of the first transistor 111 is connected to the signal line 103, and the gate terminal of the first transistor 111 is connected to the first scanning line 105A. The first end of the first capacitor 116 is connected to the drain terminal of the first transistor 111. The gate terminal of the second transistor 112 is connected to the second end of the first capacitor 116, and the source terminal of the second transistor 112 is, for example, a power supply that can be a positive supply voltage. It is connected to the first power supply line 121 of the voltage VCC1. The first end of the second capacitor 113 is connected to the first power line 121, and the second end of the second capacitor 113 is connected to the gate terminal of the second transistor 112.

제 3트랜지스터(114)의 게이트 단자는 제 2스캐닝 선(105B)에 접속되고, 제 3트랜지스터(114)의 소스 단자는 제 2트랜지스터(114)의 게이트 단자에 접속되고, 제 3트랜지스터(114)의 드레인 단자는 제 2트랜지스터(112)의 드레인 단자에 접속된다. 제 4트랜지스터(115)의 게이트 단자는 제 3스캐닝 선(105C)에 접속되고, 제 4트랜지스터(115)의 소스 단자자는 제 2트랜지스터(112)의 드레인 단자에 접속된다. 유기-EL 소자(110)의 애노드가 제 4트랜지스터(115)의 드레인 단자에 접속되고, 캐소드는, 예를 들면, 그라운드 전위가 될 수 있는 전원전압(VCC2)의 제 2전원선(122)에 접속된다.The gate terminal of the third transistor 114 is connected to the second scanning line 105B, the source terminal of the third transistor 114 is connected to the gate terminal of the second transistor 114, and the third transistor 114 The drain terminal of is connected to the drain terminal of the second transistor 112. The gate terminal of the fourth transistor 115 is connected to the third scanning line 105C, and the source terminal of the fourth transistor 115 is connected to the drain terminal of the second transistor 112. The anode of the organic-EL element 110 is connected to the drain terminal of the fourth transistor 115, and the cathode is connected to the second power supply line 122 of the power supply voltage VCC2, which may be, for example, a ground potential. Connected.

종래의 임계전압 보상 화소회로의 동작이 도 14의 타이밍도를 참조하여 이하에 설명된다. 이 타이밍도는 구동하는 동안 화소회로에서 i번째 행과 (i+1)번째 행의 타이밍 관계를 설명한다. 더욱이, 용어 "보상"은 임계전압 보상기간을 나타내고, 용어 "기입"은 데이터 기입 기간을 나타내고, 용어 "유지"는 데이터 유지기간을 나타낸다.The operation of the conventional threshold voltage compensation pixel circuit is described below with reference to the timing diagram of FIG. This timing diagram illustrates the timing relationship between the i th row and the (i + 1) th row in the pixel circuit during driving. Further, the term "compensation" denotes a threshold voltage compensation period, the term "write" denotes a data writing period, and the term "maintenance" denotes a data retention period.

상기 화소회로의 동작에 있어서, 임계전압 보상기간은 데이터 기입 기간 전에 온다. 상기 임계전압 보상기간에서, 스캐닝 펄스(SCAN1)는 하이레벨(이하 "H" 레벨로 칭함)에서 제 1스캐닝 선(105A)을 통해 공급되어 제 1트랜지스터(111)를 턴온한다. 그리고 나서 고정전압(V0)이 데이터 드라이버(102)에서 신호선(103)으로 공급된다. 따라서, 고정전압(V0)이 제 1트랜지스터(111)를 통해 제 1커패시터(116) 내로 기입된다. 제 2스캐닝 선(105b)을 통해 공급된 스캐닝 펄스(SCAN2)도 또한 이 시간에 "H" 레벨에 도달하여 제 3트랜지스터(114)를 턴온한다. 또한, 제 3스캐닝 선(105C)을 통해 공급된 스캐닝 펄스(SCAN3)가 로우레벨(이하 "L" 레벨로 칭함)에 있기 때문에 제 4트랜지스터(115)는 오프(off)이다.In the operation of the pixel circuit, the threshold voltage compensation period comes before the data writing period. In the threshold voltage compensation period, the scanning pulse SCAN1 is supplied through the first scanning line 105A at a high level (hereinafter referred to as “H” level) to turn on the first transistor 111. The fixed voltage V 0 is then supplied from the data driver 102 to the signal line 103. Therefore, the fixed voltage V 0 is written into the first capacitor 116 through the first transistor 111. The scanning pulse SCAN2 supplied through the second scanning line 105b also reaches the "H" level at this time to turn on the third transistor 114. Further, the fourth transistor 115 is off because the scanning pulse SCAN3 supplied through the third scanning line 105C is at a low level (hereinafter referred to as "L" level).

이 상태에서, 커패시터(116)의 제 1단에 인접한 고정된 (V0)을 가지는 제 1커패시터(116)는 제 3트랜지스터(114)의 소스 및 드레인 단자를 통해 제 2단으로부터 충전된다. 만약 임계전압 보상기간이 충분히 길다면, 제 1커패시터(116)의 제 2단에 인접한 전압, 즉, 제 2트랜지스터(112)의 게이트 단자와 소스 단자 간의 전압이 트랜지스터의 임계전압(Vth(<0))으로 수렴한다.In this state, the first capacitor 116 having a fixed (V 0 ) adjacent to the first end of the capacitor 116 is charged from the second end through the source and drain terminals of the third transistor 114. If the threshold voltage compensation period is long enough, the voltage adjacent to the second end of the first capacitor 116, that is, the voltage between the gate terminal and the source terminal of the second transistor 112 is the threshold voltage Vth (<0) of the transistor. Converge to).

그 다음의 데이터 기입 기간에서는, 스캐닝 펄스(SCAN1)가 "H" 레벨로 유지되기 때문에, 제 1트랜지스터(111)는 온 모드(ON mode)로 유지되고, 데이터 전압(V0 + Vdata(Vdata <0))은 신호선(102)으로부터 공급된다. 스캐닝 펄스(SCAN2)는 이 시간에 "L" 레벨에 있기 때문에, 제 3트랜지스터(114)는 오프(off)이다.In the following data writing period, a scanning pulse (SCAN1) is "H" because it remains level, the first transistor 111 in the on mode is maintained in the (ON mode), the data voltage (V 0 + Vdata (Vdata < 0)) is supplied from the signal line 102. Since the scanning pulse SCAN2 is at the "L" level at this time, the third transistor 114 is off.

예를 들면, 트랜지스터의 게이트 용량 또는 기생용량을 무시함으로써, 제 2트랜지스터(112)의 게이트 단자와 소스 단자 간의 전압은 다음과 같은 식으로 표현될 수 있다.For example, by ignoring the gate capacitance or parasitic capacitance of the transistor, the voltage between the gate terminal and the source terminal of the second transistor 112 can be expressed as follows.

Vgs = Vth + C1/(C1 + C2)ㆍVdata ...식 (2)Vgs = Vth + C1 / (C1 + C2) Vdata ... (2)

여기에서 C1 과 C2는 각각, 제 1과 제 2커패시터(116, 113)의 용량을 나타낸다.Here, C1 and C2 represent the capacities of the first and second capacitors 116 and 113, respectively.

식 (2)를 적용함으로써, 유기-EL 소자(110)를 통해 흐르는 전기전류(Ioled)는 다음 식으로 표현될 수 있다.By applying equation (2), the electric current I oled flowing through the organic-EL element 110 can be expressed by the following equation.

Loled ∝ Ioled = k{C1/(C1 + C2)ㆍVdata}2 ...식 (3)L oled ∝ I oled = k {C1 / (C1 + C2) Vdata} 2 ... (3)

식 (3)으로부터 알 수 있는 바와 같이, 유기-EL 소자(110)를 통해 흐르는 전기전류(Ioled)는 제 2트랜지스터(112)의 임계전압(Vth)에 의해 영향을 받지 않는다. 다시 말하면, 종래의 임계전압 보상 화소회로를 사용함으로써, 각 화소의 트랜지스터(112)의 임계전압(Vth)이 보상된다. 이것은 제 2트랜지스터(112)의 임계전압(Vth)에 있어서의 불규칙성이 유기-EL 소자(110)의 휘도 불규칙성을 일으키지 않는다는 것을 의미한다.As can be seen from equation (3), the electric current I oled flowing through the organic-EL element 110 is not affected by the threshold voltage Vth of the second transistor 112. In other words, by using the conventional threshold voltage compensation pixel circuit, the threshold voltage Vth of the transistor 112 of each pixel is compensated. This means that the irregularity in the threshold voltage Vth of the second transistor 112 does not cause the luminance irregularity of the organic-EL element 110.

상기에 설명된 종래의 임계전압 보상 화소회로에서, 임계전압 보상기간 동안에, 제 2트랜지스터(112)는, 소스 단자와 게이트 단자 간의 전압이 임계전압(Vth)에 접근함에 따라 점차 턴오프(turn off)된다. 이것은 또한 상기 동작을 비활성화시키고, 임계전압(Vth)으로 수렴시키기 위하여 트랜지스터(112)의 소스 단자와 게이트 단자 간의 전압에 대하여 너무 많은 시간을 필요로 한다. 이와 같은 이유 때문에, 임계전압 보상기간은 많은 시간을 필요로 한다.In the conventional threshold voltage compensation pixel circuit described above, during the threshold voltage compensation period, the second transistor 112 is gradually turned off as the voltage between the source terminal and the gate terminal approaches the threshold voltage Vth. )do. This also requires too much time for the voltage between the source and gate terminals of transistor 112 to deactivate the operation and converge to the threshold voltage Vth. For this reason, the threshold voltage compensation period requires a lot of time.

