KR100897349B1 - Semiconductor device test device - Google Patents
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- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 125
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 5
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 abstract description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 abstract description 4
- 235000005633 Chrysanthemum balsamita Nutrition 0.000 abstract description 3
- 241000132023 Bellis perennis Species 0.000 abstract description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 241000723353 Chrysanthemum Species 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000007849 functional defect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/3181—Functional testing
- G01R31/3183—Generation of test inputs, e.g. test vectors, patterns or sequences
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/3181—Functional testing
- G01R31/319—Tester hardware, i.e. output processing circuits
- G01R31/31903—Tester hardware, i.e. output processing circuits tester configuration
- G01R31/31908—Tester set-up, e.g. configuring the tester to the device under test [DUT], down loading test patterns
- G01R31/3191—Calibration
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/3181—Functional testing
- G01R31/319—Tester hardware, i.e. output processing circuits
- G01R31/3193—Tester hardware, i.e. output processing circuits with comparison between actual response and known fault free response
- G01R31/31932—Comparators
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
본 발명은 복수개의 DUT를 테스트하는 반도체 소자 테스트 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 보다 많은 수의 DUT를 동시에 테스트하기 위하여 어드레스 또는 커맨드 신호와 같은 신호를 공유하는 경우 신호의 무결성 측면과 타이밍의 정확도 측면의 품질 열화를 방지하기 위하여 커맨드/어드레스 신호와 클럭 신호를 데이지 체인 방식으로 복수개의 DUT에 인가함으로써 커맨드/어드레스 신호와 클럭 신호 사이의 지연에 따른 반도체 소자 테스트의 오동작을 최소화할 수 있다.The present invention relates to a semiconductor device test apparatus for testing a plurality of DUTs. According to the present invention, when sharing a signal such as an address or a command signal to test a larger number of DUTs simultaneously, the command / address signal and the clock signal are prevented in order to prevent quality deterioration in terms of signal integrity and timing accuracy. By applying to a plurality of DUT in a daisy chain method it is possible to minimize the malfunction of the semiconductor device test due to the delay between the command / address signal and the clock signal.
커맨드/어드레스 신호, 클럭 신호, 데이지 체인, 플라이-바이(fly-by), 지연, 로딩 이펙트(loading effect) Command / Address Signals, Clock Signals, Daisy Chains, Fly-by, Delays, Loading Effects
Description
도 1은 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 장치의 예시적인 블록도.1 is an exemplary block diagram of a semiconductor device test apparatus according to the present invention.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 장치의 커맨드/어드레스 경로부와 클럭 신호 경로부의 예시적인 구성을 나타내는 도면.2 is a diagram showing an exemplary configuration of a command / address path section and a clock signal path section of a semiconductor device test apparatus according to the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 장치의 데이터 입력 신호 경로부와 데이터 출력 신호 경로부의 예시적인 구성을 나타내는 도면.3 is a view showing an exemplary configuration of a data input signal path portion and a data output signal path portion of a semiconductor device test apparatus according to the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
110: 테스트 패턴 생성부 120: 커맨드/어드레스 경로부110: test pattern generation unit 120: command / address path unit
123: 제1 디스큐부 125: 제1 드라이버부123: first deskew portion 125: first driver portion
127: 제1 터미네이션부 130: 클럭 신호 경로부127: first termination unit 130: clock signal path unit
133: 제2 디스큐부 135: 제2 드라이버부133: second deskew section 135: second driver section
137: 제2 터미네이션부 140: 데이터 입력 신호 경로부137: second termination part 140: data input signal path part
143: 제3 디스큐부 145: 제3 드라이버부143: third deskew unit 145: third driver unit
150: 데이터 출력 신호 경로부 153: 출력 지연 보상부150: data output signal path section 153: output delay compensation section
155: 데이터 출력 수신부 160: 데이터 비교부155: data output receiver 160: data comparator
200: DUT 보드 210: 소켓200: DUT board 210: socket
본 발명은 반도체 소자 테스트 장치에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 보다 많은 수의 DUT를 동시에 테스트하기 위하여 어드레스 또는 커맨드 신호와 같은 신호를 공유하는 경우 신호의 무결성 측면과 타이밍의 정확도 측면의 품질 열화를 방지하기 위하여 커맨드/어드레스 신호와 클럭 신호를 데이지 체인 방식으로 복수개의 DUT에 인가함으로써 커맨드/어드레스 신호와 클럭 신호 사이의 지연에 따른 반도체 소자 테스트의 오동작을 최소화하는 반도체 소자 테스트 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device testing apparatus, and more particularly to preventing quality deterioration in terms of signal integrity and timing accuracy when sharing a signal such as an address or command signal to test a larger number of DUTs simultaneously. The present invention relates to a semiconductor device test apparatus for minimizing a malfunction of a semiconductor device test due to a delay between a command / address signal and a clock signal by applying a command / address signal and a clock signal to a plurality of DUTs in a daisy chain manner.
반도체 소자 테스트 장치는 제조된 반도체 소자의 불량 여부를 테스트하는 장치이다. 이러한 반도체 소자 테스트 장치는 특히 메모리 소자의 테스트를 위해서 사용되는 경우가 많기 때문에 메모리 소자의 개발 상황, 특히 메모리 소자의 상당 부분을 차지하는 DRAM의 개발 상황에 따라서 설계되어 개발된다.The semiconductor device test apparatus is a device for testing whether a manufactured semiconductor device is defective. Since the semiconductor device test apparatus is often used for testing a memory device, the semiconductor device test apparatus is designed and developed according to the development situation of a memory device, in particular, a DRAM development which occupies a substantial portion of the memory device.
현재의 DRAM 발전 상황은 EDO(Extended Data Output) 기능을 탑재한 DRAM이나, SDRAM(Synchronous DRAM), 램버스(Rambus) DRAM에 이어서 DDR(Double Data Rate) DRAM으로 발전되고 있다.Current DRAM developments are being developed into DRAMs with Extended Data Output (EDO), Synchronous DRAM (SRAM), Rambus (DRAM) DRAM, and Double Data Rate (DDR) DRAM.
이러한 DRAM을 테스트하기 위해서는 메모리의 고속화에 대응하여 반도체 소자 테스트 장치도 고속 및 고정밀도가 요구된다. 또한 메모리의 대용량화에 따라 테스트 시간이 증가하게 되므로 테스트의 속도 역시 빨라져야 한다. 또한 소형화되고 경제적인 반도체 소자 테스트 장치를 구현하여 테스트 비용을 절감할 수 있어야 한다.In order to test such DRAMs, semiconductor device test apparatuses are required to have high speed and high precision in response to high speeds of memory. In addition, since the test time increases with the increase of the memory, the test speed must also be faster. In addition, miniaturized and economical semiconductor device test devices must be implemented to reduce test costs.
