KR100802862B1

KR100802862B1 - 칼라 표시장치용 전극판과 그 제조방법

Info

Publication number: KR100802862B1
Application number: KR1020027009944A
Authority: KR
Inventors: 토요시마타까유끼
Original assignee: 닛본 이따 가라스 가부시끼가이샤
Priority date: 2001-01-12
Filing date: 2001-12-20
Publication date: 2008-02-12
Anticipated expiration: 2021-12-20
Also published as: WO2002056282A1; US6809850B2; US20030058518A1; KR20020077413A; TW588189B; JPWO2002056282A1; CN1174278C; CN1406367A

Abstract

본 발명은，(1) 기판상에 칼라 필터를 형성하고，이어서 대략 대기압의 건조 분위기하에서의 방전을 이용한 처리에 의해 상기 칼라 필터가 적어도 부분적으로 탄화된 층을 형성하고，그 부분적으로 탄화된 칼라 필터층상에 투명 도전막(무기 도전막)을 형성한 칼라 표시장치용 전극판의 제조 방법, 또는 (2) 기판상에 칼라 필터와 유기 보호막을 순차적으로 형성하고，이어서 대략 대기압의 건조 분위기하에서의 방전을 이용한 처리에 의해 상기 유기 보호 막상에 적어도 부분적으로 탄화된 층을 형성하고，그 부분적으로 탄화된 유기 보호 막상에 투명 도전막（무기물 도전막)을 형성한 칼라 표시장치용 전극판의 제조 방법 및 이들의 제조방법으로 얻어진 전극판, 및 상기 전극판을 이용한 칼라 표시장치에 관한 것이다.

본 발명에 의해 보다 간편한 방법으로 칼라 필터 또는 유기 보호막의 물리적·화학적인 손상을 막고도전막과의 밀착성을 향상시키는 칼라 표시장치용 전극판과 그 제조방법 상기 표시판을 이용한 칼라 표시장치를 제공할 수가 있게 된다.

유리기판, 칼라 필터, 유기 보호막, 투명 도전막, 탄화된 층, 밀착층

Description

칼라 표시장치용 전극판과 그 제조방법{Electrode Plate for Color Display and Method for Manufacturing the Same}

본 발명은 내약품성·밀착성이 우수한 칼라 표시장치용 전극판 및 그 제조 방법 및 상기 칼라 표시장치용 전극판을 이용한 칼라 표시장치에 관한 것이다.

칼라 표시장치에 사용되는 전극판은, 일반적으로 유리 기판상에 유기(有機) 수지를 재료로 하는 칼라 필터(filter)를 형성하고，그 상에 동일하게 유기 수지를 재료로 하는 유기 보호막을 도포한 후，도전성을 갖는 무기(無機) 투명 전극을 형성하는 것에 의해 제조되고 있다．그 투명 전극의 배선은，일반적으로 일단 균일하게 투명 도전막을 형성한 후，웨트 에칭(wet etching)에 의하여 원하는 배선의 형상을 얻고 있다．

상기 웨트 에칭으로 배선 가공을 하는 경우，다양한 약품을 이용하기 때문에, 투명 도전막의 바탕인　칼라 필터 또는 투명한 유기 보호막이 약품에 의해 침범되고，침식된다는 문제가 발생된다．또 유기 수지막상에 무기(無機) 도전막을 형성하기 때문에，소정의 가공에 견딜 만큼의 밀착성을 갖는 것이 상당히 어렵다．

이 때문에, 종래에서는 칼라 필터 또는 유기 보호막과 무기 도전막과의 사이에, 다른 박막(이산화 규소 박막이 일반적으로 사용되고 있음)을 형성함으로써, 내약품성·밀착성을 향상시키고 있다．그러나，이산화 규소 박막은 ＲＦ 스퍼터링(RF sputtering）법에 의해서 형성되지만, 이 방법은 성막(成膜) 속도가 느린 점이 공업상 불리한 점으로 여기지고 있다．또，이산화 규소 박막의 성막전의 ＲＦ－플라즈마(plasma)에 의하여 칼라 필터 또는 유기 보호막이 물리적·화학적으로 손상을 받는 것임으로, 후처리 공정(칼라 필터와 유기 보호막을 유리 기판상에 형성한 후에 무기물 도전성막을 형성하는 공정)에서 전극판을 생산할 경우에 발생하는 불안정성의 주요 원인이 되고 있다.

　 또한，상술의 문제를 해결하기 위해，본 발명자들은，먼저 산소 이온（Ion） 또는 아르곤（Argon） 이온（Ion）를 포함하는 가스 이온（Ion）을 칼라 필터 또는 유기 보호막에 충돌시켜서 칼라 필터 또는 유기 보호막과 투명 도전막의 사이에 칼라 필터 또는 유기 보호막이 적어도 부분적으로 탄화된 층을 형성한 것에 의해서，칼라 필터 또는 유기 보호막의 물리적·화학적인 손상을 막고，무기물 도전막과의 밀착성을 향상시키는 전극판등의 발명을 했다(일본 특허 공개 제 평１０－１０５１８호 공보). 또한，상기 공보에 기재된 발명에서는，본 발명자들은 산소 이온 또는 아르곤 이온을 포함하는 가스 이온을 칼라 필터 또는 유기 보호막에 충돌시키는 방법으로서，이온 총（Ion Gun)을 이용한 진공 분위기중에서 이온 조사를 한 실시예를 개시하고 있다．

상기 본 발명자들에 의한 일본 특허 공개 제 평１０－１０５１８호 공보에 기재된 발명에 의해，적어도 부분적으로 탄화된 층이 칼라 필터 또는 유기 보호 막상에 형성되는 것에 의해，종래에서 필요로 된 이산화 규소 박막등의 투명 무기물 박막을 이들 막상에 더 형성시키는 것 없이，칼라 필터 또는 유기 보호막의 내약품성·밀착성을 비약적으로 향상시킬 수 있고，원하는 패턴(pattern)의 투명 전극막(무기물 도전막)의 가공을 용이하게 할 수 있게 되었다．　

하지만，상기 본 발명자들에 의한 상기 방법은，진공 분위기속에서 처리하는 공정이 포함되고 있기 때문에, 대량으로 진공하에서 전극판 재료를 처리하는 것이 곤란하고，생산성이 저하되는 문제가 있다. 또，상기 방법은 진공하에서의 처리가 포함되기 때문에, 전극판 제조에 관련된 장치가 고가이다. 이로 인해 얻어지는 제품의 제조 비용을 상승시키는 요인이 되는 문제가 있었다．

따라서, 본 발명의 목적은，보다 간편한 방법으로 칼라 필터 또는 유기 보호막의 물리적·화학적인 손상을 막고，도전막과의 밀착성을 향상시키는 칼라 표시장치용 전극판의 제조 방법을 얻는 것이다．또한，본 발명의 다른 목적은，상기 칼라 표시장치용 전극판의 제조 방법에 있어서，웨트 에칭에 의한 투명 도전막 형성시에, 보다 간편한 방법으로 칼라 필터 또는 유기 보호막을 보호하는 것이다． 본 발명의 또 다른 목적은，칼라 필터 또는 유기 보호막과 무기물 도전 박막과의 사이에 종래 일반적으로 사용되고 있는 이산화 규소 박막등의 투명 무기물 박막을 이용하지 않는 칼라 표시용 전극판 및 이를 이용한 칼라 표시장치를 얻는 것이다．

본 발명의 상기 목적은 다음의（１）과 （２）로 된 제조 방법과 그러한 제조 방법에 의해 얻어지는 칼라 표시장치용 전극판 및 상기 각 칼라 표시장치용 전극판을 이용한 칼라 표시장치에 의해서 이루어진다．

(１）기판상에 칼라 필터와 투명 도전막을 순차적으로 형성하고 칼라 표시장치용 전극판을 제조한 칼라 표시장치용 전극판의 제조 방법에 있어서，기판상에 칼라 필터를 형성하고，이어서 대략 대기압의 건조 분위기하에서의 방전을 이용한 처리에 의해 상기 칼라 필터가 적어도 부분적으로 탄화된 층을 형성하고，그 부분적으로 탄화된 칼라 필터층상에 투명 도전막을 형성한 칼라 표시장치용 전극판의 제조 방법．

（２）기판상에, 칼라 필터와, 칼라 필터를 보호하는 유기 보호막 및 투명 도전막을 순차적으로 형성해서 칼라 표시장치용 전극판을 제조하는 칼라 표시장치용 전극판의 제조 방법에 있어서，기판상에 칼라 필터와 유기 보호막을 순차적으로 형성하고，이어서 대략 대기압의 건조 분위기하에서의 방전을 이용한 처리에 의해 상기 유기 보호 막상에 적어도 부분적으로 탄화된 층을 형성하고，그 부분적으로 탄화된 유기 보호 막상에 투명 도전막(무기물 도전막)을 형성한 칼라 표시장치용 전극판의 제조 방법．

상기（１）의 발명에 의하면，대략 대기압의 건조 분위기하에서 방전을 이용해 처리함으로써，고가의 진공 처리 설비를 필요로 하는 것 없이 칼라 필터상에 부분적으로 탄화된 칼라 필터층을 형성할 수 있고，그 결과，칼라 필터의 물리적·화학적인 손상을 막고，그 위에 형성된 투명 도전막(무기물 도전막)과의 밀착성을 향 상시킬 수 있다．

