KR100866001B1 - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents
Substrate processing method and substrate processing apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- KR100866001B1 KR100866001B1 KR1020070073891A KR20070073891A KR100866001B1 KR 100866001 B1 KR100866001 B1 KR 100866001B1 KR 1020070073891 A KR1020070073891 A KR 1020070073891A KR 20070073891 A KR20070073891 A KR 20070073891A KR 100866001 B1 KR100866001 B1 KR 100866001B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- posture
- attitude
- board
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 339
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 140
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 125
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 109
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 112
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 34
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 claims 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 125
- 238000011161 development Methods 0.000 abstract description 26
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 26
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 30
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 23
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 206010034719 Personality change Diseases 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67718—Changing orientation of the substrate, e.g. from a horizontal position to a vertical position
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
처리 얼룩의 발생을 방지하면서 효율적으로 기판의 처리를 진행시킨다.
현상 처리실(3)에서 수평 자세의 기판에 대해서 현상액을 공급함으로써 현상 처리를 실시한 후, 세정 처리실(4)에서 경사 자세의 기판 S에 대해서 세정액을 공급함으로써 세정 처리를 행한다. 그 때, 현상 처리 후, 기판 S를 현상 처리실(3)에서 수평 자세로부터 가경사 자세(세정 처리에 적합한 기판 S의 경사 자세보다도 경사도가 작은 자세)로 변환하고, 이 가경사 자세의 상태로 기판 S를 현상 처리실(3)에서 세정 처리실(4)로 반송한다. 그리고, 세정 처리실(4)에서, 기판 S의 자세를 가경사 자세로부터 상기 본경사 자세로 변환하여 세정 처리를 행하도록 하였다.
The substrate is processed efficiently while preventing the occurrence of treated spots.
After the development process is performed by supplying the developing solution to the substrate in the horizontal posture in the developing processing chamber 3, the cleaning process is performed by supplying the cleaning solution to the substrate S in the oblique posture in the cleaning processing chamber 4. At that time, after the developing treatment, the substrate S is converted from the horizontal posture to the post-inclined posture (the posture of which the inclination is smaller than the inclined posture of the substrate S suitable for the cleaning process) in the developing processing chamber 3, and the substrate is in the state of the temporary tilting pose S is conveyed from the developing processing chamber 3 to the washing processing chamber 4. In the cleaning processing chamber 4, the posture of the substrate S was changed from the pretilt to the main tilt posture to perform the cleaning process.
Description
본 발명은, 액정 표시기 등의 FPD(Flat Panel Display)용 유리 기판이나 반도체 기판 등의 기판에 대해서 현상액, 에칭액 등의 처리액, 및 린스액 등의 세정액을 공급하여 처리를 행하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention provides a substrate processing method and a substrate in which a processing liquid such as a developing solution, an etching liquid, and a cleaning liquid such as a rinse liquid are supplied to a substrate such as a glass substrate for a flat panel display (FPD) such as a liquid crystal display, a semiconductor substrate, or the like. It relates to a processing device.
종래, 기판의 처리 장치(방법)로서, 기판을 반송하면서,Conventionally, while conveying a board | substrate as a processing apparatus (method) of a board | substrate,
(1) 수평 자세의 기판에 처리액을 공급함으로써 당해 기판 상에 액층을 형성한 상태로 처리를 행하는 공정(액층 형성 공정)과,(1) process (liquid layer formation process) which processes in the state which formed the liquid layer on the said board | substrate by supplying a process liquid to the board | substrate of a horizontal attitude | position,
(2) 기판의 자세를 경사 자세로 변환하는 공정(자세 변환 공정)과,(2) a step (posture conversion step) for converting the posture of the substrate into an inclined posture,
(3) 경사 자세의 기판에 대해서 세정액을 공급하여 세정하는 공정(세정 공정)을 연속적으로 실시하도록 한 것이 알려져 있다(예를 들면 특허 문헌 1).(3) It is known to continuously perform a step (cleaning step) of supplying and cleaning a cleaning liquid to a substrate having an inclined posture (for example, Patent Document 1).
이러한 장치는, 예를 들면 기판의 현상 처리를 행하는 장치로서 널리 적용되어 있다. 요컨대, 수평 자세의 기판 상에 현상액의 액층을 형성하여 현상 처리를 진행시키고, 그 후, 기판을 경사 자세로 변환하여 린스액을 기판을 따라 유하시키면서 세정함으로써, 현상액과 린스액의 치환 효율이 향상하여, 효율적으로 세정 처 리가 진행되도록 되어 있다.Such an apparatus is widely applied, for example as an apparatus which develops a board | substrate. In other words, by developing a liquid layer of a developing solution on a substrate having a horizontal posture, the developing process is carried out, and then, the substrate is converted into an inclined posture, and the rinsing solution is washed down along the substrate, thereby improving the replacement efficiency of the developing solution and the rinsing solution. In this way, the cleaning process can proceed efficiently.
그런데, 이런 종류의 기판 처리 장치에서는, 기판의 생산 비용의 삭감 및 자원의 유효 이용의 관점에서 처리액을 재사용하는 것이 행해지고 있고, 현상 처리를 행하는 상기 장치에서는, 경사 자세로의 기판의 변환(자세 변환 공정)을 미리 현상부(실)에서 행함으로써, 기판 상의 현상액을 유하시키고 회수하여, 재사용하는 것이 행해지고 있다.By the way, in this type of substrate processing apparatus, the reuse of the processing liquid is performed in view of the reduction of the production cost of the substrate and the effective use of resources. In the apparatus for developing, the substrate is converted into an inclined posture (posture By performing the conversion step) in advance in the developing portion (room), the developer on the substrate is dropped, collected, and reused.
[특허 문헌 1] 일본 공개특허공보 평11-87210 [Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-87210
그러나, 상기와 같이 현상 처리 후, 기판의 자세를 세정 처리에 적합한 자세로 변환하고 나서 기판을 현상부에서 세정부로 반입하는 경우에는, 현상액의 유하에 의해 기판의 상위측에서 건조가 생기기 쉬워져, 세정 처리가 개시될 때까지의 사이에, 기판의 상위측과 하위측의 사이에 처리의 진행 정도에 차이가 생기는, 이른바 현상 얼룩이 발생하는 것이 생각된다. 특히, 상위측과 하위측의 고저차가 커지는 대형의 기판에서는 보다 그 발생 빈도가 높아진다고 생각된다.However, after the development process as described above, when the substrate is converted into a posture suitable for the cleaning process, and then the substrate is brought into the cleaning portion from the developing portion, drying occurs easily on the upper side of the substrate due to the dripping of the developing solution. It is conceivable that so-called developing unevenness occurs, which causes a difference in the degree of progress of the process between the upper side and the lower side of the substrate until the cleaning process starts. In particular, it is considered that the frequency of occurrence is higher in large substrates in which the height difference between the upper side and the lower side becomes larger.
그래서, 기판의 자세 변환 후, 급속히 기판을 세정부로 반송하여 세정 처리를 개시함으로써, 기판의 건조를 방지하는 것이 생각되고 있지만, 이 경우에는, 기판을 취입하는 세정부측에서도 기판의 반송 속도를 높이는 것이 필요해져, 당연히 세정부에서의 처리 시간이 짧아져 현상액과 린스액의 치환 효율이 손상된다는 폐해가 있다. 또, 반송 속도를 높임으로써 기판에 주는 데미지도 증가할 가능성이 있어, 유리한 수단이라고는 할 수 없다.Therefore, it is conceivable to prevent the drying of the substrate by rapidly conveying the substrate to the cleaning portion and starting the cleaning process after the attitude change of the substrate. In this case, however, the conveyance speed of the substrate is also increased at the cleaning portion side in which the substrate is blown. Naturally, there is a disadvantage that the processing time in the washing section is shortened and the substitution efficiency of the developer and the rinse liquid is impaired. Moreover, the damage to a board | substrate may increase by increasing a conveyance speed, and it is not an advantageous means.