반도체 소자 테스트 장치, 특히 그 중에서도 메모리 테스트 장치는 전형적으로 메모리 컴포넌트 또는 SIMM 또는 DIMM 구성으로 되어 있는 메모리 모듈을 테스트하고 검증하는데 사용된다. 이러한 반도체 소자 테스트 장치는 메모리 모듈 또는 메모리 컴포넌트가 실제 컴퓨터 시스템 등에 장착되어 사용되기 전에 메모리 모듈 또는 컴포넌트 상의 기능상 결함이 존재하는지의 여부를 검출하게 된다.Semiconductor device test devices, particularly memory test devices, among others, are used to test and verify memory modules typically in memory components or SIMM or DIMM configurations. The semiconductor device test apparatus detects whether a functional defect on a memory module or component exists before the memory module or memory component is mounted and used in an actual computer system.
반도체 소자 테스트 장치는 크게 하드웨어 반도체 소자 테스트 장치와 PC 환경에서 실행되는 소프트웨어 진단 프로그램으로 구별될 수 있다. 그러나 소프트웨어 진단 프로그램은 메모리 모듈 또는 컴포넌트가 실제 컴퓨터 상에 장착되어 사용되는 경우 메모리의 상태를 진단하기 때문에 반도체 메모리 생산과정에서는 하드웨어 메모리 테스트 장치를 주로 사용하게 된다.The semiconductor device test apparatus can be broadly classified into a hardware semiconductor device test apparatus and a software diagnostic program executed in a PC environment. However, since a software diagnostic program diagnoses a memory state when a memory module or component is mounted on a real computer and used, a hardware memory test apparatus is mainly used in the semiconductor memory production process.
이러한 하드웨어 반도체 소자 테스트 장치는 ATE(automatic test equipment)라고 불리는 고급 사양의 테스트 장치와, 중급(medium range) 메모리 테스트 장치, 저급(low-end) 메모리 테스트 장치 등으로 구분할 수 있다.The hardware semiconductor device test apparatus may be classified into a high-class test apparatus called an ATE (automatic test equipment), a medium range memory test apparatus, a low-end memory test apparatus, and the like.
메모리 소자의 테스트 공정을 수행하기 위해 전형적으로 고급 사양의 테스트 장치인 ATE를 사용한다. 이러한 종래의 ATE는 DC 파라미터들이 회로의 디지털적 동작에 적합한 지를 테스트하는 DC 테스트, 신호의 전달 지연 시간, 셋업(set-up) 시간과 홀드(hold) 시간 등과 관련된 AC 마진(margin) 테스트를 포함하며 이를 위한 테스트 패턴의 생성과 타이밍 생성 등 다양한 기능을 가지고 있다.To perform the test process of memory devices, ATE, a high-end test device, is typically used. Such conventional ATE includes a DC test that tests the DC parameters for the digital operation of the circuit, an AC margin test related to the signal propagation delay time, the set-up time and the hold time, etc. It has various functions such as test pattern generation and timing generation.
한편 이러한 반도체 소자의 테스트에 있어서 반도체 테스트 장치는 테스트 될 반도체 소자(device under test, DUT) 각각에 데이터 신호를 인가하고 DUT로부터 데이터 신호에 대응하는 응답 신호를 수신하여 DUT의 동작을 테스트하도록 구성된다. 또한 테스트 효율을 위해서 동시에 복수개의 DUT가 테스트되도록 구성된다.Meanwhile, in the test of the semiconductor device, the semiconductor test apparatus is configured to apply a data signal to each device under test (DUT) to be tested and to receive a response signal corresponding to the data signal from the DUT to test the operation of the DUT. . It is also configured to test multiple DUTs simultaneously for test efficiency.
이러한 데이터 신호는 예컨대 DUT의 동작을 위한 클럭 신호, 커맨드/어드레스 신호, 데이터인 데이터 입력 신호 등을 포함할 수 있다.The data signal may include, for example, a clock signal for operating the DUT, a command / address signal, a data input signal as data, and the like.
한편 이러한 복수개의 DUT의 테스트를 위하여 DUT를 장착하는 소켓을 복수개 포함하는 구성, 즉 DUT 보드(또는 소켓 보드라고도 지칭함)를 사용한다.Meanwhile, a configuration including a plurality of sockets for mounting the DUT for testing the plurality of DUTs, that is, a DUT board (also referred to as a socket board) is used.
이 경우 DUT 보드 상의 복수개의 소켓에 DUT가 핸들러 등을 통하여 장착되며, 반도체 소자 테스트 장치에서는 이러한 클럭 신호, 커맨드/어드레스 신호, 데이터 입력 신호를 소켓을 통하여 복수개의 DUT에 인가한다.In this case, the DUT is mounted in a plurality of sockets on the DUT board through a handler or the like, and the semiconductor device test apparatus applies the clock signal, the command / address signal, and the data input signal to the plurality of DUTs through the socket.
그러나 특히 DDR2 또는 DDR3 등의 고속 동작을 수행하는 메모리 소자가 DUT인 경우 각 소켓에 대해서 클럭 신호, 커맨드/어드레스 신호, 데이터 입력 신호를 인가하는 경우 DUT 보드의 구성에 따라서 각각의 DUT에 대해서 서로 다른 지연이 발생할 수 있다.However, in particular, when a memory device that performs high-speed operation such as DDR2 or DDR3 is a DUT, when a clock signal, a command / address signal, or a data input signal is applied to each socket, it is different for each DUT according to the configuration of the DUT board. Delays may occur.
특히 예컨대 보다 많은 수의 DUT를 동시에 테스트하기 위하여 어드레스 또는 커맨드 신호와 같은 신호를 공유하는 경우 신호의 무결성 측면과 타이밍의 정확도 측면에서 품질 열화가 발생하게 된다.In particular, sharing a signal, such as an address or command signal, for example to test a larger number of DUTs simultaneously will result in quality degradation in terms of signal integrity and timing accuracy.
이러한 신호의 무결성 측면과 타이밍의 정확도에서 품질 열화가 발생하는 경우 ATE 장치 설계시 이러한 문제점에 대해서 보상하여야 한다. 그러나 이러한 보상이 정확하게 수행되지 않는 경우 DUT의 테스트를 정확하게 수행하지 못하게 된다,If quality degradation occurs in the integrity of the signal and timing accuracy, the ATE device design must compensate for this problem. However, if these compensations are not performed correctly, you will not be able to correctly test the DUT.
특히 DUT에 인가되는 클럭 신호와 커맨드/어드레스 신호 사이에 지연이 발생하는 경우 이에 대한 보상이 필요하나, 이러한 보상을 위해서는 복잡한 구성이 필요한 단점이 있다. 또한 예컨대 DUT 보드의 제조시 편차에 따라서 신호 지연이 달라지는 문제에 대해서도 보상이 필요하다.In particular, if a delay occurs between a clock signal applied to the DUT and a command / address signal, compensation is required. However, a complicated configuration is required for such compensation. For example, compensation is required for the problem that the signal delay varies according to the deviation in manufacturing the DUT board.