상기（２）의 발명에 있어서도，대략 대기압의 건조 분위기하에서 방전을 이용해 처리함으로써, 고가인 진공 처리 설비를 필요로 하는 것 없이 유기 보호 막상에 부분적으로 탄화된 유기 보호 막층을 형성할 수 있고，그 결과，유기 보호막의 물리적·화학적인 손상을 막고，그 위에 형성된 투명 도전막(무기물 도전막)과의 밀착성을 향상시킬 수가 있다．

통상의 대기압 분위기하에서 칼라 필터 또는 유기 보호막에 방전을 이용한 탄화 처리를 행한 경우는，칼라 필터 또는 유기 보호막으로의 화학적 손상을 초래하고，결과로서 내(耐) 알카리성이 뒤떨어지는 칼라 표시장치용 전극판이 된다．그러나，본 발명자들은，미리 대기압 분위기를 건조시키고，그 분위기속에서 코로나(corona) 방전을 이용한 처리 또는 상압(常壓) 플라즈마(plasma) 처리하는 것에 의해，칼라 필터 또는 유기 보호막의 물리적·화학적인 손상을 막고，또한 이러한 막상에 형성된 투명 도전막과의 밀착성을 향상시킬 수 있는 것을 찾아내고，본 발명을 완성시켰다．

본 발명자들이 찾아낸 상기 현상에 관한 기술적인 이유에 대해서는，현재 명료하게 설명한 것은 곤란하지만, 통상의 대기 분위기에 포함된 수분자(水分子)가 ，코로나 방전 또는 상압 플라즈마에 의해 전리(電離)되고，칼라 필터 또는 유기 보호막에 대하여 어떠한 물리적 또는 화학적인 악영향을 주고 있는 것이라고 추측된다．

여기서, 상기 "대략 대기압"이란，대기압 및 상기 방전을 개시·계속하기 쉽 도록, 방전을 이용한 처리 장치의 구조상 무리가 없는 범위에서 감압(減壓)한 압력을 말한다．

대략 대기압의 건조 분위기를 얻기위해서는 다양한 방법이 있지만 ，상기 장치의 방전을 이용한 처리부의 필요 부분을 덮도록 하는 처리조(processing tank)를 설치하고，그 내부를 흡습제를 가설한 건조 공기 또는 프로세스(process)에 이용한 건조 가스로 퍼지(purge)하는 방법이 가장 용이하다．

또한，상기 방전을 이용한 처리로서는, 방전용 장치의 간편성/범용성이나 연속 처리가 가능한 점으로부터 코로나 방전을 이용한 처리 또는 상압 플라즈마 처리가 매우 적합하게 사용된다．

코로나 방전 처리를 하는 경우에는，고주파 전원 장치，방전 전극 및 유전체로 된 일반적인 방전 처리 장치를 이용 할 수 있다． 상기 코로나 방전의 처리 조건은, 그 방전 처리 장치의 구조에 따라서 최적의 조건이 변화된다．그 출력으로서는 0.1 ｋＷ 이상 １.5 ｋＷ 이하，보다 바람직하게는 0.2 ｋＷ 이상 １.2 ｋＷ 이하가 바람직하다．극단적으로 과대한 방전을 이용한 처리를 하게 되면，칼라 필터및 유기 보호막에 데미지（damage）를 주는 것이 되고，오히려 물리적·화학적인 내구성이 떨어지게 된다.

방전용 전극과 처리할 칼라 필터 부착 기판 또는 칼라 필터상에 유기 보호막을 피복한 기판과의 거리는，방전 처리용 장치의 구조에 따라 최적 조건이 변화되지만，５ｍｍ 미만이면，칼라 필터 또는 유기 보호막이 손상되어, 오히려 얻어진 탄화층을 포함한 막의 물리적·화학적인 내구성이 떨어지게 된다. 방전을 이용한 처리시간은，칼라 필터 또는 유기 보호막의 표면의 적어도 일부를 탄화 할 수 있을 정도의 시간이라면 특별히 한정되지 않지만，방전을 이용한 처리시간이 1분을 초과하면，탄화가 과도하게 증가되는 경우가 있다．

상압 플라즈마 처리를 행한 경우에는，전원 장치，방전 전극，가스 도입관，챔버(chamber)등으로 된 일반적인 방전 처리 장치를 이용 할 수 있다．이 방전 처리 장치에는，한 쌍의 대향하는 면을 설치하고，상기 한 쌍의 적어도 한쪽 면에 고체 유전체를 설치하고，또，상기 한 쌍의 대향하는 면의 표면 부근에 한 쌍의 금속 전극을 설치하고，칼라 필터 또는 유기 보호막이 통과할 수 있는 상기 금속 전극들 사이의 전극간(電極間)이 설치된다. 그리고，상기 전극간을 칼라 필터 또는 유기 보호막이 통과하고 있는 사이에 전극간에 전압이 인가되어，플라즈마가 발생된다.

상기 전극간에 인가된 전계(電界)는，교류 파형외，펄스（pulse）화된 전계등을 이용해도 좋다．상압 플라즈마（plasma）처리의 경우에 있어서의 방전 처리 조건은，그 방전 처리 장치의 구조에 따라 최적 조건이 변화되지만，극단적으로 과대한 방전을 이용한 처리를 행하면, 칼라 필터 또는 유기 보호막에 데미지（damage）를 주는 것이 되고，오히려 물리적·화학적인 내구성이 떨어질 가능성이 있다．

상압 플라즈마 처리에 사용된 처리 가스는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면，아르곤(Argon)，헬륨(Helium)，질소，공기，산소등을 들수 있다. 아르곤(Argon), 헬륨(Helium)등의 희귀 가스가, 칼라 필터 및 유기 보호막에 대하여 화학적인 작용을 미치는 것이 작아 안정되게 처리될 수 있기 때문에，보다 바람직하다．이들은，단독으로 사용할 수도 있고 ２종 이상의 가스를 혼합해서 이용해도 좋 다．

가속 전압은，５ｋＶ 이상 ２０ｋＶ 이하，보다 바람직하게는, ８ｋＶ 이상 １５ｋＶ 이하이다．극단적으로 과대한 방전을 이용한 처리를 행하면，칼라 필터및 유기 보호막에 데미지를 주게 되고，오히려 물리적·화학적인 내구성이 떨어질 가능성이 있다．처리시간은，상기 처리 대상막의 표면을 탄화할 정도의 시간이라면 특별히 한정되지 않지만，방전을 이용한 처리시간이 １분을 초과하면，탄화가 과도하게 증가되는 경우가 있다．

상기(１）및（２）의 본 발명에서는，투명 도전막과 부분적으로 탄화된 층과의 밀착성을 향상시킬 목적으로，상기 투명 도전막과 상기 부분적으로 탄화된 층의 사이에，금속의 산화물，질화물，산 질화물중 적어도 어느 하나의 화합물로 이루어지는 밀착층을 배치하는 것이 바람직하다．

본 발명의 칼라 표시장치용 전극판의 투명 도전막과 부분적으로 탄화된 층의 사이에，금속의 산화물，질화물，산 질화물중 어느 한쪽의 화합물로 된 밀착층을 배치한 것에 의해, 투명 도전막과 부분적으로 탄화된 층과의 밀착성이 향상되기 때문에，상기 밀착층을 배치하지 않는 경우와 비교해서，웨트 에칭에 의한 전극 배선 패턴을 형성할 때의 상기 배선 패턴 단부의 형상 정밀도가 보다 확실하게 향상된다. 즉，상기 방전을 이용한 처리의 최적 처리 조건의 마진（margin）이 넓어진다는 것을 의미한다．

금속의 산화물，질화물，산 질화물중 적어도 어느 하나의 화합물로 이루어지는 밀착층으로서，이산화 규소，산화 탄타륨(tantalum)，산화 알루미늄，질화 규소 ，산 질화 규소，산화 티탄（Titan），산화 지르코늄（zirconium）등 투명 금속 산화막，투명 금속 질화막，투명 금속산 질화막을 들 수 있다．밀착층의 성막 방법으로서는, 진공 증착법이나 직류 마그네트론(magnetron) 스퍼터링법，고주파 마그네트론 스퍼터링법등이 사용된다．성막시에 가해지는 부분적으로 탄화된 층으로 영향이나 기판의 면적확대에 대한 적용의 편리성등을 고려하면，직류 마그네트론 스퍼터링법을 이용한 이산화 규소，산화 탄타륨，질화 규소，산 질화 규소의 밀착층의 성막 방법이 바람직하다．캐소드(cathode）에 인가된 전압은，연속적으로 인가될 수 도 있고，펄스(pulse)적으로 인가해도 좋으며, 선택된 밀착층의 성분에 따라, 상기 전하 인가법(electro-charge applying method)의 어느 한쪽을 적절 선택한다.

