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KR100840654B1 - 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 - Google Patents

씨모스 이미지 센서의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 씨모스 이미지 센서의 제조 방법에 관한 것으로서, (a) 복수의 포토 다이오드 및 트랜지스터가 형성된 반도체 기판 상에 층간 절연막을 형성하는 단계; (b) 상기 층간 절연막 상에 상기 포토 다이오드에 대응되는 칼라 필터층을 형성하는 단계; (c) 상기 칼라 필터층 상에 평탄화층을 형성하는 단계; (d) 상기 평탄화층 상에 마이크로렌즈용 레지스트층을 도포하고 패터닝하여 마이크로렌즈 패턴을 형성하는 단계; (e) 상기 마이크로렌즈 패턴을 소정 온도에서 리플로우(Reflow)하여 마이크로렌즈를 형성하는 단계; (f) 상기 마이크로렌즈가 형성된 반도체 기판 전면에 절연막을 증착하고 평탄화한 후, 상기 마이크로렌즈 사이의 절연막에 트렌치를 형성하는 단계; 및 (g) 상기 트렌치를 포함한 상기 절연막 상에 마이크로렌즈용 레지스트층을 도포하고 평탄화하여 상기 트렌치 내부에 오목 렌즈를 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의하면, 씨모스 이미지 센서에서 마이크로렌즈 사이에 오목 렌즈를 형성함으로써, 오목 렌즈를 이용하여 마이크로렌즈 사이의 스트레이 빔을 분산시킬 수 있고, 분산된 스트레이 빔은 마이크로렌즈로 재집광되어 포토 다이오드로 모아짐으로써, 이미지의 질을 향상시키는 효과가 있다.
씨모스, 이미지 센서, 스트레이 빔, 오목 렌즈, 갭