본 발명의 목적은 보다 많은 수의 DUT를 동시에 테스트하기 위하여 어드레스 또는 커맨드 신호와 같은 신호를 공유하는 경우 신호의 무결성 측면과 타이밍의 정확도 측면의 품질 열화를 방지하기 위하여 커맨드/어드레스 신호와 클럭 신호를 데이지 체인 방식으로 복수개의 DUT에 인가함으로써 커맨드/어드레스 신호와 클럭 신호 사이의 지연에 따른 반도체 소자 테스트의 오동작을 최소화하는 반도체 소자 테스트 장치를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a command / address signal and a clock signal in order to prevent quality deterioration in terms of signal integrity and timing accuracy when sharing a signal such as an address or command signal to test a larger number of DUTs simultaneously. The present invention provides a semiconductor device test apparatus which minimizes malfunction of semiconductor device tests due to a delay between a command / address signal and a clock signal by applying to a plurality of DUTs in a daisy chain manner.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 복수개의 DUT를 테스트하는 반도체 소자 테스트 장치로서, 상기 복수개의 DUT의 테스트를 위한 클럭 신호, 커맨드/어드레스 신호 및 데이터 입력 신호를 생성하는 테스트 패턴 생성부와, 상기 복수개의 DUT 각각이 구비하는 커맨드/어드레스 신호 입력단을 데이지 체인 방식으로 연결하며, 상기 커맨드/어드레스 신호를 상기 커맨드/어드레스 신호 입력단에 인가하는 커맨드/어드레스 경로부와, 상기 복수개의 DUT 각각이 구비하는 클럭 신호 입력단을 상기 데이지 체인 방식으로 연결하며, 상기 클럭 신호를 상기 클럭 신호 입력단에 인가하는 클럭 신호 경로부와, 상기 데이터 입력 신호를 상기 복수개의 DUT 각각이 구비하는 데이터 신호 입력단에 각각 인가하는 데이터 입력 신호 경로부와, 상기 복수개의 DUT 각각이 구비하는 데이터 신호 출력단에서 각각 출력되는 데이터 출력 신호를 수신하는 데이터 출력 신호 경로부와, 상기 데이터 출력 신호 경로부를 통해 수신한 상기 데이터 출력 신호를 기초로 상기 복수개의 DUT 각각의 불량 여부를 검사하는 데이터 비교부를 포함하는 반도체 소자 테스트 장치를 제공한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention provides a semiconductor device test apparatus for testing a plurality of DUT, and a test pattern generator for generating a clock signal, a command / address signal and a data input signal for testing the plurality of DUT; And a command / address path unit for daisy-chaining the command / address signal input terminals of each of the plurality of DUTs, and applying the command / address signal to the command / address signal input terminal, and each of the plurality of DUTs A clock signal input unit connected to the clock signal input terminal having the daisy chain method, the clock signal path unit applying the clock signal to the clock signal input terminal, and applying the data input signal to a data signal input terminal included in each of the plurality of DUTs. A data input signal path section and the plurality of DUTs Examine whether each of the plurality of DUTs is defective on the basis of a data output signal path unit for receiving data output signals respectively output from the data signal output terminal provided in each of the data output signals received through the data output signal path unit. A semiconductor device test apparatus including a data comparison unit is provided.
본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 장치에 있어서, 상기 커맨드/어드레스 경로부는, 상기 데이지 체인 방식으로 연결된 상기 커맨드/어드레스 신호 입력단의 종단에 연결되는 제1 터미네이션부를 포함하는 것이고, 상기 클럭 신호 경로부는, 상기 데이지 체인 방식으로 연결된 상기 클럭 신호 입력단의 종단에 연결되는 제2 터미네이션부를 포함할 수 있다.In the semiconductor device test apparatus according to the present invention, the command / address path part includes a first termination part connected to an end of the command / address signal input terminal connected in the daisy chain manner, and the clock signal path part includes: And a second termination part connected to an end of the clock signal input terminal connected in a daisy chain manner.
또한 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 장치에 있어서, 상기 커맨드/어드레스 경로부는, 상기 테스트 패턴 생성부가 생성한 상기 커맨드/어드레스 신호의 스큐를 제거하는 제1 디스큐부와, 상기 스큐가 제거된 커맨드/어드레스 신호를 상기 데이지 체인 방식으로 연결된 상기 커맨드/어드레스 신호 입력단에 인가하는 제1 드라이버부를 포함할 수 있다.In the semiconductor device test apparatus according to the present invention, the command / address path unit may include a first deskew unit for removing skew of the command / address signal generated by the test pattern generator, and a command / address from which the skew is removed. And a first driver unit for applying a signal to the command / address signal input terminal connected in the daisy chain manner.
또한 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 장치에 있어서, 상기 클럭 신호 경로부는, 상기 테스트 패턴 생성부가 생성한 상기 클럭 신호의 스큐를 제거하는 제2 디스큐부와, 상기 스큐가 제거된 클럭 신호를 상기 데이지 체인 방식으로 연결된 상기 클럭 신호 입력단에 인가하는 제2 드라이버부를 포함할 수 있다.In the semiconductor device test apparatus according to the present invention, the clock signal path unit may include a second deskew unit for removing skew of the clock signal generated by the test pattern generator, and the daisy chain of the clock signal from which the skew is removed. It may include a second driver for applying to the clock signal input terminal connected in a manner.
또한 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 장치에 있어서, 상기 데이터 입력 신호 경로부는, 상기 복수개의 DUT 각각에 입력되는 상기 테스트 패턴 생성부가 생성한 상기 데이터 입력 신호의 지연을 설정하는 제3 디스큐부와, 상기 지연이 설정된 데이터 입력 신호를 상기 복수개의 DUT 각각에 대응하여 인가하는 제3 드라이버부를 포함할 수 있다.In the semiconductor device test apparatus according to the present invention, the data input signal path unit may include a third deskew unit configured to set a delay of the data input signal generated by the test pattern generator input to each of the plurality of DUTs; The third driver may include a third driver configured to apply a data input signal having a delay corresponding to each of the plurality of DUTs.
또한 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 장치에 있어서, 상기 제3 디스큐부는, 상기 복수개의 DUT 각각에 입력되는 상기 커맨드/어드레스 신호의 지연 및 상기 클럭 신호의 지연에 대응하여 상기 데이터 입력 신호의 지연을 설정할 수 있다.In the semiconductor device test apparatus according to the present invention, the third deskew unit may delay the delay of the data input signal in response to the delay of the command / address signal and the clock signal input to each of the plurality of DUTs. Can be set.
또한 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 장치에 있어서, 상기 데이터 출력 신호 경로부는, 상기 복수개의 DUT 각각에서 출력되는 상기 데이터 출력 신호를 수신하는 데이터 출력 수신부와, 상기 데이터 출력 신호의 지연을 설정하는 출력 지연 보상부를 포함할 수 있다.In the semiconductor device test apparatus according to the present invention, the data output signal path unit may include a data output receiver configured to receive the data output signals output from each of the plurality of DUTs, and an output delay configured to set a delay of the data output signal. It may include a compensation unit.