본 발명은, 상기의 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 기판의 반송 속도를 특별히 높이지 않고, 이른바 처리 얼룩의 발생을 방지하면서 효율적으로 기판의 처리를 진행시키는 것을 목적으로 하는 것이다.This invention is made | formed in view of the said situation, Comprising: It aims at advancing the process of a board | substrate efficiently, preventing generation | occurrence | production of what is called process unevenness, without especially raising the conveyance speed of a board | substrate.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은, 기판을 반송하면서, 제1 처리부에서 수평 자세의 기판에 대해서 처리액을 공급하는 제1 처리와, 제2 처리부에서 경 사 자세의 기판에 대해서 처리액을 공급하는 제2 처리를 순차적으로 행하는 기판 처리 방법으로서, 상기 제1 처리 후, 기판을 수평 자세로부터 소정의 경사 자세이고, 또한 상기 제2 처리에 적합한 자세로서 미리 정해진 본경사 자세보다도 경사도가 작은 가경사 자세로 변환하는 제1 자세 변환 공정과, 이 가경사 자세의 기판을 제1 처리부에서 제2 처리부로 반송하는 반송 공정과, 제2 처리부에서 기판의 자세를 상기 가경사 자세로부터 상기 본경사 자세로 변환하는 제2 자세 변환 공정과, 제2 자세 변환 공정의 후, 본경사 자세의 기판에 대해서 상기 제2 처리를 행하는 기판 처리 공정을 갖는 것이다(청구항 1).MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the said subject, this invention provides the process liquid with respect to the board | substrate of the inclined posture in the 1st process which supplies a process liquid with respect to the board | substrate of a horizontal attitude | position in a 1st process part, while conveying a board | substrate. A substrate processing method for sequentially performing a second process to be supplied, comprising: a temporary mirror having a predetermined tilt from a horizontal posture to a predetermined tilt posture and a smaller tilt than a predetermined main tilt posture as a posture suitable for the second process after the first processing; A first posture converting step of converting the yarn to a posture, a transfer step of conveying the substrate having the temporary tilted attitude from the first processing unit to the second processing unit, and a posture of the substrate at the second processing unit from the temporary tilting attitude It has a 2nd attitude | conversion process converting to and a board | substrate process process which performs the said 2nd process with respect to the board | substrate of this inclined posture after a 2nd attitude conversion process. (Claim 1).
이와 같이, 제1 처리 후, 제2 처리부로 반입될 때까지의 기판의 자세를 제2 처리에 적합한 본경사 자세보다도 경사도가 작은 경사 자세(가경사 자세)로 하도록 하면, 기판 상의 처리액을 유하시키면서도 그 건조를 억제하는 것이 가능해진다. 요컨대, 가경사 자세의 경사도를, 현상액이 유하할 수 있는 범위에서 가급적 작게 설정해 둠으로써, 기판 표면의 건조를 억제하는 것이 가능해진다. 그리고, 제2 처리부에서는, 기판을 이상적인 경사도로 기울인 상태(본경사 자세)로 제2 처리를 행하기 때문에, 당해 처리를 효율적으로 진행시킬 수도 있다.In this manner, if the posture of the substrate after the first process and before being carried into the second processing unit is set to the inclined posture (temporary inclined posture) having a smaller inclination than the main inclined posture suitable for the second process, the processing liquid on the substrate is allowed to flow. It becomes possible to suppress the drying while making it. In short, by setting the inclination of the pretilt to be as small as possible within the range in which the developer can fall, it becomes possible to suppress drying of the substrate surface. And since a 2nd process performs a 2nd process in the state in which the board | substrate was inclined at the ideal inclination (main inclination posture), the said process can also be advanced efficiently.
이 방법에 있어서는, 가경사 자세로 반송되는 기판에 대해서 상기 제2 처리를 상기 기판 처리 공정에 선행하여 행하는 제1 선행 처리 공정을 갖는 것이 적합하다(청구항 2).In this method, it is suitable to have a 1st pretreatment process which performs the said 2nd process prior to the said board | substrate process process with respect to the board | substrate conveyed in a temporary tilt attitude | position (claim 2).
또, 상기 기판 처리 공정에 앞서서, 상기 제2 자세 변환 공정에서 자세 변환 중의 기판에 대해서 상기 제2 처리를 행하는 제2 선행 처리 공정을 갖는 것도 유효 하다(청구항 3).Moreover, it is also effective to have a 2nd pretreatment process which performs a said 2nd process with respect to the board | substrate in a posture change in a said 2nd attitude | position conversion process before the said substrate processing process (claim 3).
이러한 방법에 의하면, 본경사 자세는 아니지만 경사 자세의 기판에 대해서 선행하여 제2 처리를 실시함으로써 일정한 처리 효과를 얻을 수 있고, 또, 조기에 제2 처리를 개시하기 때문에 기판 표면의 건조를 보다 확실하게 억제하는 것이 가능해진다.According to this method, a constant treatment effect can be obtained by performing the second treatment on the substrate in the inclined posture, but not in the inclined posture, and since the second treatment is started early, the surface of the substrate can be dried more reliably. It becomes possible to restrain.
상기의 방법에 있어서는, 상기 제1 자세 변환 공정에서의 기판의 자세 변환시에, 기판의 자세를 상기 가경사 자세보다도 경사도가 작은 경사 자세로 일단 유지하고, 이 후, 상기 가경사 자세로 변환하는 것이 적합하다(청구항 4).In the above method, at the time of changing the posture of the substrate in the first posture converting step, the posture of the substrate is once held in an inclined posture having a smaller inclination than the temporary inclined posture, and thereafter, the posture is converted into the pretilted posture. Suitable (claim 4).
이 방법에 의하면, 기판을 수평 자세로부터 경사 자세로 변환할 때의 처리액의 유동이 완만해져, 이른바 흐름 얼룩(유로 얼룩)의 발생을 억제하는 것이 가능해진다.According to this method, the flow of the processing liquid at the time of converting the substrate from the horizontal posture to the oblique posture becomes gentle, and it is possible to suppress the occurrence of so-called flow unevenness (euro spot).
또, 상기 제1 자세 변환 공정 및 제2 자세 변환 공정은, 기판의 자세를 기판 반송 방향을 향해 좌우 한 쪽으로 기울이는 것이어도 되고(청구항 5), 혹은 기판의 자세를 기판 반송 방향으로 기울이는 것이어도 된다(청구항 6). 이것에 의하면, 제1, 제2 자세 변환이 기판 반송 방향을 향해 좌우 한 쪽으로 기울이는 점에서 공통되고, 또 기판 반송 방향으로 기울이는 점으로 공통되게 된다.The first posture converting step and the second posture converting step may be such that the posture of the substrate is inclined to the left and right toward the substrate conveyance direction (claim 5), or the posture of the substrate may be tilted in the substrate conveyance direction. (Claim 6). According to this, it is common that the 1st and 2nd attitude | conversions incline to one side to the board | substrate conveyance direction, and it is common to the point which inclines in a board | substrate conveyance direction.
또, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 기판의 반송 방향으로, 수평 자세의 기판에 처리액을 공급하여 제1 처리를 실시하는 제1 처리부와, 경사 자세의 기판에 처리액을 공급하여 제2 처리를 실시하는 제2 처리부가 나열되어, 기판에 대해서 상기 제1 처리 및 제2 처리를 순차적으로 행하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제1 처리부에 배치되어, 제1 처리 후, 기판을 수평 자세로부터 소정의 경사 자세이고, 또한 상기 제2 처리에 적합한 자세로서 미리 정해진 본경사 자세보다도 경사도가 작은 가경사 자세로 변환하는 제1 자세 변환 수단과, 기판을 상기 가경사 자세인 채로 제1 처리부에서 제2 처리부로 반송하는 경사 반송 수단과, 상기 제2 처리부에 각각 배치되어, 기판의 자세를 상기 가경사 자세로부터 상기 본경사 자세로 변환하는 제2 자세 변환 수단, 및 이 제2 자세 변환 수단에 의해 본경사 자세로 변환된 기판에 대해서 처리액을 공급하는 처리액 공급 수단을 구비하고 있는 것이다(청구항 7).Moreover, the substrate processing apparatus which concerns on this invention is a 1st process part which supplies a process liquid to a board | substrate of a horizontal attitude | position in a conveyance direction of a board | substrate, and performs a 1st process, and supplies a process liquid to a board | substrate of an inclined attitude | position, and 2nd In the substrate processing apparatus which performs the said 1st process and a 2nd process with respect to a board | substrate sequentially by listing the 2nd process part which performs a process, it is arrange | positioned at the said 1st process part, and after a 1st process, a board | substrate is moved from a horizontal posture. A first posture converting means for converting the pretilt into a pretilt which is a predetermined inclined posture and suitable for the second process, and which has a lower inclination than a predetermined main inclined posture; 2nd attitude | position conversion means which is arrange | positioned respectively to the inclination conveyance means conveyed to a 2nd processing part, and the said 2nd processing part, and converts the attitude | position of a board | substrate from the said provisional inclination attitude | position to the said main tilt attitude | positioning, And a processing liquid supplying means for supplying the processing liquid to the substrate converted into the main tilting attitude by the second posture converting means (claim 7).