임계전압 보상기간에 있어서 제 2트랜지스터(112)의 게이트 전압의 미분식은 다음과 같다.The differential expression of the gate voltage of the second transistor 112 in the threshold voltage compensation period is as follows.

kㆍ{Vgs(t)-Vth}2 = -CsㆍdVgs/dt ...식 (4)k. {Vgs (t) -Vth} 2 = -Cs.dVgs / dt ... (4)

식 (4)에서, 임계전압 보상기간의 충분한 길이는 최소휘도 동안 절반의 전기전류량을 필요로 하는 시간이 되도록 고려된다.In equation (4), the sufficient length of the threshold voltage compensation period is considered to be a time requiring half the amount of electric current during the minimum luminance.

유기-EL 소자(110)의 최대휘도 동안에 만약 전기전류치가 Imax에 의해 표현된다면, 제 2트랜지스터(112)의 게이트 단자와 소스 단자 간의 전압(Vgs)의 초기치는 Vinit로 표시되고, 제 2트랜지스터(112)의 게이트 전압의 유지커패시터는, 주로 제 2커패시터(113)의 용량(C1), Cs로 표시되며, 그레이스케일값은 n으로 표시되고, 최대휘도 동안에 전기전류(Imax)를 제공하는 게이트 단자와 소스 단자 간의 전압(Vgs)은 Vgs = ΔV + Vth로 표시되며, 그리고 다음 식은 Imax/2(n-1)로 표시되는 최소휘도 동안 절반의 전기전류량을 필요로 하는 시간을 설명한다.If the electric current value is expressed by I max during the maximum luminance of the organic-EL element 110, the initial value of the voltage Vgs between the gate terminal and the source terminal of the second transistor 112 is represented by V init , and the second The holding capacitor of the gate voltage of the transistor 112 is mainly denoted by the capacitance C1, Cs of the second capacitor 113, the grayscale value is denoted by n, and provides the electric current I max during the maximum luminance. The voltage (Vgs) between the gate terminal and the source terminal is expressed as Vgs = ΔV + Vth, and the following equation describes the time required for half the amount of electric current during the minimum luminance represented by I max / 2 (n-1). do.

t= CsㆍΔV/ Imax{√(2n-2)-ΔV/Vinit} ...식 (5)t = Cs.ΔV / Imax {√ (2n-2) -ΔV / V init } ... (5)

예를 들면, Cs =1[pF], n= 64, ΔV= 4, Imax= 1[μA] 이고 제 2항이 충분히 작다면, t= 45[μs] 이다. 다른 한편, 해상도(그래픽스 디스플레이 규격)가 VGA라면, 스캐닝 선의 수는 480이고, 프레임주파수는 60Hz이며, 그리고 1 수평기간은 약 30μs이다. 이것은 1 수평기간 내에 임계전압 보상기간을 완성하는 것이 어렵다는 것을 의미한다.For example, if Cs = 1 [pF], n = 64, ΔV = 4, I max = 1 [μA] and the second term is sufficiently small, t = 45 [μs]. On the other hand, if the resolution (graphics display standard) is VGA, the number of scanning lines is 480, the frame frequency is 60 Hz, and one horizontal period is about 30 s. This means that it is difficult to complete the threshold voltage compensation period within one horizontal period.

따라서, VGA-급표시장치에서, 임계전압 보상기간의 충분한 길이는 수μs 내지 수십μs를 필요로 한다. 이 때문에, 1 수평기간 내에 임계전압 보상과 연속적인 데이터 기입을 수행하는 것이 어렵다. 다시 말해서, 종래의 임계전압 보상 화소회로는 VGA-급유기-EL 표시에 적용될 수 없다. 더욱이, 디스플레이가 더 높게 규정됨으로써, 스캐닝 선 수에 반비례하는 1 수평기간이 더 짧아진다. 따라서, 임계전압 보상기간의 충분한 길이가 한층더 유지하기 어렵다.Therefore, in the VGA-class display device, a sufficient length of the threshold voltage compensation period requires several microseconds to several tens of microseconds. For this reason, it is difficult to perform threshold voltage compensation and continuous data writing in one horizontal period. In other words, the conventional threshold voltage compensation pixel circuit cannot be applied to the VGA-lubricator-EL display. Moreover, as the display is defined higher, one horizontal period which is inversely proportional to the scanning frequency becomes shorter. Therefore, the sufficient length of the threshold voltage compensation period is difficult to maintain further.

종래 임계전압 보상 화소회로에서, 임계전압 보상기간과 데이터 기입 기간에 대응하는 신호선 전압, 즉, 임계전압 보상기간 동안에 고정전압(V0)과 데이터 기입 기간 동안에 데이터전압(Vdata) + 고정전압(V0)은, 신호선(103)으로부터 공급되어야만 한다. 이 때문에, 신호선 구동회로인 데이터 드라이버(102)(도 11 참조)의 구조가 복잡해지는 경향이 있다.In the conventional threshold voltage compensation pixel circuit, the signal line voltage corresponding to the threshold voltage compensation period and the data writing period, that is, the fixed voltage V 0 during the threshold voltage compensation period and the data voltage Vdata + fixed voltage V during the data writing period. 0 ) must be supplied from the signal line 103. For this reason, the structure of the data driver 102 (see Fig. 11) which is a signal line driver circuit tends to be complicated.

본 발명의 목적은 표시화상의 균일성을 개선하고 1 수평기간의 길이에도 불구하고 임계전압 보상기간의 충분한 길이를 보장하기 위하여 임계전압 보상 화소회로를 사용하는 고선명도 액티브-매트릭스 표시장치를 제공하고자 하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a high-definition active-matrix display device using a threshold voltage compensation pixel circuit to improve the uniformity of the display image and to ensure a sufficient length of the threshold voltage compensation period despite the length of one horizontal period. It is.

본 발명의 액티브-매트릭스 표시장치는 매트릭스에 배열된 화소회로와, 매트릭스에 배열된 화소회로의 열에 대응하여 상호접속되는 각 신호선과, 그리고 매트릭스에 배열된 화소회로의 행에 대응하여 상호접속되는 제 1스캐닝 선, 제 2스캐닝 선, 제 3스캐닝 선, 제 4스캐닝 선을 포함한다. 화소회로의 각각은 게이트 단자가 제 1스캐닝 선에 접속되고 제 1전극단자가 신호선의 하나에 접속되는 제 1트랜지스터와, 제 1단이 제 1트랜지스터의 제 2전극단자에 접속되는 제 1커패시터와, 제 1단이 제 1커패시터의 제 1단 또는 제 2단에 접속되는 제 2커패시터와, 게이트 단자가 제 1커패시터의 제 2단에 접속되고 제 1전극단자가 제 1전원선에 접속되는 제 2트랜지스터와, 게이트 단자가 제 2스캐닝 선에 접속되는 제 3트랜지스터로서, 상기 제 3트랜지스터의 제 1전극단자는 제 2트랜지스터의 게이트 단자에 접속되고, 상기 제 3트랜지스터의 제 2전극단자는 제 2트랜지스터의 제 2전극단자에 접속되는 상기 제 3트랜지스터와, 게이트 단자가 제 3스캐닝 선에 접속되고 제 1전극단자가 제 2트랜지스터의 제 2전극단자에 접속되는 제 4트랜지스터와, 게이트 단자가 제 4스캐닝 선에 접속되는 제 5트랜지스터로서, 상기 제 5트랜지스터의 제 1전극단자는 제 3전원선에 접속되고, 상기 제 5트랜지스터의 제 2전극단자는 제 1트랜지스터의 제 2전극단자에 접속되는 상기 제 5트랜지스터와, 제 4트랜지스터의 제 2전극단자와 제 2전원선의 양쪽에 접속된 표시소자를 포함한다.The active-matrix display device of the present invention comprises a pixel circuit arranged in a matrix, each signal line interconnected in correspondence with a column of pixel circuits arranged in a matrix, and an interconnection corresponding to a row of pixel circuits arranged in a matrix. And a first scanning line, a second scanning line, a third scanning line, and a fourth scanning line. Each of the pixel circuits includes a first transistor having a gate terminal connected to a first scanning line and a first electrode terminal connected to one of the signal lines, a first capacitor having a first end connected to a second electrode terminal of the first transistor; A second capacitor having a first end connected to the first end or a second end of the first capacitor, a gate terminal connected to the second end of the first capacitor, and a first electrode terminal connected to the first power line A second transistor having a second transistor and a gate terminal connected to a second scanning line, wherein a first electrode terminal of the third transistor is connected to a gate terminal of a second transistor, and a second electrode terminal of the third transistor A third transistor connected to a second electrode terminal of a second transistor, a fourth transistor connected to a third scanning line of the gate terminal, and a first transistor connected to a second electrode terminal of the second transistor; A fifth transistor connected to a fourth scanning line of its own, wherein a first electrode terminal of the fifth transistor is connected to a third power supply line, and a second electrode terminal of the fifth transistor is connected to a second electrode terminal of the first transistor. And a display element connected to both the fifth transistor to be connected, the second electrode terminal of the fourth transistor, and the second power supply line.

액티브-매트릭스 표시장치에서, 제 1트랜지스터와 제 4트랜지스터는 턴오프되고 제 3트랜지스터와 제 5트랜지스터는 턴온되기 때문에 각 화소에서 제 2트랜지스터의 임계전압은 보상된다. 그 다음에 제 1트랜지스터는 턴온되고 제 3트랜지스터와 제 5트랜지스터는 턴오프되어 표시 데이터를 신호선으로부터 화소로 기입하는 장치를 구동한다. 제 2트랜지스터의 임계전압을 보상하는 기간 동안에, 제 5트랜지스터는 고정전압으로서 제 3전원선의 전원전압을 제 1커패시터에 공급한다.In the active-matrix display device, since the first transistor and the fourth transistor are turned off and the third transistor and the fifth transistor are turned on, the threshold voltage of the second transistor in each pixel is compensated. The first transistor is then turned on and the third and fifth transistors are turned off to drive the device for writing display data from the signal line to the pixel. During the period of compensating the threshold voltage of the second transistor, the fifth transistor supplies the power supply voltage of the third power supply line to the first capacitor as a fixed voltage.