Description

씨모스 이미지 센서의 제조 방법{Method for Manufacturing of CMOS Image Sensor}
도 1 및 도 2는 종래의 이미지 센서의 마이크로렌즈를 설명하기 위한 도면,
도 3 및 도 4는 종래의 이미지 센서의 마이크로렌즈 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도,
도 5는 종래의 이미지 센서의 마이크로렌즈의 갭을 지나는 스트레이 빔을 설명하기 위한 도면,
도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 일 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도,
도 7은 본 발명의 이미지 센서의 마이크로렌즈의 갭을 지나는 스트레이 빔을 설명하기 위한 도면이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
600: 반도체 기판 602: 포토 다이오드
610: 층간 절연막 620: 칼라 필터층
630: 평탄화층 640: 마이크로렌즈
640a: 레지스트층 650: 레티클
660: 절연막 660a: 트렌치
670: 오목 렌즈
본 발명은 씨모스 이미지 센서의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 씨모스 이미지 센서의 마이크로렌즈 제조 방법에 관한 것이다.
현재 씨모스 이미지 센서의 마이크로렌즈 제조 방법은 디포커스(Defocus) 현상과 리플로우(Reflow) 현상을 이용하여 마이크로렌즈를 형성하고 있다.
도 1 및 도 2는 종래의 이미지 센서의 마이크로렌즈를 설명하기 위한 도면이다. 도 3 및 도 4는 종래의 이미지 센서의 마이크로렌즈 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다. 도 5는 종래의 이미지 센서의 마이크로렌즈의 갭을 지나는 스트레이 빔을 설명하기 위한 도면이다.
도 1은 마이크로렌즈의 전체적인 평면 이미지(Top View Image)를 보여주는 도면이고, 도 2는 마이크로렌즈들 사이의 갭을 보여주는 도면이다. 마이크로렌즈의 경우 포토 다이오드(Photo Diode)에 빛을 모아주기 위해서, 볼록 렌즈 형태로 형성되고 있다.
이때, 도 3 및 도 4에 제시된 바와 같이 투명 하지층(10) 상에 포토레지스트(PR)를 도포하고, 마스크(Mask: 30)를 이용하여 노광한다. 이때, 디포커스 현상을 이용해서, 포토레지스트 패턴(20)을 사다리꼴 모양으로 만들어 준다. 이후에, PR 패턴(20)을 융점(Melting Point)까지 가열해주면 유동성을 가지면서 둥글어지는 현상, 즉, 리플로우 현상을 이용하여 도 4에 제시된 바와 같이 마이크로렌즈(21)를 형성한다.
그런데, 이와 같이 형성되는 마이크로렌즈(21)는 렌즈(21)들 사이에 갭이 발생된다. 마이크로렌즈(21)의 갭을 통해 들어오는 대상물(Object: 50)의 이미지 광은, 포토 다이오드(40)에 정확하게 포커스(Focus)되지 못하게 된다. 마이크로렌즈(21)의 갭 부분은 평평한 부분이므로, 이러한 부분으로 들어온 빛은 그대로 직진하게 되어 투명 하지층(10) 아래의 포토 다이오드(40)에 모이지 못하는 스트레이 빔(Stray Beam)으로 이해될 수 있다. 마이크로렌즈(21)를 통해서 내려오는 광은 포토 다이오드(40)에 포커스되지만, 그 외의 빛은 스트레이 빔이 되어 이미지 질을 저하시키는 원인이 된다.
본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 씨모스 이미지 센서에서 마이크로렌즈 사이의 스트레이 빔을 분산시키기 위한 씨모스 이미지 센서의 제조 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 씨모스 이미지 센서의 제조 방법에 있어서, (a) 복수의 포토 다이오드 및 트랜지스터가 형성된 반도체 기판 상에 층간 절연막을 형성하는 단계; (b) 상기 층간 절연막 상에 상기 포토 다이오드에 대응되는 칼라 필터층을 형성하는 단계; (c) 상기 칼라 필터층 상에 평탄화층을 형성하는 단계; (d) 상기 평탄화층 상에 마이크로렌즈용 레지스트층을 도포하고 패터 닝하여 마이크로렌즈 패턴을 형성하는 단계; (e) 상기 마이크로렌즈 패턴을 소정 온도에서 리플로우(Reflow)하여 마이크로렌즈를 형성하는 단계; (f) 상기 마이크로렌즈가 형성된 반도체 기판 전면에 절연막을 증착하고 평탄화한 후, 상기 마이크로렌즈 사이의 절연막에 트렌치를 형성하는 단계; 및 (g) 상기 트렌치를 포함한 상기 절연막 상에 마이크로렌즈용 레지스트층을 도포하고 평탄화하여 상기 트렌치 내부에 오목 렌즈를 형성하는 단계를 포함한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 일 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 6a에 도시한 바와 같이, 복수의 포토 다이오드(602) 및 트랜지스터(미도시)가 형성된 반도체 기판(600)상에 층간 절연층(610)을 형성한다. 여기서, 층간 절연층(610)은 다층으로 형성될 수도 있고, 도시되지는 않았지만, 하나의 층간 절연층을 형성한 후에 포토 다이오드(602) 영역 이외의 부분으로 빛이 입사되는 것을 막기 위해 차광층을 형성하고, 다시 층간 절연층이 형성될 수 있다.
이어서, 층간 절연층(610) 상에 가염성 레지스트를 사용하여 도포한 후, 노광 및 현상 공정을 진행하여 각각의 파장대별로 빛을 필터링하는 칼라 필터층(620)들을 형성한다.
이어서, 칼라 필터층(620)상에 초점 거리 조절 및 렌즈층을 형성하기 위한 평탄도 확보 등을 위하여 평탄화층(630)을 형성한다.
도 6b에 도시한 바와 같이, 평탄화층(630) 상에 마이크로렌즈용 레지스트층(640a)을 도포하고, 레지스트층(640a)의 상부에 개구부를 갖는 레티클(650)을 정렬하며, 레티클(650)을 포함한 반도체 기판(600) 전면에 레이저 등의 빛을 조사하여 레티클(650)의 개구부에 대응되도록 레지스트층(640a)을 선택적으로 노광한다. 여기서, 레지스트층(640a)은 절연막(660)보다 굴절률이 큰 물질을 사용할 수도 있다.
도 6c에 도시한 바와 같이, 노광된 레지스트층(640a)을 현상하여 마이크로렌즈 패턴(미도시)을 형성하고, 마이크로렌즈 패턴(미도시)을 소정 온도에서 리플로우(Reflow)하여 반구형의 마이크로렌즈(640)를 형성한다.
도 6d에 도시된 바와 같이, 마이크로렌즈(640)가 형성된 반도체 기판(600) 전면에 절연막(660)을 증착하고 평탄화한 후, 마이크로렌즈(64) 사이의 절연막(660)에 마이크로 트렌치 프로파일을 갖는 트렌치(660a)를 형성한다. 이때, 마이크로 트렌치 프로파일을 갖도록 반응성 이온 식각(RIE: Reactive Ion Etching)을 튜닝하여 트렌치를 형성하고, 절연막(660)은 SiO2를 사용함이 바람직하다.
도 6e에 도시된 바와 같이, 트렌치(660a)를 포함한 절연막(660) 상에 마이크로렌즈용 레지스트층(미도시)을 도포하고 평탄화하여 트렌치(660) 내부에 오목 렌 즈(670)를 형성한다. 따라서, 마이크로렌즈(640) 상에 SiO2로 이루어지는 굴절률층을 형성함으로써, 물체에서 들어오는 빛을 모두 포토 다이오드(602)로 모을 수 있을 뿐만 아니라, 마이크로렌즈(640) 사이의 스트레이 빔(Stray Beam)을 분산시켜 이웃한 마이크로렌즈(640)로 다시 집광되도록 함으로써, 이미지 질을 향상시킬 수 있다.
도 7은 본 발명의 이미지 센서의 마이크로렌즈의 갭(Gap)을 지나는 스트레이 빔을 설명하기 위한 도면이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 마이크로렌즈(640)의 갭을 통해 들어오는 대상물(Object: 700)의 이미지 광은 포토 다이오드(602)에 포커스될 뿐만 아니라, 마이크로렌즈(640) 사이에 형성된 오목 렌즈(670)가 스트레이 빔을 분산시켜 이웃한 마이크로렌즈(640)로 재집광되도록 함으로써, 포토 다이오드(602)에 더 많은 빛을 모을 수 있게 된다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 씨모스 이미지 센서에서 마이크로렌즈 사이에 오목 렌즈를 형성함으로써, 오목 렌즈를 이용하여 마이크로렌즈 사이의 스트레이 빔을 분산시킬 수 있고, 분산된 스트레이 빔은 마이크로렌즈로 재집광되어 포토 다이오드로 모아짐으로써, 이미지의 질을 향상시키는 효과가 있다.