또한，상기（１）및（２）의 본 발명에서는，탄화되고 있는 층에 있어서 Ｘ선광 전자 분광법에 의한 카르복실기(carboxyl group)에 기인한 신호（Ｉ_COO）에 대한 Ｃ－Ｃ 결합에 기인한 신호（Ｉ_Ｃ－Ｃ）의 비율（Ｉ_Ｃ－Ｃ／Ｉ_COO）을 탄화되어 있지 않은 칼라 필터 또는 유기 보호막의 그것보다도 크게 하여도 좋다．

본 발명의 칼라 표시장치용 전극판에 있어서，탄화되고 있는 층의 상기 비율（Ｉ_Ｃ－Ｃ／Ｉ_COO）이 탄화되지 않는 칼라 필터 또는 유기 보호막의 그것보다도 크다는 사실이，탄화층이 형성된 다는 것을 의미한다．

본 발명에서 언급되고 있는 부분적인 탄화층은，반드시 균일하게 탄화되는 층일　필요는 없고，요구된 수준 이상의 내약품성을 갖는다면，탄화층은 불균일한 두께라도 좋다．그러나，탄화층이 극단적으로 두꺼운 경우，탄화층에 의한 가시광 의 흡수가 발생되고 투과율이 감소하기 때문에 바람직하지 않는다．또，극단적으로 탄화가 진행된 경우，그 탄화층과 그 상에 형성된 박막층과의 밀착성이 떨어지기 때문에 바람직하지 않다．

본 발명이 대상으로 하는 칼라 필터는，성막 방법이나 착색 방법에 관계없이, 소정의 파장을 갖는 빛을 투과시키는 수지라면，어떠한 수지라도 상관하지 않는다．또，본 발명이 대상으로 하는 유기 보호막은，일반적으로는 아크릴（acryl）계，폴리이미드（polyimide）계，에폭시(epoxy）계의 수지，또는 이들의 혼합물이 사용되지만，목적으로 하는 보호 성능이 만족되는 것이라면 어떠한 수지라도 상관하지 않는다．

본 발명에 있어서 이용될 있는 투명 도전막으로서는, 인듐（indium），주석（tin），아연중 적어도 ２종 이상을 포함한 복합 산화물(complex oxide)，주석（tin）이나 알루미늄（aluminium）를 도프（dope）한 산화 아연， 또는 전기 저항이 낮은 금，은，동，백금중 적어도 １종 이상을 포함한 금속막을 산화 인듐（indium）등의 투명 금속 산화막으로 끼워진(sandwiched) 것등이 사용되지만，목적으로 하는 투명성을 갖는 도전막이라면，어떠한 재료라도 사용할 수 있고，그 재료에 특히 한정되는 것은 아니다．

본 발명의 칼라 표시장치용 전극판은 도 １∼도 ４에 도시된 단면을 갖는다．또，본 발명의 칼라 표시장치용 전극판에 있어서는，칼라 필터 혹은 유기 보호막과 투명 전극과의 사이의 적어도 부분적으로 탄화된층 또는 칼라 필터 혹은 유기 보호막과 밀착층과의 사이의 적어도 부분적으로 탄화된 층이，그 하부의 기체(基體)를 물리적·화학적 손상으로부터 보호하는 역할을 수행한다．

도１은 본 발명의 칼라 표시장치용 전극판의 일실시 형태를 나타내는 단면도이다．

도２는 본 발명의 칼라 표시장치용 전극판의 다른 실시 형태를 나타내는 단면도이다．

도３은 본 발명의 칼라 표시장치용 전극판의 또 다른 실시 형태를 나타내는 단면도이다．

　　도４는 본 발명의 칼라 표시장치용 전극판의 또 다른 실시 형태를 나타내는 단면도이다．

본 발명의 실시의 형태를 도면과 함께 설명한다．

이하, 실시예에 따라 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다．

실시예1

유리 기판상에 젤라틴(gelatin)으로 된 칼라 필터를 통상적인 방법에 따라 형성하고，칼라 필터 부착 유리 기판을 제작하였다．이 칼라 필터의 표면을 Ｘ선광 전자 분광법에 의해 측정한 바，검출된 Ｃ１ｓ의 신호를 해석하고 얻었다. COO결합 에 기인한 신호（Ｉ_COO）에 대한 Ｃ－Ｃ 결합에 기인한 신호（Ｉ_Ｃ－Ｃ）의 비율（Ｉ _Ｃ－Ｃ／Ｉ_COO）은 ４. 22였다．

이 유리 기판에 대해, 0.5 ｋＷ의 전계(電界)에서 30초 코로나（corona） 방전 처리를 가했다．이 때，상기 코로나 방전 처리를 하기 전에, 처리부를 둘러싸는 내부를 건조 공기에 의해 퍼지（purge）하고，내부의 수분을 제거했다．전극과 기판과의 사이의 거리는 10 ｍｍ로 했다．이 칼라 필터의 표면을 Ｘ선광 전자 분광법에 의해 측정한 바，검출된 Ｃ１ｓ의 신호를 해석하고 얻었다. COO 결합에 기인한 신호（Ｉ_COO）에 대한 Ｃ－Ｃ 결합에 기인한 신호（Ｉ_Ｃ－Ｃ）의 비율（Ｉ_Ｃ－Ｃ／Ｉ_COO）은 １７.９１이고，칼라 필터 표면이 탄화된 것을 확인했다．

상기 현상을 확인한 후，별도의 새롭게 제작된 상기 칼라 필터 부착 유리 기판에 대해，마찬가지로 O.5 ｋＷ의 전계에서 ３0초 코로나 방전 처리를 가했다．그 후 바로，이 유리 기판을 진공조에 도입하고，직류 마그네트론（magnetron） 스퍼터링법에 의해 ９O 중량％ 산화 인듐（indium）－１0 중량％ 산화 주석의 복합 산화물(이하，ＩＴＯ라고 함）을 ３00ｎｍ의 두께로 형성했다．이 기판을 진공조에서 취출하고，４0℃의 ５ 중량％ 수산화나트륨 수용액중에 침지한 바，２0분 이상 침지시키고도 ＩＴＯ의 박리는 확인되지 않았다．또한，상기 방법에 의해 제작된 전극판에 대해 염산 및 염화철 수용액을 이용한 웨트 에칭에 의해 전극을 형성한 바, 원하는 형상을 갖는 전극을 얻을 수 있다．이 성능은 후에 나타내는 비교예１, 3보다 현저하게 향상된 것이였다．

실시예 2∼5

코로나 방전의 처리 조건을 표１에 기재된 조건을 한 것 이외는 실시예１과 동일하게 해서 칼라 필터 부착 유리 기판을 얻었다.

이들 칼라 필터의 표면을 Ｘ선광 전자 분광법에 의해 측정한 바，검출된 Ｃ１ｓ의 신호를 해석하고 얻었다，COO 결합에 기인한 신호（Ｉ_COO）에 대한 Ｃ－Ｃ 결합에 기인한 신호（Ｉ_Ｃ－Ｃ）의 비율（Ｉ_Ｃ－Ｃ／Ｉ_COO）은 표１에게 나타난 바와 같고, 칼라 필터 표면이 탄화된 것을 확인했다．

상기의 현상을 확인한 후，별도로 새롭게 제작된 상기 칼라 필터 부착 유리 기판에 대해，코로나 방전의 처리 조건을 표１에 기재된 조건으로 해서 코로나（corona） 방전 처리를 수행했다．그 후 바로，이 유리 기판을 진공조에 도입하고，직류 마그네트론 스퍼터링법에 의하여 ＩＴＯ를 ３００ｎｍ의 두께로 형성했다．이 기판을 진공조에서 취출하고，４０℃의 ５ 중량％ 수산화나트륨 수용액중에 침지한 바, 후술하는 비교예１,３과 비교해서，상대적으로 내알카리성이 향상되고 있었다．또한，상기 방법에 의해 제작된 전극판에 대해 염산 및 염화철 수용액을 이용한 웨트 에칭에 의한 전극 형성을 행한 바，거의 원하는 형상을 갖는 전극을 얻을 수 있다．

다만, 탄화 처리의 조사 조건(irradiation condition)이 과혹한 실시예 ５의 경우，비교예１,３과 비교해서 분명히 칼라 필터의 부분적 탄화가 진행되고 있기 때문에，ＩＴＯ와의 밀착성이 비교예 １,３ 보다 더욱 더 개선되고 있다．그러나，실시예５는，탄화 처리의 조사 조건이 가장 온화한 실시예２와 비교해서 칼라 필터의 부분적 탄화가 증진되고 있기 때문에，ＩＴＯ와의 밀착성의 저하가 원인이라고 생각된 패턴（pattern） 단부에서의 극히 가벼운 박리가 육안으로 확인 되었다．

실시예 6

유리 기판상에 젤라틴으로 된 칼라 필터를 형성하고，칼라 필터 부착 유리 기판을 제작했다．그 상에 아크릴（acryl）계의 유기 수지인　폴리 글리시딜 메타크릴레이트(polyglycidyl methacrylate）에 경화제(硬化劑)로서 무수 토리메신 산(Trimesic acid anhydried)을 첨가하고，２００℃에서 １ 시간 소성(燒成)하였다. 이 유기 보호막의 표면을 Ｘ선광 전자 분광법에 의해 측정한 바，검출된 Ｃ１ｓ의 신호를 해석하고 얻었다，COO 결합에 기인한 신호（Ｉ_COO）에 대한 Ｃ－Ｃ 결합에 기인한 신호（Ｉ_Ｃ－Ｃ）의 비율（Ｉ_Ｃ－Ｃ／Ｉ_COO）은 4.93이었다．