이 장치에 의하면, 수평 자세의 기판에 처리액이 공급됨으로써 제1 처리가 실시되고, 이 제1 처리의 종료 후, 제1 자세 변환 수단에 의해 기판의 자세가 수평 자세로부터 가경사 자세로 변환된다. 이 제1 처리 및 기판의 자세 변환은 제1 처리부에서 행해진다. 그리고, 기판이 가경사 자세인 채로 경사 반송 수단에 의해 제1 처리부에서 제2 처리부로 반송된 후, 제2 자세 변환 수단에 의해 기판의 자세가 가경사 자세로부터 본경사 자세로 변환되고, 이 변환 후, 처리액 공급 수단에 의해 당해 기판에 처리액이 공급되어 제2 처리가 행해지게 된다. 그 때문에, 청구항 1에 따른 기판 처리 방법을 적합하게 실시하는 것이 가능해진다.According to this apparatus, a first process is performed by supplying a processing liquid to a substrate having a horizontal attitude, and after completion of the first processing, the attitude of the substrate is converted from the horizontal attitude to the temporary tilted attitude by the first attitude conversion means. . This first processing and posture conversion of the substrate are performed in the first processing unit. And after conveying a board | substrate from a 1st process part to a 2nd process part with inclination conveying means with a board | substrate inclined posture, the attitude | position of a board | substrate is converted from a pretilted attitude to this inclination posture by a 2nd posture converting means, and this conversion Thereafter, the processing liquid is supplied to the substrate by the processing liquid supplying means, and the second processing is performed. Therefore, it becomes possible to implement the substrate processing method of
이 장치 있어서는, 상기 제2 처리부에, 상기 처리액 공급 수단에 의한 처리액의 공급에 앞서서, 가경사 자세로 반송되어 오는 기판에 대해서 상기 제2 처리용의 처리액을 공급하는 제1 선행 처리액 공급 수단이 배치되어 있는 것이 적합하다(청구항 8).In this apparatus, the first preceding processing liquid for supplying the processing liquid for the second processing to the second processing part to the substrate conveyed in a pretilt position prior to the supply of the processing liquid by the processing liquid supplying means. It is suitable for the supply means to be arranged (claim 8).
또, 상기 제2 처리부에, 상기 처리액 공급 수단에 의한 처리액의 공급에 앞서서, 상기 제2 자세 변환 수단에 의한 자세 변환 중의 기판에 대해서 상기 제2 처리용의 처리액을 공급하는 제2 선행 처리액 공급 수단이 배치되어 있는 것이 적합하다(청구항 9).Further, a second preceding step of supplying the processing liquid for the second processing to the second processing unit to the substrate during the posture conversion by the second posture converting means, prior to the supply of the processing liquid by the processing liquid supplying means. It is preferable that the treatment liquid supply means is arranged (claim 9).
이러한 장치에 의하면, 본경사 자세는 아니지만 경사 자세의 기판, 혹은 가경사 자세로부터 본경사 자세로 변환 중의 기판에 대해서 선행하여 제2 처리를 실시할 수 있다. 그 때문에, 청구항 2, 3에 따른 기판 처리 방법을 적합하게 실시하는 것이 가능해진다.According to such an apparatus, a 2nd process can be performed previously with respect to the board | substrate of an inclined posture, or the board | substrate which is converting from a pretilted posture to this main tilt posture, although it is not a main tilt posture. Therefore, it becomes possible to implement the substrate processing method of
또, 상기 각 장치에서, 상기 제1 자세 변환 수단은, 기판의 자세를 상기 가경사 자세보다도 경사도가 작은 경사 자세로 일단 유지하고, 그 후, 상기 가경사 자세로 변환하는 것이 적합하다(청구항 10).In each of the above devices, the first posture converting means preferably maintains the posture of the substrate in an inclined posture of which the inclination is smaller than the preliminary inclined posture, and then converts the posture to the preliminary inclined posture (claim 10). ).
이 장치에 의하면, 제1 자세 변환 수단에 의한 기판의 자세 변환이 2단계로 단계적으로 행해진다. 그 때문에, 청구항 4에 따른 기판 처리 방법을 적합하게 실시하는 것이 가능해진다.According to this apparatus, the posture conversion of the substrate by the first posture converting means is performed in two stages. Therefore, it becomes possible to implement the substrate processing method of
또, 상기 제1 자세 변환 수단 및 제2 자세 변환 수단은, 기판의 자세를 기판 반송 방향을 향해 좌우 한 쪽으로 기울이는 것이어도 되고(청구항 11), 혹은 기판의 자세를 기판 반송 방향으로 기울이는 것이어도 된다(청구항 12). 이것에 의하면, 제1, 제2 자세 변환이 기판 반송 방향을 향해 좌우 한 쪽으로 기울이는 점에서 공통되고, 또 기판 반송 방향으로 기울이는 점에서 공통되게 된다.The first posture converting means and the second posture converting means may tilt the posture of the substrate to the left and right toward the substrate conveyance direction (claim 11), or may tilt the posture of the substrate in the substrate conveyance direction. (Claim 12). According to this, it becomes common in the point which inclined 1st, 2nd attitude | conversion to left and right toward a board | substrate conveyance direction, and becomes common in the point which inclines in a board | substrate conveyance direction.
본 발명은, 제1 처리부에서 수평 자세의 기판에 대해서 처리액을 공급하는 제1 처리와, 제2 처리부에서 경사 자세의 기판에 대해서 처리액을 공급하는 제2 처리를 연속하여 행하는 경우에, 제1 처리 후, 제2 처리부로 반입될 때까지의 기판의 자세를 제2 처리에 적합한 본경사 자세보다도 경사도가 작은 경사 자세(가경사 자세)로 하도록 하였으므로, 제1 처리 후, 기판을 경사시켜 처리액을 유하시키도록 하면서도, 제1 처리부에서 제2 처리부로의 기판 반송 중의 기판 표면의 건조를 효과적으로 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 기판의 반송 속도를 특별히 높이지 않고, 이른바 처리 얼룩의 발생을 방지하면서 효율적으로 기판의 처리를 진행시킬 수 있게 된다.The present invention provides a first process in which the first processing unit supplies the processing liquid to the substrate in the horizontal posture, and the second processing unit supplies the processing liquid to the substrate in the oblique posture in the first processing unit. Since the posture of the board | substrate after the 1st process until it is carried in to a 2nd process part was made into the inclined posture (temporal inclination posture) whose inclination is smaller than this inclination posture suitable for a 2nd process, the board | substrate is inclined after a 1st process, and is processed. It is possible to effectively suppress the drying of the substrate surface during substrate transfer from the first processing unit to the second processing unit while allowing the liquid to flow down. Therefore, it is possible to efficiently advance the processing of the substrate while preventing the occurrence of so-called processing unevenness, without particularly increasing the conveyance speed of the substrate.
본 발명의 실시 형태에 대해서 도면을 이용하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Embodiment of this invention is described using drawing.