또한 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 장치에 있어서, 상기 복수개의 DUT 각각의 상기 데이터 출력 신호가 동일한 시점에서 비교되도록 상기 데이터 출력 신호의 지연을 각각 설정할 수 있다.In the semiconductor device test apparatus according to the present invention, the delay of the data output signal may be set so that the data output signals of each of the plurality of DUTs are compared at the same time.
또한 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 장치에 있어서, 상기 데이터 출력 수신부는, 상기 복수개의 DUT 각각의 상기 데이터 신호 출력단에서 출력된 상기 데이터 출력 신호를 각각 수신하여 상기 데이터 출력 신호가 일정 값 이상이면 H(high) 논리값을 출력하고 상기 일정 값 이하이면 L(low) 논리값을 출력하는 논리 비교부를 포함할 수 있다.In the semiconductor device test apparatus according to the present invention, the data output receiver may receive the data output signals output from the data signal output terminals of each of the plurality of DUTs, and if the data output signal is equal to or greater than a predetermined value, the H ( and a logic comparator for outputting a high logic value and outputting an L (low) logic value when the logic value is less than or equal to the predetermined value.
또한 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 장치에 있어서, 상기 테스트 패턴 생성부는, 상기 데이터 입력 신호에 대한 테스트 기대 신호를 더 생성하는 것이고, 상기 데이터 비교부는, 상기 테스트 기대 신호와 상기 데이터 출력 신호를 비교하여 상기 복수개의 DUT 각각의 불량 여부를 검사할 수 있다.In the semiconductor device test apparatus according to the present invention, the test pattern generation unit may further generate a test expectation signal for the data input signal, and the data comparator compares the test expectation signal with the data output signal. Each of the plurality of DUTs may be inspected for defects.
이하, 본 발명의 반도체 소자 테스트 장치의 실시예를 첨부한 도면을 참조로 보다 구체적으로 설명한다. Hereinafter, an embodiment of a semiconductor device test apparatus of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 장치의 예시적인 블록도이다.1 is an exemplary block diagram of a semiconductor device test apparatus according to the present invention.
도시되듯이 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 장치는 테스트 패턴 생성부(110)와, 커맨드/어드레스 경로부(120)와, 클럭 신호 경로부(130)와, 데이터 입력 신호 경로부(140)와, 데이터 출력 신호 경로부(150)와, 데이터 비교부(160)를 포함한다.As illustrated, the semiconductor device test apparatus according to the present invention includes a
테스트 패턴 생성부(110)는 복수개의 DUT의 테스트를 위한 클럭 신호, 커맨드/어드레스 신호 및 데이터 입력 신호를 생성한다. 클럭 신호, 커맨드/어드레스 신호 및 데이터 입력 신호는 이후 DUT에 인가된다.The
테스트 패턴 생성부(110)는 예컨대 ALPG(ALgorithm Pattern Generator)를 포함할 수 있다. ALPG는 사용자가 저장한 프로그램에 따라 원하는 패턴의 신호를 출력하는 장치이다. ALPG는 FPGA(Field Programmable Gate Array) 등을 사용하여 구현할 수 있다.The
커맨드/어드레스 경로부(120)는 복수개의 DUT 각각이 구비하는 커맨드/어드레스 신호 입력단을 데이지 체인 방식으로 연결하며, 테스트 패턴 생성부(110)가 생성한 커맨드/어드레스 신호를 커맨드/어드레스 신호 입력단에 인가한다.The command /
복수개의 DUT는 각각 커맨드/어드레스 신호 입력단을 구비한다.Each of the plurality of DUTs has a command / address signal input.
이 경우 테스트를 위해서 소켓 등이 복수개의 DUT 각각에 대응하여 배치가 되며, 커맨드/어드레스 경로부(120)는 소켓의 커맨드/어드레스 입력단을 플라이-바이(Fly-by) 구조, 즉 데이지 체인 방식으로 연결하여 커맨드/어드레스 신호가 복수개의 DUT 신호에 대해서 인가되도록 구성할 수 있다. 데이지 체인이란 연속적으로 연결되어 있는 하드웨어 장치들의 구성을 지칭하며, 도 2를 참조로 보다 상세히 설명한다.In this case, a socket or the like is disposed in correspondence with each of the plurality of DUTs for the test, and the command /
본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 장치에 있어서 커맨드/어드레스 신호의 경우 보다 많은 DUT의 테스트를 위해 2개 혹은 4개 또는 그 이상의 DUT가 신호를 공유해서 사용하게 되며, 이때 기존의 스타-스텁(Star-stub) 방식이 아닌, 데이지 체인 방식을 통해 신호의 무결성을 향상시킬 수 있다.In the semiconductor device test apparatus according to the present invention, in the case of the command / address signal, two or four or more DUTs share a signal for testing more DUTs, and at this time, a conventional star-stub Daisy chains, rather than stubs, improve signal integrity.
클럭 신호 경로부(130)는 복수개의 DUT 각각이 구비하는 클럭 신호 입력단을 데이지 체인 방식으로 연결하여 테스트 패턴 생성부(110)가 생성한 클럭 신호를 복수개의 DUT에 인가한다.The clock
복수개의 DUT는 각각 클럭 신호 입력단을 구비한다.Each of the plurality of DUTs includes a clock signal input terminal.
이 경우 테스트를 위해서 소켓 등이 복수개의 DUT 각각에 대응하여 배치가 되며, 클럭 신호 경로부(130)는 소켓의 클럭 입력단을 플라이-바이 구조, 즉 데이지 체인 방식으로 연결하여 클럭 신호가 복수개의 DUT 신호에 대해서 인가되도록 구성할 수 있다.In this case, a socket or the like is disposed to correspond to each of the plurality of DUTs for the test, and the clock
본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 장치에 있어서 클럭 신호의 경우 보다 많은 DUT의 테스트를 위해 2개 혹은 4개 또는 그 이상의 DUT가 신호를 공유해서 사용하게 되며, 이때 기존의 스타-스텁 방식이 아닌, 데이지 체인 방식으로 연결하여 신호의 무결성을 향상시킬 수 있다.In the semiconductor device test apparatus according to the present invention, in the case of a clock signal, two or four or more DUTs share a signal to test more DUTs, and in this case, daisy, not a conventional star-stub method, is used. Connections can be chained to improve signal integrity.
또한 클럭 신호와 커맨드/어드레스 신호는 모두 데이지 체인 방식을 통해 복수개의 DUT에 인가된다.In addition, both the clock signal and the command / address signal are applied to the plurality of DUTs through a daisy chain method.
이러한 클럭 신호와 커맨드/어드레스 신호 모두를 데이지 체인 방식을 통해 인가하는 것은 클럭 신호를 데이지 체인 방식으로 연결하지 않는 경우 클럭 신호와 커맨드/어드레스 신호 사이에 지연이 발생하기 때문이다.Applying both the clock signal and the command / address signal through the daisy chain method is because a delay occurs between the clock signal and the command / address signal when the clock signals are not daisy chained.