따라서, 신호선으로부터가 아니고 전원선으로부터 임계전압 보상에 요구되는 고정전압을 공급함으로써, 또 다른 화소에서 신호선으로부터 표시 데이터를 동시에 기입하는 동안 임계전압의 보상이 수행된다. 화소의 어느 한 행에 있어서, 1 수평기간이 데이터 기입 기간으로서 설정될 수 있고 기간의 어느 길이는 데이터 기입 기간에 앞서 임계전압 보상기간으로서 설정될 수 있다. 따라서, 임계전압 보상기간을 위한 충분한 시간은 유지될 수 있다. 이것은 휘도의 균일성을 개선하고 또한 디스플레이의 고 선명도를 달성하기 위해서 각 화소에서 트랜지스터의 임계전압의 불규칙성을 정확히 보상한다.Thus, by supplying a fixed voltage required for threshold voltage compensation from the power supply line and not from the signal line, compensation of the threshold voltage is performed while simultaneously writing display data from the signal line in another pixel. In either row of pixels, one horizontal period may be set as the data write period and any length of the period may be set as the threshold voltage compensation period before the data write period. Thus, sufficient time for the threshold voltage compensation period can be maintained. This accurately compensates for the irregularities of the threshold voltages of the transistors in each pixel in order to improve the uniformity of brightness and to achieve high clarity of the display.

본 발명은 데이터 전압만을 지속적으로 공급하는 것을 필요로 하는데, 이것은 신호선 구동회로의 구조를 단순화시킨다. 더욱이, 신호선 구동회로의 전원전압은 고정전압이 제거되는 정도까지 감소될 수 있기 때문에, 전체 디스플레이에 대해 저소비전력이 달성될 수 있다.The present invention requires the continuous supply of only the data voltage, which simplifies the structure of the signal line driver circuit. Furthermore, since the power supply voltage of the signal line driver circuit can be reduced to the extent that the fixed voltage is eliminated, low power consumption can be achieved for the entire display.

본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 설명할 것이다. 도 1은 본 발명의 실시형태에 따르는 액티브-매트릭스 표시장치의 개략적인 블럭도이다. 이 실시형태에서, 유기-EL 소자는 각 화소의 표시소자로서 사용되고, 폴리실리콘 박막 트랜지스터(TFT)는 액티브소자로서 사용된다. 본 발명은 TFT 기판에 형성된 유기-EL 소자를 가지는 액티브-매트릭스 유기-EL 디스플레이를 일례로서 사용하여 설명될 것이다.Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 is a schematic block diagram of an active-matrix display device according to an embodiment of the present invention. In this embodiment, the organic-EL element is used as the display element of each pixel, and the polysilicon thin film transistor (TFT) is used as the active element. The present invention will be described using an active-matrix organic-EL display having an organic-EL element formed on a TFT substrate as an example.

도 1을 참조하면, 화소(화소회로)(11)의 m 열×n 행이 매트릭스로 배열되어 있다. 각 화소(11)는 표시소자로서 유기-EL 소자를 가진다. 화소(11)의 매트릭스 배열에서, 화소의 각 열은 신호선(데이터선)(13-1 내지 13-m)의 대응하는 열과 상호접속된다. 신호선은 신호선 구동회로인 데이터 드라이버(12)에 의해 구동된다. 각 n 행은 예를 들어, 스캔 드라이버(14)에 의해 구동되는 네개의 선, 즉, 스캐닝 선 구동회로가 될 수 있는 다중 스캐닝 선을 포함한다. 다중 스캐닝 선(15A-1 내지 15D-1, 15A-2 내지 15D-2, ...15A-n 내지 15D-n)의 각 그룹은 화소의 대응하는 열과 상호접속된다.Referring to Fig. 1, m columns x n rows of pixels (pixel circuits) 11 are arranged in a matrix. Each pixel 11 has an organic EL element as a display element. In the matrix arrangement of pixels 11, each column of pixels is interconnected with a corresponding column of signal lines (data lines) 13-1 to 13-m. The signal line is driven by the data driver 12 which is a signal line driver circuit. Each n row includes, for example, four lines driven by the scan driver 14, that is, multiple scanning lines, which can be scanning line driving circuits. Each group of multiple scanning lines 15A-1 to 15D-1, 15A-2 to 15D-2, ... 15A-n to 15D-n are interconnected with corresponding columns of pixels.

본 발명의 액티브-매트릭스 유기-EL 표시장치의 구별되는 특징은 화소(회소회로)(11)의 구조와 동작에 있다. 이제 화소(11)의 특정회로의 예를 설명할 것이다.A distinguishing feature of the active-matrix organic-EL display device of the present invention lies in the structure and operation of the pixel (recovery circuit) 11. An example of the specific circuit of the pixel 11 will now be described.

[제 1회로][First circuit]

도 2는 제 1회로에 따른 화소회로(11A)의 회로도이다. 도 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 화소회로(11A)는 유기-EL 소자(20), 5개의 트랜지스터(21~25)와, 2개의 커패시터(26, 27)를 포함한다. 유기-EL 소자(20)는 제 1 및 제 2전극 사이에 배치되는 발광층을 포함하는 유기층으로 형성된다.2 is a circuit diagram of the pixel circuit 11A according to the first circuit. As can be seen from FIG. 2, the pixel circuit 11A includes an organic-EL element 20, five transistors 21 to 25, and two capacitors 26 and 27. The organic EL device 20 is formed of an organic layer including a light emitting layer disposed between the first and second electrodes.

제 1내지 제 5트랜지스터(21~25)는 액티브층으로서 폴리실리콘을 가지는 폴리실리콘 박막 트랜지스터(TFT)이다. 제 1회로에서, P-채널 트랜지스터는 제 2트랜지스터(22)로 사용된다. 다른 트랜지스터(21, 23, 24, 25)에 대해서는, N-채널 트랜지스터가 사용된다.The first to fifth transistors 21 to 25 are polysilicon thin film transistors (TFTs) having polysilicon as an active layer. In the first circuit, a P-channel transistor is used as the second transistor 22. For the other transistors 21, 23, 24, 25, N-channel transistors are used.

제 1트랜지스터(21)의 소스 단자는 신호선(13)과 접속되고, 트랜지스터(21)의 게이트 단자는 제 1스캐닝 선(15A)과 접속된다. 제 1커패시터(26)의 입력단은 제 1트랜지스터(11)의 드레인 단자에 접속된다. 제 2트랜지스터(22)의 게이트 단자는 제 1커패시터(26)의 출력단에 접속되고, 트랜지스터(22)의 소스 단자는 예를 들면, 정(+) 공급전압이 될 수 있는 전원전압(VCC1)의 제 1전원선(31)에 접속된다.The source terminal of the first transistor 21 is connected to the signal line 13, and the gate terminal of the transistor 21 is connected to the first scanning line 15A. The input terminal of the first capacitor 26 is connected to the drain terminal of the first transistor 11. The gate terminal of the second transistor 22 is connected to the output terminal of the first capacitor 26, and the source terminal of the transistor 22 is, for example, of the power supply voltage VCC1, which can be a positive supply voltage. It is connected to the first power supply line 31.

제 2커패시터(27)의 제 1단은 제 1전원선과 접속되고, 제 2단은 제 2트랜지스터(22)의 게이트 단자에 접속된다. 제 3트랜지스터(23)의 게이트 단자는 제 2스캐닝 선(15B)에 접속되고, 소스 단자는 제 2트랜지스터(22)의 게이트 단자에 접속되고, 드레인 단자는 제 2트랜지스터(22)의 드레인 단자에 접속된다. 제 4트랜지스터(24)의 게이트 단자는 제 3스캐닝 선(15C)에 접속되고, 소스 단자는 제 2트랜지스터(22)의 드레인 단자에 접속된다.The first end of the second capacitor 27 is connected to the first power supply line, and the second end is connected to the gate terminal of the second transistor 22. The gate terminal of the third transistor 23 is connected to the second scanning line 15B, the source terminal is connected to the gate terminal of the second transistor 22, and the drain terminal is connected to the drain terminal of the second transistor 22. Connected. The gate terminal of the fourth transistor 24 is connected to the third scanning line 15C, and the source terminal is connected to the drain terminal of the second transistor 22.

제 5트랜지스터(25)의 게이트 단자는 제 4스캐닝 선(15D)에 접속되고, 소스 단자는 예를 들면, 정(+) 공급전압이 될 수 있는 전원전압(VCC3)의 제 3전원선에 접속되며, 드레인 단자는, 제 1커패시터(26)의 입력단인 제 1트랜지스터(21)의 드레인 단자에 접속된다. 전원전압(VCC3)은 전원전압(VCC1)과는 다른 전압 값을 가진다. 유기-EL 소자(20)의 애노드는 제 4트랜지스터(24)의 드레인 단자에 접속되고, 캐소드는 예를 들면, 그라운드 전위가 될 수 있는 전원전압(VCC2)의 제 2전원선(32)에 접속된다.The gate terminal of the fifth transistor 25 is connected to the fourth scanning line 15D, and the source terminal is connected to a third power supply line of the power supply voltage VCC3, which can be, for example, a positive supply voltage. The drain terminal is connected to the drain terminal of the first transistor 21 which is an input terminal of the first capacitor 26. The power supply voltage VCC3 has a different voltage value from the power supply voltage VCC1. The anode of the organic-EL element 20 is connected to the drain terminal of the fourth transistor 24 and the cathode is connected to the second power line 32 of the power supply voltage VCC2, which can be a ground potential, for example. do.