도 1은, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(본 발명에 따른 기판 처리 방법이 사용되는 기판 처리 장치)의 전체 구성을 도시한 측면도이다. 이 기판 처리 장치(1)는, 직사각형의 LCD용 유리 기판(이하, 간단히 기판이라고 칭한다) S의 표면에 처리액인 현상액을 공급하여 현상 처리한 후, 세정액을 공급하여 세정 처리하는 것이다. 또한, 현상 처리는 본 발명에 따른 제1 처리에 상당하고, 세정 처리는 본 발명에 따른 제2 처리에 상당한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a side view which shows the whole structure of the substrate processing apparatus (substrate processing apparatus in which the substrate processing method which concerns on this invention is used) which concerns on this invention. This
이 기판 처리 장치(1)는, 기판 S를 취입하는 로더실(2)과, 기판 S에 현상 처리를 행하는 현상 처리실(3)(본 발명에 따른 제1 처리부에 상당한다)과, 현상 처리 후의 기판 S를 세정하는 세정 처리실(4)(본 발명에 따른 제2 처리부에 상당한다) 과, 세정 후의 기판 S를 건조시키는 건조실(5)과, 기판을 다음 공정으로 반출하기 위한 언로더실(6)을 구비하고 있다.The
로더실(2)에는, 반송 롤러(21)가 설치되고, 기판 S를 이 반송 롤러(21) 상에 취입하여 수평 자세로 반송하도록 되어 있다.In the loader chamber 2, a conveying
현상 처리실(3)은, 수평 자세로 반송되는 기판 S의 표면에 현상액을 공급하여 현상액의 표면 장력에 의해 기판 S 표면에 현상액의 액층을 형성하는 액층 형성실(3A)과, 현상액의 액층이 형성된 기판 S를 유지하여 액층의 현상액에 의한 처리를 진행시킴과 함께, 처리 종료 후의 기판 S의 자세를 수평 자세로부터 경사 자세로 변환하는 현상 교체실(3B)로 구획되어 있다.The developing
액층 형성실(3A)에는, 로더실(2)에서 반송되어 오는 기판 S를 취입하여 수평 자세로 반송하는 반송 롤러(31)와, 이 반송 롤러(31)에 의해 수평 자세로 반송되는 기판 S의 표면에 현상액을 공급하여 그 표면(상면)에 현상액의 액층을 형성하는 현상액 공급 노즐(32)이 설치되어 있다. 현상액 공급 노즐(32)에는, 현상액 탱크(11)에 저류된 현상액이 펌프(12)에 의해 공급되도록 되어 있다.In the liquid
도 2는 현상 처리실(3)의 사시 개략도이다. 현상 교체실(3B)에는, 액층 형성실(3A)에서 현상액의 액층이 형성된 상태로 반송 롤러(31)에 의해 반송되어 오는 기판 S를 취입하여 유지하는 반송 롤러(33)가 설치된다. 또, 기판 S를 수평 자세로 유지하는 상태와, 기판 반송 방향을 향해 좌우의 한 쪽, 당해 예에서는 오른쪽으로 내려가는 경사 자세로 유지하는 상태로, 반송 롤러(33)의 자세를 전환할 수 있는 경사 기구(34)(본 발명에 따른 제1 자세 변환 수단에 상당한다)가 설치되어 있다. 이 경사 기구(34)는, 반송 롤러(33)의 좌우를 회전 자유롭게 지지하는 롤러 프레임(35)과, 기판의 반송 진행 방향(기판 반송 방향)을 향해 우측에서 롤러 프레임(35)을 회전 자유롭게 축 지지하는, 기판 반송 방향과 평행하게 설치된 축(36)과, 기판 반송 방향을 향해 좌측에서, 롤러 프레임(35)과 결합되어 이러한 롤러 프레임(35)의 좌측을 상승시키는 실린더(37)로 이루어져 있다. 요컨대, 이 경사 기구(34)에 의해, 현상 교체실(3B)에서는, 상기 도면에 나타낸 바와 같이 반송 롤러(33)를 수평 자세로 해 두고 액층 형성실(3A)에서 반송 롤러(31)에 의해 수평 자세로 반송되어 오는 기판 S를 취입한 후, 도 3에 나타낸 바와 같이, 실린더(37)를 신장시키고 반송 롤러(33)를 기울여, 기판 S를 기판 반송 방향을 향해 오른쪽으로 내려가는 경사진 상태, 상세한 것은 후술하는 경사도로 유지한 상태로 기판 S를 반송 가능해지고 있다.2 is a perspective schematic view of the
또한, 액층 형성실(3A) 및 현상 교체실(3B)의 실 아래쪽에는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 현상액을 회수하는 받침부 T1, T2가 설치되고, 이들 받침부 T1, T2에 의해 회수된 현상액은 현상액 탱크(11)로 회수되어 재이용되도록 되어 있다.In addition, under the chambers of the liquid
세정 처리실(4)은, 현상 처리실(3)(현상 교체실(3B))에서 경사 자세로 반송되어 오는 기판 S를 취입하여, 이 기판 S에 세정액을 공급함으로써 당해 기판 S를 세정함과 함께 기판 S의 자세를 더욱 경사도가 큰 경사 자세로 변환하는 세정 교체실(4A)과, 자세 변환 후의 기판 S를 취입하여, 이 기판 S를 경사 자세로 반송하면서 당해 기판 S에 처리액을 공급함으로써 기판 S를 더 세정하는 본세정실(4B)로 구획되어 있다.The cleaning
세정 교체실(4A)에는, 현상 교체실(3B)에서 경사 자세로 반송되어 오는 기판 S를 취입하여 유지하는 반송 롤러(41)와, 기판 S의 상면 및 하면에 세정액을 공급하는 샤워형의 세정액 공급 노즐(43, 44)(본 발명에 따른 제1 및 제2 선행 처리액 공급 수단)이 설치되어 있다. 각 세정액 공급 노즐(43, 44)은, 초순수 공급원(45)에 접속되어 있다.In the
또한 세정 교체실(4A)에는, 반송 롤러(41)의 자세를, 현상 교체실(3B)로부터 기판 S를 취입 가능한 경사 자세와, 그 자세보다도 더욱 경사도가 큰 경사 자세로 전환하는 도시 외의 경사 기구(본 발명에 따른 제2 자세 변환 수단에 상당한다)가 설치되어 있다. 이 경사 기구는, 상기 현상 교체실(3B)의 경사 기구(34)와 동일한 기구로 되어 있기 때문에 상세한 것은 생략한다. 또한, 이 실시 형태에서는, 상기 반송 롤러(33, 41) 및 경사 기구(34) 등에 의해 본 발명에 따른 경사 반송 기구가 구성되어 있다.In addition, in the
여기에서, 세정 교체실(4A)에서의 변환 후의 기판 S의 경사도(수평면과 기판 상면이 이루는 각도)는, 세정액의 액종 및 기판 S의 종류의 관계에 의거하여 세정 처리에 최적인 경사도, 요컨대 현상액과 세정액의 치환이 가장 효율적으로 행해지는 경사도로서 미리 시험 등에 의거하여 구해진 경사도(본 실시 형태에서는 3°∼9°)로 설정되어 있다. 이것에 대해서, 상기한 현상 교체실(3B)에서의 변환 후의 기판 S의 경사도는, 기판 S 상에 형성된 현상액이 유하하지만 기판 표면이 젖어 건조하는 일이 없을 정도의 경사도로서 미리 시험 등에 의거하여 구해진 경사도(본 실시 형태에서는 0°∼5°)로 설정되어 있다. 요컨대, 현상 처리 후, 기판 S를 경 사시켜 처리액을 유하시키는 한편, 현상 처리실(3)에서 세정 처리실(4)로의 기판 반송 중의 기판 표면의 건조를 효과적으로 억제하도록 하고, 그리고, 세정 처리실(4)에서는, 기판 S의 자세를 세정 처리에 최적인 경사도로 함으로써 현상액과 세정액의 치환성이 양호하게 발휘될 수 있도록 되어 있다. 또한, 이하의 설명에서는, 필요에 따라, 현상 교체실(3B)에서의 변환 후의 기판 S의 자세를 「가경사 자세」라고 부르고, 세정 교체실(4A)에서의 변환 후의 기판 S의 자세를 「본경사 자세」라고 부르는 것으로 한다.Here, the inclination (angle formed between the horizontal plane and the upper surface of the substrate) of the substrate S after the conversion in the
본세정실(4B)은, 자세 변환 후, 세정 교체실(4A)에서 반송 롤러(41)에 의해 반송되어 오는 기판 S를 취입하여 동일한 자세로 반송하는 반송 롤러(47)와, 반송 롤러(47)에 의해 경사 자세로 반송되는 기판 S의 상면에 대해서 세정액을 공급하는 세정액 공급 노즐(48)과, 기판 S의 하면에 대해서 세정액을 공급하는 세정액 공급 노즐(49)을 갖고 있다. 이들 세정액 공급 노즐(48, 49)(본 발명에 따른 처리액 공급 수단)은 상기 초순수 공급원(45)에 접속되어 있다.The
건조실(5)은, 세정 처리실(45)에서 반송되어 오는 기판 S를 취입하여 동일한 경사 자세로 반송하는 반송 롤러(51)와, 반송 롤러(51)에 의해 경사 자세로 반송되는 기판 S의 상면에 대해서 에어를 분사하여 세정액을 날려버려 건조시키는 에어 나이프(52)와, 기판 S의 하면에 대해서 에어를 분사하여 세정액을 날려버려 건조시키는 에어 나이프(53)를 갖고 있다. 이들 에어 나이프(52, 53)는 에어 공급원(55)에 접속되어 있다.The drying
언로더실(6)에는, 건조실(5)에서 반송 롤러(51)에 의해 반송되어 오는 기판 S를 취입하여 유지하는 반송 롤러(61)가 설치된다. 또, 언로더실(6)에는, 기판 S를 수평 자세로 유지하는 상태와, 기판 반송 방향을 향해 오른쪽으로 내려가는 경사 자세로 유지하는 상태로, 반송 롤러(61)의 자세를 전환할 수 있는 도시 외의 경사 기구가 설치되어 있다. 요컨대, 건조실(5)에서 취입한 경사 자세의 기판 S를, 이 경사 기구에 의해 수평 자세로 변환하여, 다음 공정으로 반출하도록 되어 있다. 이 경사 기구의 구성은, 현상 교체실(3B)에 설치되는 경사 기구(34)와 동일하기 때문에 상세한 것은 생략한다.The unloader chamber 6 is provided with the