이 유리 기판에 대해，0.5 ｋＷ의 전계에서 ３0초 코로나（corona） 방전 처리를 실시하였다．이 유기 보호막의 표면을 Ｘ선광 전자 분광법에 의해 측정한 바，검출된 Ｃ１ｓ의 신호를 해석하고 얻었다，COO 결합에 기인한 신호（Ｉ_COO）에 대한 Ｃ－Ｃ 결합에 기인한 신호（Ｉ_Ｃ－Ｃ）의 비율（Ｉ_Ｃ－Ｃ／Ｉ_COO）은 24.40이고，유기 보호막의 표면이 탄화된 것을 확인하였다．

상기 현상을 확인한 후，별도의 새롭게 제작된 상기 칼라 필터와 유기 보호 막 부착 유리 기판에 대해，마찬가지로 0.5 ｋＷ의 전계에서 ３０초 코로나（corona） 방전 처리를 실시하였다．이 때，코로나 방전을 행하기 전에，처리부를 둘러싸는 내부를 건조 공기에 의해 퍼지（purge）하고，내부의 수분을 제거하였다．전극과 기판과의 사이의 거리는 10ｍｍ로 하였다．그 후，바로，이 유리 기판을 진공조에 도입하고，직류 마그네트론 스퍼터링법에 의하여 ＩＴＯ를 ３00ｎｍ의 두께로 형성했다．이 기판을 진공조에서 취출하고，４０℃의 ５ 중량％ 수산화나트륨 수용액중에 침지한 바，２０분 이상 침지시키고도 ＩＴＯ의 박리는 확인되지 않았다．또，상기 방법에 의해 제작된 전극판에 대해 염산 및 염화철 수용액을 이용한 웨트（wet） 에칭（etching）에 의한 전극 형성을 행한 바，거의 원하는 형상을 갖는 전극을 얻을 수 있었다．이 성능은 후술하는 비교예２,４와 비교해서 현저하게 향상된 것이였다.

실시예 7∼10

코로나 방전의 처리 조건을 표１에 기재된 조건으로 한 것 이외는 실시예 ６과 똑같이 하고 칼라 필터와 유기 보호 막 부착 유리 기판을 얻었다.

이들 유기 보호막의 표면을 Ｘ선광 전자 분광법에 의해 측정한 바，검출된 Ｃ１ｓ의 신호를 해석하고 얻었다. COO 결합에 기인한 신호（Ｉ_COO）에 대한 Ｃ－Ｃ 결합에 기인한 신호（Ｉ_Ｃ－Ｃ）의 비율（Ｉ_Ｃ－Ｃ／Ｉ_COO）은 표 1과 같고, 유기 보호막의 표면이 탄화된 것을 확인하였다．단, 조사 조건이 가장 과혹한 실시예１０의 경 우，분명한 착색이 유기 보호막의 표면에서 확인되었다．

상기의 현상을 확인한 후，별도의 새롭게 제작된 상기 칼라 필터와 유기 보호 막 부착 유리 기판에 대해，코로나 방전의 처리 조건을 표１에 기재된 조건으로 하여 마찬가지로 코로나 방전 처리를 실시했다．그 후，바로，이 유리 기판을 진공조에 도입하고，직류 마그네트론（magnetron） 스퍼터링(sputtering）법에 의해 ＩＴＯ를 ３００ｎｍ의 두께로 형성하였다．이 기판을 진공조에서 취출하고，４０℃의 ５ 중량％ 수산화나트륨 수용액중에 침지한 바，후에 나타내는 비교예２,４와 비교해，상대적으로 내알카리성이 향상되고 있었다．또，상기 방법에 의해 제작된 전극판에 대해 염산 및 염화철 수용액을 이용한 웨트 에칭에 의한 전극 형성을 행한 바，대략 원하는 형상을 갖는 전극을 얻을 수 있다．단，탄화 처리의 조사 조건이 가장 과혹한 실시예１０의 경우，비교예２，４와 비교해 분명히 유기 보호막의 부분적 탄화가 증진되고 있기 때문에, ＩＴＯ와의 밀착성이 비교예２，４ 보다 더욱 더 개선되고 있었다．그러나，실시예１０은 탄화 처리의 조사 조건이 가장 온화한 실시예７과 비교해 칼라 필터의 유기 보호막의 부분적 탄화가 증진되고 있기 때문에，ＩＴＯ와의 밀착성 저하의 원인으로 생각된 패턴 단부에서의 극히 가벼운 박리가 육안에 의해 확인되었다.

실시예 11

유리 기판상에 통상적인 방법에 의해 젤라틴으로 된 칼라 필터를 형성하고，칼라 필터 부착 유리 기판을 제작하였다．이 칼라 필터의 표면을 Ｘ선광 전자 분광 법에 의해 측정한 바，검출된 Ｃ１ｓ의 신호를 해석하고 얻었다，COO 결합에 기인한 신호（Ｉ_COO）에 대한 Ｃ－Ｃ 결합에 기인한 신호（Ｉ_Ｃ－Ｃ）의 비율（Ｉ_Ｃ－Ｃ／Ｉ_COO）은 ４．２２였다．

이 유리 기판에 대해，처리 가스로서 아르곤（Argon）를 이용하고，대기압하에서 인가 전압 １１ｋＶ，주파수 ６ｋＨ　의 펄스 전계를 인가하고，고체 유전체로서 알루미나（alumina）를 이용해서 ２０초간 플라즈마（plasma） 처리를 실시하였다. 이 때，플라즈마 처리를 행하기 전에 처리부를 둘러싸는 내부를 건조 공기에 의해 퍼지（purge）하고，내부의 수분을 제거하였다．이 칼라 필터의 표면을 Ｘ선광 전자 분광법에 의해 측정한 바，검출된 Ｃ１ｓ의 신호를 해석하고 얻었다. COO 결합에 기인한 신호（Ｉ_COO）에 대한 Ｃ－Ｃ 결합에 기인한 신호（Ｉ_Ｃ－Ｃ）의 비율（Ｉ_Ｃ－Ｃ／Ｉ_COO）은 １９．１２이고，칼라 필터 표면이 탄화된 것을 확인하였다．

상기 현상을 확인한 후，별도의 새롭게 제작된 칼라 필터 부착 유리 기판에 대해，마찬가지로 처리 가스로서 아르곤을 이용하고，대기압하에서 인가 전압 １１ｋＶ，주파수 ６ｋＨ의 펄스 전계를 인가하고，고체 유전체로서 알루미나（alumina）를 이용하고 ２０초간 플라즈마（plasma） 처리를 가했다．그 후，바로，이 유리 기판을 진공조에 도입하고，직류 마그네트론 스퍼터링법에 의해 ＩＴＯ를 ３００ｎｍ의 두께로 형성하였다．이 기판을 진공조에서 취출하고，４０℃의 ５ 중량％ 수산화나트륨 수용액중에 침지한 바，２０분 이상 침지시키고도 ＩＴＯ의 박리는 확인되지 않았다．또，상기 방법에 의해 제작된 전극판에 대해 염산 및 염화철 수용 액을 이용한 웨트 에칭에 의한 전극 형성을 행한 바，원하는 형상을 갖는 전극을 얻을 수 있었다．이러한 성능은 후에 나타내는 비교예１, 5와 비교해서 현저하게 향상된 것이였다．

실시예 1２∼1５

플라즈마（plasma） 처리의 처리 조건을 표２에 기재된 조건을 제외하고는 실시예１１과 똑같이 하고 칼라 필터(filter) 부착 유리 기판을 얻었다.

이들 칼라 필터의 표면을 Ｘ선광 전자 분광법에 의해 측정한 바，검출된 Ｃ１ｓ의 신호를 해석하고 얻었다，COO 결합에 기인한 신호（Ｉ_COO）에 대한 Ｃ－Ｃ 결합에 기인한 신호（Ｉ_Ｃ－Ｃ）의 비율（Ｉ_Ｃ－Ｃ／Ｉ_COO）은 표 ２와 같고, 칼라 필터 표면이 탄화된 것을 확인하였다．

상기 현상을 확인한 후，별도의 새롭게 제작된 칼라 필터 부착 유리 기판에 대해，플라즈마 처리의 처리 조건을 표２에게 기재된 조건으로 하여 마찬가지로 플라즈마 처리를 실시하였다．그 후 바로，이 유리 기판을 진공조에 도입하고，직류 마그네트론 스퍼터링법에 의해 ＩＴＯ를 ３００ｎｍ의 두께로 형성했다．이 기판을 진공조에서 취출하고，４０℃의 ５ 중량％ 수산화나트륨 수용액중에 침지한 바，후에 나타내는 비교예１,５와 비교해서，상대적으로 내알카리성이 향상되고 있다．또，상기 방법에 의해 제작된 전극판에 대해 염산 및 염화철 수용액을 이용한 웨트 에칭에 의한 전극 형성을 행한 바，원하는 형상을 갖는 전극을 얻을 수 있다．단지 ，조사 조건이 가장 과혹한 실시예１５의 경우，비교예１，５와 비교해서 분명히 칼라 필터의 부분적 탄화가 증진되고 있기 때문에，ＩＴＯ와의 밀착성이 비교예１,５ 보다 더욱 더 개선되고 있다．그러나，실시예１５는 탄화 처리의 조사 조건이 가장 온화한 실시예１２와 비교해서 칼라 필터의 부분적 탄화가 증진되고 있기 때문에，ＩＴＯ와의 밀착성의 저하가 원인이라고 생각된 패턴 단부에서의 극히 가벼운 박리가 육안으로 확인되었다．