제 1회로의 화소회로(11A)는 데이터 기입 기간과 임계전압 보상기간이 동일 신호선을 따라 접속된 화소 간에 동시에 존재한다는 점에서 차이를 나타낸다. 데이터 기입 기간과 임계전압 보상기간의 동작은 일례로서 화소의 i번째 행을 사용하는 도 3의 타이밍 도를 참조하여 설명될 것이다. 도 3에서, 용어 "보상"은 임계전압 보상기간을 나타내고, 용어 "기입"은 데이터 기입 기간을 나타내고, 용어 "유지"는 데이터유지기간을 나타낸다.The pixel circuit 11A of the first circuit differs in that the data writing period and the threshold voltage compensation period exist simultaneously between the pixels connected along the same signal line. The operation of the data writing period and the threshold voltage compensation period will be described with reference to the timing diagram of FIG. 3 using the i-th row of pixels as an example. In Fig. 3, the term "compensation" indicates a threshold voltage compensation period, the term "write" indicates a data writing period, and the term "hold" indicates a data holding period.

임계전압 보상기간에서, 제 1스캐닝 선(15A)을 통해 스캔 드라이버(14)(도 1참조)에 의해 공급되는 스캐닝 펄스(SCAN1(i))는 "L" 레벨에 있기 때문에 제 1트랜지스터(21)는 오프(off)이다. 제 4스캐닝 선(15D)을 통해 공급되는 스캐닝 펄스(SCAN4(i))는 "H" 레벨에 있기 때문에 제 5트랜지스터(25)는 온(on)이다. 따라서, 전원전압(VCC3), 즉, 고정전압(V0)은 제 5트랜지스터(25)를 통해 제 3전원선(33)에서 제 1커패시터(26)의 입력단으로 공급된다.In the threshold voltage compensation period, the first transistor 21 because the scanning pulse SCAN1 (i) supplied by the scan driver 14 (see Fig. 1) through the first scanning line 15A is at the " L " level. ) Is off. The fifth transistor 25 is on because the scanning pulse SCAN4 (i) supplied through the fourth scanning line 15D is at the "H" level. Therefore, the power supply voltage VCC3, that is, the fixed voltage V 0 is supplied from the third power supply line 33 to the input terminal of the first capacitor 26 through the fifth transistor 25.

동시에, 제 2스캐닝 선(15B)을 통해 공급되는 스캐닝 펄스(SCAN2(i))는 "H" 레벨에 있기 때문에, 제 3트랜지스터(23)가 온 모드에 있다. 또한, 제 3스캐닝 선(15C)을 통해 공급되는 스캐닝 펄스(SCAN3(i))는 "L" 레벨에 있기 때문에, 제 4트랜지스터(24)가 오프이다. 따라서, 제 1커패시터(26)는 제 3트랜지스터(23)의 소스 단자와 드레인 단자를 통하여 그 출력단으로부터 충전된다. 만약 임계전압보상기간이 충분히 길다면, 제 2트랜지스터(22)의 게이트 단자와 소스 단자 간의 전압은 트랜지스터의 임계전압(Vth)(<0)으로 수렴한다.At the same time, since the scanning pulse SCAN2 (i) supplied through the second scanning line 15B is at the "H" level, the third transistor 23 is in the on mode. Further, since the scanning pulse SCAN3 (i) supplied through the third scanning line 15C is at the "L" level, the fourth transistor 24 is off. Therefore, the first capacitor 26 is charged from its output terminal through the source terminal and the drain terminal of the third transistor 23. If the threshold voltage compensation period is long enough, the voltage between the gate terminal and the source terminal of the second transistor 22 converges to the threshold voltage Vth (<0) of the transistor.

데이터 기입 기간의 초기에서, 스캐닝 펄스(SCAN1(i))는 "H" 레벨에 있고 제 1트랜지스터(21)는 온 모드에 있다. 또한, 스캐닝 펄스(SCAN4(i))는 "L" 레벨에 있고 제 5트랜지스터(25)는 오프 모드에 있다. 따라서, 데이터전압(V0+Vdata(Vdata < 0))이 제 1트랜지스터(21)를 통해 신호선(13)으로부터 공급된다. 이 경우, 스캐닝 펄스(2(i))는 "L" 레벨에 있기 때문에, 제 3트랜지스터(23)가 오프 모드에 있다.At the beginning of the data writing period, the scanning pulse SCAN1 (i) is at the " H " level and the first transistor 21 is in the on mode. In addition, the scanning pulse SCAN4 (i) is at the " L " level and the fifth transistor 25 is in the off mode. Therefore, the data voltage V 0 + Vdata (Vdata <0) is supplied from the signal line 13 through the first transistor 21. In this case, since the scanning pulse 2 (i) is at the "L" level, the third transistor 23 is in the off mode.

앞서 언급된 식 (2)와 식 (3)은 또한 제 1회로의 상기 화소회로(11A)에서 성립된다. 따라서, 유기-EL 소자(20)를 통해 흐르는 전기전류(Ioled)는 트랜지스터의 임계전압(Vth)에 의해 영향을 받지 않는다. 다시 말해서, 각 화소에서 제 2트랜지스터(22)의 임계 전압(Vth)이 보상된다.Equations (2) and (3) mentioned above are also established in the pixel circuit 11A of the first circuit. Therefore, the electric current I oled flowing through the organic-EL element 20 is not affected by the threshold voltage Vth of the transistor. In other words, the threshold voltage Vth of the second transistor 22 is compensated for in each pixel.

마찬가지로, 임계전압 보상기간에 요구되는 시간은 식 (4)와 식 (5)에 의해 표시될 수 있다. 제 1회로의 화소회로(11A)에서, 그러나, 제 1커패시터(26)의 입력단과 신호선(13) 사이의 접속은 임계전압 보상기간 동안에 제 1트랜지스터(21)에 의해 제어되고, 제 1커패시터(26)의 입력단과 전원선(33) 사이의 접속은 제 5트랜지스터(25)에 의해 제어된다. 따라서, 임계전압 보상기간 동안에, 커패시터(26)의 입력단은 전원전압(VCC3), 즉, 고정전압(V0)을 받도록 전원선(33)에 접속된다. 다른 한편, 데이터 기입 기간 동안, 커패시터(26)의 입력단은 데이터 전압(V0+Vdata)을 받도록 신호선(13)에 접속된다.Similarly, the time required for the threshold voltage compensation period can be represented by equations (4) and (5). In the pixel circuit 11A of the first circuit, however, the connection between the input terminal of the first capacitor 26 and the signal line 13 is controlled by the first transistor 21 during the threshold voltage compensation period, and the first capacitor ( The connection between the input terminal of 26 and the power supply line 33 is controlled by the fifth transistor 25. Therefore, during the threshold voltage compensation period, the input terminal of the capacitor 26 is connected to the power supply line 33 to receive the power supply voltage VCC3, that is, the fixed voltage V 0 . On the other hand, during the data writing period, the input terminal of the capacitor 26 is connected to the signal line 13 to receive the data voltage V 0 + Vdata.

임계전압 보상기간과 데이터 기입 기간 사이에서 커패시터(26)의 입력단의 스위칭을 제어함으로써, 하나의 화소는 신호선(13)으로부터 데이터를 기입하도록 데이터 기입 기간 내에 있고, 한편 동시에, 또 다른 화소는 임계전압 보상기간 내에 있도록 전원선(33)에 접속된다. 더욱이, 복수의 화소는 쉽게 임계전압 보상기간 내에 있을 수 있다. 그 결과, 임계전압 보상기간을 위한 충분한 양의 시간이 유지될 수 있다.By controlling the switching of the input terminal of the capacitor 26 between the threshold voltage compensation period and the data writing period, one pixel is in the data writing period to write data from the signal line 13, while at the same time, the other pixel is at the threshold voltage. It is connected to the power supply line 33 so as to be within a compensation period. Moreover, the plurality of pixels can easily be within the threshold voltage compensation period. As a result, a sufficient amount of time for the threshold voltage compensation period can be maintained.

구체적으로, 제 1회로의 화소회로(11A)에서 화소의 행에서, 도 3의 타이밍도로부터 알 수 있는 바와 같이, 1수평기간은 데이터 기입 기간과 동일하고 데이터 기입 기간에 앞서 2수평기간은 임계전압 보상기간으로서 설정된다. 타이밍을 고려하여 볼 때, i번째 행에서 하나의 화소가 데이터 기입 기간 내에 있는 한편, (i+1)번째 행과 (i+2)번째 행에서 다른 두개의 화소가 임계전압 보상기간 내에 있는 것을 도면으로부터 또한 알 수 있다.Specifically, in the row of pixels in the pixel circuit 11A of the first circuit, as can be seen from the timing diagram of FIG. 3, one horizontal period is equal to the data writing period and two horizontal periods are critical before the data writing period. It is set as the voltage compensation period. Considering the timing, it can be seen that one pixel in the i th row is within the data writing period, while the other two pixels in the (i + 1) th and (i + 2) th rows are within the threshold voltage compensation period. It can also be seen from the figure.