또한, 도 1에는 나타내고 있지 않지만, 각 실은 처리액의 미스트가 서로 침입하거나 하지 않도록 구획하는 칸막이에 의해 구분되어 있다. 또, 이 기판 처리 장치(1)에는, 그 동작을 통괄적으로 제어하는 컨트롤러가 설치되어 있고, 각 반송 롤러(21, 31, 33, 41, 47, 51, 61)의 구동, 경사 기구(34) 등의 작동, 및 현상액 등의 공급 정지를 포함시킨 기판 처리 장치(1) 전체의 동작이 도시 외의 컨트롤러에 의해 제어되도록 되어 있다.In addition, although not shown in FIG. 1, each chamber is divided by the partition which partitions so that mist of process liquid may not intrude into each other. In addition, the
다음에, 이 컨트롤러의 제어에 의거한 기판 처리 장치(1)의 동작(기판 처리 방법)에 대해서 도 1, 도 4를 참조하면서 그 작용과 함께 설명한다.Next, the operation (substrate processing method) of the
도시하지 않은 기판 공급 장치에서 로더실(2)로 공급되는 기판 S는, 반송 롤러(21)에 의해 수평 자세로 반송되어, 액층 형성실(3A)의 반송 롤러(31)에 건네져 현상 처리실(3)로 반입된다. 그리고, 액층 형성실(3A) 내를 일정 속도로 통과하고, 그 사이에 기판 S의 표면에 현상액 공급 노즐(32)에서 현상액이 공급되어, 현상액의 표면 장력에 의해 기판 S 표면에 현상액의 액층이 형성된다.The board | substrate S supplied to the loader chamber 2 by the board | substrate supply apparatus which is not shown in figure is conveyed by the
액층 형성실(3A)에서 현상액의 액층이 형성된 상태의 기판 S는, 반송 롤러(31)에서 반송 롤러(33)로 건네져 현상 교체실(3B)로 반송된다. 현상 교체실(3B)에 반입된 기판 S는 반송 롤러(33)의 정지에 의해 일시적으로 정지 상태로 된다. 그 사이, 그 상면에 형성되어 있는 액층의 현상액에 의해 처리가 진행되는, 이른바 패들 현상이 행해진다.The board | substrate S in the state in which the liquid layer of the developing solution was formed in 3A of liquid layer formation chambers is passed to the
이 패들 현상이 소정 시간만큼 행해지면, 다음에 경사 기구(34)의 실린더(37)가 신장되어 반송 롤러(33)가 경사진다. 이것에 의해 기판 S가 수평 자세로부터 기판 반송 방향 우측으로 경사진 가경사 자세로 자세 변환된다(본 발명에 따른 제1 자세 변환 공정에 상당한다).When this paddle development is performed for a predetermined time, the
이 기판 S의 자세 변환에 의해, 기판 S의 상면의 액층의 현상액의 거의 모두가 유하하여, 아래쪽의 받침부 T2에 회수된다. 요컨대, 현상액이 후공정으로 거의 반출되지 않고 현상 처리실(3)에서 재이용되게 된다.By the attitude | position conversion of this board | substrate S, almost all of the developing solution of the liquid layer of the upper surface of the board | substrate S flows down, and it collect | recovers in the lower support part T2. In other words, the developer is almost never taken out in a later step and is reused in the developing
현상 교체실(3B)에서 가경사 자세로 되어 반송 롤러(33)에 의해 반송되어 오는 기판 S는, 동일한 경사 자세인 채로 세정 교체실(4A)의 반송 롤러(41)로 건네져 세정 처리실(4)로 반입된다(본 발명에 따른 반송 공정에 상당한다). 또한, 기판 S는, 현상 처리실(3)에서 세정 처리실(4)로 가경사 자세인 채로 반송되어 오지만, 이 때의 기판 S의 경사도는, 상술한 바와 같이 기판 S의 표면이 건조하는 일이 없을 정도의 경사도(0°∼5°)로 설정되어 있다. 그 때문에, 현상 처리실(3)에서 세정 처리실(4)로의 반송이 특히 고속으로 행해지는 일은 없고, 다른 반송 동작과 거의 동일한 정도의 속도로 행해진다.The board | substrate S conveyed by the
기판 S가 완전히 세정 교체실(4A)에 반입되면, 반송 롤러(41)가 정지하고, 다음에 경사 기구의 실린더(도시하지 않음)가 신장하여 반송 롤러(41)가 더욱 경사져, 이것에 의해 가경사 자세(0°∼5°)로부터 본경사 자세(3°∼9°)로 기판 S의 자세가 변환된다(본 발명에 따른 제2 자세 변환 공정에 상당한다). 또, 이 경사 기구의 작동과 거의 동시에 세정액 공급 노즐(43, 44)에서 기판 S의 상면 및 하면에 대해서 세정액이 공급되고, 이것에 의해 자세 변환 중, 기판 S가 세정된다(본 발명에 다른 제2 선행 처리 공정에 상당한다).When the board | substrate S is fully carried in to 4 A of cleaning replacement chambers, the
본경사 자세로의 기판 S의 자세 변환이 완료되면, 기판 S는, 반송 롤러(41)에서 본세정실(4B)의 반송 롤러(47)로 건네져, 본경사 자세인 채로 정속으로 반송된다. 본세정실(4B)에서는, 기판 S의 상면 및 하면에 대해서 세정액 공급 노즐(48, 49)에서 세정액이 공급되어 세정된다(본 발명에 따른 기판 처리 공정에 상당한다). 이 때, 세정액은 경사진 기판 S에 따라 급속히 하측으로 흘러 떨어지게 되어, 기판 S의 중앙부 부근에 세정액이 체류하는 일은 없으며 단시간에 충분히 세정된다. 특히, 이 때의 기판 S의 경사도는, 상술한 바와 같이 현상액과 세정액의 치환이 가장 효율적으로 행해지는 경사도(본경사 자세)로 설정되어 있으므로 효율적인 세정이 행해진다.When the attitude | position conversion of the board | substrate S to this main inclination posture is completed, the board | substrate S is passed from the
세정 처리실(4)에서 경사 자세로 반송 롤러(47)에 의해 반송되어 오는 기판 S는 동일한 경사 자세인 채로 반송 롤러(51)로 건네져 건조실(5)로 반송된다. 건조실(5)에서는, 경사 자세로 반송되는 기판 S의 상면 및 하면에 에어 나이프(52, 53)로부터 에어가 분사되어, 이것에 의해 세정액이 날려버려져 건조가 진행된다.The board | substrate S conveyed by the
건조실(5)에서 반송 롤러(51)에 의해 반송되어 오는 기판 S는 동일한 경사 자세인 채로 반송 롤러(61)로 건네져 언로더실(6)로 반송된다. 그리고, 언로더실(6) 내에 완전히 반입되면, 경사 기구에 의해 기판 S가 경사 자세로부터 수평 자세로 변환된다. 그리고, 이러한 자세 변환 동작 후에, 반송 롤러(61)의 구동에 의해 기판 S가 도시하지 않은 다음 공정으로 반출되게 된다. 또한, 기판 S의 위치는, 반송 롤러 등의 구동 시간으로 인식해도 되고, 각 처리실의 출입구에 기판 S의 통과를 검지하는 센서를 설치하여 인식하도록 해도 된다.The board | substrate S conveyed by the
이상과 같이, 이 기판 처리 장치(1)(기판 처리 방법)에서는, 현상 처리 후, 기판 S의 자세를 즉시 세정 처리에 적합한 자세(본경사 자세)로 변환하는 것이 아니라, 일단, 이 본경사 자세보다도 경사도가 작은 가경사 자세, 요컨대 현상액을 유하시키면서도 기판 S의 건조가 방지되는 완만한 경사도의 자세로 변환하고, 이 상태인 채로 현상 처리실(3)에서 세정 처리실(4)로 기판 S를 반송하도록 하고 있다. 그 때문에, 상기한 바와 같이, 현상 처리실(3)로부터 세정 처리실(4)의 반송을 고속으로 행하지 않고 당해 반송 중의 기판 S의 건조를 유효하게 방지할 수 있다.As described above, in the substrate processing apparatus 1 (substrate processing method), the posture of the substrate S is not immediately converted into a posture (main inclination posture) suitable for the cleaning treatment after the development treatment, but this main inclination posture In order to transfer the substrate S from the developing
따라서, 경사 자세의 기판 S에 세정액을 공급하면서 효율적으로 기판 S의 세정 처리를 진행시킨다는 이익을 누리는 한편, 현상 처리 후, 세정 처리를 개시할 때까지의 기판 S 표면의 건조에 따른 현상 얼룩의 발생을, 기판 반송의 고속화와 같은 리스크를 수반하지 않고 유효하게 방지할 수 있다.Therefore, while enjoying the benefit of efficiently advancing the cleaning process of the substrate S while supplying the cleaning liquid to the substrate S in an inclined posture, the development unevenness occurs due to the drying of the surface of the substrate S after the development process until the cleaning process is started. Can be effectively prevented without the risk of speeding up the transfer of the substrate.