이러한 지연은 특히 데이지 체인 방식을 통해 신호가 인가되는 DUT의 개수에 따라서 증가하게 된다.This delay increases with the number of DUTs to which a signal is applied, especially via daisy chaining.
따라서 이러한 지연을 별도로 보상하지 않기 위해서 클럭 신호는 커맨드/어드레스 신호와 마찬가지로 데이지 체인 방식으로 연결된 클럭 신호 입력단에 인가된다.Therefore, in order not to compensate for this delay, the clock signal is applied to the clock signal input terminals connected in a daisy chain manner as in the command / address signal.
커맨드/어드레스 경로부(120)와, 클럭 신호 경로부(130)에 대해서는 도 2를 참조로 보다 상세하게 설명한다.The command /
데이터 입력 신호 경로부(140)는 테스트 패턴 생성부(110)가 생성한 데이터 입력 신호를 복수개의 DUT의 각 데이터 신호 입력단에 대응하여 각각 인가한다.The data input
복수개의 DUT는 각각 데이터 신호 입력단을 구비한다.Each of the plurality of DUTs has a data signal input terminal.
데이터 입력 신호 경로부(140)는 커맨드/어드레스 경로부(120) 또는 클럭 신호 경로부(130)와는 다르게 각각의 DUT에 대해서 별도로 데이터 입력 신호를 인가하도록 구성된다.The data input
데이터 출력 신호 경로부(150)는 복수개의 DUT의 각 데이터 신호 출력단에서 각각 출력된 데이터 출력 신호를 수신한다.The data output
복수개의 DUT는 각각 데이터 신호 출력단을 구비한다.Each of the plurality of DUTs has a data signal output stage.
데이터 출력 신호 경로부(150)는 데이터 입력 신호 경로부(140)와 마찬가지로 각각의 DUT에 대해서 별도로 데이터 출력 신호를 수신하도록 구성된다.The data output
데이터 입력 신호 경로부(140)와, 데이터 출력 신호 경로부(150)에 대해서는 도 3을 참조로 보다 상세하게 설명된다.The data input
데이터 비교부(160)는 데이터 출력 신호 경로부(150)에서 수신한 데이터 출력 신호를 기초로 복수개의 DUT 각각의 불량 여부를 검사한다.The
예컨대 테스트 패턴 생성부(110)가 데이터 입력 신호에 대한 테스트 기대 신호를 더 생성하는 경우, 데이터 비교부(160)는 테스트 패턴 생성부(110)가 생성한 테스트 기대 신호와 데이터 출력 신호 경로부(150)가 수신한 데이터 출력 신호를 비교하여 복수개의 DUT 각각의 불량 여부를 검사한다.For example, when the
도 2는 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 장치의 커맨드/어드레스 경로부와 클럭 신호 경로부의 예시적인 구성을 나타내는 도면이다.2 is a diagram illustrating an exemplary configuration of a command / address path unit and a clock signal path unit of the semiconductor device test apparatus according to the present invention.
도 2에서는 DUT 보드(200)와, 커맨드/어드레스 경로부(도 1의 120)와 클럭 신호 경로부(도 1의 130)가 도시된다.In FIG. 2, the
도시되듯이 DUT 보드(200) 상에는 복수개의 DUT의 장착을 위한 복수개의 소켓(210a 내지 210d)이 구비된다. 각 소켓에는 DUT의 각 입력단 또는 출력단에 대응하는 연결 구성이 배치되며, 예컨대 동그라미 형태로 커맨드/어드레스 신호 입력단 또는 클럭 신호 입력단에 대응하는 연결 구성이 도시된다.As shown, a plurality of
도 2에는 4개의 소켓(210a 내지 210d)이 도시되지만 예컨대 16개 또는 그 이상의 소켓을 DUT 보드(200) 상에 장착하여 구성하는 것도 물론 가능하다.Although four
커맨드/어드레스 경로부(도 1의 120)는 도시되듯이 소켓(210a 내지 210d)의 연결 구성 중 DUT의 커맨드/어드레스 신호 입력단에 대응하여 데이지 체인 방식으로 연결된다.As shown in FIG. 1, the command /
즉 소켓(210a)의 커맨드/어드레스 신호 입력단에 대응하는 연결 구성과, 소켓(210b)의 커맨드/어드레스 신호 입력단에 대응하는 연결 구성과, 소켓(210c)의 커맨드/어드레스 신호 입력단에 대응하는 연결 구성과, 소켓(210d)의 커맨드/어드레스 신호 입력단에 대응하는 연결 구성이 서로 데이지 체인 방식으로 연결된다.That is, the connection configuration corresponding to the command / address signal input terminal of the
커맨드/어드레스 경로부(도 1의 120)는 도시되듯이 제1 디스큐부(123)와, 제1 드라이버부(125)를 포함할 수 있다. 또한 커맨드/어드레스 경로부(도 1의 120)는 도시되듯이 제1 터미네이션부(127)를 포함할 수 있다.The command /
제1 디스큐부(123)는 테스트 패턴 생성부(도 1의 110)에서 생성된 커맨드/어드레스 신호의 스큐를 제거한다.The
이러한 제1 디스큐부(123)는 테스트 패턴 생성부(도 1의 110)에서 생성된 커맨드/어드레스 신호가 DUT 보드(200)로 인가되기 전에 발생하는 스큐를 제거하기 위한 것이다. 또한 제1 디스큐부(123)는 사용자 지연 설정 등에 대해서 고려하여 지연을 설정할 수도 있다.The
제1 드라이버부(125)는 제1 디스큐부(123)를 통하여 스큐가 제거된 커맨드/어드레스 신호를 데이지 체인 방식으로 연결된 커맨드/어드레스 신호 입력단에 인가한다.The
한편 커맨드/어드레스 경로부(도 1의 120)는 데이지 체인 방식으로 연결된 커맨드/어드레스 신호 입력단의 종단에 연결되는 제1 터미네이션부(127)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the command /
즉 제1 터미네이션부(127)는 터미네이션 저항을 포함하여 구성될 수 있으며, 커맨드/어드레스 신호가 데이지 체인의 종단에서 반사되는 것을 방지한다.That is, the
클럭 신호 경로부(도 1의 130)는 도시되듯이 소켓(210a 내지 210d)의 연결 구성 중 DUT의 클럭 신호 입력단에 대응하여 데이지 체인 방식으로 연결된다.The clock
즉 소켓(210a)의 클럭 신호 입력단에 대응하는 연결 구성과, 소켓(210b)의 클럭 신호 입력단에 대응하는 연결 구성과, 소켓(210c)의 클럭 신호 입력단에 대응하는 연결 구성과, 소켓(210d)의 클럭 신호 입력단에 대응하는 연결 구성이 서로 데이지 체인 방식으로 연결된다.That is, the connection configuration corresponding to the clock signal input terminal of the
클럭 신호 경로부(도 1의 130)는 도시되듯이 제2 디스큐부(133)와, 제2 드라이버부(135)를 포함할 수 있다. 또한 클럭 신호 경로부(도 1의 130)는 도시되듯이 제2 터미네이션부(137)를 포함할 수 있다.The clock
제2 디스큐부(133)는 테스트 패턴 생성부(도 1의 110)에서 생성된 클럭 신호의 스큐를 제거한다. The
이러한 제2 디스큐부(133)는 테스트 패턴 생성부(도 1의 110)에서 생성된 클럭 신호가 DUT 보드(200)로 인가되기 전에 발생하는 스큐를 제거하기 위한 것이다. 또한 제2 디스큐부(133)는 사용자 지연 설정 등에 대해서 고려하여 지연을 설정할 수 도 있다.The