따라서, 임계전압 보상기간과 데이터 기입 기간은 1수평기간내에 있도록 요구되지 않는다. 이것은 고 선명도인 디스플레이를 달성하고, 또한 임계전압 보상기간을 위한 충분한 양의 시간을 유지하여 균일한 디스플레이 화상을 허용한다. 더욱이, 도 3의 타이밍도로부터 알 수 있는 바와 같이, 신호선(13)이 지속적으로 휘도 데이터만을 공급하는 것이 요구되기 때문에, 신호선(13)의 구동 파형은 단순하다. 신호선(13)의 구동은, 예를 들면, 보통의 액정디스플레이의 그것과 유사한 파형으로 수행될 수도 있다. 따라서, 데이터 드라이버(12)(도 1 참조)의 구조, 즉, 신호선 구동회로는 단순화된다.Therefore, the threshold voltage compensation period and the data writing period are not required to be within one horizontal period. This achieves a high definition display and also maintains a sufficient amount of time for the threshold voltage compensation period to allow a uniform display picture. Furthermore, as can be seen from the timing chart of Fig. 3, since the signal line 13 is required to continuously supply only luminance data, the drive waveform of the signal line 13 is simple. The driving of the signal line 13 may be performed, for example, with a waveform similar to that of a normal liquid crystal display. Thus, the structure of the data driver 12 (see Fig. 1), that is, the signal line driver circuit, is simplified.

[제 2회로][Second circuit]

도 4는 제 2회로에 따르는 화소회로(11B)의 회로도이다. 도 4에서, 도 2에서와 같이 동일한 구성요소는 동일한 참조번호로 표시된다. 도 4로부터 알 수 있는 바와 같이, 화소회로(11B)는 그 회로(11B)가 유기-EL 소자(20), 다섯개의 트랜지스터(21~25) 및 두개의 커패시터(26, 27)를 포함하는 점에서 화소회로(11A)와 마찬가지이다. 두개의 회로(11A, 11B) 사이에서 단지 구조적 차이는 회로(11B)에 있어서 제 2커패시터(27)의 접속위치만이다.4 is a circuit diagram of a pixel circuit 11B according to the second circuit. In Fig. 4, the same components as in Fig. 2 are denoted by the same reference numerals. As can be seen from FIG. 4, the pixel circuit 11B has a point where the circuit 11B includes an organic-EL element 20, five transistors 21 to 25, and two capacitors 26 and 27. Is the same as the pixel circuit 11A. The only structural difference between the two circuits 11A and 11B is the connection position of the second capacitor 27 in the circuit 11B.

이하 각 회로소자의 접속을 자세하게 설명하기로 한다. 제 1트랜지스터(21)의 소스 단자는 신호선(13)과 접속되고, 트랜지스터(21)의 게이트 단자는 제 1스캐닝 선(15A)과 접속된다. 제 1커패시터(26)의 입력단은 제 1트랜지스터(11)의 드레인 단자와 접속된다. 제 2트랜지스터(22)의 게이트 단자는 제 1커패시터(26)의 출력단과 접속되고, 트랜지스터(22)의 소스 단자는, 예를 들면, 정(+) 공급전압이 될 수 있는 전원전압(VCC1)의 제 1전원선(31)과 접속된다.Hereinafter, the connection of each circuit element will be described in detail. The source terminal of the first transistor 21 is connected to the signal line 13, and the gate terminal of the transistor 21 is connected to the first scanning line 15A. The input terminal of the first capacitor 26 is connected to the drain terminal of the first transistor 11. The gate terminal of the second transistor 22 is connected to the output terminal of the first capacitor 26, and the source terminal of the transistor 22 is, for example, a power supply voltage VCC1 which can be a positive supply voltage. Is connected to the first power supply line 31.

제 2커패시터(27)의 제 1단은 제 1전원선(31)에 접속되고, 제 2단은 제 1트랜지스터(21)의 드레인 단자에 접속되며, 제 1커패시터(26)의 출력단이다. 제 3트랜지스터(23)의 게이트 단자는 제 2스캐닝 선(15B)에 접속되고, 소스 단자는 제 2트랜지스터(22)의 게이트 단자에 접속되며, 드레인 단자는 제 2트랜지스터(22)의 드레인 단자에 접속된다. 제 4트랜지스터(24)의 게이트 단자는 제 3스캐닝 선(15C)에 접속되고, 소스 단자는 제 2트랜지스터(22)의 드레인 단자에 접속된다.The first end of the second capacitor 27 is connected to the first power line 31, the second end is connected to the drain terminal of the first transistor 21, and is an output end of the first capacitor 26. The gate terminal of the third transistor 23 is connected to the second scanning line 15B, the source terminal is connected to the gate terminal of the second transistor 22, and the drain terminal is connected to the drain terminal of the second transistor 22. Connected. The gate terminal of the fourth transistor 24 is connected to the third scanning line 15C, and the source terminal is connected to the drain terminal of the second transistor 22.

제 5트랜지스터(25)의 게이트 단자는 제 4스캐닝 선(15D)에 접속되고, 소스 단자는 예를 들면, 정(+) 공급전압이 될 수 있는 전원전압(VCC3)의 제 3전원선(33)에 접속되며, 드레인 단자는 제 1트랜지스터(21)의 드레인 단자에 접속되고, 제 1커패시터(26)의 입력단이다. 유기-EL 소자(20)의 애노드는 제 4트랜지스터(24)의 드레인 단자에 접속되고, 캐소드는 예를 들면, 그라운드 전위가 될 수 있는 전원전압(VCC2)의 제 2전원선(32)에 접속된다.The gate terminal of the fifth transistor 25 is connected to the fourth scanning line 15D, and the source terminal is, for example, the third power line 33 of the power supply voltage VCC3, which can be a positive supply voltage. ), The drain terminal is connected to the drain terminal of the first transistor 21, and is an input terminal of the first capacitor 26. The anode of the organic-EL element 20 is connected to the drain terminal of the fourth transistor 24 and the cathode is connected to the second power line 32 of the power supply voltage VCC2, which can be a ground potential, for example. do.

화소회로(11B)에 있어서 임계전압 보상의 동작과 데이터 기입 및 유지는 기본적으로 화소회로(11A)와 동일하다. 식 (2)와 식 (3)이 화소회로(11A)에서 성립되지만, 다음의 식 (6)과 식 (7)이 화소회로(11B)에서 성립된다.In the pixel circuit 11B, the operation of threshold voltage compensation and data writing and holding are basically the same as the pixel circuit 11A. Equations (2) and (3) hold in the pixel circuit 11A, but the following equations (6) and (7) hold in the pixel circuit 11B.

Vgs = Vth + Vdata ...(6)Vgs = Vth + Vdata ... (6)

Loled ∝ Ioled = k{Vdata}2 ...(7)L oled ∝ I oled = k {Vdata} 2 ... (7)

식 (6)과 식 (7)로부터 알 수 있는 바와 같이, 유기-EL 소자(20)를 통해 흐르는 전기전류(Ioled)는 트랜지스터의 임계전압(Vth)에 의해 영향받지 않는다. 다시 말해서, 각 화소에서 제 2트랜지스터(22)의 임계전압(Vth)이 보상된다. 더욱이, 데이터의 입력전압진폭(Vdata)이 제 2트랜지스터(22)의 게이트전압진폭이 되고, 그것에 의해 신호선(13)의 진폭이 작아지게 되고 또한 저소비전원을 달성하게 된다.As can be seen from equations (6) and (7), the electric current I oled flowing through the organic-EL element 20 is not affected by the threshold voltage Vth of the transistor. In other words, the threshold voltage Vth of the second transistor 22 is compensated for in each pixel. In addition, the input voltage amplitude Vdata of the data becomes the gate voltage amplitude of the second transistor 22, whereby the amplitude of the signal line 13 becomes small and a low power consumption is achieved.

임계전압 보상 화소회로는 복수의 스캐닝 선을 필요로 한다. 제 1회로의 화소회로(11A)와 제 2회로의 화소회로(11B)에서, 네 개의 스캐닝 선(15A, 15B, 15C, 15D)이 사용된다. 그러나, 제 2스캐닝 선(15B)과 제 4스캐닝 선(15D)은 제 3트랜지스터(23)와 제 5트랜지스터(25)를 임계전압 보상기간 동안만 온 모드로 각각 구동해야한다. 또, 제 3스캐닝 선(15C)은 제 4트랜지스터(24)를 임계전압 보상기간 동안만 오프 모드로 구동해야한다. 따라서, 제 2, 제3, 제 4스캐닝 선(15B, 15C, 15D) 중 두 개 또는 세 개 모두가 함께 결합될 수도 있다.The threshold voltage compensation pixel circuit requires a plurality of scanning lines. In the pixel circuit 11A of the first circuit and the pixel circuit 11B of the second circuit, four scanning lines 15A, 15B, 15C, and 15D are used. However, the second scanning line 15B and the fourth scanning line 15D must respectively drive the third transistor 23 and the fifth transistor 25 in the ON mode only during the threshold voltage compensation period. In addition, the third scanning line 15C must drive the fourth transistor 24 in the off mode only during the threshold voltage compensation period. Thus, two or all three of the second, third and fourth scanning lines 15B, 15C and 15D may be joined together.

제 3, 제 4, 제 5트랜지스터(23, 24, 25)의 구동은 각각의 제 2, 제 3, 제 4스캐닝 선(15B, 15C, 15D)에 의해 제어된다. 제 3스캐닝 선(15C)을 적어도 두 개의 스캐닝 선(15B, 15D) 중 하나와 결합할 경우, 제 4트랜지스터(24)의 전도성(conductivity) 타입은 제 3 및 제 5트랜지스터(23, 25)와 반대이어야 한다.The driving of the third, fourth and fifth transistors 23, 24 and 25 is controlled by the respective second, third and fourth scanning lines 15B, 15C and 15D. When the third scanning line 15C is combined with one of the at least two scanning lines 15B and 15D, the conductivity type of the fourth transistor 24 is different from that of the third and fifth transistors 23 and 25. Must be reversed.