특히, 이 기판 처리 장치(1)에서는, 세정 교체실(4A)에서 기판 S를 가경사 자세로부터 본경사 자세로 자세 변환되는 동안, 세정액 공급 노즐(43, 44)에 의해 세정액을 공급함으로써 본세정실(4B)에서의 세정 처리에 선행하여 세정 처리를 행하도록 하고 있으므로, 현상 처리 후, 본경사 자세에서의 세정 처리가 개시될 때까지의 사이에 기판 표면이 건조하는 것을 보다 확실히 방지할 수 있고, 또, 기판 S의 세정 처리를 보다 조기에 개시하여 보다 높은 세정 효과를 얻을 수 있다는 이점도 있다.In particular, in the
또한, 이상 설명한 기판 처리 장치(1)(기판 처리 방법)는, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(기판 처리 방법)의 구체적인 실시 형태의 예시로서, 기판 처리 장치의 구체적인 구성, 혹은 기판 처리 방법은, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 적절히 변경 가능하다. 예를 들면, 다음과 같은 구성(방법)을 채용한 것이어도 된다.In addition, the substrate processing apparatus 1 (substrate processing method) demonstrated above is an example of specific embodiment of the substrate processing apparatus (substrate processing method) which concerns on this invention, The specific structure of a substrate processing apparatus, or a substrate processing method is It can change suitably in the range which does not deviate from the summary of this invention. For example, the following structure (method) may be adopted.
(1) 도 1에 나타낸 기판 처리 장치(1)의 세정 처리실(4)로서, 도 5와 같은 세정 처리실(4)을 채용해도 된다. 이 세정 처리실(4)은, 세정 교체실(4A), 본세정실(4B)에 더하여, 세정 교체실(4A)의 상류측에 선행 처리실(4A')을 구비한 구성으로 되어 있다. 이 선행 처리실(4A')에는, 현상 교체실(3B)에서 경사 자세로 반송되어 오는 기판 S를 취입하여 유지하는 반송 롤러(40)와, 이 반송 롤러(40)에 의해 반송되어 오는 기판 S의 표면에 대해서 반송 방향 상류측에서 하류측을 향해 세정액을 대량 공급, 혹은 고압 공급 가능한 예를 들면 슬릿형의 세정액 공급 노즐(42)(본 발명에 따른 제1 선행 처리액 공급 수단에 상당한다)이 설치되어 있다. 요컨대, 이 기판 처리 장치(1)에서는, 또한 세정 교체실(4A), 본세정실(4B)에서의 세정 처리에 선행하여 기판 S의 세정 처리를 행하도록 구성되어 있다(본 발명에 따른 제2 선행 처리 공정에 상당한다). 이러한 장치에 의하면, 현상 교체실(3B)에서 반출되고 있는 기판 S에 즉시 세정 처리를 행할 수 있으므로, 기판 표면의 건조 방지, 세정 시간의 확보라는 점에서 도 1의 장치에 비해 보다 유리해진다. 이 경우, 상기 도면에서는 특별히 기재하고 있지 않지만, 상기의 세정액 공급 노즐(42)의 하류측에, 반송 방향 하류측에서 상류측을 향해 기판 S에 세정액을 공급하는 슬릿형의 세정액 공급 노즐을 상기 노즐(42)에 대향하여 배치하고, 또한 이들 노즐 사이의 부분으로서 기판 S에 대해서 그 경사 상위측의 위치에 세정액을 공급하는 세정액 공급 노즐을 구비한 것이 보다 바람직하다. 이 구성에 의하면 오염의 재부착을 방지하면서 기판 S를 세정할 수 있다.(1) As the cleaning
또한, 도 5와 같이 세정 처리실(4)에 선행 처리실(4A')을 별도 설치하는 대신에, 예를 들면, 도 1의 세정 교체실(4A)에, 세정액 공급 노즐(43, 44)과는 별도로, 기판 취입구의 근방에 슬릿형의 세정액 공급 노즐을 설치하고, 현상 처리실(3)에서 세정 교체실(4A)로 반송되어 오는 기판 S에 이 세정액 공급 노즐에 의해 세정액을 공급하도록 해도 된다. 이러한 구성에 의하면 도 5와 동일한 효과를 얻을 수 있다.In addition, instead of providing the
(2) 실시 형태에서는, 세정 교체실(4A)에서, 가경사 자세로부터 본경사 자세로의 자세 변환 중의 기판 S에 대해서 세정액 공급 노즐(43, 44)에 의해 세정액을 공급하도록 하고 있지만, 이것을 생략하여 장치의 간략화를 도모하도록 해도 된다. 요컨대 세정 교체실(4A)에서는, 기판 S의 자세 변환만을 행하도록 해도 된다.(2) In the embodiment, in the
(3) 현상 교체실(3B)에서, 기판 S를 수평 자세로부터 가경사 자세(경사도 2°)로 자세 변환하는 과정에서 일단 기판 S를 정지시켜(예를 들면 경사도 1.5°의 자세) 그 자세를 유지하고, 그 후, 가경사 자세까지 기판 S를 기울이도록 해도 된다. 이와 같이 하면, 기판 S를 수평 자세로부터 가경사 자세로 변환할 때의 현상액의 흐름이 완만해져, 이른바 흐름 얼룩(유로 얼룩)의 발생을 억제하는 것이 가능해진다는 이점이 있다.(3) In the developing
(4) 또, 도 1의 기판 처리 장치(1)에서는, 기판 S의 경사 자세는, 기판 반송 방향을 향해 좌우 한 쪽(요컨대 기판 S의 폭방향)으로 기울이는 자세로 하고 있지만, 기판 반송 방향으로 기우는 자세여도 된다. 도 6 및 도 7은, 그 경우의 현상 처리실(3) 및 세정 처리실(4)의 구성을 모식적으로 나타내고 있다.(4) Moreover, in the
우선 도 6의 구성에 대해서 설명한다. 상기 도면 (a)에 나타낸 바와 같이, 현상 교체실(3B)에는, 기판 S를 수평 자세로 반송하는 상태와, 기판 반송 방향을 향해 앞쪽으로 올라가는 경사 자세로 반송하는 상태로, 반송 롤러(33)의 자세(각 반송 롤러(33)의 나열 방향)를 전환할 수 있는 경사 기구가 설치되어 있다. 이 경사 기구는, 상세하게는 도시하고 있지 않지만, 반송 롤러(33)의 좌우를 회전 자유롭게 지지하는 롤러 프레임과, 기판 반송 방향의 후단에서 롤러 프레임을 회전 자유롭게 축 지지하는, 기판 반송 방향과 직교하여 설치된 축과, 기판 반송 방향의 선단부에서 롤러 프레임과 결합되어 이러한 롤러 프레임의 선단을 승강시키는 실린더(71)로 이루어져 있고, 상기 도면에 나타낸 바와 같이 반송 롤러(33)를 수평 자세로 해 두고 액층 형성실(3A)에서 수평 자세로 반송되어 오는 기판 S를 취입한 후, 실린더(71)를 신장시키고 롤러 프레임을 기울여, 기판 S를 기판 반송 방향을 향해 앞쪽으로 올라가는 경사진 상태, 요컨대 가경사 자세(경사도 0°∼5°)로 변환한 상태로 반송 가능해지고 있다.First, the configuration of FIG. 6 will be described. As shown to the said figure (a), in the developing
한편, 세정 처리실(4)의 세정 교체실(4A)에는, 기판 S를 가경사 자세로 반송하는 상태와, 기판 반송 방향을 향해 더욱 경사도가 큰 앞쪽으로 올라가는 경사 자세, 요컨대 본경사 자세(경사도 3°∼9°)로 반송하는 상태로, 반송 롤러(41)의 자세(각 반송 롤러(41)의 나열 방향)를 전환할 수 있는 경사 기구가 설치되어 있다. 또, 본세정실(4B)에는, 기판 S를 기판 반송 방향을 향해 앞쪽으로 올라가는 본경사 자세로 반송하는 상태와, 수평 자세로 반송하는 상태로, 반송 롤러(47)의 자세(각 반송 롤러(47)의 나열 방향)를 전환할 수 있는 경사 기구가 설치되어 있다. 또한, 세정 교체실(4A) 및 본세정실(4B)의 각 경사 기구는, 기본적으로는 현상 교체실(3B)의 것과 동일하고, 각각 실린더(72, 73)에 의해 작동하도록 되어 있다.On the other hand, in the