제2 드라이버부(135)는 제2 디스큐부(123)를 통하여 스큐가 제거된 클럭 신호를 데이지 체인 방식으로 연결된 클럭 신호 입력단에 인가한다.The
한편 클럭 신호 경로부(도 1의 130)는 데이지 체인 방식으로 연결된 클럭 신호 입력단의 종단에 연결되는 제2 터미네이션부(137)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the clock
즉 제2 터미네이션부(137)는 터미네이션 저항을 포함하여 구성될 수 있으며, 클럭 신호가 데이지 체인의 종단에서 반사되는 것을 방지한다.That is, the
한편 도 2에 도시되듯이 테스트 패턴 생성부(110)에서 생성된 커맨드/어드레스 신호 또는 클럭 신호를 DUT 보드(200)에 인가하는 구성, 즉 커맨드/어드레스 경로부(도 1의 120)와, 클럭 신호 경로부(도 1의 130)는 서로 대응된다. 이러한 대응되는 구성을 취하는 이유는 커맨드/어드레스 신호 또는 클럭 신호가 각 DUT에 인가되는 경우 발생 가능한 로딩 이펙트(loading effect)를 감소시키기 위함이다. 즉 클럭 신호와 커맨드/어드레스 신호에 대한 경로가 동일하지 않은 경우라면 각 DUT에서 클럭 신호와 커맨드/어드레스 신호 각각에 대해서 부하가 달라질 수 있으며, 따라서 클럭 신호는 커맨드/어드레스 신호에 대해서 지연이 발생할 수 있다. 이러한 부하가 달라지는 것에 의해서 발생하는 지연을 로딩 이펙트라 지칭한다.Meanwhile, as shown in FIG. 2, a configuration for applying a command / address signal or a clock signal generated by the
그러나 본원 발명에서는 전술하듯이 커맨드/어드레스 경로부(120)와, 클럭 신호 경로부(130)의 구성을 서로 대응되도록 구성함으로써 로딩 이펙트를 최소화시킬 수 있다.However, in the present invention, as described above, the configuration of the command /
또한 이러한 구성을 통하여 DUT 보드(200)의 제작 시 발생하는 지연 성분에 대해서도 최소화가 가능하다.In addition, it is possible to minimize the delay component that occurs during the manufacturing of the
즉 커맨드/어드레스 신호 또는 클럭 신호를 DUT 보드(200)에 인가하는 구성이 서로 대응되지 않는 경우 DUT 보드(200)의 제작 시 발생하는 지연 성분에 대해 서 별도로 미세 보정(calibration)이 필요하게 되나 도시되듯이 커맨드/어드레스 경로부(120)와, 클럭 신호 경로부(130)의 구성을 서로 대응되도록 구성함으로써 DUT 보드(200) 제조시의 편차에 따른 지연 성분에 대한 미세 보정이 필요하지 않은 장점이 있다.That is, when the configuration of applying the command / address signal or the clock signal to the
도 3은 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 장치의 데이터 입력 신호 경로부와 데이터 출력 신호 경로부의 예시적인 구성을 나타내는 도면이다.3 is a diagram illustrating an exemplary configuration of a data input signal path unit and a data output signal path unit of the semiconductor device test apparatus according to the present invention.
도 3에서는 DUT 보드(200)와, 데이터 입력 신호 경로부(도 1의 140)와, 데이터 출력 신호 경로부(도 1의 150)가 도시된다.In FIG. 3, the
도시되듯이 DUT 보드(200) 상에는 복수개의 DUT의 장착을 위한 복수개의 소켓(210a 내지 210d)이 구비된다. 각 소켓에는 DUT의 각 데이터 신호 입력단 또는 데이터 신호 출력단에 대응하는 연결 구성이 배치되며, 예컨대 동그라미 형태로 데이터 신호 입력단 또는 데이터 신호 출력단에 대응하는 연결 구성이 도시된다. 또한 데이터 신호 입력단과 데이터 신호 출력단을 동일하게 하나의 동그라미 형태로 도시한다.As shown, a plurality of
데이터 입력 신호 경로부(도 1의 140)는 도시되듯이 복수개의 DUT의 데이터 신호 입력단에 대응하는 소켓(210a 내지 210d)의 연결 구성 각각에 대해서 테스트 패턴 생성부(110)가 생성한 데이터 입력 신호를 각각 인가한다.As shown in FIG. 1, the data input
즉 커맨드/어드레스 경로부(도 1의 120) 또는 클럭 신호 경로부(도 1의 130)가 데이지 체인 방식을 취하는 데 비해서 데이터 입력 신호 경로부(도 1의 140)는 소켓(210a 내지 210d) 각각마다 별도로 데이터 입력 신호를 인가하도록 구성된다.That is, while the command / address path section 120 (FIG. 1) or the clock signal path section 130 (FIG. 1) daisy-chains, the data input signal path section 140 (FIG. 1) has a
데이터 입력 신호 경로부(도 1의 140)는 도시되듯이 제3 디스큐부(143a 내지 143d)와, 제3 드라이버부(145a 내지 145d)를 포함할 수 있다. As illustrated, the data input
제3 디스큐부(143a 내지 143d)는 복수개의 DUT 각각에 대해서 데이터 입력 신호의 지연을 설정한다. The
제3 디스큐부(143a 내지 143d)는 예컨대 테스트 패턴 생성부(도 1의 110)에서 생성된 데이터 입력 신호가 DUT 보드(200)로 인가되기 전에 발생하는 스큐를 제거하기 위한 것이다. 또한 제3 디스큐부(143a 내지 143d)는 사용자 지연 설정 등에 대해서 고려하여 지연을 설정할 수 도 있다.The
또한 제3 디스큐부(143a 내지 143d)는 이러한 스큐 제거 뿐만 아니라, DUT의 커맨드/어드레스 신호 입력단과 클럭 신호 입력단이 커맨드/어드레스 경로부(도 1의 120) 및 클럭 신호 경로부(도 1의 130)에 의해서 데이지 체인 방식으로 연결되는 것에 따라서 각 DUT 마다 발생하는 커맨드/어드레스 신호 또는 클럭 신호에 대한 전송 지연을 보상하기 위하여 데이터 입력 신호의 지연을 설정할 수 있다. In addition, the
이에 대하여 좀 더 상세히 설명하면 다음과 같다. 도 2에 도시되듯이 소켓(210a 내지 210d) 사이에는 예컨대 신호 배선 등으로 연결되어 있다. 따라서 커맨드/어드레스 신호 또는 클럭 신호가 소켓(210a)에 대응되는 DUT에 인가되는 시점과 소켓(210b)에 대응되는 DUT에 인가되는 시점과 소켓(210c)에 대응되는 DUT에 인가되는 시점과 소켓(210d)에 대응되는 DUT에 인가되는 시점에 차이가 발생하게 된다.This will be described in more detail as follows. As shown in FIG. 2, the
따라서 이러한 커맨드/어드레스 신호 또는 클럭 신호의 전송 지연에 대응하여 데이터 입력 신호의 지연을 설정하는 것이 바람직하다.Therefore, it is preferable to set the delay of the data input signal in response to the transmission delay of the command / address signal or the clock signal.