화소회로의 또 다른 예가 설명될 것이다. 아래 예의 각 화소회로를 설명하기 위하여, 제 1커패시터(26)의 입력단에 인접하여 접속된 제 2커패시터(27)를 가지는 제 2회로의 화소회로(11B)의 기본구조가 이용될 것이다. 그렇지않으면, 제 1회로의 화소회로(11A)는 역시 마찬가지로 기본구조로서 이용될 것이다.Another example of the pixel circuit will be described. In order to explain each pixel circuit of the following example, the basic structure of the pixel circuit 11B of the second circuit having the second capacitor 27 connected adjacent to the input terminal of the first capacitor 26 will be used. Otherwise, the pixel circuit 11A of the first circuit will likewise be used as the basic structure.

[제 3회로][Third circuit]

도 5는 제 3회로에 따른 화소회로(11C)의 회로도이다. 도 5에서, 도 4에서와 같이 동일한 구성요소는 동일한 참조번호로 표시된다. 화소회로(11C)에서, 제 2스캐닝 선(15B)과 제 4스캐닝 선(15D)은 함께 결합되어 공통의 스캐닝 펄스(SCAN2)에 의해 제 3트랜지스터(23)와 제 5트랜지스터(25)를 구동한다.5 is a circuit diagram of a pixel circuit 11C according to the third circuit. In FIG. 5, the same components as in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals. In the pixel circuit 11C, the second scanning line 15B and the fourth scanning line 15D are coupled together to drive the third transistor 23 and the fifth transistor 25 by a common scanning pulse SCAN2. do.

[제 4회로][4th circuit]

도 6은 제 4회로에 따른 화소회로(11D)의 회로도이다. 도 6에서, 도 4에서와 같이 동일한 구성요소는 동일한 참조번호로 표시된다. 화소회로(11D)에서, 제 2스캐닝 선(15B)과 제 3스캐닝 선(15C)은 함께 결합되어 공통의 스캐닝 펄스(SCAN2)에 의해 제 3트랜지스터(23)와 제 4트랜지스터(24)를 구동한다. 이 경우, 제 3트랜지스터(23)와 제 4트랜지스터(24)는 반대의 전도성 타입을 가진다. 제 4회로에서, N-채널 트랜지스터가 제 3트랜지스터(23)에 이용되고, P-채널 트랜지스터가 제 4트랜지스터(24)에 이용된다.6 is a circuit diagram of a pixel circuit 11D according to the fourth circuit. In FIG. 6, the same components as in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals. In the pixel circuit 11D, the second scanning line 15B and the third scanning line 15C are coupled together to drive the third transistor 23 and the fourth transistor 24 by a common scanning pulse SCAN2. do. In this case, the third transistor 23 and the fourth transistor 24 have opposite conductivity types. In the fourth circuit, an N-channel transistor is used for the third transistor 23 and a P-channel transistor is used for the fourth transistor 24.

[제 5회로] [5th circuit]                     

도 7은 제 5회로에 따른 화소회로(11E)의 회로도이다. 도 7에서, 도 4에서와 같이 동일한 구성요소는 동일한 참조번호로 표시된다. 화소회로(11E)에서, 제 3스캐닝 선(15C)과 제 4스캐닝 선(15D)은 함께 결합되어 공통의 스캐닝 펄스(SCAN2)에 의해 제 4트랜지스터(24)와 제 5트랜지스터(25)를 구동한다. 이 경우, 제 4트랜지스터(24)와 제 5트랜지스터(25)는 반대의 전도성 타입을 가진다. 제 5회로에서, P-채널 트랜지스터가 제 4트랜지스터(24)에 이용되고, N-채널 트랜지스터가 제 5트랜지스터(25)에 이용된다.7 is a circuit diagram of a pixel circuit 11E according to the fifth circuit. In FIG. 7, the same components as in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals. In the pixel circuit 11E, the third scanning line 15C and the fourth scanning line 15D are coupled together to drive the fourth transistor 24 and the fifth transistor 25 by a common scanning pulse SCAN2. do. In this case, the fourth transistor 24 and the fifth transistor 25 have opposite conductivity types. In the fifth circuit, a P-channel transistor is used for the fourth transistor 24 and an N-channel transistor is used for the fifth transistor 25.

[제 6회로][6th circuit]

도 8은 제 6회로에 따른 화소회로(11F)의 회로도이다. 도 8에서, 도 4에서와 같이 동일한 구성요소는 동일한 참조번호로 표시된다. 화소회로(11F)에서, 제 2스캐닝 선(15B), 제 3스캐닝 선(15C), 및 제 4스캐닝 선(15D)은 함께 결합되어 공통의 스캐닝 펄스(SCAN2)에 의해 제 3트랜지스터(23), 제 4트랜지스터(24), 및 제 5트랜지스터(25)를 구동한다. 이 경우, 제 3트랜지스터(23)와 제 5트랜지스터(25)는 제 4트랜지스터(24)와 반대의 전도성 타입을 가진다. 제 6회로에서, N-채널 트랜지스터가 제 3 및 제 5트랜지스터(23, 25)에 이용되고, P-채널 트랜지스터가 제 4트랜지스터(24)에 이용된다.8 is a circuit diagram of a pixel circuit 11F according to the sixth circuit. In FIG. 8, the same components as in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals. In the pixel circuit 11F, the second scanning line 15B, the third scanning line 15C, and the fourth scanning line 15D are coupled together to form the third transistor 23 by the common scanning pulse SCAN2. , The fourth transistor 24 and the fifth transistor 25 are driven. In this case, the third transistor 23 and the fifth transistor 25 have a conductivity type opposite to that of the fourth transistor 24. In the sixth circuit, an N-channel transistor is used for the third and fifth transistors 23 and 25 and a P-channel transistor is used for the fourth transistor 24.

제 3회로 내지 제 6회로에 따른 화소회로(11C 내지 11F)에서 임계전압보상, 데이터 기입, 및 데이터 유지의 동작은, 각각, 제 2회로의 화소회로에서와 같이 기본적으로 동일하다. 따라서, 화소회로(11C 내지 11F)의 임계전압 보상 기능도 화소회로(11B)와 마찬가지 방법으로 이루어진다.In the pixel circuits 11C to 11F according to the third to sixth circuits, the operations of threshold voltage compensation, data writing and data holding are basically the same as in the pixel circuit of the second circuit, respectively. Therefore, the threshold voltage compensation function of the pixel circuits 11C to 11F is also performed in the same manner as the pixel circuit 11B.

제 2, 제 3, 제 4스캐닝 선(15B, 15C, 15D) 중 두 개 또는 세 개 모두가 화소회로(11C 내지 11F) 각각에서 함께 결합되기 때문에, 스캐닝 선의 수의 감소는 화소회로가 보다 작은 구조를 가지도록 한다. 스캐닝 선의 결합은 또한 스캔 드라이버(14)(도 1 참조)로부터 출력되는 스캐닝 펄스의 수를 줄이고, 또한 예를 들면, 스캔 드라이버(14)의 출력 버퍼의 크기를 줄이도록 해준다. 이것이 스캔 드라이버(14)의 구조 단순화에 기여한다.Since two or three of the second, third, and fourth scanning lines 15B, 15C, and 15D are combined together in each of the pixel circuits 11C to 11F, the reduction in the number of scanning lines results in a smaller pixel circuit. Have a structure. The combination of scanning lines also allows to reduce the number of scanning pulses output from the scan driver 14 (see FIG. 1), and also to reduce the size of the output buffer of the scan driver 14, for example. This contributes to the simplification of the structure of the scan driver 14.

제 1회로 내지 제 6회로에 따른 화소회로(11A 내지 11F)에서, 각각, 제 3전원선(33)의 전원전압(VCC3)의 전압치는 제 1전원선(31)의 전원전압(VCC1)과는 다르게 설정되는 것이 요구된다. 그러나, 전압치에서 차이는 특정되지 않는다.In the pixel circuits 11A to 11F according to the first to sixth circuits, the voltage values of the power supply voltage VCC3 of the third power supply line 33 and the power supply voltage VCC1 of the first power supply line 31 are respectively. Is required to be set differently. However, the difference in voltage values is not specified.

[제 7회로][7th circuit]

도 9는 제 7회로에 따른 화소회로(11G)의 회로도이다. 도 9에서, 도 4에서와 같은 구성요소는 동일한 참조번호로 표시된다. 화소회로(11G)에서, 제 1전원선(31)과 제 3전원선(33)은 함께 결합되어 전원전압(VCC1), 즉 고정전압(V0)을 제 1커패시터(26)에 공급한다. 나머지 구조는 제 2회로의 화소회로(11B)에서와 동일하다. 따라서, 화소회로(11G)의 임계전압 보상 기능은 화소회로(11B)와 마찬가지 방법으로 이루어진다.9 is a circuit diagram of a pixel circuit 11G according to the seventh circuit. In Fig. 9, the same components as in Fig. 4 are denoted by the same reference numerals. In the pixel circuit 11G, the first power supply line 31 and the third power supply line 33 are coupled together to supply the power supply voltage VCC1, that is, the fixed voltage V 0 to the first capacitor 26. The rest of the structure is the same as in the pixel circuit 11B of the second circuit. Therefore, the threshold voltage compensation function of the pixel circuit 11G is performed in the same manner as the pixel circuit 11B.