이 도 6에 나타낸 기판 처리 장치(1)에 의하면, 액층 형성실(3A)에서 현상액의 액층이 형성된 상태의 기판 S는, 상기 도면 (a)에 나타낸 바와 같이 반송 롤러(31)에서 반송 롤러(33)로 건네져 현상 교체실(3B)로 반송되어 패들 현상에 사용된다. 그리고, 경사 기구의 실린더(71)의 신장에 의해 수평 자세로부터 기판 반송 방향 앞쪽으로 올라가는 경사진 가경사 자세로 자세 변환된 후(도 6(b)), 반송 롤러(33)에 의해 반송되어, 경사 자세인 채로 세정 교체실(4A)의 반송 롤러(41)로 건네져 세정 처리실(4)로 반입된다.According to the
기판 S가 완전히 세정 교체실(4A)로 반입되면, 반송 롤러(41)가 정지하고, 경사 기구의 실린더(72)의 신장에 의해 가경사 자세로부터 본경사 자세로 기판 S의 자세가 변환되고(도 6(c)), 또한, 반송 롤러(41)에 의해 반송되어, 본경사 자세인 채로 반송 롤러(47)로 건네져 본세정실(4B)로 반입된다. 그리고, 본세정실(4B)에서 본경사 자세인 상태로 세정 처리가 행해진 후, 경사 기구의 실린더(73)의 수축에 의해 본경사 자세로부터 수평 자세로 기판 S의 자세가 변환되어(도 6(d)), 반송 롤러(47)에서 반송 롤러(51)로 건네어짐으로써 건조실(5)로 반송되게 된다.When the board | substrate S is fully carried in to 4 A of cleaning replacement chambers, the
다음에, 도 7의 구성에 대해서 설명한다.Next, the structure of FIG. 7 is demonstrated.
상기 도면 (a)에 나타낸 바와 같이, 현상 처리실(3)의 구성은 도 6의 것과 공통된다.As shown to the said figure (a), the structure of the image
세정 처리실(4)의 세정 교체실(4A)에는, 기판 S를 반송 방향 앞쪽으로 올라가는 가경사 자세로 반송하는 상태와, 기판 반송 방향을 향해 앞쪽으로 내려가는 본경사 자세(경사도 3°∼9°)로 반송하는 상태로, 반송 롤러(41)의 자세(각 반송 롤러(41)의 나열 방향)를 전환할 수 있는 경사 기구가 설치되어 있다. 또, 본세정실(4B)에는, 기판 S를 기판 반송 방향을 향해 앞쪽으로 내려가는 본경사 자세로 반송하는 상태와, 수평 자세로 반송하는 상태로, 반송 롤러(47)의 자세(각 반송 롤러(47)의 나열 방향)를 전환할 수 있는 경사 기구가 설치되어 있다.In the
또한, 본세정실(4B) 및 본세정실(4B)의 각 경사 기구는, 기본적으로는 도 6에서 설명한 것과 동일하지만, 본세정실(4B)의 것에 대해서는, 상기 도면에 나타낸 바와 같이, 기판 반송 방향의 전단에서 롤러 프레임이 회전 자유롭게 축 지지되고, 기판 반송 방향의 후단부에서 롤러 프레임과 실린더(73)가 결합되어 있는 점에서 구성이 상이하다.In addition, although each inclination mechanism of this washing | cleaning
이 도 7에 나타낸 기판 처리 장치(1)에 의하면, 현상액의 액층이 형성된 상태의 기판 S는, 상기 도면 (a) (b)에 나타낸 바와 같이 수평 자세로부터 기판 반송 방향 앞쪽으로 올라가는 경사진 가경사 자세로 자세 변환된 후, 반송 롤러(33)에 의해 반송되어, 경사 자세인 채로 현상 교체실(3B)에서 세정 교체실(4A)의 반송 롤러(41)로 건네져 세정 처리실(4)로 반입된다.According to the
기판 S가 완전히 세정 교체실(4A)로 반입되면, 반송 롤러(41)가 정지하고, 경사 기구의 실린더(72)의 수축에 의해 앞쪽으로 올라가는 가경사 자세로부터 앞쪽으로 내려가는 본경사 자세로 기판 S의 자세가 변환되고(도 7(c)), 또한 반송 롤러(41)에 의해 반송되어, 본경사 자세인 채로 반송 롤러(47)로 건네져 본세정실(4B)로 반입된다. 그리고, 본세정실(4B)에서 본경사 자세인 상태로 세정 처리가 행해진 후, 경사 기구의 실린더(73)의 수축에 의해 본경사 자세로부터 수평 자세로 기판 S의 자세가 변환되어(도 7(d)), 반송 롤러(47)로부터 반송 롤러(51)로 건네어짐으로써 건조실(5)로 기판 S가 반송되게 된다.When the board | substrate S is fully carried in to 4 A of cleaning replacement chambers, the
이러한 도 6, 도 7에 나타낸 기판 처리 장치(1)의 구성에 의해서도, 상기 실시 형태의 기판 처리 장치(1)와 동일한 작용 효과를 발휘할 수 있다.Also with the structure of the
또한, 상술한 실시 형태에서는, 가경사 자세에서의 기판 S의 경사도를 0°∼5°, 본경사 자세에서의 기판 S의 경사도를 3°∼9°의 범위 내에서 설정하고 있지만, 물론, 이 경사도는 일례로서, 기판 S의 종류, 사이즈, 및 처리액의 종류에 따라 적절히 설정하면 된다. 단, 실시 형태와 같이 직사각형의 LCD용 유리 기판 S에 현상 처리 및 세정 처리를 순차적으로 실시하는 경우에는, 가경사 자세의 경사도는 0°∼5°, 본경사 자세의 경사도는 3°∼9°의 범위 내에서 각각 설정함으로써 대체로 양호한 결과를 얻는 것을 기대할 수 있다. 또, 변형예 (3)과 같이, 현상 교체실(3B)의 자세 변환 도중에 기판 S를 일단 정지시킬 때의 경사도는, 가경사 자세의 경사도가 0°∼5°인 경우에는, 1°∼3°(가경사 자세의 대략 반분)로 설정함으로써 대체로 양호한 결과를 얻는 것을 기대할 수 있다.In addition, in embodiment mentioned above, although the inclination of the board | substrate S in a temporary inclination posture is set within the range of 0 degrees-5 degrees and the inclination of the board | substrate S in this inclination posture within 3 degrees-9 degrees, of course, The inclination may be appropriately set according to the type, size, and type of processing liquid of the substrate S as an example. However, when developing and washing | cleaning processes are sequentially performed to the rectangular LCD glass substrate S like embodiment, the inclination of a temporary inclination posture is 0 degrees-5 degrees, and the inclination of this inclination attitude is 3 degrees-9 degrees. It can be expected to obtain a generally good result by setting each within the range of. In addition, as in the modification (3), the inclination when the substrate S is temporarily stopped during the posture change of the developing
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치(본 발명의 기판 처리 방법이 사용되는 기판 처리 장치)의 전체 구성을 도시한 모식적 측면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a typical side view which shows the whole structure of the substrate processing apparatus (substrate processing apparatus in which the substrate processing method of this invention is used) which concerns on this invention.