실시예 16

유리 기판상에 젤라틴（gelatin）으로 된 칼라 필터를 형성하고，칼라 필터 부착 유리 기판을 제작했다．그 상에 아크릴（acryl）계의 유기 수지인　폴리 글리시딜 메타크릴레이트에 경화제로서 무수 토리메신 산을 첨가해서 도포하고，２００℃에서 １ 시간 소성했다．이 유기 보호막의 표면을 Ｘ선광 전자 분광법에 의해 측정한 바，검출된 Ｃ１ｓ의 신호를 해석하고 얻었다，COO 결합에 기인한 신호（Ｉ_COO）에 대한 Ｃ－Ｃ 결합에 기인한 신호（Ｉ_Ｃ－Ｃ）의 비율（Ｉ_Ｃ－Ｃ／Ｉ_COO）은 ４．９３이였다．

이 유리 기판에 대해，처리 가스로서 아르곤（Argon）를 이용하고，대기압하에서 인가 전압 １１ｋＶ，주파수 ６ｋＨ　의 펄스（pulse） 전계를 인가하고，고체 유전체로서 알루미나（alumina）를 이용하고 ２０초간 플라즈마（plasma） 처리를 가했다．이 때，상기 플라즈마（plasma） 처리를 행하기 전에，처리부를 둘러싸 는 내부를 건조 공기에 의해 퍼지（purge）하고，내부의 수분을 제거하였다．이 유기 보호막의 표면을 Ｘ선광 전자 분광법에 의해 측정한 바，검출된 Ｃ１ｓ의 신호를 해석하고 얻었다. COO 결합에 기인한 신호（Ｉ_COO）에 대한 Ｃ－Ｃ 결합에 기인한 신호（Ｉ_Ｃ－Ｃ）의 비율（Ｉ_Ｃ－Ｃ／Ｉ_COO）은 ２４．３０이고，유기 보호막의 표면이 탄화된 것을 확인했다．

상기 현상을 확인한 후，별도의 새롭게 제작된 칼라 필터와 유기 보호막 부착 유리 기판에 대해，마찬가지로 대기압하에서 인가 전압 １１ｋＶ，주파수 ６ｋＨz　의 펄스 전계를 인가하고，고체 유전체로서 알루미나（alumina）를 이용하고 ２０초간 플라즈마 처리를 실시하였다．그 후 바로，이 유리 기판을 진공조에 도입하고，직류 마그네트론 스퍼터링법에 의하여 ＩＴＯ를 ３００ｎｍ의 두께로 형성했다．이 기판을 진공조에서 취출하고，４０℃의 ５ 중량％ 수산화나트륨 수용액중에 침지한 바，２０분 이상 침지시키고도 ＩＴＯ의 박리는 확인되지 않았다．또，상기 방법에 의해 제작된 전극판에 대해 염산 및 염화철 수용액을 이용한 웨트 에칭에 의한 전극 형성을 행한 바，원하는 형상을 갖는 전극을 얻을 수 있다．이러한 성능은 후에 나타내는 비교예２，６과 비교해서 현저하게 향상된 것이였다．

실시예 17∼20

플라즈마 처리의 처리 조건을 표２에 기재된 조건으로 하는 것 이외는 실시예１６과 똑같이 하고 칼라 필터와 유기 보호막 부착 유리 기판을 얻었다.

이 유기 보호막의 표면을 Ｘ선광 전자 분광법에 의해 측정한 바，검출된 Ｃ１ｓ의 신호를 해석하고 얻었다. COO 결합에 기인한 신호（Ｉ_COO）에 대한 Ｃ－Ｃ 결합에 기인한 신호（Ｉ_Ｃ－Ｃ）의 비율（Ｉ_Ｃ－Ｃ／Ｉ_COO）은 표 ２와 같고，유기 보호막의 표면이 탄화된 것을 확인했다．단，조사 조건이 가장 과혹한 실시예１８의 경우，분명한 착색이 유기 보호막의 표면에서 확인 되었다．

상기 현상을 확인한 후，별도의 새롭게 제작된 칼라 필터와 유기 보호막 부착 유리 기판에 대해，플라즈마 처리의 처리 조건을 표２에 기재된 조건으로 하여 플라즈마 처리를 실시했다．그 후 바로，이 유리 기판을 진공조에 도입하고，직류 마그네트론 스퍼터링법에 의하여 ＩＴＯ를 ３００ｎｍ의 두께로 형성했다．이 기판을 진공조에서 취출하고，４０℃의 ５ 중량％ 수산화나트륨 수용액중에 침지한 바，후에 나타내는 비교예２,６과 비교해서，상대적으로 내알카리성이 향상되고 있다．또，상기 방법에 의해 제작된 전극판에 대해 염산 및 염화철 수용액을 이용한 웨트 에칭에 의한 전극 형성을 행한 바，원하는 형상을 갖는 전극을 얻을 수 있다．단，조사 조건이 가장 과혹한 실시예２０의 경우，비교예２，６과 비교해서 분명히 부분적 탄화가 증진되고 있기 때문에，ＩＴＯ와의 밀착성이 비교예２，６ 보다 더욱 더 개선되고 있다．그러나，실시예 ２０은 탄화 처리의 조사 조건이 가장 온화한 실시예１７과 비교해서 칼라 필터의 부분적 탄화가 증진되고 있기 위해，밀착성의 저하가 원인이라고 생각된 패턴 단부에서의 극히 가벼운 박리가 육안에 의해 확인되었다．

실시예 ２1

코로나 방전의 처리 조건을 실시예５（웨트 에칭에 의한 전극 형성에 있어서，패턴 단부에서의 극히 가벼운 박리가 보여진 것）와 똑같이 하고 칼라 필터 부착 기판을 얻었다.

이들 칼라 필터 표면의 비율（Ｉ_Ｃ－Ｃ／Ｉ_COO）은 실시예 ５와 같이 ２３．８４이고，칼라 필터 표면이 탄화된 것을 확인했다．

별도로 새롭게 제작한 칼라 필터 부착 유리 기판에 대해，금속 실리콘（silicon）를 타겟（target）으로 해서，산소를 반응성 가스로서 이용한 반응성 직류 마그네트론 스퍼터링법에 의하여 ＳｉＯ_２로 된 표 ３에 나타내는 밀착층을 １０ｎｍ의 두께로 성막하고，그 상에 직류 마그네트론 스퍼터링법에 의해 ＩＴＯ를 ３００ｎｍ의 두께로 형성했다．이러한 기판을 진공조에서 취출하고，４０℃의 ５ 중량％ 수산화나트륨 수용액중에 침지한 바，후에 나타내는 비교예 ７과 비교해서，상대적으로 내알카리성이 향상되고 있다．또，상기 방법에 의해 제작된 전극판에 대해 염산 및 염화철 수용액을 이용한 웨트 에칭에 의한 전극 형성을 행한 바，실시예５와 비교해서 패턴 단부에서의 가벼운 박리도 보여지지 않았으며, 원하는 형상을 갖는 전극을 얻을 수 있었다．이 이유에 대해서는，실시예５에서는 코로나 방전 처리를 심하게 수행했기 때문에，탄화층과 ＩＴＯ와의 계면에서의 밀착성이 조금 떨어진 것이지만, 본 실시예에 있어서는 그 계면에 밀착층을 삽입했기 때 문에 실시예５에서의 저하된 밀착성을 보충하도록 밀착층이 작용하고 있는 것이라고 추측된다．

실시예 ２2

코로나 방전의 처리 조건을 실시예 １０（웨트 에칭에 의한 전극 형성에 있어，패턴（pattern） 단부에서의 극히 가벼운 박리가 보여진 것）과 똑같이 하고 칼라 필터 및 유기 보호막 부착 기판을 얻었다.