제 1전원선(31)과 제 3전원선(33)을 함께 결합함으로써, 화소회로(11B)에서와 같이 마찬가지의 임계전압 보상 기능을 달성할 뿐만 아니라 전원선의 수가 감소되어, 이렇게 하여 보다 작은 구조를 가지는 화소회로가 달성된다. 또, 하나의 전원전압의 감소는 회로의 구조를 단순화시킨다.By combining the first power supply line 31 and the third power supply line 33 together, not only the same threshold voltage compensation function is achieved as in the pixel circuit 11B but also the number of power supply lines is reduced, thus making the structure smaller. A pixel circuit having is achieved. Also, the reduction of one power supply voltage simplifies the structure of the circuit.

제 1전원선(31)과 제 3전원선(33)이 제 2회로의 화소회로(11B)의 기본구조를 이용하는 화소회로(11G)에서 결합된다고는 하지만, 화소회로(11G)는 제 3회로의 화소회로(11C)에서와 같이, 결합된 제 2스캐닝 선(15B)과 제 4스캐닝 선(15D)을 더 가질 수도 있다.Although the first power supply line 31 and the third power supply line 33 are coupled in the pixel circuit 11G using the basic structure of the pixel circuit 11B of the second circuit, the pixel circuit 11G is the third circuit. As in the pixel circuit 11C, the second scanning line 15B may further have a combined second scanning line 15B and a fourth scanning line 15D.

화소회로(11A 내지 11G)의 각각에서, 제 1 내지 제 5트랜지스터(21 내지 25)의 각 소스 단자는 제 1전극에 대응하고 , 제 1내지 제 5트랜지스터(21 내지 25)의 각 드레인 단자는 제 2전극에 대응한다. 제 1내지 제 5트랜지스터(21 내지 25)의 전도성 타입은 각 회로 예로 제한되지 않고, 원하는 대로 반대의 전도성 타입으로 변경될 수도 있다.In each of the pixel circuits 11A to 11G, each of the source terminals of the first to fifth transistors 21 to 25 corresponds to the first electrode, and each of the drain terminals of the first to fifth transistors 21 to 25 is formed. It corresponds to the second electrode. The conductivity type of the first to fifth transistors 21 to 25 is not limited to each circuit example and may be changed to the opposite conductivity type as desired.

다음에, 신호선(13)의 전압을 결정하는 과정을 설명하려고 한다. 도 10은 두 개의 트랜지스터를 가지는 도 12의 종래의 화소회로에 있어서와 도 4에서 제 2회로의 화소회로(11B)에 있어서의 입력 데이터(회색음영)와 전압 사이의 관계를 나타낸다. 전압의 관계는 종래의 화소회로의 신호선(103)과 화소회로(11B)의 신호선 사이에서 이다.Next, a process of determining the voltage of the signal line 13 will be described. FIG. 10 shows the relationship between the input data (gray shade) and the voltage in the conventional pixel circuit of FIG. 12 having two transistors and in the pixel circuit 11B of the second circuit in FIG. The relationship of the voltage is between the signal line 103 of the conventional pixel circuit and the signal line of the pixel circuit 11B.

종래의 화소회로에 있어서, 신호선(103)의 전압은 전원전압(VCC1)에 의해 영향을 받는다. 그렇기 때문에, 전원전압(VCC1)이 클 때, 신호선(103)의 전압도 역시 커지는 경향이 있다. 한편, 식 (7)이 제 2회로의 화소회로(11B)에서 성립되므로, 휘도 데이터가 전원전압(VCC3)에 대한 차이에 의해 결정된다. 따라서, 전원전압(VCC3)은 전원전압(VCC1)과는 관계없이 실질적으로 작게 설정될 수 있다.
전원전압(VCC1)에 대하여 전원전압(VCC3)을 극히 작게 설정함으로써, 데이터 드라이버(12)의 전압, 즉, 저소비전력이 이루어질 수 있도록 신호선 구동회로가 감소될 수 있다. 실제의 화소회로에서, 높은 기생용량은 상호접속 간과 트랜지스터에서 존재하기 때문에, 정확한 휘도 데이터의 공급이 어려워진다. 가변가능한 전원전압(VCC3)이 정확한 회색음영 디스플레이의 미세조정에 사용될 수 있다. 이것은 제 3회로 내지 제 6회로의 화소회로(11C 내지 11F)에서 각각 마찬가지로 사용될 수 있다.
In the conventional pixel circuit, the voltage of the signal line 103 is affected by the power supply voltage VCC1. Therefore, when the power supply voltage VCC1 is large, the voltage of the signal line 103 also tends to be large. On the other hand, since Expression (7) is established in the pixel circuit 11B of the second circuit, the luminance data is determined by the difference with respect to the power supply voltage VCC3. Therefore, the power supply voltage VCC3 can be set substantially small regardless of the power supply voltage VCC1.
By setting the power supply voltage VCC3 extremely small with respect to the power supply voltage VCC1, the signal line driving circuit can be reduced so that the voltage of the data driver 12, that is, low power consumption can be achieved. In actual pixel circuits, since high parasitic capacitance exists between the interconnects and the transistors, it is difficult to supply accurate luminance data. A variable power supply voltage VCC3 can be used to fine tune the accurate grayscale display. This can be used similarly in the pixel circuits 11C to 11F of the third to sixth circuits, respectively.

상기 실시형태에서, 유기-EL 소자는 각 화소의 표시소자로서 사용되고, 폴리실리콘 박막 트랜지스터는 액티브 소자로서 사용된다. 본 발명이 폴리실리콘 박막 트랜지스터 기판에 형성된 유기-EL 소자를 가지는 액티브-매트릭스 유기-EL 디스플레이의 각 예로 설명되었지만, 본 발명은 액티브-매트릭스 유기-EL 디스플레이에 한정되지 않는다. 따라서 본 발명은 모든 화소용 표시소자를 가지고 각 화소에서 휘도 데이터를 유지할 수 있는 모든 종류의 액티브-매트릭스 표시장치에 적용가능하다.In the above embodiment, the organic-EL element is used as the display element of each pixel, and the polysilicon thin film transistor is used as the active element. Although the present invention has been described as an example of an active-matrix organic-EL display having an organic-EL element formed on a polysilicon thin film transistor substrate, the present invention is not limited to an active-matrix organic-EL display. Therefore, the present invention is applicable to all kinds of active-matrix display devices having display elements for all pixels and capable of holding luminance data in each pixel.

본 발명은 임계전압보상 화소회로를 사용하는 고 선명도 액티브-매트릭스 표시장치를 제공하여 표시화상의 균일성을 개선하고 1 수평기간의 길이에도 불구하고 임계전압 보상기간의 충분한 길이를 보장할 수 있다.The present invention can provide a high definition active-matrix display device using a threshold voltage compensation pixel circuit to improve the uniformity of the display image and to ensure a sufficient length of the threshold voltage compensation period despite the length of one horizontal period.

따라서, 신호선으로부터가 아니고 전원선으로부터 임계전압 보상에 요구되는 고정전압을 공급함으로써, 또 다른 화소에서 신호선으로부터 표시 데이터를 동시에 기입하는 동안 임계전압의 보상이 수행된다. 화소의 어느 한 행에 있어서, 1 수평기간이 데이터 기입 기간으로서 설정될 수 있고 기간의 어느 길이는 데이터 기입 기간에 앞서 임계전압 보상기간으로서 설정될 수 있다. 따라서, 임계전압 보상기간을 위한 충분한 시간은 유지될 수 있다. 이것은 휘도의 균일성을 개선하고 또한 디스플레이의 고 선명도를 달성하기 위해서 각 화소에서 트랜지스터의 임계전압의 불규칙성을 정확히 보상한다.Thus, by supplying a fixed voltage required for threshold voltage compensation from the power supply line and not from the signal line, compensation of the threshold voltage is performed while simultaneously writing display data from the signal line in another pixel. In either row of pixels, one horizontal period may be set as the data write period and any length of the period may be set as the threshold voltage compensation period before the data write period. Thus, sufficient time for the threshold voltage compensation period can be maintained. This accurately compensates for the irregularities of the threshold voltages of the transistors in each pixel in order to improve the uniformity of brightness and to achieve high clarity of the display.

본 발명은 데이터 전압만을 지속적으로 공급하는 것을 필요로 하는데, 이것은 신호선 구동회로의 구조를 단순화시킨다. 더욱이, 신호선 구동회로의 전원전압은 고정전압이 제거되는 정도까지 감소될 수 있기 때문에, 전체 디스플레이에 대해 저소비전력이 달성될 수 있다.The present invention requires the continuous supply of only the data voltage, which simplifies the structure of the signal line driver circuit. Furthermore, since the power supply voltage of the signal line driver circuit can be reduced to the extent that the fixed voltage is eliminated, low power consumption can be achieved for the entire display.