이에 대해서 좀 더 상세히 설명하면 다음과 같다.This will be described in more detail as follows.
예컨대 도시되듯이 소켓(210a)에 대응하는 제3 디스큐부(143a)는 커맨드/어드레스 신호 또는 클럭 신호의 전송 지연에 대해서는 고려할 필요없이 테스트 패턴 생성부(도 1의 110)에서 생성된 데이터 입력 신호가 DUT 보드(200)로 인가되기 전에 발생하는 스큐를 제거하는 것으로 충분할 것이다.For example, as illustrated, the
도시되듯이 소켓(210b)에 대응하는 제3 디스큐부(143b)는 소켓(210a)과 소켓(210b) 사이의 전송에 따른 커맨드/어드레스 신호 또는 클럭 신호의 전송 지연을 추가적으로 고려하여야 한다.As illustrated, the
따라서 제3 디스큐부(143b)는 제3 디스큐부(143a)의 스큐 제거 뿐만 아니라 소켓(210a)과 소켓(210b) 사이의 커맨드/어드레스 신호 또는 클럭 신호의 전송 지연을 추가적으로 설정하여 보상을 수행한다.Accordingly, the
마찬가지로 소켓(210c)에 대응하는 제3 디스큐부(143c)는 소켓(210b)에 대응하는 제3 디스큐부(143b)의 지연 보상에 추가적으로 소켓(210b)과 소켓(210c) 사이의 전송에 따른 커맨드/어드레스 신호 또는 클럭 신호의 전송 지연을 추가적으로 설정하여 보상을 수행한다.Similarly, the
마찬가지로 소켓(210d)에 대응하는 제3 디스큐부(143d)는 소켓(210c)에 대응하는 제3 디스큐부(143c)의 지연 보상에 추가적으로 소켓(210c)과 소켓(210d) 사이의 전송에 따른 커맨드/어드레스 신호 또는 클럭 신호의 전송 지연을 추가적으로 설정하여 보상을 수행한다.Similarly, the
이와 같이 제3 디스큐부(143a 내지 143d)는 복수개의 DUT 각각에 대해서 서로 다른 지연 값을 가지도록 데이터 입력 신호의 지연을 설정할 수 있다.As such, the
제3 드라이버부(145a 내지 145d)는 제3 디스큐부(143a 내지 143d)에서 복수개의 DUT 각각에 대해서 다르게 설정된 데이터 입력 신호를 복수개의 DUT 각각에 대해서 인가한다.The
데이터 출력 신호 경로부(도 1의 150)는 도시되듯이 복수개의 DUT의 데이터 신호 출력단에 대응하는 소켓(210a 내지 210d)의 연결 구성 각각으로부터 출력되는 데이터 출력 신호를 수신한다.As illustrated, the data output
데이터 출력 신호 경로부(도 1의 150)는 데이터 입력 신호 경로부(도 1의 140)와 마찬가지로 소켓(210a 내지 210d) 각각으로부터 별도로 데이터 출력 신호를 수신하도록 구성된다.The data output
데이터 출력 신호 경로부(도 1의 150)는 도시되듯이 출력 지연 보상부(153a 내지 153d)와, 데이터 출력 수신부(155a 내지 155d)를 포함할 수 있다. The data output
출력 지연 보상부(153a 내지 153d)는 복수개의 DUT 각각에 대해서 데이터 출력 신호의 지연을 설정한다. The
즉 도 2에 도시되듯이 소켓(210a 내지 210d) 사이에는 예컨대 신호 배선 등으로 연결되어 있다. 따라서 커맨드/어드레스 신호 또는 클럭 신호가 소켓(210a)에 대응되는 DUT에 인가되는 시점과 소켓(210b)에 대응되는 DUT에 인가되는 시점과 소켓(210c)에 대응되는 DUT에 인가되는 시점과 소켓(210d)에 대응되는 DUT에 인가되 는 시점에 차이가 발생하게 되며, 따라서 데이터 출력 신호의 출력 시점 역시 각 DUT에 대해서 즉 소켓(210a 내지 210d)으로부터의 출력에 대해서 차이가 발생하게 된다.That is, as shown in FIG. 2, the
즉 소켓(210a)로부터 데이터 출력 신호가 출력되는 시점과 소켓(210b)로부터 데이터 출력 신호가 출력되는 시점과 소켓(210c)로부터 데이터 출력 신호가 출력되는 시점과 소켓(210d)로부터 데이터 출력 신호가 출력되는 시점 사이에 차이가 발생하게 된다.That is, when the data output signal is output from the
따라서 이를 보상하기 위하여 데이터 출력 신호의 지연을 설정하는 것이 바람직하다.Therefore, it is desirable to set a delay of the data output signal to compensate for this.
이 경우 동일한 시점에서 복수개의 DUT로부터의 출력, 즉 데이터 출력 신호를 비교하기 위해서는 데이터 출력 신호의 지연을 복수개의 DUT 각각에 대해서 설정하는 것이 바람직하다.In this case, it is preferable to set the delay of the data output signal for each of the plurality of DUTs in order to compare outputs from the plurality of DUTs, that is, data output signals at the same time.
즉 커맨드/어드레스 경로부(도 1의 120) 및 클럭 신호 경로부(도 1의 130)의 커맨드/어드레스 신호 입력단과 클럭 신호 입력단이 데이지 체인 방식으로 연결되어 각 DUT에서 출력되는 데이터 출력 신호의 출력 시점의 차이가 발생한다. 따라서, 출력 지연 보상부(153a 내지 153d)는 각 DUT 마다 발생하는 데이터 출력 신호의 출력 시점의 차이를 보상하여 데이터 출력 신호가 동일한 시점에 비교가 가능하도록 데이터 출력 신호의 지연을 설정할 수 있다.That is, the command / address signal input terminal of the command / address path unit (120 of FIG. 1) and the clock signal path unit (130 of FIG. 1) and the clock signal input terminal are daisy-chained to output data output signals output from each DUT. Differences in viewpoints occur. Accordingly, the
이에 대해서 좀 더 상세히 설명하면 다음과 같다.This will be described in more detail as follows.