상기 현상을 확인한 후，별도의 새롭게 제작된 칼라 필터 및 유기 보호 막 부착 표면의 비율（Ｉ_Ｃ－Ｃ／Ｉ_COO）은 실시예 １０과 같이 ２９．５９이고，유기 보호막 표면이 탄화된 것을 확인했다．

상기의 현상을 확인한 후，별도의 새롭게 제작된 칼라 필터 및 유기 보호막 부착 유리 기판에 대해，금속 탄타륨(tantalum)을 타겟으로 해서，산소를 반응성 가스로서 이용한 반응성 직류 마그네트론 스퍼터링법에 의해 Ｔａ_２Ｏ_５로 된 표３에 나타내는 밀착층을 10ｎｍ의 두께로 성막하고，그 상에 직류 마그네트론 스퍼터링법에 의해 ＩＴＯ를 ３００ｎｍ의 두께로 형성했다． 이러한 기판을 진공조에서 취출하고，４０℃의 ５ 중량％ 수산화나트륨 수용액중에 침지한 바，후에 나타내는 비교예 ８과 비교해서，상대적으로 내알카리성이 향상되고 있다．또，상기 방법에 의해 제작된 전극판에 대해 염산 및 염화철 수용액을 이용한 웨트 에칭에 의한 전극 형성을 행한 바，실시예１０과 비교해서 패턴 단부에서의 가벼운 박리도 보여지 지 않았으며，원하는 형상을 갖는 전극을 얻을 수 있다．이 이유에 대해서는，실시예１０에서는 코로나 방전 처리를 심하게 행했기 때문에，탄화층과 ＩＴＯ와의 계면에서의 밀착성이 저하된 것이지만, 본 실시예에 있어서는，그 계면에 밀착층을 삽입했기 때문에 ，실시예 １０에 있어 저하된 밀착성을 보충한 형태로 밀착층이 작용하고 있는 것이라고 추측된다．

실시예 ２3, 24

칼라 필터및 칼라 필터/유기 보호막은 각각 실시예 ２１ 및 실시예 ２２와 똑같이 하고 칼라 필터 부착 유리 기판 및 칼라 필터와 유기 보호막 부착 유리 기판을 얻었다.

이들 칼라 필터 부착 유리 기판 및 칼라 필터 와 유기 보호막 부착 유리 기판 표면에 표３에 나타내는 조건으로 코로나 방전 처리를 실시하고，Ｘ선광 전자 분광법에 의해 측정한 바，검출된 Ｃ１ｓ의 신호를 해석하고 얻었다. COO 결합에 기인한 신호（Ｉ_COO）에 대한 Ｃ－Ｃ 결합에 기인한 신호（Ｉ_Ｃ－Ｃ）의 비율（Ｉ_Ｃ－Ｃ／Ｉ_COO）은 ２３.８４와 ２９.５９이고，칼라 필터 표면이 탄화된 것을 확인했다．

상기 현상을 확인한 후，별도의 새롭게 제작된 칼라 필터 부착 유리 기판 및 칼라 필터와 유기 보호막 부착 유리 기판을 바로 진공조에 도입하고，금속 실리콘을 타겟(target)으로 해서 실시예 ２３에 있어서는 질소，실시예２４에 있어서는 산소와 질소의 혼합 가스를 각각 반응성 가스로서 이용한 반응성 직류 마그네트론 스퍼터링법에 의하여 Ｓｉ_３Ｎ_４，ＳｉＯ_ＸＮ_Ｙ로 된 표３에 나타난 밀착층을 각각 실시하고, 이어서，직류 마그네트론 스퍼터링법에 의하여 ＩＴＯ를 ３００ｎｍ의 두께로 형성했다．

이 기판을 진공조에서 취출하고，４０℃의 ５ 중량％ 수산화나트륨 수용액중에 침지한 바，후에 나타내는 비교예 ９,１０과 비교해서，상대적으로 내알카리성이 향상되고 있다．또，상기 방법에 의해 제작된 전극판에 대해 염산 및 염화철 수용액을 이용한 웨트 에칭에 의한 전극 형성을 행한 바，원하는 형상을 갖는 전극을 얻을 수 있었다．

실시예 ２5∼28

칼라 필터 및 칼라 필터/유기 보호막을 각각 실시예 １５ 또는 실시예 ２０（웨트 에칭에 의한 전극 형성에 있어서，패턴 단부에서의 극히 가벼운 박리가 보여진 것)과 똑같이 하고 칼라 필터 부착 유리 기판 및 칼라 필터와 유기 보호막 부착 유리 기판을 얻었다.

이들 칼라 필터 부착 유리 기판 및 칼라 필터/유기 보호막 부착 유리 기판 표면에 표４에 나타난 조건으로 플라즈마 처리를 실시하고，Ｘ선광 전자 분광법에 의해 측정한 바，검출된 Ｃ１ｓ의 신호를 해석하고 얻었다. COO 결합에 기인한 신호（Ｉ_COO）에 대한 Ｃ－Ｃ 결합에 기인한 신호（Ｉ_Ｃ－Ｃ）의 비율（Ｉ_Ｃ－Ｃ／Ｉ_COO）은 표４에 나타난 바와 같고, 칼라 필터 및 유기 보호막 표면이 탄화된 것을 확인했 다．

상기의 현상을 확인한 후，별도의 새롭게 제작된 칼라 필터 부착 유리 기판 및 칼라 필터/유기 보호막 부착 유리 기판을 진공조에 도입하고，표４에 나타내는 밀착층이 주어지고, 이어서 직류 마그네트론 스퍼터링법에 의해 ＩＴＯ를 ３００ｎｍ의 두께로 형성했다．

이 기판을 진공조에서 취출하고，４０℃의 ５ 중량％ 수산화나트륨 수용액중에 침지한 바，실시예 １５ 또는 ２０과 비교해서 패턴 단부에서의 가벼운 박리도 보여지지 않았으며, 원하는 형상을 갖는 전극을 얻을 수 있다．이 이유에 대해서는，실시예 １５ 또는 ２０에서는 플라즈마（plasma） 처리를 심하게 행했기 때문에 ，탄화층과 ＩＴＯ와의 계면에서의 밀착성이 저하된 것이지만, 실시예 ２５∼２８에 있어서는 그 계면에 밀착층을 삽입했기 때문에，실시예 １５ 또는 ２０에 있어 저하된 상기 밀착성을 보충하도록 밀착층이 작용하고 있는 것으로 추측된다．

비교예 1

코로나 방전 및 플라즈마 처리를 실시하지 않은 것 이외는 실시예１과 동일한 방법에 의해 칼라 표시장치용 전극판을 얻었다. 이 유기 보호막의 표면을 Ｘ선광 전자 분광법에 의해 측정한 바，검출된 Ｃ１ｓ의 신호를 해석하고 얻었다. COO 결합에 기인한 신호（Ｉ_COO）에 대한 Ｃ－Ｃ 결합에 기인한 신호（Ｉ_Ｃ－Ｃ）의 비율（Ｉ_Ｃ－Ｃ／Ｉ_COO）은 ４.２２이였다．

이 기판을 진공조에서 취출하고，４０℃의 ５ 중량％ 수산화나트륨 수용액중에 침지했다．침지 후５분 정도 경과해서 ＩＴＯ의 박리가 육안으로 확인되었다. 또，상기 방법에 의해 제작된 전극판에 대해 염산 및 염화철 수용액을 이용한 웨트 에칭에 의한 전극 형성을 행한 바)，패턴의 에지（edge）로부터 약액이 스며들고 있는 모습이 관찰되고，그 결과 에지（edge）에서 ＩＴＯ의 박리가 일어나고, 원하는 형상을 갖는 전극을 얻을 수가 없었다．

비교예 2

코로나 방전 및 플라즈마 처리를 가하지 않은 것 이외는 실시예 ６과 동일한 방법에 의해 칼라 표시장치용 전극판을 얻었다. 상기 유기 보호막의 표면을 Ｘ선광 전자 분광법에 의해 측정한 바，검출된 Ｃ１ｓ의 신호를 해석하고 얻었다. COO 결합에 기인한 신호（Ｉ_COO）에 대한 Ｃ－Ｃ 결합에 기인한 신호（Ｉ_Ｃ－Ｃ）의 비율（Ｉ_Ｃ－Ｃ／Ｉ_COO）은 ４．９３이였다．

이 기판을 진공조에서 취출하고，４０℃５ 중량％ 수산화나트륨 수용액중에 침지했다．침지 후 ５분 정도 경과해서 ＩＴＯ의 박리가 육안에 의해 확인되었다.또，상기 방법에 의해 제작된 전극판에 대해 염산 및 염화철 수용액을 이용한 웨트 에칭에 의한 전극 형성을 행한 바，패턴 의 에지（edge）로부터 약액이 스며들고 있는 모습이 관찰되고，그 결과 에지（edge）에서 ＩＴＯ의 박리가 일어나고, 원하는 형상을 갖는 전극을 얻을 수가 없었다．

비교예 3

건조 공기에 의하여 처리 분위기(processing atmoshphere)의 퍼지（purge）를 행하지 않은 것 이외는 실시예１과 동일한 방법에 의해 칼라 표시장치용 전극판을 얻었다. 이 칼라 필터의 표면을 Ｘ선광 전자 분광법에 의해 측정한 바，검출된 Ｃ１ｓ의 신호를 해석하고 얻었다. COO 결합에 기인한 신호（Ｉ_COO）에 대한 Ｃ－Ｃ 결합에 기인한 신호（Ｉ_Ｃ－Ｃ）의 비율（Ｉ_Ｃ－Ｃ／Ｉ_COO）은 ４．１２이고，건조 공기 분위기하에서 코로나（corona） 방전 처리를 가한 칼라 필터의 표면과 비교해서 탄화되고 있지 않는 것이 확인되었다．