Claims (12)

액티브-매트릭스 표시장치는,The active matrix display device 매트릭스로 배열된 화소회로와,Pixel circuits arranged in a matrix, 상기 매트릭스로 배열된 화소회로의 열에 대응하여 상호접속되는 각 신호선과,Each signal line interconnected corresponding to a column of pixel circuits arranged in the matrix; 상기 매트릭스로 배열된 화소회로의 행에 대응하여 상호접속되는 제 1스캐닝 선, 제 2스캐닝 선, 제 3스캐닝 선, 제 4스캐닝 선을 포함하며,A first scanning line, a second scanning line, a third scanning line, and a fourth scanning line interconnected to correspond to the rows of the pixel circuits arranged in the matrix, 상기 화소회로의 각각은,Each of the pixel circuits, 게이트 단자가 상기 제 1스캐닝 선에 접속되고 제 1전극 단자가 상기 신호선의 하나에 접속된 제 1트랜지스터와,A first transistor having a gate terminal connected to the first scanning line and a first electrode terminal connected to one of the signal lines; 제 1단이 상기 제 1트랜지스터의 제 2전극 단자에 접속되는 제 1커패시터와,A first capacitor having a first end connected to the second electrode terminal of the first transistor; 제 1단자가 상기 제 1커패시터의 제 1단 또는 제 2단에 접속되는 제 2커패시터와,A second capacitor having a first terminal connected to a first end or a second end of the first capacitor, 게이트 단자가 상기 제 1커패시터의 제 2단에 접속되고 제 1전극 단자가 제 1전원선에 접속되는 제 2트랜지스터와,A second transistor having a gate terminal connected to a second end of the first capacitor and a first electrode terminal connected to a first power line; 게이트 단자가 상기 제 2스캐닝 선에 접속되고, 제 1전극 단자는 상기 제 2트랜지스터의 게이트 단자에 접속되며, 제 2전극 단자는 상기 제 2트랜지스터의 제 2전극 단자에 접속되는 제 3트랜지스터와,A third transistor having a gate terminal connected to the second scanning line, a first electrode terminal connected to a gate terminal of the second transistor, and a second electrode terminal connected to a second electrode terminal of the second transistor; 게이트 단자가 상기 제 3스캐닝 선에 접속되고 제 1전극 단자가 상기 제 2트랜지스터의 제 2전극 단자에 접속되는 제 4트랜지스터와,A fourth transistor having a gate terminal connected to the third scanning line and a first electrode terminal connected to a second electrode terminal of the second transistor; 게이트 단자가 상기 제 4스캐닝 선에 접속되고, 제 1전극 단자는 제 3전원선에 접속되며, 제 2전극 단자는 상기 제 1트랜지스터의 제 2전극 단자에 접속되는 제 5트랜지스터와,A fifth transistor having a gate terminal connected to the fourth scanning line, a first electrode terminal connected to a third power supply line, and a second electrode terminal connected to a second electrode terminal of the first transistor; 상기 제 4트랜지스터의 제 2전극 단자와 제 2전원선 양쪽에 접속된 표시소자를 포함하는 액티브-매트릭스 유기-EL 표시장치.And a display element connected to both the second electrode terminal and the second power supply line of the fourth transistor. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 3트랜지스터와 상기 제 5트랜지스터는 동일한 전도성 타입(conductivity type)을 가지며, 상기 제 2스캐닝 선과 상기 제 4스캐닝 선이 공통선으로서 결합되는 액티브-매트릭스 유기-EL 표시장치.And the third transistor and the fifth transistor have the same conductivity type, and the second scanning line and the fourth scanning line are coupled as a common line. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 3트랜지스터와 상기 제 4트랜지스터는 반대의 전도성 타입을 가지며, 상기 제 2스캐닝 선과 상기 제 3스캐닝 선이 공통선으로서 결합되는 액티브-매트릭스 유기-EL 표시장치.And the third transistor and the fourth transistor have opposite conductivity types, and the second scanning line and the third scanning line are coupled as a common line. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 4트랜지스터와 상기 제 5트랜지스터는 반대의 전도성 타입을 가지며, 상기 제 3스캐닝 선과 상기 제 4스캐닝 선이 공통선으로서 결합되는 액티브-매트릭스 유기-EL 표시장치.And the fourth transistor and the fifth transistor have opposite conductivity types, and the third scanning line and the fourth scanning line are coupled as a common line. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 3트랜지스터와 상기 제 5트랜지스터는 상기 제 4트랜지스터와는 반대의 전도성 타입을 가지며, 상기 제 2스캐닝 선, 상기 제 3스캐닝 선, 상기 제 4스캐닝 선이 공통선으로서 결합되는 액티브-매트릭스 유기-EL 표시장치.The third transistor and the fifth transistor have a conductivity type opposite to that of the fourth transistor, and an active-matrix organic material in which the second scanning line, the third scanning line, and the fourth scanning line are combined as a common line. -EL display. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1전원선과 상기 제 3전원선이 공통선으로서 결합되는 액티브-매트릭스 유기-EL 표시장치.And an active-matrix organic-EL display device in which the first power supply line and the third power supply line are coupled as a common line. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 3전원선의 전원전압이 상기 제 1전원선의 전원전압보다 낮은 액티브-매트릭스 유기-EL 표시장치.The active-matrix organic-EL display device of which the power supply voltage of the third power supply line is lower than the power supply voltage of the first power supply line. 제 7항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 제 3전원선의 전원전압이 가변가능한 액티브-매트릭스 유기-EL 표시장치.An active-matrix organic-EL display device, wherein the power supply voltage of the third power line is variable. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1트랜지스터 내지 상기 제 5트랜지스터는 폴리실리콘 박막 트랜지스터인 액티브-매트릭스 유기-EL 표시장치.And the first transistor to the fifth transistor are polysilicon thin film transistors. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 표시소자가 제 1전극과 제 2전극 사이에 배치되는 발광층을 가지는 유기층을 포함하는 전자발광성 유기소자인 액티브-매트릭스 유기-EL 표시장치.An active-matrix organic-EL display device, wherein the display device is an electroluminescent organic device comprising an organic layer having a light emitting layer disposed between the first electrode and the second electrode. 매트릭스로 배열된 화소회로와,Pixel circuits arranged in a matrix, 상기 매트릭스로 배열된 화소회로의 열에 대응하여 상호접속되는 각 신호선과,Each signal line interconnected corresponding to a column of pixel circuits arranged in the matrix; 상기 매트릭스로 배열된 화소회로의 행에 대응하여 상호접속되는 제 1스캐닝 선, 제 2스캐닝 선, 제 3스캐닝 선, 제 4스캐닝 선을 포함하며,A first scanning line, a second scanning line, a third scanning line, and a fourth scanning line interconnected to correspond to the rows of the pixel circuits arranged in the matrix, 상기 화소회로의 각각은,Each of the pixel circuits, 게이트 단자가 상기 제 1스캐닝 선에 접속되고 제 1전극 단자가 상기 신호선의 하나에 접속된 제 1트랜지스터와,A first transistor having a gate terminal connected to the first scanning line and a first electrode terminal connected to one of the signal lines; 제 1단이 상기 제 1트랜지스터의 제 2전극 단자에 접속되는 제 1커패시터와,A first capacitor having a first end connected to the second electrode terminal of the first transistor; 제 1단자가 상기 제 1커패시터의 제 1단 또는 제 2단에 접속되는 제 2커패시터와,A second capacitor having a first terminal connected to a first end or a second end of the first capacitor, 게이트 단자가 상기 제 1커패시터의 제 2단에 접속되고 제 1전극 단자가 제 1전원선에 접속되는 제 2트랜지스터와,A second transistor having a gate terminal connected to a second end of the first capacitor and a first electrode terminal connected to a first power line; 게이트 단자가 상기 제 2스캐닝 선에 접속되고, 제 1전극 단자는 상기 제 2트랜지스터의 게이트 단자에 접속되며, 제 2전극 단자는 상기 제 2트랜지스터의 제 2전극 단자에 접속되는 제 3트랜지스터와,A third transistor having a gate terminal connected to the second scanning line, a first electrode terminal connected to a gate terminal of the second transistor, and a second electrode terminal connected to a second electrode terminal of the second transistor; 게이트 단자가 상기 제 3스캐닝 선에 접속되고 제 1전극 단자가 상기 제 2트랜지스터의 제 2전극 단자에 접속되는 제 4트랜지스터와,A fourth transistor having a gate terminal connected to the third scanning line and a first electrode terminal connected to a second electrode terminal of the second transistor; 게이트 단자가 상기 제 4스캐닝 선에 접속되고, 제 1전극 단자는 제 3전원선에 접속되며, 제 2전극 단자는 상기 제 1트랜지스터의 제 2전극 단자에 접속되는 제 5트랜지스터와,A fifth transistor having a gate terminal connected to the fourth scanning line, a first electrode terminal connected to a third power supply line, and a second electrode terminal connected to a second electrode terminal of the first transistor; 상기 제 4트랜지스터의 제 2전극 단자와 제 2전원선 양쪽에 접속된 표시소자를 포함하는 액티브-매트릭스 표시장치를 구동하는 방법이며,A method of driving an active-matrix display device comprising a display element connected to both the second electrode terminal and the second power supply line of the fourth transistor, 상기 방법은,The method, 상기 제 3트랜지스터와 상기 제 5트랜지스터를 턴온(turn on)하면서 상기 제 1트랜지스터와 상기 제 4트랜지스터를 턴오프(turn off)하여 각 화소에서 상기 제 2트랜지스터의 임계전압을 보상하는 단계와,Compensating the threshold voltage of the second transistor at each pixel by turning off the first transistor and the fourth transistor while turning on the third transistor and the fifth transistor; 상기 제 3트랜지스터와 상기 제 5트랜지스터를 턴오프하면서 상기 제 1트랜지스터를 턴온하여 상기 신호선으로부터 각 화소로 표시 데이터를 기입하는 단계를 포함하는 액티브-매트릭스 유기-EL 표시장치의 구동방법.And turning on the first transistor while turning off the third transistor and the fifth transistor, and writing display data from the signal line to each pixel. 제 11항에 있어서,The method of claim 11, 동일 신호선을 따라 접속되고 다른 행에 있는 화소에서 상기 임계전압을 보상하는 기간과 상기 표시 데이터를 기입하는 기간이 동시에 존재하는 액티브-매트릭스 유기-EL 표시장치의 구동방법.A driving method of an active-matrix organic-EL display device, wherein a period for compensating the threshold voltage and a period for writing the display data are simultaneously present in pixels connected along the same signal line and in different rows.
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