도 2는 현상 처리실의 구성을 도시한 사시도이다.2 is a perspective view showing the configuration of a developing chamber.
도 3은 현상 처리실의 구성을 도시한 사시도이다.3 is a perspective view showing the configuration of a developing chamber.
도 4는 처리의 진행 상태와 기판의 자세의 관계를 도시한 사시 약도이다.4 is a perspective schematic diagram showing the relationship between the progress state of processing and the posture of the substrate.
도 5는 본 발명에 따른 다른 기판 처리 장치(본 발명의 기판 처리 방법이 사용되는 기판 처리 장치)의 전체 구성을 도시한 모식적 측면도이다.5 is a schematic side view showing the overall configuration of another substrate processing apparatus (substrate processing apparatus in which the substrate processing method of the present invention is used) according to the present invention.
도 6은 본 발명에 따른 다른 기판 처리 장치(본 발명의 기판 처리 방법이 사용되는 기판 처리 장치)의 전체 구성을 도시한 모식적 측면도이다.6 is a schematic side view showing the overall configuration of another substrate processing apparatus (substrate processing apparatus in which the substrate processing method of the present invention is used) according to the present invention.
도 7은 본 발명에 따른 다른 기판 처리 장치(본 발명의 기판 처리 방법이 사용되는 기판 처리 장치)의 전체 구성을 도시한 모식적 측면도이다.7 is a schematic side view showing the overall configuration of another substrate processing apparatus (substrate processing apparatus in which the substrate processing method of the present invention is used) according to the present invention.
[부호의 설명][Description of the code]
1…기판 처리 장치 2…로더실One… Substrate processing apparatus 2. Loader room
3…현상 처리실 3A…액층 형성실 3... Developing
3B…현상 교체실 4…세정 처리실 3B...
4A…세정 교체실 4B…본세정실 4A...
5…건조실 6…언로더실5... Drying chamber 6. Unloader Room
Claims (12)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006201040A JP2008028247A (en) | 2006-07-24 | 2006-07-24 | Method and device for processing substrate |
JPJP-P-2006-00201040 | 2006-07-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080009661A KR20080009661A (en) | 2008-01-29 |
KR100866001B1 true KR100866001B1 (en) | 2008-10-29 |
Family
ID=39022826
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070073891A Expired - Fee Related KR100866001B1 (en) | 2006-07-24 | 2007-07-24 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008028247A (en) |
KR (1) | KR100866001B1 (en) |
CN (1) | CN101114578B (en) |
TW (1) | TW200818380A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108380564A (en) * | 2018-02-05 | 2018-08-10 | 武汉华星光电技术有限公司 | Development chamber with automatic cleaning function and its cleaning assembly, cleaning method |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100978852B1 (en) * | 2008-06-12 | 2010-08-31 | 세메스 주식회사 | Substrate conveying apparatus, method and apparatus for manufacturing substrate having the apparatus |
TWI407270B (en) * | 2009-12-30 | 2013-09-01 | Au Optronics Corp | Developing equipment |
CN103324038A (en) * | 2013-06-25 | 2013-09-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | Developing device and developing method |
CN104347352B (en) * | 2013-07-31 | 2018-05-29 | 细美事有限公司 | A kind of substrate board treatment and substrate processing method using same |
JP6887616B2 (en) * | 2017-05-09 | 2021-06-16 | 日本電気硝子株式会社 | Glass plate transfer device and glass plate manufacturing method |
CN108325900B (en) * | 2017-09-19 | 2021-02-02 | 福建晟哲自动化科技有限公司 | Liquid crystal display panel cleaning equipment |
CN107962501B (en) * | 2017-12-01 | 2019-09-20 | 福建和达玻璃技术有限公司 | The anti-dazzle surface processing equipment of special-shaped glass cover board with angle |
CN108000368B (en) * | 2017-12-01 | 2020-03-31 | 福建和达玻璃技术有限公司 | Anti-dazzle surface treatment equipment and treatment method for curved-edge glass cover plate |
WO2021205898A1 (en) * | 2020-04-06 | 2021-10-14 | 日本電気硝子株式会社 | Glass plate production method and production device |
JP7642005B2 (en) | 2023-03-10 | 2025-03-07 | 株式会社Screenホールディングス | SUBSTRATE POSITION CHANGE DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003017401A (en) | 2001-07-05 | 2003-01-17 | Tokyo Electron Ltd | Device and method for processing liquid |
JP2003142453A (en) | 2001-11-02 | 2003-05-16 | Alps Electric Co Ltd | Wet treatment apparatus and method therefor |
JP2005244022A (en) | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Sharp Corp | Device and method for processing liquid |
KR20060014457A (en) * | 2006-01-27 | 2006-02-15 | 주식회사 디엠에스 | Flatbed processing unit |
-
2006
- 2006-07-24 JP JP2006201040A patent/JP2008028247A/en not_active Abandoned
-
2007
- 2007-06-27 TW TW096123286A patent/TW200818380A/en not_active IP Right Cessation
- 2007-07-20 CN CN2007101373080A patent/CN101114578B/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-24 KR KR1020070073891A patent/KR100866001B1/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003017401A (en) | 2001-07-05 | 2003-01-17 | Tokyo Electron Ltd | Device and method for processing liquid |
JP2003142453A (en) | 2001-11-02 | 2003-05-16 | Alps Electric Co Ltd | Wet treatment apparatus and method therefor |
JP2005244022A (en) | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Sharp Corp | Device and method for processing liquid |
KR20060014457A (en) * | 2006-01-27 | 2006-02-15 | 주식회사 디엠에스 | Flatbed processing unit |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108380564A (en) * | 2018-02-05 | 2018-08-10 | 武汉华星光电技术有限公司 | Development chamber with automatic cleaning function and its cleaning assembly, cleaning method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101114578A (en) | 2008-01-30 |
JP2008028247A (en) | 2008-02-07 |
CN101114578B (en) | 2011-08-10 |
KR20080009661A (en) | 2008-01-29 |
TW200818380A (en) | 2008-04-16 |
TWI343088B (en) | 2011-06-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100866001B1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
KR100671251B1 (en) | Substrate processing equipment | |
KR101052949B1 (en) | Developing Processing Apparatus and Developing Processing Method | |
US20020121341A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
KR20130032365A (en) | Fluid processing device and fluid processing method | |
KR100991086B1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2004055607A (en) | Substrate-processing equipment | |
JP4022288B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP2020043333A (en) | Substrate processing apparatus | |
KR100529872B1 (en) | Developing method and developing apparatus | |
JP2008311657A (en) | Substrate etching apparatus, and method of treating substrate | |
JP3628919B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2017098278A (en) | Etching apparatus | |
KR20120069576A (en) | Coating process apparatus and coating process method | |
JP2002075821A (en) | Development processing equipment and method therefor | |
JP4674904B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
KR100617454B1 (en) | Substrate Transfer System and Substrate Transfer Method Using the Same | |
KR101308136B1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
JP2001108977A (en) | Apparatus and method for manufacturing liquid crystal display device | |
KR20130005443A (en) | Substrate coating appartus and method thereof | |
JPH10284380A (en) | Method and system for treating substrate | |
KR101118885B1 (en) | Processing apparatus and processing method | |
JP5188926B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP4308856B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2006103917A (en) | Substrate treatment device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20070724 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
PG1501 | Laying open of application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20080926 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20081023 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20081023 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
PC1903 | Unpaid annual fee |