Claims (4)

  1. 씨모스 이미지 센서의 제조 방법에 있어서,
    (a) 복수의 포토 다이오드 및 트랜지스터가 형성된 반도체 기판 상에 층간 절연막을 형성하는 단계;
    (b) 상기 층간 절연막 상에 상기 포토 다이오드에 대응되는 칼라 필터층을 형성하는 단계;
    (c) 상기 칼라 필터층 상에 평탄화층을 형성하는 단계;
    (d) 상기 평탄화층 상에 마이크로렌즈용 레지스트층을 도포하고 패터닝하여 마이크로렌즈 패턴을 형성하는 단계;
    (e) 상기 마이크로렌즈 패턴을 소정 온도에서 리플로우(Reflow)하여 마이크로렌즈를 형성하는 단계;
    (f) 상기 마이크로렌즈가 형성된 반도체 기판 전면에 절연막을 증착하고 평탄화한 후, 상기 마이크로렌즈 사이의 절연막에 트렌치를 형성하는 단계; 및
    (g) 상기 트렌치를 포함한 상기 절연막 상에 마이크로렌즈용 레지스트층을 도포하고 평탄화하여 상기 트렌치 내부에 오목 렌즈를 형성하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조 방법.
  2. 제1항에서,
    상기 레지스트층은 상기 절연막보다 굴절률이 큰 물질을 사용하는 것을 특징 으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조 방법.
  3. 제1항에서, 상기 단계 (f)는,
    상기 절연막에 마이크로 트렌치(Micro Trench) 프로파일을 갖는 상기 트렌치를 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조 방법.
  4. 제1항에서,
    상기 절연막은 SiO2로 이루어지는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111684598A (zh) * 2017-12-13 2020-09-18 ams有限公司 制造微透镜的方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101023074B1 (ko) * 2008-09-23 2011-03-24 주식회사 동부하이텍 이미지 센서 및 그 제조 방법
US9935146B1 (en) 2016-12-19 2018-04-03 Semiconductor Components Industries, Llc Phase detection pixels with optical structures
JPWO2021100772A1 (ko) * 2019-11-20 2021-05-27

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006100764A (ja) * 2004-08-31 2006-04-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置ならびに固体撮像装置の製造方法
KR100595900B1 (ko) * 2003-12-27 2006-06-30 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서
KR100638107B1 (ko) * 2005-06-09 2006-10-24 연세대학교 산학협력단 이머젼 박막층을 구비하는 광변조 미세개구 어레이 장치 및이를 이용한 고속 미세패턴 기록시스템

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4225291B2 (ja) * 2005-05-10 2009-02-18 セイコーエプソン株式会社 マイクロレンズ、光学板、拡散板、導光板、バックライト、プロジェクション用スクリーン、プロジェクションシステム、電気光学装置および電子機器、並びにマイクロレンズの製造方法
US7315014B2 (en) * 2005-08-30 2008-01-01 Micron Technology, Inc. Image sensors with optical trench

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100595900B1 (ko) * 2003-12-27 2006-06-30 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서
JP2006100764A (ja) * 2004-08-31 2006-04-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置ならびに固体撮像装置の製造方法
KR100638107B1 (ko) * 2005-06-09 2006-10-24 연세대학교 산학협력단 이머젼 박막층을 구비하는 광변조 미세개구 어레이 장치 및이를 이용한 고속 미세패턴 기록시스템

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111684598A (zh) * 2017-12-13 2020-09-18 ams有限公司 制造微透镜的方法

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Publication number Publication date
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