이 기판을 진공조에서 취출하고，４０℃의 ５ 중량％ 수산화나트륨 수용액중에 침지했다．침지 후５분 정도 경과해서 ＩＴＯ의 박리가 육안으로 확인되었다．또，상기 방법에 의해 제작된 전극판에 대해 염산 및 염화철 수용액을 이용한 웨트 에칭에 의한 전극 형성을 행한 바，패턴의 에지（edge）로부터 약액이 스며들고 있는 모습이 관찰되고，그 결과 에지（edge）에서 ＩＴＯ의 박리가 일어나고, 원하는 형상을 갖는 전극을 얻을 수 없었다．

비교예 4

건조 공기에 의하여 처리 분위기의 퍼지（purge）를 행하지 않은 것 이외는 실시예 ６과 동일한 방법에 의해 칼라 표시장치용 전극판을 얻었다. 이 유기 보호 막의 표면을 Ｘ선광 전자 분광법에 의해 측정한 바，검출된 Ｃ１ｓ의 신호를 해석하고 얻었다. COO 결합에 기인한 신호（Ｉ_COO）에 대한 Ｃ－Ｃ 결합에 기인한 신호（Ｉ_Ｃ－Ｃ）의 비율（Ｉ_Ｃ－Ｃ／Ｉ_COO）은 ４．５８이고，건조 공기 분위기하에서 코로나（corona） 방전 처리를 행한 유기 보호막의 표면과 비교하서 탄화되고 있지 않는 것이 확인되었다．

이 기판을 진공조에서 취출하고，４０℃의 ５ 중량％ 수산화나트륨 수용액중에 침지했다．침지 후５분 정도 경과해서 ＩＴＯ의 박리가 육안으로 확인되었다．또，상기 방법에 의해 제작된 전극판에 대하여 염산 및 염화철 수용액을 이용한 웨트 에칭에 의한 전극 형성을 행한 바，패턴（pattern）의 에지（edge）로부터 약액이 스며들고 있는 모습이 관찰되고，그 결과 에지（edge）에서 ＩＴＯ의 박리가 일어나고, 원하는 형상을 갖는 전극을 얻을 수가 없었다．

비교예 5

건조 공기에 의해 처리 분위기의 퍼지（purge）를 행하지 않은 것 이외는 실시예 １１과 동일한 방법에 의해 칼라 표시장치용 전극판을 얻었다. 이 칼라 필터의 표면을 Ｘ선광 전자 분광법에 의해 측정한 바，검출된 Ｃ１ｓ의 신호를 해석하고 얻었다. COO 결합에 기인한 신호（Ｉ_COO）에 대한 Ｃ－Ｃ 결합에 기인한 신호（Ｉ_Ｃ－Ｃ）의 비율（Ｉ_Ｃ－Ｃ／Ｉ_COO）은 ４．０１이고，건조 아르곤（Argon） 분위기하에서 플라즈마（plasma）처리를 행한 칼라 필터의 표면과 비교해서 탄화되고 있지 않 는 것이 확인됐다．

이 기판을 진공조에서 취출하고，４０℃의 ５ 중량％ 수산화나트륨 수용액중에 침지했다．침지 후５분 정도 경과해서 ＩＴＯ의 박리가 육안으로 확인되었다．또，상기 방법에 의해 제작된 전극판에 대해 염산 및 염화철 수용액을 이용한 웨트 에칭에 의한 전극 형성을 행한 바，패턴의 에지（edge）로부터 약액이 스며들고 있는 모습이 관찰되고，그 결과 에지（edge）에서 ＩＴＯ의 박리가 일어나고, 원하는 형상을 갖는 전극을 얻을 수가 없었다．

비교예 6

건조 공기에 의하여 처리 분위기의 퍼지（purge）를 행하지 않은 것 이외는 실시예 １６과 동일한 방법에 의해 칼라 표시장치용 전극판을 얻었다. 상기 유기 보호막의 표면을 Ｘ선광 전자 분광법에 의해 측정한 바，검출된 Ｃ１ｓ의 신호를 해석하고 얻었다. COO 결합에 기인한 신호（Ｉ_COO）에 대한 Ｃ－Ｃ 결합에 기인한 신호（Ｉ_Ｃ－Ｃ）의 비율（Ｉ_Ｃ－Ｃ／Ｉ_COO）은 ４．９１이고，건조 아르곤（Argon） 분위기하에서 플라즈마（plasma）처리를 행한 유기 보호막의 표면과 비교해서 탄화되고 있지 않는 것이 확인되었다．

기판을 진공조에서 취출하고，４０℃의 ５ 중량％ 산화나트륨 수용액중에 침지했다．침지 후５분 정도 경과해서 ＩＴＯ의 박리가 육안으로 확인되었다．또，상기 방법에 의해 제작된 전극판에 대해서 염산 및 염화철 수용액을 이용한 웨트 에 칭에 의한 전극 형성을 행한 바，패턴의 에지（edge）로부터 약액이 스며들고 있는 모습이 관찰되고，그 결과 에지（edge）에서 ＩＴＯ의 박리가 일어나고, 원하는 형상을 갖는 전극을 얻을 수가 없었다.

비교예 ７∼１０

표 ５에 나타내는 재료를 밀착층으로서 이용하고，코로나（corona） 방전 및 플라즈마（plasma）처리를 하지 않은 것 이외는 각각，실시예 ２１∼２４에 대응하는 조건에 따라 칼라 표시장치용 전극판을 얻었다.

	칼라 필터	유기 보호막	코로나 방전 조건	I_C-C/I_COO	내알카리성	패터닝성 (patterning)
실시예 1	젤라틴	없음	0.5ｋＷ 30 초	17.91	◎	◎
실시예 2	젤라틴	없음	0.2ｋＷ 5 초	5.78	○	○
실시예 3	젤라틴	없음	0.7ｋＷ 20 초	17.55	○	○
실시예 4	젤라틴	없음	0.8ｋＷ 30 초	19.12	◎	○
실시예 5	젤라틴	없음	1.2ｋＷ 30 초	23.84	○	△
실시예 6	젤라틴	폴리글리시딜 메타크릴레이트	0.5ｋＷ 30 초	24.40	◎	◎
실시예 7	젤라틴	폴리글리시딜 메타크릴레이트	0.2ｋＷ 5 초	8.11	○	○
실시예 8	젤라틴	폴리글리시딜 메타크릴레이트	0.7ｋＷ 20 초	23.80	◎	◎
실시예 9	젤라틴	폴리글리시딜 메타크릴레이트	0.8ｋＷ 30 초	26.41	◎	○
실시예 10	젤라틴	폴리글리시딜 메타크릴레이트	1.2ｋＷ 30 초	29.59	○	△
비교예 1	젤라틴	없음	없음	4.22	×	×
비교예 2	젤라틴	폴리글리시딜 메타크릴레이트	없음	4.93	×	×

	칼라 필터	유기 보호막	플라즈마 처리 조건	I_C-C/I_COO	내알카리성	패터닝성 (patterning)
실시예 11	젤라틴	없음	Ar, 11ｋV 20 초	19.12	◎	◎
실시예 12	젤라틴	없음	Ar, 8ｋV 5 초	6.66	○	○
실시예 13	젤라틴	없음	He, 10ｋV 10 초	20.90	◎	○
실시예 14	젤라틴	없음	N₂, 10ｋV 20 초	20.10	◎	○
실시예 15	젤라틴	없음	Ar, 15ｋV 30 초	27.66	○	△
실시예 16	젤라틴	폴리글리시딜 메타크릴레이트	Ar, 11ｋV 20 초	24.30	◎	◎
실시예 17	젤라틴	폴리글리시딜 메타크릴레이트	Ar, 8ｋV 5 초	9.01	○	○
실시예 18	젤라틴	폴리글리시딜 메타크릴레이트	He, 10ｋV 10 초	25.70	◎	◎
실시예 19	젤라틴	폴리글리시딜 메타크릴레이트	N₂, 10ｋV 20 초	24.57	◎	○
실시예 20	젤라틴	폴리글리시딜 메타크릴레이트	Ar, 15ｋV 30 초	32.91	○	△
비교예 1	젤라틴	없음	없음	4.22	×	×
비교예 2	젤라틴	폴리글리시딜 메타크릴레이트	없음	4.93	×	×

	칼라 필터	유기 보호막	코로나 방전 조건	I_C-C/I_COO	밀착성	내알카리성	패터닝성 (patterning)
실시예 21	젤라틴	없음	1.2ｋＷ 30 초	23.84	SiO₂	○	◎
실시예 22	젤라틴	폴리글리시딜 메타크릴레이트	1.2ｋＷ 30 초	29.59	Ta₂O₅	◎	◎
실시예 23	젤라틴	없음	1.2ｋＷ 30 초	23.84	Si₃N₄	◎	◎
실시예 24	젤라틴	폴리글리시딜 메타크릴레이트	1.2ｋＷ 30 초	29.59	SiO_xN_y	◎	◎

	칼라 필터	유기 보호막	플라즈마 처리 조건	I_C-C/I_COO	밀착성	내알카리성	패터닝성 (patterning)
실시예 25	젤라틴	없음	Ar, 15ｋV 30 초	27.66	SiO₂	○	◎
실시예 26	젤라틴	폴리글리시딜 메타크릴레이트	Ar, 15ｋV 30 초	32.91	Ta₂O₅	◎	◎
실시예 27	젤라틴	없음	Ar, 15ｋV 30 초	27.66	Si₃N₄	◎	◎
실시예 28	젤라틴	폴리글리시딜 메타크릴레이트	Ar, 15ｋV 30 초	32.91	SiO_xN_y	◎	◎