예컨대 각 소켓(210a 내지 210d)로부터 데이터 출력 신호가 출력된 이후 출력 지연 보상부(153a 내지 153d)를 통하여 보상하여 동일한 시점에서 동시에 테스 트를 수행하는 경우를 가정하자.For example, suppose that after a data output signal is output from each of the
도시되듯이 소켓(210a)에 대응하는 출력 지연 보상부(153a)는 소켓(210d)에서 출력되는 데이터 출력 신호와 동일한 시점으로 보상하기 위해서 소켓(210a)에서 소켓(210d) 사이의 전송에 따른 지연을 추가적으로 설정할 수 있다.As shown in the drawing, the
또한 소켓(210b)에 대응하는 출력 지연 보상부(153b)는 소켓(210d)에서 출력되는 데이터 출력 신호와 동일한 시점으로 보상하기 위해서 소켓(210b)에서 소켓(210d) 사이의 전송에 따른 지연을 추가적으로 설정할 수 있다.In addition, the
또한 소켓(210c)에 대응하는 출력 지연 보상부(153c)는 소켓(210d)에서 출력되는 데이터 출력 신호와 동일한 시점으로 보상하기 위해서 소켓(210c)에서 소켓(210d) 사이의 전송에 따른 지연을 추가적으로 설정할 수 있다.Also, the
또한 소켓(210d)에 대응하는 출력 지연 보상부(153d)는 별도의 지연 설정이 필요하지 않을 것이다.In addition, the output
다만 이러한 전송 지연에 따른 보상이 아니라 예컨대 사용자 설정 등에 의한 지연을 설정할 수 있다.However, instead of compensation due to the transmission delay, a delay may be set, for example, by a user setting.
이러한 사용자 설정 등에 의한 지연은 다른 소켓(210a 내지 210c)에 대응하는 출력 지연 보상부(153a 내지 153c)에서도 동일하게 설정될 수 있다.The delay caused by the user setting may be equally set in the
이와 같이 출력 지연 보상부(153a 내지 153d)는 복수개의 DUT 각각에 대해서 서로 다른 지연 값을 가지도록 데이터 출력 신호의 지연을 설정하여 동일한 시점에 데이터 출력 신호의 비교가 가능하도록 구성될 수 있다.As described above, the
데이터 출력 수신부(155a 내지 155d)는 복수개의 DUT 각각에 대해서 데이터 출력 신호를 수신한다.The
즉 소켓(210a 내지 210d)의 대응되는 연결 구성에서 출력되는 데이터 출력 신호를 수신하기 위한 구성이다.That is, a configuration for receiving a data output signal output from the corresponding connection configuration of the socket (210a to 210d).
이 경우 데이터 출력 수신부(155a 내지 155d)는 복수개의 DUT 각각의 데이터 신호 출력단에서 출력된 데이터 출력 신호를 각각 수신하여 데이터 출력 신호가 미리 지정된 일정 값 이상이면 H(high) 논리값을 출력하고 이러한 일정 값 이하이면 L(low) 논리값을 출력하는 논리 비교부(도시되지 않음)를 포함할 수 있다.In this case, the
즉 디지털 신호의 복원을 위하여 데이터 출력 수신부(155a 내지 155d)는 논리 비교부(도시되지 않음)를 더 포함할 수 있다.That is, the
비록 본 발명의 구성이 구체적으로 설명되었지만 이는 단지 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형이 가능할 것이다.Although the configuration of the present invention has been described in detail, these are merely illustrative of the present invention, and various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. This will be possible.
따라서 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 사상과 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 범위는 아래의 청구범위에 의해 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. Therefore, the embodiments disclosed herein are not intended to limit the present invention but to describe the present invention, and the spirit and scope of the present invention are not limited by these embodiments. It is intended that the scope of the invention be interpreted by the following claims, and that all descriptions within the scope equivalent thereto will be construed as being included in the scope of the present invention.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 보다 많은 수의 DUT를 동시에 테스트하기 위하여 어드레스 또는 커맨드 신호와 같은 신호를 공유하는 경우 신호의 무결성 측면과 타이밍의 정확도 측면의 품질 열화를 방지하기 위하여 커맨드/어드레스 신호와 클럭 신호를 데이지 체인 방식으로 복수개의 DUT에 인가함으로써 커맨드/어드레스 신호와 클럭 신호 사이의 지연에 따른 반도체 소자 테스트의 오동작을 최소화할 수 있다.As described above, according to the present invention, when sharing a signal such as an address or a command signal to test a larger number of DUTs simultaneously, the command / address signal is prevented in order to prevent quality deterioration in terms of signal integrity and timing accuracy. By applying the clock signal to the plurality of DUTs in a daisy chain manner, malfunction of the semiconductor device test due to the delay between the command / address signal and the clock signal can be minimized.
Claims (10)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070057374A KR100897349B1 (en) | 2007-06-12 | 2007-06-12 | Semiconductor device test device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070057374A KR100897349B1 (en) | 2007-06-12 | 2007-06-12 | Semiconductor device test device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080109265A KR20080109265A (en) | 2008-12-17 |
KR100897349B1 true KR100897349B1 (en) | 2009-05-15 |
Family
ID=40368599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070057374A Active KR100897349B1 (en) | 2007-06-12 | 2007-06-12 | Semiconductor device test device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100897349B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180065222A (en) | 2016-12-07 | 2018-06-18 | 에스케이하이닉스 주식회사 | Test apparatus |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101151686B1 (en) * | 2012-02-29 | 2012-06-14 | 주식회사 유니테스트 | Burn-In Tester |
KR101164116B1 (en) * | 2012-02-29 | 2012-07-12 | 주식회사 유니테스트 | Testing board for burn-in tester |
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JP2003255020A (en) | 2002-03-01 | 2003-09-10 | Advantest Corp | Apparatus with board-abnormality detection circuit |
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KR20070059327A (en) * | 2005-12-06 | 2007-06-12 | 엘지노텔 주식회사 | J-TAC Daisy-Chain Device to Check Board |
-
2007
- 2007-06-12 KR KR1020070057374A patent/KR100897349B1/en active Active
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US10557888B2 (en) | 2016-12-07 | 2020-02-11 | SK Hynix Inc. | Test apparatus |
US10983164B2 (en) | 2016-12-07 | 2021-04-20 | SK Hynix Inc. | Test apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080109265A (en) | 2008-12-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20070612 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20080827 Patent event code: PE09021S01D |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20090226 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20090506 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20090506 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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Payment date: 20130515 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140418 Year of fee payment: 6 |
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Payment date: 20140418 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150430 Year of fee payment: 7 |
|
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Payment date: 20150430 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160412 Year of fee payment: 8 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20160412 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180320 Year of fee payment: 10 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20180320 Start annual number: 10 End annual number: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190305 Year of fee payment: 11 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20190305 Start annual number: 11 End annual number: 11 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20200414 Start annual number: 12 End annual number: 12 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20210309 Start annual number: 13 End annual number: 13 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20220308 Start annual number: 14 End annual number: 14 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20240220 Start annual number: 16 End annual number: 16 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20250218 Start annual number: 17 End annual number: 17 |