	칼라 필터	유기보호막	표면처리조건	I_C-C/I_COO	밀착성	내알카리성	패터닝성 (patterning)
비교예 1	젤라틴	없음	없음	4.22	없음	×	×
비교예 2	젤라틴	폴리글리시딜 메타크릴레이트	없음	4.93	없음	×	×
비교예 3	젤라틴	없음	코로나 0.5kW 30초 (통상분위기)	4.12	없음	×	×
비교예 4	젤라틴	폴리글리시딜 메타크릴레이트	코로나 0.5kW 30초 (통상분위기)	4.58	없음	×	×
비교예 5	젤라틴	없음	Ar, 11kV 20초 (통상분위기)	4.01	없음	×	×
비교예 6	젤라틴	폴리글리시딜 메타크릴레이트	Ar, 11kV 20초 (통상분위기)	4.91	없음	×	×
비교예 7	젤라틴	없음	없음	4.22	SiO₂	×	×
비교예 8	젤라틴	폴리글리시딜 메타크릴레이트	없음	4.93	Ta₂O₅	×	×
비교예 9	젤라틴	없음	없음	4.22	Si₃N₄	×	×
비교예 10	젤라틴	폴리글리시딜 메타크릴레이트	없음	4.93	Si0_xN_y	×	×

*내알카리성 평가

４０℃의 ５질량％ 수산화나트륨 수용액중에 ２０분간 침지시키고，박리가 발생하는 지를 판단 판단했다．

-육안으로 완전히 박리가 인정되지 않는 것　◎（합격）

-극히 약간 막이 뜨는 것(부푸는 것)이 확인된 것　○（합격）

-막이 분명히 박리되는 것　×（불합격）

*패터닝(patterning）성 평가

염산 및 염화철 수용액을 이용한 １０분간의 웨트 에칭(wet etching)에 의한 ７０μｍ 라인（line）／２０μｍ 스페이스（space） 피치（pitch）의 전극 형성을 행한 때의 라인（line） 형상으로부터 판단하였다．

-정확한 전극 패턴이 형성된 것　◎（합격）

-전극 패턴이 약간 오버（over） 에칭된 것　○（합격）

-전극 패턴의 단부가 극히 가볍게 박리된 것　△（합격）

-전극 패턴이 분명히 박리된 것　×（불합격）

본 발명에 의하면，적어도 부분적으로 탄화된 표면을 갖는 칼라 필터 또는 유기 보호막을 갖는 칼라 표시장치용 전극판을 이용함으로써, 후공정에서 요구되어지는 내약품성·밀착성을 비약적으로 향상시킬 수 있다. 적어도 부분적으로 탄화된 표면은, 코로나 방전 또는 대략 대기압하에서의 플라즈마（plasma） 처리로 형성될 수 있다. 이에 따라, 종래와 같이, 진공 분위기속에서 처리하기 때문에 대량처리가 곤란하고，또 고가인 진공 처리 장치가 필요하지않게 됨으로써, 그 결과 제조 비용의 절감을 도모할 수 있다．

Claims

기판상에 칼라 필터와 투명 도전막을 순차적으로 형성해서 칼라 표시장치용 전극판을 제조하는 칼라 표시장치용 전극판의 제조 방법에 있어서，

기판상에 칼라 필터를 형성하고，이어서 대기압의 건조 분위기하에서의 방전을 이용한 처리에 의해 상기 칼라 필터가 적어도 부분적으로 탄화된 층이 형성되고，상기 부분적으로 탄화된 칼라 필터층상에 투명 도전막을 형성하는 것을 특징으로 하는 칼라 표시장치용 전극판의 제조 방법．
제 1항에 있어서, 상기 부분적으로 탄화된 칼라 필터층상에 금속의 산화물， 질화물，산질화물(oxynitride)중 어느 하나의 화합물로 이루어진 밀착층을 형성하고， 또, 상기 밀착층 상에 투명 도전막을 형성하는 것을 특징으로 하는 칼라 표시장치용 전극판의 제조 방법．
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 부분적으로 탄화된 칼라 필터층에서의 Ｘ선광 전자 분광법에 의한 카르복실기에 기인한 신호（Ｉ_COO）에 대한 Ｃ－Ｃ 결합에 기인한 신호（Ｉ_Ｃ－Ｃ）의 비율（Ｉ_Ｃ－Ｃ／Ｉ_COO）이 탄화되어 있지 않은 칼라 필터층의 그것보다도 커지도록 한 것을 특징으로 하는 칼라 표시장치용 전극판의 제조 방법．
기판상에 칼라 필터와, 칼라 필터 보호용의 유기 보호막 및 투명 도전막을 순차적으로 형성해서 칼라 표시장치용 전극판을 제조하는 칼라 표시장치용 전극판의 제조 방법에 있어서，

기판상에 칼라 필터와 유기 보호막을 순차적으로 형성하고，이어서 대기압의 건조 분위기하에서의 방전을 이용한 처리에 의해 상기 유기 보호 막상에 적어도 부분적으로 탄화된 층을 형성하고，상기 부분적으로 탄화된 유기 보호 막상에 투명 도전막을 형성한 것을 특징으로 하는 칼라 표시장치용 전극판의 제조 방법．
제 4항에 있어서, 상기 부분적으로 탄화된 유기 보호막상에 금속의 산화물，질화물，산질화물(oxynitride)중 어느 하나의 화합물로 이루어진 밀착층을 형성하고， 또, 상기 밀착층 상에 투명 도전막을 형성하는 것을 특징으로 하는 칼라 표시장치용 전극판의 제조 방법．
제 4항 또는 제 5항에 있어서, 부분적으로 탄화되어 있는 유기 보호막에서의 Ｘ선광 전자 분광법에 의한 카르복실기에 기인한 신호（Ｉ_COO）에 대한 Ｃ－Ｃ 결합에 기인한 신호（Ｉ_Ｃ－Ｃ）의 비율（Ｉ_Ｃ－Ｃ／Ｉ_COO）이 탄화되어 있지 않은 유기 보호막의 그것보다도 커지도록 한 것을 특징으로 하는 칼라 표시장치용 전극판의 제조 방법．
칼라 필터상에 투명 도전막이 형성된 칼라 표시장치용 전극판에 있어서，상기 칼라 필터와 상기 투명 도전막 사이에, 대기압의 건조 분위기하에서의 방전을 이용한 처리에 의해 형성되는, 상기 칼라 필터가 적어도 부분적으로 탄화된 층을 갖는 것을 특징으로 하는 칼라 표시장치용 전극판．
7항에 있어서, 상기 투명 도전막과 상기 부분적으로 탄화된 층 사이에, 금속의 산화물，질화물，산질화물(oxynitride)중 어느 하나의 화합물로 되는 밀착층이 배치되는 것을 특징으로 하는 칼라 표시장치용 전극판．
7항 또는 8항에 있어서, 탄화된 필터층에서의 Ｘ선광 전자 분광법에 의한 카르복실기에 기인한 신호（Ｉ_COO）에 대한 Ｃ－Ｃ 결합에 기인한 신호（Ｉ_Ｃ－Ｃ）의 비 율（Ｉ_Ｃ－Ｃ／Ｉ_COO）이 탄화되어 있지 않은 칼라 필터층의 그것보다도 커지도록 한 것을 특징으로 하는 칼라 표시장치용 전극판.
7항 내지 9항중 어느 한 항에 기재된 칼라 표시장치용 전극판을 이용하는 것을 특징으로 하는 칼라 표시장치．
칼라 필터 및 상기 칼라 필터를 보호할 목적으로 상기 칼라 필터상에 형성되어 있는 유기 보호막상에 투명 도전막이 형성된 칼라 표시장치용 전극판에 있어서, 상기 유기보호막과 상기 투명 도전막 사이에, 대기압의 건조 분위기하에서의 방전을 이용한 처리에 의해 형성되는, 상기 유기보호막이 적어도 부분적으로 탄화된 층을 갖는 것을 특징으로 하는 칼라 표시장치용 전극판．
11항에 있어서, 상기 투명 도전막과 상기 부분적으로 탄화된 유기 보호막 사이에, 금속의 산화물，질화물，산질화물(oxynitride)중 어느 하나의 화합물로 되는 밀착층이 배치되는 것을 특징으로 하는 칼라 표시장치용 전극판．
11항 또는 12항에 있어서, 탄화되어 있는 유기 보호막에서의 Ｘ선광 전자 분광법에 의한 카르복실기에 기인한 신호（Ｉ_COO）에 대한 Ｃ－Ｃ 결합에 기인한 신호（Ｉ_Ｃ－Ｃ）의 비율（Ｉ_Ｃ－Ｃ／Ｉ_COO）이 탄화되어 있지 않은 유기 보호막의 그것보다도 커지도록 한 것을 특징으로 하는 칼라 표시장치용 전극판.
11항 내지 13항중 어느 한 항에 기재된 칼라 표시장치용 전극판을 이용하는 것을 특징으로 하는 칼라 표시장치．